JP2003264444A - 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents
圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法Info
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Abstract
送し、測定等を含めた作業を行う。 【解決手段】 セラミック基板2のコーナーの、スルー
ホール2cには配線28が形成されており、基板下面の
コーナー電極22cに接続されている。二つの端子電極
である一方の配線層22は、セラミック基板2の短辺で
ある第1辺に近接して形成されており、他方の配線層2
2は、第1辺に対向する短辺である第3辺に近接して形
成されている。一方の配線層22は、第1辺のブレイク
線29上のスルーホール2dに形成された側面電極に、
延在部22aを介して導通しており、他方の配線層22
は、第3辺のブレイク線29上のスルーホール2dに形
成された側面電極に、延在部22aを介して導通してい
る。配線層22とコーナー電極22cとは切り離されて
いる。
Description
板を多数個取りするための圧電デバイス用集合基板、圧
電デバイス及びその製造方法に関する。
む水晶振動子、水晶発振器、表面弾性波フィルタなどの
電子装置である圧電デバイスは、各種産業用あるいは民
生用電子機器などに広く適用されている。このような圧
電デバイスは、回路基板への高密度実装に適するよう
に、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機
器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型の
ものが出現している。そして、携帯電話に代表される携
帯用通信機器等の普及に伴い、電子装置の小型・軽量化
が求められ、圧電デバイスの小型化、軽量化、そしてコ
ストダウンの要求がますます強くなっている。
化の進行に伴い、その取り扱いを容易にするために、他
の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取
りできる、集合基板を用いて各工程を処理する方法が、
電子装置の望ましい製造方法と考えられ、特開平11−
340350号公報など、さまざまな集合基板による製
造方法が開示されている。
て、水晶振動子を取り上げて説明する。図16は従来の
水晶振動子の断面図である。図16において、70は表
面実装型の水晶振動子であり、62は水晶振動子70の
筐体を構成する平板状のセラミック基板、63はその上
を覆ったコバール(Fe/Ni/Co合金)製の箱形の
蓋部材である。72は、セラミック基板62の表面に形
成された方形のキャビティである。61は水晶振動体で
あり、キャビティ72と蓋部材63とで規定される内部
空間に実装されている。
部材63と導通しないように形成された配線層であり、
82は同じく下面に形成された端子電極としての配線層
である。83は両配線層81、82を接続している内部
配線である。84は導電ペーストであり、水晶振動体6
1の一端は導電ペースト84を介して配線層81の上に
接合されている。86は、蓋部材63の接合のために、
セラミック基板62の表面に形成された配線層であり、
85は、配線層86上に形成された低温金属ロウ材から
成る接合層である。セラミック基板62と蓋部材63と
は、配線層86及び接合層85を介して溶着されてい
る。
り、略方形のセラミック基板62の両短辺に沿って、一
対の端子電極である配線層82が配設されている。87
は、各コーナーに形成されたスルーホール(実際は1/
4に切り欠かれている)62cに形成された配線層であ
り、配線層87は、配線層82から2カ所のコーナー電
極82cを経て延在して設けられている。水晶振動子7
0を電子機器の回路基板に半田付けした場合に、表面か
ら見て端子電極である配線層82が半田によって回路基
板へ良好に接合されたか否かを、スルーホール62cの
配線層87に濡れ上がった半田を視認することによっ
て、確認することができる。
2の部分下面図である。分割線89が交差するところ
に、スルーホール62cが設けられ、各スルーホール6
2cにおいて互いに隣接する四つの個別セラミック基板
62の端子電極である配線層82は、コーナー電極82
c及び配線層87を介して互いに導通している。
説明する。まず、単個のセラミック基板62を多数個取
りできる集合基板状態のセラミック基板62を製造す
る。それには、図19、図20に示すように、2種類の
定尺シート62a、62bを用意する。そのために、ア
ルミナを主原料として含むセラミック粉末、バインダ等
を含むスラリーから、長尺で定尺幅のグリーンシートを
成形する。この長尺シートから、予め設定された圧縮率
に基づいた寸法に、図20に示す定尺シート62bを外
形プレス抜きし、その際、積層処理のための作業基準穴
87も開孔する。次いで、定尺シート62bの作業穴8
7を基準に、電子要素を収納するキャビティ72をプレ
ス抜きして定尺シート62aを形成する。
b及び62aを、予め定められた組み合わせで積層圧着
させる。積層工程は、例えば、200〜250℃で一定
時間にわたってプレス圧着することによって行うことが
できる。図21はこのようにして得られた積層グリーン
シート(セラミック基板)62を示したものであり、図
には、以下の工程で作り込められるブレイク線89も、
理解の補助のため、便宜的に示されている。
図21の線分A−Aに沿った断面図である図22に順に
示すようにして加工する。まず、得られた積層グリーン
シート62の作業基準穴87を基準に、図22の工程
(A)に示すように、表裏面の導通をとるためのスルー
ホール73、及びコーナーの図示しないスルーホール6
2cを開孔する。
程で開孔したスルーホール73、スルーオール62c
に、W、Mo等の高融点金属から成る圧膜導体ペースト
を充填して電気的導通部83とする。次いで、表面側の
配線層81及び86、裏面側の配線層82を、W、Mo
等の高融点金属から成る圧膜導体ペーストを塗布するこ
とにより形成する。この場合、後の工程で各配線層に電
気メッキによりAuメッキを施すために、集合基板上の
全てのセラミック基板62の配線間は相互に接続されて
いる。
態のセラミック基板62の厚みの約50%のところまで
切り込みを入れ、ブレイク線89を形成する。ブレイク
