JP2003253456A - メッキ方法 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1633—Process of electroless plating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の無電解金メッキ浴の問題を解決するこ
と 【解決手段】 触媒としてのパラジウム付着物を用い
て、金属基材上に無電解金層を付着させる方法が開示さ
れる。そのような無電解金層は、従来の無電解金付着物
と比べて、接着性を向上させた。
と 【解決手段】 触媒としてのパラジウム付着物を用い
て、金属基材上に無電解金層を付着させる方法が開示さ
れる。そのような無電解金層は、従来の無電解金付着物
と比べて、接着性を向上させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、概して、無電解金属メ
ッキの分野に関する。特に、本発明は、無電解金メッキ
の分野に関する。
ッキの分野に関する。特に、本発明は、無電解金メッキ
の分野に関する。
【０００２】
【従来技術】浸漬または置換メッキは無電解メッキ方法
であるが、当該分野において別の分類を与えられる。浸
漬メッキにおいては、付着は、基材からの元素金属を、
メッキ溶液中の金属イオンで置き換えることにより成さ
れる。無電解メッキにおいて、付着は、主に、溶液から
の金属イオンの自己触媒的還元により成される。そのよ
うな無電解メッキは還元剤の存在を必要とする。
であるが、当該分野において別の分類を与えられる。浸
漬メッキにおいては、付着は、基材からの元素金属を、
メッキ溶液中の金属イオンで置き換えることにより成さ
れる。無電解メッキにおいて、付着は、主に、溶液から
の金属イオンの自己触媒的還元により成される。そのよ
うな無電解メッキは還元剤の存在を必要とする。
【０００３】浸漬メッキは、外部電流を用いず、むし
ろ、溶液から付着される金属に対して起電列中における
基材金属の位置により駆動される電気化学的置換反応で
ある。メッキ浴中に溶解された金属が、メッキ浴と接触
されるより活性な（貴金属性の低い）金属により置換さ
れるときにメッキが起こる。
ろ、溶液から付着される金属に対して起電列中における
基材金属の位置により駆動される電気化学的置換反応で
ある。メッキ浴中に溶解された金属が、メッキ浴と接触
されるより活性な（貴金属性の低い）金属により置換さ
れるときにメッキが起こる。
【０００４】プリント基板の製造において、はんだ付け
可能な仕上げは、典型的に、はんだマスクのようなマス
クを通して晒されるパッドおよび／またはスルーホール
を有するプリント基板に適用される。そのようなはんだ
付け可能な仕上げは、無電解メッキは望ましくないこと
にマスク表面上に金属を付着させることもあるので、浸
漬メッキにより適用されることが多い。浸漬メッキ反応
は電気化学的電位の相違により駆動されるので、メッキ
は、露出された金属領域のみに起こる。例えば、米国特
許第５，１４３，５４４号（Ｉａｎｔｏｓｃａ）は、プ
リント基板基材上に、はんだ付け可能な仕上げとして好
適な錫−鉛合金を浸漬メッキするための溶液を開示して
いる。しかしながら、プリント基板の製造において用い
るための、より環境的に許容される鉛代替物への要望が
高まっている。すなわち、電子部品において鉛および鉛
合金を用いることは将来に不安がある。例えば、米国特
許第５，５３６，９０８号（Ｅｔｃｈｅｌｌｓら）を参
照されたい。
可能な仕上げは、典型的に、はんだマスクのようなマス
クを通して晒されるパッドおよび／またはスルーホール
を有するプリント基板に適用される。そのようなはんだ
付け可能な仕上げは、無電解メッキは望ましくないこと
にマスク表面上に金属を付着させることもあるので、浸
漬メッキにより適用されることが多い。浸漬メッキ反応
は電気化学的電位の相違により駆動されるので、メッキ
は、露出された金属領域のみに起こる。例えば、米国特
許第５，１４３，５４４号（Ｉａｎｔｏｓｃａ）は、プ
リント基板基材上に、はんだ付け可能な仕上げとして好
適な錫−鉛合金を浸漬メッキするための溶液を開示して
いる。しかしながら、プリント基板の製造において用い
るための、より環境的に許容される鉛代替物への要望が
高まっている。すなわち、電子部品において鉛および鉛
合金を用いることは将来に不安がある。例えば、米国特
許第５，５３６，９０８号（Ｅｔｃｈｅｌｌｓら）を参
照されたい。
【０００５】金は、より環境的に許容される鉛の代替物
であり、その電気抵抗が低く、腐食性物質による攻撃に
反応性が低いので、電子産業において、接触表面用金属
として長い間用いられてきた。そのような金付着物は、
典型的に、無電解または浸漬金メッキ浴を用いてメッキ
されてきた。特に、金は、古くから、はんだ付け可能な
仕上げを提供するために、ニッケルアンダーコートの上
に用いられてきた。典型的に、ニッケルアンダーコート
は無電解的に適用されるが、金は浸漬により付着され
る。そのような方法は、無電解ニッケル−浸漬金または
「ＥＮＩＧ」と呼ばれる。
であり、その電気抵抗が低く、腐食性物質による攻撃に
反応性が低いので、電子産業において、接触表面用金属
として長い間用いられてきた。そのような金付着物は、
典型的に、無電解または浸漬金メッキ浴を用いてメッキ
されてきた。特に、金は、古くから、はんだ付け可能な
仕上げを提供するために、ニッケルアンダーコートの上
に用いられてきた。典型的に、ニッケルアンダーコート
は無電解的に適用されるが、金は浸漬により付着され
る。そのような方法は、無電解ニッケル−浸漬金または
「ＥＮＩＧ」と呼ばれる。
【０００６】無電解金メッキ浴は、還元剤を含む。典型
的還元剤はチオウレアおよびアルキルチオウレア誘導
体、エノール含有化合物、例えば、アスコルビン酸（Ａ
ｎｄｒａｓｃｅｋらの米国特許第４，４８１，０３５号
を参照）、およびホウ素含有化合物、例えば、アルキル
ボランおよびホウ水素化物である。これらの従来のメッ
キ浴は、ある欠点を有している。例えば、還元剤として
チオウレアを含む浴は、許容できる付着速度を達成する
ために約８０〜９０℃に加熱しなくてはならない。その
ような温度は、一部の電子パッケージ材料を用いる用途
には高すぎる。また、そのような温度において、メッキ
溶液は不安定になり、望まれる基材上のみに金付着を生
成する代わりに溶液全体に金の細かい粒子を自然に形成
することがある。ホウ素含有化合物を還元剤として用い
る場合、そのような化合物は、まず、その速度が温度と
共に上昇する加水分解反応を起す。ホウ素含有還元剤の
多くが、望ましくない副反応において消費され、その濃
度の制御がかなり困難になる。
的還元剤はチオウレアおよびアルキルチオウレア誘導
体、エノール含有化合物、例えば、アスコルビン酸（Ａ
ｎｄｒａｓｃｅｋらの米国特許第４，４８１，０３５号
を参照）、およびホウ素含有化合物、例えば、アルキル
ボランおよびホウ水素化物である。これらの従来のメッ
キ浴は、ある欠点を有している。例えば、還元剤として
チオウレアを含む浴は、許容できる付着速度を達成する
ために約８０〜９０℃に加熱しなくてはならない。その
ような温度は、一部の電子パッケージ材料を用いる用途
には高すぎる。また、そのような温度において、メッキ
溶液は不安定になり、望まれる基材上のみに金付着を生
成する代わりに溶液全体に金の細かい粒子を自然に形成
することがある。ホウ素含有化合物を還元剤として用い
る場合、そのような化合物は、まず、その速度が温度と
共に上昇する加水分解反応を起す。ホウ素含有還元剤の
多くが、望ましくない副反応において消費され、その濃
度の制御がかなり困難になる。
【０００７】無電解金メッキ浴の一つの従来の形態は、
チオ硫酸イオン系であり、亜硫酸イオンで安定化され
る。そのような浴は、典型的には、６以下のｐＨで操作
された場合は不安定であるが、それは、そのようなｐＨ
条件下において二酸化硫黄が浴から遊離されるからであ
る。チオ硫酸イオンは酸溶液中で分解して元素硫黄およ
び亜硫酸イオンを生じることが知られている。チオ硫酸
ナトリウムの水溶液を約４〜５のｐＨに調整すると、溶
液は、元素硫黄の形成により曇る。しかしながら、前記
溶液に亜硫酸ナトリウムも添加すると、元素硫黄は生成
せず、溶液は安定で透明である。従って、従来技術の金
属メッキ溶液において亜硫酸ナトリウムが用いられ、チ
オ硫酸ナトリウムが溶液の安定化のために用いられてい
た。しかしながら、そのような亜硫酸ナトリウムを用い
る問題は、亜硫酸イオン自体が穏やかな酸性溶液中で安
定で無く、それにより、二酸化硫黄がゆっくり形成さ
れ、溶液から遊離されることである。より酸性の溶液の
場合、二酸化イオンの形成速度がより速い。これによ
り、亜硫酸ナトリウムの消費量が多くなり、酸性溶液中
での金属−チオ硫酸複合体が不安定になる。
チオ硫酸イオン系であり、亜硫酸イオンで安定化され
る。そのような浴は、典型的には、６以下のｐＨで操作
された場合は不安定であるが、それは、そのようなｐＨ
