JP2003207678A - 光ファイバブロック - Google Patents
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/40—Mechanical coupling means having fibre bundle mating means
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3632—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means
- G02B6/3636—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means the mechanical coupling means being grooves
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- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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- G02B6/3648—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures
- G02B6/3652—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures the additional structures being prepositioning mounting areas, allowing only movement in one dimension, e.g. grooves, trenches or vias in the microbench surface, i.e. self aligning supporting carriers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エポキシ樹脂の影響を最小化して信頼性が高
く、V型溝へのベア光ファイバの実装が容易で、多数の
V型溝のうち両端に位置したV型溝に光ファイバを実装
することが容易である光ファイバブロックを提供する。 【解決手段】 光導波装置を整列するための光ファイバ
ブロックは、その両端に配置された第1V型溝と、前記
第1V型溝の両端の間に配置された前記第1V型溝と相
違する第2V型溝のアレイとを有し、リボン光ファイバ
の非コーティング光ファイバを収容するためのV型溝ア
レイを含む光ファイバ整列部分と、前記光ファイバのコ
ーティング材質による応力を減少させるために、前記光
ファイバ整列部分から所定の深さまで延長した応力減少
深さ部分と、から構成される。
く、V型溝へのベア光ファイバの実装が容易で、多数の
V型溝のうち両端に位置したV型溝に光ファイバを実装
することが容易である光ファイバブロックを提供する。 【解決手段】 光導波装置を整列するための光ファイバ
ブロックは、その両端に配置された第1V型溝と、前記
第1V型溝の両端の間に配置された前記第1V型溝と相
違する第2V型溝のアレイとを有し、リボン光ファイバ
の非コーティング光ファイバを収容するためのV型溝ア
レイを含む光ファイバ整列部分と、前記光ファイバのコ
ーティング材質による応力を減少させるために、前記光
ファイバ整列部分から所定の深さまで延長した応力減少
深さ部分と、から構成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面光導波路と光
ファイバとを連結する光ファイバブロックに関し、特
に、出力側であるリボン光ファイバの光ファイバブロッ
クに関する。
ファイバとを連結する光ファイバブロックに関し、特
に、出力側であるリボン光ファイバの光ファイバブロッ
クに関する。
【0002】
【従来の技術】一般的な平面光導波路は、チップ形の光
素子であり、光信号の分岐、変調、スイッチング、信号
多重化などの光信号処理を目的として、広範囲に使用さ
れる。前記のような平面光導波路を光ファイバに整列さ
れた状態で連結するために光ファイバブロックが使用さ
れる。前記光ファイバブロックは、シリコン材質であ
り、ウェットエッチング(wet etching)工程を通して製
作される。
