TW200303372A

TW200303372A - Method of depositing gold layer on metal, method of manufacturing electronic device, and article

Info

Publication number: TW200303372A
Application number: TW091135641A
Authority: TW
Inventors: Miriana Kanzler
Original assignee: Shipley Co Llc
Priority date: 2001-12-14
Filing date: 2002-12-10
Publication date: 2003-09-01
Also published as: US20040018308A1; CN1428456A; US6911230B2; JP2003253456A; KR20030051236A; EP1319734A1

Description

200303372 __ '五、/發明說明ο) [發明所屬之技術領域] 本發明大體上係關於無電金屬鍍覆之領域。詳言之，本發明係關於無電金鍍覆之領域。 [先前技術] ，沉浸式或置換式鍍覆係無電鍍覆法，但於此技藝中卻歸於不同類別。沉浸式鍍覆中，係以鍍覆溶液之金屬離子置換基材之元素金屬而沈積。無電鍍覆沈積中，主要藉由溶液之金屬離子之自催化性還原而產生沈積。此等無電鍍覆必需於還原劑存在下進行。籲沉浸式鍍覆不用外加電流而係使用基材金屬相對於溶液之欲沈積金屬之電動勢系列中的位置所驅動之電化學置換反應。當鍍覆浴中經溶解之金屬利用與該鍍覆浴接觸而經更具活性（較不具惰性）之金屬置換時將發生鍍覆。製造印刷線路板時，典型地以遮罩，例如防銲遮罩，保護，對具有墊片及/或貫穿孔之印刷線路板施以可銲接處理。通常以無電鍍覆方式藉由沉浸式鍍覆施以可銲接處理亦會將金屬沈積於該遮罩上，此並非所欲。以電化學位勢差驅動沉浸式鍍覆反應時，鍍覆僅會發生於暴露之金屬區域。例如，美國專利案第5，1 4 3，5 4 4號（Iantosca)揭示適馨！於印刷線路板基材上作為可銲接處理之錫-鉛合金沉浸式鍍覆用之溶液。然而，對於印刷線路板製造用之鉛需要更為環境所接受之替代方案。因此，鉛及鉛合金於電子夢件中之使用將面臨無法確知的未來。例如，參照美國專利案第 5, 5 3 6, 9 0 8 (Etchel 1等人）。

Mr

92239. ptd 第4頁 200303372 五、發明說明（2) 相對於雜而言，金係更為環境所接受之替代物，因為其低電阻及對於腐蝕性物質之攻擊不具活性已長久用於電子產業當作接觸表面用之金屬。典型地係使用無電或沉浸式金鍍覆浴鑛覆此等金沈積物。詳言之，金已經長久用於鎳底層上提供可銲接處理。典型地，該金係以沉浸方式沈積時，該鎳底層係以無電方式施以。此等方法係稱為無電 -鎳-沉浸-金或「ENIG」。無電金鍍覆浴係含有還原劑。典型的還原劑係硫脲及烧基硫脲衍生物、如抗壞血酸（參照美國專利案第 4，4 8 1，0 3 5，A n d r a s c e k等人）之含稀醇化合物及如：)：完基硼烷及氫化硼之含硼化合物。此等習知鍍覆浴具有若干缺點。例如，含硫脲作為還原劑之液浴必須加熱至約8 0至9 0 °C以達到可接受之沈積速率。因為此等溫度太高而無法用於若干電子封裝材料。另外，此等溫度會使該鍍覆溶液變得不安定而無法僅於所欲基材上產生金沈積，取而代之係於整個溶液中自發性地形成金之細微顆粒。以含硼之化合物用作為還原劑時，此等化合物會先進行水解反應，其速率會隨著溫度而增加。非所欲之副反應會消耗掉大量之含硼還原劑使其濃度極難於控制。無電金鍍覆浴之一習知形式係以硫代硫酸鹽離子為主，並以亞硫酸鹽離子加以安定化。一般而言，此等液浴於pH為6或更低時操作係不安定的，因為於此等pH條件下會自該溶液釋出二氧化硫。已知該硫代硫酸鹽離子在酸性溶液中會分解產生元素硫及亞硫酸鹽離子。當硫代硫酸鈉

