JP2003183839A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 原子状窒素Ｎ*を使った基板処理が可能なプ
ラズマ基板処理方法および装置を提供する。 【解決手段】 処理容器中に制御電極によりプラズマ励
起空間とプロセス空間とを画成し、プラズマ空間におい
てＨｅをプラズマ励起ガスとして使い、Ｈｅプラズマ中
においてＮ2ガスを励起して原子状窒素Ｎ*を形成する。
かかる原子状窒素Ｎ*を制御電極を通ってプロセス空間
に拡散させ、基板処理を行う。
ラズマ基板処理方法および装置を提供する。 【解決手段】 処理容器中に制御電極によりプラズマ励
起空間とプロセス空間とを画成し、プラズマ空間におい
てＨｅをプラズマ励起ガスとして使い、Ｈｅプラズマ中
においてＮ2ガスを励起して原子状窒素Ｎ*を形成する。
かかる原子状窒素Ｎ*を制御電極を通ってプロセス空間
に拡散させ、基板処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般にプラズマ処理
装置に係り、特にマイクロ波プラズマ処理装置に関す
る。
装置に係り、特にマイクロ波プラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】プラズマ処理工程およびプラズマ処理装置
は、近年のいわゆるディープサブミクロン素子あるいは
ディープサブクォーターミクロン素子と呼ばれる０．１
μｍに近い、あるいはそれ以下のゲート長を有する超微
細化半導体装置の製造や、液晶表示装置を含む高解像度
平面表示装置の製造にとって、不可欠の技術である。
は、近年のいわゆるディープサブミクロン素子あるいは
ディープサブクォーターミクロン素子と呼ばれる０．１
μｍに近い、あるいはそれ以下のゲート長を有する超微
細化半導体装置の製造や、液晶表示装置を含む高解像度
平面表示装置の製造にとって、不可欠の技術である。
【０００３】半導体装置や液晶表示装置の製造に使われ
るプラズマ処理装置としては、従来より様々なプラズマ
の励起方式が使われているが、特に平行平板型高周波励
起プラズマ処理装置あるいは誘導結合型プラズマ処理装
置が一般的である。しかしこれら従来のプラズマ処理装
置は、プラズマ形成が不均一であり、電子密度の高い領
域が限定されているため大きな処理速度すなわちスルー
プットで被処理基板全面にわたり均一なプロセスを行う
のが困難である問題点を有している。この問題は、特に
大径の基板を処理する場合に深刻になる。しかもこれら
従来のプラズマ処理装置では、電子温度が高いため被処
理基板上に形成される半導体素子にダメージが生じ、ま
た処理室壁のスパッタリングによる金属汚染が大きいな
ど、いくつかの本質的な問題を有している。このため、
従来のプラズマ処理装置では、半導体装置や平面表示装
置のさらなる微細化およびさらなる生産性の向上に対す
る厳しい要求を満たすことが困難になりつつある。
るプラズマ処理装置としては、従来より様々なプラズマ
の励起方式が使われているが、特に平行平板型高周波励
起プラズマ処理装置あるいは誘導結合型プラズマ処理装
置が一般的である。しかしこれら従来のプラズマ処理装
置は、プラズマ形成が不均一であり、電子密度の高い領
域が限定されているため大きな処理速度すなわちスルー
プットで被処理基板全面にわたり均一なプロセスを行う
のが困難である問題点を有している。この問題は、特に
大径の基板を処理する場合に深刻になる。しかもこれら
従来のプラズマ処理装置では、電子温度が高いため被処
理基板上に形成される半導体素子にダメージが生じ、ま
た処理室壁のスパッタリングによる金属汚染が大きいな
ど、いくつかの本質的な問題を有している。このため、
従来のプラズマ処理装置では、半導体装置や平面表示装
置のさらなる微細化およびさらなる生産性の向上に対す
る厳しい要求を満たすことが困難になりつつある。
【０００４】一方、従来より直流磁場を用いずにマイク
ロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイク
ロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一
なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロッ
トを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロット
アンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、この
マイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラ
ズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されて
いる。例えば特開平９−６３７９３公報を参照。このよ
うな手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ
直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現で
き、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能であ
る。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマ
ではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度
が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避するこ
とができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを
容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導
体装置の製造工程や大型平面表示装置の製造にも容易に
対応できる。
ロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイク
ロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一
なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロッ
トを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロット
アンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、この
マイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラ
ズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されて
いる。例えば特開平９−６３７９３公報を参照。このよ
うな手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ
直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現で
き、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能であ
る。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマ
ではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度
が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避するこ
とができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを
容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導
体装置の製造工程や大型平面表示装置の製造にも容易に
対応できる。
【０００５】
【従来の技術】図１は、従来の誘導結合型プラズマ処理
装置１の概略的構成を示す。
装置１の概略的構成を示す。
【０００６】図１を参照するに、プラズマ処理装置１は
排気ライン２Aにより排気される石英ドームよりなる処
理容器２を備え、前記処理容器２により画成されるプロ
セス空間２B中には,回動機構３Aにより回動される基板
保持台３上に被処理基板４が保持されている。さらに前
記プロセス空間２Bには、処理ガス供給ライン２Cによ
り、Ａｒなどの不活性プラズマ励起ガスと酸素あるいは
窒素などの処理ガスとが供給される。また前記処理容器
２の外側上部にはコイル５が巻回されており、前記コイ
ル５を直流電源により駆動することにより、前記プロセ
ス空間２Ｂの上部に高密度プラズマ２Ｄが励起される。
排気ライン２Aにより排気される石英ドームよりなる処
理容器２を備え、前記処理容器２により画成されるプロ
セス空間２B中には,回動機構３Aにより回動される基板
