JP2003204153A

JP2003204153A - 配線基板及び電子源基板とそれらの製造方法、並びに該電子源基板を用いた画像表示装置

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Publication number: JP2003204153A
Application number: JP2002256371A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Toshima; 博彰戸島; Kazuya Ishiwatari; 和也石渡; Yoshiki Uda; 芳己宇田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2002-09-02
Publication date: 2003-07-18
Anticipated expiration: 2022-09-02
Also published as: JP4147072B2

Abstract

(57)【要約】【課題】単純マトリクス構成の配線構造を有する電子
源基板において、電子放出素子の電極と配線との電気的
接続の信頼性を高める得る製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、複数の電極対６，７を形成す
る工程と、電極対の一方（電極６）に接続される複数の
第一の配線層３を形成する工程と、第一の配線層３上に
層間絶縁層４を形成する工程と、層間絶縁層４上に、複
数の第一の配線層３と交差させて複数の第二の配線層５
を形成する工程と、電極対間に電子放出部を形成する工
程とを有する電子源基板の製造方法において、第二の配
線層５を形成する工程の前に、電極対の他方（電極７）
と第二の配線層５とを電気的に接続するために層間絶縁
層４に設けられる抜けパターン部分に、導体材料９を充
填する工程を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を２
次元平面上に複数個配設した電子源基板及びその製造方
法、並びに該電子源を用いた画像表示装置に関する。或
いは、それら電子源や表示装置やトランジスタアレイな
どの電子デバイスに用いられる配線基板とその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源
と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源
には、電界放出型（以下、ＦＥと記す）、金属／絶縁層
／金属（以下、ＭＩＭと記す）や表面伝導型電子放出素
子等がある。

【０００３】ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆
Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ”，ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈ
ｙｓｉｃｓ，８，８９，（１９５６）等が知られてい
る。

【０００４】ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａ
ｄ，“Ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎａｍｐｌｉｆ
ｉｅｒ”，Ｊ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３２，６４６（１
９６１）等が知られている。

【０００５】表面伝導型電子放出素子の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，（１９６５）等がある。

【０００６】表面伝導型電子放出素子は基板上に形成さ
れた小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記Ｅｌｉｎｓｏｎ
等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるも
の［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］，Ｉｎ₂Ｏ₃／Ｓｎ
Ｏ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅ
Ｄ．Ｃｏｎｆ．”，５１９，（１９７５）］、カーボン
薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１
号、２２ページ（１９８３）］等が報告されている。

【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌｌの素子
構成を図１６に示す。この図において９０１は、絶縁性
基板である。９０２は導電性薄膜で、スパッタリングで
形成されたＨ型形状の金属酸化物等からなり、後述のフ
ォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部９０５
が形成される。

【０００８】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜９０２を予め
フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部９
０５を形成するのが一般的であった。即ち、フォーミン
グとは、前記導電性薄膜９０２の両端に電圧を印加し導
電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電
気的に高抵抗な状態にした電子放出部９０５を形成する
ことである。

【０００９】電子源基板においては、前記電子放出素子
を複数個配置し、行配線および列配線によってマトリク
ス状に配線する。この場合、各配線と素子電極の接続部
の電気的導通が確保されていないと、配線によりフォー
ミング時各素子への均等な印加電圧が供給されず、その
結果、素子特性のばらつきが発生する。

【００１０】上記のような理由から、各配線と素子電極
の接続部の電気的導通が全素子に渡り完全に接続されて
いるマトリクス配線が要求されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図１３に従来法による
電子源基板における配線構造の上面模式図、図１４に従
来法による電子源基板の製造方法の工程フロー図、図１
５に従来法の場合に発生する体積収縮による膜浮きの概
念図を示す。尚、図１３及び図１４においては、行方向
配線の一部を切り欠いて示している。また、説明のため
に１素子分のエリアのみを抽出して図示しており、実際
の装置においてはこれが縦横に複数個配列される。

【００１２】これらの図において、１は電子放出部を含
む導電性膜、３は列方向配線、４は層間絶縁層、５は上
部導電層としての行方向配線、６，７は下部導電層とし
ての素子電極、８は層間絶縁層４に形成された抜けパタ
ーン（コンタクトホールやスルーホールまたはビアホー
ル等と呼ばれる）である。

【００１３】ここで、行方向配線５と素子電極７の接続
部は、行方向配線５が抜けパターン８に落ち込む構成で
形成されるために、接続部においては行方向配線５の膜
厚が厚くなる。さらに、低抵抗マトリクス配線を実現す
るに際しても、膜厚は厚くなる傾向にある。

【００１４】その結果、行方向配線５は厚膜材料で作製
されるので、熱応力が大きくなり、場合によっては、行
方向配線５と接続される素子電極７が、上記厚膜の保持
する熱応力によって引き裂かれる現象が発生し、上記部
分での電気的接続性を著しく阻害する場合があることが
確認されている。

【００１５】また、図１５に示すように、別の現象とし
て、行方向配線５は厚膜材料で作製されるが、材料の乾
燥状態の体積から高温焼成後の状態の体積が減少する。
この体積収縮の際の力により、行方向配線５と接続され
る素子電極７との接続部分の界面に浮きが発生し、体積
収縮の度合いによって結果的に上記部分での電気的接続
性を著しく阻害することが確認されている。

【００１６】本発明の主たる目的は、上記問題を解決
し、電子放出素子を用いた電子源基板、ひいては該電子
源基板を用いた画像表示装置の信頼性を高め得る製造方
法を提供することにある。本発明の別の目的は、上下の
導電層の電気的接続の信頼性を高めることができる配線
基板及び配線基板の製造方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、複
数の電極対を形成する工程と、該電極対の一方に接続さ
れる複数の第一の配線層を形成する工程と、該第一の配
線層上に層間絶縁層を形成する工程と、該層間絶縁層上
に、該複数の第一の配線層と交差させて複数の第二の配
線層を形成する工程と、該電極対間に電子放出部を形成
する工程とを有する電子源基板の製造方法において、前
記第二の配線層を形成する工程の前に、前記電極対の他
方と前記第二の配線層とを電気的に接続するために前記
層間絶縁層に設けられる抜けパターン部分に、導体材料
を充填する工程を有することを特徴とする。

