JPH01180985A - 無電解金めっき方法 - Google Patents
無電解金めっき方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
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- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔並莱上の利用分野〕
本発明は、無電解金めつき方法に係９、特に毒性が低く
かつ長時間安定な、無電解金めつき液を用いる際の無電
解金めつき方法に関する。
かつ長時間安定な、無電解金めつき液を用いる際の無電
解金めつき方法に関する。
本発明において用いるチオ硫酸金（Ｉ）錯塩、チオ硫酸
塩、尿素系化合物からなる無電解金めつき液は、尿素系
化合物を還元剤として含んでおシ、その反応によってめ
っき液中の金諸イオンから金属全全析出する。この尿素
系化合物の反応は、金の表面が触媒となって促進される
。
塩、尿素系化合物からなる無電解金めつき液は、尿素系
化合物を還元剤として含んでおシ、その反応によってめ
っき液中の金諸イオンから金属全全析出する。この尿素
系化合物の反応は、金の表面が触媒となって促進される
。
被めっき物表面に、金よシ析出亀位が卑でその析出電位
差が大きい金属がある場合、被めっき物を上記無電解金
めつき液に浸漬すると、最初に被めっき物表面のご（薄
い金属層がすみやかに金に置き換えられて、金が析出す
る。いったん金が析出すれば、その後は上記尿素系化合
物の反応が菫の表面で促進され、金めつきが進行する。
差が大きい金属がある場合、被めっき物を上記無電解金
めつき液に浸漬すると、最初に被めっき物表面のご（薄
い金属層がすみやかに金に置き換えられて、金が析出す
る。いったん金が析出すれば、その後は上記尿素系化合
物の反応が菫の表面で促進され、金めつきが進行する。
〔発明が解決しようと１−る課題〕
しかし、上記の機構によって生じた金めつき膜は、下地
との密着性がわるく膜質は多孔性である。
との密着性がわるく膜質は多孔性である。
そのため、加熱されると下地からはがれたシ、空気中に
長時間放置されると金めつき皮膜の表面に下地金属の酸
化物が生成する。したがって上記機構によって生じた金
めつき膜が、電子部品の接続部分に使用されると、はん
だ付は不良など接続特性の劣化をひきおこす課題があっ
た。
長時間放置されると金めつき皮膜の表面に下地金属の酸
化物が生成する。したがって上記機構によって生じた金
めつき膜が、電子部品の接続部分に使用されると、はん
だ付は不良など接続特性の劣化をひきおこす課題があっ
た。
本発明の目的は、上記のチオ硫酸金ＣＩ）錯塩、チオ硫
酸塩、尿素系化合物からなる無電解金めつき液を用いて
、被めっき物表面にある金属の種類によらず、下地との
密着性がよく多孔質でない金めつき皮膜を得ることがで
きる無電解金めつき方法を提供することにある。
酸塩、尿素系化合物からなる無電解金めつき液を用いて
、被めっき物表面にある金属の種類によらず、下地との
密着性がよく多孔質でない金めつき皮膜を得ることがで
きる無電解金めつき方法を提供することにある。
上記目的は、尿素系化合物の反応の触媒とな力、かつ金
との析出電位差が小さい物質の薄膜るるいは該を、被め
っき物表面にめっき下地としてあらかじめ形成すること
により、達成される。尿素系化合物が還元剤として作用
する反応は、特定の金属表面で触媒的に促進される。種
々の金属を検討した結果、金、銀、銅、白金、およびパ
ラジウムが、尿素系化合物に対し高触媒活性を示すとと
もに、金との析出電位差が小さいことが判明した。
との析出電位差が小さい物質の薄膜るるいは該を、被め
っき物表面にめっき下地としてあらかじめ形成すること
により、達成される。尿素系化合物が還元剤として作用
する反応は、特定の金属表面で触媒的に促進される。種
々の金属を検討した結果、金、銀、銅、白金、およびパ
ラジウムが、尿素系化合物に対し高触媒活性を示すとと
もに、金との析出電位差が小さいことが判明した。
上記いずれかの金属からなる下地は、蒸着法などによシ
、被めっき物表面全体に形成することができる。特に、
上記金属よ）析出電位が卑な金属からなる配線パターン
上に、上記の無電解金めっき液を用いて金めつき膜を形
成する場合は、通常の置換めっき法によシ配線パターン
上に上記いずれかの金属の薄Ｍあるいは該を形成するの
が、簡便な無電解金めつき方法である。
、被めっき物表面全体に形成することができる。特に、
上記金属よ）析出電位が卑な金属からなる配線パターン
上に、上記の無電解金めっき液を用いて金めつき膜を形
成する場合は、通常の置換めっき法によシ配線パターン
