JP2003179218A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 つば付セラミックパッケージを用いた固体撮
像装置を薄型化する。 【解決手段】 表面に電解メッキ配線を有する第１層１
と、第１の貫通導電部を有する第２層２と、第２層２上
面から立ち上がる内側側壁を形成することによって固体
撮像素子５を収容する空間を画定し、第２の貫通導電部
とインナリード層９とを有し、つば部分に切り欠きの存
する第３層３と、第３層３の画定する空間を上方に延長
すると共にインナリード層９の内側部分を露出するよう
な内側側壁を形成する第４層４とから構成されるつば付
セラミックパッケージの、第２層２の上面に固体撮像素
子５を接着し、第４層４の上面に透明封止板６を接着す
る。
像装置を薄型化する。 【解決手段】 表面に電解メッキ配線を有する第１層１
と、第１の貫通導電部を有する第２層２と、第２層２上
面から立ち上がる内側側壁を形成することによって固体
撮像素子５を収容する空間を画定し、第２の貫通導電部
とインナリード層９とを有し、つば部分に切り欠きの存
する第３層３と、第３層３の画定する空間を上方に延長
すると共にインナリード層９の内側部分を露出するよう
な内側側壁を形成する第４層４とから構成されるつば付
セラミックパッケージの、第２層２の上面に固体撮像素
子５を接着し、第４層４の上面に透明封止板６を接着す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄型化可能なセラミ
ックパッケージ、該パッケージを用いた固体撮像装置及
びそれらの製造方法に関する。
ックパッケージ、該パッケージを用いた固体撮像装置及
びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）はセラミックパッケージを用
いた固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図、図
５（Ｂ）は上面図である。固体撮像素子５６、固体撮像
素子５６上の接続用パッド５６ａ、透明封止板５７、金
属線６１を除く部分がセラミックパッケージである。
いた固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図、図
５（Ｂ）は上面図である。固体撮像素子５６、固体撮像
素子５６上の接続用パッド５６ａ、透明封止板５７、金
属線６１を除く部分がセラミックパッケージである。
【０００３】パッケージは底部の第１層５１から上部の
第５層５５までの５層５１〜５５の積層構造を有し、す
べての層がセラミックでできている。第１層５１から第
３層５３までが底板部、第４層５４、第５層５５が側壁
部を形成する。側壁の内側に画定される空間は固体撮像
素子５６を収容するためのものである。第１層５１は上
面に電解メッキ配線を有し、アウタリード端子５８はこ
の配線の延長である。第２層５２、第３層５３、第４層
５４は連続する貫通導電部を備えており、第１層の電解
メッキ配線と第４層５４上面のインナリード層６０とを
結んでいる。第５層５５の内側側壁は第４層５４上面の
インナリード層６０の内側部分を露出する形状を有す
る。厚さは第１層５１から第５層５５まで順にたとえば
２５０μｍ、２５０μｍ、５００μｍ、６５０μｍ、７
００μｍで、合計するとパッケージの厚さは２.３５ｍ
ｍになる。
第５層５５までの５層５１〜５５の積層構造を有し、す
べての層がセラミックでできている。第１層５１から第
３層５３までが底板部、第４層５４、第５層５５が側壁
部を形成する。側壁の内側に画定される空間は固体撮像
素子５６を収容するためのものである。第１層５１は上
面に電解メッキ配線を有し、アウタリード端子５８はこ
の配線の延長である。第２層５２、第３層５３、第４層
５４は連続する貫通導電部を備えており、第１層の電解
メッキ配線と第４層５４上面のインナリード層６０とを
結んでいる。第５層５５の内側側壁は第４層５４上面の
インナリード層６０の内側部分を露出する形状を有す
る。厚さは第１層５１から第５層５５まで順にたとえば
２５０μｍ、２５０μｍ、５００μｍ、６５０μｍ、７
００μｍで、合計するとパッケージの厚さは２.３５ｍ
ｍになる。
【０００４】固体撮像素子５６、厚さはたとえば６４５
μｍ、が第３層５３上に接着されている。固体撮像素子
５６上面には接続用パッド５６ａが存し、金属線６１に
よってインナリード層６０と接続されている。第５層５
５上面に透明封止板５７が固着される。透明封止板５７
を透過した光が固体撮像素子５６に到達する。
μｍ、が第３層５３上に接着されている。固体撮像素子
５６上面には接続用パッド５６ａが存し、金属線６１に
よってインナリード層６０と接続されている。第５層５
５上面に透明封止板５７が固着される。透明封止板５７
を透過した光が固体撮像素子５６に到達する。
【０００５】パッケージは第３層５３以下の層を外側に
突出させた、いわゆるつばのある構造になっている。こ
のつば部に設けられた半円形切り欠き６２はパッケージ
取り扱いの便宜のためのものであり必須ではない。
突出させた、いわゆるつばのある構造になっている。こ
のつば部に設けられた半円形切り欠き６２はパッケージ
取り扱いの便宜のためのものであり必須ではない。
【０００６】つばは固体撮像装置と他の部品（鏡筒、レ
ンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組み立てるた
めのものである。つばには強度を保持するための厚み、
たとえば０．７ｍｍ以上が必要であるため、セラミック
パッケージ全体を薄くすることが難しかった。したがっ
てセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の薄型化
も困難であった。
ンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組み立てるた
めのものである。つばには強度を保持するための厚み、
たとえば０．７ｍｍ以上が必要であるため、セラミック
パッケージ全体を薄くすることが難しかった。したがっ
てセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の薄型化
も困難であった。
【０００７】また図５（Ｃ）は図５（Ａ）の固体撮像装
置製造工程における一場面を示す図である。スナップ６
０が第３層５３から第２層５２の途中まで入れられてお
り、このスナップ６０を利用してスナップ６０下方のセ
ラミックを割ることで、個々のパッケージを分離する。
うまく割るためにはつばの厚さの半分を超える深さが必
要である。ただし第１層５１上面の電解メッキ用配線が
隣のパッケージと繋がっているので、スナップ６０はこ
れを切断してはならない。またアウタリード端子５８に
施される金メッキは５００μｍの高さを必要とする。こ
れより低い場合には、半田不良を生じやすいからであ
る。
置製造工程における一場面を示す図である。スナップ６
０が第３層５３から第２層５２の途中まで入れられてお
り、このスナップ６０を利用してスナップ６０下方のセ
ラミックを割ることで、個々のパッケージを分離する。
うまく割るためにはつばの厚さの半分を超える深さが必
要である。ただし第１層５１上面の電解メッキ用配線が
隣のパッケージと繋がっているので、スナップ６０はこ