条件下において二酸化硫黄が浴から遊離されるからであ
る。チオ硫酸イオンは酸溶液中で分解して元素硫黄およ
び亜硫酸イオンを生じることが知られている。チオ硫酸
ナトリウムの水溶液を約４〜５のｐＨに調整すると、溶
液は、元素硫黄の形成により曇る。しかしながら、前記
溶液に亜硫酸ナトリウムも添加すると、元素硫黄は生成
せず、溶液は安定で透明である。従って、従来技術の金
属メッキ溶液において亜硫酸ナトリウムが用いられ、チ
オ硫酸ナトリウムが溶液の安定化のために用いられてい
た。しかしながら、そのような亜硫酸ナトリウムを用い
る問題は、亜硫酸イオン自体が穏やかな酸性溶液中で安
定で無く、それにより、二酸化硫黄がゆっくり形成さ
れ、溶液から遊離されることである。より酸性の溶液の
場合、二酸化イオンの形成速度がより速い。これによ
り、亜硫酸ナトリウムの消費量が多くなり、酸性溶液中
での金属−チオ硫酸複合体が不安定になる。
【０００８】浸漬金メッキ浴は、前記還元剤により引き
起こされる欠点の多くを回避する。しかしながら、その
ような浸漬メッキ浴は、典型的には、適切な操作のため
に約７０℃以上のような高いメッキ温度を必要とし、厚
い金層は付着させない。そのような高温は、一部の電子
パッケージ材料に適さないことが多い。自動的には金を
付着させず、置換メッキのみによっては金を付着させな
いハイブリッド無電解金浴が提案された。そのようなハ
イブリッド金浴は従来技術の無電解および浸漬金メッキ
浴の問題を克服するかも知れないが、得られる金付着物
はニッケルまたはニッケル被覆基材のような基材に充分
に付着しない。
起こされる欠点の多くを回避する。しかしながら、その
ような浸漬メッキ浴は、典型的には、適切な操作のため
に約７０℃以上のような高いメッキ温度を必要とし、厚
い金層は付着させない。そのような高温は、一部の電子
パッケージ材料に適さないことが多い。自動的には金を
付着させず、置換メッキのみによっては金を付着させな
いハイブリッド無電解金浴が提案された。そのようなハ
イブリッド金浴は従来技術の無電解および浸漬金メッキ
浴の問題を克服するかも知れないが、得られる金付着物
はニッケルまたはニッケル被覆基材のような基材に充分
に付着しない。
【０００９】欧州特許第１０２１５９３Ｂ１号（Ｂａｃ
ｋｕｓら）は、パラジウム上に金を付着させるのに特に
適した無電解金メッキ浴を開示している。この特許にお
いて、金層が連続パラジウム層上に無電解付着される
が、これは、そのようなメッキ浴が、ニッケルのような
他の金属上にはメッキできないからである。
ｋｕｓら）は、パラジウム上に金を付着させるのに特に
適した無電解金メッキ浴を開示している。この特許にお
いて、金層が連続パラジウム層上に無電解付着される
が、これは、そのようなメッキ浴が、ニッケルのような
他の金属上にはメッキできないからである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、基材、特に
ニッケルまたはニッケル被覆基材に優れた接着性を有す
る金層を付着させる方法であって、従来の無電解金メッ
キ浴の問題を解決する方法が要求されている。
ニッケルまたはニッケル被覆基材に優れた接着性を有す
る金層を付着させる方法であって、従来の無電解金メッ
キ浴の問題を解決する方法が要求されている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】驚くべきことに、浸漬を
含む無電解の金メッキ浴から、接着性の高い金層を基材
上に付着させ得ることが発見された。そのような接着性
の金属層は、まず、基材を少なくとも触媒量のパラジウ
ムに接触させ、次に、基材を無電解金メッキ浴に接触さ
せることにより付着される。
含む無電解の金メッキ浴から、接着性の高い金層を基材
上に付着させ得ることが発見された。そのような接着性
の金属層は、まず、基材を少なくとも触媒量のパラジウ
ムに接触させ、次に、基材を無電解金メッキ浴に接触さ
せることにより付着される。
【００１２】一つの態様において、本発明は、金属の上
に金層を付着させる方法であって、ａ）金属をパラジウ
ム浴に接触させる工程、およびｂ）次に、金属を無電解
金メッキ浴に接触させる工程、を含んでなる方法を提供
する。
に金層を付着させる方法であって、ａ）金属をパラジウ
ム浴に接触させる工程、およびｂ）次に、金属を無電解
金メッキ浴に接触させる工程、を含んでなる方法を提供
する。
【００１３】もう一つの態様において、本発明は、無電
解メッキ金層の金属への接着を向上させる方法であっ
て、ａ）金属をパラジウム浴に接触させる工程、および
ｂ）次に、金属を無電解金メッキ浴に接触させる工程、
を含んでなる方法を提供する。
解メッキ金層の金属への接着を向上させる方法であっ
て、ａ）金属をパラジウム浴に接触させる工程、および
ｂ）次に、金属を無電解金メッキ浴に接触させる工程、
を含んでなる方法を提供する。
【００１４】さらにもう一つの態様において、本発明
は、ニッケル層、パラジウム種または不連続パラジウム
層、および金層を順に含んでなる物品を提供する。その
ような金層は、典型的には、無電解メッキされる。
は、ニッケル層、パラジウム種または不連続パラジウム
層、および金層を順に含んでなる物品を提供する。その
ような金層は、典型的には、無電解メッキされる。
【００１５】さらなる、態様において、本発明は、電子
デバイスを製造する方法であって、ａ）電子デバイス基
材上に配された金属層をパラジウム浴に接触させる工
程、およびｂ）次に、金属層を無電解金メッキ浴に接触
させる工程を含んでなる方法を提供する。
デバイスを製造する方法であって、ａ）電子デバイス基
材上に配された金属層をパラジウム浴に接触させる工
程、およびｂ）次に、金属層を無電解金メッキ浴に接触
させる工程を含んでなる方法を提供する。
【００１６】この明細書全体で用いられる際、以下の略
語は特記しない限り以下の意味を有する。℃＝摂氏温
度、°Ｆ＝華氏温度、ｇ＝グラム、Ｌ＝リッター、ｍＬ
＝ミリリッター、μｉｎ＝マイクロインチ、ＤＩ＝脱イ
オン、ｍｉｎ＝分。「付着」および「めっき」は、本明
細書全体において互いに交換可能に用いられる。「アル
キル」は線形、分岐および環式アルキルを意味する。
「ハロゲン化物」はフッ化物、塩化物、臭化物およびヨ
ウ化物を意味する。同様に、「ハロ」はフルオロ、クロ
ロ、ブロモおよびヨードを意味する。特記しない限り、
２以上の置換基を有する芳香族化合物は、オルト、メタ
およびパラ置換を含む。全ての百分率は、特記しない限
り重量基準である。全ての数値範囲は両端の値を含み、
そのような数値範囲が１００％まで付加されることが明
らかである場合を除いて、任意の順番で組み合わせ可能
である。
語は特記しない限り以下の意味を有する。℃＝摂氏温
度、°Ｆ＝華氏温度、ｇ＝グラム、Ｌ＝リッター、ｍＬ
＝ミリリッター、μｉｎ＝マイクロインチ、ＤＩ＝脱イ
オン、ｍｉｎ＝分。「付着」および「めっき」は、本明
細書全体において互いに交換可能に用いられる。「アル
キル」は線形、分岐および環式アルキルを意味する。
「ハロゲン化物」はフッ化物、塩化物、臭化物およびヨ
ウ化物を意味する。同様に、「ハロ」はフルオロ、クロ
ロ、ブロモおよびヨードを意味する。特記しない限り、
２以上の置換基を有する芳香族化合物は、オルト、メタ
およびパラ置換を含む。全ての百分率は、特記しない限
り重量基準である。全ての数値範囲は両端の値を含み、
そのような数値範囲が１００％まで付加されることが明
らかである場合を除いて、任意の順番で組み合わせ可能
である。
【００１７】本発明は、金属のような基材の上に金層を
付着させる方法であって、ａ）金属をパラジウム浴に接
触させる工程、およびｂ）次に、金属を無電解金メッキ
浴に接触させる工程、を含んでなる方法を提供する。金
属は、典型的には、パラジウム浴に、金属の表面上にパ
ラジウムを付着させるのに充分な時間、接触される。い
かなる量のパラジウムでも、無電解的に付着された金の
接触力の向上に充分である。そのようなパラジウム付着
物は金属上のパラジウムの連続層、パラジウムの不連続
層、または金属上に付着されたパラジウム種であってよ
い。「パラジウム種」は、分離したまたは単独のパラジ
ウム付着物を意味する。「パラジウムの不連続層」は、
パラジウムの層が、下側の基材または金属のメッキ可能
表面全体を覆わないことを意味する。パラジウムの不連
続層は、パラジウム含有不連続体または空隙の層であ
る。連続パラジウム層よりも、パラジウム種または不連
続パラジウム層を付着させるのが好ましい。特定の用途
においては、連続層が有利であり得る。本発明のパラジ
ウム付着物は、後で無電解的に付着される金の層の接着
性を向上させる。
付着させる方法であって、ａ）金属をパラジウム浴に接
触させる工程、およびｂ）次に、金属を無電解金メッキ
浴に接触させる工程、を含んでなる方法を提供する。金
属は、典型的には、パラジウム浴に、金属の表面上にパ
ラジウムを付着させるのに充分な時間、接触される。い
かなる量のパラジウムでも、無電解的に付着された金の
接触力の向上に充分である。そのようなパラジウム付着
