JP2003229672A

JP2003229672A - 配線基板

Info

Publication number: JP2003229672A
Application number: JP2002345281A
Authority: JP
Inventors: Sumio Ota; 純雄太田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-11-30
Filing date: 2002-11-28
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】配線基板の主面側に搭載した電子部品と裏面
側に搭載したチップコンデンサとの接続を容易とした配
線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００は、コア基板１１０と樹
脂絶縁層１２２との層間１３６に第１ベタ導体層１２６
を形成し、第１ビア導体１３２ｂと第１ベタ導体層１２
６と第１スルーホール導体１１２ｂとによって、第１バ
ンプ１３４ｂとチップコンデンサ１１３の第１コンデン
サ端子１１５ｂとを接続させる。また、樹脂絶縁層１２
２と樹脂絶縁層１２３との層間１３７に第２ベタ導体層
１２７を形成し、第２ビア導体１３２ｃと第２ベタ導体
層１２７と第２コンデンサ側ビア導体１３１及び第２ス
ルーホール導体１１２ｃとによって、第２バンプ１３４
ｃとチップコンデンサ１１３の第２コンデンサ端子１１
５ｃとを接続させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップコンデンサ
を裏面側に搭載する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこで、従来より、ノイズ除去のため、配線基
板の主面あるいは裏面に、チップコンデンサを搭載する
ことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。さ
らに、搭載するチップコンデンサは１つとは限らず、例
えば、図１３に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配
線基板２の主面２ｂあるいは裏面２ｃに、複数のチップ
コンデンサ３を搭載することもある。これらの配線基板
では、チップコンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続
するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設け、
コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経
由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１の電源端子や
接地端子に接続することが行われている（図１３参
照）。

【０００３】

【特許文献１】特開２００１−２３７１３７号公報（第
１図）

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
手法では、配線基板２内にチップコンデンサ３と接続す
るコンデンサ接続配線４を引き回す必要がある。ＩＣチ
ップ１の端子配置などが変更になるとコンデンサ接続配
線４を含めた配線全体を設計し直す必要があった。特に
集積度の高いＩＣチップなどでは、多数の電源端子や接
地端子を形成することが多く、引き回しが複雑になりや
すい。さらに、多数のチップコンデンサを搭載したい場
合、あるいは多数の端子を有するチップコンデンサに接
続したい場合などにも、配線の引き回しが複雑になりや
すい。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので
あって、配線基板の主面側に搭載した電子部品と裏面側
に搭載したチップコンデンサとの接続を容易とした配線
基板を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア
基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹
脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面
絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂
絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、上記主
面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品の端子
と接続可能な複数の接続端子であって、共通第１電位と
される多数の第１接続端子、及び共通第２電位とされる
多数の第２接続端子を含む接続端子と、上記裏面側に露
出して搭載され、一方の電極が共通第１電位に、他方の
電極が共通第２電位にそれぞれ接続されることが予定さ
れ、上記一方の電極に接続する少なくとも１つの第１コ
ンデンサ端子、及び上記他方の電極に接続する少なくと
も１つの第２コンデンサ端子、を有する少なくとも１つ
のチップコンデンサと、上記コア基板と上記樹脂絶縁層
との間、または上記樹脂絶縁層同士の層間のいずれかに
形成される第１変換導体層と、上記第１変換導体層と上
記接続端子との間に介在し、上記樹脂絶縁層同士の層間
に形成される第２変換導体層と、上記第１接続端子から
それぞれ上記配線基板の裏面側に向かって延び、上記第
２変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第１変換導
体層とそれぞれ電気的に接続する第１主面側接続配線
と、上記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面
側に向かって延び、上記第２変換導体層とそれぞれ電気
的に接続する第２主面側接続配線と、上記第１コンデン
サ端子から上記配線基板の主面側に向かって延び、上記
第１変換導体層に接続する第１コンデンサ側接続配線
と、上記第２コンデンサ端子から上記配線基板の主面側
に向かって延び、上記第１変換導体層とは絶縁しつつ、
上記第２変換導体層に接続する第２コンデンサ側接続配
線と、を備える配線基板である。

【０００６】本発明の配線基板は、コア基板の主面側に
複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁
層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する
配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁
層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。ま
た、両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板
は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、Ｉ
Ｃチップ等を接続する第１，２接続端子と裏面側に搭載
するチップコンデンサの第１，２コンデンサ端子との距
離が短くすることができる。さらには、主面上に搭載す
るＩＣチップと裏面側に搭載するチップコンデンサとの
距離を短くすることができる。従って、本発明の配線基
板は、両面積層配線基板と比較して、短い経路でＩＣチ
ップ等を接続する第１，２接続端子と裏面側に搭載する
チップコンデンサの第１，２コンデンサ端子とを接続す
ることが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やイ
ンダクタンスを低減することが可能になる。

【０００７】また、本発明の配線基板は、第１，第２接
続端子とチップコンデンサとの間に形成される第１，第
２変換導体層を有し、この第１，第２変換導体層と第
１，第２接続端子とは、第１，第２主面側接続配線で接
続されている。また、第１，第２変換導体層と第１，第
２コンデンサ端子とは、第１，第２コンデンサ側接続配
線で接続されている。つまり、第１，第２変換導体層の
存在によって、第１，第２主面側接続配線と第１，第２
コンデンサ側接続配線との位置関係の規制が無くなり、
互いの位置を容易に変換することができる。

【０００８】例えば、第１主面側接続配線は共通する第
１変換導体層に接続していれば、第１コンデンサ側接続
配線が第１変換導体層と接続している位置に拘わらず、
第１コンデンサ側接続配線と接続することができ、結果
として、第１接続端子とチップコンデンサの第１コンデ
ンサ端子とを容易に接続することができる。第２変換導
体層についても同様である。また、第１，第２主面側接
続配線や第１，第２コンデンサ側接続配線の形成位置の
選択や引き回しが容易になり、より短い経路で第１接続
端子と第１コンデンサ端子とを接続し、第２接続端子と
第２コンデンサ端子とを接続することができ、これらの
経路で発生するインダクタンスを抑制することができ
る。さらに、第１，第２変換導体層の存在によって、こ
れらがない場合に比して、上述の経路において発生する
抵抗をも下げることが可能となる。

【０００９】さらに、第１，第２接続端子と第１，第２
コンデンサ端子とを結ぶ接続配線は、並列な経路が多い
ほど、抵抗値やインダクタンスを抑えることができる。
従って、第１，第２変換導体層から見て、これらに接続
する、第１，第２接続端子の数と第１，第２コンデンサ
端子の数とを比較し、数の少ない側の接続配線を短くす
る方が抵抗やインダクタンスに関して有利となる。この
ため、第１，第２コンデンサ端子の数よりも、第１，第
２接続端子の数の方が多い場合には、第１，第２変換導
体層をできるだけ第１，第２コンデンサ端子近く、つま
りチップコンデンサの近くに配置するのが好ましくな
る。従って、本発明の配線基板は、第１，第２コンデン
サ端子の数よりも、第１，第２接続端子の数の方が多い
ため、第１変換導体層をコア基板上に、第２変換導体層
をコア基板に最も近い樹脂絶縁層上に形成すると良い。

【００１０】なお、コア基板の材質としては、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＰ
Ｅ樹脂などの樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリ
エステル繊維などの繊維との複合材料、三次元網目構造
のフッ素樹脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合
材料が挙げられる。あるいは、アルミナ、ムライト、窒
化アルミニウム、ガラスセラミック、低温焼成セラミッ
ク（約１０００℃以下の比較的低温で焼成可能なセラミ
ック等）などのセラミックや、これらのセラミックと上
述の樹脂や複合材料とを組み合わせたものを用いても良
い。

【００１１】さらに、上記配線基板であって、前記第１
主面側接続配線は、前記第１接続端子からそれぞれ上記
配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ延び、前
記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２変換導体層とはそれぞ
れ絶縁しつつ、前記第１変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第１主面側貫通導体であり、前記第２主面側接
続配線は、前記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ延び、前記樹脂絶
縁層を貫通し、上記第２変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第２主面側貫通導体であり、前記第１コンデン
サ側接続配線は、前記チップコンデンサの前記第１コン
デンサ端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向主面側
に向かって真っ直ぐ延び、前記コア基板、または上記コ
ア基板及び前記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体
層に接続する第１コンデンサ側貫通導体であり、前記第
２コンデンサ側接続配線は、上記チップコンデンサの前
記第２コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ
方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、上記コア基板及び
上記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体層とはそれ
ぞれ絶縁しつつ、上記第２変換導体層に接続する第２コ
ンデンサ側貫通導体である配線基板とすると良い。

【００１２】本発明の配線基板は、第１，第２変換導体
層と第１，第２接続端子とは、配線基板の厚さ方向裏面
側に向かって真っ直ぐ延びる第１，第２主面側貫通導体
で接続されている。また、第１，第２変換導体層と第
１，第２コンデンサ端子とは、配線基板の厚さ方向主面
側に向かって真っ直ぐ延びる第１，第２コンデンサ側貫
通導体で接続されている。このような接続方法は、前記
のような第１，第２主面側接続配線や第１，第２コンデ
ンサ側接続配線で接続する方法と比較して、形成位置の
選択や引き回しがさらに容易である。このため、さらに
短い経路で第１接続端子と第１コンデンサ端子とを、第
２接続端子と第２コンデンサ端子とを接続することがで
き、これらの経路で発生するインダクタンスや抵抗をさ
らに抑制することができる。

