CN1219999C - 高频加热装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高频加热装置，其具有收装被加热物品用的加热腔室；振荡产生高频波束用的磁控管；将由所述磁控管振荡产生出的高频波束由所述加热腔室的底面处，导入至所述加热腔室之内用的波导管；放置所述被加热物品而被收装在所述加热腔室之内的、在背面处配置有吸收高频波束以产生热量的高频发热体的加热器皿；以及由收装在所述加热腔室处的所述加热器皿的下侧方，将通过所述波导管导入的高频波束传递至该加热器皿的上侧方处用的传送通路。采用这种构成形式，高频加热装置不再需要实施繁杂的操作，而且可以在更短时间里对被加热物品的表面和内部实施加热作业。

Description

高频加热装置

技术领域

本发明涉及高频加热装置，特别涉及可在装载收装于加热腔室之内的食品用的加热器皿的表面处配置高频发热体的高频加热装置。

背景技术

在先技术中的一种在加热器皿的表面处配置有高频发热体的高频加热装置，为由日本第111046/1977号发明专利公开公报公开的、在金属制器皿的底面处设置有高频发热体的高频加热装置。这种高频加热装置利用由加热腔室底面侧振荡产生出的高频波束，对位于这种金属制器皿底面处的高频发热体实施加热，由此对放置在该金属制器皿上的被加热物品实施加热作业。

发明内容

然而，由上述公报所公开的高频加热装置，被加热物品是由下方通过器皿实施加热的，虽然对与器皿相接触的表面处可以实施一直到形成有烤痂的程度充分加热，但是却没有考虑对直接吸收高频波束的被加热物品的加热。对于这种场合，即使被加热物品的表面已经被充分加热，仍不能充分利用采用高频波束实施加热的特征的、对被加热物品的内部实施充分加热的特征。

而且按照该公报公开的方式，需要通过将该器皿由加热腔室处取出，随后再利用高频波束对被加热物品实施加热作业。但是，按照所公开的这种操作方式，对于需要对通过设置有高频发热体的器皿实施加热作业的被加热物品，实施进一步高频波束加热的场合，还需要在烹调作业的过程中将该被加热物品由该器皿移动至其他容器中，所以使用者不仅需要实施比较繁杂的操作，而且烹调时间也将比较长。

本发明就是解决上述问题用的发明，本发明的目的就是提供一种不需要实施繁杂的操作，而且能够在更短时间里对被加热物品的表面和内部实施加热作业的高频加热装置。

本发明的高频加热装置，其特征在于具有：收装被加热物品用的加热腔室；对所述加热腔室实施开闭操作用的门；振荡产生高频波束用的磁控管；将由所述磁控管振荡产生出的高频波束由所述加热腔室的底面处，导入至所述加热腔室之内用的波导管；放置所述被加热物品而被收装在所述加热腔室之内的、在背面处配置有可以吸收高频波束以产生热量的高频发热体的加热器皿；以及由收装在所述加热腔室处的所述加热器皿的下侧方，将通过所述波导管导入的高频波束传递至该加热器皿的上侧方处用的传送通路。

如果采用本发明，当将高频波束导入至加热腔室时，位于加热器皿上的被加热物品可以通过由高频发热体实施加热的加热器皿，以及到达加热器皿上方处的高频波束实施加热作业。

采用这种构成形式，高频加热装置不再需要实施繁杂的操作，而且可以在更短时间里对被加热物品的表面和内部实施加热作业。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是使所述加热腔室在与设置在其内部处的所述加热器皿相邻接的部分处，形成有构成所述加热器皿与加热腔室的内壁间间隙用的凹部。

采用这种构成形式，未被高频发热体吸收的高频波束可以通过该加热器皿与凹部之间的间隙，高效率地传送至加热器皿的上方处，从而可以更高效率地对被加热物品实施加热作业。

而且，在本发明高频加热装置中，优选的是使所述加热器皿在加热器皿底部的比加热器皿底部周边更靠内侧的部位，配置有所述高频发热体。

采用这种构成形式，可以通过放置被加热物品比较少的外侧边缘部，由加热器皿的下方朝向其上方传送高频波束，从而可以更高效率地通过高频发热体和高频波束，对被加热物品实施加热作业。而且，在加热器皿中使用者通常会用手与其接触的外侧边缘部难以被加热，从而可以提高其安全性。

而且，本发明的高频加热装置，优选的是进一步包含有设置在所述加热器皿上方处的加热器。

采用这种构成形式，可以对被加热物品的上表面实施烤痂形成作业。

而且，本发明的高频加热装置，优选的是使所述传送通路的、沿与所述高频波束行进方向相交方向上从高频发热体周边到加热腔室内壁之间的尺寸，为该高频波束波长的1/4以上。

采用这种构成形式，可以更高效率地将高频波束传送至加热器皿的上方处。

而且，本发明的高频加热装置，优选的是在所述加热腔室的内壁面上设置第一面，以及与该第一面相对的第二面；而且进一步包含有形成在所述第一面和所述第二面上的、支撑所述加热器皿用的轨道；位于所述第一面和所述第二面上的轨道，由按照一定间隔设置在同一面上的若干个部件构成。

采用这种构成形式，可以通过构成轨道用的若干个部件之间的间隙，更高效率地将高频波束传9送至加热器皿的上方处。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是使所述加热器皿在其底部放置所述被加热物品的表面的周边处，形成有沟槽部。

采用这种构成形式，即使对于放置在加热器皿上的食品通过加热作业，会产生出水分和油脂的场合，这些水分和油脂也传送至沟槽中，容易地与该食品间实施分离，从而可以提高烹调作业的便捷性。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是使所述加热器皿的最下部位于比所述高频发热体更下方的位置处。

采用这种构成形式，可以避免当将加热器皿放置在诸如餐桌等的台面上时，通过加热而可能位于高温状态的高频发热体直接与该台面相接触。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、可通过转动方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线；以及控制所述转动天线转动用的转动控制部，所述转动控制部在所述磁控管振荡产生出微波时，在与所述加热器皿的收装高度相对应的位置处，停止所述转动天线的转动。

采用这种构成形式，可以使采用加热器皿实施的烹调作业形式多样化。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、可通过转动方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线，所述加热器皿中的所述高频发热体的与所述加热腔室内的高频波束行进方向相交的平面面积，在所述加热器皿与所述加热腔室内可以对被加热物品实施放置的最低平面之间的距离为所述高频波束波长的1/8时，与所述转动天线的沿水平方向的面积相同，上述距离比所述高频波束波长的1/8越长，所述平面面积比转动天线沿水平方向的面积越大，上述距离比所述高频波束波长的1/8越短，所述平面面积比转动天线沿水平方向的面积越小。

采用这种构成形式，可以使采用加热器皿实施的烹调作业形式多样化。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是使所述加热器皿在所述加热腔室之内，收装在与加热腔室内可以对被加热物品实施放置的最低平面之间的距离为所述高频波束波长的1/8的位置处。

采用这种构成形式，放置在加热器皿上的被加热物品可以利用高频波束，更高效率的实施烹调作业。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、通过转动的方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线；以及设置在所述加热腔室之内、位于所述转动天线的周边外侧处的反射板，所述加热腔室与所述波导管相连接，还进一步设置有位于所述加热腔室之内的、设置在加热腔室与所述波导管相连接部分相邻并在波导管之上的位置处的、收装所述转动天线用的天线收装部，作为转动天线的周边与天线收装部周边的壁面之间的平面距离的设置间隔并未保持为一定的场合，所述反射板设置在所述设置间隔为最大的位置处。

采用这种构成形式，通过转动天线供给至加热腔室的微波中，距转动天线的外侧边缘比较远而要向加热腔室壁面侧的微波，可以通过金属板的引导进入至加热腔室的中央侧，所以可以避免仅仅对加热器皿的外侧周部部分实施强烈加热作业，对加热器皿上方实施不均匀加热的现象出现。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是使所述反射板的前端部沿所述微波行进方向，位于比所述转动天线更靠近前方的位置处。

采用这种构成形式，可以通过金属板可靠地对通过转动天线供给至加热腔室的微波行进方向实施修正。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有设置在所述转动天线周边的外侧处的加热器，所述反射板配置在所述加热器和所述转动天线之间。

采用这种构成形式，由转动天线供给出的微波通过金属板引导至所需要的方向的操作，不会由于加热器对其产生阻碍。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有设置在所述加热腔室内壁处的、具有朝向所述加热腔室内部呈凸起形状的、在向所述加热腔室之内导入微波时所述加热器皿位于影响微波导入的位置处的场合与该加热器皿相抵接的第一凸部，所述磁控管仅在所述门处于闭合状态时振荡产生出微波，所述加热器皿通过与所述第一凸部相抵接的方式，阻挡所述门闭合住所述加热腔室的操作。

采用这种构成形式，可以可靠地避免在将加热器皿放置在诸如容易与预定的转动天线间产生放电现象等的、可能对将微波供给至加热腔室的作业产生不良影响的位置处的状态下，向加热腔室供给出微波。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是进一步包含有对所述加热腔室内的食品实施加热作业用的加热器；收装在所述加热腔室之内的、当通过所述加热器实施加热时放置被加热物品的、由金属制成的金属器皿；以及设置在所述加热腔室内壁处的、具有朝向所述加热腔室内部呈凸起形状的、在向所述加热腔室之内导入微波时所述金属器皿位于影响微波导入的位置处的场合与该金属器皿相抵接的第二凸部，所述磁控管仅在所述门处于闭合状态时能够振荡产生出微波，所述金属器皿通过与所述第二凸部相抵接的方式，阻挡所述门闭合住所述加热腔室的操作，所述加热器皿具有下述形状，其形状即使所述加热器皿设置在所述加热腔室之内的可设置的任何位置处时也不会与所述第二凸部相抵接。

采用这种构成形式，通过第二凸部可以避免在向加热腔室供给微波时，将金属器皿放置在加热腔室之内的现象出现。另外，第二凸部不会对将加热器皿向加热腔室实施配置产生妨碍作用。