素子であり、光信号の分岐、変調、スイッチング、信号
多重化などの光信号処理を目的として、広範囲に使用さ
れる。前記のような平面光導波路を光ファイバに整列さ
れた状態で連結するために光ファイバブロックが使用さ
れる。前記光ファイバブロックは、シリコン材質であ
り、ウェットエッチング(wet etching)工程を通して製
作される。
【0003】図1は、一般的な平面光導波路10及び入
出力側光ファイバブロック12、14の連結状態を示
す。図1に示すように、それぞれの入出力側光ファイバ
ブロック12、14は、平面光導波路10をそれぞれの
単一光ファイバF1及びリボン光ファイバF2に連結す
る。前記単一光ファイバF1を通してN個の波長が平面
光導波路10の入力ポートに入力され、入力された光信
号は、平面光導波路10を経由してリボン光ファイバF
2を通して出力される。前記入出力側光ファイバブロッ
ク12、14は、接着剤B、例えば、エポキシ樹脂のよ
うな接着剤を利用して、光ファイバの整列された状態を
固定する。あわせて、前記平面光導波路10の入力側や
出力側にガラスカバー(glass cover)G1、G2が接着
される。さらに、前記入出力側光ファイバブロック1
2、14もそれぞれガラスカバーG3、G4が付着され
て整列された光ファイバブロック12、14を固定す
る。
出力側光ファイバブロック12、14の連結状態を示
す。図1に示すように、それぞれの入出力側光ファイバ
ブロック12、14は、平面光導波路10をそれぞれの
単一光ファイバF1及びリボン光ファイバF2に連結す
る。前記単一光ファイバF1を通してN個の波長が平面
光導波路10の入力ポートに入力され、入力された光信
号は、平面光導波路10を経由してリボン光ファイバF
2を通して出力される。前記入出力側光ファイバブロッ
ク12、14は、接着剤B、例えば、エポキシ樹脂のよ
うな接着剤を利用して、光ファイバの整列された状態を
固定する。あわせて、前記平面光導波路10の入力側や
出力側にガラスカバー(glass cover)G1、G2が接着
される。さらに、前記入出力側光ファイバブロック1
2、14もそれぞれガラスカバーG3、G4が付着され
て整列された光ファイバブロック12、14を固定す
る。
【0004】図2は、光ファイバブロック14及びガラ
スカバーG4を利用して整列された状態を示す。図2に
示す光ファイバブロック14は、出力側光ファイバブロ
ックである。あわせて、図2に示す光ファイバブロック
14は、ガラスカバーG4と結合された後、垂直線L1
を基準にして所定の角度(θ)で研磨された状態を示す。
前記光ファイバブロック14及びカバーG4を結合した
状態においては、平面光導波路10に結合される前に研
磨工程を経ながら所定の研磨面16が提供される。前記
研磨面16は、光損失を減少させる。
スカバーG4を利用して整列された状態を示す。図2に
示す光ファイバブロック14は、出力側光ファイバブロ
ックである。あわせて、図2に示す光ファイバブロック
14は、ガラスカバーG4と結合された後、垂直線L1
を基準にして所定の角度(θ)で研磨された状態を示す。
前記光ファイバブロック14及びカバーG4を結合した
状態においては、平面光導波路10に結合される前に研
磨工程を経ながら所定の研磨面16が提供される。前記
研磨面16は、光損失を減少させる。
【0005】図3に示すように、前記入出力側光ファイ
バブロックのうち、出力側光ファイバブロック14を例
にして詳細に説明する。図3に示す光ファイバブロック
14は、4コアのリボン光ファイバを支持するための光
ファイバブロックである。前記光ファイバブロック14
は、コーティングが剥がれたベア光ファイバ(bare opti
cal fiber)が配列されるための光ファイバ整列領域14
0と、リボン光ファイバのコーティングの厚さによって
発生する応力を減少させるために提供される応力減少深
さ領域142と、から構成される。前記光ファイバ整列
領域140に、ベア光ファイバが置かれるためのV型溝
14aが配列される。前記光ファイバ整列領域140及
び応力減少深さ領域142は、ウェットエッチング工程
によって非常に精密に製作される。
バブロックのうち、出力側光ファイバブロック14を例
にして詳細に説明する。図3に示す光ファイバブロック
14は、4コアのリボン光ファイバを支持するための光
ファイバブロックである。前記光ファイバブロック14
