JP2003226521A - 複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子 - Google Patents
複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子Info
- Publication number
- JP2003226521A JP2003226521A JP2002028022A JP2002028022A JP2003226521A JP 2003226521 A JP2003226521 A JP 2003226521A JP 2002028022 A JP2002028022 A JP 2002028022A JP 2002028022 A JP2002028022 A JP 2002028022A JP 2003226521 A JP2003226521 A JP 2003226521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor nanoparticles
- layer
- particles
- semiconductor nano
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 13
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- -1 thiol compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N octylphosphane Chemical group CCCCCCCCP SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000693 micelle Substances 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 36
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001222 biopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- PSIBWKDABMPMJN-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);diperchlorate Chemical compound [Cd+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O PSIBWKDABMPMJN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002270 exclusion chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L paraquat dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].C1=C[N+](C)=CC=C1C1=CC=[N+](C)C=C1 FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/006—Combinations of treatments provided for in groups C09C3/04 - C09C3/12
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y5/00—Nanobiotechnology or nanomedicine, e.g. protein engineering or drug delivery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/06—Treatment with inorganic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/08—Treatment with low-molecular-weight non-polymer organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/005—Epitaxial layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
- C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
- C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
- Y10S977/715—On an organic substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
ークを持つスペクトルを示す複層半導体ナノ粒子の調製
を目的とし、単分散半導体ナノ粒子の製造法と複層半導
体ナノ粒子の調製法とを結びつける一連の有効な製造法
を提供する。 【解決手段】 表面安定化剤によって安定化された単分
散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換する
ことにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安
定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動さ
せ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出
を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方
法、及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒
子。
Description
を放出する複層半導体ナノ粒子の製造方法に関するもの
であり、また該方法によって製造された複層半導体ナノ
粒子に関する。
は、バルク半導体結晶と分子との遷移領域に位置するこ
とから、いずれとも異なった物理化学特性を示す。この
ような領域では、量子サイズ効果の発現により、粒径の
減少に伴って半導体ナノ粒子のエネルギーギャップが増
大する。さらにこれに付随して、バルク半導体で見られ
たエネルギーバンドの縮退が解け軌道が離散化し、伝導
帯下端が負側に、価電子帯上端が正側にシフトする。
(XはS、Se、Te)の前駆体を等モル量溶解するこ
とで簡単に調製することができる。これらは、CdS
e、ZnS、ZnSe、HgS、HgSe、PbS、P
bSe等における製造についても同様である。
ノ粒子は、広い粒径分布を示すため、半導体ナノ粒子の