れを切断してはならない。またアウタリード端子５８に
施される金メッキは５００μｍの高さを必要とする。こ
れより低い場合には、半田不良を生じやすいからであ
る。
【０００８】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す先の提
案の固体撮像装置に用いられたセラミックパッケージは
以上の製造上の要請を満たしている。金メッキは第１層
５１、第２層５２に渡って施されており、高さは二つの
層の厚さを加えた５００μｍである。また第３層５３が
５００μｍの厚みを有するので、スナップ６０を第３層
５３から第２層５２の途中まで入れればつばの厚さの半
分を超えることになる。更に第１層５１上面にある電解
メッキ用配線を分断することもない。
案の固体撮像装置に用いられたセラミックパッケージは
以上の製造上の要請を満たしている。金メッキは第１層
５１、第２層５２に渡って施されており、高さは二つの
層の厚さを加えた５００μｍである。また第３層５３が
５００μｍの厚みを有するので、スナップ６０を第３層
５３から第２層５２の途中まで入れればつばの厚さの半
分を超えることになる。更に第１層５１上面にある電解
メッキ用配線を分断することもない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】携帯電話機に内蔵され
るデジタルカメラ等、撮像装置の小型化、薄型化に対応
して固体撮像装置にも薄型化の必要が生じている。本発
明の目的はつばが十分な強度を有し、また撮像装置に高
い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケー
ジ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固
体撮像装置を提供することである。
るデジタルカメラ等、撮像装置の小型化、薄型化に対応
して固体撮像装置にも薄型化の必要が生じている。本発
明の目的はつばが十分な強度を有し、また撮像装置に高
い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケー
ジ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固
体撮像装置を提供することである。
【００１０】更に本発明の目的はつばが十分な強度を有
し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付
セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケ
ージを用いた薄型固体撮像装置の製造方法を提供するこ
とである。
し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付
セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケ
ージを用いた薄型固体撮像装置の製造方法を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、表面に電解メッキ配線を有するセラミックパッケー
ジ第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウタリ
ード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層
を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有するセラミ
ックパッケージ第２層と、接続用パッドを有し、該第２
層上面に接着された固体撮像素子と、前記第２層に重ね
られ、前記第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成す
ることによって該内側側壁の内部に前記固体撮像素子を
収容する空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前
記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と該第２の貫通導電
部から上面に延長するインナリード層とを有するセラミ
ックパッケージ第３層と、該第３層の前記インナリード
層と前記固体撮像素子の前記接続用パッドとを接続する
金属線と、該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空
間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なく
とも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その
上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるセ
ラミックパッケージ第４層と、該第４層の上面に接着さ
れた透明な封止板とを含み、前記第１、第２、第３層が
前記第４層に比し外側に突出するつば部分を有し、前記
第３層が側壁にパッケージ分離用スナップを有する固体
撮像装置が提供される。
ば、表面に電解メッキ配線を有するセラミックパッケー
ジ第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウタリ
ード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層
を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有するセラミ
ックパッケージ第２層と、接続用パッドを有し、該第２
層上面に接着された固体撮像素子と、前記第２層に重ね
られ、前記第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成す
ることによって該内側側壁の内部に前記固体撮像素子を
収容する空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前
記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と該第２の貫通導電
部から上面に延長するインナリード層とを有するセラミ
ックパッケージ第３層と、該第３層の前記インナリード
層と前記固体撮像素子の前記接続用パッドとを接続する
金属線と、該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空
間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なく
とも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その
上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるセ
ラミックパッケージ第４層と、該第４層の上面に接着さ
れた透明な封止板とを含み、前記第１、第２、第３層が
前記第４層に比し外側に突出するつば部分を有し、前記
第３層が側壁にパッケージ分離用スナップを有する固体
撮像装置が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照して
