JP2001339009A

JP2001339009A - 配線基板

Info

Publication number: JP2001339009A
Application number: JP2001084428A
Authority: JP
Inventors: Koju Ogawa; 幸樹小川; Eiji Kodera; 英司小寺
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-03-24
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2001-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】ノイズを確実に除去でき、しかも、チップコ
ンデンサの側面端子に生じるインダクタンスをも低くし
た配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００は、コア基板１１０に多
数のチップコンデンサ１１３を内蔵している。このコン
デンサ１１３は縦横格子状に配置され、コンデンサが充
放電する際に、隣り合うコンデンサ１１３の対向して隣
り合う側面端子１１５に流れる電流の向きが互いに逆向
きになるよう配置されている。このため、側面端子１１
５に生じるインダクタンスを互いに打ち消し合わせるこ
とができるので、インダクタンスを低減させることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップコンデンサ
を内蔵する配線基板に関し、特に、チップコンデンサに
発生するインダクタンスを低減した配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１２に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の主面２Ａ
あるいは裏面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載
し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド
５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続
することが行われている。

【０００３】一方、積層セラミックタイプのチップコン
デンサとしては、図１３（ａ）に示すチップコンデンサ
６のように、コンデンサ本体７の対向する２つの側面７
ａ，７ｂに形成した側面端子８ａ，８ｂにより、それぞ
れの内部電極９ａ，９ｂを取り出すものが知られてい
る。また、近時では、図１３（ｂ）に示すコンデンサ１
０のように、コンデンサ本体１１の４つの側面１１ａ，
１１ｂ，１１ｃ，１１ｄにそれぞれ側面端子１２ａ〜１
２ｊを形成し、図１３（ｃ）に示すようにして、内部電
極１３ａ，１３ｂと接続させたものも提案されている。
なお、側面１１ｂ，１１ｄには側面端子が形成されない
ものもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようにチップコンデンサ３を配線基板２に搭載する場合
には、配線基板２の主面２Ａや裏面２Ｂにチップコンデ
ンサ３を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、
他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材
の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制
限されて、ＩＣチップ１とチップコンデンサ３とを結ぶ
コンデンサ接続配線４の長さが長くなり、また細くなり
やすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やイ
ンダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダク
タンスの要請に十分に応えられない。

【０００５】そこで、配線基板内にチップコンデンサを
内蔵させることが考えられる。ところで、上記したチッ
プコンデンサ６，１０では、コンデンサへの充放電の
際、側面端子８ａ，８ｂ，１１ａ〜１１ｊの図中上下方
向にも電流が流れるため、側面端子にもインダクタンス
が発生する。従って、このインダクタンスをさらに低減
させることができれば都合がよい。

【０００６】本発明は、上記着想に基づいてなされたも
のであって、ノイズを確実に除去でき、しかも、チップ
コンデンサの側面端子に生じるインダクタンスをも低く
した配線基板を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、一方
の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位に
それぞれ接続される複数のチップコンデンサを内蔵し、
上記チップコンデンサは、側面上を上記主面側から上記
裏面側に向かって延びる側面端子を有するチップコンデ
ンサであり、一の上記チップコンデンサの上記共通第１
電位に接続される上記側面端子と、他の上記チップコン
デンサの上記共通第２電位に接続される上記側面端子と
が対向し隣り合って配置されてなる配線基板である。

【０００８】本発明の配線基板では、複数のチップコン
デンサを内蔵しているので、チップコンデンサを主面等
に搭載するのとは異なり、主面や裏面の利用を妨げるこ
とが無い。また、搭載するＩＣチップなどとの距離を小
さくすることができるので、低抵抗、低インダクタンス
で接続することができ、ノイズを確実に除去することが
できる。また、本発明に用いるチップコンデンサの側面
端子は、上述のように、側面上を主面側から裏面側に向
かって延びているので、コンデンサの充放電に際し、こ
の側面端子を電流が流れるため、側面端子にインダクタ
ンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチ
ップコンデンサの隣り合う側面端子同士を違う電位（一
方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、
対向する側面端子に流れる電流の向きが逆方向になるか
ら、それぞれに発生するインダクタンスを打ち消し合わ
せることができ、結局インダクタンスを低減できる。

【０００９】なお、チップコンデンサとしては、配線基
板内に内蔵できるものであればいずれのものでも良い
が、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデンサ
タイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙げら
れる。特に、積層セラミックタイプのチップコンデンサ
は、周波数特性も良好である点、また、内蔵させた後の
配線基板の製造工程内で熱が掛かるなどしても特性が比
較的安定で、配線基板の製造が容易になり歩留まりが向
上する点で好ましい。

【００１０】さらに、配線基板としては、チップコンデ
ンサを内蔵できるものであればいずれでも良いが、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂など
の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊
維などの繊維との複合材料、三次元網目構造のフッ素樹
脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料を用い
たもの、さらに、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックなどのセラミック基板とこれらの
樹脂や複合材料とを組み合わせたものなどが挙げられ
る。また、チップコンデンサを内蔵する、配線基板内に
他種類のチップ状電子部品を内蔵させることもきる。こ
のようなチップ状電子部品としては、チップ抵抗、チッ
プインダクタ、チップフィルタなどのチップ状受動部品
や、トランジスタ、ローノイズアンプ、アクティブフィ
ルタ、ＩＣチップ、メモリ素子、ＦＥＴなどのチップ状
能動素子、ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナス
イッチモジュール、カプラ、ダイプレクサや、これらを
組み合わせたものなどが挙げられる。

【００１１】なお、主面と裏面とを有する配線基板であ
って、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延
びる側面端子を有するチップコンデンサであって、一方
の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位に
それぞれ接続されるチップコンデンサを複数内蔵し、一
の上記チップコンデンサに形成され、上記共通第１電位
に接続される上記側面端子と、上記一のチップコンデン
サと隣り合って配置された他の上記チップコンデンサに
形成され、上記共通第２電位に接続される上記側面端子
とが対向して隣り合って配置されてなる配線基板として
も、同様にチップコンデンサのインダクタンスを低減さ
せることができる。

【００１２】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、一方の電極が共通第１電位に、
他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数の
チップコンデンサを内蔵し、上記チップコンデンサは、
平面状側面と、上記平面状側面上を上記主面側から上記
裏面側に向かって延びる複数の側面端子と、を有し、上
記側面端子は、上記平面状側面に沿う上記主面と平行な
方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面端
子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子と
が交互に配置されてなるチップコンデンサであり、一の
上記チップコンデンサの上記平面状側面と他の上記チッ
プコンデンサの上記平面状側面とが対向して配置され、
上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサ
との間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、
一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電
位側面端子である配線基板である。