92239. ptd 第5頁 200303372 五、發明說明（3) 水溶液係調節至pH約4至5時，由於形成元素硫，溶液會變得混濁。然而，如果亞硫酸鈉亦添加至上述溶液，將不會形成元素硫並且該溶液將係安定且澄清的。因此，先前技藝中係將亞硫酸鈉用於金屬鍍覆溶液以及硫代硫酸鈉使該溶液安定化。然而，使用亞硫酸鈉會發生的問題係該亞硫酸離子在弱酸性溶液中並不安定，所以二氧化硫會緩慢形成並自該溶液釋放出來。溶液酸性越大，二氧化硫形成之速率越快。此將導致亞硫酸鈉之消耗及該金屬硫代硫酸鹽錯合物在酸性溶液中之不安定性。 Φ沉浸式鍍覆浴會避免許多上述還原劑所衍生的缺點。然而，典型地此等沉浸式鍍覆浴需要例如約7 0°C或更高之高鍍覆溫度，以獲得適當之操作且不會沈積出厚的金層。此等高溫與若干電子封裝材料通常係不相容的。已經有人提出不會自動沈積金且置換鍍覆時不會僅沈積金之混成無電金浴。儘管此等混成金浴可克服先前技藝之無電及沉浸金鍍覆浴的問題，但最後的金沈積物無法充分地黏附於基材，例如鎳或被覆錄之基材。歐洲專利E P 1 0 2 1 5 9 3 B1 ( B a c k u s等人）揭示尤其適合於妃上沈積金之無電金鍍覆浴。於此專利中，金層以無電•式沈積於連續鈀層上，而此等鍍覆浴卻無法鍍覆於其他金屬，例如錄，上。因此，需要一種方法係得以沈積對於基材具有良好黏 I；付力之沈積金層，特別是對鎳或被覆鎳之基材，同時克服 f知無電金鍍覆浴之問題。

92239.ptd 第6頁 200303372 五、發明說明 (4) [發 -明内容] 意外地發現無電式，包含沉浸式，金鍍覆浴可於基材上沈積 1¾ 黏附之金層〇此等黏附金層首先係使該基材與至少能起催化作用劑量之 !巴接觸接著使該基材與無電金鍍覆浴接觸而沈積〇於一態樣中本發明提供將於金屬上沈積金層之方法，包括以下之步驟 • a)使該金屬與浴接觸以及 b)接著使該金屬與無電金鍍覆浴接觸〇於另一態樣中本發明提供改良以無電方式沈積之金層對金屬之黏附力的方法包括以下之步驟 • a)使該金屬與鈀浴接觸 9 以及 b)接著使該金屬與無電金鍍覆浴接觸〇又另一態樣中 5 本發明提供依序包括錄層 % !巴晶種或不連續 !巴層、及金層之物件〇代表性地 5 此等金層係以無電方式沈積〇又另一態樣中 5 本發明提供製造電子裝置之方法，包括以下之步驟 • a : )使沈積於電子裝置上之金屬與 !巴浴接觸 ; 以及 b)接著使該金屬與無電金鍍覆浴接觸〇 [實施方式： ] 用於本說明書全文時，以下之縮寫具有以下之意義除非文中有另外明確表示 ·· °C =攝氏度數； Τ = :華氏度數 9 g: =克， L: =公升 m] 毫升；β : i η =微英吋； D1 >去離子的；以及m in: =分鐘〇厂沈積 j 及厂鍍覆 J 該詞於整篇說明書中可交換使用 0 厂烧基 J 表示線性分支及環狀烷基〇厂鹵化物」表示氟化物氯化物 Λ 溴化物及碘化物〇同樣地 9

