JP2003227914A5 - - Google Patents

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被検物体15上の膜MLに入射した光は入射角度によって異なる位相とびを伴って反射が行われる。反射光は膜MLの位相のとび量(位相分布)が一定であれば入射した光の波面は歪まないことになるが、位相分布を持っておれば入射角にしたがって位相が進んだり遅れたりして入射波面とは異なる位相分布を持った光(検出光)となって、回転放物面鏡14に戻り、そこで反射してビームスプリッタ13に入射する。
一方、引き回し光学系12からの光のうちビームスプリッタ13で反射した光LRは、EUV光が反射する膜を施した参照板17の参照平面17aで反射し、参照光として元の光路を戻り、ビームスプリッタ13に入射する。
回転放物面鏡14からの検出光はビームスプリッタ13で反射し、参照平面17aからの参照光はビームスプリッタ13を通過し、双方の光はビームスプリッタ13を介して重なり合い、干渉光LIとなり、干渉信号を形成する。このときの干渉信号は被検物体15への入射角度に依存した膜の位相特性を含んだものとなっている。即ち、干渉情報のうち中心軸LCの光は、入射角0の膜の位相特性となり、中心軸LCから離れた端部位置Laの干渉情報は、入射角θにおける膜の位相特性となる。
ここでフラウンホーファー領域とは、例えば測定用の光の波長をλ、ビームスプリッタ13のグレーティングのピッチをd、ビームスプリッタ13から回転放物面鏡14又は参照板17までの距離をDとしたとき、
D>>π(d/2)2/λ
を満足することをいう。
ビームスプリッタ13からの干渉光LIは、結像手段としての回転放物面鏡18で集光され、集光位置に設けた絞り19で高次回折光が遮光され、干渉情報を含む信号光が検出手段20で検出される。
実施形態2では、被検物体15の膜ML上の測定点15aで反射し、回転放物面鏡14で反射した光をビームスプリッタ(回折格子)13によって反射させてフーリエ像を形成している。ビームスプリッタ13は光束との傾き角α=45度となるように配置している。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1333260A3 (en) * 2002-01-31 2004-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Phase measuring method and apparatus
JP4095566B2 (ja) 2003-09-05 2008-06-04 キヤノン株式会社 光学素子を評価する方法
JP4241281B2 (ja) * 2003-09-17 2009-03-18 キヤノン株式会社 露光装置
GB0328904D0 (en) * 2003-12-12 2004-01-14 Swan Thomas & Co Ltd Scarab
JP4522137B2 (ja) 2004-05-07 2010-08-11 キヤノン株式会社 光学系の調整方法
US7982854B2 (en) * 2005-04-20 2011-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system
US7414730B2 (en) * 2005-05-06 2008-08-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University High precision interferometer apparatus employing a grating beamsplitter
WO2007144777A2 (en) * 2006-03-30 2007-12-21 Orbotech, Ltd. Inspection system employing illumination that is selectable over a continuous range angles
KR101484937B1 (ko) 2008-07-02 2015-01-21 삼성전자주식회사 위상반전 마스크의 위상 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치
JP5424697B2 (ja) * 2009-04-22 2014-02-26 キヤノン株式会社 トールボット干渉計、トールボット干渉計の調整方法、及び露光装置
DE102013218991A1 (de) 2013-09-20 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Bestimmen einer optischen Eigenschaft eines optischen Abbildungssystems
US9645088B2 (en) * 2015-09-30 2017-05-09 Rigaku Americas Holding, Inc. Device for analyzing the material composition of an object via plasma spectrum analysis
CN111220271B (zh) * 2020-01-17 2021-04-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于光栅-空间光分束阵列的分光模块
KR20210117622A (ko) 2020-03-19 2021-09-29 삼성전자주식회사 Euv 마스크의 위상 측정 장치 및 방법과 그 방법을 포함한 euv 마스크의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827965B2 (ja) * 1986-08-29 1996-03-21 株式会社日立製作所 光学式再生装置
US5007708A (en) * 1988-07-26 1991-04-16 Georgia Tech Research Corporation Technique for producing antireflection grating surfaces on dielectrics, semiconductors and metals
ATE155238T1 (de) * 1994-02-26 1997-07-15 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Interferometer
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
TWI240151B (en) * 2000-10-10 2005-09-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7027226B2 (en) * 2001-09-17 2006-04-11 Euv Llc Diffractive optical element for extreme ultraviolet wavefront control
EP1333260A3 (en) * 2002-01-31 2004-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Phase measuring method and apparatus
US6861846B2 (en) * 2002-12-16 2005-03-01 Agilent Technologies, Inc. Distortion measurements with a vector network analyzer

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