JP2003199725A - 傾斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットの調整方法 - Google Patents
傾斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットの調整方法Info
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 核スピントモグラフィー装置において傾斜磁
場コイル２，３を流れる傾斜磁場電流Ｉｏｆｆによって
オフセットを調整する方法。 【解決手段】 第１の高周波パルスを作用印加し、第１
傾斜磁場パルスＧ１の作用印加及び該傾斜磁場パルスＧ
１の反転により、第１の勾配エコー信号Ｓ１を生じさ
せ、第２高周波パルスＲＦ２を作用印加し、逆方向での
第２傾斜磁場Ｇ２の作用印加および当該傾斜磁場パルス
Ｇ２の反転により第２勾配エコー信号Ｓ２を生じさせ、
第１高周波パルス／第１勾配エコー信号と、第２高周波
パルス／第２勾配エコー信号との間の時間間隔ｔｅ１，
ｔｅ２の差から時間間隔の差が零であるようにするオフ
セット電流Ｉｏｆｆを求めて供給する。
場コイル２，３を流れる傾斜磁場電流Ｉｏｆｆによって
オフセットを調整する方法。 【解決手段】 第１の高周波パルスを作用印加し、第１
傾斜磁場パルスＧ１の作用印加及び該傾斜磁場パルスＧ
１の反転により、第１の勾配エコー信号Ｓ１を生じさ
せ、第２高周波パルスＲＦ２を作用印加し、逆方向での
第２傾斜磁場Ｇ２の作用印加および当該傾斜磁場パルス
Ｇ２の反転により第２勾配エコー信号Ｓ２を生じさせ、
第１高周波パルス／第１勾配エコー信号と、第２高周波
パルス／第２勾配エコー信号との間の時間間隔ｔｅ１，
ｔｅ２の差から時間間隔の差が零であるようにするオフ
セット電流Ｉｏｆｆを求めて供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は核スピン共鳴装置におけ
る傾斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットを
調整する方法に関する。
る傾斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットを
調整する方法に関する。
【０００２】核スピン共鳴装置においては、基本磁場の
均質性は結像品質にとって決定的な要因である。像生成
に際して画像領域にて磁場不均質性によっては磁場偏差
に比例する幾何学的ひずみが生ぜしめられる。特に重要
であるのはエコープレーナ法における磁場均質性であ
る。
均質性は結像品質にとって決定的な要因である。像生成
に際して画像領域にて磁場不均質性によっては磁場偏差
に比例する幾何学的ひずみが生ぜしめられる。特に重要
であるのはエコープレーナ法における磁場均質性であ
る。
【０００３】更に、スペクトロスコピーの領域では、当
該スペクトル線にて十分な分解能を達成するために、磁
場均質性に対して高い要求が課せられる。磁場不均質性
によってスペクトル線の重畳が生ぜしめられる。
該スペクトル線にて十分な分解能を達成するために、磁
場均質性に対して高い要求が課せられる。磁場不均質性
によってスペクトル線の重畳が生ぜしめられる。
【０００４】論文“Aspects of shimming a supercondu
ctive whole body MRI magnet”，G. Frest et al, Pro
ceedings of the 9th Int. Conf. on Mag. Techn. Zuer
ich,9.−13. 9. 1985，第２４９−２５１頁において述
べられているように、磁場は球面調和関数の展開係数に
より表現され得る。上記の論文からは磁場偏差が電気的
シムコイルにより補償され得ることも既に公知である。
直線的磁場偏差、即ち１次の磁場誤差は次のようにして
も補償され得る。即ち傾斜磁場コイルにオフセット電
流、即ち勾配パルスシーケンスに重畳される一定の電流
を供給することによっても補償され得る。
ctive whole body MRI magnet”，G. Frest et al, Pro
ceedings of the 9th Int. Conf. on Mag. Techn. Zuer
ich,9.−13. 9. 1985，第２４９−２５１頁において述
べられているように、磁場は球面調和関数の展開係数に
より表現され得る。上記の論文からは磁場偏差が電気的
シムコイルにより補償され得ることも既に公知である。
直線的磁場偏差、即ち１次の磁場誤差は次のようにして
も補償され得る。即ち傾斜磁場コイルにオフセット電
流、即ち勾配パルスシーケンスに重畳される一定の電流
を供給することによっても補償され得る。
【０００５】磁場均質性に対する要求が比較的高い場合
は直線的磁場偏差のみならず、高次の磁場偏差をも補償
しなければならない。このために、傾斜磁場コイルのほ
かに付加的に、適当な電流を供給さるべき特別なシムコ
イルが設けられる。画像生成において、シミング、即
ち、個々のシムコイルを介しての当該電流の調整、及び
場合により傾斜磁場コイルのオフセット電流の調整が、
有利には夫々の患者の検査前に、スペクトロスコピーで
は典型的に各測定前に実施される。
は直線的磁場偏差のみならず、高次の磁場偏差をも補償
しなければならない。このために、傾斜磁場コイルのほ
かに付加的に、適当な電流を供給さるべき特別なシムコ
イルが設けられる。画像生成において、シミング、即
ち、個々のシムコイルを介しての当該電流の調整、及び
場合により傾斜磁場コイルのオフセット電流の調整が、
有利には夫々の患者の検査前に、スペクトロスコピーで
は典型的に各測定前に実施される。
【０００６】最適な磁場均質性を得るための傾斜磁場コ
イルに対するオフセット電流及びシムコイルに対する電
流の調整は複雑な問題を提起しており、この問題は従来
屡々反復式に解決されていた。反復法は相当時間を要
し、その結果患者は核スピントモグラフィにより長くと
どまっていなければならない。このことは患者に対する
心的負担に鑑みて（殊に密閉室恐怖症のある場合）も、
患者に生じ得る放射線供給量に鑑みても不利である。
イルに対するオフセット電流及びシムコイルに対する電
流の調整は複雑な問題を提起しており、この問題は従来
屡々反復式に解決されていた。反復法は相当時間を要
し、その結果患者は核スピントモグラフィにより長くと
どまっていなければならない。このことは患者に対する
心的負担に鑑みて（殊に密閉室恐怖症のある場合）も、
患者に生じ得る放射線供給量に鑑みても不利である。
【０００７】磁石の一般的シミングのための非反復法は
次の論文中に記載されている。
次の論文中に記載されている。
【０００８】論文“Fast, non−iterative shimming of
spatially localized signals”inJournal of Magneti
c Resonance, S. 323 bis 334（1992）。その場合、複
数の投影の方向での核スピンの位相が、刺戟されたエコ
ーシーケンスにより求められる。位相特性に基いて、当
該投影にて磁場の特性経過が測定され、もって、磁場を
球面調和関数で表す際該関数の係数が求められ得る。各
シムコイルはｎ次及びｍ階の球面調和関数に対応付けら
れている。上述の手法により求められた係数はシムコイ
ルに供給さるべき電流に対する尺度として使用される。
spatially localized signals”inJournal of Magneti
c Resonance, S. 323 bis 334（1992）。その場合、複
数の投影の方向での核スピンの位相が、刺戟されたエコ
ーシーケンスにより求められる。位相特性に基いて、当
該投影にて磁場の特性経過が測定され、もって、磁場を
球面調和関数で表す際該関数の係数が求められ得る。各
シムコイルはｎ次及びｍ階の球面調和関数に対応付けら
れている。上述の手法により求められた係数はシムコイ
ルに供給さるべき電流に対する尺度として使用される。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的ないし課題とするところは
できるだけ高い均質性が短時間に達成されるように、傾
斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットの調整
方法を実現することである。
できるだけ高い均質性が短時間に達成されるように、傾
斜磁場コイルを流れる傾斜磁場電流のオフセットの調整
方法を実現することである。
【００１０】
【発明の構成】上記課題は請求項１または２の構成要件
により解決される。有利な実施態様は引用請求項に記載