92239. ptd 第7頁 200303372 五、發明說明（5) 「鹵基」表示氟基、氣基、溴基及碘基。除非另加表示，具有二或多個取代基之芳香族化合物包含鄰-、間-及對-f代物。所有百分比皆以重量計，除非另外註明。所有的數值範圍皆係内含並可以任何順序組合，除非顯然可見此 -等數值範圍受限於總計達1 0 0 %。本發明提供於如金屬之基材上沈積金層之方法，包括以下之步驟：a)使該金屬與鈀浴接觸；以及b )接著使該金屬與無電金鍍覆浴接觸。代表性地該金屬與鈀浴接觸達一段足以使鈀沈積於該金屬表面上之時間。任何用量之鈀皆貪#無電方式沈積金的黏附力增加。此等鈀沈積可能係金屬上之連續纪層、非連續纪層，或可能係沈積於金屬上之 4巴晶種。「把晶種」表示非連續或各別的妃沈積物。「非連續鈀層」表示鈀層不會覆蓋底下基材或金屬之整個可鍍覆表面。非連續ί巴層係含纪之不連續物或空隙的層。沈積 I巴晶種或非連續I巴層比連續I巴層更佳。於特定應用中，連續鈀層可能係有利的。本發明之鈀沈積物提供後續以無電方式沈積之金層提高之黏附力。任何纪浴皆適用於本發明，只要該纪浴包含纪及酸。因此，可以使用電解或無電鈀鍍覆浴。使用電解鍍覆浴日β不需使用電流。鈀浴較佳係無電式鈀浴，更佳係沉浸浴，最佳鈀觸媒浴。此等鈀觸媒浴係沉浸式鈀浴，為熟於此藝之士所熟知，一般而言比習知無電鈀鍍覆浴含更低濃 _度之鈀。適合之無電鈀鍍覆浴含有1至1 0 g/L可溶性鈀鹽型式之鈀、還原劑、安定劑及錯合劑。適合之鈀觸媒浴含

92239. ptd 第8頁 200303372 五、發明說明（6) -- 有至少10 ppm’較佳至少25 ppm，更佳至少5〇 ppm把鹽型式，鈀。任何可溶性之鈀鹽皆可使用，例如，但不限於·· 如氯化鈀之i化鈀、醋酸鈀、葡萄糖酸鈀、如氯化四胺鈀之_化胺鈀、檸檬酸鈀、酒石酸鈀等。該鈀鹽較佳係氯化四胺鈀。此等鈀觸媒鍍覆浴亦含有酸，較佳為無機酸以及如水之溶劑。適合的鈀浴通常係市面上可購得者，例如可自 MA’ Malb〇rough’ Shipley c〇mpany購得商品名稱

Ronamerse SMT Catalyst。本發明之鈀鍍覆浴可於各種溫度下使用，例如室溫 (約20°C )以下至約6(rc。典型的溫度範圍係2扣至6〇c>c，較佳2 5°C至5 8°G。左/該金屬與鈀浴接觸一段足以沈積足量鈀之時間以提供後以無電方式沈積時，與不含此等鈀沈積物所沈積之金層相比’具有改良黏附力之金層。代表性地，接觸時間為至少5秒’較佳至少丨〇秒，更佳至少3 〇秒才夠。尤其適合之接觸時間係5至6 0 〇秒，較佳丨〇至3 〇〇秒，更佳3 〇至丨8 〇秒。接著與該把浴接觸，於金鍍覆之前，視情況需要，例如利用水，清洗該金屬。八 $何媒電金鍍覆浴皆可用於本發明。一般而言，無電金鐘覆 >合含有水、一或多種可溶性金化合物、一或多種錯合㈣、均勻性增進劑及視情況需要而添加之一或多種還原劑。 ^ 任何此提供該鍍覆浴金（I)之水溶性金化合物皆可用方；本％明°適合之金化合物包含，但不限於：如硫代硫酸

92239.ptd 第9頁 200303372 五、發明說明（7) 三鈉金及硫代硫酸三鉀金之鹼金屬硫代硫酸金化合物；如亞硫酸鋼金及亞硫酸鉀金之驗金屬亞硫酸金化合物；亞硫酉变敍金；如氯化金之鹵化金；如氰化納金及氰化鉀金之驗金屬金氰化物；以及氰化銨金。然而，本組成物較佳係實 -質上不含氰化物離子及亞硫酸離子者。「實質上不含」表示本組成物含有少於0 . 0 5 g / L之此等離子。本組成物更佳不含氰化物離子及亞硫酸離子。熟於此藝之士將瞭解該水溶性金鹽可直接加至該電解液組成物或於該電解液中產生。例如，氰化鉀金可於該電角_^中製備，將若干用量之水不溶性氰化金及若干用量之氰化钟加至水中形成水溶性氰化姜曱金。代表性地該一或多種水溶性金化合物之總量係0. 1至 6 0 g / L。金化合物較佳量係0 . 5至15 g/L，更佳0. 5至5 g / L。此等水溶性金化合物通常可自市面上各種供應商購得，或可由此技藝之習知方法製備。所欲係真的無電（具自催化性的）金鑛覆時，典型地係使用還原劑。任何用作俾益於鎳氧化之氧化劑或可以使該鎳層之兩極附著傾向降至最低的還原劑皆係可用於本發明。對熟於此藝之士而言，適合之還原劑係顯而易見其包令^但不限於：任何無機化合物、含氮化合物及其衍生物、有機化合物及其衍生物或其具有抗氧化活性之混合物。含氮化合物較佳包含水合肼及硫酸肼，以及羥胺及其 _鹽類或其他衍生物，例如硫酸經胺、氣化經胺及碗酸經殷。較佳係易溶於該電解液之化合物鹽類或其他形式。其

92239. ptd 第10頁 200303372 五、發明說明（8) 他適合之含氮化合物包含氮化物鹽類，其中該氮並非處於高氧化態。此類適當化合物包括，但不限於：亞硝酸鹽或含氮化物之化合物。當中，如亞确酸鉀及亞頌酸納之驗金屬亞石肖酸鹽，而以亞确酸納較佳。其他適合之還原劑包含如抗壞血酸、抗壞血酸鹽、及其衍生物、生育酚及其衍生物、及曱酸、曱酸鹽及其衍生物等有機抗氧化物。各種金錯合劑皆可用於本發明。適合之金錯合劑包含，但不限於：硫代硫酸、如硫代硫酸鈉、硫代硫酸鉀及硫代硫酸銨之硫代硫酸鹽、乙二胺四醋酸及其鹽類、腈基三醋酸等。較佳係硫代硫酸及硫代硫酸鹽。最佳係硫代硫酸納。使用硫代硫酸離子時，能以任何溶液可溶之形式供應，例如驗金屬硫代硫酸鹽（例如鈉或_)或硫代硫酸敍，其中五水合硫代硫酸鈉係最經濟且易於取得之原料。此一或多種錯合劑係代表性地以總量0 . 1至1 5 0 g / L存在，較佳1至1 0 0 g / L。錯合劑之較佳量係5至7 5 g / L，又更佳1 0至6 0 g/L。該一或多種錯合劑通常係市面上可購得或可由此技藝中習知之方法製備者。以硫代硫酸鹽用作錯合劑時，較佳該金鍍覆浴中存有一或多種該硫代硫酸鹽之有機安定劑化合物。有用於本發明之一或多種有機安定劑化合物具有式R-SO 2 - Y，其中R係 (q -Ci8 )烷基、芳基或雜芳基，及Y係氫或一價陽離子。就Y而言適合之一價陽離子係鹼金屬，例如鈉及钟。Y較佳係氫。R之例示性烷基包含，但不限於：甲基、乙基、正

92239. ptd 第11頁 200303372 五、發明說明（9) 丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、正戊基、新戊基、己基、辛基及癸基。代表性之芳基係芳香環中含5 至1 4個原子者。適合之芳基包含，但不限於：苯基；如甲苯基及二甲苯基之（C!-C6)烷芳基；萘基及雙酚A。適合之 -I隹芳基包含，但不限於：呋喃基、吡啶基、噻吩基等。R 較佳係芳基，更佳係苯基。熟於此藝之士將瞭解經取代之（C ! - C 18 )烷基、芳基或雜芳基係屬於本發明之範圍内。「經取代之（C i - C 18 )烷基、芳基或雜芳基」表示（(^-(：18)烷基、芳基或雜芳基上或多個氫係經一或多個取代基取代。適合之取代基包含，但不限於：鹵基、羥基、（Ci -C6 )烷氧基、羰（Ci -C6 ) 烷氧基、硝基、硫基、（C ! - C 6 )烷硫基等。一般而言，該一或多種有機安定劑化合物以至少0. 5 g/L之用量使用，較佳至少1 g/L。該一或多種有機安定劑化合物用量之實際上限係該組成物中此等化合物之飽和極限。該一或多種有機安定劑化合物較佳係以2 g / L至2 5 g / L之用量使用，更佳係3至1 5 g / L。有機安定劑化合物之特佳用量係3至1 0 g / L。一般而言，此等有機安定劑化合物係市面上可購得，或可由此技藝中習知之方法製備者。 ®然而為了不受理論所限制，咸相信該有機安定劑化合物會使該無電金鍍覆組成物安定化，詳言之在弱酸性條件下使用硫代硫酸離子，於硫代硫酸離子之情況中該溶液不夕在操作過程中失效且不會釋放出任何可察覺量之二氧化硫。

