JP2003261683A - 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー、その製造方法および用途 - Google Patents
中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー、その製造方法および用途Info
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- JP2003261683A JP2003261683A JP2002060876A JP2002060876A JP2003261683A JP 2003261683 A JP2003261683 A JP 2003261683A JP 2002060876 A JP2002060876 A JP 2002060876A JP 2002060876 A JP2002060876 A JP 2002060876A JP 2003261683 A JP2003261683 A JP 2003261683A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ドーピング無しで導電性を示しかつ常温、空気
中で安定な新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金属錯体ポリマーを提供する。さらに
中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)
金属錯体ポリマーの製造方法を提供する。 【解決手段】下記式(1) 【化1】 (式中、Mは三価金属原子である。nは10〜200の
整数を示す。)で表される中性の(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金錯体ポリマー。
中で安定な新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金属錯体ポリマーを提供する。さらに
中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)
金属錯体ポリマーの製造方法を提供する。 【解決手段】下記式(1) 【化1】 (式中、Mは三価金属原子である。nは10〜200の
整数を示す。)で表される中性の(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金錯体ポリマー。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な中性(ベン
ゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体の
ポリマーとその製造方法さらに該金属錯体ポリマーを用
いる導電性材料に関する。さらに詳しくは、本発明は、
ドーピング剤を使用しなくても導電性を有するポリマー
である新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラ
チオラート)金属錯体、その製造方法および該金属錯体
ポリマーの用途に関する。
ゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体の
ポリマーとその製造方法さらに該金属錯体ポリマーを用
いる導電性材料に関する。さらに詳しくは、本発明は、
ドーピング剤を使用しなくても導電性を有するポリマー
である新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラ
チオラート)金属錯体、その製造方法および該金属錯体
ポリマーの用途に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアセチレン、ポリピロールやポリチ
オフェンなどのπ共役系ポリマーに電子あるいは正孔を
ドープすると、室温の電気伝導度は飛躍的に上昇し、最
大で106Scm-1まで達する。しかしながら、前記の
ポリマーは、ドープ前は、絶縁体である。また、このよ
うな荷電化されたポリマーでは、使用するドーパントの
種類によりポリマー鎖のコンフォメーションが変化する
ため、電気伝導度が著しく変化する問題がある。さら
に、空気中に長時間放置すると、電気伝導度が低下し、
安定性にも問題がある。したがって、ドーパントの種類
や添加量によらないで安定した電気特性が得られる材料
が求められている。例えば、2モルのベンゼンジチオー
ルと金原子との錯体がPhys。Rev.,B53,1
173,(1996)には、σrt=1.0×10-3S/
cm、Ea=0.3eVであることが報告されている。
しかしながら、さらに、金属錯体の重合度が大きなもの
は知られていない。
オフェンなどのπ共役系ポリマーに電子あるいは正孔を
ドープすると、室温の電気伝導度は飛躍的に上昇し、最
大で106Scm-1まで達する。しかしながら、前記の
ポリマーは、ドープ前は、絶縁体である。また、このよ
うな荷電化されたポリマーでは、使用するドーパントの
種類によりポリマー鎖のコンフォメーションが変化する
ため、電気伝導度が著しく変化する問題がある。さら
に、空気中に長時間放置すると、電気伝導度が低下し、
安定性にも問題がある。したがって、ドーパントの種類
や添加量によらないで安定した電気特性が得られる材料
が求められている。例えば、2モルのベンゼンジチオー
ルと金原子との錯体がPhys。Rev.,B53,1
173,(1996)には、σrt=1.0×10-3S/
cm、Ea=0.3eVであることが報告されている。
しかしながら、さらに、金属錯体の重合度が大きなもの