而且，在本发明的高频加热装置中，优选的是所述高频发热体具有下述厚度，其厚度使所述高频发热体中的高频波束的吸收量和透射量的比例相等。

采用这种构成形式，可以通过安装在加热器皿上的高频发热体，高效率地将所吸收到的高频波束转换为热能。

附图说明

图1为本发明一个实施形式的微波炉的立体图。

图2为图1中的操作面板的主视图。

图3为图1的微波炉的门处于打开状态时的主视图。

图4为设置在图1的微波炉中的加热腔室内的微波炉用烧烤器皿的立体图。

图5为图4的微波炉用烧烤器皿的背面图。

图6为图4的微波炉用烧烤器皿的主视图。

图7为沿着图5中的线VII-VII剖开时的剖视图。

图8为沿着图1中的线VIII-VIII剖开时的剖视图。

图9为图1的微波炉的电气构成的示意图。

图10为图1的微波炉中的加热腔室的第一变形例的示意图。

图11为图1的微波炉中的加热腔室的第二变形例的示意图。

图12为图11的微波炉中的主体部分的、有凸部的高度处的示意性横剖视图。

图13为图11的微波炉中的主体部分的、有凸部的高度处的示意性横剖视图。

图14为图1的微波炉中的加热腔室的第三变形例的示意图。

图15为图14的微波炉中的主体部分的、有凸部的高度处的示意性横剖视图。

图16为图14的微波炉中的主体部分的、有凸部的高度处的示意性横剖视图。

图17为说明图1的微波炉的第四变形例用的示意图。

图18(A)、图18(B)为说明图17的其它变形例的效果用的示意图。

图19为沿着图17中的线F-F剖开时的剖视图。

图20为图17的反射板的立体图。

图21为图17的另一变形例的示意图。

图22为图17的另一变形例的示意图。

图23为图17的另一变形例的示意图。

图24为图17的另一变形例的示意图。

图25为图1的微波炉的第五变形例的示意图。

图26为在图25的微波炉中，收装在上层部分处的微波炉用烧烤器皿上的温度分布示意图。

图27为在图25的微波炉中，收装在下层部分处的微波炉用烧烤器皿上的温度分布示意图。

图28为图25的微波炉中的转动天线的俯视图。

图29为图25的微波炉中的转动天线停止方向的一个实例的示意图。

图30为图25的微波炉中的转动天线停止方向的一个实例的示意图。

图31为图1的微波炉的第六变形例中的微波炉用烧烤器皿的背面图。

图32为图1的微波炉的第六变形例中的微波炉用烧烤器皿的背面图。

图33为图1的微波炉的第七变形例中的微波炉用烧烤器皿的背面图。

图34为沿着图33中的线E-E剖开时的剖视图。

图35为图34的微波炉用烧烤器皿的表面背面处于反转状态时的示意图。

图36为在本实施形式中，当朝向加热腔室供给微波时，高频发热体的阻抗率与微波炉用烧烤器皿的反射电场强度、透射电场强度间关系的示意图。

图37为本实施形式的微波炉的实施加热烹调处理时的流程图。

图38为本实施形式的微波炉的实施加热烹调处理时的流程图。

图39为图37的预热处理的子程序的流程图。

图40为图39的输出设定处理模式A的子程序的流程图。

图41为图39的器皿温度检测处理的子程序的流程图。

图42为说明本实施形式的红外线传感器的各元件温度检测范围用的示意图。

图43为图39的预热控制处理模式A的子程序的流程图。

图44为图43的输出确认处理的子程序的流程图。

图45为图43的错误检测处理的子程序的流程图。

图46(A)、图46(B)为说明相应于微波炉用烧烤器皿的收装高度的、位于微波炉用烧烤器皿上的、包含于红外线传感器视野范围的面积的变化方式用的示意图。

图47为微波炉1中的温度值Tcave由预热开始时间起的时间变化示意图。

图48为图39的预热控制处理模式B的子程序的流程图。

图49为图48的输出设定处理模式B的子程序的流程图。

图50为图39的预热控制处理模式C的子程序的流程图。

图51为图39的预热控制处理模式D的子程序的流程图。

图52为图37的微波炉烧烤烹调处理的子程序的流程图。

图53为图38的两面烧烤烹调处理的子程序的流程图。

具体实施方式

下面参考附图，对本发明的实施形式进行说明。

[1、微波炉的构成]

图1为本发明一个实施形式的微波炉的立体图。微波炉1主要由主体和门3构成。在主体的外侧轮廓被外包装部4盖覆，并且由若干个脚8支撑主体。在主体的前面侧，设置有供使用者向微波炉1输入各种信息用的操作面板6。

门3以下侧端为轴，可以实施开闭。在门3的上部处设置有把手3A。图2表示操作面板6的主视图，图3表示门3处于打开状态时的微波炉1的主视图。

在主体2的内部处配置有主体框架5。在主体框架5的内部处设置有加热腔室10。在加热腔室10的右侧面上部处，形成有孔10A。检测路径部件40由加热腔室10的外侧，连接至孔10A处。在加热腔室10的底面处配置有底板9。

在门3上的中央部分处，嵌入安装有透明的耐热玻璃3B，从而使得即使在门3处于关闭状态时，也能够由外部对加热腔室10的内部实施观察。门3在加热腔室10的内侧处配置有由树脂材料制作的阻塞盖3C，该阻塞盖3C可以嵌埋在位于与主体框架5相接的接触面3D的外侧周部和门3的主体间的间隙处。由接触面3D与主体框架5之间泄露出的高频波束通过阻塞盖3C实施覆盖，利用形成在门3内的阻塞组件(图中未示出)，防止其泄露至加热腔室10之外。

在操作面板6处设置有由诸如液晶面板等构成的、表示各种信息用的显示部60，调整旋纽部608，以及各种按键。调整旋纽部608供输入诸如数值等的各种信息时使用。

加热开始按键601供在准备开始实施各种烹调时使用。微波炉烧烤按键602供在如后所述的、准备通过微波炉用烧烤器皿80对食品实施加热时使用。适当温度按键603供在通过操作调整旋纽部608以在所需要的温度下对食品实施烹调作业时，在准备输入该所需要的温度时使用。

另外，微波炉1可以依据各种菜单自动实施烹调处理，而且可以通过对按键604、605实施的操作，对其完成强弱实施调节。烤架按键606供在对位于加热腔室10内的食品，通过加热器(图中未示出)实施可形成烤痂的烹调作业时使用。除臭按键607供对加热腔室10实施异味排出时使用。

微波炉1可以在加热腔室10内，放置若干层托盘(或如后所述的微波炉用烧烤器皿80)。另外，烘烤层调整按键609供对在加热室10中的烘烤烹调是在1层进行还是在2层进行情况实施输入时使用。发酵按键610供对诸如面包坯料等实施发酵处理时使用。微波炉功率输出按键611供对微波炉1使用的振荡高频波束输出功率实施调整时使用。解冻按键613供对冷冻食品实施解冻时使用，当对其实施两次操作时，在微波炉1中对冷冻生鱼片实施解冻烹调处理。取消按键614供在输入过程中取消按键输入时使用。

微波炉1可以在加热腔室10的内部，放置着微波炉用烧烤器皿80(请参见图4)。而且，在加热腔室10内按照由加热腔室10的内侧突出的方式，形成有支撑微波炉用烧烤器皿80的轨道103、104、106、107。轨道103、104、轨道106、107分别按照沿水平线相连的方式形成。

在轨道103、104、轨道106、107之间，形成有凹部101、102。凹部101、102按照朝向加热腔室10外侧突出的方式形成。

如果举例来说，可以通过诸如对构成加热腔室10的壁面用的金属板材实施弯曲加工的方式，形成轨道103、104、106、107和凹部101、102。

图4为微波炉用烧烤器皿80的立体图。而且，图5、图6分别为该微波炉用烧烤器皿80的背面图、主视图，图7为沿着图5中的线VII-VII剖开时的剖视图。

下面参考图4～图7，对微波炉用烧烤器皿80的构成形式进行说明。

微波炉用烧烤器皿80具有由其外侧周部沿水平方向延伸着的、呈板状部件形状的外侧周部80D，以及底部80B。外侧周部80D和底部80B之间通过壁部80E相连接。底部80B中作为外侧边缘的、与壁部80E相连接的部分，按照包绕着底部80B的整个周部的方式，形成有沟槽部80A。

在底部80B的背面处，通过蒸镀方式形成有高频发热体81。所谓高频发热体指通过吸收高频振荡而产生热量的物质，如果举例来说，可以采用具有导电性的材料，更具体地说是在氧化锡中添加有钼的导电性材料。而且，最好使蒸镀膜的厚度为8×10^-8米(m)左右，阻抗率为2～6(欧姆/米(Ω/m))左右。在图5中，高频发热体81的表面已经由剖面线给出。

在微波炉用烧烤器皿80内侧的四个角部处，分别形成有脚80C。正如图7所示，微波炉用烧烤器皿80中脚80C处的最下部，底部80B的最下部(与沟槽部80A背面处相当的部分)，高频发热体81的最下部的高度彼此不同，而且由低向高依次为Z、Y、X。采用这种构成形式，即使对于在加热腔室10内通过高频发热体81加热至高温状态时，将微波炉用烧烤器皿80由加热腔室10取出而放置在诸如餐桌等的放置面处的场合，脚80C或底部80B也将在高频发热体81之前，与该放置面相接触。采用这种构成形式，可以避免高频发热体81将放置面加热至高温状态的现象出现。如果采用具有这种构成形式的微波炉用烧烤器皿80，即使将微波炉用烧烤器皿80放置在如图3所示的、呈打开状态的门3上，由于处于高温状态的高频发热体81将与阻塞盖3C相接，从而会使该阻塞盖3C处于熔融状态，增大位于接触面3D和主体框架5间的间隙，因此可以防止高频波束由加热腔室10内向外的泄露。

高频发热体81如图5所示，蒸镀形成在由外侧周部80D的端部位置起相距距离为W以上的、且比沟槽部80A更靠近内侧的部位处。为了能够高效率地将高频波束传送至加热器皿80上，当供给至加热腔室10内部处的高频波束波长为λ时，该距离W最好为λ/4(波长的1/4)以上。换句话说就是，在微波炉1中利用振荡产生出的微波作为高频波束的场合，距离W最好为3厘米(cm)以上。对于距离W为5厘米(cm)的场合，由磁控管12供给出的高频波束中的大约75％～80％，将被高频发热体81吸收，大约20％～25％将穿透微波炉用烧烤器皿80，传送至该微波炉用烧烤器皿80的上方处。

图8为沿着图1中的线VIII-VIII剖开时的剖视图。为了方便在图8中省略了一些部件。

在检测路径部件40上的一端部处，安装着红外线传感器7。红外线传感器7通过孔10A，对加热腔室10内部处的红外线实施检测。在外包装部4的内部处，按照与加热腔室10的右下侧相邻接的方式，配置有磁控管12。另外，在加热腔室10的下方处，配置有与磁控管12和主体框架5的下部相连接的波导管19。在主体框架5的底部和底板9之间，配置有转动天线21。在波导管19的下方处配置有天线用电动机16。转动天线21通过轴15与天线用电动机16相连接，并通过天线用电动机16的驱动下实施转动。

在加热腔室10的内部处，作为被加热物品的食品放置在底板9上，或放置在微波炉用烧烤器皿80上。微波炉用烧烤器皿80在其外侧周部80D由轨道103、104、106、107支撑着的状态下，收装在加热腔室10之内。

由磁控管12振荡产生出的高频波束，通过波导管19，由转动天线21一边实施搅动，一边由加热腔室10的底面处供给至加热腔室10之内。采用这种构成形式，对加热腔室10之内的食品实施加热作业。

在图8中，供给至加热腔室10之内的高频波束流白色的箭头表示。而且，箭头的大小示意性地表示着高频波束的电场强度。供给至加热腔室10之内的高频波束被高频发热体81吸收。采用这种构成形式，对高频发热体81实施加热，进而可以利用由高频发热体81供给出的热量，对放置在微波炉用烧烤器皿80上的食品实施加热作业。在这种场合下的高频波束流，由图8中的、位于高频发热体81下方处的大箭头表示。

供给至加热腔室10之内的高频波束，透射过微波炉用烧烤器皿80的外侧边缘部，或者由微波炉用烧烤器皿80和凹部101、102的壁面间通过，到达微波炉用烧烤器皿80的上方处。采用这种构成形式，直接向位于微波炉用烧烤器皿80上的食品供给高频波束，对其实施加热作业。而且，在这种场合下的高频波束流，由图8中的、位于高频发热体81外侧边缘部的上下位置处的大箭头所示。

对于本实施形式，通过在加热腔室10之内的位于微波炉用烧烤器皿80下方处的部分，和未蒸镀有高频发热体81的微波炉用烧烤器皿80的外侧边缘部(包含着底部80B的外侧边缘部、外侧周部80D、壁部80E的部分)，或者是凹部101、102，构成为使由波导管导入至加热腔室内部处的高频波束，不通过高频发热体直接到达加热器皿(微波炉用烧烤器皿80)的上方处用的传送路径。通过使距离W(请参见图5)大于λ/4的方式，使传送路径中沿高频波束行进方向相交方向上的尺寸，为λ/4以上。

