JP3808192B2 - 移動量測定装置、及び移動量測定方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学式インクリメンタルパターンを用いた移動量測定装置、及び移動量測定方法にかかり、特に、インクリメンタルパターンの所定の基準位置を基準としてインクリメンタルパターンの移動量を求める移動量測定装置、及び移動量測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光学式エンコーダの基準位置(零点)の設定、検出技術には、例えば特開昭59-224515号公報に開示されているように、半導体レーザから照射されるレーザ光を透明ガラスであるディスク上の円周方向に形成されたインクリメンタルパターンに照射して該ディスクの回転量を求める際、レーザ光を予めインクリメンタルパターンに照射して複数の光束に分割しておき、それらのうちの一つの光束を、前記インクリメンタルパターンに照射すると共に、前記インクリメンタルパターンとは別の零点パターン(基準位置を示すマーク)を、インクリメンタルパターンとは異なるトラック上に設け、該零点パターンのあるトラックに前記光束の一つを照射して零点信号を得るものがあった。
【０００３】
また、特開平2-85718号公報に開示されているように、零点パターンを反射スリットで構成し、該反射スリットにレーザ光を照射したときに、並んで設けられた２つの受光器に前記反射スリットで反射されずに該２つの受光器に入射した光の光量が等しくなったときを零点とするものがあった。
【０００４】
しかしながら従来技術では、インクリメンタルパターンとは別に零点パターンを設けており、更に、この零点パターンを検出するため、インクリメンタル信号検出用の光学系とは別に光学系を設ける必要が生じ、装置が大型化し、コスト増を招いていた。
【０００５】
しかも、インクリメンタルパターンと零点パターンとが設けられたディスクはガラス製であり、一方、それぞれのパターンを検出する光学系が設けられた支持部材は金属製であり、両者は線膨張係数が異なるため、温度変化によりインクリメンタル信号が発生するタイミングと零点信号が発生するタイミングとが相対的に変動し、基準位置を示す信号がドリフトしてしまうという不都合があった。
【０００６】
また、零点の検出精度を向上させるためには、零点パターンを微細化する必要があるが、微細化するとごみ等の付着による影響が大きくなり、検出ミスが頻繁に発生するという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合に鑑みて創作されたもので、その課題は、温度変化があっても基準位置がドリフトせず、簡便な光学系により正確に基準位置を設定することができる移動量測定装置、及び移動量測定方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１記載の発明装置は、光源と、前記光源と相対移動するスケールと、光検出手段と、信号処理回路とを備え、前記スケールは反射スリットが所定のデューティ比で配置されたインクリメンタルパターンを有し、前記光源は前記インクリメンタルパターンに光を照射して回折光と反射光と透過光とを生じさせ、前記光検出手段は前記回折光と前記反射光と前記透過光とを検出し、前記信号処理装置は前記回折光の明暗の変化から、前記光源と前記スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定装置であって、前記インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なるデューティ比を持つ２つの回折パターンが接続して構成され、前記光検出手段により前記反射光の光強度と前記透過光の光強度のいずれか一方又は両方を測定し、前記２つの回折パターンの接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とし、