線89は製造工程の途中で、セラミック基板62を電子
装置の単位に切り離すためのものである。その後、積層
グリーンシートを水素雰囲気中で1550〜1650℃
で焼成する。この焼成で約20%寸法収縮が成され、キ
ャビティ、スルーホール、貫通穴、配線層、ブレイク線
が形成された集合基板状態のセラミック基板62が完成
する。
板62をそのブレイク線89のところで切り分けると、
工程(C)に示すように、それぞれが目的とする水晶振
動子の単位に相当するセラミック基板62が得られる。
程(D)に示すように、キャリア(搬送治具)100に
装填し、水晶振動体61の実装工程(E)に移行する。
まず、セラミック基板62の上の配線層81に導電ペー
スト84を塗布し、水晶振動体61を搭載する。その後
に加熱する。例えば、導電ペースト84がAg含有の熱
硬化性樹脂であるとき、その加熱温度は約180℃であ
る。
ミック基板62は周波数の調整工程(F)に移行する。
ここで、セラミック基板62を、マスク101aを備え
た専用のキャリア101に装填し直し、真空雰囲気内
で、測定した周波数に応じて水晶振動体61の一部にA
uを蒸着することによって行う。周波数調整後のセラミ
ック基板62は、カーボン治具102に移し替える。
では、予めセラミック基板62の接合位置に箔状の低温
金属ロウ材(ここでは、Au−Sn合金のロウ材を使
用)を配設して接合層85を形成した後、セラミック基
板62と蓋部材63(ここではコバールを使用)とを重
ね合わせて、専用のカーボン治具102に収納した状態
で、封止炉内で接合層85を介してロウ付けし気密封止
する。このようにして作製した水晶振動子70は、完成
検査の後に市場に出される。
振器用の集合基板状態のセラミック基板を示している要
部下面図である。ここで、四つの端子電極112が個別
基板に相当するセラミック基板92の各コーナー部に近
接して設けられており、端子電極112は、長辺方向の
ブレイク線119に沿って配設されたスルーホール92
eの厚膜導電体に接続している。同様に、隣り合う基板
の端子電極112もこのスルーホール92eと接続導通
している。図25はその他の水晶発振器の集合基板状態
のセラミック基板122の要部下面図である。ここで
は、コーナー部のスルーホール122cの厚膜導電体を
介して隣接するセラミック基板122の端子電極132
は互いに導通している。
た製造方法やその他の多数個取り方式に基づく製造方法
には、多くの問題点が存在していた。即ち、圧電振動体
の実装工程において、早くもセラミック基板を集合基板
状態から単個に切り出して、キャリアに詰める作業が必
要であった。従って、その後の周波数調整工程、封止工
程においても、単個のセラミック基板に対して作業が行
われていて、集合基板を基準とした搬送や組立等の作業
ができていなかった。また、従来の集合基板では、各個
別基板の端子電極同士をすべて導通させて電気メッキし
ていたので、集合基板に圧電振動体を搭載した状態で圧
電デバイスを駆動し調整することはできなかった。
に、切り粉がキャビティの内部に入り込んだり、セラミ
ック基板をキャリアに装填する際には、セラミック基板
の堅いエッジが切れ刃となって金属キャリヤを削って切
り粉を発生させるという問題があった。更に、封止工程
ではカーボン治具を用いていたために、カーボン治具か
ら塵埃が剥離してキャビティへ進入することが避けられ
なかった。そして、一旦キャビティに入り込んだ切り粉
などのゴミは容易に取りきれないという問題があった。
ゴミが性能に及ぼす影響は、圧電デバイスが小型になる
ほど増大するので、小型圧電デバイスを製造する企業に
とっては、塵埃の排除のために膨大な資本投入が必要に
なっている。
ず、圧電デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないと
いう問題があった。また、キャリア詰めや、専用キャリ
アへの移し替え作業がついて回り、製造工程が煩雑であ
った。
決するためになされたものであり、その目的は、水晶振
動子を初めとする各種圧電デバイスの集合基板を、全工
程にわたって十分に活用して製造できるようにした圧電
デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法を
提供することである。
ための本発明の手段は、集合基板を切断して複数の個別
基板を得るための構造であって、前記集合基板の一方の
面には、複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を
搭載するための接続電極を配列し、他方の面には、前記
複数の個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端
子電極を配列し、切断箇所には、前記複数の個別基板に
対応して、前記端子電極と導通した側面電極を配設する
ためのスルーホールを配列し、各電極にメッキを施した
圧電デバイス用集合基板において、前記スルーホールに
配設した前記側面電極は、前記端子電極の一つとだけ導
通していることを特徴とする。
であり、前記スルーホールは、前記個別基板のコーナー
部を避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したこと
を特徴とする。
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第1辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第1辺に隣接する第2
辺または第4辺に沿って配設した前記スルーホール内の
前記側面電極に導通していることを特徴とする。
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第1辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第1辺と対向する第3
辺に沿って配設した前記スルーホール内の前記側面電極
に導通していることを特徴とする。
近接して各々1個ずつ配設されており、二つの前記端子
電極は、第1辺に隣接する第2辺又は第4辺に沿って配
設した別個のスルーホール内の側面電極に導通している
ことを特徴とする。
り、前記端子電極は、前記個別基板の四辺にそれぞれ一
つずつ配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導