物は金属上のパラジウムの連続層、パラジウムの不連続
層、または金属上に付着されたパラジウム種であってよ
い。「パラジウム種」は、分離したまたは単独のパラジ
ウム付着物を意味する。「パラジウムの不連続層」は、
パラジウムの層が、下側の基材または金属のメッキ可能
表面全体を覆わないことを意味する。パラジウムの不連
続層は、パラジウム含有不連続体または空隙の層であ
る。連続パラジウム層よりも、パラジウム種または不連
続パラジウム層を付着させるのが好ましい。特定の用途
においては、連続層が有利であり得る。本発明のパラジ
ウム付着物は、後で無電解的に付着される金の層の接着
性を向上させる。
【００１８】パラジウム浴は、パラジウムと酸を含む限
り、本発明での使用に適している。従って、電解または
無電解パラジウムメッキ浴を用いることができる。電解
メッキ浴を用いる場合、電流無しで用いられる。好まし
いパラジウム浴は無電解パラジウム浴であり、より好ま
しくは、浸漬浴、最も好ましくは、パラジウム触媒浴で
ある。そのようなパラジウム触媒浴は、浸漬パラジウム
浴であり、当業者に良く知られており、典型的には、従
来の無電解パラジウムメッキ浴よりも低い濃度でパラジ
ウムを含む。適当な無電解パラジウムメッキ浴は、１〜
１０ｇ／Ｌのパラジウムを可溶性パラジウム塩として、
および還元剤、安定化剤および錯化剤を含む。適当なパ
ラジウム触媒浴は、少なくとも１０ｐｐｍ、好ましくは
少なくとも２５ｐｐｍ、より好ましくは少なくとも５０
ｐｐｍのパラジウムをパラジウム塩として含む。パラジ
ウム触媒浴中のパラジウムの特に適している量は、パラ
ジウム塩として５０〜２００ｐｐｍ、好ましくは５０〜
１５０ｐｐｍである。限定はされないが、塩化パラジウ
ムのようなパラジウムハロゲン化物、酢酸パラジウム、
グルコン酸パラジウム、パラジウムテトラミンクロライ
ドのようなパラジウムアミンハロゲン化物、クエン酸パ
ラジウム、酒石酸パラジウム等のような任意の可溶性パ
ラジウム塩を用いることができる。パラジウム塩は、パ
ラジウムテトラミンクロライドであることが好ましい。
そのようなパラジウム触媒メッキ浴は酸、好ましくは鉱
酸、および水のような溶媒も含む。適当なパラジウム浴
は、通常、市販されており、例えば、マサチューセッツ
州マールボロ（Ｍａｒｌ ｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ）在シ
プレイ社（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃａｍｐａｎｙ）からＲｏ
ｎａｍｅｒｓｅ ＳＭＴ Ｃａｔａｌｙｓｔの商品名で
得られる。
り、本発明での使用に適している。従って、電解または
無電解パラジウムメッキ浴を用いることができる。電解
メッキ浴を用いる場合、電流無しで用いられる。好まし
いパラジウム浴は無電解パラジウム浴であり、より好ま
しくは、浸漬浴、最も好ましくは、パラジウム触媒浴で
ある。そのようなパラジウム触媒浴は、浸漬パラジウム
浴であり、当業者に良く知られており、典型的には、従
来の無電解パラジウムメッキ浴よりも低い濃度でパラジ
ウムを含む。適当な無電解パラジウムメッキ浴は、１〜
１０ｇ／Ｌのパラジウムを可溶性パラジウム塩として、
および還元剤、安定化剤および錯化剤を含む。適当なパ
ラジウム触媒浴は、少なくとも１０ｐｐｍ、好ましくは
少なくとも２５ｐｐｍ、より好ましくは少なくとも５０
ｐｐｍのパラジウムをパラジウム塩として含む。パラジ
ウム触媒浴中のパラジウムの特に適している量は、パラ
ジウム塩として５０〜２００ｐｐｍ、好ましくは５０〜
１５０ｐｐｍである。限定はされないが、塩化パラジウ
ムのようなパラジウムハロゲン化物、酢酸パラジウム、
グルコン酸パラジウム、パラジウムテトラミンクロライ
ドのようなパラジウムアミンハロゲン化物、クエン酸パ
ラジウム、酒石酸パラジウム等のような任意の可溶性パ
ラジウム塩を用いることができる。パラジウム塩は、パ
ラジウムテトラミンクロライドであることが好ましい。
そのようなパラジウム触媒メッキ浴は酸、好ましくは鉱
酸、および水のような溶媒も含む。適当なパラジウム浴
は、通常、市販されており、例えば、マサチューセッツ
州マールボロ（Ｍａｒｌ ｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ）在シ
プレイ社（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃａｍｐａｎｙ）からＲｏ
ｎａｍｅｒｓｅ ＳＭＴ Ｃａｔａｌｙｓｔの商品名で
得られる。
【００１９】本発明のパラジウムメッキ浴は、室温（約
２０℃）未満から約６０℃までの種々の温度で用いるこ
とができる。典型的な温度範囲は２３℃〜６０℃、好ま
しくは２５℃〜５８℃である。
２０℃）未満から約６０℃までの種々の温度で用いるこ
とができる。典型的な温度範囲は２３℃〜６０℃、好ま
しくは２５℃〜５８℃である。
【００２０】金属は、充分なパラジウムを付着させて、
続いて、パラジウム付着物無しで付着された金の層と比
べて向上した接着性を有する無電解付着金層を提供する
のに充分な期間、パラジウム浴に接触される。典型的に
は、少なくとも５秒、好ましくは少なくとも１０秒、よ
り好ましくは少なくとも３０秒の接触時間で充分であ
る。特に好適な接触時間は５〜６００秒、好ましくは１
０〜３００秒、より好ましくは３０〜１８０秒である。
パラジウム浴との接触に続いて、金メッキの前に、金属
を、例えば水を用いて任意に濯ぐ。
続いて、パラジウム付着物無しで付着された金の層と比
べて向上した接着性を有する無電解付着金層を提供する
のに充分な期間、パラジウム浴に接触される。典型的に
は、少なくとも５秒、好ましくは少なくとも１０秒、よ
り好ましくは少なくとも３０秒の接触時間で充分であ
る。特に好適な接触時間は５〜６００秒、好ましくは１
０〜３００秒、より好ましくは３０〜１８０秒である。
パラジウム浴との接触に続いて、金メッキの前に、金属
を、例えば水を用いて任意に濯ぐ。
【００２１】本発明において、任意の無電解金メッキ浴
を用いることができる。通常、無電解金メッキ浴は水、
一種または二種以上の可溶性金化合物、一種または二種
以上の錯化剤、均一性向上剤、および任意に、一種また
は二種以上の還元剤を含む。
を用いることができる。通常、無電解金メッキ浴は水、
一種または二種以上の可溶性金化合物、一種または二種
以上の錯化剤、均一性向上剤、および任意に、一種また
は二種以上の還元剤を含む。
【００２２】メッキ浴に金（Ｉ）を提供するいかなる種
々の水溶性金化合物も、本発明で用いることができる。
適当な金化合物としては、限定はされないが、チオ硫酸
三ナトリウム金およびチオ硫酸三カリウム金のようなチ
オ硫酸アルカリ金；亜硫酸ナトリウム金および亜硫酸カ
リウム金のような亜硫酸アルカリ金化合物；亜硫酸アン
モニウム金；塩化金のような金ハロゲン化物；シアン化
ナトリウム金およびシアン化カリウム金のようなシアン
化アルカリ金化合物；およびシアン化アンモニウム金が
ある。しかしながら、本発明の組成物が、シアン化物イ
オンおよび亜硫酸イオンを実質的に含まないことが好ま
しい。「実質的に含まない」というのは、本発明の組成
物がそのようなイオンを０．０５ｇ／Ｌ未満含むことを
意味する。本発明の組成物がシアン化物イオンおよび亜
硫酸イオンを含まないことが、さらに好ましい。
々の水溶性金化合物も、本発明で用いることができる。
適当な金化合物としては、限定はされないが、チオ硫酸
三ナトリウム金およびチオ硫酸三カリウム金のようなチ
オ硫酸アルカリ金；亜硫酸ナトリウム金および亜硫酸カ
リウム金のような亜硫酸アルカリ金化合物；亜硫酸アン
モニウム金；塩化金のような金ハロゲン化物；シアン化
ナトリウム金およびシアン化カリウム金のようなシアン
化アルカリ金化合物；およびシアン化アンモニウム金が
ある。しかしながら、本発明の組成物が、シアン化物イ
オンおよび亜硫酸イオンを実質的に含まないことが好ま
しい。「実質的に含まない」というのは、本発明の組成
物がそのようなイオンを０．０５ｇ／Ｌ未満含むことを
意味する。本発明の組成物がシアン化物イオンおよび亜
硫酸イオンを含まないことが、さらに好ましい。
【００２３】当業者は、水溶性金塩は電解質組成物に直
接添加されるか、またはその場で生成し得ると解する。
例えば、シアン化カリウム金は、水に所定量の水不溶性
シアン化金および所定量のシアン化カリウムを添加して
水溶性シアン化カリウム金を形成することにより、電解
質組成物中でその場で調製することができる。
接添加されるか、またはその場で生成し得ると解する。
例えば、シアン化カリウム金は、水に所定量の水不溶性
シアン化金および所定量のシアン化カリウムを添加して
水溶性シアン化カリウム金を形成することにより、電解
質組成物中でその場で調製することができる。
【００２４】一種または二種以上の水溶性金化合物の合
計量は、典型的には、０．１〜６０ｇ／Ｌである。好ま
しくは、金化合物は、０．５〜１５ｇ／Ｌ、より好まし