請求項２記載の発明装置は、光源と、前記光源と回転軸線を中心として相対的に移動する円形スケールと、光検出手段と、信号処理回路とを備え、前記円形スケールは、反射スリットが所定のデュティー比で周方向に配置された円形インクリメンタルパターンを有し、前記光源は前記円形インクリメンタルパターンに光を照射して回折光と反射光と透過光とを生じさせ、前記光検出手段は前記回折光と前記反射光と前記透過光とを検出し、前記信号処理装置は前記回折光の明暗の変化から、前記光源と前記円形スケールとの相対移動量を測定する移動量測定装置であって、前記円形インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なるデューティ比を持つ２つの回折パターンが２つの接続部分で環状に接続して構成され、前記２つの接続部分のうちのいずれか一方の接続部分の表面に反射防止膜が成膜され、前記光検出手段により前記反射光の光強度と前記透過光の光強度とを測定し、前記反射防止膜が成膜されていない接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とし、
請求項３記載の発明方法は、光源と相対移動するスケール上に所定のデューティ比で配置された反射スリットで構成されたインクリメンタルパターンに、前記光源から光を照射して、回折光と反射光と透過光とを生じさせ、前記回折光の明暗の変化を検出して前記光源と前記スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定方法であって、前記インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なる２つのデューティ比を持つ回折パターンを接続して構成し、前記反射光の光強度と前記透過光の光強度のいずれか一方又は両方の大きさを測定し、前記２つ回折パターンの接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とし、
請求項４記載の発明方法は、回転軸線を中心として光源と相対的に移動する円形スケール上に所定のデューティ比で周方向に配置された反射スリットで構成された円形インクリメンタルパターンに、前記光源から光を照射して、回折光と反射光と透過光とを生じさせ、前記回折光の明暗の変化を検出して前記光源と前記円形スケールとの相対移動量を基準位置を基準として測定する移動量測定方法であって、前記円形インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なる２つのデューティ比を持つ回折パターンを２つの接続部分で環状に接続して構成し、前記２つの接続部分のうちのいずれか一方の表面に反射防止膜を成膜し、前記反射光の光強度と前記透過光の光強度とを測定し、前記反射防止膜が成膜されていない接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とする。
【０００９】
光源に固定されたレーザ発生器を使用し、該レーザ発生器と相対移動するインクリメンタルパターン(回折格子)にレーザ光を照射すると回折光が発生するので、該回折光の明暗の変化を検出すれば、インクリメンタルパターンと光源との相対移動量を測定することができる。
【００１０】
これを図面を用いて説明する。図５(ａ)を参照し、１０１はガラススケールであり、その表面に幅ωの反射スリット１０２がピッチＰで配置されたインクリメンタルパターン１０３が設けられており、該インクリメンタルパターン１０３に、入射レーザ光Ｌ_Iが照射されている。
【００１１】
前記入射レーザ光Ｌ_Iの一部は反射されて回折の次数が０である反射光Ｌ_Rとなり、残りは回折の次数が０である透過光Ｌ_Tと、次数ｍの透過回折光Ｌ_Dmとなっているものとする。
【００１２】
前記入射光Ｌ_Iの光強度をＩ_I、前記次数ｍの透過回折光Ｌ_Dmの光強度をＩ_Dmとすると、前記入射光Ｌ_Iに対する前記ｍ次透過回折光Ｌ_Dmの回折効率η_mは次式で表わすことができる。
【００１３】
η_m ＝ Ｉ_I／Ｉ_Dm (１)
ところで、一般に、前記回折効率η_mは、前記反射スリットの幅ωとピッチＰから、
η_m ＝ ｓｉｎ²(π・ｍ・ω／Ｐ)／(π²・ｍ²) (２)
と表わすことができる。ここで、ω／Ｐはデューティ比と呼ばれる量であり、φで表わすものとする。
【００１４】
ところで、一般的に、インクリメンタルパターンの移動量を測定するための回折光には、光量の問題等から、一般には±１次の回折光が使用されているので、１次透過回折光の回折効率に着目すると、(２)式で、ｍ＝１であり、互いに異なる２つのデュティー比φ_A、φ_Bを持つインクリメンタルパターン(回折パターン)の１次透過回折光の回折効率η_1A、η_1Bは、