されている。
により解決される。有利な実施態様は引用請求項に記載
されている。
【００１１】次に本発明を図１〜図３４を用いて説明す
る。
る。
【００１２】公知のように、核スピントモグラフィーに
おける核スピン共鳴信号の局所分解が次のようにして行
なわれる、即ち、１テスラのオーダの均質なスタチック
な基本磁場に直線的磁場勾配ないし傾斜磁場が重畳され
るようにするのである。画像生成の原理、方式は例え
ば、論文Bottomley著述“NMR−imaging techniques and
applications：A review”in Review of Scientific In
strum., 53（9），9／82，第１３１９乃至１３３７頁、
に記載されている。
おける核スピン共鳴信号の局所分解が次のようにして行
なわれる、即ち、１テスラのオーダの均質なスタチック
な基本磁場に直線的磁場勾配ないし傾斜磁場が重畳され
るようにするのである。画像生成の原理、方式は例え
ば、論文Bottomley著述“NMR−imaging techniques and
applications：A review”in Review of Scientific In
strum., 53（9），9／82，第１３１９乃至１３３７頁、
に記載されている。
【００１３】３つのディメンションでの局所分解のた
め、３つの有利に相互に垂直の方向で磁場勾配ないし傾
斜磁場が形成されねばならない。図１及び図２にはそれ
ぞれの磁場勾配の方向を表わすべき直交座標Ｘ，Ｙ，Ｚ
が夫々示してある。図１はＹ方向での傾斜磁場ＧＹを形
成するための傾斜磁場コイルの従来配置構成を示す。傾
斜磁場コイル２は鞍形コイルとして構成されており、こ
のコイルは支持管１上に取付けられている。導体セクシ
ョン２ａにより、球状被検体積１１内部に、Ｙ方向に著
しく一定の傾斜磁場ＧＹが生ぜしめられる。当該戻り導
体によっては被検体積１１からの比較的大きな距離に基
づき、そこにはたんに無視可能な成分のみが生ぜしめら
れる。
め、３つの有利に相互に垂直の方向で磁場勾配ないし傾
斜磁場が形成されねばならない。図１及び図２にはそれ
ぞれの磁場勾配の方向を表わすべき直交座標Ｘ，Ｙ，Ｚ
が夫々示してある。図１はＹ方向での傾斜磁場ＧＹを形
成するための傾斜磁場コイルの従来配置構成を示す。傾
斜磁場コイル２は鞍形コイルとして構成されており、こ
のコイルは支持管１上に取付けられている。導体セクシ
ョン２ａにより、球状被検体積１１内部に、Ｙ方向に著
しく一定の傾斜磁場ＧＹが生ぜしめられる。当該戻り導
体によっては被検体積１１からの比較的大きな距離に基
づき、そこにはたんに無視可能な成分のみが生ぜしめら
れる。
【００１４】Ｘ傾斜磁場に対する傾斜磁場コイルはＹ傾
斜磁場コイル２と同じように構成されており、ただし、
支持管１上で９０°だけ方位方向に回転されている。分
かり易くするためにこれらは図１には示されていない。
斜磁場コイル２と同じように構成されており、ただし、
支持管１上で９０°だけ方位方向に回転されている。分
かり易くするためにこれらは図１には示されていない。
【００１５】更に、図１には同じく鞍形コイルとして構
成されているシムコイル４〜６が示してある。シムコイ
ル４〜６はたんに略示してあるに過ぎず、シムコイルの
設計についての説明は例えば米国特許第３５６９８２３
号明細書になされている。各シムコイル４〜６には夫々
電流給電部ＳＨ１〜ＳＨ３が配属されており、これら電
流給電部はそれぞれのシムコイル４〜６に電流Ｉ４〜Ｉ
６を供給する。当該電流Ｉ４〜Ｉ６は計算ユニットＣを
介して可調整である。
成されているシムコイル４〜６が示してある。シムコイ
ル４〜６はたんに略示してあるに過ぎず、シムコイルの
設計についての説明は例えば米国特許第３５６９８２３
号明細書になされている。各シムコイル４〜６には夫々
電流給電部ＳＨ１〜ＳＨ３が配属されており、これら電
流給電部はそれぞれのシムコイル４〜６に電流Ｉ４〜Ｉ
６を供給する。当該電流Ｉ４〜Ｉ６は計算ユニットＣを
介して可調整である。
【００１６】Ｚ方向での傾斜磁場に対する傾斜磁場コイ
ル３は図２には略示してある。当該コイルはリング状に
構成されており、被検体積１１の中心点に対して対称的
に配置されている。２つの個別コイル３ａ，３ｂはここ
には図２に示す形式で逆方向に電流が流れるので、Ｚ方
向に傾斜磁場を生じさせる。更に図２には−やはりたん
に略示してあるが−本例ではリング状のシムコイル７〜
９が示してあり、これらシムコイルは同様に電流給電部
ＳＨ４〜ＳＨ６を介して、電流Ｉ４〜Ｉ６の供給を受け
る。上記電流Ｉ４〜Ｉ６はやはり計算ユニットＣにより
可制御である。
ル３は図２には略示してある。当該コイルはリング状に
構成されており、被検体積１１の中心点に対して対称的
に配置されている。２つの個別コイル３ａ，３ｂはここ
には図２に示す形式で逆方向に電流が流れるので、Ｚ方
向に傾斜磁場を生じさせる。更に図２には−やはりたん
に略示してあるが−本例ではリング状のシムコイル７〜
９が示してあり、これらシムコイルは同様に電流給電部
ＳＨ４〜ＳＨ６を介して、電流Ｉ４〜Ｉ６の供給を受け
る。上記電流Ｉ４〜Ｉ６はやはり計算ユニットＣにより
可制御である。
【００１７】傾斜磁場コイルの構成についての詳細な説
明はＥＰ−Ａ１−００７３４０２になされている。更に
図１及び図２には傾斜磁場コイル２，３に対する電流給
電部Ｖが示してある。夫々の傾斜磁場コイル２，３を流
れる電流は測定シーケンスを設定するパルス発生器Ｐと
電流に対する発生器Ｏとによって定められる。ＰとＯの
出力信号は相加えられる。
明はＥＰ−Ａ１−００７３４０２になされている。更に
図１及び図２には傾斜磁場コイル２，３に対する電流給
電部Ｖが示してある。夫々の傾斜磁場コイル２，３を流
れる電流は測定シーケンスを設定するパルス発生器Ｐと
電流に対する発生器Ｏとによって定められる。ＰとＯの
出力信号は相加えられる。
【００１８】既述の論文Frest et al“Aspects of shim
ming a superconductive whole body MRI magnet”にて
述べられているように、磁場は球面調和関数に基づき表
示表現され得る。磁場のここで専ら関心のある軸方向成
分Ｂｚについては下記関係式が成立つ。
ming a superconductive whole body MRI magnet”にて
述べられているように、磁場は球面調和関数に基づき表
示表現され得る。磁場のここで専ら関心のある軸方向成
分Ｂｚについては下記関係式が成立つ。
【００１９】
【数１】
【００２０】同様に既に引用された米国特許第３，５６
９，８２３号明細書に記載されているように、シムコイ
ルを次のように構成できる。即ち、実質的に、これらの
係数のうちの１つに影響を与え、即ちこれらの係数に相
応する磁場障害を補償するように構成できる。
９，８２３号明細書に記載されているように、シムコイ
ルを次のように構成できる。即ち、実質的に、これらの
係数のうちの１つに影響を与え、即ちこれらの係数に相
応する磁場障害を補償するように構成できる。
【００２１】実際上は勿論、限られた数のシムコイルの
みしか設けられ得ず、それにより、球面調和関数の上述
の係数の相応の数が零にセットされ得る。核スピントモ
グラフィー及びスペクトロスコピーにおいて、高い要求
の場合にも一般に、９つの非直線性のシムコイルで事足
り、その結果３つの傾斜磁場コイルと共に磁場分布に最
も強く障害を与える１２の球面係数を零にもっていくこ
とができる。
みしか設けられ得ず、それにより、球面調和関数の上述
の係数の相応の数が零にセットされ得る。核スピントモ
グラフィー及びスペクトロスコピーにおいて、高い要求
の場合にも一般に、９つの非直線性のシムコイルで事足
り、その結果３つの傾斜磁場コイルと共に磁場分布に最
も強く障害を与える１２の球面係数を零にもっていくこ
とができる。
【００２２】シミングのため、先ず、存在する磁場経過
を検出することが必要である。
を検出することが必要である。
【００２３】シムコイル及び傾斜磁場コイルを流れる電
流の調整方法を以下図３〜図１０を用いて説明する。
流の調整方法を以下図３〜図１０を用いて説明する。
【００２４】図３は従来の勾配エコーシーケンスを示
し、ここでは高周波励起パルスＲＦの後、励起されたス
ピンが傾斜磁場ＧＲＯにより先ずディフェーズされ、次
いで、当該傾斜磁場ＧＲＯの反転によりリフェーズされ
る。当該傾斜磁場ＧＲＯを別として完全に均質な磁場に
おいて、時点ｔ０にて、勾配エコー信号Ｓが現われ、そ
の際当該時点ｔ０は次のようにして規定される、即ち有
効傾斜磁場ＧＲＯについての時間積分が零になるように
して規定される。
し、ここでは高周波励起パルスＲＦの後、励起されたス
