JP2013506842A - 超高周波用途のための、裏側に空洞を有するデバイスインターフェースボード - Google Patents

超高周波用途のための、裏側に空洞を有するデバイスインターフェースボード Download PDF

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Abstract

一実施形態において、プリント回路基板のDUT側と関連するソケットなどのDUTインターフェース構造を有するプリント回路基板を含む、デバイスインターフェースボードが提供される。高周波コネクタ及び電子構成要素は、プリント回路基板の裏側に形成される空洞内に取り付けられる。プリント回路基板を通じた信号ビアは、高周波コネクタ及び電子構成要素をDUTインターフェース構造と連結する。空洞を被覆する一方でケーブルが高周波コネクタに接続するのを可能にする封入構造が提供され得る。

Description

場合により自動試験装置(すなわちATE)と称される、高性能半導体試験機において、最大数ギガヘルツの試験機信号が、試験電子機器から、デバイスインターフェースボード(DIB)として既知の比較的大きな回路基板を通じ、1つ以上の非常に小型の試験中のデバイス(すなわちDUT)のリードまで通される。DUTは多くの場合は、超高性能デジタル信号と共に含まれる超高周波アナログ信号を含むように設計される。これらの超高周波アナログ信号には例えば、セルラ電話無線周波信号、全地球測位無線信号、ワイヤレス通信無線信号などが挙げられる。今日における高性能システム・オン・チップ(SOC)においては、多くの場合、DUTと試験機電子機器との間に数百の信号経路が存在する。このような高周波信号の忠実度を保存するため、信号経路は、緊密な整合インピーダンス(通常50オーム)を提供するように構成される。多数の信号経路を有する、緊密な整合インピーダンスを提供することは困難である。
通常、試験ヘッドと称される試験電子機器と、DUTとの間で交換される電気信号が、ポゴピンを使用して直接又はOSP、SMA、SMP若しくは他の高速コネクタで、底面又は試験機側からDIBへと接続するケーブルによって伝達されるように、DIBは自動試験装置上に取り付けられる。DUTは、DIBの上面又はDUT側に取り付けられるソケットと接続される。SMA同軸コネクタ(Bendix Scintilla Corporationにより本来設計されたSubminiature A)、OSP同軸コネクタ(Lowell,MAのM/A Cornにより本来設計されたOmni−Spectra push−on)及びSMP同軸コネクタ(Gilbert companyにより本来発明された)が、Tyco Electronics Corporation(Berwyn,PA)などの会社により一般的に製造される。
DIBの底面に接続されるケーブル及びソケットを通じてDIBの頂面に接続されるDUTは、導電性トレース(ストリップ線又はマイクロストリップ線)及び異なる層のトレースを接続するビアで接続される。更に、DIBは、Balanced/Unbalanced Transformers(BalUns)、インダクタ、コンデンサ及び/又は抵抗器などの様々な電子構成要素を含み、試験信号を調整して試験機資源とDUT要件との間の良好な整合を確実にする。システム・オン・チップの複雑性が試験ヘッドとDUTとの間で伝達される信号の数を増加させたため、DIBの厚さがより高いデジタルピン数により増加した。
DIBの大きさの増加に伴って、これらは同じ安定性を実現するために更なる厚さを必要とする。更に、試験費用を低減するための多点試験要件(多数のDUTが同時に試験される)は、DIBの配線要件を増加させる。これにより、全ての信号チャネルのための全ての配線トレースを経路付けするために、追加的な層の提供が必要とされる。現在DIBは最大20の信号層(およそ5.08mm)を必要とし、将来的には少なくとも30の信号層が必要とされ、少なくとも1.5倍厚さを増加させる。より多くの層が必要とされると、DIBの厚さが増加する。信号の数が増加しているため、ポゴピンなどのより多くのコネクタが必要とされる。これはより大きい機械的圧力をDIBに生じ、したがって、増加した圧力がプリント回路基板に損傷を与えることなく支持され得るように、より厚いプリント回路基板を必要とする。
図1は、自動試験装置100の単純化したブロック図である。自動試験装置100は、試験ヘッド108と通信する試験機メインフレーム102を含む。試験ヘッド108はDIB 106に接続される。試験ヘッド108からの信号は、ケーブルアセンブリを通じてDIB 106に経路付けされ得る。操作中、DIB 106は、DUT 104の試験のために、試験中のデバイス(DUT)104に電気的に接続される。例えば、自動試験装置(ATE)システム100は、集積回路の試験のためのものであり、DUT 104はデジタル及びアナログ機能を実行する集積回路を含む半導体デバイスであり得る。高性能アナログ機能の例は、セルラ電話送信機及び受信機、デジタルワイヤレス送信機及び受信機、高周波識別送信機及び受信機である。したがって、試験ヘッド108からの信号は、DIB 106を通じてDUTへと経路付けされる。
試験機メインフレーム102は、試験ヘッド108及びDIB 106を通じてDUT 104へと伝達される試験刺激信号を生成し、DUT 104からDIB 106及び試験ヘッド108を通じて受信される試験反応信号を評価するための回路を含む。DUT 104は、試験される集積回路を含む、パッケージ化されたシリコンDIBであり得る。DIB 106はまた、プローブインターフェースカードに接続されてもよく、DUT 104は、プローブインターフェースカードに取り付けられた試験される集積回路を含む半導体ウエファーである。
図2は、DIBプリント回路基板200の断面図のダイアグラムである。DIBプリント回路基板200は、ばね又はポゴピンコネクタ接触子207及び209などの圧縮コネクタによって、DIBプリント回路基板200の表面上の金属配線トレースに接続されるDUTソケット205を有する。DUTがデジタル及びアナログ機能を実行する集積回路である場合、デジタル信号230は多くの場合、アナログ信号235から隔離される(特に、超高周波(RF)信号に関して)。アナログ信号235は、DUTから、ソケットのピン209を通じてビア215に伝達される。ビア215は、DIBプリント回路基板200内に掘られ、めっきされた孔である。ビア215は、同軸コネクタ210に接続される金属配線トレース220に接続される。同軸コネクタ210は、OSP、SMA、SMP又は他の高速コネクタであり得る。アナログ信号235は、図1の同軸コネクタ210と試験ヘッド108との間で伝達される。電子構成要素226は、配線トレース220と接触するように配置されて、アナログ信号235の信号忠実度を確実にするために必要な補償及び終端回路を提供する。
上記のように、増加した回路複雑性及び配線密度の増加は、DIBプリント回路基板の厚さを増加させた。DIB回路基板の厚さが増加すると、高速信号に関する性能は典型的には低下した。性能に対する主な障害の1つは、ビア215である。ビアは、これらがGHz周波数のアナログ信号235においてインピーダンス不連続を示すため、低い高速性能を有することが、当該技術分野において既知である。長いビア215は、構成要素/回路226がDUTソケット205からあまりに遠いため、一定の整合技術に関して問題を生じる。DUTの増加したRFピン数のために、DUTソケット205下の空間が不十分であるため、DUTソケット205とDIBプリント回路基板200との間の、DIBプリント回路基板200の頂面上のより望ましい位置に整合する電子構成要素225を配置することは困難である。
超高周波アナログ信号235の性能を測定するために使用される、DIBプリント回路基板201の実施例のため、ここで図3Aを参照する。この実施例において、DIBプリント回路基板201は、ビア245に接続されたSMA同軸コネクタ210を有する。ビア245は、この評価のために、接地基準点222に接続される50n抵抗器240へと接続される金属配線トレース220に接続される。SMA同軸コネクタ210は、ビア250に配置される遮蔽部材を有する。ビア250はまた、DIBプリント回路基板201の内部で、接地基準点に接続される。
この実施例において、DIBプリント回路基板201は、およそ5.08mm厚さになるように構成される。これは、現在DIBプリント回路基板201に利用される厚さの典型例である。集積回路の複雑性が増加すると、この厚さは増加する。SMAコネクタは、およそ5.08mm(0.2”)の長さのビア245の後に、50n終端抵抗器240と接続される。
図3Bは、図3Aの実施例に関し、SMA同軸コネクタ210を通じ、ビア245を通じ、50n終端抵抗器240へと通過する信号反射のプロットである。図3Aの実施例において、2GHzにおける−10d13信号反射260が存在する。5.08mm長さのビア245においては、供給される出力の10%が反射する(260)。この規模の反射260は、出力の損失を生じ、信号忠実度を維持するためのアナログ信号235の整合及び補償をより困難にする。
したがって、高信号品質及び忠実性を維持するための超高速アナログ信号の配線経路における低損失を提供するように構成されたDIBプリント回路基板が必要とされている。
一実施形態において、プリント回路基板のDUT側と関連するソケットなどのDUTインターフェース構造を有するプリント回路基板を含む、デバイスインターフェースボードが提供される。高周波コネクタ及び電子構成要素は、プリント回路基板の裏側に形成される空洞内に取り付けられる。プリント回路基板を通じた信号ビアは、高周波コネクタ及び電子構成要素をDUTインターフェース構造と連結する。空洞を被覆する一方でケーブルが高周波コネクタに接続するのを可能にする封入構造が提供され得る。