くは０．５〜５ｇ／Ｌ存在する。そのような水溶性金化
合物は、通常、種々の供給者から市販されており、また
は当該分野で良く知られた方法により調製することがで
きる。
計量は、典型的には、０．１〜６０ｇ／Ｌである。好ま
しくは、金化合物は、０．５〜１５ｇ／Ｌ、より好まし
くは０．５〜５ｇ／Ｌ存在する。そのような水溶性金化
合物は、通常、種々の供給者から市販されており、また
は当該分野で良く知られた方法により調製することがで
きる。
【００２５】真の無電解の（自己触媒）金メッキ浴が望
まれる場合、典型的には還元剤が用いられる。ニッケル
の酸化に好ましい酸化剤として作用する、またはニッケ
ル層のバイポーラー付加の傾向を最小化し得る任意の還
元剤が、本発明において有用である。適当な還元剤は、
当業者に明らかであり、限定はされないが、種々の無機
化合物、窒素含有化合物およびその誘導体、有機化合物
およびその誘導体、または抗酸化活性を有するそれらの
混合物である。好ましい窒素含有化合物には、ヒドラジ
ン水和物およびヒドラジン硫酸塩、およびヒドロキシル
アミンおよびその塩、または、ヒドロキシルアミンのよ
うな他の誘導体、硫酸塩、塩化ヒドロキシルアミンおよ
びリン酸ヒドロキシルアミンがある。電解質溶液中に容
易に溶解し得るこれらの化合物の塩または他の形態が好
ましい。他の適当な窒素含有化合物には、窒素がその最
高酸化状態でない窒素化合物塩がある。このタイプの適
当な化合物には、限定はされないが、亜硝酸または窒化
物含有化合物がある。これらのうち、亜硝酸カリウムお
よび亜硝酸ナトリウムのようなアルカリ金属亜硝酸塩お
よび亜硝酸ナトリウムが好ましい。さらに適当な還元剤
には、有機酸化防止剤、例えば、アスコルビン酸、アス
コルビン酸塩およびそれらの誘導体、トコフェロールお
よびその誘導体、および蟻酸、蟻酸塩およびそれらの誘
導体がある。
まれる場合、典型的には還元剤が用いられる。ニッケル
の酸化に好ましい酸化剤として作用する、またはニッケ
ル層のバイポーラー付加の傾向を最小化し得る任意の還
元剤が、本発明において有用である。適当な還元剤は、
当業者に明らかであり、限定はされないが、種々の無機
化合物、窒素含有化合物およびその誘導体、有機化合物
およびその誘導体、または抗酸化活性を有するそれらの
混合物である。好ましい窒素含有化合物には、ヒドラジ
ン水和物およびヒドラジン硫酸塩、およびヒドロキシル
アミンおよびその塩、または、ヒドロキシルアミンのよ
うな他の誘導体、硫酸塩、塩化ヒドロキシルアミンおよ
びリン酸ヒドロキシルアミンがある。電解質溶液中に容
易に溶解し得るこれらの化合物の塩または他の形態が好
ましい。他の適当な窒素含有化合物には、窒素がその最
高酸化状態でない窒素化合物塩がある。このタイプの適
当な化合物には、限定はされないが、亜硝酸または窒化
物含有化合物がある。これらのうち、亜硝酸カリウムお
よび亜硝酸ナトリウムのようなアルカリ金属亜硝酸塩お
よび亜硝酸ナトリウムが好ましい。さらに適当な還元剤
には、有機酸化防止剤、例えば、アスコルビン酸、アス
コルビン酸塩およびそれらの誘導体、トコフェロールお
よびその誘導体、および蟻酸、蟻酸塩およびそれらの誘
導体がある。
【００２６】種々の金錯化剤を、本発明で用いることが
できる。適当な金錯化剤には、限定はされないが、チオ
硫酸、チオ硫酸塩、例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ
硫酸カリウムおよびチオ硫酸アンモニウム、エチレンジ
アミン四酢酸およびその塩、ニトリロ三酢酸等がある。
チオ硫酸およびチオ硫酸塩が好ましい。最も好ましいの
はチオ硫酸ナトリウムである。
できる。適当な金錯化剤には、限定はされないが、チオ
硫酸、チオ硫酸塩、例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ
硫酸カリウムおよびチオ硫酸アンモニウム、エチレンジ
アミン四酢酸およびその塩、ニトリロ三酢酸等がある。
チオ硫酸およびチオ硫酸塩が好ましい。最も好ましいの
はチオ硫酸ナトリウムである。
【００２７】チオ硫酸イオンを用いる場合、チオ硫酸ア
ルカリ（例えば、ナトリウムまたはカリウム）またはチ
オ硫酸アンモニウムのような任意の溶液可溶性状態で適
用することができ、チオ硫酸ナトリウム五水和物が最も
経済的であり容易に入手できる供給源である。
ルカリ（例えば、ナトリウムまたはカリウム）またはチ
オ硫酸アンモニウムのような任意の溶液可溶性状態で適
用することができ、チオ硫酸ナトリウム五水和物が最も
経済的であり容易に入手できる供給源である。
【００２８】そのような一種または二種以上の錯化剤
は、典型的に、０．１〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは１〜
１００ｇ／Ｌの合計量で存在する。錯化剤のより好まし
い量は、５〜７５ｇ／Ｌ、さらにより好ましくは１０〜
６０ｇ／Ｌである。一種または二種以上の錯化剤は、通
常、市販されており、または当該分野でよく知られてい
る方法により調製することができる。
は、典型的に、０．１〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは１〜
１００ｇ／Ｌの合計量で存在する。錯化剤のより好まし
い量は、５〜７５ｇ／Ｌ、さらにより好ましくは１０〜
６０ｇ／Ｌである。一種または二種以上の錯化剤は、通
常、市販されており、または当該分野でよく知られてい
る方法により調製することができる。
【００２９】チオ硫酸塩を錯化剤として用いる場合、チ
オ硫酸イオン用の一種または二種以上の有機安定化剤化
合物が金メッキ浴中に存在することが好ましい。本発明
で有用な一種または二種以上の有機安定化剤化合物は、
式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）アル
キル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは水素
または一価カチオンを表す）で示される。Ｙの適当な一
価カチオンは、ナトリウムおよびカリウムのようなアル
カリ金属である。Ｙが水素であることが好ましい。Ｒの
アルキル基の例としては、限定はされないが、メチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ネオペン
チル、ヘキシル、オクチルおよびデシルがある。典型的
なアリール基は、芳香環に５〜１４個の原子を含むもの
である。適当なアリール基には、限定はされないが、フ
ェニル；トリルおよびキシリルのような（Ｃ１〜Ｃ６）
アルキルアリール；ナフチル：およびビスフェノールＡ
がある。適当なヘテロアリール基には、限定はされない
が、フラニル、ピリジル、チオフェニル等がある。Ｒが
アリール基であることが好ましく、より好ましくはフェ
ニルである。
オ硫酸イオン用の一種または二種以上の有機安定化剤化
合物が金メッキ浴中に存在することが好ましい。本発明
で有用な一種または二種以上の有機安定化剤化合物は、
式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）アル
キル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは水素
または一価カチオンを表す）で示される。Ｙの適当な一
価カチオンは、ナトリウムおよびカリウムのようなアル
カリ金属である。Ｙが水素であることが好ましい。Ｒの
アルキル基の例としては、限定はされないが、メチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ネオペン
チル、ヘキシル、オクチルおよびデシルがある。典型的
なアリール基は、芳香環に５〜１４個の原子を含むもの
である。適当なアリール基には、限定はされないが、フ
ェニル；トリルおよびキシリルのような（Ｃ１〜Ｃ６）
アルキルアリール；ナフチル：およびビスフェノールＡ
がある。適当なヘテロアリール基には、限定はされない
が、フラニル、ピリジル、チオフェニル等がある。Ｒが
アリール基であることが好ましく、より好ましくはフェ
ニルである。
【００３０】当業者は、置換（Ｃ１〜Ｃ１８）アルキ
ル、アリールまたはヘテロアリールが本発明の範囲に入
ることを理解する。「置換（Ｃ１〜Ｃ１８）アルキル、
アリールまたはヘテロアリール」は、（Ｃ１〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール基上の一種ま
たは二種以上の水素が一種または二種以上の置換基で置
換されていることを意味する。適当な置換基には、限定
はされないが、ハロ、ヒドロキシ、（Ｃ１〜Ｃ６）アル
コキシ、カルボ（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシ、ニトロ、チ
オ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルチオ等がある。
ル、アリールまたはヘテロアリールが本発明の範囲に入