保持台３上に被処理基板４が保持されている。さらに前
記プロセス空間２Bには、処理ガス供給ライン２Cによ
り、Ａｒなどの不活性プラズマ励起ガスと酸素あるいは
窒素などの処理ガスとが供給される。また前記処理容器
２の外側上部にはコイル５が巻回されており、前記コイ
ル５を直流電源により駆動することにより、前記プロセ
ス空間２Ｂの上部に高密度プラズマ２Ｄが励起される。
【０００７】図１のプラズマ処理装置１では、かかる高
密度プラズマ２Ｄに伴って形成される処理ガスのラジカ
ルが被処理基板４の表面に到達し、酸化や窒化などの基
板処理が行われる。
密度プラズマ２Ｄに伴って形成される処理ガスのラジカ
ルが被処理基板４の表面に到達し、酸化や窒化などの基
板処理が行われる。
【０００８】しかし、このような従来の誘導結合型プラ
ズマ処理装置１では、高密度プラズマ２Ｄが形成される
領域が処理容器２の上部に局在しており、従ってプラズ
マに伴って形成されるラジカルの濃度分布は著しく不均
一なものとなる。特に基板の径方向へのラジカル濃度の
不均一は、基板保持台３を回動機構３Ａにより回動させ
ても解消しない。
ズマ処理装置１では、高密度プラズマ２Ｄが形成される
領域が処理容器２の上部に局在しており、従ってプラズ
マに伴って形成されるラジカルの濃度分布は著しく不均
一なものとなる。特に基板の径方向へのラジカル濃度の
不均一は、基板保持台３を回動機構３Ａにより回動させ
ても解消しない。
【０００９】このため従来の誘導結合型プラズマ処理装
置１では、前記被処理基板４表面において可能な限り一
様なラジカル濃度分布を実現するために、被処理基板４
と高密度プラズマ２Ｄの形成領域との間の距離を離して
いたが、その結果、基板処理装置１全体の大きさが大き
くなってしまったり、被処理気体４に到達するラジカル
量が少なくなったりする問題が生じていた。この問題
は、特に最近の技術の流れに沿って大口径基板を処理し
ようとした場合に深刻になる。
置１では、前記被処理基板４表面において可能な限り一
様なラジカル濃度分布を実現するために、被処理基板４
と高密度プラズマ２Ｄの形成領域との間の距離を離して
いたが、その結果、基板処理装置１全体の大きさが大き
くなってしまったり、被処理気体４に到達するラジカル
量が少なくなったりする問題が生じていた。この問題
は、特に最近の技術の流れに沿って大口径基板を処理し
ようとした場合に深刻になる。
【００１０】一方、従来より誘導磁場を用いずにマイク
ロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイク
ロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一
なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロッ
トを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロット
アンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、この
マイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラ
ズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されて
いる。例えば特開平９−６３７９３公報を参照。このよ
うな手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ
直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現で
き、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能であ
る。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマ
ではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度
が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避するこ
とができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを
容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導
体装置の製造工程や大型平面表示装置の製造にも容易に
対応できる。
ロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイク
ロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一
なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロッ
トを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロット
アンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、この
マイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラ
ズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されて
いる。例えば特開平９−６３７９３公報を参照。このよ
うな手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ
直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現で
き、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能であ
る。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマ
ではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度
が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避するこ
とができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを
容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導
体装置の製造工程や大型平面表示装置の製造にも容易に
対応できる。
【００１１】図２は、本発明の発明者が先に提案した、
かかるラジアルラインスロットアンテナを使ったマイク
ロ波プラズマ処理装置１０の構成を示す。
かかるラジアルラインスロットアンテナを使ったマイク
ロ波プラズマ処理装置１０の構成を示す。
【００１２】図２を参照するに、マイクロ波プラズマ処
理装置１０は複数の排気ポート１１ａから排気される処
理室１１を有し、前記処理室１１中には被処理基板１２
を保持する保持台１３が形成されている。前記処理室１
１の均一な排気を実現するため、前記保持台１３の周囲
にはリング状に空間１１Ａが形成されており、前記複数
の排気ポート１１ａを前記空間１１Ａに連通するように
等間隔で、すなわち被処理基板に対して軸対称に形成す
ることにより、前記処理室１１を前記空間１１Ａおよび
排気ポート１１ａを介して均一に排気することができ
る。
理装置１０は複数の排気ポート１１ａから排気される処
理室１１を有し、前記処理室１１中には被処理基板１２
を保持する保持台１３が形成されている。前記処理室１
１の均一な排気を実現するため、前記保持台１３の周囲
にはリング状に空間１１Ａが形成されており、前記複数
の排気ポート１１ａを前記空間１１Ａに連通するように
等間隔で、すなわち被処理基板に対して軸対称に形成す
ることにより、前記処理室１１を前記空間１１Ａおよび
排気ポート１１ａを介して均一に排気することができ
る。
【００１３】前記処理室１１上には、前記保持台１３上
の被処理基板１２に対面する位置に、前記処理室１１の
外壁の一部として、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの低損失誘
電体よりなり多数の開口部１４Ａを形成された板状のシ
ャワープレート１４が図示しないシールリングを介して
形成されており、さらに前記シャワープレート１４の外
側に同じくＡｌ2Ｏ3はＳｉＯ2など低損失誘電体よりな
るカバープレート１５が、図示しない別のシールリング
を介して設けられている。
の被処理基板１２に対面する位置に、前記処理室１１の
外壁の一部として、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの低損失誘
電体よりなり多数の開口部１４Ａを形成された板状のシ
ャワープレート１４が図示しないシールリングを介して
形成されており、さらに前記シャワープレート１４の外
側に同じくＡｌ2Ｏ3はＳｉＯ2など低損失誘電体よりな