は、コーティングが剥がれたベア光ファイバ(bare opti
cal fiber)が配列されるための光ファイバ整列領域14
0と、リボン光ファイバのコーティングの厚さによって
発生する応力を減少させるために提供される応力減少深
さ領域142と、から構成される。前記光ファイバ整列
領域140に、ベア光ファイバが置かれるためのV型溝
14aが配列される。前記光ファイバ整列領域140及
び応力減少深さ領域142は、ウェットエッチング工程
によって非常に精密に製作される。
【0006】図4に示すように、前記のような光ファイ
バブロック14は、V型溝14aに置かれたベア光ファ
イバBFを支持し、それぞれ置かれたベア光ファイバB
Fの配列を固定させ、ベア光ファイバBF間のピッチ(p
itch)を正確に配置する機能をする。従って、前記光フ
ァイバブロック14において、V型溝14aの精密な製
作及びガラスカバーG4の正確な配置が大切である。あ
わせて、エポキシ樹脂のような接着剤Bを利用して整列
された光ファイバを維持することも非常に大事である。
バブロック14は、V型溝14aに置かれたベア光ファ
イバBFを支持し、それぞれ置かれたベア光ファイバB
Fの配列を固定させ、ベア光ファイバBF間のピッチ(p
itch)を正確に配置する機能をする。従って、前記光フ
ァイバブロック14において、V型溝14aの精密な製
作及びガラスカバーG4の正確な配置が大切である。あ
わせて、エポキシ樹脂のような接着剤Bを利用して整列
された光ファイバを維持することも非常に大事である。
【0007】しかしながら、従来の光ファイバブロック
を利用して平面光導波路と連結させる場合は、次のよう
な問題点が発生する。従来の光ファイバブロックは、シ
リコン材質で構成され、前記のようなシリコンウエハー
(silicon wafer)は、その結晶構造のため、マスク設計
によって常に一定のエッチング特性を有するので、12
7μmピッチで製作されたV型溝の場合、光ファイバが
安定的に実装できるようにV型溝の幅を十分広くして製
作することができないので、置かれた光ファイバを安定
して支持することができなく、実装作業の時、V型溝に
置かれた光ファイバが外れてしまう問題点が発生する。
さらに、光ファイバブロック及びガラスカバーが接合し
て、相互の離隔した空間が多くなるので、投入されるエ
ポキシの量も多くなり、その結果、熱変化によるエポキ
シの収縮及び膨張、これによる光ファイバアレイ及びガ
ラスの離脱現象が発生する問題点がある。実際投入され
たエポキシは、温度の変化によって収縮現象が発生す
る。投入されたエポキシの収縮及び膨張によってエポキ
シの層間剥離(delamination)現象が発生し、この現象
は、光ファイバの光損失の原因になる。
を利用して平面光導波路と連結させる場合は、次のよう
な問題点が発生する。従来の光ファイバブロックは、シ
リコン材質で構成され、前記のようなシリコンウエハー
(silicon wafer)は、その結晶構造のため、マスク設計
によって常に一定のエッチング特性を有するので、12
7μmピッチで製作されたV型溝の場合、光ファイバが
安定的に実装できるようにV型溝の幅を十分広くして製
作することができないので、置かれた光ファイバを安定
して支持することができなく、実装作業の時、V型溝に
置かれた光ファイバが外れてしまう問題点が発生する。
さらに、光ファイバブロック及びガラスカバーが接合し
て、相互の離隔した空間が多くなるので、投入されるエ
ポキシの量も多くなり、その結果、熱変化によるエポキ
シの収縮及び膨張、これによる光ファイバアレイ及びガ
ラスの離脱現象が発生する問題点がある。実際投入され
たエポキシは、温度の変化によって収縮現象が発生す
る。投入されたエポキシの収縮及び膨張によってエポキ
シの層間剥離(delamination)現象が発生し、この現象
は、光ファイバの光損失の原因になる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エポ
キシ樹脂の影響を最小化し、高信頼性の光ファイバブロ
ックを提供することにある。
キシ樹脂の影響を最小化し、高信頼性の光ファイバブロ
ックを提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、V型溝へのベア光フ
ァイバの実装が容易である光ファイバブロックを提供す
ることにある。
ァイバの実装が容易である光ファイバブロックを提供す