特性を十分に利用することができない。このため、調製
直後の広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子から、化学
的手法を用いて粒径分離を精密に行い、特定の粒子サイ
ズの半導体ナノ粒子のみを分離・抽出することで単分散
化することが試みられている。これまでに、ナノ粒子の
有する表面電荷が粒径によって変化することを利用した
電気泳動分離法、粒径による保持時間の差を利用した排
除クロマトグラフィー、粒子サイズの違いによる有機溶
媒中への分散性の差を利用したサイズ選択沈殿法、サイ
ズ選択光エッチング法などが報告されている。
ノ粒子は、比較的波長幅の狭いピークを持つスペクトル
を示す。ただし、このような単分散の状態においても、
その結晶子の発光特性はあまりよくない。この原因は、
ナノ粒子の示すバンドギャップの禁制帯内に、粒子表面
の欠陥サイトのエネルギーレベルが存在するためである
と考えられる。すなわち、このようなバンドギャップの
禁制帯内のエネルギーバンドを除去することで、半導体
ナノ粒子の発光特性を向上させることができる。このた
め、このようなバンドギャップの禁制帯内のエネルギー
バンドを除去する方法が試みられている。
ン(TOP)及びトリ−n−オクチルホスフィンオキシ
ド(TOPO)のような有機成分により半導体ナノ粒子
表面を被覆する方法、CdX、ZnXのような無機成分
により半導体ナノ粒子表面を被覆する方法などがある。
グ法を用いた半導体ナノ粒子製造方法は、非常に容易に
かつ大量の半導体ナノ粒子を製造することを可能とする
だけでなく、非常に狭い粒径分布をもつ半導体ナノ粒子
を製造することが可能である。また、バンドギャップの
禁制帯内のエネルギーバンドを除去するため、半導体ナ
ノ粒子の表面を無機成分で被覆することで、波長幅の狭
いピークを持つスペクトルを示す複層半導体ナノ粒子を
調製することができる。しかし、前者と後者の間には、
安定化剤の相違による問題により、一連の方法として組
み合わせることが困難であった。
複層半導体ナノ粒子の調製法とを結びつける一連の有効
な製造法の開発が求められる。本発明は、非常に狭い粒
径分布を持ち、波長幅の狭いピークを持つスペクトルを
示す複層半導体ナノ粒子の調製を目的とする。
粒子の製造方法は、表面安定化剤によって安定化された
単分散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換
することにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前
記安定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移
動させ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液
抽出を行うことを特徴とする。
イズ選択光エッチング法で得られたことが好ましい。他
に、前記単分散半導体ナノ粒子は、逆ミセル法で得られ
たものでも良い。前記親水性を与える表面安定剤は、ヘ
キサメタリン酸、ポリビニルピロリドン、グリコールジ
メチルエーテル、又はチオール化合物であることが好ま
しい。また、前記親油性を与える表面安定剤は、トリ−
n−オクチルホスフィン又はトリ−n−オクチルホスフ
ィンオキシドであることが好ましい。
変性された半導体ナノ粒子を、酸化亜鉛、1−テトラデ
カンリン酸(TDPA)、トリ−n−オクチルホスフィ
ンオキシド(TOPO)、トリ−n−オクチルホスフィ
ン(TOP)及びS(Powder)を高温環境下にて
反応させることにより調製することが出来る。
いる被覆層の材質は、ZnO、ZnS、ZnSe、Zn
Te、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgS、
HgSe、HgTe、InP、InAs、GaN、Ga
P、GaAs、TiO2、WO3、PbS、又はPbSe
等からそれぞれ選択される。例えば、核の材質がCdS
であり、核表面に均一に積層されている被覆層の材質が
ZnSである場合が例示される。
記の方法によって製造された、励起されたときに半値全
幅(FWHM)約50nm以下の波長幅の狭い領域にお
いてピークを示す蛍光を発することを特徴とする複層半
導体ナノ粒子である。ここで、前記複層半導体ナノ粒子
の粒径が直径10%rms未満の偏差を示すことが好ま
しい。
ば、サイズ選択光エッチング法で得られたCdS半導体
ナノ粒子は安定化剤であるヘキサメタリン酸(HMP)
がCdS半導体ナノ粒子表面を覆っている状態で水溶液
中に存在している。この水溶液と、TOP/TOPOを
主とした有機溶媒とを混合すると、水層と有機層の界面
が形成される。水層中のHMPで安定化された半導体ナ
ノ粒子表面のHMPは、界面において、TOP/TOP
Oと置換し、TOP/TOPOで安定化された半導体ナ
ノ粒子となり、有機層中へ移動する。その後、有機層を
抽出し精製を行い、TOP/TOPOで安定化された半
導体ナノ粒子を得る。ここで、未反応のCdイオン、S
イオン、ヘキサメタリン酸等の不純物は、水層中へ残る
こととなり、大部分を除去することが可能となる。前記
TOP/TOPOを安定化剤としたCdS半導体ナノ粒
子は、酸化亜鉛、1−テトラデカンリン酸(TDP
A)、トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOP
O)、トリ−n−オクチルホスフィン(TOP)、及び
S(Powder)と混合し、高温環境下で反応させる
ことにより、CdS半導体ナノ粒子表面に対してZnS
無機成分による被覆をおこない、半導体ナノ粒子内部に
存在するバンドギャップの禁制帯内に存在したエネルギ
ーバンドを除去する。
する。半導体ナノ粒子の調製 半導体ナノ粒子の調製方法にはさまざまな方法がある
が、本発明においては、その中での一例を用いて説明す
る。半導体ナノ粒子は、その体積に対する表面積の割合
が極めて大きく、非常に凝集しやすい状態にある。した
がって半導体ナノ粒子を安定に存在させるためには、粒
子同士の衝突・融合を防ぐための施策が必要になる。こ
れまでにさまざまな方法が考案されており、大別する
と、固体マトリクス及び高分子マトリクス中への取り込
みによる半導体ナノ粒子同士の物理的隔離と、粒子表面
の金属イオンサイトをこれと高い作形成能を有する低分
子有機物で化学修飾することによる粒子表面の不活性化
になる。
メタリン酸を安定化剤として用いる。ヘキサメタリン酸
ナトリウム(0.1mmol)と過塩素酸カドミウム
(0.2mmol)の水溶液を1000ml作成し、p
H10.3に調整する。その後、溶液中を窒素ガスでバ
ブリングを行い、硫化水素ガス(0.2mmol)を激
しく攪拌させながら溶液中に注入する。その後、しばら
く攪拌を行う。このとき溶液の色は、光学的に透明な無