【００１３】本発明の配線基板では、複数のチップコン
デンサを内蔵しているので、主面や裏面にチップコンデ
ンサを搭載するのとは異なり、主面や裏面の利用を妨げ
ることが無い。また、搭載するＩＣチップなどとの距離
を小さくすることができるので、低抵抗、低インダクタ
ンスで接続することができ、ノイズを確実に除去するこ
とができる。本発明に用いるチップコンデンサの複数の
側面端子は、それぞれ平面状側面上を主面側から裏面側
に向かって延びいるので、コンデンサの充放電に際し
て、この側面端子を電流が流れるため、インダクタンス
が発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチップ
コンデンサの対向して隣り合う側面端子同士を違う電位
（一方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたの
で、対向する側面端子に流れる電流の向きが逆方向にな
るため、それらに発生するインダクタンスを低減でき
る。しかも、各チップコンデンサについてみると、平板
状側面に第１電位側面端子と第２電位側面端子とが交互
に配置されているので、対向する２つのチップコンデン
サの側面端子は、いずれも一方が上記第１電位側面端子
であり、他方が上記第２電位側面端子となる。従って、
この平面上側面に形成され対向する側面端子それぞれに
ついてインダクタンスを低減させることができるから、
全体としてさらにインダクタンスを低減させることがで
きる。

【００１４】なお、上記平面状側面を有するチップコン
デンサは、平面状側面が対向する２つのチップコンデン
サの側面端子の数が異なっていても、対向している側面
端子同士について上記のようになっていれば、インダク
タンス低減の効果を得ることができる。

【００１５】また、上記配線基板であって、前記一のチ
ップコンデンサと前記他のチップコンデンサとの間で対
向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデン
サ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくし
てなる配線基板とすると良い。

【００１６】本発明の配線基板について、例えば、１つ
の側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内で
この側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッ
チ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定され
ており、変更することはできないので、両者間に生じる
相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチ
ップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダ
クタンスも一定である。しかし、一のチップコンデンサ
と他のチップコンデンサとを近接させると、着目してい
る側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子との間
隔（ピッチ）は調整できる。従って、本発明のように、
対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデ
ンサ内で隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれ
ば、対向して隣り合う側面端子同士の結合が大きくな
り、相互インダクタンスが大きくなるから、各側面端子
についてインダクタンスをさらに効率よく低減させるこ
とができる。しかも、平面状側面の複数の側面端子同士
の関係にいずれも当てはまるので、全体として特にイン
ダクタンスを低減させることができる。

【００１７】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、一方の電極が共通第１電位に、
他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数の
同一形状のチップコンデンサを内蔵し、上記チップコン
デンサは、略直方体状で、側面上を上記主面側から上記
裏面側に向かって延びる側面端子を有し、上記側面端子
は、４つの上記側面のうち、第１側面とこれに対向する
第３側面とに同数形成され、上記第１側面に隣接し互い
に対向する第２側面と第４側面とには、形成されない
か、同数形成され、上記第１側面、第２側面、第３側面
及び第４側面の順に巡る周方向に、上記共通第１電位に
接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続
される第２電位側面端子とが交互に配置されてなるチッ
プコンデンサであり、上記各チップコンデンサは、隣り
合うチップコンデンサの上記第１側面と第３側面とが、
または第２側面と第４側面とが対向して隣り合う縦横格
子状に配置され、隣り合うチップコンデンサ間で対向し
て隣り合う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１
電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子であ
る配線基板である。

【００１８】本発明の配線基板では、複数のチップコン
デンサを内蔵しているので、チップコンデンサを主面等
に搭載するのとは異なり、主面や裏面の利用を妨げるこ
とが無い。また、搭載するＩＣチップなどとの距離を小
さくすることができるので、低抵抗、低インダクタンス
で接続することができ、ノイズを確実に除去することが
できる。また、本発明に用いるチップコンデンサの側面
端子は、上述のように、側面上を主面側から裏面側に向
かって延びているので、コンデンサの充放電に際し、こ
の側面端子を電流が流れるため、側面端子にインダクタ
ンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチ
ップコンデンサの隣り合う側面端子同士を違う電位（一
方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、
流れる電流の向きが逆方向になるから、各側面端子に発
生するインダクタンスを低減できる。しかも、同一形状
の各チップコンデンサを縦横格子状に並べているので、
各チップコンデンサの側面端子について、隣り合うチッ
プコンデンサとの間でインダクタンスを低減できるの
で、複数のチップコンデンサ全体としてもインダクタン
スの低減を図ることができ、その低減効果がさらに大き
くなる。

【００１９】また、上記配線基板であって、前記隣り合
うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側面端子同士
の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子
同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板とすると良
い。

【００２０】本発明の配線基板について、例えば、１つ
の側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内で
この側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッ
チ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定され
ており、変更することはできないので、両者間に生じる
相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチ
ップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダ
クタンスも一定である。しかし、一のチップコンデン
サと他のチップコンデンサとを近接させると、着目して
いる側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子との
ピッチは調整できる。従って、本発明のように、対向し
て隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内
で隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれば、対
向して隣り合う側面端子同士の結合が大きくなり、相互
インダクタンスが大きくなるから、これら間でインダク
タンスをさらに低減させることができる。しかも、縦横
格子状に配列したチップコンデンサのいずれの側面端子
同士にも当てはまるので、全体として特にインダクタン
スを低減させることができる。

【００２１】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を
介設してなる配線基板とすると良い。

【００２２】本発明の配線基板では、チップコンデンサ
同士の間に絶縁樹脂体を介設しているので、側面端子同
士がショートすることが無く、確実に絶縁することがで
きる。逆に、絶縁樹脂体を介設しているので、チップコ
ンデンサの間隔を小さくすることができ、小さな面積に
多くのチップコンデンサを並べて配置することができ
る。

【００２３】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第
１電極層と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層
されたチップ積層セラミックコンデンサである配線基板
とすると良い。

【００２４】本発明の配線基板では、チップコンデンサ
にチップ積層セラミックコンデンサを用いる。積層セラ
ミックコンデンサは周波数特性が良好であるので高周波
成分のノイズをキャンセルすることができる。また、チ
ップコンデンサを内蔵させた配線基板を製作するに当た
って、耐熱性が高いので、製造工程内で掛かる温度にも
確実に耐え、特性変化が僅少に抑えられる。従って、信
頼性の高い配線基板とすることができる。

【００２５】さらに上記いずれかに記載の配線基板であ
って、前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち前
記主面側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この上
面部から上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主面
側から前記裏面側に向かって延びる側面端子である配線
基板とすると良い。

【００２６】本発明の配線基板では、側面端子に上面部
を有するので、この上面部からビアや配線を通じて、共
通第１電位及び共通第２電位を主面側に容易に引き出す
ことができる。なお、上面部としては、チップコンデン
サの上面に平板状（パッド状）に形成しても良いが、主
面側に盛り上がったバンプ形状としても良い。