るカバープレート１５が、図示しない別のシールリング
を介して設けられている。
【００１４】前記シャワープレート１４にはその上面に
ガス通路１４Ｂが形成されており、前記複数の開口部１
４Ａの各々は前記ガス通路１４Ｂに連通するように形成
されている。さらに、前記シャワープレート１４の内部
には、前記処理容器１１の外壁に設けられたガス供給ポ
ート１１ｐに連通するガス供給通路１４Ｃが形成されて
おり、前記ガス供給ポート１１ｐに供給されたＡｒやＫ
ｒ等のプラズマ励起ガスは、前記供給通路１４Ｃから前
記通路１４Ｂを介して前記開口部１４Ａに供給され、前
記開口部１４Ａから前記処理容器１１内部の前記シャワ
ープレート１４直下のプロセス空間１１Ｂに、実質的に
一様な濃度で放出される。
ガス通路１４Ｂが形成されており、前記複数の開口部１
４Ａの各々は前記ガス通路１４Ｂに連通するように形成
されている。さらに、前記シャワープレート１４の内部
には、前記処理容器１１の外壁に設けられたガス供給ポ
ート１１ｐに連通するガス供給通路１４Ｃが形成されて
おり、前記ガス供給ポート１１ｐに供給されたＡｒやＫ
ｒ等のプラズマ励起ガスは、前記供給通路１４Ｃから前
記通路１４Ｂを介して前記開口部１４Ａに供給され、前
記開口部１４Ａから前記処理容器１１内部の前記シャワ
ープレート１４直下のプロセス空間１１Ｂに、実質的に
一様な濃度で放出される。
【００１５】前記処理容器１１上には、さらに前記カバ
ープレート１５の外側に、前記カバープレート１５から
４〜５ｍｍ離間してラジアルラインスロットアンテナ２
０が設けられている。前記ラジアルラインスロットアン
テナ２０は外部のマイクロ波源（図示せず）に同軸導波
管２１を介して接続されており、前記マイクロ波源から
のマイクロ波により、前記プロセス空間１１Ｂに放出さ
れたプラズマ励起ガスを励起する。前記カバープレート
１５とラジアルラインスロットアンテナ２０の放射面と
の間は密着されており、さらにアンテナの冷却のため、
前記アンテナ２０上に冷却水通路１９Ａを有する冷却ブ
ロック１９が設けられている。
ープレート１５の外側に、前記カバープレート１５から
４〜５ｍｍ離間してラジアルラインスロットアンテナ２
０が設けられている。前記ラジアルラインスロットアン
テナ２０は外部のマイクロ波源（図示せず）に同軸導波
管２１を介して接続されており、前記マイクロ波源から
のマイクロ波により、前記プロセス空間１１Ｂに放出さ
れたプラズマ励起ガスを励起する。前記カバープレート
１５とラジアルラインスロットアンテナ２０の放射面と
の間は密着されており、さらにアンテナの冷却のため、
前記アンテナ２０上に冷却水通路１９Ａを有する冷却ブ
ロック１９が設けられている。
【００１６】前記ラジアルラインスロットアンテナ２０
は、前記同軸導波管２１の外側導波管２１Ａに接続され
た平坦なディスク状のアンテナ本体１７と、前記アンテ
ナ本体１７の開口部に形成された、多数のスロットを形
成された放射板１６とよりなり、前記アンテナ本体１７
と前記放射板１６との間には、厚さが一定の誘電体板よ
りなる遅相板１８が挿入されている。
は、前記同軸導波管２１の外側導波管２１Ａに接続され
た平坦なディスク状のアンテナ本体１７と、前記アンテ
ナ本体１７の開口部に形成された、多数のスロットを形
成された放射板１６とよりなり、前記アンテナ本体１７
と前記放射板１６との間には、厚さが一定の誘電体板よ
りなる遅相板１８が挿入されている。
【００１７】かかる構成のラジアルラインスロットアン
テナ２０では、前記同軸導波管２１から給電されたマイ
クロ波は、前記ディスク状のアンテナ本体１７と放射板
１６との間を、半径方向に広がりながら進行するが、そ
の際に前記遅相板１８の作用により波長が圧縮される。
そこで、このようにして半径方向に進行するマイクロ波
の波長に対応して前記スロットを同心円状に、かつ相互
に直交するように形成しておくことにより、円偏波を有
する平面波を前記放射板１６に実質的に垂直な方向に放
射することができる。
テナ２０では、前記同軸導波管２１から給電されたマイ
クロ波は、前記ディスク状のアンテナ本体１７と放射板
１６との間を、半径方向に広がりながら進行するが、そ
の際に前記遅相板１８の作用により波長が圧縮される。
そこで、このようにして半径方向に進行するマイクロ波
の波長に対応して前記スロットを同心円状に、かつ相互
に直交するように形成しておくことにより、円偏波を有
する平面波を前記放射板１６に実質的に垂直な方向に放
射することができる。
【００１８】かかるラジアルラインスロットアンテナ２
０を使うことにより、前記シャワープレート１４直下の
プロセス空間１１Ｂに均一な高密度プラズマが形成され
る。このようにして形成された高密度プラズマは電子温
度が低く、そのため被処理基板１２にダメージが生じる
ことがなく、また処理容器１１の器壁のスパッタリング
に起因する金属汚染が生じることもない。
０を使うことにより、前記シャワープレート１４直下の
プロセス空間１１Ｂに均一な高密度プラズマが形成され
る。このようにして形成された高密度プラズマは電子温
度が低く、そのため被処理基板１２にダメージが生じる
ことがなく、また処理容器１１の器壁のスパッタリング
に起因する金属汚染が生じることもない。
【００１９】そこで、図２の基板処理装置１０において
前記ガス導入ポート１１ｐにＡｒやＫｒなどのプラズマ
励起ガスの他にＯ2ガスやＮＨ3ガス、あるいはＮ2ガス
とＨ2ガスとの混合ガスを処理ガスとして供給すること
により、前記プロセス空間１１Ｂ中に前記高密度プラズ
マにより原子状酸素Ｏ*あるいは窒化水素ラジカルＮＨ*
などの活性種が励起され、かかる活性種を使うことによ
り、被処理基板１２表面を酸化処理、窒化処理あるいは
酸窒化処理することが可能になる。
前記ガス導入ポート１１ｐにＡｒやＫｒなどのプラズマ
励起ガスの他にＯ2ガスやＮＨ3ガス、あるいはＮ2ガス
とＨ2ガスとの混合ガスを処理ガスとして供給すること
により、前記プロセス空間１１Ｂ中に前記高密度プラズ
マにより原子状酸素Ｏ*あるいは窒化水素ラジカルＮＨ*
などの活性種が励起され、かかる活性種を使うことによ
り、被処理基板１２表面を酸化処理、窒化処理あるいは
酸窒化処理することが可能になる。
【００２０】また図３に示すように、図２の基板処理装
置１０において、前記シャワープレート１４の下部に、
処理容器１表面に形成された処理ガス導入ポート１１ｒ
に連通する処理ガス通路３１Ａと、前記処理ガス通路３
１Ａに連通する多数の処理ガス導入ノズル開口部３１Ｂ
とを備え、また前記空間１１Ｂにおいて形成された処理
ガスラジカルを通過させる大きな開口部を有する別の下
段シャワープレート３１を設けた構成の基板処理装置１
０Ａが提案されている。
置１０において、前記シャワープレート１４の下部に、
処理容器１表面に形成された処理ガス導入ポート１１ｒ
に連通する処理ガス通路３１Ａと、前記処理ガス通路３
１Ａに連通する多数の処理ガス導入ノズル開口部３１Ｂ
とを備え、また前記空間１１Ｂにおいて形成された処理
ガスラジカルを通過させる大きな開口部を有する別の下
段シャワープレート３１を設けた構成の基板処理装置１
０Ａが提案されている。
【００２１】図３の基板処理装置１０Ａでは、前記下段
シャワープレート３１の下部に別のプロセス空間１１Ｃ
が画成され、特に下段シャワープレート３１を、その表
面が酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）で不動態処理された
ステンレススチールなどの導電体により構成することに
より、マイクロ波がプロセス空間１１Ｃ中に侵入するの
を阻止することが可能になる。そこでプラズマの励起は
上段シャワープレート１４直下の空間１１Ｂに限定さ
れ、前記空間１１Ｂにおいて励起されたＫｒやＡｒのラ
ジカルＫ*あるいはＡｒ*が前記プロセス空間１１Ｃに、
前記シャワープレート３１中の大きな開口部を通過して
侵入し、前記ノズル開口部３１Ｂから放出される処理ガ
スを活性化する。被処理基板１２の処理は、このように
して活性化された処理ガスラジカルによりなされる。
シャワープレート３１の下部に別のプロセス空間１１Ｃ
が画成され、特に下段シャワープレート３１を、その表
面が酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）で不動態処理された
ステンレススチールなどの導電体により構成することに
より、マイクロ波がプロセス空間１１Ｃ中に侵入するの
を阻止することが可能になる。そこでプラズマの励起は
上段シャワープレート１４直下の空間１１Ｂに限定さ
れ、前記空間１１Ｂにおいて励起されたＫｒやＡｒのラ
ジカルＫ*あるいはＡｒ*が前記プロセス空間１１Ｃに、
前記シャワープレート３１中の大きな開口部を通過して
侵入し、前記ノズル開口部３１Ｂから放出される処理ガ
スを活性化する。被処理基板１２の処理は、このように
して活性化された処理ガスラジカルによりなされる。
【００２２】図３の基板処理装置１０Ａでは、前記下段
シャワープレート３１を導電体により構成することによ