ピンが傾斜磁場ＧＲＯにより先ずディフェーズされ、次
いで、当該傾斜磁場ＧＲＯの反転によりリフェーズされ
る。当該傾斜磁場ＧＲＯを別として完全に均質な磁場に
おいて、時点ｔ０にて、勾配エコー信号Ｓが現われ、そ
の際当該時点ｔ０は次のようにして規定される、即ち有
効傾斜磁場ＧＲＯについての時間積分が零になるように
して規定される。
【００２５】
【数２】
【００２６】図４は同じパルス列を示すが、但し、当該
基本磁場には本例では直線的として仮定された、不均質
な磁場ＢＩが傾斜磁場ＧＲＯの方向で重畳されている。
傾斜磁場ＧＲＯの方向での当該の直線的不均質磁場が上
記傾斜磁場ＧＲＯに加えられ、而して、今や、エコー条
件が早目に充足され、換言すれば、当該信号Ｓは通常の
エコー時点ｔ０より時間間隔ｔ１だけ前に現われる。
基本磁場には本例では直線的として仮定された、不均質
な磁場ＢＩが傾斜磁場ＧＲＯの方向で重畳されている。
傾斜磁場ＧＲＯの方向での当該の直線的不均質磁場が上
記傾斜磁場ＧＲＯに加えられ、而して、今や、エコー条
件が早目に充足され、換言すれば、当該信号Ｓは通常の
エコー時点ｔ０より時間間隔ｔ１だけ前に現われる。
【００２７】図５は図３の勾配エコーシーケンスを示
し、ここで、負の直線的磁場偏差が傾斜磁場ＧＲＯの方
向で生じる。そこでこれによって、エコー時点は通常の
エコー時点ｔ０より時間間隔Δｔ２だけ後に位置する。
し、ここで、負の直線的磁場偏差が傾斜磁場ＧＲＯの方
向で生じる。そこでこれによって、エコー時点は通常の
エコー時点ｔ０より時間間隔Δｔ２だけ後に位置する。
【００２８】要するに時間ずれΔｔは傾斜磁場ＧＲＯの
方向での直線的磁場偏差に対する尺度である。
方向での直線的磁場偏差に対する尺度である。
【００２９】均質磁場についての情報を勾配エコーによ
ってのみならず、図６〜図８の実施例ではスピンエコー
により得ることができる。説明の都合上、図６に先ず従
来のスピンエコーシーケンスを示す。その際高周波パル
スＲＦにつづいて傾斜磁場Ｇがつづき、次いで、１８０
°高周波パルスＲＦ＊がつづき、更に、傾斜磁場Ｇ＊が
つづき、このＧ＊のもとで、スピンエコー信号Ｓが読出
される。当該時間全体中傾斜磁場Ｇの方向に、直線状不
均質磁場ＢＩ、すなわち、１次の不均質磁場が作用す
る。この不均質磁場は傾斜磁場Ｇの方向での付加的傾斜
磁場に相応する。
ってのみならず、図６〜図８の実施例ではスピンエコー
により得ることができる。説明の都合上、図６に先ず従
来のスピンエコーシーケンスを示す。その際高周波パル
スＲＦにつづいて傾斜磁場Ｇがつづき、次いで、１８０
°高周波パルスＲＦ＊がつづき、更に、傾斜磁場Ｇ＊が
つづき、このＧ＊のもとで、スピンエコー信号Ｓが読出
される。当該時間全体中傾斜磁場Ｇの方向に、直線状不
均質磁場ＢＩ、すなわち、１次の不均質磁場が作用す
る。この不均質磁場は傾斜磁場Ｇの方向での付加的傾斜
磁場に相応する。
【００３０】通常の場合において、当該１８０°高周波
パルスＲＦ＊は高周波パルスＲＦとスピンエコー信号Ｓ
との間の中央に配置されている。それによって、一定の
均質磁場がスピンエコー信号Ｓの位置に影響を与えない
ようになる。というのは１８０°高周波パルスＲＦ＊の
右、左側で傾斜磁場面積は等しいからである。
パルスＲＦ＊は高周波パルスＲＦとスピンエコー信号Ｓ
との間の中央に配置されている。それによって、一定の
均質磁場がスピンエコー信号Ｓの位置に影響を与えない
ようになる。というのは１８０°高周波パルスＲＦ＊の
右、左側で傾斜磁場面積は等しいからである。
【００３１】不均質磁場ＢＩを求めるため、図７の第１
のシーケンスでは１８０°高周波パルスＲＦ＊が中央位
置に対して左方へずらされている。不均質磁場がないと
すればスピンエコーＳ１の位置へ何ら影響、作用が及ぼ
されなくなる、それというのも、エコー条件にとって傾
斜磁場ＧＩ，ＧＩ＊の傾斜磁場面積のみが規定的である
からである。ところが、当該の直線的不均質磁場によっ
てエコー信号Ｓ１は左方へシフトされる（要するに早め
に生じる）ようになる。このことは第１の高周波パルス
ＲＦ１と１８０°高周波パルスＲＦ＊との間の面積と、
１８０°高周波パルスＲＦ＊とエコー信号Ｓ１との間の
総合面積との比較により明らかになる。
のシーケンスでは１８０°高周波パルスＲＦ＊が中央位
置に対して左方へずらされている。不均質磁場がないと
すればスピンエコーＳ１の位置へ何ら影響、作用が及ぼ
されなくなる、それというのも、エコー条件にとって傾
斜磁場ＧＩ，ＧＩ＊の傾斜磁場面積のみが規定的である
からである。ところが、当該の直線的不均質磁場によっ
てエコー信号Ｓ１は左方へシフトされる（要するに早め
に生じる）ようになる。このことは第１の高周波パルス
ＲＦ１と１８０°高周波パルスＲＦ＊との間の面積と、
１８０°高周波パルスＲＦ＊とエコー信号Ｓ１との間の
総合面積との比較により明らかになる。
【００３２】第２高周波パルスＲＦ２と、第２傾斜磁場
パルスＧ２とを有する第２シーケンスにおいて、１８０
°高周波パルスＲＦ２＊は中央位置に対して右方へシフ
トされる。それにより、所属のスピンエコー信号Ｓ２は
不均質磁場ＢＩの作用により右方へシフトされる。この
ことは同じく有効傾斜磁場面積の比較により明らかにな
る。
パルスＧ２とを有する第２シーケンスにおいて、１８０
°高周波パルスＲＦ２＊は中央位置に対して右方へシフ
トされる。それにより、所属のスピンエコー信号Ｓ２は
不均質磁場ＢＩの作用により右方へシフトされる。この
ことは同じく有効傾斜磁場面積の比較により明らかにな
る。
【００３３】もって、図７及び図８による両シーケンス
におけるエコー位置の比較により、時間差Δｔが求めら
れ得、この時間差は同じく直線的磁場不均質性ＢＩに対
する尺度を成す。
におけるエコー位置の比較により、時間差Δｔが求めら
れ得、この時間差は同じく直線的磁場不均質性ＢＩに対
する尺度を成す。
【００３４】要するに、エコー時点のシフトに基づき、
所定の方向での直線的磁場不均質性を当該の方向での傾
斜磁場を有するスピンエコーシーケンス又は勾配エコー
シーケンスにより検出し得る。当該時間差の直接測定の
欠点とするところはそれによっては直線的磁場偏差しか
検出されずかつエコー中心の所要の検出がそう簡単では
ないことである。一般的種類の磁場不均質性はエコー信
号のフーリエ変換後得られる位相カーブの解析により求
められ得、これについて以下説明する。
所定の方向での直線的磁場不均質性を当該の方向での傾
斜磁場を有するスピンエコーシーケンス又は勾配エコー
シーケンスにより検出し得る。当該時間差の直接測定の
欠点とするところはそれによっては直線的磁場偏差しか
検出されずかつエコー中心の所要の検出がそう簡単では
ないことである。一般的種類の磁場不均質性はエコー信
号のフーリエ変換後得られる位相カーブの解析により求
められ得、これについて以下説明する。
【００３５】完全に均質な磁場の場合或１つの勾配エコ
ーのすべてのスピンは同じ位相位置を有する。要するに
当該エコー信号をフーリエ変換し、位相位置に関し評価
する際、スピン位置について位相位置状態の一定値が得
られる。図９には完全に均質の磁場の場合に対するエコ
ー位置及び位相カーブが示してある。勾配エコーは丁度
通常のエコー位置ｔ０を有し、スピン位置ＳＰに関して
略示された位相Ｐｈはスピン位置ＳＰに無関係に一定の
値を有する。
ーのすべてのスピンは同じ位相位置を有する。要するに
当該エコー信号をフーリエ変換し、位相位置に関し評価
する際、スピン位置について位相位置状態の一定値が得
られる。図９には完全に均質の磁場の場合に対するエコ
ー位置及び位相カーブが示してある。勾配エコーは丁度
通常のエコー位置ｔ０を有し、スピン位置ＳＰに関して
略示された位相Ｐｈはスピン位置ＳＰに無関係に一定の
値を有する。
【００３６】図１０には図５に相応して、負の直線的磁
場偏差、即ち、傾斜磁場ＧＲＯの方向での１次の磁場偏
差が示してある。この場合において、エコー時点は右方
へシフトされており、当該位相カーブは次のような傾き
を有する、即ちエコー時間シフトに正確に相応すると共
に傾斜磁場ＧＲＯの方向での１次の不均質磁場について
の情報を表わす傾きを有している。同じことが図１１に
正の直線的磁場偏差（すなわち同じく１次の不均質磁
場）に対して示してある。
場偏差、即ち、傾斜磁場ＧＲＯの方向での１次の磁場偏
差が示してある。この場合において、エコー時点は右方
へシフトされており、当該位相カーブは次のような傾き
を有する、即ちエコー時間シフトに正確に相応すると共
に傾斜磁場ＧＲＯの方向での１次の不均質磁場について
の情報を表わす傾きを有している。同じことが図１１に
正の直線的磁場偏差（すなわち同じく１次の不均質磁
場）に対して示してある。
【００３７】ところが、フーリエ変換を用いては１次の