ることにある。
【0010】本発明のさらに他の目的は、多数のV型溝
のうち両端に位置したV型溝に光ファイバを実装するこ
とが容易である光ファイバブロックを提供することにあ
る。
のうち両端に位置したV型溝に光ファイバを実装するこ
とが容易である光ファイバブロックを提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために、本発明による光導波装置を整列するための
光ファイバブロックは、その両端に配置された第1V型
溝と、前記第1V型溝の両端の間に配置された前記第1
V型溝と相違する第2V型溝のアレイとを有し、リボン
光ファイバの非コーティング光ファイバを収容するため
のV型溝アレイを含む光ファイバ整列部分と、前記光フ
ァイバのコーティング材質による応力を減少させるため
に、前記光ファイバ整列部分から所定の深さまで延長し
た応力減少深さ部分と、から構成される。
するために、本発明による光導波装置を整列するための
光ファイバブロックは、その両端に配置された第1V型
溝と、前記第1V型溝の両端の間に配置された前記第1
V型溝と相違する第2V型溝のアレイとを有し、リボン
光ファイバの非コーティング光ファイバを収容するため
のV型溝アレイを含む光ファイバ整列部分と、前記光フ
ァイバのコーティング材質による応力を減少させるため
に、前記光ファイバ整列部分から所定の深さまで延長し
た応力減少深さ部分と、から構成される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う好適な実施形
態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の
説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、
関連した公知機能または構成に関する具体的な説明は省
略する。
態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の
説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、
関連した公知機能または構成に関する具体的な説明は省
略する。
【0013】光ファイバブロックは、波長分割多重化通
信システムにおいて、平面光導波路と光ファイバとの間
を整列して結合するための光素子である。光ファイバブ
ロックに光ファイバを配置し、ガラスカバーをかけた
後、整列された光ファイバを固定する。続いて、前記光
ファイバブロックを平面光導波路と整列した後、接着剤
やエポキシ樹脂を利用して前記整列状態を固定すること
が一般的な整列過程である。この時、波長分割多重化通
信システムは、波長多重化のために、光ファイバのう
ち、リボン光ファイバを出力用の光ファイバとして使用
する。出力側光ファイバとしては、チャネル数によって
4コア、8コア、16コア、またはそれ以上が使用され
る。
信システムにおいて、平面光導波路と光ファイバとの間
を整列して結合するための光素子である。光ファイバブ
ロックに光ファイバを配置し、ガラスカバーをかけた
後、整列された光ファイバを固定する。続いて、前記光
ファイバブロックを平面光導波路と整列した後、接着剤
やエポキシ樹脂を利用して前記整列状態を固定すること
が一般的な整列過程である。この時、波長分割多重化通
信システムは、波長多重化のために、光ファイバのう
ち、リボン光ファイバを出力用の光ファイバとして使用
する。出力側光ファイバとしては、チャネル数によって
4コア、8コア、16コア、またはそれ以上が使用され
る。
【0014】図5は、前記のようなリボン光ファイバの
それぞれの光ファイバを整列して支持する光ファイバブ
ロック20を示す。図5は、本発明の好適な一実施形態
による光ファイバブロック20を拡大して示す斜視図で
ある。図5に示すように、前記光ファイバブロック20
は、光ファイバ、特に、リボン光ファイバを整列するた
めにベア光ファイバが整列される光ファイバ整列部分2
10と、前記光ファイバ整列部分210から所定の深さ
でエッチングされた応力減少深さ部分220と、から構
成される。前記光ファイバ整列部分210には、リボン
光ファイバのベア光ファイバが整列されるための第1V
型溝213及び第2V型溝214を含むV型溝アレイ2
12が提供され、前記応力減少深さ部分220には、ベ
ア光ファイバの一部及びコーティングされた光ファイバ
