JPH0854736A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH0854736A JPH0854736A JP19073594A JP19073594A JPH0854736A JP H0854736 A JPH0854736 A JP H0854736A JP 19073594 A JP19073594 A JP 19073594A JP 19073594 A JP19073594 A JP 19073594A JP H0854736 A JPH0854736 A JP H0854736A
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Abstract
有機基である。)で示される繰り返し構造(A)、繰り
返し構造(A)に含まれる2つのカルボキシル基の1つ
がイミド基またはイソイミド基に変換している繰り返し
構造(B)並びに前記繰り返し構造(A)に含まれる2
つのカルボキシル基がイミド基および/またはイソイミ
ド基に変換している繰り返し構造(C)の3種の繰り返
し構造のうちの2種以上の繰り返し構造からなる変性ポ
リアミック酸、並びに (B)放射線の照射により酸性を呈する化合物、を含有
する。 【効果】 形成されるパターン状膜は耐熱性のイミド環
を有する高分子から構成されているので、電気的特性お
よび機械的特性に優れ、そのまま絶縁材料として用いる
ことができる。
Description
り、すなわち、膜厚の減少が少く、コントラストが良好
な感放射線性樹脂組成物に関する。
は耐熱性および電気特性に優れたポリイミド樹脂が用い
られている。ポリイミド樹脂を用いて層間絶縁膜などを
形成する場合、例えばポリイミド樹脂の前駆体であるポ
リアミック酸の溶液を基板の表面上に塗布し、これを加
熱処理することによりポリイミド膜を形成し、次いでポ
リイミド膜表面上に感放射線性膜を設け、放射線の照射
(以下「露光」という。)および現像により所定のパタ
ーンを形成した後、下地のポリイミド膜の選択エッチン
グを行うことにより、所定のパターンを有するポリイミ
ド膜を得る。
である。そこで、感放射線性膜によって形成されるパタ
ーン状膜をそのまま絶縁材料として用いることができる
耐熱性感光材料の開発が望まれている。
ミドの前駆体を用いた感光性樹脂が良く知られている。
例えばポリイミド前駆体を用いるものとして、ポリアミ
ック酸にエステル結合やイオン結合を介してメタクリロ
イル基を導入したもの(特開昭56−38038号公
報)が知られている。この場合、画像形成後に高温処理
を行いポリアミック酸を脱水閉環させてポリイミドのパ
ターンを得るが、この際の脱水による膜減りが問題とな
る。
性のイミド環を有する高分子から構成される電気的特性
および機械的特性に優れたパターン状膜を形成し得る感
放射線性樹脂組成物を提供することである。本発明の他
の目的は、パターン状膜を形成した後に、イミド環を有
する高分子から構成されるパターン状膜をそのまま絶縁
材料として用いることを可能とする感放射線性樹脂組成
物を提供することである。本発明の更なる他の目的は、
パターン状膜を形成するときに膜減りの問題が改善され
かつ、コントラストが良好な感放射線性樹脂組成物を提
供することである。
り、R2は4価の有機基である。)で示される繰り返し
構造(A)、繰り返し構造(A)に含まれる2つのカル
ボキシル基の1つがイミド基またはイソイミド基に変換
している繰り返し構造(B)、並びに前記繰り返し構造
(A)に含まれる2つのカルボキシル基がイミド基およ
び/またはイソイミド基に変換している繰り返し構造
(C)の3種の繰り返し構造のうちの2種以上の繰り返
し構造からなり、(ii)これらの2種以上の繰り返し
構造に含有されるカルボキシル基、イミド基およびイソ
イミド基の合計量に対して、イミド基とイソイミド基の
合計量が20〜80モル%であり、かつイソイミド基が
50モル%未満である変性ポリアミック酸、並びに (B)露光により酸性を呈する化合物(以下、「酸発生
剤」という。)を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物が提供されて、本発明の目的が達成される。
より本発明の目的、構成、利点および効果が明らかとな
ろう。
樹脂成分として用いられる変性ポリアミック酸は、前記
式(1)で示される繰り返し構造(A)(以下、「構造
(A)」と称する。)、該構造(A)に含まれる2つの
カルボキシル基の1つがイミド基またはイソイミド基に
変換している繰り返し構造(B)(以下、「構造
(B)」と称する。)並びに該構造(A)含まれる2つ
のカルボキシル基がイミド基および/またはイソイミド
基に変換している繰り返し構造(C)(以下、「構造
(C)」と称する。)の3種の繰り返し構造のうちの2
種以上の繰り返し構造からなる。
であり、2価の芳香族基、2価の脂環族基、2価の脂肪
族基およびオルガノシロキサン骨格を含む2価の基など
を例示することができる。
6のものが好ましく、具体例として下記式(2)〜
(7)で示されるものを挙げることができる。
または異なって、水素原子、炭 素数1〜4のアルキル
基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数2〜5のアル
コキシ基または炭素数7〜13のアリールオキシ基であ
る。
または異なって、前記のX1およびX2の場合と同意であ
り、lは0または1の数であり、Zは下記式(8)〜
(15)
1のものが好ましく、具体例として下記式(16)〜
(22)
0のアルキレン基が好ましく、具体的には
ノシロキサン骨格を含む2価の基としては、珪素原子数
が2〜11であって、全炭素原子数が6〜144のもの
が好ましく、例えば下記式(23)および(24)
同一または異なり、炭素数1〜6のアルキレン基または
炭素数6〜12のアリーレン基であり、R7〜R10は、
同一または異なり、炭素数1〜6のアルキル基または炭
素数6〜12のアリール基であり、式(24)におい
て、R11およびR12は、同一または異なり、式(23)
のR5およびR6の場合と同意であり、R13〜R16は、同
一または異なり、式(23)のR7〜R10の場合と同意
であり、jおよびkは各々1〜10の整数である。)
のようなオルガノシロキサン骨格を含む2価の基の具体
例として、下記式
式
ある。4価の有機基としては、例えば4価の芳香族基、
4価の脂環族基を挙げることができる。
0のものが好ましく、具体的には下記式(25)〜(2
9)で示されるものを挙げることができる。
のX5と同意である。
2のものが好ましく、具体的には式(30)〜(34)
式(28)で示されYが−SO2−、−CO−あるいは
ヘキサフルオロイソプロピリデンである4価の基、前記
式(25)で示される4価の基および式(27)で示さ
れる4価の基を挙げることができる。
造(A)は、R1が下記式
してR2が下記式
が極めて好ましい。
構成する他の構造(B)および構造(C)は、構造
(A)に含まれる2つのカルボキシル基の1つあるいは
2つが対応するイミド基およびイソイミド基のいずれか
に変換しているものである。
して、下記式(35)〜(40)
造(B)および構造(C)におけるR1およびR2は、構
造(A)のR1およびR2と同意であり、好ましい態様を
含めて前述したことが適用され得る。
造(A)、構造(B)および構造(C)の3種のうちの
2種以上よりなる。そしてこれらの構造中に含有される
カルボキシル基、イミド基およびイソイミド基の合計量
に対して、イミド基とイソイミド基の合計量は20〜8
0モル%、好ましくは30〜70モル%であり、かつイ
ソイミド基は50モル%未満、好ましくは0.1〜30
モル%である。
ク酸の固有粘度は、N−メチルピロリドン中、0.5g
/dlの濃度で30℃で測定したときに、通常0.01
〜10dl/gであり、好ましくは0.1〜5dl/g
である。
下記式(41)
のR1と同意であり、好ましい態様を含めて前述したこ
とが適用され得る。)で示される少なくとも1種のジア
ミンと下記式(42)
同意であり、好ましい態様を含めて前述したことが適用
され得る。)で示される少なくとも1種のテトラカルボ
ン酸二無水物とを適切な溶媒(以下、「重合溶媒」と称
する。)中で反応させて前駆重合体であるポリアミック
酸を調製し、引き続き脱水閉環することにより製造する
ことができる。
2)で示されるテトラカルボン酸二無水物1モルに対し
て、前記式(41)で示されるジアミンは、好ましくは
0.8〜1.2モル用いられる。
応じて適宜設定しうるが、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミンとの合計した重量が、全溶液重量に対し、通
常、1〜50重量%、好ましくは2〜30重量%となる
量である。なお、反応温度は、通常、80℃以下、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間は、通常、1〜20
0時間である。
二無水物およびジアミンに対して不活性であり、かつこ
れらを溶解せしめるものが用いられ得る。好ましく用い
られる重合溶媒は、例えばジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドンの如きアミド
系溶媒;ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、イ
ソキノリンの如き複素環系溶媒;フェノール、クレゾー
ルの如きフェノール系溶媒;またはジメチルスルホキシ
ドの如き非プロトン系極性溶媒である。これらは単独で
使用することができ、また2種以上併用することもでき