在图8中位于微波炉用烧烤器皿80的中央部上方处，未变换为热量的、透射过高频发热体81的一部分高频波束由小箭头表示。而且，在加热腔室10的上下位置处，还配置有加热器(位于上方处的烤架加热器51、位于下方处的下方加热器52)，这些在图8中进行了省略。

在本实施形式中，如轨道103、104、轨道106、107，由下侧方向支撑着微波炉用烧烤器皿80的轨道，由分别按照预定间隔配置在加热腔室10内的右侧面和左侧面处的若干个部件构成。采用这种构成形式，轨道103和轨道104、轨道106和轨道107彼此相连接，这与在加热腔室10内呈由前方侧一直延伸至内侧的整体形式的轨道的场合相比，可以增大加热腔室10的内侧壁面与微波炉用烧烤器皿80的端部之间的间隙，从而更便捷地向微波炉用烧烤器80的上方处传送高频波束。

而且，在凹部101内设置有微波扩散用凸部101A，在凹部102内设置有微波扩散用凸部102A。凸部101A、102A具有将通过凹部101、102内部处的高频波束，向微波炉用烧烤器皿80处实施扩散的功能。

[2、微波炉的电气构成]

图9为表示微波炉1的电气构成的示意图。微波炉1具有对该微波炉1的动作实施整体控制用的控制电路30。控制电路30中包含有微型计算机。

在微波炉1中，由外部商用电源41输入的交流电压，在通过整流电桥42实施整流处理之后，再通过扼流线圈43和平滑电容器44的处理变换为直流电压。整流电桥42、扼流线圈43和平滑电容器44，构成为对商用电源41给出的交流电压实施整流处理用的整流装置45。

开关元件46由绝缘栅双极晶体管(IGBT：insulator gatebipolar transistors)构成，在其集电极和发射极之间设置有由并联连接着的溢流二极管47和共振电容器48构成的共振型开关电路。高频反相器54具有一次线圈55、二次线圈56和加热器用线圈57。输入直流电压通过该高频反相器54中的一次线圈55，供给至开关元件46上的集电极处。开关元件46可以在由驱动电路58给出的驱动信号作用下，处于导通、断开状态，从而使输入直流电压通过周期性的开关通断而变换成高频波束。开关元件46、溢流二极管47和共振电容器48构成为频率变换装置49。驱动电路58对开关元件46实施驱动的动作时间，由控制电路30实施控制。

在高频反相器54上的二次线圈56处，连接有由倍压整流用电容器32和倍压整流用二极管34构成的倍压整流电路。这种倍压整流电路对出现在高频反相器54的二次线圈56上的高频电压，实施倍压整流以获得直流高电压。倍压整流电路构成为向磁控管12上的阳极33和阴极(兼用作对该阴极实施加热的加热器，下面在表示加热器时也使用与阴极相同的参考标号)35之间，供给阳极电力用的驱动电源部。供给至磁控管12处的电流由电流反相器37实施检测，检测出的信号输入至控制电路30处。而且，磁控管12上的阳极33侧与接地点相连接，由加热器用线圈57提供的加热器电压，供给至磁控管12上的加热器35处。

在微波炉1中设置有门开关3X。门开关3X在门3处于打开状态时使电路断开，在门3处于闭合状态时使电路闭合。采用这种构成形式，当门3被打开时，将不可能由商用电源41向磁控管12处实施电力供给。因此，通过设置有这种门开关3X的方式，可以避免当门3处于打开状态时，磁控管12仍振荡产生出微波的现象出现。

而且，在微波炉1处设置有对加热腔室10的内部实施照明用的腔室灯53，以及对加热腔室10的内部温度实施检测用的烘烤用热敏电阻59。控制电路30对按键输入部601～614(操作面板上的调整旋纽部608和各种按键)输入的操作内容，以及红外线传感器7和烘烤用热敏电阻59的检测输出实施输入，对转动天线21的转动动作实施控制，并且对显示部60上的显示内容实施控制。控制电路30适当地对计时器实施驱动的方式，对烤架加热器51、下方加热器52和腔室灯53的动作实施控制。

[3、微波炉的加热腔室的变形例]

图10为本实施形式的微波炉1中的加热腔室10的第一变形例的示意图。图10相当于图8的主体框架5和其周边部的一种变形例的示意图。在该变形例示意图中，与如图8所示实例间的主要不同点为，设置在加热腔室10之内的微波炉用烧烤器皿80的轨道，是分成四个不同高度实施设置的。

在图10中，示出了在加热腔室10内由上面起、依次由轨道111、112、轨道113、114、轨道115、116、轨道117、118构成的、呈四段形式的轨道。而且在图10中，表示的是微波炉用烧烤器皿80使外侧周部80D与位于最上侧的轨道111、112相抵接，从而设置在加热腔室10内最高位置处时的设置状态。

在图10中位于加热腔室10内侧上部处示出了烤架加热器51，而且在该图中，由烤架加热器51发射出的热量由实线箭头表示，由磁控管12振荡产生出的高频波束由虚线箭头表示。在本变形例中也如利用图8所说明过的那样，由加热腔室10的底面供给出的高频波束，由高频发热体81实施吸收，同时透过微波炉用烧烤器皿80的外侧边缘部，导入至微波炉用烧烤器皿80的上方处。

在如图10所示的实例中，放置在微波炉用烧烤器皿80上的食品，可以利用高频发热体81对其表面实施加热，同时通过对高频波束实施直接吸收的方式对其内部实施加热，进而通过烤架加热器51进行加热，同时在其表面处形成烤痂。

图11为微波炉1中的加热腔室10的第二变形例的示意图。而且，图11表示的是说明加热腔室10的内部与门3间位置关系的微波炉1的右侧面示意图，而且表示的是主体右侧面被省略的状态。

作为本变形例的加热腔室10的壁面上，在轨道103、104的上方处形成有轨道108。而且虽然在图11中未示出，但是在加热腔室10的壁面上与轨道108相对的位置处，形成有轨道109(与图25中的轨道109相同)。微波炉用烧烤器皿80可以通过轨道108和轨道109，支撑在加热腔室10之内。

而且在该变形例中，在轨道104的下方中位于加热腔室10的内侧处，形成有凸部121。虽然在图11中未示出，但是在加热腔室10的壁面上与凸部121相对的位置处，形成有凸部122(请参见图12、图13)。

在对于在加热腔室10之内收装的是金属制器皿的场合，当磁控管12振荡产生出微波时，可以对微波炉用烧烤器皿80实施放置，但是有若放置金属制器皿则不合适的位置，凸部121，122为了对这些位置，并仅在放置金属制器皿(凹形器皿100)时，禁止磁控管12振荡产生出微波而形成的。本变形例中的这种位置，可举例在底板9上或与底板9相距距离比较近(在1厘米(cm)以内)的位置处。因为若在金属制器皿放置在距离底板9比较近的位置处的状态下，通过转动天线21向加热腔室10供给出微波时，则在转动天线21与凹形器皿100之间可能会产生放电现象，容易出现危险。

另外，凹形器皿100是指一种在仅采用加热器(烤架加热器51、下方加热器52)实施加热的烘烤烹调时，放置食品用的器皿，通过在金属板材上镀覆有珐琅的方式构成。

图12、图13分别为图11的微波炉1中的主体部分的存在凸部121、122的高度处的示意性横剖视图。

首先，参照图12，对于将微波炉用烧烤器皿80放置在底板9上的场合，凸部121、122位于微波炉用烧烤器皿80的角部与加热腔室10的壁面之间的位置处。换句话说就是，即使微波炉用烧烤器皿80的高度与凸部121、122的高度相同，也可以将微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10之内。

另一方面，参照图13，对于将如上所述的、作为金属制器皿的凹形器皿100放置在底板9上的场合，凹形器皿100的构成形状为，若其角部与凸部121、122相抵接，则再不能将其往加热腔室10里面放进。换句话说就是，凹形器皿100的高度与存在凸部121、122的高度相同时，不能被收装在加热腔室10之内。而且对于这种场合，如图11所示，凹形器皿100将妨碍门3的闭合动作。如果门3不能实施闭合，则如上所述，门开关3X如图9所示那样使电路处于打开状态，所以磁控管12不能振荡产生出微波。

换句话说就是，本变形例通过形成有凸部121、122，以及使微波炉用烧烤器皿80和凹形器皿100的角部形状彼此不同，由此在与凸部121、122相同的高度处，可以将微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10之内，却不能将凹形器皿100收装在加热腔室10之内。另外，即使微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10内部的任何高度处，不会象图11所示的凹形器皿100那样受到凸部121、122的阻挡而不能收装至更内侧的位置处。

而且正如图12所示，微波炉用烧烤器皿80以具有沿深度方向的尺寸为L1，沿宽度方向的尺寸为L2(＞L1)的状态，收装在加热腔室10之内。

而且，相对于加热腔室10的最前部10X，具有间隙K。采用这种构成形式，即使对于将微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10之内，对门3实施闭合的场合，在微波炉用烧烤器皿80与门3之间仍将存在有大于间隙K的间隙。因此，即使门3处于闭合状态，仍可以便捷地将位于微波炉用烧烤器皿80下方处的空气和微波，传送至微波炉用烧烤器皿80的上方处。

在本变形例中，通过形成有凸部121、122的方式，由此在加热腔室10之内通过磁控管12振荡产生出微波时，对微波炉用烧烤器皿80可以实施设置，但对凹形器皿100存在不可实施设置的位置。换句话说就是，通过凸部121、122构成为本发明的第二凸部。

而且，加热腔室10可以按下述方式构成，微波炉用烧烤器皿80设置在对于振荡产生出微波不适当位置的场合，避免磁控管12振荡出微波。下面参考图14～图16，对这种变形例(第三变形例)进行说明。

图14为省略了与图11中相同的部件，为微波炉1右视图。在本变形例中，如图12所示的变形例中的凸部121、122，改变为位于加热腔室10的前方位置处的凸部121A、122A(请参见图15)。图15和图16为图14的微波炉1中的主体部分的存在凸部121A、122A的高度处的示意性横剖视图。

正如图15所示，通过将凸部121A、122A设置在比凸部121、122(请参见图12)更靠近加热腔室10内部前方侧位置处的方式，当在与凸部121A、122A的高度相同的高度处对微波炉用烧烤器皿80实施收装时，将会受到凸部121A、122A的阻挡，而不能将微波炉用烧烤器皿80放入至加热腔室10的内部处，并且会阻碍门3的闭合动作。在该变形例中，当在与凸部121A、122A的高度相同的高度处对凹形器皿100实施收装操作时，也将会受到凸部121A、122A的阻挡，而不能放入至加热腔室10的内部处，并且会阻碍门3的闭合动作。

另外，如上所述，微波炉用烧烤器皿80的尺寸为L1＜L2，所以如图16所示，通过将微波炉用烧烤器皿80由图15所示的状态转动90°的方式，可以使微波炉用烧烤器皿80不与凸部121A、122A相抵接，放入至加热腔室10之内。因此，为了这种场合，在加热腔室10内部的后面处，最好还设置有凸部123、124。采用这种构成形式，在微波炉用烧烤器皿80被以不适当的高度实施收装时，可以可靠地避免将门3闭合，并且向加热腔室10之内供给出微波的现象出现。

