JP2003229510A

JP2003229510A - 配線基板

Info

Publication number: JP2003229510A
Application number: JP2002345246A
Authority: JP
Inventors: Sumio Ota; 純雄太田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-11-30
Filing date: 2002-11-28
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】配線基板に搭載するＩＣチップとコンデンサ
とを接続する配線経路に生じるインダクタンスや抵抗を
低減できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００のＩＣ接続端子１５５と
コンデンサ接続端子１３９とは、配線層１５３、ビア導
体１４６、配線層１５２、ビア導体１４５、配線層１５
１、スルーホール導体１１２、及び配線層１１９の短い
経路によって接続されている。さらに、凹部１３５内に
配置されたコンデンサ１６０は、第１コンデンサビア導
体１６８ｂと第２コンデンサビア導体１６８ｃとが格子
状に配置され、さらに第１コンデンサビア導体１６８ｂ
と第２コンデンサビア導体１６８ｃとが隣り合って交互
に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣを搭載するた
めの配線基板、特にコンデンサを搭載した配線基板に関
する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩により、ますますＩ
Ｃチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電
源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこ
とがある。そこで、従来より、ノイズ除去のため、配線
基板の主面あるいは裏面に、コンデンサを搭載すること
が提案されている（例えば、特許文献１参照）。さら
に、搭載するコンデンサは１つとは限らず、例えば、図
１１に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２
の主面２ｂあるいは裏面２ｃに、複数のコンデンサ３を
搭載することもある。これらの配線基板では、コンデン
サ３の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配
線４を配線基板２の内部に設け、コンデンサ接続配線４
及びフリップチップパッド５を経由してコンデンサ３を
ＩＣチップ１の電源端子や接地端子に接続することが行
われている（図１１参照）。

【０００３】

【特許文献１】特開２００１−２３７１３７号公報（第
１図）

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
手法では、配線基板２内にコンデンサ３と接続するコン
デンサ接続配線４を引き回す必要がある。ＩＣチップ１
の端子配置などが変更になると、コンデンサ接続配線４
を含めた配線全体を設計し直す必要があった。特に集積
度の高いＩＣチップなどでは、多数の電源端子や接地端
子を形成することが多く、引き回しが複雑になりやす
い。さらに、多数のコンデンサを搭載したい場合、ある
いは多数の端子を有するコンデンサに接続したい場合な
どにも、配線の引き回しが複雑になりやすい。さらにま
た、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とコンデン
サ３とを結ぶコンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やイ
ンダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダク
タンスの要請に十分応えられない。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、配線基板に搭載するＩＣチップとコンデ
ンサとを接続する配線経路に生じるインダクタンスや抵
抗を低減できる配線基板を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、コア主面とコア裏面とを有し、上記コア裏面に
開口する凹部を有するコア基板と、上記コア基板の上記
コア主面上に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上
記コア基板の上記コア裏面に裏面絶縁層が無いか、上記
コア主面上に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない
層数の上記裏面絶縁層を有する配線基板本体、及び複数
の第１電極層と複数の第２電極層とを、誘電体層を介し
て交互に積層したコンデンサであって、上記第１電極層
及び第２電極層に平行なコンデンサ主面と、上記コンデ
ンサ主面側から接続可能なコンデンサ端子であって、上
記第１電極層と接続する複数の第１コンデンサ端子、及
び上記第２電極層と接続する複数の第２コンデンサ端
子、からなるコンデンサ端子と、を備えるコンデンサ、
を有する配線基板であって、上記樹脂絶縁層のうち、上
記凹部をその厚さ方向に投影した投影領域内には、搭載
するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続可能な
複数のＩＣ接続端子であって、共通第１電位に接続する
複数の第１ＩＣ接続端子と、共通第２電位に接続する複
数の第２ＩＣ接続端子と、を含むＩＣ接続端子を備え、
上記凹部の底面には、上記第１ＩＣ接続端子と電気的に
接続する複数の第１コンデンサ接続端子と、上記第２Ｉ
Ｃ接続端子と電気的に接続する複数の第２コンデンサ接
続端子と、を備え、上記コンデンサは、上記凹部内にお
いて、上記凹部の底面と上記コンデンサ主面とが対向し
て配置され、上記第１コンデンサ接続端子と上記第１コ
ンデンサ端子とが接続し、上記第２コンデンサ接続端子
と上記第２コンデンサ端子とが接続してなる配線基板で
ある。

【０００７】本発明の配線基板は、配線基板本体とし
て、コア基板のコア主面上に複数の樹脂絶縁層を積層す
る一方、コア裏面には裏面絶縁層が無いか、樹脂絶縁層
より少ない裏面絶縁層を有する配線基板本体を用いた配
線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁層
を無くし、あるいは少なくできた分、安価に製作でき
る。また、本発明の配線基板では、コンデンサ主面側か
ら接続可能な第１コンデンサ端子及び第２コンデンサ端
子を有するコンデンサをコア基板の凹部内に搭載し、且
つ、樹脂絶縁層上に搭載するＩＣチップの接続端子と接
続可能な複数のＩＣ接続端子は、この樹脂絶縁層のう
ち、凹部をその厚さ方向に投影した投影領域内に形成す
る。つまり、ＩＣチップとコンデンサとがコア基板の凹
部の肉厚を薄くした底面を挟んで略対向するように搭載
される。このため、両面積層配線基板の主面にＩＣを、
裏面にコンデンサを搭載する場合と比較して、ＩＣ接続
端子とコンデンサ端子との距離を短くし、さらには、Ｉ
Ｃチップとコンデンサとの距離を短くすることができ
る。従って、短い経路で第１ＩＣ接続端子と第１コンデ
ンサ端子とを、及び第２ＩＣ接続端子と第２コンデンサ
端子とを接続することが可能になり、これらの経路で発
生する抵抗成分やインダクタンス成分を抑制できる。

【０００８】なお、短い経路で複数の第１ＩＣ接続端子
と複数の第１コンデンサ端子とを接続、及び複数の第２
ＩＣ接続端子と複数の第２コンデンサ端子とを接続する
手法としては、例えば、各樹脂絶縁層に形成したビア導
体を同軸状に積み重ねて形成したスタッグドビアや、複
数の樹脂絶縁層にわたって挿通されたベリードビアの形
態とするのが好ましい。但し、各樹脂絶縁層に形成した
ビアを、中心をずらしつつ重ねるスタッガードビアの形
態、あるいは、途中に平面方向へ延びる配線層が介在す
る形態とすることもできる。

【０００９】また、コンデンサとしては、コア基板の凹
部内に搭載できるものであれば、いずれのものでも良い
が、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデンサ
タイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙げら
れる。特に、積層セラミックタイプのコンデンサは、周
波数特性も良好である点、また、コア基板の凹部内に搭
載させた後の配線基板の製造工程内で熱がかかるなどし
ても、特性が比較的安定のため、配線基板の製造が容易
になり歩留まりが向上する点で好ましい。

【００１０】さらに、コア基板の材質としては、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＴＥＦ樹脂、Ｐ
ＰＥ樹脂などの樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポ
リエステル繊維などの繊維との複合材料、三次元網目構
造のフッ素樹脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複
合材料が挙げられる。あるいは、アルミナ、ムライト、
窒化アルミニウム、ガラスセラミック、低温焼成セラミ
ック（約１０００℃以下の比較的低温で焼成可能なセラ
ミック等）などのセラミックや、これらのセラミックと
上述の樹脂や複合材料とを組み合わせたものを用いても
良い。

【００１１】さらに、上記配線基板であって、前記コン
デンサは、前記第１コンデンサ端子から上記コンデンサ
の厚さ方向に延び、前記誘電体層を貫通して、前記第２
電極層とは絶縁しつつ、各前記第１電極層に電気的に接
続する複数の第１コンデンサビア導体と、前記第２コン
デンサ端子から上記コンデンサの厚さ方向に延び、上記
誘電体層を貫通して、上記第１電極層とは絶縁しつつ、
各上記第２電極層に電気的に接続する複数の第２コンデ
ンサビア導体と、を備えるコンデンサであって、複数の
上記第１コンデンサビア導体のいずれもが、自己の周囲
に位置する他の第１コンデンサビア導体と上記第２コン
デンサビア導体のうち、最も近くに配置されたビア導体
が、上記第２コンデンサビア導体であり、複数の上記第
２コンデンサビア導体のいずれもが、自己の周囲に位置
する上記第１コンデンサビア導体と他の第２コンデンサ
ビア導体のうち、最も近くに配置されたビア導体が、上
記第１コンデンサビア導体であるように、複数の上記第
１コンデンサビア導体と複数の上記第２コンデンサビア
導体とが配置されてなるコンデンサである配線基板とす
ると良い。

【００１２】本発明の配線基板に用いるコンデンサは、
第１コンデンサ端子と第１電極層とが、コンデンサの厚
さ方向に延びる第１コンデンサビア導体によって、第２
電極層とは絶縁しつつ電気的に接続する。また、第２コ
ンデンサ端子と第２電極層とが、コンデンサの厚さ方向
に延びる第２コンデンサビア導体によって、第１電極層
とは絶縁しつつ電気的に接続する。このため、第１電極
層と第１コンデンサ端子とを接続する配線、及び第２電
極層と第２コンデンサ端子とを接続する配線の形成位置
の選択や引き回しが容易になる。さらに、最短の経路で
第１電極層と第１コンデンサ端子とを、及び第２電極層
と第２コンデンサ端子とを接続することができるため、
これらの経路で発生するインダクタンス成分を抑制する
ことができる。また、多数のコンデンサ端子を形成し
た場合でも、第１コンデンサ端子と第１電極層、及び第
２コンデンサ端子と第２電極層との接続が可能であり、
且つ、導通経路の細線化を防止できるため、インダクタ
ンスや抵抗をさらに小さくすることが可能である。

【００１３】さらに、このコンデンサでは、複数の第１
コンデンサビア導体のいずれもが、自己の周囲に位置す
る他の第１コンデンサビア導体と第２コンデンサビア導
体のうち、最も近くに配置されたビア導体が、上記第２
コンデンサビア導体であるように配置されている。且
つ、複数の第２コンデンサビア導体のいずれもが、自己
の周囲に位置する第１コンデンサビア導体と他の第２コ
ンデンサビア導体のうち、最も近くに配置されたビア導
体が、第１コンデンサビア導体であるように配置してい
る。このため、第１コンデンサビア導体及び第２コンデ
ンサビア導体のそれぞれについて、最も近くに位置し、
最も強く結合するビア導体が異なる電位のビア導体とな
る。従って、第１コンデンサビア導体及び第２コンデン
サビア導体自身それぞれに流れる電流によってこれら自
身それぞれに誘起される磁束のうち、多くのものを相殺
することができるため、さらにこれらの経路で発生する
インダクタンス成分を低減することができる。従って、
本発明の配線基板によれば、配線基板内の配線に生じる
インダクタンスや抵抗をさらに低減することができる。

【００１４】なお、第１コンデンサ端子及び第２コンデ
ンサ端子は、コンデンサ主面のみならず、コア基板の凹
部の開口側に向いているコンデンサ裏面にも形成されて
いると好ましい。こうすることにより、さらに共通第１
電位用の配線及び共通第２電位用の配線の引き回しが簡
略化でき、経路を短縮することができる。このため、こ
れらの経路でさらに抵抗及びインダクタンスを低減し、
配線基板全体の抵抗成分及びインダクタンス成分を低減
することができる。

【００１５】また、コア主面とコア裏面とを有し、上記
コア裏面に開口する凹部を有するコア基板と、上記コア
基板の上記コア主面上に複数積層された樹脂絶縁層と、
を備え、上記コア基板の上記コア裏面に裏面絶縁層が無
いか、上記コア主面上に複数積層された上記樹脂絶縁層
より少ない層数の上記裏面絶縁層を有する配線基板本
体、及び複数の第１電極層と複数の第２電極層とを、誘
電体層を介して交互に積層したコンデンサであって、上
記第１電極層及び第２電極層に平行なコンデンサ主面
と、上記コンデンサ主面に形成されたコンデンサ端子で
あって、上記第１電極層と接続する複数の第１コンデン
サ端子、及び上記第２電極層と接続する複数の第２コン
デンサ端子、からなるコンデンサ端子と、を備えるコン
デンサ、を有する配線基板であって、上記樹脂絶縁層の
うち、上記凹部をその厚さ方向に投影した投影領域内に
は、搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接
続可能な複数のＩＣ接続端子であって、共通第１電位に
接続する複数の第１ＩＣ接続端子と、共通第２電位に接
続する複数の第２ＩＣ接続端子と、を含むＩＣ接続端子
を備え、上記凹部の底面には、上記第１ＩＣ接続端子と
電気的に接続する複数の第１コンデンサ接続端子と、上
記第２ＩＣ接続端子と電気的に接続する複数の第２コン
デンサ接続端子と、を備え、上記コンデンサは、上記凹
部内において、上記凹部の底面と上記コンデンサ主面と
が対向して配置され、上記第１コンデンサ接続端子と上
記第１コンデンサ端子とが接続し、上記第２コンデンサ
接続端子と上記第２コンデンサ端子とが接続してなる配
線基板であって、前記コンデンサは、複数の第１電極層
と複数の第２電極層とを、誘電体層を介して交互に積層
した積層部と、前記コンデンサ主面と隣り合うコンデン
サ側面に形成され、前記第２電極層とは絶縁しつつ、前
記第１電極層と接続する第１共通電極層と、上記第１共
通電極層とは絶縁され、上記コンデンサ主面と隣り合う
コンデンサ側面に形成され、上記第１電極層とは絶縁し
つつ、上記第２電極層と接続する第２共通電極層と、を
有する積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部より
も前記コンデンサ主面側に位置する転換部と、を備え、
上記転換部は、前記第１コンデンサ端子と、前記第２コ
ンデンサ端子と、上記第１コンデンサ端子と上記第１共
通電極層とを接続する第１転換配線と、上記第２コンデ
ンサ端子と上記第２共通電極層とを接続する第２転換配
線と、を有してなるコンデンサである配線基板とすると
良い。

【００１６】本発明の配線基板のコンデンサのうち積層
コンデンサ部は、複数の第１電極層と複数の第２電極層
とを誘電体層を介して交互に積層した積層部、コンデン
サ側面に形成され第１電極層と接続する第１共通電極
層、及びコンデンサ側面に形成され第２電極層と接続す
る第２共通電極層を含む積層コンデンサ部であり、安価
で形成容易な積層コンデンサ部である。そして、本発明
の配線基板のコンデンサは、この積層コンデンサ部に、
第１コンデンサ端子、及びこれに第１共通電極層を接続
する第１転換配線と、第２コンデンサ端子、及びこれに
第２共通電極層を接続する第２転換配線とが形成された
転換部を積層している。

【００１７】前述のような第１コンデンサビア導体によ
って第１コンデンサ端子と第１電極層とが接続し、第２
コンデンサビア導体によって第２コンデンサ端子と第２
電極層とが接続する方法のコンデンサでは、第１電極層
には第２コンデンサビア導体と絶縁するため、また、第
２電極層には第１コンデンサビア導体と絶縁するために
穴部を形成した。しかし、本発明のコンデンサでは、各
電極層にこのような穴部を形成する必要がない。このた
め、本発明のコンデンサは、相対的に静電容量を大きく
することができる。さらに、安価で形成容易な点で有利
である。また、本発明のコンデンサの積層コンデンサ部
の構造では、誘電体層を介して交互に積層されている第
１電極層と第２電極層との間でショートが発生する可能
性が低いため、コンデンサ全体として信頼性の高いもの
になっている。従って、本発明の配線基板は、安価で信
頼性の高い配線基板となっている。

【００１８】なお、転換部は、コンデンサ主面側のみな
らず、コア基板の凹部の開口側に向いているコンデンサ
裏面側にも形成されていると好ましい。こうすることに
より、さらに共通第１電位用の配線及び共通第２電位用
の配線の引き回しが簡略化でき、経路を短縮することが
できる。このため、これらの経路でさらに抵抗及びイン
ダクタンスを低減し、配線基板全体の抵抗成分及びイン
ダクタンス成分を低減することができる。

【００１９】さらに、上記配線基板であって、前記コン
デンサのうち、前記転換部は、前記積層コンデンサ部の
前記コンデンサ主面側に積層された転換絶縁層を備える
と共に、前記コンデンサ端子はいずれも、上記転換絶縁
層の上記コンデンサ主面側の面である転換絶縁層主面に
形成され、前記第１転換配線は、前記第１共通電極層か
ら前記コンデンサ側面及び上記転換絶縁層主面を経由し
て、前記第１コンデンサ端子と接続し、前記第２転換配
線は、前記第２共通電極層から前記コンデンサ側面及び
上記転換絶縁層主面を経由して、上記第１転換配線と絶
縁しつつ、前記第２コンデンサ端子と接続する転換部で
ある配線基板とするのが好ましい。

【００２０】この配線基板に搭載するコンデンサによれ
ば、第１転換配線は、第１共通電極層からコンデンサ側
面及び転換絶縁層主面を経由して第１コンデンサ端子と
接続し、第２転換配線は、第２共通電極層からコンデン
サ側面及び転換絶縁層主面を経由して第２コンデンサ端
子と接続する。このようにすると、１層の転換絶縁層を
用い、これに貫通孔を形成することなく、その主面及び
側面に第１転換配線と第２転換配線を形成するという簡
単な構造で、且つ比較的短い経路で、第１コンデンサ端
子と第１共通電極層とを接続し、さらに第２コンデンサ
端子と第２共通電極層とを接続することができる。従っ
て、このコンデンサは、前述のような第１コンデンサビ
ア導体によって第１コンデンサ端子と第１電極層とが接
続し、第２コンデンサビア導体によって第２コンデンサ
端子と第２電極層とが接続する構造のコンデンサと比較
して、安価で形成容易な点で有利である。また、コンデ
ンサ全体の寸法も、積層部の大きさとそれほど変わらな
い大きさで形成することができるので、小型のコンデン
サとすることができる。

【００２１】従って、本発明の配線基板は、安価で信頼
性が高いうえに、さらに配線経路でのインダクタンスや
抵抗を比較的小さくできる。さらに、コンデンサを配置
する凹部の大きさを比較的小さくすることができるた
め、配線基板内の配線に支障をきたすことがない。

【００２２】あるいは、前記配線基板であって、前記コ
ンデンサのうち、前記積層コンデンサ部は、前記第１電
極層のうち最も前記コンデンサ主面側に位置する最主面
側第１電極層が、前記第２電極層のうち最も上記コンデ
ンサ主面側に位置する最主面側第２電極層よりも上記コ
ンデンサ主面側に配置されてなり、前記転換部は、上記
積層コンデンサ部の上記コンデンサ主面側に積層された
転換絶縁層を備えると共に、前記コンデンサ端子はいず
れも、上記転換絶縁層の上記コンデンサ主面側の面であ
る転換絶縁層主面に形成され、前記第１転換配線は、上
記最主面側第１電極層から上記転換絶縁層の厚さ方向に
延び、上記転換絶縁層を貫通し、前記第１コンデンサ端
子に接続する第１転換ビア導体であり、前記第２転換配
線は、前記第２共通電極層から前記コンデンサ側面及び
上記転換絶縁層主面を経由して、上記第１転換ビア導体
と絶縁しつつ、前記第２コンデンサ端子と接続してなる
転換部である配線基板とするのが好ましい。

【００２３】この配線基板に搭載するコンデンサによれ
ば、第１電極層と第１コンデンサ端子とは、最主面側第
１電極層から転換絶縁層の厚さ方向に延び、転換絶縁層
を貫通し、第１コンデンサ端子に接続する第１転換ビア
導体を介して接続する。この接続方法は、転換絶縁層の
主面及び側面を経由する第１転換配線による接続方法と
比較して、形成位置の自由度が高く、さらに導通経路を
短縮することができる。このため、インダクタンスや抵
抗を低減することが可能になる。

【００２４】また、多数のコンデンサ端子を形成した場
合、転換絶縁層の主面及び側面を経由する第１転換配線
による接続方法では、導体の幅が狭くなり、この経路に
よるインダクタンスや抵抗が大きくなりがちである。ま
た、形成困難になる可能性もある。しかし、このコンデ
ンサによれば、多数のコンデンサ端子を形成した場合で
も、第１コンデンサ端子と第１電極層との接続が可能で
あり、且つ、導通経路の細線化を防止できるため、イン
ダクタンスや抵抗を比較的小さくすることが可能であ
る。また、このようなコンデンサは、前述のような第１
コンデンサビア導体によって第１コンデンサ端子と第１
電極層とが接続し、第２コンデンサビア導体によって第
２コンデンサ端子と第２電極層とが接続する方法のコン
デンサと比較して、安価で形成容易な点で有利である。
従って、本発明の配線基板は、安価で信頼性が高いうえ
に、配線経路でのインダクタンスや抵抗を小さくするこ
とができる。

【００２５】あるいはまた、前記配線基板であって、前
記コンデンサのうち、前記積層コンデンサ部は、前記第
１電極層のうち最も上記コンデンサ主面側に位置する最
主面側第１電極層が、前記第２電極層のうち最も前記コ
ンデンサ主面側に位置する最主面側第２電極層よりも上
記コンデンサ主面側に配置されてなり、前記転換部は、
上記積層コンデンサ部の上記コンデンサ主面側に積層さ
れた第１転換絶縁層、上記第１転換絶縁層の上記コンデ
ンサ主面側に積層された第２転換絶縁層、及び上記第１
転換絶縁層と上記第２転換絶縁層との層間に形成され、
前記第２共通電極層と接続する転換電極層を備えると共
に、前記コンデンサ端子はいずれも、上記第２転換絶縁
層の上記コンデンサ主面側の面である第２転換絶縁層主
面に形成され、前記第２転換配線は、上記転換電極層か
ら上記第２転換絶縁層の厚さ方向に延び、上記第２転換
絶縁層を貫通し、前記第２コンデンサ端子に接続する第
２転換ビア導体であり、前記第１転換配線は、上記最主
面側第１電極層から上記第１転換絶縁層の厚さ方向に延
び、上記第１転換絶縁層及び上記第２転換絶縁層を貫通
し、上記転換電極層と絶縁しつつ、前記第１コンデンサ
端子に接続する第１転換ビア導体である転換部である配
線基板とすると好ましい。

【００２６】この配線基板に搭載するコンデンサによれ
ば、第２電極層は、共通第２電極層を介して転換電極層
と接続し、さらに転換電極層から第２転換絶縁層の厚さ
方向に延び、第２転換絶縁層を貫通して第２コンデンサ
端子に接続する第２転換ビア導体を介して第２コンデン
サ端子と接続する。第１電極層は、共通第１電極層を介
して最主面側第１電極層と接続し、さらに最主面側第１
電極層から第１転換絶縁層の厚さ方向に延び、第１転換
絶縁層及び上記第２転換絶縁層を貫通し、転換電極層と
絶縁しつつ第１コンデンサ端子に接続する第１転換ビア
導体を介して第１コンデンサ端子と接続する。

【００２７】このコンデンサの第１転換ビア導体及び第
２転換ビア導体は形成位置の自由度が高く、これらに接
続するコンデンサ端子の位置に応じて、第１転換ビア導
体及び第２転換ビア導体を形成できるため、設計が容易
である。また、第２電極層と第２コンデンサ端子との導
通経路をより短くできるため、インダクタンスや抵抗を
さらに低減することが可能になる。また、多数のコンデ
ンサ端子を形成した場合でも、第１電極層と第１コンデ
ンサ端子、及び第２電極層と第２コンデンサ端子との接
続が可能であり、且つ、導通経路の細線化を防止できる
ため、インダクタンスや抵抗をさらに小さくすることが
可能である。また、このようなコンデンサは、前述のよ
うな第１コンデンサビア導体によって第１コンデンサ端
子と第１電極層とが接続し、第２コンデンサビア導体に
よって第２コンデンサ端子と第２電極層とが接続する方
法のコンデンサと比較して、安価で形成容易な点で有利
である。従って、本発明の配線基板は、安価で信頼性が
高いうえに、配線経路でのインダクタンスや抵抗をさら
に小さくすることができる。

【００２８】さらに、上記配線基板であって、前記コン
デンサは、複数の前記第１転換ビア導体のいずれもが、
自己の周囲に位置する他の第１転換ビア導体と前記第２
転換ビア導体のうち、最も近くに配置されたビア導体
が、上記第２転換ビア導体であり、複数の上記第２転換
ビア導体のいずれもが、自己の周囲に位置する上記第１
転換ビア導体と他の第２転換ビア導体のうち、最も近く
に配置されたビア導体が、上記第１転換ビア導体である
ように、複数の上記第１転換ビア導体と複数の上記第２
転換ビア導体とが配置されてなるコンデンサである配線
基板とすると好ましい。

【００２９】この配線基板に搭載するコンデンサは、複
数の第１転換ビア導体のいずれもが、自己の周囲に位置
する他の第１転換ビア導体と第２転換ビア導体のうち、
最も近くに配置されたビア導体が、上記第２転換ビア導
体であるように配置されている。且つ、複数の第２転換
ビア導体のいずれもが、自己の周囲に位置する第１転換
ビア導体と他の第２転換ビア導体のうち、最も近くに配
置されたビア導体が、第１転換ビア導体であるように配
置している。このため、第１転換ビア導体及び第２転換
ビア導体のそれぞれについて、最も近くに位置し、最も
強く結合するビア導体が異なる電位のビア導体となる。

【００３０】従って、このコンデンサは、第１転換ビア
導体及び第２転換ビア導体自身それぞれに流れる電流に
よってこれら自身それぞれに誘起される磁束のうち、多
くのものを相殺することができるため、これらの経路で
発生するインダクタンス成分を低減することができ、ノ
イズを効率良く除去することができる。また、前述のよ
うな第１コンデンサビア導体によって第１コンデンサ端
子と第１電極層とが接続し、第２コンデンサビア導体に
よって第２コンデンサ端子と第２電極層とが接続する方
法のコンデンサと比較して、安価で形成容易な点で有利
である。従って、本発明の配線基板は、安価で信頼性が
高く、ＩＣチップの高集積度化に対応可能なうえに、配
線基板全体のインダクタンス成分をさらに低減すること
ができる。

【００３１】

【発明の実施形態】（実施形態）本発明の配線基板の実
施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に
示す本発明の配線基板１００は、略長方形略板状の配線
基板本体１７０と略正方形略板状のコンデンサ１６０と
によって構成されている。配線基板本体１７０は、裏面
に開口する凹部１３５が形成されたコア基板１３０と、
この主面上に積層された樹脂絶縁層１４１，１４２，１
４３及び配線層１５１，１５２，１５３によって形成さ
れている。コンデンサ１６０は、コンデンサ主面１６１
が凹部１３５の底面部１３５ｂに対向するように、凹部
１３５内に配置されている。

【００３２】まず、配線基板本体１７０の構成について
以下に説明する。コア基板１３０は、比較的肉薄の第１
コア基板１１０と、比較的肉厚の第２コア基板１２０と
によって形成されている。（図４、図５参照）第１コア基板１１０は、厚さ２００μｍのガラス−エポ
キシ樹脂からなり、その中央付近には第１コア基板１１
０の厚さ方向に貫通する直径約１００μｍのスルーホー
ル１１１が複数形成されている。さらに、各スルーホー
ル１１１の内側には、銅製のスルーホール導体１１２が
形成され、さらにその内側には充填樹脂１１３が充填さ
れている。第２コア基板１２０は、厚さ８００μｍのガ
ラス−エポキシ樹脂からなり、その中央付近には凹部１
３５が形成されている。凹部１３５は平面視で１５ｍｍ
×１５ｍｍの正方形である。

【００３３】第１コア基板１１０と第２コア基板１２０
とは、厚さ約６０μｍの接着層１３４を介して貼り合わ
されることにより積層され、コア基板１３０を形成して
いる。図１の左右に示すように、コア基板１３０のうち
凹部１３５の周囲には、その厚さ方向に貫通する直径約
１００μｍのスルーホール１３１が形成されている。さ
らに、各スルーホール１３１の内側には、銅製のスルー
ホール導体１３２が形成され、さらにその内側には充填
樹脂１３３が充填されている。また、凹部１３５の底面
部１３５ｂを含む第１コア基板１１０の裏面１１６に
は、所定パターンを有する銅製で厚さ約１５μｍの配線
層１１７及び配線層１１９が形成されている。このう
ち、配線層１１９はスルーホール導体１１２と接続して
いる。また、配線層１１７はスルーホール導体１３２と
接続している。第２コア基板１２０の主面１２１にも、
所定パターンを有した銅製で厚さ約１５μｍの配線層１
２７が形成され、スルーホール導体１３２と接続してい
る。

【００３４】コア基板１３０のコア主面１３０ｂ上に
は、所定パターンを有する銅製の配線層１５１が形成さ
れ、スルーホール導体１１２及びスルーホール導体１３
２と接続されている。コア基板１３０のコア主面１３０
ｂ及び配線層１５１上には、エポキシ系樹脂からなる厚
さ約３０μｍの樹脂絶縁層１４１が形成されている。さ
らに、樹脂絶縁層１４１には、配線層１５１上の所定の
位置に、樹脂絶縁層１４１の厚さ方向に貫通するビア導
体１４５が形成されている。同様に、樹脂絶縁層１４１
上には、所定パターンを有する銅製の配線層１５２が形
成され、ビア導体１４５と接続されている。樹脂絶縁層
１４１上及び配線層１５２上には、エポキシ系樹脂から
なる厚さ約３０μｍの樹脂絶縁層１４２が形成されてい
る。

【００３５】さらに、樹脂絶縁層１４２には、配線層１
５２上の所定の位置に、樹脂絶縁層１４２の厚さ方向に
貫通するビア導体１４６が形成されている。同様に、樹
脂絶縁層１４２上には、所定パターンを有する銅製の配
線層１５３が形成され、ビア導体１４６と接続されてい
る。また、樹脂絶縁層１４２上及び配線層１５３上に
は、エポキシ系樹脂からなる厚さ約２５μｍの樹脂絶縁
層１４３（ソルダーレジスト層）が形成されている。な
お、ビア導体１４５とビア導体１４６とは、同軸状に積
み重ねられたスタッグドビアの形態になっている。この
ため、配線基板本体１７０内の配線経路を短くし、この
配線経路で発生する抵抗を低減している。

【００３６】配線層１５３上の所定の位置には、樹脂絶
縁層１４３を厚さ方向に貫通する開口部１４７が形成さ
れている。なお、開口部１４７は、凹部１３５の底面部
１３５ｂを配線基板１００の厚さ方向に投影した投影領
域内に配置されている。さらに、各開口部１４７内に
は、樹脂絶縁層１４３の主面１４８側に突出するＩＣ接
続端子１５５（ハンダバンプ）を形成する。なお、この
うち共通第１電位に接続するものを第１ＩＣ接続端子１
５５ｂ、共通第２電位に接続するものを第２ＩＣ接続端
子１５５ｃとする。各ＩＣ接続端子１５５（第１ＩＣ接
続端子１５５ｂ、第２ＩＣ接続端子１５５ｃを含む）
は、図１中に破線で示すように、配線基板１００に搭載
するＩＣチップ１の各接続端子６とそれぞれ接続する。
本実施形態では、隣り合うハンダバンプ１５５同士の中
心間距離は、約１５０μｍになっている。なお、ＩＣ接
続端子１５５とＩＣチップ１の接続端子６とは、図示し
ないアンダーフィル材によって埋設され、保護される。

【００３７】また、凹部１３５の底面部１３５ｂ及び配
線層１１９上には、エポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層
１３７が形成されている。さらに、配線層１１９上の所
定の位置には、樹脂絶縁層１３７の厚さ方向に貫通する
開口部１３８を形成する。さらに、各開口部１３８内に
は、樹脂絶縁層１３７の裏面１３７ｂ側に突出するコン
デンサ接続端子１３９（ハンダバンプ）を形成する。な
お、このうち共通第１電位に接続するものを第１コンデ
ンサ接続端子１３９ｂ、共通第２電位に接続するものを
第２コンデンサ接続端子１３９ｃとする。

【００３８】さらに、コア基板１３０のコア裏面１３０
ｃ上には、所定パターンを有する銅製の配線層１５７が
形成され、スルーホール導体１３２と接続されている。
コア基板１３０のコア裏面１３０ｃ及び配線層１５７上
には、エポキシ系樹脂からなる裏面絶縁層１４９が形成
されている。さらに、配線層１５７上の所定の位置に
は、裏面絶縁層１４９の厚さ方向に貫通する開口部１４
９ｂを形成する。配線層１５７のうち、開口部１４９ｂ
内に露出する部分をパッド１５８とする。このパッド１
５８の表面には、Ｎｉ及びＡｕメッキが被覆され、配線
基板１００を搭載する図示しないマザーボード等との接
続端子として活用される。なお、パッド１５８に、さら
にハンダボールやピンなどを接合しても良い。

【００３９】また、ＩＣ接続端子１５５とコンデンサ接
続端子１３９とは、配線層１５３、ビア導体１４６、配
線層１５２、ビア導体１４５、配線層１５１、スルーホ
ール導体１１２、及び配線層１１９の短い経路によって
接続されている。さらに、ＩＣ接続端子１５５は、凹部
１３５の底面部１３５ｂを配線基板本体１７０の厚さ方
向に投影した投影領域内に配置されている。このため、
ＩＣ接続端子１５５とコンデンサ接続端子１３９とは略
配線基板本体１７０の厚さ方向直線上に配置され、両端
子間の距離が短くなっている。従って、上記の経路で発
生するインダクタンスや抵抗を小さくできる。

【００４０】次に、コンデンサ１６０について以下に説
明する。コンデンサ１６０は、図２に示すように、略正
方形略板状のコンデンサ本体１６４と、コンデンサ１６
０の主面であるコンデンサ主面１６０ｂ上に形成されて
いるコンデンサ端子１６１と、コンデンサ１６０のコン
デンサ裏面１６０ｃ上に形成されているコンデンサ端子
１６２とによって形成されている。

【００４１】コンデンサ本体１６４は、第１電極層１６
５ｂと第２電極層１６５ｃとが、セラミックからなる誘
電体層１６６を介して交互に且つ平行に積層されてい
る。第１電極層１６５ｂは共通第１電位に接続され、第
２電極層１６５ｃは共通第２電位に接続されている。さ
らに、第１電極層１６５ｂの所定の位置には貫通孔１６
５ｄが形成され、第２電極層１６５ｃの所定の位置には
貫通孔１６５ｅが形成されている。さらに、コンデンサ
本体１６４には、その厚さ方向に貫通するコンデンサ貫
通孔１６７が所定の位置に形成され、さらにその内部に
は、コンデンサビア導体１６８が形成されている。コン
デンサビア導体１６８のうち、共通第１電位に接続され
ているものを第１コンデンサビア導体１６８ｂ、共通第
２電位に接続されているものを第２コンデンサビア導体
１６８ｃとする。

【００４２】第１コンデンサビア導体１６８ｂは、第２
電極層１６５ｃの貫通孔１６５ｅ内を通過し、第２電極
層１６５ｂとは絶縁しつつ、第１電極層１６５ｂと接続
している。同様に、第２コンデンサビア導体１６８ｃ
は、第１電極層１６５ｂの貫通孔１６５ｄ内を通過し、
第１電極層１６５ｂとは絶縁しつつ、第２電極層１６５
ｃと接続している。また、複数の第１コンデンサビア導
体１６８ｂのいずれもが、自己の周囲に位置する他の第
１コンデンサビア導体１６８ｂと第２コンデンサビア導
体１６８ｃのうち、最も近くに配置されたビア導体が第
２コンデンサビア導体１６８ｃとなっている。且つ、複
数の第２コンデンサビア導体１６８ｃのいずれもが、自
己の周囲に位置する第１コンデンサビア導体１６８ｂと
他の第２コンデンサビア導体１６８ｃのうち、最も近く
に配置されたビア導体が第１コンデンサビア導体１６８
ｂとなっている。具体的には、図２（ｃ）、（ｄ）に示
すように、第１コンデンサビア導体１６８ｂと第２コン
デンサビア導体１６８ｃとは格子状に配置され、さらに
第１コンデンサビア導体１６８ｂと第２コンデンサビア
導体１６８ｃとが隣り合って交互に配置されている。

【００４３】さらに、コンデンサ１６０のコンデンサ主
面１６０ｂ上及びコンデンサ裏面１６０ｃ上には、第１
コンデンサビア導体１６８ｂとそれぞれ接続する主面側
第１コンデンサパッド１６３ｂ及び裏面側第１コンデン
サパッド１６９ｂが形成されている。同様に、コンデン
サ１６０のコンデンサ主面１６０ｂ上及びコンデンサ裏
面１６０ｃ上には、第２コンデンサビア導体１６８ｃと
それぞれ接続する主面側第２コンデンサパッド１６３ｃ
及び裏面側第２コンデンサパッド１６９ｃが形成されて
いる。さらに、コンデンサ主面１６０ｂ上の第１コンデ
ンサパッド１６３ｂ上には、主面側第１コンデンサ端子
１６１ｂ（ここではハンダバンプ）が形成され、第２コ
ンデンサパッド１６３ｃ上には、主面側第２コンデンサ
端子１６１ｃ（ここではハンダバンプ）が形成されてい
る。同様に、コンデンサ裏面１６０ｃ上の第１コンデン
サパッド１６３ｂ上には、裏面側第１コンデンサ端子１
６２ｂ（ここではハンダバンプ）が形成され、第２コン
デンサパッド１６３ｃ上には、裏面側第２コンデンサ端
子１６２ｃ（ここではハンダバンプ）が形成されてい
る。

【００４４】ここで、本実施形態の配線基板１００にお
いて、共通第１電位を＋電位、共通第２電位を−電位と
したときのコンデンサ１６０の様子を、図３を参照して
説明する。共通第１電位に接続されている第１電極層１
６５ｂ及び第１コンデンサビア導体１６８ｂが＋電位と
なり、共通第２電位に接続されている第２電極層１６５
ｃ及び第２コンデンサビア導体１６８ｃが−電位とな
る。さらに、第１コンデンサパッド１６３ｂ、主面側第
１コンデンサ端子１６１ｂ、及び裏面側第１コンデンサ
端子１６２ｂが＋電位に、第２コンデンサパッド１６３
ｃ、主面側第２コンデンサ端子１６１ｃ、及び裏面側第
１コンデンサ端子１６２ｂが−電位となり、図３（ａ）
に示すようにコンデンサ端子１６１について、＋電位の
点と−電位の点とが交互に格子状に並んだ状態に見え
る。

【００４５】このようにすると、例えば、コンデンサ１
６０が放電する際、図３（ｂ）に矢印で示すように、第
１コンデンサビア導体１６８ｂから流れ出る電流Ｉ１
と、第２コンデンサビア導体１６８ｃに流れ込む電流Ｉ
２の向きがちょうど逆向きとなるため、この電流によっ
て第１コンデンサビア導体１６８ｂと第２コンデンサビ
ア導体１６８ｃとの周りに発生する磁界が打ち消し合
う。このため、第１コンデンサビア導体１６８ｂと第２
コンデンサビア導体１６８ｃとに生じるインダクタンス
が低減され、ひいては、コンデンサ１６０のインダクタ
ンスを低減させることができる。

【００４６】このとき、配線基板本体１７０においても
同様に、複数の第１コンデンサ接続端子１３９ｂのいず
れもが、自己の周囲に位置する他の第１コンデンサ接続
端子１３９ｂと第２コンデンサ接続端子１３９ｃのう
ち、最も近くに配置されたコンデンサ接続端子が第２コ
ンデンサ接続端子１３９ｃとなっている。且つ、複数の
第２コンデンサ接続端子１３９ｃのいずれもが、自己の
周囲に位置する第１コンデンサ接続端子１３９ｂと他の
第２コンデンサ接続端子１３９ｃのうち、最も近くに配
置されたビア導体が第１コンデンサ接続端子１３９ｂと
なっている。具体的には、コンデンサ接続端子１３９は
格子状に配置され、第１コンデンサ接続端子１３９ｂと
第２コンデンサ接続端子１３９ｃとが隣り合って交互に
並ぶため、＋電位の点と−電位の点とが交互に格子状に
並んだ状態になる。さらに、配線層１１９を介してコン
デンサ接続端子１３９と接続するスルーホール導体１１
２も、平面視したときに＋電位の点と−電位の点とが交
互に格子状に並んだ状態になる。このため、スルーホー
ル導体１１２においても、各スルーホール導体１１２に
流れる電流によって周りに発生する磁界が打ち消し合
う。このため、各スルーホール導体１１２に生じるイン
ダクタンスが低減され、ひいては、コンデンサ接続端子
１３９とＩＣ接続端子１５５とを接続する配線経路で発
生するインダクタンスを低減させることができる。

【００４７】また、コンデンサ１６０は、コンデンサ裏
面１６０ｃ上に、裏面側第１コンデンサ端子１６２ｂ及
び裏面側第２コンデンサ端子１６２ｃが形成されてい
る。このため、コンデンサ１６０を凹部１３５内に搭載
した配線基板１００は、例えば、マザーボード上に直接
配置して、コンデンサ１６０の裏面側第１コンデンサ端
子１６２ｂ及び裏面側第２コンデンサ端子１６２ｃとマ
ザーボードの接続端子とを直接接続することが可能であ
る。従って、マザーボードから低抵抗、低インダクタン
スで電源電位や接地電位が供給可能になる。なお、コン
デンサ１６０とマザーボードとを直接接続しない場合
は、裏面側第１コンデンサ端子１６２ｂ、裏面側第２コ
ンデンサ端子１６２ｃ、裏面側第１コンデンサパッド１
６９ｂ、及び裏面側第２コンデンサパッド１６９ｃを形
成しなくても良い。

【００４８】本実施形態の配線基板１００は、配線基板
本体１７０及びコンデンサ１６０において、低インダク
タンス、低抵抗の構造となっている。従って、本実施形
態の配線基板１００は、これに搭載するＩＣチップ１と
コンデンサ１６０とを接続する配線経路に生じるインダ
クタンスや抵抗を低減できる配線基板である。

【００４９】次に、配線基板本体１７０の製造方法につ
いて、図４、図５、及び図６を参照しつつ説明する。ま
ず、主面１１５ｂ及び裏面１１５ｃに厚さ約１６μｍの
銅箔を貼り付けた、厚さ約２００μｍの両面銅張の第１
コア基板本体１１５を用意する。第１コア基板本体１１
５の所定の位置に、レーザまたはドリルによって、直径
約１００μｍのスルーホール１１１を形成する。次い
で、無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを施し、各スル
ーホール１１１の内壁に沿って厚さ約３０μｍのスルー
ホール導体１１２、及び主面１１５ｂと裏面１１５ｃに
銅メッキ層１１８が形成される。次いで、スルーホール
導体１１２の内側にエポキシ系樹脂を充填し、充填樹脂
１１３を形成する。さらに、主面１１５ｂ及び裏面１１
５ｃに全面銅メッキを行い、充填樹脂１１３を覆うよう
に蓋メッキを行う。そして、裏面１１５ｃ側の銅メッキ
層１１８を所定パターンにエッチングして、配線層１１
７及び配線層１１９を形成する。さらに、裏面１１５ｃ
上及び配線層１１９上の所定の位置にエポキシ系樹脂か
らなる樹脂絶縁層１３７を形成する。さらに、樹脂絶縁
層１３７を露光・現像して、配線層１１９上の所定の位
置に開口部１３８を形成する。以上のようにして、図４
に示す第１コア基板１１０を形成する。

【００５０】また、主面１２５ｂ及び裏面１２５ｃに厚
さ約１６μｍの銅箔を貼り付けた、厚さ約８００μｍの
両面銅張の第２コア基板本体１２５を用意する。第２コ
ア基板本体１２５の主面１２５ｂ側を、エンドミルによ
って座ぐり加工することにより、図５（ａ）に示すよう
な平面視略ロ字状の凹溝１２３を、第２コア基板本体１
２５の中央部に形成する。次いで、主面１２５ｂ側の銅
箔をエッチングすることにより、凹溝１２３の周囲に配
線層１２７を形成する。このようにして、図５（ｂ）に
示すような第２コア基板１２０を形成する。

【００５１】次に、第１コア基板１１０の裏面１１６と
第２コア基板１２０の主面１２１との間に接着性のある
プリプレグからなる接着層１３４を配置して、加熱・押
圧することによって、第１コア基板１１０と第２コア基
板１２０とを接着・積層し、コア基板１３０を形成す
る。なお、このとき、過剰な接着層１３４がある場合
は、凹溝１２３内に収容される。次いで、コア基板１３
０の所定の位置にレーザまたはドリルによって穿孔し、
コア基板１３０を貫通する直径約１００μｍのスルーホ
ール１３１を形成する。このとき、スルーホール１３１
は、配線層１１７及び配線層１２７を貫通している。

【００５２】次いで、無電解銅メッキ、及び電解銅メッ
キを施し、各スルーホール１３１の内壁に沿って厚さ約
３０μｍのスルーホール導体１３２、及びコア主面１３
０ｂ上とコア裏面１３０ｃ上に銅メッキ層が形成され
る。次いで、スルーホール導体１３２の内側にエポキシ
系樹脂を充填し、充填樹脂１３３を形成する。さらに、
コア主面１３０ｂ及びコア裏面１３０ｃに全面銅メッキ
を行い、充填樹脂１３３を覆うように蓋メッキを行う。
そして、コア主面１３０ｂ上及びコア裏面１３０ｃ上の
銅メッキ層を所定パターンにエッチングして、配線層１
５１及び配線層１５７を形成する。以上のようにして、
コア基板１３０を形成する。

【００５３】次に、２つのコア基板１３０のコア裏面１
３０ｃ同士を、その外周縁より外側の不要部１３０ｄ
（図６参照）で貼りあわせて、一対のコア基板１３０と
する。次いで、一対のコア基板１３０のうち２つのコア
主面１３０ｂについて、以下の工程を同時に行う。ま
ず、コア主面１３０ｂ上に樹脂絶縁層１４１を形成し、
さらに、配線層１５１上の所定の位置にビア導体１４５
を形成する。同様に、公知のビルドアップ工法によっ
て、配線層１５２、樹脂絶縁層１４２、ビア導体１４
６、配線層１５３、樹脂絶縁層１４３を順次形成する。
次いで、樹脂絶縁層１４３を露光・現像して、配線層１
５３上の所定の位置に開口部１４７を形成する。さら
に、各開口部１４７内に低融点合金を印刷・充填して、
樹脂絶縁層１４３の主面１４８側に突出するＩＣ接続端
子１５５（ハンダバンプ）を形成する。

【００５４】このように、２つのコア基板１３０を貼り
あわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２つの
コア基板１３０を貼りあわせることによって、樹脂絶縁
層等の積層時に基板が反るのを防止することができるか
らである。次に、コア基板１３０同士を貼りあわせてい
る不要部を切り離して、一対のコア基板１３０に樹脂絶
縁層等を積層したものを分離する。なお、ＩＣ接続端子
１５５の形成は、一対のコア基板１３０の分離後に行っ
ても良い。その後、コア基板１３０のコア裏面１３０ｃ
上、及び配線層１５７上に裏面絶縁層１４９を形成す
る。次いで、裏面絶縁層１４９を露光・現像して、配線
層１５７上の所定の位置に開口部１４９ｂを形成する。
配線層１５７のうち、開口部１４９ｂ内に露出する部分
をパッド１５８とし、パッド１５８の表面にＮｉ及びＡ
ｕメッキを施し、マザーボード等との接続端子とする。
次に、コア基板１３０のコア裏面１３０ｃ側から、凹溝
１２３の裏側にエンドミルによって凹溝を形成し、第２
コア基板１２０の中央部分を切り離して除去し、凹部１
３５を形成する。こうして、図６に示すような配線基板
本体１７０が完成する。

【００５５】以上に説明したように、配線基板本体１７
０は、肉薄の第１コア基板１１０に接着層１３４を介し
て肉厚の第２コア基板１２０を積層し、コア基板１３０
を形成した後、このような十分な強度を持つコア基板１
３０のコア主面１３０ｂ上に絶縁樹脂層及び配線層を積
層している。従って、コア基板１３０の片面にだけ樹脂
絶縁層が積層されていても、従来のような補強材を取り
付けることが不要となり、低コストで製造することが可
能となる。

【００５６】コンデンサ１６０は、公知の製造方法によ
って形成される。具体的には、まず、高誘電体セラミッ
クグリーンシート（誘電体層１６６）を用意し、所定の
位置に貫通孔１６７を形成する。次いで、未焼成の誘電
体層１６６の主面上の所定の位置、及び貫通孔１６７内
にＰｄペーストを印刷・充填し、未焼成の電極層１６
５、及び未焼成のコンデンサビア導体１６８を形成す
る。このように形成したものを多数積み重ねることによ
って、未焼成の誘電体層１６６と未焼成の電極層１６５
が交互に積層され、さらにこれを貫通する未焼成のコン
デンサビア導体１６８が形成され、未焼成のコンデンサ
本体１６４が形成される。さらに、コンデンサ主面１６
０ｂ及びコンデンサ裏面１６０ｃの所定の位置には、未
焼成のコンデンサビア導体１６８と接続するように、Ｐ
ｄペーストからなる未焼成のコンデンサパッド１６３を
形成する。次いで、これを焼成（同時焼成）し、各コン
デンサパッド１６３上に、主面側コンデンサ端子１６１
（ハンダバンプ）及び裏面側コンデンサ端子１６２（ハ
ンダバンプ）を形成し、コンデンサ１６０が完成する。
（図２参照）

【００５７】上記のように形成したコンデンサ１６０を
配線基板本体１７０の凹部１３５内に配置し、主面側第
１コンデンサ端子１６１ｂと第１コンデンサ接続端子１
３９ｂとを、及び主面側第２コンデンサ端子１６１ｃと
第２コンデンサ接続端子１３９ｃとを接続させる。この
ようにして、配線基板１００が完成する。その後さら
に、裏面側第１コンデンサ端子１６２ｂ及び裏面側第２
コンデンサ端子１６２ｃを露出するようにして凹部１３
５内に樹脂を充填し、コンデンサ１６０を埋め込んでも
良い。

【００５８】（変形形態１）次に、実施形態にかかる配
線基板１００の変形形態である配線基板２００について
説明する。図示しない本変形形態の配線基板２００は、
実施形態の配線基板１００のうち、コンデンサ１６０を
コンデンサ２６０に変更したものである。従って、ここ
ではコンデンサ２６０を中心に説明する。コンデンサ２
６０は、図７に示すように平面視略正方形板状で、積層
コンデンサ部２７０と、この主面２７０ｂ上に第１転換
部２８０と、裏面２７０ｃ上に第２転換部２９０とを有
する。積層コンデンサ部２７０は、第１電極層２７２ｂ
と第２電極層２７２ｃとが、セラミックからなる誘電体
層２７１を介して交互に且つ平行に積層されている。さ
らに、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面２７
３ｂ、２７３ｃには一対の共通電極層である第１共通電
極層２７４ｂ、第２共通電極層２７４ｃがそれぞれ形成
されている。なお、積層コンデンサ部２７０の主面２７
０ｂ及び裏面２７０ｃ（図中上方及び下方）には、第１
共通電極層２７４ｂと導通する最主面側第１電極層２７
２ｂｕ及び最裏面側第１電極層２７２ｂｓがそれぞれ積
層形成されている。

【００５９】一方、第１転換部２８０は、積層コンデン
サ部２７０の主面２７０ｂ上（図中上方）に積層された
主面側転換絶縁層２８１を備える。この主面側転換絶縁
層２８１の主面（図中上方面）である主面側転換絶縁層
主面２８１ｔには、図７に破線で示す主面側コンデンサ
端子２８２である、主面側第１コンデンサ端子２８２ｂ
及び主面側第２コンデンサ端子２８２ｃが、格子状に多
数形成されている。さらに、第１共通電極層２７４ｂ及
び第２共通電極層２７４ｃから、それぞれ主面側転換絶
縁層２８１の側面２８１ｂ及び側面２８１ｃを経由して
主面側転換絶縁層主面２８１ｔに広がり、互いに絶縁さ
れながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの主面側第
１転換配線層２８３ｂ及び主面側第２転換配線層２８３
ｃを備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記
した主面側第１コンデンサ端子２８２ｂ及び主面側第２
コンデンサ端子２８２ｃとなっている。つまり、主面側
第１転換配線層２８３ｂによって、主面側第１コンデン
サ端子２８２ｂと第１共通電極層２７４ｂとが導通し、
同様に、主面側第２転換配線層２８３ｃによって、主面
側第２コンデンサ端子２８２ｃと第２共通電極層２７４
ｃとが導通している。

【００６０】また、主面側第１転換配線層２８３ｂは、
図７に破線で示すように、多数の主面側第１コンデンサ
端子２８２ｂを含み、多数の主面側第１コンデンサ端子
２８２ｂと同時に接続している。このように、主面側第
１転換配線層２８３ｂを同時に多数の主面側第１コンデ
ンサ端子２８２ｂと接続させると、形成容易で、主面側
第１転換配線層２８３ｂの持つ抵抗や、インダクタンス
を低く抑えることができる。主面側第２転換配線層２８
３ｃも主面側第２コンデンサ端子２８２ｃとの関係につ
いて同様である。さらに、本変形形態では、積層コンデ
ンサ部２７０の図中下方に第２転換部２９０を有する。
第２転換部２９０は、第１転換部２８０とほぼ同様な構
造を有している。即ち、積層コンデンサ部２７０の裏面
２７０ｃ上（図中下方）に積層された裏面側転換絶縁層
２９１を備え、この裏面（図中下面）である裏面側転換
絶縁層裏面２９１ｖには、裏面側コンデンサ端子２９２
である図示しない裏面側第１コンデンサ端子２９２ｂ及
び図７（ｂ）下方に破線で示す裏面側第２コンデンサ端
子２９２ｃが、主面側転換絶縁層主面２８１ｔと同様に
格子状に多数形成されている。

【００６１】さらに、第１共通電極層２７４ｂ及び第２
共通電極層２７４ｃから、それぞれ裏面側転換絶縁層２
９１の側面２９１ｂ及び側面２９１ｃを経由して裏面側
転換絶縁層裏面２９１ｖに広がり、互いに絶縁されなが
らも互いにかみ合った櫛歯状パターンの裏面側第１転換
配線層２９３ｂ及び裏面側第２転換配線層２９３ｃを備
える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した裏
面側第１コンデンサ端子２９２ｂ及び裏面側第２コンデ
ンサ端子２９２ｃとなっている。つまり、裏面側第１転
換配線層２９３ｂによって、裏面側第１コンデンサ端子
２９２ｂと第１共通電極層２７４ｂとが導通し、同様
に、裏面側第２転換配線層２９３ｃによって、裏面側第
２コンデンサ端子２９２ｃと第２共通電極層２７４ｃと
が導通している。

【００６２】また、裏面側第２転換配線層２９３ｃは、
図７に破線で示すように、多数の裏面側第２コンデンサ
端子２９２ｃを含み、多数の裏面側第２コンデンサ端子
２９２ｃと同時に接続している。このように、裏面側第
２転換配線層２９３ｃを同時に多数の裏面側第２コンデ
ンサ端子２９２ｃと接続させると、形成容易で、裏面側
第２転換配線層２９３ｃの持つ抵抗や、インダクタンス
を低く抑えることができる。裏面側第１転換配線層２９
３ｂも裏面側第１コンデンサ端子２９２ｂとの関係につ
いて同様である。以上より、コンデンサ２６０は、積層
コンデンサ部２７０等に貫通孔を形成することもなく、
形成容易で安価な信頼性の高い構造になっており、且つ
比較的短い経路で第１コンデンサ端子と第１共通電極層
とを接続し、第２コンデンサ端子と第２共通電極層とを
接続することができる。従って、本変形形態の配線基板
２００は、安価で信頼性が高いうえに、配線基板２００
に搭載するＩＣチップとコンデンサ２６０とを接続する
配線経路でのインダクタンスや抵抗を比較的小さくでき
る。

【００６３】また、コンデンサ２６０は、公知の製造方
法によって形成されるが、以下にコンデンサ２６０の製
造方法について、図７を参照しつつ説明する。具体的に
は、まず、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セ
ラミックグリーンシート（誘電体層２７１）を多数用意
する。次いで、このシートのうち２枚について、表面の
所定の位置に、Ｐｄペーストからなり互いにかみ合った
櫛歯状パターンを有する未焼成の導体層を形成する。他
のシートの半数については、その表面にＰｄペーストか
らなる未焼成の第１電極層２７２ｂを形成し、残りの半
数については、同様に、その表面にＰｄペーストからな
る未焼成の第２電極層２７２ｃを形成する。未焼成の第
１電極層２７２ｂ及び第２電極層２７２ｃはいずれも、
高誘電体セラミックグリーンシート（誘電体層２７１）
のほぼ全面を覆うが、未焼成の第１電極層２７２ｂはシ
ートの図中左端近傍、逆に未焼成の第２電極層２７２ｃ
はシートの図中右端近傍を覆わないパターンとされてい
る。

【００６４】次いで、上記２種類の電極層が形成された
シートを交互に積層し、さらに、櫛歯状パターン導体層
が形成されたシートを最上面と最下面に積層し圧着す
る。さらに、この側面にＰｄからなる未焼成の第１共通
電極層２７４ｂ及び第２共通電極層２７４ｃをそれぞれ
形成する。次いで、これを焼成（同時焼成）し、コンデ
ンサ２６０が完成する。上記のように形成したコンデン
サ２６０を配線基板本体１７０の凹部１３５内に配置
し、主面側第１コンデンサ端子２８２ｂと第１コンデン
サ接続端子１３９ｂとを、及び主面側第２コンデンサ端
子２８２ｃと第２コンデンサ接続端子１３９ｃとを接続
させる。このようにして、配線基板２００が完成する。
その後さらに、裏面側第１コンデンサ端子２９２ｂ及び
裏面側第２コンデンサ端子２９２ｃを露出するようにし
て凹部１３５内に樹脂を充填し、コンデンサ２６０を埋
め込んでも良い。

【００６５】（変形形態２）次に、実施形態にかかる配
線基板１００の変形形態である配線基板３００について
説明する。図示しない本変形形態の配線基板３００は、
実施形態の配線基板１００のうち、コンデンサ１６０を
コンデンサ３６０に変更したものである。また、コンデ
ンサ３６０は、変形形態１のコンデンサ２６０と転換部
については異なるが、積層コンデンサ部については同様
であるので、ここでは転換部を中心に説明する。コンデ
ンサ３６０は、図８に示すように平面視略正方形板状
で、積層コンデンサ部２７０と、この主面側に第１転換
部３８０と、裏面側に第２転換部３９０とを有する。

【００６６】第１転換部３８０は、積層コンデンサ部２
７０の主面２７０ｂ上（図中上方）に積層された主面側
転換絶縁層３８１を備え、主面側転換絶縁層３８１の主
面である主面側転換絶縁層主面３８１ｔ上（図中上方
面）には、主面側第１コンデンサ端子３８２ｂ、及び図
８に破線で示す主面側第２コンデンサ端子３８２ｃが、
格子状に多数形成されている。また、最主面側第１電極
層２７２ｂｕから主面側転換絶縁層３８１を貫通して主
面側転換絶縁層主面３８１ｔに延出し、主面側第１コン
デンサ端子３８２ｂとそれぞれ接続する主面側第１転換
ビア導体３８５を備える。従って、主面側第１転換ビア
導体３８５及び最主面側第１電極層２７２ｂｕを通じ
て、主面側第１コンデンサ端子３８２ｂと第１共通電極
層２７４ｂとが導通している。

【００６７】さらに、第２共通電極層２７４ｃから、主
面側転換絶縁層３８１の側面３８１ｃを経由して主面側
転換絶縁層主面３８１ｔのうち主面側第１コンデンサ端
子３８２ｂの周縁及び第１共通電極層２７４ｂに近い右
端近傍を除く部分に広がる主面側第２転換配線層３８３
ｃを備える。主面側第２転換配線層３８３ｃは、その一
部が主面側第２コンデンサ端子３８２ｃとなっている。
つまり、主面側第２転換配線層３８３ｃによって、主面
側第２コンデンサ端子３８２ｃと第２共通電極層２７４
ｃとが導通している。また、主面側第２転換配線層３８
３ｃは、図８に破線で示すように、多数の主面側第２コ
ンデンサ端子３８２ｃと同時に接続しており、形成容易
で、主面側第２転換配線層３８３ｃの持つ抵抗や、イン
ダクタンスを低く抑えることができる。

【００６８】さらに、本変形形態では、積層コンデンサ
部２７０の図中下方に第２転換部３９０を有する。第２
転換部３９０は、第１転換部３８０とほぼ同様な構造を
有している。即ち、積層コンデンサ部２７０の裏面２７
０ｃ上（図中下方）に積層された裏面側転換絶縁層３９
１を備え、この裏面である（図中下面）裏面側転換絶縁
層裏面３９１ｖには、裏面側第１コンデンサ端子３９２
ｂ、及び図８（ｂ）下方に破線で示す裏面側第２コンデ
ンサ端子３９２ｃが、格子状に多数形成されている。ま
た、最裏面側第１電極層２７２ｂｓから裏面側転換絶縁
層３９１を貫通して裏面側転換絶縁層裏面３９１ｖに延
出し、裏面側第１コンデンサ端子３９２ｂとそれぞれ接
続する裏面側第１転換ビア導体３９５を備える。従っ
て、裏面側第１転換ビア導体３９５及び最裏面側第１電
極層２７２ｂｓを通じて、裏面側第１コンデンサ端子３
９２ｂと第１共通電極層２７４ｂとが導通している。

【００６９】さらに、第２共通電極層２７４ｃから、裏
面側転換絶縁層３９１の側面３９１ｃを経由して裏面側
転換絶縁層裏面３９１ｖのうち裏面側第１コンデンサ端
子３９２ｂの周縁及び第１共通電極層２７４ｂに近い右
端近傍を除く部分に広がる裏面側第２転換配線層３９３
ｃを備える。裏面側第２転換配線層３９３ｃは、その一
部が裏面側第２コンデンサ端子３９２ｃとなっている。
つまり、裏面側第２転換配線層３９３ｃによって、裏面
側第２コンデンサ端子３９２ｃと第２共通電極層２７４
ｃとが導通している。また、裏面側第２転換配線層３９
３ｃは、多数の裏面側第２コンデンサ端子３９２ｃと同
時に接続しており、形成容易で、裏面側第２転換配線層
３９３ｃの持つ抵抗や、インダクタンスを低く抑えるこ
とができる。

【００７０】以上のような構造のコンデンサ３６０は、
主面側第１転換ビア導体３８５、及び裏面側第１転換ビ
ア導体３９５の形成位置の自由度が高く、さらに導通経
路を短縮することができる。このため、インダクタンス
や抵抗を低減することが可能になる。また、多数のコン
デンサ端子を形成した場合でも、第１コンデンサ端子と
第１電極層との接続が可能であり、且つ、導通経路の細
線化を防止できるため、インダクタンスや抵抗を小さく
することが可能である。また、安価で形成容易な点で有
利である。従って、本変形形態の配線基板３００は、安
価で信頼性が高いうえに、配線基板３００に搭載するＩ
Ｃチップとコンデンサ３６０とを接続する配線経路での
インダクタンスや抵抗を小さくすることができる。

【００７１】コンデンサ３６０は、公知の製造方法によ
って形成され、積層部２７０については変形形態１のコ
ンデンサ２６０と同様である。以下に図８を参照しつ
つ、コンデンサ３６０の製造方法について説明する。ま
ず、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミッ
クグリーンシート（誘電体層２７１）を多数用意する。
次いで、このシートのうち１枚について、所定の位置に
Ｐｄペーストからなり、このシートの厚さ方向に貫通す
る未焼成の主面側第１転換ビア導体３８５を形成する。
さらに、このシートの主面上にＰｄペーストからなる未
焼成の主面側第１コンデンサ端子３８２ｂを形成し、そ
の余の部分に未焼成の導体層（主面側第２転換配線層３
８３ｃ）を形成する。このようにして、第１転換部３８
０用のシートを形成する。このうち、未焼成の主面側第
１コンデンサ端子３８２ｂは、未焼成の主面側第１転換
ビア導体３８５と接続する位置に形成する。さらに、こ
のシートのうち他の１枚についても同様にして第２転換
部３９０用のシートを形成する。

【００７２】次いで、変形形態１のコンデンサ２６０と
同様に、各電極層が形成されたシートを交互に積層し、
さらに、第１転換部３８０用のシートを最上面に、第２
転換部３９０用のシートを最下面に積層し圧着する。さ
らに、この側面にＰｄからなる未焼成の第１共通電極層
２７４ｂ及び第２共通電極層２７４ｃをそれぞれ形成す
る。なお、未焼成の第２共通電極層２７４ｃは、未焼成
の導体層（主面側第２転換配線層３８３ｃ及び裏面側第
２転換配線層３９３ｃ）とも接続するように形成する。
次いで、これを焼成（同時焼成）し、コンデンサ３６０
が完成する。上記のように形成したコンデンサ３６０を
配線基板本体１７０の凹部１３５内に配置し、主面側第
１コンデンサ端子３８２ｂと第１コンデンサ接続端子１
３９ｂとを、及び主面側第２コンデンサ端子３８２ｃと
第２コンデンサ接続端子１３９ｃとを接続させる。この
ようにして、図示しない配線基板３００が完成する。そ
の後さらに、裏面側第１コンデンサ端子３９２ｂ及び裏
面側第２コンデンサ端子３９２ｃを露出するようにして
凹部１３５内に樹脂を充填し、コンデンサ３６０を埋め
込んでも良い。

【００７３】（変形形態３）次に、実施形態にかかる配
線基板１００の変形形態である配線基板４００について
説明する。図示しない本変形形態の配線基板４００は、
実施形態の配線基板１００のうち、コンデンサ１６０を
コンデンサ４６０に変更したものである。コンデンサ４
６０は、図９に示すように平面視略正方形板状で、積層
コンデンサ部４７０と、この主面側の第１転換部４８０
と、裏面側の第２転換部４９０とを有する。積層コンデ
ンサ部４７０は、第１電極層４７２ｂと第２電極層４７
２ｃとが、セラミックからなる誘電体層４７１を介して
交互に且つ平行に積層されている。さらに、その積層方
向（図中上下方向）に平行な側面４７３ｂ、４７３ｃに
は一対の共通電極層である第１共通電極層４７４ｂ、第
２共通電極層４７４ｃがそれぞれ形成されている。な
お、積層コンデンサ部４７０の主面４７０ｂ上（図中上
方）には、第１共通電極層４７４ｂと導通する最主面側
第１電極層４７２ｂｕが積層形成されている。同様に、
積層コンデンサ部４７０の裏面４７０ｃ上（図中下方）
には、第１共通電極層４７４ｂと導通する最裏面側第１
電極層４７２ｂｓが積層形成されている。

【００７４】第１転換部４８０は、積層コンデンサ部４
７０の主面４７０ｂ上（図中上方）に積層された、主面
側第１転換絶縁層４８１、さらにその主面側の主面側第
２転換絶縁層４８２を備える。この間には、第１転換電
極層４８３が形成されている。主面側第２転換絶縁層４
８２の主面である主面側第２転換絶縁層主面４８２ｔに
は、所定の位置に主面側第１コンデンサ端子４８４ｂ及
び主面側第２コンデンサ端子４８４ｃが格子状に形成さ
れ、さらに主面側第１コンデンサ端子４８４ｂと主面側
第２コンデンサ端子４８４ｃとが隣り合って交互に配置
されている。さらに、第２共通電極層４７４ｃは、第１
転換電極層４８３を通じて、主面側第２転換絶縁層４８
２を貫通する主面側第２転換ビア導体４８５ｃによっ
て、主面側第２コンデンサ端子４８４ｃに接続してい
る。また、第１共通電極層４７４ｂは、最主面側第１電
極層４７２ｂｕを通じて主面側第１転換絶縁層４８１及
び主面側第２転換絶縁層４８２を貫通する主面側第１転
換ビア導体４８５ｂによって、主面側第１コンデンサ端
子４８４ｂに接続している。

【００７５】さらに、本変形形態のコンデンサ４６０で
は、第２転換部４９０を有する。第２転換部４９０は、
第１転換部４８０と同様な構造であり、積層コンデンサ
部４７０の裏面４７０ｃ上（図中下方）に積層された、
裏面側第１転換絶縁層４９１、さらにその裏面側の裏面
側第２転換絶縁層４９２を備える。この間には、第２転
換電極層４９３が形成されている。裏面側第２転換絶縁
層４９２の裏面である裏面側第２転換絶縁層裏面４９２
ｖには、所定の位置に裏面側第１コンデンサ端子４９４
ｂ及び裏面側第２コンデンサ端子４９４ｃが格子状に形
成されている。さらに、裏面側第１コンデンサ端子４９
４ｂは、裏面側第１転換絶縁層４９１及び裏面側第２転
換絶縁層４９２を貫通する裏面側第１転換ビア導体４９
５ｂによって、最裏面側第１電極層４７２ｂｓを通じて
第１共通電極層４７４ｂに接続している。また、裏面側
第２コンデンサ端子４９４ｃは、裏面側第２転換絶縁層
４９２を貫通する裏面側第２転換ビア導体４９５ｃによ
って、第２転換電極層４９３を通じて第２共通電極層４
７４ｃに接続している。

【００７６】ここで、本変形形態の配線基板４００にお
いて、共通第１電位を＋電位、共通第２電位を−電位と
したときのコンデンサ４６０の様子を、図１０を参照し
て説明する。共通第１電位に接続されている第１電極層
４７２ｂ、主面側第１転換ビア導体４８５ｂ、及び裏面
側第１転換ビア導体４９５ｂが＋電位となり、共通第２
電位に接続されている第２電極層４７２ｃ、主面側第２
転換ビア導体４８５ｃ、及び裏面側第２転換ビア導体４
９５ｃが−電位となる。さらに、主面側第１コンデンサ
端子４８４ｂ、及び裏面側第１コンデンサ端子４９４ｂ
が＋電位に、主面側第２コンデンサ端子４８４ｃ、及び
裏面側第２コンデンサ端子４９４ｃが−電位となり、図
１０（ａ）に示すように主面側コンデンサ端子４８４に
ついて、＋電位の点と−電位の点とが交互に格子状に並
んだ状態に見える。図示しないが、裏面側コンデンサ端
子４９４についても同様である。

【００７７】このようにすると、図１０（ｂ）に矢印で
示すように、主面側第１コンデンサビア導体４８５ｂか
ら流れ出る電流Ｉ１と、主面側第２コンデンサビア導体
４８５ｃに流れ込む電流Ｉ２の向きがちょうど逆向きと
なるため、この電流によって主面側第１コンデンサビア
導体４８５ｂと主面側第２コンデンサビア導体４８５ｃ
との周りに発生する磁界が打ち消し合う。このため、主
面側第１コンデンサビア導体４８５ｂと主面側第２コン
デンサビア導体４８５ｃとに生じるインダクタンスが低
減され、ひいては、コンデンサ１６０のインダクタンス
を低減させることができる。このとき、図示しないが、
裏面側第１転換ビア導体４９５ｂと裏面側第２コンデン
サビア導体４９６とについても同様である。

【００７８】また、このとき、配線基板本体１７０にお
いても同様に、コンデンサ接続端子１３９は格子状に配
置され、第１コンデンサ接続端子１３９ｂと第２コンデ
ンサ接続端子１３９ｃとが隣り合って交互に並ぶため、
＋電位の点と−電位の点とが交互に格子状に並んだ状態
になる。さらに、配線層１１９を介してコンデンサ接続
端子１３９と接続するスルーホール導体１１２も、平面
視したときに＋電位の点と−電位の点とが交互に格子状
に並んだ状態になる。このため、スルーホール導体１１
２においても、各スルーホール導体１１２に流れる電流
によって周りに発生する磁界が打ち消し合う。このた
め、各スルーホール導体１１２に生じるインダクタンス
が低減され、ひいては、コンデンサ接続端子１３９とＩ
Ｃ接続端子１５５とを接続する配線経路で発生するイン
ダクタンスを低減させることができる。

【００７９】以上より、本実施形態の配線基板４００
は、配線基板本体１７０及びコンデンサ４６０におい
て、低インダクタンス、低抵抗の構造となっている。従
って、本実施形態の配線基板４００は、これに搭載する
ＩＣチップとコンデンサ４６０とを接続する配線経路に
生じるインダクタンスや抵抗を低減できる配線基板であ
る。

【００８０】また、コンデンサ４６０は、公知の製造方
法によって形成され、積層コンデンサ部４７０について
は変形形態１のコンデンサ２６０と同様である。以下に
図９を参照しつつコンデンサ４６０の製造方法について
説明する。まず、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘
電体セラミックグリーンシート（誘電体層４７１）を多
数用意する。次いで、これらのシートのうち１枚につい
て、所定の位置にＰｄペーストからなり、このシートの
厚さ方向に貫通する未焼成の主面側コンデンサビア導体
４８５（主面側第１コンデンサビア導体４８５ｂの一部
分と主面側第２コンデンサビア導体４８５ｃ）を形成す
る。さらに、このシートの表面のうち主面側コンデンサ
ビア導体４８５と接続する位置に、Ｐｄペーストからな
る未焼成の主面側コンデンサ端子４８４を形成する。ま
た、これらのシートのうち他の１枚については、上記主
面側第１コンデンサビア導体４８５ｂの一部分に対応す
る位置に、Ｐｄペーストからなり、このシートの厚さ方
向に貫通する未焼成の主面側第１コンデンサビア導体４
８５ｂの一部分を形成する。さらに、このシートの主面
上のうち、各主面側第１コンデンサビア導体４８５ｂと
は接触しない部分に未焼成の第１転換電極層４８３を形
成する。このようにして、第１転換部用のシートが形成
され、第２転換部用のシートも同様に形成する。

【００８１】次いで、変形形態１のコンデンサ２６０と
同様に、各電極層が形成されたシートを交互に積層し、
さらに、第１転換部用のシートを最上面に、第２転換部
用のシートを最下面に積層し圧着する。さらに、この側
面にＰｄからなる未焼成の第１共通電極層４７４ｂ及び
第２共通電極層４７４ｃをそれぞれ形成する。なお、未
焼成の第２共通電極層４７４ｃは、未焼成の第１転換電
極層４８３及び第２転換電極層４９３とも接続するよう
に形成する。次いで、これを焼成（同時焼成）し、コン
デンサ４６０が完成する。上記のように形成したコンデ
ンサ４６０を配線基板本体１７０の凹部１３５内に配置
し、主面側第１コンデンサ端子４８４ｂと第１コンデン
サ接続端子１３９ｂとを、及び主面側第２コンデンサ端
子４８４ｃと第２コンデンサ接続端子１３９ｃとを接続
させる。このようにして、図示しない配線基板４００が
完成する。その後さらに、裏面側第１コンデンサ端子４
９４ｂ及び裏面側第２コンデンサ端子４９４ｃを露出す
るようにして凹部１３５内に樹脂を充填し、コンデンサ
４６０を埋め込んでも良い。

【００８２】以上において、本発明を実施形態及び変形
形態１，２，３に即して説明したが、本発明は上記実施
形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもな
い。例えば、実施形態等ではコンデンサの裏面には、共
通第１電位と接続する裏面側第１コンデンサ端子、及び
共通第２電位と接続する裏面側第２コンデンサ端子を形
成した。しかし、裏面側第１コンデンサ端子または裏面
側第２コンデンサ端子のいずれか一方のみを形成しても
良いし、また、いずれも形成しなくても良い。また、変
形形態１のコンデンサ２６０、変形形態２のコンデンサ
３６０、及び変形形態３のコンデンサ４６０では、図
７、図８、及び図９に示すように、最主面側電極層及び
最裏面側電極層が共に、同一電位である第１電極層とし
た。しかし、最主面側電極層を第１電極層に、最裏面側
電極層を第２電極層にして、最主面側電極層と最裏面側
電極層とを異なる電位の電極層としても良い。

【００８３】また、コンデンサの電極層等の材質にＰｄ
を用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選
択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ
−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。また、実施
形態等では、配線層１５１，１５２，１５３、スルーホ
ール導体１１２，１３２、ビア導体１４５、１４６等
の導体の材質をＣｕ（銅）とした。しかし、材質はＣｕ
に限定されるものではなく、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｇ−Ｐｔ、あるいはＡｕ等としても良い。

【００８４】また、実施形態等では、コア基板１３０を
構成する第１コア基板１１０及び第２コア基板１２０の
材質をガラス−エポキシ樹脂とした。しかし、第１コア
基板１１０及び第２コア基板１２０の材質はガラス−エ
ポキシ樹脂に限定されるものではなく、例えば、第１コ
ア基板１１０及び第２コア基板１２０を共に、アルミナ
等のセラミックによって構成しても良い。あるいは、コ
ア基板１３０をアルミナ等のセラミックによって一体成
型するようにしても良い。あるいは、コア基板１３０を
ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等の樹脂や、これらの樹脂とガラス
繊維との複合材料や、三次元網目構造のフッ素樹脂にエ
ポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料で構成するよ
うにしても良い。また、第１コア基板１１０をアルミナ
等のセラミックとし、第２コア基板１２０を上述した樹
脂、上述した樹脂と繊維との複合材料、あるいは上述し
た樹脂複合材料としても良い。あるいは、これとは逆
に、第２コア基板１１０をセラミックとし、第２コア基
板１２０を上述した樹脂や複合材料としても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係る配線基板１００の部分断面図で
ある。

【図２】実施形態に係る配線基板１００に搭載されてい
るコンデンサ１６０を示す図であり、（ａ）はその上面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、（ｃ）はそのＢ−Ｂ断
面図、（ｄ）はそのＣ−Ｃ断面図である。

【図３】実施形態に係る配線基板１００において、共通
第１電位を＋電位、共通第２電位を−電位としたときの
コンデンサ１６０の様子を示す説明図である。

【図４】実施形態に係る配線基板１００の第１コア基板
１１０の断面図である。

【図５】実施形態に係る配線基板１００の第２コア基板
１２０を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図である。

【図６】実施形態に係る配線基板１００の配線基板本体
１７０の断面図である。

【図７】変形形態１に係るコンデンサ２６０を示す図で
あり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はその断面斜視図で
ある。

【図８】変形形態２に係るコンデンサ３６０を示す図で
あり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はその断面斜視図で
ある。

【図９】変形形態３に係るコンデンサ４６０を示す図で
あり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はその断面斜視図で
ある。

【図１０】変形形態３に係る配線基板４００において、
第１共通電位を＋電位、第２共通電位を−電位としたと
きのコンデンサ４６０の様子を示す説明図である。

【図１１】コンデンサを主面や裏面に搭載した従来の配
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。

【符号の説明】

１００，２００，３００，４００配線基板１１０第１コア基板１２０第２コア基板１３０コア基板１３０ｂコア主面１３０ｃコア裏面１３５凹部１３９ｂ第１コンデンサ接続端子１３９ｃ第２コンデンサ接続端子１４１，１４２，１４３樹脂絶縁層１５５ｂ第１ＩＣ接続端子１５５ｃ第２ＩＣ接続端子１６５ｂ，２７２ｂ，４７２ｂ第１電極層１６５ｃ，２７２ｃ，４７２ｃ第２電極層１６６，２７１，３７１，４７１誘電体層１６０ｂコンデンサ主面１６０ｃコンデンサ裏面１６１ｂ，２８２ｂ，３８２ｂ，４８４ｂ主面側第１
コンデンサ端子１６１ｃ，２８２ｃ，３８２ｃ，４８４ｃ主面側第２
コンデンサ端子１６２ｂ，２９２ｂ，３９２ｂ，４９４ｂ裏面側第１
コンデンサ端子１６２ｃ，２９２ｃ，３９２ｃ，４９４ｃ裏面側第２
コンデンサ端子１６８ｂ第１コンデンサビア導体１６８ｃ第２コンデンサビア導体２７０，４７０積層コンデンサ部２７４ｂ，４７４ｂ第１共通電極層２７４ｃ，４７４ｃ第２共通電極層２８０，３８０，４８０第１転換部２９０，３９０，４９０第２転換部２８３ｂ主面側第１転換配線層２９３ｂ裏面側第１転換配線層２８３ｃ，３８３ｃ主面側第２転換配線層２９３ｃ，３９３ｃ裏面側第２転換配線層３８５，４８５ｂ主面側第１転換ビア導体３９５，４９５ｂ裏面側第１転換ビア導体４８５ｃ主面側第２転換ビア導体４９５ｃ裏面側第２転換ビア導体２８１，３８１主面側転換絶縁層２９１，３９１裏面側転換絶縁層４８１主面側第１転換絶縁層４８２主面側第２転換絶縁層４９１裏面側第１転換絶縁層４９２裏面側第２転換絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＮＢＦターム(参考） 5E336 AA08 AA13 AA14 BB03 BB15 BC26 BC32 BC34 CC34 CC38 CC43 CC53 CC58 GG11 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA43 AA60 BB01 BB11 BB16 CC02 CC09 CC31 CC40 DD01 DD31 EE02 EE06 EE07 EE12 EE31 FF01 FF45 GG15 GG25 GG28 GG40 HH01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コア主面とコア裏面とを有し、上記コア裏
面に開口する凹部を有するコア基板と、上記コア基板の上記コア主面上に複数積層された樹脂絶
縁層と、を備え、上記コア基板の上記コア裏面に裏面絶縁層が無いか、上
記コア主面上に複数積層された上記樹脂絶縁層より少な
い層数の上記裏面絶縁層を有する配線基板本体、及び複
数の第１電極層と複数の第２電極層とを、誘電体層を介
して交互に積層したコンデンサであって、上記第１電極層及び第２電極層に平行なコンデンサ主面
と、上記コンデンサ主面側から接続可能なコンデンサ端子で
あって、上記第１電極層と接続する複数の第１コンデンサ端子、
及び上記第２電極層と接続する複数の第２コンデンサ端
子、からなるコンデンサ端子と、を備えるコンデンサ、を有する配線基板であって、上記樹脂絶縁層のうち、上記凹部をその厚さ方向に投影
した投影領域内には、搭載するＩＣチップの複数の接続
端子とそれぞれ接続可能な複数のＩＣ接続端子であっ
て、共通第１電位に接続する複数の第１ＩＣ接続端子と、共通第２電位に接続する複数の第２ＩＣ接続端子と、を含むＩＣ接続端子を備え、上記凹部の底面には、上記第１ＩＣ接続端子と電気的に接続する複数の第１コ
ンデンサ接続端子と、上記第２ＩＣ接続端子と電気的に接続する複数の第２コ
ンデンサ接続端子と、を備え、上記コンデンサは、上記凹部内において、上記凹部の底
面と上記コンデンサ主面とが対向して配置され、上記第１コンデンサ接続端子と上記第１コンデンサ端子
とが接続し、上記第２コンデンサ接続端子と上記第２コンデンサ端子
とが接続してなる配線基板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、前記コンデンサは、前記第１コンデンサ端子から上記コンデンサの厚さ方向
に延び、前記誘電体層を貫通して、前記第２電極層とは
絶縁しつつ、各々の前記第１電極層に電気的に接続する
複数の第１コンデンサビア導体と、前記第２コンデンサ端子から上記コンデンサの厚さ方向
に延び、上記誘電体層を貫通して、上記第１電極層とは
絶縁しつつ、各々の上記第２電極層に電気的に接続する
複数の第２コンデンサビア導体と、を備えるコンデンサであって、複数の上記第１コンデンサビア導体のいずれもが、自己
の周囲に位置する他の第１コンデンサビア導体と上記第
２コンデンサビア導体のうち、最も近くに配置されたビ
ア導体が、上記第２コンデンサビア導体であり、複数の上記第２コンデンサビア導体のいずれもが、自己
の周囲に位置する上記第１コンデンサビア導体と他の第
２コンデンサビア導体のうち、最も近くに配置されたビ
ア導体が、上記第１コンデンサビア導体であるように、複数の上記第１コンデンサビア導体と複数の上記第２コ
ンデンサビア導体とが配置されてなるコンデンサである
配線基板。
【請求項３】請求項１に記載の配線基板であって、前記コンデンサは、前記複数の第１電極層と前記複数の第２電極層とを、前
記誘電体層を介して交互に積層した積層部、前記コンデンサ主面と隣り合うコンデンサ側面に形成さ
れ、上記第２電極層とは絶縁しつつ、上記第１電極層と
接続する第１共通電極層、及び上記第１共通電極層とは
絶縁され、上記コンデンサ主面と隣り合うコンデンサ側
面に形成され、上記第１電極層とは絶縁しつつ、上記第
２電極層と接続する第２共通電極層、を有する積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部よりも上記コンデンサ主面側に位
置する転換部と、を備え、上記転換部は、前記第１コンデンサ端子と、前記第２コンデンサ端子と、上記第１コンデンサ端子と上記第１共通電極層とを接続
する第１転換配線と、上記第２コンデンサ端子と上記第２共通電極層とを接続
する第２転換配線と、を有してなるコンデンサである配線基板。