る。なお、上記重合溶媒に対して、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンの如き芳香族炭化水素;ジオキサンの如き
エーテルなどの溶剤を混合して用いることもできる。
くして得られるポリアミック酸を脱水剤により一部分の
カルボキシル基を閉環せしめてイミド化および/または
イソイミド化することにより得ることができる。ここ
で、イミド化および/またはイソイミド化は、ポリアミ
ック酸を含む重合触媒をそのままで、あるいは重合溶媒
で希釈して、ポリアミック酸の濃度が通常、5〜10重
量%となるようにして用いることができる。また、用い
ることのできる好ましい脱水剤として、無水酢酸、無水
トリフルオロ酢酸の如き酸無水物;ホスゲン、塩化チオ
ニル、塩化トシルの如き塩化物;三塩化リン、亜リン酸
トリフェニル、ジエチルリン酸シアニドの如きリン化合
物;N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミドの如きN,
N−2置換カルボジイミドなどを挙げることができる。
これらのうち、特に無水酢酸が好ましい。これらの脱水
剤は、使用するテトラカルボン酸無水物およびジアミン
の種類により適宜選択して用いる。なお、これらの脱水
剤は、ポリアミック酸100重量部に対して10〜60
0重量部用いることが好ましい。
ために、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミンの如き三級脂
肪族アミン;N,N−ジメチルアニリン、1,8−ビス
(N,N−ジメチルアミノ)ナフタレンの如き芳香族ア
ミン;ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセンの如き
複素環式化合物などを促進剤として、例えばポリアミッ
ク酸100重量部に対して10〜400重量部を前記脱
水剤と併用して用いることができる。
は/およびイソイミド化は、前記脱水剤および必要に応
じて前記促進剤をポリアミック酸と混合し反応させるこ
とにより実施される。この反応は0〜200℃の温度に
おいて行うのが好ましく、さらに好ましくは0〜150
℃の温度である。
イミド基およびイソイミド基の量は、これらの基の量と
使用するジアミン、テトラカルボン酸二無水物、脱水
剤、促進剤、反応温度、反応時間などの反応条件との関
係を予め実験的に求め、この知見に基づいて所定の範囲
とすることができる。
液から0〜150℃の温度で、常圧ないし減圧下に溶剤
の除去を行うことにより、目的とする変性ポリアミック
酸を得ることができる。また充分に脱水、乾燥させた大
過剰のメタノール、エタノールの如きアルコール系溶
媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルの如き
エーテル系溶媒;メチルエチルケトン、イソブチルケト
ン、メチルイソブチルケトンの如きケトン系溶媒などの
貧溶媒中にこの変性ポリアミック酸反応液を注いで再沈
操作によっても樹脂成分である変性ポリアミック酸を得
ることができる。
た変性ポリアミック酸と共に酸発生剤を含む。
(Q−18)で示されるキノンジアジド化合物を挙げる
ことができる。
Xは水素原子あるいは下記式(43)〜式(45)
いずれかを示す。但し、式(Q−1)〜式(Q−18)
で示される化合物において、少なくとも1個のXは前記
式(43)〜式(45)で示されるキノンジアジド骨格
を含む基のいずれかである。また、式(Q−7)におい
て、Yは下記式
−1)〜式(Q−18)において、Xが前記式(45)
であるものが好ましい。
膜減りをより小さく抑え、かつコントラストをより良好
に維持する観点から、前記変性ポリアミック酸100重
量部に対し5〜50重量部、特には5〜30重量部配合
することが好ましい。また、これらの酸発生剤は単独で
あるいは2種以上併用して用いることができる。また酸
発生剤に放射線のエネルギーを吸収してそのエネルギー
を酸発生剤に伝達し、それにより酸の発生量を増加させ
る作用を示す増感剤を組み合わせることができる。
いてパターン状膜を形成する方法を以下に説明する。
び溶剤からなる溶液(以下、単に「感光液」と称す
る。)が調製される。この感光液は変性ポリアミック酸
を製造する際に用いられた重合溶媒をそのまま含むこと
ができる。
て、クロロホルム、ジクロロメタン、1,1−ジクロロ
エタン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロ
ロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1,2
−テトラクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエ
タン、ペンタクロロエタン、ヘキサクロロエタン、1,
1−ジクロロエチレン、1,2−ジクロロエチレン、ト
リクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロベン
ゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、
p−ジクロロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼン
の如きハロゲン系溶剤;アニソール、1,4−ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジブチルエーテルノの如きエーテ
ル系溶剤;エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、
酢酸イソアミル、酢酸エチルの如きエステル系溶剤など
を挙げることができる。これらの溶剤は単独であるいは
併用して用いることができる。
特には3〜50重量%となるように調製されるのが好適
である。この感光液を、ガラス基板、シリコンウエハ
ー、銅張り積層板などの支持基板上に回転塗布、浸漬、
噴霧などの手段で塗布し、例えば50〜110℃で乾燥
して塗膜とする。
濃度、粘度などにより1〜200μmの範囲で調節する
ことができるが、3〜50μmとなるように塗布するの
が適切である。次いで、塗布した塗膜を乾燥した後にパ
ターンマスクを通して露光し、露光後好ましくは100
〜200℃で1〜10分間程度、後加熱を行う。露光の
際の放射線としては、紫外線、可視光線、電子線、X
線、遠紫外線などを用いることができる。その後、露光
部分を現像液で溶解除去することによりポジ型のパター
ン状膜が得られる。
を調製するのに用いた重合溶媒を包含して、感光液を調
製する際に用いられる、既に述べた溶剤を挙げることが
できる。これらの重合溶媒を包含する溶剤は単独である
いは2種以上併用して現像液として用いることができ
る。さらにこれらの重合溶媒を包含する溶剤と変性ポリ
アミック酸の貧溶媒(例えばメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、ベンゼン、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、
トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水など)との
混合溶液も現像液として用いることができる。
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸ナトリウムなどの塩基性化合物の水溶液、あるい
はこれらの水溶液と前記溶剤との混合溶液も現像液とし
て用いることができる。ここで、塩基性化合物の水溶液
の濃度は、通常、0.1〜20重量%、好ましくは0.5
〜10重量%である。上記貧溶媒あるいは塩基性化合物
の水溶液を前記溶剤と混合する場合の使用量は、前記溶
剤100重量部に対して90重量部以下である。
適宜選択することにより本発明の感放射線性樹脂組成物
を用いたネガ型のパターン状膜を得ることもできる。
ンス液によりリンスされ、現像液が除去される。リンス
液としては、現像液と混和性のよい溶媒、例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水などか
ら適宜選択して用いられる。これらは単独でまたは2種
以上を併用することができる。このようにして得られる
パターン状膜は、更に150〜450℃の加熱処理によ
り、イソイミド環がイミド環へと転位し、かつアミック
酸単位がイミド環へ変化することによって耐熱性を有す
るパターン状膜となる。
するが、本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。なお、実施例中の%は重量基準である。
内を窒素パージしながら、脱水したN−メチルピロリド
ン(以下、「NMP」と略す。)50gを加えた。この
NMPの含有水分量は8ppmであった。これに、4,
4'−ジアミノジフェニルエーテル(以下、「DDE」
と略す。)3.6043g(0.018mol)と1,3
−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン(以下、「TMS−DA」と略す。)0.4970g
(0.002mol)を全量溶解した。次いで、3,3'
4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以
下、「BTDA」と略す。)6.4444g(0.020
mol)をフラスコ内を攪拌しながら添加し、その後室
温で24時間攪拌し、ポリアミック酸溶液を得た。この
ポリアミック酸溶液にNMP20gを加えて希釈した
後、無水酢酸2.5523g(0.025mol)とピリ
ジン6.3280g(0.08mol)とを30分間で滴
下した。
記ポリアミック酸を脱水閉環せしめること(以下、「変