磁場偏差のみならず、比較的に高い次数の磁場偏差をも
検出できる。図１２は左方に時間領域における信号を示
し、ここには当該磁場は１次の磁場不均質性を有しない
が２次の磁場不均質性を有する。その場合、エコー時点
はシフトされないが、エコーは拡げられる。個々のスピ
ンの略示した位相位置を以ての所属の位相カーブは２次
の磁場不均質性を表わす。
磁場偏差のみならず、比較的に高い次数の磁場偏差をも
検出できる。図１２は左方に時間領域における信号を示
し、ここには当該磁場は１次の磁場不均質性を有しない
が２次の磁場不均質性を有する。その場合、エコー時点
はシフトされないが、エコーは拡げられる。個々のスピ
ンの略示した位相位置を以ての所属の位相カーブは２次
の磁場不均質性を表わす。
【００３８】図１３は比較的に高い次数の磁場不均質性
に係わる。ここには磁場不均質性に関する時間信号は直
接的にはもはや情報内容を含まない。但し、当該位相カ
ーブは比較的に高次の磁場不均質性をも明瞭に表わす。
に係わる。ここには磁場不均質性に関する時間信号は直
接的にはもはや情報内容を含まない。但し、当該位相カ
ーブは比較的に高次の磁場不均質性をも明瞭に表わす。
【００３９】要するに一般的に云って、勾配エコー又は
スピンエコーの生成、得られた核共鳴信号のフーリエ変
換、及び、それにより得られた位相情報の評価により、
適用された傾斜磁場の方向での磁場（特性）経過が求め
られ得る。第ｎ次の不均質磁場は同じ次数の位相カーブ
において有効性が現われる。磁場不均質性についての十
分な情報を得るには複数の傾斜磁場方向（以下たんに投
影と称される）に対するその種プロセスが実施されねば
ならない。所要の投影の数は球面調和関数による磁場の
表現における、磁場不均質性を表わす次の幾つの項が補
償さるべきであるかに依存する。要するに、除去さるべ
き球面調和関数の各係数が、投影により求められねばな
らない。所要の投影の数をわずかに抑えるために、当該
投影軸は次のように選択される。即ち個々の係数への作
用、影響ができるだけ簡単に選別識別され得るように選
択される。表１（図２６）中には磁場不均質性へ普通最
も係わってくる１２の球面係数Ａ（ｎ，ｍ）、Ｂ（ｎ，
ｍ）が示してある。これらの係数は式（１）に相応する
基本磁場の表示に関連している。更に同じ列にはこれら
構成部分に対して直交座標記号表示を略称で示してあ
る。
スピンエコーの生成、得られた核共鳴信号のフーリエ変
換、及び、それにより得られた位相情報の評価により、
適用された傾斜磁場の方向での磁場（特性）経過が求め
られ得る。第ｎ次の不均質磁場は同じ次数の位相カーブ
において有効性が現われる。磁場不均質性についての十
分な情報を得るには複数の傾斜磁場方向（以下たんに投
影と称される）に対するその種プロセスが実施されねば
ならない。所要の投影の数は球面調和関数による磁場の
表現における、磁場不均質性を表わす次の幾つの項が補
償さるべきであるかに依存する。要するに、除去さるべ
き球面調和関数の各係数が、投影により求められねばな
らない。所要の投影の数をわずかに抑えるために、当該
投影軸は次のように選択される。即ち個々の係数への作
用、影響ができるだけ簡単に選別識別され得るように選
択される。表１（図２６）中には磁場不均質性へ普通最
も係わってくる１２の球面係数Ａ（ｎ，ｍ）、Ｂ（ｎ，
ｍ）が示してある。これらの係数は式（１）に相応する
基本磁場の表示に関連している。更に同じ列にはこれら
構成部分に対して直交座標記号表示を略称で示してあ
る。
【００４０】表１（図２６）の係数を求めるために磁場
特性経過を次の投影で求めるのが有利であることが判っ
ている、即ち：Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、軸Ｘ＝Ｙ、軸Ｘ＝−
Ｙ、軸Ｘ＝Ｚ、軸Ｘ＝−Ｚ、軸Ｙ＝Ｚ、軸Ｙ＝−Ｚを決
定すると有利であることが判っている。表１には、球面
係数Ａ（ｎ，ｍ）、Ｂ（ｎ，ｍ）により表わされる不均
質磁場がどのように当該投影に作用を及ぼすかが示され
ている。その際、γは原点からの距離間隔を示し、αは
係数を表わす。例えば次の関係性が認められる。
特性経過を次の投影で求めるのが有利であることが判っ
ている、即ち：Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、軸Ｘ＝Ｙ、軸Ｘ＝−
Ｙ、軸Ｘ＝Ｚ、軸Ｘ＝−Ｚ、軸Ｙ＝Ｚ、軸Ｙ＝−Ｚを決
定すると有利であることが判っている。表１には、球面
係数Ａ（ｎ，ｍ）、Ｂ（ｎ，ｍ）により表わされる不均
質磁場がどのように当該投影に作用を及ぼすかが示され
ている。その際、γは原点からの距離間隔を示し、αは
係数を表わす。例えば次の関係性が認められる。
【００４１】係数Ａ２．０により表わされる磁場不均質
性はすべての投影に影響を及ぼす。係数Ａ２．２により
表わされる磁場不均質性はＸ（ｘ軸等……と示されてい
る），Ｙ，Ｘ＝Ｚ，Ｙ＝Ｚ，Ｙ＝−Ｚの投影に影響を及
ぼす。
性はすべての投影に影響を及ぼす。係数Ａ２．２により
表わされる磁場不均質性はＸ（ｘ軸等……と示されてい
る），Ｙ，Ｘ＝Ｚ，Ｙ＝Ｚ，Ｙ＝−Ｚの投影に影響を及
ぼす。
【００４２】係数Ｂ２．２により表わされる磁場不均一
性は投影Ｘ＝Ｙ、Ｘ＝−Ｙにおいて現われる、即ち、Ｘ
／Ｙ平面内で４５°又は１３５°を有する軸上に現われ
る。
性は投影Ｘ＝Ｙ、Ｘ＝−Ｙにおいて現われる、即ち、Ｘ
／Ｙ平面内で４５°又は１３５°を有する軸上に現われ
る。
【００４３】当該のテーブルに基づき、すべての１２の
球面係数が求められ得る。
球面係数が求められ得る。
【００４４】実際上フーリエ変換により得られた位相カ
ーブは次のように評価される。即ち、フーリエ変換の後
先ず、平滑化、次いでＦｉｔ法を実施し、これにより多
項式係数が得られ、この多項係数を式（１）の多項式係
数に関連付けるように評価される。もって、歩進的に、
表１からすべての多項式−係数を求め得、従って、球面
係数が得られる。当該プロセスの精度は各投影ごとに１
回の測定を行なうのみならず複数回の測定を平均化する
ことにより改善され得る。実際上、更に、表１の９回の
測定のみにとどまらない。というのは、オフセット効果
を除去しなければならないからである。このことは図４
及び図５を用いて示され得る。当該時間ずれ−Δｔ１を
オフセットなしで求めるため、傾斜磁場ＧＲＯの逆極性
を以て同一シーケンスを経過させ得る。もって、負の時
間ずれ−Δｔ１（図４）は正の時間ずれ＋Δｔ１となり
（図５）、両時間の差から、実際の時間ずれが求められ
得る。このことは相応にフーリエ変換方式にも、比較的
に高い次数の項にも当嵌まる。
ーブは次のように評価される。即ち、フーリエ変換の後
先ず、平滑化、次いでＦｉｔ法を実施し、これにより多
項式係数が得られ、この多項係数を式（１）の多項式係
数に関連付けるように評価される。もって、歩進的に、
表１からすべての多項式−係数を求め得、従って、球面
係数が得られる。当該プロセスの精度は各投影ごとに１
回の測定を行なうのみならず複数回の測定を平均化する
ことにより改善され得る。実際上、更に、表１の９回の
測定のみにとどまらない。というのは、オフセット効果
を除去しなければならないからである。このことは図４
及び図５を用いて示され得る。当該時間ずれ−Δｔ１を
オフセットなしで求めるため、傾斜磁場ＧＲＯの逆極性
を以て同一シーケンスを経過させ得る。もって、負の時
間ずれ−Δｔ１（図４）は正の時間ずれ＋Δｔ１となり
（図５）、両時間の差から、実際の時間ずれが求められ
得る。このことは相応にフーリエ変換方式にも、比較的
に高い次数の項にも当嵌まる。
【００４５】図１４には表により１２の球面係数を求め
るため有利に用いられるパルスシーケンスを示す。その
場合、ＡＤＣによっては夫々核スピン共鳴信号に対する
走査インターバルを示す。Ｘ−、Ｙ−、Ｚ投影は夫々２
回、傾斜磁場の異なる極性を以て実施される。残りの投
影（Ｘ＝Ｙ、Ｘ＝−Ｙ、Ｘ＝Ｚ、Ｘ＝−Ｚ、Ｙ＝Ｚ、Ｙ
＝−Ｚ）は夫々一度実施される。Ｘ−、Ｙ−、Ｚ投影に
対する第２測定により夫々、オフセット効果の除去のた
めの基準量が得られる。
るため有利に用いられるパルスシーケンスを示す。その
場合、ＡＤＣによっては夫々核スピン共鳴信号に対する
走査インターバルを示す。Ｘ−、Ｙ−、Ｚ投影は夫々２
回、傾斜磁場の異なる極性を以て実施される。残りの投
影（Ｘ＝Ｙ、Ｘ＝−Ｙ、Ｘ＝Ｚ、Ｘ＝−Ｚ、Ｙ＝Ｚ、Ｙ
＝−Ｚ）は夫々一度実施される。Ｘ−、Ｙ−、Ｚ投影に
対する第２測定により夫々、オフセット効果の除去のた
めの基準量が得られる。
【００４６】シム方法を、検査体積全体に関連づけない
で、各投影方向に対して１つのブロック（これは投影の
方向に延在する）に関連づけることも有利である。この
ことは図１５〜図１９に示されているようなパルスシー