由图12可知，加热腔室10沿深度方向的尺寸为“L1+K”。因此，为了能够在如图16所示的状态下，使微波炉用烧烤器皿80能够阻碍门3的闭合动作，需要使凸部123、124由加热腔室10的后面处突出比“L1+K-L2”更长的距离。

下面对微波炉1的第四变形例进行说明。在本变形例中，如图17所示，在转动天线21的外侧周部处设置有反射板501～504(关于反射板501、502，请参见图19)。图17相当于图8的剖视图的剖视图。

本变形例如后所述，在转动天线21的外侧周部处设置有反射板501～504，从而将通过转动天线21由加热腔室10的底面处供给至加热腔室10的微波，抑制向加热腔室10的壁面附近处流过，进而使微波能够更高效率地被高频发热体81吸收。采用这种构成形式，如图18(A)、图18(B)所示，对微波炉用烧烤器皿80实施均匀的加热。

图18(A)、图18(B)为表示由磁控管12在三分钟里振荡产生出微波时，微波炉用烧烤器皿80上的温度分布用的示意图，其中图18(A)表示的是配置有反射板501～504的场合，图18(B)表示的是未配置有反射板501～504的场合。

图18(B)表明，在微波炉用烧烤器皿80的四个角部处，存在高达300℃左右的高温的部分，与此相对在微波炉用烧烤器皿80的中央部附近处的温度，仅上升到100℃。与此相对比的是，图18(A)表明在微波炉用烧烤器皿80的中央部分和四个角部，很少的部分处于高温，但几乎在整个区域中的温度均为150℃以上，在大部分区域处可达到175℃以上。也就是说，通过设置反射板501～504的方式，可以消除对微波炉用烧烤器皿80实施加热的不均匀性。

下面参考图19和图20，对反射板501～504的构成形式等进行详细说明。图19为沿着图17中的线F-F剖开时的剖视图，图20为反射板501的立体图。

在加热腔室10的下部处，设置有收装底板9用的底板收装部92，以及位于底板收装部92的下方位置处的、收装转动天线21用的天线收装部91。天线收装部91的沿与微波行进方向相交的表面(包含如图19所示的沿着线F-F剖开时的剖面)的形状，如图19所示，四边形的角部呈圆形的形状。

反射板501具有其剖面呈“L”字型的板状形状，反射板502～504也具有相同结构。反射板501～504由能够对微波实施反射的材料制作。而且，通过使用这种材料实施涂覆的方式制作反射板501～504。

反射板501～504配置在如上所述的四边形中呈圆形的角部与转动天线21之间。配置反射板501～504的位置，包含转动天线21的端面与天线收装部91的壁面间距离为最长的位置处。表示转动天线21的端面与天线收装部91的壁面间距离最长的位置用的一个实例，如图19中的参考标号Q1所示，表示该距离最短的一个实例如图19中的参考标号Q2所示。通过将反射板501～504配置在这种位置处的方式，可以防止通过转动天线21供给至加热腔室10之内的微波，扩散至加热腔室10的壁面附近处。采用这种构成形式，如使用图18(A)、图18(B)所说明的那样，可以抑制朝向加热腔室10的壁面部分供给过多的微波，进而可以抑制微波炉用烧烤器皿80上的加热不均匀性。

反射板501～504比转动天线21进一步朝向微波行进方向延伸。具体的讲就是，在图17中微波的行进方向可设想为朝向上侧方向，且反射板501～504的高度为H1，转动天线21的高度为H2(＜H1)，反射板501～504一直设置到比转动天线21高的位置处。采用这种构成形式，反射板501可以可靠地抑制通过转动天线21传导至加热腔室10处的微波沿着横向方向扩散，并且可以将其引导至上方处。

而且，也可以不设置反射板501～504，而是将天线收装部91的壁面构造改变为如图21或图22所示的构造。

在图21中，天线收装部91的剖面形状为圆形。在图22中，天线收装部91的剖面形状为多边形(八角形)。采用这种构成形式，通过使天线收装部91的剖面形状呈圆形或多边形的方式，可以进一步缩小转动天线21的端面与天线收装部91的壁面间的距离，从而可以进一步避免将通过转动天线21供给出的微波过多地引导至加热腔室10的壁面附近处的现象出现。

下面参考图23和图24，对配置有反射板501～504的、在转动天线21的周围处还配置有下方加热器52的变形例进行说明。图23相当于图17的变形例，图24相当于图19的变形例。下方加热器52通过固定部件52A，固定在天线收装部91之内。

另外，如图23和图24所示，反射板501～504配置在转动天线21的外侧、下方加热器52的内侧处。采用这种构成形式，在配置有反射板501～504的部分，通过转动天线21供给至加热腔室10处的微波在扩散至下方加热器52之前，通过反射板501～504传送至上方处。因此采用这种构成形式，可以更可靠地将微波按照预定传送方向实施传送。

下面，在对于微波炉用烧烤器皿80在加热腔室10之内的高度可以实施变更的场合，按照与微波炉用烧烤器皿80的高度相吻合的模式实施微波加热的变形例进行说明。

图25为表示微波炉1中的加热腔室10，可以将微波炉用烧烤器皿80收装在上下两个层处的第五变形例的示意图，而且该图相当于上述本实施形式的微波炉1的图8。

在加热腔室10内还设置有支撑微波炉用烧烤器皿80的、位于轨道103、104、106、107的上侧方向处的轨道108、109。轨道109具有与轨道108(与如图11所示的轨道相同)左右相对称的形状。在本变形例中，微波炉用烧烤器皿80通过轨道103、104、106、107实施支撑的方式(在图25中用实线所示的状态)，收装在下层位置处，通过轨道108、109实施支撑的方式(在图25中用虚线所示的状态)，收装在上层位置处。在图25中，尺寸HC(由天线收装部91的底面至转动天线21间的距离)为15毫米(mm)，尺寸HB(由转动天线21至底板9间的距离)为10毫米(mm)，尺寸HA(由底板9至设置在下层位置处的微波炉用烧烤器皿80间的距离)为微波波长的1/8。

在利用微波实施加热作业时，对微波炉用烧烤器皿80的加热模式，根据距底板9(在所述加热腔室内可以对被加热物品实施放置的最低平面)间的设置距离不同而不同。

而且，放置有食品的微波炉用烧烤器皿80，最好设置在距底板9起的距离为微波波长1/8以上的位置处。采用这种构成形式，可以抑制对微波炉用烧烤器皿80实施加热时的不均匀性。

作为使转动天线21转动，且在预定时间里向加热腔室10供给微波时的微波炉用烧烤器皿80上的温度分布，在图26中表示的是微波炉用烧烤器皿80收装在上层位置处时的温度分布示意图，图27表示的是微波炉用烧烤器皿80收装在下层位置处时的温度分布示意图。而且，在图26和图27中，除了微波炉用烧烤器皿80的收装位置之外，均以相同的状态实施微波供给。而且在图26和图27中，不同的温度带已经用不同的剖面线实施了表示。

在图26中，在这种场合时主要是对微波炉用烧烤器皿80的中央部分处进行了加热，与周围位置间的温度差非常明显，与此相对，在图27中的中央部分附近处虽然处于比较高的温度下，但是与图26相比，大大抑制了加热的不均匀性。

而且如果采用本变形例，对于将微波炉用烧烤器皿80收装在上层位置处的场合，通过使转动天线21停止在预定停止位置处，对微波实施供给的方式，抑制实施加热时的不均匀性。换句话说就是，在本变形例中通过使转动天线21转动停止在与微波炉用烧烤器皿80的收装位置相对应的位置处的方式，按照与微波炉用烧烤器皿80的收装位置相对应的、不会在微波炉用烧烤器皿80上产生不均匀加热的方式，改变微波的供给模式。

相应转动天线21的转动停止位置，改变加热腔室10之内的微波供给模式，是依赖于转动天线21的结构。图28为表示转动天线21的俯视图。

转动天线21为由金属材料构成的圆盘，但在若干个位置处形成有贯通孔。位于中央部分处的孔210，供轴15嵌入，构成为转动中心。另外，在转动天线21中配置有由孔210处呈矩形状延伸出的第一部分211。因为第一部分211的宽度W1为35毫米(mm)左右，从而最大限度地抑制沿箭头M方向在第一部分211上行进的微波产生泄露。另外，第一部分211的长度W2为65mm。采用这种构成形式，可以由第一部分211上沿箭头M方向的前端部处和区域213处，比较强地发射出微波。

在转动天线21上从孔210朝向与第一部分211相反侧形成有呈扇形形状的剪切部分。由孔210至剪切部分间的距离W3为45毫米(mm)左右，从而抑制由区域212A、212B放出微波。形成在扇形剪切部分的中央部处的第二部分212，构成为使转动天线21的中央部分与外侧周部部分相连接的桥状部分。采用这种构成形式，可以促进来自转动天线21的外侧周部部分的微波的放出。

因为转动天线21具有如上所述的构成形式，所以相应于转动天线21的停止位置，改变微波在加热腔室10中的供给模式，由此，改变微波炉用烧烤器皿80的加热模式。

在加热腔室10中，最好将微波炉用烧烤器皿80收装在下层位置。然而，根据烹调菜单，比如在利用配置在加热腔室10的上侧部分处的烤架加热器51和微波实施加热的组合烹调的场合等，有时收装在上层位置处。而且，在本变形例中，根据烹调菜单，通过将微波炉用烧烤器皿80的收装位置显示在显示部60处的方式向使用者发送出指令，并且在与该收装位置相对应的停止位置处停止转动天线21的转动，实施微波的供给作业。比如，对于使用的是将微波炉用烧烤器皿80放置在下层位置处的烹调菜单的场合，如图29所示，停止转动天线21的转动，并实施微波的供给作业，对于使用的是将微波炉用烧烤器皿80放置在下层位置处的烹调菜单的场合，如图30所示，将转动天线21停止在由图29的状态沿顺时针方向转动90°的状态，并供给入微波。

[4、微波炉用烧烤器皿的变形例]

下面，对作为本实施形式的微波炉1中的微波炉用烧烤器皿80的变形例进行说明。首先对第六变形例进行说明。

如上所述的第五变形例所示，在微波炉1中可以改变将微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10之内的高度。而且，如采用图26和图27进行说明那样，若改变微波炉用烧烤器皿80的收装高度，微波炉用烧烤器皿80上的温度分布则将产生变化。通过这种相应于微波炉用烧烤器皿80的收装高度，改变高频发热体81的蒸镀面积的方式，可以抑制微波炉用烧烤器皿80的温度分布的变化。具体地讲就是，微波炉用烧烤器皿80中的高频发热体81的蒸镀面积(下面也称为蒸镀面积)，优选的是在微波炉用烧烤器皿80的收装高度(距底板9间的距离)为供给至加热腔室10处的微波波长1/8的场合，与转动天线21的沿水平方向的面积相同。

而且，优选的是微波炉用烧烤器皿80的收装高度比微波波长的1/8越高，该蒸镀面积比转动天线21沿水平方向的面积越大(请参见图31)，而且优选的是其高度比1/8波长越低，该蒸镀面积比转动天线21沿水平方向的面积越小(请参见图32)。

图31和图32分别为本变形例中的微波炉用烧烤器皿80的背面图。在图31中，转动天线21的位置与微波炉用烧烤器皿80相重合，由一点虚线AN表示，并且涂覆成白色。在图31中，高频发热体81的存在面积(即如上所述的蒸镀面积)，大于转动天线21的面积。在图32中，转动天线21的位置由一点虚线AN表示，其中与微波炉用烧烤器皿80相重合的部分由表示高频发热体81用的剖面线实施着涂覆。在图32中，高频发热体81的存在面积小于转动天线21的面积。