η_1A ＝ ｓｉｎ²(π・φ_A)／π² (３)
η_1B ＝ ｓｉｎ²(π・φ_B)／π² (４)
と表わせる。
【００１５】
ここで、前記相異なる２つのデューティー比φ_A、φ_Bの間に、
φ_A ＋ φ_B ＝ １ (但し、０＜φ_A＜φ_B＜１) (５)
の関係が成立している場合には、(３)、(４)式から、η_1A、η_1Bの間に、
η_1A ＝ ｓｉｎ²(π・φ_A)／π² ＝ ｓｉｎ²(π−π・φ_B)／π²
＝ ｓｉｎ²(π・φ_B)／π² ＝ η_1B (７)
が成立する。
【００１６】
このように、和が１であり互いに異なる２つのデューティ比φ_A、φ_Bを持つ回折パターンに関しては、その１次透過回折光の効率η_1A、η_1Bは相等しい。
【００１７】
そして、前記(５)式が成立する限り、和が１であり且つ互いに異なる２つのデューティ比を持つ２つの回折パターンに関しては、２次、３次等、ｍ次の透過回折光の回折効率η_mA、η_mBも等しくなる。
【００１８】
デューティ比φと回折効率η_mの関係を３次まで図５（ｂ）のグラフに示す。回折効率η_mは、φ＝０．５を中心として左右対称になっていることがわかる。
【００１９】
なお、前記デューティー比φのインクリメンタルパターンに関しては、反射率Ｒと透過率Ｔとは、
次式で表わせる。
【００２０】
Ｒ ＝ (ω／Ｐ)² ＝ φ² (１１)
Ｔ ＝ (１−φ)² (１２)
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２２】
図３(ａ)を参照し、５０は本発明装置の一実施の形態である移動量測定装置である。
【００２３】
該移動量測定装置５０は、光源５１と、例えば無色透明なガラス製のスケール５２と、図示しない光検出手段と、信号処理回路５４とを備えており、前記光源５１は固定されており、前記スケール５２は前記光源５１に対して相対的に直線運動するように構成されている。
【００２４】
前記スケール５２はインクリメンタルパターン５５を有しており、該インクリメンタルパターン５５は、２つの回折パターン５５a、５５bが接続部５７で接続されて構成されている。
【００２５】
前記回折パターン５５aは、例えばアルミニウム薄膜からなる幅ω_Aの反射スリットがピッチＰ（数ミクロン〜数十ミクロン）で配置されて構成されており、前記回折パターン５５bは、幅ω_Bの反射スリットがピッチＰで配置されて構成されている。前記幅ω_Aと幅ω_Bとは互いに異なっており、且つその和ω_A＋ω_Bの値が前記ピッチＰと等しくなるように選択されている。
【００２６】
従って、前記回折パターン５５a、５５bのデューティ比φ_A(＝ω_A／Ｐ)、φ_B(＝ω_B／Ｐ)は、和が１となり且つ互いに異なる値である。
【００２７】
ここで、前記幅ω_A、ω_Bの間に、
ω_A ＜ ω_B (２１)
の関係が成立する場合には、必然的に、
φ_A ＜ ０．５ ， ０．５ ＜ φ_B (２２)
の関係が成立する。
【００２８】
また、前記回折パターン５５aにレーザ光が照射されたときに作られる反射光Ｌ_RAの光強度をＩ_RA、透過光Ｌ_TAの光強度をＩ_TA、１次透過回折光(以下、「回折光」と呼ぶ。)Ｌ_DAの光強度をＩ_DAとし、前記回折パターン５５bで作られる反射光Ｌ_RBの光強度をＩ_RB、透過光Ｌ_IBの光強度をＩ_TB、回折光Ｌ_DBの光強度をＩ_DBとすると、それらの関係は、次表のようになる。
【００２９】

上記表１から、前記インクリメンタルパターン５５上での、前記光強度Ｉ_RA、Ｉ_RB、Ｉ_TA、Ｉ_TB、Ｉ_DA、Ｉ_DBの分布を図示すると、図３(ｂ)のようになる。
【００３０】
ここで、前記回折光の光強度Ｉ_DA、Ｉ_DBは相等しいので、前記回折パターン５５aと前記回折パターン５５bとで作られる明暗パターンの形状及び光の強度分布とは同じになる。従って、前記信号処理回路５４で前記回折光Ｉ _DA、Ｉ _DBを検出し、その明暗の変化を計数して移動量を求める際にも前記接続部５７で測定が不安定になることはない。
【００３１】
また、前記透過光の光強度Ｉ_Tと前記反射光の光強度Ｉ_Rとは、前記接続部分５７で相等しい大きさになるので、両光強度を測定し、比較器で比較すれば、該接続部５７の位置が検出できる。従って、該接続部分５７の位置を基準位置に設定すれば、前記スケール５２の移動量を、該基準位置からの移動量として求めることができるようになる。