【００１３】さらに、他の解決手段は、主面と裏面とを
有する配線基板であって、上記裏面側に開口する凹部を
有するコア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積
層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏
面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層され
た上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有
し、上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子
部品の端子と接続可能な複数の接続端子であって、共通
第１電位とされる多数の第１接続端子、及び共通第２電
位とされる多数の第２接続端子を含む接続端子と、上記
凹部内に搭載され、一方の電極が共通第１電位に、他方
の電極が共通第２電位にそれぞれ接続されることが予定
され、上記一方の電極に接続する少なくとも１つの第１
コンデンサ端子、及び上記他方の電極に接続する少なく
とも１つの第２コンデンサ端子、を有する少なくとも１
つのチップコンデンサと、上記コア基板と上記樹脂絶縁
層との間、または上記樹脂絶縁層同士の層間のいずれか
に形成される第１変換導体層と、上記第１変換導体層と
上記接続端子との間に介在し、上記樹脂絶縁層同士の層
間に形成される第２変換導体層と、上記第１接続端子か
らそれぞれ上記配線基板の裏面側に向かって延び、上記
第２変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第１変換
導体層とそれぞれ電気的に接続する第１主面側接続配線
と、上記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面
側に向かって延び、上記第２変換導体層とそれぞれ電気
的に接続する第２主面側接続配線と、上記第１コンデン
サ端子から上記配線基板の主面側に向かって延び、上記
第１変換導体層に接続する第１コンデンサ側接続配線
と、上記第２コンデンサ端子から上記配線基板の主面側
に向かって延び、上記第１変換導体層とは絶縁しつつ、
上記第２変換導体層に接続する第２コンデンサ側接続配
線と、を備える配線基板である。

【００１４】本発明の配線基板は、コア基板の主面側に
複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁
層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する
配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁
層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。ま
た、両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板
は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、Ｉ
Ｃチップ等を接続する第１，２接続端子と裏面側に搭載
するチップコンデンサの第１，２コンデンサ端子との距
離が短くすることができる。さらには、主面上に搭載す
るＩＣチップと裏面側に搭載するチップコンデンサとの
距離を短くすることができる。従って、本発明の配線基
板は、両面積層配線基板と比較して、短い経路でＩＣチ
ップ等と裏面側に搭載するチップコンデンサとを接続す
ることが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やイ
ンダクタンスを低減することが可能になる。

【００１５】さらに、本発明の配線基板では、コア基板
に裏面側に開口する凹部を形成し、チップコンデンサを
この凹部内に搭載する。このため、本発明の配線基板
は、凹部が形成されていない配線基板と比較して、コア
基板に凹部を形成して肉厚を薄くした分、ＩＣチップ等
を接続する第１，２接続端子とチップコンデンサの第
１，２コンデンサ端子との距離が短くすることができ
る。さらには、主面上に搭載するＩＣチップ等と裏面側
に搭載するチップコンデンサとの距離を短くすることが
できる。従って、本発明の配線基板は、凹部が形成され
ていない配線基板と比較して、短い経路で主面上に搭載
するＩＣチップ等とチップコンデンサとを接続すること
が可能になり、これらの経路で発生する抵抗やインダク
タンスをさらに低減することが可能になる。

【００１６】また、本発明の配線基板は、第１，第２接
続端子とチップコンデンサとの間に形成される第１，第
２変換導体層を有し、この第１，第２変換導体層と第
１，第２接続端子とは、第１，第２主面側接続配線で接
続されている。また、第１，第２変換導体層と第１，第
２コンデンサ端子とは、第１，第２コンデンサ側接続配
線で接続されている。つまり、第１，第２変換導体層の
存在によって、第１，第２主面側接続配線と第１，第２
コンデンサ側接続配線との位置関係の規制が無くなり、
互いの位置を容易に変換することができる。

【００１７】例えば、第１主面側接続配線は共通する第
１変換導体層に接続していれば、第１コンデンサ側接続
配線が第１変換導体層と接続している位置に拘わらず、
第１コンデンサ側接続配線と接続することができ、結果
として、第１接続端子とチップコンデンサの第１コンデ
ンサ端子とを容易に接続することができる。第２変換導
体層についても同様である。また、第１，第２主面側接
続配線や第１，第２コンデンサ側接続配線の形成位置の
選択や引き回しが容易になり、より短い経路で第１接続
端子と第１コンデンサ端子とを接続し、第２接続端子と
第２コンデンサ端子とを接続することができ、これらの
経路で発生するインダクタンスを抑制することができ
る。さらに、第１，第２変換導体層の存在によって、こ
れらがない場合に比して、上述の経路において発生する
抵抗をも下げることが可能となる。

【００１８】さらに、第１，第２接続端子と第１，第２
コンデンサ端子とを結ぶ接続配線は、並列な経路が多い
ほど、抵抗値やインダクタンスを抑えることができる。
従って、第１，第２変換導体層から見て、これらに接続
する第１，第２接続端子の数と第１，第２コンデンサ端
子の数を比較し、数の少ない側の接続配線を短くする方
が抵抗やインダクタンスに関して有利となる。このた
め、第１，第２コンデンサ端子の数よりも、第１，第２
接続端子の数の方が多い場合には、第１，第２変換導体
層をできるだけ第１，第２コンデンサ端子近く、つまり
チップコンデンサの近くに配置するのが好ましくなる。
従って、本発明の配線基板は、第１，第２コンデンサ端
子の数よりも、第１，第２接続端子の数の方が多いた
め、第１変換導体層をコア基板上に、第２変換導体層を
コア基板に最も近い樹脂絶縁層上に形成すると良い。

【００１９】さらに、上記配線基板であって、前記第１
主面側接続配線は、前記第１接続端子からそれぞれ上記
配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ延び、前
記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２変換導体層とはそれぞ
れ絶縁しつつ、前記第１変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第１主面側貫通導体であり、前記第２主面側接
続配線は、前記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ延び、前記樹脂絶
縁層を貫通し、上記第２変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第２主面側貫通導体であり、前記第１コンデン
サ側接続配線は、前記チップコンデンサの前記第１コン
デンサ端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向主面側
に向かって真っ直ぐ延び、前記コア基板、または上記コ
ア基板及び前記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体
層に接続する第１コンデンサ側貫通導体であり、前記第
２コンデンサ側接続配線は、上記チップコンデンサの前
記第２コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ
方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、上記コア基板及び
上記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体層とはそれ
ぞれ絶縁しつつ、上記第２変換導体層に接続する第２コ
ンデンサ側貫通導体である配線基板とすると良い。

【００２０】本発明の配線基板は、第１，第２変換導体
層と第１，第２接続端子とは、配線基板の厚さ方向裏面
側に向かって真っ直ぐ延びる第１，第２主面側貫通導体
で接続されている。また、第１，第２変換導体層と第
１，第２コンデンサ端子とは、配線基板の厚さ方向主面
側に向かって真っ直ぐ延びる第１，第２コンデンサ側貫
通導体で接続されている。このような接続方法は、前記
のような第１，第２主面側接続配線や第１，第２コンデ
ンサ側接続配線で接続する方法と比較して、形成位置の
選択や引き回しがさらに容易である。このため、さらに
短い経路で第１接続端子と第１コンデンサ端子とを、第
２接続端子と第２コンデンサ端子とを接続することがで
き、これらの経路で発生するインダクタンスや抵抗をさ
らに抑制することができる。

【００２１】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記複数の接続端子は、前記樹脂絶縁層のう
ち、前記チップコンデンサを前記主面側に投影した領域
内に形成されてなる配線基板とすると良い。

【００２２】本発明の配線基板では、主面上に搭載する
ＩＣチップ等の端子とそれぞれ接続可能な複数の接続端
子が、樹脂絶縁層のうち、チップコンデンサを主面側に
投影した領域内に形成されている。つまり、チップコン
デンサとＩＣチップ等とが配線基板の積層方向（上下方
向）に略対向して搭載される。このため、チップコンデ
ンサとＩＣ等との配線経路をさらに短くすることが可能
になり、これらの経路で発生する抵抗、インダクタンス
をさらに低減することが可能になる。

【００２３】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記第１コンデンサ端子及び前記第２コンデ
ンサ端子は、前記チップコンデンサの前記主面側を向く
コンデンサ上面に形成され、前記コア基板の前記裏面側
には、上記第１コンデンサ端子と接続する第１コンデン
サ接続端子、及び上記第２コンデンサ端子と接続する第
２コンデンサ接続端子が形成されてなる配線基板とする
と好ましい。

【００２４】この配線基板のチップコンデンサは、主面
側を向くコンデンサ上面に第１コンデンサ端子及び第２
コンデンサ端子が形成されている。さらに、この配線基
板のコア基板の裏面側には、第１コンデンサ端子と接続
する第１コンデンサ接続端子、及び第２コンデンサ端子
と接続する第２コンデンサ接続端子が形成されている。
このため、この配線基板では、第１コンデンサ端子と第
１コンデンサ接続端子とを、及び第２コンデンサ端子と
第２コンデンサ接続端子とを直接、端子同士で接続する
ことができる。従って、第１コンデンサ端子及び第２コ
ンデンサ端子と、第１コンデンサ接続端子及び第２コン
デンサ接続端子との間で配線経路を短縮することがで
き、これらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさ
らに低減することが可能になる。