が配置されて接着されるための平坦面220aが存在す
る。前記ベア光ファイバ(bare optical fiber)は、リボ
ン光ファイバのコーティング部分が剥がれた光ファイバ
である。
それぞれの光ファイバを整列して支持する光ファイバブ
ロック20を示す。図5は、本発明の好適な一実施形態
による光ファイバブロック20を拡大して示す斜視図で
ある。図5に示すように、前記光ファイバブロック20
は、光ファイバ、特に、リボン光ファイバを整列するた
めにベア光ファイバが整列される光ファイバ整列部分2
10と、前記光ファイバ整列部分210から所定の深さ
でエッチングされた応力減少深さ部分220と、から構
成される。前記光ファイバ整列部分210には、リボン
光ファイバのベア光ファイバが整列されるための第1V
型溝213及び第2V型溝214を含むV型溝アレイ2
12が提供され、前記応力減少深さ部分220には、ベ
ア光ファイバの一部及びコーティングされた光ファイバ
が配置されて接着されるための平坦面220aが存在す
る。前記ベア光ファイバ(bare optical fiber)は、リボ
ン光ファイバのコーティング部分が剥がれた光ファイバ
である。
【0015】前記光ファイバブロック20において、2
回のウェットエッチング工程を遂行することによって、
シリコン材質のウエハー上にV型溝アレイ212が提供
された光ファイバ整列部分210及び応力減少深さ部分
220が形成される。本発明の好適な一実施形態による
光ファイバブロック20に提供されたV型溝アレイ21
2の構成に関して説明すると、下記のようである。図5
は、8コアのリボン光ファイバを支持するための光ファ
イバブロック20を示す。前記V型溝アレイ212は、
両端に位置した第1V型溝213のサイズがその間に配
置された第2V型溝214に比べて大きく構成される。
つまり、前記光ファイバブロック20は、前記両端に位
置した第1V型溝213と、前記第1V型溝213と相
違する第2V型溝214と、から構成される。
回のウェットエッチング工程を遂行することによって、
シリコン材質のウエハー上にV型溝アレイ212が提供
された光ファイバ整列部分210及び応力減少深さ部分
220が形成される。本発明の好適な一実施形態による
光ファイバブロック20に提供されたV型溝アレイ21
2の構成に関して説明すると、下記のようである。図5
は、8コアのリボン光ファイバを支持するための光ファ
イバブロック20を示す。前記V型溝アレイ212は、
両端に位置した第1V型溝213のサイズがその間に配
置された第2V型溝214に比べて大きく構成される。
つまり、前記光ファイバブロック20は、前記両端に位
置した第1V型溝213と、前記第1V型溝213と相
違する第2V型溝214と、から構成される。
【0016】図6A及び図6Bに示すように、本発明に
よる光ファイバブロック20において、2回のウェット
エッチング工程を通してV型溝が製作される。前記光フ
ァイバブロック20において、1次ウェットエッチング
工程を通してシリコンウエハーSに第1エッチング部分
E1が提供され、2次ウェットエッチング工程を通して
第2エッチング部分E2が提供される。勿論、前記第
1、第2エッチング部分E1、E2は、フォトマスク
(図示せず)によってエッチング工程において決定され
る。
よる光ファイバブロック20において、2回のウェット
エッチング工程を通してV型溝が製作される。前記光フ
ァイバブロック20において、1次ウェットエッチング
工程を通してシリコンウエハーSに第1エッチング部分
E1が提供され、2次ウェットエッチング工程を通して
第2エッチング部分E2が提供される。勿論、前記第
1、第2エッチング部分E1、E2は、フォトマスク
(図示せず)によってエッチング工程において決定され
る。
【0017】前記第1エッチング部分E1は、シリコン
ウエハーSにおいて所定の深さで平面形で提供され、前
記第2エッチング部分E2は、前記第1エッチング部分
E1から所定の深さで多数のV型溝及び応力減少深さ部
分が提供される。
ウエハーSにおいて所定の深さで平面形で提供され、前
記第2エッチング部分E2は、前記第1エッチング部分
E1から所定の深さで多数のV型溝及び応力減少深さ部
分が提供される。
【0018】図5に示すように、2回のエッチング工程
を通して製作された前記多数のV型溝は、両端に位置し
た第1V型溝213及び前記第1V型溝213間に位置