通していることを特徴とする。
の手段は、本発明の請求項1乃至請求項6のいずれか1
項に記載の集合基板の前記接続電極に前記圧電振動体を
搭載し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合
基板を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特
徴とする。
に他の手段は、集合基板の一方の面に、複数の個別基板
に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配
列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記複数の
個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極
を配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断
箇所に、前記複数の個別基板に対応して、前記端子電極
の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルー
ホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程
と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して
調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部
材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿
って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなる
ことを特徴とする。
である圧電デバイスの一つ、水晶振動子を図面に基づい
て詳細に説明する。図1は本発明の第一の実施の形態で
ある水晶振動子の断面図であり、図2はこの水晶振動子
の側面図である。図3はこの水晶振動子の下面図、図4
はこの水晶振動子の集合基板状態のセラミック基板の要
部下面図、図5はこの水晶振動子の製造方法を示す断面
図である。
晶振動子の構成を説明する。図1に示す断面図は、従来
技術で説明したものと同様である。従って、従来と同じ
構成要素には同じ名称を用いて、詳細な説明は省略す
る。10は圧電デバイスである水晶振動子であり、1は
水晶振動体、2は圧電デバイス用基板であるセラミック
基板、3は蓋部材である。12はセラミック基板2のキ
ャビティ、21、26はセラミック基板2の上面の配線
層、22は同じく下面の配線層であり、図示しない電子
機器の回路基板に接続する端子電極となっている。23
は配線層21と配線層22とを接続する内部配線、24
は水晶振動体1を配線層21に固定している導電ペース
トである。25は蓋部材3を配線層26に接合している
接合層である。
の四隅のスルーホール2cに形成された配線であり、図
3に示すセラミック基板2のコーナー電極22cに接続
され、セラミック基板2の上面から離間した部分にまで
形成されている。図3において、セラミック基板2は平
面形状が略方形であり、本実施形態では、図3右側の短
辺を第1辺としたとき、反時計方向へ順番に第2辺、第
3辺、第4辺としている。二つの端子電極である配線層
22は、セラミック基板2の両短辺である第1辺、並び
にこれと対向する第3辺に近接して配設されている。第
1辺側の端子電極は、第1辺に沿って配設された2カ所
のスルーホール(実際は半分に分割されている)2dの
側面電極の一つと延在部22aを介して導通しており、
第3辺側の端子電極は、第3辺に沿って配設された2カ
所のスルーホール2dの側面電極の一つと延在部22a
を介して導通している。
ミック基板2を多数個取りするように配列した圧電デバ
イス用集合基板の一方の面には、複数のセラミック基板
2に対応して、水晶振動体1を搭載するための接続電極
である配線層21を配列し、他方の面には、複数のセラ
ミック基板2に対応して、配線層21と導通した端子電
極である配線層22を配列してある。切断箇所であるブ
レイク線29に沿って、複数のセラミック基板2に対応
して、配線層22と導通した側面電極を配設するための
スルーホール2dがコーナー部を避けて配列され、各電
極には無電界Niメッキの下地の上に無電界Auメッキ
が施されている。すなわち、集合基板において、スルー
ホール2dに配設した側面電極は、配線層22の一つと
だけ導通している。なお、セラミック基板2のコーナー
電極22cは、集合基板内で隣り合うセラミック基板2
のコーナー電極22cと接続している。
を用いて説明する。集合基板状態のセラミック基板2を
完成するまでの工程は、従来技術として説明した図22
の(B)工程までとほぼ同じである。但し、配線層2
1、22及び26上に施すメッキが従来と異なり、Ni
+Auの無電界メッキとなっている。この工程の後に、
図5の(A)工程へ移行する。ここで、セラミック基板
2上の搭載位置をカメラで認識しながら、導電ペースト
24を介して水晶振動体1を配線層21上に固定する。
なお、図示しないが、導電ペースト24が硬化するま
で、水晶振動体1の先端部を支持する部材が必要であ
る。
整を行う。このとき、集合基板単位で、真空雰囲気に入
れ、集合基板内の個別基板であるセラミック基板2に対
して、順次端子電極から通電して周波数を測定しなが
ら、水晶振動体1の矢印の位置にAu蒸着、あるいはイ
オンビームエッチングを施す。
線層26上にAu−Snロウ材から成る接合層25を形
成して、蓋部材3を被せ、真空雰囲気で接合層25をリ
フローして溶着させる。最後に、集合基板をブレイク線
29に沿って切り離して、水晶振動子10を取り出し、
完成検査後に出荷する。
て説明する。集合基板内において、隣接するセラミック
基板2の配線層22同士が互いに分離されているので、
集合基板上で個別基板ごとに、水晶振動体1の測定及び
周波数調整ができるようになった。また、配線層22は
側面電極の一つと導通しているので、水晶振動子10を
回路基板に表面実装した際に、配線層22を固定する半
田が、側面電極に濡れ上がったのを視認することで、半
田付けの成否を確認することができる。
基板を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャ
リアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャ
リア詰め工数の削減ができる。また、キャリアからセラ
ミック基板2のキャビティ12へのゴミの侵入を防止で
きる。
水晶振動子の構成について説明する。図6は第二の実施
の形態である水晶振動子の下面図、図7は図6の振動子
の集合基板の要部下面図である。図8は第三の実施の形
態である水晶振動子の下面図、図9は図8の振動子の集
合基板の要部下面図である。図10は本発明の第四の実
施の形態である水晶振動子の下面図、図11は図10の
振動子の集合基板の要部下面図である。図12は本発明
の第五の実施の形態である水晶振動子の下面図、図13
は図12の振動子の集合基板の要部下面図である。図1
4は本発明の第六の実施の形態である水晶振動子の下面
図、図15は図14の振動子の集合基板の要部下面図で
ある。
第一の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層22の一方は、セラミック基板2の一方の長
辺である第1辺にあるスルーホール2eの側面電極に、
他方は第1辺と対向する第3辺にあるスルーホール2e
の側面電極に導通しているところである。
第二の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層22が、セラミック基板2の一方の長辺に沿
って配設した別個のスルーホール2eの側面電極に導通
しているところである。
態は、第一の実施の形態と第二の実施の形態とを合体さ
せた形態である。即ち、端子電極は二つ配設されてお
り、一方の端子電極は、セラミック基板2の第1辺に沿
って配設された第1スルーホール2d内の第1側面電極
と、第1辺に隣接する第2辺に沿って配設した第2スル
ーホール内の第2側面電極とに導通しており、他方の電
極は、第1辺と対向する第3辺に沿って配設した第3ス
ルーホール内の第3側面電極と、第3辺と隣接する第4
辺に沿って配設された第4側面電極とに導通している。
なお、ここで、第2側面電極が第4辺に、第4側面電極
が第2辺にある形態であってもよい。
態は、二つの端子電極のうち、一方は第一の実施の形態
と同じ、他方は第三の実施の形態と同じ形態である。即
ち、一方の端子電極はセラミック基板2の第1辺に沿っ
て配設されたスルーホール2d内の側面電極に導通して
おり、他方の端子電極は第1辺に隣接した第2辺または
第4辺に沿って配設されたスルーホール2e内の側面電
極に導通している。
実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振
動子に限らず、圧電デバイス一般に広く応用できるもの
である。例えば、図14は、本発明の第六の実施の形態
である水晶発振器の下面図であり、図15はその集合基
板の要部下面図である。
52は4コーナーに近接して設けられた四つの端子電極
である配線層であり、配線層52は、セラミック基板5
2の四辺に沿って分散配設したスルーホール32d、3
2e内の側面電極の一つに延在部52aを経由して導通
している。図15に示すように、集合基板上では、スル
ーホール32d、32eに配設した側面電極は、いずれ
も端子電極の一つとだけ導通している。以上の実施の形
態では、何れにしても、集合基板において、スルーホー
ル内のどの側面電極も、一つの端子電極とだけ導通して
いる。
ある圧電デバイス用基板を配設した圧電デバイス用集合
基板において、ブレイク線に沿ってスルーホールを配設
し、どのスルーホール内の側面電極も端子電極の一つと
だけ導通させたので、個別基板同士の配線が切り離され
た結果、集合基板上での圧電デバイスの単独発振が可能
となり、周波数調整や電気特性の計測が可能になるな
ど、集合基板を基準に搬送する生産方式をフルに活用す
ることができて、圧電デバイスの大幅なコストダウンを
達成することができた。
は、平面形状が略方形であり、端子電極と導通した側面
電極を有するスルーホールは、個別基板のコーナー部を
避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したので、圧
電デバイスを電子機器の回路基板に実装した場合に、端
子電極を接合する半田が側面電極に塗れ上がるのを視認
することにより、半田付けの成否を容易に確認すること
ができる。また、コーナー部に設けた側面電極よりも幅
の広い側面電極にできるので、半田の塗れ上がり確認が
わかりやすくなる。
である。
である。
下面図である。
集合基板の要部下面図である。
程を説明する工程図である。
下面図である。
集合基板の要部下面図である。
下面図である。
集合基板の要部下面図である。
の下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
の下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
の下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
図である。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
Claims (9)
- 【請求項1】 集合基板を切断して複数の個別基板を得
るための構造であって、前記集合基板の一方の面には、
複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を搭載する
ための接続電極を配列し、他方の面には、前記複数の個
別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極を
配列し、切断箇所には、前記複数の個別基板に対応し
て、前記端子電極と導通した側面電極を配設するための
スルーホールを配列し、各電極にメッキを施した圧電デ
バイス用集合基板において、前記スルーホールに配設し
た前記側面電極は、前記端子電極の一つとだけ導通して
いることを特徴とする圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項2】 前記個別基板は、平面形状が略方形であ
り、前記スルーホールは、前記個別基板のコーナー部を
避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したことを特
