JP2003257614A - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加熱物の表面および中身を、煩雑な操作を
要さずにかつ早く、加熱できる、高周波加熱装置を提供
する。 【解決手段】 加熱室１０内では、底板９上またはレン
ジ焼き皿８０上に、食品が載置される。マグネトロン１
２の発振する高周波は、導波管１９を介して、加熱室１
０内に供給される。加熱室１０内にレンジ焼き皿８０が
載置された際の、該加熱室１０内の高周波の流れが、白
抜きの矢印で示されている。高周波発熱体８１は、高周
波を吸収することにより発熱し、これにより、レンジ焼
き皿８０上の食品が加熱される。また、加熱室１０内に
供給された高周波は、レンジ焼き皿８０の外端縁部を透
過して、または、レンジ焼き皿８０と凹部１０１，１０
２の壁面との間を通って、当該レンジ焼き皿８０の上方
に到達する。これにより、レンジ焼き皿８０上の食品
は、高周波を直接吸収して加熱される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波加熱装置に
関し、特に、加熱室内に収容し食品を載置する加熱皿の
表面に高周波発熱体を備えられた高周波加熱装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、加熱皿の表面に高周波発熱体を備
える高周波加熱装置としては、特開昭５２−１１１０４
６号公報に、金属製受皿の底面に高周波発熱体を設けた
高周波加熱装置が開示されている。この高周波加熱装置
では、加熱室の底面側から高周波を発振された高周波に
よって、金属製受皿の底面の高周波発熱体が加熱され、
これにより、当該金属製受皿に載置された被加熱物が加
熱されていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載の高周波加熱装置では、被加熱物は、下方から
受皿によっては加熱され、受皿と接する面については焦
げ目が付く程度に十分に加熱されるが、高周波を直接吸
収させた当該被加熱物の加熱については考慮されていな
かった。これでは、被加熱物の表面は十分に加熱できて
も、高周波を用いた加熱の特徴である、被加熱物の中ま
で十分に加熱を行なう、ということが不充分であった。

【０００４】なお、同公報には、受皿を加熱室から取外
すことにより被加熱物を高周波で加熱できる旨の記載が
ある。しかしながら、この記載によると、高周波発熱体
を設けられた受皿によって加熱させた被加熱物を、さら
に高周波で加熱させる場合、当該被加熱物を調理途中で
受皿から別の容器に移動させる必要があり、ユーザが煩
雑な操作を必要とされるとともに、調理時間が長くな
る。

【０００５】本発明は、かかる実情に鑑み考え出された
ものであり、その目的は、被加熱物の表面および中身
を、煩雑な操作を要さずにかつ早く、加熱できる、高周
波加熱装置を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に従った高周波加
熱装置は、被加熱物を収容する加熱室と、高周波を発振
するマグネトロンと、前記マグネトロンの発振する高周
波を、前記加熱室内に当該加熱室の底面から導入する導
波管と、前記被加熱物を載置して前記加熱室内に収納さ
れるとともに、裏面に、高周波を吸収して発熱する高周
波発熱体を配置した加熱皿と、前記加熱室に収納した前
記加熱皿の下方から当該加熱皿の上方に、前記導波管か
ら導入された高周波を到達させる到達用経路とを含むこ
とを特徴とする。

【０００７】本発明に従うと、加熱室に高周波が導入さ
れたとき、加熱皿上の被加熱物は、高周波発熱体により
加熱された加熱皿と、加熱皿の上方に到達した高周波と
で、加熱される。

【０００８】これにより、高周波加熱装置において、煩
雑な操作を必要とせず、かつ、早く、被加熱物の表面お
よび中身を加熱できる。

【０００９】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
加熱室は、内部に設置された前記加熱皿に隣接する部分
に、前記加熱皿と内壁との間に隙間ができるように凹部
を形成されることが好ましい。

【００１０】これにより、高周波発熱体に吸収されない
高周波が、当該加熱皿と凹部の間を介して効率良く加熱
皿の上方へ送られるため、効率良く、被加熱物の加熱に
用いられる。

【００１１】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
加熱皿は、当該加熱皿の外端縁部を除いて前記高周波発
熱体を備えることが好ましい。

【００１２】これにより、被加熱物の載置されることの
少ない外縁端部で、加熱皿の下方から上方へ高周波を送
ることができるため、効率良く、高周波発熱体と高周波
とで被加熱物を加熱できる。また、加熱皿において、ユ
ーザの手が触れることの多い外縁端部が加熱されにくく
なるため、安全性を向上できる。

【００１３】また、本発明の高周波加熱装置は、前記加
熱皿の上方に設けられたヒータをさらに含むことが好ま
しい。

【００１４】これにより、被加熱物の上面に焦げ目をつ
けることができる。また、本発明の高周波加熱装置は、
前記到達用経路の、前記高周波の進行方向に交わる方向
の寸法は、当該高周波の波長の１／４以上とされること
が好ましい。

【００１５】これにより、より効果的に、高周波を加熱
皿の上方に送ることができる。また、本発明の高周波加
熱装置は、前記加熱室の内壁には、第１の面と、当該第
１の面と異なる方向を向く第２の面とを備え、前記第１
の面および前記第２の面上に形成された、前記加熱皿を
支持するためのレールをさらに含み、前記第１の面また
は前記第２の面上のレールは、同一面上に間隔を設けて
備えられた複数の部材により構成されていることが好ま
しい。

【００１６】これにより、レールを構成する複数の部材
の間の隙間から、より多く、高周波を加熱皿の上方に送
ることができる。

【００１７】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
加熱皿は、前記被加熱物を載置される面の外端部分に溝
を形成されていることが好ましい。

【００１８】これにより、加熱皿上に載置された食品
が、加熱されることにより水分や油分を放出した場合で
も、当該水分および油分は、溝に送られ、当該食品とは
分離されやすく、調理勝手が向上する。

【００１９】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
加熱皿の最下部は、前記高周波発熱体よりも下方に位置
することが好ましい。

【００２０】これにより、加熱皿がテーブル等の台に載
置された際、加熱されて高温となる可能性のある高周波
発熱体が直接当該台に接することを回避できる。

【００２１】また、本発明の高周波加熱装置は、前記加
熱室内に配置され、前記導波管内の高周波を前記加熱室
内に拡散させるために回転する回転アンテナと、前記回
転アンテナの回転を制御する回転制御部とをさらに含
み、前記回転制御部は、前記マグネトロンがマイクロ波
を発振する際、前記加熱皿が収納される高さに応じた位
置で前記回転アンテナが回転を停止させることが好まし
い。

【００２２】これにより、加熱皿を用いた調理の態様を
多様化できる。また、本発明の高周波加熱装置は、前記
加熱室内に配置され、前記導波管内の高周波を前記加熱
室内に拡散させるために回転する回転アンテナをさらに
含み、前記加熱皿における前記高周波発熱体の前記加熱
室内の高周波の進行方向に交わる面における面積は、前
記加熱皿と前記加熱室の底面との前記高周波の進行方向
についての距離が前記高周波の波長の１／８のときは前
記回転アンテナの面積と同じであり、前記進行方向につ
いての距離が前記高周波の波長の１／８より長くなるほ
ど大きくなり、前記進行方向についての距離が前記高周
波の波長の１／８よりも短くなるほど小さくなることが
好ましい。

【００２３】これにより、加熱皿を用いた調理の態様を
多様化できる。また、本発明の高周波加熱装置では、前
記加熱皿は、前記加熱室内で、高周波の進行方向につい
て、前記加熱室の底面から前記高周波の波長の１／８の
距離だけ離れた場所に収納されていることが好ましい。

【００２４】これにより、加熱皿上の被加熱物を、高周
波発熱体を用いて効率よく調理できる。

【００２５】また、本発明の高周波加熱装置は、前記加
熱室内に配置され、前記導波管内の高周波を前記加熱室
内に拡散させるために所定の面内で回転する回転アンテ
ナと、前記加熱室内であって、前記回転アンテナの外周
に設置された金属板とをさらに含み、前記加熱室は、前
記導波管と接続され、前記加熱室内の、前記導波管との
接続部分付近に設けられ、前記回転アンテナを収容する
アンテナ収容部をさらに含み、前記回転アンテナの外周
と前記アンテナ収容部の前記所定の面に交わる方向の面
との距離である設置間隔が一定でない場合、前記金属板
は、前記設置間隔の最も長い部分に位置するように、設
置されることが好ましい。

【００２６】これにより、回転アンテナを介して加熱室
に供給されるマイクロ波のうち、回転アンテナの外縁か
ら比較的遠く離れて加熱室壁面側に進もうとするマイク
ロ波が金属板に導かれて加熱室の中央側に寄せられるた
め、加熱皿の外周部分のみが強く加熱され、加熱皿上で
加熱むらが生じることを回避できる。

【００２７】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
金属板の先端は、前記マイクロ波の進行方向について、
前記回転アンテナよりも先に位置していることが好まし
い。

【００２８】これにより、金属板は、確実に、回転アン
テナを介して加熱室に供給されるマイクロ波の進行方向
を修正できる。

【００２９】また、本発明の高周波加熱装置は、前記回
転アンテナの外周に設置されたヒータをさらに含み、前
記金属板は、前記ヒータと前記回転アンテナとの間に配
置されることが好ましい。

【００３０】これにより、回転アンテナから供給される
マイクロ波が金属板によって所望の方向に導かれること
を、ヒータによって阻害されることがない。

【００３１】また、本発明の高周波加熱装置は、前記加
熱室を開閉するドアと、前記加熱室内壁に設けられ、前
記加熱室内に向けて凸形状を有し、前記加熱皿が前記加
熱室内へのマイクロ波の導入に対して好ましくない位置
に置かれたときに当該加熱皿と当接する第１の凸部とを
さらに含み、前記マグネトロンは、前記ドアが閉状態と
されたことを条件として、マイクロ波を発振し、前記加
熱皿は、前記第１の凸部と当接することによりことが好
ましい。

【００３２】これにより、たとえば、加熱皿が、所定の
アンテナとの間で放電を起こすような場所等、加熱室に
マイクロ波が供給されるのに好ましくない位置に置かれ
た状態で加熱室へマイクロ波が供給されることを確実に
回避できる。

【００３３】また、本発明の高周波加熱装置は、前記加
熱室を開閉するドアと、前記加熱室内の食品を加熱する
ためのヒータと、前記加熱室内に収容され、前記ヒータ
による加熱の際に被加熱物を載置され、金属からなる金
属皿と、前記加熱室内壁に設けられ、前記加熱室内に向
けて凸形状を有し、前記金属皿が前記加熱室内へのマイ
クロ波の導入の際に前記加熱室内の好ましくないとされ
る位置に置かれたときに当該金属皿と当接する第２の凸
部とをさらに含み、前記マグネトロンは、前記ドアが閉
状態とされたことを条件として、マイクロ波を発振し、
前記金属皿は、前記第２の凸部と当接することにより、
前記ドアが前記加熱室を閉じることを阻害し、前記加熱
皿は、前記加熱室内で設置可能なすべての位置に設置さ
れた場合にも、前記第２の凸部と当接することのない形
状を有することが好ましい。

【００３４】これにより、第２の凸部によって、金属皿
が、加熱室にマイクロ波が供給される際に、加熱室内に
設置されるのを回避できる。なお、加熱皿の加熱室への
配置は、第２の凸部によっては回避されない。

【００３５】また、本発明の高周波加熱装置では、前記
高周波発熱体は、前記高周波発熱体における高周波の吸
収量と透過量の割合が等しくなる厚みとされることが好
ましい。

【００３６】これにより、加熱皿に取付けられた高周波
発熱体において、効率良く、吸収した高周波の熱変換が
行なわれる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
図面を参照しつつ説明する。

【００３８】［１．電子レンジの構造］図１は、本発明
の一実施の形態の電子レンジの斜視図である。電子レン
ジ１は、主に、本体とドア３とからなる。本体は、その
外郭を外装部４に覆われ、複数の脚８に支持されてい
る。また、本体の前面には、ユーザが、電子レンジ１に
各種の情報を入力するための操作パネル６が備えられて
いる。

【００３９】ドア３は、下端を軸として、開閉可能に構
成されている。ドア３の上部には、取っ手３Ａが備えら
れている。図２に、操作パネル６の正面図、図３に、ド
ア３が開状態とされたときの電子レンジ１の正面図を示
す。

【００４０】本体２の内部には、本体枠５が備えられて
いる。本体枠５の内部には、加熱室１０が設けられてい
る。加熱室１０の右側面上部には、孔１０Ａが形成され
ている。孔１０Ａには、加熱室１０の外側から、検知経
路部材４０が接続されている。加熱室１０の底面には、
底板９が備えられている。

【００４１】ドア３の中央部分には、ドア３が閉状態と
されていても加熱室１０内部を外部から視認できるよう
に、透明な耐熱ガラス３Ｂが嵌め込まれている。ドア３
の、加熱室１０の内側には、本体枠５と接する接触面３
Ｄの外周とドア３本体との隙間を埋める樹脂製のチョー
クカバー３Ｃが備えられている。接触面３Ｄと本体枠５
との隙間から漏れる高周波は、チョークカバー３Ｃで覆
われ、ドア３内に形成されたチョーク構造（図示しな
い）により、加熱室１０外への漏洩を防止している。

【００４２】操作パネル６には、液晶パネル等で構成さ
れ種々の情報を表示する表示部６０と、調整つまみ６０
８と、種々のキーが備えられている。調整つまみ６０８
は、数値等、各種の情報を入力する際に使用される。

【００４３】あたためスタートキー６０１は、種々の調
理を開始させる際に操作される。レンジ焼きキー６０２
は、後述するように、レンジ焼き皿８０によって食品を
加熱させる際に操作される。お好み温度キー６０３は、
調整つまみ６０８が操作されて食品を所望の温度にする
調理が行なわれる際の、当該所望の温度を入力する際に
操作される。

