JP2002246759A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁層の積層数を減らしてコストダウンを可
能とした配線基板、接続配線の距離を短くして抵抗やイ
ンダクタンスをも低くした配線基板を提供する。 【解決手段】 配線基板１００は、主面１００ｂ側に複
数のバンプ１３４を、内部には上面部１１５を有する端
子１１８を有するチップコンデンサ１１３を、さらに、
バンプ１３４と上面部１１５との間に複数の主面側樹脂
絶縁層１２１〜１２４を備える。主面側樹脂絶縁層同士
の層間１６１〜１６３から選ばれた特定主面側層間１６
１には、主面側で複数のバンプ１３４と接続し、裏面側
で端子１１８ｂの上面部１１５ｂと接続する第１変換導
体層１２６ｐと、第１変換導体層と絶縁しつつ特定主面
側層間１６１に形成され、主面側でバンプ１３４と接続
し、裏面側で端子１１８ｃの上面１１５ｃと接続する第
２変換導体層１２６ｇとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を搭載す
るための配線基板、特にチップコンデンサを内蔵した配
線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１９に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の主面２ｂ
あるいは裏面２ｃに、別途、チップコンデンサ３を搭載
し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド
５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続
することが行われている。

【０００３】しかしながら、上記の手法では、配線基板
２の完成後に、別途チップコンデンサ３を搭載する必要
があるため、工数がかかりコストアップとなる。また、
チップコンデンサ３を搭載する領域を予め確保しておく
必要があり、他の電子部品の搭載や配線基板の補強のた
めの補強部材の固着の自由度を低下させる。さらに、他
の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とチップコンデン
サ３とを結ぶコンデンサ接続配線４の長さが長く、また
細くなりやすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ
抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低
インダクタンスの要請に十分に応えられない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、一方の面（上
面）あるいは上下両面からコンデンサ端子を取り出すこ
とができるようにしたチップコンデンサを用いて、この
チップコンデンサを配線基板内に内蔵させ、搭載するＩ
Ｃチップ等の電子部品の端子に対応して形成された接続
端子（接続端子群）とチップコンデンサのコンデンサ端
子とをビア等を用いて接続することで、チップコンデン
サと電子部品とのコンデンサ接続配線を短くできるよう
にしたものが考えられる。

【０００５】しかしながら、ＩＣチップ等の電子部品に
形成される端子及びこれに対応して配線基板に設ける電
子部品接続用の接続端子（接続端子群）同士の間隔の配
置は、内蔵されるチップコンデンサのコンデンサ接続端
子の配置と必ずしも適合しているわけではない。特に、
ＩＣチップ等の電子部品に形成される端子が多数である
場合には、その間隔が狭くなるので、これに対応して配
線基板に設ける電子部品接続用の接続端子（接続端子
群）同士の間隔も狭くなる。従って、チップコンデンサ
の上面に形成したコンデンサ端子との位置が適合しなく
なる上に、コンデンサ接続配線が複雑化したり長さが長
くなることがある。

【０００６】そこで、搭載する電子部品接続用の接続端
子（接続端子群）とチップコンデンサに形成されたコン
デンサ端子との接続にあたり、これらの間に、例えば電
源電位用と接地電位用などの２つ（１対）のベタ状の変
換導体層を介在させることが考えられる。このようにす
れば、電子部品接続用の接続端子（接続端子群）もチッ
プコンデンサに形成されたコンデンサ端子もこの変換導
体層にビア等を用いてそれぞれ接続することで互いに接
続できるため、両者の端子の間隔に影響されることがな
くなって接続も容易になり、配線も短くできる。しかる
に、このような２つのベタ状の変換導体層を介在させる
と、電子部品接続用の接続端子（接続端子群）とチップ
コンデンサに形成されたコンデンサ端子との間に形成す
る絶縁層の積層数が増え、コストアップとなる。

【０００７】本発明は、かかる知見に基づいてなされた
ものであって、絶縁層の積層数を減らしてコストダウン
を可能とした配線基板、さらには、接続配線の距離を短
くして抵抗やインダクタンスをも低くした配線基板を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、上記
主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品の端
子とそれぞれ接続可能な複数の主面側接続端子と、上記
配線基板内に内蔵されており、コンデンサを構成する一
方の電極及び他方の電極を備えるチップコンデンサであ
って、上記主面側を向く第１面、上記第１面に形成さ
れ、上記一方の電極と接続する少なくとも１つの第１端
子、及び、上記第１面に形成され、上記他方の電極と接
続する少なくとも１つの第２端子、を有する少なくとも
１つのチップコンデンサと、上記主面側接続端子と上記
チップコンデンサの第１端子及び第２端子との間に介在
する複数の主面側絶縁層と、上記主面側絶縁層同士の層
間から選ばれた特定主面側層間に形成され、主面側で複
数の上記主面側接続端子と接続し、裏面側で少なくとも
１つの上記第１端子と接続する少なくとも１つの第１変
換導体層と、上記第１変換導体層と絶縁しつつ上記特定
主面側層間に形成され、主面側で複数の上記主面側接続
端子と接続し、裏面側で少なくとも１つの上記第２端子
と接続する少なくとも１つの第２変換導体層と、を備え
る配線基板である。

【０００９】本発明の配線基板では、主面側接続端子と
チップコンデンサの間の特定主面側層間に、第１変換導
体層と第２変換導体層が形成されているので、主面側接
続端子とチップコンデンサの第１，第２端子との位置が
適合しない場合にも、互いの位置を考慮する必要が無
く、第１変換導体層あるいは第２変換導体層に接続すれ
ば、両者を容易に接続することができる。その上、第１
変換導体層と第２変換導体層が同じ特定主面側層間に形
成されているので、ベタ層を２層形成する場合と比較し
ても、主面側接続端子とチップコンデンサとの間に形成
する主面側絶縁層の数を１層分減らすことができる。従
って、形成容易で安価な配線基板とすることができる。

【００１０】なお、チップコンデンサとしては、配線基
板内に内蔵できるものであればいずれのものでも良い
が、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデンサ
タイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙げら
れる。特に、積層セラミックタイプのチップコンデンサ
は、周波数特性も良好である点、また、内蔵させた後の
配線基板の製造工程内で熱が掛かるなどしても特性が比
較的安定で、配線基板の製造が容易になり歩留まりが向
上する点で好ましい。

【００１１】また、チップコンデンサの第１面に形成さ
れる第１，第２端子は、多数形成されるものが好まし
い。第１，第２変換導体層と並列に接続ができるので、
第１，第２変換導体層とチップコンデンサとの間の配線
で生じる抵抗やインダクタンスをより一層低減すること
ができるからである。従って、チップコンデンサの第
１，第２端子は、第１面の周縁に形成されているもので
も良いが、さらには第１面内に例えば格子状などに配置
されているものが好ましい。また、ある第１端子から見
て、これに最も近接する端子が第２端子となるように、
第１端子と第２端子とが交互に配置されているものがよ
り好ましい。チップコンデンサからの電荷の充放電に際
して第１端子を経由して流れる電流と第２端子を経由し
て流れる電流とは、その向きが逆向きとなるので、この
部分でもインダクタンスを低減できるからである。

【００１２】さらに、配線基板としては、チップコンデ
ンサを内蔵できるものであればいずれでも良いが、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂など
の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊
維などの繊維との複合材料、三次元網目構造のフッ素樹
脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料を用い
たもの、さらに、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックなどのセラミック基板とこれらの
樹脂や複合材料とを組み合わせたものなどが挙げられ
る。また、チップコンデンサを内蔵する配線基板内に他
種類のチップ状電子部品を内蔵させることもできる。こ
のようなチップ状電子部品としては、チップ抵抗、チッ
プインダクタ、チップフィルタなどのチップ状受動部品
や、トランジスタ、ローノイズアンプ、アクティブフィ
ルタ、ＩＣチップ、メモリ素子、ＦＥＴなどのチップ状
能動素子、ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナス
イッチモジュール、カプラ、ダイプレクサや、これらを
組み合わせたものなどが挙げられる。

【００１３】さらに、上記配線基板であって、前記特定
主面側層間として、前記主面側絶縁層同士の層間のうち
前記第１端子及び第２端子の直上の層間を選択し、前記
主面側接続端子のうち前記第１変換導体層及び第２変換
導体層のいずれかに接続する主面側接続端子の数が、前
記第１変換導体層に接続する前記チップコンデンサの前
記第１端子の数と前記第２変換導体層に接続する前記第
２端子の数の和よりも多い配線基板とすると良い。

【００１４】主面側接続端子とチップコンデンサの第
１，第２端子とを結ぶ接続配線は、並列な経路が多いほ
ど、抵抗値やインダクタンスを抑えることができる。従
って、第１，第２変換導体層から見て、これらに接続す
る主面側接続端子の数とチップコンデンサの第１，第２
端子の数（第１端子と第２端子の数の和）を比較し、数
の少ない側の接続配線を短くする方が抵抗やインダクタ
ンスの上で有利となる。従って、チップコンデンサに形
成される第１，第２端子の数よりも、主面側接続端子の
うち第１変換導体層及び第２変換導体層を経由してチッ
プコンデンサに接続する数の方が多い場合には、第１，
第２変換導体層をできるだけチップコンデンサに近く配
置するのが好ましくなる。本発明では、特定主面側層間
として、主面側絶縁層同士の層間のうち第１端子及び第
２端子の直上の層間を、つまりチップコンデンサに最も
近い層間を選択しているので、第１，第２変換導体層
と、第１，第２端子とは最も接近して配置されているこ
とになる。従って、主面側接続端子とチップコンデンサ
の第１，第２端子との間の抵抗やインダクタンスを小さ
くすることができる。なお、高集積のＩＣチップを搭載
する配線基板の場合には、このような関係となることが
多い。高集積のＩＣチップでは、多数の電源端子や接地
端子を設けることが多いからである。

【００１５】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、上記主面側に形成され、この主
面上に搭載する電子部品の端子とそれぞれ接続可能な複
数の主面側接続端子と、上記配線基板内に内蔵されてお
り、コンデンサを構成する一方の電極及び他方の電極を
備えるチップコンデンサであって、上記主面側を向く第
１面、上記第１面に形成され、上記一方の電極と接続す
る少なくとも１つの第１端子、及び、上記第１面に形成
され、上記他方の電極と接続する少なくとも１つの第２
端子、を有する少なくとも１つのチップコンデンサと、
上記チップコンデンサのうち少なくとも上記第１面を覆
う絶縁体と、上記主面側接続端子と上記チップコンデン
サの第１端子及び第２端子との間に介在する少なくとも
１つの主面側絶縁層と、上記絶縁体とその直上の上記主
面側絶縁層との間に形成され、主面側で複数の上記主面
側接続端子と接続し、裏面側で少なくとも１つの上記第
１端子と接続する少なくとも１つの第１変換導体層と、
上記第１変換導体層と絶縁しつつ上記絶縁体とその直上
の上記主面側絶縁層との間に形成され、主面側で複数の
上記主面側接続端子と接続し、裏面側で少なくとも１つ
の上記第２端子と接続する少なくとも１つの第２変換導
体層と、を備える配線基板である。