本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘについて説
明する。（Ａ）は一部破断側面図、（Ｂ）は上面図であ
る。固体撮像素子５、固体撮像素子５上の接続用パッド
５ａ、透明封止板６、金属線１０を除く部分がセラミッ
クパッケージである。
本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘについて説
明する。（Ａ）は一部破断側面図、（Ｂ）は上面図であ
る。固体撮像素子５、固体撮像素子５上の接続用パッド
５ａ、透明封止板６、金属線１０を除く部分がセラミッ
クパッケージである。
【００１３】パッケージは底部の第１層１から上部の第
４層４までの４層１〜４の積層構造を有し、すべての層
がセラミックでできている。第１層１と第２層２がパッ
ケージの底板部、第３層３と第４層４が側壁部を形成す
る。側壁の内側に画定される空間は固体撮像素子５を収
容するためのものである。第３層３は内側に開口を有す
るとともに、外側においてつば部分を画定している。第
４層４は枠状であり、第４層４の内側側壁は第３層上面
に設けられているインナリード層９の内側部分を露出す
るとともに、外側側壁外に第３層３のつば部分上面を露
出する形状を有する。第４層４上面に透明封止板６が固
着される。透明封止板６を透過した光が固体撮像素子５
に到達する。
４層４までの４層１〜４の積層構造を有し、すべての層
がセラミックでできている。第１層１と第２層２がパッ
ケージの底板部、第３層３と第４層４が側壁部を形成す
る。側壁の内側に画定される空間は固体撮像素子５を収
容するためのものである。第３層３は内側に開口を有す
るとともに、外側においてつば部分を画定している。第
４層４は枠状であり、第４層４の内側側壁は第３層上面
に設けられているインナリード層９の内側部分を露出す
るとともに、外側側壁外に第３層３のつば部分上面を露
出する形状を有する。第４層４上面に透明封止板６が固
着される。透明封止板６を透過した光が固体撮像素子５
に到達する。
【００１４】固体撮像素子５が接着されているのは第２
層２上面である。固体撮像素子５上面に存する接続用パ
ッド５ａは金属線１０によってインナリード層９と接続
される。インナリード層９は第３層３と第２層２が有す
る貫通導電部を介して、第１層１上面の電解メッキ配線
と機械的、電気的に連続している。アウタリード端子７
はこの電解メッキ配線から外延部にのびるアウタリード
層のリード端子である。回路基盤上の外部端子との半田
付けが行われる場所で、第１層１下面から第２層２の上
面までの高さを有する。
層２上面である。固体撮像素子５上面に存する接続用パ
ッド５ａは金属線１０によってインナリード層９と接続
される。インナリード層９は第３層３と第２層２が有す
る貫通導電部を介して、第１層１上面の電解メッキ配線
と機械的、電気的に連続している。アウタリード端子７
はこの電解メッキ配線から外延部にのびるアウタリード
層のリード端子である。回路基盤上の外部端子との半田
付けが行われる場所で、第１層１下面から第２層２の上
面までの高さを有する。
【００１５】図２を参照して、この電気的接続を詳述す
る。
る。
【００１６】図２（Ａ）は第１層１の上面図である。電
解メッキ配線Ｋ、スルーホール端ｈ、アウタリード層Ｌ
が機械的、電気的に連続している。
解メッキ配線Ｋ、スルーホール端ｈ、アウタリード層Ｌ
が機械的、電気的に連続している。
【００１７】図２（Ｂ）は第２層２の上面図である。第
２層２のスルーホールｈ2が上面から下面に貫通し、下
面におけるスルーホールｈ2の位置は第１層１のスルー
ホール端ｈと一致する。
２層２のスルーホールｈ2が上面から下面に貫通し、下
面におけるスルーホールｈ2の位置は第１層１のスルー
ホール端ｈと一致する。
【００１８】図２（Ｃ）は第３層３の上面図である。第
３層３のスルーホールｈ3が上面から下面に貫通し、下
面におけるスルーホールｈ3は第２層２上面のスルーホ
ールｈ2と連続する。また第３層３上面においてスルー
ホールｈ3とインナリード層９とは位置合わせがなされ
ている。第２層のスルーホールｈ2と第３層のスルーホ
ールｈ3には埋め込み導電部としてタングステンＴが充
填されており、これによってインナリード層９は第１層
１上面の電解メッキ配線と機械的、電気的に接続され
る。
３層３のスルーホールｈ3が上面から下面に貫通し、下
面におけるスルーホールｈ3は第２層２上面のスルーホ
ールｈ2と連続する。また第３層３上面においてスルー
ホールｈ3とインナリード層９とは位置合わせがなされ
ている。第２層のスルーホールｈ2と第３層のスルーホ
ールｈ3には埋め込み導電部としてタングステンＴが充
填されており、これによってインナリード層９は第１層
１上面の電解メッキ配線と機械的、電気的に接続され
る。
【００１９】第１層１、第２層２に渡ってパッケージの
外側に現れるのがアウタリード端子７である。アウタリ
ード端子７は第１層１のスルーホール端ｈに機械的、電
気的に連続しているアウタリード層Ｌのリード端子であ
る。
外側に現れるのがアウタリード端子７である。アウタリ
ード端子７は第１層１のスルーホール端ｈに機械的、電
気的に連続しているアウタリード層Ｌのリード端子であ
る。
【００２０】図２（Ａ'）は第１層１の下面（裏面）で
ある。アウタリード端子７が裏面に延長されている。
ある。アウタリード端子７が裏面に延長されている。
【００２１】固体撮像素子５の厚さは、たとえば６４５
μｍである。各層の厚みはたとえば第１層１が２５０μ
ｍ、第２層２が２５０μｍ、第３層３が６５０μｍ、第
４層４が７００μｍである。したがってパッケージの厚
みは１.８５ｍｍとなる。なお第３層３の厚みは固体撮
像素子５の厚さに揃えている。
μｍである。各層の厚みはたとえば第１層１が２５０μ
ｍ、第２層２が２５０μｍ、第３層３が６５０μｍ、第
４層４が７００μｍである。したがってパッケージの厚
みは１.８５ｍｍとなる。なお第３層３の厚みは固体撮
像素子５の厚さに揃えている。
【００２２】図１に戻る。（Ａ）及び（Ｂ）に見るよう
に第４層４の矩形外周の一方の対向辺（両図においては
左右を結ぶ辺）は第１層１、第２層２、第３層３の対応
するそれに比べて短くなっており、これによって第１層
１から第３層３までの外側に突出した部分、すなわちつ
ばが形成される。つばの突き出た部分の長さはたとえば
１.２ｍｍである。このつばは固体撮像装置と他の部品
（鏡筒、レンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組
み立てるためのものであり、強度保持のための厚みが必
要である。
に第４層４の矩形外周の一方の対向辺（両図においては
左右を結ぶ辺）は第１層１、第２層２、第３層３の対応
するそれに比べて短くなっており、これによって第１層
１から第３層３までの外側に突出した部分、すなわちつ
ばが形成される。つばの突き出た部分の長さはたとえば
１.２ｍｍである。このつばは固体撮像装置と他の部品
（鏡筒、レンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組
み立てるためのものであり、強度保持のための厚みが必
要である。
【００２３】つばは３箇所の切り欠き部３ａを備えてい
る。これらは第３層３を上面から下面まで切り欠いたも
ので、したがって切り欠き部の底には第２層２の上面が