【００３２】
なお、前記接続部分５７を検出する際、前記反射光の光強度だけを測定し、それが(Ｉ_RA＋Ｉ_RB)／２ の値になったときの位置を前記基準位置に設定してもよいし、前記透過光の光強度だけを測定し、それが(Ｉ_TA＋Ｉ_TB)／２ の値になったときの位置を前記基準位置に設定してもよい。
【００３３】
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。
【００３４】
図１を参照し、２は本発明の一実施の形態の移動量測定装置であり、レーザ光を射出する光源３と、円形スケール４と、受光素子１１、１２、１３、１４を有する光検出手段とを備えている。
【００３５】
前記光源３は前記円形スケール４の上に配置され、図示しない装置筺体に固定されており、前記円形スケール４は、回転軸線１７を中心として回転移動可能に設けられ、前記光源３と前記円形スケール４とは、相対的に移動し得るように構成されている。
【００３６】
前記光源３から射出したレーザ光Ｂ₁は、偏光ビームスプリッター２１に入射すると略等光量の反射光束Ｂ₂と、透過光束Ｂ₃に分割される。
【００３７】
前記反射光束Ｂ₂と前記透過光束Ｂ₃とは直線偏光光であり、前記反射光束Ｂ₂は1/4波長板２２₁を透過して円偏光光Ｂ₄となり、プリズム２３₁を介して、入射レーザ光Ｌ_Iとして前記スケール４の表面に照射される。該スケール４の表面には、図２に示すように、周方向に反射スリット６が配置されたインクリメンタルパターン５が設けられており、前記入射レーザ光Ｌ_Iが該インクリメンタルパターン５に入射すると、その一部は前記反射スリット６で反射され、回折の次数が０である反射光Ｌ_Rとなり、受光素子１４に入射する。また、前記入射レーザ光Ｌ_Iのうち、前記反射スリット６で反射されなかったものの一部は回折の次数が１である回折光Ｌ_Dと回折の次数が０である透過光Ｌ_Tとなる。前記透過光Ｌ_Tは受光手段の備える受光素子１３で受光される。
【００３８】
一方、前記回折光Ｌ_Dは反射手段２４₁で反射され反射光束Ｂ₆となり、前記入射レーザ光Ｌ_I、及び前記円偏光光Ｂ₄と同じ光路を逆進して前記1/4波長板２２₁に再入射し、これを透過して透過光束Ｂ₇となる。該透過光束Ｂ₇の偏光方位は、前記反射光束Ｂ₂の偏光方位に対して９０°異なっているので、前記偏光ビームスプリッタ２１に再入射すると、今度は透過して1/4波長板２５に入射する。
【００３９】
前記透過光束Ｂ₃は、前記反射光束Ｂ₂と同様に、1/4波長板２２₂とプリズム２３₂を介して、前記円形スケール４上の、前記入射レーザ光Ｌ_Iとは回転軸線１７を挟んで反対側の位置に入射する。そして、インクリメンタルパターン５を透過した光は反射手段２４₂で反射され、前記1/4波長板２２₂で直線偏光の透過光束Ｂ₁₄にされて前記偏光ビームスプリッタ２１に入射する。該透過光束Ｂ₁₄の偏光面の方位は前記透過光束Ｂ₃の偏光面の方位と９０°異なっているので、前記偏光ビームスプリッタ２１で反射され、前記1/4波長板２５に入射する。
【００４０】
前記偏光ビームスプリッタ２１から前記1/4波長板２５までの光路は、前記透過光束Ｂ₇と前記透過光束Ｂ₁₄とで共通するので、２つの透過光束Ｂ₇、Ｂ₁₄が重なり合い、前記1/4波長板２５を透過して円偏光光の干渉光Ｂ₂₀となる。
【００４１】
該干渉光Ｂ₂₀が光分割手段２６に入射すると２つの光束に分割され、それぞれの光束は、それらの偏光面に対してそれぞれ４５°だけ偏光方位が傾けて配置された偏光板３１、３２を透過して、互いに偏光方位が９０°異なる２つの直線偏光光Ｂ₂₁、Ｂ₂₂となって、それぞれ受光素子１１、１２に入射する。
【００４２】
前記受光素子１１、１２は、それぞれ前記スケール４が回転した場合に前記インクリメンタルーパターン５の移動により作られる明暗の変化を検出し、図示しない信号処理装置により前記円形スケール４の移動量(回転量)を算出する。
【００４３】
前記インクリメンタルパターン５の反射スリット６は、図３(ａ)に示したインクリメンタルパターン５５を構成する反射スリットと同様に、ω_A、ω_Bの幅を有する２種類の反射スリット６a、６bがピッチＰで配置された２種類の回折パターン５a、５bを２つの接続部分７₁、７₂で環状に接続して構成されており、該回折パターン５a、５bは、それぞれφ_A、φ_B(φ_A＋φ_B＝１、φ_A＜φ_B)のデューディ比を有している。