【００１６】本発明の配線基板では、主面側接続端子と
チップコンデンサの間、具体的には絶縁体とその直上の
主面側絶縁層との間に、第１変換導体層と第２変換導体
層が形成されているので、主面側接続端子とチップコン
デンサの第１，第２端子との位置が適合しない場合に
も、互いの位置を考慮する必要が無く、第１変換導体層
あるいは第２変換導体層に接続すれば、両者を容易に接
続することができる。その上、絶縁体とその直上の主面
側絶縁層との間（以下、単に絶縁体−絶縁層間ともい
う）に、第１変換導体層と第２変換導体層の両者が形成
されているので、ベタ層を２層形成する場合と比較して
も、主面側接続端子とチップコンデンサとの間に形成す
る主面側絶縁層の数を１層分減らすことができる。従っ
て、形成容易で安価な配線基板とすることができる。

【００１７】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記第１変換導体層に裏面側で接続する前記第
１端子は、接続する当該第１変換導体層を前記第１面に
投影した領域内に位置し、上記第１端子と第１変換導体
層とは直接またはビア導体によって接続され、前記第２
変換導体層に裏面側で接続する前記第２端子は、接続す
る当該第２変換導体層を前記第１面に投影した領域内に
位置し、上記第２端子と第２変換導体層とは直接または
ビア導体によって接続されている配線基板とすると良
い。

【００１８】本発明の配線基板では、チップコンデンサ
のうち、第１変換導体層に裏面側で接続する第１端子
は、接続する当該第１変換導体層をチップコンデンサの
第１面に投影した領域内に位置する。逆に、ある第１端
子から見ると、これに接続する第１変換導体層が主面側
まっすぐ上に位置することになる。そして、この第１端
子と第１変換導体層とは、直接あるいは層間に形成され
る配線層よりも低抵抗、低インダクタンスとなるビア導
体によって、具体的には、第１変換導体層から裏面側に
向かって主面側樹脂絶縁層に垂直に延びるビア導体によ
って、接続されている。従って、この第１端子と第１変
換導体層とは、低抵抗や低インダクタンスで接続するこ
とができる。同様に、第２変換導体層に裏面側で接続す
る第２端子は、接続する当該第２変換導体層をチップコ
ンデンサの第１面に投影した領域内に位置する。逆に、
ある第２端子から見ると、これに接続する第２変換導体
層が主面側まっすぐ上に位置することになる。そして、
この第２端子と第２変換導体層とは、直接あるいは第２
変換導体層から裏面側に向かって主面側樹脂絶縁層に垂
直に延びるビア導体によって、接続されている。従っ
て、この第２端子と第２変換導体層も、低抵抗や低イン
ダクタンスで接続することができる。

【００１９】特に、前記したように、特定主面側層間と
して、主面側絶縁層同士の層間のうち第１端子及び第２
端子の直上の層間を選択し、主面側接続端子のうち第１
変換導体層及び第２変換導体層のいずれかに接続する主
面側接続端子の数が、第１変換導体層に接続する前記チ
ップコンデンサの第１端子の数と第２変換導体層に接続
する第２端子の数の和よりも多い配線基板である場合に
は、本発明を適用し、第１端子と第１変換導体層、第２
端子と第２変換導体層とをビア導体によって接続するの
が好ましい。第１，第２変換導体層から見て主面側で、
主面側接続端子と第１，第２変換導体層との抵抗やイン
ダクタンスを抑えることができる上、裏面側でも、第
１，第２端子と第１，第２変換導体層との抵抗やインダ
クタンスを抑えることができる。従って、主面側接続端
子とチップコンデンサの第１，第２端子との間の抵抗や
インダクタンスを最も小さくすることができるからであ
る。

【００２０】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記第１変換導体層と前記第２変換導体層と
は、交互に並ぶストライプ状パターン部分を有する配線
基板とすると良い。

【００２１】一般にＩＣチップなどの電子部品の接続端
子やこれに対応する主面側接続端子のうち、チップコン
デンサの第１端子に接続されるもの（例えば、電源電位
に接続されるもの）と第２端子に接続されるもの（たと
えば、接地電位に接続されるもの）とは近接して並んで
いる場合が多い。これに対し、本発明の配線基板の第１
変換導体層と第２変換導体層とがストライプ状パターン
部分を有する。このストライプ状パターン部分では、第
１変換導体層と第２変換導体層とが隣り合って並んでい
るので、主面側接続端子の接続すべき端子（第１端子、
第２端子のいずれか）に応じて、主面側接続端子から裏
面側に向けてビアを用いて接続配線を延ばすと共に、必
要に応じて主面側絶縁層同士の層間において短い配線を
形成するなどして目的の第１又は第２変換導体層に接続
できるように位置を調整すれば良い。つまり、このスト
ライプ状パターン部分では、主面側接続端子を、第１，
第２変換導体層のいずれとも容易に接続できるので、接
続配線設計が容易になる。

【００２２】特に、チップコンデンサの第１端子及び第
２端子が交互に配置されている場合には、ストライプ状
パターン部分では、チップコンデンサの第１端子を第１
変換導体層に、第２端子を第２変換導体層にそれぞれ容
易に接続できるので、接続配線設計が容易になる。しか
も、上記したようにチップコンデンサの第１端子及び第
２端子は交互に配置した場合にインダクタンスを抑制で
きて好ましい。チップコンデンサから出入りする電流の
向きを互いに逆向きにすることでインダクタンスを低く
できるからである。

【００２３】さらに、上記配線基板であって、前記第１
変換導体層と前記第２変換導体層とは、前記ストライプ
状パターン部分において、前記チップコンデンサの充放
電の際に流れる電流の向きが互いに逆向きとなる逆向き
電流部分を有する配線基板とすると良い。

【００２４】本発明の配線基板では、逆向き電流部分有
するので、この逆向き電流部分でチップコンデンサの充
放電の際に流れる電流の向きが互いに逆向きとなり、互
いに磁界を打ち消しあう（負の相互インダクタンスを生
じる）。従って、この部分でインダクタンスを更に抑制
し、全体としてもよりインダクタンスを低くすることが
できる。

【００２５】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態を、図１〜図８を参照しつつ説明する。図１に示
す配線基板１００は、チップコンデンサ１１３を多数内
蔵したコア基板１１０と、その上下にそれぞれ積層され
たエポキシ樹脂からなる主面側樹脂絶縁層１２１〜１２
４、及び裏面側樹脂絶縁層１４１〜１４４とを有する。
配線基板１００の主面１００ｂの中央部には、バンプ１
３４が多数形成され、破線で示すＩＣチップ１０の下面
１１に多数形成された接続端子１２とそれぞれフリップ
チップ接続可能とされている。また、図中裏面１００ｃ
の略全面にはパッド１５４が多数形成され、破線で示す
マザーボードなどの他の配線基板２０の上面２１に多数
形成された接続端子２２とそれぞれ接続可能とされてい
る。

【００２６】コア基板１１０は、図８にも示すように、
３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形板状で、厚さ１．０ｍｍのガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板本体１１
１を有している。その上面１１１ｂと下面１１１ｃとの
間には、これを貫通する大きな（７．５×８．０ｍｍ）
略矩形状のコンデンサ用貫通孔１１１ｄ、及びその周囲
に形成された多数のスルーホール用貫通孔１１１ｈとが
穿孔されている。このコンデンサ用貫通孔１１１ｄ内に
は、上述したように、本体部が略直方体状（３．２ｍｍ
×１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）のチップコンデンサ１１３
が多数（本実施形態では８ヶ＝４×２）内蔵され、エポ
キシ樹脂からなる樹脂絶縁体１２０で互いに、またコン
デンサ用貫通孔１１１ｄの内壁に固着している。このた
め、個々のチップコンデンサ１１３同士は、コンデンサ
用貫通孔１１１ｄ内では、樹脂絶縁体１２０で互いに絶
縁された状態となっている。一方、スルーホール用貫通
孔１１１ｈ内には、公知のスルーホール導体１１２が形
成されている。

【００２７】バンプ１３４のうち、一部は樹脂絶縁層１
２３と１２４との層間１６３、あるいは樹脂絶縁層１２
２と１２３との層間１６２に形成された配線層１２７，
１２８によって、それぞれ周縁側（図１中、右または左
方向）にファンアウトし、ビア導体１３５、スルーホー
ル導体１１２、ビア導体１５３を通じて裏面１００ｃに
形成されたパッド１５４に接続している。これらは、例
えば、信号用配線として使用される。

【００２８】バンプ１３４のうち、残りは樹脂絶縁層１
２４〜１２２をそれぞれ貫通するビア導体１３２を通じ
て、樹脂絶縁層１２１と１２２との層間（特定主面側層
間）１６１に形成され、後述するようにストライプ状に
形成された変換導体層１２６に直接接続する。あるい
は、樹脂絶縁層１２４及び１２３をそれぞれ貫通するビ
ア導体１３２を通じ、樹脂絶縁層１２２と１２３との層
間１６２に形成された配線層１２７で一旦位置を調整
し、さらに樹脂絶縁層１２２を貫通するビア導体１３３
を通じて、変換導体層１２６に接続する。

【００２９】この変換導体層１２６には、後述するよう
に、＋の電源電位（共通第１電位）に接続される第１変
換導体層１２６ｐと、接地電位（共通第２電位）に接続
される第２変換導体層１２６ｇとが含まれる。

【００３０】さらに、この第１変換導体層１２６ｐ及び
第２変換導体層１２６ｇのいずれもが、樹脂絶縁層１２
１を貫通するビア導体１３１によって、それぞれチップ
コンデンサ１１３の一方の端子１１８ｂおよび他方の端
子１１８ｃに接続する。これによって、ＩＣチップ１０
を主面１００ｂに搭載した時には、コンデンサ１１３と
ＩＣチップ１０とが極めて近い距離で接続され、またＩ
Ｃチップ１０に電源電位及び接地電位が供給される。

【００３１】チップコンデンサ１１３の端子１１８ｂ，
１１８ｃは、それぞれ下面バンプ１１９ｂ，１１９ｃ及
びビア導体１４８，１４９を通じて、樹脂絶縁層１４１
と１４２の層間１７１、あるいは樹脂絶縁層１４２と１
４３の層間１７２に形成された変換配線１４６，１４７
に接続される。この変換配線１４６，１４７で配置を調
整した上、樹脂絶縁層１４２〜１４４を貫通するビア導
体１５１，１５２によって各パッド１５４に接続してい
る。このパッド１５４を通じて、チップコンデンサ１１
３の一方の端子１１８ｂが＋の電源電位になり、他方の
端子１１８ｃが接地電位となるように、破線で示す配線
基板２０から給電される。なお、配線基板２０のうち電
源電位（「＋」の記号で表す）及び接地電位（「Ｇ」の
記号で表す）とする接続端子２２の電位を図１に示して
おく。従って、この配線基板１００を用いれば、電源配
線に重畳されたノイズを、各チップコンデンサ１１３に
よって吸収しつつ、ごく短いビア導体１３２等でＩＣチ
ップ１０に、給電することができる。