【００１８】また、本発明は、基板上に、下部導電層を
形成する工程と、前記下部導電層上に層間絶縁層を形成
する工程と、該層間絶縁層上に該層間絶縁層に設けられ
た抜けパターンを介して該下部導電層に電気的に接続さ
れる上部導電層を形成する工程と、を有する配線基板の
製造方法において、前記上部導電層を形成する工程の前
に、前記抜けパターンに、導体材料を付与する工程を含
み、前記導体材料は、焼成時における体積減少率が１０
％以下の材料からなることを特徴とする。

【００１９】更に、本発明は、基板上に、下部導電層を
形成する工程と、前記下部導電層上に層間絶縁層を形成
する工程と、該層間絶縁層上に該層間絶縁層に設けられ
た抜けパターンを介して該下部導電層に電気的に接続さ
れる上部導電層を形成する工程と、を有する配線基板の
製造方法において、前記上部導電層を形成する工程の前
に、前記抜けパターンに、導体材料を付与する工程を含
み、前記導体材料は、導電体と、焼成時における体積減
少を抑止するための体積減少抑止剤と、を含む材料であ
ることを特徴とする。

【００２０】本発明の電子源基板の製造方法によれば、
単純マトリクス構成の配線構造（マトリクス配線）にお
いて、第二の配線層（上配線）と接続される素子の電極
との界面の浮き現象もしくは亀裂現象を緩和し、かかる
部分での電気的接続の信頼性を高めることができる。

【００２１】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、下部導電層と接続される上部導電層との界面の浮き
現象もしくは亀裂現象を、より一層緩和し、かかる部分
での電気的接続の信頼性を更に高めることができる。

【００２２】上述した本発明においては、「前記抜けパ
ターン部分を充填するための前記導体材料は、焼成時に
おける体積減少率が１０％以下の材料であること」、
「前記抜けパターン部分を充填するための前記導体材料
は、導電体を主成分とし、体積減少抑止剤として炭化珪
素を混合した材料であること」、「前記炭化珪素の粒度
上限値が２０μｍ以下であること」、「前記第二の配線
層の構成成分であるガラス成分の比率が、０．１重量％
以上、３重量％以下であること」、が好ましいものであ
る。

【００２３】また、上述した本発明においては、「前記
体積減少抑止剤は、多数の層状部材であること」、「前
記体積減少抑止剤は、炭化珪素からなること」、「前記
炭化珪素の粒度上限値が２０μｍ以下であること」、が
好ましいものである。

【００２４】また、本発明は、上記本発明の電子源基板
の製造方法により製造した電子源基板である。

【００２５】また、本発明は、上記本発明の電子源基板
と、該電子源基板に対向する位置に配設され電子の照射
により可視光を発する蛍光体とを備えることを特徴とす
る画像表示装置である。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、本発明の
好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、
この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材
質、形状、その相対配置などは、本発明の範囲をそれら
のみに限定する趣旨のものではない。

【００２７】以下、電子源基板を例に挙げて説明する
が、本発明は電子源基板に限定されるものではなく、Ｐ
ＤＰ、ＬＣＤ、ＥＬなどの各種表示装置、トランジスタ
アレイを有するアクティブマトリクス基板などの電子デ
バイス用の配線基板にも適用できる。

【００２８】図１は、冷陰極電子ビーム源である表面伝
導型電子放出素子を用いた本発明の電子源基板における
配線構造の特徴を表す上面模式図である。同図におい
て、１は導電性膜（電子放出部形成用薄膜）、３は列方
向配線、４は層間絶縁層、５は上部導電層としての行方
向配線、６、７は下部導電層としての素子電極、８は層
間絶縁層４に形成された抜けパターン（コンタクトホー
ル、スルーホール、ビアホール）、９は抜けパターン８
に充填された導体材料である。

【００２９】なお、図１においては、行方向配線５の一
部を切り欠いて示している。また、説明のために１素子
分のエリアのみを抽出して図示しており、実際の装置に
おいてはこれが縦横に複数個配列される。

【００３０】図２に、上記電子源基板の製造工程フロー
図を示す。以下、図２を参照して本実施形態による電子
源基板の製造方法を詳細に説明する。

【００３１】まず基板（不図示）上に、素子電極６、７
及び列方向配線３を形成する（図２（ａ））。素子電極
６、７は、導電性膜１と列方向配線３及び行方向配線５
とのオーム性接触を良好にするために設けられるもので
ある。

【００３２】素子電極６、７の形成方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の真空
系を用いる方法や、溶媒にＡｇ成分及びガラス成分を混
合した厚膜ペーストを印刷、焼成することにより形成す
る厚膜印刷法、さらには、Ｐｔペーストを用いたオフセ
ット印刷法、等がある。

【００３３】列方向配線３の形成方法には、素子電極
６、７の形成方法と同様の形成方法が適用可能ではある
が、列方向配線３の場合には、素子電極６、７とは異な
り、膜厚は厚い方が電気抵抗を低減でき有利である。そ
こで、厚膜印刷法を用いるのが有利である。

【００３４】近年、厚膜ペースト印刷にフォトリソグラ
フィー技術を導入したフォトペースト法による膜形成技
術も開発されており、フォトペースト法による形成も、
もちろん可能であり、配線の幅が狭くなる場合、大型基
板に対応して、位置精度が要求される場合などは、フォ
トペースト法が有利である。もちろん、薄膜配線の適用
も可能であるが、配線抵抗値を下げる為に膜厚を厚くす
るには成膜に多大な時間が必要であり、膜の内部応力の
問題で、配線抵抗を低く抑えたい場合など、膜を厚くで
きないのが現状である。