【００２７】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、１または複数のコア絶縁層から
なり、厚さ方向に貫通するコンデンサ用貫通孔を備える
コア基板本体と、上記コンデンサ用貫通孔に内蔵され、
一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続される複数の同一形状のチップコンデ
ンサと、上記コア基板本体及び複数のチップコンデンサ
の主面側及び裏面側にそれぞれ少なくとも１層ずつ積層
された樹脂絶縁層と、を備え、上記チップコンデンサ
は、略直方体状で、側面上を上記主面側から上記裏面側
に向かって延びる側面端子を有し、上記側面端子は、４
つの上記側面のうち、第１側面とこれに対向する第３側
面とに同数形成され、上記第１側面に隣接し互いに対向
する第２側面と第４側面とには、形成されないか、同数
形成され、上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４
側面の順に巡る周方向に、上記共通第１電位に接続され
る第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続される第
２電位側面端子とが交互に配置されてなるチップコンデ
ンサであり、上記各チップコンデンサは、隣り合うチッ
プコンデンサの上記第１側面と第３側面とが、または第
２側面と第４側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配
置され、隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合
う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面
端子であり、他方が上記第２電位側面端子である配線基
板である。

【００２８】本発明の配線基板では、複数のチップコン
デンサを内蔵しているので、チップコンデンサを主面等
に搭載するのとは異なり、主面や裏面の利用を妨げるこ
とが無い。また、搭載するＩＣチップなどとの距離を小
さくすることができるので、低抵抗、低インダクタンス
で接続することができ、ノイズを確実に除去することが
できる。しかも、コア基板に内蔵されているまた、本
発明に用いるチップコンデンサの側面端子は、上述のよ
うに、側面上を主面側から裏面側に向かって延びている
ので、コンデンサの充放電に際し、この側面端子を電流
が流れるため、側面端子にインダクタンスが発生する。
これに対し、本発明では、隣り合うチップコンデンサの
隣り合う側面端子同士を違う電位（一方を共通第１電
位、他方を共通第２電位）にしたので、流れる電流の向
きが逆方向になるから、各側面端子に発生するインダク
タンスを低減できる。しかも、同一形状の各チップコン
デンサを縦横格子状に並べているので、各チップコンデ
ンサの側面端子について、隣り合うチップコンデンサと
の間でインダクタンスを低減できるので、複数のチップ
コンデンサ全体としてもインダクタンスの低減を図るこ
とができ、その低減効果がさらに大きくなる。

【００２９】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態を、図１〜図５を参照しつつ説明する。図１に示
す配線基板１００は、チップコンデンサ１１３を多数内
蔵したコア基板１１０と、その上下にそれぞれ積層され
たエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層１２１〜１２５、１
４１〜１４５とを有する。配線基板１００の主面１００
Ａの中央部には、バンプ１３４が多数形成され、破線で
示すＩＣチップＣＨの下面ＣＨＡに多数形成された接続
端子ＣＨＴとそれぞれフリップチップ接続可能とされて
いる。また、図中裏面１００Ｂの略全面にはパッド１５
４が多数形成され、破線で示すマザーボードなどの他の
配線基板ＷＢに多数形成された接続端子ＷＢＴと図示し
ないハンダボールなどによりそれぞれ接続可能とされて
いる。

【００３０】コア基板１１０は、図５にも示すように、
３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形板状で、厚さ１．０ｍｍのガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板本体１１
１を有している。その主面１１１Ａと下面１１１Ｂとの
間には、これを貫通する大きな（７．５×８．０ｍｍ）
略矩形状のコンデンサ用貫通孔１１１ＣＨ、及びその周
囲に形成された多数のスルーホール用貫通孔１１１Ｈと
が穿孔されている。このコンデンサ用貫通孔１１１ＣＨ
内には、上述したように、本体部が略直方体状（３．２
ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）のチップコンデンサ１
１３が多数（本実施形態では８ヶ＝４×２）内蔵され、
エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂体１１６で互いに、また
コンデンサ用貫通孔１１１ＣＨに固着している。このた
め、個々のチップコンデンサ１１３同士は、コンデンサ
用貫通孔１１１ＣＨ内では、絶縁樹脂体１１６で互いに
絶縁された状態となっている。一方、スルーホール用貫
通孔１１１Ｈ内には、公知のスルーホール導体１１２が
形成されている。

【００３１】バンプ１３４のうち、一部は樹脂絶縁層１
２４と１２５との間、あるいは樹脂絶縁層１２３と１２
４との間に形成された配線層１２８，１２９によって、
それぞれ周縁側（図１中、右または左方向）にファンア
ウトし、ビア導体１３３、スルーホール導体１１２、ビ
ア導体１５３を通じて裏面１００Ｂに形成されたパッド
１５４に接続している。これらは、例えば、信号用配線
として使用される。

【００３２】バンプ１３４のうち、残りは樹脂絶縁層１
２５〜１２２あるいは１２５〜１２３をそれぞれ貫通す
るビア導体１３２によって、樹脂絶縁層１２１と１２２
との間、あるいは樹脂絶縁層１２２と１２３との間に形
成された略平板状のベタ導体層１２６，１２７に接続す
る。なお、次述するように本実施形態では、第１ベタ導
体層１２６は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベ
タ導体層１２７は接地電位（共通第２電位）に接続され
る。さらに、第１ベタ導体層１２６は樹脂絶縁層１２１
を貫通するビア導体１３０によって、チップコンデンサ
１１３の一方の側面端子１１５ａに接続し、第２ベタ導
体層１２７は樹脂絶縁層１２１、１２２をそれぞれ貫通
するビア導体１３１によって、チップコンデンサ１１３
の他方の側面端子１１５ｂに接続する。これによって、
ＩＣチップＣＨ搭載時には、コンデンサ１１３とＩＣチ
ップＣＨとが極めて近い距離で接続され、また電源電位
及び接地電位が供給される。

【００３３】チップコンデンサ１１３の側面端子１１５
ａ，１１５ｂは、それぞれビア導体１４８，１４９によ
って、樹脂絶縁層１４１と１４２の間、あるいは樹脂絶
縁層１４２と１４３の間に形成された変換配線１４６，
１４７によって、配置を調整した上、樹脂絶縁層１４２
〜１４５を貫通するビア導体１５１，１５２によって各
パッド１５４に接続している。このパッド１５４を通じ
て、一方の側面端子（第１電位側面端子）１１５ａ、及
び一方の電極層１１４ａが＋の電源電位になり、他方の
側面端子（第２電位側面端子）１１５ｂ、及び他方の電
極層１１４ｂが接地電位となるように、配線基板ＷＢか
ら給電される。なお、配線基板ＷＢのうち電源電位
（「＋」の記号で表す）及び接地電位（「Ｇ」の記号で
表す）とする接続端子ＷＢＴの電位を図１に示してお
く。従って、この配線基板１００を用いれば、電源配線
に重畳されたノイズを、各チップコンデンサ１１３によ
って吸収しつつ、ごく短いビア導体１３２等でＩＣチッ
プＣＨに、給電することができる。