【００３２】内蔵されたチップコンデンサ１１３は、図
２、図３、及び図８下方の拡大図に示すように、ＢａＴ
ｉＯ３系の高誘電体セラミックからなる積層セラミック
コンデンサである。このうちコンデンサ本体１１４は、
略直方形状（３．２×１．６×０．８ｍｍ）であり、配
線基板１００の主面１００ｂ側を向くコンデンサ上面１
１３ｕである上面１１４ｕ、下面１１０Ｂ側を向くコン
デンサ下面１１３ｖである下面１１４ｖ、及び４つの側
面１１４ｓ（１１４ｓ１，１１４ｓ２，１１４ｓ３，１
１４ｓ４）を有している（図２，図３参照）。

【００３３】図８の下方の拡大図に示すように、その内
部には、一方の電極層１１４ｅと他方の電極層１１４ｆ
とが、セラミック高誘電体層１１４ｃを介して交互に、
上面１１４ｕに平行に（側面１１４ｓに垂直に）、従っ
て、主面１００ｂに平行に多数積層されている。これら
の電極層１１４ｅ，１１４ｆはニッケル（Ｎｉ）からな
る。各電極層１１４ｅ，１１４ｆの一部が、それぞれ第
１側面１１４ｓ１及び第３側面１１４ｓ３に引き出され
て、Ｃｕからなる端子１１８の側面部１１６に接続して
いる。具体的には一方の電極層１１４ｅが一方の側面部
１１６ｂに、他方の電極層１１４ｆが他方の側面部１１
６ｃに接続している。

【００３４】端子１１８ｂ，１１８ｃは、それぞれ第１
側面１１４ｓ１上、及び第３側面１１４ｓ３上に位置す
る側面部１１６ｂ，１１６ｃを有するほか、上面１１４
ｕに上面部１１５ｂ，１１５ｃを、下面１１４ｖに下面
部１１７ｂ，１１７ｃをそれぞれ有している。従って、
端子１１８ｂ，１１８ｃは、この上面部１１５ｂ，１１
５ｃから上面１１４ｕの周縁を越えて、側面１１４ｓを
上面１１４ｕ（つまり主面１００ｂ側）から下面１１４
ｖ（つまり裏面１００ｃ側）に向かって延び（側面部１
１６ｂ，１１６ｃ）、さらに、下面１１４ｖの周縁を越
えて下面部１１７ｂ，１１７ｃに接続して、略コ字形状
となっている。なお、本実施形態では、上面部１１５
ｂ，１１５ｃは、コア基板本体１１１の上面１１１ｂよ
りも突出している（図１，図８参照）。また、下面部１
１７ｂ，１１７ｃは、コア基板本体の下面１１１ｃより
も引き下がっている（主面１００ｂ側に位置している）
が、これに形成された下面バンプ１１９ｂ，１１９ｃが
下面１１１ｃよりも突出している。

【００３５】本実施形態のチップコンデンサ１１３で
は、第１側面１１４ｓ１とこれに対向する第３側面１１
４ｓ３に、それぞれ４つの端子１１８が形成されてお
り、第２側面１１４ｓ２及び第４側面１１４ｓ４には端
子１１８は形成されていない。また、図２に示すよう
に、１つのチップコンデンサ１１３について、第１側面
１１４ｓ１から時計回りに第２側面１１４ｓ２、第３側
面１１４ｓ３、第４側面１１４ｓ４の順に見ると、端子
１１８ｂ，１１８ｃ、従って、その上面部１１５ｂ，１
１５ｃが交互に並んで配置されている。つまり、後述す
るように、電極層１１４ｅ，１１４ｆのいずれか一方
（本実施形態では１１４ｅ）を＋の電源電位（図２に
「＋」で示す）に、他方（本実施形態では１１４ｆ）を
接地電位（図２に「Ｇ」で示す）にすると、「＋」で示
す電源電位に接続する端子１１８ｂ（上面部１１５ｂ）
と、「Ｇ」で示す接地電位に接続する端子１１８ｂ（上
面部１１５ｃ）とが交互に並ぶ構造とされている。

【００３６】さらに、チップコンデンサ１１３は、図２
及び図３に示すように、隣り合うチップコンデンサ１１
３の第１側面１１４ｓ１と第３側面１１４ｓ３同士、及
び第２側面１１４ｓ２と第４側面１１４ｓ４同士が対向
するように、主面１１０ｂから見て、縦横格子状に配置
されている。このため、電源電位と接地電位との各チッ
プコンデンサ１１３への接続を考慮することにより、図
２に示すように、隣り合って対向する端子１１８の側面
部１１６同士を、別の電位にする、つまり図３に示すよ
うに、一方のコンデンサの電源電位とした側面部１１６
ｂと、他方のコンデンサの接地電位とした側面端子１１
６ｃとが隣り合わせとなるように配置している。

【００３７】ところで、このチップコンデンサ１１３に
ついて充放電させると、前記したように、端子１１８の
側面部１１６に電流が流れる（図１及び図３参照）。こ
の電流によって、側面１１４ｓ１などを上下方向に延び
る側面部１１６には、自己インダクタンスが発生する。
なお、図中の矢印は各チップコンデンサ１１３に充電し
たときの電流の方向を示す。１つのチップコンデンサ１
１３についてみると、隣り合う側面部１１６相互の関係
では、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れ
る電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって
発生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタ
ンスを減少させることができる。

【００３８】しかも、隣り合った２つのチップコンデン
サ１１３同士についてみると、隣り合って対向する側面
部１１６同士の関係でも、接続される電位が異なるの
で、充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従っ
て、ここでも両者の結合によって発生する相互インダク
タンスの分だけ、自己インダクタンスを減少させること
ができる。本実施形態では、チップコンデンサ１１３を
縦横格子状に配置している。このため、対向する第１側
面１１４ｓ１と隣のコンデンサの第３側面１１４ｓ３の
側面端子同士について、さらには、対向して隣り合う側
面部１１６のいずれについても、上記のようにインダク
タンスを抑制することができるので、全体としてさらに
インダクタンスを低下させることができる。

【００３９】その上、本実施形態では、図２に示すよう
に、チップコンデンサ１１３内で隣り合う側面部１１６
同士の間隔（ピッチ）Ｐ１＝０．８ｍｍよりも、隣り合
うチップコンデンサ１１３同士の隣り合って対向する側
面部１１６同士の間隔（ピッチ）Ｐ２＝０．４ｍｍの方
が小さくされている。このため、隣り合って対向する側
面部１１６同士の結合が大きくなり、インダクタンスを
より小さくすることができる。なお、上記したように、
チップコンデンサ１１３同士の間には樹脂絶縁体１２０
が充填されて介在しているので、側面部１１６同士の絶
縁は保たれている。

【００４０】更に、本実施形態に配線基板１００では、
図１に示すように、チップコンデンサ１１３より主面側
の層間１６１に変換導体層１２６が形成されている。こ
の変換導体層１２６とチップコンデンサ１１３の端子１
１８ｂ，１１８ｃ、特にその上面部１１５ｂ，１１５ｃ
との関係について、図４，図５，図６を参照して説明す
る。

【００４１】図４は、図１におけるＭ−Ｍ’断面から主
面側樹脂絶縁層１２２，１２１を透視してチップコンデ
ンサ１１３を見た図、従って、図１におけるＮ−Ｎ’断
面において、主面１００ｂ側から変換導体層１２６を投
影した状態を示す図である。変換導体層１２６には、第
１変換導体層１２６ｐと第２変換導体層１２６ｇとが含
まれ、図４においてハッチングを異ならせて示すよう
に、第１変換導体層１２６ｐ及び第２変換導体層１２６
ｇは、いずれも帯状にされ、しかも、交互に並ぶストラ
イプ状パターンとして配置されている。

【００４２】しかも、第１変換導体層１２６ｐはチップ
コンデンサ１１３の端子１１８（上面部１１５）のう
ち、＋の電源電位に接続される端子１１８ｂ（上面部１
１５ｂ）の上方（主面１００ｂ側）に位置し、第２変換
導体層１２６ｇは、接地電位に接続される端子１１８ｃ
（上面部１１５ｃ）の上方（主面１００ｂ側）に位置し
ている。従って、第１変換導体層１２６ｐとその下方
（裏面１００ｃ側）に位置するチップコンデンサ１１３
の端子１１８ｂ（上面部１１５ｂ）とは、主面側樹脂絶
縁層１２１を貫通するごく短いビア導体１３１で接続す
ることで足りる（図１参照）。同様に、第２変換導体層
１２６ｇとその下方に位置する端子１１８ｃ（上面部１
１５ｃ）とも、主面側樹脂絶縁層１２１を貫通するごく
短いビア導体１３１で接続すれば足りる。このため、変
換導体層１２６とコンデンサ１１３の端子１１８（上面
部１１５）との間に生じる抵抗やインダクタンスは低く
抑えることができる。

【００４３】次いで、図５を参照して、変換導体層１２
６とそれより主面側に位置するビア導体１３２，１３３
との接続関係について説明する。図５は、図４におい
て、さらにストライプ状に配置された第１，第２変換導
体層１２６ｐ，１２６ｇに主面側から接続するビア導体
１３２，１３３の接続位置を重ねて表示したものであ
る。本図において、第１変換導体層１２６ｐに接続する
ビア導体１３２ｐ，１３３ｐの位置を○（マル）にｐの
記号で表し、第２変換導体層１２６ｇに接続するビア導
体１３２ｇ，１３３ｇの位置を○にｇの記号で表してい
る。図５から容易に理解できるように、本実施形態で
は、ビア導体１３２ｐ，１３２ｇ，１３３ｐ，１３３ｇ
は、ちょうど端子１１８ｂ，１１８ｃ（上面部１１５
ｂ，１１５ｃ）の上方（主面１００ｂ側）でそれぞれ第
１，第２変換導体層１２６ｐ，１２６ｇに接続する。な
お、一部ではこの位置で接続しない部位もある。

【００４４】さらにそのほか、チップコンデンサ１１３
内の２つの端子１１８ｂ（上面部１１５ｂ）の間を架け
渡す第１変換導体層１２６ｐの間の部分、具体的には、
チップコンデンサ１１３を平面視縦長に見たときの中心
線上で、中間接続ビア導体１３２ｐｍ，１３３ｐｍが、
第１変換導体層１２６ｐに接続している。また同様に、
チップコンデンサ１１３の２つの端子１１８ｃ（上面部
１１５ｃ）の間を架け渡す第２変換導体層１２６ｇの間
の部分、具体的には、チップコンデンサ１１３を平面視
縦長に見たときの中心線上でも、中間接続ビア導体１３
２ｇｍ，１３３ｇｍが、第２変換導体層１２６ｇに接続
している。

【００４５】このように、第１変換導体層１２６ｐ及び
第２変換導体層１２６ｇをストライプ状に交互に配置し
ているので、バンプ１３４からビア導体１３２を介して
直接、変換導体層１２６に接続する場合はもとより、バ
ンプ１３４からビア導体１３２、配線層１２７，及びビ
ア導体１３３を通じて変換導体層１２６も接続する場合
にも、短い配線層１２７によってその位置を調整すれば
足りるので接続が容易である。このため、このビア導体
１３２を通じ、あるいはビア導体１３３、配線層１２７
及びビア導体１３２を通じて、バンプ１３４に＋の電源
電位及び接地電位のいずれをも容易に引き出すことがで
きる。逆に言えば、バンプ１３４を、ビア導体１３２を
通じ、あるいはビア導体１３２、配線層１２７及びビア
導体１３３を通じて、第１，第２変換導体層１２６ｐ，
１２６ｇのいずれにも容易に接続することができる。し
かも、第１，第２変換導体層１２６ｐ，１２６ｇはいず
れも、主面側樹脂絶縁層１２１と１２２との層間１６１
に形成されているので、前記した２層のベタ状（平板
状）の変換導体層を用いた場合に比して、必要となる主
面側の樹脂絶縁層を１層分少なくできる。

【００４６】さらに、図６を参照して、この配線基板１
００において、チップコンデンサ１１３の電源電位の端
子１１８ｂ（上面部１１５ｂ）から、第１変換導体層１
２６ｐ、ビア導体１３２ｐ，１３３ｐを通じて、ＩＣチ
ップ１０に電流を流し、その帰路として、ＩＣチップ１
０から、ビア導体１３２ｇ，１３３ｇ、第２変換導体層
１２６ｇを通じて、チップコンデンサ１１３の接地電位
の端子１１８ｃ（上面部１１５ｃ）へ電流を流す場合を
考える。この場合において、第１変換導体層１２６ｐか
ら中間接続ビア導体１３２ｐｍ，１３３ｐｍに流れ込む
電流、及び中間接続ビア導体１３２ｇｍ，１３３ｇｍか
ら第２変換導体層１２６ｇに流れ出る電流を矢印で示
す。

【００４７】すると、図６において一点鎖線で囲む逆向
き電流部分４１においては、第１変換導体層１２６ｐを
流れる電流の向きと第２変換導体層１２６ｇを流れる電
流の向きとが逆向きになる。従って、この部分では相互
インダクタンスが負となり、この部分でのインダクタン
スを抑制できるから、変換導体層１２６、さらには、配
線基板１００全体に生じるインダクタンスをより低減す
ることができることが判る。さらに、本実施形態では、
図１及び図５から容易に理解できるように、主面側から
変換導体層１２６に接続するビア導体１３２，１３３の
数の方が、さらにはこれらに接続するバンプ１３４の数
の方が、裏面側から変換層体操に接続するビア導体１３
１の数よりも多い。従って、変換導体層１２６を樹脂絶
縁層１２１と１２２との層間１６１に設けたことによ
り、変換導体層を他の層間１６２や１６３に設けた場合
よりも、全体として、チップコンデンサ１１３とバンプ
１３４との間に生じる抵抗やインダクタンスを低く抑え
ることができる。

【００４８】次いで、本実施形態の配線基板１００の製
造方法について説明する。まず、コア基板１１０の製造
方法について説明する。まず、図７（ａ）に示すよう
に、３１×３１ｍｍの矩形状で厚さ１．０ｍｍのガラス
−エポキシ樹脂複合材料からなり、上面１１１ｂと下面
１１１ｃとの間を貫通する７．５×８．０ｍｍの大きな
略矩形状のコンデンサ用貫通孔１１１ｄ、及びその周囲
に形成された多数のスルーホール用貫通孔１１１ｈとを
有するコア基板本体１１１を用意する。これらの貫通孔
１１１ｄ，１１１ｈは、例えば、ドリル、ルータ、レー
ザ等によって穿孔する。

【００４９】次いで、図７（ｂ）に示すように、コア基
板本体１１１の上面１１１ｂに粘着テープ３２を貼り付
け、下面１１１ｃを上にした状態で、平面台３０の平坦
な上面３１に載置する。その後、図示しないチップマウ
ンタを用いて、チップコンデンサ１１３をその上面１１
３ｕ（１１４ｕ）を下向きにして、コンデンサ用貫通孔
１１１ｄ内に所定の間隔で配置する。チップコンデンサ
１１３は、粘着テープ３２に粘着されるので、次工程で
チップコンデンサ１１３の位置がずれることが防止され
る。なお、コア基板本体１１１の厚さよりもチップコン
デンサ１１３の高さが低いので、チップコンデンサ１１
３は、下面１１１ｃよりも低位に位置することになる。

【００５０】その後、流動性の良好な熱硬化性のエポキ
シ樹脂をコンデンサ用貫通孔１１１ｄ内に充填し、加熱
（１００〜１２０℃、１〜３時間程）して硬化させる
と、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁体１２０を介してコ
ア基板本体１１１とチップコンデンサ１１３、及び、チ
ップコンデンサ１１３同士が固着される。その後、粘着
テープ３２を剥がし、下面１１１ｃ側をベルトサンダに
よって研磨し余分な樹脂絶縁体１２０を除去する。な
お、チップコンデンサ１１３の側面端子１１５の上面部
１１５ｂ，１１５ｃを確実に露出させるため、必要に応
じて、上面１１１ｂ側も若干研磨しても良い。

【００５１】その後、図８及びその下方の拡大図に示す
ように、下面１１１ｃ側から端子１１８の下面部１１７
ｂ，１１７ｃ上の樹脂絶縁体１２０に貫通孔１２０ｈ
を、例えばレーザ加工によって穿孔する。その後、公知
の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングに
よって、この貫通孔１２０ｈ内から下面１１１ｃよりも
突出する下面バンプ１１９ｂ，１１９ｃを形成すると共
に、上面部１１５ｂ，１１５ｃの厚さを厚くして上面１
１１ｂから突出させ、スルーホール用貫通孔１１１ｈ内
にスルーホール導体１１２を形成し、上面１１１ｂ及び
下面１１１ｃに必要な配線層を形成して、コア基板１１
１を形成する。なお、図８の上方の拡大図に示すよう
に、スルーホール導体１１２としては、スルーホール用
貫通孔１１１ｈの内周に内周スルーホール導体１１２ｔ
ｈを形成するほか、その中心部に充填樹脂１１２ｒを充
填し、さらに蓋状導体層１１２ｃを形成した。

【００５２】その後、公知のビルドアップ配線基板の形
成手法によって、各樹脂絶縁層１２１〜１２４，１４１
〜１４４を形成すると共に、各層間１６１〜１６３，１
７１〜１７３には、それぞれ第１，第２変換導体層１２
６ｐ，１２６ｇ、配線層１２７，１２８、変換配線１４
６，１４７を形成し、また各樹脂絶縁層を貫通するビア
導体１３１，１３２，１３３，１４８，１４９，１５
１，１５２，１５３を形成して配線基板１００を完成す
る。この配線基板１００は、上記のようにチップコンデ
ンサ１１３を多数内蔵しているため、ノイズを確実に除
去できる上、複数のチップコンデンサ１１３を並列に接
続しているので、内蔵するコンデンサ全体としてのイン
ダクタンスも低減させることができる。しかも、各チッ
プコンデンサ１１３について見ると、隣り合って対向す
る端子１１８同士の極性が異なり、流れる電流の向きが
逆向きになる。このため、インダクタンスをさらに減少
させることができ、より一層、低インダクタンスでＩＣ
チップ１０とコンデンサ１１３とを接続することができ
る。

【００５３】また、チップコンデンサ１１３の端子１１
８には、上面部１１５ｂ，１１５ｃを形成しているの
で、コア基板１１０（コア基板本体１１１）の上面１１
１ｂ上の樹脂絶縁層１２１に形成したビア導体１３１と
端子１１８（上面部１１５ｂ，１１５ｃ）との接続が容
易になる。一方、端子１１８には、下面部１１７ｂ，１
１７ｃを形成し、さらに下面バンプ１１９ｂ，１１９ｃ
を形成しているので、コア基板１１０（コア基板本体１
１１）の下面１１１ｃに積層した樹脂絶縁層１４１に形
成したビア導体１４８，１４９と端子１１８（下面部１
１７ｂ，１１７ｃ）との接続も容易になる。しかも、変
換導体層として、第１変換導体層１２６ｐと第２変換導
体層１２６ｇとを同じ層間１６１に形成しているので、
主面側における樹脂絶縁層の数を減らすことができてい
る。従って、コストダウンを図ることができる。

【００５４】（変形形態１）上記実施形態における変換
導体層１２６は、図４等に示すように、ほぼまっすぐな
帯状の第１，第２変換導体層１２６ｐ，１２６ｇが交互
に並んだストライプ状パターンとしたが、他のストライ
プ状パターンによっても良い。例えば、図９に、本変形
形態１の第１，第２変換導体層２２６ｐ，２２６ｇと、
チップコンデンサ１１３の端子１１８の上面部１１５
ｂ，１１５ｃとの関係を示す。この変形形態では、図９
から容易に理解できるように、第１，第２変換導体層２
２６ｐ，２２６ｇがそれぞれジグザグ帯状にされ、しか
も、第１，第２変換導体層２２６ｐ，２２６ｇが交互に
並んだストライプ形状とされている。また、実施形態１
と同じく、チップコンデンサ１１３の上面部１１５ｂ，
１１５ｃが、それぞれ第１，第２変換導体層２２６ｐ，
２２６ｇの下方に位置しており、実施形態と同様、ごく
短いビア導体で互いに接続することができる。

【００５５】（変形形態２）また、上記実施形態及び変
形形態１では、チップコンデンサ１１３の４つ側面１１
４ｓ１〜１１４ｓ４のうち、第１側面１１４ｓ１と第３
側面１１４ｓ３に端子１１８が形成されたものを使用し
たが、他の形態のチップコンデンサを用いることもでき
る。例えば、図１０に示すように、本変形形態２で使用
するチップコンデンサ３１３は、前記実施形態のチップ
コンデンサ１１３と同じく、その第１側面３１４ｓ１と
第３側面３１４ｓ３に端子３１８ｂ，３１８ｃ（上面部
３１５ｂ，３１５ｃ）が形成されいる他、さらに、第２
側面３１４ｓ２と第４側面３１４ｓ４にも、それぞれ端
子３１８（上面部３１５ｂｓ，３１５ｃｓ）が形成され
ている。このようなチップコンデンサ３１３を用いた場
合にも、この図１０に示すように、ジグザグ帯状の第
１，第２変換導体層３２６ｐ，３２６ｇを交互に並んだ
ストライプ状に形成することにより、各上面部３１５
ｂ，３１５ｃを、それぞれ第１，第２変換導体層３２６
ｐ，３２６ｇの下方に位置させることができ、実施形態
と同様、ごく短いビア導体で互いに接続することができ
る。

【００５６】（変形形態３）さらに、上記変形形態２に
おけるチップコンデンサ３１３を用いて、第１，第２変
換導体層を他のストライプ状パターンとすることもでき
る。例えば、図１１に、本変形形態３の第１，第２変換
導体層４２６ｐ，４２６ｇと、チップコンデンサ３１３
の端子３１８の上面部３１５ｂ，３１５ｃとの関係を示
す。この変形形態３では、図１１から容易に理解できる
ように、第１，第２変換導体層４２６ｐ，４２６ｇがそ
れぞれほぼまっすぐな帯状で、しかも交互に並んだスト
ライプ形状とされている。また、変形形態２と同じく、
各上面部３１５ｂ，３１５ｃが、それぞれ第１，第２変
換導体層４２６ｐ，４２６ｇの下方に位置しており、変
形形態２と同様、ごく短いビア導体で互いに接続するこ
とができる。

【００５７】（変形形態４）上記実施形態及び変形形態
１〜３においては、チップコンデンサの端子１１８，３
１８は、いずれも側面に形成され、上面に回り込んで形
成された上面部１１５，３１５を有する形態であった。
しかし、本件発明に使用できるチップコンデンサとして
は、チップコンデンサの上面に端子が形成されて、上方
（主面側）から接続できるものであれば良く、上面にバ
ンプ状に端子が形成されたものでも良い。例えば、図１
２に示すように、本変形形態４で使用するチップコンデ
ンサ５１３は、前記実施形態のチップコンデンサ１１３
等とは異なり、その上面５１３ｕ（チップコンデンサ本
体の上面５１４ｕ）に、縦横格子状に端子５１５が並ん
でいる。しかも、＋の電源電位に接続する第１端子５１
５ｂと接地電位に接続する第２端子５１５ｃとが、交互
に並ぶように配置されている。このようなチップコンデ
ンサ５１３を用いた場合にも、この図１２に示すよう
に、直線帯状の第１，第２変換導体層５２６ｐ，５２６
ｇを交互に並んだストライプ形成することにより、各端
子５１５ｂ，５１５ｃを、それぞれ第１，第２変換導体
層５２６ｐ，５２６ｇの下方に位置させることができ、
実施形態等と同様、ごく短いビア導体で互いに接続する
ことができる。

【００５８】（変形形態５）さらに、上記変形形態４に
おけるチップコンデンサ５１３を用いて、第１，第２変
換導体層を他のストライプ状パターンとすることもでき
る。例えば、図１３に、本変形形態４の第１，第２変換
導体層６２６ｐ，６２６ｇと、チップコンデンサ５１３
の端子５１５ｂ，５１５ｃとの関係を示す。この変形形
態５では、図１３から容易に理解できるように、第１，
第２変換導体層６２６ｐ，６２６ｇは、それぞれジグザ
グ帯状で、しかも交互に並んだストライプ状パターンと
されている。また、変形形態４と同じく、各端子５１５
ｂ，５１５ｃが、それぞれ第１，第２変換導体層６２６
ｐ，６２６ｇの下方に位置しており、変形形態４と同
様、ごく短いビア導体で互いに接続することができる。

【００５９】（実施形態２）次いで本発明の第２の実施
形態について、図１４、図１５を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板７００は、実施形態１にかかる配
線基板１００とほぼ同様である。但し、コア基板７１０
に内蔵するチップコンデンサ７１３が、実施形態１にお
いて内蔵されたチップコンデンサ１１３とほぼ上下逆転
した構造とされている。また、コア基板の主面側及び裏
面側の樹脂絶縁層がそれぞれ３層（実施形態１では４
層）であり、ストライプ状の第１，第２変換導体層７２
６が、コア基板７１０の樹脂絶縁体７２０と主面側樹脂
絶縁層７２１との間（絶縁体−絶縁層間）７６１に形成
されている点などで異なっている。従って、異なる部分
を中心に説明し、同様な部分は省略または簡略化して説
明する。

【００６０】図１４に示す本実施形態２の配線基板７０
０は、チップコンデンサ７１３を多数内蔵したコア基板
７１０と、その上下にそれぞれ積層されたエポキシ樹脂
からなる主面側樹脂絶縁層７２１〜７２３及び裏面側樹
脂絶縁層７４１〜７４３を３層ずつとを有する。配線基
板７００の主面７００ｂの中央部には、バンプ７３４が
多数形成され、実施形態１と同じく破線で示すＩＣチッ
プ１０の下面１１に多数形成された接続端子１２とそれ
ぞれフリップチップ接続可能とされている。また、図中
裏面７００ｃの略全面にはパッド７５４が多数形成さ
れ、破線で示すマザーボードなどの他の配線基板２０の
上面２１に多数形成された接続端子２２とそれぞれ接続
可能とされている。

【００６１】コア基板７１０は、図１５にも示すよう
に、実施形態１と同寸法の矩形板状で、ガラス−エポキ
シ樹脂複合材料からなるコア基板本体７１１を有してい
る。その上面７１１ｂと下面７１１ｃとの間には、これ
を貫通する略矩形状のコンデンサ用貫通孔７１１ｄ、及
びその周囲に形成された多数のスルーホール用貫通孔７
１１ｈとが穿孔されている。このコンデンサ用貫通孔７
１１ｄ内には、本体部７１４が略直方体状のチップコン
デンサ７１３が多数（本実施形態では８ヶ）内蔵され、
エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁体７２０で互いに、また
コンデンサ用貫通孔７１１ｄの内壁に固着している。こ
のため、個々のチップコンデンサ７１３同士は、樹脂絶
縁体７２０で互いに絶縁された状態となっている。一
方、スルーホール用貫通孔７１１ｈ内には、公知のスル
ーホール導体７１２が形成されている。

【００６２】バンプ７３４のうち、一部は樹脂絶縁層７
２２と７２３との層間７６３、あるいは樹脂絶縁層７２
１と７２２との層間７６２に形成された配線層７２７，
７２８によって、それぞれ周縁側（図１４中、右または
左方向）にファンアウトし、ビア導体７３５、スルーホ
ール導体７１２、ビア導体７５３を通じて裏面７００ｃ
に形成されたパッド７５４に接続している。これらは、
例えば、信号用配線として使用される。

【００６３】バンプ７３４のうち、残りは樹脂絶縁層７
２３〜７２１をそれぞれ貫通するビア導体７３２を通じ
て、樹脂絶縁層７２１とコア基板７１０の樹脂絶縁体７
２０との間（絶縁体−絶縁層間）７６１に形成され、後
述するようにストライプ状に形成された変換導体層７２
６に直接接続する。あるいは、樹脂絶縁層７２３及び７
２２をそれぞれ貫通するビア導体７３２を通じ、樹脂絶
縁層７２１と７２２との層間７６２に形成された配線層
７２７で一旦位置を調整し、さらに樹脂絶縁層７２１を
貫通するビア導体７３３を通じて、変換導体層７２６に
接続する。

【００６４】この変換導体層７２６には、実施形態１と
同じく、＋の電源電位（共通第１電位）に接続される第
１変換導体層７２６ｐと、接地電位（共通第２電位）に
接続される第２変換導体層７２６ｇとが含まれる。

【００６５】さらに、この第１変換導体層７２６ｐ及び
第２変換導体層７２６ｇは、樹脂絶縁体７２０を貫通す
るビア導体７１９によって、チップコンデンサ７１３の
一方の端子７１８ｂ（上面部７１５ｂ）及び他方の端子
７１８ｃ（上面部７１５ｃ）に接続する。これによっ
て、ＩＣチップ１０を主面７００ｂに搭載した時には、
コンデンサ７１３とＩＣチップ１０とが極めて近い距離
で接続され、またＩＣチップ１０に電源電位及び接地電
位が供給される。

【００６６】チップコンデンサ７１３の端子７１８ｂ，
７１８ｃは、コア基板７１０からそれぞれ下方に突出す
る下面部７１７ｂ，７１７ｃ、及びビア導体７４８，７
４９を通じて、樹脂絶縁層７４１と７４２の層間７７
２、あるいは樹脂絶縁層７４２と７４３の層間７７３に
形成された変換配線７４６，７４７に接続される。この
変換配線７４６，７４７で配置を調整した上、樹脂絶縁
層７４１〜７４３を貫通するビア導体７５１，７５２に
よって各パッド７５４に接続している。このパッド７５
４を通じて、チップコンデンサ７１３の一方の端子７１
８ｂが＋の電源電位になり、他方の端子７１８ｃが接地
電位となるように、破線で示す配線基板２０から給電さ
れる。なお、接続端子２２の電位を実施形態１と同様に
表示しておく。従って、この配線基板７００を用いれ
ば、電源配線に重畳されたノイズを、各チップコンデン
サ７１３によって吸収しつつ、ごく短いビア導体７３２
等でＩＣチップ１０に、給電することができる。

【００６７】なお、内蔵されたチップコンデンサ７１３
は、図１５上方の拡大図に示すように、実施形態１で用
いたのと同様な積層セラミックコンデンサである。この
拡大図に示すように、その内部には、一方の電極層７１
４ｅと他方の電極層７１４ｆとが、セラミック高誘電体
層７１４ｃを介して交互に、上面７１４ｕに平行に（側
面７１４ｓに垂直に）、従って、主面７００ｂに平行に
多数積層されている。各電極層７１４ｅ，７１４ｆの一
部が、それぞれ第１側面７１４ｓ１と第３側面７１４ｓ
３に引き出されて、一方の電極層７１４ｅが一方の端子
７１８ｂの側面部７１６ｂに、他方の電極層７１４ｆが
他方の端子７１８ｃの側面部７１６ｃに接続している。

【００６８】端子７１８ｂ，７１８ｃは、それぞれ第１
側面７１４ｓ１上、及び第３側面７１４ｓ３上に位置す
る側面部７１６ｂ，７１６ｃを有するほか、上面７１４
ｕ（７１３ｕ）に上面部７１５ｂ，７１５ｃを、下面７
１４ｖ（７１３ｖ）に下面部７１７ｂ，７１７ｃをそれ
ぞれ有している。従って、端子７１８は、この上面部７
１５から上面７１４ｕの周縁を越えて、側面７１４ｓを
上面７１４ｕ（つまり主面７００ｂ側）から下面７１４
ｖ（つまり裏面７００ｃ側）に向かって延び（側面部７
１６）、さらに、下面７１４ｖの周縁を越えて下面部７
１７に接続して、略コ字形状となっている。なお、本実
施形態２では実施形態１とはちょうど上下逆の形態とな
っており、、上面部７１５ｂ，７１５ｃは、コア基板本
体７１１の上面７１１ｂよりも引き下がり、その上方及
び上面７１４ｕ（上面７１３ｕ）を樹脂絶縁体７２０が
覆っている（図１４、図１５参照）。一方、下面部７１
７ｂ，７１７ｃは、コア基板本体の下面７１１ｂよりも
下方に突出している。

【００６９】さらに、このコア基板７１０（コア基板本
体７１１）の上面７１１ｂには、実施形態１と同様なパ
ターン（図４，図５参照）の第１，第２変換導体層７２
６（７２６ｐ，７２６ｇ）が形成されている。これらの
図は図１４におけるｐ−ｐ’断面に相当する。第１，第
２変換導体層７２６の裏面側において、これらと各チッ
プコンデンサ７１３の上面部７１５（７１５ｂ，７１５
ｃ）とは、それぞれ樹脂絶縁体７２０を貫通するビア導
体７１９ｂ，７１９ｃによって、実施形態１におけるビ
ア導体１３１と同様に接続されている。また、第１，第
２変換導体層７２６の主面側においても、実施形態１と
同様に、ビア導体７３２，７３３とぞれぞれ接続してい
る。従って、実施形態１と同じく、バンプ７３４を、ビ
ア導体７３２を通じ、あるいはビア導体７３２、配線層
７２７及びビア導体７３３を通じて、第１，第２変換導
体層７２６ｐ，７２６ｇのいずれにも容易に接続するこ
とができる。また、実施形態１と同じく（図６参照）一
点鎖線で囲む逆向き電流部分４１においては、第１変換
導体層７２６ｐを流れる電流の向きと第２変換導体層７
２６ｇを流れる電流の向きとが逆向きになる。従って、
この部分では相互インダク７ンスが負となり、この部分
でのインダクタンスを抑制できるから、変換導体層７２
６、さらには、配線基板７００全体に生じるインダクタ
ンスをより低減することができる。

【００７０】さらに、この配線基板７００でも、第１変
換導体層７２６ｐと第２変換導体層７２６ｇとが、同じ
部位（絶縁体−絶縁層間７６１）に形成されているの
で、ベタ層を２層形成する場合に比して、主面側樹脂絶
縁層を１層少なくすることができる。

【００７１】次いで、本実施形態の配線基板７００の製
造方法について説明する。まず、コア基板７１０の製造
方法について説明する。このコア基板７１０は、実施形
態１のコア基板１１０と上下逆となった形態であるの
で、実施形態１で説明した手法によって、形成すればよ
い（図７参照）。但し、上述したように、コア基板本体
７１１ｂに変換導体層７２６を形成する。そこでまずコ
ンデンサ用貫通孔７１１ｄ内にエポキシ樹脂を充填し、
硬化させて粘着テープを剥がし、上面７１１ｂ側を研磨
し余分な樹脂絶縁体７２０を除去した後に、上面部７１
５上の樹脂絶縁体７２０に、例えばレーザ加工によって
貫通孔７２０ｈを穿孔する。次いで、公知のフォトリソ
グラフィ技術及びメッキによって、貫通孔７２０ｈ内に
ビア導体７１９を形成し、さらに上面７１１ｃに変換導
体層７２６を形成する。なおそれと同時に、下面７１１
ｃ側では、下面部７１７の厚さを厚くして、下面部７１
７を下面７１１より突出させる。

【００７２】その後、公知のビルドアップ配線基板の形
成手法によって、各樹脂絶縁層７２１〜７２３，７４１
〜７４３を形成すると共に、各層間７６２，７６３，７
７２，７７３には、それぞれ配線層７２７，７２８、変
換配線７４６，７４７を形成し、また各樹脂絶縁層を貫
通するビア導体７３２，７３３，７４８，７４９，７５
１，７５２，７５３を形成して配線基板７００を完成す
る。この配線基板７００は、実施形態１と同じくチップ
コンデンサ７１３を多数内蔵しているため、ノイズを確
実に除去できる上、複数のチップコンデンサ７１３を並
列に接続しているので、内蔵するコンデンサ全体として
のインダクタンスも低減させることができる。しかも、
各チップコンデンサ７１３について見ると、隣り合って
対向する端子７１８同士の極性が異なり、流れる電流の
向きが逆向きになる。このため、インダクタンスをさら
に減少させることができ、より一層、低インダクタンス
でＩＣチップ１０とコンデンサ７１３とを接続すること
ができる。

【００７３】また、チップコンデンサ７１３の端子７１
８には、上面部７１５ｂ，７１５ｃを有しているので、
コア基板７１０（コア基板本体７１１）の樹脂絶縁体７
２０に形成したビア導体７１９と端子７１８（上面部７
１５ｂ，７１５ｃ）との接続が容易になる。一方、端子
７１８には、下面部７１７ｂ，７１７ｃをも形成してい
るので、コア基板７１０（コア基板本体７１１）の下面
７１１ｃに積層した樹脂絶縁層７４１に形成したビア導
体７４８，７４９と端子７１８との接続も容易になる。
しかも、変換導体層として、第１変換導体層７２６ｐと
第２変換導体層７２６ｇとを同じ絶縁体−絶縁層間７６
１に形成しているので、主面側における樹脂絶縁層の数
を減らすことができている。さらに、実施形態１と比較
しても、主面側における樹脂絶縁層の数を減らすことが
できている。従って、さらなるコストダウンが可能であ
る。

【００７４】なお、上記実施形態２では、第１変換導体
７２６ｐ及び第２変換導体層７２６ｇとチップコンデン
サ７１３の端子７１８とをビア導体７１９で接続した。
これに対し、配線基板７００において、第１，第２変換
導体層７２６ｐ，７２６ｇとチップコンデンサ７１３の
端子７１８とを直接接続するようにしても良い。つま
り、ちょうど配線基板７００において、コア基板７１０
を上下逆にした形態とすることもできる。

【００７５】（実施形態３）次いで、第３の実施形態に
ついて説明する。図１６、図１７を参照して説明する本
実施形態３の配線基板８００は、実施形態１，２の配線
基板１００，７００とほぼ同様である。但し、実施形態
１と異なり（実施絵形態２と同じく）コア基板の主面側
及び裏面側の樹脂絶縁層がそれぞれ３層（実施形態１で
は４層）である。また、ストライプ状の第１，第２変換
導体層８２６が、コア基板８１０の樹脂絶縁体８２０と
主面側樹脂絶縁層８２１との間（絶縁体−絶縁層間）８
６１に形成されている点などでも異なっている。更に、
第１，第２変換導体層８２６がチップコンデンサ８１３
の端子８１８（上面部８１５）とビア導体等を介さずに
直接接続している点で、実施形態２とも異なる。従っ
て、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は省略また
は簡略化して説明する。

【００７６】図１６に示す本実施形態３の配線基板８０
０は、チップコンデンサ８１３を多数内蔵したコア基板
８１０と、その上下にそれぞれ積層されたエポキシ樹脂
からなる主面側樹脂絶縁層８２１〜８２３及び裏面側樹
脂絶縁層８４１〜８４３とを３層ずつ有する。配線基板
８００の主面８００ｂの中央部には、バンプ８３４が多
数形成され、実施形態１，２と同じく破線で示すＩＣチ
ップ１０の下面１１に多数形成された接続端子１２とそ
れぞれフリップチップ接続可能とされている。また、図
中裏面８００ｃの略全面にはパッド８５４が多数形成さ
れ、破線で示すマザーボードなどの他の配線基板２０の
上面２１に多数形成された接続端子２２とそれぞれ接続
可能とされている。

【００７７】コア基板８１０は、図１７にも示すよう
に、実施形態１，２と同寸法の矩形板状で、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料からなるコア基板本体８１１を有し
ている。その上面８１１ｂと下面８１１ｃとの間には、
これを貫通する略矩形状のコンデンサ用貫通孔８１１
ｄ、及びその周囲に形成された多数のスルーホール用貫
通孔８１１ｈとが穿孔されている。このコンデンサ用貫
通孔８１１ｄ内には、本体部８１４が略直方体状のチッ
プコンデンサ８１３が多数（本実施形態では８ヶ）内蔵
され、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁体８２０で互い
に、またコンデンサ用貫通孔８１１ｄの内壁に固着して
いる。このため、個々のチップコンデンサ８１３同士
は、樹脂絶縁体８２０で互いに絶縁された状態となって
いる。一方、スルーホール用貫通孔８１１ｈ内には、公
知のスルーホール導体８１２が形成されている。

【００７８】バンプ８３４のうち、一部は樹脂絶縁層８
２２と８２３との層間８６３、あるいは樹脂絶縁層８２
１と８２２との層間８６２に形成された配線層８２７，
８２８によって、それぞれ周縁側（図１６中、右または
左方向）にファンアウトし、ビア導体８３５、スルーホ
ール導体８１２、ビア導体８５３を通じて裏面８００ｃ
に形成されたパッド８５４に接続している。これらは、
例えば、信号用配線として使用される。

【００７９】バンプ８３４のうち、残りは樹脂絶縁層８
２３〜８２１をそれぞれ貫通するビア導体８３２を通じ
て、樹脂絶縁層８２１とコア基板８１０の樹脂絶縁体８
２０との間（絶縁体−絶縁層間）８６１に形成され、後
述するようにストライプ状に形成された変換導体層８２
６に直接接続する。あるいは、樹脂絶縁層８２３及び８
２２をそれぞれ貫通するビア導体８３２を通じ、樹脂絶
縁層８２１と８２２との層間８６２に形成された配線層
８２７で一旦位置を調整し、さらに樹脂絶縁層８２１を
貫通するビア導体８３３を通じて、変換導体層８２６に
接続する。

【００８０】この変換導体層８２６には、実施形態１，
２と同じく、＋の電源電位（共通第１電位）に接続され
る第１変換導体層８２６ｐと、接地電位（共通第２電
位）に接続される第２変換導体層８２６ｇとが含まれ
る。

【００８１】さらに、本実施形態３では、チップコンデ
ンサ８１３の一方の端子８１８ｂ（上面部８１５ｂ）及
び他方の端子８１８ｃ（上面部８１５ｃ）がコア基板本
体８１１の上面８１１ｂに露出している。このため、上
面８１１ｂに形成された第１変換導体層８２６ｐ及び第
２変換導体層８２６ｇは、各端子８１８（上面部８１
５）と直接接続している。これによって、ＩＣチップ１
０を主面８００ｂに搭載した時には、コンデンサ８１３
とＩＣチップ１０とが極めて近い距離で接続され、また
ＩＣチップ１０に電源電位及び接地電位が供給される。