【００４４】また、電子レンジ１では、種々のメニュー
に従った自動調理が可能であり、キー６０４，６０５を
操作することにより、その仕上りの強弱を調節できる。
グリルキー６０６は、加熱室１０内の食品をヒータ（図
示略）で焦げ目付け調理をする際に操作される。脱臭キ
ー６０７は、加熱室１０の脱臭動作を行なわせる際に操
作される。

【００４５】電子レンジ１は、加熱室１０内に複数段の
トレイ（または、後述するレンジ焼き皿８０）を載置す
るように構成することができる。そして、オーブン段調
整キー６０９は、加熱室１０内でのオーブン調理を１段
で行なうか２段で行なうかを入力するために操作され
る。発酵キー６１０は、パンの生地等を発酵させる際に
操作される。レンジ出力キー６１１は、電子レンジ１で
発振される高周波の出力を変更する際に操作される。解
凍キー６１３は、冷凍食品の解凍を行なわせる際に操作
されるが、２度操作されると、電子レンジ１において、
冷凍された刺身の解凍のための調理が実行される。取消
キー６１４は、入力途中のキー操作を取消す際に操作さ
れる。

【００４６】電子レンジ１では、加熱室１０内に、レン
ジ焼き皿８０（図４参照）を載置できる。そして、加熱
室１０内には、レンジ焼き皿８０を支持するためのレー
ル１０３，１０４，１０６，１０７が、加熱室１０の内
側に凸となるように、形成されている。レール１０３，
１０４、レール１０６，１０７は、それぞれ、水平線上
につながるように形成されている。

【００４７】レール１０３，１０４、レール１０６，１
０７のそれぞれの間には、凹部１０１，１０２が形成さ
れている。凹部１０１，１０２は、加熱室１０の外側に
凸となるように、形成されている。

【００４８】レール１０３，１０４，１０６，１０７お
よび凹部１０１，１０２は、たとえば、加熱室１０の壁
面を構成する板金を座押しすることにより、形成でき
る。

【００４９】図４は、レンジ焼き皿８０の斜視図であ
る。また、図５、図６は、レンジ焼き皿８０の裏面図、
正面図であり、図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う
矢視断面図である。

【００５０】以下、図４〜図７を参照して、レンジ焼き
皿８０の構成について説明する。レンジ焼き皿８０は、
その外周に水平方向に伸びる板体である外周部８０Ｄ
と、底部８０Ｂとを有する。外周部８０Ｄと底部８０Ｂ
とは、壁部８０Ｅでつながれている。底部８０Ｂの外縁
であって壁部８０Ｅとの接続部分には、底部８０Ｂの全
周を囲うように、溝８０Ａが形成されている。

【００５１】底部８０Ｂの裏面には、高周波発熱体８１
が蒸着されている。高周波発熱体とは、高周波を吸収す
ることにより発熱する物質であり、導電性材料、より具
体的には、酸化スズにモリブデンを添加した導電性材料
を挙げることができる。なお、蒸着膜の厚みとしては８
×１０^-8ｍ程度、抵抗率は２〜６（Ω／ｍ）程度が好ま
しい。なお、図５では、高周波発熱体８１の表面が、ハ
ッチングを施されて記載されている。

【００５２】レンジ焼き皿８０の裏面の四隅には、それ
ぞれ脚８０Ｃが形成されている。図７に示すように、レ
ンジ焼き皿８０では、脚８０Ｃの最下部、底部８０Ｂの
最下部（溝８０Ａの裏面に相当する部分）、高周波発熱
体８１の最下部の高さは、それぞれ異なり、低い方から
順に、Ｚ、Ｙ、Ｘとなっている。これにより、加熱室１
０内で高周波発熱体８１が加熱され高温となった状態で
レンジ焼き皿８０が加熱室１０外に取出されてテーブル
等の載置面に載置される場合でも、当該高周波発熱体８
１よりも先に、脚８０Ｃまたは底部８０Ｂが当該載置面
に接する。これにより、当該載置面に高周波発熱体８１
から高熱が加えられることを回避できる。レンジ焼き皿
８０がこのように構成されることにより、たとえレンジ
焼き皿８０が図３のように開状態にされたドア３上に載
置された場合でも、高温の高周波発熱体８１がチョーク
カバー３Ｃと接して当該チョークカバー３Ｃが溶解した
結果、接触面３Ｄと本体枠５との隙間が広がることによ
り、加熱室１０内の高周波が漏洩することを回避でき
る。

【００５３】また、高周波発熱体８１は、図５に示すよ
うに、外周部８０Ｄの端部から距離Ｗ以上離れ、かつ溝
８０Ａより内側の位置に蒸着されている。高周波を効率
良く加熱皿８０上の送るために、距離Ｗは、加熱室１０
内に供給される高周波の波長をλとした場合、λ／４
（波長の１／４）以上とされることが好ましい。つま
り、電子レンジ１で、高周波としてマイクロ波が発振さ
れる場合には、距離Ｗは、およそ３ｃｍ以上とされるこ
とが好ましい。なお、距離Ｗを５ｃｍとした場合には、
マグネトロン１２から供給された高周波のうち、約７５
％〜８０％が高周波発熱体８１に吸収され、約２０％〜
２５％がレンジ焼き皿８０を透過して当該レンジ焼き皿
８０の上方に送られる。

【００５４】図８は、図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿
う矢視断面図である。なお、便宜上、図８では一部の部
材を省略している。

【００５５】検知経路部材４０の一端には、赤外線セン
サ７が取付けられている。赤外線センサ７は、孔１０Ａ
を介して、加熱室１０内の赤外線をキャッチする。外装
部４の内部には、加熱室１０の右下に隣接するように、
マグネトロン１２が備えられている。また、加熱室１０
の下方には、マグネトロン１２と本体枠５の下部を接続
させる導波管１９が備えられている。また、本体枠５の
底部と底板９の間には、回転アンテナ２１が備えられて
いる。導波管１９の下方には、アンテナモータ１６が備
えられている。回転アンテナ２１は、軸１５でアンテナ
モータ１６と接続され、アンテナモータ１６が駆動する
ことにより回転する。

【００５６】加熱室１０内では、底板９上に、または、
レンジ焼き皿８０上に、被加熱物である食品が載置され
る。レンジ焼き皿８０は、レール１０３，１０４，１０
６，１０７上に外周部８０Ｄを支持された状態で、加熱
室１０内に収容される。

【００５７】マグネトロン１２の発振する高周波は、導
波管１９を介し、回転アンテナ２１によって攪拌されつ
つ、加熱室１０内に、当該加熱室１０の底面から、供給
される。これにより、加熱室１０内の食品が加熱され
る。

【００５８】図８では、加熱室１０内に供給された高周
波の流れが、白抜きの矢印で示されている。また、矢印
の大きさは、高周波の電界強度を模式的に示している。
加熱室１０内に供給された高周波は、高周波発熱体８１
に吸収される。これにより、高周波発熱体８１が加熱さ
れ、当該高周波発熱体８１から熱を供給されて、レンジ
焼き皿８０上の食品が加熱される。なお、この場合の高
周波の流れは、図８の高周波発熱体８１の下方の大きい
矢印で図示されている。

【００５９】また、加熱室１０内に供給された高周波
は、レンジ焼き皿８０の外端縁部を透過して、または、
レンジ焼き皿８０と凹部１０１，１０２の壁面との間を
通って、当該レンジ焼き皿８０の上方に到達する。これ
により、レンジ焼き皿８０上の食品は、直接高周波を供
給されて加熱される。なお、この場合の高周波の流れ
は、図８のレンジ焼き皿８０の外縁端部の上下に大きい
矢印で図示されている。

【００６０】本実施の形態では、加熱室１０内のレンジ
焼き皿８０より下方の部分と、高周波発熱体８１の蒸着
されていないレンジ焼き皿８０の外縁端部（底部８０Ｂ
の外縁部、外周部８０Ｄ、壁部８０Ｅを含む部分）、ま
たは、凹部１０１，１０２とにより、導波管から加熱室
内に導入された高周波を高周波発熱体を介さず加熱皿
（レンジ焼き皿８０）の上方に到達させる到達用経路が
構成されている。なお、距離Ｗ（図５参照）がλ／４以
上とされることにより、到達用経路において高周波の進
行方向に交わる方向の寸法が、λ／４以上とされる。

【００６１】また、図８において、レンジ焼き皿８０の
中央部上方には、熱に変換されず高周波発熱体８１を透
過した一部の高周波が、小さい矢印で示されている。さ
らに、加熱室１０の上下にはヒータが備えられている
（上方にはグリルヒータ５１、下方には下ヒータ５２）
が、図８では省略している。

【００６２】なお、本実施の形態では、レール１０３，
１０４、レール１０６，１０７というように、レンジ焼
き皿８０を下方から支持するレールが、加熱室１０内の
右面および左面においてそれぞれ間隔を設けて備えられ
た複数の部材により構成されている。これにより、レー
ル１０３とレール１０４、または、レール１０６とレー
ル１０７が、つなげられて、加熱室１０内で手前側から
奥の方まで伸びる一本のレールとして構成される場合と
比較して、加熱室１０の内壁面とレンジ焼き皿８０の端
部との間に隙間が多くなるため、レンジ焼き皿８０の上
方に高周波を送りやすくなる。

【００６３】また、凹部１０１内にはマイクロ波拡散用
凸部１０１Ａ，凹部１０２内にはマイクロ波拡散用凸部
１０２Ａが設けられている。凸部１０１Ａ，１０２Ａ
は、凹部１０１，１０２内を通過する高周波をレンジ焼
き皿８０の情報に拡散させる機能を有している。

【００６４】［２．電子レンジの電気的構成］図９に、
電子レンジ１の電気的構成を模式的に示す。電子レンジ
１は、当該電子レンジ１の動作を全体的に制御する制御
回路３０を備えている。制御回路３０は、マイクロコン
ピュータを含む。

【００６５】電子レンジ１では、外部の商用電源４１か
らの交流電圧が、整流ブリッジ４２で整流された後、チ
ョークコイル４３と平滑コンデンサ４４とで直流電圧に
変換される。整流ブリッジ４２，チョークコイル４３お
よび平滑コンデンサ４４により、商用電源４１の交流電
圧を整流する整流装置４５が構成されている。

【００６６】スイッチング素子４６はＩＧＢＴ（insula
tor gate bipolar transistor）からなり、そのコレク
タ・エミッタ間には並列にフリーホイールダイオード４
７および共振コンデンサ４８が接続されて共振型スイッ
チング回路が構成されている。高周波トランス５４は、
一次巻線５５，二次巻線５６およびヒータ用巻線５７を
備えている。この高周波トランス５４の一次巻線５５を
介して、入力直流電圧が、スイッチング素子４６のコレ
クタに供給されている。スイッチング素子４６は、駆動
回路５８からの駆動信号によりオン・オフされ、入力直
流電圧が周期的にスイッチングされて高周波に変換され
るようになっている。スイッチング素子４６，フリーホ
イールダイオード４７および共振コンデンサ４８によ
り、周波数変換装置４９が構成されている。駆動回路５
８によるスイッチング素子４６の駆動タイミングは、制
御回路３０により制御される。

【００６７】高周波トランス５４の二次巻線５６には、
倍電圧整流用コンデンサ３２および倍電圧整流用ダイオ
ード３４から構成される倍電圧整流回路が接続され、こ
の倍電圧整流回路で、高周波トランス５４の二次巻線５
６に発生する高周波電圧が倍電圧整流されて、直流高電
圧が得られるようになっている。倍電圧整流回路によ
り、マグネトロン１２のアノード３３とカソード（該カ
ソードを加熱するヒータも兼用、以下ヒータというとき
もカソードと同符号を用いる）３５との間にアノード電
力を供給する駆動電源部が構成される。マグネトロン１
２に供給される電流は、電流トランス３７によって検知
され、この検知信号は制御回路３０に入力される。な
お、マグネトロン１２はアノード３３側がアースになっ
ており、ヒータ用巻線５７からのヒータ電圧は、マグネ
トロン１２のヒータ３５に供給されている。

【００６８】また、電子レンジ１では、ドアスイッチ３
Ｘが備えられている。ドアスイッチ３Ｘは、ドア３が開
かれると当該回路を開き、ドア３が閉じられると当該回
路を閉じる。これにより、ドア３が開かれたときには、
商用電源４１からマグネトロン１２への電力の供給が不
可能となる。したがって、ドアスイッチ３Ｘが備えられ
ていることにより、ドア３が開いているにも拘わらず、
マグネトロン２１がマイクロ波を発振する事態を回避で
きる。

【００６９】電子レンジ１は、さらに、加熱室１０内の
照明となる庫内灯５３、および、加熱室１０内の温度を
検知するオーブンサーミスタ５９を備える。制御回路３
０は、キー入力部６０１〜６１４（操作パネル上の調整
つまみ６０８および種々のキー）に対してなされた操作
内容、ならびに、赤外線センサ７およびオーブンサーミ
スタ５９の検知出力を入力され、回転アンテナ２１の回
転動作を制御し、また、表示部６０の表示内容を制御す
る。また、制御回路３０は、グリルヒータ５１、下ヒー
タ５２、および、庫内灯５３の動作を、適宜、リレーを
駆動させることにより制御する。

【００７０】［３．電子レンジの加熱室の変形例］図１
０に、本実施の形態の電子レンジ１の加熱室１０の第１
の変形例を示す。なお、図１０は、図８の中の、本体枠
５およびその周辺部の変形例を示す図に相当する。この
変形例における、図８等に示した例からの主な変更点
は、加熱室１０内のレンジ焼き皿８０用のレールが、４
段分設けられている点である。

【００７１】図１０では、加熱室１０に、上から、レー
ル１１１，１１２、レール１１３，１１４、レール１１
５，１１６、レール１１７，１１８の４段のレールが示
されている。そして、図１０では、レンジ焼き皿８０
は、その最上段のレール１１１，１１２に外周部８０Ｄ
を当接させた、加熱室１０内で設定される最も高い位置
に配置されている状態が、記載されている。