【００３４】内蔵されたチップコンデンサ１１３は、図
５下方の拡大図に示すように、ＢａＴｉＯ３系の高誘電
体セラミックからなる積層セラミックコンデンサであ
る。このうちコンデンサ本体１１４は、略直方形状
（３．２×１．６×０．８ｍｍ）であり、配線基板１０
０の主面１００Ａ側を向きコンデンサ上面１１３ｕであ
る上面１１４ｕ、下面１１０Ｂ側を向きコンデンサ下面
１１３ｄである下面１１４ｄ、及び４つの側面１１４Ｓ
（１１４Ｓ１，１１４Ｓ２，１１４Ｓ３，１１４Ｓ４）
を有している（図２参照）。その内部には、一方の電極
層１１４ａと他方の電極層１１４ｂとが、セラミック高
誘電体層１１４ｃを介して交互に、上面１１４ｕに平行
に（側面１１４Ｓに垂直に）、従って、主面１００Ａに
平行に多数積層されている。これらの電極層１１４ａ，
１１４ｂはＮｉからなる。各電極層１１４ａ，１１４ｂ
の一部が、図１３（ｃ）に示したコンデンサと同様に、
それぞれ第１側面１１４Ｓ１及び第３側面１１４Ｓ３に
引き出されて、Ｃｕからなる側面端子１１５に接続して
いる。具体的には一方の電極層１１４ａが一方の側面端
子１１５ａに、他方の電極層１１４ｂが他方の側面端子
１１５ｂに接続している。

【００３５】側面端子１１５ａ，１１５ｂは、それぞれ
上面１１４ｕに上面部１１５ａｕ，１１５ｂｕを、下面
１１４ｄに下面部１１５ａｄ，１１５ｂｄをそれぞれ有
している。従って、側面端子１１５ａ，１１５ｂは、こ
の上面部１１５ａｕ，１１５ｂｕから上面１１４ｕの周
縁を越えて、側面１１４Ｓを上面１１４ｕ（つまり主面
１００Ａ側）から下面１１４ｄ（つまり裏面１００Ｂ
側）に向かって延び、さらに、下面１１４ｄの周縁を越
えて下面部１１５ａｄ，１１５ｂｄに接続している。な
お、本実施形態では、上面部１１５ａｕ，１１５ｂｕ
は、コア基板本体の上面１１１Ａよりも突出している。
また、下面部１１５ａｄ，１１５ｂｄは、コア基板本体
の下面１１１Ｂよりも引き下がっているが、これに形成
された下面バンプ１１７ａ，１１７ｂが下面１１１Ｂよ
りも突出している。

【００３６】本実施形態のチップコンデンサ１１３で
は、第１側面１１４Ｓ１とこれに対向する第３側面１１
４Ｓ３に、それぞれ４つの側面端子１１５が形成されて
おり、第２側面１１４Ｓ２及び第４側面１１４Ｓ４には
側面端子１１５は形成されていない。また、図２に示す
ように、１つのチップコンデンサ１１３について、第１
側面１１４Ｓ１から時計回りに第２側面１１４Ｓ２、第
３側面１１４Ｓ３、第４側面１１４Ｓ４の順に見ると、
側面端子１１５ａ，１１５ｂは交互に並んで配置されて
いる。つまり、後述するように、電極層１１４ａ，１１
４ｂをのいずれか一方を＋の電源電位（図２に「＋」で
示す）に、他方を接地電位（図２に「Ｇ」で示す）にす
ると、「＋」で示す電源電位に接続する側面端子１１５
ａと、「Ｇ」で示す接地電位に接続する側面端子１１５
ｂとが交互に並ぶ構造とされている。

【００３７】さらに、チップコンデンサ１１３は、図２
及び図３に示すように、隣り合うチップコンデンサ１１
３の第１側面１１４Ｓ１と第３側面１１３Ｓ３同士、及
び第２側面１１４Ｓ２と第４側面１１４Ｓ４同士が対向
するように、主面１００Ａから見て、縦横格子状に配置
されている。このため、電源電位と接地電位とを各チッ
プコンデンサ１１３への接続を考慮することにより、図
２に示すように、隣り合って対向する側面端子１１５同
士を、別の電位にする、つまり一方の側面端子１１５ａ
を電源電位に、他方の側面端子１１５ｂを接地電位にす
ることができる。

【００３８】ところで、このチップコンデンサ１１３に
ついて充放電させると、前記したように、側面端子１１
５に電流が流れる（図１及び図３参照）。この電流によ
って、側面１１４Ｓ１などを上下方向に延びる側面端子
１１５には、自己インダクタンスが発生する。なお、図
中の矢印は電流の方向を示す。１つのチップコンデンサ
１１３についてみると、隣の側面端子１１５との関係で
は、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる
電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発
生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタン
スを減少させることができる。

【００３９】しかも、隣り合ったチップコンデンサ１１
３同士についてみると、隣り合って対向する側面端子１
１５同士の関係でも、接続される電位が異なるので、充
放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者
の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、
自己インダクタンスを減少させることができる。本実施
形態では、チップコンデンサ１１３を縦横格子状に配置
している。このため、対向する第１側面１１４Ｓ１と隣
のコンデンサの第３側面１１４Ｓ３の側面端子同士につ
いて、さらには、対向して隣り合う側面端子１１５のい
ずれについても、上記のようにインダクタンスを抑制す
ることができるので、全体としてさらにインダクタンス
を低下させることができる

【００４０】その上、本実施形態では、図２に示すよう
に、チップコンデンサ１１３内で隣り合う側面端子１１
５同士の間隔（ピッチ）Ｐ１＝０．８ｍｍよりも、隣り
合うチップコンデンサ１１３同士の隣り合って対向する
側面端子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ２＝０．４ｍｍ
の方が小さくされている。このため、隣り合って対向す
る側面端子１１５同士の結合が大きくなり、インダクタ
ンスをより小さくすることができる。なお、上記したよ
うに、チップコンデンサ１１３同士の間には絶縁樹脂体
１１６が充填されて介在しているので、側面端子１１５
同士の絶縁は保たれている。

【００４１】次いで、本実施形態の配線基板１００の製
造方法について説明する。まず、コア基板１１０の製造
方法について説明する。まず、図４（ａ）に示すよう
に、３１×３１ｍｍの矩形状で厚さ１．０ｍｍのガラス
−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面１１１Ａと下面
１１１Ｂとの間を貫通する７．５×８．０ｍｍの大きな
略矩形状のコンデンサ用貫通孔１１１ＣＨ、及びその周
囲に形成された多数のスルーホール用貫通孔１１１Ｈと
を有するコア基板本体１１１を用意する。これらの貫通
孔１１１ＣＨ，１１１Ｈは、例えば、ドリル、ルータ、
レーザ等によって穿孔する。