した第2V型溝214から構成される。前記第2V型溝
214が第1V型溝213より上面210aを基準にし
て深い位置に提供される。従って、本発明による光ファ
イバブロック20を利用して光ファイバを整列すると、
前記第1、第2V型溝213、214は、光ファイバを
収容することができる。前記第1、第2V型溝213、
214に整列された光ファイバは、光ファイバブロック
上面210aを基準にして下側に位置する。
を通して製作された前記多数のV型溝は、両端に位置し
た第1V型溝213及び前記第1V型溝213間に位置
した第2V型溝214から構成される。前記第2V型溝
214が第1V型溝213より上面210aを基準にし
て深い位置に提供される。従って、本発明による光ファ
イバブロック20を利用して光ファイバを整列すると、
前記第1、第2V型溝213、214は、光ファイバを
収容することができる。前記第1、第2V型溝213、
214に整列された光ファイバは、光ファイバブロック
上面210aを基準にして下側に位置する。
【0019】図7及び図8は、光ファイバブロックのV
型溝213、214にベア光ファイバが整列された後、
エポキシ樹脂及びガラスカバーによって固定された状態
を示す。図7及び図8に示すように、前記第1V型溝2
13が第2V型溝214に比べて収容空間が大きいの
で、前記第1V型溝213にベア光ファイバを配置して
整列させることが容易である。さらに、前記第1、第2
V型溝213、214にベア光ファイバBFを収容する
ことができるので、前記ガラスカバー30と光ファイバ
ブロック20の上面210aが最大に近接することがで
き、これによって、エポキシBの影響を最小化すること
ができる。図8に示す光ファイバブロック20及びガラ
スカバー30は、所定の角度(θ)で傾けられた研磨ライ
ンL2に沿って研磨されることによって、最終的な整列
状態が完成される。
型溝213、214にベア光ファイバが整列された後、
エポキシ樹脂及びガラスカバーによって固定された状態
を示す。図7及び図8に示すように、前記第1V型溝2
13が第2V型溝214に比べて収容空間が大きいの
で、前記第1V型溝213にベア光ファイバを配置して
整列させることが容易である。さらに、前記第1、第2
V型溝213、214にベア光ファイバBFを収容する
ことができるので、前記ガラスカバー30と光ファイバ
ブロック20の上面210aが最大に近接することがで
き、これによって、エポキシBの影響を最小化すること
ができる。図8に示す光ファイバブロック20及びガラ
スカバー30は、所定の角度(θ)で傾けられた研磨ライ
ンL2に沿って研磨されることによって、最終的な整列
状態が完成される。
【0020】前述の如く、本発明の詳細な説明では具体
的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明
の範囲は前記実施形態によって限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明
の範囲は前記実施形態によって限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
【0021】
【発明の効果】前述してきたように、本発明は、V型溝
がベア光ファイバの全体を収容することができることに
よって、光ファイバブロック及びガラスカバーが結合さ
れる場合、その間の空間を最小化して投入されるエポキ
シの量を最小化することができる。従って、エポキシの
影響が最小になり、素子の信頼性を高めることができ
る。さらに、本発明は、ベア光ファイバをV型溝に整列
させる場合、両端に位置したV型溝のサイズが残りのV
型溝のサイズより大きく構成されたので、ベア光ファイ
バの実装が容易になるという利点がある。
がベア光ファイバの全体を収容することができることに
よって、光ファイバブロック及びガラスカバーが結合さ
れる場合、その間の空間を最小化して投入されるエポキ
シの量を最小化することができる。従って、エポキシの
影響が最小になり、素子の信頼性を高めることができ
る。さらに、本発明は、ベア光ファイバをV型溝に整列
させる場合、両端に位置したV型溝のサイズが残りのV
型溝のサイズより大きく構成されたので、ベア光ファイ
バの実装が容易になるという利点がある。
【図1】 従来の平面光導波路と入出力光ファイバとを
接合するために、それぞれ入出力光ファイバブロックが
