JP2003264444A - 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents
圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法Info
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 個別基板を配列した集合基板を基準にして搬
送し、測定等を含めた作業を行う。 【解決手段】 セラミック基板２のコーナーの、スルー
ホール２ｃには配線２８が形成されており、基板下面の
コーナー電極２２ｃに接続されている。二つの端子電極
である一方の配線層２２は、セラミック基板２の短辺で
ある第１辺に近接して形成されており、他方の配線層２
２は、第１辺に対向する短辺である第３辺に近接して形
成されている。一方の配線層２２は、第１辺のブレイク
線２９上のスルーホール２ｄに形成された側面電極に、
延在部２２ａを介して導通しており、他方の配線層２２
は、第３辺のブレイク線２９上のスルーホール２ｄに形
成された側面電極に、延在部２２ａを介して導通してい
る。配線層２２とコーナー電極２２ｃとは切り離されて
いる。
送し、測定等を含めた作業を行う。 【解決手段】 セラミック基板２のコーナーの、スルー
ホール２ｃには配線２８が形成されており、基板下面の
コーナー電極２２ｃに接続されている。二つの端子電極
である一方の配線層２２は、セラミック基板２の短辺で
ある第１辺に近接して形成されており、他方の配線層２
２は、第１辺に対向する短辺である第３辺に近接して形
成されている。一方の配線層２２は、第１辺のブレイク
線２９上のスルーホール２ｄに形成された側面電極に、
延在部２２ａを介して導通しており、他方の配線層２２
は、第３辺のブレイク線２９上のスルーホール２ｄに形
成された側面電極に、延在部２２ａを介して導通してい
る。配線層２２とコーナー電極２２ｃとは切り離されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電デバイス用基
板を多数個取りするための圧電デバイス用集合基板、圧
電デバイス及びその製造方法に関する。
板を多数個取りするための圧電デバイス用集合基板、圧
電デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、水晶振動体などの圧電振動体を含
む水晶振動子、水晶発振器、表面弾性波フィルタなどの
電子装置である圧電デバイスは、各種産業用あるいは民
生用電子機器などに広く適用されている。このような圧
電デバイスは、回路基板への高密度実装に適するよう
に、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機
器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型の
ものが出現している。そして、携帯電話に代表される携
帯用通信機器等の普及に伴い、電子装置の小型・軽量化
が求められ、圧電デバイスの小型化、軽量化、そしてコ
ストダウンの要求がますます強くなっている。
む水晶振動子、水晶発振器、表面弾性波フィルタなどの
電子装置である圧電デバイスは、各種産業用あるいは民
生用電子機器などに広く適用されている。このような圧
電デバイスは、回路基板への高密度実装に適するよう
に、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機
器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型の
ものが出現している。そして、携帯電話に代表される携
帯用通信機器等の普及に伴い、電子装置の小型・軽量化
が求められ、圧電デバイスの小型化、軽量化、そしてコ
ストダウンの要求がますます強くなっている。
【０００３】一方、こうした電子機器、電子装置の小型
化の進行に伴い、その取り扱いを容易にするために、他
の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取
りできる、集合基板を用いて各工程を処理する方法が、
電子装置の望ましい製造方法と考えられ、特開平１１−
３４０３５０号公報など、さまざまな集合基板による製
造方法が開示されている。
化の進行に伴い、その取り扱いを容易にするために、他
の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取
りできる、集合基板を用いて各工程を処理する方法が、
電子装置の望ましい製造方法と考えられ、特開平１１−
３４０３５０号公報など、さまざまな集合基板による製
造方法が開示されている。
【０００４】このような従来の圧電デバイスの一例とし
て、水晶振動子を取り上げて説明する。図１６は従来の
水晶振動子の断面図である。図１６において、７０は表
面実装型の水晶振動子であり、６２は水晶振動子７０の
筐体を構成する平板状のセラミック基板、６３はその上
を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の箱形の
蓋部材である。７２は、セラミック基板６２の表面に形
成された方形のキャビティである。６１は水晶振動体で
あり、キャビティ７２と蓋部材６３とで規定される内部
空間に実装されている。
て、水晶振動子を取り上げて説明する。図１６は従来の
水晶振動子の断面図である。図１６において、７０は表
面実装型の水晶振動子であり、６２は水晶振動子７０の
筐体を構成する平板状のセラミック基板、６３はその上
を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の箱形の
蓋部材である。７２は、セラミック基板６２の表面に形
成された方形のキャビティである。６１は水晶振動体で
あり、キャビティ７２と蓋部材６３とで規定される内部
空間に実装されている。
【０００５】８１は、セラミック基板６２の表面に、蓋
部材６３と導通しないように形成された配線層であり、
８２は同じく下面に形成された端子電極としての配線層
である。８３は両配線層８１、８２を接続している内部
配線である。８４は導電ペーストであり、水晶振動体６
１の一端は導電ペースト８４を介して配線層８１の上に
接合されている。８６は、蓋部材６３の接合のために、
セラミック基板６２の表面に形成された配線層であり、
８５は、配線層８６上に形成された低温金属ロウ材から
成る接合層である。セラミック基板６２と蓋部材６３と
は、配線層８６及び接合層８５を介して溶着されてい
る。
部材６３と導通しないように形成された配線層であり、
８２は同じく下面に形成された端子電極としての配線層
である。８３は両配線層８１、８２を接続している内部
配線である。８４は導電ペーストであり、水晶振動体６
１の一端は導電ペースト８４を介して配線層８１の上に
接合されている。８６は、蓋部材６３の接合のために、
セラミック基板６２の表面に形成された配線層であり、
８５は、配線層８６上に形成された低温金属ロウ材から
成る接合層である。セラミック基板６２と蓋部材６３と
は、配線層８６及び接合層８５を介して溶着されてい
る。
【０００６】図１７はセラミック基板６２の下面図であ
り、略方形のセラミック基板６２の両短辺に沿って、一
対の端子電極である配線層８２が配設されている。８７
は、各コーナーに形成されたスルーホール（実際は１／
４に切り欠かれている）６２ｃに形成された配線層であ
り、配線層８７は、配線層８２から２カ所のコーナー電
極８２ｃを経て延在して設けられている。水晶振動子７
０を電子機器の回路基板に半田付けした場合に、表面か
ら見て端子電極である配線層８２が半田によって回路基
板へ良好に接合されたか否かを、スルーホール６２ｃの
配線層８７に濡れ上がった半田を視認することによっ