露出している。すなわち３箇所の切り欠き部３ａの底は
固体撮像素子５の下面と同じ高さである。
る。これらは第３層３を上面から下面まで切り欠いたも
ので、したがって切り欠き部の底には第２層２の上面が
露出している。すなわち３箇所の切り欠き部３ａの底は
固体撮像素子５の下面と同じ高さである。
【００２４】図１（Ｃ）は固体撮像装置Ｘを（Ｂ）の矢
印２０方向から眺めた側面図であり、切り欠き部３ａの
底が第２層２上面であることを示している。
印２０方向から眺めた側面図であり、切り欠き部３ａの
底が第２層２上面であることを示している。
【００２５】なお、つば部を第１層１から第３層３まで
欠いた半円形切り欠き１１が２箇所に設けられている
が、これはパッケージ取り扱いの便宜のためのものであ
り必須ではない。
欠いた半円形切り欠き１１が２箇所に設けられている
が、これはパッケージ取り扱いの便宜のためのものであ
り必須ではない。
【００２６】固体撮像装置Ｘに用いられる４層構造セラ
ミックパッケージは、図５に示した先の提案による５層
構造セラミックパッケージと比較すると、固体撮像素子
を収容する内側空間の体積やつば強度を保持するつばの
厚みはほぼ同じでありながら、一層を減少させ、０.５
ｍｍ薄くなっていることがわかる。
ミックパッケージは、図５に示した先の提案による５層
構造セラミックパッケージと比較すると、固体撮像素子
を収容する内側空間の体積やつば強度を保持するつばの
厚みはほぼ同じでありながら、一層を減少させ、０.５
ｍｍ薄くなっていることがわかる。
【００２７】図３は固体撮像装置Ｘと鏡筒３０とレンズ
３１で構成される撮像装置Ｙの概略構造を示す断面図で
ある。これを参照して切り欠き部３ａの効果について説
明する。
３１で構成される撮像装置Ｙの概略構造を示す断面図で
ある。これを参照して切り欠き部３ａの効果について説
明する。
【００２８】鏡筒３０が固体撮像装置Ｘに当接されて接
着される。鏡筒３０にはレンズ３１が取り付けられてい
る。レンズ３１を透過した光３２が固体撮像素子５の上
面に結像するよう正確に、固体撮像装置Ｘと鏡筒３０と
は組み立てられなければならない。
着される。鏡筒３０にはレンズ３１が取り付けられてい
る。レンズ３１を透過した光３２が固体撮像素子５の上
面に結像するよう正確に、固体撮像装置Ｘと鏡筒３０と
は組み立てられなければならない。
【００２９】切り欠き部３ａが存在しない場合には、鏡
筒３０下端の当接する位置は第３層３の上面になる。こ
のとき、撮像装置Ｙの焦点誤差は第３層３の厚み公差と
固体撮像素子５の厚み公差とを共に含むことになる。そ
れに対し、切り欠き部３ａが存在し、それらの底部であ
る第２層２上面（固体撮像素子５下面と同じ高さであ
る。）に鏡筒３０下端を当接すると、固体撮像素子５の
厚み公差のみの範囲で焦点を合わせることができる。た
とえば固体撮像素子５の厚み公差が２５μｍであるとき
には±１２.５μｍの範囲での焦点合わせが可能とな
る。
筒３０下端の当接する位置は第３層３の上面になる。こ
のとき、撮像装置Ｙの焦点誤差は第３層３の厚み公差と
固体撮像素子５の厚み公差とを共に含むことになる。そ
れに対し、切り欠き部３ａが存在し、それらの底部であ
る第２層２上面（固体撮像素子５下面と同じ高さであ
る。）に鏡筒３０下端を当接すると、固体撮像素子５の
厚み公差のみの範囲で焦点を合わせることができる。た
とえば固体撮像素子５の厚み公差が２５μｍであるとき
には±１２.５μｍの範囲での焦点合わせが可能とな
る。
【００３０】このように、つばが十分な強度を有し、ま
た撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミ
ックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを
用いた薄型固体撮像装置が提供される。
た撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミ
ックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを
用いた薄型固体撮像装置が提供される。
【００３１】なお、高い焦点精度が要求されない用途、
たとえば固定焦点のカメラでは、切り欠き部を設けず第
３層上面を取り付け基準位置に採用することもできる。
たとえば固定焦点のカメラでは、切り欠き部を設けず第
３層上面を取り付け基準位置に採用することもできる。
【００３２】更に、第３層に切り欠き部を設けずに撮像
装置の焦点精度を向上させることもできる。以下第２の
実施例にそのことを示す。
装置の焦点精度を向上させることもできる。以下第２の
実施例にそのことを示す。
【００３３】図４を参照して、第２の実施例について説
明する。第１の実施例と異なるところは固体撮像素子４
５をたとえば厚さ３００μｍまでバックグラインドして
いること、それに合わせ第３層４３の厚みもたとえば３
００μｍとしていること、それから第３層４３に切り欠
き部が存在しないことの３点である。他の構成は全て第
１の実施例と同じである。
明する。第１の実施例と異なるところは固体撮像素子４
５をたとえば厚さ３００μｍまでバックグラインドして
いること、それに合わせ第３層４３の厚みもたとえば３
００μｍとしていること、それから第３層４３に切り欠
き部が存在しないことの３点である。他の構成は全て第
１の実施例と同じである。
【００３４】第１層４１は厚みがたとえば２５０μｍで
ある。第２層４２の厚みもたとえば２５０μｍである。
第２層４２上面に接着された固体撮像素子４５の厚みを
６４５μｍから５００μｍ以下に、たとえば３００μｍ
にバックグラインドすることによって、厚みの公差は２
５μｍから１０μｍにまで縮小される。このバックグラ
インドに合わせて、第３層４３の厚みもたとえば３００
μｍとなる。第３層４３には切り欠き部は存在しない。
第４層４４は厚みがたとえば７００μｍである。以上を
合計するとパッケージの厚みは１.５ｍｍとなる。図５
に示した先の提案による５層構造セラミックパッケージ
と比較すると、０.８５ｍｍ薄くなっていることがわか
る。
ある。第２層４２の厚みもたとえば２５０μｍである。
第２層４２上面に接着された固体撮像素子４５の厚みを
６４５μｍから５００μｍ以下に、たとえば３００μｍ
にバックグラインドすることによって、厚みの公差は２
５μｍから１０μｍにまで縮小される。このバックグラ
インドに合わせて、第３層４３の厚みもたとえば３００
μｍとなる。第３層４３には切り欠き部は存在しない。
第４層４４は厚みがたとえば７００μｍである。以上を
合計するとパッケージの厚みは１.５ｍｍとなる。図５
に示した先の提案による５層構造セラミックパッケージ
と比較すると、０.８５ｍｍ薄くなっていることがわか
る。
【００３５】第２の実施例の場合、切り欠き部は特に必
要ではない。固体撮像素子４５の厚み公差を１５μｍ小
さくしたことによって、第３層４３上面に鏡筒下端を当
接しても、撮像装置に高い焦点精度を確保することが可
能になるからである。
要ではない。固体撮像素子４５の厚み公差を１５μｍ小
さくしたことによって、第３層４３上面に鏡筒下端を当
接しても、撮像装置に高い焦点精度を確保することが可
能になるからである。
【００３６】第２の実施例も、つばが十分な強度を有
し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付
セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケ
ージを用いた薄型固体撮像装置を提供する。
し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付
セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケ
ージを用いた薄型固体撮像装置を提供する。
【００３７】本発明の第１の実施例である固体撮像装置
Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの製造
方法を説明する。
Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの製造
方法を説明する。
【００３８】図２（Ａ）に示すように、パッケージ第１
層１となる第１のグリーンシートにはアウタリード端子
７と半円形切り欠き１１の成形加工、及び電解メッキ配
線Ｋ、アウタリード層Ｌ、スルーホール端ｈ、アウタリ
ード端子７の導体パタン印刷が施される。パタン印刷は
たとえばタングステン系スクリーン印刷である。
層１となる第１のグリーンシートにはアウタリード端子
７と半円形切り欠き１１の成形加工、及び電解メッキ配
線Ｋ、アウタリード層Ｌ、スルーホール端ｈ、アウタリ
ード端子７の導体パタン印刷が施される。パタン印刷は
たとえばタングステン系スクリーン印刷である。
【００３９】図２（Ｂ）に示すように、パッケージ第２
層２となる第２のグリーンシートにはアウタリード端子
７、半円形切り欠き１１、第２層２のスルーホールｈ2
の成形加工、及びアウタリード端子７の導体パタン印刷
が施される。またスルーホールｈ2に導体、たとえばタ
ングステンが充填される。
層２となる第２のグリーンシートにはアウタリード端子
７、半円形切り欠き１１、第２層２のスルーホールｈ2
の成形加工、及びアウタリード端子７の導体パタン印刷
が施される。またスルーホールｈ2に導体、たとえばタ
ングステンが充填される。
【００４０】図２（Ｃ）に示すように、パッケージ第３
層３となる第３のグリーンシートが開口部を有するよう
に加工される。半円形切り欠き１１、切り欠き部３ａ、
第３層３のスルーホールｈ3が成形加工され、インナリ
ード層９の導体パタン印刷が、たとえばタングステン系
スクリーン印刷で施される。更にスルーホールｈ3に導
体、たとえばタングステンが充填される。
層３となる第３のグリーンシートが開口部を有するよう
に加工される。半円形切り欠き１１、切り欠き部３ａ、
第３層３のスルーホールｈ3が成形加工され、インナリ
ード層９の導体パタン印刷が、たとえばタングステン系
スクリーン印刷で施される。更にスルーホールｈ3に導
体、たとえばタングステンが充填される。
【００４１】パッケージ第４層４となる第４のグリーン
シートが枠状に加工される。この枠状の第４のグリーン
シートは第１、第２、第３のグリーンシートに比し外周
が小さい。
シートが枠状に加工される。この枠状の第４のグリーン
シートは第１、第２、第３のグリーンシートに比し外周
が小さい。
【００４２】図６に示すように、第１、第２、第３、第
４のグリーンシートをこの順に下から積層する。
４のグリーンシートをこの順に下から積層する。
【００４３】複数個連続したパッケージのローを、一つ
一つのパッケージに分離するためのスナップが第３層を
切り込んで形成される。
一つのパッケージに分離するためのスナップが第３層を
切り込んで形成される。
【００４４】この積層グリーンシートをたとえば１６０
０℃で４８時間焼成する。この焼成で積層グリーンシー
トはおよそ８０％に縮む。
０℃で４８時間焼成する。この焼成で積層グリーンシー
トはおよそ８０％に縮む。
【００４５】下地の電解メッキを、たとえばＮｉで行
い、表面仕上げの電解メッキを、たとえばＡｕで施す。
い、表面仕上げの電解メッキを、たとえばＡｕで施す。
【００４６】第３のグリーンシートに入れられたスナッ
プを利用してスナップ下方のセラミックを割ることで個
々のパッケージに分離し、端面を研磨する。
プを利用してスナップ下方のセラミックを割ることで個
々のパッケージに分離し、端面を研磨する。
【００４７】上記の工程を経て、固体撮像装置Ｘに用い
られる４層構造セラミックパッケージが製造される。
られる４層構造セラミックパッケージが製造される。
【００４８】次に第１の実施例である固体撮像装置Ｘの
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００４９】第１の実施例の中で詳述した４層構造セラ
ミックパッケージ、すなわち、表面に電解メッキ配線を
有する第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウ
タリード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリー
ド層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第
２層と、該第２層に重ねられ、該第２層上面から立ち上
がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部
に固体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更
に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫
通導電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するイ
ンナリード層とを有する第３層と、該第３層に重ねら
れ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前
記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するよう
な内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固
体撮像素子に到達させるのに適した第４層とを含み、前
記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出す
るつば部分を有し、更に該つば部分に切り欠き部が存
し、かつ前記第３層が側壁にパッケージ分離用スナップ
を有する固体撮像素子用セラミックパッケージを準備す
る。
ミックパッケージ、すなわち、表面に電解メッキ配線を
有する第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウ
タリード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリー
ド層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第
２層と、該第２層に重ねられ、該第２層上面から立ち上
がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部
に固体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更
に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫
通導電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するイ
ンナリード層とを有する第３層と、該第３層に重ねら
れ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前
記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するよう
な内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固
体撮像素子に到達させるのに適した第４層とを含み、前
記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出す
るつば部分を有し、更に該つば部分に切り欠き部が存
し、かつ前記第３層が側壁にパッケージ分離用スナップ
を有する固体撮像素子用セラミックパッケージを準備す
る。
【００５０】パッケージ第２層２上面に、接続用パッド
５ａを有する固体撮像素子５を接着する。
５ａを有する固体撮像素子５を接着する。
【００５１】固体撮像素子５の接続用パッド５ａとパッ
ケージ第３層３上面のインナリード層９とに金属線１０
をボンディングして接続する。
ケージ第３層３上面のインナリード層９とに金属線１０
をボンディングして接続する。
【００５２】第４層４上面に透明封止板６を接着する。
【００５３】上記の工程を経て、第１の実施例の固体撮
像装置Ｘが製造される。
像装置Ｘが製造される。
【００５４】次に本発明の第２の実施例に示す固体撮像
装置に用いる４層構造セラミックパッケージの製造方法
であるが、これは本発明の第１の実施例である固体撮像
装置Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの
製造方法とほぼ同じである。異なるところは、以下の３
点である。
装置に用いる４層構造セラミックパッケージの製造方法
であるが、これは本発明の第１の実施例である固体撮像
装置Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの
製造方法とほぼ同じである。異なるところは、以下の３
点である。
【００５５】パッケージ第３層には、第１の実施例で鏡
筒を第２層上面に当接するために設けた切り欠き部が存
在しない。したがってパッケージ第３層となる第３のグ
リーンシートには該切り欠き部の成形加工は行われな
い。
筒を第２層上面に当接するために設けた切り欠き部が存
在しない。したがってパッケージ第３層となる第３のグ
リーンシートには該切り欠き部の成形加工は行われな
い。
【００５６】第３のグリーンシートだけでなく、パッケ
ージ第２層となる第２のグリーンシートにも、複数個連
続したパッケージのローを、一つ一つのパッケージに分
離するためのスナップが形成される。
ージ第２層となる第２のグリーンシートにも、複数個連
続したパッケージのローを、一つ一つのパッケージに分
離するためのスナップが形成される。
【００５７】個々のパッケージに分離する際には、第２
及び第３のグリーンシートに入れられたスナップを利用
してスナップ下方のセラミックを割る。
及び第３のグリーンシートに入れられたスナップを利用
してスナップ下方のセラミックを割る。
【００５８】更に本発明の第２の実施例に示す４層構造
のセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の製造方
法を説明する。
のセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の製造方
法を説明する。
【００５９】第２の実施例の中で説明した４層構造セラ
ミックパッケージ、すなわち第１の実施例で示したセラ
ミックパッケージの第３層を薄くし、切り欠き部を設け
ない４層構造セラミックパッケージを準備する。
ミックパッケージ、すなわち第１の実施例で示したセラ
ミックパッケージの第３層を薄くし、切り欠き部を設け
ない４層構造セラミックパッケージを準備する。
【００６０】接続用パッドを有する固体撮像素子４５を
５００μｍ以下の均一な厚さに、たとえば３００μｍに
バックグラインドする。
５００μｍ以下の均一な厚さに、たとえば３００μｍに
バックグラインドする。
【００６１】パッケージ第２層４２上面に、固体撮像素
子４５を接着する。
子４５を接着する。
【００６２】固体撮像素子４５の接続用パッドとパッケ
ージ第３層４３上面のインナリード層とに金属線をボン
ディングして接続する。
ージ第３層４３上面のインナリード層とに金属線をボン
ディングして接続する。
【００６３】第４層４４上面に透明封止板を接着する。
【００６４】上記の工程を経て、第２の実施例の固体撮
像装置が製造される。
像装置が製造される。
【００６５】実施例１及び２の固体撮像装置に用いられ
る薄型化された４層構造のつば付セラミックパッケージ
を製造するにあたって、製造上の問題が生じないことを
確認する。製造工程の要請として以下の点がある。 複数個製作されるパッケージを一つ一つのパッケージ
に分離するために利用するスナップは、つばの厚さの半
分を超える深さが必要である。半分以下の場合、うまく
割ることができない。 パッケージ第１層上面の電解メッキ用配線は隣のパッ
ケージと繋がっているので、スナップはこれを切断して
はならない。 アウタリード端子の金メッキは５００μｍの高さを必
要とする。これより低い場合は半田不良を生じやすくな
る。
る薄型化された４層構造のつば付セラミックパッケージ
を製造するにあたって、製造上の問題が生じないことを
確認する。製造工程の要請として以下の点がある。 複数個製作されるパッケージを一つ一つのパッケージ
に分離するために利用するスナップは、つばの厚さの半
分を超える深さが必要である。半分以下の場合、うまく
割ることができない。 パッケージ第１層上面の電解メッキ用配線は隣のパッ
ケージと繋がっているので、スナップはこれを切断して
はならない。 アウタリード端子の金メッキは５００μｍの高さを必
要とする。これより低い場合は半田不良を生じやすくな
る。
【００６６】本発明の第１の実施例は、上記製造上の要
請をすべて満たしている。第１層１が２５０μｍ、第２
層２も２５０μｍ、第３層３が６５０μｍであるから、
第１層１と第２層２に金メッキを施すことで必要な高さ
５００μｍが確保される。また第３層３につばの厚さの
半分を超える深さのスナップを入れることができる。そ
の場合、第１層１上面の電解メッキ用配線を切断するこ
とはない。
請をすべて満たしている。第１層１が２５０μｍ、第２
層２も２５０μｍ、第３層３が６５０μｍであるから、
第１層１と第２層２に金メッキを施すことで必要な高さ
５００μｍが確保される。また第３層３につばの厚さの
半分を超える深さのスナップを入れることができる。そ
の場合、第１層１上面の電解メッキ用配線を切断するこ
とはない。
【００６７】本発明の第２の実施例も同様である。第１
層４１が２５０μｍ、第２層４２も２５０μｍ、第３層
４３が３００μｍであるため、第１層４１と第２層４２
に金メッキを施すことで必要な高さ５００μｍが確保さ
れる。また第３層４３から第２層４２の一部にかけてつ
ばの厚さの半分を超える深さのスナップを入れることが
でき、その場合、第１層４１上面の電解メッキ用配線を