92239. ptd 第12頁 200303372 五、發明說明（ίο) 該金鍍覆浴可添加一或多種均勻性增進劑。代表性地此等均句性增進劑係可以提供螯合之有機羧酸。為不受理論所限制，此等均勻性增進劑亦可用作溫和的還原劑。經發現此等均勻性增進劑比不含此等化合物之組成物更能提供較均句之金沈積。適當之均勻性增進劑包含：如二及三羧酸化合物、經羥基取代之羧酸等之多元酸。該均勻性增進劑較佳係二羧酸。例示的均勻性增進劑包含，但不限於：草酸、抗壞血酸、檸檬酸、蘋果酸、甘醇酸、丙二酸、乳酸、氧化乳酸及酒石酸。其他適合之均勻性增進劑包含苯二曱酸、己二酸、丁二酸及戊二酸。較佳的均勻性增進劑係草酸、丙二酸、抗壞血酸及檸檬酸。草酸係最佳之均勻性增進劑。一般而言，該一或多種均勻性增進劑之用量係0. 1至 5 0 g / L，較佳1至1 5 g / L。詳言之適當量之均句性增進劑係2至8 g / L。較佳的金鍍覆浴組成物包含a ) 0 . 5至1 5 g / L之一或多

種驗金屬硫代硫酸金化合物；b ) 1至1 0 0 g / L之一或多種選自硫代硫酸或鹼金屬硫代硫酸鹽之金錯合劑；c) 2 g / L 至25 g/L之一或多種式R-S02 -Y所表示之有機安定劑化合物，其中R係（C j -C 18 )烷基、芳基或雜芳基，Y係氫或一價陽離子；以及d) 1至15 g / L之草酸。該金鍍覆組成物可能復包括pH調節化合物。任何pH調節化合物皆可使用，惟其不會對該組成物之安定性或性能產生不良影響即可。適合之pH調節化合物包含如磷酸二氫

92239.ptd 第13頁 200303372 五、發明說明（ny 姜曱、确：酸一氫二鉀、鱗酸三鉀之填酸鹽、硼酸等。此等pH 調節化合物之用量端視所欲維持之pH及選用之特定pH調節 4匕合物而定。例如，代表性而言鱗酸二氫鉀之用量係1至 5 0 g / L，較佳5至2 5 g / L。一般而言，本發明之組成物係妹持於pH 3至9，較佳4至8，更佳5至7. 5。一般而言，該組成物包含水。任何等級的水皆適用，但較佳係去離子水。本發明之金鍍覆組成物可能視情況需要含有一或多種其他之添加物，例如界面活性劑。較佳係陰離子型及非離界面活性劑，更佳係陰離子型界面活性劑。適當之陰離子型界面活性劑包含碟酸自旨類，例如包含甘油脂麟酸酉旨之脂肪族醇磷酸酯類，較佳係長鏈脂肪族醇磷酸酯類。適當之陰離子型磷酸酯界面活性劑包含商品名分別為 R Η 0 D A F A C及 Ε Μ P Η 0 S者，可購自 R h 〇 d i a及 C r 〇 m p t ο η有限公司。代表性而言此等界面活性劑之用量係0 . 1至2 g/L。此等金鑛覆組成物可藉由以任何順序結合上述成分而製備。使用氯化金時，較佳係於該金錯合劑、有機安定劑化合物及均句性增進劑添加至該組成物之後再添加氯化金至該組成物。添加氯化金之期間，該組成物之pH係維持於 3®!。該pH可藉由添加氫氧化物，例如氫氧化鉀，而維持。一般而言，此等金鍵覆浴於使用期間係經加熱，代表生言之2 5至9 5°C。本發明之浴液較佳加熱3 0至9 0°C，更佳么5至8 0°(：。