下面对本实施形式的第七变形例进行说明。图33为本变形例的微波炉用烧烤器皿80的背面图。图34为沿着图33中的线E-E剖开时的剖视图。作为本变形例的微波炉用烧烤器皿80，在其背面处形成有深度为5毫米(mm)左右的凹凸部分，并且沿着该背面处的凹凸部分蒸镀形成有高频发热体81A。在其表面处，仅在与背面处的凹凸部分中的凸部分相对的位置处，蒸镀有高频发热体81B～81G。通过将食品放置在表面处的方式，可以进行对适用于如杂样煎菜饼等一般采用铁板进行烹调的食品的烹调。另外，在图34中，虽然看起来蒸镀形成有高频发热体81B～81G的表面处也存在凹凸部分，但是高频发热体81A～81G的蒸镀膜厚度与高频发热体81相同地为8×10^-8米(m)左右，所以在实际使用时这种凹凸部分几乎是难以辨认的。

另外，在图35中表示对图34的微波炉用烧烤器皿80的表面背面实施反转的状态。在如图35所示的状态下，将食品放置在设置有凹凸部分的表面(蒸镀形成有高频发热体81A的表面)上。通过将食品放置在具有凹凸部分的表面上的方式，可以实现适用于诸如烤肉等的、油脂类食物的加热烹调。因为，食品本身是由凹凸形状部分中的凸部分支撑，在实施加热时由食品中流出的油脂，由食品流至凹凸部分中的凹部分处，由此实现分离。

而且，在微波炉用烧烤器皿80上与具有凹凸部分的表面相反的表面处，仅在与凹凸部分中的凸部分相对的位置处，蒸镀形成有高频发热体81B～81G，其原因在于，在具有凹凸部分的表面中仅在与食品相接的凸部分有必要成高温。换句话说就是，防止在无效部分处实施高频发热体的蒸镀处理，并且防止不需要成高温的位置成高温的情况。

正如上面所说明的那样，通过采用对微波炉用烧烤器皿80的表面背面处，按照彼此不同的形式实施高频发热体蒸镀作业的方式，可以在微波炉用烧烤器皿80的表面、背面处，实施不同形式的烹调处理。

而且在本实施形式中，高频发热体81、81A～81G的阻抗率最好通过调整其厚度的方式，调整为200～600(欧姆/米(Ω/m))左右。对这一点参考图36进行说明。图36为表示对于使用在氧化锡中添加有钼的导电性材料，制作微波炉用烧烤器皿80中的高频发热体的场合，当朝向加热腔室供给微波时，高频发热体的阻抗率与微波炉用烧烤器皿80的反射电场强度、透射电场强度间关系用的示意图。

由图36中可知，当高频发热体的阻抗率为200～600(欧姆/米(Ω/m))左右时，微波炉用烧烤器皿80反射的微波的电场强度与微波炉用烧烤器皿80透射的微波的电场强度相同。因此在这时，使用微波炉用烧烤器皿80实施加热的烹调，其效率较高。

[5、微波炉中的加热烹调处理的实例]

下面参考图37～图53，对本实施形式的微波炉1中的加热烹调处理进行说明。首先根据图37和图38的加热烹调处理的流程进行说明。

控制电路30在步骤S1中实施初始设定之后，在步骤S2中对是否选择使用微波炉用烧烤器皿80对食品实施加热烹调的预热温度和烹调时间被手动输入的手动方式的烧烤烹调进行判断。如果具体的讲就是，通过在预定时间内是否对微波炉烧烤按键602实施了两次按压操作的方式，实施上述判断。当判断结果为选择实施手动微波炉烧烤烹调处理时，在步骤S3中，使用者利用调整旋纽部608输入方式设定预热温度和烹调时间，进而进入步骤S5实施处理。这种微波炉烧烤烹调处理相应于采用磁控管12实施的微波加热，设定为两个阶段。这两个阶段被分别称为第一阶段和第二阶段。通过在步骤S3按照预定形式对所输入的烹调时间实施处理的方式，分别对第一阶段和第二阶段的烹调时间实施设定。当由第一阶段转移至第二阶段时，可以按照如后所述的方式实施蜂鸣告知作业，向使用者发送出诸如对微波炉用烧烤器皿80上的食品实施翻动等的指令。

当在步骤S2中的判断结果为未选择实施手动的微波炉烧烤烹调处理时，通过步骤S4对是否选择自动对使用微波炉用烧烤器皿80对食品实施加热烹调的预热温度和烹调时间实施决定的，自动方式实施微波炉烧烤烹调处理进行判断。如果具体的讲就是，可以通过在预定时间内是否对微波炉烧烤按键602仅实施了一次按压操作的方式，实施上述判断。当判断结果为选择实施自动的微波炉烧烤烹调处理时，进入步骤S5实施处理。当步骤S4中的判断结果为未选择实施自动烧烤烹调处理时，进入步骤S12实施处理。

在选择为实施自动烧烤烹调处理的场合，在步骤S3中省略对预热温度和烹调时间实施设定的操作，是因为在实施自动微波炉烧烤烹调处理时，预热温度和烹调时间已预先设定好的。

在步骤S5中，控制电路30等待给出用于加热开始的操作(按压加热开始按键601)，随后进入至步骤S6实施处理。

在步骤S6中，控制电路30对磁控管12开始实施驱动，随后在步骤S7中开始实施预热处理。由此，对微波炉用烧烤器皿80的高频发热体81(81A～81G)实施加热，给微波炉用烧烤器皿80实施预热。

在步骤S7中的预热处理结束时，控制电路30通过步骤S8停止对磁控管12的驱动，并且通过蜂鸣器等向使用者告知预热处理结束的信息。在步骤S9中等待由于加热开始的操作，随后进入至步骤S10实施处理。而且，步骤S8在预热处理结束时，还传送出微波炉用烧烤器皿80处于高温状态的信息。因为微波炉用烧烤器皿80会在比较短的时间里达到高温，所以让使用者充分注意到微波炉用烧烤器皿80处于高温状态。

在步骤S10中，由控制电路30实施微波炉烧烤烹调处理，当其结束时，通过步骤S11告知有关作业结束的信息，并返回至步骤S2进行处理。

另一方面，在步骤S12中，控制电路30对是否选择使用烤架加热器51和微波炉用烧烤器皿80对食品实施加热烹调的烹调时间被手动输入的、手动的两面烧烤烹调处理进行判断。如果具体的讲就是，通过在预定时间内是否对烤架按键606实施了两次按压操作的方式，实施上述判断。当判断结果为选择实施手动的两面烧烤烹调处理时，在步骤S13中，使用者利用调整旋纽部608输入方式设定烹调时间，进而进入步骤S19实施处理。对于这种手动两面烧烤烹调处理和如后所述的两面烧烤烹调处理中，设定有采用磁控管12实施微波加热的第一阶段，和采用烤架加热器51实施加热作业的第二阶段这两个阶段。

当在步骤S12中的判断结果为未选择实施手动微波炉烧烤烹调处理的场合，在步骤S14中对是否选择自动对使用烤架加热器51和微波炉用烧烤器皿80对食品实施加热烹调的烹调时间实施决定的、自动两面烧烤烹调进行判断。如果具体的讲就是，通过在预定时间内是否对烤架按键606仅实施了一次按压操作的方式，实施上述判断。当判断结果为选择实施自动两面烧烤烹调处理的场合，在步骤S15中对与烹调过程相对应的烹调时间(第一阶段、第二阶段各自的烹调时间)实施读取和设定，并进入步骤S19实施处理。所谓烹调过程是指在选择为自动实施两面烧烤烹调处理后，使用者通过对操作面板6上的调整旋纽部608实施转动而选择的与烹调过程序号相对应的过程。

在步骤S19中，控制电路30等待给出用于加热开始的操作(按压开始按键601)，随后进入至步骤S20实施处理。

在步骤S20中，控制电路30依据由步骤S13或步骤S15设定出的烹调时间，计算出预热时间，随后进入至步骤S21实施处理。对预热时间的计算依据预先确定的方式进行。如果举例来说，按照烹调时间小于5分钟时将预热时间设定为3分钟，烹调时间大于5分钟小于10分钟时将预热时间设定为5分钟，烹调时间越长预热时间也越长的方式，对预热时间实施计算。

在步骤S21中，控制电路30对磁控管12开始实施驱动，随后在步骤S22中的判断结果为已经超过预热时间时，通过步骤S23停止对磁控管12的驱动，并且通过步骤S24由蜂鸣器等告知有关预热处理结束的信息。在步骤S25中等待加热开始的操作，随后进入至步骤S26实施处理。

在步骤S26中，由控制电路30实施两面烧烤烹调处理，当其结束时，通过步骤S27实施告知有关作业结束的信息，并返回至步骤S2进行处理。

在步骤S16中，控制电路30判断是否选择为实施其它烹调处理作业。在这儿所说的其它烹调处理作业，指通过对解冻按键613实施按压操作的解冻处理。当其判断结果为选择了这些烹调作业时，在步骤S17中，按照使用者的输入设定烹调时间，并且在通过步骤S18实施该烹调时间的烹调之后，返回至步骤S2进行处理。如果步骤S16的判断结果为未选择实施其它烹调处理作业时，返回至步骤S2进行处理。

下面参考图39～图50，对预热处理进行说明。图39为步骤S7中的预热处理的子程序的流程图。

在预热处理中，控制电路30首先通过步骤S701使计数器t开始实施计数。

随后，通过步骤S702实施输出设定处理模式A。下面参考图40，对该输出设定处理模式A的内容进行说明。

在输出设定处理模式A中，控制电路30首先通过步骤S7020对反相器(频率变换电路49)的温度Ti实施检测。

接着，通过步骤S7021判断如后所述的计时器ta是否已经开始实施计数。计时器ta是一种在如后所述的预热控制处理模式A中，对温度值Tcave(该检测温度为对作为预热控制对象的红外线元件实施检测获得的、位于扫描范围之内的平均温度)由温度值Tcave1(预定温度)上升至Tcave2(比Tcave1高的预定温度)所需要的时间进行测量的计时器。如果计时器ta已经开始计数，进入至步骤S7025实施处理；如果尚未开始计数，进入至步骤S7022实施处理。

在步骤S7022中，由控制电路30判断通过步骤S7020检测到的温度值Ti，是否小于预定温度值Ti1。如果温度值Ti小于温度值Ti1，进入至步骤S7023实施处理，如果不是小于温度值Ti1，进入至步骤S7025实施处理。

通过步骤S7025，判断在步骤S7020中检测到的温度值Ti，是否小于预定温度值Ti2(＞Ti1)。如果小于温度值Ti2，进入至步骤S7026实施处理，如果不是小于温度值Ti2，进入至步骤S7028实施处理。

当进入至步骤S7023实施处理时，控制电路30使磁控管12的输出功率P达到P1，进而通过步骤S7024，使最大预热时间tmax达到tmax1，随后实施返回处理。最大预热时间为由预热处理开始至经过该时间时，按照与此时红外线传感器7的检测温度等无关的方式，结束预热处理的时间。