ることを理解する。「置換（Ｃ１〜Ｃ１８）アルキル、
アリールまたはヘテロアリール」は、（Ｃ１〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール基上の一種ま
たは二種以上の水素が一種または二種以上の置換基で置
換されていることを意味する。適当な置換基には、限定
はされないが、ハロ、ヒドロキシ、（Ｃ１〜Ｃ６）アル
コキシ、カルボ（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシ、ニトロ、チ
オ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルチオ等がある。
【００３１】通常、一種または二種以上の有機安定化剤
化合物が、少なくとも０．５ｇ／Ｌ、好ましくは少なく
とも１ｇ／Ｌの量で用いられる。一種または二種以上の
有機安定化剤化合物の量の実用的上限は、組成物中にお
けるそのような化合物の飽和限界である。好ましくは、
一種または二種以上の有機安定化剤化合物が、２ｇ／Ｌ
〜２５ｇ／Ｌ、より好ましくは３ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの
量で用いられる。有機安定化剤化合物の特に好適な量は
３ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌである。そのような有機安定化剤
化合物は、通常、市販されており、または当該分野でよ
く知られている方法により調製することができる。
化合物が、少なくとも０．５ｇ／Ｌ、好ましくは少なく
とも１ｇ／Ｌの量で用いられる。一種または二種以上の
有機安定化剤化合物の量の実用的上限は、組成物中にお
けるそのような化合物の飽和限界である。好ましくは、
一種または二種以上の有機安定化剤化合物が、２ｇ／Ｌ
〜２５ｇ／Ｌ、より好ましくは３ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの
量で用いられる。有機安定化剤化合物の特に好適な量は
３ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌである。そのような有機安定化剤
化合物は、通常、市販されており、または当該分野でよ
く知られている方法により調製することができる。
【００３２】理論に拘泥されることを意図しないが、特
にチオ硫酸イオンを用いる場合、穏やかな酸性条件下
に、有機安定化剤化合物が無電解金メッキ組成物を安定
化させ、それにより、溶液が放置時に分離せず、チオ硫
酸イオンの場合に認識され得る量の二酸化硫黄が放出さ
れないと考えられる。
にチオ硫酸イオンを用いる場合、穏やかな酸性条件下
に、有機安定化剤化合物が無電解金メッキ組成物を安定
化させ、それにより、溶液が放置時に分離せず、チオ硫
酸イオンの場合に認識され得る量の二酸化硫黄が放出さ
れないと考えられる。
【００３３】一種または二種以上の均一性向上剤を、金
メッキ浴に添加することができる。そのような均一性向
上剤は、典型的には、キレート化を提供し得る有機カル
ボン酸である。理論に拘泥されることを意図しないが、
そのような均一性向上剤は、さらに、穏やかな還元剤と
して作用することができる。これらの均一性向上剤は、
そのような化合物を含まない組成物により提供されるよ
りも、より均一な金付着物を提供することがわかった。
適当な均一性向上剤には、ジおよびトリカルボン酸化合
物のようなポリカルボン酸、ヒドロキシ置換カルボン酸
化合物等がある。均一性向上剤はジカルボン酸であるこ
とが好ましい。均一性向上剤の例としては、蓚酸、アス
コルビン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロ
ン酸、乳酸、オキサ乳酸および酒石酸があるが、これら
に限定されない。他の適当な均一性向上剤には、フタル
酸、アジピン酸、コハク酸およびグルタル酸がある。好
ましい均一性向上剤は、蓚酸、マロン酸、アスコルビン
酸およびクエン酸である。蓚酸が最も好ましい均一性向
上剤である。
メッキ浴に添加することができる。そのような均一性向
上剤は、典型的には、キレート化を提供し得る有機カル
ボン酸である。理論に拘泥されることを意図しないが、
そのような均一性向上剤は、さらに、穏やかな還元剤と
して作用することができる。これらの均一性向上剤は、
そのような化合物を含まない組成物により提供されるよ
りも、より均一な金付着物を提供することがわかった。
適当な均一性向上剤には、ジおよびトリカルボン酸化合
物のようなポリカルボン酸、ヒドロキシ置換カルボン酸
化合物等がある。均一性向上剤はジカルボン酸であるこ
とが好ましい。均一性向上剤の例としては、蓚酸、アス
コルビン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロ
ン酸、乳酸、オキサ乳酸および酒石酸があるが、これら
に限定されない。他の適当な均一性向上剤には、フタル
酸、アジピン酸、コハク酸およびグルタル酸がある。好
ましい均一性向上剤は、蓚酸、マロン酸、アスコルビン
酸およびクエン酸である。蓚酸が最も好ましい均一性向
上剤である。
【００３４】通常、一種または二種以上の均一性向上剤
が、０．１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ、好ましくは１ｇ／Ｌ〜
１５ｇ／Ｌの量で用いられる。均一性向上剤の特に好適
な量は２ｇ／Ｌ〜８ｇ／Ｌである
が、０．１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ、好ましくは１ｇ／Ｌ〜
１５ｇ／Ｌの量で用いられる。均一性向上剤の特に好適
な量は２ｇ／Ｌ〜８ｇ／Ｌである
【００３５】好ましい金メッキ浴組成物は、ａ）一種ま
たは二種以上のチオ硫酸アルカリ金属金化合物０．５ｇ
／Ｌ〜１５ｇ／Ｌ、ｂ）チオ硫酸またはチオ硫酸アルカ
リ金属塩からなる群より選択される一種または二種以上
の金錯化剤１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、ｃ）式：Ｒ−ＳＯ
２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）アルキル、アリー
ルまたはヘテロアリール、およびＹは水素または一価カ
チオンを表す）で示される一種または二種以上の有機安
定化剤化合物２ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌ、および蓚酸１ｇ／
Ｌ〜１５ｇ／Ｌを含む。
たは二種以上のチオ硫酸アルカリ金属金化合物０．５ｇ
／Ｌ〜１５ｇ／Ｌ、ｂ）チオ硫酸またはチオ硫酸アルカ
リ金属塩からなる群より選択される一種または二種以上
の金錯化剤１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、ｃ）式：Ｒ−ＳＯ
２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）アルキル、アリー
ルまたはヘテロアリール、およびＹは水素または一価カ
チオンを表す）で示される一種または二種以上の有機安
定化剤化合物２ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌ、および蓚酸１ｇ／
Ｌ〜１５ｇ／Ｌを含む。
【００３６】金メッキ組成物は、さらに、ｐＨ調節化合
物を含む。組成物の安定性または性能に悪影響を与えな
い限り、任意のｐＨ調節化合物を用いてよい。適当なｐ
Ｈ調節化合物には、リン酸二水素カリウム、リン酸一水
素ジカリウム、リン酸三カリウムのようなリン酸塩、お
よびホウ酸等がある。用いられるそのようなｐＨ調節化
合物の量は、維持すべき望ましいｐＨおよび選択される
特定のｐＨ調節化合物に依存する。例えば、リン酸二水
素カリウムは、典型的に、１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ、好ま
しくは５ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌの量で用いられる。通常、
本組成物はｐＨ３〜９、好ましくはｐＨ４〜８、より好
ましくはｐＨ５〜７．５に維持される。
物を含む。組成物の安定性または性能に悪影響を与えな
い限り、任意のｐＨ調節化合物を用いてよい。適当なｐ
Ｈ調節化合物には、リン酸二水素カリウム、リン酸一水
素ジカリウム、リン酸三カリウムのようなリン酸塩、お
よびホウ酸等がある。用いられるそのようなｐＨ調節化
合物の量は、維持すべき望ましいｐＨおよび選択される
特定のｐＨ調節化合物に依存する。例えば、リン酸二水
素カリウムは、典型的に、１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ、好ま
しくは５ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌの量で用いられる。通常、
本組成物はｐＨ３〜９、好ましくはｐＨ４〜８、より好