自動試験装置システムの単純化したブロック図。 DIBプリント回路基板の断面図のダイアグラム。 超高周波アナログ信号の性能を測定するために使用されるDIBプリント回路基板の実施例のダイアグラム。 図3AのSMA同軸コネクタを通じ、ビア30を通じて、50Ω終端抵抗器まで到達する信号の順方向反射のプロット。 DIBプリント回路基板の実施形態の断面図のダイアグラム。 封入構造を組み込むDIBプリント回路基板の別の実施形態の断面図のダイアグラム。 封入構造の一実施例の斜視図。 封入構造の構造の別の実施を例示する、図5のDIBプリント回路基板の実施形態の断面図のダイアグラム。 封入構造の第2実施例の斜視図。
図1に記載されるように、自動試験装置100は、試験ヘッド108と通信する試験機メインフレーム102を含む。試験ヘッド108はDIB 106に接続される。試験ヘッド108からの信号は、ケーブルアセンブリを通じてDIB 106に経路付けされる。操作中、DIB 106は、DUT 104の試験のために、試験中のデバイス(DUT)104に電気的に接続される。図2において、電子構成要素226は、アナログ信号235の信号忠実度を確実にするために必要な、インピーダンス整合、補償及び終端回路を提供するために、配線トレース220と接触するように配置されるが、長いビア215は、構成要素/回路がDUTソケット205からあまりに遠いため、いくつかの整合技術に関して問題を生じ得る。したがって、一実施形態において、自動試験装置システムは試験ヘッド108及びDIB 106を含む。試験ヘッド108は、少なくとも1つの試験中のデバイス104への伝達のため、少なくとも1つの試験中のデバイス104からの試験反応信号の受信及び評価のために、試験刺激信号を生成するための電子回路を組み込む。超高周波信号の信号劣化を防ぐために、試験ヘッド108と少なくとも1つの試験中のデバイス104との間にDIB 106が配置される。
図4は、デバイスインターフェース(DIB)プリント回路基板300の断面図の一実施形態のダイアグラムである。デバイスインターフェースボードは、第1厚さ355を有するプリント回路基板300を含む。DIBプリント回路基板300は、ばね又はポゴピン接触子307及び309を通じてDIBプリント回路基板300の頂面300t上の金属配線トレースと接触するDUTソケット305を有する。上記のように、DUTがデジタル及びアナログ機能を実行する集積回路である場合、デジタル信号330は多くの場合、アナログ信号335から隔離される(特に、超高周波RF波長において)。アナログ信号335は、DUTからDUTソケット305のピン309を通じてビア315へと伝達される。
DIBプリント回路基板300の裏側又は試験機側300b(試験機側)に形成される空洞350は、空洞下のプリント回路基板300の厚さを第2厚さ360まで減少させ、これは例えば、DIBプリント回路基板300の厚さ355の半分であり得る。一実施形態において、20層DIBプリント回路基板300は、5.08mmであり、空洞は2.54mmである。
空洞350は、DUTソケット305のごく近位に位置する。コネクタ310及び電子構成要素320は、図1の試験ヘッド108とDUT 104との間で超高周波信号335を伝達するために空洞350内に取り付けられる。コネクタ310及び電子構成要素325をDUTソケット305に、及びしたがって試験中のデバイスに接続するために、ビア315はプリント回路基板300の空洞350内に掘られめっきされる。ビア315は、空洞350の形成の前又は後に形成され得る。電子構成要素325は配線トレース320と接触するように配置されて、アナログ信号335の信号忠実度を確実にするために必要なインピーダンス整合、補償及び終端回路を提供する。電子構成要素325は、信号忠実度を確実にするために試験信号を調整する平衡/不平衡変換器(BalUns)、インダクタ、コンデンサ及び/又は抵抗器などである。
いくつかの実施形態においてコネクタと共に、空洞350内に電子構成要素326を配置することの1つの利点は、電子構成要素がDIB製造、試験及びリワークの間に容易にアクセスされ得ることである。図2の電子構成要素226は、DUTソケット205の下、DUTソケット205と基板200との間に配置される。したがって、電子構成要素226は調節、変更又は置換のために容易にアクセスされない。
しかしながら、図4の実施形態の電子構成要素326は、製造又は維持管理の間に容易にアクセスされ、試験信号の忠実度を確実にするために適切なインピーダンス整合、補償及び終端回路を可能にする。