り、マイクロ波が前記プロセス空間１１Ｃから排除さ
れ、被処理基板のマイクロ波による損傷が回避される。
シャワープレート３１を導電体により構成することによ
り、マイクロ波が前記プロセス空間１１Ｃから排除さ
れ、被処理基板のマイクロ波による損傷が回避される。
【００２３】図３の基板処理装置１０Ａでは、前記下段
シャワープレート３１よりＣＶＤ原料ガスを導入するこ
とにより、プラズマＣＶＤ工程を行うことが可能であ
る。また、前記下段シャワープレート３１よりドライエ
ッチングガスを導入し、前記保持台１３に高周波バイア
スを印加することにより、ドライエッチング工程を行う
ことも可能である。
シャワープレート３１よりＣＶＤ原料ガスを導入するこ
とにより、プラズマＣＶＤ工程を行うことが可能であ
る。また、前記下段シャワープレート３１よりドライエ
ッチングガスを導入し、前記保持台１３に高周波バイア
スを印加することにより、ドライエッチング工程を行う
ことも可能である。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】このように、図２ある
いは図３の基板処理装置では、酸化処理を行う場合には
Ｋｒガスと酸素ガスをプロセス空間１１Ｂに導入するこ
とにより、１０ｅＶ程度のエネルギの中間励起状態のＫ
ｒラジカル（Ｋｒ*）を励起する。励起されたＫｒラジ
カルは、反応 Ｏ2→Ｏ*＋Ｏ* に従って原子状酸素Ｏ*を効率良く励起し、励起された
原子状酸素Ｏ*が被処理基板１２の表面を酸化する。
いは図３の基板処理装置では、酸化処理を行う場合には
Ｋｒガスと酸素ガスをプロセス空間１１Ｂに導入するこ
とにより、１０ｅＶ程度のエネルギの中間励起状態のＫ
ｒラジカル（Ｋｒ*）を励起する。励起されたＫｒラジ
カルは、反応 Ｏ2→Ｏ*＋Ｏ* に従って原子状酸素Ｏ*を効率良く励起し、励起された
原子状酸素Ｏ*が被処理基板１２の表面を酸化する。
【００２５】これに対し、被処理基板１２の窒化処理を
行う場合には、Ｋｒガスとアンモニアガス、あるいはＫ
ｒガスと窒素ガスと水素ガスとを導入する。この場合に
は、励起されたＫｒラジカル（Ｋｒ*）あるいはＡｒラ
ジカル（Ａｒ*）により、反応 ＮＨ3→ＮＨ*＋２Ｈ*＋ｅ- あるいは 反応Ｎ2＋Ｈ2→ＮＨ*＋ＮＨ* に従って窒化水素ラジカルＮＨ*が励起され、かかる窒
化水素ラジカルＮＨ*を使って被処理基板１２の窒化処
理がなされる。
行う場合には、Ｋｒガスとアンモニアガス、あるいはＫ
ｒガスと窒素ガスと水素ガスとを導入する。この場合に
は、励起されたＫｒラジカル（Ｋｒ*）あるいはＡｒラ
ジカル（Ａｒ*）により、反応 ＮＨ3→ＮＨ*＋２Ｈ*＋ｅ- あるいは 反応Ｎ2＋Ｈ2→ＮＨ*＋ＮＨ* に従って窒化水素ラジカルＮＨ*が励起され、かかる窒
化水素ラジカルＮＨ*を使って被処理基板１２の窒化処
理がなされる。
【００２６】一方、被処理基板の窒化処理の際に窒化反
応力が強くかつ水素を含まない原子状窒素（Ｎ*）を使
ったほうが望ましい場合がある。原子状窒素Ｎ*は、反
応 Ｎ2→Ｎ*＋Ｎ* により形成されるが、その際には２３〜２５ｅＶものエ
ネルギが必要であると考えられる。ＫｒやＡｒプラズマ
の場合、得られるＫｒラジカルあるいはＡｒラジカルの
エネルギは、先にも述べたようにせいぜい１０ｅＶ程度
なので、上記反応に従って原子状窒素Ｎ*を励起するこ
とはできない。
応力が強くかつ水素を含まない原子状窒素（Ｎ*）を使
ったほうが望ましい場合がある。原子状窒素Ｎ*は、反
応 Ｎ2→Ｎ*＋Ｎ* により形成されるが、その際には２３〜２５ｅＶものエ
ネルギが必要であると考えられる。ＫｒやＡｒプラズマ
の場合、得られるＫｒラジカルあるいはＡｒラジカルの
エネルギは、先にも述べたようにせいぜい１０ｅＶ程度
なので、上記反応に従って原子状窒素Ｎ*を励起するこ
とはできない。
【００２７】仮に図２あるいは図３の基板処理装置にお
いて、ＫｒガスあるいはＡｒガスと共に窒素ガスを供給
しても、反応 Ｎ2→Ｎ2 +＋ｅ- が得られるだけであり、所望の原子状窒素Ｎ*は励起さ
れない。
いて、ＫｒガスあるいはＡｒガスと共に窒素ガスを供給
しても、反応 Ｎ2→Ｎ2 +＋ｅ- が得られるだけであり、所望の原子状窒素Ｎ*は励起さ
れない。
【００２８】図４は、Ｋｒプラズマの状態密度と原子状
窒素Ｎ*，窒化水素ラジカルＮＨ*および窒素イオンＮ2 +
の励起エネルギとの関係を示す。
窒素Ｎ*，窒化水素ラジカルＮＨ*および窒素イオンＮ2 +
の励起エネルギとの関係を示す。
【００２９】図４を参照するに、Ｋｒプラズマの状態密
度は低エネルギにおいて大きく、エネルギが増大すると
共に急速に減少するのがわかる。このようなプラズマで
は、所望の窒素ラジカルを効率良く励起することはでき
ない。
度は低エネルギにおいて大きく、エネルギが増大すると
共に急速に減少するのがわかる。このようなプラズマで
は、所望の窒素ラジカルを効率良く励起することはでき
ない。
【００３０】そこで、本発明は上記の課題を解決した、
新規で有用な基板処理装置を提供することを概括的課題
とする。
新規で有用な基板処理装置を提供することを概括的課題
とする。
【００３１】本発明のより具体的な課題は、窒素ラジカ
ルＮ*を効率良く発生できる基板処理装置を提供するこ
とにある。
ルＮ*を効率良く発生できる基板処理装置を提供するこ
とにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、処理容器中において、被処
理基板を含むプロセス空間と、前記被処理基板が含まれ
ないプラズマ形成空間とが制御電極により隔てられてい
る構成の基板処理装置による基板処理方法であって、前
記処理容器中にＨｅとＮ2を含むガスを供給する工程
と、前記プラズマ形成空間にプラズマを、前記プラズマ
中に原子状窒素Ｎ*が励起されるような条件で形成する
工程と、前記原子状窒素Ｎ*により被処理基板表面を窒
化する工程とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置
により、または請求項２に記載したように、前記プラズ
マを励起する工程は、２３〜２５ｅＶの中間励起状態エ
ネルギが実現されるように実行されることを特徴とする
請求項１または２記載の基板処理方法により、または請
求項３に記載したように、前記プラズマを形成する工程
は、前記プラズマ形成空間にマイクロ波を供給する工程
を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処
理方法により、または請求項４に記載したように、前記
マイクロ波を供給する工程は、ラジアルラインスロット
アンテナを駆動することにより実行されることを特徴と
する請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の基板処理
方法により、または請求項５に記載したように、前記プ
ラズマを形成する工程は、前記プラズマ形成空間に誘導
磁界を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の基板処理方法により、または請求項６に記
載したように、前記誘導磁界を形成する工程は、前記処
理容器周囲に巻回された誘導コイルを高周波電力により
駆動する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の基
板処理装置により、または請求項７に記載したように、
前記プラズマを励起する工程では、前記制御電極は接地
されることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか
一項記載の基板処理装置により、または請求項８に記載
したように、前記プラズマを形成する工程では、前記制
御電極に負電位が印加されることを特徴とする請求項１
〜６のうち、いずれか一項記載の基板処理装置により、
または請求項９に記載したように、前記処理容器中に供
給されるガスは、さらにＯ2を含むことを特徴とする請
求項１〜８のうち、いずれか一項記載の基板処理装置に
より、または請求項１０に記載したように、外壁により
画成され、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容
器と、前記処理容器に結合された排気系と、前記処理容
器中にプラズマ励起ガスおよび処理ガスを供給するプラ
ズマガス供給部と、前記処理容器上に、前記被処理基板
に対面して設けられたマイクロ窓と、前記保持台上の被
処理基板と前記プラズマガス供給部との間に、前記被処
理基板に対面するように設けられ、前記マイクロ波窓を
含むプラズマ励起空間と前記被処理基板を含むプロセス
空間とを隔てる制御電極とよりなり、前記制御電極は、
前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数
の開口部を有する導体部材よりなり、前記制御電極表面
が、酸化アルミニウムないしは導電性窒化物により覆わ
れていることを特徴とする基板処理装置により、または
請求項１１に記載したように、前記制御電極は格子形状
を有し、接地されていることを特徴とする請求項１０記