【００３５】次に、層間絶縁層４を形成する（図２
（ｂ））。層間絶縁層４は、列方向配線３の一部を覆う
様にして、形成することが重要である。

【００３６】層間絶縁層４の構成材料は絶縁性を保てる
ものであればよく、例えば金属成分を含有しない厚膜ペ
ーストである。もちろん、金属成分を含有しないフォト
ペーストの適用も可能である。特に、層間絶縁層４に形
成する抜けパターン８をコンタクトホール形状とする場
合には、パターン形成の容易さから、フォトペーストを
適用するのが簡便である。

【００３７】次に、層間絶縁層４に設けられた抜けパタ
ーン８部を導体材料９で充填する（図２（ｃ））。

【００３８】導電材料９として導電性ペーストを用いる
場合には、その粘度は１０Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓ程
度の範囲から選択できるが、現実には導体材料９の充填
に際しては、ペーストの粘度は低いほうが好ましく、数
十Ｐａ・ｓ程度がよい。

【００３９】スクリーン印刷法にて用いるスクリーン版
のパターンは、層間絶縁層４に設けられた抜けパターン
８の大きさよりも若干小さい寸法のペースト吐出部を設
けて、注入するようにして印刷する方法が最も容易にか
つ確実に充填可能である。もちろん、全パターン同時に
充填することが可能である。

【００４０】充填後、乾燥して溶剤分を揮発させ、さら
に高温で焼成することにより、充填部に導電性の膜が形
成される。ここで重要な点は、充填される材料の乾燥か
ら焼成にいたる過程での体積および膜厚の挙動である。

【００４１】導体材料は、抜けパターン内全部に充填さ
れてもよいし、その一部であってもよい。

【００４２】従来より適用されていた配線材料用の導体
材料、つまり、導電体としてＡｇを主成分とする材料は
一般的に乾燥から焼成にいたる過程にて、体積及び膜厚
は６０％程度に収縮する。この過程で、Ａｇ膜と素子電
極との密着性が小さい場合、特に、抜けパターン８がコ
ンタクトホール形状の場合、図１５に示したように、膜
の浮きが発生し電気導通が劣化する。

【００４３】本発明においては、この充填材料（導体材
料）として、乾燥から焼成にいたる過程での体積（膜
厚）の減少率が１０％以下のものを用いることが好まし
く、かかる焼成時において体積が増加するものが特に好
ましい。具体的には、導電体としてＡｇなどを主成分と
し、体積減少抑止剤として炭化珪素（ＳｉＣ）、黒鉛な
どから選択されるものを混合した材料が好適である。特
に、ひとつひとつの形状は微小な層状で、円又は楕円或
いは多角形に近似した平面形状あることが好ましい。

【００４４】また、上記充填材料により、層間絶縁層４
に設けられた抜けパターン部分への充填を容易にする為
には、印刷性能を考慮してＳｉＣの粒度上限値（最大直
径）が２０μｍ以下であることが望ましい。このＳｉＣ
の粒度上限値が粒径が２０μｍを超えると、導体として
の性能が著しく低下する場合がある。

【００４５】次に、行方向配線５を形成する（図２
（ｄ））。この行方向配線５の形成方法は、列方向配線
３と同様の方法が適用可能である。

【００４６】本発明において、第二の配線層である行方
向配線の材料としてガラス成分を混合した厚膜ペースト
を用いる際、このガラス成分の比率は、０．１重量％以
上、３重量％以下であることが望ましい。このガラス成
分の比率が０．１重量％以下であると、焼成された膜と
基板もしくは下層膜との密着力が低下する。また、この
ガラス成分の比率が３重量％を超えると、下層膜特に絶
縁膜に対して熱応力もしくは熱収縮による力によって亀
裂が発生する確率が著しく上昇する。

【００４７】最後に、導電性膜１を形成して冷陰極電子
ビーム源用の素子（１素子分）が完成する（図２
（ｅ））。導電性膜１の成膜方法および電子放出部分
（表面伝導型電子放出素子）の形成方法は、従来の方法
をそのまま適用することが可能である（後述）。

【００４８】図３は、以上のようにして製造された電子
源基板における、層間絶縁層４に形成された抜けパター
ン８部分の断面図を示している。図３に示されるよう
に、行方向配線５を形成する前に、層間絶縁層４に形成
された抜けパターン８に導体材料９を充填することによ
り、特に素子電極が金属膜として形成される場合におい
て、素子電極７が行方向配線５の保持する熱応力によっ
て引き裂かれる現象を抑制でき、かかる部分での電気的
接続の信頼性を高めることができる。

【００４９】また、特に、抜けパターン８を充填するた
めの導体材料９として、高温焼成時における体積の減少
率が１０％以下である材料を用いることにより、焼成後
に行方向配線５と接続される素子電極７との接続部分の
界面に浮きが発生する現象を抑制でき、かかる部分での
電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。

【００５０】本発明の電子源基板に好適に用いられる表
面伝導型電子放出素子の代表的な構成、製造方法および
特性については、例えば特開平２−５６８２２号公報に
開示されている。

【００５１】以下に、本発明にかかわる表面伝導型電子
放出素子の基本的な構成と製造方法および特性について
概説する。図４は、典型的な表面伝導型電子放出素子の
構成を示す図面である。図において、３１は絶縁性基
板、３２と３３は素子電極、３４は導電性膜、３５は電
子放出部である。

【００５２】本実施形態における、電子放出部３５を含
む導電性膜３４のうち電子放出部３５としては、粒径が
数ｎｍの電気伝導性粒子からなり、電子放出部３５を含
む導電性膜３４のうち電子放出部３５以外の部分は、微
粒子膜よりなる。なお、ここで述べる微粒子膜とは、複
数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、
微粒子が個々に分散した状態のみならず、微粒子が互い
に隣接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
さす。

【００５３】電子放出部を含む導電性膜３４の構成原子
又は分子の具体例としては、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｐｂ
Ｏ、Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化物、ＨｆＢ₂、ＺｒＢ₂、Ｌａ
Ｂ₆、ＣｅＢ₆、ＹＢ₄、ＧｄＢ₄等のホウ化物、ＴｉＣ、
ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、Ｔ
ｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導
体、さらにはカーボン、ＡｇＭｇ、ＮｉＣｕ、ＰｂＳｎ
等である。