分断することはない。
層４１が２５０μｍ、第２層４２も２５０μｍ、第３層
４３が３００μｍであるため、第１層４１と第２層４２
に金メッキを施すことで必要な高さ５００μｍが確保さ
れる。また第３層４３から第２層４２の一部にかけてつ
ばの厚さの半分を超える深さのスナップを入れることが
でき、その場合、第１層４１上面の電解メッキ用配線を
分断することはない。
【００６８】なお、上記の各実施例においてはインナリ
ード層、アウタリード層を有するパッケージを用いた
が、これがインナリード線、アウタリード線を有するパ
ッケージであっても適用できることは明らかであろう。
ード層、アウタリード層を有するパッケージを用いた
が、これがインナリード線、アウタリード線を有するパ
ッケージであっても適用できることは明らかであろう。
【００６９】以上、本発明の実施例について例示した
が、その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能で
あることは当業者には自明であろう。
が、その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能で
あることは当業者には自明であろう。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればつ
ば付セラミックパッケージの全厚さを減少させ、かつつ
ばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を
保証する固体撮像装置を提供することができる。
ば付セラミックパッケージの全厚さを減少させ、かつつ
ばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を
保証する固体撮像装置を提供することができる。
【００７１】更に本発明によれば上述のような特性を有
するセラミックパッケージ及び固体撮像装置の製造方法
を提供することができる。
するセラミックパッケージ及び固体撮像装置の製造方法
を提供することができる。
【図１】（Ａ）本発明の第１の実施例による固体撮像装
置Ｘの一部破断側面図である。（Ｂ）本発明の第１の実
施例による固体撮像装置Ｘの上面図である。（Ｃ）本発
明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの側面図であ
る。
置Ｘの一部破断側面図である。（Ｂ）本発明の第１の実
施例による固体撮像装置Ｘの上面図である。（Ｃ）本発
明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの側面図であ
る。
【図２】（Ａ）本発明の第１の実施例による固体撮像装
置Ｘのセラミックパッケージ第１層の上面図である。
（Ａ'）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの
セラミックパッケージ第１層の裏面図である。（Ｂ）本
発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミック
パッケージ第２層の上面図である。（Ｃ）本発明の第１
の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ
第３層の上面図である。
置Ｘのセラミックパッケージ第１層の上面図である。
（Ａ'）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの
セラミックパッケージ第１層の裏面図である。（Ｂ）本
発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミック
パッケージ第２層の上面図である。（Ｃ）本発明の第１
の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ
第３層の上面図である。
【図３】撮像装置Ｙの概略構造を示す断面図である。
【図４】（Ａ）本発明の第２の実施例による固体撮像装
置の一部破断側面図である。（Ｂ）本発明の第２の実施
例による固体撮像装置の上面図である。
置の一部破断側面図である。（Ｂ）本発明の第２の実施
例による固体撮像装置の上面図である。
【図５】（Ａ）５層構造セラミックパッケージを用いた
固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図である。
（Ｂ）５層構造セラミックパッケージを用いた固体撮像
装置の先の提案を示す上面図である（Ｃ）５層構造セラ
ミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案の製
造工程における一場面を示す図である。
固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図である。
（Ｂ）５層構造セラミックパッケージを用いた固体撮像
装置の先の提案を示す上面図である（Ｃ）５層構造セラ
ミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案の製
造工程における一場面を示す図である。
【図６】本発明の第１及び第２の実施例の製造工程にお
ける一場面を示す図である。
ける一場面を示す図である。
Ｘ 固体撮像装置
Ｙ 撮像装置
Ｋ 電解メッキ配線
Ｌ アウタリード層
Ｔ タングステン
ｈ スルーホール端
ｈ2 第２層のスルーホール
ｈ3 第３層のスルーホール
１ 第１層
２ 第２層
３ 第３層
３ａ 切り欠き部
４ 第４層
５ 固体撮像素子
５ａ 接続用パッド
６ 透明封止板
７ アウタリード端子
９ インナリード層
１０ 金属線
１１ 半円形切り欠き
２０ 矢印
３０ 鏡筒
３１ レンズ
３２ 光
４１ 第１層
４２ 第２層
４３ 第３層
４４ 第４層
４５ 固体撮像素子
５０ スナップ
５１ 第１層
５２ 第２層
５３ 第３層
５４ 第４層
５５ 第５層
５６ 固体撮像素子
５６ａ 接続用パッド
５７ 透明封止板
５８ アウタリード端子
６０ インナリード層
６１ 金属線
６２ 半円形切り欠き
Claims (10)
- 【請求項１】 表面に電解メッキ配線を有するセラミッ
クパッケージ第１層と、 該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、 前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１
層から繋ぐ第１の貫通導電部を有するセラミックパッケ
ージ第２層と、 接続用パッドを有し、該第２層上面に接着された固体撮
像素子と、 前記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる
内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に前
記固体撮像素子を収容する空間を画定し、更に前記第１
の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と
該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリード層
とを有するセラミックパッケージ第３層と、 該第３層の前記インナリード層と前記固体撮像素子の前
記接続用パッドとを接続する金属線と、 該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に