載の基板処理装置により、または請求項１２に記載した
ように、前記制御電極は格子形状を有し、前記基板処理
装置は前記制御電極に接続された負電圧源を含むことを
特徴とする請求項１０記載の基板処理装置により、また
は請求項１３に記載したように、前記プラズマ励起空間
において、前記処理容器の内壁は絶遠層により覆われて
いることを特徴とする請求項１０〜１２のうち、いずれ
か一項記載の基板処理装置により、または請求項１４に
記載したように、さらに前記処理容器の外側に、前記マ
イクロ波窓に結合したマイクロ波アンテナを有すること
を特徴とする請求項１０〜１３のうち、いずれか一項記
載の基板処理装置により、または請求項１５に記載した
ように、石英ガラス壁により画成され、被処理基板を保
持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器に結合
された排気系と、前記処理容器中にプラズマ励起ガスお
よび処理ガスを供給するプラズマガス供給部と、前記保
持台上の被処理基板に対面するように設けられ、前記処
理容器内部を、前記被処理基板を含むプロセス空間とプ
ラズマ励起空間とに分割する制御電極と、前記石英ガラ
ス壁外側に、前記プラズマ励起空間に対応して設けられ
た誘導コイルとよりなり、前記制御電極は、前記処理容
器内に形成されたプラズマを通過させる複数の開口部を
有する導体部材よりなり、前記制御電極表面が、酸化ア
ルミニウムないしは導電性窒化物により覆われているこ
とを特徴とする基板処理装置により、または請求項１６
に記載したように、前記前記石英ガラス壁はドーム上空
間を画成することを特徴とする請求項１５記載の基板処
理装置により、または請求項１７に記載したように、前
記制御電極は接地されていることを特徴とする請求項１
５または１６記載の基板処理装置により、または請求項
１８に記載したように、前記制御電極は負電圧源に接続
されていることを特徴とする請求項１５または１６記載
の基板処理装置により、解決する。
請求項１に記載したように、処理容器中において、被処
理基板を含むプロセス空間と、前記被処理基板が含まれ
ないプラズマ形成空間とが制御電極により隔てられてい
る構成の基板処理装置による基板処理方法であって、前
記処理容器中にＨｅとＮ2を含むガスを供給する工程
と、前記プラズマ形成空間にプラズマを、前記プラズマ
中に原子状窒素Ｎ*が励起されるような条件で形成する
工程と、前記原子状窒素Ｎ*により被処理基板表面を窒
化する工程とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置
により、または請求項２に記載したように、前記プラズ
マを励起する工程は、２３〜２５ｅＶの中間励起状態エ
ネルギが実現されるように実行されることを特徴とする
請求項１または２記載の基板処理方法により、または請
求項３に記載したように、前記プラズマを形成する工程
は、前記プラズマ形成空間にマイクロ波を供給する工程
を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処
理方法により、または請求項４に記載したように、前記
マイクロ波を供給する工程は、ラジアルラインスロット
アンテナを駆動することにより実行されることを特徴と
する請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の基板処理
方法により、または請求項５に記載したように、前記プ
ラズマを形成する工程は、前記プラズマ形成空間に誘導
磁界を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の基板処理方法により、または請求項６に記
載したように、前記誘導磁界を形成する工程は、前記処
理容器周囲に巻回された誘導コイルを高周波電力により
駆動する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の基
板処理装置により、または請求項７に記載したように、
前記プラズマを励起する工程では、前記制御電極は接地
されることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか
一項記載の基板処理装置により、または請求項８に記載
したように、前記プラズマを形成する工程では、前記制
御電極に負電位が印加されることを特徴とする請求項１
〜６のうち、いずれか一項記載の基板処理装置により、
または請求項９に記載したように、前記処理容器中に供
給されるガスは、さらにＯ2を含むことを特徴とする請
求項１〜８のうち、いずれか一項記載の基板処理装置に
より、または請求項１０に記載したように、外壁により
画成され、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容
器と、前記処理容器に結合された排気系と、前記処理容
器中にプラズマ励起ガスおよび処理ガスを供給するプラ
ズマガス供給部と、前記処理容器上に、前記被処理基板
に対面して設けられたマイクロ窓と、前記保持台上の被
処理基板と前記プラズマガス供給部との間に、前記被処
理基板に対面するように設けられ、前記マイクロ波窓を
含むプラズマ励起空間と前記被処理基板を含むプロセス
空間とを隔てる制御電極とよりなり、前記制御電極は、
前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数
の開口部を有する導体部材よりなり、前記制御電極表面
が、酸化アルミニウムないしは導電性窒化物により覆わ
れていることを特徴とする基板処理装置により、または
請求項１１に記載したように、前記制御電極は格子形状
を有し、接地されていることを特徴とする請求項１０記
載の基板処理装置により、または請求項１２に記載した
ように、前記制御電極は格子形状を有し、前記基板処理
装置は前記制御電極に接続された負電圧源を含むことを
特徴とする請求項１０記載の基板処理装置により、また
は請求項１３に記載したように、前記プラズマ励起空間
において、前記処理容器の内壁は絶遠層により覆われて
いることを特徴とする請求項１０〜１２のうち、いずれ
か一項記載の基板処理装置により、または請求項１４に
記載したように、さらに前記処理容器の外側に、前記マ
イクロ波窓に結合したマイクロ波アンテナを有すること
を特徴とする請求項１０〜１３のうち、いずれか一項記
載の基板処理装置により、または請求項１５に記載した
ように、石英ガラス壁により画成され、被処理基板を保
持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器に結合
された排気系と、前記処理容器中にプラズマ励起ガスお
よび処理ガスを供給するプラズマガス供給部と、前記保
持台上の被処理基板に対面するように設けられ、前記処
理容器内部を、前記被処理基板を含むプロセス空間とプ
ラズマ励起空間とに分割する制御電極と、前記石英ガラ
ス壁外側に、前記プラズマ励起空間に対応して設けられ
た誘導コイルとよりなり、前記制御電極は、前記処理容
器内に形成されたプラズマを通過させる複数の開口部を
有する導体部材よりなり、前記制御電極表面が、酸化ア
ルミニウムないしは導電性窒化物により覆われているこ
とを特徴とする基板処理装置により、または請求項１６
に記載したように、前記前記石英ガラス壁はドーム上空
間を画成することを特徴とする請求項１５記載の基板処
理装置により、または請求項１７に記載したように、前
記制御電極は接地されていることを特徴とする請求項１
５または１６記載の基板処理装置により、または請求項
１８に記載したように、前記制御電極は負電圧源に接続
されていることを特徴とする請求項１５または１６記載
の基板処理装置により、解決する。
【００３３】
【発明の実施の形態】［第１実施例］図５は、本発明の
第１実施例による基板処理装置１００の構成を示す。た
だし図５中、先に説明した部分に対応する部分には同一
の参照符号を付し、説明を省略する。
第１実施例による基板処理装置１００の構成を示す。た
だし図５中、先に説明した部分に対応する部分には同一
の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３４】図５を参照するに、シャワープレート１４
は処理容器１１にシール１１ｓを介して装着されてお
り、また前記カバープレート１５は前記シャワープレー
ト１４上にシール１１ｔを介して装着されている。また
前記ラジアルラインスロットアンテナ２０は前記処理容
器１１上に、シール１１ｕを介して装着されている。
は処理容器１１にシール１１ｓを介して装着されてお
り、また前記カバープレート１５は前記シャワープレー
ト１４上にシール１１ｔを介して装着されている。また
前記ラジアルラインスロットアンテナ２０は前記処理容
器１１上に、シール１１ｕを介して装着されている。
【００３５】さらに図５の基板処理装置１００では前記
放射板１６とカバープレート１５との間の界面が、前記
処理容器１１の上部の、前記放射板と係合する領域に形
成された環状溝１１ｇおよびこれに連通する排気ポート
１１Ｇを介して排気され、さらに前記界面には、その後
０．８気圧程度のＨｅガスが、伝熱媒体として導入され
ている。導入されたＨｅガスは、バルブ１１Ｖを閉鎖す
ることで前記界面に封入される。
放射板１６とカバープレート１５との間の界面が、前記
処理容器１１の上部の、前記放射板と係合する領域に形
成された環状溝１１ｇおよびこれに連通する排気ポート
１１Ｇを介して排気され、さらに前記界面には、その後
０．８気圧程度のＨｅガスが、伝熱媒体として導入され
ている。導入されたＨｅガスは、バルブ１１Ｖを閉鎖す
ることで前記界面に封入される。
【００３６】図５の基板処理装置１００では、図３の基
板処理装置１０Ａで使われていた下部シャワープレート
３１が撤去され、代わりに図６に示す格子状の導電性部
材よりなる制御電極１３１が、前記プラズマ励起空間１
１Ｂとプロセス空間１１Ｃとを隔てるように形成され
る。
板処理装置１０Ａで使われていた下部シャワープレート
３１が撤去され、代わりに図６に示す格子状の導電性部
材よりなる制御電極１３１が、前記プラズマ励起空間１
１Ｂとプロセス空間１１Ｃとを隔てるように形成され
る。
【００３７】図６を参照するに、前記格子状制御電極１
３１にはプラズマ励起空間１１Ｂにおいて励起されたラ
ジカルが自由に通過できるサイズの開口部１３２が多数
形成されており、従って、前記プラズマ励起空間１１Ｂ
において励起されたプラズマは、前記制御電極１３１を
通ってプロセス空間１１Ｃへと自由に拡散する。
３１にはプラズマ励起空間１１Ｂにおいて励起されたラ
ジカルが自由に通過できるサイズの開口部１３２が多数
形成されており、従って、前記プラズマ励起空間１１Ｂ
において励起されたプラズマは、前記制御電極１３１を
通ってプロセス空間１１Ｃへと自由に拡散する。
【００３８】図５の構成では前記格子状制御電極１３１
は接地されており、その結果、前記ラジアルラインスロ
ットアンテナ２０から前記プラズマ励起空間１１Ｂに導
入されたマイクロ波は、前記プラズマ励起空間１１Ｂに
プラズマが形成されていない状態においても前記格子状
制御電極１３１により反射され、プロセス空間１１Ｃ中
に侵入することはない。従って、被処理基板１２がマイ
クロ波により損傷する問題は、図５の基板処理装置１０
０では生じない。
は接地されており、その結果、前記ラジアルラインスロ
ットアンテナ２０から前記プラズマ励起空間１１Ｂに導
入されたマイクロ波は、前記プラズマ励起空間１１Ｂに
プラズマが形成されていない状態においても前記格子状
制御電極１３１により反射され、プロセス空間１１Ｃ中
に侵入することはない。従って、被処理基板１２がマイ
クロ波により損傷する問題は、図５の基板処理装置１０
０では生じない。
【００３９】前記格子状制御電極１３１はＷやＴｉ等に
より形成することができるが、表面に導電性窒化物、例
えばＷＮやＴｉＮの層１３１ａを形成しておくことによ
り、プラズマ照射に対する耐性を向上させることが可能
である。またかかる格子状制御電極１３１を石英ガラス
により形成し、表面に導電性窒化物層１３１ａを形成し
てもよい。さらに、基板処理装置１００では、プラズマ
励起空間１１Ｂにおいて処理容器１１の側壁面を石英ラ
イナ１１Ｄにより覆っている。
より形成することができるが、表面に導電性窒化物、例
えばＷＮやＴｉＮの層１３１ａを形成しておくことによ
り、プラズマ照射に対する耐性を向上させることが可能
である。またかかる格子状制御電極１３１を石英ガラス
により形成し、表面に導電性窒化物層１３１ａを形成し
てもよい。さらに、基板処理装置１００では、プラズマ
励起空間１１Ｂにおいて処理容器１１の側壁面を石英ラ
イナ１１Ｄにより覆っている。
【００４０】図５の基板処理装置１００では、前記処理
ガス導入ポート１１ｐにＨｅガスとＮ2ガスとが導入さ
れ、前記ラジアルラインスロットアンテナには、約２８
ＧＨｚのマイクロ波が供給される。典型的には処理容器
１１内のプロセス圧を６６．５〜２６６Ｐａ（０．５〜
２Ｔｏｒｒ）の範囲に設定し、２００〜５００℃の温度
範囲において被処理基板１２の窒化処理あるいは酸窒化
処理が実行される。
ガス導入ポート１１ｐにＨｅガスとＮ2ガスとが導入さ
れ、前記ラジアルラインスロットアンテナには、約２８
ＧＨｚのマイクロ波が供給される。典型的には処理容器
１１内のプロセス圧を６６．５〜２６６Ｐａ（０．５〜
２Ｔｏｒｒ）の範囲に設定し、２００〜５００℃の温度
範囲において被処理基板１２の窒化処理あるいは酸窒化
処理が実行される。
【００４１】図７は、図５の基板処理装置１００におい
て、プラズマガスとしてＨｅを使った場合の、励起され
るプラズマの状態密度を示す。
て、プラズマガスとしてＨｅを使った場合の、励起され
るプラズマの状態密度を示す。
【００４２】図７を参照するに、衝突断面積の小さいＨ
ｅをプラズマガスとして使うことにより、励起されたＨ
ｅラジカルＨｅ*はマイクロ波電界により大きく加速さ
れる。その結果、プラズマエネルギが大きく増大し、原
子状窒素Ｎ*を励起するに十分なエネルギが得られるこ
とがわかる。一方、Ｋｒをプラズマガスとして使ってい
た場合に効率良く励起されていた窒化水素ラジカルＮＨ
*や窒素イオンＮ2 +の励起効率は大きく低減することが
わかる。
ｅをプラズマガスとして使うことにより、励起されたＨ
ｅラジカルＨｅ*はマイクロ波電界により大きく加速さ
れる。その結果、プラズマエネルギが大きく増大し、原
子状窒素Ｎ*を励起するに十分なエネルギが得られるこ
とがわかる。一方、Ｋｒをプラズマガスとして使ってい
た場合に効率良く励起されていた窒化水素ラジカルＮＨ
*や窒素イオンＮ2 +の励起効率は大きく低減することが
わかる。
【００４３】そこで、本発明では基板処理装置１００に
おいて、プラズマガスとしてＨｅを使うことにより、２
３〜２５ｅＶの高いプラズマエネルギにおいて原子状窒
素Ｎ*の効率的な励起を実現する。一方、プラズマ中の
電子温度が高くなりすぎるのを抑制するため、本発明で
は先に提案されているマイクロ波よりも高い、約２８Ｇ
Ｈｚあるいはそれ以上の周波数のマイクロ波発生源２２
を使い、マイクロ波発生源２２により発生されたマイク
ロ波によりラジアルラインスロットアンテナ２０を駆動
する。マイクロ波発生現の周波数としては、約２．４Ｇ
Ｈｚ，８．３ＧＨｚなどの周波数を選択してもよい。さ
らにプラズマ励起空間１１Ｂとプロセス空間１１Ｃとを
制御電極１３１により分離することにより、プロセス空
間における電子温度およびプラズマエネルギを、基板処
理に適当なレベルまで低減させる。
おいて、プラズマガスとしてＨｅを使うことにより、２
３〜２５ｅＶの高いプラズマエネルギにおいて原子状窒
素Ｎ*の効率的な励起を実現する。一方、プラズマ中の
電子温度が高くなりすぎるのを抑制するため、本発明で
は先に提案されているマイクロ波よりも高い、約２８Ｇ
Ｈｚあるいはそれ以上の周波数のマイクロ波発生源２２
を使い、マイクロ波発生源２２により発生されたマイク
ロ波によりラジアルラインスロットアンテナ２０を駆動
する。マイクロ波発生現の周波数としては、約２．４Ｇ
Ｈｚ，８．３ＧＨｚなどの周波数を選択してもよい。さ
らにプラズマ励起空間１１Ｂとプロセス空間１１Ｃとを
制御電極１３１により分離することにより、プロセス空
間における電子温度およびプラズマエネルギを、基板処
理に適当なレベルまで低減させる。
【００４４】特に、前記制御電極１３１の表面に先に説
明したようにＡｌ2Ｏ3不動態膜は導電性窒化物を形成し
ておくことにより、制御電極は高エネルギプラズマに対
して効果的に保護される。また、プラズマ励起領域１１
Ｂにおいて処理容器１１の内壁を石英ライナ１１Ｄによ
り覆うことにより、高エネルギプラズマによる処理容器
１１内壁のスパッタリングおよびこれに伴う基板の汚染
の問題が回避される。
明したようにＡｌ2Ｏ3不動態膜は導電性窒化物を形成し
ておくことにより、制御電極は高エネルギプラズマに対
して効果的に保護される。また、プラズマ励起領域１１
Ｂにおいて処理容器１１の内壁を石英ライナ１１Ｄによ
り覆うことにより、高エネルギプラズマによる処理容器
１１内壁のスパッタリングおよびこれに伴う基板の汚染
の問題が回避される。
【００４５】図８は本実施例の一変形例による基板処理
装置１００Ａの構成を示す。
装置１００Ａの構成を示す。
【００４６】図８を参照するに、基板処理装置１００Ａ
では制御電極３１は絶縁膜３１Ａにより処理容器１１か
ら絶縁されており、負電圧源３１Ｂが接続されている。
では制御電極３１は絶縁膜３１Ａにより処理容器１１か
ら絶縁されており、負電圧源３１Ｂが接続されている。
【００４７】図８の構成によれば、前記制御電極３１の
電位を適当な負電位に制御することにより、前記プラズ
マ励起空間１１Ｂにおいて励起された正電荷を有する窒
素イオンＮ2 +を補足することが可能になり、窒素イオン
Ｎ2 +がプロセス空間１１Ｃに侵入するのが回避される。
電位を適当な負電位に制御することにより、前記プラズ
マ励起空間１１Ｂにおいて励起された正電荷を有する窒
素イオンＮ2 +を補足することが可能になり、窒素イオン
Ｎ2 +がプロセス空間１１Ｃに侵入するのが回避される。
【００４８】本実施例の基板処理装置１００あるいは１
００Ａにおいて、前記プラズマガス供給ポート１１ｐに
ＨｅガスとＮ2ガスとＯ2ガスとを供給することにより、
前記被処理基板１２の酸窒化処理を行うことも可能であ
る。 ［第２実施例］図９は、本発明の第２実施例による基板
処理装置２００の構成を示す。ただし図９中、先に説明
した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説
明を省略する。
００Ａにおいて、前記プラズマガス供給ポート１１ｐに
ＨｅガスとＮ2ガスとＯ2ガスとを供給することにより、
前記被処理基板１２の酸窒化処理を行うことも可能であ
る。 ［第２実施例］図９は、本発明の第２実施例による基板
処理装置２００の構成を示す。ただし図９中、先に説明
した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説
明を省略する。
【００４９】図９を参照するに、本実施例ではシャワー
プレート１４が撤去され、その代わりに、前記処理容器
１１に、被処理基板１２に対して略対称的に、複数の処
理ガス導入口１１Ｐが形成されている。その結果、本実
施例では前記プラズマ励起空間１１Ｂの上部において、
誘電体窓を構成するカバープレート１５が露出する。ま
た、先の実施例と同様に、前記プラズマ励起空間１１Ｂ
においては処理容器側壁が石英ライナ１１Ｄにより覆わ
れている。
プレート１４が撤去され、その代わりに、前記処理容器
１１に、被処理基板１２に対して略対称的に、複数の処
理ガス導入口１１Ｐが形成されている。その結果、本実
施例では前記プラズマ励起空間１１Ｂの上部において、
誘電体窓を構成するカバープレート１５が露出する。ま
た、先の実施例と同様に、前記プラズマ励起空間１１Ｂ
においては処理容器側壁が石英ライナ１１Ｄにより覆わ
れている。
【００５０】本実施例によれば、基板処理装置１１の構
成が簡略化され、安価な費用で効率良く、前記プラズマ
ガス供給ポート１１ｐにＨｅガスとＮ2ガスとを供給
し、前記ラジアルラインスロットアンテナ２０に約２８
ＧＨｚのマイクロ波を供給することにより、原子状窒素
Ｎ*を使った被処理基板１２の窒化処理を行うことが可
能である。また、前記プラズマガス供給ポート１１ｐに
ＨｅガスとＮ2ガスとＯ2ガスとを供給することにより、
被処理基板１２の酸窒化処理を行うことが可能である。 ［第３実施例］図１０は、本発明の第３実施例による基
板処理装置３００の構成を示す。ただし図１０中、先に
説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付
し、説明を省略する。
成が簡略化され、安価な費用で効率良く、前記プラズマ
ガス供給ポート１１ｐにＨｅガスとＮ2ガスとを供給
し、前記ラジアルラインスロットアンテナ２０に約２８
ＧＨｚのマイクロ波を供給することにより、原子状窒素
Ｎ*を使った被処理基板１２の窒化処理を行うことが可
能である。また、前記プラズマガス供給ポート１１ｐに
ＨｅガスとＮ2ガスとＯ2ガスとを供給することにより、
被処理基板１２の酸窒化処理を行うことが可能である。 ［第３実施例］図１０は、本発明の第３実施例による基
板処理装置３００の構成を示す。ただし図１０中、先に
説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付
し、説明を省略する。
【００５１】図１０を参照するに、基板処理装置３００
は先に図１で説明した基板処理装置１と類似した構成を
有するが、石英処理容器２中に先の制御電極３１と同様
な制御電極６が設けられ、制御電極６により、前記処理
容器２内の空間が、高密度プラズマ２Ｄが励起されるプ
ラズマ励起空間２Ｂ1と被処理基板４を含むプロセス空
間２Ｂ2とに分離される。
は先に図１で説明した基板処理装置１と類似した構成を
有するが、石英処理容器２中に先の制御電極３１と同様
な制御電極６が設けられ、制御電極６により、前記処理
容器２内の空間が、高密度プラズマ２Ｄが励起されるプ
ラズマ励起空間２Ｂ1と被処理基板４を含むプロセス空
間２Ｂ2とに分離される。
【００５２】本実施例では、前記プラズマ励起空間２Ｂ
1に前記処理ガス供給ライン２ＣよりＨｅガスとＮ2ガス
が導入され、前記プラズマ励起空間２Ｂ1において原子
状窒素Ｎ*を励起する高い電子温度およびプラズマエネ
ルギを有する高密度プラズマ２Ｄが形成される。
1に前記処理ガス供給ライン２ＣよりＨｅガスとＮ2ガス
が導入され、前記プラズマ励起空間２Ｂ1において原子
状窒素Ｎ*を励起する高い電子温度およびプラズマエネ
ルギを有する高密度プラズマ２Ｄが形成される。
【００５３】このようにして形成された原子状窒素Ｎ*
は前記制御電極６を通ってプロセス空間２Ｃに拡散し、
被処理基板４の表面を窒化する。かかる構成においても
プラズマの電子温度およびエネルギは前記プラズマ励起
空間２Ｂ1においては非常に高くても、前記プロセス空
間２Ｂ2においては被処理基板４を処理するのに適当な
レベルまで低下する。
は前記制御電極６を通ってプロセス空間２Ｃに拡散し、
被処理基板４の表面を窒化する。かかる構成においても
プラズマの電子温度およびエネルギは前記プラズマ励起
空間２Ｂ1においては非常に高くても、前記プロセス空
間２Ｂ2においては被処理基板４を処理するのに適当な
レベルまで低下する。
【００５４】本実施例においても、前記制御電極６の電
位を電圧源６Ａにより制御することにより、前記プラズ
マ励起空間２Ｂ1において生じたＮ2 +などの低エネルギ
の正イオンを捕獲し、プロセス空間２Ｂ2から排除する
ことが可能になる。また、前記制御電極６の電位を制御
することにより、前記プラズマ励起空間２Ｂ1における
高密度プラズマ２Ｄの状態を制御することが可能にな
る。
位を電圧源６Ａにより制御することにより、前記プラズ
マ励起空間２Ｂ1において生じたＮ2 +などの低エネルギ
の正イオンを捕獲し、プロセス空間２Ｂ2から排除する
ことが可能になる。また、前記制御電極６の電位を制御
することにより、前記プラズマ励起空間２Ｂ1における
高密度プラズマ２Ｄの状態を制御することが可能にな
る。
【００５５】本実施例の基板処理装置２００において、
前記処理ガス供給ライン２ＣからＨｅガスとＮ2ガスと
Ｏ2ガスを導入することにより、前記プロセス空間２Ｂ2
において基板４の酸窒化処理を行うことも可能である。
前記処理ガス供給ライン２ＣからＨｅガスとＮ2ガスと
Ｏ2ガスを導入することにより、前記プロセス空間２Ｂ2
において基板４の酸窒化処理を行うことも可能である。
【００５６】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において
様々な変形・変更が可能である。
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において
様々な変形・変更が可能である。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ励起ガスとし
てＨｅを使うことにより、基板処理装置中に原子状窒素
Ｎ*を励起するに十分な高いエネルギを有するプラズマ
を形成することが可能で、このようにして励起された原
子状窒素Ｎ*を使うことにより、被処理基板を効率的に
窒化処理することが可能になる。その際、高密度プラズ
マが形成されるプラズマ励起空間を被処理基板が含まれ
るプロセス空間から、制御電極により分離することによ
り、プロセス空間におけるプラズマエネルギを基板処理
に適当なレベルまで低下させることが可能になり、また
プラズマ励起空間で形成された正イオンをトラップする
ことが可能になる。本発明をマイクロ波励起プラズマを
使った基板処理装置に適用する場合には、プラズマ励起
を約２８ＧＨｚあるいはそれ以上の周波数のマイクロ波
により行うことにより、プラズマエネルギが過大になる
のを回避できる。
てＨｅを使うことにより、基板処理装置中に原子状窒素
Ｎ*を励起するに十分な高いエネルギを有するプラズマ
を形成することが可能で、このようにして励起された原
子状窒素Ｎ*を使うことにより、被処理基板を効率的に
窒化処理することが可能になる。その際、高密度プラズ
マが形成されるプラズマ励起空間を被処理基板が含まれ
るプロセス空間から、制御電極により分離することによ
り、プロセス空間におけるプラズマエネルギを基板処理
に適当なレベルまで低下させることが可能になり、また
プラズマ励起空間で形成された正イオンをトラップする
ことが可能になる。本発明をマイクロ波励起プラズマを
使った基板処理装置に適用する場合には、プラズマ励起
を約２８ＧＨｚあるいはそれ以上の周波数のマイクロ波
により行うことにより、プラズマエネルギが過大になる
のを回避できる。
【図１】従来の誘導結合型プラズマ処理装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】先に提案されたマイクロ波基板処理装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図３】先に提案された別のマイクロ波基板処理装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】図２あるいは図３のマイクロ波基板処理装置の