は知られていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の状況を鑑みてなされたものであり、本発明の第1の
目的は、ドーピング無しで導電性を示しかつ常温、空気
中で安定な新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金属錯体ポリマーを提供することにあ
る。本発明の第2の目的は、中性(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方
法を提供することにある。さらに、本発明の第3の目的
は、該中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラ
ート)金属錯体ポリマーの導電性材料としての用途を提
供することにある。
術の状況を鑑みてなされたものであり、本発明の第1の
目的は、ドーピング無しで導電性を示しかつ常温、空気
中で安定な新規な中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金属錯体ポリマーを提供することにあ
る。本発明の第2の目的は、中性(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方
法を提供することにある。さらに、本発明の第3の目的
は、該中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラ
ート)金属錯体ポリマーの導電性材料としての用途を提
供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者ら、前記の高機
能物性を有するポリマーを開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、特定の金属錯体ポリマーがその目的を達成するこ
とを見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、次の〔1〕〜〔5〕で
ある。 〔1〕 下記式(1)
能物性を有するポリマーを開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、特定の金属錯体ポリマーがその目的を達成するこ
とを見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、次の〔1〕〜〔5〕で
ある。 〔1〕 下記式(1)
【0005】
【化2】
【0006】(式中、Mは三価金属原子である。nは1
0〜200の整数を示す。)で表される中性(ベンゼン
−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマ
ー。 〔2〕 Mの金属がAuである前記〔1〕の中性(ベン
ゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金錯体ポリ
マー。 〔3〕 次の工程IおよびIIを行うことを特徴とする前
記の〔1〕または〔2〕記載の中性(ベンゼン−1,
2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製
造方法。 工程I;1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン
とNaOCH3、さらにNaMX4あるいはMX(ここ
で、M;金属、X;ハロゲンを表す。)を0℃〜50℃
で反応させる、 工程II;その後、支持塩としてNaClを用いて白金を
作用極および対極として20℃で電解酸化を行う。 〔4〕 前記〔1〕または〔2〕記載の中性(ベンゼン
−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマ
ーを用いてなる導電性材料。 〔5〕 前記の中性(ベンゼン−1,2,4,5−テト
ラチオラート)金属錯体ポリマーの形状が薄膜である導
電性材料
0〜200の整数を示す。)で表される中性(ベンゼン
−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマ
ー。 〔2〕 Mの金属がAuである前記〔1〕の中性(ベン
ゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金錯体ポリ
マー。 〔3〕 次の工程IおよびIIを行うことを特徴とする前
記の〔1〕または〔2〕記載の中性(ベンゼン−1,
2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製
造方法。 工程I;1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン
とNaOCH3、さらにNaMX4あるいはMX(ここ
で、M;金属、X;ハロゲンを表す。)を0℃〜50℃
で反応させる、 工程II;その後、支持塩としてNaClを用いて白金を
作用極および対極として20℃で電解酸化を行う。 〔4〕 前記〔1〕または〔2〕記載の中性(ベンゼン
−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマ
ーを用いてなる導電性材料。 〔5〕 前記の中性(ベンゼン−1,2,4,5−テト
ラチオラート)金属錯体ポリマーの形状が薄膜である導
電性材料
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の新規な金属錯体ポリマーは、下記式(1)
本発明の新規な金属錯体ポリマーは、下記式(1)
【0008】
【化3】
【0009】で示される中性(ベンゼン−1,2,4,
5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーである。ここ
で、中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラー
ト)金属錯体ポリマーの金属としては、Au,Ni,P
d,Cu,Feなどを挙げることができるが、このなか
で特にAuを使用するのが高電導性および薄膜生成の上
で最も好ましい。
5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーである。ここ
で、中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラー
ト)金属錯体ポリマーの金属としては、Au,Ni,P
d,Cu,Feなどを挙げることができるが、このなか
で特にAuを使用するのが高電導性および薄膜生成の上
で最も好ましい。
【0010】式(1)のnは重合度(繰り返し単位の
数)を示し、nは10から300である。nが10未満
であれば、大きな伝導度を示さない。重合度の上限は特
に限定されないが、nが大きくなると、製造しにくい関
係から300を最大値とする。
数)を示し、nは10から300である。nが10未満
であれば、大きな伝導度を示さない。重合度の上限は特
に限定されないが、nが大きくなると、製造しにくい関
係から300を最大値とする。
【0011】次に、中性(ベンゼン−1,2,4,5−
テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方法につい
て説明する。該金属錯体ポリマーは、次の工程I、およ
び工程IIを行うことによって製造される。 工程I;1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン
とNaOCH3、さらにNaMX4あるいはMX(ここ
で、M;金属、X;ハロゲンを表す。)を0℃〜50℃
で反応させる、 工程II;その後、支持塩としてNaClを用いて白金を
作用極および対極として20℃で電解酸化を行う。ここ
で、工程Iは、次の式(2)
テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方法につい
て説明する。該金属錯体ポリマーは、次の工程I、およ
び工程IIを行うことによって製造される。 工程I;1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン
とNaOCH3、さらにNaMX4あるいはMX(ここ
で、M;金属、X;ハロゲンを表す。)を0℃〜50℃
で反応させる、 工程II;その後、支持塩としてNaClを用いて白金を
作用極および対極として20℃で電解酸化を行う。ここ
で、工程Iは、次の式(2)
【0012】
【化4】
【0013】で示される1,2,4,5−テトラアセチ
ルチオベンゼン(2)を出発原料とし、下記(3)
ルチオベンゼン(2)を出発原料とし、下記(3)
【0014】
【化5】
【0015】で表されるベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート金属錯体モノアニオンポリマー(3)を
経由して製造される。さらに反応について詳しく記載す
る。 工程I;<1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼ
ン(2)を出発原料とする(ベンゼン−1,2,4,5
−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの合成方法> 1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン(2)の
アルコール溶液に0℃下でNaOCH3のアルコール溶
液を加える。50℃まで昇温し、30分間攪拌する。ア
ルコールとしてはメチルアルコール、エチルアルコー
ル、プロピルアルコールなどが挙げられるが、溶解性の
点でメタノールが好ましい。このとき(2)とNaOC
H3の比は1:10〜1:1の範囲で行う。その後 N
aMX4あるいはMX(Mは金属元素を表し、Xはハロ
ゲンを表す。)のアルコール溶液を0℃下で、式(2)
で示される化合物に対して0.8のモル比で徐々に滴下
する。滴下後5時間、20℃で反応させる。このように
して(3)の(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオ
ラート)金属錯体モノアニオンのポリマーが合成され
る。ここで、Mの金属としては、Au,Ni,Pd,C
u,Feが挙げられる。中でも特にAuが好ましい。ま
た、Xはハロゲンとして、F(フッ素)、Cl(塩
素)、Br(臭素)、I(沃素)が挙げられ、特Br、
Clが好ましい。
トラチオラート金属錯体モノアニオンポリマー(3)を
経由して製造される。さらに反応について詳しく記載す
る。 工程I;<1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼ
ン(2)を出発原料とする(ベンゼン−1,2,4,5
−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの合成方法> 1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン(2)の
アルコール溶液に0℃下でNaOCH3のアルコール溶
液を加える。50℃まで昇温し、30分間攪拌する。ア
ルコールとしてはメチルアルコール、エチルアルコー
ル、プロピルアルコールなどが挙げられるが、溶解性の
点でメタノールが好ましい。このとき(2)とNaOC
H3の比は1:10〜1:1の範囲で行う。その後 N
aMX4あるいはMX(Mは金属元素を表し、Xはハロ
ゲンを表す。)のアルコール溶液を0℃下で、式(2)
