JP2003204020A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4207896B2 (ja) * 2005-01-19 2009-01-14 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置
JP4498966B2 (ja) * 2005-03-31 2010-07-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板
JP4915011B2 (ja) * 2005-03-31 2012-04-11 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板
JP2006332084A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP4747284B2 (ja) * 2005-09-15 2011-08-17 三菱マテリアル株式会社 冷却シンク部付き絶縁回路基板
JP5061442B2 (ja) * 2005-09-15 2012-10-31 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板および冷却シンク部付き絶縁回路基板
US20090229864A1 (en) * 2005-09-15 2009-09-17 Mitsubishi Materials Corporation Insulating circuit board and insulating circuit board having cooling sink
CN101401197B (zh) * 2006-03-08 2011-05-18 株式会社东芝 电子元器件模块
JP2008124416A (ja) * 2006-03-31 2008-05-29 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板およびこれを用いた半導体モジュール
JP2010283168A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
EP2265099B1 (en) * 2009-06-04 2013-11-27 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5266508B2 (ja) * 2011-06-17 2013-08-21 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板
JP2014183128A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Fujikura Ltd 積層構造体および半導体装置
JP5734385B2 (ja) * 2013-10-11 2015-06-17 本田技研工業株式会社 半導体装置における絶縁基板及び金属板の板厚設定方法

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