【００４２】次いで、図４（ｂ）に示すように、コア基
板本体１１１の上面１１１Ａに粘着テープＴＰを貼り付
け、下面１１１Ｂを上にした状態で、平面台ＰＬの平坦
な上面ＰＬＡ上に載置する。その後、図示しないチップ
マウンタを用いて、チップコンデンサ１１３をその上面
１１３ｕ（１１４ｕ）を下向きにして、コンデンサ用貫
通孔１１１ＣＨ内に所定の間隔で配置する。チップコン
デンサ１１３は、粘着テープＴＰに粘着されるので、次
工程でチップコンデンサ１１３の位置がずれることが防
止される。なお、コア基板本体１１１の厚さよりもチッ
プコンデンサ１１３の高さが低いので、チップコンデン
サ１１３は、裏面１１１Ｂよりも低位に位置することに
なる。

【００４３】その後、流動性の良好な熱硬化性のエポキ
シ樹脂をコンデンサ用貫通孔１１１ＣＨ内に充填し、加
熱（１００〜１２０℃、１〜３時間程）して硬化させる
と、エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂体１１６を介してコ
ア基板本体１１１とチップコンデンサ１１３、及び、チ
ップコンデンサ１１３同士が固着される。その後、粘着
テープＴＰを剥がし、裏面１１１Ｂ側をベルトサンダに
よって研磨し余分な絶縁樹脂体１１６を除去する。な
お、チップコンデンサ１１３の側面端子１１５の上面部
１１５ａｕ，１１５ｂｕを確実に露出させるため、必要
に応じて、上面１１１Ａ側も若干研磨しても良い。

【００４４】その後、図５に示すように、下面１１１Ｂ
側から側面端子１１５の下面部１１５ａｄ，１１５ｂｄ
上の絶縁樹脂体１１６に貫通孔１１６Ｈを、例えばレー
ザ加工によって穿孔する。その後、公知の無電解Ｃｕメ
ッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングによって、この貫
通孔１１６Ｈ内から下面１１１Ｂよりも突出する下面バ
ンプ１１７ａ，１１７ｂを形成し、上面部１１５ａｕ，
１１５ｂｕの厚さを厚くして上面１１１Ａから突出さ
せ、スルーホール用貫通孔１１１Ｈ内にスルーホール導
体１１２を形成し、上面１１１Ａ及び下面１１１Ｂに必
要な配線層を形成して、コア基板１１１を形成する。な
お、図５上部の拡大図ｂに示すように、スルーホール導
体１１２としては、スルーホール用貫通孔１１１Ｈの内
周に内周スルーホール導体１１２ＴＨを形成するほか、
その中心部に充填樹脂１１２Ｒを充填し、さらに蓋状導
体層１１２Ｃを形成した。

【００４５】その後、公知のビルドアップ配線基板の形
成手法によって、各樹脂絶縁層１２１〜１２５，１４１
〜１４５を形成すると共に、各層間には、第１ベタ導体
層１２６、第２ベタ導体層１２７、配線層１２８，１２
９、変換配線１４６，１４７を形成し、また各樹脂絶縁
層を貫通するビア導体１３０，１３１，１３２，１３
３，１５１，１５２，１５３，１５４を形成して配線基
板１００を完成する。この配線基板１００は、上記のよ
うにチップコンデンサ１１３を多数内蔵しているため、
ノイズを確実に除去できる上、複数のチップコンデンサ
１１３を並列に接続しているので、内蔵するコンデンサ
全体としてのインダクタンスも低減させることができ
る。しかも、各チップコンデンサ１１３について見る
と、隣り合って対向する側面端子１１５同士の極性が異
なり、流れる電流の向きが逆向きになる。このため、イ
ンダクタンスをさらに減少させることができ、より一
層、低インダクタンスでＩＣチップＣＨとコンデンサ１
１３とを接続することができる。

【００４６】また、チップコンデンサ１１３の側面端子
１１５には、上面部１１５ａｕ，１１５ｂｕを形成して
いるので、コア基板１１０の上面１１０Ａに積層した樹
脂絶縁層１２１に形成したビア導体１３０，１３１と側
面端子１１５（１１５ａ，１１５ｂ）との接続が容易に
なる。一方、側面端子１１５には、下面部１１５ａｄ，
１１５ｂｄを形成し、さらに下面バンプ１１７ａ，１１
７ｂを形成しているので、コア基板１１０の下面１１０
Ｂに積層した樹脂絶縁層１２１に形成したビア導体１４
８，１４９と側面端子１１５（１１５ａ，１１５ｂ）と
の接続も容易になる。

【００４７】（変形形態１）上記実施形態１では、コア
基板本体１１１に内蔵させたチップコンデンサ１１３の
うち、下面部１１５ａｄ，１１５ｂｄは、下面１１１Ｂ
よりも引き下がっており、バンプ１１７ａ，１１７ｂの
部分を除いて、その上部を絶縁樹脂体１１６で覆われて
いた。しかし、側面端子の上面部がコア基板本体の上面
から突出している他、下面部もコア基板本体の下面から
突出するように形成することもできる。

【００４８】本変形形態１のコア基板２１０は、図６
（ａ）に示すように、コンデンサ用貫通孔２１１ＣＨ内
に内蔵されたチップコンデンサ２１３のうち、側面端子
２１５ａ，２１５ｂの上面部２１５ａｕ，２１５ｂｕが
厚くされて、コア基板本体２１１の上面２１１Ａより突
出している。また、下面部２１５ａｄ，２１５ｂｄも厚
くされており、コア基板本体２１１の下面２１１Ｂより
突出している。従って、実施形態１のように、バンプ１
１７ａ，１１７ｂを形成する必要がない。このようなコ
ア基板２１０を用いても、同様にして配線基板２００
（図７参照）を形成することができる。即ち、この配線
基板２００は、実施形態１の配線基板１００におけるコ
ア基板１１０に代えて、コア基板２１０を用い、実施形
態１と同様、その上下に樹脂絶縁層１２１〜１２５、１
４１〜１４５、第１ベタ導体層１２６、第２ベタ導体層
１２７等を形成してなる配線基板である。なお、チップ
コンデンサ２１３は実施形態１のチップコンデンサ１１
３と同様の構造を有し、実施形態１と同様、コンデンサ
用貫通孔２１１ＣＨ内に縦横格子状に配置されている
（図５の拡大図、図２、図３参照）。

【００４９】この配線基板２００においても、隣り合う
チップコンデンサ２１３の対向して隣り合う側面端子２
１５（２１５ａ，２１５ｂ）を流れる電流の向きが互い
に逆向きとなるので、側面端子２１５に発生するインダ
クタンスを低下させることができる。

【００５０】なお、この配線基板２００に使用するコア
基板２１０は、図６（ｂ）に示すように、実施形態１の
コア基板本体１１１よりもやや厚さの薄いコア基板本体
２１１を用いて、そのコンデンサ用貫通孔２１１ＣＨ内
にチップコンデンサ２１３を配置し、絶縁樹脂体２１６
を充填し固定した後、その上下面２１１Ａ，２１１Ｂを
研磨してチップコンデンサ２１３の上面部２１５ａｕ，
２１５ｂｕ及び下面部２１５ａｄ，２１５ｂｄを露出さ
せる。その後、無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及び
エッチングにより、スルーホール用貫通孔２１１Ｈ内に
スルーホール導体２１２を形成すると共に、上面部２１
５ａｕ，２１５ｂｕ及び下面部２１５ａｄ，２１５ｂｄ
の厚さを増やすことで、図６（ａ）に示すコア基板２１
０を形成する。

【００５１】その後は、実施形態１と同様、公知のビル
ドアップ配線基板の形成手法に従って配線基板２００を
形成すればよい。実施形態１と同様、側面端子２１５に
は、上面部２１５ａｕ，２１５ｂｕを形成しているの
で、主面２００Ａ側に側面端子２１５（コンデンサ２１
３）の電位を引き出すのに、接続が容易となり都合がよ
い。また、下面部２１５ａｄ，２１５ｂｄを形成してい
るので、裏面２００Ｂ側に側面端子２１５（コンデンサ
２１３）の電位を引き出すのにも都合がよい。

【００５２】（変形形態２）上記実施形態１及び変形形
態１においては、コア基板１１０，２１０に用いるコア
基板本体１１１，２１１として、ガラス−エポキシ樹脂
複合材料からなる１層のコア絶縁層からなるものを用い
た。しかし、コア基板本体としては、複数のコア絶縁層
を積層したものでも良い。例えば、図８に示す配線基板
５００では、コア基板５１０は、コア基板本体５１１と
これを貫通するスルーホール導体５１２とを備える。し
かも、このコア基板本体５１１は、ガラス−エポキシ樹
脂複合材料からなるコア絶縁層５１３のほか、この主面
５００Ａ側及び裏面５００Ｂ側に積層されたエポキシ樹
脂からなるコア絶縁層５１４，５１５を有する合計３層
のコア絶縁層を含み、さらにコア絶縁層５１３と５１４
との間には導体層５１６が、コア絶縁層５１３と５１５
との間には、導体層５１７が形成されている。なお、本
変形形態２では、導体層５１６，５１７は、図中左方に
示すように、スルーホール導体５１２を経由して電源電
位あるいは接地電位に接続されている。

【００５３】なお、実施形態１及び変形形態１と同様、
コア基板本体５１１には、これを貫通する大きな略矩形
状のコンデンサ用貫通孔５１１ＣＨが穿孔され、その内
部には、実施形態１と同様にして、チップコンデンサ１
１３が内蔵されている。上記コア基板５１０及び配線基
板５００は、導体層５１６，５１７に相当する導体パタ
ーンを形成したコア絶縁層５１３に公知のビルドアップ
手法によってコア絶縁層５１４，５１５を積層し、次い
で、スルーホール用貫通孔５１１Ｈ及びコンデンサ用貫
通孔５１１ＣＨを形成する。その後は、前記した実施形
態１と同様の手法で形成すればよい。このように複数の
コア絶縁層を含むコア基板本体を用いても、同様にチッ
プコンデンサを内蔵する配線基板を構成することができ
る。なお、複数のコア絶縁層を含むコア基板本体として
は、導体層５１６，５１７を含まないものとしても良
い。また、上記したコア絶縁層５１３と他のコア絶縁層
５１４，５１５のように、コア絶縁層の材質を異ならせ
ても良いが、複数のコア絶縁層のいずれもが同種材料か
らなるコア基板本体を用いることもできる。また、図８
に示すように、コア絶縁層５１３は、他のコア絶縁層５
１４，５１５よりも厚くしたが、複数のコア絶縁層のい
ずれもがほぼ同じ厚さで有るコア基板本体を用いること
もできる。

【００５４】（実施形態２）上記実施形態１及び変形形
態１，２では、配線基板１００，２００の主面１００
Ａ，２００Ａ側及び裏面１００Ｂ，２００Ｂ側のいずれ
からも、チップコンデンサ１１３，２１３の側面端子１
１５，２１５に接続できる構造としていた。しかし、主
面側でのみチップコンデンサと接続するように配線基板
を構成することもできる。

【００５５】即ち、本実施形態の配線基板３００で使用
するコア基板３１０は、図９に示すように、コア基板本
体３１１のコンデンサ用貫通孔３１１ＣＨ内に多数のチ
ップコンデンサ３１３を内蔵し、その側面端子３１５
（３１５ａ，３１５ｂ）は、その上面部３１５ａｕ，３
１５ｂｕがコア基板本体３１１の上面３１１Ａより突出
している。しかし、下面３１１Ｂ側は、コンデンサの下
面３１３ｄ、及び側面端子３１５の下面部３１５ａｄ，
３１５ｂｄが絶縁樹脂体３１６で覆われており、下面３
１１Ｂ側からチップコンデンサ３１３（側面端子３１
５）に接続することができない構造となっている。

【００５６】なお、コンデンサ用貫通孔３１１ＣＨの周
囲には、実施形態１のコア基板１１０（図５参照）と同
様に、スルーホール導体３１２を有するほか、次述する
ように、電源電位や接地電位をコア基板３１０の上下に
通すためのスルーホール導体３１８，３１９も形成され
ている。また、チップコンデンサ３１３は実施形態１の
チップコンデンサ１１３と同様の構造を有し、実施形態
１と同様にコンデンサ用貫通孔３１１ＣＨ内に縦横格子
状に配置されている（図５の拡大図、図２、図３参
照）。

【００５７】このようなコア基板３１０を用いた配線基
板３００の断面図を図１０に示す。この配線基板３００
は、実施形態１の配線基板１００とほぼ同様な構造を有
している。即ち、チップコンデンサ３１３を多数内蔵し
たコア基板３１０と、その上下に積層された樹脂絶縁層
３２１〜３２５、３４１〜３４５をそれぞれ有する。配
線基板３００の主面３００Ａの中央部には、バンプ３３
４が多数形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの下面Ｃ
ＨＡの接続端子ＣＨＴと接続可能とされている。また、
裏面３００Ｂの略全面にはパッド３５４が多数形成さ
れ、破線で示す他の配線基板ＷＢに形成された接続端子
ＷＢＴと図示しないハンダボールなどによりそれぞれ接
続可能である。

【００５８】バンプ３３４の一部は配線層３２８，３２
９によって、それぞれ周縁側にファンアウトして、ビア
導体３３３、スルーホール導体３１２、ビア導体３５３
を通じて裏面３００Ｂに形成されたパッド３５４に接続
している。これらは例えば、信号用配線として使用され
る。