ケンスを用いて予備飽和により行なわれ得る。その場合
第１の周波数選択性高周波パルスＲＦ１が、傾斜磁場Ｇ
ｙ（図１８）と共に入力照射され、その結果Ｙ方向に対
して垂直方向のスライス（層）が励起される。それにひ
きつづいて、３つのスポイラ傾斜磁場Ｇｘ、Ｇ ｙ、
Ｇｚ、次いで別の高周波パルスＲＦ２が起こり、この別
の高周波パルスＲＦ２は第１高周波パルスＲＦ１とは異
なる周波数スペクトルを有し、同様に傾斜磁場Ｇｙのも
とに作用印加される。さらに、３つのスポイラ傾斜磁場
がつづいている。これまで説明されたパルスシーケンス
により、Ｙ軸に対して垂直方向に位置する中心のスライ
ス（層）外に位置するすべてのスピンが飽和される。さ
らなる高周波パルスＲＦ３，ＲＦ４（これらは夫々傾斜
磁場Ｇｚ（図１９）の作用下で投入印加される）およ
び、各高周波パルスＲＦ３，ＲＦ４につづくスポイラー
傾斜磁場によっては、すべてのスピン、即ちＺ軸に対し
て垂直に位置する中心スライス（層）外にあるすべての
スピンが飽和される。これにより、Ｘ方向に延在するブ
ロック（図２０）のスピンのみが非飽和状態におかれ
る。当該の事前飽和の後、なお非飽和状態のスピンが、
さらなる高周波パルスＲＦ５で励起され、前掲の例にお
けるように勾配エコー信号Ｓが読出される。当該パルス
シーケンスは前述のように複数方向に対して実施されな
ければならない。
で、各投影方向に対して１つのブロック（これは投影の
方向に延在する）に関連づけることも有利である。この
ことは図１５〜図１９に示されているようなパルスシー
ケンスを用いて予備飽和により行なわれ得る。その場合
第１の周波数選択性高周波パルスＲＦ１が、傾斜磁場Ｇ
ｙ（図１８）と共に入力照射され、その結果Ｙ方向に対
して垂直方向のスライス（層）が励起される。それにひ
きつづいて、３つのスポイラ傾斜磁場Ｇｘ、Ｇ ｙ、
Ｇｚ、次いで別の高周波パルスＲＦ２が起こり、この別
の高周波パルスＲＦ２は第１高周波パルスＲＦ１とは異
なる周波数スペクトルを有し、同様に傾斜磁場Ｇｙのも
とに作用印加される。さらに、３つのスポイラ傾斜磁場
がつづいている。これまで説明されたパルスシーケンス
により、Ｙ軸に対して垂直方向に位置する中心のスライ
ス（層）外に位置するすべてのスピンが飽和される。さ
らなる高周波パルスＲＦ３，ＲＦ４（これらは夫々傾斜
磁場Ｇｚ（図１９）の作用下で投入印加される）およ
び、各高周波パルスＲＦ３，ＲＦ４につづくスポイラー
傾斜磁場によっては、すべてのスピン、即ちＺ軸に対し
て垂直に位置する中心スライス（層）外にあるすべての
スピンが飽和される。これにより、Ｘ方向に延在するブ
ロック（図２０）のスピンのみが非飽和状態におかれ
る。当該の事前飽和の後、なお非飽和状態のスピンが、
さらなる高周波パルスＲＦ５で励起され、前掲の例にお
けるように勾配エコー信号Ｓが読出される。当該パルス
シーケンスは前述のように複数方向に対して実施されな
ければならない。
【００４７】図１５〜図１９によるパルスシーケンスの
実施例は前述のパルスシーケンスと異なって、Ｘ方向で
の運動リフォーカシング（再収束）する傾斜磁場パルス
（これはＧＭＲ（gradient motion refocussing）で示
す）を含む（図１７）。この両極性傾斜磁場によっては
運動アーチファクトが回避され得る。運動リフォーカシ
ングパルスの作用は例えば米国特許第４６１６１８０号
明細書に記載されている。
実施例は前述のパルスシーケンスと異なって、Ｘ方向で
の運動リフォーカシング（再収束）する傾斜磁場パルス
（これはＧＭＲ（gradient motion refocussing）で示
す）を含む（図１７）。この両極性傾斜磁場によっては
運動アーチファクトが回避され得る。運動リフォーカシ
ングパルスの作用は例えば米国特許第４６１６１８０号
明細書に記載されている。
【００４８】更に、当該シーケンスの終りにて、なお、
依然として位相コヒーレンスを損なうＸ方向でのスポイ
ラー傾斜磁場ＧＳ（図１７）が示してあり、その結果、
他の投影に対するさらなるパルスシーケンスが直ちにつ
づいて実施され得る。
依然として位相コヒーレンスを損なうＸ方向でのスポイ
ラー傾斜磁場ＧＳ（図１７）が示してあり、その結果、
他の投影に対するさらなるパルスシーケンスが直ちにつ
づいて実施され得る。
【００４９】ブロック形式の被検体積の選択（これは前
述の例では事前磁化によって達成されている）は選択的
励起によっても達成され得る。相応の実施例を図２１〜
図２５を用いて説明する。
述の例では事前磁化によって達成されている）は選択的
励起によっても達成され得る。相応の実施例を図２１〜
図２５を用いて説明する。
【００５０】図２１は図２２によるスライス（層）選択
傾斜磁場ＧＳＬ１の作用下で作用印加される周波数選択
性の９０°高周波パルスＲＦ１を示す。それにより、第
１スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ１に対して垂直のスライ
スが励起される。それにひきつづいて、第１スライス選
択傾斜磁場ＧＳＬ１の反転によっては正の部分パルスで
惹起されたディフエーズが再び解消される。後続の、同
様に周波数選択性の１８０°高周波パルスにより、スピ
ン母集団が反転される。１８０°高周波パルスは第２の
スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ２下で照射され、その際第
２のスライス選択傾斜磁場ＧＳＬ２は第１のスライス選
択傾斜磁場ＧＳＬ１に対して垂直である。従って、１８
０°高周波パルスＲＦ２により、選択的に次のような核
スピンが反転される、即ち、第２スライス選択傾斜磁場
ＧＳＬ２の方向に対して垂直なスライス内に位置する核
スピンのみが反転される。
傾斜磁場ＧＳＬ１の作用下で作用印加される周波数選択
性の９０°高周波パルスＲＦ１を示す。それにより、第
１スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ１に対して垂直のスライ
スが励起される。それにひきつづいて、第１スライス選
択傾斜磁場ＧＳＬ１の反転によっては正の部分パルスで
惹起されたディフエーズが再び解消される。後続の、同
様に周波数選択性の１８０°高周波パルスにより、スピ
ン母集団が反転される。１８０°高周波パルスは第２の
スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ２下で照射され、その際第
２のスライス選択傾斜磁場ＧＳＬ２は第１のスライス選
択傾斜磁場ＧＳＬ１に対して垂直である。従って、１８
０°高周波パルスＲＦ２により、選択的に次のような核
スピンが反転される、即ち、第２スライス選択傾斜磁場
ＧＳＬ２の方向に対して垂直なスライス内に位置する核
スピンのみが反転される。
【００５１】更に、読出傾斜磁場ＧＲＤが負の方向に作
用印加され、次いで反転される。読出傾斜磁場ＧＲＤの
正の部分のもとに、核磁気共鳴信号が読出され、このこ
とは図２５中個々の走査時点ＡＤで示される。
用印加され、次いで反転される。読出傾斜磁場ＧＲＤの
正の部分のもとに、核磁気共鳴信号が読出され、このこ
とは図２５中個々の走査時点ＡＤで示される。
【００５２】すべての核共鳴信号は一方では９０°高周
波パルスにより励起されるスライス中に位置しなければ
ならず、更に、１８０°高周波パルスＲＦ２により反転
される層（スライス）内に位置する領域から由来するも
のである。即ち、反転されない核スピンはスピンエコー
を生成せず、従って読出傾斜磁場ＧＲＤ下で生じる核磁
気共鳴信号に関与しない。従って、図示のパルスシーケ
ンスによっては２つの選択されたスライスの断面集合体
に相応する体積がしらべられる。このことは図２０に相
応するブロック内に示してあり、その際当該ブロックの
長手方向が、スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ１，ＧＳＬ２
の方向により選択され得る。当該ブロックの厚さは高周
波パルスＲＦ１，ＲＦ２の周波数スペクトルにより定め
られる。
波パルスにより励起されるスライス中に位置しなければ
ならず、更に、１８０°高周波パルスＲＦ２により反転
される層（スライス）内に位置する領域から由来するも
のである。即ち、反転されない核スピンはスピンエコー
を生成せず、従って読出傾斜磁場ＧＲＤ下で生じる核磁
気共鳴信号に関与しない。従って、図示のパルスシーケ
ンスによっては２つの選択されたスライスの断面集合体
に相応する体積がしらべられる。このことは図２０に相
応するブロック内に示してあり、その際当該ブロックの
長手方向が、スライス選択傾斜磁場ＧＳＬ１，ＧＳＬ２
の方向により選択され得る。当該ブロックの厚さは高周