【００７２】図１０では、加熱室１０内部には、上部
に、グリルヒータ５１が示され、さらに、ヒータ５１の
放射する熱が実線の矢印で、マグネトロン１２の発振す
る高周波が破線の矢印で示されている。本変形例でも、
図８を用いて説明したように、加熱室１０の底面から供
給された高周波は、高周波発熱体８１に吸収されると共
に、レンジ焼き皿８０の外縁端部を透過して当該レンジ
焼き皿８０の上方で導かれる。

【００７３】図１０に示したような例では、レンジ焼き
皿８０上の食品は、高周波発熱体８１によって表面を加
熱されると共に、高周波を直接吸収することによって中
身を加熱され、さらに、グリルヒータ５１により加熱さ
れると共に表面に焦げ目をつけることができる。

【００７４】図１１は、電子レンジ１の加熱室１０の第
２の変形例を示す図である。なお、図１１は、加熱室１
０の内部とドア３との位置関係を示すために、電子レン
ジ１の右側面図であって、本体の右側面を省略した状態
を示している。

【００７５】本変形例の加熱室１０壁面には、レール１
０３，１０４の上方に、レール１０８が形成されてい
る。なお、図１１では省略しているが、加熱室１０の壁
面には、レール１０８と対向する位置にレール１０９
（図２５のレール１０９と同様）が形成されている。レ
ンジ焼き皿８０は、レール１０８とレール１０９によっ
て、加熱室１０内で支持されることができる。

【００７６】また、本変形例では、レール１０４の下方
であって、加熱室１０の奥の方に、凸部１２１が形成さ
れている。なお、図１１では省略しているが、加熱室１
０の壁面には、凸部１２１と対向する位置に凸部１２２
（図１２および図１３を参照）が形成されている。

【００７７】凸部１２１，１２２は、加熱室１０内に金
属製の皿が収納されることがある場合であって、マグネ
トロン１２がマイクロ波を発振する際に、レンジ焼き皿
８０は載置されても良いが当該金属製の皿は載置されて
は好ましくない場所に対して、当該場所に、金属製の皿
（ホーロー皿１００）が載置されたときのみマグネトロ
ン１２のマイクロ波の発振を禁止するために、形成され
ている。なお、本変形例では、このような場所として、
底板９上であって底板９から近い距離（１ｃｍ以内）に
ある場所が挙げられる。金属製の皿が底板９に近い距離
に載置されたまま、マイクロ波が回転アンテナ２１を介
して加熱室１０に供給されると、回転アンテナ２１とホ
ーロー皿１００との間で放電が起こり、危険だからであ
る。

【００７８】なお、ホーロー皿１００とは、ヒータ（グ
リルヒータ５１、下ヒータ５２）によってのみ加熱を行
なうオーブン調理の際に、食品が載置される皿であり、
板金が琺瑯でコーティングされることにより構成され
る。

【００７９】図１２，図１３は、図１１に示した電子レ
ンジ１の本体部分の、凸部１２１，１２２が存在する高
さでの、横断面を模式的に示す図である。

【００８０】まず、図１２を参照して、レンジ焼き皿８
０が底板９上に載置された場合、凸部１２１，１２２
は、レンジ焼き皿８０の角と加熱室１０の壁面との間に
位置する。つまり、レンジ焼き皿８０は、加熱室１０内
に、凸部１２１，１２２の存在する高さと同じ高さであ
っても、収納可能とされる。

【００８１】一方、図１３を参照して、上記した金属製
の皿であるホーロー皿１００が底板９上に載置された場
合、当該ホーロー皿１００は、その角が凸部１２１，１
２２と当接するとそれ以上加熱室１０の奥には進めない
形状とされている。つまり、ホーロー皿８０は、加熱室
１０内では、凸部１２１，１２２の存在する高さと同じ
高さでは、収納されない。そして、このような場合、図
１１に示すように、ホーロー皿１００によりドア３が閉
じることを阻害される。ドア３が閉じなければ、上述し
たように、ドアスイッチ３Ｘが図９に示した回路を開く
ため、マグネトロン１２がマイクロ波を発振することが
できない。

【００８２】つまり、本変形例では、凸部１２１，１２
２が形成されること、および、レンジ焼き皿８０とホー
ロー皿１００とで角の形状が異なることから、加熱室１
０内で、凸部１２１，１２２と同じ高さに、レンジ焼き
皿８０は収納できでも、ホーロー皿１００は収納できな
いよう、構成されている。なお、レンジ焼き皿８０は、
加熱室１０内のどの高さに収容されようとも、図１１の
ホーロー皿１００のように凸部１２１，１２２に遮られ
て奥まで収容されることができなくなることはない。

【００８３】また、図１２に示すように、レンジ焼き皿
８０は、加熱室１０内に、奥行き方向にＬ１の寸法を有
し、幅方向にＬ２（＞Ｌ１）の寸法を有した状態で、収
納される。

【００８４】さらに、加熱室１０の最前部１０Ｘに対し
て、距離Ｋだけ隙間を有している。これにより、レンジ
焼き皿８０が加熱室１０内に収納されて、ドア３が閉じ
られた場合でも、レンジ焼き皿８０とドア３の間には距
離Ｋ以上の隙間が生じることになる。したがって、ドア
３が閉じられた状態でも、レンジ焼き皿８０より下方の
空気やマイクロ波が、レンジ焼き皿８０の上方に送られ
やすい。

【００８５】この変形例では、凸部１２１，１２２が形
成されることにより、加熱室１０内でマグネトロン１２
にマイクロ波を発振させる際に、レンジ焼き皿８０は設
置可能であるが、ホーロー皿１００は設置不可能である
場所が存在することになった。つまり、凸部１２１，１
２２により、本発明の第２の凸部が構成されている。

【００８６】また、加熱室１０を、レンジ焼き皿８０が
マイクロ波を発振させる際に好ましくない場所に設置さ
れた場合に、マグネトロン１２のマイクロ波の発振を回
避するよう、構成することもできる。このような変形例
（第３の変形例）を、図１４〜図１６を参照しつつ説明
する。

【００８７】図１４は、図１１と同様の部材が省略され
た、電子レンジ１の右側面図である。本変形例では、図
１２に示した変形例における凸部１２１，１２２が、加
熱室１０において手前側に移動した、凸部１２１Ａ，１
２２Ａ（図１５参照）と変更されている。図１５および
図１６は、図１４の電子レンジ１の本体部分の、凸部１
２１Ａ，１２２Ａが存在する高さでの、横断面を模式的
に示す図である。

【００８８】図１５を参照して、凸部１２１Ａ，１２２
Ａが、凸部１２１，１２２（図１２参照）よりも加熱室
１０内で手前側に位置することにより、凸部１２１Ａ，
１２２Ａと同じ高さでレンジ焼き皿８０を収納させよう
とすると、凸部１２１Ａ，１２２Ａに遮られて、レンジ
焼き皿８０が加熱室１０の奥まで入りきらず、ドア３が
閉じるのを阻害する。なお、この変形例では、ホーロー
皿１００についても、凸部１２１Ａ，１２２Ａと同じ高
さで収納させようとすると、凸部１２１Ａ，１２２Ａに
遮られて、加熱室１０の奥まで入りきらず、ドア３が閉
じるのを阻害する。

【００８９】なお、上述したように、レンジ焼き皿８０
では、Ｌ１＜Ｌ２であるため、図１６に示すように、図
１５に示した状態からレンジ焼き皿８０を９０°回転さ
せることにより、レンジ焼き皿８０は、凸部１２１Ａ，
１２２Ａに当接することなく、加熱室１０内に入る。し
たがって、このような場合のために、加熱室１０内の後
面には、凸部１２３，１２４が形成されることが好まし
い。これにより、レンジ焼き皿８０が好ましくない高さ
に収納された状態で、ドア３が閉じられ、加熱室１０内
にマイクロ波が供給されることを、確実に回避できる。

【００９０】なお、加熱室１０の奥行き方向の寸法は、
図１２から「Ｌ１＋Ｋ」となる。したがって、図１６に
示した状態で、レンジ焼き皿８０によりドア３が閉じる
のを阻害するために、凸部１２３，１２４は、加熱室１
０の後面から「Ｌ１＋Ｋ−Ｌ２」よりも長い距離だけ突
出している必要がある。

【００９１】次に、電子レンジ１の、第４の変形例につ
いて説明する。本変形例では、図１７に示すように、回
転アンテナ２１の外周に、反射板５０１〜５０４（５０
１，５０２については図１９参照）が備えられている。
図１７は、図８の断面図に相当する断面図である。

【００９２】本変形例では、後述するように、回転アン
テナ２１の外周に、反射板５０１〜５０４が備えられる
ことにより、回転アンテナ２１を介して加熱室１０の底
面から加熱室１０に供給されるマイクロ波が、加熱室１
０の壁面付近に流れることを抑制し、効率良く、高周波
発熱体８１に吸収される。これにより、レンジ焼き皿８
０上では、図１８に示すように、加熱むらがなくなる。

【００９３】図１８は、マグネトロン１２に３分間マイ
クロ波を発振させた際の、レンジ焼き皿８０上の温度分
布を示す図であり、（Ａ）は、反射板５０１〜５０４が
備えられた場合、（Ｂ）は、反射板５０１〜５０４が備
えられていない場合をそれぞれ示す。

【００９４】図１８（Ｂ）では、レンジ焼き皿８０の四
隅には３００℃近い高温に達した部分があるのに対し、
レンジ焼き皿８０の中央付近は１００℃程度までしか上
昇していない。これに対し、図１８（Ａ）では、レンジ
焼き皿８０の中央部分と四隅にやや高温の部分が見られ
るが、ほぼ全域が１５０℃以上、また、多くの部分が１
７５℃以上となっている。つまり、反射板５０１〜５０
４が設けられることにより、レンジ焼き皿８０上の加熱
むらが解消される。

【００９５】次に、反射板５０１〜５０４の構造等につ
いて、図１９および図２０を参照して、詳細に説明す
る。図１９は、図１７の、Ｆ−Ｆ線に沿う矢視断面図で
あり、図２０は、反射板５０１の斜視図である。

【００９６】加熱室１０の下部には、底板９を収容する
底板収容部９２と、底板収容部９２の下方に位置し回転
アンテナ２１を収容するアンテナ収容部９１とが備えら
れている。アンテナ収容部９１の、マイクロ波の進行方
向に交わる面（図１９に示したＦ−Ｆ線に沿う断面を含
む面）についての形状は、図１９に示すように、四角形
の角が丸められた形状とされている。

【００９７】反射板５０１は、断面がＬ字型の板状形状
を有し、反射板５０２〜５０４も同様の構造を有してい
る。反射板５０１〜５０４は、マイクロ波を反射する材
料からなる。また、反射板５０１〜５０４は、そのよう
な材料をコーティングされることにより構成されてもよ
い。

【００９８】反射板５０１〜５０４は、上記した四角形
の丸められた角部分と回転アンテナ２１との間に、配置
されている。反射板５０１〜５０４の配置された場所
は、回転アンテナ２１の端面と、アンテナ収容部９１の
壁面との距離が最も長い場所を含む。なお、回転アンテ
ナ２１の端面と、アンテナ収容部９１の壁面との距離に
ついて、最も長いものの一例が図１９内のＱ１であり、
最も短いものの一例が図１９内のＱ２である。そして、
反射板５０１〜５０４がこのような場所に配置されるこ
とにより、回転アンテナ２１を介して加熱室１０内に供
給されるマイクロ波が、加熱室１０の壁面付近に拡散す
ることを防ぐことができる。これにより、図１８を用い
て説明したように、加熱室１０の壁面部分に多くマイク
ロ波が供給されることを抑制し、レンジ焼き皿８０上の
加熱むらを抑制できる。

【００９９】なお、反射板５０１〜５０４は、回転アン
テナ２１よりも、マイクロ波の進行方向について先まで
延在している。具体的には、図１７において、マイクロ
波の進行方向は上方向と考えられ、かつ、反射板５０１
〜５０４の高さはＨ１、回転アンテナ２１の高さはＨ２
（＜Ｈ１）となり、反射板５０１〜５０４は回転アンテ
ナ２１よりも高い場所まで存在している。これにより、
反射板５０１は、確実に、回転アンテナ２１を介して加
熱室１０に導かれるマイクロ波を、横方向への拡散を抑
制し、上方に導くことができる。

【０１００】なお、反射板５０１〜５０４を設ける代わ
りに、アンテナ収容部９１の壁面の構造を図２１または
図２２に示すように変更することも考えられる。

【０１０１】図２１では、アンテナ収容部９１の断面が
円とされている。また、図２２では、アンテナ収容部９
１の断面が多角形（八角形）とされている。このよう
に、アンテナ収容部９１の断面が円または多角形とされ
ることにより、回転アンテナ２１の端面とアンテナ収容
部９１の壁面との距離を、より縮め、回転アンテナ２１
を介して供給されるマイクロ波が加熱室１０の壁面付近
に多く進行することを回避できる。

【０１０２】また、反射板５０１〜５０４が備えられ、
さらに、回転アンテナ２１の周囲に下ヒータ５２が備え
られた場合の変形例について図２３および図２４を参照
して説明する。図２３は図１７の変形例に相当し、図２
４は図１９の変形例に相当する。下ヒータ５２は、アン
テナ収容部９１内で、固定部材５２Ａにより固定されて
いる。

【０１０３】そして、図２３および図２４に示すよう
に、反射板５０１〜５０４は、回転アンテナ２１の外側
であって、下ヒータ５２の内側に備えられる。これによ
り、反射板５０１〜５０４が備えられた部分では、回転
アンテナ２１を介して加熱室１０に供給されるマイクロ
波が、下ヒータ５２で拡散される前に、反射板５０１〜
５０４によって、上方に送られる。これにより、マイク
ロ波が、より正確に、送るべき方向に送られる。

【０１０４】次に、レンジ焼き皿８０の加熱室１０内で
の高さが変更可能な場合に、レンジ焼き皿８０の高さに
合わせたモードでマイクロ波加熱を行なう変形例につい
て説明する。

【０１０５】図２５は、電子レンジ１が、加熱室１０で
レンジ焼き皿８０を上下２段に収納可能とされる、第５
の変形例を示す図であり、上記の本実施の形態の電子レ
ンジ１の図８に相当する図である。

【０１０６】加熱室１０には、レンジ焼き皿８０を支持
するために、レール１０３，１０４，１０６，１０７の
上方に、レール１０８，１０９を備えている。レール１
０９は、レール１０８（図１１に示したものと同じ）と
左右対象の形状を有している。本変形例では、レンジ焼
き皿８０は、レール１０３，１０４，１０６，１０７に
支持されることにより（図２５において実線で示す状
態）、下段に収納され、レール１０８，１０９に支持さ
れることにより（図２５において破線で示す状態）、上
段に収納される。なお、図２５中の寸法ＨＣ（アンテナ
収容部９１の底面から回転アンテナ２１までの距離）は
１０ｍｍとされ、寸法ＨＢ（回転アンテナ２１から底板
９までの距離）は１５ｍｍとされ、寸法ＨＡ（底板９か
ら下段に設置されたレンジ焼き皿８０までの距離）はマ
イクロ波の波長の１／８の長さとされている。

【０１０７】マイクロ波による加熱が行なわれる際、レ
ンジ焼き皿８０における加熱モードは、底板９（前記加
熱室内で被加熱物を載置できる最も低い面）からの距離
によって異なる。

【０１０８】そして、基本的には、食品を載置されたレ
ンジ焼き皿８０は、底板９から、マイクロ波の波長の１
／８以上離れた位置に収納されるのが好ましい。これに
より、レンジ焼き皿８０上における加熱むらを抑えるこ
とができる。

【０１０９】また、回転アンテナ２１の回転を停止させ
て、所定時間加熱室１０にマイクロ波が供給された際の
レンジ焼き皿８０上の温度分布として、図２６に、レン
ジ焼き皿８０が上段に収納された場合のものを、図２７
に、レンジ焼き皿８０が下段に収納された場合のものを
示す。なお、図２６と図２７では、レンジ焼き皿８０の
収納位置以外は、すべて同じ状態でマイクロ波の供給が
行なわれている。また、図２６および図２７では、温度
帯毎に異なるハッチングが施されている。

【０１１０】図２６では、レンジ焼き皿８０の中央部分
が主に加熱され、その周囲との温度差が目立つのに対
し、図２７では、中央部分付近が比較的温度が高くなっ
ているものの、図２６と比較して、大きく、加熱むらが
抑えられている。

【０１１１】そして、本変形例では、レンジ焼き皿８０
が上段に収納された場合、回転アンテナ２１を予め定め
られた停止位置で停止させてマイクロ波の供給を行なう
ことにより、加熱むらを抑えている。つまり、本変形例
では、レンジ焼き皿８０の収納される位置に応じた位置
で回転アンテナ２１の回転を停止させることにより、レ
ンジ焼き皿８０の収納される位置に応じて当該レンジ焼
き皿８０上で加熱むらが生じないようにマイクロ波を供
給するモードを変更している。

【０１１２】回転アンテナ２１の回転の停止位置に応じ
て、加熱室１０内でのマイクロ波の供給されるモードが
変化するのは、回転アンテナ２１の構造に起因する。図
２８に、回転アンテナ２１の平面図を示す。

【０１１３】回転アンテナ２１は、金属からなる円盤で
あるが、その複数箇所がくりぬかれた構造を有してい
る。中央部分の孔２１０が、軸１５に嵌め込まれ、回転
中心とされている。また、回転アンテナ２１には、孔２
１０から短冊状に伸びる第１の部分２１１が備えられて
いる。第１の部分２１１は、その幅Ｗ１が３５ｍｍとさ
れていることから、第１の部分２１１上を矢印Ｍ方向に
進むマイクロ波の漏れが極力抑えられている。なお、第
１の部分２１１の長さＷ２は６５ｍｍとされている。こ
れにより、第１の部分２１１のＭ方向の先端および領域
２１３から、比較的強くマイクロ波を放出できる。

【０１１４】また、回転アンテナ２１には、孔２１０か
ら第１の部分２１１と反対側に扇状の切抜きがなされて
いる。なお、孔２１０から切抜き部分までの距離Ｗ３は
４５ｍｍとされていることから、領域２１２Ａ，２１２
Ｂからのマイクロ波の放出が抑えられている。扇状の切
抜きの中央部には第２の部分２１２が、回転アンテナ２
１の中央部分と外周部分とをつなぐ橋のように存在して
いる。これにより、回転アンテナ２１の外周部分からの
マイクロ波の放出が促進される。

【０１１５】回転アンテナ２１が上記のように構成され
るため、回転アンテナ２１の停止位置に応じて、加熱室
１０でマイクロ波が供給されるモードが変化し、これに
より、レンジ焼き皿８０における加熱モードが変化す
る。

【０１１６】加熱室１０内では、レンジ焼き皿８０は下
段に収納されることが好ましい。しかしながら、調理メ
ニューによっては、たとえば、加熱室１０の上部に備え
られたグリルヒータ５１による加熱とマイクロ波による
加熱とを組合せた調理が行なわれる場合等、上段に収納
される場合がある。そして、本変形例では、調理メニュ
ーに応じて、レンジ焼き皿８０の収納位置を表示部６０
に表示することによりユーザに指示し、そして、当該収
納位置に応じた停止位置で回転アンテナ２１を停止させ
てマイクロ波を供給している。たとえば、下段にレンジ
焼き皿８０が載置される調理メニューでは図２９のよう
に回転アンテナ２１を停止させてマイクロ波を供給し、
下段にレンジ焼き皿８０が載置される調理メニューでは
図３０のように回転アンテナ２１を図２９の状態から時
計方向に９０°回転させた状態で停止させてマイクロ波
を供給する。

【０１１７】［４．レンジ焼き皿の変形例］次に、本実
施の形態の電子レンジ１におけるレンジ焼き皿８０の変
形例について説明する。まず、第６の変形例について説
明する。

【０１１８】上記した第５の変形例等で示したように、
電子レンジ１では、レンジ焼き皿８０が加熱室１０内で
収納される高さを変更可能とされている。また、図２６
および図２７を用いて説明したように、レンジ焼き皿８
０の収納される高さが変更されると、レンジ焼き皿８０
における温度分布が変化する。このような、レンジ焼き
皿８０の収納される高さに応じて高周波発熱体８１を蒸
着させる面積を変化させることにより、レンジ焼き皿８
０における温度分布の変化を抑えることができる。具体
的には、レンジ焼き皿８０において高周波発熱体８１が
蒸着される面積（以下、蒸着面積と記述）は、レンジ焼
き皿８０の収納される高さ（底板９との距離）が加熱室
１０に供給されるマイクロ波の波長の１／８となる場合
には、回転アンテナ２１の水平方向の面積と同じ面積と
されることが好ましい。

【０１１９】また、レンジ焼き皿８０の収納される高さ
がマイクロ波の波長の１／８よりも高くなるほど、当該
蒸着面積は回転アンテナ２１の水平方向の面積よりも大
きくなる（図３１参照）ことが好ましく、１／８よりも
低くなるほど、当該蒸着面積は回転アンテナ２１の水平
方向の面積よりも小さくなる（図３２参照）ことが好ま
しい。

【０１２０】なお、図３１および図３２は、本変形例に
おけるレンジ焼き皿８０の裏面図である。また、図３１
では、回転アンテナ２１の位置は、高周波発熱体８１と
重なっており、一点破線ＡＮで示され、白く塗りつぶさ
れている。図３１では、高周波発熱体８１の存在面積
（上記した蒸着面積）は、回転アンテナ２１の面積より
も大きくなっている。一方、図３２では、回転アンテナ
２１の位置は、一点破線ＡＮで示され、高周波発熱体８
１と重なる部分は高周波発熱体８１を示すハッチングで
塗りつぶされている。図３２では、高周波発熱体８１の
存在面積は、回転アンテナ２１の面積よりも小さくなっ
ている。

【０１２１】次に、本実施の形態の第７の変形例を説明
する。図３３は、本変形例のレンジ焼き皿８０の裏面図
である。また、図３４は、図３３のＥ−Ｅ線に沿う矢視
断面図である。本変形例のレンジ焼き皿８０では、裏面
に深さ５ｍｍ程度の凹凸が形成され、当該裏面の凹凸に
沿うように高周波発熱体８１Ａが蒸着されている。ま
た、表面には、裏面の凹凸における凸部分に対応する場
所にのみ、高周波発熱体８１Ｂ〜８１Ｇが蒸着されてい
る。表面に食品が載置されることにより、お好み焼き等
一般的に鉄板で調理されるような食品に適した調理が実
現できる。なお、図３４では、高周波発熱体８１Ｂ〜８
１Ｇが蒸着されている面にも凹凸があるように見える
が、高周波発熱体８１Ａ〜８１Ｇの蒸着膜の厚みは、高
周波発熱体８１と同様に、８×１０^-8ｍ程度とされるた
め、実際に使用される際に凹凸はほとんど認識されな
い。

【０１２２】また、図３５に、図３４のレンジ焼き皿８
０の表裏をひっくり返した状態を示す。図３５に示す状
態では、凹凸のある面（高周波発熱体８１Ａが蒸着され
た面）に食品が載置される。凹凸のある面に食品が載置
されることにより、焼肉等、脂ものの加熱調理に適した
調理が実現できる。食品自体は凹凸の凸部分で支持さ
れ、加熱の際に食品から出る脂は、食品から凹凸の凹部
分に溜まり分離されるからである。

【０１２３】また、レンジ焼き皿８０の凹凸のある面の
反対の面では、凹凸における凸部分に対応する場所にの
み高周波発熱体８１Ｂ〜８１Ｇが蒸着されているのは、
凹凸のある面では食品と接する凸部分のみが高温となる
必要があるからである。つまり、無駄な部分に高周波発
熱体が蒸着されるのが回避されているとともに、高温と
なる必要のない場所が高温となることも回避されてい
る。

【０１２４】以上説明したように、レンジ焼き皿８０の
表裏で異なるパターンで高周波発熱体が蒸着されること
により、レンジ焼き皿８０の表裏で異なる態様の調理が
可能となる。

【０１２５】また、本実施の形態では、高周波発熱体８
１，８１Ａ〜８１Ｇの抵抗率は、その厚みを調整するこ
とにより、２〜６（Ω／ｍ）程度とされるのが好まし
い。このことを、図３６を参照して説明する。図３６
は、レンジ焼き皿８０において高周波発熱体として酸化
スズにモリブデンを添加した導電性材料が使用された際
に、加熱室１０にマイクロ波が供給されたときの、高周
波発熱体の抵抗率と、レンジ焼き皿８０が反射する電界
強度および透過する電界強度との関係を示す図である。

【０１２６】図３６から、高周波発熱体の抵抗率が２〜
６（Ω／ｍ）程度のとき、レンジ焼き皿８０が反射する
マイクロ波の電界強度とレンジ焼き皿８０が透過するマ
イクロ波の電界強度とが同量となる。したがって、この
ようなときに、レンジ焼き皿８０を用いた加熱調理が効
率的なものとなる。

【０１２７】［５．電子レンジにおける加熱調理処理の
一例］図３７〜図５３を参照して、本実施の形態の電子
レンジ１における加熱調理処理を説明する。まず、加熱
調理処理のフローチャートである図３７および図３８に
基づいて説明する。

【０１２８】制御回路３０は、Ｓ１で、初期設定を行な
った後、Ｓ２で、レンジ焼き皿８０によって食品を加熱
させる調理であって予熱温度と調理時間を手動で入力す
る、手動のレンジ焼き調理が選択されたか否かを判断す
る。なお、この判断は、具体的には、レンジ焼きキー６
０２が所定時間内に２回押されたか否かを判断すること
によりなされる。そして、手動のレンジ焼き調理が選択
されたと判断すると、Ｓ３で、ユーザが調整つまみ６０
８を用いて入力したように予熱温度と調理時間を設定
し、処理をＳ５に進める。なお、レンジ焼き調理では、
マグネトロン１２によるマイクロ波加熱に対して、２つ
のステージが設定されている。この２つのステージを、
第１ステージ、第２ステージと呼ぶ。そして、Ｓ３で
は、入力された調理時間を予め定められた態様で処理す
ることにより、第１ステージと第２ステージのそれぞれ
の調理時間が設定される。なお、第１ステージから第２
ステージに移行するとき、後述するように、一旦ブザー
報知がなされ、ユーザに対して、レンジ焼き皿８０上の
食品を裏返すよう、指示がなされる。

【０１２９】一方、Ｓ２で手動のレンジ焼き調理が選択
されなかったと判断すると、Ｓ４で、レンジ焼き皿８０
によって食品を加熱させる調理であって予熱温度と調理
時間が自動的に決定される、自動のレンジ焼き調理が選
択されたか否かを判断する。なお、この判断は、具体的
には、レンジ焼きキー６０２が所定時間内に１回だけ押
されたか否かを判断することによりなされる。そして、
自動のレンジ焼き調理が選択されたと判断すると、その
まま、処理をＳ５に進める。なお、Ｓ４で、自動のレン
ジ焼き調理が選択されなかったと判断すると、処理をＳ
１２に進める。

【０１３０】なお、自動のレンジ焼き調理が選択された
際にＳ３での予熱温度と調理時間の設定が省略されるの
は、自動のレンジ焼き調理では予熱温度と調理時間とが
予め定められているからである。

【０１３１】Ｓ５では、制御回路３０は、加熱スタート
のための操作（あたためスタートキー６０１の押圧）が
なされるのを待って、処理をＳ６に進める。

【０１３２】Ｓ６では、制御回路３０は、マグネトロン
１２の駆動を開始し、そして、Ｓ７で、予熱処理を行な
う。これにより、レンジ焼き皿８０の高周波発熱体８１
（８１Ａ〜８１Ｇ）が加熱され、レンジ焼き皿８０に予
熱が与えられる。

【０１３３】Ｓ７の予熱処理が終了すると、制御回路３
０は、Ｓ８で、マグネトロン１２の駆動を停止し、予熱
処理が終了したことをブザー等により報知する。そし
て、Ｓ９で、加熱スタートのための操作を待って、処理
をＳ１０に進める。なお、Ｓ８における予熱処理の終了
の際には、レンジ焼き皿８０が高温である旨の報知もな
される。レンジ焼き皿８０は比較的短時間で高温となる
ため、ユーザに、レンジ焼き皿８０が高温であることを
十分に認識させるためである。

【０１３４】Ｓ１０で、制御回路３０は、レンジ焼き調
理処理を実行し、それが終了すると、Ｓ１１でそれを報
知して、Ｓ２に処理を戻す。

【０１３５】一方、Ｓ１２で、制御回路３０は、グリル
ヒータ５１とレンジ焼き皿８０とによって食品を加熱さ
せる調理であって調理時間が手動で入力される、手動の
両面焼き調理が選択されたか否かを判断する。なお、こ
の判断は、具体的には、グリルキー６０６が所定時間内
に２回押されたか否かを判断することによりなされる。
そして、手動の両面焼き調理が選択されたと判断する
と、Ｓ１３で、ユーザが調整つまみ６０８を用いて入力
したように調理時間を設定し、処理をＳ１９に進める。
なお、手動の両面焼き調理および後述する両面焼き調理
では、マグネトロン１２によるマイクロ波加熱である第
１ステージと、グリルヒータ５１による加熱である第２
ステージという、２つのステージが設定されている。

【０１３６】一方、Ｓ１２で手動のレンジ焼き調理が選
択されなかったと判断すると、Ｓ１４で、グリルヒータ
５１とレンジ焼き皿８０とによって食品を加熱させる調
理であって調理時間が自動的に決定される、自動の両面
焼き調理が選択されたか否かを判断する。なお、この判
断は、具体的には、グリルキー６０６が所定時間内に１
回だけ押されたか否かを判断することによりなされる。
そして、自動の両面焼き調理が選択されたと判断する
と、Ｓ１５で、調理コースに対応した調理時間（第１ス
テージ、第２ステージ、それぞれの調理時間）を読み出
して設定し、Ｓ１９に処理を進める。なお、調理コース
とは、自動の両面焼き調理が選択された後に、ユーザ
が、操作パネル６において調整つまみ６０８を回転させ
て選択した調理コース番号に対応するコースである。

【０１３７】Ｓ１９では、制御回路３０は、加熱スター
トのための操作（あたためスタートキー６０１の押圧）
がなされるのを待って、処理をＳ２０に進める。

【０１３８】Ｓ２０では、制御回路３０は、Ｓ１３また
はＳ１５で設定された調理時間から予熱時間を算出し、
Ｓ２１に処理を進める。なお、予熱時間の算出は、予め
定められた態様に従って行なわれる。なお、予熱時間
は、調理時間が５分未満であれば予熱時間は３分、調理
時間が５分以上１０分未満であれば予熱時間は５分とい
うように、調理時間が長くなるほど長くなるように算出
される。

【０１３９】Ｓ２１では、制御回路３０は、マグネトロ
ン１２の駆動を開始し、そして、Ｓ２２で、予熱時間が
経過したと判断すると、Ｓ２３で、マグネトロン１２の
駆動を停止し、Ｓ２４で、予熱処理が終了したことをブ
ザー等により報知する。そして、Ｓ２５で、加熱スター
トのための操作を待って、処理をＳ２６に進める。

【０１４０】Ｓ２６で、制御回路３０は、両面焼き調理
処理を実行し、それが終了すると、Ｓ２７でそれを報知
して、Ｓ２に処理を戻す。

【０１４１】一方、Ｓ１６で、制御回路３０は、その他
の調理が選択されたか否かを判断する。その他の調理と
は、たとえば、解凍キー６１３が押されることによる解
凍調理である。そして、そのような調理が選択されたと
判断すると、Ｓ１７で、ユーザが入力したように調理時
間を設定し、Ｓ１８で、当該調理時間だけ調理を行なっ
た後、処理をＳ２に戻す。一方、Ｓ１６でそのようなそ
の他の調理が選択されていないと判断すると、そのまま
Ｓ２に処理を戻す。

【０１４２】次に、図３９〜図５０を参照して、予熱処
理について説明する。図３９は、Ｓ７の予熱処理のサブ
ルーチンのフローチャートである。

【０１４３】予熱処理では、制御回路３０は、まず、Ｓ
７０１で、カウンタｔのカウントをスタートさせる。

【０１４４】次に、Ｓ７０２で、出力設定Ａ処理を実行
する。出力設定Ａ処理の内容を、図４０を参照して説明
する。

【０１４５】出力設定Ａ処理では、制御回路３０は、ま
ず、Ｓ７０２０で、インバータ（周波数変換回路４９）
の温度Ｔｉを検知する。

【０１４６】次に、Ｓ７０２１で、後述するタイマｔａ
がカウント中であるか否かを判断する。なお、タイマｔ
ａとは、後述する予熱制御Ａ処理において、Ｔｃａｖｅ
（その検知温度が予熱制御における対象とされる赤外線
素子の検知した、走査範囲内での平均温度）がＴｃａｖ
ｅ１（所定の温度）からＴｃａｖｅ２（Ｔｃａｖｅ１よ
りも高い所定の温度）まで変化するのに要する時間を計
測するためのタイマである。そして、タイマｔａがカウ
ント中であれば、処理をＳ７０２５に進め、カウント中
でなければ、処理をＳ７０２２に進める。

【０１４７】Ｓ７０２２では、制御回路３０は、Ｓ７０
２０で検知したＴｉが所定の値Ｔｉ１未満であるか否か
を判断する。そして、ＴｉがＴｉ１未満であれば、処理
をＳ７０２３に進め、そうでなければ、処理をＳ７０２
５に進める。

【０１４８】Ｓ７０２５では、Ｓ７０２０で検知したＴ
ｉが所定の値Ｔｉ２（＞Ｔｉ１）未満であるか否かを判
断する。そして、Ｔｉ２未満であれば、処理をＳ７０２
６に進め、そうでなければ、処理をＳ７０２８に進め
る。

【０１４９】処理がＳ７０２３に進められると、制御回
路３０は、マグネトロン１２の出力ＰをＰ１とし、さら
に、Ｓ７０２４で、最大予熱時間ｔｍａｘをｔｍａｘ１
として、リターンする。最大予熱時間とは、予熱処理が
開始されてからこの時間が経過すると、そのときの赤外
線センサ７の検知温度等に関係なく、予熱処理が終了さ
れる時間である。

【０１５０】処理がＳ７０２６に進められると、制御回
路３０は、マグネトロン１２の出力ＰをＰ２とし、さら
に、Ｓ７０２７で、最大予熱時間ｔｍａｘをｔｍａｘ２
として、リターンする。

【０１５１】処理がＳ７０２８に進められると、制御回
路３０は、マグネトロン１２の出力ＰをＰ３とし、さら
に、Ｓ７０２９で、最大予熱時間ｔｍａｘをｔｍａｘ３
として、リターンする。

【０１５２】なお、マグネトロン１２の出力について
は、Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３である。したがって、電子レンジ
１においてマグネトロン１２が駆動した際に最も温度上
昇が大きいと考えられるインバータの温度が高いほど、
マグネトロン１２の出力は抑えられる。

【０１５３】また、ｔａがカウント中でなければ、「Ｔ
ｉ＜Ｔｉ１の場合」にはマグネトロン１２の出力はＰ１
とされ、「Ｔｉ１≦Ｔｉ＜Ｔｉ２以上の場合」マグネト
ロン１２の出力はＰ２とされる。一方、ｔａがカウント
中であれば、両方の場合とも、マグネトロン１２の出力
はＰ２とされる。このことから、本実施の形態では、ｔ
ａがカウント中であれば、ｔａがカウント中でないとき
よりも、マグネトロン１２の出力の変更の条件が緩めら
れ、なるべくマグネトロン１２の出力を変更しないよう
に設定されている。

【０１５４】また、最大予熱時間のｔｍａｘ１〜ｔｍａ
ｘ３はそれぞれ異なった値とすることができる。これに
より、本実施の形態では、最大予熱時間を、マグネトロ
ン１２の出力に応じて決定できることになる。

【０１５５】再度、図３９を参照して、Ｓ７０２の出力
設定Ａ処理の次に、制御回路３０は、Ｓ７０３で、オー
ブンサーミスタ５９に、加熱室１０内の温度Ｔｔｈを検
知させ、さらに、予熱保持出力Ｐｘを算出する。予熱保
持出力Ｐｘは、Ｓ３等で設定された予熱温度ｘの関数ｆ
（ｘ）に従って求められる。なお、ｆ（ｘ）は、予め定
められたものである。なお、Ｐｘはレンジ焼き皿８０の
温度を保持するための出力であるため、Ｐｘ≪Ｐ３＜Ｐ
２＜Ｐ１である。

【０１５６】次に、制御回路３０は、Ｓ７０４で、皿の
温度検知処理を実行する。皿の温度検知処理の詳細な内
容を、図４１を参照して説明する。

【０１５７】皿の温度検知処理で、制御回路３０は、ま
ず、Ｓ７０４１で、赤外線センサ７の各赤外線検知素子
を、初期位置に移動させる。ここで、赤外線センサ７内
の赤外線検知素子による温度検知のエリアについて説明
する。

【０１５８】本実施の形態の赤外線センサ７は、８個の
赤外線検知素子を備えている。そして、８個の各素子を
素子ｎ（ｎ＝１〜８）とした場合、素子ｎの温度検知エ
リアＡＲｎは、図４２に示すように、レンジ焼き皿８０
上のＡＲ１〜ＡＲ８として示すことができる。なお、図
４２では、レンジ焼き皿８０上において、左右方向にＡ
〜Ｈの８本の線を引き、奥行き方向に０〜１５の１６本
の線を引いた場合の８×１６個の交点が示されており、
ＡＲ１〜ＡＲ８には、それぞれ、奥行き方向の１６個の
点が含まれている。そして、赤外線センサ７では、素子
ｎが、それぞれ、ＡＲ１〜ＡＲ８に含まれ奥行き方向に
並ぶ１６個の点の温度を順に検知するよう、走査が行な
われる。そして、Ｓ７０４１における初期位置とは、た
とえば、各素子についての、奥行き方向の０の線上の温
度を検知する位置とされる。

【０１５９】再度図４１を参照して、次に、制御回路３
０は、Ｓ７０４２で、赤外線センサ７を、各素子がＡＲ
１〜ＡＲ８の各エリア内の１６点で温度を検知するよ
う、走査させる。

【０１６０】次に、制御回路３０は、Ｓ７０４３で、赤
外線センサ７の各素子の、Ｓ７０４２の１６点の温度検
知における、平均温度であるＴｄｎａｖｅと、最高温度
であるＴｎｍａｘとを算出する。

【０１６１】そして、Ｓ７０４４で、８個の赤外線検出
素子の中で、予熱制御の対象となる素子が既に決定され
ているか否かを判断する。なお、この決定は、後述する
ＳＡ７、ＳＡ１３、または、ＳＡ１４で行なわれる。そ
して、既に決定されていれば、Ｓ７０４５で、当該対象
となっている素子の、検出した各点での温度の平均（Ｔ
ｃａｖｅ）を算出して、リターンする。一方、まだその
ような素子が決定されていなければ、そのままリターン
する。

【０１６２】再度、図３９を参照して、Ｓ７０４の処理
の後、制御回路３０は、Ｓ７０５で、直前に実行された
皿の温度検知処理において検知されたＴｄｎａｖｅを、
Ｔｄｎａｖｅ０（「ｎ」には８個の赤外線検出素子の中
のいずれかを認識するための数字が入れられるためＴｄ
１ａｖｅ０〜Ｔｄ８ａｖｅ０が存在し、「０」は初回走
査の意味）として記憶する。

【０１６３】次に、制御回路３０は、Ｓ７０６で、Ｓ７
０３において検知されたＴｔｈが所定の値Ｔｔｈ１未満
であるか否かを判断し、Ｔｔｈ１未満であれば処理をＳ
７０７に進め、Ｔｔｈ１以上であれば処理をＳ７０８に
進める。

【０１６４】Ｓ７０７で、制御回路３０は、Ｔｄｎａｖ
ｅ０の最大値が所定の値Ｔｄａｖｅ１未満であるか否か
を判断し、Ｔｄａｖｅ１未満である場合には処理をＳ７
０９に進め、Ｔｄａｖｅ１以上である場合には処理をＳ
７１０に進める。

【０１６５】一方、Ｓ７０８で、制御回路３０は、Ｔｄ
ｎａｖｅ０の最大値が所定の値Ｔｄａｖｅ２未満である
か否かを判断し、Ｔｄａｖｅ２未満である場合には処理
をＳ７１１に進め、Ｔｄａｖｅ１以上である場合には処
理をＳ７１２に進める。

【０１６６】そして、制御回路３０は、Ｓ７０９，Ｓ７
１０，Ｓ７１１，Ｓ７１２で、それぞれ、予熱制御Ａ処
理，予熱制御Ｂ処理，予熱制御Ｃ処理，予熱制御Ｄ処理
を実行し、リターンする。

【０１６７】図４３を参照しつつ、予熱制御Ａ処理の内
容について説明する。予熱制御Ａ処理では、まず、制御
回路３０は、ＳＡ１で、現在電子レンジ１において運転
されている調理メニューが、加熱室１０内で下段（図２
５参照）に収納されるメニューであるか否かを判断す
る。なお、電子レンジ１では、調理メニューごとに、ユ
ーザに対して、レンジ焼き皿８０を収納するべき段を提
示することができる。そして、下段に収納されるメニュ
ーである場合には、処理をＳＡ２に進め、上段に収納さ
れるべきメニューである場合には、処理をＳＡ１４に進
める。

【０１６８】ＳＡ２で、制御回路３０は、最新のＴｎｍ
ａｘの最大値が所定の値Ｔｎｍａｘ１未満であるか否か
を判断し、Ｔｎｍａｘ１未満である場合には処理をＳＡ
３に進め、Ｔｎｍａｘ１以上である場合にはＳＡ１３に
処理を進める。

【０１６９】ＳＡ３で、制御回路３０は、出力確認処理
を実行する。ここで、図４４を参照して、出力確認処理
の内容を説明する。

【０１７０】出力確認処理では、制御回路３０は、まず
ＳＥ１で、出力設定Ａ処理を実行する。出力設定Ａ処理
は、図４０を用いて説明した処理である。

【０１７１】次に、制御回路３０は、直前に実行された
出力設定Ａ処理においてマグネトロン１２の出力Ｐに変
更があったか否かを判断し、変更がなければそのままリ
ターンする。一方、変更があれば、処理をＳＥ３に進め
る。

【０１７２】ＳＥ３で、制御回路３０は、変更後の出力
がＰ３であるか否かを判断し、Ｐ３である場合にはその
ままリターンし、Ｐ３以外に変更された場合には処理を
ＳＥ４に進める。

【０１７３】ＳＥ４では、制御回路３０は、予熱時間ｔ
ｎが既に決定されているか否かを判断する。そして、決
定されている場合にはＳＥ５に処理を進め、まだ決定さ
れていない場合にはそのままリターンする。

【０１７４】ＳＥ５では、制御回路３０は、予熱時間ｔ
ｎを、マグネトロン１２の出力の変更に応じて変更し、
リターンする。なお、変更後の予熱時間ｔｎ（ｔｎ［変
更後］）は、具体的には、式（１）に従い、変更前後の
マグネトロン１２の出力、変更前の予熱時間ｔｎ（ｔｎ
［変更前］）、および、Ｓ７０１でカウントを開始した
タイマｔのカウント値を用いて算出される。

【０１７５】

【数１】

【０１７６】再度図４３を参照して、ＳＡ３における出
力確認処理が終了すると、次に、制御回路３０は、ＳＡ
４で、皿の温度検知処理を実行する。皿の温度検知処理
とは、図４１を用いて説明した処理である。

【０１７７】次に、制御回路３０は、ＳＡ５で、エラー
検知処理を実行する。ここで、図４５を参照して、エラ
ー検知処理の内容を説明する。

【０１７８】エラー検知処理では、制御回路３０は、ま
ず、ＳＦ１で、Ｓ７０１でカウントを開始したタイマｔ
のカウント値が所定の値ｔｅ１であるか否かを判断す
る。そして、ｔｅ１である場合にはＳＦ２に処理を進
め、そうでなければ、ＳＦ６に処理を進める。

【０１７９】ＳＦ２で、制御回路３０は、マグネトロン
１２の出力ＰがＰ１であるか否かを判断する。そして、
Ｐ１である場合には処理をＳＦ３に進め、Ｐ１でない場
合には処理をＳＦ４に進める。

【０１８０】ＳＦ４で、制御回路３０は、マグネトロン
１２の出力ＰがＰ２であるか否かを判断する。そして、
Ｐ２である場合には処理をＳＦ５に進め、Ｐ２でない場
合にはそのままリターンする。

【０１８１】ＳＦ３では、レンジ焼き皿８０における温
度上昇値ΔＴ１，ΔＴ２に対する電子レンジ１において
エラーが生じていると判断するための閾値をそれぞれＴ
ａ，Ｔｂと設定し、処理をＳＦ１１に進める。また、Ｓ
Ｆ５では、上記の温度上昇値ΔＴ１，ΔＴ２に対する閾
値をそれぞれＴｃ，Ｔｄと設定し、処理をＳＦ１１に進
める。つまり、ここでは、マグネトロン１２の出力に応
じて、エラーの判断の基準とされる、レンジ焼き皿８０
における温度上昇値に対する閾値を異なった値とするこ
とができる。

【０１８２】一方、ＳＦ６では、タイマｔのカウント値
が所定の値ｔｅ２であるか否かを判断する。そして、ｔ
ｅ２である場合にはＳＦ７に処理を進め、そうでなけれ
ば、そのままリターンする。

【０１８３】ＳＦ６で、制御回路３０は、マグネトロン
１２の出力ＰがＰ１であるか否かを判断する。そして、
Ｐ１である場合には処理をＳＦ８に進め、Ｐ１でない場
合には処理をＳＦ９に進める。

【０１８４】ＳＦ９で、制御回路３０は、マグネトロン
１２の出力ＰがＰ２であるか否かを判断する。そして、
Ｐ２である場合には処理をＳＦ１０に進め、Ｐ２でない
場合にはそのままリターンする。

【０１８５】ＳＦ８では、レンジ焼き皿８０における温
度上昇値ΔＴ１，ΔＴ２に対する電子レンジ１において
エラーが生じていると判断するための閾値をそれぞれＴ
ｅ，Ｔｆと設定し、処理をＳＦ１１に進める。また、Ｓ
Ｆ１０では、上記の温度上昇値ΔＴ１，ΔＴ２に対する
閾値をそれぞれＴｇ，Ｔｈと設定し、処理をＳＦ１１に
進める。つまり、ここでも、マグネトロン１２の出力に
応じて、エラーの判断の基準とされる、レンジ焼き皿８
０における温度上昇値に対する閾値を異なった値とする
ことができる。また、ＳＦ３，ＳＦ５の処理と比較する
と、このエラー検知処理では、処理の行なわれる時間
（ｔｅ１またはｔｅ２）によって、異なった閾値が設定
される。

【０１８６】ＳＦ１１で、制御回路３０は、「Ｔｎｍａ
ｘ−Ｔｎｍａｘ０」の最大値がΔＴ１未満であるか否か
を判断する。なお、「Ｔｎｍａｘ−Ｔｎｍａｘ０」と
は、各赤外線検出素子の検知温度の最大値の、初回検知
の最大値からの上昇値である。また、「Ｔｎｍａｘ−Ｔ
ｎｍａｘ０」の最大値とは、８個の素子の各上昇値の中
の最大値である。

【０１８７】そして、「Ｔｎｍａｘ−Ｔｎｍａｘ０」の
最大値がΔＴ１未満であれば、ＳＦ１５でエラー報知を
行なって予熱処理を中止する。これにより、たとえば、
レンジ焼き皿８０の温度上昇値が予想される範囲よりも
小さい場合、または、赤外線センサ７の各素子が正常に
温度を検知できない場合に、予熱処理が中止させること
ができる。

【０１８８】一方、「Ｔｎｍａｘ−Ｔｎｍａｘ０」の最
大値がΔＴ１以上である場合には、制御回路３０は、Ｓ
Ｆ１２に処理を進める。

【０１８９】ＳＦ１２では、制御回路３０は、電子レン
ジ１において運転されている調理メニューが、レンジ焼
き皿８０を加熱室１０の下段に収納するメニューである
か否かを判断する。そして、下段に収納するメニューで
あれば、処理をＳＦ１３に進め、上段に収納するメニュ
ーであれば、処理をＳＦ１４に進める。

【０１９０】Ｓ１３では、制御回路３０は、「Ｔｎｍａ
ｘ−Ｔｎｍａｘ０」の最小値が、ΔＴ２未満であるか否
かを判断する。そして、「Ｔｎｍａｘ−Ｔｎｍａｘ０」
の最小値がΔＴ２未満であれば、ＳＦ１５でエラー報知
を行なって、予熱処理を中止し、ΔＴ２以上であればそ
のままリターンする。

【０１９１】一方、Ｓ１４では、制御回路３０は、「Ｔ
ｎｍａｘ−Ｔｎｍａｘ０」の最小値が、ΔＴ２以上であ
るか否かを判断する。そして、「Ｔｎｍａｘ−Ｔｎｍａ
ｘ０」の最小値がΔＴ２以上であれば、ＳＦ１５でエラ
ー報知を行なって予熱処理を中止し、ΔＴ２未満であれ
ばそのままリターンする。

【０１９２】以上説明したＳＦ１２〜ＳＦ１４の処理で
は、レンジ焼き皿８０の収納される高さに応じて、エラ
ーとされる判断の態様が異なっている。これは、図４６
に示すように、レンジ焼き皿８０の収納される高さが異
なると、レンジ焼き皿８０上で、赤外線センサ７の各赤
外線検出素子の視野範囲ＱＡに含まれる面積が異なるか
らである。なお、図４６（Ａ）は、レンジ焼き皿８０が
上段に収納された状態を示し、図４６（Ｂ）は、レンジ
焼き皿８０が下段に収納された状態を示す。レンジ焼き
皿８０が、図４６（Ｂ）に示すように下段に収納される
と、レンジ焼き皿８０のほぼ全域が視野範囲ＱＡに含ま
れるが、図４６（Ａ）に示すように上段に収納される
と、レンジ焼き皿８０において視野範囲ＱＡに含まれな
い領域が多くなる。そして、ＳＦ１４では、赤外線検出
素子の検知温度が十分上昇しているか否かを判断するこ
とにより、赤外線検出素子による温度検知がレンジ焼き
皿８０の温度上昇に追随できるか否かを判断している。
そして、追随できないと判断すると、エラー報知を行な
って、予熱処理を終了させる。

【０１９３】なお、電子レンジ１では、加熱室１０内で
レンジ焼き皿８０が収納される高さに応じて、赤外線セ
ンサ７の角度を変更する等して、各赤外線検出素子の走
査範囲を変更することが好ましい。また、電子レンジ１
で調理メニューごとに好ましいレンジ焼き皿８０の収納
の高さが設定される場合、このような走査範囲の変更
は、選択された調理メニューに応じて行なわれることに
なる。また、上記したエラー検知処理では、レンジ焼き
皿８０の収納位置が、赤外線検出素子の走査範囲に応じ
たものでない場合には、赤外線検出素子による温度検知
がレンジ焼き皿８０の温度上昇に追随できないとして、
エラー報知が行なわれる。つまり、エラー検知処理で
は、上記の走査範囲の変更がなされることにより、レン
ジ焼き皿８０の収納されている高さを検知でき、レンジ
焼き皿８０が調理メニューごとに好ましいとされる高さ
に収納されていない場合にも、エラー報知を行なえるこ
とになる。なお、このような場合にもエラー報知が行な
われることから、エラー報知には、レンジ焼き皿８０の
収納位置に誤りがあるかもしれない旨をユーザに認識さ
せることが必要である。

【０１９４】また、エラー検知処理では、温度上昇の度
合いが所定の度合いでない場合、エラー報知を行なうこ
とになる。なお、加熱室１０内に収納される皿の材質に
よって、温度上昇の態様が変化する。つまり、エラー検
知処理では、レンジ焼き皿８０の収納位置のみでなく、
レンジ焼き皿８０の材質が正常であるか、つまり、レン
ジ焼き皿８０と他の皿と間違って加熱室１０内に収納さ
れていないかどうかも、エラー報知の対象となる。

【０１９５】また、レンジ焼き皿８０の一部分にのみ高
周波発熱体８１が蒸着されている場合には、赤外線検出
素子の走査範囲を、当該高周波発熱体８１の蒸着されて
いる領域のみとすることが好ましい。これにより、温度
検知の必要のない場所に対しての温度検出が省略される
ため、赤外線センサ７による温度検知が効率的に行なえ
る。

【０１９６】また、温度検知の必要のない場所に対して
の温度検出を省略するという観点から、赤外線検出素子
の走査範囲は、調理メニューに応じて変更されることが
好ましい。たとえば、煮込み調理を実行する場合には、
加熱室１０の中央部分のみを走査するようにしたり、加
熱開始時に加熱室１０の全体の温度検知を行なうことに
より食品の載置位置を決定し、当該載置位置のみを走査
するようにしたり、ユーザにより食品の載置位置を入力
させ、当該載置位置のみを走査するようにしたりする。

【０１９７】再度、図４３を参照して、ＳＡ５のエラー
検知処理において、予熱処理が中止されなければ、制御
回路３０は、ＳＡ６で、最新のＴｎｍａｘの最大値が所
定の値Ｔｎｍａｘ２以上であるか否かを判断し、Ｔｎｍ
ａｘ２以上となれば処理をＳＡ７に進め、Ｔｎｍａｘ２
未満である場合にはＳＡ３に処理を戻す。

【０１９８】ＳＡ７で、制御回路３０は、８個の赤外線
検出素子について「Ｔｎｍａｘ−Ｔｄｎａｖｅ０」を算
出し、その大きさの上位２個、下位２個を除いた、４個
の赤外線検出素子を、予熱制御の対象素子として、処理
をＳＡ８に進める。

【０１９９】一方、制御回路３０は、ＳＡ１３では、８
個の赤外線検出素子の中で、デフォルトＡとして定めら
れる素子を、予熱制御の対象素子として、処理をＳＡ８
に進める。これにより、たとえば、レンジ焼き皿８０が
最初から高温である等によって、予熱制御の対象素子を
決定するのが困難な場合に、予め定められた素子が予熱
制御の対象素子とされる。

【０２００】また、制御回路３０は、ＳＡ１５では、８
個の赤外線検出素子の中で、デフォルトＢとして定めら
れる素子を、予熱制御の対象素子として、処理をＳＡ８
に進める。これにより、図４６（Ａ）に示したように、
レンジ焼き皿８０が赤外線検出素子の視野範囲ＱＡに入
りにくい場合に適当と考えられる素子が、予熱制御の対
象素子とされる。

【０２０１】ＳＡ８では、制御回路３０は、出力確認処
理（図４４参照）を実行した後、ＳＡ９で皿の温度検知
処理（図４１参照）を実行し、ＳＡ１０でエラー検知処
理（図４５参照）を実行する。

【０２０２】そして、ＳＡ１０のエラー検知処理におい
て、予熱処理が中止されなければ、制御回路３０は、Ｓ
Ａ１１で、Ｔｃａｖｅ（予熱制御の対象素子の検知し
た、走査範囲内での平均温度）がＴｃａｖｅ１（所定の
温度）に達したか否かを判断する。そして、制御回路３
０は、ＴｃａｖｅがＴｃａｖｅ１に達するまで、ＳＡ８
〜ＳＡ１０の処理を繰り返し、ＴｃａｖｅがＴｃａｖｅ
１に達すると、処理をＳＡ１２に進める。

【０２０３】ＳＡ１２では、タイマｔａのカウントをス
タートさせ、処理をＳＡ１５に進める。

【０２０４】ＳＡ１５では、制御回路３０は、出力確認
処理（図４４参照）を実行した後、ＳＡ １６で皿の温
度検知処理（図４１参照）を実行し、ＳＡ１７でエラー
検知処理（図４５参照）を実行する。

【０２０５】そして、ＳＡ１７のエラー検知処理におい
て、予熱処理が中止されなければ、制御回路３０は、Ｓ
Ａ１８で、ＴｃａｖｅがＴｃａｖｅ２（所定の温度）に
達したか否かを判断する。そして、制御回路３０は、Ｔ
ｃａｖｅがＴｃａｖｅ２に達するまで、ＳＡ１５〜ＳＡ
１７の処理を繰り返し、ＴｃａｖｅがＴｃａｖｅ２に達
すると、ＳＡ１９でタイマｔａのカウントを終了させ、
予熱時間ｔ１を決定して、処理をＳＡ２０に進める。な
お、予熱時間ｔ１は、予熱温度ｘとタイマｔａのカウン
ト値の関数ｆ２（ｘ，ｔａ）から求められる。なお、関
数ｆ２（ｘ，ｔａ）は、予め定められたものである。

【０２０６】なお、本実施の形態では、予熱時間ｔ１
が、関数ｆ２（ｘ，ｔａ）に基づいて求められることに
より、赤外線検出素子に、予熱温度ｘという高温まで温
度検知をさせる必要がなく、電子レンジ１のコストダウ
ンを図ることができる。なお、予熱温度ｘとｔａのカウ
ント値に基づいて、ｔ１を決定できる理由について、図
４７を用いて説明する。

【０２０７】図４７は、Ｔｃａｖｅの、予熱処理開始か
らの時間変化を示す図である。なお、図４７中のＴＭ
は、赤外線検出素子が温度検知を行なえる上限の温度で
あり、ｘは予熱温度である。また、Ｔｃａｖｅは、実線
で示されたように変化する。

【０２０８】予熱処理が開始されると、ＴｃａｖｅはＴ
Ｍまで上昇した後、それ以上レンジ焼き皿８０の温度が
上昇しても、Ｔｃａｖｅで一定となる。そして、Ｔｃａ
ｖｅ１からＴｃａｖｅ２に伸びる線の延長線（一点破線
で記載）を想定することにより、レンジ焼き皿８０が予
熱温度ｘに至る時間ｔ１が想定できる。なお、ｘ，Ｔ
Ｍ，Ｔｃａｖｅ２，Ｔｃａｖｅ１のそれぞれの一例とし
ては、たとえば、２００℃，１４０℃，１１０℃，７０
℃が挙げられる。

【０２０９】再度、図４３を参照して、ＳＡ１９の処理
の後、制御回路３０は、ＳＡ２０で、出力確認処理（図
４４参照）を実行した後、Ｓ２１で、Ｓ７０１でカウン
トを開始したタイマｔのカウント値を判断し、当該カウ
ント値が予熱時間ｔ１または最大予熱時間ｔｍａｘに達
するまでＳＡ２０の処理を実行し、当該カウント値が予
熱時間ｔ１または最大予熱時間ｔｍａｘに達するとリタ
ーンする。

【０２１０】次に、Ｓ７１０における予熱制御Ｂ処理
（図３９）の詳細について、図４８を参照して、説明す
る。

【０２１１】予熱制御Ｂ処理では、制御回路３０は、ま
ずＳＢ１で、予熱時間ｔ２を予熱温度ｘの関数であるｆ
３（ｘ）とし、ＳＢ２で、マグネトロン１２の出力を、
Ｓ７０３で設定された予熱保持出力Ｐｘとし、ＳＢ３
で、出力設定Ｂ処理を実行する。ここで、出力設定Ｂ処
理の詳細について、図４９を参照して説明する。

【０２１２】出力設定Ｂ処理では、制御回路３０は、ま
ずＳＧ１で、インバータの温度Ｔｉを検知し、ＳＧ２
で、ＴｉがＴｉ２（所定の温度）未満であるか否かを判
断する。そして、ＴｉがＴｉ２未満であれば、そのまま
リターンし、ＴｉがＴｉ２以上であれば、ＳＧ３で、マ
グネトロン１２の出力ＰをＰ３とし、予熱時間ｔｎをｔ
ｍａｘ３として、リターンする。

【０２１３】再度図４８を参照して、ＳＢ３の処理の
後、制御回路３０は、Ｓ７０３でカウントを開始したタ
イマｔのカウント値が予熱時間ｔ２に達したか否かを判
断する。そして、タイマｔのカウント値が予熱時間ｔ２
に達するまで、ＳＢ３の出力設定Ｂ処理を実行し、タイ
マｔのカウント値が予熱時間ｔ２に達すると、リターン
する。

【０２１４】以上説明した予熱制御Ｂ処理は、図３９に
示したように、オーブンサーミスタ５９により検出され
る加熱室１０の温度が比較的低温であり、かつ、レンジ
焼き皿８０が比較的高温であるときに実行されるため、
予熱処理においてマグネトロン１２の出力を低くし、レ
ンジ焼き皿８０の温度が自然に収束するのを待つような
内容となっている。

【０２１５】次に、Ｓ７１１で実行される予熱制御Ｃ処
理の詳細な内容について、図５０を参照して説明する。
なお、予熱制御Ｃ処理は、図３９に示したように、加熱
室１０の温度が比較的高温であり、かつ、レンジ焼き皿
８０の温度が比較的低温である場合に実行される処理で
ある。予熱制御Ｃ処理では、制御回路３０は、まずＳＣ
１で、予熱時間ｔ３を、予熱温度ｘとオーブンサーミス
タ５９で検出される加熱室１０の温度の関数ｆ４（ｘ，
Ｔｔｈ）に基づいて設定し、ＳＣ２で、出力確認処理
（図４４参照）を実行する。そして、ＳＣ３で、タイマ
ｔのカウント値が予熱時間ｔ３に達するまで、ＳＣ２の
処理を繰返し、タイマｔのカウント値が予熱時間ｔ３に
達するとリターンする。

【０２１６】表１に、関数ｆ４（ｘ，Ｔｔｈ）の一例を
部分的に示す。

【０２１７】

【表１】

【０２１８】ｆ４（ｘ，Ｔｔｈ）は、予熱温度帯毎に予
熱時間を定義している。また、ｆ４（ｘ，Ｔｔｈ）は、
オーブンサーミスタ５９の検知温度Ｔｔｈについて、所
定の閾値を用いて「Ｔｔｈ（低）」「Ｔｔｈ（高）」の
二つの温度域を定義し、当該温度域毎に予熱時間を定義
している。

【０２１９】次に、Ｓ７１２で実行される予熱制御Ｄ処
理の詳細を、図５１を参照して、説明する。

【０２２０】予熱制御Ｄ処理では、制御回路３０は、ま
ずＳＤ１で、予熱時間ｔ４を予熱温度ｘの関数であるｆ
５（ｘ）に従って設定し、ＳＤ２で、マグネトロン１２
の出力をＰ２とし、ＳＤ３で、出力設定Ｂ処理（図４９
参照）を実行する。そして、ＳＤ４で、タイマｔのカウ
ント値が予熱時間ｔ４に達するまで、ＳＤ３の処理を繰
返し、タイマｔのカウント値が予熱時間ｔ４に達すると
リターンする。

【０２２１】以上説明した予熱処理では、最大予熱時間
が設定されることから、たとえ、赤外線検出素子に不具
合が生じても、自動的に、予熱処理は終了される。ま
た、予熱制御の対象となる素子の個数は、８個の赤外線
検出素子の中の４個とされたが、これに限定されない。

【０２２２】また、本実施の形態の予熱処理では、Ｓ７
０６で、オーブンサーミスタ５９の検知した加熱室１０
の温度が所定の温度を越えると判断された場合には、予
熱制御Ｃ処理または予熱制御Ｄ処理で、予め定められた
時間だけマグネトロン１２を駆動させる制御がなされ
る。また、Ｓ７０６で、オーブンサーミスタ５９の検知
した加熱室１０の温度が所定の温度を越えると判断され
た場合には、Ｓ７０７で、赤外線センサ７の赤外線検出
素子の検出出力に応じた処理の選択がなされている。ま
た、予熱制御Ａ処理〜予熱制御Ｄ処理への分岐には、オ
ーブンサーミスタ５９の検知温度が条件とされており、
また、予熱制御Ａ処理〜予熱制御Ｄ処理のそれぞれで
は、マグネトロン１２の出力が決定されている。たとえ
ば、予熱制御Ｄ処理に移行すると、インバータの温度が
Ｔｉ２以上とならなければ、マグネトロン１２の出力は
Ｐ２とされる。これにより、本実施の形態では、加熱室
１０の温度も、マグネトロン１２の出力を決定する要因
とされていることになる。

【０２２３】また、本実施の形態の予熱処理では、Ｓ７
０７やＳ７０８で、Ｔｄｎａｖｅ０（赤外線センサ７の
８個の赤外線検出素子がマグネトロン１２による加熱開
始後、最初に加熱室１０内の温度検知のための走査を行
なった際に検知した温度の平均値）の最大値を所定の値
（Ｔｄａｖｅ１またはＴｄａｖｅ２）と比較し、その結
果に応じて、Ｓ７０９〜Ｓ７１２で、予熱制御Ａ〜予熱
制御Ｄにおいて異なった予熱時間を設定している。つま
り、マグネトロン１２が高周波を発振してから所定のタ
イミングにおけるレンジ焼き皿８０の温度に応じて、予
熱時間を決定していることになる。なお、Ｓ７０７また
はＳ７０８で判断対象となる温度は、Ｔｄｎａｖｅ０の
最大値の代わりに、マグネトロン１２が高周波を発振す
る直前の温度であっても良い。

【０２２４】次に、Ｓ１０のレンジ焼き調理処理（図３
７参照）の詳細について、図５２を参照して説明する。

【０２２５】レンジ焼き調理処理では、制御回路３０
は、まずＳ１０１で、マグネトロン１２の駆動を開始
し、Ｓ１０２で、第１ステージの調理時間が経過するの
を待つ。そして、第１ステージの調理時間が経過する
と、Ｓ１０３で、マグネトロン１２の駆動を停止し、第
１ステージが終了した旨をブザー等で報知する。この
際、上記したように、レンジ焼き皿８０上の食品を裏返
す旨の指示を表示部６０等で提示する。

【０２２６】そして、制御回路３０は、Ｓ１０４で、加
熱スタートのための操作がなされるのを待って、処理を
Ｓ１０５でマグネトロン１２の駆動を再開する。

【０２２７】そして、制御回路３０は、Ｓ１０６で、第
２ステージの調理時間が経過するのを待ち、第２ステー
ジの調理時間が経過すると、Ｓ１０７で、マグネトロン
１２の駆動を停止させ、リターンする。

【０２２８】以上説明したレンジ焼き調理処理では、食
品を裏返した後の調理である第２ステージの調理時間
は、食品の仕上りを良くするため、裏返す前の調理であ
る第１ステージの調理時間よりも短くされることが好ま
しい。

【０２２９】また、Ｓ１０５でマグネトロン１２の駆動
が再開された直後、つまり、第２ステージの調理が開始
された直後は、一時的に、マグネトロン１２の出力を高
くすることが好ましい。Ｓ１０３〜Ｓ１０４の処理中
は、マグネトロン１２が一時的に停止されるため、加熱
室１０やレンジ焼き皿８０の温度が低下していると考え
られるからである。

【０２３０】また、レンジ焼き調理処理および両面焼き
調理処理の実行中でも、マグネトロン１２の出力は、予
熱処理と同様に、インバータの温度が高温となった場合
等に低下させることができる。なお、第１ステージにお
いてマグネトロン１２の出力が低下された場合には、当
該出力の低下を補うべく、第２ステージの調理時間を長
くすることが好ましい。

【０２３１】また、電子レンジ１が、インバータの温度
が高温となった場合等にマグネトロン１２の出力を低下
させるように構成されており、かつ、当該出力を低下さ
せるための条件が成立した場合でも、調理時間の残りが
少ない場合には、当該出力の低下を行なわないようにし
てもよい。

【０２３２】次に、Ｓ２６の両面焼き調理処理（図３８
参照）の詳細を、図５３を参照して説明する。

【０２３３】両面焼き調理処理では、制御回路３０は、
まずＳ２６１で、マグネトロン１２を駆動させ、Ｓ２６
２で、現在、手動の両面焼き調理が選択されているのか
否かを判断する。そして、手動の両面焼き調理が選択さ
れていると判断すると、Ｓ２６３で、Ｓ１３で設定した
調理時間に基づいて、第１ステージの調理時間と第２ス
テージの調理時間とを、予め定められた態様に従って決
定し、処理をＳ２６４に進める。一方、Ｓ２６２で、手
動の両面焼き調理が選択されていないと判断すると、直
接、処理をＳ２６４に進める。

【０２３４】Ｓ２６３において、第１ステージの調理時
間と第２ステージの調理時間が自動的に決定されること
により、ユーザは、全体の調理時間を入れるだけで、電
子レンジ１に、適切な両面焼き調理処理を実行させるこ
とができる。

【０２３５】Ｓ２６４では、第１ステージの調理時間が
経過するのを待って、処理をＳ２６５に進める。Ｓ２６
５では、マグネトロン１２の駆動を停止し、続けて、グ
リルヒータ５１の駆動を開始する。そして、Ｓ２６７
で、第２ステージの調理時間が経過するのを待って、処
理をＳ２６８に進める。