性処理」と称する。)により変性ポリアミック酸の溶液
を得た。この溶液を2000mlのアセトンに徐々に加
えポリマーを析出させた。このポリマーを分離採取し6
0℃の真空乾燥機中で10時間乾燥することにより黄色
の変性ポリアミック酸8.0gを得た。得られた変性ポ
リアミック酸の固有粘度は0.76dl/g(NMP
中、0.5g/dl、30℃で測定)であった。また、
赤外分光光度計によりカルボキシル基、イミド基および
イソイミド基の量を定量した。その結果を表1に示し
た。
MP14.0gに溶解し、さらに酸発生剤として2,3,
4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル(以下「Q−1
0−1」と略す)0.4g(変性ポリアミック酸100
重量部に対して20重量部に相当する量)を加え、均一
な感光液とした。この感光液をシリコンウエハー上にス
ピンコートし、90℃で乾燥して膜厚10.0μmの塗
膜を得た。このときの膜厚を初期膜厚という。
水銀灯からの紫外線を400mJ/cm2照射した。そ
の後、100℃で5分間加熱した後、1.7重量%テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行っ
た。現像後、水でリンスを行い、乾燥したところ、鮮明
なポジ型のパターン状膜が得られた。
300℃、5分間熱処理を行った。熱処理後の膜厚を測
定したところ、膜厚は7.9μmであり、残存膜厚率
(初期膜厚に対する熱処理後の膜厚の割合)は79%で
あった。
ボン酸二無水物およびジアミンを用いた以外は実施例1
と同様の条件でポリアミック酸溶液を得、次いで変性処
理を行い、表1に示した固有粘度の変性ポリアミック酸
を得た。以下、実施例1と同様にして表2に示した酸発
生剤(変性ポリアミック酸100重量部に対して20重
量部に相当する量)を加え、均一な感光液を調製し、シ
リコンウェハー上にスピンコートし乾燥、露光、加熱お
よび現像を行い、さらに加熱処理を行いポジ型のパター
ン状膜を得た。残存膜厚率を表2に示した。
ン酸二無水物およびジアミンを用いた以外は実施例1と
同様の条件でポリアミック酸を製造し、引き続き変性処
理を行い表1に示した固有粘度の変性ポリアミック酸を
得た。以下、実施例1と同様にして表2に示したキノン
ジアジド化合物を加え、乾燥、露光、加熱および現像を
行い、さらに加熱処理を行い、ポジ型のパターン状膜を
得た。残存膜厚率を表2に示した。
理条件(無水酢酸とピリジンの使用量)を表3に記載さ
れるように変更した以外は各々実施例1〜7と同様に操
作して変性ポリアミック酸を調製した。得られた各々の
変性ポリアミック酸の組成を表4に記載した。さらに、
表4に記載した酸発生剤(変性ポリアミック酸100重
量部に対して20重量部に相当する量)を加えて、実施
例1と同様に乾燥、露光、加熱および現像を行うことを
試みた。この結果、比較例1〜5については現像中に未
露光部分までもが溶解し、パターン状膜を得られなかっ
た。また、比較例6および7については変性ポリアミッ
ク酸がNMPに不溶となったため塗膜にすることができ
なかった。
とおりである。テトラカルボン酸二無水物 BTDA:3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物 6FDA:4,4'−(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)ジフタル酸二無水物 DSDA:3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物 PMDA:ピロメリット酸二無水物ジアミン DDE:4,4'−ジアミノジフェニルエーテル DDS:4,4'−ジアミノジフェニルスルホン PPD:P−フェニレンジアミン TMSPA:1,3−ビス(3−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン酸発生剤 Q−10−1:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル Q−11−1:2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル Q−18−1:1,1−ジ(4−ヒドロキシフェニル)
−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−
メチル}エチルフェニル]エタンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル
されるパターン状膜は耐熱性のイミド環を有する高分子
から構成されているので、電気的特性および機械的特性
に優れ、そのまま絶縁材料として用いることができる。
しかも上記パターン状膜を形成する際、膜減りの問題が