92239. ptd 第14頁 200303372 五、發明說明（12) 基材上所欲之金沈積物厚度可藉由控制該基材與本發明之鍍覆組成物的接觸時間而控制。本發明特別適用於各種基材上沈積金，特別是在較金更不具陽電性之金屬上，亦即習知的沉浸式鍍覆法。較金更不具陽電性之典型金屬包含，但不限於：鎳、銅及鐵。可使用不只一種比金更不具陽電性之金屬。例如，根據本發明在銅層上的鎳層係適用於沈積金。因此，本發明復提供使金沈積於比金更不具陽電性之金屬上的方法，包含使含有比金更不具陽電性金屬之基材與鈀浴接觸，接著使該基材與無電金鍍覆浴接觸。本發明特別適合用於電子裝置之製造，例如印刷線路板、積層電路板、積層電路封裝等。本發明提供電子裝置之製法，包括以下之步驟：a)使沈積於電子裝置上之金屬層與把浴接觸；及b )接著使該金屬層與無電金鍵覆浴接觸。於另一具體例中，金層可藉由包含以下步驟之方法沈積：使電子裝置基材與鈀浴接觸長達足以沈積鈀晶種或非連續鈀層之時間，接著使該基材與無電金鍍覆組成物接觸長達足以沈積所欲金層之時間，該無電金鍍覆組成物包含：a) —或多種水溶性金化合物；b) —或多種金錯合劑；c ) 一或多種式R - S 0 2 - Y所表示之有機安定劑化合物，其中R係（C 1 -C ]8 )烷基、芳基或雜芳基，Y係氫或一價陽離子；以及d) —或多種均勻性增進劑。特別適合之積層電路封裝包含，但不限於：導線架、晶圓上之銲墊、陶瓷封裝體等。本發明亦適用於對印刷電路板施以可銲接金處理

92239. ptd 第 15 頁 200303372 五、發明說明（13) 或於積體電路上沈積金。比起不含具催化性纪沈積物而沈積於該基材上之金，本發明之優點係於如把晶種或非連續纪層基材之具催化性鈀沈積物上提供具有極佳黏附力之無電方式沈積之金層。 -#別是該基材係鎳之例子中。令人驚訝地，欲提供高度黏附之金層並不需要在該基材上形成連續鈀層。復以下列之實施例說明本發明之各種態樣，但不欲以任何態樣限制本發明之範圍。實施例1 _依所示之量組合表1之各成分而製備金鑛覆浴。表1

成分量 (S/L) 如AuNa3 0 6S4或HAuC14形式之金 1 硫代硫酸鈉 50 苯亞磺酸 10 石粦酸二鼠钟 15 草酸 5 水加至1L 該浴液之pH係大約5 . 5。該浴液之溫度係維持於1 2 0°F (約 4 9°C )。，實施例2 " 用市面上可購得之無電鎳產品（EVERON TM SMT無電鎳，

92239. ptd 第16頁 200303372 五、發明說明（14) ' - 可自 Massachusetts，Marlborough，Ship ley公司購得）以錄鑛覆經鍍覆酸銅之j? r 4積層板（c 〇 u ρ ο η ) ( 1英忖x 〇 5英对）。用標準鐘覆條件（190下）以12 # in/min之速率沈積鎳。接著無電鎳鍍覆，洗滌該鎳被覆層。、洗滌之後，接著使該經鎳被覆之FR4積層板與鈀觸媒浴接觸（1?〇]^爪6。631〇觸媒，可自51^?167公司購得）1分鐘。該把觸媒浴含有丨〇〇 ppm之氯化四胺鈀形式的鈀，丄7 〇 m L / L氫氯酸及7 3 0 m L / L去離子水。與該把浴接觸之後，該樣品僅包含勉強可見的鈀沈積物且鈀層並未完全覆蓋整個表面。因此’把晶種僅沈積於鎳層上。接著使該樣品與實知例1之金鍍覆浴接觸。使金以2 # i n / m i n之速率沈積於錄上。金鐘覆之後，自該鍍覆浴移除該基材，洗滌並乾燥。經分析發現該金沈積物係4至7 μ i n厚。實施例3 (比較例）重覆實施例2之步驟，除了金鍍覆之前，該樣品未與鈀鍍覆觸媒接觸之外。實施例4 沈積於經鍍覆F R 4樣品上之金層的黏附力係以習知的膠帶試驗評估。將透明膠帶（Sc〇tch牌，自ΜΝ，Paul街， 3M購得）黏至根據實施例2 (本發明）及3 (比較例）製備之樣品。按壓該樣品上之膠帶以提供對該金層之良好黏附力。然後移除該膠帶並檢查黏附於該膠帶之金。由實施例2之樣品移除之膠帶不含金。因此，所有的金保留於經鍍覆之 F R 4樣品上表示高度黏附之金沈積物。由實施例3之樣品移