で示される化合物に対して0.8のモル比で徐々に滴下
する。滴下後5時間、20℃で反応させる。このように
して(3)の(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオ
ラート)金属錯体モノアニオンのポリマーが合成され
る。ここで、Mの金属としては、Au,Ni,Pd,C
u,Feが挙げられる。中でも特にAuが好ましい。ま
た、Xはハロゲンとして、F(フッ素)、Cl(塩
素)、Br(臭素)、I(沃素)が挙げられ、特Br、
Clが好ましい。
【0016】工程II;<中性の(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方
法> 前記の式(3)で表される(ベンゼン−1,2,4,5
−テトラチオラート)金属錯体モノアニオンのポリマー
を経由して(1)を製造する方法としては、電解酸化の
方法が利用できる。すなわち、支持塩としてNaClを
使用して、白金を作用極および対極として使用し、式
(3)で表される(ベンゼン−1,2,4,5−テトラ
チオラート)金属錯体モノアニオンのポリマーのアルコ
ール溶液を0.1μA〜3.0μAの一定電流下20℃
で電解酸化を約10週間行う。
4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製造方
法> 前記の式(3)で表される(ベンゼン−1,2,4,5
−テトラチオラート)金属錯体モノアニオンのポリマー
を経由して(1)を製造する方法としては、電解酸化の
方法が利用できる。すなわち、支持塩としてNaClを
使用して、白金を作用極および対極として使用し、式
(3)で表される(ベンゼン−1,2,4,5−テトラ
チオラート)金属錯体モノアニオンのポリマーのアルコ
ール溶液を0.1μA〜3.0μAの一定電流下20℃
で電解酸化を約10週間行う。
【0017】このようにして得られた、中性の(ベンゼ
ン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリ
マーは新規のポリマーであり、ドーパントを使用しない
でも高い電気伝導度を示す特徴を有する。また、前記の
方法によると中性の(ベンゼン−1,2,4,5−テト
ラチオラート)金属錯体ポリマーの薄膜を製造しやすい
という特徴がある。したがって、電解コンデンサ、二次
電池用電極、カラーディスプレイ用発光素子、LED素
子および高周波領域での電磁波シールド材料等への利用
が可能である。
ン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリ
マーは新規のポリマーであり、ドーパントを使用しない
でも高い電気伝導度を示す特徴を有する。また、前記の
方法によると中性の(ベンゼン−1,2,4,5−テト
ラチオラート)金属錯体ポリマーの薄膜を製造しやすい
という特徴がある。したがって、電解コンデンサ、二次
電池用電極、カラーディスプレイ用発光素子、LED素
子および高周波領域での電磁波シールド材料等への利用
が可能である。
【0018】次に実施例を用いて説明するが、本発明は
実施例に限定されるものではない。 実施例1 1−1;<(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラ
ート)金錯体モノアニオンポリマーの合成> 1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン25mg
(6.7×10-2 mmol)のメタノール溶液(40
ml)に16.3mg(3.0×10-1 mmol)の
NaOCH3のメタノール溶液(1ml)を加えて30
分間攪拌した。その後、21.2mg(5.3×10
-2 mmol)のNaAuCl4のメタノール溶液(10
ml)を徐々に添加して、一昼夜反応させることによっ
て(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金
錯体モノアニオンポリマーナトリウム塩が生成した。こ
の反応溶液に過剰量のテトラブチルアンモニウムブロミ
ド(Bu)4NBrを加えることで下記式(4)
実施例に限定されるものではない。 実施例1 1−1;<(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラ
ート)金錯体モノアニオンポリマーの合成> 1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン25mg
(6.7×10-2 mmol)のメタノール溶液(40
ml)に16.3mg(3.0×10-1 mmol)の
NaOCH3のメタノール溶液(1ml)を加えて30
分間攪拌した。その後、21.2mg(5.3×10
-2 mmol)のNaAuCl4のメタノール溶液(10
ml)を徐々に添加して、一昼夜反応させることによっ
て(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金
錯体モノアニオンポリマーナトリウム塩が生成した。こ
の反応溶液に過剰量のテトラブチルアンモニウムブロミ
ド(Bu)4NBrを加えることで下記式(4)
【0019】
【化6】
【0020】で表される(ベンゼン−1,2,4,5−
テトラチオラート)金錯体モノアニオンポリマーのテト
ラブチルアンモニウム塩が生成した。この同定は1H−
NMRおよびFT−IR及び元素分析により行った。1 H−NMR(300MHz、d7−DMF)の分析結果
を示す。 δ(ppm);6.77(s、2H)、2.39(t、
8H)、1.72(q、8H),1.38(m、8H)
0.94(t、12H)、 元素分析結果 Calcd.C,41.95 H,6.