【００５４】また、導電性膜３４の形成方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法、分
散塗布法、ディッピング法、スピナー法等がある。

【００５５】上記のような構成を有する表面伝導型電子
放出素子の形成方法としては様々な方法があるが、以下
にその一具体例を説明する。

【００５６】（１）絶縁性基板３１を洗剤、純水および
有機溶剤により十分に洗浄後、真空蒸着技術、フォトリ
ソグラフィー技術により該絶縁性基板３１の面上に素子
電極３２、３３を形成する。素子電極３２、３３の材料
としては電気伝導性を有するものであれば、どのような
ものであってもかまわないが、たとえばニッケル金属が
挙げられる。素子電極３２、３３の寸法については、例
えば、素子電極間隔Ｌは１０μｍ、素子電極長さＷは３
００μｍ、膜厚ｄは１００ｎｍである。素子電極３２、
３３の形成方法として、厚膜印刷法を用いても一向にさ
しつかえない。印刷法の場合の材料としては有機金属ペ
ースト（ＭＯＤ）等がある。

【００５７】（２）絶縁性基板３１上に設けられた素子
電極３５と３６との間に、有機金属溶液を塗布して放置
することにより、有機金属薄膜を形成する。尚、有機金
属溶液とは、前記Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉ
ｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等
の金属を主元素とする有機化合物の溶液である。この
後、有機金属薄膜を加熱焼成処理してリフトオフ、エッ
チング等によりパターニングし、導電性膜３４を形成す
る。

【００５８】（３）続いて、フォーミングとよばれる通
電処理により素子電極３２、３３間に電圧を印加するこ
とにより、導電性膜３４の部分に構造の変化した電子放
出部３５が形成される。この通電処理により導電性膜３
４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造の変
化した部位を電子放出部３５と呼ぶ。先に説明したよう
に電子放出部３５は金属微粒子で構成されている事が観
察された。

【００５９】フォーミング処理中の電圧波形を図５に示
す。

【００６０】図５中、Ｔ１およびＴ２はそれぞれ電圧波
形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ秒
〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒、
三角波の（フォーミング時のピーク電圧）は４Ｖから１
０Ｖ程度とし、フォーミング処理は真空雰囲気下で数十
秒間で適宜設定した。

【００６１】電子放出部を形成する際に、素子電極間の
三角波パルスを印加してフォーミング処理を行っている
が、素子電極間に印加する波形は三角波に限定すること
はなく、矩形波など所望の波形を用いてもよく、その波
高値およびパルス幅、パルス間隔等についても上述の値
に限るものではなく、電子放出部が良好に形成されれば
所望の値を選択することができる。

【００６２】通電フォーミング処理の終了は、パルス電
圧印加中の素子に流れる電流を測定して抵抗値を求め
て、例えば１ＭΩ以上の抵抗を示した時に通電フォーミ
ングを終了させることができる。

【００６３】このフォーミング処理後の状態では電子発
生効率は非常に低いものである。よって電子放出効率を
上げるために、上記素子に活性化と呼ばれる処理を行う
ことが望ましい。

【００６４】（４）この活性化処理は、有機化合物が存
在する適当な真空度のもとで、パルス電圧を素子電極３
２，３３間に繰り返し印加することによって行うことが
できる。そして炭素原子を含むガスを導入し、それに由
来する炭素あるいは炭素化合物を、前記フォーミング処
理によって形成した電子放出部の近傍にカーボン膜とし
て堆積させる。

【００６５】本工程の一例を説明すると、例えばカーボ
ン源としてトルニトリルを用い、スローリークバルブを
通して真空空間内に導入し、１．３×１０^-4Ｐａ程度を
維持する。導入するトルニトリルの圧力は、真空装置の
形状や真空装置に使用している部材等によって若干影響
されるが、１×１０^-5Ｐａ〜１×１０^-2Ｐａ程度が好適
である。

【００６６】図６に、活性化工程で用いられる電圧印加
の好ましい一例を示した。印加する最大電圧値は、１０
〜２０Ｖの範囲で適宜選択される。

【００６７】図６（ａ）に於いて、Ｔ１は電圧波形の正
と負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、電圧値は正
負の絶対値が等しく設定されている。また、図６（ｂ）
に於いて、Ｔ１およびＴ１’はそれぞれ電圧波形の正と
負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、Ｔ１＞Ｔ
１’、電圧値は正負の絶対値が等しく設定されている。

【００６８】このとき、約６０分後に放出電流Ｉｅがほ
ぼ飽和に達した時点で通電を停止し、スローリークバル
ブを閉め、活性化処理を終了する。

【００６９】以上の工程により図４に示したような電子
放出素子を作製することができる。

【００７０】上記の素子構成をもち、上記の製造方法に
よって作製された本実施形態にかかわる電子放出素子の
基本特性について図７と図８を参照して説明する。

【００７１】図７は、図４で示した構成を有する素子の
電子放出特性を測定する為の測定評価装置の概略構成図
である。図７において、３１は絶縁性基板、３２、３３
は素子電極、３４は導電性膜、３５は電子放出部を示
す。また、５１は素子に素子電圧Ｖｆを印加するための
電源、５０は素子電極３２、３３間の電子放出部３５を
含む導電性膜３４を流れる素子電流Ｉｆを測定するため
の電流計、５４は素子の電子放出部より放出される放出
電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極、５３はアノー
ド電極５４に電圧を印加するための高圧電源、５２は素
子の電子放出部３５より放出される放出電流Ｉｅを測定
するための電流計である。電子放出素子の上記素子電流
Ｉｆ、放出電流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極３
２、３３に電源５１と電流計５０とを接続し、該電子放
出素子の上方に電源５３と電流計５２を接続したアノー
ド電極５４を配置している。また、本電子放出素子およ
びアノード電極５４は真空装置５５内に設置され、その
真空装置には排気ポンプ５６および真空計等の真空装置
に必要な機器が具備されており、所望の真空下にて本素
子の測定評価を行えるようになっている。なお、アノー
ド電極５４の電圧は１〜１０ｋＶ、アノード電極５４と
電子放出素子との距離Ｈは３〜８ｍｍの範囲で測定し
た。

【００７２】図７に示した測定評価装置により測定され
た放出電流Ｉｅおよび素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの関
係の典型的な例を図８に示す。なお、図８は任意単位で
示されており、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆのおよそ１
０００分の１程度である。図８からも明らかなように、
本電子放出素子は放出電流Ｉｅに対して３つの特性を有
する。

【００７３】第一に、本素子はある電圧（閾値電圧とよ
ぶ、図８中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加すると、急
激に放出電流Ｉｅが増加し、一方、閾値電圧以下では放
出電流Ｉｅがほとんど検出されない。即ち、放出電流Ｉ
ｅに対する明確な閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子で
ある。

【００７４】第２に、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに依
存する為、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆで制御できる。

【００７５】第３に、アノード電極５４に捕捉される電
荷量は、素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御でき
る。

【００７６】以上のような特性を有する為、本発明にか
かわる電子放出素子は、多方面への応用が期待される。
また、素子電流Ｉｆは素子電圧Ｖｆに対して単調増加す
る（ＭＩ）特性の例を示したが、このほかにも、素子電
流Ｉｆが素子電圧Ｖｆに対して電圧制御型負性抵抗（Ｖ
ＣＮＲ）特性を示す場合もある。この場合も電子放出素
子は上述した３つの特性を有する。なお、予め電導性微
粒子を分散して構成した表面伝導型電子放出素子におい
ては、前記本実施形態の基本的な素子構成の、基本的な
製造方法の一部を変更しても構成できる。

【００７７】また、本実施形態による電子源基板が適用
されるカラー画像表示装置の代表的な構成としては、ま
ず、図９に示すように上記特開平２−５６８２２号公報
に開示された製造方法により作製される電子放出素子を
複数個、電子源基板８０上に形成する。該電子源基板８
０をガラス基板からなるリアプレート８１上に固定した
後、電子源基板８０の５ｍｍ上方にフェースプレート８
２（ガラス基板８３の内面に蛍光体膜８４とメタルバッ
ク８５が形成されて構成される）を支持枠８６を介して
配置し、フェースプレート８２、支持枠８６、リアプレ
ート８１の接合部にフリットガラスを塗布し、大気中も
しくは窒素雰囲気中にて４００℃乃至５００℃で１０分
間以上焼成することで封着した。また、リアプレート８
１への電子源基板８０の固定もフリットガラスにて行っ
た。

【００７８】図９において、８７は電子放出素子、８８
はＸ方向配線（第二の配線層）、８９はＹ方向配線（第
一の配線層）である。

【００７９】なお、ここではフェースプレート８２、支
持枠８６、リアプレート８１で外囲器９０を構成した
が、リアプレート８１は主に電子源基板８０の強度を補
強する目的で設けられるため、電子源基板８０自体で十
分な強度をもつ場合には、別体のリアプレート８１は不
要であり、電子源基板８０に直接、支持枠８６を封着
し、フェースプレート８２、支持枠８６、電子源基板８
０にて外囲器９０を構成する。

【００８０】また、蛍光体膜８４の内面側には通常メタ
ルバック８５が設けられる。メタルバック８５を設置す
る目的は、蛍光体のうち内面側への光をフェースプレー
ト８２側へ鏡面反射する事により輝度を向上すること、
電子ビーム加速電圧を印加する為の電極として作用させ
ること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメ
ージからの蛍光体を保護することなどである。

【００８１】メタルバック８５は、蛍光体膜作成後、蛍
光体膜の内面の平滑処理（通常フィルミングとよばれ
る）を行い、その後Ａｌを真空蒸着することで作成す
る。更に、フェースプレート８２の蛍光体膜８４の電気
電導性を高めるため、蛍光体膜８４の外面側に透明電極
（図示せず）が設けられる場合もある。

【００８２】前述の封着を行う際、カラー画像表示装置
の場合には、各色に対応する蛍光体と電子放出素子との
位置合わせを十分に行う必要がある。

【００８３】このようにして作成されるガラス容器（外
囲器９０）内の雰囲気を十分に行う必要がある。外囲器
９０内の雰囲気を排気管（図示せず）を通じて真空ポン
プにて排気し、十分な真空度に達した後、各配線に接続
されている容器外端子を通じ各電子放出素子８７の素子
電極間に電圧を印加して前述のフォーミング処理以降の
工程を実施し、電子放出部を形成し電子放出素子を作成
する。最後に、約１．３×１０^-4Ｐａ程度の真空度に
て、排気管を熱して溶着し外囲器の封止を行い完成す
る。さらに、封止後に真空度を維持するために、ゲッタ
ー処理なる工程を実施する。これは、封止を行う直前あ
るいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等によ
り、画像表示装置の所定の位置（図示せず）に配設され
たゲッターを加熱してゲッター蒸着膜を形成する処理で
ある。ゲッターとしては、通常、Ｂａ等が主成分であ
り、該蒸着膜の吸着作用により真空度を維持するもので
ある。

【００８４】以上のような製造方法により構成される画
像表示装置於いて、各電子放出素子には各配線に接続さ
れた容器外端子を通じて電圧を印加することにより電子
放出させる。

【００８５】すなわち、走査線に対応するＸ方向配線８
８に接続された容器外端子には画像信号の１水平期間づ
つ順次電圧が印加され、変調信号線に対応するＹ方向配
線８９に接続された容器外端子には水平期間に選択され
た走査線の画像信号の強度に応じた信号電圧が印加され
る。従って、選択されたＸ方向配線に接続される各電子
放出素子の両端に画像信号の強度に応じた電圧が印加さ
れ、画像信号の強度に応じた電子が放出される。

【００８６】また、高圧端子Ｈｖを通じメタルバック８
５または透明電極（不図示）に数ｋＶ以上の高圧を印加
して電子ビームを加速し蛍光体膜８４に衝突させて蛍光
体を励起・発光させることにより画像が形成される。も
ちろん、これらの構成は画像表示装置を作成する上で必
要な構成の概略であり、各部材の材料等は上述の内容に
限るものではない。

【００８７】蛍光体膜８４は、モノクローム表示の場合
には蛍光体にのみからなるが、カラー表示の場合は、図
１０に示すように、蛍光体の配列によりブラックストラ
イプあるいはブラックマトリクスと呼ばれる黒色部材９
１と蛍光体９２とで構成される。黒色部材９１を設ける
目的は、カラー表示の場合に必要となる３原色蛍光体
の、各蛍光体９２の塗り分け部分を黒くすることで混色
等を目立たなくすること、蛍光体膜８４における外光反
射によるコントラストの低下を抑制することである。該
黒色部材としては、通常、黒鉛を主成分とするものが多
いが、電気伝導性があり、光の透過および反射が少ない
材料であれば、これに限るものではない。

【００８８】ガラス基板８３に蛍光体を塗布する方法と
しては、モノクロームの場合には沈殿法、印刷法等があ
る。カラーでは、スラリー法等がある。もちろん、カラ
ーにおいて印刷法を用いることも可能である。

【００８９】

【実施例】次に、実施例を示して、電子源基板、特に表
面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置における電
子源基板の本発明による製造方法について説明する。

【００９０】［実施例１］第１の実施例を、図１及び図
２を参照して説明する。図１は電子源基板における配線
構造の特徴を表す上面模式図であり、図２は電子源基板
の製造工程フロー図である。これらの図は、説明のため
に１素子分のエリアのみを抽出して図示しており、実際
の装置においてはこれが縦横に複数個配列される。

【００９１】本実施例は、絶縁層４に形成される抜けパ
ターン８部分のみに導電性ペーストを充填させるように
した、最も典型的、かつ形状の優れた実施例であり、本
発明の特徴をもっとも良好に実現できるものである。

【００９２】まず、素子電極６、７を形成した。本実施
例では、Ｐｔのターゲットによりスパッタリング法によ
り膜を真空形成した。膜厚は、〜０．０８μｍであっ
た。スパッタリング法により基板全面に膜を形成後、フ
ォトリソグラフィーにより、所望のパターンを形成し
た。素子電極６，７のパターンは、左右非等長パターン
とした。（図２（ａ））。

【００９３】次に、列方向配線３を形成した（図２
（ａ））。形成方法は、スクリーン印刷法を用いた。印
刷に使用した材料は、導体成分としてＡｇを含有したス
クリーン印刷用ペーストである。

【００９４】次に、行方向配線５との接触を実現する抜
けパターン８の形状をコンタクトホールとした層間絶縁
層４を形成した（図２（ｂ））。ペースト材料はＰｂＯ
を主成分としてガラスバインダーと樹脂及び感光成分を
混合した感光性絶縁ペーストである。焼成温度は４８０
℃で、ピーク保持時間は１０分である。また、通常、層
間絶縁層４は上下層間の絶縁性を十分確保するために、
全面印刷、パターン露光、現像、乾燥、焼成を繰り返
す。パターン形成方法は種々可能であるが、本実施例で
は、（１）全面印刷、（２）ＩＲ乾燥を２回繰り返し実
施し、（３）パターン露光、（４）現像、（５）焼成、
の順番で工程を実施した。尚、膜層数は、絶縁性を考慮
して増減される。

【００９５】次に、層間絶縁層４に形成した抜けパター
ン８部分に、導体材料９を充填した。充填に際しては、
ペーストの粘度は低いほうが好ましく、数十Ｐａ・ｓ程
度がよい。スクリーン印刷法にて用いるスクリーン版の
パターンは、層間絶縁膜４に設けられた抜けパターン８
の大きさよりも若干小さい寸法のペースト吐出部を設け
て、注入するようにして印刷する方法が最も容易にかつ
確実に充填可能であり、本実施例をそれに従った。もち
ろん、全パターン同時に充填することが可能である。

【００９６】本実施例では、導体材料９として、上述し
た多数の層状炭化珪素からなる体積減少抑止剤と、主成
分として多数の銀粒子からなる導電体とを含むペースト
状の材料を用いた。このＳｉＣの粒度としては最大１０
μｍの直径をもつものであった。

【００９７】層間絶縁層４に形成した抜けパターン８部
分に導体材料９を充填後、１１０℃２０分熱風循環炉に
て乾燥し溶剤分を揮発させ、さらに、４５０℃で１０分
保持するプロファイルにて高温焼成することにより、充
填部に導電性の膜（導体材料９）を形成した。

【００９８】このとき充填材料は、乾燥から焼成にいた
る過程での体積および膜厚の変化が、約９５％（約５％
の減少）となった。このことにより、焼成時の膜収縮が
極めて小さいため、導体材料９と素子電極７との電気的
接続が確実に保たれた。

【００９９】次に、行方向配線５を形成した（図２
（ｄ））。形成方法は厚膜スクリーン印刷法を用いた。

【０１００】以上で、マトリクス配線の部分が完成す
る。もちろん、ペースト材料、印刷方法等は、ここに記
したものに限るものではない。

【０１０１】配線完成後、電子放出部形成用の導電性膜
１を形成した（図２（ｅ））。具体的には、上記配線基
板上に有機パラジウム（ＣＣＰ４２３０、奥野製薬工業
（株）製）をスピンナーにより回転塗布後、３００℃で
１０分間の加熱処理を実施しＰｄからなる薄膜を形成し
た。このようにして形成された薄膜は、Ｐｄを主元素と
する微粒子から構成され、その膜厚は１０ｎｍ、シート
抵抗値は５×１０⁴Ω／□であった。シート抵抗値は長
さと幅が等しい導体の単位長さ換算の抵抗値として定義
される。このＰｄ薄膜をフォトリソグラフィー法を用い
て、パターニングすることにより導電性膜１を形成し
た。これにより、フォーミング前までの素子の製造工程
が完了する。