て、確認することができる。
り、略方形のセラミック基板６２の両短辺に沿って、一
対の端子電極である配線層８２が配設されている。８７
は、各コーナーに形成されたスルーホール（実際は１／
４に切り欠かれている）６２ｃに形成された配線層であ
り、配線層８７は、配線層８２から２カ所のコーナー電
極８２ｃを経て延在して設けられている。水晶振動子７
０を電子機器の回路基板に半田付けした場合に、表面か
ら見て端子電極である配線層８２が半田によって回路基
板へ良好に接合されたか否かを、スルーホール６２ｃの
配線層８７に濡れ上がった半田を視認することによっ
て、確認することができる。
【０００７】図１８は集合基板であるセラミック基板６
２の部分下面図である。分割線８９が交差するところ
に、スルーホール６２ｃが設けられ、各スルーホール６
２ｃにおいて互いに隣接する四つの個別セラミック基板
６２の端子電極である配線層８２は、コーナー電極８２
ｃ及び配線層８７を介して互いに導通している。
２の部分下面図である。分割線８９が交差するところ
に、スルーホール６２ｃが設けられ、各スルーホール６
２ｃにおいて互いに隣接する四つの個別セラミック基板
６２の端子電極である配線層８２は、コーナー電極８２
ｃ及び配線層８７を介して互いに導通している。
【０００８】次に、水晶振動子７０の製造方法について
説明する。まず、単個のセラミック基板６２を多数個取
りできる集合基板状態のセラミック基板６２を製造す
る。それには、図１９、図２０に示すように、２種類の
定尺シート６２ａ、６２ｂを用意する。そのために、ア
ルミナを主原料として含むセラミック粉末、バインダ等
を含むスラリーから、長尺で定尺幅のグリーンシートを
成形する。この長尺シートから、予め設定された圧縮率
に基づいた寸法に、図２０に示す定尺シート６２ｂを外
形プレス抜きし、その際、積層処理のための作業基準穴
８７も開孔する。次いで、定尺シート６２ｂの作業穴８
７を基準に、電子要素を収納するキャビティ７２をプレ
ス抜きして定尺シート６２ａを形成する。
説明する。まず、単個のセラミック基板６２を多数個取
りできる集合基板状態のセラミック基板６２を製造す
る。それには、図１９、図２０に示すように、２種類の
定尺シート６２ａ、６２ｂを用意する。そのために、ア
ルミナを主原料として含むセラミック粉末、バインダ等
を含むスラリーから、長尺で定尺幅のグリーンシートを
成形する。この長尺シートから、予め設定された圧縮率
に基づいた寸法に、図２０に示す定尺シート６２ｂを外
形プレス抜きし、その際、積層処理のための作業基準穴
８７も開孔する。次いで、定尺シート６２ｂの作業穴８
７を基準に、電子要素を収納するキャビティ７２をプレ
ス抜きして定尺シート６２ａを形成する。
【０００９】引き続いて、所定の枚数の定尺シート６２
ｂ及び６２ａを、予め定められた組み合わせで積層圧着
させる。積層工程は、例えば、２００〜２５０℃で一定
時間にわたってプレス圧着することによって行うことが
できる。図２１はこのようにして得られた積層グリーン
シート（セラミック基板）６２を示したものであり、図
には、以下の工程で作り込められるブレイク線８９も、
理解の補助のため、便宜的に示されている。
ｂ及び６２ａを、予め定められた組み合わせで積層圧着
させる。積層工程は、例えば、２００〜２５０℃で一定
時間にわたってプレス圧着することによって行うことが
できる。図２１はこのようにして得られた積層グリーン
シート（セラミック基板）６２を示したものであり、図
には、以下の工程で作り込められるブレイク線８９も、
理解の補助のため、便宜的に示されている。
【００１０】次いで、得られたグリーンシート６２を、
図２１の線分Ａ−Ａに沿った断面図である図２２に順に
示すようにして加工する。まず、得られた積層グリーン
シート６２の作業基準穴８７を基準に、図２２の工程
（Ａ）に示すように、表裏面の導通をとるためのスルー
ホール７３、及びコーナーの図示しないスルーホール６
２ｃを開孔する。
図２１の線分Ａ−Ａに沿った断面図である図２２に順に
示すようにして加工する。まず、得られた積層グリーン
シート６２の作業基準穴８７を基準に、図２２の工程
（Ａ）に示すように、表裏面の導通をとるためのスルー
ホール７３、及びコーナーの図示しないスルーホール６
２ｃを開孔する。
【００１１】次いで、工程（Ｂ）に示すように、先の工
程で開孔したスルーホール７３、スルーオール６２ｃ
に、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る圧膜導体ペースト
を充填して電気的導通部８３とする。次いで、表面側の
配線層８１及び８６、裏面側の配線層８２を、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属から成る圧膜導体ペーストを塗布するこ
とにより形成する。この場合、後の工程で各配線層に電
気メッキによりＡｕメッキを施すために、集合基板上の
全てのセラミック基板６２の配線間は相互に接続されて
いる。
程で開孔したスルーホール７３、スルーオール６２ｃ
に、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る圧膜導体ペースト
を充填して電気的導通部８３とする。次いで、表面側の
配線層８１及び８６、裏面側の配線層８２を、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属から成る圧膜導体ペーストを塗布するこ
とにより形成する。この場合、後の工程で各配線層に電
気メッキによりＡｕメッキを施すために、集合基板上の
全てのセラミック基板６２の配線間は相互に接続されて
いる。
【００１２】その後、金型にて、積層グリーンシート状
態のセラミック基板６２の厚みの約５０％のところまで
切り込みを入れ、ブレイク線８９を形成する。ブレイク
線８９は製造工程の途中で、セラミック基板６２を電子
装置の単位に切り離すためのものである。その後、積層
グリーンシートを水素雰囲気中で１５５０〜１６５０℃
で焼成する。この焼成で約２０％寸法収縮が成され、キ
ャビティ、スルーホール、貫通穴、配線層、ブレイク線
が形成された集合基板状態のセラミック基板６２が完成
する。
態のセラミック基板６２の厚みの約５０％のところまで
切り込みを入れ、ブレイク線８９を形成する。ブレイク
線８９は製造工程の途中で、セラミック基板６２を電子
装置の単位に切り離すためのものである。その後、積層
グリーンシートを水素雰囲気中で１５５０〜１６５０℃
で焼成する。この焼成で約２０％寸法収縮が成され、キ
ャビティ、スルーホール、貫通穴、配線層、ブレイク線
が形成された集合基板状態のセラミック基板６２が完成
する。
【００１３】上記の工程（Ｂ）で作製したセラミック基
板６２をそのブレイク線８９のところで切り分けると、
工程（Ｃ）に示すように、それぞれが目的とする水晶振
動子の単位に相当するセラミック基板６２が得られる。
板６２をそのブレイク線８９のところで切り分けると、
工程（Ｃ）に示すように、それぞれが目的とする水晶振
動子の単位に相当するセラミック基板６２が得られる。
【００１４】次いで、セラミック基板６２を図２３の工
程（Ｄ）に示すように、キャリア（搬送治具）１００に
装填し、水晶振動体６１の実装工程（Ｅ）に移行する。
まず、セラミック基板６２の上の配線層８１に導電ペー
スト８４を塗布し、水晶振動体６１を搭載する。その後
に加熱する。例えば、導電ペースト８４がＡｇ含有の熱
硬化性樹脂であるとき、その加熱温度は約１８０℃であ
る。
程（Ｄ）に示すように、キャリア（搬送治具）１００に
装填し、水晶振動体６１の実装工程（Ｅ）に移行する。
まず、セラミック基板６２の上の配線層８１に導電ペー
スト８４を塗布し、水晶振動体６１を搭載する。その後
に加熱する。例えば、導電ペースト８４がＡｇ含有の熱