14 N,2.25、Found.C,41.91
H,5.99 N,2.11、 IRの分析結果;3,000cm-1にベンゼン環のC−
H伸縮運動、2,954cm-1と2、868cm-1にブ
チル基のC−H伸縮運動、1,684cm-1にベンゼン
環のC=C伸縮運動による吸収を認めた。
テトラチオラート)金錯体モノアニオンポリマーのテト
ラブチルアンモニウム塩が生成した。この同定は1H−
NMRおよびFT−IR及び元素分析により行った。1 H−NMR(300MHz、d7−DMF)の分析結果
を示す。 δ(ppm);6.77(s、2H)、2.39(t、
8H)、1.72(q、8H),1.38(m、8H)
0.94(t、12H)、 元素分析結果 Calcd.C,41.95 H,6.
14 N,2.25、Found.C,41.91
H,5.99 N,2.11、 IRの分析結果;3,000cm-1にベンゼン環のC−
H伸縮運動、2,954cm-1と2、868cm-1にブ
チル基のC−H伸縮運動、1,684cm-1にベンゼン
環のC=C伸縮運動による吸収を認めた。
【0021】1−2;<中性(ベンゼン−1,2,4,
5−テトラチオラート)金錯体ポリマーの合成> NaCl 31mg(5.3×10-1mmol)を用い
て白金を作用極及び対極として(4)で表される22m
g(7.4×10-4mmol)の(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金錯体モノアニオンポリマ
ーのテトラブチルアンモニウム塩のメタノール溶液(5
0ml)を0.5−3.0μAの一定電流値で室温下、
電解酸化を行った。一週間後、陽極の白金電極に黒色薄
膜が生成した。これを水、メタノールの順で洗浄し、風
乾した。得られた各試料は元素分析、IRにより同定し
た。 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)
金錯体ポリマー 元素分析結果 Calcd.C,18.11、 H,0.51、 N,
0.00%、 Found.C,18.06、 H,0.58, N,
0.00%、 IR分析結果より、高伝導性のために、500から4,
000cm-1の間で特性の吸収は全く認められなかっ
た。また元素分析より算出したポリマーの重合度はn=
70であった。
5−テトラチオラート)金錯体ポリマーの合成> NaCl 31mg(5.3×10-1mmol)を用い
て白金を作用極及び対極として(4)で表される22m
g(7.4×10-4mmol)の(ベンゼン−1,2,
4,5−テトラチオラート)金錯体モノアニオンポリマ
ーのテトラブチルアンモニウム塩のメタノール溶液(5
0ml)を0.5−3.0μAの一定電流値で室温下、
電解酸化を行った。一週間後、陽極の白金電極に黒色薄
膜が生成した。これを水、メタノールの順で洗浄し、風
乾した。得られた各試料は元素分析、IRにより同定し
た。 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)
金錯体ポリマー 元素分析結果 Calcd.C,18.11、 H,0.51、 N,
0.00%、 Found.C,18.06、 H,0.58, N,
0.00%、 IR分析結果より、高伝導性のために、500から4,
000cm-1の間で特性の吸収は全く認められなかっ
た。また元素分析より算出したポリマーの重合度はn=
70であった。
【0022】上記の黒色のフィルムを用いて電気伝導度
を測定した。電気伝導度の測定にはそれぞれの薄膜試料
及び加圧成形試料を用いた。測定試料と端子間には金ペ
ーストを使用して金線を配線し、各々の試料の電気伝導
度は四端子法により測定した。その結果室温での電気伝
導度は6.0Scm-1を示した。また、この材料は、2
60Kから320Kまでは、金属伝導性を示すが、26
0K以下では、半導体的となる。しかし、その活性エネ
ルギーは、0.9meVとかなり小さい。
を測定した。電気伝導度の測定にはそれぞれの薄膜試料
及び加圧成形試料を用いた。測定試料と端子間には金ペ
ーストを使用して金線を配線し、各々の試料の電気伝導
度は四端子法により測定した。その結果室温での電気伝
導度は6.0Scm-1を示した。また、この材料は、2
60Kから320Kまでは、金属伝導性を示すが、26
0K以下では、半導体的となる。しかし、その活性エネ
ルギーは、0.9meVとかなり小さい。
【0023】
【発明の効果】本発明の新規の金錯体ポリマーは、式
(1)で示される中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金錯体ポリマーであることがわかる。
また、この金属錯体ポリマーは、ドーピング剤を使用せ
ずとも、常温で大きな導電性を有し、空気中で長期に亘
り安定した導電性ポリマーであって導電性材料として有
用である。また、本発明の製造方法は、容易に前記の新
規ポリマーを合成することができる。また、本発明の新
規なポリマーは、優れた導電材料であるので、電解コン
デンサ、二次電池用電極、カラーディスプレイ用発光素
子、LED素子および高周波領域での電磁波シールド材
料等への利用が可能である。
(1)で示される中性(ベンゼン−1,2,4,5−テ
トラチオラート)金錯体ポリマーであることがわかる。
また、この金属錯体ポリマーは、ドーピング剤を使用せ
ずとも、常温で大きな導電性を有し、空気中で長期に亘
り安定した導電性ポリマーであって導電性材料として有
用である。また、本発明の製造方法は、容易に前記の新
規ポリマーを合成することができる。また、本発明の新
規なポリマーは、優れた導電材料であるので、電解コン
デンサ、二次電池用電極、カラーディスプレイ用発光素
子、LED素子および高周波領域での電磁波シールド材
料等への利用が可能である。
【図1】実施例1の中間体のIRチャートである。
【図2】実施例1のIRチャートである。
【図3】実施例1の中間体の1H−NMRチャートであ
る。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】下記式(1) 【化1】 (式中、Mは三価金属原子である。 nは重合度を表
し、10〜300の整数を示す。)で表される中性(ベ
ンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体
ポリマー。 - 【請求項2】Mの金属がAuである請求項1記載の中性
(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金錯
体ポリマー。 - 【請求項3】次の工程IおよびIIを行うことを特徴とす