当进入至步骤S7026实施处理时，控制电路30使磁控管12的输出功率P达到P2，进而通过步骤S7027，使最大预热时间tmax达到tmax2，随后实施返回处理。

当进入至步骤S7028实施处理时，控制电路30使磁控管12的输出功率P达到P3，进而通过步骤S7029，使最大预热时间tmax达到tmax3，随后实施返回处理。

磁控管12的输出功率为P1＞P2＞P3。因此，微波炉1中在考虑为对磁控管12实施驱动时温度上升最大的反相器的温度越高，磁控管12的输出功率越被抑制。

如果计时器ta尚未开始实施计数，“对于Ti＜Ti1的场合”，使磁控管12的输出功率为P1，“对于Ti1≤Ti＜Ti2以上的场合”，使磁控管12的输出功率为P2。如果计时器ta已经开始实施计数，对于这两种场合，均使磁控管12的输出功率为P2。因此，在本实施形式中，按照下述方式设定，即，如果计时器ta已经开始实施计数，则与计时器ta尚未开始实施计数的场合相比，使磁控管12的输出功率变更条件更为平缓，使磁控管12的输出功率尽量不产生变更。

另外，最大预热时间tmax1～最大预热时间tmax3可以分别为不同的值。采用这种构成形式，在本实施形式中可以依据磁控管12的输出功率，决定最大预热时间。

再参见图39，在由步骤S702实施输出设定处理模式A之后，控制电路30通过步骤S703，使用烘烤用热敏电阻59对加热腔室10内的温度Tth实施检测，进而对预热保持用输出功率Px实施计算。根据通过步骤S3等设定出的预热温度x的函数f(x)，求解出该预热保持用输出功率Px。f(x)为预先设定的。因为预热保持用输出功率Px为保持微波炉用烧烤器皿80的温度用的输出功率，所以Px≤P3＜P2＜P1。

随后，控制电路30通过步骤S704，实施器皿温度检测处理。下面参考图41，对器皿温度检测处理的详细内容进行说明。

在器皿温度检测处理中，控制电路30首先在步骤S7041中，将红外线传感器7中的各红外线检测元件移动至其初始位置处。在这里，对红外线传感器7内的红外线检测元件实施温度检测的区域进行说明。

作为本实施形式的红外线传感器7，具有八个红外线检测元件。对于将八个元件中的某元件取为元件n(n＝1～8)的场合，元件n的温度检测区域Arn，如图42所示，可以作为微波炉用烧烤器皿80上的区域AR1～AR8来表示。在图42中，微波炉用烧烤器皿80上沿左右方向引出有A～H共八条线，沿深度方向引出有0～15共十六条线，由此形成有8×16个交叉点，各区域AR1～AR8分别包含有沿深度方向的十六个点。红外线传感器7中的元件n，可以按照依次对包含在区域AR1～AR8中的、沿深度方向并列设置着的十六个点的温度实施检测的方式，进行扫描作业。另外，步骤S7041中所称的初始位置，比如为各元件中的、沿深度方向上的线0处的温度实施检测用的位置。

请再次参见图41，控制电路30在步骤S7042中，按照使各元件在区域AR1～AR8中各区域内的十六个点处对温度实施检测的方式，由红外线传感器7进行扫描作业。

随后，控制电路30在步骤S7043中，计算出红外线传感器7中各元件的、在步骤S7042的十六个点的温度检测中的、作为平均温度的Tdnave、和作为最高温度的Tnmax。

在步骤S7044中对在八个红外线检测元件中，是否已经确定出作为预热控制对象的元件进行判断。这种确定处理通过如后所述的步骤SA7、步骤SA13或步骤SA14实施。如果已经确定出了预热控制对象元件，通过步骤S7045对作为使用该对象元件检测出的各点温度平均值(Tcave)实施计算，随后实施返回作业。如果尚未确定出对象元件，直接实施返回作业。

请再次参见图39，在实施过步骤S704的处理之后，控制电路30通过步骤S705，对在此之前实施器皿温度检测处理时检测出的温度值Tdnave，作为Tdnave0实施储存(因为在“n”中加入有用于识别八个红外线检测元件中的某一个的数字，所以存在Td1ave0～Td8ave0，其中“0”表示的是初次扫描作业)。

随后，控制电路30通过步骤S706，判断通过步骤S703检测到的温度值Tth是否小于预定值Tth1，如果其小于Tth1，进入至步骤S707实施处理，如果其大于Tth1，进入至步骤S708实施处理。

在步骤S707，控制电路30判断温度值Tdnave0的最大值是否小于预定值Tdave1，如果其小于预定值Tdave1，进入至步骤S709实施处理，如果其大于预定值Tdave1，进入至步骤S710实施处理。

在步骤S708，控制电路30判断温度值Tdnave0的最大值是否小于预定值Tdave2，如果其小于预定值Tdave2，进入至步骤S711实施处理，如果其大于预定值Tdave2，进入至步骤S712实施处理。

随后，控制电路30可以通过步骤S709、步骤S710、步骤S711、步骤S712，分别实施预热控制处理模式A、预热控制处理模式B、预热控制处理模式C、预热控制处理模式D，并且实施返回作业。

下面参考图43，对有关预热控制处理模式A的内容进行说明。

在预热控制处理模式A中，控制电路30首先通过步骤SA1对微波炉1中的运行菜单，是否为收装在加热腔室10之内的下层位置处(请参见图25)时的菜单实施判断。另外，在微波炉1中可以对每个烹调菜单，向使用者提示微波炉用烧烤器皿80的所应收装位置的信息。对于为应收装在下层位置处的菜单的场合，进入至步骤SA2实施处理，对于为应收装在上层位置处的菜单的场合，进入至步骤SA14实施处理。

在步骤SA2中，控制电路30判断最新获得的温度值Tnmax的最大值是否小于预定值Tnmax1，如果其小于预定值Tnmax1，进入至步骤SA3实施处理，如果其大于预定值Tnmax1，进入至步骤SA13实施处理。

在步骤SA3中，控制电路30实施输出确认处理作业。下面参考图44，对输出确认处理的内容进行说明。

在输出确认处理中，控制电路30首先在步骤SE1中实施输出设定处理模式A。这种输出设定处理模式A为使用图40说明过的处理。

随后，控制电路30相对于在此之前实施的输出设定处理模式A，磁控管12的输出功率P是否有变更实施判断，如果没有产生变更，实施返回处理。如果有变更，进入至步骤SE3实施处理。

在步骤SE3中，控制电路30判断变更之后的输出功率是否为P3，对于为P3的场合，实施返回处理，对于输出功率为变更为P3之外的场合，进入至步骤SE4实施处理。

在步骤SE4中，控制电路30判断预热时间tn是否已经确定。对于已经确定的场合，进入至步骤SE5实施处理，对于尚未确定的场合，实施返回处理。

在步骤SE5中，控制电路30按照与磁控管12的输出功率变更相对应的方式，对预热时间tn实施变更处理，随后实施返回处理。如果具体的讲就是，可以依据公式(1)，利用变更前后的磁控管12的输出功率，变更之前的预热时间tn(tn[变更前])，以及步骤S701中开始实施计数的计时器t的计数值，计算出变更之后的预热时间tn(tn[变更后])。

【数学公式1】

请再次参见图43，当步骤SA3中的输出确认处理结束时，控制电路30，通过步骤SA4，实施器皿温度检测处理。这种器皿温度检测处理为采用图41所说明过的处理。

随后，控制电路30通过步骤SA5，实施错误检测处理作业。

在此，参考图45，对错误检测处理的内容进行说明。

在错误检测处理中，控制电路30首先在步骤SF1中，判断通过步骤S701开始实施计数的计时器t的计数值是否为预定值te1。对于为预定值te1的场合，进入至步骤SF2实施处理，对于不为预定值te1的场合，进入至步骤SF6实施处理。

控制电路30通过步骤SF2，判断磁控管12的输出功率P是否为P1。对于输出功率为P1的场合，进入至步骤SF3实施处理，对于输出功率不为P1的场合，进入至步骤SF4实施处理。

控制电路30通过步骤SF4，判断磁控管12的输出功率P是否为P2。对于输出功率为P2的场合，进入至步骤SF5实施处理，对于输出功率不为P2的场合，实施返回处理。

在步骤SF3中，将相对于微波炉用烧烤器皿80的温度上升值ΔT1、ΔT2，判断微波炉1中产生有错误用的阈值分别设定为Ta、Tb，并进入至步骤SF11实施处理。在步骤SF5中，将相对于上述温度上升值ΔT1、ΔT2的阈值分别设定为Tc、Td，并进入至步骤SF11实施处理。换句话说就是，在这儿可以相应于磁控管12的输出功率，将作为错误判断基准的、相对于微波炉用烧烤器皿80中的温度上升值用的阈值取为不同的值。

在步骤SF6中，判断计时器t的计数值是否为预定值te2。对于为预定值te2的场合，进入至步骤SF7实施处理，对于不为预定值te2的场合，实施返回处理。

控制电路30通过步骤SF6，判断磁控管12的输出功率P是否为P1。对于输出功率为P1的场合，进入至步骤SF8实施处理，对于输出功率不为P1的场合，进入至步骤SF9实施处理。

控制电路30通过步骤SF9，判断磁控管12的输出功率P是否为P2。对于输出功率为P2的场合，进入至步骤SF10实施处理，对于输出功率不为P2的场合，实施返回处理。

在步骤SF8中，将相对于微波炉用烧烤器皿80的温度上升值ΔT1、ΔT2，判断微波炉1中产生有错误用的阈值分别设定为Te、Tf，并进入至步骤SF11实施处理。在步骤SF10中，将相对于上述温度上升值ΔT1、ΔT2的阈值分别设定为Tg、Th，并进入至步骤SF11实施处理。换句话说就是，在这儿也相应于磁控管12的输出功率，将作为错误判断基准的、相对于微波炉用烧烤器皿80中的温度上升值用的阈值取为不同的值。另外，若对步骤SF3、步骤SF5的处理实施比较，则在这种错误检测处理中，根据进行处理所需要的时间(te1或te2)，设定出不同的阈值。

控制电路30，通过步骤SF11，判断“Tnmax-Tnmax0”的最大值是否小于温度上升值ΔT1。在这儿，“Tnmax-Tnmax0”为由各红外线检测元件的检测温度最大值中初始检测最大值起的上升值。而且，“Tnmax-Tnmax0”的最大值为八个元件的上升值中的最大值。

如果“Tnmax-Tnmax0”的最大值小于温度上升值ΔT1，通过步骤SF15实施蜂鸣告知作业，并中止预热处理。采用这种构成形式，对于微波炉用烧烤器皿80的上升值比预定范围小的场合，或者红外线传感器7的各元件不能正常地对温度实施检测的场合，可以中止预热处理。

对于“Tnmax-Tnmax0”的最大值大于温度上升值ΔT1的场合，控制电路30进入至步骤SF12实施处理。

在步骤SF12中，控制电路30对微波炉1中运行着的烹调菜单，是否为将微波炉用烧烤器皿80收装在加热腔室10之内的下层位置处时的菜单实施判断。若为收装在下层位置处时的菜单的场合，则进入至步骤SF13实施处理，若为收装在上层位置处时的菜单的场合，则进入至步骤SF14实施处理。

在步骤SF13中，控制电路30判断“Tnmax-Tnmax0”的最小值是否小于温度上升值ΔT2。如果“Tnmax-Tnmax0”的最小值小于温度上升值ΔT2，通过步骤SF15实施蜂鸣告知作业，并中止预热处理。如果大于温度上升值ΔT2，实施返回处理。