【００５９】バンプ３３４のうち残りは、ビア導体３３
２によって、略平板状の第１ベタ導体層３２６あるいは
第２ベタ導体層３２７に接続する。なお、次述するよう
に、第１ベタ導体層３２６は＋の電源電位（共通第１電
位）に、第２ベタ導体層３２７は接地電位（共通第２電
位）に接続される。さらに、第１ベタ導体層３２６はビ
ア導体３３０により、チップコンデンサ３１３の一方の
側面端子（第１電位側面端子）３１５ａに接続し、第２
ベタ導体層３２７はビア導体３３１により、チップコン
デンサ３１３の他方の側面端子（第２電位側面端子）３
１５ｂに接続する。これによって、ＩＣチップＣＨ搭載
時には、コンデンサ３１３とＩＣチップＣＨとが極めて
近い距離で接続され、また電源電位及び接地電位が供給
される。なお、上記したように、実施形態１の配線基板
１００と異なり、チップコンデンサ３１３の側面端子３
１５は直接裏面３００Ｂ側に引き出されることがない。

【００６０】そこで、さらに第１ベタ導体層３２６から
は、ビア導体３３５、コア基板本体３１１内のスルーホ
ール導体３１８、及びビア導体３４８を介して、変換配
線３４６に接続する経路が設けられている。同様に、第
２ベタ導体層３２７からは、ビア導体３３６、コア基板
本体３１１内のスルーホール導体３１９、及びビア導体
３４９を介して、変換配線３４７に接続する経路も設け
られている。その後は、実施形態１の配線基板１００と
同様に、変換配線３４６，３４７によって、配置を調整
した上、樹脂絶縁層３４２〜３４５を貫通するビア導体
３５１，３５２によって各パッド３５４に接続する。

【００６１】このパッド３５４を通じて、第１ベタ導体
層３２６及び一方の側面端子３１５ａ（及びそれにつな
がる一方の電極層）が＋の電源電位になり、第２ベタ導
体層３２７及び他方の側面端子３１５ｂ（及びそれにつ
ながる他方の電極層）が接地電位となるように、配線基
板ＷＢから給電される。従って、この配線基板３００を
用いれば、電源配線に重畳されたノイズは、各チップコ
ンデンサ３１３によって吸収しつつ、ごく短いビア導体
３３２等でＩＣチップＣＨに、給電することができる。

【００６２】しかも、この配線基板３００においても、
例えばチップコンデンサ３１３に充電した場合には、そ
の側面端子３１５に図１０に矢印で示した方向の電流が
流れる。なお、放電の場合にはこの逆になることは言う
までもない。従って、隣り合うチップコンデンサ３１３
の対向して隣り合う側面端子３１５には互いに逆向きの
電流が流れる構造となっているので、側面端子３１５で
生じるインダクタンスをより低減することができる。な
お、実施形態１と同様、側面端子３１５には、上面部３
１５ａｕ，３１５ｂｕを形成しているので、実施形態１
と同様、主面３００Ａ側に側面端子３１５（コンデンサ
３１３）の電位を引き出すのに接続が容易となり都合が
よい。

【００６３】本実施形態の配線基板３００に用いるコア
基板３１０は、実施形態１のコア基板１１０の製法と同
様に、コア基板本体３１１のコンデンサ用貫通孔内３１
１ＣＨにチップコンデンサ３１３を配置し、エポキシ樹
脂を充填し硬化させて絶縁樹脂体３１６とした後、下面
３１１Ｂを研磨する（図４（ａ）参照）。その後、実施
形態１と異なり、貫通孔１１６Ｈを穿孔することなく、
メッキにより側面端子３１５の上面部３１５ａｕ，３１
５ｂｕの厚さを増加させると共に、スルーホール用貫通
孔３１１Ｈ内にスルーホール導体３１２，３１８，３１
９を形成して、コア基板３１０とすればよい。以降は、
公知のビルドアップ配線基板の製法により、配線基板３
００を形成することができる。

【００６４】以上において、本発明を実施形態及び変形
形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、
適宜変更して適用できることはいうまでもない。例え
ば、上記実施形態１，２及び変形形態１，２において
は、チップコンデンサの第１側面と第３側面にそれぞれ
同数（実施形態では４つずつ）、側面端子１１５等が形
成されたコンデンサを用いた。しかし、例えば、図１１
に示すチップコンデンサ４１３のように、第１側面４１
３Ｓ１と第３側面４１３Ｓ３だけでなく、第２側面４１
３Ｓ２及び第４側面４１３Ｓ４にも側面端子４１５（４
１５ａ，４１５ｂ）を同数（図では２ヶずつ）形成した
ものを用いても良い。この際、隣り合う側面端子４１５
の電位を、図１１に示すように、共通第１電位（例え
ば、「＋」で示す電源電位）と共通第２電位（例えば
「Ｇ］で示す接地電位）とが交互に現れる配置とする。
このようにしたチップコンデンサ４１５を用いても、対
向して隣り合う側面端子４１５同士でインダクタンスを
打ち消し合うので、より低インダクタンスでチップコン
デンサとＩＣチップ等とを接続することができるように
なる。

【００６５】さらに、チップコンデンサ４１３同士を密
集して配置し、１つのチップコンデンサにおいて隣り合
う側面端子４１５同士の間隔Ｐ１，Ｐ３よりも、隣り合
うチップコンデンサ４１３同士の対向する側面端子４１
５同士の間隔Ｐ２，Ｐ４を小さくすると、さらに低イン
ダクタンスにすることができる。また、上記実施形態等
では、いずれもチップコンデンサとして同一形状のもの
を用い、これらを縦横格子状に配置した。しかし、隣り
合うコンデンサの側面端子同士が対向して隣り合ってお
り、それらの極性が異なるように接続されていれば良
い。少なくともこれらの側面端子同士の間ではインダク
タンスの低減を図ることができるからである。

【００６６】また、上記実施形態等では、チップコンデ
ンサ１１３等をコア基板本体１１１内に内蔵させたが、
チップコンデンサは配線基板に内蔵されていれば良く、
例えば、コア基板上や樹脂絶縁層上に載置するようにし
ても良い。また、チップコンデンサがコア基板内に収ま
る厚さのコア基板本体を使用するものにも限定されるも
のでもない。さらに、コア基板本体内に内蔵する場合に
も、実施形態等のようにする他、コア基板本体に形成し
た凹部内にチップコンデンサを配置し内蔵しても良い。

【００６７】さらに、上記実施形態等では、チップコン
デンサ１１３等と主面１００Ａ等との間に、第１ベタ導
体層１２６，第２ベタ導体層１２７などを形成した。こ
のようにすると、一般に側面端子１１５等の間隔などに
比して、間隔の狭くされているバンプ１３４との接続が
容易にできるメリットがある。しかし、各バンプ１３４
のうち所定のバンプとチップコンデンサ１１３の側面端
子１１５ａ，１１５ｂとを適切に接続できれば良く、樹
脂絶縁層１２１〜１２５の層間に形成した配線層や樹脂
絶縁層１２１等を貫通するビア導体によって、側面端子
１１５と各々のバンプ１３４とを接続するようにしても
良い。また第１ベタ導体層１２６や第２ベタ導体層１２
７として平板状の導体層を形成したが、これらに代えて
格子状（メッシュ状）の導体層を用いることもできる。
また、例えば、樹脂絶縁層１２１と１２２の層間やコア
基板本体の主面１１１Ａ上に縞状（ストライプ状）の導
体層を設け、各縞状導体層が交互に共通第１電位（電源
電位）及び共通第２電位（接地電位）となるように、個
々の縞状導体層と側面端子１１５ａ，１１５ｂを接続す
る。さらにこの縞状導体層と各バンプ１３４とを接続す
るという構造にしても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板の断面図である。

【図２】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの各
側面端子の電位を示す説明図である。

【図３】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの様
子及び側面端子を流れる電流の方向を示す斜視説明図で
ある。

【図４】実施形態１にかかる配線基板の製造方法の説明
図であり、（ａ）は使用するコア基板本体を示し、
（ｂ）はコア基板本体内にチップコンデンサを配置する
様子を示す。

【図５】実施形態１にかかる配線基板の製造方法の断面
説明図であり、コア基板が完成した状態を示す、なお、
上方の円内は、スルーホール部分を拡大して示す説明
図、下方の円内はチップコンデンサ部分を拡大して示す
説明図である。

【図６】変形形態１にかかる配線基板に使用するコア基
板の断面を示す説明図であり、（ａ）はメッキを施して
コア基板が完成した状態、（ｂ）はコア基板を配置し樹
脂を充填を研磨した状態を示す。

【図７】変形形態１にかかる配線基板の断面図である。

【図８】実施形態２にかかる配線基板の断面図である。

【図９】実施形態２にかかる配線基板に使用するコア基
板の断面図である。

【図１０】実施形態２にかかる配線基板の断面図であ
る。

【図１１】チップコンデンサの他の配列例及び各側面端
子の電位を示すを示す説明図である。

【図１２】基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載
した従来の配線基板を示す説明図である。

【図１３】チップコンデンサの形状及び構造を示す説明
図であり、（ａ）は対向する２つの側面からそれぞれの
電極を取り出すタイプ、（ｂ）は側面に多数の端子を形
成して電極を取り出すタイプ、（ｃ）は（ｂ）に示すチ
ップコンデンサの構造を示す。

【符号の説明】

１００，２００，３００，５００配線基板１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，５００Ａ主面１００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，５００Ｂ裏面１１０，２１０，３１０，５１０コア基板１１１，２１１，３１１，５１１コア基板本体１１１，２１１，３１１，５１３，５１４，５１５コ
ア絶縁層１１２，２１２，３１２，５１２スルーホール導体１１３，２１３，３１３チップコンデンサ１１３ｕチップコンデンサの上面１１５ａ，２１５ａ，３１５ａ，４１５ａ側面端子
（第１電位側面端子）１１５ｂ，２１５ｂ，３１５ｂ，４１５ｂ側面端子
（第２電位側面端子）１１５ａｕ，１１５ｂｕ，２１５ａｕ，２１５ｂｕ，３
１５ａｕ，３１５ｂｕ上面部１１６，２１６，３１６絶縁樹脂体１２６，１２７，３２６，３２７ベタ導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主面と裏面とを有する配線基板であって、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを内蔵
し、上記チップコンデンサは、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側
面端子を有するチップコンデンサであり、一の上記チップコンデンサの上記共通第１電位に接続さ
れる上記側面端子と、他の上記チップコンデンサの上記
共通第２電位に接続される上記側面端子とが対向し隣り
合って配置されてなる配線基板。
【請求項２】主面と裏面とを有する配線基板であって、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを内蔵
し、上記チップコンデンサは、平面状側面と、上記平面状側面上を上記主面側から上記裏面側に向かっ
て延びる複数の側面端子と、を有し、上記側面端子は、上記平面状側面に沿う上記主面と平行
な方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面
端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子
とが交互に配置されてなるチップコンデンサであり、一の上記チップコンデンサの上記平面状側面と他の上記
チップコンデンサの上記平面状側面とが対向して配置さ
れ、上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサ
との間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、
一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電
位側面端子である配線基板。
【請求項３】請求項２に記載の配線基板であって、前記一のチップコンデンサと前記他のチップコンデンサ
との間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チッ
プコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔より
も小さくしてなる配線基板。
【請求項４】主面と裏面とを有する配線基板であって、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
位にそれぞれ接続される複数の同一形状のチップコンデ
ンサを内蔵し、上記チップコンデンサは、略直方体状で、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側
面端子を有し、上記側面端子は、４つの上記側面のうち、第１側面とこれに対向する第３側面とに同数形成され、上記第１側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側
面とには、形成されないか、同数形成され、上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４側面の順に
巡る周方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位
側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面
端子とが交互に配置されてなるチップコンデンサであ
り、上記各チップコンデンサは、隣り合うチップコンデンサ
の上記第１側面と第３側面とが、または第２側面と第４
側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配置され、隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う上記側
面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であ
り、他方が上記第２電位側面端子である配線基板。
【請求項５】請求項４に記載の配線基板であって、前記隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側
面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上
記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板。
【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれかに記載の配
線基板であって、チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を介設して
なる配線基板。
【請求項７】請求項１〜請求項６のいずれかに記載の配
線基板であって、前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第１電極層
と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層されたチ
ップ積層セラミックコンデンサである配線基板。
【請求項８】請求項１〜請求項７のいずれかに記載の配
線基板であって、前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち前記主面
側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この上面部か
ら上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主面側から
前記裏面側に向かって延びる側面端子である配線基板。
【請求項９】主面と裏面とを有する配線基板であって、１または複数のコア絶縁層からなり、厚さ方向に貫通す
るコンデンサ用貫通孔を備えるコア基板本体、及び上記
コンデンサ用貫通孔に内蔵され、一方の電極が共通第１
電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続され
る複数の同一形状のチップコンデンサ、を含むコア基板と、上記コア基板の上記主面側及び裏面側にそれぞれ少なく
とも１層ずつ積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記チップコンデンサは、略直方体状で、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側
面端子を有し、上記側面端子は、４つの上記側面のうち、第１側面とこれに対向する第３側面とに同数形成され、上記第１側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側
面とには、形成されないか、同数形成され、上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４側面の順に
巡る周方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位
側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面
端子とが交互に配置されてなるチップコンデンサであ
り、上記各チップコンデンサは、隣り合うチップコンデンサ
の上記第１側面と第３側面とが、または第２側面と第４
側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配置され、隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う上記側
面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であ
り、他方が上記第２電位側面端子である配線基板。