色から光学的に透明な黄色へ変化する。
定化された半導体ナノ粒子が溶液中に存在しているが、
前記半導体ナノ粒子は、広い粒径分布を持ち、その標準
偏差は平均粒径の15%以上にまでにおよぶ。半導体ナ
ノ粒子の物理化学特性は、量子サイズ効果により粒径に
依存して現れる。したがって、この状態では物性が平均
化されてしまい、半導体ナノ粒子の特性を十分に発揮す
ることができない。このため、調製直後の広い粒径分布
を有する半導体ナノ粒子から、化学的手法を用いて粒径
分離を精密に行い、特定の粒子サイズの半導体ナノ粒子
のみを分離・抽出することで単分散化する必要がある。
ここでは、サイズ選択光エッチング法を用いる。
ノ粒子の単分散化 サイズ選択光エッチング法は、半導体ナノ粒子が量子サ
イズ効果により粒径減少に伴ってエネルギーギャップが
増大すること、及び金属カルコゲナイド半導体が溶存酸
素下で光照射により酸化溶解することを利用しており、
広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子に、その吸収端の
波長よりも短い波長の単色光を照射することで、粒径の
大きな半導体ナノ粒子のみを選択的に光励起し溶解さ
せ、より小さな半導体ナノ粒子へと粒径をそろえていく
方法である。
を窒素ガスでバブリングを行い、さらに10分間酸素に
よるバブリングを行う。その後、メチルビオロゲンを溶
液中に50μmol/lになるように加え、攪拌を行い
ながらレーザーを当てる。このとき、照射するレーザー
の波長は、短波長側へ段階的にシフトさせていく。ま
た、用いる光源は波長に応じて600mVのアルゴンイ
オンレーザー(IONLASER TECHNOLG
Y,MODEL 5500AMC−00)及び500W
Hgランプ(ウシオ電機MODEL UI−501C)
と光学フィルター(東芝色ガラスフィルターL−39,
Y−43)を用いた。
76.5nmの波長の光を照射した場合、平均粒径3.
2nm、標準偏差0.19nmであり、標準偏差が平均
粒径の約6%と非常に狭い粒径分布を示す。すなわち、
きわめて単分散に近い半導体ナノ粒子溶液を得ることが
できる。
び無機成分による被覆を行うことが望ましい。ところ
で、半導体ナノ粒子をZnSで被覆する方法において
は、無極性溶媒中で行う方法が確立されており、この場
合、TOP/TOPO等により安定化された半導体ナノ
粒子を準備する必要がある。ヘキサメタリン酸により安
定化された半導体ナノ粒子を用いて、TOP/TOPO
により安定化されたナノ粒子へのZnSによる被覆をお
こなうためには、ヘキサメタリン酸を安定化剤とした半
導体ナノ粒子からTOP/TOPOを安定化剤とした半
導体ナノ粒子に変換する必要がある。
をヘキサメタリン酸からTOP/TOPOに置換させる
のと同時に抽出を行う方法について説明する。前記抽出
方法は、半導体ナノ粒子表面の安定化剤を置換するのと
同時に、分液抽出を行う方法である。すなわち、水層で
安定なヘキサメタリン酸で安定化された半導体ナノ粒子
表面を、TOP/TOPOに置換することで親油性と
し、有機層へ移動したTOP/TOPOで安定化された
半導体ナノ粒子を分液抽出する方法である。
れた1000mlヘキサメタリン酸半導体ナノ粒子溶液
をエバポレートし、150mlまで濃縮を行う。これに
TOP10gまたはTOP4g、TOPO7gまたはT
OPO10gを加え長時間攪拌を行う。この場合、TO
P/TOPOの割合及び総量はその値を問わない。その
後ヘキサンを100ml加え、分液を行い、有機層を回
収した。さらに回収した溶液は、無水硫酸ナトリウムを
加え攪拌を行った後、減圧限外濾過をおこない、エバポ
レートしてヘキサンを除く。得られた溶液を無水メタノ
ール中に加え、遠心分離(5000rpm、10分間)
により沈殿を回収した。さらに、無水ブタノールによる
洗浄の後、遠心分離(5000rpm、10分間)によ
る沈殿の回収を数回繰り返し、TOP/TOPOにより
安定化された半導体ナノ粒子を得ることができた。
記サイズ選択光エッチング法により得られた半導体ナノ
粒子と同一のものである。したがって、非常に狭い粒径
分布を持ち、半導体ナノ粒子としての特性をすでに持っ
ている。しかしながら、この状態での半導体ナノ粒子
は、禁制帯中に半導体ナノ粒子表面のエネルギーレベル
が存在するため、よい発光特性が得られない。したがっ
て、禁制帯中に存在するエネルギーレベルを除去するた
めに、バルク半導体ナノ粒子を有機成分及び無機成分に
より被覆を行うことが望ましい。
は、トリ−n−オクチルホスフィン(TOP)及びトリ
−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)による
CdSeの被覆、CdSによるCdSeの被覆、ZnS
によるCdSの被覆、SiO 2によるSiの被覆、Zn
SによるCdSeの被覆、CdSeによるZnSの被覆
などが試されている。ここでは、TOP/TOPOによ
り安定化されたCdS半導体ナノ粒子をZnSで被覆す
る方法について説明する。
半導体ナノ粒子を、酸化亜鉛(2.5mmol)、TD
PA(5mmol)、TOPO(7.7g)と共に混合
し、を反応容器に入れ窒素雰囲気下にした。これら粉末
を反応容器中で温度300℃まで上昇させて、光学的に
透明な黄色の溶液とした。その後、攪拌をはじめ、反応
容器中の温度を270℃まで下げ、S(Powder)
(1mmol)とTOP(4g)をゆっくり注入した。
注入後、温度を150℃まで下げ、6時間反応を行っ
た。
注出され、25mlの無水メタノール中に急速に注入し
急冷を行った。この溶液を遠心分離(5000rpm、
10分間)した後、沈殿を回収した。前記沈殿は、無水
ブタノール溶液で洗浄後、遠心分離(5000rpm、
10分間)をして、沈殿を回収する操作を数回繰り返し
た。最終的に前記沈殿は、ヘキサン中に溶解した後、遠
心分離(5000rpm、10分間)をし、上清を回収
した。前記上清は、エバポレートし、粉末状の複層半導
体ナノ粒子を調製した。
nSで被覆した複層半導体ナノ粒子の吸収スペクトル
と、比較のためにCdSのみの半導体ナノ粒子の吸収ス
ペクトルを図2に示す。また、CdSをZnSで被覆し
た複層半導体ナノ粒子の蛍光スペクトルと、比較のため
にCdSのみの半導体ナノ粒子の蛍光スペクトルを図3
に示す。
体ナノ粒子製造方法は、非常に容易にかつ大量の半導体
ナノ粒子を製造することを可能とするだけでなく、非常
に狭い粒径分布をもつ半導体ナノ粒子を製造することが
可能である。また、バンドギャップの禁制帯内のエネル
ギーバンドを除去するため、半導体ナノ粒子の表面を無
機成分で被覆することで、波長幅の狭いピークを持つス
ペクトルを示す複層半導体ナノ粒子を調製することがで
きる。しかし、前者と後者の間には、安定化剤の相違に
よる問題により、一連の方法として組み合わせることが
困難であった。本発明において、安定化剤の相違による