【０１０２】もちろん、導電性膜１の製造方法は、本実
施例に記したものに限るものではなく、種々の製造方法
が可能である。

【０１０３】次に、フォーミング処理を施す。フォーミ
ング方法は、従来の方法を導入する事が可能であり、本
実施例では、以下の条件とした（図５（ａ）参照）。図
５（ａ）中、Ｔ１およびＴ２は電圧波形のパルス幅とパ
ルス間隔であり、本実施例ではＴ１を１ミリ秒、Ｔ２を
１０ミリ秒とし、三角波の波高値（フォーミング時のピ
ーク電圧）は１４Ｖとしフォーミング処理は約１．３×
１０^-4Ｐａの真空雰囲気下で６０秒間実施した。このよ
うにして作製された電子放出部は、パラジウム元素を主
成分とする微粒子が分散配置された状態となり、その微
粒子の平均粒径は３ｎｍであった。

【０１０４】次に、すべての表面伝導型電子放出素子の
フォーミングが終了後、この電子源基板を用いて図９に
示したような画像表示装置の外囲器９０を組み立てた。
そして、１．３×１０^-4Ｐａ程度の真空度で排気管（図
示せず）をガスバーナーで熱して溶着し外囲器の封止を
行った。

【０１０５】尚、封止後の真空度を維持するために、ゲ
ッター処理を実施した。これは、封止を行う直前に高周
波加熱等の加熱法により、表示パネル（外囲器９０）内
の所定の位置（図示せず）に配置されたゲッターを加熱
し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターはＢａ等を
主成分とするものである。

【０１０６】以上のようにして完成した本実施例の画像
表示装置において、各電子放出素子には、各配線８８，
８９に接続している容器外端子を通じて、走査信号およ
び変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞ
れ印加することにより、電子放出させ、高圧端子Ｈｖを
通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電
子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させる
ことで画像を表示させた。

【０１０７】［実施例２］第２の実施例を、図１１及び
図１２を参照して説明する。図１１は、本実施例の画像
表示装置で用いられる、表面伝導型電子放出素子を単純
マトリクス方式配線してなる電子源基板の構成図であり
（行方向配線５の一部を切り欠いて示している）、両方
向配線の交差部近傍のみを示している。また、図１２
は、電子源基板の作製プロセスを説明する工程図であ
る。

【０１０８】本実施例は、層間絶縁層４に形成される抜
けパターン部分を充填する方法として、導電性ペースト
の印刷パターンを線状にし、簡略化した印刷版を用い
た。本実施例の方法にても、十分に抜けパターン部分を
充填させるように膜を形成することが可能である。

【０１０９】まず、素子電極６，７を形成した。本実施
例では、Ｐｔのターゲットによりスパッタリング法によ
り膜を真空形成した。膜厚は、〜０．０８μｍであっ
た。スパッタリング法により基板全面に膜を形成後、フ
ォトリソグラフィーにより、所望のパターンを形成し
た。素子電極６，７のパターンは、左右非等長パターン
である（図１２（ａ））。

【０１１０】次に、列方向配線３を形成した（図１２
（ａ））。形成方法は、感光性を付与したペーストを全
面印刷し、フォトリソグラフィー法によりパターン形成
する方法を用いた。全面印刷に使用した材料は、導体成
分としてＡｇを含有したフォトペーストである。

【０１１１】次に、行方向配線５との接触を実現する抜
けパターン８の形状をコンタクトホールとした層間絶縁
層４を形成した（図１２（ｂ））。ペースト材料はＰｂ
Ｏを主成分としてガラスバインダーと樹脂及び感光成分
を混合した感光性絶縁ペーストである。焼成温度は４８
０℃で、ピーク保持時間は１０分である。また、通常、
層間絶縁層４は上下層間の絶縁性を十分確保するため
に、全面印刷、パターン露光、現像、乾燥、焼成を繰り
返す。パターン形成方法は種々可能であるが、本実施例
では、（１）全面印刷、（２）ＩＲ乾燥を２回繰り返し
実施し、（３）パターン露光、（４）現像、（５）焼
成、の順番で工程を実施した。膜層数は、絶縁性を考慮
して増減される。

【０１１２】次に、層間絶縁層４に形成した抜けパター
ン８部分に、実施例１と同様の導体材料９を充填した。
本実施例では、充填する際に用いるスクリーン版のパタ
ーンを線状とした。線状にすることは、スクリーン印刷
法にて充填を実施する場合、特に印刷性の面で有利であ
り、また膜の形成上の信頼性は高い。しかしながら、本
来必要でない部分にも膜が充填材料により形成される。
もちろん充填性の問題はなく、電気的接続を信頼性よく
確保された。

【０１１３】次に、行方向配線５を形成した（図１２
（ｄ））。形成方法は厚膜スクリーン印刷法を用いた。
以上で、マトリクス配線の部分が完成する。

【０１１４】配線完成後、実施例１と同様にして電子放
出部形成用の導電性膜１を形成した（図１２（ｅ））。

【０１１５】さらに、実施例１と同様に、フォーミング
処理を施した後、この電子源基板を用いて図９に示した
ような画像表示装置を作製した。

【０１１６】以上のようにして完成した本実施例の画像
表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子を
通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示
せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出
させ、高圧端子Ｈｖを通じて、メタルバック８５に数ｋ
Ｖの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝
突、励起、発光させることで画像を表示させた。

【０１１７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線基板において、第二の配線層（上部導電層）を形成
する前に、層間絶縁層に形成された抜けパターンに導体
材料を充填することにより、第二の配線層に電気的に接
続される電極が、この第二の配線層の保持する熱応力に
よって引き裂かれる現象を抑制でき、かかる部分での電
気的接続の信頼性を高めることができる。

【０１１８】また、特に、層間絶縁層に形成された抜け
パターンを充填するための導体材料として、焼成時にお
ける体積の減少率が１０％以下である材料を用いること
により、焼成後に第二の配線層に電気的に接続される電
極との接続部分の界面に浮きが発生する現象を抑制で
き、かかる部分での電気的接続の信頼性をより一層高め
ることができる。