空洞350は、プリント回路基板300から材料を取り除く機械加工プロセスによって、プリント回路基板300の裏側300bに形成され得る。機械加工プロセスは、プリント回路基板の厚さを、プリント回路基板300の本来の厚さのおよそ半分など、一部である第2厚さ360へと低減するために、裏側300bの表面をミリング、プランニング、経路付け又は成形することであり得る。
他の実施形態において、空洞350は、多数の予備積層された積層体302を、プリント回路基板300がプリント回路基板300の第1厚さ355又は最終厚さの部分である第2厚さ360を達成するまで、堆積することによって、プリント回路基板300の裏側300bに形成される。多数の積層304は、空洞区域350内に開口部を有するように形成される。空洞350を有する積層は、プリント回路基板が厚さ355を達成するために十分な積層304が蓄積されるまで、追加される。一般的に積層302は、非常に高い高周波用途のための、安定で好適な誘電率を有する材料を有する。積層304は、積層302のものと同様の誘電率を有するか又は非導電性繊維により補強された熱可塑性若しくは熱硬化性ポリマーの標準的な組み合わせである材料(例えば、ガラス繊維強化エポキシ)を有し得る。
図5Aは、封入構造を組み込むDIBプリント回路基板のいくつかの実施形態の断面図のダイアグラムである。DIBプリント回路基板300は、空洞350を被覆する一方でケーブルがコネクタ310に接続することを可能にする封入構造375を更に含む。封入構造375は、コネクタ310及び空洞350内に取り付けられる電子構成要素325のための絶縁エンクロージャを形成し得る。封入構造375はDIBプリント回路基板300に挿入され、多数の積層302内の接地平面金属層380を通じて接地基準点385に接続され得る。いくつかの実施形態において、封入構造375は導電性であり、「ファラデーケージ」を効果的に形成して、コネクタ310、金属配線トレース320及び構成要素325を外部干渉電子雑音から電気的に絶縁する一方で、信号ケーブルを通して接続を可能にする。
図5Bは、封入構造375の一実施例の斜視図を示す。封入構造375は開口部370を有する。開口部370はケーブル(又はコネクタ310の端部)が通過することを可能にする。したがって、ケーブルはコネクタ310に接続され得る。ケーブルは、超高周波RF信号325をDUTソケット305から試験ヘッド108に伝達するために、DIBプリント回路基板300を図1の試験ヘッド108に接続する。ピン376は、封入構造375の側部377の角部に取り付けられる。封入構造375は空洞350内に配置されて、封入構造375の側部377が空洞の側部に接触し、ピン376はめっきされた接地ビア内に配置され、多数の積層302を通じて延び、接地平面380に接触する。ピン376の長さはほぼ、多数の積層302の厚さ360である。
図6Aは、別の封入構造375を例示する、図5AのDIBプリント回路基板300の実施形態の断面図のダイアグラムである。封入構造375の基本構造は、基本的には図5Aに示される通りであるが、ただし封入構造375はピン376を含まず、空洞350の側部の内側で摺動する。空洞350の側部は、その表面上に形成された金属層395を有し、これはDIBプリント回路基板300の底面上に延びている。封入構造375は空洞350内に配置され、封入構造375の側部377は導電性金属層395に接触している。封入構造375の側部377は、封入構造375の側部377を金属層395にはんだ付け又はろう付け400することによって金属層395に接着される。金属層395は、接地ビア390a及び390bに取り付けられる。ビア390a及び390bに取り付けられる金属層395は、接地基準点385への接続部を形成する。接地ビア390a及び390bは、接地基準点385に接続される接地平面380と接触する。図5Aにおけるように、封入構造375は、「ファラデーケージ」を効果的に形成し、コネクタ310、金属配線トレース320及び構成要素325を、外部干渉電子雑音から電気的に絶縁する。
図6Bは、封入構造375の第2実施例の斜視図を示す。図6Aに示されるように、封入構造375は開口部370を有し得る。開口部370はケーブルがそこを通過してコネク310に接続されることを可能にする。ケーブルは、超高周波RF信号325をDUTソケット305から試験ヘッド108に伝達するために、DIBプリント回路基板300を図1の試験ヘッド108に接続する。様々な実施形態において、封入構造375は、ふた又は他の導電性被覆デバイスであり得る。
図4、5及び6AのDIBプリント回路基板300の様々な実施形態は、単一の空洞350がDIB回路基板300内に形成されるものとして示されることに留意すべきである。図1の試験ヘッド108及びDUT 104から伝達される高周波信号の数及び部位(sites)335の数により、多数の空洞300がプリント回路基板300内に形成され得ることは、本発明の意図に即している。更に、空洞350は、1つ以上のコネクタ310、1つ以上の金属配線トレース320、及び1つ以上の電子構成要素325のセットを有し得る。したがって、封入構造375は、多数の開口部370を有し、多数のケーブルがコネクタ310に接続することを可能にし得る。
したがって、上記のように、プリント回路基板の裏側300bに空洞が形成され、これがプリント回路基板の厚さを第2厚さまで低減する。図3Aの実施例において、より薄いプリント回路基板(およそ2.54mm)においては、2GHzで−30dB未満の信号反射が存在することが、本発明者によって観察された。これは、図3Bに例示される、2GHzにおける−10dB信号反射260と比較し、SMA同軸コネクタ210で反射される供給出力は1%未満である。
図4を参照し、いくつかの実施形態において、空洞350の相対的な深さにより、空洞350はDUTソケット305に対して、DUTソケット305の下及び/又は近位のプリント回路基板300の構造的一体性が、これがプリント回路基板300に疲労及び/又は損傷を生じる程度まで弱化されないように位置付けられ得る。したがって、いくつかの実施形態において空洞350はDUTソケット305の側部までオフセットされてもよく、したがってDUTソケット305の真向かいにない。他の配置及び形状が、DUTのDUTソケット305への挿入及びDUTのDUTソケット305からの取り外しのための、十分な構造的支持を維持するために可能である。多数の空洞350がプリント回路基板300上に位置し、これらは、DUTの挿入及び取り外しの間のストレス破壊を阻止するための、DUTソケット305の下及び/又は近位の構造的支持のために十分な、プリント回路基板300のより厚い部分の格子又は他の支持形状を残すように、互いに対して離間してもよい。他の実施形態において、封入構造375、例えば剛性のふた及び/又は剛性の導電性被覆材料構造は、空洞350に構造的支持を追加し、1つ以上の空洞350の位置における更なる柔軟性を可能にする。
デバイスインターフェースプリント回路基板300に接続される図4、5A及び6AのDUTソケット305は例示であることに留意すべきである。他の実施形態は他のDUTインターフェース構造、すなわち他のDUT接続デバイス、例えば、ウエファープローブ装置若しくは他の直接取り付けウエファー試験装置又はデバイスインターフェースプリント回路基板300に関連する他のインターフェースデバイスを有してもよく、これらは上記にしたがって構成され得る。
本発明を、その実施形態に関連して、具体的に示し説明してきたが、当業者であれば、形状及び細部における様々な変更が、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、行なわれ得ることが理解されよう。

Claims (27)

  1. 自動試験装置内における、試験ヘッドと少なくとも1つの試験中のデバイスとの間に挿入するためのデバイスインターフェースボードであって、前記デバイスインターフェースボードは、
    a)DUT側及び裏側を有するプリント回路基板と、
    b)前記プリント回路基板の前記DUT側と関連する少なくとも1つのDUTインターフェース構造と、
    c)プリント回路基板の裏側の空洞と、
    d)前記裏側で前記空洞内に取り付けられた少なくとも1つの高周波コネクタ及び少なくとも1つの電子構成要素と、
    e)前記少なくとも1つの高周波コネクタ及び前記少なくとも1つの電子構成要素を前記少なくとも1つのDUTインターフェース構造に連結する、前記プリント回路基板を通じた少なくとも1つの信号ビアとを含む、デバイスインターフェースボード。
  2. 前記空洞を被覆し、ケーブルが前記少なくとも1つの高周波コネクタと接続することを可能にするように構成された封入構造を更に含む、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  3. 前記封入構造は前記空洞を電気的に遮蔽する、請求項2に記載のデバイスインターフェースボード。
  4. 前記封入構造は接地基準点に接続する、請求項3に記載のデバイスインターフェースボード。
  5. 前記封入構造は接地ビアを通じて前記接地基準点に電気的に接続するピンを含む、請求項4に記載のデバイスインターフェースボード。
  6. 前記封入構造は接地ビアを通じて前記接地基準点に接続する導電性層に電気的に密着する側部を有する、請求項4に記載のデバイスインターフェースボード。
  7. 前記封入構造はケーブルが通過して前記コネクタへ達することを可能にする開口部を有する、請求項3に記載のデバイスインターフェースボード。