【００２５】また、複数の第１コンデンサ端子と複数の
第２コンデンサ端子とを、及び複数の第１コンデンサ接
続端子と複数の第２コンデンサ接続端子とを縦横格子状
に交互に配置する場合には、さらにインダクタンスを低
減できる点で好ましい。このようにすると、１つのチッ
プコンデンサについて見たとき、それぞれの端子につい
て隣り合う端子の電位が異なるようになる。このため、
コンデンサの充放電の際に、隣り合う端子を流れる電流
の向きが互いに逆向きになり、両者の結合によって発生
する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタンス
を減少させることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態を、図１〜図５を参照しつつ説明する。図１に示
す配線基板１００は、コア基板１１０と、コア主面１１
０ｂ側に積層されたエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層１
２２〜１２５、ベタ導体層（変換導体層）１２６，１２
７、及び配線層１２８，１２９を有する。さらに、樹脂
絶縁層１２２〜１２５のうちいずれか、または複数の樹
脂絶縁層を貫通するビア導体１３１〜１３３が形成され
ている。さらに、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃ側
には、チップコンデンサ１１３が多数搭載されている。
また、樹脂絶縁層１２５上（配線基板１００の主面１０
０ｂ）のうち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ
側に投影した領域Ｅ（図１の中央部）には、バンプ１３
４（接続端子）が多数形成され、破線で示すＩＣチップ
ＣＨの下面ＣＨＡに多数形成された接続端子ＣＨＴとそ
れぞれフリップチップ接続可能とされている。

【００２７】コア基板１１０は、３１ｍｍ×３１ｍｍの
矩形板状で、厚さ約１．０ｍｍのガラス−エポキシ樹脂
複合材料からなり、その主面１１０ｂと裏面１１０ｃと
の間には、これを貫通する多数のスルーホール用貫通孔
１１１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔１１
１Ｈ内には、公知のスルーホール導体１１２（１１２
ｂ，１１２ｃ，１１２ｄ）が形成され、その内側には充
填樹脂１１２Ｒが充填されている（図１右下の拡大図参
照）。コア基板１１０のコア主面１１０ｂには、第１ス
ルーホール導体１１２ｂ（第１コンデンサ側貫通導体）
と接続する第１ベタ導体層（第１変換導体層）１２６が
形成されている。また、コア裏面１１０ｃには、第１ス
ルーホール導体１１２ｂと接続する第１パッド（第１コ
ンデンサ接続端子）１５２ｂ、第２スルーホール導体１
１２ｃと接続する第２パッド（第２コンデンサ接続端
子）１５２ｃ、スルーホール導体１１２ｄと接続するパ
ッド１５１、及びソルダーレジスト層１４１が形成され
ている。

【００２８】バンプ１３４のうち一部（図１の左右端）
は、樹脂絶縁層１２４と１２５との間、あるいは樹脂絶
縁層１２３と１２４との間に形成された配線層１２８，
１２９によって、それぞれ周縁側（図１中、右または左
方向）にファンアウトし、樹脂絶縁層１２４〜１２２あ
るいは１２３〜１２２をそれぞれ貫通するビア導体１３
３、及びスルーホール導体１１２ｄを通じてコア裏面１
００ｃに形成されたパッド１５１に接続している。これ
らは、例えば、信号用配線として使用される。

【００２９】バンプ１３４のうち残りは、裏面１００ｃ
側に向かって真っ直ぐ延び、樹脂絶縁層１２５〜１２２
あるいは１２５〜１２３をそれぞれ貫通するビア導体１
３２によって、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との
間、あるいは樹脂絶縁層１２２と１２３との間に形成さ
れた略平板状のベタ導体層（変換導体層）１２６，１２
７に接続する。具体的には、第１バンプ（第１接続端
子）１３４ｂは、裏面１００ｃ側に向かって真っ直ぐ延
び、樹脂絶縁層１２５〜１２２をそれぞれ貫通する第１
ビア導体（第１主面側貫通導体）１３２ｂによって、第
２ベタ導体層（第２変換導体層）１２７に形成された透
孔１２７Ｈ内を通って第２ベタ導体層１２７と絶縁しつ
つ、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との間に形成さ
れた第１ベタ導体層（第１変換導体層）１２６に接続す
る。また、第２バンプ（第２接続端子）１３４ｃは、裏
面１００ｃ側に向かって真っ直ぐ延び、樹脂絶縁層１２
５〜１２３をそれぞれ貫通する第２ビア導体（第２主面
側貫通導体）１３２ｃによって、樹脂絶縁層１２２と１
２３との間に形成された第２ベタ導体層１２７に接続す
る。なお、次述するように本実施形態では、第１ベタ導
体層１２６は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベ
タ導体層１２７は接地電位（共通第２電位）に接続され
る。

【００３０】さらに、チップコンデンサ１１３の第１コ
ンデンサ端子１１５ｂは、主面１１０ｂ側に向かって真
っ直ぐ延び、コア基板１１０を貫通する第１スルーホー
ル導体（第１コンデンサ側貫通導体）１１２ｂによっ
て、第１ベタ導体層１２６に接続する。一方、チップコ
ンデンサ１１３の第２コンデンサ端子１１５ｃは、主面
１１０ｂ側に向かって真っ直ぐ延び、樹脂絶縁層１２２
を貫通する第２コンデンサ側ビア導体１３１及びコア基
板１１０を貫通する第２スルーホール導体１１２ｃによ
って、第１ベタ導体層１２６に形成された透孔１２６Ｈ
内を通って第１ベタ導体層１２６と絶縁しつつ、第２ベ
タ導体層１２７に接続する。本実施形態では、第２コン
デンサ側ビア導体１３１及び第２スルーホール導体１１
２ｃが第２コンデンサ側貫通導体となっている。これに
よって、ＩＣチップＣＨ搭載時には、コンデンサ１１３
とＩＣチップＣＨとが極めて近い距離で接続され、また
電源電位及び接地電位が供給される。

【００３１】チップコンデンサ１１３は、図１左下方に
拡大して示すように、ＢａＴｉＯ３系の高誘電体セラミ
ックからなる積層セラミックコンデンサである。このう
ちコンデンサ本体１１４は、略直方形状（３．２×１．
６×０．８ｍｍ）であり、配線基板１００の主面１００
ｂ側（図１の上方）を向きコンデンサ上面１１３ｕであ
る上面１１４ｕ、下面１１０ｃ側（図１の下方）を向き
コンデンサ下面１１３ｄである下面１１４ｄ、及び４つ
の側面１１４Ｓ（１１４Ｓ１，１１４Ｓ２，１１４Ｓ
３，１１４Ｓ４）を有している（図４参照）。

【００３２】その内部には、共通第１電位に接続される
第１電位電極層（一方の電極）１１４ｂと、共通第２電
位に接続される第２電位電極層（他方の電極）１１４ｃ
とが、セラミック高誘電体層１１４ｅを介して交互に、
上面１１４ｕに平行に（側面１１４Ｓに垂直に）、従っ
て、主面１００ｂに平行に多数積層されている。これら
の電極層１１４ｂ，１１４ｃはＮｉからなる。各電極層
１１４ｂ，１１４ｃの一部が、それぞれ第１側面１１４
Ｓ１及び第３側面１１４Ｓ３に引き出されて、Ｃｕから
なるコンデンサ端子１１５に接続している。具体的には
第１電位電極層１１４ｂが第１コンデンサ端子１１５ｂ
に、第２電位電極層１１４ｃが第２コンデンサ端子１１
５ｃにそれぞれ接続している。

【００３３】コンデンサ端子１１５ｂ，１１５ｃは、そ
れぞれ上面１１４ｕに上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕ
を、下面１１４ｄに下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄをそ
れぞれ有している。従って、コンデンサ端子１１５ｂ，
１１５ｃは、この上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕから上
面１１４ｕの周縁を越えて、側面１１４Ｓを上面１１４
ｕから下面１１４ｄに向かって延び、さらに、下面１１
４ｄの周縁を越えて下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄに接
続している。

【００３４】本実施形態のチップコンデンサ１１３で
は、第１側面１１４Ｓ１とこれに対向する第３側面１１
４Ｓ３に、それぞれ４つのコンデンサ端子１１５が形成
されており、第２側面１１４Ｓ２及び第４側面１１４Ｓ
４にはコンデンサ端子１１５は形成されていない。ま
た、図４に示すように、１つのチップコンデンサ１１３
について、第１側面１１４Ｓ１から時計回りに第２側面
１１４Ｓ２、第３側面１１４Ｓ３、第４側面１１４Ｓ４
の順に見ると、コンデンサ端子１１５ｂ，１１５ｃは交
互に並んで配置されている。つまり、後述するように、
第１電位電極層を＋の電源電位（図４に「＋」で示す）
に、第２電位電極層を接地電位（図４に「Ｇ」で示す）
にすると、「＋」で示す電源電位に接続する第１コンデ
ンサ端子１１５ｂと、「Ｇ」で示す接地電位に接続する
第２コンデンサ端子１１５ｃとが交互に並ぶ構造とされ
ている。