【０１１９】この結果、単純マトリクス方式配線された
電子源及び画像表示装置などの電子デバイスの信頼性を
高めることができると共に、これらを高歩留まりで製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係わる電子源基板の一部
を模式的に示す平面図である。

【図２】本発明の一実施形態に係わる電子源基板の製造
方法の工程フロー図である。

【図３】本発明における作用効果の説明図であり、電子
源基板の層間絶縁層に形成された抜けパターン部分の断
面図である。

【図４】本発明の電子源基板に好適に用いられる表面伝
導型電子放出素子の典型的な構成を示す図である。

【図５】フォーミング処理に用いる典型的な波形を示す
図である。

【図６】活性化処理に用いる典型的な波形を示す図であ
る。

【図７】本発明に好適な表面伝導型電子放出素子の特性
評価装置を示す図である。

【図８】本発明に好適な表面伝導型電子放出素子の典型
的な特性を示す図である。

【図９】本発明の一実施形態に係わる画像表示装置の一
部を切り欠いて示す斜視図である。

【図１０】蛍光体膜のパターン図である。

【図１１】本発明の実施例２に係わる電子源基板の一部
を模式的に示す平面図である。

【図１２】本発明の実施例２に係わる電子源基板の製造
方法の工程フロー図である。

【図１３】従来例の電子源基板の一部を模式的に示す平
面図である。

【図１４】従来例の電子源基板の製造方法の工程フロー
図である。

【図１５】従来例の電子源基板の製造方法における問題
点を説明するための断面図である。

【図１６】従来例の表面伝導型電子放出素子を示す平面
図である。

【符号の説明】

１電子放出部形成用薄膜（導電性膜）３第一の配線層（列方向配線）４層間絶縁層５第二の配線層（行方向配線）６、７素子電極（電極対）８抜けパターン（コンタクトホール）９導体材料３１絶縁性基板３２、３３素子電極３４電子放出部形成用薄膜（導電性膜）３５電子放出部５０素子電流Ｉｆを測定するための電流計５１素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源５２放出電流Ｉｅを測定するための電流計５３高圧電源５４アノード電極５５真空装置５６排気ポンプ８０電子源基板８１リアプレート８２フェースプレート８３ガラス基板８４蛍光体膜８５メタルバック８６支持枠８７電子放出素子８８第二の配線層（行方向配線）８９第一の配線層（列方向配線）９０外囲器９１黒色部材９２蛍光体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ａ５Ｅ３１７Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０１Ｊ 1/30 Ｅ (72)発明者宇田芳己東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 4E351 BB01 BB31 DD01 DD05 GG02 5C031 DD17 DD19 5C036 EG12 EG33 EG50 5C127 AA01 CC13 CC51 CC53 DD19 DD38 5C135 EE17 FF12 FF13 FF14 GG16 HH17 5E317 BB14 CC22 GG03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、下部導電層を形成する工程
と、前記下部導電層上に層間絶縁層を形成する工程と、
該層間絶縁層上に該層間絶縁層に設けられた抜けパター
ンを介して該下部導電層に電気的に接続される上部導電
層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法にお
いて、前記上部導電層を形成する工程の前に、前記抜けパター
ンに、導体材料を付与する工程を含み、前記導体材料は、焼成時における体積減少率が１０％以
下の材料からなることを特徴とする配線基板の製造方
法。
【請求項２】基板上に、下部導電層を形成する工程
と、前記下部導電層上に層間絶縁層を形成する工程と、
該層間絶縁層上に該層間絶縁層に設けられた抜けパター
ンを介して該下部導電層に電気的に接続される上部導電
層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法にお
いて、前記上部導電層を形成する工程の前に、前記抜けパター
ンに、導体材料を付与する工程を含み、前記導体材料は、導電体と、焼成時における体積減少を
抑止するための体積減少抑止剤と、を含む材料であるこ
とを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】前記体積減少抑止剤は、多数の層状部材
であることを特徴とする請求項２に記載の電子源基板の
製造方法。
【請求項４】前記体積減少抑止剤は、炭化珪素からな
ることを特徴とする請求項２に記載の電子源基板の製造
方法。
【請求項５】前記炭化珪素の粒度上限値が２０μｍ以
下であることを特徴とする請求項４に記載の電子源基板
の製造方法。
【請求項６】基板上に、複数の電極対を形成する工程
と、該電極対の一方に接続される複数の第一の配線層を
形成する工程と、該第一の配線層上に層間絶縁層を形成
する工程と、該層間絶縁層上に、該複数の第一の配線層
と交差させて複数の第二の配線層を形成する工程と、該
電極対間に電子放出部を形成する工程とを有する電子源
基板の製造方法において、前記第二の配線層を形成する工程の前に、前記電極対の
他方と前記第二の配線層とを電気的に接続するために前
記層間絶縁層に設けられる抜けパターン部分に、導体材
料を充填する工程を有することを特徴とする電子源基板
の製造方法。
【請求項７】前記抜けパターン部分を充填するための
前記導体材料は、焼成時における体積減少率が１０％以
下の材料であることを特徴とする請求項６に記載の電子
源基板の製造方法。
【請求項８】前記抜けパターン部分を充填するための
前記導体材料は、導電体を主成分とし、体積減少抑止剤
として炭化珪素を混合した材料であることを特徴とする
請求項６又は７に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項９】前記炭化珪素の粒度上限値が２０μｍ以
下であることを特徴とする請求項８に記載の電子源基板
の製造方法。
【請求項１０】前記第二の配線層の構成成分であるガ
ラス成分の比率が、０．１重量％以上、３重量％以下で
あることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載
の電子源基板の製造方法。
【請求項１１】請求項１乃至５のいずれかに記載の製
造方法により製造した配線基板。
【請求項１２】請求項６乃至１０のいずれかに記載の
製造方法により製造した電子源基板。
【請求項１３】請求項１２に記載の電子源基板と、該
電子源基板に対向する位置に配設され電子の照射により
可視光を発する蛍光体とを備えることを特徴とする画像
表示装置。