波パルスＲＦ１，ＲＦ２の周波数スペクトルにより定め
られる。
【００５３】図６及び図８を用いて上述したように、次
のようなときにのみスピンエコーシーケンスにおける不
均質性についての情報が得られる。即ち、１８０°高周
波励起パルスＲＦ２が高周波励起パルスＦＲ１とエコー
時点Ｔｅとの間で中央に位置しないときである。図２１
〜図２５によるパルスシーケンスではエコー時点Ｔｅ ＊
と実際のエコー時点Ｔｅとの間隔がΔＴｅで示してあ
る。この間隔に関して１８０°高周波パルスＲＦ２は中
心に位置するべきものである。
のようなときにのみスピンエコーシーケンスにおける不
均質性についての情報が得られる。即ち、１８０°高周
波励起パルスＲＦ２が高周波励起パルスＦＲ１とエコー
時点Ｔｅとの間で中央に位置しないときである。図２１
〜図２５によるパルスシーケンスではエコー時点Ｔｅ ＊
と実際のエコー時点Ｔｅとの間隔がΔＴｅで示してあ
る。この間隔に関して１８０°高周波パルスＲＦ２は中
心に位置するべきものである。
【００５４】直線的磁場誤差の補正に限定する場合、傾
斜磁場にオフセット電流を加えることで十分である。こ
れまで述べた一般的手法の簡単な特別事例として適当な
オフセット電流を求める手法を図２７及び図２８を用い
て説明する。
斜磁場にオフセット電流を加えることで十分である。こ
れまで述べた一般的手法の簡単な特別事例として適当な
オフセット電流を求める手法を図２７及び図２８を用い
て説明する。
【００５５】先ず、被検体積に９０°高周波パルスＲＦ
が作用印加される。時点Ｔ１から時点Ｔ２まで傾斜磁場
コイルのうちの１つに電流が供給され、この電流によっ
ては負のＸ、Ｙ又はＺ方向に傾斜磁場Ｇ１−が生ぜしめ
られる。傾斜磁場Ｇ１−の上昇時間はΔＴで示され、同
じ下降時間は同様にΔＴで示され、それの振幅は−Ａ
ｄｅで示される。それにひきつづいて、傾斜磁場コイル
を流れる電流方向が反転され、これにより生じる、正の
Ｘ，Ｙ又はＺ方向の傾斜磁場はＧ１＋で示され、それの
振幅はＡｒｄで、そしてそれの上昇ないし下降時間はΔ
Ｔで示される。
が作用印加される。時点Ｔ１から時点Ｔ２まで傾斜磁場
コイルのうちの１つに電流が供給され、この電流によっ
ては負のＸ、Ｙ又はＺ方向に傾斜磁場Ｇ１−が生ぜしめ
られる。傾斜磁場Ｇ１−の上昇時間はΔＴで示され、同
じ下降時間は同様にΔＴで示され、それの振幅は−Ａ
ｄｅで示される。それにひきつづいて、傾斜磁場コイル
を流れる電流方向が反転され、これにより生じる、正の
Ｘ，Ｙ又はＺ方向の傾斜磁場はＧ１＋で示され、それの
振幅はＡｒｄで、そしてそれの上昇ないし下降時間はΔ
Ｔで示される。
【００５６】傾斜磁場反転によってはＨＦパルスＲＦ１
で励起されたスピンが、公知のようにリフォーカシング
され、その結果時点Ｔｅにて勾配エコー信号Ｓが生じ
る。公知のように、エコーの時点は次のようにして与え
られる。即ち、正の傾斜磁場成分Ｇ１＋の時間積分が、
負の傾斜磁場成分Ｇ１−の時間積分に等しくなければな
らない、又は、換言すれば、両傾斜磁場成分Ｇ１−，Ｇ
１＋のもとでの面積が等しくなければならないというこ
とにより与えられる。
で励起されたスピンが、公知のようにリフォーカシング
され、その結果時点Ｔｅにて勾配エコー信号Ｓが生じ
る。公知のように、エコーの時点は次のようにして与え
られる。即ち、正の傾斜磁場成分Ｇ１＋の時間積分が、
負の傾斜磁場成分Ｇ１−の時間積分に等しくなければな
らない、又は、換言すれば、両傾斜磁場成分Ｇ１−，Ｇ
１＋のもとでの面積が等しくなければならないというこ
とにより与えられる。
【００５７】基本磁場が傾斜磁場Ｇ１の方向で一定でな
い場合はそれにより与えられる不所望の傾斜磁場は次の
ような傾斜磁場に重畳される。即ち、相応の傾斜磁場コ
イルを流れる電流により惹起される傾斜磁場のような磁
場である。これにより惹起される傾斜磁場オフセットは
図２７の実施例では正であって、Ａｏｆｆで示されてい
る。エコー条件（正の傾斜磁場面積＝負の傾斜磁場面
積）の場合、磁場不均質性により惹起される傾斜磁場オ
フセットＡｏｆｆが考慮されるべきであり、図２７の例
ではエコー信号Ｓ１は左方へシフトされるようになる。
図２７では傾斜磁場オフセットＡｏｆｆの考慮下で作用
する負の面積が点点で示されており、正の面積はハッチ
ングで示されている。両面積はエコー信号Ｓの発生のた
めには等しくなければならない。
い場合はそれにより与えられる不所望の傾斜磁場は次の
ような傾斜磁場に重畳される。即ち、相応の傾斜磁場コ
イルを流れる電流により惹起される傾斜磁場のような磁
場である。これにより惹起される傾斜磁場オフセットは
図２７の実施例では正であって、Ａｏｆｆで示されてい
る。エコー条件（正の傾斜磁場面積＝負の傾斜磁場面
積）の場合、磁場不均質性により惹起される傾斜磁場オ
フセットＡｏｆｆが考慮されるべきであり、図２７の例
ではエコー信号Ｓ１は左方へシフトされるようになる。
図２７では傾斜磁場オフセットＡｏｆｆの考慮下で作用
する負の面積が点点で示されており、正の面積はハッチ
ングで示されている。両面積はエコー信号Ｓの発生のた
めには等しくなければならない。
【００５８】図２８に示すように、同じシーケンスを傾
斜磁場Ｇの反転した極性を以て経過させる場合、当該エ
コー信号は同じ傾斜磁場オフセットＡｏｆｆのもとで時
間軸上にて右方へシフトされる。この場合においてエコ
ー条件は当該面積ＩとＩＩの比較から容易にわかるよう
に、早期に充足される。
斜磁場Ｇの反転した極性を以て経過させる場合、当該エ
コー信号は同じ傾斜磁場オフセットＡｏｆｆのもとで時
間軸上にて右方へシフトされる。この場合においてエコ
ー条件は当該面積ＩとＩＩの比較から容易にわかるよう
に、早期に充足される。
【００５９】傾斜磁場オフセットＡｏｆｆが無いとすれ
ば、当該エコー信号は図２７及び図２８のシーケンスの
場合高周波パルスＲＦの後の同じ時点Ｔｅで生じること
となる。
ば、当該エコー信号は図２７及び図２８のシーケンスの
場合高周波パルスＲＦの後の同じ時点Ｔｅで生じること
となる。
【００６０】図２７及び図２８のシーケンスの場合にお
いて、夫々の高周波パルスＲＦ１，ＲＦ２に対する夫々
のエコー信号Ｓ１，Ｓ２の間隔間の差から、下記の手法
に従って、存在する傾斜磁場オフセットＡｏｆｆが求め
られ得る。図２７及び傾斜磁場全体Ｇ（ｔ）に亘っての
時間積分が零に等しくなければならないというエコー条
件から出発して、次の式が得られる。
いて、夫々の高周波パルスＲＦ１，ＲＦ２に対する夫々
のエコー信号Ｓ１，Ｓ２の間隔間の差から、下記の手法
に従って、存在する傾斜磁場オフセットＡｏｆｆが求め
られ得る。図２７及び傾斜磁場全体Ｇ（ｔ）に亘っての
時間積分が零に等しくなければならないというエコー条
件から出発して、次の式が得られる。
【００６１】
【数３】
【００６２】ここにおいて、傾斜磁場全体Ｇ（ｔ）は傾
斜磁場Ｇ１−，Ｇ１＋、傾斜磁場オフセットＡｏｆｆか
ら合成される。
斜磁場Ｇ１−，Ｇ１＋、傾斜磁場オフセットＡｏｆｆか
ら合成される。
【００６３】
【数４】
【００６４】その場合当該積分は次のように算出され
る。
る。
【００６５】
【数５】
【００６６】但し、Ａｄｅは傾斜磁場Ｇ１−の振幅を示
し、Ａｒｄは傾斜磁場Ｇ１＋の振幅を示す。
し、Ａｒｄは傾斜磁場Ｇ１＋の振幅を示す。
【００６７】式（２）に（４），（５）を代入すると次
のようになる。
のようになる。
【００６８】
【数６】
【００６９】これによりエコー時点Ｔｅｌは次のように
得られる。
得られる。
【００７０】
【数７】
【００７１】上記式を図２８の測定シーケンスに適用す
ると、相応のエコー時間Ｔｅ２は次のようになる。
ると、相応のエコー時間Ｔｅ２は次のようになる。
【００７２】
【数８】
【００７３】式（７）と（８）から次のようになる。
【００７４】
【数９】
【００７５】もって、下記の傾斜磁場オフセットＡ
ｏｆｆが得られる。
ｏｆｆが得られる。
【００７６】
【数１０】
【００７７】この場合、Ｔｅ１，Ｔｅ２は図２７及び図
２８による両シーケンスに基づき測定され得、傾斜磁気
場振幅Ａｅｄは傾斜磁場コイルに由来する傾斜磁場に対
する規定量であり、もって既知である。
２８による両シーケンスに基づき測定され得、傾斜磁気
場振幅Ａｅｄは傾斜磁場コイルに由来する傾斜磁場に対
する規定量であり、もって既知である。
【００７８】傾斜磁場オフセットをこのようにして計算
すると、当該オフセットを次のようにして簡単に補償で
きる。即ち、夫々の傾斜磁場コイルに相応のオフセット
電流を供給して、オフセット電流がパルス発生器により
設定される傾斜磁場電流に加えられるようにするのであ
る。もって上記オフセット電流は時間の要する反復手法
を用いずに簡単な計算法で見出され得る。
すると、当該オフセットを次のようにして簡単に補償で
きる。即ち、夫々の傾斜磁場コイルに相応のオフセット
電流を供給して、オフセット電流がパルス発生器により
設定される傾斜磁場電流に加えられるようにするのであ
る。もって上記オフセット電流は時間の要する反復手法
を用いずに簡単な計算法で見出され得る。
【００７９】シミングの一般的事例に対して詳述したよ
うに、時間間隔Ｔｅ１，Ｔｅ２を次のようにして求め得
る。即ち、各エコー信号をフーリェ変換し、それにより
得られた位相カーブの勾配を比較するのである。上記勾
配はフーリェ変換のための時間原点とエコー信号との間
の時間間隔に対する尺度である。エコー位置と時間原点
が一致する場合、一定の位相経過が生じる、そして、一
致しない場合は正又は負の勾配（これは当該時間間隔に
比例する）が生じる。基本磁場が次の偏差を有する場合
当該位相カーブは直線的でない。従って、位相カーブに
直線的なＦｉｔ法を適用すると有利である。
うに、時間間隔Ｔｅ１，Ｔｅ２を次のようにして求め得
る。即ち、各エコー信号をフーリェ変換し、それにより
得られた位相カーブの勾配を比較するのである。上記勾
配はフーリェ変換のための時間原点とエコー信号との間
の時間間隔に対する尺度である。エコー位置と時間原点
が一致する場合、一定の位相経過が生じる、そして、一
致しない場合は正又は負の勾配（これは当該時間間隔に
比例する）が生じる。基本磁場が次の偏差を有する場合
当該位相カーブは直線的でない。従って、位相カーブに
直線的なＦｉｔ法を適用すると有利である。
【００８０】傾斜磁場オフセットが存在する場合２つの
シーケンスの位相カーブの勾配は等しく、当該勾配の偏
差は傾斜磁場オフセットＡｏｆｆに対する尺度を成す。
上記偏差に基づき、同様に、傾斜磁場オフセットＡｆｆ
を補償するために必要な傾斜磁場オフセット電流を計算
できる。
シーケンスの位相カーブの勾配は等しく、当該勾配の偏
差は傾斜磁場オフセットＡｏｆｆに対する尺度を成す。
上記偏差に基づき、同様に、傾斜磁場オフセットＡｆｆ
を補償するために必要な傾斜磁場オフセット電流を計算
できる。
【００８１】すべての３つの空間方向で磁場の１次の誤
差項を補償するため、一般に、前述のプロセス過程を、
３つの空間方向で、つまり、３つの存在する傾斜磁場コ
イルに関して実施する。相応のシーケンスが図２９〜図
３４に示してある。このために実施例において、全部で
６つのＨＦパルスＲＦ１〜ＲＦ６の１つのシーケンスが
投入照射される。当該測定をできるだけ速やかに実施し
得るため、２つの高周波パルスＲＦ２〜ＲＦ６間のスピ
ンの緩和時間は待機されない。後続する測定への或１つ
の測定の影響を回避するため、各高周波パルスＲＦには
各傾斜磁場方向でスポイラ傾斜磁場ＧＳｘ，ＧＳｙ，Ｇ
Ｓｚ（これはまだ存在している位相コヒーレンスを損な
う）が前置される。スポイラー傾斜磁場ＧＳは直ぐ先行
する傾斜磁場と同じ方向を有する、それは、これよりそ
の作用が増強されるからである。
差項を補償するため、一般に、前述のプロセス過程を、
３つの空間方向で、つまり、３つの存在する傾斜磁場コ
イルに関して実施する。相応のシーケンスが図２９〜図
３４に示してある。このために実施例において、全部で
６つのＨＦパルスＲＦ１〜ＲＦ６の１つのシーケンスが
投入照射される。当該測定をできるだけ速やかに実施し
得るため、２つの高周波パルスＲＦ２〜ＲＦ６間のスピ
ンの緩和時間は待機されない。後続する測定への或１つ
の測定の影響を回避するため、各高周波パルスＲＦには
各傾斜磁場方向でスポイラ傾斜磁場ＧＳｘ，ＧＳｙ，Ｇ
Ｓｚ（これはまだ存在している位相コヒーレンスを損な
う）が前置される。スポイラー傾斜磁場ＧＳは直ぐ先行
する傾斜磁場と同じ方向を有する、それは、これよりそ
の作用が増強されるからである。
【００８２】高周波パルスＲＦ１，ＲＦ２によって先
ず、図２７、図２８を用いて説明されたパルスシーケン
ス動作が、Ｘ傾斜磁場に対して実施される。その際得ら
れた信号Ｓ１，Ｓ２は既述のようにＸ方向でのオフセッ
ト調整のため使用される。ＨＦパルスＲＦ３，ＲＦ４な
いしＲＦ５，ＲＦ６によってはＹないしＺ傾斜磁場に対
する相応のシーケンスが実施される。その際そのつど生
じる信号Ｓ３，Ｓ４ないしＳ５，Ｓ６は同じくＹないし
Ｚ傾斜磁場のオフセット調整のため使用される。
ず、図２７、図２８を用いて説明されたパルスシーケン
ス動作が、Ｘ傾斜磁場に対して実施される。その際得ら
れた信号Ｓ１，Ｓ２は既述のようにＸ方向でのオフセッ
ト調整のため使用される。ＨＦパルスＲＦ３，ＲＦ４な
いしＲＦ５，ＲＦ６によってはＹないしＺ傾斜磁場に対
する相応のシーケンスが実施される。その際そのつど生
じる信号Ｓ３，Ｓ４ないしＳ５，Ｓ６は同じくＹないし
Ｚ傾斜磁場のオフセット調整のため使用される。
【００８３】傾斜磁場オフセットの補償のための上述の
方法は迅速に実施され得る。必要な場合、当該調整は核
スピントモグラフィー装置での各検査の前に、検査時間
の大した延長なしで可能である。
方法は迅速に実施され得る。必要な場合、当該調整は核
スピントモグラフィー装置での各検査の前に、検査時間
の大した延長なしで可能である。
【００８４】所要の傾斜磁場オフセットはスピンエコー
に基づいても求められ得る（図６〜図８を用いて既に述
べたように）。
に基づいても求められ得る（図６〜図８を用いて既に述
べたように）。
【００８５】もって、図７及び図８による両シーケンス
におけるエコー位置の比較により、同じく傾斜磁場オフ
セットＡｏｆｆに対する尺度を成す時間差Δｔを求め得
る。当該時間差Δｔは有利には、既述のように、エコー
信号Ｓ１，Ｓ２のフーリェ変換及びそれにより得られた
位相カーブの勾配の比較により求められ得る。当該時間
差Δｔからは傾斜磁場オフセットＡｏｆｆの補償に必要
なオフセット電流Ｉｏ ｆｆを求め得る。
におけるエコー位置の比較により、同じく傾斜磁場オフ
セットＡｏｆｆに対する尺度を成す時間差Δｔを求め得
る。当該時間差Δｔは有利には、既述のように、エコー
信号Ｓ１，Ｓ２のフーリェ変換及びそれにより得られた
位相カーブの勾配の比較により求められ得る。当該時間
差Δｔからは傾斜磁場オフセットＡｏｆｆの補償に必要
なオフセット電流Ｉｏ ｆｆを求め得る。
【００８６】
【発明の効果】本発明によれば、高い均質磁場が短時間
で実現されるように、傾斜磁場電流のオフセットを調整
する効果的な方法が提供される。
で実現されるように、傾斜磁場電流のオフセットを調整
する効果的な方法が提供される。
【図１】ＸないしＹ傾斜磁場コイル及び鞍形配置された
シムコイルの実施例を示す構成略図である。
シムコイルの実施例を示す構成略図である。
【図２】Ｚ傾斜磁場コイル及び別のシムコイルの実施例
の構成略図である。
の構成略図である。
【図３】従来勾配エコーシーケンスの特性図である。
【図４】図３と同じパルスシーケンスであるが傾斜磁場
の方向に均質磁界を重畳した当該シーケンスを示す特性
図である。
の方向に均質磁界を重畳した当該シーケンスを示す特性
図である。
【図５】同じく図３の勾配エコーシーケンスであるが但
し、傾斜磁場の方向で負の直線的磁場偏差を含む当該シ
ーケンスを示す特性図である。
し、傾斜磁場の方向で負の直線的磁場偏差を含む当該シ
ーケンスを示す特性図である。
【図６】従来のスピンシーケンスの特性図である。
【図７】１８０°高周波パルスを中心位置に対して左方
へシフトした状態を示す特性図である。
へシフトした状態を示す特性図である。
【図８】１８０°高周波パルスを中心位置に対して右方
へシフトした状態を示す特性図である。
へシフトした状態を示す特性図である。
【図９】完全に均質な磁場ａ場合に対する位相カーブ及
びエコー位置を示す特性図である。
びエコー位置を示す特性図である。
【図１０】図５に相応して、負の直線的磁場偏差のある
場合の図９に相応する当該の特性図である。
場合の図９に相応する当該の特性図である。
【図１１】正の直線的磁場偏差のある場合の図９に相応
する当該の特性図である。
する当該の特性図である。
【図１２】当該磁場が１次の磁場不均質性を有しない場
合における同様な当該の特性図である。
合における同様な当該の特性図である。
【図１３】比較的高次の磁場不均質性のある場合の同様
な当該の特性図である。
な当該の特性図である。
【図１４】種々の投影におけるパルスシーケンスのセッ
トの様子を示す特性図である。
トの様子を示す特性図である。
【図１５】事前磁化及び運動リフォーカシングの場合に
おける勾配エコーシーケンス発生の際の高周波パルス列
の特性図である。
おける勾配エコーシーケンス発生の際の高周波パルス列
の特性図である。
【図１６】当該勾配エコーシーケンス作成の際の走査時
点ＡＤにおける当該の読出された核スピン共鳴信号の特
性図である。
点ＡＤにおける当該の読出された核スピン共鳴信号の特
性図である。
【図１７】当該勾配エコーシーケンス発生の際のＧＭＲ
及びＧｓを示す特性図である。
及びＧｓを示す特性図である。
【図１８】当該勾配エコーシーケンス発生の際のＧｙを
示す特性図である。
示す特性図である。
【図１９】同様にＧｚを示す特性図である。
【図２０】励振されるブロックの概念図である。
【図２１】ブロックの選択的励起を行なう際のスピンエ
コーシーケンス発生の際のＲＦ１とＲＦ２の生起の様子
を示す特性図である。
コーシーケンス発生の際のＲＦ１とＲＦ２の生起の様子
を示す特性図である。
【図２２】同上当該スピンエコーシーケンス発生の際の
選択傾斜磁場ＧＳＬ１の生起の様子を示す特性図であ
る。
選択傾斜磁場ＧＳＬ１の生起の様子を示す特性図であ
る。
【図２３】当該スピンエコー発生の際の第２スライス選
択傾斜磁場ＧＳＬ２の生起の様子を示す特性図である。
択傾斜磁場ＧＳＬ２の生起の様子を示す特性図である。
【図２４】当該スピンエコー発生の際の読出傾斜磁場Ｇ
ＲＯの生起の様子を示す特性図である。
ＲＯの生起の様子を示す特性図である。
【図２５】当該スピンエコーシーケンス発生の際の個々
の走査時点ＡＤにて読出される核スピン共鳴信号生起の
様子を示す特性図である。
の走査時点ＡＤにて読出される核スピン共鳴信号生起の
様子を示す特性図である。
【図２６】すべての球面係数を求め得るための表を示す
図である。
図である。
【図２７】正の傾斜磁場オフセットを以ての勾配エコー
シーケンスの様子を示す特性図である。
シーケンスの様子を示す特性図である。
【図２８】負の傾斜磁場オフセットを以ての勾配エコー
シーケンスの様子を示す特性図である。
シーケンスの様子を示す特性図である。
【図２９】傾斜磁場コイルのオフセット調整のためのパ
ルスシーケンスにおける高周波ＲＦパルスの特性図であ
る。
ルスシーケンスにおける高周波ＲＦパルスの特性図であ
る。
【図３０】当該オフセット調整におけるスポイラ傾斜磁
場ＧＳｘの様子を示す特性図である。
場ＧＳｘの様子を示す特性図である。
【図３１】当該オフセット調整におけるＧＳｙの様子を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図３２】当該オフセット調整におけるＧＳｚの様子を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図３３】当該オフセット調整にために使用されるＳ信
号の様子を示す特性図である。
号の様子を示す特性図である。
【図３４】当該オフセット調整におけるオフセット電流
のＯＮ状態の際の信号の様子を示す特性図である。
のＯＮ状態の際の信号の様子を示す特性図である。
１ 支持管、 ２，３ 傾斜磁場コイル、 ４〜６ シ
ムコイル
ムコイル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 真辺 篤孝
ドイツ連邦共和国 レッテンバッハ アウ
フ デア ヘー ６
(72)発明者 柿本 茂文
神奈川県厚木市鳶尾２−27−８
(72)発明者 和田 康弘
神奈川県厚木市下荻野1449−４
Ｆターム(参考） 4C096 AA20 AB18 AB33 AD09 AD23
BA05 BA42 CA23 CB20 DA05
Claims (9)
- 【請求項１】 核スピントモグラフィー装置において傾
斜磁場コイル（２，３）を流れる傾斜磁場電流（Ｉ
ｏｆｆ）のオフセットを調整する方法において、下記の
ステップを有する、即ち ａ） 検査空間における体積を励振する第１の高周波パ
ルスを作用印加し、上記検査空間の体積は少なくとも第
１の方向に延在するものであり、 ｂ） 第１方向での第１傾斜磁場パルス（Ｇ１）の作用
印加及びそれにひきつづいて該傾斜磁場パルス（Ｇ１）
の反転により、第１の勾配エコー信号（Ｓ１）を生じさ
せ、 ｃ） 検査空間における体積を励振する第２高周波パル
ス（ＲＦ２）を作用印加し、上記検査空間の体積は少な
くとも第１方向に延在するものであり、 ｄ） 上記第１方向に対して逆方向での第２傾斜磁場
（Ｇ２）の作用印加およびそれにひきつづく当該傾斜磁
場パルス（Ｇ２）の反転により第２勾配エコー信号（Ｓ
２）を生じさせ、 ｅ） 第１高周波パルス（ＲＦ１）／第１勾配エコー信
号（Ｓ１）と、第２高周波パルス（ＲＦ２）／第２勾配
エコー信号（Ｓ２）との間の時間間隔（ｔｅ１，
ｔｅ２）の差からオフセット電流（Ｉｏｆｆ）を求め、
ここにおいて、当該オフセット電流の、当該傾斜磁場コ
イル（２，３）への供給の際上記時間間隔の差が零であ
るようにし、 ｆ） 後続の検査フェーズ中それぞれの傾斜磁場コイル
（２，３）は測定シーケンスの傾斜磁場パルスのほかに
付加的に、このようにして求められた一定のオフセット
電流（Ｉｏｆｆ）の供給を受けるようにしたことを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 核スピントモグラフィー装置において傾
斜磁場コイル（２，３）を流れる傾斜磁場電流（Ｉ
ｏｆｆ）のオフセットを調整する方法において、下記の
ステップを有する、即ち ａ） 検査空間における体積を励振する第１の高周波パ
ルス（ＲＦ１）を作用印加し、上記検査空間は少なくと
も第１の方向に延在するものであり、 ｂ） 第１方向の第１傾斜磁場パルス（Ｇ１）を作用印
加し、 ｃ） 上記第１の高周波パルス（ＲＦ１）及びエコー時
点に関して中心位置に位置してない第１の１８０°高周
波パルス（ＲＦ１＊）を作用印加し、 ｄ） 第１方向の第１の読出傾斜磁場（Ｇ１＊）のもと
に、第１エコー信号（Ｓ１）を読出し、 ｅ） 検査空間における体積を励振する第２高周波パル
ス（ＲＦ２）を作用印加し、上記検査空間の体積は少な
くとも第１方向に延在するものであり、 ｆ） 上記第１方向の第２の傾斜磁場パルス（Ｇ２）を
作用印加し、 ｇ） 上記の第１の１８０°高周波パルス（ＲＦ１＊）
と第１の高周波パルス（ＲＦ１）との間隔とは異なった
間隔を、第２の高周波パルス（ＲＦ２）との間に有する
第２の１８０°高周波パルス（ＲＦ２＊）を作用印加
し、 ｈ） 第１方向の第２読出傾斜磁場（Ｇ２＊）のもとで
第２スピンエコー信号（Ｓ２）を読出し、 ｉ） 第１高周波パルス（ＲＦ１）／第１スピンエコー
信号（Ｓ１）と、第２高周波パルス（ＲＦ２）／第２ス
ピンエコー信号（Ｓ２）との間の時間間隔の差（Δｔ）
からオフセット電流（Ｉｏｆｆ）を求め、ここにおい
て、当該オフセット電流の、当該傾斜磁場コイル（２，
３）への供給の際上記時間間隔の差が零であるように
し、 ｊ） 後続の検査フェーズ中それぞれの傾斜磁場コイル
（２，３）は測定シーケンスの傾斜磁場パルスのほかに
付加的に、このようにして求められた一定のオフセット
電流（Ｉｏｆｆ）の供給を受けるようにしたことを特徴
とする方法。 - 【請求項３】 当該時間間隔（Ｔｅ１，Ｔｅ２）の差が
間接的に両エコー信号（Ｓ１，Ｓ２）のフーリエ変換の
後当該位相カーブの平均勾配の比較により求められるよ
うにした請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 当該高周波パルス(ＲＦ１，ＲＦ２)の入
力照射中傾斜磁場が作用印加されないようにした請求項
１から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 複数の傾斜磁場方向に対して直ちに相次
いで当該方法が実施され、その際各高周波パルスの前
に、スポイラ傾斜磁場（ＧＳ）が作用印加されるように
した請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 事前飽和シーケンスを実施し、該事前飽
和シーケンスによっては各パルスシーケンスに対して夫
々の傾斜磁場パルスの方向に延在するブロック外でスピ
ンが飽和されるようにした請求項１から５までのいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項７】 当該高周波パルス（ＲＦ）は周波数選択
性であり、スライス選択傾斜磁場の作用下で入力照射さ
れ、これにより、当該検査体積の唯１つのスライスのみ
が励起されるようにした請求項１から６までのいずれか
１項記載の方法。 - 【請求項８】 直線的磁場偏差の補償のため、上記傾斜
磁場コイル（２，３）は請求項１から３までの方法によ
り求められたオフセット電流の供給を受けるようにした
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 当該方法は各検査フェーズ前に実施され
るようにした請求項１から８までのいずれか１項記載の
方法。
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