【００３５】さらに、チップコンデンサ１１３は、図４
及び図５に示すように、隣り合うチップコンデンサ１１
３の第１側面１１４Ｓ１と第３側面１１３Ｓ３同士、及
び第２側面１１４Ｓ２と第４側面１１４Ｓ４同士が対向
するように、主面１００ｂから見て、縦横格子状に配置
されている。このため、電源電位と接地電位とを各チッ
プコンデンサ１１３への接続を考慮することにより、図
４に示すように、隣り合って対向するコンデンサ端子１
１５同士を、別の電位にする、つまり第１コンデンサ端
子１１５ｂを電源電位に、第２コンデンサ端子１１５ｃ
を接地電位にすることができる。

【００３６】ところで、このチップコンデンサ１１３に
ついて充放電させると、前記したように、コンデンサ端
子１１５に電流が流れる（図１及び図５参照）。この電
流によって、側面１１４Ｓ１などを上下方向に延びるコ
ンデンサ端子１１５には、自己インダクタンスが発生す
る。なお、図中の矢印は電流の方向を示す。１つのチッ
プコンデンサ１１３についてみると、隣のコンデンサ端
子１１５との関係では、接続される電位が異なるので、
充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両
者の結合によって発生する相互インダクタンスの分だ
け、自己インダクタンスを減少させることができる。

【００３７】しかも、隣り合ったチップコンデンサ１１
３同士についてみると、隣り合って対向するコンデンサ
端子１１５同士の関係でも、接続される電位が異なるの
で、充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従っ
て、両者の結合によって発生する相互インダクタンスの
分だけ、自己インダクタンスを減少させることができ
る。本実施形態では、チップコンデンサ１１３を縦横格
子状に配置している。このため、対向する第１側面１１
４Ｓ１と隣のコンデンサの第３側面１１４Ｓ３のコンデ
ンサ端子同士について、さらには、対向して隣り合うコ
ンデンサ端子１１５のいずれについても、上記のように
インダクタンスを抑制することができるので、全体とし
てさらにインダクタンスを低下させることができる

【００３８】その上、本実施形態では、図４に示すよう
に、チップコンデンサ１１３内で隣り合うコンデンサ端
子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ１＝０．８ｍｍより
も、隣り合うチップコンデンサ１１３同士の隣り合って
対向するコンデンサ端子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ
２＝０．４ｍｍの方が小さくされている。このため、隣
り合って対向するコンデンサ端子１１５同士の結合が大
きくなり、インダクタンスをより小さくすることができ
る。

【００３９】さらに、本実施形態では、上記のようにチ
ップコンデンサ１１３を多数搭載しているため、ノイズ
を確実に除去できる上、複数のチップコンデンサ１１３
を並列に接続しているので、搭載するコンデンサ全体と
してのインダクタンスも低減させることができる。ま
た、チップコンデンサ１１３のコンデンサ端子１１５に
は、上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを形成しているの
で、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃに形成したパッ
ド（コンデンサ接続端子）１５２（１５２ｂ，１５２
ｃ）とコンデンサ端子１１５（１１５ｂ，１１５ｃ）と
の接続が容易になる。

【００４０】さらにまた、本実施形態では、コア基板１
１０とバンプ１３４との間に、第１ベタ導体層１２６，
第２ベタ導体層１２７を介在させ、第１ビア導体１３２
ｂと第１ベタ導体層１２６と第１スルーホール導体１１
２ｂとによって、第１バンプ１３４ｂとチップコンデン
サ１１３の第１コンデンサ端子１１５ｂとを接続させ
た。また、第２ビア導体１３２ｃと第２ベタ導体層１２
７と第２コンデンサ側ビア導体１３１及び第２スルーホ
ール導体１１２ｃとによって、第２バンプ１３４ｃとチ
ップコンデンサ１１３の第２コンデンサ端子１１５ｃと
を接続させた。これは、本実施形態同様一般に、コンデ
ンサ端子の間隔よりもバンプの間隔のほうが狭く、ま
た、コンデンサ端子の数よりもバンプの数のほうが多い
が、上述のように接続すると、第１，第２バンプ１３４
ｂ，１３４ｃと第１，第２コンデンサ端子１１５との接
続が容易にできるメリットがあるからである。

【００４１】具体的に言えば、第１，第２ベタ導体層１
２６，１２７によって、第１，第２ビア導体１３２ｂ，
１３２ｃと、第１，第２スルーホール導体１１２ｂ，１
１２ｃ及び第２コンデンサ側ビア導体１３１との数と位
置を変換し、それぞれが適切な位置で第１，第２ベタ導
体層１２６，１２７に接続できる。このため、個々の第
１バンプ１３４ｂとチップコンデンサ１１３の第１コン
デンサ端子１１５ｂとを、また、個々の第２バンプ１３
４ｃと第２コンデンサ端子１１５ｃとを複雑な接続配線
の引き回しで結ぶ必要が無く、容易に接続することがで
きる。

【００４２】しかも、第１バンプ１３４ｂと第１コンデ
ンサ端子１１５ｂとの間の経路を短くできるから、両者
の接続配線に生じるインダクタンス及び抵抗を抑制する
ことができる。第２バンプ１３４ｃと第２コンデンサ
端子１１５ｃとの間に経路に生じるインダクタンス及び
抵抗も同様である。さらに、第１，第２ベタ導体層１２
６，１２７に生じるインダクタンスは、通常の配線に生
じるそれよりも低く抑えることができるから、この点か
らも、第１バンプ１３４ｂと第１コンデンサ端子１１５
ｂとの間、第２バンプ１３４ｃと第２コンデンサ端子１
１５ｃとの間に生じるインダクタンスをさらに抑制する
ことできる。

【００４３】また、いずれの第１ビア導体１３２ｂも共
通の第１ベタ導体層１２６に一旦接続し、同様に第２ビ
ア導体１３２ｃも共通の第２ベタ導体層１２７に一旦接
続する。従って、例えば、いずれかの第１，第２スルー
ホール導体１１２ｂ，１１２ｃ及び第２コンデンサ側ビ
ア導体１３１に接続不良や断線が生じても、各第１，第
２バンプ１３４ｂ，１３４ｃには正常に電源電位や接地
電位（共通第１，第２電位）を供給できるので、配線基
板１００の信頼性も高くすることができる利点もある。

【００４４】また、バンプ１３４とコンデンサ端子１１
５とを結ぶ接続配線は、並列な経路が多いほど、抵抗値
やインダクタンスを抑えることができる。従って、変換
導体層１２６，１２７から見て、これらに接続するバン
プ１３４の数とコンデンサ端子１１５の数を比較し、数
の少ない側の接続配線を短くする方が抵抗やインダクタ
ンスに関して有利となる。これに対し、配線基板１００
は、図１からわかるように、変換導体層１２６，１２７
を、バンプ１３４よりも数の少ないコンデンサ端子１１
５に近づけ、数の少ないコンデンサ端子側の接続配線を
短くしている。具体的には、第１変換導体層１２６をコ
ア基板１１０と最も裏面側の樹脂絶縁層１２２との層間
１３６に、第２変換導体層１２６を最も裏面側の樹脂絶
縁層１２２と樹脂絶縁層１２３との層間１３７に形成
し、コンデンサ端子側の接続配線を短くしている。従っ
て、本実施形態の配線基板１００は、これらの経路にお
いて抵抗やインダクタンスを抑えている。

【００４５】また、配線基板１００は、コア基板１１０
の主面１１０ｂ側に樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成
し、裏面１１０ｃには裏面絶縁層を形成しない、片面積
層配線基板である。このため、配線基板１００は、両面
積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、安価
である。また、配線基板１００は、両面積層配線基板と
比較して裏面絶縁層を有しない分、主面側のＩＣチップ
と裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従っ
て、配線基板１００は、両面積層配線基板と比較して、
短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデ
ンサとを接続することができ、これらの経路で発生する
抵抗やインダクタンスを低減することができる。

【００４６】さらに、配線基板１００では、樹脂絶縁層
１２５のうち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ
側に投影した領域Ｅに、主面１００ｂ上に搭載するＩＣ
チップＣＨの複数の接続端子ＣＨＴとそれぞれ接続可能
な複数のバンプ１３４が形成されている（図１参照）。
つまり、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが
配線基板１００の積層方向（上下方向）に略対向して搭
載される。このため、チップコンデンサ１１３とＩＣチ
ップＣＨとの配線経路をさらに短くすることができ、こ
れらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさらに低
減することができる。

【００４７】次いで、本実施形態の配線基板１００の製
造方法について図１〜図３を参照しつつ説明する。ま
ず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面１１
１ｂ及び裏面１１１ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を張り付
けた、３１×３１ｍｍの矩形状で厚さ約１．０ｍｍの両
面銅張りのコア基板本体１１１を用意する（図２を参
照）。そして、コア基板本体１１１の所定の位置に、ド
リルまたはレーザによって、その主面１１１ｂと裏面１
１１ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫通孔１
１１Ｈを穿孔する。

【００４８】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキによって、スルーホール用貫通孔１１１Ｈ内に
スルーホール導体１１２を形成する。さらに、エッチン
グによって、主面１１１ｂのうち、第２スルーホール導
体１１２ｃ上及びその周縁に透孔１２６Ｈを形成し、第
１スルーホール導体１１２ｂと接続するように第１ベタ
導体層１２６を形成する。これと同時に、裏面１１１ｃ
の所定の位置にスルーホール導体１１２と接続するよう
にパッド１５１，１５２を形成し、コア基板１１０を形
成する。なお、図２に拡大して示すように、スルーホー
ル導体１１２としては、スルーホール用貫通孔１１１Ｈ
の内周に内周スルーホール導体１１２ＴＨを形成するほ
か、その中心部に充填樹脂１１２Ｒを充填形成した。

【００４９】次に、２つのコア基板１１０のコア裏面１
１０ｃ同士を、接着層１３５によって、その外周縁より
外側の不要部１１８（図２の左右下面）で貼りあわせ
て、一対のコア基板１１０とする（図３参照）。次い
で、一対のコア基板１１０のうち２つのコア主面１１０
ｂについて、以下の工程を同時に行い、図３に示すよう
に樹脂絶縁層等を積層する。まず、コア主面１１０ｂ上
に樹脂絶縁層１２２を形成する。同様に、公知のビルド
アップ工法によって、各樹脂絶縁層１２３〜１２５を形
成すると共に、各層間には、第２ベタ導体層１２７、配
線層１２８，１２９を形成する。また、各樹脂絶縁層を
貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形成する。

【００５０】このように、２つのコア基板１１０を貼り
あわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２つの
コア基板１１０を貼りあわせることによって、樹脂絶縁
層等の積層時に基板が反るのを防止することができるか
らである。次に、コア基板１１０同士を貼りあわせてい
る接着層１３５を切り離して、一対のコア基板１１０に
樹脂絶縁層等を積層したものを分離する。その後、コア
基板１１０の裏面１１０ｃに所定パターンのソルダーレ
ジスト層１４１を形成する（図１参照）。その後、チッ
プコンデンサ１１３を裏面１１０ｃ側に配置し、第１コ
ンデンサ端子１１５ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド
１５２ｂとを、第２コンデンサ端子１１５ｃの上面部１
１５ｃｕと第２パッド１５２ｃとを、ハンダ１５３によ
って接続する。さらに、各ビア導体１３２と接続するよ
うに、樹脂絶縁層１２５上にバンプ１３４を形成する。
このようにして、図１に示すような配線基板１００を完
成する。

【００５１】以上に説明したように、配線基板１００
は、２つのコア基板１１０を接着層１３５を介して貼り
あわせ、一対のコア基板１１０とした後、このような十
分な強度を持つ一対のコア基板１１０の主面１１０ｂ上
に絶縁樹脂層及び配線層を積層している。従って、コア
基板１１０の片面にだけ樹脂絶縁層が積層されていて
も、従来のような補強材を取り付けることが不要とな
り、低コストで製造することが可能となる。

【００５２】（実施形態２）次に、本発明の第２の実施
形態について、図６を参照しつつ説明する。本実施形態
の配線基板２００は、実施形態１にかかる配線基板１０
０と比較して、コンデンサ接続用のパッドとＩＣ接続用
のバンプとを結ぶ配線については、ほぼ同様の構造を有
している。但し、実施形態１では、配線基板の裏面側に
突出するようにチップコンデンサを裏面に搭載した。こ
れに対し、本実施形態２では、コア基板に配線基板の裏
面側に開口する凹部を形成し、チップコンデンサを凹部
内に搭載する。従って、ここでは、実施形態１と異なる
部分を中心に説明し、同様な部分については、説明を省
略または簡略化する。

【００５３】具体的には、本発明の配線基板２００は、
図６に示すように、配線基板本体２０１とチップコンデ
ンサ１１３とによって構成されている。配線基板本体２
０１は、裏面２０１ｃ側に開口する凹部２８７が形成さ
れたコア基板２８０と、コア主面２８０ｂ上に積層され
た、実施形態１と同様の、樹脂絶縁層１２２〜１２５、
ベタ導体層１２７、及び配線層１２８，１２９と、ベタ
導体層２２６を有する。さらに、実施形態１と同様に、
樹脂絶縁層１２２〜１２５のうちいずれか、または複数
の樹脂絶縁層を貫通するビア導体１３１〜１３３が形成
されている。また、チップコンデンサ１１３は、チップ
コンデンサの上面１１３ｕが凹部２８７の底面２８７ｂ
に対向するように、凹部２８７内に配置されている。

【００５４】配線基板２００のうちコア基板２８０は、
比較的肉薄の第１コア部２６０と比較的肉厚の第２コア
部２７０とによって形成される。第１コア部２６０は、
３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍのガラス
−エポキシ樹脂からなり、図７に示すように、その中央
付近には第１コア部２６０の厚さ方向に貫通する直径約
１００μｍの多数のスルーホール用貫通孔２６１Ｈが穿
孔されている。スルーホール用貫通孔２６１Ｈ内には、
公知のスルーホール導体２６２が形成され、その内側に
は充填樹脂２６２Ｒが充填されている。（図７の拡大図
参照）第２コア部２７０（図６参照）は、３１ｍｍ×３１ｍｍ
の矩形で厚さ約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂から
なり、その中央付近には凹部２８７が形成されている。
凹部２８７は平面視で縦・横約１５ｍｍ×１５ｍｍの略
正方形である。

【００５５】第１コア部２６０と第２コア部２７０と
は、厚さ約６０μｍの接着層２４５を介して貼り合わさ
れることにより積層され、コア基板２８０を形成してい
る。コア基板２８０のうち凹部２８７の周囲（図６の左
右）には、図６に拡大して示すように、その厚さ方向に
貫通する直径約１００μｍの多数のスルーホール用貫通
孔２８１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔２
８１Ｈ内には、公知のスルーホール導体２８２が形成さ
れ、その内側には充填樹脂２８２Ｒが充填されている。
さらに、コア基板２８０のコア裏面２８０ｃには、スル
ーホール導体２８２と接続するパッド２５５とソルダー
レジスト層２４３が形成されている。また、凹部２８７
の底面２８７ｂには、実施形態１のコンデンサ接続用の
パッド１５２と同様のコンデンサ接続用のパッド２５２
とエポキシ系樹脂からなるソルダーレジスト層２４４と
が形成されている。コンデンサ接続用のパッド２５２は
スルーホール導体２６２と接続している。

【００５６】コア基板２８０のコア主面２８０ｂ上に形
成されている第１ベタ導体層２２６は、実施形態１の第
１ベタ導体層１２６と同様のパターンであり、スルーホ
ール導体２８２と接続している。また、実施形態１と同
様に、樹脂絶縁層１２５上（配線基板２００の主面２０
０ｂ）のうち、チップコンデンサ１１３を主面２００ｂ
側に投影した領域Ｅ（図６の中央部）には、バンプ１３
４が多数形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの下面Ｃ
ＨＡに多数形成された接続端子ＣＨＴとそれぞれフリッ
プチップ接続可能とされている。

【００５７】上述のような配線基板本体２０１を有する
配線基板２００によれば、実施形態１と同様に、バンプ
１３４のうち一部（図６の左右端）は、配線層１２８，
１２９によってそれぞれ周縁側（図６中、右または左方
向）にファンアウトし、ビア導体１３３、及びスルーホ
ール導体２８２を通じてパッド２５５に接続している。
これらは、例えば、信号用配線として使用される。さら
に、実施形態１と同様に、バンプ１３４のうち残りは、
ビア導体１３２によって第１，２ベタ導体層２２６，１
２７にそれぞれ接続する。なお、実施形態１と同様に、
第１ベタ導体層２２６は＋の電源電位（共通第１電位）
に、第２ベタ導体層１２７は接地電位（共通第２電位）
に接続される。

【００５８】さらに、実施形態１と同様に、第１ベタ導
体層２２６は第１スルーホール導体２６２ｂによって、
チップコンデンサ１１３の第１コンデンサ端子１１５ｂ
に接続し、第２ベタ導体層１２７は、第２コンデンサ側
ビア導体１３１及び第２スルーホール導体２６２ｃによ
って、チップコンデンサ１１３の第２コンデンサ端子１
１５ｃに接続する。これによって、ＩＣチップＣＨを搭
載したときは、コンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが
極めて近い距離で接続され、また電源電位及び接地電位
が供給される。

【００５９】また、凹部２８７内に搭載されているチッ
プコンデンサ１１３は、実施形態１と同様に配置されて
いる。従って、隣り合ったチップコンデンサ１１３同士
についてみると、隣り合って対向する側面端子１１５同
士の関係で、接続される電位が異なるので、充放電の際
に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者の結合に
よって発生する相互インダクタンスの分だけ、自己イン
ダクタンスを減少させることができる（図５及び図６参
照）。さらに、チップコンデンサ１１３は、縦横格子状
に配置されているため、対向して隣り合う側面端子１１
５のいずれについても、上記のようにインダクタンスを
抑制することができるので、全体としてさらにインダク
タンスを低下させることができる。その上、図４に示す
ように、Ｐ１＝０．８ｍｍ、Ｐ２＝０．４ｍｍとなって
いるため、隣り合って対向する側面端子１１５同士の結
合が大きくなり、インダクタンスをより小さくすること
ができる。

【００６０】さらに、本実施形態では、実施形態１と同
様に、チップコンデンサ１１３を多数搭載しているた
め、ノイズを確実に除去できる上、複数のチップコンデ
ンサ１１３を並列に接続しているので、搭載するコンデ
ンサ全体としてのインダクタンスも低減させることがで
きる。また、チップコンデンサ１１３のコンデンサ端子
１１５には、上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを形成して
いるので、凹部２８７の裏面２８７ｂに形成したパッド
（コンデンサ接続端子）１５２（１５２ｂ，１５２ｃ）
とコンデンサ端子１１５（１１５ｂ，１１５ｃ）との接
続が容易になる。

【００６１】さらにまた、本実施形態では、実施形態１
と同様に、コア基板２８０とバンプ１３４との間に、第
１ベタ導体層２２６，第２ベタ導体層１２７を介在させ
た。このため、第１，第２ベタ導体層２２６，１２７に
よって、第１，第２ビア導体１３２ｂ，１３２ｃと、第
１，第２スルーホール導体２６２ｂ，２６２ｃ及び第２
コンデンサ側ビア導体１３１との数と位置を変換し、そ
れぞれが適切な位置で第１，第２ベタ導体層２２６，１
２７に接続できる。従って、個々の第１バンプ１３４ｂ
とチップコンデンサ１１３の第１コンデンサ端子１１５
ｂとを、また、個々の第２バンプ１３４ｃと第２コンデ
ンサ端子１１５ｃとを複雑な接続配線の引き回しで結ぶ
必要が無く、容易に接続することができる。

【００６２】しかも、第１バンプ１３４ｂと第１コンデ
ンサ端子１１５ｂとの間の経路を短くできるから、両者
の接続配線に生じるインダクタンス及び抵抗を抑制する
ことができる。第２バンプ１３４ｃと第２コンデンサ
端子１１５ｃとの間に経路に生じるインダクタンス及び
抵抗も同様である。さらに、第１，第２ベタ導体層２２
６，１２７に生じるインダクタンスは、通常の配線に生
じるそれよりも低く抑えることができるから、この点か
らも、第１バンプ１３４ｂと第１コンデンサ端子１１５
ｂとの間、第２バンプ１３４ｃと第２コンデンサ端子１
１５ｃとの間に生じるインダクタンスをさらに抑制する
ことできる。

【００６３】また、いずれの第１ビア導体１３２ｂも共
通の第１ベタ導体層２２６に一旦接続し、同様に第２ビ
ア導体１３２ｃも共通の第２ベタ導体層１２７に一旦接
続する。従って、例えば、いずれかの第１，第２スルー
ホール導体２６２ｂ，２６２ｃ及び第２コンデンサ側ビ
ア導体１３１に接続不良や断線が生じても、各第１，第
２バンプ１３４ｂ，１３４ｃには正常に電源電位や接地
電位（共通第１，第２電位）を供給できるので、配線基
板２００の信頼性も高くすることができる利点もある。

【００６４】また、図６からわかるように、本実施形態
では、実施形態１と同様に、変換導体層２２６，１２７
を、バンプ１３４よりも数の少ないコンデンサ端子１１
５に近づけ、数の少ないコンデンサ端子側の接続配線を
短くしている。具体的には、第１変換導体層１２６をコ
ア基板１１０と最も裏面側の樹脂絶縁層１２２との層間
１３６に、第２変換導体層１２６を最も裏面側の樹脂絶
縁層１２２と樹脂絶縁層１２３との層間１３７に形成
し、コンデンサ端子側の接続配線を短くしている。従っ
て、本実施形態の配線基板１００は、これらの経路にお
いて抵抗やインダクタンスを抑えている。

【００６５】また、本実施形態の配線基板２００は、実
施形態１と同様に、コア基板２８０の主面２８０ｂ側に
樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成し、裏面２８０ｃには
裏面絶縁層を形成しない、片面積層配線基板である。こ
のため、配線基板２００は、両面積層配線基板と比較し
て裏面絶縁層を有しない分、安価である。また、配線基
板２００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を
有しない分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコン
デンサとの距離が短くなる。従って、配線基板２００
は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側の
ＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続するこ
とができ、これらの経路で発生する抵抗やインダクタン
スを低減することができる。

【００６６】さらに、配線基板２００では、実施形態１
と同様に、樹脂絶縁層１２５のうち、チップコンデンサ
１１３を主面２００ｂ側に投影した領域Ｅに、主面２０
０ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨの複数の接続端子ＣＨ
Ｔとそれぞれ接続可能な複数のバンプ１３４が形成され
ている（図６参照）。つまり、チップコンデンサ１１３
とＩＣチップＣＨとが配線基板２００の積層方向（上下
方向）に略対向して搭載される。このため、チップコン
デンサ１１３とＩＣチップＣＨとの配線経路をさらに短
くすることができ、これらの経路で発生する抵抗、イン
ダクタンスをさらに低減することができる。

【００６７】またさらに、配線基板２００では、チップ
コンデンサ１１３を、凹部２８７内に搭載している。従
って、主面２００ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨとチッ
プコンデンサ１１３とが、肉薄の第１コア部２６０を挟
んで搭載される。このため、凹部が形成されていない配
線基板と比較して、配線基板のＩＣチップ接続用のバン
プとチップコンデンサの端子（上面部）との距離を短く
し、さらには、主面上に搭載するＩＣチップとチップコ
ンデンサとの距離を短くすることができる。従って、凹
部が形成されていない配線基板と比較して、短い経路で
配線基板のＩＣチップ接続用のバンプとチップコンデン
サの端子（上面部）とを接続することが可能になり、こ
れらの経路で発生する抵抗成分やインダクタンス成分を
さらに抑制できる。

【００６８】次いで、本実施形態の配線基板２００の製
造方法について、図６〜図１０を参照して説明する。ま
ず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面２６
５ｂ及び裏面２６５ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付
けた、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍの
両面銅張の第１コア基板本体２６５を用意する（図７参
照）。そして、第１コア基板本体２６５の所定の位置
に、レーザまたはドリルによって、その主面２６５ｂと
裏面２６５ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫
通孔２６１Ｈを穿孔する。

【００６９】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキ及びエッチングによって、スルーホール用貫通
孔２６１Ｈ内にスルーホール導体２６２を形成し、主面
２６５に銅メッキ層２６８を形成し、裏面２６５ｃの所
定の位置に、スルーホール導体２６２と接続するパッド
２５２と、配線層２６７を形成する。次いで、裏面２６
５ｃの所定の位置にエポキシ系樹脂からなるソルダーレ
ジスト層２４４をパッド２５２が露出するように形成し
て、第１コア部２６０を含む第１コア基板２６９を形成
する。なお、図７に拡大して示すように、スルーホール
導体２６２としては、スルーホール用貫通孔２６１Ｈの
内周に内周スルーホール導体２６２ＴＨを形成するほ
か、その中心部に充填樹脂２６２Ｒを充填形成した。

【００７０】また、図８に示すような、ガラス−エポキ
シ樹脂複合材料からなり、主面２７５ｂ及び裏面２７５
ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付けた、３１ｍｍ×３
１ｍｍの矩形で厚さ約８００μｍの両面銅張の第２コア
基板本体２７５を用意する。そして、第２コア基板本体
２７５の主面２７５ｂ側を、エンドミルによって座ぐり
加工することにより、図８（ａ）に示すような平面視略
ロ字状の凹溝２７３を、第２コア基板本体２７５の中央
部に形成する。次いで、主面２７５ｂ側の銅箔をエッチ
ングして、凹溝２７３の周囲に配線層２７７を形成す
る。このようにして、図８（ｂ）に示すような第２コア
部２７０を含む第２コア基板２７９を形成する。

【００７１】次に、図９に示すように、第１コア基板２
６９の裏面２６９ｃと第２コア基板２７９の主面２７９
ｂとの間に、接着性のあるプリプレグからなる接着層２
４５を配置して、加熱・押圧することによって、第１コ
ア基板２６９と第２コア基板２７９とを接着・積層す
る。なお、このとき、過剰な接着層２４５がある場合
は、凹溝２７３内に収容される。次いで、この周縁部分
の所定の位置にレーザまたはドリルによって穿孔し、こ
の厚さ方向に貫通する直径約１００μｍのスルーホール
用貫通孔２８１Ｈを形成する。

【００７２】次いで、図９に示すように、無電解銅メッ
キ、及び電解銅メッキを施し、各スルーホール用貫通孔
２８１Ｈ内にスルーホール導体２８２、及び主面２８４
ｂ上と裏面２８４ｃ上に図示しない銅メッキ層が形成さ
れる。そして、主面２８４ｂ上の銅メッキ層を実施形態
１と同様のパターンにエッチングして、主面２８４ｂの
所定の位置にスルーホール導体２８２と接続するように
第１ベタ導体層２２６を形成する。なお、図９に拡大し
て示すように、スルーホール導体２８２としては、スル
ーホール用貫通孔２８１Ｈの内周に内周スルーホール導
体２８２ＴＨを形成するほか、その中心部に充填樹脂２
８２Ｒを充填形成した。このとき、スルーホール導体２
８２は、配線層２６７，２７７と接続している。また、
裏面２８４ｃ上の銅メッキ層をエッチングし、パッド２
５５を形成する。以上のようにして、図９に示すような
コア基板本体２８４を形成する。

【００７３】次に、２つのコア基板本体２８４の裏面２
８４ｃ同士を、その外周縁より外側の不要部２８４ｄ
（図９の左右下面）で貼りあわせて、図示しない一対の
コア基板本体２８４とする。次いで、一対のコア基板本
体２８４のうち２つの主面２８４ｂについて、以下の工
程を同時に行う。実施形態１と同様に、公知のビルドア
ップ配線基板の形成手法によって、各樹脂絶縁層１２２
〜１２５を形成すると共に、各層間には、第２ベタ導体
層１２７、配線層１２８，１２９を形成し、また各樹脂
絶縁層を貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形
成する。さらに、各ビア導体１３２と接続するように、
樹脂絶縁層１２５上にバンプ１３４を形成する。

【００７４】このように、２つのコア基板本体２８４を
貼りあわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２
つのコア基板本体２８４を貼りあわせることによって、
樹脂絶縁層等の積層時に基板が反るのを防止することが
できるからである。次に、コア基板本体２８４同士を貼
りあわせている不要部２８４ｄで切り離して、一対のコ
ア基板本体２８４に樹脂絶縁層等を積層したものを分離
する。その後、コア基板本体２８４の裏面２８４ｃ上に
所定パターンのソルダーレジスト層２４３を形成する
（図１０参照）。次に、コア基板本体２８４の裏面２８
４ｃ側から、図９に二点鎖線で示すように、凹溝２７３
の裏側にエンドミルによって凹溝（二点鎖線部分）を形
成し、第２コア基板２７９の中央部分を切り離して除去
し、凹部２８７を形成する。（このとき、コア基板本体
２８４がコア基板２８０となる。）こうして、図１０に
示すような配線基板本体２０１が完成する。

【００７５】以上に説明したように、配線基板本体２０
１は、肉薄の第１コア基板２６９に接着層２４５を介し
て肉厚の第２コア基板２７９を積層し、コア基板本体２
８４を形成した後、このような十分な強度を持つコア基
板本体２８４の主面２８４ｂ上に絶縁樹脂層及び配線層
を積層している。従って、コア基板本体２８４の片面に
だけ樹脂絶縁層が積層されていても、従来のような補強
材を取り付けることが不要となり、低コストで製造する
ことが可能となる。

【００７６】その後、チップコンデンサ１１３を配線基
板本体２０１の凹部２８７内に配置し、第１コンデンサ
端子１１５ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド２５２ｂ
とを、第２コンデンサ端子１１５ｃの上面部１１５ｃｕ
と第２パッド２５２ｃとを、ハンダ１５３によって接続
する。このようにして、配線基板２００を完成する。そ
の後さらに、第１コンデンサ端子１１５ｂの下面部１１
５ｂｄ及び第２コンデンサ端子１１５ｃの上面部１１５
ｃｄを露出するようにして凹部２８７内に樹脂を充填
し、コンデンサ１１３を埋め込んでも良い。

【００７７】以上において、本発明を実施形態１，２に
即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更
して適用できることはいうまでもない。例えば、上記実
施形態１，２においては、チップコンデンサの第１側面
と第３側面にそれぞれコンデンサ端子１１５が形成さ
れ，これらが各電極層と側面で接続するコンデンサを用
いた。しかし、例えば、図１１に示すようなチップコン
デンサ１６０を用いても良い。チップコンデンサ１６０
は、図１１に示すように、コンデンサの厚さ方向に貫通
するコンデンサビア導体が各電極層と交互に接続し、こ
のコンデンサビア導体と接続するコンデンサ端子がコン
デンサ上面とコンデンサ下面とに形成されている。

【００７８】具体的には、第１コンデンサビア導体１６
８ｂは、第２電位電極層１６５ｃの貫通孔１６５ｅ内を
通過し、第２電位電極層１６５ｂとは絶縁しつつ、各第
１電位電極層１６５ｂと接続している。同様に、第２コ
ンデンサビア導体１６８ｃは、第１電位電極層１６５ｂ
の貫通孔１６５ｄ内を通過し、第１電位電極層１６５ｂ
とは絶縁しつつ、第２電極層１６５ｃと接続している。
また、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１コンデ
ンサビア導体１６８ｂと第２コンデンサビア導体１６８
ｃとは縦横格子状に配置され、さらに第１コンデンサビ
ア導体１６８ｂと第２コンデンサビア導体１６８ｃとが
隣り合って交互に配置されている。さらに、チップコン
デンサ１６０のコンデンサ上面１６０ｂ上及びコンデン
サ下面１６０ｃ上には、第１コンデンサビア導体１６８
ｂとそれぞれ接続する上面側第１コンデンサ端子１６１
ｂ及び下面側第１コンデンサ端子１６２ｂが形成されて
いる。同様に、コンデンサ上面１６０ｂ上及びコンデン
サ下面１６０ｃ上には、第２コンデンサビア導体１６８
ｃとそれぞれ接続する上面側第２コンデンサ端子１６１
ｃ及び下面側第２コンデンサ端子１６２ｃが形成されて
いる。

【００７９】チップコンデンサ１６０の第１電位を電源
電位（＋）、第２電位を接地電位（Ｇ）とすると、上面
側第１コンデンサ端子１６１ｂ、及び下面側第１コンデ
ンサ端子１６２ｂが電源電位（＋）に、上面側第２コン
デンサ端子１６１ｃ、及び下面側第１コンデンサ端子１
６２ｂが接地電位（Ｇ）となる。このため、図１２
（ａ）に示すようにコンデンサ端子１６１について、電
源電位（＋）の点と接地電位（Ｇ）の点とが交互に格子
状に並んだ状態に見える。このとき、例えばチップコン
デンサ１６０が放電する際、図１２（ｂ）に矢印で示す
ように、第１コンデンサビア導体１６８ｂから流れ出る
電流Ｉ１と、第２コンデンサビア導体１６８ｃに流れ込
む電流Ｉ２の向きがちょうど逆向きとなる。このため、
この電流によって第１コンデンサビア導体１６８ｂと第
２コンデンサビア導体１６８ｃとの周りに発生する磁界
が打ち消し合い、インダクタンスが低減されるので、よ
り低インダクタンスでチップコンデンサとＩＣチップ等
とを接続することができる。

【００８０】さらに、上記実施形態１，２では、チップ
コンデンサ１１３と主面１００ｂ等との間に、第１ベタ
導体層１２６，第２ベタ導体層１２７などを形成した。
このようにすると、一般にコンデンサ端子１１５の間隔
などに比して、間隔の狭くされているバンプ１３４との
接続が容易にできるメリットがある。しかし、各バンプ
１３４のうち所定のバンプとチップコンデンサ１１３の
側面端子１１５ｂ，１１５ｃとを適切に接続できれば良
く、樹脂絶縁層１２３〜１２５の層間に形成した配線層
や樹脂絶縁層１２２等を貫通するビア導体によって、コ
ンデンサ端子１１５と各々のバンプ１３４とを接続する
ようにしても良い。また第１ベタ導体層１２６や第２ベ
タ導体層１２７として平板状の導体層を形成したが、こ
れらに代えて格子状（メッシュ状）の導体層を用いるこ
ともできる。

【００８１】また、例えば、樹脂絶縁層１２２と１２３
の層間やコア基板の主面上に縞状（ストライプ状）の導
体層を設け、各縞状導体層が交互に共通第１電位（電源
電位）及び共通第２電位（接地電位）となるように、個
々の縞状導体層とコンデンサ端子１１５ｂ，１１５ｃを
接続する。さらにこの縞状導体層と各バンプ１３４とを
接続するという構造にしても良い。さらにまた、上記実
施形態１，２では、コア基板の主面側に樹脂絶縁層１２
２〜１２５を形成したが、これよりも多数または少数の
樹脂絶縁層を、コア基板の主面側に積層した配線基板と
しても良い。また、コア基板の裏面側には裏面絶縁層を
形成していないが、主面側の樹脂絶縁層より少ない裏面
絶縁層を形成しても良い。但し、ＩＣチップとチップコ
ンデンサとの距離が近くなるという点で、裏面絶縁層は
少ないほうが良い。

【００８２】また、実施形態１では、コア基板１１０の
材質をガラス−エポキシ樹脂とした。しかし、コア基板
１１０の材質はガラス−エポキシ樹脂に限定されるもの
ではなく、例えば、コア基板１１０をアルミナ等のセラ
ミックによって構成しても良い。あるいは、コア基板１
１０をビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂や、これらの樹脂と
ガラス繊維との複合材料や、三次元網目構造のフッ素樹
脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料で構成
しても良い。また、アルミナ等のセラミックと上述の樹
脂とを組合わせたもの、または、上述の樹脂及びガラス
繊維の複合材料や上述の樹脂複合材料とセラミックとを
組合わせたものとしても良い。

【００８３】さらに、実施形態２では、コア基板２８０
を構成する第１コア部２６０及び第２コア部２７０の材
質をガラス−エポキシ樹脂とした。しかし、第１コア部
２６０及び第２コア部２７０の材質はガラス−エポキシ
樹脂に限定されるものではなく、例えば、第１コア基板
１１０及び第２コア基板１２０を共に、アルミナ等のセ
ラミックによって構成しても良い。あるいは、コア基板
２８０をアルミナ等のセラミックによって一体成型する
ようにしても良い。あるいは、コア基板２８０をＢＴ樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂や、これら
の樹脂とガラス繊維との複合材料や、三次元網目構造の
フッ素樹脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材
料で構成しても良い。また、第１コア部２６０をアルミ
ナ等のセラミックとし、第２コア部２７０を上述した樹
脂、上述した樹脂と繊維との複合材料、あるいは上述し
た樹脂複合材料としても良い。あるいは、これとは逆
に、第２コア部２６０をセラミックとし、第２コア部２
７０を上述した樹脂や複合材料としても良い。

【００８４】また、実施形態１，２では、第１ベタ導体
層１２６，２２６、第２ベタ導体層１２７、配線層１２
８，１２９、第１スルーホール導体１１２ｂ，２６２
ｂ、第２スルーホール導体１１２ｃ，２６２ｃ、第１，
第２ビア導体１３２ｂ，１３２ｃ等の導体の材質をＣｕ
（銅）とした。しかし、材質はＣｕに限定されるもので
はなく、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、ある
いはＡｕ等としても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板１００の断面図で
ある。

【図２】実施形態１にかかる配線基板１００のコア基板
１１０の断面図である。

【図３】実施形態１にかかる配線基板１００の製造方法
を説明するための説明図である。

【図４】縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１
３の各コンデンサ端子の電位を示す説明図である。

【図５】縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１
３の様子及びコンデンサ端子を流れる電流の方向を示す
斜視説明図である。

【図６】実施形態２にかかる配線基板２００の断面図で
ある。

【図７】実施形態２にかかる配線基板２００の第１コア
基板２６９の断面図である。

【図８】実施形態２にかかる配線基板２００の第２コア
基板２７９を示す図であり、（ａ）はその上面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面拡大図である。

【図９】実施形態２にかかる配線基板２００のコア基板
本体２８４の断面図である。

【図１０】実施形態２にかかる配線基板２００の配線基
板本体２０１の断面図である。

【図１１】チップコンデンサ１６０を示す図であり、
（ａ）はその上面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、
（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図、（ｄ）はそのＣ−Ｃ断面図
である。

【図１２】共通第１電位を電源電位（＋）、共通第２電
位を接地電位（Ｇ）としたときのチップコンデンサ１６
０の様子を示す説明図である。

【図１３】基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載
した従来の配線基板を示す説明図である。

【符号の説明】

１００，２００配線基板１００ｂ，２００ｂ主面１００ｃ，２００ｃ裏面１１０，２８０コア基板１１１，２８４コア基板本体１１２，２６２，２８２スルーホール導体１１２ｂ，２６２ｂ第１スルーホール導体（第１コン
デンサ側接続配線、第１コンデンサ側貫通導体）１１２ｃ，２６２ｃ第２スルーホール導体（第２コン
デンサ側接続配線の一部、第２コンデンサ側貫通導体の
一部）１１３，１６０チップコンデンサ１１３ｕ，１６０ｂチップコンデンサの上面１１４ｂ，１６５ｂ第１電位電極層（一方の電極）１１４ｃ，１６５ｃ第２電位電極層（他方の電極）１１５ｂ，１６１ｂ第１コンデンサ端子１１５ｃ，１６１ｃ第２コンデンサ端子１１５ｂｕ，１１５ｃｕ上面部１２２〜１２５樹脂絶縁層１２６，２２６第１ベタ導体層（第１変換導体層）１２７第２ベタ導体層（第２変換導体層）１３１第２コンデンサ側ビア導体（第２コンデンサ
側貫通導体の一部）１３２ｂ第１ビア導体（第１主面側接続配線、第１主
面側貫通導体）１３２ｃ第２ビア導体（第２主面側接続配線、第２主
面側貫通導体）１３４バンプ（接続端子）１３４ｂ第１バンプ（第１接続端子）１３４ｃ第２バンプ（第２接続端子）２８７凹部Ｅチップコンデンサ１１３を主面側に投影した領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 ＳＨ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 5E336 AA04 AA08 AA13 AA14 BB03 BB15 BC26 BC34 CC34 CC38 CC43 CC53 CC58 EE01 GG11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA26 AA43 AA60 BB03 BB04 BB06 BB11 BB16 CC02 CC08 CC31 DD02 DD31 EE02 EE06 EE07 EE12 EE31 FF01 FF45 GG15 GG28 GG40 HH05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主面と裏面とを有する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層
と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記
主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数
の上記裏面絶縁層を有し、上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
の端子と接続可能な複数の接続端子であって、共通第１電位とされる多数の第１接続端子、及び共通第
２電位とされる多数の第２接続端子を含む接続端子と、上記裏面側に露出して搭載され、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続されることが予定され、上記一方の電極に接続する少なくとも１つの第１コンデ
ンサ端子、及び上記他方の電極に接続する少なくとも１
つの第２コンデンサ端子、を有する少なくとも１つのチップコンデンサと、上記コア基板と上記樹脂絶縁層との間、または上記樹脂
絶縁層同士の層間のいずれかに形成される第１変換導体
層と、上記第１変換導体層と上記接続端子との間に介在し、上
記樹脂絶縁層同士の層間に形成される第２変換導体層
と、上記第１接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面側に
向かって延び、上記第２変換導体層とはそれぞれ絶縁し
つつ、上記第１変換導体層とそれぞれ電気的に接続する
第１主面側接続配線と、上記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面側に
向かって延び、上記第２変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第２主面側接続配線と、上記第１コンデンサ端子から上記配線基板の主面側に向
かって延び、上記第１変換導体層に接続する第１コンデ
ンサ側接続配線と、上記第２コンデンサ端子から上記配線基板の主面側に向
かって延び、上記第１変換導体層とは絶縁しつつ、上記
第２変換導体層に接続する第２コンデンサ側接続配線
と、を備える配線基板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、前記第１主面側接続配線は、前記第１接続端子からそれ
ぞれ上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ
延び、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２変換導体層と
はそれぞれ絶縁しつつ、前記第１変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第１主面側貫通導体であり、前記第２主面側接続配線は、前記第２接続端子からそれ
ぞれ上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ
延び、前記樹脂絶縁層を貫通し、上記第２変換導体層と
それぞれ電気的に接続する第２主面側貫通導体であり、前記第１コンデンサ側接続配線は、前記チップコンデン
サの前記第１コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、前記コア基
板、または上記コア基板及び前記樹脂絶縁層を貫通し、
上記第１変換導体層に接続する第１コンデンサ側貫通導
体であり、前記第２コンデンサ側接続配線は、上記チップコンデン
サの前記第２コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、上記コア基
板及び上記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体層と
はそれぞれ絶縁しつつ、上記第２変換導体層に接続する
第２コンデンサ側貫通導体である配線基板。
【請求項３】主面と裏面とを有する配線基板であって、上記裏面側に開口する凹部を有するコア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層
と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記
主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数
の上記裏面絶縁層を有し、上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
の端子と接続可能な複数の接続端子であって、共通第１電位とされる多数の第１接続端子、及び共通第
２電位とされる多数の第２接続端子を含む接続端子と、上記凹部内に搭載され、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続されることが予定され、上記一方の電極に接続する少なくとも１つの第１コンデ
ンサ端子、及び上記他方の電極に接続する少なくとも１
つの第２コンデンサ端子、を有する少なくとも１つのチップコンデンサと、上記コア基板と上記樹脂絶縁層との間、または上記樹脂
絶縁層同士の層間のいずれかに形成される第１変換導体
層と、上記第１変換導体層と上記接続端子との間に介在し、上
記樹脂絶縁層同士の層間に形成される第２変換導体層
と、上記第１接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面側に
向かって延び、上記第２変換導体層とはそれぞれ絶縁し
つつ、上記第１変換導体層とそれぞれ電気的に接続する
第１主面側接続配線と、上記第２接続端子からそれぞれ上記配線基板の裏面側に
向かって延び、上記第２変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第２主面側接続配線と、上記第１コンデンサ端子から上記配線基板の主面側に向
かって延び、上記第１変換導体層に接続する第１コンデ
ンサ側接続配線と、上記第２コンデンサ端子から上記配線基板の主面側に向
かって延び、上記第１変換導体層とは絶縁しつつ、上記
第２変換導体層に接続する第２コンデンサ側接続配線
と、を備える配線基板。
【請求項４】請求項３に記載の配線基板であって、前記第１主面側接続配線は、前記第１接続端子からそれ
ぞれ上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ
延び、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２変換導体層と
はそれぞれ絶縁しつつ、前記第１変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第１主面側貫通導体であり、前記第２主面側接続配線は、前記第２接続端子からそれ
ぞれ上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって真っ直ぐ
延び、前記樹脂絶縁層を貫通し、上記第２変換導体層と
それぞれ電気的に接続する第２主面側貫通導体であり、前記第１コンデンサ側接続配線は、前記チップコンデン
サの前記第１コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、前記コア基
板、または上記コア基板及び前記樹脂絶縁層を貫通し、
上記第１変換導体層に接続する第１コンデンサ側貫通導
体であり、前記第２コンデンサ側接続配線は、上記チップコンデン
サの前記第２コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基板
の厚さ方向主面側に向かって真っ直ぐ延び、上記コア基
板及び上記樹脂絶縁層を貫通し、上記第１変換導体層と
はそれぞれ絶縁しつつ、上記第２変換導体層に接続する
第２コンデンサ側貫通導体である配線基板。
【請求項５】請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載
の配線基板であって、前記複数の接続端子は、前記樹脂絶縁層のうち、前記チ
ップコンデンサを前記主面側に投影した領域内に形成さ
れてなる配線基板。