上に上記いずれかの金属の薄Ｍあるいは該を形成するの
が、簡便な無電解金めつき方法である。
該無電解金めつき液の組成としては、特にチオ硫酸金Ｃ
Ｉ）錯塩の配合量がｃＬＯ０１〜０．２モル／１１チオ
硫酸塩の配合量がＣＬ００１〜［ｌＬ５モル／ １ 、
尿素系化合物の配合量がα００１〜１０モル／ｌが良い
。それに刃口えて安定剤として亜硫酸塩の配合量が０．
０１〜０．８ モル／ ｔ ｋ ７１０えてもよい。
Ｉ）錯塩の配合量がｃＬＯ０１〜０．２モル／１１チオ
硫酸塩の配合量がＣＬ００１〜［ｌＬ５モル／ １ 、
尿素系化合物の配合量がα００１〜１０モル／ｌが良い
。それに刃口えて安定剤として亜硫酸塩の配合量が０．
０１〜０．８ モル／ ｔ ｋ ７１０えてもよい。
更に、ｐＨ調整剤としてホウ砂及びリン酸二水素塩を用
いればよ（、特に配合量としては、ホウ砂ｃＬｏ１〜１
０ モル／１． リン酸二水素塩［ｌＯ〜α５モル
／！をヵロえると良い。
いればよ（、特に配合量としては、ホウ砂ｃＬｏ１〜１
０ モル／１． リン酸二水素塩［ｌＯ〜α５モル
／！をヵロえると良い。
金よ）析出電位が卑で、その析出電位差が大きい金属を
、上記の新規な無電解めっき液に浸漬すると、その金属
のめつき液中への激しい溶解がおこる。これが上記問題
点の原因である。金、銀、銅、白金、およびパラジウム
は、どれも他の金属に比べ析出電位が責であり、象との
析出電位差は比較的小さいので、それらの金属の上記の
新規な無電解金めつき液中への溶解はおだやかである。
、上記の新規な無電解めっき液に浸漬すると、その金属
のめつき液中への激しい溶解がおこる。これが上記問題
点の原因である。金、銀、銅、白金、およびパラジウム
は、どれも他の金属に比べ析出電位が責であり、象との
析出電位差は比較的小さいので、それらの金属の上記の
新規な無電解金めつき液中への溶解はおだやかである。
また、上記いずれの金属も尿素系化合物が還元剤として
作用する反応を促進する。したがって、上記いずれかの
金属をめっき下地とすることにより、その下にある金属
のめつき液中への溶解を抑えることができ、同時に尿素
系化合物による無電解金メツキ反応が促進される。これ
により、めっキ下地の激しい溶解が原因である、金めつ
き膜の密着性不良および多孔性の問題を解決し、電子部
品に上記の新規な無電解企めつき液を用いて、信頼性の
高い金めつきを施すことができる。
作用する反応を促進する。したがって、上記いずれかの
金属をめっき下地とすることにより、その下にある金属
のめつき液中への溶解を抑えることができ、同時に尿素
系化合物による無電解金メツキ反応が促進される。これ
により、めっキ下地の激しい溶解が原因である、金めつ
き膜の密着性不良および多孔性の問題を解決し、電子部
品に上記の新規な無電解企めつき液を用いて、信頼性の
高い金めつきを施すことができる。
以下、本発明に係る無電解金めつき方法の実施例を説明
する。
する。
実施例１゜
大きさ２．５ Ｘ ２．Ｓは、厚さｃＬｓ膓の銅板に厚
さ２細のニッケル皮膜を電気めっきでつけて試料とした
。
さ２細のニッケル皮膜を電気めっきでつけて試料とした
。
この試料に、市販の置換金めつき液（日中貴金属レクト
ロレスＤＩ ）ｉ用いて通常の置換金めつきを行った。
ロレスＤＩ ）ｉ用いて通常の置換金めつきを行った。
置換金めつき膜の厚さは、螢光Ｘ線膜厚計で測ったとこ
ろｃＬ６μｍであった。その試料を、以下に示す組成の
無電解企めつき液に２時間浸漬した。めっき液のｐＨを
８．０とし、液温７０°Ｃでめっき成金強制か（はんし
た。
ろｃＬ６μｍであった。その試料を、以下に示す組成の
無電解企めつき液に２時間浸漬した。めっき液のｐＨを
８．０とし、液温７０°Ｃでめっき成金強制か（はんし
た。
（無電解めっき液の組成）
試料をめっき液から取や出して水洗し、新たに析出した
金めつき膜の厚さ金、前と同様に測定したところ１゜９
μｍであった。このようにして作製した２０ケの試料を
、以下に示す方法で評価した。
金めつき膜の厚さ金、前と同様に測定したところ１゜９
μｍであった。このようにして作製した２０ケの試料を
、以下に示す方法で評価した。
（１）ヒートショック（密着性の評価）空気中、４５０
０Ｃで１時間試料を加熱し、その後ただちに常温の水に
入れる。金めつき膜にはがれあるいはふくれが全（生じ
ないものを良品とした。
０Ｃで１時間試料を加熱し、その後ただちに常温の水に
入れる。金めつき膜にはがれあるいはふくれが全（生じ
ないものを良品とした。
（２）はんだ付は性（めっき膜の多孔性の評価）空気中
、４６００Ｃで１５分間加熱した試料に、はんだデイツ
プを行い、試料面積の９５ケ以上がはんだで濡れている
ものを良品とした。