著しく改善され、かつコントラストが良好である。
物の好ましい態様、他の態様およびこの感放射線性樹脂
組成物を用いたパターン状膜の形成方法について以下に
付記する。 1. 構造(A)および構造(B)におけるR1が下記式
射線性樹脂組成物。 2. 構造(A)および構造(B)におけるR2が下記式
感放射線性樹脂組成物。 3. 放射線照射により酸性を呈する化合物(酸発生剤)
が前記式(Q−1)〜式(Q−18)において、Xが前
記式(45)である感放射線性樹脂組成物。 4. 変性ポリアミック酸100重量部に対して酸発生剤
が5〜50重量部、より好ましくは5〜30重量部配合
されている感放射線性樹脂組成物。 5. 固形分濃度が1〜70重量%、より好ましくは3〜
50重量%である溶液状の感放射線性樹脂組成物。 6. (A)'(i)前記式(1)で示される繰り返し構
造(A)からなるポリアミック酸が部分的にイミド化お
よび/またはイソイミド化され、そして(ii)カルボ
キシル基、イミド基およびイソイミド基の合計量に対し
て、イミド基とイソイミド基の合計量が20〜80モル
%であり、かつイソイミド基が50モル%未満である変
性ポリアミック酸、並びに (B)酸発生剤、を含有することを特徴とする感放射線
性樹脂組成物。 7. 基体上に形成された感放射線性樹脂組成物の塗膜を
露光し、後加熱し、現像処理を行い、引き続き加熱処理
を行うことを特徴とするパターン状膜の形成方法。 8. 現像処理で用いられる現像液がアルカリ水溶液であ
る上記7に記載のパターン状膜の形成方法。
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)(i)式(1) 【化1】 (式(1)中、R1は2価の有機基であり、R2は4価の
有機基である。)で示される繰り返し構造(A)、繰り
返し構造(A)に含まれる2つのカルボキシル基の1つ
がイミド基またはイソイミド基に変換している繰り返し
構造(B)並びに前記繰り返し構造(A)に含まれる2
つのカルボキシル基がイミド基および/またはイソイミ
ド基に変換している繰り返し構造(C)の3種の繰り返
し構造のうちの2種以上の繰り返し構造からなり、(i
i)これらの2種以上の繰り返し構造に含有されるカル
ボキシル基、イミド基およびイソイミド基の合計量に対
して、イミド基とイソイミド基の合計量が20〜80モ
ル%であり、かつイソイミド基が50モル%未満である
変性ポリアミック酸、並びに (B)放射線の照射により酸性を呈する化合物、を含有
することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000073852A1 (fr) * | 1999-06-01 | 2000-12-07 | Toray Industries, Inc. | Composition de precurseur de polyimide photosensible de type positif |
EP1209523A2 (en) | 2000-11-27 | 2002-05-29 | Toray Industries, Inc. | Composition of positive photosensitive resin precursor, and display device made thereof |
WO2022044998A1 (ja) * | 2020-08-25 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、半導体デバイス、ポリイミド前駆体及びその製造方法 |
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-
1994
- 1994-08-12 JP JP19073594A patent/JP3460212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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WO2000073852A1 (fr) * | 1999-06-01 | 2000-12-07 | Toray Industries, Inc. | Composition de precurseur de polyimide photosensible de type positif |
EP1209523A2 (en) | 2000-11-27 | 2002-05-29 | Toray Industries, Inc. | Composition of positive photosensitive resin precursor, and display device made thereof |
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