問題が解決され、前者と後者の長所を含んだ複層ナノ粒
子の調製に成功した。また、複層化においては、酸化亜
鉛、テトラデカンリン酸(TDPA)、トリ−n−オク
チルホスフィンオキシド(TOPO)、トリ−n−オク
チルホスフィン(TOP)、S(Powder)のよう
な安定な材料を用いることができるようになった。本発
明で製造される複層半導体ナノ粒子は、波長幅の狭いピ
ークを有するスペクトルを示すため、生体高分子の検出
に用いる際に多くの情報量を容易に検出できる他に、バ
イオイメージングへの応用が期待出来る。
模式図。
の吸収スペクトルと、CdSのみの半導体ナノ粒子の吸
収スペクトル。
の蛍光スペクトルと、CdSのみの半導体ナノ粒子の蛍
光スペクトル。
Claims (10)
- 【請求項1】表面安定化剤によって安定化された単分散
半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換するこ
とにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安定
化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動さ
せ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出
を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方
法。 - 【請求項2】前記単分散半導体ナノ粒子がサイズ選択光
エッチング法で得られたことを特徴とする請求項1に記
載の複層半導体ナノ粒子の製造方法。 - 【請求項3】前記単分散半導体ナノ粒子が逆ミセル法で
得られたことを特徴とする請求項1に記載の複層半導体
ナノ粒子の製造方法。 - 【請求項4】前記親水性を与える表面安定剤が、ヘキサ
メタリン酸、ポリビニルピロリドン、グリコールジメチ
ルエーテル、又はチオール化合物であることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれかに記載の複層半導体ナノ粒子
の製造方法。 - 【請求項5】前記親油性を与える表面安定剤が、トリ−
n−オクチルホスフィン、及び/又はトリ−n−オクチ
ルホスフィンオキシドであることを特徴とする請求項1
〜4のいずれかに記載の複層半導体ナノ粒子の製造方
法。 - 【請求項6】前記親水性から親油性に変性された半導体
ナノ粒子を、酸化亜鉛、1−テトラデカンリン酸(TD
PA)、トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TO
PO)、トリ−n−オクチルホスフィン(TOP)及び
S(Powder)を高温環境下にて反応させることに
より調製されることを特徴とする請求項1〜5に記載の
複層半導体ナノ粒子の製造方法。 - 【請求項7】核及び核表面に均一に積層されている被覆
層の材質が、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、C
dO、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgS
e、HgTe、InP、InAs、GaN、GaP、G
aAs、TiO2、WO3、PbS、又はPbSeである
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の複層
半導体ナノ粒子の製造方法。 - 【請求項8】核の材質がCdSであり、核表面に均一に
積層されている被覆層の材質がZnSであることを特徴
とする請求項7に記載の複層半導体ナノ粒子の製造方
法。 - 【請求項9】請求項1〜8のいずれかに記載の方法によ
って製造され、励起されたときに半値全幅(FWHM)
約50nm以下の波長幅の狭い領域においてピークを示
す蛍光を発することを特徴とする複層半導体ナノ粒子。 - 【請求項10】前記複層半導体ナノ粒子の粒径が直径1
0%rms未満の偏差を示すことを特徴とする請求項9
に記載の複層半導体ナノ粒子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002028022A JP4113361B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 複層半導体ナノ粒子の製造方法 |
US10/348,002 US6911082B2 (en) | 2002-02-05 | 2003-01-22 | Method of manufacturing a multi-layer semiconductor nanoparticle, and a multi-layer semiconductor nanoparticle manufactured by the method |
DE60317586T DE60317586T2 (de) | 2002-02-05 | 2003-01-23 | Verfahren zur Herstellen eines mehrschichtigen Halbleiter-Nanopartikels und einmehrschichtiger Halbleiter-Nanopartikel, hergestellt durch das Verfahren |
EP03001539A EP1333064B1 (en) | 2002-02-05 | 2003-01-23 | Method of manufacturing a multi-layer semiconductor nanoparticle, and a multi-layer semiconductor nanoparticle manufactured by the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002028022A JP4113361B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 複層半導体ナノ粒子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003226521A true JP2003226521A (ja) | 2003-08-12 |
JP4113361B2 JP4113361B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=19192423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002028022A Expired - Fee Related JP4113361B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 複層半導体ナノ粒子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6911082B2 (ja) |