、４６００Ｃで１５分間加熱した試料に、はんだデイツ
プを行い、試料面積の９５ケ以上がはんだで濡れている
ものを良品とした。
以上の評価の結果、２０ケの試料すべてが良品と判定さ
れた。
れた。
実施例２゜
上記の実施例１と同様にして、ニッケル皮膜をつけた銅
板試料を準備した。この試料を、通常のパラジウム置換
めっき液、たとえば以下に示す組成のパラジウム置換め
っき液に２０分間浸漬した。
板試料を準備した。この試料を、通常のパラジウム置換
めっき液、たとえば以下に示す組成のパラジウム置換め
っき液に２０分間浸漬した。
めっき液のｐＨ１１３，ｏ、液温６０°Ｃとし、めっき
液を強制か（はんした。試料をめっき液から取シ出して
水洗し、実施例１に示したものと同じ組成の上記の新規
な無電解金めつき液に、２時間浸漬した。めっき液のｐ
ｆ（などめっき条件も実施例１と同様にした。めっき後
試料に析出した金めつき膜厚を、螢光Ｘ線膜厚計で測定
したところ２．０μｍであった。
液を強制か（はんした。試料をめっき液から取シ出して
水洗し、実施例１に示したものと同じ組成の上記の新規
な無電解金めつき液に、２時間浸漬した。めっき液のｐ
ｆ（などめっき条件も実施例１と同様にした。めっき後
試料に析出した金めつき膜厚を、螢光Ｘ線膜厚計で測定
したところ２．０μｍであった。
（パラジウム置換めっき液の組成）
このようにして作製した２０ケの試料を、実施例１と同
様に、ヒートショックとはんだ付は性について評価した
。その結果２０ケの試料すべてが良品と判定された。
様に、ヒートショックとはんだ付は性について評価した
。その結果２０ケの試料すべてが良品と判定された。
無電解企めつき躾として、上記組成のみならず、チオ硫
酸金ＣＩ）錯塩の配合量がＱ、ＯＤ１〜０．２モル／ｌ
、チオ硫酸塩の配合量が０．００１〜０．５モル／ １
、尿素系化合物の配合量が０．００１〜１．０モル／
！、亜硫酸塩の配合量が０．０１〜ａ８ モル／ｌ、
ホウ砂の配合量を［Ｌ０１〜１．０モル／！の範囲で、
実施例１と同様に試料を作成してもヒートショックや、
はんだ付は性の評価は変わシなかった。ホウ砂に加えて
リン酸二水素塩をｃＬＯ〜ｃＬ５モル／ｌの範囲で添加
しても同様であった。
酸金ＣＩ）錯塩の配合量がＱ、ＯＤ１〜０．２モル／ｌ
、チオ硫酸塩の配合量が０．００１〜０．５モル／ １
、尿素系化合物の配合量が０．００１〜１．０モル／
！、亜硫酸塩の配合量が０．０１〜ａ８ モル／ｌ、
ホウ砂の配合量を［Ｌ０１〜１．０モル／！の範囲で、
実施例１と同様に試料を作成してもヒートショックや、
はんだ付は性の評価は変わシなかった。ホウ砂に加えて
リン酸二水素塩をｃＬＯ〜ｃＬ５モル／ｌの範囲で添加
しても同様であった。
本発明によれば、下池との密着性が高くかつピンホール
の少ない厚付は金めつき膜が、作業時および廃液処理時
の安全性の高い無電解金めつき液によって得られる。し
たがって電子部品の金めつきプロセスの合理化および簡
略化に大きな効果がある。
の少ない厚付は金めつき膜が、作業時および廃液処理時
の安全性の高い無電解金めつき液によって得られる。し
たがって電子部品の金めつきプロセスの合理化および簡
略化に大きな効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、尿素系化合物反応の触媒となる薄膜あるいは核を被
めつき物表面に形成し、チオ硫酸金（ I ）錯塩、チオ
硫酸塩、尿素系化合物からなる無電解金めつき液に該被
めつき物を浸漬して金めつきを形成する無電解金めつき
方法。 ２、請求項１記載において、該薄膜あるいは核が、銀、
銅、白金又はパラジウムであることを特徴とする無電解
金めつき方法。 ３、請求項２記載において、該薄膜あるいは核がめつき
により形成されることを特徴とする無電解金めつき方法
。 ４、請求項１記載において、該薄膜あるいは核が金であ
ることを特徴とする無電解金めつき方法。 ５、請求項４記載において、該金の薄膜あるいは核を、
置換めつきにより形成することを特徴とする無電解金め
つき方法。 ６、請求項１記載において、該チオ硫酸金（ I ）錯塩
が、ハロゲン化合（III）酸塩とチオ硫酸塩との反応に
より形成することを特徴とする無電解金めつき方法。 ７、請求項１記載において、該チオ硫酸金（ I ）錯塩
の配合量が、０．００１〜０．２モル／ｌ、該チオ硫酸
塩配合量が０．００１〜１５モル／ｌ、該尿素系化合物
配合量が０．００１〜１．０モル／ｌであることを特徴
とする無電解金めつき方法。 ８、請求項７記載において、該無電解金めつき液に、安
定剤とｐＨ調整剤と水とが、添加されていることを特徴
とする無電解金めつき方法。 ９、請求項８記載において、該安定剤が亜硫酸塩である
ことを特徴とする無電解金めつき方法。 １０、請求項８記載において、該ｐＨ調整剤がホウ砂及
びリン酸二水素塩とからなることを特徴とする無電解金
めつき方法。 １１、請求項１記載において、該チオ硫酸金（ I ）錯
塩がチオ硫酸金（ I ）ナトリウムであることを特徴と
する無電解金めつき方法。 １２、請求項１１記載において、該チオ硫酸塩がチオ硫
酸ナトリウムであることを特徴とする無電解金めつき方
法。 １３、請求項１２記載において、該尿素系化金物がチオ
尿素であることを特徴とする無電解金めつき方法。 １４、請求項９記載において、該亜硫酸塩が亜硫酸ナト
リウムであることを特徴とする無電解金めつき方法。 １５、請求項９記載において、該亜硫酸塩の配合量が０
．０１〜０．８モル／ｌであることを特徴とする無電解
金めつき方法。 １６、請求項１０記載において、該ホウ砂の配合量が０
．０１〜１．０モル／ｌであることを特徴とする無電解
金めつき方法。 １７、請求項１０記載において、該リン酸二水素塩の配
金量が０．０〜０．５モル／ｌであることを特徴とする
無電解金めつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370688A JPH01180985A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 無電解金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370688A JPH01180985A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 無電解金めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180985A true JPH01180985A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11564797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP370688A Pending JPH01180985A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 無電解金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0418715A2 (en) * | 1989-09-18 | 1991-03-27 | Hitachi, Ltd. | Electroless gold plating solution and method for plating gold therewith |
| JP2003253456A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-09-10 | Shipley Co Llc | メッキ方法 |
| CN110230046A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-13 | 捷奈斯科技（深圳）有限公司 | 一种化学镀钯/镀金方法 |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP370688A patent/JPH01180985A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0418715A2 (en) * | 1989-09-18 | 1991-03-27 | Hitachi, Ltd. | Electroless gold plating solution and method for plating gold therewith |
| US5198273A (en) * | 1989-09-18 | 1993-03-30 | Hitachi, Ltd. | Electroless gold plating solution and method for plating gold therewith |
| JP2003253456A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-09-10 | Shipley Co Llc | メッキ方法 |
| CN110230046A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-13 | 捷奈斯科技（深圳）有限公司 | 一种化学镀钯/镀金方法 |
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