【００８２】チップコンデンサ８１３の端子８１８ｂ，
８１８ｃは、コア基板８１０の下面８１１ｃの露出する
下面部８１７ｂ，８１７ｃ、及びビア導体８４８，８４
９を通じて、樹脂絶縁層８４１と８４２の層間８７２、
あるいは樹脂絶縁層８４２と８４３の層間８７３に形成
された変換配線８４６，８４７に接続される。この変換
配線８４６，８４７で配置を調整した上、樹脂絶縁層８
４１〜８４３を貫通するビア導体８５１，８５２によっ
て各パッド８５４に接続している。このパッド８５４を
通じて、チップコンデンサ８１３の一方の端子８１８ｂ
が＋の電源電位になり、他方の端子８１８ｃが接地電位
となるように、破線で示す配線基板２０から給電され
る。なお、接続端子２２の電位を実施形態１，２と同様
に表示しておく。従って、この配線基板８００を用いれ
ば、電源配線に重畳されたノイズを、各チップコンデン
サ８１３によって吸収しつつ、ごく短いビア導体７３２
等でＩＣチップ１０に、給電することができる。

【００８３】なお、内蔵されたチップコンデンサ８１３
は、実施形態１，２で用いたのと同様な積層セラミック
コンデンサである。端子８１８ｂ，８１８ｃは、それぞ
れ側面部８１６ｂ，８１６ｃを有するほか、上面８１４
ｕ（８１３ｕ）に上面部８１５ｂ，８１５ｃを、下面８
１４ｖ（８１３ｖ）に下面部８１７ｂ，８１７ｃをそれ
ぞれ有している。従って、端子８１８は、この上面部８
１５から上面８１４ｕの周縁を越えて、側面を上面８１
４ｕ（つまり主面８００ｂ側）から下面８１４ｖ（つま
り裏面８００ｃ側）に向かって延び（側面部８１６）、
さらに、下面８１４ｖの周縁を越えて下面部８１７に接
続して、略コ字形状となっている。さらに、図１７に示
すように、このコア基板８１０（コア基板本体８１１）
の上面８１１ｂには、実施形態１，２と同様なパターン
（図４、図５参照）の変換導体層８２６（８２６ｐ，８
２６ｇ）が形成されている。但し、変換導体層８２６の
裏面側において、これらと各チップコンデンサ８１３の
上面部８１５（８１５ｂ，８１５ｃ）とは直接接続して
いる。第１，第２変換導体層８２６の主面側において
は、実施形態１，２と同様に、ビア導体８３２，８３３
とぞれぞれ接続している。従って、実施形態１，２と同
じく、バンプ８３４を、ビア導体８３２を通じ、あるい
はビア導体８３２、配線層８２７及びビア導体８３３を
通じて、第１，第２変換導体層８２６ｐ，８２６ｇのい
ずれにも容易に接続することができる。

【００８４】しかも、本実施形態においては、変換導体
層８２６とチップコンデンサ８１３の端子８１８（上面
部８１５）が、直接接続しているので、特に低抵抗、低
インダクタンスで両者間が接続される。このため、バン
プ８３４、従って、ＩＣチップ１０とチップコンデンサ
８１３との間を低抵抗、低インダクタンスで接続するこ
とができる。また、実施形態１と同じく（図６参照）一
点鎖線で囲む逆向き電流部分４１においては、第１変換
導体層８２６ｐを流れる電流の向きと第２変換導体層８
２６ｇを流れる電流の向きとが逆向きになる。従って、
この部分では相互インダクンスが負となり、この部分で
のインダクタンスを抑制できるから、変換導体層８２
６、さらには、配線基板８００全体に生じるインダクタ
ンスをより低減することができる。

【００８５】さらに、この配線基板８００でも、第１変
換導体層８２６ｐと第２変換導体層８２６ｇとが、同じ
部位（絶縁体−絶縁層間８６１）に形成されているの
で、ベタ層を２層形成する場合に比して、主面側樹脂絶
縁層を１層少なくすることができる。

【００８６】次いで、本実施形態の配線基板８００の製
造方法について説明する。まず、コア基板８１０の製造
方法について説明する。このコア基板８１０は、実施形
態１のコア基板１１０とほぼ同様な手法によって形成す
る。まず、上面８１１ｂと下面８１１ｃとの間を貫通す
る大きな略矩形状のコンデンサ用貫通孔８１１ｄ、及び
その周囲に形成された多数のスルーホール用貫通孔８１
１ｈとを有するコア基板本体８１１を用意する（図１７
参照）。その後実施形態１と同様に（図７参照）、粘着
テープ３２を上面８１１ｂまたは下面８１１ｃに貼り付
け、平面台３０の平坦な上面３１に載置する。その後、
図示しないチップマウンタを用いて、チップコンデンサ
８１３をコンデンサ用貫通孔８１１ｄ内に所定の間隔で
配置・仮固定する。

【００８７】その後、流動性の良好な熱硬化性のエポキ
シ樹脂をコンデンサ用貫通孔８１１ｄ内に充填し、加熱
・硬化させエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁体８２０を介
してコア基板本体８１１とチップコンデンサ８１３、及
び、チップコンデンサ８１３同士を固定する。粘着テー
プ３２を剥がし、上面８１１ｂ及び下面８１１ｃをベル
トサンダによって研磨し余分な樹脂を除去すると共に、
上面８１１ｂ及び下面８１１ｃにそれぞれ端子８１８の
上面部８１５及び下面部８１７を露出させる。

【００８８】その後、公知のフォトリソグラフィ技術及
びメッキによって、上面８１１ｂに第１，第２変換導体
層８２６ｐ，８２６ｇを形成する。以降は、公知のビル
ドアップ配線基板の形成手法によって、各樹脂絶縁層８
２１〜８２３，８４１〜８４３を形成すると共に、各層
間８６２，８６３，８７２，８７３には、それぞれ配線
層８２７，８２８、変換配線８４６，８４７を形成し、
また各樹脂絶縁層を貫通するビア導体８３２，８３３，
８４８，８４９，８５１，８５２，８５３を形成して配
線基板８００を完成する。この配線基板８００は、実施
形態１と同じくチップコンデンサ８１３を多数内蔵して
いるため、ノイズを確実に除去できる上、複数のチップ
コンデンサ８１３を並列に接続しているので、内蔵する
コンデンサ全体としてのインダクタンスも低減させるこ
とができる。しかも、各チップコンデンサ８１３につい
て見ると、隣り合って対向する端子８１８同士の極性が
異なり、流れる電流の向きが逆向きになる。このため、
インダクタンスをさらに減少させることができ、より一
層、低インダクタンスでＩＣチップ１０とコンデンサ８
１３とを接続することができる。

【００８９】また、チップコンデンサ８１３の端子８１
８には、上面部８１５ｂ，８１５ｃを有しているので、
第１，第２変換導体層８２６との直接接続が容易であ
る。一方、端子８１８には、下面部８１７ｂ，８１７ｃ
を形成しているので、コア基板８１０（コア基板本体８
１１）の下面８１１ｃに積層した樹脂絶縁層８４１に形
成したビア導体８４８，８４９と端子８１８との接続も
容易になる。しかも、変換導体層として、第１変換導体
層８２６ｐと第２変換導体層８２６ｇとを同じ絶縁体−
絶縁層間８６１に形成しているので、主面側における樹
脂絶縁層の数を減らすことができている。さらに、実施
形態１と比較しても、主面側における樹脂絶縁層の数を
減らすことができている。従って、さらなるコストダウ
ンが可能である。

【００９０】（変形形態６）上記実施形態１〜３及び変
形形態１〜５においては、コア基板１１０，２１０に用
いるコア基板本体１１１，２１１として、ガラス−エポ
キシ樹脂複合材料からなる１層のコア絶縁層からなるも
のを用いた。しかし、コア基板本体としては、複数のコ
ア絶縁層を積層したものでも良い。例えば、図１８に示
す配線基板９００では、コア基板９１０は、コア基板本
体９１１とこれを貫通するスルーホール導体９１２とを
備える。しかも、このコア基板本体９１１は、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料からなるコア絶縁層９１３のほ
か、この主面９００ｂ側及び裏面９００ｃ側に積層され
たエポキシ樹脂からなるコア絶縁層９１４，９１５を有
する合計３層のコア絶縁層を含み、さらにコア絶縁層９
１３と９１４との間には導体層９１６が、コア絶縁層９
１３と９１５との間には、導体層９１７が形成されてい
る。本変形形態６では、導体層９１６，９１７は、平板
状にされ、図中左方に示すように、スルーホール導体９
１２を経由して電源電位あるいは接地電位に接続されて
いる。しかし、導体層６１６，９１７を信号用などの配
線層とすることもできる。

【００９１】なお、実施形態１などと同様、コア基板本
体９１１には、これを貫通する大きな略矩形状のコンデ
ンサ用貫通孔９１１ｄが穿孔され、その内部には、実施
形態１と同様にして、チップコンデンサ１１３が内蔵さ
れている。上記コア基板９１０及び配線基板９００は、
導体層９１６，９１７に相当する導体パターンを形成し
たコア絶縁層９１３に公知のビルドアップ手法によって
コア絶縁層９１４，９１５を積層し、次いで、スルーホ
ール用貫通孔９１１ｈ及びコンデンサ用貫通孔９１１ｄ
を形成する。その後は、前記した実施形態１と同様の手
法で形成すればよい。このように複数のコア絶縁層を含
むコア基板本体を用いても、同様にチップコンデンサを
内蔵する配線基板を構成することができる。なお、複数
のコア絶縁層を含むコア基板本体としては、導体層９１
６，９１７を含まないものとしても良い。また、上記変
形形態６では、複数層のコア絶縁層の材質として、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料とエポキシ樹脂とを使い分け
たが、各層について異なる材質を用いても良いし、同じ
材料を用いても良い。

【００９２】以上において、本発明を実施形態１〜３及
び変形形態１〜６に即して説明したが、本発明は上記実
施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでも
ない。例えば、上記実施形態１〜３においては、チップ
コンデンサ１１３の下面側（裏面１００ｃ側）で配線基
板２０と接続した。具体的には、図１に示すように、コ
ンデンサ１１３の各端子１１８の下面部１１７に下面バ
ンプ１１９を設け、変換配線１４６，１４７及びビア導
体１４８，１４９，１５１，１５２を通じて、配線基板
２０の接続端子２２に接続した。しかし、配線基板２０
からコア基板１１０のスルーホール導体１１２を用い
て、＋の電源電位や接地電位をコア基板１１０の主面側
に導き、主面側でコンデンサ１１３や変換導体層１２６
と接続する、つまりチップコンデンサの上面側（主面
側）で配線基板と接続するようにしても良い。なお、変
形形態に示すチップコンデンサや変換導体層のパターン
を用いる場合にも、同様である。