硬化性樹脂であるとき、その加熱温度は約１８０℃であ
る。
【００１５】水晶振動体６１の実装が完了した後、セラ
ミック基板６２は周波数の調整工程（Ｆ）に移行する。
ここで、セラミック基板６２を、マスク１０１ａを備え
た専用のキャリア１０１に装填し直し、真空雰囲気内
で、測定した周波数に応じて水晶振動体６１の一部にＡ
ｕを蒸着することによって行う。周波数調整後のセラミ
ック基板６２は、カーボン治具１０２に移し替える。
ミック基板６２は周波数の調整工程（Ｆ）に移行する。
ここで、セラミック基板６２を、マスク１０１ａを備え
た専用のキャリア１０１に装填し直し、真空雰囲気内
で、測定した周波数に応じて水晶振動体６１の一部にＡ
ｕを蒸着することによって行う。周波数調整後のセラミ
ック基板６２は、カーボン治具１０２に移し替える。
【００１６】次いで、封止工程（Ｇ）に移行する。ここ
では、予めセラミック基板６２の接合位置に箔状の低温
金属ロウ材（ここでは、Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材を使
用）を配設して接合層８５を形成した後、セラミック基
板６２と蓋部材６３（ここではコバールを使用）とを重
ね合わせて、専用のカーボン治具１０２に収納した状態
で、封止炉内で接合層８５を介してロウ付けし気密封止
する。このようにして作製した水晶振動子７０は、完成
検査の後に市場に出される。
では、予めセラミック基板６２の接合位置に箔状の低温
金属ロウ材（ここでは、Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材を使
用）を配設して接合層８５を形成した後、セラミック基
板６２と蓋部材６３（ここではコバールを使用）とを重
ね合わせて、専用のカーボン治具１０２に収納した状態
で、封止炉内で接合層８５を介してロウ付けし気密封止
する。このようにして作製した水晶振動子７０は、完成
検査の後に市場に出される。
【００１７】図２４は、他の圧電デバイスである水晶発
振器用の集合基板状態のセラミック基板を示している要
部下面図である。ここで、四つの端子電極１１２が個別
基板に相当するセラミック基板９２の各コーナー部に近
接して設けられており、端子電極１１２は、長辺方向の
ブレイク線１１９に沿って配設されたスルーホール９２
ｅの厚膜導電体に接続している。同様に、隣り合う基板
の端子電極１１２もこのスルーホール９２ｅと接続導通
している。図２５はその他の水晶発振器の集合基板状態
のセラミック基板１２２の要部下面図である。ここで
は、コーナー部のスルーホール１２２ｃの厚膜導電体を
介して隣接するセラミック基板１２２の端子電極１３２
は互いに導通している。
振器用の集合基板状態のセラミック基板を示している要
部下面図である。ここで、四つの端子電極１１２が個別
基板に相当するセラミック基板９２の各コーナー部に近
接して設けられており、端子電極１１２は、長辺方向の
ブレイク線１１９に沿って配設されたスルーホール９２
ｅの厚膜導電体に接続している。同様に、隣り合う基板
の端子電極１１２もこのスルーホール９２ｅと接続導通
している。図２５はその他の水晶発振器の集合基板状態
のセラミック基板１２２の要部下面図である。ここで
は、コーナー部のスルーホール１２２ｃの厚膜導電体を
介して隣接するセラミック基板１２２の端子電極１３２
は互いに導通している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た製造方法やその他の多数個取り方式に基づく製造方法
には、多くの問題点が存在していた。即ち、圧電振動体
の実装工程において、早くもセラミック基板を集合基板
状態から単個に切り出して、キャリアに詰める作業が必
要であった。従って、その後の周波数調整工程、封止工
程においても、単個のセラミック基板に対して作業が行
われていて、集合基板を基準とした搬送や組立等の作業
ができていなかった。また、従来の集合基板では、各個
別基板の端子電極同士をすべて導通させて電気メッキし
ていたので、集合基板に圧電振動体を搭載した状態で圧
電デバイスを駆動し調整することはできなかった。
た製造方法やその他の多数個取り方式に基づく製造方法
には、多くの問題点が存在していた。即ち、圧電振動体
の実装工程において、早くもセラミック基板を集合基板
状態から単個に切り出して、キャリアに詰める作業が必
要であった。従って、その後の周波数調整工程、封止工
程においても、単個のセラミック基板に対して作業が行
われていて、集合基板を基準とした搬送や組立等の作業
ができていなかった。また、従来の集合基板では、各個
別基板の端子電極同士をすべて導通させて電気メッキし
ていたので、集合基板に圧電振動体を搭載した状態で圧
電デバイスを駆動し調整することはできなかった。
【００１９】また、セラミック基板を単個に切り離す際
に、切り粉がキャビティの内部に入り込んだり、セラミ
ック基板をキャリアに装填する際には、セラミック基板
の堅いエッジが切れ刃となって金属キャリヤを削って切
り粉を発生させるという問題があった。更に、封止工程
ではカーボン治具を用いていたために、カーボン治具か
ら塵埃が剥離してキャビティへ進入することが避けられ
なかった。そして、一旦キャビティに入り込んだ切り粉
などのゴミは容易に取りきれないという問題があった。
ゴミが性能に及ぼす影響は、圧電デバイスが小型になる
ほど増大するので、小型圧電デバイスを製造する企業に
とっては、塵埃の排除のために膨大な資本投入が必要に
なっている。
に、切り粉がキャビティの内部に入り込んだり、セラミ
ック基板をキャリアに装填する際には、セラミック基板
の堅いエッジが切れ刃となって金属キャリヤを削って切
り粉を発生させるという問題があった。更に、封止工程
ではカーボン治具を用いていたために、カーボン治具か
ら塵埃が剥離してキャビティへ進入することが避けられ
なかった。そして、一旦キャビティに入り込んだ切り粉
などのゴミは容易に取りきれないという問題があった。
ゴミが性能に及ぼす影響は、圧電デバイスが小型になる
ほど増大するので、小型圧電デバイスを製造する企業に
とっては、塵埃の排除のために膨大な資本投入が必要に
なっている。
【００２０】以上のように、集合基板を十分に活用でき
ず、圧電デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないと
いう問題があった。また、キャリア詰めや、専用キャリ
アへの移し替え作業がついて回り、製造工程が煩雑であ
った。
ず、圧電デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないと
いう問題があった。また、キャリア詰めや、専用キャリ
アへの移し替え作業がついて回り、製造工程が煩雑であ
った。
【００２１】上記発明は、以上のような従来の問題を解
決するためになされたものであり、その目的は、水晶振
動子を初めとする各種圧電デバイスの集合基板を、全工
程にわたって十分に活用して製造できるようにした圧電
デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法を
提供することである。
決するためになされたものであり、その目的は、水晶振
動子を初めとする各種圧電デバイスの集合基板を、全工
程にわたって十分に活用して製造できるようにした圧電
デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法を
提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、集合基板を切断して複数の個別
基板を得るための構造であって、前記集合基板の一方の
面には、複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を
搭載するための接続電極を配列し、他方の面には、前記
複数の個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端
子電極を配列し、切断箇所には、前記複数の個別基板に
対応して、前記端子電極と導通した側面電極を配設する
ためのスルーホールを配列し、各電極にメッキを施した
圧電デバイス用集合基板において、前記スルーホールに
配設した前記側面電極は、前記端子電極の一つとだけ導
通していることを特徴とする。
ための本発明の手段は、集合基板を切断して複数の個別
基板を得るための構造であって、前記集合基板の一方の
面には、複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を
搭載するための接続電極を配列し、他方の面には、前記
複数の個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端
子電極を配列し、切断箇所には、前記複数の個別基板に
対応して、前記端子電極と導通した側面電極を配設する
ためのスルーホールを配列し、各電極にメッキを施した
圧電デバイス用集合基板において、前記スルーホールに
配設した前記側面電極は、前記端子電極の一つとだけ導
通していることを特徴とする。
【００２３】また、前記個別基板は、平面形状が略方形
であり、前記スルーホールは、前記個別基板のコーナー
部を避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したこと
を特徴とする。
であり、前記スルーホールは、前記個別基板のコーナー
部を避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したこと
を特徴とする。
【００２４】また、前記端子電極は二つ配設されてお
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第１辺に隣接する第２
辺または第４辺に沿って配設した前記スルーホール内の
前記側面電極に導通していることを特徴とする。
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第１辺に隣接する第２
辺または第４辺に沿って配設した前記スルーホール内の
前記側面電極に導通していることを特徴とする。
【００２５】また、前記端子電極は二つ配設されてお
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３
辺に沿って配設した前記スルーホール内の前記側面電極
に導通していることを特徴とする。
り、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿っ
て配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通し
ており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３
辺に沿って配設した前記スルーホール内の前記側面電極
に導通していることを特徴とする。
【００２６】また、前記端子電極は第１辺と第２辺とに
近接して各々１個ずつ配設されており、二つの前記端子
電極は、第１辺に隣接する第２辺又は第４辺に沿って配
設した別個のスルーホール内の側面電極に導通している
ことを特徴とする。
近接して各々１個ずつ配設されており、二つの前記端子
電極は、第１辺に隣接する第２辺又は第４辺に沿って配
設した別個のスルーホール内の側面電極に導通している
ことを特徴とする。
【００２７】また、前記端子電極は四つ配設されてお
り、前記端子電極は、前記個別基板の四辺にそれぞれ一
つずつ配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導
通していることを特徴とする。
り、前記端子電極は、前記個別基板の四辺にそれぞれ一
つずつ配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導
通していることを特徴とする。
【００２８】前述した目的を達成するための本発明の他
の手段は、本発明の請求項１乃至請求項６のいずれか１
項に記載の集合基板の前記接続電極に前記圧電振動体を
搭載し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合
基板を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特
徴とする。
の手段は、本発明の請求項１乃至請求項６のいずれか１
項に記載の集合基板の前記接続電極に前記圧電振動体を
搭載し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合
基板を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特
徴とする。
【００２９】前述した目的を達成するための本発明の更
に他の手段は、集合基板の一方の面に、複数の個別基板
に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配
列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記複数の
個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極
を配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断
箇所に、前記複数の個別基板に対応して、前記端子電極
の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルー
ホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程
と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して
調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部
材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿
って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなる
ことを特徴とする。
に他の手段は、集合基板の一方の面に、複数の個別基板
に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配
列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記複数の
個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極
を配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断
箇所に、前記複数の個別基板に対応して、前記端子電極
の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルー
ホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程
と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して
調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部
材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿
って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなる
ことを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第一の実施の形態
である圧電デバイスの一つ、水晶振動子を図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の第一の実施の形態で
ある水晶振動子の断面図であり、図２はこの水晶振動子
の側面図である。図３はこの水晶振動子の下面図、図４
はこの水晶振動子の集合基板状態のセラミック基板の要
部下面図、図５はこの水晶振動子の製造方法を示す断面
図である。
である圧電デバイスの一つ、水晶振動子を図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の第一の実施の形態で
ある水晶振動子の断面図であり、図２はこの水晶振動子
の側面図である。図３はこの水晶振動子の下面図、図４
はこの水晶振動子の集合基板状態のセラミック基板の要
部下面図、図５はこの水晶振動子の製造方法を示す断面
図である。
【００３１】まず、本発明の第一の実施の形態である水
晶振動子の構成を説明する。図１に示す断面図は、従来
技術で説明したものと同様である。従って、従来と同じ
構成要素には同じ名称を用いて、詳細な説明は省略す
る。１０は圧電デバイスである水晶振動子であり、１は
水晶振動体、２は圧電デバイス用基板であるセラミック
基板、３は蓋部材である。１２はセラミック基板２のキ
ャビティ、２１、２６はセラミック基板２の上面の配線
層、２２は同じく下面の配線層であり、図示しない電子
機器の回路基板に接続する端子電極となっている。２３
は配線層２１と配線層２２とを接続する内部配線、２４
は水晶振動体１を配線層２１に固定している導電ペース
トである。２５は蓋部材３を配線層２６に接合している
接合層である。
晶振動子の構成を説明する。図１に示す断面図は、従来
技術で説明したものと同様である。従って、従来と同じ
構成要素には同じ名称を用いて、詳細な説明は省略す
る。１０は圧電デバイスである水晶振動子であり、１は
水晶振動体、２は圧電デバイス用基板であるセラミック
基板、３は蓋部材である。１２はセラミック基板２のキ
ャビティ、２１、２６はセラミック基板２の上面の配線
層、２２は同じく下面の配線層であり、図示しない電子
機器の回路基板に接続する端子電極となっている。２３
は配線層２１と配線層２２とを接続する内部配線、２４
は水晶振動体１を配線層２１に固定している導電ペース
トである。２５は蓋部材３を配線層２６に接合している
接合層である。
【００３２】図２において、２８は、セラミック基板２
の四隅のスルーホール２ｃに形成された配線であり、図
３に示すセラミック基板２のコーナー電極２２ｃに接続
され、セラミック基板２の上面から離間した部分にまで
形成されている。図３において、セラミック基板２は平
面形状が略方形であり、本実施形態では、図３右側の短
辺を第１辺としたとき、反時計方向へ順番に第２辺、第
３辺、第４辺としている。二つの端子電極である配線層
２２は、セラミック基板２の両短辺である第１辺、並び
にこれと対向する第３辺に近接して配設されている。第
１辺側の端子電極は、第１辺に沿って配設された２カ所
のスルーホール（実際は半分に分割されている）２ｄの
側面電極の一つと延在部２２ａを介して導通しており、
第３辺側の端子電極は、第３辺に沿って配設された２カ
所のスルーホール２ｄの側面電極の一つと延在部２２ａ
を介して導通している。
の四隅のスルーホール２ｃに形成された配線であり、図
３に示すセラミック基板２のコーナー電極２２ｃに接続
され、セラミック基板２の上面から離間した部分にまで
形成されている。図３において、セラミック基板２は平
面形状が略方形であり、本実施形態では、図３右側の短
辺を第１辺としたとき、反時計方向へ順番に第２辺、第
３辺、第４辺としている。二つの端子電極である配線層
２２は、セラミック基板２の両短辺である第１辺、並び
にこれと対向する第３辺に近接して配設されている。第
１辺側の端子電極は、第１辺に沿って配設された２カ所
のスルーホール（実際は半分に分割されている）２ｄの
側面電極の一つと延在部２２ａを介して導通しており、
第３辺側の端子電極は、第３辺に沿って配設された２カ
所のスルーホール２ｄの側面電極の一つと延在部２２ａ
を介して導通している。
【００３３】図４において、複数の個別基板であるセラ
ミック基板２を多数個取りするように配列した圧電デバ
イス用集合基板の一方の面には、複数のセラミック基板
２に対応して、水晶振動体１を搭載するための接続電極
である配線層２１を配列し、他方の面には、複数のセラ
ミック基板２に対応して、配線層２１と導通した端子電
極である配線層２２を配列してある。切断箇所であるブ
レイク線２９に沿って、複数のセラミック基板２に対応
して、配線層２２と導通した側面電極を配設するための
スルーホール２ｄがコーナー部を避けて配列され、各電
極には無電界Ｎｉメッキの下地の上に無電界Ａｕメッキ
が施されている。すなわち、集合基板において、スルー
ホール２ｄに配設した側面電極は、配線層２２の一つと
だけ導通している。なお、セラミック基板２のコーナー
電極２２ｃは、集合基板内で隣り合うセラミック基板２
のコーナー電極２２ｃと接続している。
ミック基板２を多数個取りするように配列した圧電デバ
イス用集合基板の一方の面には、複数のセラミック基板
２に対応して、水晶振動体１を搭載するための接続電極
である配線層２１を配列し、他方の面には、複数のセラ
ミック基板２に対応して、配線層２１と導通した端子電
極である配線層２２を配列してある。切断箇所であるブ
レイク線２９に沿って、複数のセラミック基板２に対応
して、配線層２２と導通した側面電極を配設するための
スルーホール２ｄがコーナー部を避けて配列され、各電
極には無電界Ｎｉメッキの下地の上に無電界Ａｕメッキ
が施されている。すなわち、集合基板において、スルー
ホール２ｄに配設した側面電極は、配線層２２の一つと
だけ導通している。なお、セラミック基板２のコーナー
電極２２ｃは、集合基板内で隣り合うセラミック基板２
のコーナー電極２２ｃと接続している。
【００３４】次に、水晶振動子１０の製造工程を、図５
を用いて説明する。集合基板状態のセラミック基板２を
完成するまでの工程は、従来技術として説明した図２２
の（Ｂ）工程までとほぼ同じである。但し、配線層２
１、２２及び２６上に施すメッキが従来と異なり、Ｎｉ
＋Ａｕの無電界メッキとなっている。この工程の後に、
図５の（Ａ）工程へ移行する。ここで、セラミック基板
２上の搭載位置をカメラで認識しながら、導電ペースト
２４を介して水晶振動体１を配線層２１上に固定する。
なお、図示しないが、導電ペースト２４が硬化するま
で、水晶振動体１の先端部を支持する部材が必要であ
る。
を用いて説明する。集合基板状態のセラミック基板２を
完成するまでの工程は、従来技術として説明した図２２
の（Ｂ）工程までとほぼ同じである。但し、配線層２
１、２２及び２６上に施すメッキが従来と異なり、Ｎｉ
＋Ａｕの無電界メッキとなっている。この工程の後に、
図５の（Ａ）工程へ移行する。ここで、セラミック基板
２上の搭載位置をカメラで認識しながら、導電ペースト
２４を介して水晶振動体１を配線層２１上に固定する。
なお、図示しないが、導電ペースト２４が硬化するま
で、水晶振動体１の先端部を支持する部材が必要であ
る。
【００３５】次ぎに、（Ｂ）工程に移行して、周波数調
整を行う。このとき、集合基板単位で、真空雰囲気に入
れ、集合基板内の個別基板であるセラミック基板２に対
して、順次端子電極から通電して周波数を測定しなが
ら、水晶振動体１の矢印の位置にＡｕ蒸着、あるいはイ
オンビームエッチングを施す。
整を行う。このとき、集合基板単位で、真空雰囲気に入
れ、集合基板内の個別基板であるセラミック基板２に対
して、順次端子電極から通電して周波数を測定しなが
ら、水晶振動体１の矢印の位置にＡｕ蒸着、あるいはイ
オンビームエッチングを施す。
【００３６】次に、（Ｃ）工程に移行する。ここで、配
線層２６上にＡｕ−Ｓｎロウ材から成る接合層２５を形
成して、蓋部材３を被せ、真空雰囲気で接合層２５をリ
フローして溶着させる。最後に、集合基板をブレイク線
２９に沿って切り離して、水晶振動子１０を取り出し、
完成検査後に出荷する。
線層２６上にＡｕ−Ｓｎロウ材から成る接合層２５を形
成して、蓋部材３を被せ、真空雰囲気で接合層２５をリ
フローして溶着させる。最後に、集合基板をブレイク線
２９に沿って切り離して、水晶振動子１０を取り出し、
完成検査後に出荷する。
【００３７】次に、第一の実施形態の作用・効果につい
て説明する。集合基板内において、隣接するセラミック
基板２の配線層２２同士が互いに分離されているので、
集合基板上で個別基板ごとに、水晶振動体１の測定及び
周波数調整ができるようになった。また、配線層２２は
側面電極の一つと導通しているので、水晶振動子１０を
回路基板に表面実装した際に、配線層２２を固定する半
田が、側面電極に濡れ上がったのを視認することで、半
田付けの成否を確認することができる。
て説明する。集合基板内において、隣接するセラミック
基板２の配線層２２同士が互いに分離されているので、
集合基板上で個別基板ごとに、水晶振動体１の測定及び
周波数調整ができるようになった。また、配線層２２は
側面電極の一つと導通しているので、水晶振動子１０を
回路基板に表面実装した際に、配線層２２を固定する半
田が、側面電極に濡れ上がったのを視認することで、半
田付けの成否を確認することができる。
【００３８】そして、実装から封止までの全工程で集合
基板を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャ
リアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャ
リア詰め工数の削減ができる。また、キャリアからセラ
ミック基板２のキャビティ１２へのゴミの侵入を防止で
きる。
基板を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャ
リアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャ
リア詰め工数の削減ができる。また、キャリアからセラ
ミック基板２のキャビティ１２へのゴミの侵入を防止で
きる。
【００３９】次に、本発明のその他の実施の形態である
水晶振動子の構成について説明する。図６は第二の実施
の形態である水晶振動子の下面図、図７は図６の振動子
の集合基板の要部下面図である。図８は第三の実施の形
態である水晶振動子の下面図、図９は図８の振動子の集
合基板の要部下面図である。図１０は本発明の第四の実
施の形態である水晶振動子の下面図、図１１は図１０の
振動子の集合基板の要部下面図である。図１２は本発明
の第五の実施の形態である水晶振動子の下面図、図１３
は図１２の振動子の集合基板の要部下面図である。図１
４は本発明の第六の実施の形態である水晶振動子の下面
図、図１５は図１４の振動子の集合基板の要部下面図で
ある。
水晶振動子の構成について説明する。図６は第二の実施
の形態である水晶振動子の下面図、図７は図６の振動子
の集合基板の要部下面図である。図８は第三の実施の形
態である水晶振動子の下面図、図９は図８の振動子の集
合基板の要部下面図である。図１０は本発明の第四の実
施の形態である水晶振動子の下面図、図１１は図１０の
振動子の集合基板の要部下面図である。図１２は本発明
の第五の実施の形態である水晶振動子の下面図、図１３
は図１２の振動子の集合基板の要部下面図である。図１
４は本発明の第六の実施の形態である水晶振動子の下面
図、図１５は図１４の振動子の集合基板の要部下面図で
ある。
【００４０】図６、図７において、第二の実施の形態が
第一の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層２２の一方は、セラミック基板２の一方の長
辺である第１辺にあるスルーホール２ｅの側面電極に、
他方は第１辺と対向する第３辺にあるスルーホール２ｅ
の側面電極に導通しているところである。
第一の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層２２の一方は、セラミック基板２の一方の長
辺である第１辺にあるスルーホール２ｅの側面電極に、
他方は第１辺と対向する第３辺にあるスルーホール２ｅ
の側面電極に導通しているところである。
【００４１】図８、図９において、第三の実施の形態が
第二の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層２２が、セラミック基板２の一方の長辺に沿
って配設した別個のスルーホール２ｅの側面電極に導通
しているところである。
第二の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極で
ある配線層２２が、セラミック基板２の一方の長辺に沿
って配設した別個のスルーホール２ｅの側面電極に導通
しているところである。
【００４２】図１０、図１１において、第四の実施の形
態は、第一の実施の形態と第二の実施の形態とを合体さ
せた形態である。即ち、端子電極は二つ配設されてお
り、一方の端子電極は、セラミック基板２の第１辺に沿
って配設された第１スルーホール２ｄ内の第１側面電極
と、第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スル
ーホール内の第２側面電極とに導通しており、他方の電
極は、第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３ス
ルーホール内の第３側面電極と、第３辺と隣接する第４
辺に沿って配設された第４側面電極とに導通している。
なお、ここで、第２側面電極が第４辺に、第４側面電極
が第２辺にある形態であってもよい。
態は、第一の実施の形態と第二の実施の形態とを合体さ
せた形態である。即ち、端子電極は二つ配設されてお
り、一方の端子電極は、セラミック基板２の第１辺に沿
って配設された第１スルーホール２ｄ内の第１側面電極
と、第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スル
ーホール内の第２側面電極とに導通しており、他方の電
極は、第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３ス
ルーホール内の第３側面電極と、第３辺と隣接する第４
辺に沿って配設された第４側面電極とに導通している。
なお、ここで、第２側面電極が第４辺に、第４側面電極
が第２辺にある形態であってもよい。
【００４３】図１２、図１３において、第五の実施の形
態は、二つの端子電極のうち、一方は第一の実施の形態
と同じ、他方は第三の実施の形態と同じ形態である。即
ち、一方の端子電極はセラミック基板２の第１辺に沿っ
て配設されたスルーホール２ｄ内の側面電極に導通して
おり、他方の端子電極は第１辺に隣接した第２辺または
第４辺に沿って配設されたスルーホール２ｅ内の側面電
極に導通している。
態は、二つの端子電極のうち、一方は第一の実施の形態
と同じ、他方は第三の実施の形態と同じ形態である。即
ち、一方の端子電極はセラミック基板２の第１辺に沿っ
て配設されたスルーホール２ｄ内の側面電極に導通して
おり、他方の端子電極は第１辺に隣接した第２辺または
第４辺に沿って配設されたスルーホール２ｅ内の側面電
極に導通している。
【００４４】以上、水晶振動子を例にあげて、本発明の
実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振
動子に限らず、圧電デバイス一般に広く応用できるもの
である。例えば、図１４は、本発明の第六の実施の形態
である水晶発振器の下面図であり、図１５はその集合基
板の要部下面図である。
実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振
動子に限らず、圧電デバイス一般に広く応用できるもの
である。例えば、図１４は、本発明の第六の実施の形態
である水晶発振器の下面図であり、図１５はその集合基
板の要部下面図である。
【００４５】図１４において、３２はセラミック基板、
５２は４コーナーに近接して設けられた四つの端子電極
である配線層であり、配線層５２は、セラミック基板５
２の四辺に沿って分散配設したスルーホール３２ｄ、３
２ｅ内の側面電極の一つに延在部５２ａを経由して導通
している。図１５に示すように、集合基板上では、スル
ーホール３２ｄ、３２ｅに配設した側面電極は、いずれ
も端子電極の一つとだけ導通している。以上の実施の形
態では、何れにしても、集合基板において、スルーホー
ル内のどの側面電極も、一つの端子電極とだけ導通して
いる。
５２は４コーナーに近接して設けられた四つの端子電極
である配線層であり、配線層５２は、セラミック基板５
２の四辺に沿って分散配設したスルーホール３２ｄ、３
２ｅ内の側面電極の一つに延在部５２ａを経由して導通
している。図１５に示すように、集合基板上では、スル
ーホール３２ｄ、３２ｅに配設した側面電極は、いずれ
も端子電極の一つとだけ導通している。以上の実施の形
態では、何れにしても、集合基板において、スルーホー
ル内のどの側面電極も、一つの端子電極とだけ導通して
いる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、複数の個別基板で
ある圧電デバイス用基板を配設した圧電デバイス用集合
基板において、ブレイク線に沿ってスルーホールを配設
し、どのスルーホール内の側面電極も端子電極の一つと
だけ導通させたので、個別基板同士の配線が切り離され
た結果、集合基板上での圧電デバイスの単独発振が可能
となり、周波数調整や電気特性の計測が可能になるな
ど、集合基板を基準に搬送する生産方式をフルに活用す
ることができて、圧電デバイスの大幅なコストダウンを
達成することができた。
ある圧電デバイス用基板を配設した圧電デバイス用集合
基板において、ブレイク線に沿ってスルーホールを配設
し、どのスルーホール内の側面電極も端子電極の一つと
だけ導通させたので、個別基板同士の配線が切り離され
た結果、集合基板上での圧電デバイスの単独発振が可能
となり、周波数調整や電気特性の計測が可能になるな
ど、集合基板を基準に搬送する生産方式をフルに活用す
ることができて、圧電デバイスの大幅なコストダウンを
達成することができた。
【００４７】また、個別基板である圧電デバイス用基板
は、平面形状が略方形であり、端子電極と導通した側面
電極を有するスルーホールは、個別基板のコーナー部を
避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したので、圧
電デバイスを電子機器の回路基板に実装した場合に、端
子電極を接合する半田が側面電極に塗れ上がるのを視認
することにより、半田付けの成否を容易に確認すること
ができる。また、コーナー部に設けた側面電極よりも幅
の広い側面電極にできるので、半田の塗れ上がり確認が
わかりやすくなる。
は、平面形状が略方形であり、端子電極と導通した側面
電極を有するスルーホールは、個別基板のコーナー部を
避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したので、圧
電デバイスを電子機器の回路基板に実装した場合に、端
子電極を接合する半田が側面電極に塗れ上がるのを視認
することにより、半田付けの成否を容易に確認すること
ができる。また、コーナー部に設けた側面電極よりも幅
の広い側面電極にできるので、半田の塗れ上がり確認が
わかりやすくなる。
【図１】本発明の実施の形態である水晶振動子の断面図
である。
である。
【図２】本発明の実施の形態である水晶振動子の側面図
である。
である。
【図３】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の
下面図である。
下面図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の
集合基板の要部下面図である。
集合基板の要部下面図である。
【図５】本発明の実施の形態である水晶振動子の製造工
程を説明する工程図である。
程を説明する工程図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の
下面図である。
下面図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の
集合基板の要部下面図である。
集合基板の要部下面図である。
【図８】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の
下面図である。
下面図である。
【図９】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の
集合基板の要部下面図である。
集合基板の要部下面図である。
【図１０】本発明の第四の実施の形態である水晶振動子
の下面図である。
の下面図である。
【図１１】本発明の第四の実施の形態である水晶振動子
の集合基板の要部下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
【図１２】本発明の第五の実施の形態である水晶振動子
の下面図である。
の下面図である。
【図１３】本発明の第五の実施の形態である水晶振動子
の集合基板の要部下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
【図１４】本発明の第六の実施の形態である水晶発振器
の下面図である。
の下面図である。
【図１５】本発明の第六の実施の形態である水晶発振器
の集合基板の要部下面図である。
の集合基板の要部下面図である。
【図１６】従来の水晶振動子の断面図である。
【図１７】従来の水晶振動子の下面図である。
【図１８】従来の水晶振動子の集合基板を示す要部下面
図である。
図である。
【図１９】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図で
ある。
ある。
【図２０】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図で
ある。
ある。
【図２１】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図で
ある。
ある。
【図２２】従来の水晶振動子の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図２３】従来の水晶振動子の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図２４】従来の水晶発振器の集合基板の要部下面図で
ある。
ある。
【図２５】従来の水晶発振器の集合基板の要部下面図で
ある。
ある。
１０ 水晶振動子
１ 水晶振動体
２、３２ セラミック基板
２ｄ、２ｅ、３２ｄ、３２ｅ スルーホール
３ 蓋部材
２２、５２ 配線層（端子電極）
２２ａ、５２ａ 延在部
２８ 配線
２９ ブレイク線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Ｈ０３Ｈ 3/02 41/18 １０１Ａ
41/08 Ｌ
Claims (9)
- 【請求項１】 集合基板を切断して複数の個別基板を得
るための構造であって、前記集合基板の一方の面には、
複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を搭載する
ための接続電極を配列し、他方の面には、前記複数の個
別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極を
配列し、切断箇所には、前記複数の個別基板に対応し
て、前記端子電極と導通した側面電極を配設するための
スルーホールを配列し、各電極にメッキを施した圧電デ
バイス用集合基板において、前記スルーホールに配設し
た前記側面電極は、前記端子電極の一つとだけ導通して
いることを特徴とする圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項２】 前記個別基板は、平面形状が略方形であ
り、前記スルーホールは、前記個別基板のコーナー部を
避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したことを特
徴とする請求項１記載の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項３】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設
した前記スルーホール内の前記側面電極に導通してお
り、他方の端子電極は、前記第１辺に隣接する第２辺ま
たは第４辺に沿って配設した前記スルーホール内の前記
側面電極に導通していることを特徴とする請求項２記載
の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項４】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設
した前記スルーホール内の前記側面電極に導通してお
り、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３辺に
沿って配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導
通していることを特徴とする請求項２記載の圧電デバイ
ス用集合基板。 - 【請求項５】 前記端子電極は二つ配設されており、一
方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設
した第１スルーホール内の第１側面電極と、前記第１辺
に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内
の第２側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前
記第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルー
ホール内の第３側面電極と、前記第３辺と隣接する第４
辺に沿って配設した第４スルーホール内の第４側面電極
に導通していることを特徴とする請求項２記載の圧電デ
バイス用集合基板。 - 【請求項６】 前記端子電極は第１辺と第２辺とに近接
して各々１個ずつ配設されており、二つの前記端子電極
は、第１辺に隣接する第２辺又は第４辺に沿って配設し
た別個のスルーホール内の側面電極に導通していること
を特徴とする請求項２記載の圧電デバイス用集合基板。 - 【請求項７】 前記端子電極は四つ配設されており、前
記端子電極は、前記個別基板の四辺にそれぞれ一つずつ
配設した前記スルーホール内の前記側面電極に導通して
いることを特徴とする請求項２記載の圧電デバイス用集
合基板。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に
記載の集合基板の前記接続電極に前記圧電振動体を搭載
し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合基板
を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特徴と
する圧電デバイス。 - 【請求項９】 集合基板の一方の面に、複数の個別基板
に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配
列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記複数の
個別基板に対応して、前記接続電極と導通した端子電極
を配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断
箇所に、前記複数の個別基板に対応して、前記端子電極
の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルー
ホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程
と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して
調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部
材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿
って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなる
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002062870A JP4068367B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002062870A JP4068367B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003264444A true JP2003264444A (ja) | 2003-09-19 |
| JP4068367B2 JP4068367B2 (ja) | 2008-03-26 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002062870A Expired - Fee Related JP4068367B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4068367B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007184545A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-07-19 | Yamaha Corp | 半導体ユニット、半導体装置、及び、その製造方法 |
| JP2007201041A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子搭載用の支持体 |
| JP2008301260A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
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-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002062870A patent/JP4068367B2/ja not_active Expired - Fee Related
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