プラズマ励起特性を説明する図である。
プラズマ励起特性を説明する図である。
【図５】本発明の第１実施例によるマイクロ波基板処理
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
【図６】図５のマイクロ波基板処理装置の一部を示す図
である。
である。
【図７】図５のマイクロ波基板処理装置のプラズマ励起
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図８】図５のマイクロ波基板処理装置の一変形例を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明の第２実施例によるマイクロ波基板処理
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施例による誘導結合型プラズ
マ処理装置の構成を示す図である。
マ処理装置の構成を示す図である。
１、３００ 誘導結合型基板処理装置
２ 石英処理容器
２Ａ 排気系
２Ｂ プロセス空間
２Ｃ 処理ガス導入ポート
２Ｄ 高密度プラズマ
３ 基板保持台
３Ａ 回転機構
４ 被処理基板
５ 誘導コイル
１０，１００，１００Ａ，２００ マイクロ波プラズマ
基板処理装置 １１ 処理容器 １１Ａ 空間 １１Ｂ プラズマ励起空間 １１ａ 排気ポート １１ｐ ガス導入ポート １２ 被処理基板 １３ 基板保持台 １４，３１ シャワープレート １４Ａ 開口部 １４Ｃ ガス通路 １５ カバープレート １６ 放射板 １７ アンテナ本体 １８ 遅相板 １９ 冷却ブロック １９Ａ 冷却水通路 ２０ ラジアルラインスロットアンテナ ２１，２１Ａ，２１Ｂ 同軸導波管 ３１Ａ 処理ガス通路 ３１Ｂ ノズル開口部 １３１ 制御電極 １３１ａ 導電性窒化物膜
基板処理装置 １１ 処理容器 １１Ａ 空間 １１Ｂ プラズマ励起空間 １１ａ 排気ポート １１ｐ ガス導入ポート １２ 被処理基板 １３ 基板保持台 １４，３１ シャワープレート １４Ａ 開口部 １４Ｃ ガス通路 １５ カバープレート １６ 放射板 １７ アンテナ本体 １８ 遅相板 １９ 冷却ブロック １９Ａ 冷却水通路 ２０ ラジアルラインスロットアンテナ ２１，２１Ａ，２１Ｂ 同軸導波管 ３１Ａ 処理ガス通路 ３１Ｂ ノズル開口部 １３１ 制御電極 １３１ａ 導電性窒化物膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 須川 成利
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大
学大学院工学研究科電子工学専攻内
(72)発明者 平山 昌樹
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大
学大学院工学研究科電子工学専攻内
Ｆターム(参考） 4K028 BA02 BA05 BA21 BA22
4K030 AA14 AA16 AA18 DA02 DA08
FA01 HA06 KA08 KA17 KA19
KA30 KA34 KA46 KA47
5F045 AA20 AB40 AC11 AC15 AC17
BB09 BB14 BB16 DP03 EH02
EH03 EH04 EH05 EH08 EH11
Claims (18)
- 【請求項１】 処理容器中において、被処理基板を含む
プロセス空間と、前記被処理基板が含まれないプラズマ
形成空間とが制御電極により隔てられている構成の基板
処理装置による基板処理方法であって、 前記処理容器中にＨｅとＮ2を含むガスを供給する工程
と、 前記プラズマ形成空間にプラズマを、前記プラズマ中に
原子状窒素Ｎ*が励起されるような条件で形成する工程
と、 前記原子状窒素Ｎ*により被処理基板表面を窒化する工
程とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項２】 前記プラズマを励起する工程は、２３〜
２５ｅＶの中間励起状態エネルギが実現されるように実
行されることを特徴とする請求項１または２記載の基板
処理方法。 - 【請求項３】 前記プラズマを形成する工程は、前記プ
ラズマ形成空間にマイクロ波を供給する工程を含むこと
を特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。 - 【請求項４】 前記マイクロ波を供給する工程は、ラジ
アルラインスロットアンテナを駆動することにより実行
されることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか
一項記載の基板処理方法。 - 【請求項５】 前記プラズマを形成する工程は、前記プ
ラズマ形成空間に誘導磁界を形成する工程を含むことを
特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。 - 【請求項６】 前記誘導磁界を形成する工程は、前記処
理容器周囲に巻回された誘導コイルを高周波電力により
駆動する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の基
板処理装置。 - 【請求項７】 前記プラズマを励起する工程では、前記
制御電極は接地されることを特徴とする請求項１〜６の
うち、いずれか一項記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記プラズマを形成する工程では、前記
制御電極に負電位が印加されることを特徴とする請求項
１〜６のうち、いずれか一項記載の基板処理装置。 - 【請求項９】 前記処理容器中に供給されるガスは、さ
らにＯ2を含むことを特徴とする請求項１〜８のうち、
いずれか一項記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 外壁により画成され、被処理基板を保
持する保持台を備えた処理容器と、 前記処理容器に結合された排気系と、 前記処理容器中にプラズマ励起ガスおよび処理ガスを供
給するプラズマガス供給部と、 前記処理容器上に、前記被処理基板に対面して設けられ
たマイクロ窓と、 前記保持台上の被処理基板と前記プラズマガス供給部と
の間に、前記被処理基板に対面するように設けられ、前
記マイクロ波窓を含むプラズマ励起空間と前記被処理基
板を含むプロセス空間とを隔てる制御電極とよりなり、 前記制御電極は、前記処理容器内に形成されたプラズマ
を通過させる複数の開口部を有する導体部材よりなり、 前記制御電極表面が、酸化アルミニウムないしは導電性
窒化物により覆われていることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項１１】 前記制御電極は格子形状を有し、接地
されていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理
装置。 - 【請求項１２】 前記制御電極は格子形状を有し、前記
基板処理装置は前記制御電極に接続された負電圧源を含
むことを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。 - 【請求項１３】 前記プラズマ励起空間において、前記
処理容器の内壁は絶縁層により覆われていることを特徴
とする請求項１０〜１２のうち、いずれか一項記載の基
板処理装置。 - 【請求項１４】 さらに前記処理容器の外側に、前記マ
イクロ波窓に結合したマイクロ波アンテナを有すること
を特徴とする請求項１０〜１３のうち、いずれか一項記
載の基板処理装置。 - 【請求項１５】 石英ガラス壁により画成され、被処理
基板を保持する保持台を備えた処理容器と、 前記処理容器に結合された排気系と、 前記処理容器中にプラズマ励起ガスおよび処理ガスを供
給するプラズマガス供給部と、 前記保持台上の被処理基板に対面するように設けられ、
前記処理容器内部を、前記被処理基板を含むプロセス空
間とプラズマ励起空間とに分割する制御電極と、 前記石英ガラス壁外側に、前記プラズマ励起空間に対応
して設けられた誘導コイルとよりなり、 前記制御電極は、前記処理容器内に形成されたプラズマ
を通過させる複数の開口部を有する導体部材よりなり、 前記制御電極表面が、酸化アルミニウムないしは導電性
窒化物により覆われていることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項１６】 前記前記石英ガラス壁はドーム上空間
を画成することを特徴とする請求項１５記載の基板処理
装置。 - 【請求項１７】 前記制御電極は接地されていることを
特徴とする請求項１５または１６記載の基板処理装置。 - 【請求項１８】 前記制御電極は負電圧源に接続されて
いることを特徴とする請求項１５または１６記載の基板
処理装置。
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