延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部
分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入
射した光を前記固体撮像素子に到達させるセラミックパ
ッケージ第４層と、 該第４層の上面に接着された透明な封止板と、を含み、 前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出
するつば部分を有し、前記第３層が側壁にパッケージ分
離用スナップを有する固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記第３層が前記外側に突出するつば部
分で前記第２層上面を露出させる切り欠き部を有する請
求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記固体撮像素子が５００μｍ以下の均
一な厚みを有し、前記第３層が前記第２層とほぼ同一の
外周形状を有する請求項１または２に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項４】 表面に電解メッキ配線を有する第１層
と、 該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、 前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１
層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第２層と、 前記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる
内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に固
体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更に前
記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導
電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するインナ
リード層とを有する第３層と、 該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に
延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部
分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入
射した光を前記固体撮像素子に到達させるのに適した第
４層と、前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外
側に突出するつば部分と、を有する固体撮像素子用セラ
ミックパッケージ。 - 【請求項５】 前記第３層が前記外側に突出するつば部
分で前記第２層上面を露出させる切り欠き部を有する請
求項４に記載のセラミックパッケージ。 - 【請求項６】 第１の型抜き加工と第１の導体パタンの
印刷とを施された第１のセラミックグリーンシートを準
備する工程と、 第１のスルーホール形成を含む第２の型抜き加工を施さ
れ、該第１のスルーホールに導体を充填された第２のセ
ラミックグリーンシートを準備する工程と、 内部開口形成と第２のスルーホール形成を含む第３の型
抜き加工と第２の導体パタンの印刷とを施され、該第２
のスルーホールに導体を充填された第３のセラミックグ
リーンシートを準備する工程と、 内部開口を囲む枠状体形成を含む第４の型抜き加工を施
された第４のセラミックグリーンシートを準備する工程
と、 前記第１、第２、第３、第４の４つのセラミックグリー
ンシートを下からこの順に積層する工程と、 前記第３のセラミックグリーンシートまたは第２及び第
３のセラミックグリーンシートにパッケージ分離用スナ
ップを入れる工程と、 該積層セラミックグリーンシートを焼成する工程と、 該焼成された積層セラミックグリーンシートに下地メッ
キ及び表面仕上げメッキを施す工程と、 該下地メッキ及び表面仕上げメッキを施された積層セラ
ミックグリーンシートを前記スナップを利用して分離す
る工程と、を含む固体撮像素子用セラミックパッケージ
の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１、第２、第３のセラミックグリ
ーンシートが前記第４のセラミックグリーンシートに比
し外側に突出するつば部分を備える請求項６に記載の固
体撮像素子用セラミックパッケージの製造方法。 - 【請求項８】 前記第３の型抜き加工に前記第２のセラ
ミックグリーンシート上面を露出する切り欠き部形成を
含む請求項７に記載の固体撮像素子用セラミックパッケ
ージの製造方法。 - 【請求項９】 表面に電解メッキ配線を有する第１層
と、該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層
と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記
第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第２層と、前
記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる内
側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に固体
撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更に前記
第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電
部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリ
ード層とを有する第３層と、該第３層に重ねられ、該第
３層の画定する空間を上方に延長すると共に前記インナ
リード層の少なくとも内側部分を露出するような内側側
壁を形成し、その上面から入射した光を前記固体撮像素
子に到達させるのに適した第４層と、前記第１、第２、
第３層が前記第４層に比し外側に突出するつば部分とを
有する固体撮像素子用セラミックパッケージを準備する
工程と、 該セラミックパッケージの前記第２層上面に、接続用パ
ッドを有する固体撮像素子を接着する工程と、 該固体撮像素子の該接続用パッドと前記セラミックパッ
ケージの前記第３層上面のインナリード層とを金属線で
接続する工程と、 前記セラミックパッケージの前記第４層上面に透明な封
止板を接着する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記固体撮像素子を５００μｍ以下の
均一な厚さに削る工程を含む請求項９に記載の固体撮像
装置の製造方法。
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-
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