使用された状態を拡大して示す斜視図である。
接合するために、それぞれ入出力光ファイバブロックが
使用された状態を拡大して示す斜視図である。
【図2】 従来の一実施形態による光ファイバブロック
及びカバーによって支持された光ファイバの接合状態を
拡大して示す斜視図である。
及びカバーによって支持された光ファイバの接合状態を
拡大して示す斜視図である。
【図3】 従来の一実施形態による光ファイバブロック
を拡大して示す斜視図である。
を拡大して示す斜視図である。
【図4】 従来の一実施形態による光ファイバブロック
を利用してリボン光ファイバブロックを支持した状態を
示す正面図であり、特に、応力発生部分を示す正面図で
ある。
を利用してリボン光ファイバブロックを支持した状態を
示す正面図であり、特に、応力発生部分を示す正面図で
ある。
【図5】 本発明の好適な一実施形態による光ファイバ
整列用のブロックを示す斜視図である。
整列用のブロックを示す斜視図である。
【図6A】 本発明の好適な一実施形態による光ファイ
バ整列用のブロックの製作過程を示す図である。
バ整列用のブロックの製作過程を示す図である。
【図6B】 本発明の好適な一実施形態による光ファイ
バ整列用のブロックの製作過程を示す図である。
バ整列用のブロックの製作過程を示す図である。
【図7】 本発明の好適な一実施形態による光ファイバ
整列用のブロックを利用してリボン光ファイバを支持し
た状態を示す斜視図である。
整列用のブロックを利用してリボン光ファイバを支持し
た状態を示す斜視図である。
【図8】 図7の正面図である。
210 光ファイバ整列部分
212 V型溝アレイ
213 第1V溝
214 第2V溝
220 応力減少深さ部分
BF ベア光ファイバ(非コーティング光ファイバ)
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 金 宰完
大韓民国大邱廣域市壽城區泛漁4洞(番地
なし) 範一アパートC棟202號
(72)発明者 金 鍾烈
大韓民国慶尚北道龜尾市黄桑洞119番地1
號
Fターム(参考) 2H036 JA02 KA02 LA03 LA07 LA08
2H037 AA01 BA24 BA31 DA02 DA12
DA17
Claims (4)
- 【請求項1】 光導波装置を整列するための光ファイバ
ブロックにおいて、 その両端に配置された第1V型溝と、前記第1V型溝の
両端の間に配置された前記第1V型溝と相違する第2V
型溝のアレイとを有し、リボン光ファイバの非コーティ
ング光ファイバを収容するためのV型溝アレイを含む光
ファイバ整列部分と、 前記光ファイバのコーティング材質による応力を減少さ
せるために、前記光ファイバ整列部分から所定の深さま
で延長した応力減少深さ部分と、 から構成されることを特徴とする光ファイバブロック。 - 【請求項2】 前記第1V型溝より第2V型溝が深くエ
ッチングされることによって、第2V型溝が上面を基準
にして前記第1V型溝より下側に位置することを特徴と
する請求項1記載の光ファイバブロック。 - 【請求項3】 前記V型溝アレイにリボン光ファイバの
非コーティング光ファイバが置かれた場合、前記V型溝
アレイは、非コーティング光ファイバを十分収容できる
空間を備えることを特徴とする請求項1記載の光ファイ
バブロック。 - 【請求項4】 光導波装置を整列するための方法におい
て、 光を伝送するために出力側光ファイバブロックを設置す
る段階と、 光ファイバ整列部分を形成するために、前記光ファイバ
ブロックを一端側上に所定の第1深さで第1エッチング
を遂行し、前記V型溝アレイを形成するために、所定の
第2深さで前記一端側上に第2エッチングを遂行する段
階と、 応力減少深さ領域を形成するために前記光ファイバ整列
部分から所定の第3深さまで延長する前記光ファイバブ
ロックの他端側上に第3エッチングを遂行する段階と、 前記リボン光ファイバの非コーティング光ファイバが完
全に前記V型溝アレイに囲まれるように前記V型溝アレ
イに沿ってリボン光ファイバのそれぞれの非コーティン
グ光ファイバを整列する段階と、 前記光導波装置の一端に信号光を伝送するために前記V
型溝アレイに前記リボン光ファイバの非コーティング光
ファイバを接着する段階と、 から構成されることを特徴とする方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |