JP2003186192A - 感光性樹脂組成物およびポリイミド樹脂 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚膜に形成して、高解像度でパターン化する
ことができ、しかも、ポリイミド樹脂が本来有している
優れた物性を発現させることのできる、感光性樹脂組成
物、および、その感光性樹脂組成物から得られるポリイ
ミド樹脂を提供すること。 【解決手段】 感光性樹脂組成物に、分子鎖末端または
分子鎖内部にエチニル基またはエチニレン基を有する低
分子量のポリアミド酸と、１，４−ジヒドロピリジン誘
導体からなる感光剤とを含有させる。このポリアミド酸
は、低分子量であるため、皮膜を厚膜で形成して、高解
像度でのパターン化を実現することができ、また、加熱
イミド化時には、エチニル基またはエチニレン基が反応
性の架橋部位となって３次元架橋するので、得られる皮
膜の強度を向上させることができる。そのため、得られ
るポリイミド樹脂は、厚膜かつ十分な強度で成形するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は感光性樹脂組成物お
よびポリイミド樹脂に関し、詳しくは、半導体工業にお
ける固体素子や回路基板の絶縁層などの材料として好適
に用いられる感光性樹脂組成物、および、その感光性樹
脂組成物から得られるポリイミド樹脂に関する。

【０００２】

【従来の技術】１，４−ジヒドロピリジン誘導体を感光
剤として含有する感光性ポリアミド酸は、例えば、特開
平６−７５３７６号公報、特開平７−２７１０３４号公
報、特開平１０−３９５１０号公報などに記載されてい
る。このような感光性ポリアミド酸を、基材に塗工し
て、所定のフォトマスクを介して活性光線を照射し、露
光および現像後、加熱によりイミド化すれば、ポリイミ
ド樹脂からなる所定のパタ−ンの皮膜を形成することが
できる。

【０００３】このような１，４−ジヒドロピリジン誘導
体を感光剤として含有する感光性ポリアミド酸は、感度
および解像度に優れ、所定のパターンとして得られる皮
膜も高い耐熱性を有するため、回路基板の層間絶縁層や
表面保護層（絶縁保護層）などの絶縁層の形成に用いら
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平６−７
５３７６号公報、特開平７−２７１０３４号公報および
特開平１０−３９５１０号公報に記載される１，４−ジ
ヒドロピリジン誘導体を感光剤として含有する感光性ポ
リアミド酸は、分子量が高く、溶液として調製した時の
粘度が高くなるため、固形分濃度を高くすることができ
ず、そのため、厚膜に形成しずらく、また、厚膜に形成
すると解像度が低下してしまうという不具合がある。

【０００５】そこで、分子量の低いポリアミド酸を用い
て、固形分濃度を高くして、厚膜を形成し、高解像度で
パターン化することが考えられるが、分子量の低いポリ
アミド酸では、最終的に得られるポリイミド樹脂の皮膜
の強度が低下してしまうという不具合を生じる。

【０００６】本発明は、このような不具合に鑑みなされ
たもので、その目的とするところは、厚膜に形成して、
高解像度でパターン化することができ、しかも、ポリイ
ミド樹脂が本来有している優れた物性を発現させること
のできる、感光性樹脂組成物、および、その感光性樹脂
組成物から得られるポリイミド樹脂を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式（１）で
示されるポリアミド酸と、感光剤とを含有することを特
徴としている。

【０００８】

【化２】 （式中、Ｘは４価の有機基であってアミド基とカルボキ
シル基とは隣接する２つの炭素にそれぞれ置換されてお
り、Ｙは２価の有機基を、Ｚ１は３価の有機基であって
アミド基とカルボキシル基とは隣接する２つの炭素にそ
れぞれ置換されており、Ｚ２は水素原子または置換され
ていてもよいアリール基を、ｎは、１〜３０の数を示
す。） また、本発明の感光性樹脂組成物は、前記感光剤が、
１，４−ジヒドロピリジン誘導体からなることが好まし
い。

【０００９】さらに、本発明は、上記の感光性樹脂組成
物から得られるポリイミド樹脂をも含んでいる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物は、下
記一般式（１）で示されるポリアミド酸と、感光剤とを
含有している。

【００１１】

【化３】 （式中、Ｘは４価の有機基であってアミド基とカルボキ
シル基とは隣接する２つの炭素にそれぞれ置換されてお
り、Ｙは２価の有機基を、Ｚ１は３価の有機基であって
アミド基とカルボキシル基とは隣接する２つの炭素にそ
れぞれ置換されており、Ｚ２は水素原子または置換され
ていてもよいアリール基を、ｎは、１〜３０の数を示
す。） 上記一般式（１）中、Ｘで示される４価の有機基は、ア
ミド基とカルボキシル基とが隣接する２つの炭素にそれ
ぞれ置換されており、例えば、２つの炭素が芳香環を形
成している場合には、アミド基とカルボキシル基とがオ
ルト位で置換されており、例えば、２つの炭素が芳香環
を形成していない場合には、互いに隣り合う炭素−炭素
にアミド基とカルボキシル基とがそれぞれ置換されてい
る４価の有機化合物からなる。より具体的には、例え
ば、ベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフェニル、ジ
フェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルプ
ロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ベンゾフ
ェノン、ブタン、シクロブタンなどの骨格を有する、芳
香族、芳香脂肪族、脂肪族、脂環族の４価の有機基が挙
げられる。好ましくは、ベンゼン、ジフェニル、ジフェ
ニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルヘキサ
フルオロプロパン、ベンゾフェノンの骨格を有する４価
の有機基が挙げられる。なお、これら４価の有機基は、
１種類のみであってもよく、また、２種類以上であって
もよい。

【００１２】また、上記式（１）中、Ｙで示される２価
の有機基としては、例えば、ジフェニルエーテル、ベン
ゾフェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、
ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルスルホ
キシド、ジフェニルスルホン、ジフェニル、ベンゼン、
ジフェノキシベンゼンなどの骨格を有する、芳香族、芳
香脂肪族、脂肪族、脂環族の２価の有機基が挙げられ
る。好ましくは、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタ
ン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプ
ロパン、ジフェニルスルホン、ジフェニル、ベンゼン、
ジフェノキシベンゼンの骨格を有する２価の有機基が挙
げられる。なお、これら２価の有機基は、１種類のみで
あってもよく、また、２種類以上であってもよい。

【００１３】また、上記式（１）中、Ｚ１で示される３
価の有機基は、アミド基とカルボキシル基とが隣接する
２つの炭素にそれぞれ置換されており、例えば、２つの
炭素が芳香環を形成している場合には、アミド基とカル
ボキシル基とがオルト位で置換されており、例えば、２
つの炭素が芳香環を形成していない場合には、互いに隣
り合う炭素−炭素にアミド基とカルボキシル基とがそれ
ぞれ置換されている３価の有機化合物からなる。より具
体的には、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ペリレン、
ジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホ
ン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプ
ロパン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタンなどの
骨格を有する、芳香族、芳香脂肪族、脂肪族、脂環族の
３価の有機基が挙げられる。好ましくは、ベンゼンの骨
格を有する３価の有機基が挙げられる。なお、これら３
価の有機基は、１種類のみであってもよく、また、２種
類以上であってもよい。

【００１４】また、上記式（１）中、Ｚ２で示されるア
リール基としては、例えば、フェニル、トリル、キシリ
ル、ビフェニリル、ナフチル、アントリル、フェナント
リル、アズレニルなどが挙げられる。なお、Ｚ２で示さ
れるアリール基は、置換されていてもよく、そのような
置換基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル、炭
素数１〜４のアルコキシ、ハロゲン原子などが挙げら
れ、例えば、アリール基に対して１〜５個置換される。
Ｚ２として、好ましくは、水素、フェニルが挙げられ
る。

【００１５】また、ｎは、１〜５０の数、好ましくは、
５〜３０の数を示す。

【００１６】本発明において、このようなポリアミド酸
は、より具体的には、有機テトラカルボン酸二無水物
と、ジアミンと、エチニル基含有有機ジカルボン酸二無
水物（エチニレン基を含有するものも含む。）とを反応
させることによって得ることができる。

【００１７】有機テトラカルボン酸二無水物としては、
例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，
３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン酸二無水物などが挙げられる。また、それらは、単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

【００１８】また、ジアミンとしては、例えば、ｍ−フ
ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，４'
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスル
ホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２
−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミ
ノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジ
アミノ−２，２−ジメチルビフェニル、２，２’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニ
ル、２，２’−ビス（テトラフルオロメチル）−４，
４'−ジアミノビフェニルなどが挙げられる。また、そ
れらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用しても
よい。

【００１９】また、エチニル基含有有機ジカルボン酸二
無水物としては、例えば、４−（エチニル）無水フタル
酸や、例えば、４−（フェニルエチニル）無水フタル
酸、４−（２−ナフチルエチニル）無水フタル酸などの
４−（アリールエチニル）無水フタル酸などが挙げられ
る。また、それらは、単独で用いてもよいし、２種以上
を併用してもよい。

【００２０】そして、ポリアミド酸は、これら有機テト
ラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、エチニル基含有
有機ジカルボン酸二無水物とを、例えば、有機テトラカ
ルボン酸二無水物が、ジアミン１モル部に対して、０．
２５〜０．９５モル部、好ましくは、０．５０〜０．９
０モル部の割合、エチニル基含有有機ジカルボン酸二無
水物が、ジアミン１モル部に対して、０．１０〜１．５
０モル部、好ましくは、０．２０〜１．００モル部の割
合で、反応溶媒中において、２５０℃以下の温度、好ま
しくは、室温(２５℃)〜８０℃の範囲で、反応させるこ
とによって、ポリアミド酸の溶液として得ることができ
る。なお、反応時間は、有機テトラカルボン酸二無水
物、ジアミンおよびエチニル基含有有機ジカルボン酸二
無水物の種類や割合、さらには、反応溶媒や反応温度に
よって異なるが、例えば、２〜４８時間の範囲である。

【００２１】また、反応溶媒としては、これら有機テト
ラカルボン酸二無水物、ジアミンおよびエチニル基含有
有機ジカルボン酸二無水物を溶解させるとともに、得ら
れるポリアミド酸を溶解し得るものであれば、特に制限
されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタムなどの有機溶媒が
挙げられる。これら有機溶媒は、単独で、または、２種
以上の混合溶媒として用いられる。

【００２２】このようにして得られるポリアミド酸は、
例えば、その重量平均分子量が、５００〜５００００程
度、好ましくは、１０００〜１５０００程度であって、
反応溶媒中に、例えば、１〜５０重量％、好ましくは、
５〜３０重量％の割合（固形分濃度）の溶液として調製
される。重量平均分子量がこのような範囲であれば、溶
液として調製した時の粘度を低くすることができ、固形
分濃度を高めて、厚膜に形成して、高解像度でパターン
化することができる。

【００２３】そして、このようなポリアミド酸は、分子
鎖末端または分子鎖内部にエチニレン基を有しているの
で、後述する皮膜の形成においては、加熱により、その
エチニレン基（３重結合）が反応性の架橋部位となって
３次元架橋し、その結果、たとえ、ポリアミド酸が低分
子量であっても、得られる皮膜の強度を向上させること
ができる。なお、架橋の機構は複雑であるが、三量体の
形成による芳香環の形成や線状に付加した二量体を形成
しているものと推定される。

【００２４】なお、ポリアミド酸は、上記したように溶
液として調製されるが、例えば、この溶液を、ポリアミ
ド酸を溶解しない貧溶媒中に加えて沈殿させることによ
り、ポリアミド酸を粉末として得ることができる。ま
た、このように粉末として得られたポリアミド酸を、再
度、上記した有機溶媒に加えて溶解させることにより、
再度、溶液として調製することもできる。

【００２５】また、本発明において、感光剤としては、
例えば、１，４−ジヒドロピリジン誘導体、ジアゾナフ
トキノンスルホン酸エステル誘導体などが挙げられ、好
ましくは、下記一般式（２）で示される１，４−ジヒド
ロピリジン誘導体が挙げられる。

【００２６】

【化４】 （式中、Ａｒは、オルソ位にニトロ基を有する芳香族基
を示し、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜５のアルキ
ル基を示し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素原子
または炭素数１〜４のアルキル基を示す。） 上記一般式（２）中、Ａｒで示されるオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基として、好ましくは、ｏ−ニトロフ
ェニル基が挙げられ、また、Ｒ１で示される水素原子ま
たは炭素数１〜５のアルキル基として、好ましくは、メ
チル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、Ｒ２、Ｒ
３、Ｒ４およびＲ５で示される水素原子または炭素数１
〜４のアルキル基として、好ましくは、水素原子、メチ
ル基、エチル基が挙げられる。特に、Ｒ２およびＲ３と
しては、水素原子が好ましい。

【００２７】このような１，４−ジヒドロピリジン誘導
体は、より具体例には、例えば、１−エチル−３，５−
ジメトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−
１，４−ジヒドロピリジン、１−メチル−３，５−ジメ
トキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，
４−ジヒドロピリジン、１−プロピル−３，５−ジメト
キシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４
−ジヒドロピリジン、１−プロピル−３，５−ジエトキ
シカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−
ジヒドロピリジンが挙げられる。これら１，４−ジヒド
ロピリジン誘導体は、単独で用いてもよいし、２種以上
を併用してもよい。これら１，４−ジヒドロピリジン誘
導体のなかでは、好ましくは、下記式（３）で示される
１−エチル−３，５−ジメトキシカルボニル−４−（２
−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジンが挙げ
られる。

【００２８】

【化５】 なお、このような１，４−ジヒドロピリジン誘導体は、
例えば、置換ベンズアルデヒドと、その２倍モル量のア
ルキルプロピオレート（プロパギル酸アルキルエステ
ル）と相当する第１級アミンとを、氷酢酸中で還流下に
反応させることにより、得ることができる。（Ｋｈｉ
ｍ．Ｇｅｔｅｒｏｔｓｉｋｌ．Ｓｏｅｄ．，ｐｐ．１０
６７−１０７１，１９８２） 本発明において、感光剤は、ポリアミド酸１００重量部
に対して、通常、１〜８０重量部、好ましくは、５〜５
０重量部の範囲で配合される。配合量がこれより少ない
と、得られる感光性樹脂組成物に活性光線を照射したと
きに、アルカリ性現像剤に対する露光部分の溶解性の低
減効果が乏しく、形成されるパターンが不鮮明になる場
合がある。一方、配合量がこれより多いと、得られるフ
ィルム（皮膜）の強度が低下する場合がある。

【００２９】そして、本発明の感光性樹脂組成物は、例
えば、上記したように、ポリアミド酸の溶液を調製した
後、感光剤を、上記した割合で配合し、混合溶解するこ
とによって、容易に得ることができる。

【００３０】このようにして得られる本発明の感光性樹
脂組成物は、これを所定の基材上に塗工し、乾燥後、所
定形状のフォトマスクを介して活性光線を照射し、加熱
（露光後加熱）することによって、ネガ型の潜像を形成
することができ、これを現像することで、良好なネガ型
のパターンの皮膜として形成することができる。なお、
このような露光および現像によるパターンニングは、特
に限定されず、公知の方法を用いることができる。

【００３１】そして、本発明の感光性樹脂組成物では、
このような皮膜の形成において、皮膜を厚膜で形成し
て、高解像度でのパターン化を実現することができる。

【００３２】次いで、所定のパターンに形成された皮膜
を、例えば、３００〜４００℃で数時間加熱することに
より、ポリアミド酸を閉環およびイミド化させるととも
に、エチニレン基を３次元架橋させることによって、ポ
リイミド樹脂の皮膜として形成することができる。な
お、必要により、このような加熱に先立って、３０〜３
００℃程度まで予熱してもよい。このような予熱は、一
定の昇温速度で３００℃程度まで連続的に昇温してもよ
く、また、昇温速度を変化させて３００℃程度まで段階
的に昇温してもよい。さらには、大気雰囲気下に限ら
ず、例えば、真空下または不活性ガス雰囲気下において
加熱してもよい。

【００３３】そして、このようにして得られるポリイミ
ド樹脂は、ポリアミド酸のイミド化およびエチニレン基
の３次元架橋によって、厚膜かつ十分な強度で成形する
ことができ、しかも、ポリイミド樹脂が本来有してい
る、例えば、耐熱性、電気的特性、機械的特性および基
材との密着性などの優れた物性を発現することができ
る。

【００３４】そのため、このような本発明の感光性樹脂
組成物およびポリイミド樹脂は、半導体工業における固
体素子や回路基板の絶縁や保護のために用いられる層間
絶縁層や表面保護層などの絶縁層を形成するための材料
として好適に用いることができる。

【００３５】

【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。

【００３６】実施例１ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、２，
２’−ビス（テトラフルオロメチル）−４，４'−ジア
ミノビフェニル１６．０ｇ（５０ミリモル）と、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン９１ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て溶液を調製した。次に、この溶液に、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物１６．６ｇ
（３７ミリモル）、４−（フェニルエチニル）無水フタ
ル酸６．３ｇ（２５ミリモル）を加え、室温で１時間攪
拌した。その後、５０℃で１８時間攪拌した後、室温ま
で放冷してポリアミド酸の溶液を得た。

【００３７】この溶液に、１−エチル−３，５−ジメト
キシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４
−ジヒドロピリジン５．８ｇを加え、均一に攪拌溶解さ
せて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００３８】この感光性樹脂組成物の溶液を、厚さ２５
μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上に、スピンコー
タを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが６０μｍとなるよう
に塗布し、９０℃で１５分間加熱乾燥して皮膜を形成し
た。

【００３９】次に、フォトマスクを介して、露光量７０
０ｍＪ／ｃｍ^２にて紫外線（波長λ＝３５０〜４２０ｎ
ｍ）を露光し、１８０℃で１０分間、熱風循環式オーブ
ン中で露光後加熱を行ない、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド５重量％溶液（水：エキネン＝１：
１）で３０℃にて現像処理することにより、ネガ型画像
（ラインアンドスペースからなる像）を形成した。残膜
率は７５％であり、ラインアンドスペースのアスペクト
比（ラインの高さ／幅）が１であった。

【００４０】なお、残膜率は、露光後加熱直後のポリア
ミド酸の膜厚に対する、上記現像直後のポリアミド酸の
膜厚の割合である。

【００４１】その後、１．３３Ｐａの真空下に減圧した
状態で、３８５℃で加熱して、ポリイミド樹脂からなる
皮膜を形成した。得られた皮膜の厚みは３０μｍであっ
た。

【００４２】実施例２ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、ｐ−フ
ェニレンジアミン１６．０ｇ（７４ミリモル）と、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン９７ｇとを仕込み、室温で攪拌
して溶液を調製した。次に、この溶液に、３，３'，
４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１６．
３ｇ（５６ミリモル）、４−（フェニルエチニル）無水
フタル酸９．２ｇ（３７ミリモル）を加え、室温で１時
間攪拌した。その後、５０℃で１８時間攪拌した後、室
温まで放冷してポリアミド酸の溶液を得た。

【００４３】この溶液に、１−エチル−３，５−ジメト
キシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４
−ジヒドロピリジン６．２ｇを加え、均一に攪拌溶解さ
せて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００４４】この感光性樹脂組成物の溶液を用いて、実
施例１と同様の操作により、ネガ型のパターンの皮膜を
形成した。残膜率は７０％であり、ラインアンドスペー
スのアスペクト比が１であった。

【００４５】さらに、実施例１と同様の操作により、３
８５℃で加熱することにより、ポリイミド樹脂からなる
皮膜を形成した。得られた皮膜の厚みは２７μｍであっ
た。

【００４６】比較例１ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、２，
２’−ビス（テトラフルオロメチル）−４，４'−ジア
ミノビフェニル１６．０ｇ（５０ミリモル）と、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン１５８ｇとを仕込み、室温で攪拌
して溶液を調製した。次に、この溶液に、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物２２．２ｇ
（５０ミリモル）を加え、室温で１時間攪拌した。その
後、５０℃で１８時間攪拌した後、室温まで放冷してポ
リアミド酸の溶液を得た。

【００４７】この溶液に、１−エチル−３，５−ジメト
キシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４
−ジヒドロピリジン５．７ｇを加え、均一に攪拌溶解さ
せて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００４８】この感光性樹脂組成物の溶液を用いて、実
施例１と同様の操作により、ネガ型のパターンの皮膜を
形成した。残膜率は７７％であり、ラインアンドスペー
スのアスペクト比が０．２であった。

【００４９】さらに、実施例１と同様の操作により、３
８５℃で加熱することにより、ポリイミド樹脂からなる
皮膜を形成した。得られた皮膜の厚みは２０μｍであっ
た。

【００５０】比較例２ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、ｐ−フ
ェニレンジアミン１６．０ｇ（７４ミリモル）と、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン１５１ｇとを仕込み、室温で攪
拌して溶液を調製した。次に、この溶液に、３，３'，
４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２１．
８ｇ（７４ミリモル）を加え、室温で１時間攪拌した。
その後、５０℃で１８時間攪拌した後、室温まで放冷し
てポリアミド酸の溶液を得た。

【００５１】この溶液に、１−エチル−３，５−ジメト
キシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４
−ジヒドロピリジン５．７ｇを加え、均一に攪拌溶解さ
せて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００５２】この感光性樹脂組成物の溶液を用いて、実
施例１と同様の操作により、ネガ型のパターンの皮膜を
形成した。残膜率は７０％であり、ラインアンドスペー
スのアスペクト比が０．２であった。

【００５３】さらに、実施例１と同様の操作により、３
８５℃で加熱することにより、ポリイミド樹脂からなる
皮膜を形成した。得られた皮膜の厚みは２０μｍであっ
た。

【００５４】

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物によれば、皮
膜の形成において、皮膜を厚膜で形成して、高解像度で
のパターン化を実現することができる。そして、これを
イミド化することにより得られる本発明のポリイミド樹
脂は、厚膜かつ十分な強度で成形することができ、しか
も、ポリイミド樹脂が本来有している、例えば、耐熱
性、電気的特性、機械的特性および基材との密着性など
の優れた物性を発現することができる。そのため、この
ような本発明の感光性樹脂組成物およびポリイミド樹脂
は、半導体工業における固体素子や回路基板の絶縁や保
護のために用いられる層間絶縁層や表面保護層などの絶
縁層を形成するための材料として好適に用いることがで
きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 隆 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA10 AA13 AA14 AA20 AB16 AC01 AD01 BC29 BC69 BD06 BD07 FA03 FA12 FA17 FA29 4J043 PA02 PA19 PB05 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA42 SA43 SA54 SB01 TA21 TA22 TB03 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA672 UB011 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB152 UB301 UB302 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA041 VA051 VA062 VA081 XA16 XA19 ZB22

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるポリアミド
   酸と、感光剤とを含有することを特徴とする、感光性樹
   脂組成物。 【化１】 （式中、Ｘは４価の有機基であってアミド基とカルボキ
   シル基とは隣接する２つの炭素にそれぞれ置換されてお
   り、Ｙは２価の有機基を、Ｚ１は３価の有機基であって
   アミド基とカルボキシル基とは隣接する２つの炭素にそ
   れぞれ置換されており、Ｚ２は水素原子または置換され
   ていてもよいアリール基を、ｎは、１〜３０の数を示
   す。）
2. 【請求項２】 前記感光剤が、１，４−ジヒドロピリジ
   ン誘導体からなることを特徴とする、請求項１に記載の
   感光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の感光性樹脂組成物から
   得られるポリイミド樹脂。