【００９３】また、上記実施形態及び変形形態において
は、いずれも変換導体層全体にわたって、第１変換導体
層と第２変換導体層が交互に並ぶストライプ状のパター
ンとされているものを例示したが、一部をストライプ状
パターンとしても良い。さらに、上記実施形態２，３で
は、変換導体層７２６，８２６のパターンを、実施形態
１と同様なパターンとした。しかし、これらの変換導体
層７２６，８２６のパターンは、他のものでも良く、例
えば、変形形態１のパターンを用いることもできる。さ
らに、実施形態２，３に用いるチップコンデンサ７１
３，８１３及び変換導体層７２６，８２６のパターンと
して、変形形態２，３，４，５に示すチップコンデンサ
及び変換導体層のパターンを用いるなど、チップコンデ
ンサの形態についても適宜変更して用いることができ
る。

【００９４】さらに、上記実施形態１〜３においては、
いずれもチップコンデンサ１１３等の上面１１３ｕ（１
１４ｕ）等を樹脂絶縁体１２０等で覆った形態のものを
示したが、上面１１３ｕ等が樹脂絶縁体１２０等で覆わ
れないようにして、上面１１３ｕ等を主面側樹脂絶縁層
１２１等で直接覆うようにしても良い。また、上記実施
形態１〜３では、配線基板１００等のうちコア基板１０
０内にチップコンデンサ１１３等を収容したものを示し
たが、コア基板１１０等を用いない配線基板、あるいは
コア基板内にチップコンデンサを収容しない配線基板に
適用することもできる。また、コア基板の両面に樹脂絶
縁層及び配線層を積層形成した配線基板に適用した例を
示したが、このほか、コア基板の片面、ＩＣチップ１０
側のみに樹脂絶縁層及び配線層を積層形成した配線基板
に適用することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板の断面図である。

【図２】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの各
端子の電位を示す説明図である。

【図３】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの様
子及び側面部を流れる電流の方向を示す斜視説明図であ
る。

【図４】変換導体層とチップコンデンサの各端子との関
係を示す説明図である。

【図５】変換導体層と主面側からこの変換導体層に接続
するビア導体とチップコンデンサの各端子との関係を示
す説明図である。

【図６】隣り合う変換導体層を流れる電流の相互の関係
を示す説明図である。

【図７】実施形態１にかかる配線基板の製造方法の説明
図であり、（ａ）は使用するコア基板本体を示し、
（ｂ）はコア基板本体内にチップコンデンサを配置する
様子を示す。

【図８】実施形態１にかかる配線基板の製造方法の断面
説明図であり、コア基板が完成した状態を示す。なお、
上方の円内は、スルーホール部分を拡大して示す説明
図、下方の円内はチップコンデンサ部分を拡大して示す
説明図である。

【図９】変形形態１にかかる配線基板において、変換導
体層とチップコンデンサの各端子との関係を示す説明図
である。

【図１０】変形形態２にかかる配線基板において、変換
導体層とチップコンデンサの各端子との関係を示す説明
図である。

【図１１】変形形態３にかかる配線基板において、変換
導体層とチップコンデンサの各端子との関係を示す説明
図である。

【図１２】変形形態４にかかる配線基板において、変換
導体層とチップコンデンサの各端子との関係を示す説明
図である。

【図１３】変形形態５にかかる配線基板において、変換
導体層とチップコンデンサの各端子との関係を示す説明
図である。

【図１４】実施形態２にかかる配線基板の断面図であ
る。

【図１５】実施形態２にかかる配線基板の製造方法の断
面説明図であり、コア基板が完成させ、さらに第１，第
２変換導体層を形成した状態を示す。なお、上方の円内
はチップコンデンサ部分を拡大して示す説明図である。

【図１６】実施形態３にかかる配線基板の断面図であ
る。

【図１７】実施形態３にかかる配線基板の製造方法の断
面説明図であり、コア基板が完成した状態を示す。

【図１８】変形形態６にかかる配線基板の断面図であ
る。

【図１９】基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載
した従来の配線基板を示す説明図である。

【符号の説明】

１００，７００，８００，９００ 配線基板 １００ｂ，７００ｂ，８００ｂ，９００ｂ 主面 １００ｃ，７００ｃ，８００ｃ，９００ｃ 裏面 １１０，７１０，８１０，９１０ コア基板 １１１，７１１，８１１，９１１ コア基板本体 １１１，７１１，８１１，９１３，９１４，９１５ コ
ア絶縁層 １１２，７１２，８１２，９１２ スルーホール導体 １１３，３１３，５１３，７１３，８１３ チップコン
デンサ １１３ｕ，５１３ｕ，７１３ｕ，８１３ｕ チップコン
デンサの上面（第１面） １１４ｅ，１１４ｆ，７１４ｅ，７１４ｆ 電極層（電
極） １１５ｂ，３１３ｂ，７１３ｂ，８１３ｂ 上面部（第
１端子） １１５ｃ，３１３ｃ，７１３ｃ，８１３ｃ 上面部（第
２端子） ５１３ｂ 端子（第１端子） ５１３ｃ 端子（第２端子） １１６ｂ，１１６ｃ，７１６ｂ，７１６ｃ，８１６ｂ，
８１６ｃ 側面部 １１７ｂ，１１７ｃ，７１７ｂ，７１７ｃ，８１７ｂ，
８１７ｃ 下面部 １１８，７１８，８１８ 端子 １２０，７２０，８２０ 樹脂絶縁体 １２１，１２２，１２３，１２４，７２１，７２２，７
２３，８２１，８２２，８２３ 主面側樹脂絶縁層（主
面側絶縁層） １２６，２２６，３２６，４２６，５２６，６２６，７
２６，８２６ 変換導体層 １２６ｐ，２２６ｐ，３２６ｐ，４２６ｐ，５２６ｐ，
６２６ｐ，７２６ｐ，８２６ｐ 第１変換導体層 １２６ｇ，２２６ｇ，３２６ｇ，４２６ｇ，５２６ｇ，
６２６ｇ，７２６ｇ，８２６ｇ 第２変換導体層 １３１，１３２，１３３，７３２，７３３，７１９，８
３２，８３３ ビア導体 １３４，７３４，８３４ バンプ（主面側接続端子） １４１，１４２，１４２，１４４，７４１，７４２，７
４３，８４１，８４２，８４３ 裏面側樹脂絶縁層 １６１ 層間（特定主面側層間） １６２，１６３，７６２，７６３，８６２，８６３ 層
間 ７６１，８６１ 絶縁体−絶縁層間 ４１ 逆向き電流部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｒ Ｆターム(参考） 5E336 AA08 AA11 AA12 BB03 BC26 BC31 BC34 CC31 CC42 CC53 GG11 5E338 AA03 AA15 BB03 BB19 BB25 BB75 CC01 CC04 CC06 CD12 CD32 EE11 EE13 EE32 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA35 AA43 AA60 BB02 BB03 BB04 BB06 BB16 CC02 CC08 CC31 DD01 DD31 EE31 FF01 FF45 GG28 GG40 HH01 HH02 HH22

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】主面と裏面とを有する配線基板であって、 上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
   の端子とそれぞれ接続可能な複数の主面側接続端子と、 上記配線基板内に内蔵されており、コンデンサを構成す
   る一方の電極及び他方の電極を備えるチップコンデンサ
   であって、 上記主面側を向く第１面、 上記第１面に形成され、上記一方の電極と接続する少な
   くとも１つの第１端子、及び、 上記第１面に形成され、上記他方の電極と接続する少な
   くとも１つの第２端子、 を有する少なくとも１つのチップコンデンサと、 上記主面側接続端子と上記チップコンデンサの第１端子
   及び第２端子との間に介在する複数の主面側絶縁層と、 上記主面側絶縁層同士の層間から選ばれた特定主面側層
   間に形成され、主面側で複数の上記主面側接続端子と接
   続し、裏面側で少なくとも１つの上記第１端子と接続す
   る少なくとも１つの第１変換導体層と、 上記第１変換導体層と絶縁しつつ上記特定主面側層間に
   形成され、主面側で複数の上記主面側接続端子と接続
   し、裏面側で少なくとも１つの上記第２端子と接続する
   少なくとも１つの第２変換導体層と、を備える配線基
   板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記特定主面側層間として、前記主面側絶縁層同士の層
   間のうち前記第１端子及び第２端子の直上の層間を選択
   し、 前記主面側接続端子のうち前記第１変換導体層及び第２
   変換導体層のいずれかに接続する主面側接続端子の数
   が、前記第１変換導体層に接続する前記チップコンデン
   サの前記第１端子の数と前記第２変換導体層に接続する
   前記第２端子の数の和よりも多い配線基板。
3. 【請求項３】主面と裏面とを有する配線基板であって、 上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
   の端子とそれぞれ接続可能な複数の主面側接続端子と、 上記配線基板内に内蔵されており、コンデンサを構成す
   る一方の電極及び他方の電極を備えるチップコンデンサ
   であって、 上記主面側を向く第１面、 上記第１面に形成され、上記一方の電極と接続する少な
   くとも１つの第１端子、及び、 上記第１面に形成され、上記他方の電極と接続する少な
   くとも１つの第２端子、 を有する少なくとも１つのチップコンデンサと、 上記チップコンデンサのうち少なくとも上記第１面を覆
   う絶縁体と、 上記主面側接続端子と上記チップコンデンサの第１端子
   及び第２端子との間に介在する少なくとも１つの主面側
   絶縁層と、 上記絶縁体とその直上の上記主面側絶縁層との間に形成
   され、主面側で複数の上記主面側接続端子と接続し、裏
   面側で少なくとも１つの上記第１端子と接続する少なく
   とも１つの第１変換導体層と、 上記第１変換導体層と絶縁しつつ上記絶縁体とその直上
   の上記主面側絶縁層との間に形成され、主面側で複数の
   上記主面側接続端子と接続し、裏面側で少なくとも１つ
   の上記第２端子と接続する少なくとも１つの第２変換導
   体層と、を備える配線基板。
4. 【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 前記第１変換導体層に裏面側で接続する前記第１端子
   は、接続する当該第１変換導体層を前記第１面に投影し
   た領域内に位置し、 上記第１端子と第１変換導体層とは直接またはビア導体
   によって接続され、 前記第２変換導体層に裏面側で接続する前記第２端子
   は、接続する当該第２変換導体層を前記第１面に投影し
   た領域内に位置し、 上記第２端子と第２変換導体層とは直接またはビア導体
   によって接続されている配線基板。
5. 【請求項５】請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 前記第１変換導体層と前記第２変換導体層とは、交互に
   並ぶストライプ状パターン部分を有する配線基板。
6. 【請求項６】請求項５に記載の配線基板であって、 前記第１変換導体層と前記第２変換導体層とは、前記ス
   トライプ状パターン部分において、前記チップコンデン
   サの充放電の際に流れる電流の向きが互いに逆向きとな
   る逆向き電流部分を有する配線基板。