ましくはｐＨ５〜７．５に維持される。
【００３７】組成物は通常、水を含む。いかなる等級の
水も適しているが、脱イオン水が好ましい。
水も適しているが、脱イオン水が好ましい。
【００３８】本発明の金メッキ組成物は、任意に、界面
活性剤のような添加剤を一種または二種以上含んでよ
い。アニオン性および非イオン性界面活性剤が好ましい
界面活性剤であり、アニオン性界面活性剤がより好まし
い。適当なアニオン性界面活性剤には、グリセリドのリ
ン酸エステルをはじめとする脂肪族アルコールのリン酸
エステルのようなリン酸エステルがあり、好ましくは、
長鎖脂肪族アルコールのリン酸エステルである。適当な
アニオン性リン酸エステル界面活性剤には、それぞれロ
ーディア（Ｒｈｏｄｉａ）およびクロンプトン社（Ｃｒ
ｏｍｐｔｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手され
るＲＨＯＤＡＦＡＣおよびＥＭＰＨＯＳの商品名で販売
されているものがある。そのような界面活性剤は、典型
的に、０．１ｇ／Ｌ〜２ｇ／Ｌの量で用いられる。
活性剤のような添加剤を一種または二種以上含んでよ
い。アニオン性および非イオン性界面活性剤が好ましい
界面活性剤であり、アニオン性界面活性剤がより好まし
い。適当なアニオン性界面活性剤には、グリセリドのリ
ン酸エステルをはじめとする脂肪族アルコールのリン酸
エステルのようなリン酸エステルがあり、好ましくは、
長鎖脂肪族アルコールのリン酸エステルである。適当な
アニオン性リン酸エステル界面活性剤には、それぞれロ
ーディア（Ｒｈｏｄｉａ）およびクロンプトン社（Ｃｒ
ｏｍｐｔｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手され
るＲＨＯＤＡＦＡＣおよびＥＭＰＨＯＳの商品名で販売
されているものがある。そのような界面活性剤は、典型
的に、０．１ｇ／Ｌ〜２ｇ／Ｌの量で用いられる。
【００３９】そのような金メッキ組成物は、前記成分を
任意の順番で組み合わせることにより調製することがで
きる。塩化金を用いる場合、金錯化剤、有機安定化剤化
合物および均一性向上剤を組成物に添加した後、組成物
に添加されることが好ましい。好ましくは、組成物のｐ
Ｈは、塩化金の添加中に５以上に維持される。ｐＨは、
例えば、水酸化カリウムのような水酸化物の添加により
維持することができる。
任意の順番で組み合わせることにより調製することがで
きる。塩化金を用いる場合、金錯化剤、有機安定化剤化
合物および均一性向上剤を組成物に添加した後、組成物
に添加されることが好ましい。好ましくは、組成物のｐ
Ｈは、塩化金の添加中に５以上に維持される。ｐＨは、
例えば、水酸化カリウムのような水酸化物の添加により
維持することができる。
【００４０】通常、そのような金メッキ浴は、使用中
に、典型的には２５℃〜９５℃に加熱される。好ましく
は、この浴は、３０℃〜９０℃、より好ましくは４５℃
〜８０℃に加熱される。
に、典型的には２５℃〜９５℃に加熱される。好ましく
は、この浴は、３０℃〜９０℃、より好ましくは４５℃
〜８０℃に加熱される。
【００４１】基材上の望ましい金付着物の厚さは、基材
が本メッキ組成物と接触する時間を制御することにより
調節される。
が本メッキ組成物と接触する時間を制御することにより
調節される。
【００４２】本発明は、金を、種々の基材上、特に、金
より電気的陽性度が低い金属上に付着させるのに、すな
わち、伝統的浸漬メッキ手段に、特に適している。金よ
り電気的陽性度が低い典型的金属としては、限定はされ
ないが、ニッケル、銅および鉄がある。金より電気的陽
性度が低い二種以上の金属を用いることができる。例え
ば、銅の層上のニッケル層が、本発明により金を付着さ
せるのに適した基材である。すなわち、本発明は、金よ
り電気的陽性度が低い金属を含む基材をパラジウム浴に
接触させ、次に、基材を無電解金メッキ浴に接触させる
ことを含んでなる、金より電気的陽性度が低い金属の上
に金を付着させる方法を、さらに提供する。
より電気的陽性度が低い金属上に付着させるのに、すな
わち、伝統的浸漬メッキ手段に、特に適している。金よ
り電気的陽性度が低い典型的金属としては、限定はされ
ないが、ニッケル、銅および鉄がある。金より電気的陽
性度が低い二種以上の金属を用いることができる。例え
ば、銅の層上のニッケル層が、本発明により金を付着さ
せるのに適した基材である。すなわち、本発明は、金よ
り電気的陽性度が低い金属を含む基材をパラジウム浴に
接触させ、次に、基材を無電解金メッキ浴に接触させる
ことを含んでなる、金より電気的陽性度が低い金属の上
に金を付着させる方法を、さらに提供する。
【００４３】本発明は、プリント基板、集積回路、集積
回路パッケージ等のような電子デバイスの製造において
特に有用である。本発明は、電子デバイスを製造する方
法であって、ａ）電子デバイス基材上に配された金属層
をパラジウム浴に接触させる工程、およびｂ）次に、金
属層を、無電解金メッキ浴に接触させる工程を含んでな
る方法を提供する。別の実施形態において、電子デバイ
ス基材を、パラジウム浴に、パラジウム種または不連続
パラジウム層を付着させるのに充分な時間接触させる工
程、および次に、基材を、ａ）一種または二種以上の水
溶性金化合物、ｂ）一種または二種以上の金錯化剤、
ｃ）式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ １〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは
水素または一価カチオンを表す）で示される一種または
二種以上の有機安定化剤化合物、およびｄ）一種または
二種以上の均一性向上剤を含む無電解金メッキ組成物
に、所望の金層を付着させるのに充分な時間接触させる
工程を含む方法により金層を付着させることができる。
特に好適な集積回路パッケージには、限定はされない
が、鉛フレーム、ウエハ上のパッド、セラミックパッケ
ージ等がある。本発明は、ハンダ性金仕上げ剤をプリン
ト基板上に適用する、または金を集積回路上に付着させ
るのにも適している。
回路パッケージ等のような電子デバイスの製造において
特に有用である。本発明は、電子デバイスを製造する方
法であって、ａ）電子デバイス基材上に配された金属層
をパラジウム浴に接触させる工程、およびｂ）次に、金
属層を、無電解金メッキ浴に接触させる工程を含んでな
る方法を提供する。別の実施形態において、電子デバイ
ス基材を、パラジウム浴に、パラジウム種または不連続
パラジウム層を付着させるのに充分な時間接触させる工
程、および次に、基材を、ａ）一種または二種以上の水
溶性金化合物、ｂ）一種または二種以上の金錯化剤、
ｃ）式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ １〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは
水素または一価カチオンを表す）で示される一種または
二種以上の有機安定化剤化合物、およびｄ）一種または
二種以上の均一性向上剤を含む無電解金メッキ組成物
に、所望の金層を付着させるのに充分な時間接触させる
工程を含む方法により金層を付着させることができる。
特に好適な集積回路パッケージには、限定はされない
が、鉛フレーム、ウエハ上のパッド、セラミックパッケ
ージ等がある。本発明は、ハンダ性金仕上げ剤をプリン
ト基板上に適用する、または金を集積回路上に付着させ
るのにも適している。
【００４４】本発明の利点は、パラジウム種または不連
続パラジウム層としての基材上に、パラジウムを触媒的
に付着させることにより、触媒パラジウム付着物を有さ
ない基材上に付着された金と比べて、非常に優れた接着
性を有する無電解付着された金層がその後提供されるこ
とである。これは、基材がニッケルの場合に特にあては
まる。驚くべきことに、基材上のパラジウムの連続層
は、必ずしも、高度に接着性の金層を提供しない。
続パラジウム層としての基材上に、パラジウムを触媒的
に付着させることにより、触媒パラジウム付着物を有さ
ない基材上に付着された金と比べて、非常に優れた接着
性を有する無電解付着された金層がその後提供されるこ
とである。これは、基材がニッケルの場合に特にあては
まる。驚くべきことに、基材上のパラジウムの連続層
は、必ずしも、高度に接着性の金層を提供しない。
【００４５】
【実施例】以下の実施例により本発明のさらに種々の態
様を説明するが、いかなる場合にも本発明の範囲を制限
するものではない。
様を説明するが、いかなる場合にも本発明の範囲を制限
するものではない。
【００４６】実施例１
表１中の成分を示された量で組み合わせることにより金
メッキ浴を調製した。
メッキ浴を調製した。
【００４７】
【表１】
【００４８】浴のｐＨは約５．５であった。浴の温度は
１２０°Ｆ（約４９℃）に維持した。
１２０°Ｆ（約４９℃）に維持した。
【００４９】実施例２
酸銅メッキしたＦＲ４クーポン（１インチ×０．５イン
チ）に、市販の無電解ニッケル製品（マサチューセッツ
州マールボロ在シプレイ社製のＥＶＥＲＯＮ（登録商
標）ＳＭＴ無電解ニッケル）を用いてニッケルメッキし
た。標準的メッキ条件（１９０°Ｆ）を用いて、１２μ
インチ／分の速度でニッケルを付着させた。無電解ニッ
ケルメッキに続いて、ニッケル被膜を濯いだ。
チ）に、市販の無電解ニッケル製品（マサチューセッツ
州マールボロ在シプレイ社製のＥＶＥＲＯＮ（登録商
標）ＳＭＴ無電解ニッケル）を用いてニッケルメッキし
た。標準的メッキ条件（１９０°Ｆ）を用いて、１２μ
インチ／分の速度でニッケルを付着させた。無電解ニッ
ケルメッキに続いて、ニッケル被膜を濯いだ。
【００５０】濯ぎ後、ニッケル被覆したＦＲ４クーポン
を、パラジウム触媒浴（シプレイ社から入手されるＲｏ
ｎａｍｅｒｓｅ ＳＭＴ触媒）と１分間接触させた。パ
ラジウム触媒浴は、塩化パラジウムテトラミンとしての
パラジウム１００ｐｐｍ、塩酸１７０ｍＬ／ＬおよびＤ
Ｉ水７３０ｍＬ／Ｌを含んでいた。パラジウム浴との接
触後、サンプルは、わずかに観察されるパラジウム付着
物しか含んでおらず、表面全体にパラジウムの全面的な
層を含まなかった。すなわち、ニッケル層上に、パラジ
ウム種しか付着されなかった。サンプルを、次に、実施
例１の金メッキ浴に接触させた。金をニッケル上に、２
μインチ／分の速度で付着させた。金メッキ後、基材を
メッキ浴から除去し、濯ぎ、乾燥した。金付着物を分析
すると、厚さが４〜７μインチであった。
を、パラジウム触媒浴（シプレイ社から入手されるＲｏ
ｎａｍｅｒｓｅ ＳＭＴ触媒）と１分間接触させた。パ
ラジウム触媒浴は、塩化パラジウムテトラミンとしての
パラジウム１００ｐｐｍ、塩酸１７０ｍＬ／ＬおよびＤ
Ｉ水７３０ｍＬ／Ｌを含んでいた。パラジウム浴との接
触後、サンプルは、わずかに観察されるパラジウム付着
物しか含んでおらず、表面全体にパラジウムの全面的な
層を含まなかった。すなわち、ニッケル層上に、パラジ
ウム種しか付着されなかった。サンプルを、次に、実施
例１の金メッキ浴に接触させた。金をニッケル上に、２
μインチ／分の速度で付着させた。金メッキ後、基材を
メッキ浴から除去し、濯ぎ、乾燥した。金付着物を分析
すると、厚さが４〜７μインチであった。
【００５１】実施例３（比較例）
金メッキ前にパラジウムメッキ触媒にサンプルを接触さ
せなかった以外は、実施例２の手順を繰り返した。
せなかった以外は、実施例２の手順を繰り返した。
【００５２】実施例４
メッキＦＲ４サンプル上に付着された金層の接着性を、
従来のテープテストを用いて評価した。実施例２（本発
明）および実施例３（比較例）により調製されたサンプ
ルに、透明テープ（ミネソタ州セントポール在の３Ｍか
ら入手されるＳｃｏｔｃｈブランド）を適用した。テー
プを、サンプル上に押し付けて、金層への優れた接着を
提供した。次に、テープを除去し、テープに接着してい
る金の存在について試験した。実施例２のサンプルから
除去されたテープは、金を含んでいなかった。従って、
メッキＦＲ４サンプル上に全ての金が維持されており、
高度に接着性の金付着物であることが示された。実施例
３のサンプルから除去されたテープは金を含んでいた。
従って、メッキサンプルから金が除去されており、金付
着物の接着性が劣ることが示された。データから分かる
ように、無電解的に金を付着させる前に、ニッケルメッ
キサンプルをパラジウムメッキ浴に接触させると、高度
に接着性の金付着物が提供される。
従来のテープテストを用いて評価した。実施例２（本発
明）および実施例３（比較例）により調製されたサンプ
ルに、透明テープ（ミネソタ州セントポール在の３Ｍか
ら入手されるＳｃｏｔｃｈブランド）を適用した。テー
プを、サンプル上に押し付けて、金層への優れた接着を
提供した。次に、テープを除去し、テープに接着してい
る金の存在について試験した。実施例２のサンプルから
除去されたテープは、金を含んでいなかった。従って、
メッキＦＲ４サンプル上に全ての金が維持されており、
高度に接着性の金付着物であることが示された。実施例
３のサンプルから除去されたテープは金を含んでいた。
従って、メッキサンプルから金が除去されており、金付
着物の接着性が劣ることが示された。データから分かる
ように、無電解的に金を付着させる前に、ニッケルメッ
キサンプルをパラジウムメッキ浴に接触させると、高度
に接着性の金付着物が提供される。
【００５３】実施例５（比較例）
ウエハ上のアルミニウムパッドに、市販の無電解ニッケ
ル製品（マサチューセッツ州マールボロ在シプレイ社製
のＥＶＥＲＯＮ（登録商標）ＢＰ無電解ニッケル）を用
いてニッケルメッキした。標準的メッキ条件（１８５〜
１９０°Ｆ）を用いて、１０〜１２μインチ／分の速度
でニッケルを付着させた。無電解ニッケルメッキに続い
て、ニッケル被膜を濯いだ。
ル製品（マサチューセッツ州マールボロ在シプレイ社製
のＥＶＥＲＯＮ（登録商標）ＢＰ無電解ニッケル）を用
いてニッケルメッキした。標準的メッキ条件（１８５〜
１９０°Ｆ）を用いて、１０〜１２μインチ／分の速度
でニッケルを付着させた。無電解ニッケルメッキに続い
て、ニッケル被膜を濯いだ。
【００５４】濯ぎ後、ニッケル被覆したアルミニウム基
材を、実施例１の金メッキ浴と接触させた。金を、約２
μインチ／分の速度でニッケル上に付着させた。金メッ
キ後、基材をメッキ浴から除去し、濯ぎ、乾燥した。
材を、実施例１の金メッキ浴と接触させた。金を、約２
μインチ／分の速度でニッケル上に付着させた。金メッ
キ後、基材をメッキ浴から除去し、濯ぎ、乾燥した。
【００５５】実施例６
ニッケルメッキ後かつ金メッキ前に、ウエハパッドを、
実施例２のパラジウム触媒浴に１分間接触させた以外
は、実施例５の手順を繰り返した。パラジウム浴と接触
後、ウエハは、わずかに観察されるパラジウム付着物し
か含んでおらず、表面全体にパラジウムの全面的または
完全な層を含まなかった。すなわち、ニッケル層上に、
パラジウム種しか付着されなかった。パラジウム浴と接
触後、ウエハパッドを実施例５の金メッキ浴に接触させ
た。
実施例２のパラジウム触媒浴に１分間接触させた以外
は、実施例５の手順を繰り返した。パラジウム浴と接触
後、ウエハは、わずかに観察されるパラジウム付着物し
か含んでおらず、表面全体にパラジウムの全面的または
完全な層を含まなかった。すなわち、ニッケル層上に、
パラジウム種しか付着されなかった。パラジウム浴と接
触後、ウエハパッドを実施例５の金メッキ浴に接触させ
た。
【００５６】実施例７
実施例５〜６のメッキしたウエハパッド上の金層の接着
性を、実施例４のテープ試験を用いて評価した。実施例
５のメッキしたウエハパッドから除去されたテープは金
を含んでいた。従って、ウエハパッドから金が除去さ
れ、接着性に劣ることが示された。実施例６のメッキさ
れたウエハパッドから除去されたテープは、金を含まな
かった。従って、メッキされたウエハパッド上に全ての
金が維持されており、高度に接着性の金付着物が示され
た。データから分かるように、ニッケルメッキしたサン
プルを、パラジウムメッキ浴に、無電解的に金を付着さ
せる前にパラジウム種を付着させるのに充分な時間接触
させると、高度に接着性の金付着物が得られる。
性を、実施例４のテープ試験を用いて評価した。実施例
５のメッキしたウエハパッドから除去されたテープは金
を含んでいた。従って、ウエハパッドから金が除去さ
れ、接着性に劣ることが示された。実施例６のメッキさ
れたウエハパッドから除去されたテープは、金を含まな
かった。従って、メッキされたウエハパッド上に全ての
金が維持されており、高度に接着性の金付着物が示され
た。データから分かるように、ニッケルメッキしたサン
プルを、パラジウムメッキ浴に、無電解的に金を付着さ
せる前にパラジウム種を付着させるのに充分な時間接触
させると、高度に接着性の金付着物が得られる。
【００５７】本発明をその特定の実施形態に基づいて詳
細に説明したが、請求の範囲から離れることなく、種々
の変化および修正を設けることができ、等価物を用いる
ことができることが当業者には明らかである。
細に説明したが、請求の範囲から離れることなく、種々
の変化および修正を設けることができ、等価物を用いる
ことができることが当業者には明らかである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 マリアナ・カンズラー
アメリカ合衆国ニューヨーク州11706，ベ
イショア，ガーディナー・ドライブ・1063
Ｆターム(参考） 4K022 AA02 BA03 BA31 DA01 DB04
DB05 DB07
Claims (10)
- 【請求項１】 金属の上に金層を付着させる方法であっ
て、ａ）金属をパラジウム浴に接触させる工程、および
ｂ）次に、金属を無電解金メッキ浴に接触させる工程、
を含んでなる方法。 - 【請求項２】 金属を、パラジウム浴に、パラジウム種
または不連続パラジウム層を付着させるのに充分な期
間、接触させる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 期間が１０〜３００秒である請求項２に
記載の方法。 - 【請求項４】 パラジウム浴が少なくとも２５ｐｐｍの
パラジウムを含む請求項１〜３のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項５】 パラジウム浴が５０〜２００ｐｐｍのパ
ラジウムを含む請求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 無電解金メッキ浴が ａ）一種または二種以上の水溶性金化合物、 ｂ）一種または二種以上の金錯化剤、 ｃ）式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは
水素または一価カチオンを表す）で示される一種または
二種以上の有機安定化剤化合物、および ｄ）一種または二種以上の均一性向上剤を含む請求項１
〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）電子デバイス基材上に配された金属層をパラジウム
浴に接触させる工程、およびｂ）次に、金属層を無電解
金メッキ浴に接触させる工程を含んでなる方法。 - 【請求項８】 金属層を、パラジウム浴に、パラジウム
種または不連続パラジウム層を付着させるのに充分な期
間、接触させる請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 無電解金メッキ浴が ａ）一種または二種以上の水溶性金化合物、 ｂ）一種または二種以上の金錯化剤、 ｃ）式：Ｒ−ＳＯ２−Ｙ（式中、Ｒは（Ｃ１〜Ｃ１８）
アルキル、アリールまたはヘテロアリール、およびＹは
水素または一価カチオンを表す）で示される一種または
二種以上の有機安定化剤化合物、および ｄ）一種または二種以上の均一性向上剤を含む請求項７
または８に記載の方法。 - 【請求項１０】 ニッケル層、パラジウム種または不連
続パラジウム層、および金層を順に含んでなる物品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34064501P | 2001-12-14 | 2001-12-14 | |
| US60/340645 | 2001-12-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253456A true JP2003253456A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=23334331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002362333A Pending JP2003253456A (ja) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | メッキ方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6911230B2 (ja) |
| EP (1) | EP1319734A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003253456A (ja) |
| KR (1) | KR20030051236A (ja) |
| CN (1) | CN1428456A (ja) |
| TW (1) | TW200303372A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP4375702B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2009-12-02 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | めっき組成物 |
| DE102004030800B4 (de) * | 2004-06-25 | 2017-05-18 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte |
| WO2006074902A2 (de) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Verfahren zur abscheidung von palladiumschichten und palladiumbad hierfür |
| US20080166837A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-07-10 | Tao Feng | Power MOSFET wafer level chip-scale package |
| US20090139264A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Rachel Brown | Antique jewelry articles and methods of making same |
| US20100055422A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Bob Kong | Electroless Deposition of Platinum on Copper |
| US8834729B2 (en) * | 2009-11-30 | 2014-09-16 | Eastman Kodak Company | Method of making bondable printed wiring member |
| US20140170328A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Noram Engineering And Constructors Ltd. | Electroless plating of ruthenium and ruthenium-plated products |
| CA2918939C (en) | 2013-07-24 | 2021-10-26 | National Research Council Of Canada | Process for depositing metal on a substrate |
| JP6340053B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2018-06-06 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウム／金めっきプロセス |
| CN108650801B (zh) * | 2018-04-02 | 2020-07-10 | 皆利士多层线路版(中山)有限公司 | 厚铜线路板的沉金方法 |
| CN114945246A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-26 | 深圳市松柏实业发展有限公司 | 线路板的除钯工艺、非金属孔的钯钝化剂及其制备方法 |
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| DE4431847C5 (de) | 1994-09-07 | 2011-01-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Substrat mit bondfähiger Beschichtung |
| DE19745602C1 (de) | 1997-10-08 | 1999-07-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren und Lösung zur Herstellung von Goldschichten |
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-
2002
- 2002-11-23 US US10/303,687 patent/US6911230B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2002-12-05 KR KR1020020076790A patent/KR20030051236A/ko not_active Application Discontinuation
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- 2002-12-12 CN CN02156724A patent/CN1428456A/zh active Pending
- 2002-12-13 JP JP2002362333A patent/JP2003253456A/ja active Pending
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