  8. 前記少なくとも1つのDUTインターフェース構造はソケットであり、前記空洞は前記少なくとも1つのDUTソケットのごく近位に位置する、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  9. 前記少なくとも1つのDUTインターフェース構造はソケットであり、前記空洞は前記少なくとも1つのDUTソケットの側部の方にオフセットされている、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  10. 前記プリント回路基板の前記裏側に複数の空洞を更に含む、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  11. 前記プリント回路基板の前記裏側に複数の離間した空洞を更に含む、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  12. 前記空洞を被覆する剛性の封入構造を更に含む、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  13. 前記プリント回路基板は厚さを有し、前記空洞は前記プリント回路基板の前記厚さの一部を占めるように前記プリント回路基板内に延びる、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  14. 前記少なくとも1つの電子構成要素はインピーダンス整合構成要素を含む、請求項1に記載のデバイスインターフェースボード。
  15. 自動試験装置のためのデバイスインターフェースボードであって、前記デバイスインターフェースボードは、
    a)DUT側及び試験機側を有するプリント回路基板であって、前記プリント回路基板は少なくとも20の配線層を含むプリント回路基板と、
    b)前記プリント回路基板の前記DUT側に取り付けられる複数のDUT接続デバイスと、
    c)前記プリント回路基板の前記試験機側の内部の少なくとも半分まで形成された複数の空洞と、
    d)前記試験機側の前記複数の空洞の少なくとも1つの中に取り付けられた高周波コネクタ及び電子構成要素と、
    e)複数の前記コネクタ及び電子構成要素を前記複数のDUT接続デバイスに連結する、前記プリント回路基板を通じた複数の信号ビアと、
    f)エンクロージャのふたを有する前記複数の空洞の少なくとも1つとを含む、デバイスインターフェースボード。
  16. 自動試験装置システムであって、
    a)試験ヘッドと
    b)前記試験ヘッドに隣接するデバイスインターフェースボードとを含み、前記デバイスインターフェースボードは、
    1)プリント回路基板と、
    2)前記プリント回路基板のDUT側への少なくとも1つのDUT接続デバイスと、
    3)前記プリント回路基板の裏側の空洞と、
    4)前記裏側で前記空洞内に取り付けられた少なくとも1つの高周波コネクタ及び少なくとも1つの電子構成要素と、
    5)前記少なくとも1つの高周波コネクタ及び前記少なくとも1つの電子構成要素を前記少なくとも1つのDUT接続デバイスに電気的に接続する、前記プリント回路基板を通じた少なくとも1つの信号ビアとを含む、自動試験装置システム。
  17. 前記空洞を被覆する封入構造を更に含み、前記封入構造はケーブルが前記少なくとも1つの高周波コネクタに連結されることを可能にするように構成される、請求項16に記載の自動試験装置システム。
  18. 前記封入構造は前記空洞を電気的に遮蔽する、請求項17に記載の自動試験装置システム。
  19. 前記封入構造は接地基準点に接続される、請求項18に記載の自動試験装置システム。
  20. 前記封入構造は接地ビアを通じて前記接地基準点に電気的に接続されるピンを含む、請求項19に記載の自動試験装置システム。
  21. 前記封入構造は接地ビアを通じて前記接地基準点に接続される導電性層に電気的に密着する側部を有する、請求項19に記載の自動試験装置システム。
  22. 前記封入構造はケーブルが通過して前記コネクタへ達することを可能にする開口部を有する、請求項18に記載の自動試験装置システム。
  23. 前記少なくとも1つのDUTインターフェース接続は少なくとも1つのソケットであり、前記空洞は前記少なくとも1つのソケットのごく近位に位置する、請求項16に記載の自動試験装置システム。
  24. 前記プリント回路基板の裏側に複数の空洞を更に含む、請求項16に記載の自動試験装置システム。
  25. 複数の前記空洞は離間している、請求項16に記載の自動試験装置システム。
  26. 前記プリント回路基板は複数の前記空洞の少なくとも1つを被覆する剛性の封入構造を更に含む、請求項16に記載の自動試験装置システム。
  27. 前記プリント回路基板は厚さを有し、前記空洞は前記プリント回路基板の前記厚さの一部を占めるように前記プリント回路基板内に延びる、請求項16に記載の自動試験装置システム。
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