【０２３６】Ｓ２６８では、グリルヒータ５１の駆動を
停止し、リターンする。以上説明した両面焼き調理で
は、レンジ焼き皿８０上の食品は、上面にはグリルヒー
タ５１により焦げ目を付けられ、また、下面にはレンジ
焼き皿８０の高周波発熱体８１により焦げ目が付けら
れ、さらに、食品内部は高周波により加熱されることに
より、より短時間の加熱が実現できるのである。なお、
マグネトロン１２とグリルヒータ５１とを同時に駆動す
ればなお良いが、一般家庭のコンセントの最大容量（ブ
レーカ容量が１５〜２０Ａ）の制限により、前述の実施
の形態のように高周波加熱とヒータ加熱とを別々に実行
し調理を実現している。

【０２３７】電子レンジ１の加熱室１０に、図１０，図
１７等に示したようにレンジ焼き皿８０の設置位置が複
数の段の中から選択できる場合であって、両面焼き調理
のように、グリルヒータ５１によって食品の表面に焦げ
目を付ける調理においては、レンジ焼き皿８０は、図１
０に示すように、食品がグリルヒータ５１に最も近くな
るような位置に設置されることが好ましい。そして、制
御回路３０は、このようにレンジ焼き皿８０の設置位置
を指示する旨を、表示部６０に表示することができる。

【０２３８】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態である電子レンジの斜
視図である。

【図２】 図１の操作パネルの正面図である。

【図３】 図１の電子レンジのドアが開状態とされた状
態の正面図である。

【図４】 図１の電子レンジの加熱室内に設置されるレ
ンジ焼き皿の斜視図である。

【図５】 図４のレンジ焼き皿の裏面図である。

【図６】 図４のレンジ焼き皿の正面図である。

【図７】 図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う矢視断面図で
ある。

【図８】 図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う矢視断面
図である。

【図９】 図１の電子レンジの電気的構成を模式的に示
す図である。

【図１０】 図１の電子レンジの加熱室の第１の変形例
を示す図である。

【図１１】 図１の電子レンジの加熱室の第２の変形例
を示す図である。

【図１２】 図１１の電子レンジの本体部分の、凸部が
存在する高さでの、横断面を模式的に示す図である。

【図１３】 図１１の電子レンジの本体部分の、凸部が
存在する高さでの、横断面を模式的に示す図である。

【図１４】 図１の電子レンジの加熱室の第３の変形例
を示す図である。

【図１５】 図１４の電子レンジの本体部分の、凸部が
存在する高さでの、横断面を模式的に示す図である。

【図１６】 図１４の電子レンジの本体部分の、凸部が
存在する高さでの、横断面を模式的に示す図である。

【図１７】 図１の電子レンジの第４の変形例を説明す
るための図である。

【図１８】 図１７の他の変形例の効果を説明するため
の図である。

【図１９】 図１７のＦ−Ｆ線に沿う矢視断面図であ
る。

【図２０】 図１７の反射板の斜視図である。

【図２１】 図１７のさらなる変形例を示す図である。

【図２２】 図１７のさらなる変形例を示す図である。

【図２３】 図１７のさらなる変形例を示す図である。

【図２４】 図１７のさらなる変形例を示す図である。

【図２５】 図１の電子レンジの第５の変形例を示す図
である。

【図２６】 図２５の電子レンジにおいて、上段に収納
されたレンジ焼き皿上の温度分布を示す図である。

【図２７】 図２５の電子レンジにおいて、下段に収納
されたレンジ焼き皿上の温度分布を示す図である。

【図２８】 図２５の電子レンジの回転アンテナの平面
図である。

【図２９】 図２５の電子レンジにおける回転アンテナ
の停止方向の一例を示す図である。

【図３０】 図２５の電子レンジにおける回転アンテナ
の停止方向の一例を示す図である。

【図３１】 図１の電子レンジの第６の変形例のレンジ
焼き皿の裏面図である。

【図３２】 図１の電子レンジの第６の変形例のレンジ
焼き皿の裏面図である。

【図３３】 図１の電子レンジの第７の変形例のレンジ
焼き皿の裏面図である。

【図３４】 図３３のＥ−Ｅ線に沿う矢視断面図であ
る。

【図３５】 図３４のレンジ焼き皿の表裏をひっくり返
した状態を示す図である。

【図３６】 本実施の形態において、加熱室にマイクロ
波が供給されたときの、高周波発熱体の抵抗率と、レン
ジ焼き皿が反射する電界強度および透過する電界強度と
の関係を示す図である。

【図３７】 本実施の形態の電子レンジにおける加熱調
理処理のフローチャートである。

【図３８】 本実施の形態の電子レンジにおける加熱調
理処理のフローチャートである。

【図３９】 図３７の予熱処理のサブルーチンのフロー
チャートである。

【図４０】 図３９の出力設定Ａ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図４１】 図３９の皿の温度検知処理のサブルーチン
のフローチャートである。

【図４２】 本実施の形態の赤外線センサの各素子の温
度検知範囲を説明するための図である。

【図４３】 図３９の予熱制御Ａ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図４４】 図４３の出力確認処理のサブルーチンのフ
ローチャートである。

【図４５】 図４３のエラー検知処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図４６】 レンジ焼き皿の収納される高さに応じた、
レンジ焼き皿上の、赤外線検出素子の視野範囲に含まれ
る面積の変化を説明するための図である。

【図４７】 電子レンジ１における、Ｔｃａｖｅの、予
熱処理開始からの時間変化を示す図である。

【図４８】 図３９の予熱制御Ｂ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図４９】 図４８の出力設定Ｂ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図５０】 図３９の予熱制御Ｃ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図５１】 図３９の予熱制御Ｄ処理のサブルーチンの
フローチャートである。

【図５２】 図３７のレンジ焼き調理処理のサブルーチ
ンのフローチャートである。

【図５３】 図３８の両面焼き調理処理のサブルーチン
のフローチャートである。

【符号の説明】

１ 電子レンジ、５ 本体枠、６ 操作パネル、７ 赤
外線センサ、９ 底板、１０ 加熱室、１２ マグネト
ロン、１９ 導波管、４０ 検知経路部材、５９ オー
ブンサーミスタ、８０ レンジ焼き皿、８１ 高周波発
熱体、１０１，１０２ 凹部、１０３，１０４，１０
６，１０７，１１１〜１１８ レール。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２４Ｃ 7/02 Ｆ２４Ｃ 7/02 ５１１Ｍ ５１１Ｎ ５１１Ｒ ５２１ ５２１Ｎ ５５１ ５５１Ｂ ５６１ ５６１Ａ ５６１Ｆ Ｈ０５Ｂ 6/64 Ｈ０５Ｂ 6/64 Ｈ Ｊ 6/68 ３３０ 6/68 ３３０Ｅ 6/72 6/72 Ａ (72)発明者 北田 幸弘 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 久保 晋康 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 福永 英治 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 川村 佳嗣 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 福田 義人 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大槻 裕一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K086 AA01 AA03 AA05 AA08 BA02 BA08 CB20 CC20 CD11 EA01 3K090 AA01 AA02 AA03 AA11 AB02 BA09 BB03 DA08 EA02 EB29 EB31 EB33 FA03 3L086 AA02 BB01 BB07 BB13 BB17 BD01 DA01 DA12 DA23 4B055 AA10 BA70 BA80 CA13 CA61 CC54 DA02 DB15 FA02 FB01 FC07 FC20 FD10 FE01

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加熱物を収容する加熱室と、 高周波を発振するマグネトロンと、 前記マグネトロンの発振する高周波を、前記加熱室内に
   当該加熱室の底面から導入する導波管と、 前記被加熱物を載置して前記加熱室内に収納されるとと
   もに、裏面に、高周波を吸収して発熱する高周波発熱体
   を配置した加熱皿と、 前記加熱室に収納した前記加熱皿の下方から当該加熱皿
   の上方に、前記導波管から導入された高周波を到達させ
   る到達用経路とを含む、高周波加熱装置。
2. 【請求項２】 前記加熱室は、内部に設置された前記加
   熱皿に隣接する部分に、前記加熱皿と内壁との間に隙間
   ができるように凹部を形成される、請求項１に記載の高
   周波加熱装置。
3. 【請求項３】 前記加熱皿は、当該加熱皿の外端縁部を
   除いて前記高周波発熱体を備える、請求項１または請求
   項２に記載の高周波加熱装置。
4. 【請求項４】 前記加熱皿の上方に設けられたヒータを
   さらに含む、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載
   の高周波加熱装置。
5. 【請求項５】 前記到達用経路の、前記高周波の進行方
   向に交わる方向の寸法は、当該高周波の波長の１／４以
   上とされる、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の高
   周波加熱装置。
6. 【請求項６】 前記加熱室の内壁には、第１の面と、当
   該第１の面と異なる方向を向く第２の面とを備え、 前記第１の面および前記第２の面上に形成された、前記
   加熱皿を支持するためのレールをさらに含み、 前記第１の面または前記第２の面上のレールは、同一面
   上に間隔を設けて備えられた複数の部材により構成され
   ている、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の高周波
   加熱装置。
7. 【請求項７】 前記加熱皿は、前記被加熱物を載置され
   る面の外端部分に溝を形成されている、請求項１〜請求
   項６のいずれかに記載の高周波加熱装置。
8. 【請求項８】 前記加熱皿の最下部は、前記高周波発熱
   体よりも下方に位置する、請求項１〜請求項７のいずれ
   かに記載の高周波加熱装置。
9. 【請求項９】 前記加熱室内に配置され、前記導波管内
   の高周波を前記加熱室内に拡散させるために回転する回
   転アンテナと、 前記回転アンテナの回転を制御する回転制御部とをさら
   に含み、 前記回転制御部は、前記マグネトロンがマイクロ波を発
   振する際、前記加熱皿が収納される高さに応じた位置で
   前記回転アンテナが回転を停止させる、請求項１〜請求
   項８のいずれかに記載の高周波加熱装置。
10. 【請求項１０】 前記加熱室内に配置され、前記導波管
    内の高周波を前記加熱室内に拡散させるために回転する
    回転アンテナをさらに含み、 前記加熱皿における前記高周波発熱体の前記加熱室内の
    高周波の進行方向に交わる面における面積は、前記加熱
    皿と前記加熱室の底面との前記高周波の進行方向につい
    ての距離が前記高周波の波長の１／８のときは前記回転
    アンテナの面積と同じであり、前記進行方向についての
    距離が前記高周波の波長の１／８より長くなるほど大き
    くなり、前記進行方向についての距離が前記高周波の波
    長の１／８よりも短くなるほど小さくなる、請求項１〜
    請求項９のいずれかに記載の高周波加熱装置。
11. 【請求項１１】 前記加熱皿は、前記加熱室内で、高周
    波の進行方向について、前記加熱室の底面から前記高周
    波の波長の１／８の距離だけ離れた場所に収納されてい
    る、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の高周波加熱
    装置。
12. 【請求項１２】 前記加熱室内に配置され、前記導波管
    内の高周波を前記加熱室内に拡散させるために所定の面
    内で回転する回転アンテナと、 前記加熱室内であって、前記回転アンテナの外周に設置
    された金属板とをさらに含み、 前記加熱室は、前記導波管と接続され、 前記加熱室内の、前記導波管との接続部分付近に設けら
    れ、前記回転アンテナを収容するアンテナ収容部をさら
    に含み、 前記回転アンテナの外周と前記アンテナ収容部の前記所
    定の面に交わる方向の面との距離である設置間隔が一定
    でない場合、前記金属板は、前記設置間隔の最も長い部
    分に位置するように、設置される、請求項１〜請求項１
    １のいずれかに記載の高周波加熱装置。
13. 【請求項１３】 前記金属板の先端は、前記マイクロ波
    の進行方向について、前記回転アンテナよりも先に位置
    している、請求項１２に記載の高周波加熱装置。
14. 【請求項１４】 前記回転アンテナの外周に設置された
    ヒータをさらに含み、 前記金属板は、前記ヒータと前記回転アンテナとの間に
    配置される、請求項１１または請求項１２に記載の高周
    波加熱装置。
15. 【請求項１５】 前記加熱室を開閉するドアと、 前記加熱室内壁に設けられ、前記加熱室内に向けて凸形
    状を有し、前記加熱皿が前記加熱室内へのマイクロ波の
    導入に対して好ましくない位置に置かれたときに当該加
    熱皿と当接する第１の凸部とをさらに含み、 前記マグネトロンは、前記ドアが閉状態とされたことを
    条件として、マイクロ波を発振し、 前記加熱皿は、前記第１の凸部と当接することにより、
    前記ドアが前記加熱室を閉じることを阻害する、請求項
    １〜請求項１４のいずれかに記載の高周波加熱装置。
16. 【請求項１６】 前記加熱室を開閉するドアと、 前記加熱室内の食品を加熱するためのヒータと、 前記加熱室内に収容され、前記ヒータによる加熱の際に
    被加熱物を載置され、金属からなる金属皿と、 前記加熱室内壁に設けられ、前記加熱室内に向けて凸形
    状を有し、前記金属皿が前記加熱室内へのマイクロ波の
    導入の際に前記加熱室内の好ましくないとされる位置に
    置かれたときに当該金属皿と当接する第２の凸部とをさ
    らに含み、 前記マグネトロンは、前記ドアが閉状態とされたことを
    条件として、マイクロ波を発振し、 前記金属皿は、前記第２の凸部と当接することにより、
    前記ドアが前記加熱室を閉じることを阻害し、 前記加熱皿は、前記加熱室内で設置可能なすべての位置
    に設置された場合にも、前記第２の凸部と当接すること
    のない形状を有する、請求項１〜請求項１５のいずれか
    に記載の高周波加熱装置。
17. 【請求項１７】 前記高周波発熱体は、前記高周波発熱
    体における高周波の吸収量と透過量の割合が等しくなる
    厚みとされる、請求項１〜請求項１６のいずれかに記載
    の高周波加熱装置。