在另一方面，在步骤SF14中，控制电路30判断“Tnmax-Tnmax0”的最小值是否大于温度上升值ΔT2。如果“Tnmax-Tnmax0”的最小值大于温度上升值ΔT2，通过步骤SF15实施蜂鸣告知作业，并中止预热处理。如果小于温度上升值ΔT2，实施返回处理。

在如上所述的步骤SF12～步骤SF14中的处理中，相应于微波炉用烧烤器皿80的收装高度，判断为错误的形式各不同。这是因为如图46(A)、图46(B)所示，若微波炉用烧烤器皿80的收装高度不同，则微波炉用烧烤器皿80上的、包含在红外线传感器7中各红外线检测元件的视野范围QA内的面积彼此不同。图46(A)表示的是微波炉用烧烤器皿80收装在上层位置处时的状态，图46(B)表示的是微波炉用烧烤器皿80收装在下层位置处时的状态。若微波炉用烧烤器皿80如图46(B)所示，收装在下层位置处，则微波炉用烧烤器皿80上的几乎全部区域均包含在视野范围QA内，若如图46(A)所示、收装在上层位置处，则微波炉用烧烤器皿80上的许多区域未包含在视野范围QA中。通过步骤SF14，按照判断红外线检测元件的检测温度是否上升到相当高的方式，判断由红外线检测元件检测到的温度是否随着微波炉用烧烤器皿80产生温度的追随性上升。若判断结果为温度没有随之产生追随性上升，则实施错误信息告知作业，并结束预热处理。

在微波炉1中，最好相应于加热腔室10之内的微波炉用烧烤器皿80收装高度，对红外线传感器7的角度实施变更等，对各红外线检测元件的扫描范围实施变更。而且，对于微波炉1中按照各烹调菜单将微波炉用烧烤器皿80收装在适当高度位置处的场合，这种扫描范围的变更按照与选择出的烹调菜单相对应的方式实施。通过如上所述的错误检测处理，对于微波炉用烧烤器皿80的收装位置不与红外线检测元件的扫描范围相对应的场合，将红外线检测元件检测出的温度认为未随微波炉用烧烤器皿80产生追随性温度上升，从而通过蜂鸣实施信息告知作业。换句话说就是，在错误检测处理中，通过改变上述扫描范围的方式，可以对微波炉用烧烤器皿80的收装高度实施检测，即使在微波炉用烧烤器皿80收装在与各烹调菜单不相适应的高度位置处的场合，也实施错误告知作业。因为对于这种场合也实施的蜂鸣告知作业，所以在错误告知作业中，需要使用者认识在微波炉用烧烤器皿80的收装位置会出现错误的信息。

在错误检测处理中，对于温度上升程度与预定程度不符的场合，实施错误告知作业。另外，随着收装在加热腔室10之内的器皿材质的不同，温度上升的形式会产生变化。换句话说就是，在错误检测处理中不仅将微波炉用烧烤器皿80的收装位置视作为错误告知对象，而且对于微波炉用烧烤器皿80的材质是否正常，即是否对于微波炉用烧烤器皿80和其它器皿弄错而收装在加热腔室10之内的场合，也视作为错误告知对象。

另外，对于仅仅在微波炉用烧烤器皿80上的一部分处蒸镀有高频发热体81的场合，最好将红外线检测元件的扫描范围位于蒸镀有高频发热体81的区域中。采用这种构成形式，因为对于不需要实施温度检测的位置可以省略温度检测，从而可以使用红外线传感器7实施更高效率的温度检测作业。

另外，从对于不需要实施温度检测的位置省略其温度检测的角度看，红外线检测元件的扫描范围最好相应于烹调菜单产生变更。如果举例来说，对于实施蒸煮烹调的场合，可以仅仅对加热腔室10的中央部分实施扫描作业，或者通过在开始实施加热时对整个加热腔室10的温度实施检测的方式，确定食品的放置位置，进而仅仅对该放置位置实施扫描作业，或者由使用者输入食品的放置位置，并仅仅对该放置位置实施扫描作业等。

请再次参见图43，如果在步骤SA5的错误检测处理过程中，中止了预热处理，控制电路30通过步骤SA6，判断最新获得的温度值Tnmax的最大值是否大于预定值Tnmax2，如果其大于Tnmax2，进入至步骤SA7实施处理，如果其小于预定值Tnmax2，返回至步骤SA3实施处理。

在步骤SA7中，控制电路30对八个红外线检测元件的“Tnmax-Tdnave0”实施计算，并且取除其大小大的两个、和小的两个以外的四个红外线检测元件，作为预热控制的对象元件，进入至步骤SA8实施处理。

在步骤SA13中，控制电路30对八个红外线检测元件中，将确定为错误A的元件，取为预热控制的对象元件，并进入至步骤SA8实施处理。采用这种构成形式，比如在微波炉用烧烤器皿80初始时即为高温等的、难以确定预热控制对象元件的场合，取预先确定的元件作为预热控制对象元件。

另外，在步骤SA15中，控制电路30对八个红外线检测元件中，将确定为错误B的元件，取为预热控制的对象元件，并进入至步骤SA8实施处理。采用这种构成形式，如图46(A)所示，对于微波炉用烧烤器皿80位于难以进入至红外线检测元件的视野范围QA的场合被视为适当的元件，作为预热控制对象元件。

控制电路30在通过步骤SA8，实施输出确认处理(请参见图44)之后，通过步骤SA49实施器皿温度检测处理(请参见图41)，并且通过步骤SA10实施错误检测处理(请参见图45)。

如果在步骤SA10的错误检测处理过程中，中止预热处理时，控制电路30通过步骤SA11，判断温度值Tcave(对预热控制对象元件实施检测获得的、位于扫描范围之内的平均温度)是否已经达到温度值Tcave1(预定温度)。控制电路30在温度值Tcave达到温度值Tcave1之前，反复实施步骤SA8～步骤SA10中的处理，当温度值Tcave达到温度值Tcave1时，进入至步骤SA12实施处理。

在步骤SA12中，开始计时器ta的计数作业，并进入至步骤SA15实施处理。

在步骤SA15中，控制电路30实施输出确认处理(请参见图44)之后，通过步骤SA16实施器皿温度检测处理(请参见图41)，并且通过步骤SA17实施错误检测处理(请参见图45)。

如果在步骤SA17的错误检测处理过程中，中止预热处理时，控制电路30通过步骤SA18，判断温度值Tcave是否已经达到温度值Tcave2(预定温度)。控制电路30在温度值Tcave达到温度值Tcave2之前，反复实施步骤SA15～步骤SA17中的处理，当温度值Tcave达到温度值Tcave2时，进入至步骤SA19，结束计时器ta的计数作业，确定出预热时间t1，并进入至步骤SA20实施处理。另外，通过预热温度x和计时器ta的计数值的函数f2(x，ta)，求解出预热时间t1。其中，函数f2(x，ta)是预先设定的。

另外，在本实施形式中，可以采用依据函数f2(x)求解出预热时间t1的方式，使红外线检测元件不再需要对一直达到高温的预热温度x实施温度检测，从而可以进一步降低微波炉1的制造成本。下面参考图47，对可以依据预热温度x和计时器ta的计数值确定出预热时间t1的原因进行说明。

图47为表示温度值Tcave的由预热开始时间起的时间变化的示意图。图47中的参考标号TM为红外线检测元件可以实施温度检测的上限温度，参考标号x为预热温度。另外，温度值Tcave的变化如图中实线所示。

当开始实施预热处理时，在温度值Tcave一直上升至TM之后，即使微波炉用烧烤器皿80的温度进一步上升至该值以上，温度值Tcave也保持为一定。通过假定由温度值Tcave1至Tcave2形成有延长线(如图中的一点虚线所示)的方式，可以计算出微波炉用烧烤器皿80达到预热温度x时的时间为t1。另外，作为x、TM、Tcave2、Tcave1的一例，可以例举200℃、140℃、110℃、70℃。

请再次参见图43，在实施过步骤SA19中的处理之后，控制电路30通过步骤SA20实施输出确认处理(请参见图44)，随后对通过步骤S21、步骤S701开始实施计数的计时器t的计数值实施判断，在该计数值达到预热时间t1或最大预热时间tmax之前，实施步骤SA20中的处理，当该计数值达到预热时间t1或最大预热时间tmax时，实施返回处理。

下面参考图48，对步骤S710中的预热控制处理模式B(请参见图39)进行详细说明。

在预热控制处理模式B中，控制电路30首先通过步骤SB1将预热时间t2取为作为预热温度x的函数f3(x)，通过步骤SB2将磁控管12的输出功率取为通过步骤S703设定的预热保持用输出功率Px，通过步骤SB3实施输出设定处理模式B。下面参考图49，对输出设定处理模式B进行详细说明。

在输出设定处理模式B中，控制电路30首先通过步骤SG1对反相器的温度值Ti实施检测，通过步骤SG2判断温度值Ti是否小于Ti2(预定温度)。如果温度值Ti小于Ti2，实施返回处理，如果温度值Ti为Ti2以上，通过步骤SG3将磁控管12的输出功率P取为P3，将预热时间tn取为tmax3，随后实施返回处理。

请再次参见图48，在实施过步骤SB3的处理之后，控制电路30判断通过步骤S703开始实施计数的计时器t的计数值是否已经达到预热时间t2。在该计时器t的计数值达到预热时间t2之前，通过步骤SB3实施输出设定处理模式B，当该计时器t的计数值达到预热时间t2时，实施返回处理。

如上所述的预热控制处理模式B，如图39所示，在由烘烤用热敏电阻59检测到的加热腔室10的温度为比较低的温度，且微波炉用烧烤器皿80的温度为比较高的温度时实施，所以实施预热处理过程中的磁控管12的输出功率比较低，使微波炉用烧烤器皿80的温度实施自然约束。

下面参考图50，对步骤S711实施的预热控制处理模式C的内容进行详细说明。预热控制处理模式C是一种在如图39所示的、加热腔室10的温度为比较高的温度、且微波炉用烧烤器皿80的温度为比较低的温度时实施的处理。在预热控制处理模式C中，控制电路30首先通过步骤SC1，依据预热温度x和通过烘烤用热敏电阻59检测出的、加热腔室10的温度函数f4(x，Tth)，对预热时间t3实施设定，并通过步骤SC2实施输出确认处理(请参见图44)。随后在步骤SC3中，在计时器t的计数值达到预热时间t3之前，反复步骤SC2实施处理，当该计时器t的计数值达到预热时间t3时，实施返回处理。

表1为部分表示函数f4(x，Tth)用的一个实例。

             【表1】

预热温度x(℃)	f4(x，Tth)
			Tth(低)	Tth(高)
	～150	2分钟			1分钟
150～200			3分钟	2分钟
	200～250	4分钟			3分钟

f4(x，Tth)被定义为每个预定温度带的预热时间。而且，函数f4(x，Tth)对于烘烤用热敏电阻59的检测温度Tth，利用预定的阈值定义出两个温度区域“Tth(低)”、“Tth(高)”，即可以对各预定温度带的预热时间实施定义。

下面参考图51，对通过步骤S712实施的预热控制处理模式D进行详细说明。

在预热控制处理模式D中，控制电路30首先通过步骤SD1依据作为预热温度x的函数f5(x)，对预热时间t4实施设定，随后通过步骤SD2将磁控管12的输出功率取为P2，通过步骤SD3实施输出设定处理模式B(请参见图49)。在步骤SD4中，在该计时器t的计数值达到预热时间t4之前，反复步骤SD3实施处理，当该计时器t的计数值达到预热时间t4时，实施返回处理。