EP (1) | EP1333064B1 (ja) |
JP (1) | JP4113361B2 (ja) |
DE (1) | DE60317586T2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213472A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子製造方法 |
JP2005325016A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法 |
WO2006009124A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 蛍光体、及びその製造方法 |
JP2007130755A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノ粒子のコーティング方法 |
US7709103B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor, manufacturing method thereof and light emitting device using the same |
JP2016145328A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-12 | スタンレー電気株式会社 | 量子ドット集合体、及び、その製造方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4005850B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2007-11-14 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | 半導体ナノ粒子製造方法 |
JP3847677B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2006-11-22 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | 半導体ナノ粒子、その製造方法、及び半導体ナノ粒子蛍光試薬 |
JP4230741B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-02-25 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | 半導体ナノ粒子の精製方法 |
WO2005002007A2 (en) * | 2003-03-20 | 2005-01-06 | The Research Foundation Of State University Of Newyork | Process for producing semiconductor nanocrystal cores, core-shell, core-buffer-shell, and multiple layer systems in a non-coordinating solvent utilizing in situ surfactant generation |
US7190264B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-03-13 | Simon Fraser University | Wireless computer monitoring device with automatic arming and disarming |
CN1232608C (zh) * | 2004-04-06 | 2005-12-21 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 在液-液界面上纳米半导体发光材料的合成方法 |
US7340957B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-03-11 | Los Alamos National Security, Llc | Ultrasonic analyte concentration and application in flow cytometry |
WO2006023612A2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Zetetic Institute | Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers |
CN1325577C (zh) * | 2004-12-03 | 2007-07-11 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 合成有机包覆剂包覆的二氧化钛纳米粒子的方法 |
US7625835B2 (en) * | 2005-06-10 | 2009-12-01 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Photocatalyst and use thereof |
US20070037365A1 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-15 | Ranganath Tirumala R | Semiconductor nanostructures and fabricating the same |
US20090218551A1 (en) * | 2005-11-29 | 2009-09-03 | Suvankar Sengupta | Bulk thermoelectric compositions from coated nanoparticles |
US7835000B2 (en) | 2006-11-03 | 2010-11-16 | Los Alamos National Security, Llc | System and method for measuring particles in a sample stream of a flow cytometer or the like |
EP2479552B1 (en) | 2007-04-02 | 2015-09-02 | Acoustic Cytometry Systems, Inc. | Methods for enhanced analysis of acoustic field focused cells and particles |