徴とする請求項1記載の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項3】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第1辺に沿って配設
した前記スルーホール内の前記側面電極に導通してお
り、他方の端子電極は、前記第1辺に隣接する第2辺ま
たは第4辺に沿って配設した前記スルーホール内の前記
側面電極に導通していることを特徴とする請求項2記載
の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項4】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第1辺に沿って配設
した前記スルーホール内の前記側面電極に導通してお
り、他方の端子電極は、前記第1辺と対向する第3辺に
沿って配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導
通していることを特徴とする請求項2記載の圧電デバイ
ス用集合基板。 - 【請求項5】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第1辺に沿って配設
した第1スルーホール内の第1側面電極と、前記第1辺
に隣接する第2辺に沿って配設した第2スルーホール内
の第2側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前
記第1辺と対向する第3辺に沿って配設した第3スルー
ホール内の第3側面電極と、前記第3辺と隣接する第4
辺に沿って配設した第4スルーホール内の第4側面電極
に導通していることを特徴とする請求項2記載の圧電デ
バイス用集合基板。 - 【請求項6】 前記端子電極は第1辺と第2辺とに近接
して各々1個ずつ配設されており、二つの前記端子電極
は、第1辺に隣接する第2辺又は第4辺に沿って配設し
た別個のスルーホール内の側面電極に導通していること
を特徴とする請求項2記載の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項7】 前記端子電極は四つ配設されており、前
記端子電極は、前記個別基板の四辺にそれぞれ一つずつ
配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通して
いることを特徴とする請求項2記載の圧電デバイス用集
合基板。 - 【請求項8】 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に
記載の集合基板の前記接続電極に前記圧電振動体を搭載
し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合基板
を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特徴と
する圧電デバイス。 - 【請求項9】 集合基板の一方の面に、複数の個別基板
に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配
列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記複数の
個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極
を配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断
箇所に、前記複数の個別基板に対応して、前記端子電極
の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルー
ホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程
と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して
調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部
材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿
って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなる
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339702A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2007184545A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-07-19 | Yamaha Corp | 半導体ユニット、半導体装置、及び、その製造方法 |
JP2007201041A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子搭載用の支持体 |
JP2008301260A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2009267636A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
JP2010093544A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
JP2012044495A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
JP2012114810A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及びその製造方法 |
JPWO2010079803A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2012-06-28 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造方法 |
JP2012142909A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-07-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP4993204B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP2012151823A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及び基板シート |
JP2012175492A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
US8344489B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-01-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2013034166A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-02-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及び基板シート |
JP2013065875A (ja) * | 2008-01-07 | 2013-04-11 | Seiko Epson Corp | 電子部品用パッケージ及び電子デバイス |
JP2015103739A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル |
WO2021049087A1 (ja) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 株式会社村田製作所 | 共振装置、集合基板、及び共振装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002062870A patent/JP4068367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4993204B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP2006339702A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2007184545A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-07-19 | Yamaha Corp | 半導体ユニット、半導体装置、及び、その製造方法 |
US8344489B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-01-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2007201041A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子搭載用の支持体 |
JP2008301260A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2013065875A (ja) * | 2008-01-07 | 2013-04-11 | Seiko Epson Corp | 電子部品用パッケージ及び電子デバイス |
JP2009267636A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
JP2010093544A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
JPWO2010079803A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2012-06-28 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造方法 |
US8991022B2 (en) | 2009-01-07 | 2015-03-31 | Daishinku Corporation | Method for manufacturing piezoelectric resonator device |
JP2012044495A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
US8823247B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-09-02 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric vibrating devices including respective packages in which castellations include respective connecting electrodes |
JP2012142909A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-07-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP2012114810A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及びその製造方法 |
JP2012151823A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及び基板シート |
JP2013034166A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-02-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶振動子及び基板シート |
JP2012175492A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP2015103739A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル |
WO2021049087A1 (ja) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 株式会社村田製作所 | 共振装置、集合基板、及び共振装置の製造方法 |
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