92239.ptd 第17頁 200303372 五、發明說明（15) 除的膠帶包含金。因此，自經鍍覆樣品移除金表示該金沈積物之不良的黏附力。由該資料可見到，以無電方式沈積金之前使經鎳鍍覆之樣品與鈀鍍覆浴接觸將提供高度黏附的金沈積物。贊施例5(比較例）用市面上可購得之無電鎳產品（EVER0NTM BP無電鎳，可自 Massachusetts, Marlborough， Shipley公司購得）於晶圓之鋁墊上鍍覆鎳。使用標準鍍覆條件（1 8 5至1 9 0°F )以 1 0至1 2 μ i n / m i η之速率沈積鎳。接著無電鎳鍍覆，洗滌該βΜ皮覆層。洗滌之後，接著使經鎳被覆之鋁基材與實施例1之金鍍覆浴接觸。使金以大約2 // i n / m i η之速率沈積於鎳上。金鍍覆之後，自該鍍覆浴移除該基材，洗滌並乾燥。實施例6 重覆實施例5之步驟，除了於鎳鍍覆之後及金鍍覆之前，使該晶圓墊片與實施例2之鈀觸媒浴接觸1分鐘。與該鈀浴接觸之後，該晶圓墊僅包含勉強可見之鈀沈積物且鈀層並未完全覆蓋整個表面。因此，把晶種僅沈積於鎳層上。與該鈀浴接觸之後，根據實施例5使該晶圓墊與金鍍覆®L接觸。實施例7 用實施例4之膠帶試驗評估實施例5至6經鍍覆之晶圓蟄上的金層之黏附力。由實施例5之經鍍覆晶圓墊移除的漆帶包含金。因此，自晶圓墊移除金表示不良的黏附力。

92239. ptd 第18頁 200303372 五、發明說明（16) 由實施例6之經鍍覆晶圓墊移除之膠帶不含金。因此，所有的金保留於經鍍覆之晶圓墊上表示高度黏附之金沈積物。由該資料可見到，以無電方式沈積金之前使經鎳鍍覆之樣品與鈀鍍覆浴接觸足以沈積鈀晶種之時間，將提供高度黏附的金沈積物。以上本發明已參照特定具體例詳加說明，熟於此藝之士顯然知道本發明可進行各種變化、修飾及等效替換而不會背離所請專利之範圍。

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Claims

200303372 六、申請專利範圍 1. 一種於金屬上沈積金層之方法，包括以下之步驟：a) 使該金屬與鈀浴接觸；及b )接著使該金屬與無電金鍍覆浴接觸。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該金屬與該鈀浴接觸一段足以沈積鈀晶種或非連續鈀層之時間。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該時間係1 0至 3 0 0秒。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中，該 I巴浴含有至少2 5 p p m之纪。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中，該 I巴浴含有5至2 0 0 p pm之纪。 6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中，該無電金鍍覆浴包括： a ) —或多種水溶性金化合物； b) —或多種金錯合劑； c) 一或多種式R-S02 -Y所表示之有機安定劑化合物，其中R係（C ! -C 18 )烷基、芳基或雜芳基，及Y係氫或一價陽離子；以及 d) —或多種均勻性增進劑。 7 · —種製造電子裝置之方法，包括以下之步驟：a )使沈積於電子裝置基材上之金屬層與纪浴接觸；以及b)接著使該金屬層與無電金鑛覆浴接觸。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中，該金屬層與該鈀浴接觸一段足以沈積鈀晶種或非連續鈀層之時間。

92239. ptd 第21頁 200303372 六、申請專利範圍 9.如申請專利範圍第7或8項中任一項之方法，其中，該無電金鐘覆浴包括： . a) —或多種水溶性金化合物； b) —或多種金錯合劑； • c) 一或多種式R-SO 2 -Y所表示之有機安定劑化合物，其中R係（C ! -C 18 )烷基、芳基或雜芳基，及Y係氫或一價陽離子；以及 d) —或多種均勻性增進劑。 1 0. —種物件，依序包括鎳層、鈀晶種或非連續鈀層及金鲁層。

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