在如上所述的预热处理中由于可以设定最大预热时间，所以即使红外线检测元件出现故障，也可以自动地结束预热处理。另外，作为预热控制对象的元件数目，取为八个红外线检测元件中的四个，然而并不限于此。

另外，在本实施形式的预热处理中，在步骤S706的判断结果为，通过烘烤用热敏电阻59检测到的加热腔室10温度为超过预定温度的场合，在实施预热控制处理模式C或预热控制处理模式D中，仅仅在预定的时间里对磁控管12实施控制驱动。而且，对于步骤S706的判断结果为通过烘烤用热敏电阻59检测到的加热腔室10温度，为超过预定温度的场合，通过步骤S707相应于红外线传感器7的红外线检测元件的检测输出，实施选择处理。另外，在预热控制处理模式A～预热控制处理模式D之间的分岔点上，以取烘烤用热敏电阻59的检测温度作为条件，另外，在预热控制处理模式A～预热控制处理模式D中，分别设定有磁控管12的输出功率。比如说，若移到预热控制处理模式D，则如果反相器的温度不达到超过Ti2，磁控管12的输出功率取为P2。采用这种构成形式，本实施形式中加热腔室10的温度，也成为了确定磁控管12输出功率的主要因素。

另外，在本实施形式的预热处理中，在步骤S707和步骤S708中，对温度值Tdnave0(红外线传感器7中的八个红外线检测元件由磁控管12开始实施加热之后，对初始加热腔室10之内的温度实施检测用扫描时，检测到的温度的平均值)中的最大值和预定值(Tdave1或Tdave2)实施比较，相应于该比较结果，通过步骤S709～步骤S712，对预热控制模式A～预热控制模式D中的不同预热时间实施设定。换句话说就是，相应于由磁控管12实施振荡产生高频波束起的预定时间里微波炉用烧烤器皿80的温度，对预热时间实施设定。另外，步骤S707或步骤S708中作为判断对象的温度，也可以不采用温度值Tdnave0的最大值，而是采用由磁控管12实施振荡产生高频波束之前的温度。

下面参考图52，对步骤S10中的微波炉烧烤烹调处理(请参见图37)进行详细说明。

在微波炉烧烤烹调处理中，控制电路30首先通过步骤S101开始对磁控管12实施驱动，通过步骤S102等待第一阶段烹调时间的结束。当已经经过第一阶段的烹调时间时，通过步骤S103停止对磁控管12的驱动作业，并且通过诸如蜂鸣器等向使用者告知有关第一阶段结束的信息。在这时，如上所述，通过诸如显示部60等，向使用者提示出需要对微波炉用烧烤器皿80上的食品实施翻转作业的信息。

控制电路30通过步骤S104，等待用于开始实施加热的操作，随后通过步骤S105，再次对磁控管12实施驱动。

控制电路30通过步骤S106等待第二阶段烹调时间的经过，当已经经过第二阶段的烹调时间时，通过步骤S107停止对磁控管12的驱动作业，并且实施返回处理。

在如上所述的烧烤烹调处理中，为了能够提高食品风味最好使作为将食品翻转后的烹调用的第二阶段的烹调时间，比实施翻转之前的烹调用的第一阶段烹调时间更短。

在通过步骤S105对磁控管12实施再次驱动之后，即在开始第二阶段烹调之后，最好暂时使磁控管12的输出功率比较高。因为在步骤S103～步骤S104的处理中，暂时停止对磁控管12的驱动，所以加热腔室10和微波炉用烧烤器皿80的温度较低。

即使在实施微波炉烧烤烹调处理和两面烧烤烹调处理时，磁控管12的输出功率，也可以与实施预热处理的场合相同，对于反相器温度比较高的场合使其输出功率比较低。另外，对于第一阶段中磁控管12的输出功率比较低的场合，为了能够对其输出功率低下实施补偿，最好延长第二阶段的烹调时间。

另外，这种微波炉1是按照反相器的温度比较高时可以降低磁控管12的输出功率的形式构成的，而且，也可以即使在用于使其输出功率降低的条件成立的场合，在剩余的烹调时间比较少时，不使该输出功率降低。

下面参考图53，对步骤S26中的两面烧烤烹调处理(请参见图38)进行详细说明。

在两面烧烤烹调处理中，控制电路30首先通过步骤S261对磁控管12实施驱动，通过步骤S262判断当前是否选择为手动两面烧烤烹调处理。对于判断结果为选择了手动两面烧烤烹调处理的场合，通过步骤S263依据通过步骤S13设定的烹调时间，按照预定的形式确定第一阶段的烹调时间和第二阶段的烹调时间，随后进入步骤S264实施处理。当步骤S262的判断结果为未选择实施手动两面烧烤烹调处理时，直接进入步骤S264实施处理。

在步骤S263中，可以通过自动确定第一阶段烹调时间和第二阶段烹调时间的方式，在使用者仅仅输入整体的烹调时间时，由微波炉1适当的实施两面烧烤烹调处理。

通过步骤S264等待第一阶段烹调时间的经过，并进入步骤S265实施处理。通过步骤S265停止对磁控管12的驱动作业，随后开始对烤架加热器51实施驱动。通过步骤S267等待第二阶段烹调时间的经过，并进入步骤S268实施处理。

通过步骤S268停止对烤架加热器51实施的驱动，并进行返回处理。

在如上所述的两面烧烤烹调处理中，放置在微波炉用烧烤器皿80上的食品的上侧表面通过烤架加热器51形成烤痂，下侧表面通过微波炉用烧烤器皿80上的高频发热体81形成烤痂，而且通过高频波束对食品的内部实施加热，可以在更短的时间里实现加热。另外，比较好的是同时对磁控管12和烤架加热器51实施驱动，但是因受到一般家庭中插座的最大容量(断路器容量为15～20安(A))的限制，所以如前述实施形式中所述的方式，分别实施高频波束加热和加热器加热，进而完成烹调作业。

对于在微波炉1的加热腔室10之内，如图10、图17所示在若干层中选择微波炉用烧烤器皿80的设置位置的场合的、如在实施两面烧烤烹调处理时那样，在通过烤架加热器51对食品表面实施形成烤痂的烹调处理中，微波炉用烧烤器皿80最好如图10所示，设置在能够使食品更靠近烤架加热器51的位置处。另外，控制电路30可以将与指示微波炉用烧烤器皿80设置位置用的相关信息，显示在显示部60处。

上面所公开的实施形式中的全部内容均是以举例形式给出的，本发明并不仅限于此。本发明可以进行各种变形。

Claims (17)

1.一种高频加热装置，具有：

收装被加热物品用的加热腔室；

对所述加热腔室实施开闭操作用的门；

振荡产生高频波束用的磁控管；

将由所述磁控管振荡产生出的高频波束由所述加热腔室的底面处，导入至所述加热腔室之内用的波导管；

放置所述被加热物品而被收装在所述加热腔室之内的、在背面处配置有吸收高频波束以产生热量的高频发热体的加热器皿；

以及由收装在所述加热腔室处的所述加热器皿的下侧方，将通过所述波导管导入的高频波束传递至该加热器皿的上侧方处用的传送通路。

2.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于所述加热腔室在与设置在其内部处的所述加热器皿相邻接的部分处，形成有构成所述加热器皿与加热腔室的内壁间间隙用的凹部。

3.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于所述加热器皿在加热器皿底部的比加热器皿底部周边更靠内侧的部位，配置有所述高频发热体。

4.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有设置在所述加热器皿上方处的加热器。

5.如权利要求3所述的高频加热装置，其特征在于所述传送通路的、沿与所述高频波束行进方向相交方向上从高频发热体周边到加热腔室内壁之间的尺寸，为该高频波束波长的1/4以上。

6.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于在所述加热腔室的内壁面上设置有第一面，以及与该第一面相对的第二面；

而且还进一步包含有形成在所述第一面和所述第二面上的、支撑所述加热器皿用的轨道；

位于所述第一面和所述第二面上的轨道，由按照一定间隔设置在同一面上的若干个部件构成。

7.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于所述加热器皿在其底部放置所述被加热物品的表面的周边处，形成有沟槽部。

8.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于所述加热器皿的最下部位于比所述高频发热体更下方的位置处。

9.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、可通过转动方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线；

以及控制所述转动天线转动用的转动控制部，

所述转动控制部在所述磁控管振荡产生出微波时，在与所述加热器皿的收装高度相对应的位置处，停止所述转动天线的转动。

10.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、可通过转动方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线，

所述加热器皿中的所述高频发热体的与所述加热腔室内的高频波束行进方向相交的平面面积，在所述加热器皿与所述加热腔室内可以对被加热物品实施放置的最低平面之间的距离为所述高频波束波长的1/8时，与所述转动天线的沿水平方向的面积相同，上述距离比所述高频波束波长的1/8越长，所述平面面积比转动天线沿水平方向的面积越大，上述距离比所述高频波束波长的1/8越短，所述平面面积比转动天线沿水平方向的面积越小。

11.如权利要求10所述的高频加热装置，其特征在于所述加热器皿在所述加热腔室之内，收装在与加热腔室内可以对被加热物品实施放置的最低平面之间的距离为所述高频波束波长的1/8的位置处。

12.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有配置在所述加热腔室之内的、通过转动的方式将所述波导管内的高频波束扩散至所述加热腔室之内用的转动天线；

以及设置在所述加热腔室之内、位于所述转动天线的周边外侧处的反射板，

所述加热腔室与所述波导管相连接，

还进一步设置有位于所述加热腔室之内的、设置在加热腔室与所述波导管相连接部分相邻并在波导管之上的位置处的、收装所述转动天线用的天线收装部，

作为转动天线的周边与天线收装部周边的壁面之间的平面距离的设置间隔并未保持为一定的场合，所述反射板设置在所述设置间隔为最大的位置处。

13.如权利要求12所述的高频加热装置，其特征在于所述反射板的前端部沿所述微波行进方向，位于比所述转动天线更靠近前方的位置处。

14.如权利要求12所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有设置在所述转动天线周边的外侧处的加热器，

所述反射板配置在所述加热器和所述转动天线之间。

15.如权利要求12所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有设置在所述加热腔室内壁处的、具有朝向所述加热腔室内部呈凸起形状的、在向所述加热腔室之内导入微波时所述加热器皿位于影响微波导入的位置处的场合与该加热器皿相抵接的第一凸部，

所述磁控管仅在所述门处于闭合状态时振荡产生出微波，

所述加热器皿通过与所述第一凸部相抵接的方式，阻挡所述门闭合住所述加热腔室的操作。

16.如权利要求12所述的高频加热装置，其特征在于还进一步包含有对所述加热腔室内的食品实施加热作业用的加热器；

收装在所述加热腔室之内的、当通过所述加热器实施加热时放置被加热物品的、由金属制成的金属器皿；

以及设置在所述加热腔室内壁处的、具有朝向所述加热腔室内部呈凸起形状的、在向所述加热腔室之内导入微波时所述金属器皿位于影响微波导入的位置处的场合与该金属器皿相抵接的第二凸部，

所述磁控管仅在所述门处于闭合状态时振荡产生出微波，

所述金属器皿通过与所述第二凸部相抵接的方式，阻挡所述门闭合住所述加热腔室的操作，

所述加热器皿具有下述形状，其形状即使所述加热器皿设置在所述加热腔室之内的可设置的任何位置处时也不会与所述第二凸部相抵接。

17.如权利要求1所述的高频加热装置，其特征在于所述高频发热体具有下述厚度，其厚度使所述高频发热体中的高频波束的吸收量和透射量的比例相等。

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