【００４４】
ここで、前記インクリメンタルパターン５の上に反射防止膜（例えばフッ化マグネシウムを蒸着させて形成する）が全く成膜されていない場合には、発光素子３から照射され、前記受光素子１３、１４が受光する透過光Ｌ_Tの光強度Ｉ_Tと反射光Ｌ_Rの光強度Ｉ_Rは、図４(ａ)のようになり、前記スケール４が時計回りと反時計回りと自在に回転する場合には、前記光強度Ｉ_D、Ｉ_Tを測定するだけでは、前記２つの接続部分の位置Ｐ₁、Ｐ₂を区別することができない。
【００４５】
しかし、 前記２つの接続部分７₁、７₂のうち、前記接続部分７₂を中心とする範囲Ｕを除く部分に反射防止膜８が成膜されており、この場合、反射防止膜８が成膜されていない部分と比較すると、透過光の光強度Ｉ_Tと１次回折光Ｌ_Dの光強度には変化がないが、反射防止膜で反射された反射光Ｌ_R’の光強度は反射防止膜のない部分で反射された反射光Ｌ_Rの光強度より小さくなる。このようなインクリメンタルパターンにレーザ光が照射された場合の反射光の光強度Ｉ_R、Ｉ_R’と、透過光の光強度Ｉ_Tを図４(ｂ)に示す。
【００４６】
この場合、前記光強度Ｉ_Rと、前記光強度Ｉ_R’の中間のレベルにスレッショルドレベルＳ_Rを設定しておき、前記受光素子１４が該スレッショルドレベルＳ_Rを超える光強度の反射光を受光した場合に信号Ｃ₁がハイになるようにする。
【００４７】
更に、前記透過光Ｌ_Tの光強度Ｉ_Tを低レベル側にシフトさせ、透過光のスレッショルドレベルＳ_Tを設定すると、該透過光のスレッショルドレベルＳ_Tは、前記反射光のスレッショルドレベルＳ_Rと２点で交差するので、この２点で信号Ｃ₂を出力するようにする。
【００４８】
そして、前記信号Ｃ₁と前記信号Ｃ₂とのアンドをとり、信号Ｃ₃にすると、該信号Ｃ₃は、前記反射防止膜８が成膜されていない範囲Ｕ内で出力されるので、前記接続部分７₂の位置を、接続部分７₁と区別して検出することができる。従って、その位置を基準位置に設定すれば、円形スケールの１周につき１つの基準位置を設定することができるので、該円形スケール４の移動量を基準位置からの移動量として求めることができる。
【００４９】
なお、本発明の動作原理、及び本実施の形態では、移動量を測定する回折光に１次透過回折光を用いたが２次、３次等、より高次の回折光を用いることも可能である。
【００５０】
【発明の効果】
移動量を求めるインクリメンタルパターン上で基準位置を検出することができるので、温度変化により基準位置がドリフトすることはない。
【００５１】
インクリメンタルパターンの他に、基準位置を示すパターンを設けなくても済むので、基準位置を示すマークにごみが付着して基準位置を読み誤るということがなく、スケール上に移動量検出のために使用されない無効領域を設けなくてよく、更に、移動量検出に用る光学系と別プリズム等の光学系を設けなくても済み光学系が簡便となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す図
【図２】本発明の一実施の形態のインクリメンタルパターン
【図３】 (ａ)は本発明の動作原理を説明するためのインクリメンタルパターン
(ｂ)は本発明の動作原理を説明するための光強度のグラフ
【図４】 (ａ)はインクリメンタルパターン上に反射防止膜を設けない場合の光強度のグラフ
(ｂ)は一つの接続部分表面を除いてインクリメンタルパターン上に反射防止膜を成膜した場合の反射光と透過光の光強度を示すグラフ
(ｃ)は（ｂ）を信号処理するためのタイミングチャート
【図５】 (ａ)は本発明の測定原理を説明するための図
(ｂ)はデューティ比φと回折効率η_mの関係を示すグラフ
【符号の説明】
２・５０ 移動量測定装置
４ 円形スケール
５ 円形インクリメンタルパターン
５a・５b・５５a・５５b 和が１であり且つ互いに異なるデューティ比を持つ２つの回折パターン
１２・５１ 光源
１７ 回転軸線
５２ スケール
５４ 信号処理回路
５５ インクリメンタルパターン
７_1・７_2・５７ 接続部分
ｍ 次数
η 回折効率
φ デューティ比
Ｌ_D 回折光(１次透過回折光)
Ｌ_R 反射光
Ｌ_T 透過光
Ｉ_D 回折光の光強度
Ｉ_R 反射光の光強度
Ｉ_T 透過光の光強度

Claims (4)

1. 光源と、前記光源と相対移動するスケールと、光検出手段と、信号処理回路とを備え、
   前記スケールは反射スリットが所定のデューティ比で配置されたインクリメンタルパターンを有し、
   前記光源は前記インクリメンタルパターンに光を照射して回折光と反射光と透過光とを生じさせ、
   前記光検出手段は前記回折光と前記反射光と前記透過光とを検出し、
   前記信号処理装置は前記回折光の明暗の変化から、前記光源と前記スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定装置であって、
   前記インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なるデューティ比を持つ２つの回折パターンが接続して構成され、
   前記光検出手段により前記反射光の光強度と前記透過光の光強度のいずれか一方又は両方を測定し、前記２つの回折パターンの接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とする移動量測定装置。
2. 光源と、前記光源と回転軸線を中心として相対的に移動する円形スケールと、光検出手段と、信号処理回路とを備え、
   前記円形スケールは、反射スリットが所定のデュティー比で周方向に配置された円形インクリメンタルパターンを有し、
   前記光源は前記円形インクリメンタルパターンに光を照射して回折光と反射光と透過光とを生じさせ、
   前記光検出手段は前記回折光と前記反射光と前記透過光とを検出し、
   前記信号処理装置は前記回折光の明暗の変化から、前記光源と前記円形スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定装置であって、
   前記円形インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なるデューティ比を持つ２つの回折パターンが２つの接続部分で環状に接続して構成され、
   前記２つの接続部分のうちのいずれか一方の接続部分の表面に反射防止膜が成膜され、
   前記光検出手段により前記反射光の光強度と前記透過光の光強度とを測定し、前記反射防止膜が成膜されていない接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とする移動量測定装置。
3. 光源と相対移動するスケール上に所定のデューティ比で配置された反射スリットで構成されたインクリメンタルパターンに、前記光源から光を照射して、回折光と反射光と透過光とを生じさせ、
   前記回折光の明暗の変化を検出して前記光源と前記スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定方法であって、
   前記インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なる２つのデューティ比を持つ回折パターンを接続して構成し、
   前記反射光の光強度と前記透過光の光強度のいずれか一方又は両方の大きさを測定し、前記２つ回折パターンの接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とする移動量測定方法。
4. 回転軸線を中心として光源と相対的に移動する円形スケール上に所定のデューティ比で周方向に配置された反射スリットで構成された円形インクリメンタルパターンに、前記光源から光を照射して、回折光と反射光と透過光とを生じさせ、
   前記回折光の明暗の変化を検出して前記光源と前記円形スケールとの相対移動量を所定の基準位置を基準として測定する移動量測定方法であって、
   前記円形インクリメンタルパターンは、和が１となり且つ互いに異なる２つのデューティ比を持つ回折パターンを２つの接続部分で環状に接続して構成し、
   前記２つの接続部分のうちのいずれか一方の表面に反射防止膜を成膜し、
   前記反射光の光強度と前記透過光の光強度とを測定し、前記反射防止膜が成膜されていない接続部分を検出して前記基準位置を設定することを特徴とする移動量測定方法。

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