US8083068B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-12-27 | Los Alamos National Security, Llc | Apparatus for separating particles utilizing engineered acoustic contrast capture particles |
US7837040B2 (en) * | 2007-04-09 | 2010-11-23 | Los Alamos National Security, Llc | Acoustic concentration of particles in fluid flow |
US8528406B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-09-10 | Los Alamos National Security, LLP | Method for non-contact particle manipulation and control of particle spacing along an axis |
US8263407B2 (en) | 2007-10-24 | 2012-09-11 | Los Alamos National Security, Llc | Method for non-contact particle manipulation and control of particle spacing along an axis |
US8266951B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-09-18 | Los Alamos National Security, Llc | Particle analysis in an acoustic cytometer |
AU2009308162B2 (en) * | 2008-10-24 | 2015-07-09 | Life Technologies Corporation | Stable nanoparticles and methods of making and using such particles |
KR101942966B1 (ko) | 2011-08-18 | 2019-01-29 | 삼성전자주식회사 | 단분산 입자의 제조 방법, 이에 따라 제조된 단분산 입자 및 가변 광결정 소자 |
KR101968634B1 (ko) | 2011-08-24 | 2019-04-15 | 삼성전자주식회사 | 고굴절률 나노 입자의 제조 방법, 이에 따라 제조된 나노 입자 및 나노 입자를 이용한 광결정 소자 |
US9593053B1 (en) | 2011-11-14 | 2017-03-14 | Hypersolar, Inc. | Photoelectrosynthetically active heterostructures |
CN103013520B (zh) * | 2012-10-25 | 2014-06-18 | 深圳先进技术研究院 | 水溶性近红外量子点,其制备方法及应用 |
US10100415B2 (en) | 2014-03-21 | 2018-10-16 | Hypersolar, Inc. | Multi-junction artificial photosynthetic cell with enhanced photovoltages |
KR102342801B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2021-12-22 | 고려대학교 세종산학협력단 | 글라임 용매를 기반으로 하는 CdSe 코어를 포함하는 코어-쉘 구조 제조방법 및 이로부터 제조된 CdSe 코어를 포함하는 코어-쉘 구조 |
DE102023104816A1 (de) * | 2023-02-28 | 2024-08-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Cadmium und/oder Zink Chalkogenid Nanopartikel als Katalysatormaterial für CO2 Reduktion |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5441712A (en) * | 1993-10-15 | 1995-08-15 | Bhp Minerals International Inc. | Hydrometallurgical process for producing zinc oxide |
JP3266426B2 (ja) * | 1994-10-11 | 2002-03-18 | 株式会社リコー | 複写機の原稿押え装置 |
US6120751A (en) * | 1997-03-21 | 2000-09-19 | Imarx Pharmaceutical Corp. | Charged lipids and uses for the same |
US6322901B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
JP4005850B2 (ja) | 2002-06-10 | 2007-11-14 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | 半導体ナノ粒子製造方法 |
-
2002
- 2002-02-05 JP JP2002028022A patent/JP4113361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-22 US US10/348,002 patent/US6911082B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-23 EP EP03001539A patent/EP1333064B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-23 DE DE60317586T patent/DE60317586T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213472A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子製造方法 |
JP2005325016A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法 |
WO2006009124A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 蛍光体、及びその製造方法 |