る請求項1または請求項2記載の中性(ベンゼン−1,
2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマーの製
造方法。 工程I;1,2,4,5−テトラアセチルチオベンゼン
とNaOCH3さらにNaMX4あるいはMX(ここで、
M;金属、X;ハロゲンを表す。)を0℃〜50℃で反
応させる、 工程II;その後、支持塩としてNaClを用いて白金を
作用極および対極として20℃で電解酸化を行う。 - 【請求項4】請求項1または2記載の中性(ベンゼン−
1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー
を用いる導電性材料。 - 【請求項5】請求項1または2記載の中性(ベンゼン−
1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー
の形状が薄膜である導電性材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002060876A JP2003261683A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー、その製造方法および用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002060876A JP2003261683A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー、その製造方法および用途 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003261683A true JP2003261683A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=29195620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002060876A Pending JP2003261683A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 中性(ベンゼン−1,2,4,5−テトラチオラート)金属錯体ポリマー、その製造方法および用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003261683A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054615A1 (ja) * | 2004-11-16 | 2006-05-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 金属含有化合物およびその用途 |
US7723318B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-25 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polymerizable compound and use thereof |
JP2021521268A (ja) * | 2018-04-04 | 2021-08-26 | シンソニクス,インコーポレイテッド | メタロ−リオサイロニン |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002060876A patent/JP2003261683A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723318B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-25 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polymerizable compound and use thereof |
US7906494B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-03-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polymerizable compound and use thereof |
US7998944B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-08-16 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polymerizable compound and use thereof |
WO2006054615A1 (ja) * | 2004-11-16 | 2006-05-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 金属含有化合物およびその用途 |
KR100908367B1 (ko) * | 2004-11-16 | 2009-07-20 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 금속 함유 화합물 및 그 용도 |
US7772348B2 (en) | 2004-11-16 | 2010-08-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Metal-containing compound and use thereof |
JP2011088932A (ja) * | 2004-11-16 | 2011-05-06 | Mitsui Chemicals Inc | 金属含有化合物およびその用途 |
US7951968B2 (en) | 2004-11-16 | 2011-05-31 | Mitsui Chemicals, Inc. | Metal-containing compound and use thereof |
JP2021521268A (ja) * | 2018-04-04 | 2021-08-26 | シンソニクス,インコーポレイテッド | メタロ−リオサイロニン |
US11712426B2 (en) | 2018-04-04 | 2023-08-01 | Synthonics, Inc. | Metallo-liothyronine |
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