JP5136877B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2013-02-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 蛍光体、及びその製造方法 |
US7709103B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor, manufacturing method thereof and light emitting device using the same |
JP2007130755A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノ粒子のコーティング方法 |
JP2016145328A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-12 | スタンレー電気株式会社 | 量子ドット集合体、及び、その製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60317586T2 (de) | 2008-10-23 |
US6911082B2 (en) | 2005-06-28 |
US20030162393A1 (en) | 2003-08-28 |
EP1333064B1 (en) | 2007-11-21 |
DE60317586D1 (de) | 2008-01-03 |
EP1333064A2 (en) | 2003-08-06 |
JP4113361B2 (ja) | 2008-07-09 |
EP1333064A3 (en) | 2005-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003226521A (ja) | 複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子 | |
JP3847677B2 (ja) | 半導体ナノ粒子、その製造方法、及び半導体ナノ粒子蛍光試薬 | |
JP5188070B2 (ja) | カルコパイライトナノ粒子の製造方法及び光電変換素子 | |
JP4230741B2 (ja) | 半導体ナノ粒子の精製方法 | |
Panda et al. | Gradated alloyed CdZnSe nanocrystals with high luminescence quantum yields and stability for optoelectronic and biological applications | |
US7534488B2 (en) | Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes | |
JP4555055B2 (ja) | 高発光特性を有する半導体ナノ粒子 | |
KR101941299B1 (ko) | 고 발광성 반도체 나노결정 | |
JP2004352594A (ja) | ナノ粒子製造方法及びこの方法によって製造されたナノ粒子 | |
Oluwafemi et al. | Ternary quantum dots: Synthesis, properties, and applications | |
Xing et al. | Highly-fluorescent alloyed quantum dots of CdSe1− xTex synthesized in paraffin liquid: gradient structure and promising bio-application | |
Yadav et al. | Investigation of Photophysical Properties of Ternary Zn–Ga–S Quantum Dots: Band Gap versus Sub-Band-Gap Excitations and Emissions | |
JP4418220B2 (ja) | 耐久性に優れたナノ粒子及びその製造方法 | |
KR100876258B1 (ko) | 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 | |
Rengers et al. | Quantum dots and quantum rods | |
Kim et al. | The effects of staggered bandgap in the InP/CdSe and CdSe/InP core/shell quantum dots | |
JP4005850B2 (ja) | 半導体ナノ粒子製造方法 | |
KR20090010412A (ko) | 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 | |
Talapin | Experimental and theoretical studies on the formation of highly luminescent II-VI, III-V and core-shell semiconductor nanocrystals | |
KR100940009B1 (ko) | 반도체 나노입자 제조를 위한 단일 전구체 | |
Brichkin et al. | Colloidal Quantum Dots: 2. Methods for the Synthesis of Colloidal Quantum Dots | |
Xue et al. | Study on the photoluminescence character of water-soluble CdSe nanocrystals under ambient conditions | |
Antonello et al. | Synthesis and tailoring of CdSe core@ shell heterostructures for optical applications | |
Siramdas | Tuning the size and surface of InP nanocrystals by microwave-assisted ionic liquid etching | |
Piquette | The fabrication of nanometric metal sulfides from xanthate precursors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040607 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |