JP2003176473A - 接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体 - Google Patents
接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体Info
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- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＦ実装技術において利用され得る異方性
導電材料などの接合材料であって、ＩＣチップの狭ピッ
チ化にも対応可能な材料を提供する。 【解決手段】 熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散し
た硬化剤および添加剤とを原料成分として含む接合材料
において、硬化剤および添加剤の各最大粒径を、装着体
（例えばＩＣチップ）に設けられた電極間の距離と、該
接合材料により装着体を接合すべき被装着体（例えばＦ
ＰＣ基板）に設けられた電極間の距離のうちの最も小さ
い距離よりも小さくする。
導電材料などの接合材料であって、ＩＣチップの狭ピッ
チ化にも対応可能な材料を提供する。 【解決手段】 熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散し
た硬化剤および添加剤とを原料成分として含む接合材料
において、硬化剤および添加剤の各最大粒径を、装着体
（例えばＩＣチップ）に設けられた電極間の距離と、該
接合材料により装着体を接合すべき被装着体（例えばＦ
ＰＣ基板）に設けられた電極間の距離のうちの最も小さ
い距離よりも小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、装着体に設けられ
た電極と被装着体に設けられた電極とが導電接続された
状態で、装着体と被装着体との間を接合するための接合
材料に関する。より詳細には、本発明は、例えばＣＯＦ
実装技術などに利用され得る異方性導電材料および非導
電材料に関する。
た電極と被装着体に設けられた電極とが導電接続された
状態で、装着体と被装着体との間を接合するための接合
材料に関する。より詳細には、本発明は、例えばＣＯＦ
実装技術などに利用され得る異方性導電材料および非導
電材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話などのＬＣＤ（液晶ディ
スプレイ）パネルのドライバ実装などの技術において、
ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板上にドライバ
ＩＣチップをボンディングする、いわゆるＣＯＦ（Chip
on FPC）実装技術が使用され始めており、このような
実装技術に関する研究および開発がなされている。
スプレイ）パネルのドライバ実装などの技術において、
ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板上にドライバ
ＩＣチップをボンディングする、いわゆるＣＯＦ（Chip
on FPC）実装技術が使用され始めており、このような
実装技術に関する研究および開発がなされている。
【０００３】従来のＣＯＦ実装技術においては、異方性
導電材料として知られる異方性導電フィルム（ＡＣＦ：
Anisotropic Conductive Film）および異方性導電ペー
スト（ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Paste）が主に
使用されている。また、非導電材料として知られる非導
電フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）および非
導電ペースト（ＮＣＰ：Non-Conductive Paste）も使用
され始めている。以下、ＣＯＦ実装技術の１つの例とし
て、異方性導電フィルム（以下、単にＡＣＦと言う）を
用いてＦＰＣ基板にＩＣチップを実装する場合について
図１を参照して説明する。
導電材料として知られる異方性導電フィルム（ＡＣＦ：
Anisotropic Conductive Film）および異方性導電ペー
スト（ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Paste）が主に
使用されている。また、非導電材料として知られる非導
電フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）および非
導電ペースト（ＮＣＰ：Non-Conductive Paste）も使用
され始めている。以下、ＣＯＦ実装技術の１つの例とし
て、異方性導電フィルム（以下、単にＡＣＦと言う）を
用いてＦＰＣ基板にＩＣチップを実装する場合について
図１を参照して説明する。
【０００４】まず、配線パターンが形成されたＦＰＣ基
板７０と、このＦＰＣ基板７０に実装されるべきＩＣチ
ップ７１とを準備する（図１（ａ）を参照のこと）。Ｉ
Ｃチップ７１の本体６４の片面には、Ａｕから成るバン
プ６５が形成されている。ＦＰＣ基板７０は、例えばポ
リイミドフィルムなどの可撓性の基板６１の表面に、Ｃ
ｕ／Ａｕ（即ちＡｕ表層めっき付きＣｕ）から成る配線
パターン６２が形成され、最終的に（即ち、ＩＣチップ
の実装後に）配線パターンが露出しないように基板６１
の上面の所定の領域がレジスト６３で覆われて成る。配
線パターン６２のうち、レジスト６３で覆われていない
部分６２’は、ＩＣチップ７１のバンプ６５と導電接続
されるべきランドとなる。基板６１に形成された配線パ
ターンは、例えばＬＣＤパネル（図示せず）に導電接続
され得、ＩＣチップ７１には、例えばＬＣＤ用のドライ
バＩＣ（図示せず）などが搭載され得る。
板７０と、このＦＰＣ基板７０に実装されるべきＩＣチ
ップ７１とを準備する（図１（ａ）を参照のこと）。Ｉ
Ｃチップ７１の本体６４の片面には、Ａｕから成るバン
プ６５が形成されている。ＦＰＣ基板７０は、例えばポ
リイミドフィルムなどの可撓性の基板６１の表面に、Ｃ
ｕ／Ａｕ（即ちＡｕ表層めっき付きＣｕ）から成る配線
パターン６２が形成され、最終的に（即ち、ＩＣチップ
の実装後に）配線パターンが露出しないように基板６１
の上面の所定の領域がレジスト６３で覆われて成る。配
線パターン６２のうち、レジスト６３で覆われていない
部分６２’は、ＩＣチップ７１のバンプ６５と導電接続
されるべきランドとなる。基板６１に形成された配線パ
ターンは、例えばＬＣＤパネル（図示せず）に導電接続
され得、ＩＣチップ７１には、例えばＬＣＤ用のドライ
バＩＣ（図示せず）などが搭載され得る。
【０００５】また、ＩＣチップ７１をＦＰＣ基板７０に
実装するための材料として、ＡＣＦ７２を準備する。Ａ
ＣＦ７２は、一般に、エポキシ系樹脂６６を主剤（また
はバインダ）として含み、導電粒子６７ならびに硬化剤
および添加剤（共に図示せず）がエポキシ系樹脂６６中
に分散して成る。エポキシ系樹脂６６およびその硬化剤
には、一般的にはビスフェノールＡグリシジル型エポキ
シ樹脂および２−メチルイミダゾールがそれぞれ使用さ
れる。また、添加剤には、後述する熱圧着時の熱ストレ
スを緩和する目的でアクリロニトリル共重合体、ならび
に熱圧着時の応力を分散する目的でアクリル変性エポキ
シ樹脂などが使用され得る。導電粒子６６には、種々の
粒子が使用され得、例えばＮｉから成る金属粒子や、ベ
ンゾグアナミンから成るコア材にＮｉ／Ａｕめっき（即
ち、Ａｕ表層およびＮｉ中間層から成るめっき）で被覆
して成る粒子（本明細書においてＮｉ／Ａｕ被覆ベンゾ
グアナミンとも言う）などが使用され得る。ＡＣＦ７２
は、通常、主剤のエポキシ系樹脂６６に起因して粘着性
を示す。
実装するための材料として、ＡＣＦ７２を準備する。Ａ
ＣＦ７２は、一般に、エポキシ系樹脂６６を主剤（また
はバインダ）として含み、導電粒子６７ならびに硬化剤
および添加剤（共に図示せず）がエポキシ系樹脂６６中
に分散して成る。エポキシ系樹脂６６およびその硬化剤
には、一般的にはビスフェノールＡグリシジル型エポキ
シ樹脂および２−メチルイミダゾールがそれぞれ使用さ
れる。また、添加剤には、後述する熱圧着時の熱ストレ
スを緩和する目的でアクリロニトリル共重合体、ならび
に熱圧着時の応力を分散する目的でアクリル変性エポキ
シ樹脂などが使用され得る。導電粒子６６には、種々の
粒子が使用され得、例えばＮｉから成る金属粒子や、ベ
ンゾグアナミンから成るコア材にＮｉ／Ａｕめっき（即
ち、Ａｕ表層およびＮｉ中間層から成るめっき）で被覆
して成る粒子（本明細書においてＮｉ／Ａｕ被覆ベンゾ
グアナミンとも言う）などが使用され得る。ＡＣＦ７２
は、通常、主剤のエポキシ系樹脂６６に起因して粘着性
を示す。
【０００６】次に、図１（ａ）を参照して、ＩＣチップ
７１が実装されるべきＦＰＣ基板７０の所定の領域上に
ＡＣＦ７２を適切に配置する。このとき、ＡＣＦ７２は
その粘着性によりＦＰＣ基板７０に付着する。
７１が実装されるべきＦＰＣ基板７０の所定の領域上に
ＡＣＦ７２を適切に配置する。このとき、ＡＣＦ７２は
その粘着性によりＦＰＣ基板７０に付着する。
【０００７】その後、このようにして付着させたＡＣＦ
７２を挟んでＦＰＣ基板７０のランド６２’とＩＣチッ
プ７１のバンプ６５とが対を成して適切に対向するよう
に、図１（ａ）に示すようにＦＰＣ基板７０とＩＣチッ
プ７１とをアライメントして配置する。そして、ＩＣチ
ップ７１をＦＰＣ基板７０に向かって押圧して仮実装す
る（図示せず）。エポキシ系樹脂６６は一般に粘性流体
であるので、ＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０に挟まれ
て押圧されることによってＡＣＦ７２の輪郭が変形し、
ＩＣチップ７１の下方に存在していたＡＣＦ７２の一部
がＩＣチップ７１の周囲に流れ出てくる傾向にある。こ
れによりＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０との間の空間
がＡＣＦ７２で満たされる。また、このとき、ＡＣＦ７
２中の導電粒子６７の一部がバンプ６５とランド６２’
との間に挟まれる。
７２を挟んでＦＰＣ基板７０のランド６２’とＩＣチッ
プ７１のバンプ６５とが対を成して適切に対向するよう
に、図１（ａ）に示すようにＦＰＣ基板７０とＩＣチッ
プ７１とをアライメントして配置する。そして、ＩＣチ
ップ７１をＦＰＣ基板７０に向かって押圧して仮実装す
る（図示せず）。エポキシ系樹脂６６は一般に粘性流体
であるので、ＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０に挟まれ
て押圧されることによってＡＣＦ７２の輪郭が変形し、
ＩＣチップ７１の下方に存在していたＡＣＦ７２の一部
がＩＣチップ７１の周囲に流れ出てくる傾向にある。こ
れによりＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０との間の空間
がＡＣＦ７２で満たされる。また、このとき、ＡＣＦ７
２中の導電粒子６７の一部がバンプ６５とランド６２’
との間に挟まれる。
【０００８】続いて、ＩＣチップ７１をＦＰＣ基板７０
に向かって押圧した状態を維持しつつ、周囲の雰囲気を
加熱雰囲気とすることにより、ＩＣチップ７１をＦＰＣ
基板７０に熱圧着する。この熱圧着の間、ＡＣＦ７２の
内部では硬化剤の影響下にてエポキシ系樹脂６６の熱硬
化が進んで、図１（ｂ）に示すように、ＡＣＦ７２に由
来する接合層であって、熱硬化後のエポキシ系樹脂６
６’に導電粒子６７が残留して分散した接合層７２’を
形成する。このとき、図１（ｂ）に示すＸ方向において
は、対を成すバンプ６５とランド６２’との間に挟まれ
た導電粒子６７を介して、バンプ６５とランド６２’と
の間に導電接続が確保される（以下、本明細書において
は、導電接続されるべきまたは導電接続された１対のバ
ンプとランドとを「電極対」または「１対の電極」とも
言うものとする）。他方、図１（ｂ）に示すＹ方向にお
いては、接合層７２’の連続層である熱硬化後のエポキ
シ系樹脂６６’によりランド６２’同士の間およびバン
プ６５同士の間が絶縁される。このような接合層７２’
によりＩＣチップ７１がＦＰＣ基板７０に実装（または
接合）される。
に向かって押圧した状態を維持しつつ、周囲の雰囲気を
加熱雰囲気とすることにより、ＩＣチップ７１をＦＰＣ
基板７０に熱圧着する。この熱圧着の間、ＡＣＦ７２の
内部では硬化剤の影響下にてエポキシ系樹脂６６の熱硬
化が進んで、図１（ｂ）に示すように、ＡＣＦ７２に由
来する接合層であって、熱硬化後のエポキシ系樹脂６
６’に導電粒子６７が残留して分散した接合層７２’を
形成する。このとき、図１（ｂ）に示すＸ方向において
は、対を成すバンプ６５とランド６２’との間に挟まれ
た導電粒子６７を介して、バンプ６５とランド６２’と
の間に導電接続が確保される（以下、本明細書において
は、導電接続されるべきまたは導電接続された１対のバ
ンプとランドとを「電極対」または「１対の電極」とも
言うものとする）。他方、図１（ｂ）に示すＹ方向にお
いては、接合層７２’の連続層である熱硬化後のエポキ
シ系樹脂６６’によりランド６２’同士の間およびバン
プ６５同士の間が絶縁される。このような接合層７２’
によりＩＣチップ７１がＦＰＣ基板７０に実装（または
接合）される。
【０００９】以上のようにして、ＣＯＦ実装技術により
ＩＣチップ７１が接合層７２’を介してＦＰＣ基板７０
に実装された接合構造体７５（図１（ｂ）を参照のこ
と）が得られる。
ＩＣチップ７１が接合層７２’を介してＦＰＣ基板７０
に実装された接合構造体７５（図１（ｂ）を参照のこ
と）が得られる。
【００１０】また、このようなＣＯＦ実装技術は、ＩＣ
チップとＦＰＣ基板との間の接合のみならず、ＬＣＤパ
ネルなどの他の部品とＦＰＣ基板との間の接合にも適用
され、これにより、例えばＬＣＤドライバＩＣチップ
が、ＦＰＣ基板を介してＬＣＤパネルと導電接続された
ＬＣＤモジュールが作製される。
チップとＦＰＣ基板との間の接合のみならず、ＬＣＤパ
ネルなどの他の部品とＦＰＣ基板との間の接合にも適用
され、これにより、例えばＬＣＤドライバＩＣチップ
が、ＦＰＣ基板を介してＬＣＤパネルと導電接続された
ＬＣＤモジュールが作製される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】現在、携帯電話などの
携帯型電子機器市場の要請を受けて、ＩＣの更なる高集
積化を目指すべく、その回路パターンのファイン化が進
行している。これに伴ってＩＣチップのバンプ（または
電極）の狭ピッチ化が進んでいる。具体的には、ＩＣチ
ップのバンプのピッチは、従来は６０μｍ以上であった
が、約５０μｍ、更には４２μｍ、より更には３８μｍ
となって来ているのが現状である。
携帯型電子機器市場の要請を受けて、ＩＣの更なる高集
積化を目指すべく、その回路パターンのファイン化が進
行している。これに伴ってＩＣチップのバンプ（または
電極）の狭ピッチ化が進んでいる。具体的には、ＩＣチ
ップのバンプのピッチは、従来は６０μｍ以上であった
が、約５０μｍ、更には４２μｍ、より更には３８μｍ
となって来ているのが現状である。
【００１２】このようなバンプの狭ピッチ化が進んだＩ
Ｃチップを用いて、上述のような従来のＣＯＦ実装技術
によりＬＣＤモジュールを作製すると、ＬＣＤモジュー
ルの信頼性が従来よりも低下することが本発明者らの検
討により判明した。
Ｃチップを用いて、上述のような従来のＣＯＦ実装技術
によりＬＣＤモジュールを作製すると、ＬＣＤモジュー
ルの信頼性が従来よりも低下することが本発明者らの検
討により判明した。
【００１３】具体的には、ＬＣＤパネルと、このＬＣＤ
パネルを駆動するためのＩＣチップとを、ＣＯＦ実装技
術により市販のＡＣＦを用いて２層ＦＰＣ基板にそれぞ
れ接合したＬＣＤモジュールを作製し、このモジュール
を、高温多湿条件下での電圧印加試験に付して、モジュ
ールの不良モード毎の不良率を調べた。具体的には、温
度６０℃および湿度９０％の雰囲気下にて２４０時間に
亘って、導電接続された１対のバンプおよびランドに５
Ｖの電圧を印加するものとした。その結果、ＩＣチップ
とＦＰＣ基板との接合部において、隣接する電極対と電
極対との間（各電極対は、バンプおよびランドにより構
成される）でのショートによる不良が、不良全体に対し
て従来よりも高い割合で発生することが判明した。高温
多湿条件下での電圧印加試験におけるこのようなショー
ト不良の発生により、ＬＣＤモジュールの信頼性が低い
ものと判断され、製品としては望ましくない。
パネルを駆動するためのＩＣチップとを、ＣＯＦ実装技
術により市販のＡＣＦを用いて２層ＦＰＣ基板にそれぞ
れ接合したＬＣＤモジュールを作製し、このモジュール
を、高温多湿条件下での電圧印加試験に付して、モジュ
ールの不良モード毎の不良率を調べた。具体的には、温
度６０℃および湿度９０％の雰囲気下にて２４０時間に
亘って、導電接続された１対のバンプおよびランドに５
Ｖの電圧を印加するものとした。その結果、ＩＣチップ
とＦＰＣ基板との接合部において、隣接する電極対と電
極対との間（各電極対は、バンプおよびランドにより構
成される）でのショートによる不良が、不良全体に対し
て従来よりも高い割合で発生することが判明した。高温
多湿条件下での電圧印加試験におけるこのようなショー
ト不良の発生により、ＬＣＤモジュールの信頼性が低い
ものと判断され、製品としては望ましくない。
【００１４】本発明の目的は、ＣＯＦ実装技術において
利用され得る接合材料（または接着材料、以下も同様）
であって、これを用いて狭ピッチのＩＣチップをＦＰＣ
基板に実装して接合構造体（または接合モジュール）を
作製する場合であっても、隣接する電極対と電極対との
間でのショートの発生を効果的に抑制することができ、
よって接合構造体の信頼性を高く維持できる材料を提供
することにある。
利用され得る接合材料（または接着材料、以下も同様）
であって、これを用いて狭ピッチのＩＣチップをＦＰＣ
基板に実装して接合構造体（または接合モジュール）を
作製する場合であっても、隣接する電極対と電極対との
間でのショートの発生を効果的に抑制することができ、
よって接合構造体の信頼性を高く維持できる材料を提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな高温多湿条件下における電圧印加試験によって隣接
する電極対間でショート不良が発生する原因を究明する
ために、試験後のＬＣＤモジュールを種々の観点から観
察および解析した。その結果、上記のようなショート不
良の発生が認められるＬＣＤモジュールにおいては、Ｉ
ＣチップのＡｕバンプの腐蝕が多発していることが判明
した。
うな高温多湿条件下における電圧印加試験によって隣接
する電極対間でショート不良が発生する原因を究明する
ために、試験後のＬＣＤモジュールを種々の観点から観
察および解析した。その結果、上記のようなショート不
良の発生が認められるＬＣＤモジュールにおいては、Ｉ
ＣチップのＡｕバンプの腐蝕が多発していることが判明
した。
【００１６】図２（ａ）は、図１（ｂ）に示す接合構造
体７５を高温多湿条件下における電圧印加試験に付した
後、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面から見た接合構
造体の模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の接合
構造体を、ＩＣチップ７１の本体６４を透視して上面か
ら見た模式図である。上記のバンプの腐蝕は、より詳細
には、バンプ６５ａおよび６５ｂの角部８０ａおよび８
０ｂにてそれぞれ起こることが確認された（図中に、腐
蝕により欠損した角部８０ａおよび８０ｂを斜線を付し
て仮想的に示す）。角部８０ａおよび８０ｂは、それぞ
れバンプ６５ａおよび６５ｂのランド６２’ａおよび６
２’ｂに面する側に位置する角部であって、図２（ｂ）
（および図１（ｂ））に示す方向Ｚにおいて上流側に位
置するものである。ここで、方向Ｚは、ＩＣチップ７１
の中央部分の真下に位置する接合層７２’の部分から、
導電接続された１対のバンプ６５ａおよびランド６２’
ａと、これに隣接して導電接続された１対のバンプ６５
ｂおよびランド６２’ｂとの間のスペース（以下、単に
電極対間のスペースと言う）を通ってＩＣチップ７１で
覆われていない周囲の部分に向かう方向である。尚、図
２（ａ）および（ｂ）においてはバンプ６５ａおよびラ
ンド６２’ａから成る１対の電極対と、これに隣接す
る、バンプ６５ｂおよびランド６２’ｂから成る１対の
電極対とを模式的に示しているが、通常、対を成すバン
プおよびランドから成るより多くの電極対が列状に配置
され得る。
体７５を高温多湿条件下における電圧印加試験に付した
後、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面から見た接合構
造体の模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の接合
構造体を、ＩＣチップ７１の本体６４を透視して上面か
ら見た模式図である。上記のバンプの腐蝕は、より詳細
には、バンプ６５ａおよび６５ｂの角部８０ａおよび８
０ｂにてそれぞれ起こることが確認された（図中に、腐
蝕により欠損した角部８０ａおよび８０ｂを斜線を付し
て仮想的に示す）。角部８０ａおよび８０ｂは、それぞ
れバンプ６５ａおよび６５ｂのランド６２’ａおよび６
２’ｂに面する側に位置する角部であって、図２（ｂ）
（および図１（ｂ））に示す方向Ｚにおいて上流側に位
置するものである。ここで、方向Ｚは、ＩＣチップ７１
の中央部分の真下に位置する接合層７２’の部分から、
導電接続された１対のバンプ６５ａおよびランド６２’
ａと、これに隣接して導電接続された１対のバンプ６５
ｂおよびランド６２’ｂとの間のスペース（以下、単に
電極対間のスペースと言う）を通ってＩＣチップ７１で
覆われていない周囲の部分に向かう方向である。尚、図
２（ａ）および（ｂ）においてはバンプ６５ａおよびラ
ンド６２’ａから成る１対の電極対と、これに隣接す
る、バンプ６５ｂおよびランド６２’ｂから成る１対の
電極対とを模式的に示しているが、通常、対を成すバン
プおよびランドから成るより多くの電極対が列状に配置
され得る。
【００１７】このようなバンプの腐蝕は、例えば、バン
プのピッチＰ１が約６０μｍであり、バンプ間のギャッ
プＧ１が約１５μｍ以上であるような従来の場合にはほ
とんど観測されないが、バンプのピッチＰ１を約５０μ
ｍとし、バンプ間のギャップＧ１を約１０μｍとした場
合には顕著に起こることが確認された。尚、一般的に、
ランドのピッチＰ２はバンプのピッチＰ１と実質的に等
しいが、ランド間のギャップＧ２はバンプ間のギャップ
Ｇ１よりも大きく、例えばギャップＧ１が約１０μｍで
ある場合にはギャップＧ２は約２５μｍとされる。
プのピッチＰ１が約６０μｍであり、バンプ間のギャッ
プＧ１が約１５μｍ以上であるような従来の場合にはほ
とんど観測されないが、バンプのピッチＰ１を約５０μ
ｍとし、バンプ間のギャップＧ１を約１０μｍとした場
合には顕著に起こることが確認された。尚、一般的に、
ランドのピッチＰ２はバンプのピッチＰ１と実質的に等
しいが、ランド間のギャップＧ２はバンプ間のギャップ
Ｇ１よりも大きく、例えばギャップＧ１が約１０μｍで
ある場合にはギャップＧ２は約２５μｍとされる。
【００１８】更に、本発明者らは、上記のようなバンプ
の腐蝕現象について鋭意研究を重ねた結果、以下に詳述
するように、バンプの腐蝕の発生メカニズムの解明を通
じて、隣接する電極対間でショートが生じる原因を究明
するに至った。
の腐蝕現象について鋭意研究を重ねた結果、以下に詳述
するように、バンプの腐蝕の発生メカニズムの解明を通
じて、隣接する電極対間でショートが生じる原因を究明
するに至った。
【００１９】一般に、金属の腐蝕が進行するには、金属
がイオン化し得るのに十分な電位差と、金属が固体状態
を維持するよりもイオン化したほうが安定に存在し得る
環境とが必須であり、上記のようなバンプの腐蝕もまた
このような条件を満足すると考える。
がイオン化し得るのに十分な電位差と、金属が固体状態
を維持するよりもイオン化したほうが安定に存在し得る
環境とが必須であり、上記のようなバンプの腐蝕もまた
このような条件を満足すると考える。
【００２０】金属がイオン化し得るのに十分な電位差に
ついては、バンプ６５ａおよび６５ｂの間のギャップＧ
１がより狭くなり、これらの間の電界強度がより高くな
ることにより提供され得る。このことは、バンプ間のギ
ャップＧ１が小さくなる程、バンプの腐蝕が顕著に発生
することと合致する。
ついては、バンプ６５ａおよび６５ｂの間のギャップＧ
１がより狭くなり、これらの間の電界強度がより高くな
ることにより提供され得る。このことは、バンプ間のギ
ャップＧ１が小さくなる程、バンプの腐蝕が顕著に発生
することと合致する。
【００２１】また、金属が固体状態を維持するよりもイ
オン化したほうが安定に存在し得る環境については、シ
ョート不良が高温多湿条件下における電圧印加試験にお
いてとりわけ問題となっていることから、特に、周囲雰
囲気に存在する水分がこのような環境の形成に寄与して
いるものと考える。本発明者らは、図２（ａ）および
（ｂ）に示す領域８１に、接合層７２’における他の領
域に比べて多くの水分が存在し易い環境が形成されるも
のと考えた。以下、このような領域８１を腐蝕環境とも
呼ぶものとする。
オン化したほうが安定に存在し得る環境については、シ
ョート不良が高温多湿条件下における電圧印加試験にお
いてとりわけ問題となっていることから、特に、周囲雰
囲気に存在する水分がこのような環境の形成に寄与して
いるものと考える。本発明者らは、図２（ａ）および
（ｂ）に示す領域８１に、接合層７２’における他の領
域に比べて多くの水分が存在し易い環境が形成されるも
のと考えた。以下、このような領域８１を腐蝕環境とも
呼ぶものとする。
【００２２】更に、本発明者らは、上記のような領域
（腐蝕環境）８１が、バンプ６５ａおよび６５ｂの角部
であって、ＩＣチップ７１の中央部分の下方側（または
方向Ｚにおける上流側）の部分に局在していることに着
目して、腐蝕環境８１の形成要因について検討した結
果、以下のような腐蝕環境の形成メカニズムを推定し
た。
（腐蝕環境）８１が、バンプ６５ａおよび６５ｂの角部
であって、ＩＣチップ７１の中央部分の下方側（または
方向Ｚにおける上流側）の部分に局在していることに着
目して、腐蝕環境８１の形成要因について検討した結
果、以下のような腐蝕環境の形成メカニズムを推定し
た。
【００２３】図１（ａ）および（ｂ）を参照して説明し
たように、ＩＣチップ７１を、ＡＣＦ７２を介してＦＰ
Ｃ基板７０に対して押圧し、押圧状態を維持したまま加
熱雰囲気に曝すことにより（即ち、熱圧着により）、Ｉ
Ｃチップ７１がＦＰＣ基板７０に実装される。ここで、
押圧後のＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０との間の空間
に対してＡＣＦ７２は一般に過剰量で存在するので、Ｉ
Ｃチップ７１をＦＰＣ基板７０に対して押圧する際に、
ＡＣＦ７２の連続層であるエポキシ樹脂６６（これは粘
性流体である）が電極対間のスペースを通って外部へ流
出し、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すＺ方向にエポ
キシ系樹脂６６の流れが生じる。エポキシ系樹脂６６に
加えて、エポキシ系樹脂６６中に分散している導電粒子
６７ならびに硬化剤および添加剤（共に図示せず）がこ
の流れに乗って輸送され得る。
たように、ＩＣチップ７１を、ＡＣＦ７２を介してＦＰ
Ｃ基板７０に対して押圧し、押圧状態を維持したまま加
熱雰囲気に曝すことにより（即ち、熱圧着により）、Ｉ
Ｃチップ７１がＦＰＣ基板７０に実装される。ここで、
押圧後のＩＣチップ７１とＦＰＣ基板７０との間の空間
に対してＡＣＦ７２は一般に過剰量で存在するので、Ｉ
Ｃチップ７１をＦＰＣ基板７０に対して押圧する際に、
ＡＣＦ７２の連続層であるエポキシ樹脂６６（これは粘
性流体である）が電極対間のスペースを通って外部へ流
出し、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すＺ方向にエポ
キシ系樹脂６６の流れが生じる。エポキシ系樹脂６６に
加えて、エポキシ系樹脂６６中に分散している導電粒子
６７ならびに硬化剤および添加剤（共に図示せず）がこ
の流れに乗って輸送され得る。
【００２４】市販のＡＣＦでは、一般的には、連続層を
成すエポキシ系樹脂６６としてビスフェノールＡグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂が用いられている他、平均
粒径が約３〜５μｍの導電粒子（これは一般的に粒径分
布が非常に狭く、個々の導電粒子が平均粒径と実質的に
同一の粒径を有するものとみなし得る）、２−メチルイ
ミダゾールから成る平均粒径が約３〜１０μｍの硬化剤
ならびにアクリロニトリル共重合体から成る平均粒径が
約３〜１０μｍの添加剤およびアクリル変性エポキシ樹
脂から成る平均粒径が約３〜１０μｍの別の添加剤など
の粒状材料が原料成分として使用されている。このた
め、バンプ間のギャップＧ１を約１０μｍとした場合、
比較的小さい粒径を有する導電粒子は電極対間のスペー
スを通過し得るが、硬化剤および添加剤のうちギャップ
Ｇ１と同等以上の粒径を有する粒子は、領域８１がネッ
ク部となってそこに詰まり得る。この状態のまま熱雰囲
気に曝してエポキシ系樹脂６６を熱硬化させて硬化エポ
キシ系樹脂６６’とすると、硬化剤および添加剤に由来
する成分が接合層７２’の領域８１において他の領域よ
りも過多に存在する。この結果、得られる接合層７２’
の組成はＺ方向を含む断面において不均質となる。
成すエポキシ系樹脂６６としてビスフェノールＡグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂が用いられている他、平均
粒径が約３〜５μｍの導電粒子（これは一般的に粒径分
布が非常に狭く、個々の導電粒子が平均粒径と実質的に
同一の粒径を有するものとみなし得る）、２−メチルイ
ミダゾールから成る平均粒径が約３〜１０μｍの硬化剤
ならびにアクリロニトリル共重合体から成る平均粒径が
約３〜１０μｍの添加剤およびアクリル変性エポキシ樹
脂から成る平均粒径が約３〜１０μｍの別の添加剤など
の粒状材料が原料成分として使用されている。このた
め、バンプ間のギャップＧ１を約１０μｍとした場合、
比較的小さい粒径を有する導電粒子は電極対間のスペー
スを通過し得るが、硬化剤および添加剤のうちギャップ
Ｇ１と同等以上の粒径を有する粒子は、領域８１がネッ
ク部となってそこに詰まり得る。この状態のまま熱雰囲
気に曝してエポキシ系樹脂６６を熱硬化させて硬化エポ
キシ系樹脂６６’とすると、硬化剤および添加剤に由来
する成分が接合層７２’の領域８１において他の領域よ
りも過多に存在する。この結果、得られる接合層７２’
の組成はＺ方向を含む断面において不均質となる。
【００２５】市販のＡＣＦにおいて、主剤のエポキシ系
樹脂として使用されているビスフェノールＡグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂および添加剤の１つとして使用
されているアクリル変性エポキシ樹脂は、いずれも約
０．０５〜０．０８％の同等程度の飽和給水率を有す
る。他方、硬化剤および別の添加剤としてそれぞれ使用
されている２−メチルイミダゾールおよびアクリロニト
リル共重合体の飽和吸水率は、各々約０．４％および約
０．３％であり、上記のようなエポキシ系樹脂（アクリ
ル変性したものを含む）の飽和吸水率よりも高い。２−
メチルイミダゾールの吸水性の高さは、疎水基であるメ
チル基が１つの分子に対して１つしかないことによるも
のであり、アクリロロニトリル共重合体の吸水性の高さ
は、親水基であるシアノ基（−ＣＮ）が１つの分子に対
して多く存在することによるものであると考えられる。
樹脂として使用されているビスフェノールＡグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂および添加剤の１つとして使用
されているアクリル変性エポキシ樹脂は、いずれも約
０．０５〜０．０８％の同等程度の飽和給水率を有す
る。他方、硬化剤および別の添加剤としてそれぞれ使用
されている２−メチルイミダゾールおよびアクリロニト
リル共重合体の飽和吸水率は、各々約０．４％および約
０．３％であり、上記のようなエポキシ系樹脂（アクリ
ル変性したものを含む）の飽和吸水率よりも高い。２−
メチルイミダゾールの吸水性の高さは、疎水基であるメ
チル基が１つの分子に対して１つしかないことによるも
のであり、アクリロロニトリル共重合体の吸水性の高さ
は、親水基であるシアノ基（−ＣＮ）が１つの分子に対
して多く存在することによるものであると考えられる。
【００２６】また、ビスフェノールＡグリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂およびアクリル変性エポキシ樹脂は、
いずれも３００℃以下の温度範囲では分解しないのに対
して、２−メチルイミダゾールは約１９８℃の分解温度
を有し、アクリロニトリル共重合体は約１８５℃の分解
温度を有する。熱圧着は、エポキシ系樹脂の硬化温度お
よびＩＣチップの耐熱温度等を考慮して、一般的に約１
８０〜２３０℃にて行なわれ、この熱圧着温度では、ビ
スフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂およ
びアクリル変性エポキシ樹脂は分解しない。他方、２−
メチルイミダゾールおよびアクリロニトリル共重合体は
熱圧着の際、場合によっては分解して、接合層７２’に
てイオン性の物質を生成する。分解生成物であるイオン
性物質は極性を有するため、親水性が高く、よって吸水
性が高いと考えられる。尚、本明細書を通じて、「熱圧
着温度」とは、押圧状態にて曝される周囲の加熱雰囲気
の温度を言うものとする。
ル型エポキシ樹脂およびアクリル変性エポキシ樹脂は、
いずれも３００℃以下の温度範囲では分解しないのに対
して、２−メチルイミダゾールは約１９８℃の分解温度
を有し、アクリロニトリル共重合体は約１８５℃の分解
温度を有する。熱圧着は、エポキシ系樹脂の硬化温度お
よびＩＣチップの耐熱温度等を考慮して、一般的に約１
８０〜２３０℃にて行なわれ、この熱圧着温度では、ビ
スフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂およ
びアクリル変性エポキシ樹脂は分解しない。他方、２−
メチルイミダゾールおよびアクリロニトリル共重合体は
熱圧着の際、場合によっては分解して、接合層７２’に
てイオン性の物質を生成する。分解生成物であるイオン
性物質は極性を有するため、親水性が高く、よって吸水
性が高いと考えられる。尚、本明細書を通じて、「熱圧
着温度」とは、押圧状態にて曝される周囲の加熱雰囲気
の温度を言うものとする。
【００２７】従って、２−メチルイミダゾールおよび／
またはアクリロニトリル共重合体が分解せずにそのまま
接合層７２’に存在する場合には、これら原料成分のも
ともとの吸水性の高さに起因して、上述の領域８１は、
接合層７２’の他の領域に比べて水分をトラップし易い
腐蝕環境となると考えられる。また、これらが分解して
イオン性物質を生成する場合には、該イオン性物質の吸
水性の高さに起因して、上述の領域８１は、接合層７
２’の他の領域に比べて水分をトラップし易い腐蝕環境
となると考えられる。
またはアクリロニトリル共重合体が分解せずにそのまま
接合層７２’に存在する場合には、これら原料成分のも
ともとの吸水性の高さに起因して、上述の領域８１は、
接合層７２’の他の領域に比べて水分をトラップし易い
腐蝕環境となると考えられる。また、これらが分解して
イオン性物質を生成する場合には、該イオン性物質の吸
水性の高さに起因して、上述の領域８１は、接合層７
２’の他の領域に比べて水分をトラップし易い腐蝕環境
となると考えられる。
【００２８】要約すれば、接合層７２’における腐蝕環
境８１の形成は、以下の２つの段階を経ると考えられ
る。 （１）電極対間のスペースに原料成分の粒子が詰まり；
そして（２）上記スペースに詰まった粒子を構成する原
料成分の材料のもともとの吸水性の高さおよび／または
その分解生成物の吸水性の高さに起因して、その場所に
腐蝕環境を形成する。
境８１の形成は、以下の２つの段階を経ると考えられ
る。 （１）電極対間のスペースに原料成分の粒子が詰まり；
そして（２）上記スペースに詰まった粒子を構成する原
料成分の材料のもともとの吸水性の高さおよび／または
その分解生成物の吸水性の高さに起因して、その場所に
腐蝕環境を形成する。
【００２９】以上のような２つの段階を経て形成された
腐蝕環境は、高温多湿条件下における電圧印加試験にお
いてより多くの水分をトラップし、バンプの腐蝕をもた
らす一方で、腐蝕環境にトラップされた水分は、その誘
電率が比較的高いことからバンプ間の電流パスとして機
能し、ショート不良を招き得ると考えられる。即ち、高
温多湿条件下における電圧印加試験において発生する、
隣接する電極対間でのショートは、電極対間のスペース
の近傍に上記のような腐蝕環境が形成されることに起因
すると考えられる。
腐蝕環境は、高温多湿条件下における電圧印加試験にお
いてより多くの水分をトラップし、バンプの腐蝕をもた
らす一方で、腐蝕環境にトラップされた水分は、その誘
電率が比較的高いことからバンプ間の電流パスとして機
能し、ショート不良を招き得ると考えられる。即ち、高
温多湿条件下における電圧印加試験において発生する、
隣接する電極対間でのショートは、電極対間のスペース
の近傍に上記のような腐蝕環境が形成されることに起因
すると考えられる。
【００３０】本発明者らは、以上のような知見に基づい
て、ＣＯＦ実装技術において利用され得る接合材料であ
って、これを用いて接合構造体を作製した際に、Ａｕバ
ンプ近傍における腐蝕環境の形成を緩和または抑制し、
好ましくは防止することのできる材料を実現するという
観点から、本発明を完成するに至った。
て、ＣＯＦ実装技術において利用され得る接合材料であ
って、これを用いて接合構造体を作製した際に、Ａｕバ
ンプ近傍における腐蝕環境の形成を緩和または抑制し、
好ましくは防止することのできる材料を実現するという
観点から、本発明を完成するに至った。
【００３１】以下、本発明により提供される種々の接合
材料について以下に詳述するが、これらはいずれも、装
着体に設けられた電極と被装着体に設けられた電極とが
導電接続された状態で、装着体と被装着体との間を接合
するための接合材料である。また、特に断わりのない限
り、本発明の接合材料は、熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹
脂に分散した硬化剤および添加剤とを原料成分として含
み、必要に応じて導電粒子を含み得るものである。この
ような熱硬化性樹脂を含む接合材料を用いる場合、接合
材料を装着体と被装着体との間に配置して熱圧着する
（または、押圧した状態で接合材料に熱を供給する）こ
とにより、接合材料に由来する（または接合材料ででき
ている）接合層を介して装着体と被装着体とを接合する
（または、装着体を被装着体に装着もしくは実装する）
ことができる。
材料について以下に詳述するが、これらはいずれも、装
着体に設けられた電極と被装着体に設けられた電極とが
導電接続された状態で、装着体と被装着体との間を接合
するための接合材料である。また、特に断わりのない限
り、本発明の接合材料は、熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹
脂に分散した硬化剤および添加剤とを原料成分として含
み、必要に応じて導電粒子を含み得るものである。この
ような熱硬化性樹脂を含む接合材料を用いる場合、接合
材料を装着体と被装着体との間に配置して熱圧着する
（または、押圧した状態で接合材料に熱を供給する）こ
とにより、接合材料に由来する（または接合材料ででき
ている）接合層を介して装着体と被装着体とを接合する
（または、装着体を被装着体に装着もしくは実装する）
ことができる。
【００３２】通常、装着体および被装着体に設けられる
電極はそれぞれに複数存在し、対を成すように（換言す
れば、１対１で対応するように）なっているが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。本明細書に
おいて、このような場合において、装着体に設けられた
１つの電極と、これと対を成すように被装着体に設けら
れた１つの電極とが導電接続されたものを、１対の電極
または電極対とも言うものとする。
電極はそれぞれに複数存在し、対を成すように（換言す
れば、１対１で対応するように）なっているが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。本明細書に
おいて、このような場合において、装着体に設けられた
１つの電極と、これと対を成すように被装着体に設けら
れた１つの電極とが導電接続されたものを、１対の電極
または電極対とも言うものとする。
【００３３】本発明の１つの要旨においては、熱硬化性
樹脂に分散した硬化剤および添加剤の各最大粒径が、い
ずれも、装着体に設けられた電極間の距離（例えば、バ
ンプ間のギャップ）および被装着体に設けられた電極間
の距離（例えば、ランド間のギャップ）のうちの最も小
さい距離よりも小さい接合材料が提供される。硬化剤お
よび添加剤の各最大粒径のうちの最も大きいもので、例
えば約１０μｍ未満、好ましくは約３〜８μｍとされ得
る。尚、本明細書において粒子とは、例えば球形、回転
楕円体形状および不定形などの任意の形状を有し得る粒
状物を言い、粒径とは、粒子が球形を有するとの仮定に
基づいて得られる粒子の寸法を言い、粒子から成る粒状
材料の平均粒径により代表され得る。粒子の集合物であ
る粒状材料の粒径分布は、レーザ回折・散乱法により求
めることができ、例えばレーザ回折式粒度分布測定装置
SALD-2100（（株）島津製作所製）を用いて求めるこ
とができる。よって、平均粒径は、そのようにして得ら
れる粒状材料の粒径分布から求められる数平均の粒径で
あり、最大粒径は、この粒状材料の粒径分布の最大値で
ある。上述の最大粒径と電極間の距離との大小の比較に
際して、このようにして測定される最大粒径を用いても
実際上、差し支えない。
樹脂に分散した硬化剤および添加剤の各最大粒径が、い
ずれも、装着体に設けられた電極間の距離（例えば、バ
ンプ間のギャップ）および被装着体に設けられた電極間
の距離（例えば、ランド間のギャップ）のうちの最も小
さい距離よりも小さい接合材料が提供される。硬化剤お
よび添加剤の各最大粒径のうちの最も大きいもので、例
えば約１０μｍ未満、好ましくは約３〜８μｍとされ得
る。尚、本明細書において粒子とは、例えば球形、回転
楕円体形状および不定形などの任意の形状を有し得る粒
状物を言い、粒径とは、粒子が球形を有するとの仮定に
基づいて得られる粒子の寸法を言い、粒子から成る粒状
材料の平均粒径により代表され得る。粒子の集合物であ
る粒状材料の粒径分布は、レーザ回折・散乱法により求
めることができ、例えばレーザ回折式粒度分布測定装置
SALD-2100（（株）島津製作所製）を用いて求めるこ
とができる。よって、平均粒径は、そのようにして得ら
れる粒状材料の粒径分布から求められる数平均の粒径で
あり、最大粒径は、この粒状材料の粒径分布の最大値で
ある。上述の最大粒径と電極間の距離との大小の比較に
際して、このようにして測定される最大粒径を用いても
実際上、差し支えない。
【００３４】上記のような接合材料によれば、硬化剤の
最大粒径および添加剤の最大粒径のうちのいずれか大き
いほう、即ち、硬化剤および添加剤のうちで最も大きい
粒子の粒径が、装着体側の電極間距離および被装着体側
の電極間距離のうちで最も小さい距離よりも小さい。こ
のような接合材料を用いて、上述のように熱圧着により
装着体と被装着体とを接合して接合構造体を作製すれ
ば、隣接する電極対間のスペースを粒子が通過すること
ができ、電極対間のスペースに通じるネック部（または
入口）に粒子が詰まらず、よって、接合材料に由来する
接合層に腐蝕環境が形成されることもないと考えられ
る。これにより、得られた接合構造体を高温多湿条件下
にて電圧印加試験に付しても、電極の腐蝕が効果的に抑
制されると共に、隣接する電極対間でのショートの発生
が低減される。従って、得られる接合構造体の信頼性を
高く維持することができる。
最大粒径および添加剤の最大粒径のうちのいずれか大き
いほう、即ち、硬化剤および添加剤のうちで最も大きい
粒子の粒径が、装着体側の電極間距離および被装着体側
の電極間距離のうちで最も小さい距離よりも小さい。こ
のような接合材料を用いて、上述のように熱圧着により
装着体と被装着体とを接合して接合構造体を作製すれ
ば、隣接する電極対間のスペースを粒子が通過すること
ができ、電極対間のスペースに通じるネック部（または
入口）に粒子が詰まらず、よって、接合材料に由来する
接合層に腐蝕環境が形成されることもないと考えられ
る。これにより、得られた接合構造体を高温多湿条件下
にて電圧印加試験に付しても、電極の腐蝕が効果的に抑
制されると共に、隣接する電極対間でのショートの発生
が低減される。従って、得られる接合構造体の信頼性を
高く維持することができる。
【００３５】電極対間のスペースを粒子が通過し得る粒
子径を選択するという本発明の本質的特徴を鑑みれば、
硬化剤および添加剤の他にも、接合材料中に粒子の形態
で存在し、かつ腐蝕環境を形成し得る性質を有する原料
成分の最大粒径もまた、電極間の距離よりも小さいこと
が好ましいことは、当業者には容易に理解されよう。
子径を選択するという本発明の本質的特徴を鑑みれば、
硬化剤および添加剤の他にも、接合材料中に粒子の形態
で存在し、かつ腐蝕環境を形成し得る性質を有する原料
成分の最大粒径もまた、電極間の距離よりも小さいこと
が好ましいことは、当業者には容易に理解されよう。
【００３６】本発明のもう１つの要旨によれば、接合材
料の各原料成分の飽和吸水率がいずれも約０．３％未
満、好ましくは約０〜０．２８％である接合材料が提供
される。尚、本発明において飽和給水率とは、ＡＳＴＭ
Ｄ−５７０に従って測定される値を言い、概略的に
は、常温常圧条件下で実質的に平衡状態にある、１０ｍ
ｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの大きさの原料成分のテストピー
スを、２３℃の温度の水中に２４時間浸漬したときの重
量の増加割合を求めることにより決定される。
料の各原料成分の飽和吸水率がいずれも約０．３％未
満、好ましくは約０〜０．２８％である接合材料が提供
される。尚、本発明において飽和給水率とは、ＡＳＴＭ
Ｄ−５７０に従って測定される値を言い、概略的に
は、常温常圧条件下で実質的に平衡状態にある、１０ｍ
ｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの大きさの原料成分のテストピー
スを、２３℃の温度の水中に２４時間浸漬したときの重
量の増加割合を求めることにより決定される。
【００３７】このような接合材料を用いて、上述のよう
に熱圧着により装着体と被装着体とを接合して接合構造
体を作製すれば、隣接する電極対間のスペースに硬化剤
または添加剤から成る粒子が詰まった場合でも、該粒子
自身の吸水性が比較的低く、詰まった粒子が位置する接
合層の領域に局所的にトラップされる水分が低減される
ので、腐蝕環境が形成され難くなると考えられる。これ
により、上記と同様の効果を得ることができる。
に熱圧着により装着体と被装着体とを接合して接合構造
体を作製すれば、隣接する電極対間のスペースに硬化剤
または添加剤から成る粒子が詰まった場合でも、該粒子
自身の吸水性が比較的低く、詰まった粒子が位置する接
合層の領域に局所的にトラップされる水分が低減される
ので、腐蝕環境が形成され難くなると考えられる。これ
により、上記と同様の効果を得ることができる。
【００３８】また、本発明のもう１つの要旨において
は、各原料成分の分解温度がいずれも、熱圧着温度より
高い接合材料が提供される。各原料成分の分解温度のう
ちの最も小さい分解温度は、例えば約２３０℃以上、好
ましくは約２５０℃以上であり得る。尚、本発明におい
て「分解温度」とは、加熱環境下において各原料成分の
材料の分子構造が壊れる温度を言うものとし、熱天秤を
用いる分析により重量変化が発生する温度として決定さ
れ得る。この温度における原料成分材料の分解は、例え
ば、その温度前後で該材料をＧＣ−ＭＳ（Gas chromato
graphy-Mass spectrometry）分析することにより確認で
きる。
は、各原料成分の分解温度がいずれも、熱圧着温度より
高い接合材料が提供される。各原料成分の分解温度のう
ちの最も小さい分解温度は、例えば約２３０℃以上、好
ましくは約２５０℃以上であり得る。尚、本発明におい
て「分解温度」とは、加熱環境下において各原料成分の
材料の分子構造が壊れる温度を言うものとし、熱天秤を
用いる分析により重量変化が発生する温度として決定さ
れ得る。この温度における原料成分材料の分解は、例え
ば、その温度前後で該材料をＧＣ−ＭＳ（Gas chromato
graphy-Mass spectrometry）分析することにより確認で
きる。
【００３９】上記のような接合材料を用いて、上述のよ
うに熱圧着により装着体と被装着体とを接合して接合構
造体を作製すれば、隣接する電極対間のスペースに硬化
剤または添加剤から成る粒子が詰まった場合でも、該粒
子自身が熱圧着の際に分解せず、よって、極性部分を有
するイオン性物質が分解生成物として生成されず、詰ま
った粒子が位置する接合層の領域に局所的にトラップさ
れる水分が低減されるので、腐蝕環境が形成され難くな
ると考えられる。これにより、上記と同様の効果を得る
ことができる。
うに熱圧着により装着体と被装着体とを接合して接合構
造体を作製すれば、隣接する電極対間のスペースに硬化
剤または添加剤から成る粒子が詰まった場合でも、該粒
子自身が熱圧着の際に分解せず、よって、極性部分を有
するイオン性物質が分解生成物として生成されず、詰ま
った粒子が位置する接合層の領域に局所的にトラップさ
れる水分が低減されるので、腐蝕環境が形成され難くな
ると考えられる。これにより、上記と同様の効果を得る
ことができる。
【００４０】尚、上記のような種々の本発明の接合材料
において、各原料成分のうちの粒状材料（より詳細には
硬化剤および添加剤）の粒子径ならびに各原料成分の飽
和吸水率および分解温度に関するそれぞれの特徴は個々
に実現され得るが、もちろん、これら３つの特徴の少な
くとも２つを任意の組合せで実現するほうが好ましいこ
とは容易に理解されよう。例えば、各原料成分のうちの
粒状材料の粒子径に関する特徴と各原料成分の分解温度
に関する特徴とを組合せること、また、各原料成分の分
解温度に関する特徴と各原料成分の飽和吸水率に関する
特徴とを組合せること、各原料成分の飽和吸水率に関す
る特徴と各原料成分のうちの粒状材料の粒子径に関する
特徴とを組合せることが好ましい。更に、これら３つの
特徴の全てを組合せることがより好ましい。
において、各原料成分のうちの粒状材料（より詳細には
硬化剤および添加剤）の粒子径ならびに各原料成分の飽
和吸水率および分解温度に関するそれぞれの特徴は個々
に実現され得るが、もちろん、これら３つの特徴の少な
くとも２つを任意の組合せで実現するほうが好ましいこ
とは容易に理解されよう。例えば、各原料成分のうちの
粒状材料の粒子径に関する特徴と各原料成分の分解温度
に関する特徴とを組合せること、また、各原料成分の分
解温度に関する特徴と各原料成分の飽和吸水率に関する
特徴とを組合せること、各原料成分の飽和吸水率に関す
る特徴と各原料成分のうちの粒状材料の粒子径に関する
特徴とを組合せることが好ましい。更に、これら３つの
特徴の全てを組合せることがより好ましい。
【００４１】また、上述したように、上記のような本発
明の接合材料を得るに至る過程において、本発明者ら
は、硬化剤として従来から一般的に使用されている２−
メチルイミダゾールが、腐蝕環境の形成に寄与している
ことを見出した。このような知見に基づけば、２−メチ
ルイミダゾールを除く１種またはそれ以上の化合物を、
熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤として含む接合材料が
提供される。
明の接合材料を得るに至る過程において、本発明者ら
は、硬化剤として従来から一般的に使用されている２−
メチルイミダゾールが、腐蝕環境の形成に寄与している
ことを見出した。このような知見に基づけば、２−メチ
ルイミダゾールを除く１種またはそれ以上の化合物を、
熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤として含む接合材料が
提供される。
【００４２】更に、同じく上述したように、本発明者ら
は、熱ストレスを緩和するための添加剤として従来から
一般的に使用されているアクリロニトリル共重合体が腐
蝕環境の形成に寄与し、特にそのシアノ基が腐蝕環境の
形成に関与していることを見出した。このような知見に
基づけば、シアノ基を含む化合物を除く、例えばアクリ
ロニトリル共重合体を除く、１種またはそれ以上の化合
物を添加剤として含む接合材料が提供される。
は、熱ストレスを緩和するための添加剤として従来から
一般的に使用されているアクリロニトリル共重合体が腐
蝕環境の形成に寄与し、特にそのシアノ基が腐蝕環境の
形成に関与していることを見出した。このような知見に
基づけば、シアノ基を含む化合物を除く、例えばアクリ
ロニトリル共重合体を除く、１種またはそれ以上の化合
物を添加剤として含む接合材料が提供される。
【００４３】もちろん、本発明の接合材料において、２
−メチルイミダゾールおよびシアノ基を含む化合物（例
えばアクリロニトリル共重合体）の双方を排除すること
が好ましいが、少なくともいずれか一方を排除すること
により、従来の接合材料（例えば市販のＡＣＦ）を用い
る場合よりも、電極の腐蝕を効果的に抑制すると共に、
隣接する電極対間でのショートの発生を低減し、従っ
て、得られる接合構造体の信頼性を高く維持することが
できる。
−メチルイミダゾールおよびシアノ基を含む化合物（例
えばアクリロニトリル共重合体）の双方を排除すること
が好ましいが、少なくともいずれか一方を排除すること
により、従来の接合材料（例えば市販のＡＣＦ）を用い
る場合よりも、電極の腐蝕を効果的に抑制すると共に、
隣接する電極対間でのショートの発生を低減し、従っ
て、得られる接合構造体の信頼性を高く維持することが
できる。
【００４４】本発明において使用され得る硬化剤は、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールおよび
１−ベンジル−２−メチルイミダゾールからなる群から
選択される少なくとも１種の化合物を含み、好ましくは
２−フェニル−４−メチルイミダゾールである。
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールおよび
１−ベンジル−２−メチルイミダゾールからなる群から
選択される少なくとも１種の化合物を含み、好ましくは
２−フェニル−４−メチルイミダゾールである。
【００４５】また、本発明において使用され得る添加剤
は、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン樹脂およびブ
タジエン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種
の化合物を含み、好ましくはスチレン−ブタジエン樹脂
である。また、このような添加剤とは別に、アクリル変
性エポキシ樹脂を添加剤として更に用いてもよい。
は、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン樹脂およびブ
タジエン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種
の化合物を含み、好ましくはスチレン−ブタジエン樹脂
である。また、このような添加剤とは別に、アクリル変
性エポキシ樹脂を添加剤として更に用いてもよい。
【００４６】加えて、本発明において使用され得る熱硬
化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂であり、より詳細に
は、ビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、アルキ
ル多価フェノールエポキシ樹脂および多官能ポリフェノ
ールエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも
１種の化合物を含み、好ましくはビスフェノールＡグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂のいずれかまたはこれらの１種以上の混
合物である。本発明の接合材料に含まれる熱硬化性樹脂
は、一般に接着剤における主剤に相当し得る。
化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂であり、より詳細に
は、ビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、アルキ
ル多価フェノールエポキシ樹脂および多官能ポリフェノ
ールエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも
１種の化合物を含み、好ましくはビスフェノールＡグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂のいずれかまたはこれらの１種以上の混
合物である。本発明の接合材料に含まれる熱硬化性樹脂
は、一般に接着剤における主剤に相当し得る。
【００４７】熱硬化性樹脂、硬化剤および添加剤の好ま
しい組合せ（熱硬化性樹脂；硬化剤；添加剤）は、（ビ
スフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；２
−フェニル−４−メチルイミダゾール；スチレン−ブタ
ジエン樹脂）、（ビスフェノールＦグリシジルエーテル
型エポキシ樹脂；２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル；スチレン−ブタジエン樹脂）および（ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂；２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール；スチレン−ブタジエン樹脂）である。
しい組合せ（熱硬化性樹脂；硬化剤；添加剤）は、（ビ
スフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；２
−フェニル−４−メチルイミダゾール；スチレン−ブタ
ジエン樹脂）、（ビスフェノールＦグリシジルエーテル
型エポキシ樹脂；２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル；スチレン−ブタジエン樹脂）および（ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂；２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール；スチレン−ブタジエン樹脂）である。
【００４８】上述のような本発明の接合材料に加えて、
材料設計の観点から見れば、装着体に設けられた電極と
被装着体に設けられた電極とが導電接続された状態で、
装着体と被装着体との間を接合するために用いられる、
熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤および
添加剤とを原料成分として含む接合材料の設計方法であ
って、添加剤として、シアノ基を有する化合物を除く化
合物を選択し、および／または、硬化剤として、２−メ
チルイミダゾールを除く化合物を選択することを特徴と
する設計方法も提供され得る。
材料設計の観点から見れば、装着体に設けられた電極と
被装着体に設けられた電極とが導電接続された状態で、
装着体と被装着体との間を接合するために用いられる、
熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤および
添加剤とを原料成分として含む接合材料の設計方法であ
って、添加剤として、シアノ基を有する化合物を除く化
合物を選択し、および／または、硬化剤として、２−メ
チルイミダゾールを除く化合物を選択することを特徴と
する設計方法も提供され得る。
【００４９】更に、上記のような接合材料の別の設計方
法であって、高温多湿条件下における電圧印加試験の評
価結果に基づいて、各原料成分の材料を選択することを
特徴とする設計方法もまた提供され得る。尚、本発明に
おいて「高温多湿条件」とは、温度約３０〜９０℃およ
び湿度約６０〜１００％の条件を言うものであり、「電
圧印加試験」とは、例えば約１〜１０Ｖの電圧を約２４
〜１０００時間（通常２４０〜１０００時間、好ましく
は１０００時間）に亘って印加する試験を言うものとす
る。
法であって、高温多湿条件下における電圧印加試験の評
価結果に基づいて、各原料成分の材料を選択することを
特徴とする設計方法もまた提供され得る。尚、本発明に
おいて「高温多湿条件」とは、温度約３０〜９０℃およ
び湿度約６０〜１００％の条件を言うものであり、「電
圧印加試験」とは、例えば約１〜１０Ｖの電圧を約２４
〜１０００時間（通常２４０〜１０００時間、好ましく
は１０００時間）に亘って印加する試験を言うものとす
る。
【００５０】より具体的には、例えば、約５〜２０μｍ
の電極間ギャップとなるように接合材料を用いて２つの
電極を熱圧着し、これら電極に上記のような条件下にて
電圧を印加してショートが起こるかどうかを接合材料の
原料成分を種々に変更して調べ、ショートが起こった場
合には、用いた接合材料の原料成分の組合せが不適であ
ると評価し、起こらなかった場合には、用いた原料成分
の組合せが適切であると評価する。あるいは、接合材料
を用いて、例えば、バンプ間ギャップが約５〜２０μｍ
であるＩＣチップを用いて接合構造体（例えばＬＣＤモ
ジュール）を作製し、上記と同様にしてショートが起こ
るか否かにより、用いた接合材料の原料成分の組合せを
評価する。このような評価により、接合材料に用いる原
料成分の適切な組合せを調べ、その組合せを用いて接合
材料を設計する。
の電極間ギャップとなるように接合材料を用いて２つの
電極を熱圧着し、これら電極に上記のような条件下にて
電圧を印加してショートが起こるかどうかを接合材料の
原料成分を種々に変更して調べ、ショートが起こった場
合には、用いた接合材料の原料成分の組合せが不適であ
ると評価し、起こらなかった場合には、用いた原料成分
の組合せが適切であると評価する。あるいは、接合材料
を用いて、例えば、バンプ間ギャップが約５〜２０μｍ
であるＩＣチップを用いて接合構造体（例えばＬＣＤモ
ジュール）を作製し、上記と同様にしてショートが起こ
るか否かにより、用いた接合材料の原料成分の組合せを
評価する。このような評価により、接合材料に用いる原
料成分の適切な組合せを調べ、その組合せを用いて接合
材料を設計する。
【００５１】上記のような設計方法によって得られる接
合材料もまた、本発明の範囲に包含される。
合材料もまた、本発明の範囲に包含される。
【００５２】以上、説明したような本発明の接合材料
は、例えばフィルム状およびペースト状などの任意の適
切な形態を有し得、導電粒子を含まない場合には異方性
導電材料（より詳細にはＡＣＦまたはＡＣＰなど）に相
当し、導電粒子を含む場合には導電材料（より詳細には
ＮＣＦまたはＮＣＰなど）に相当するものとして当業者
には理解されよう。導電粒子は、熱圧着温度程度までの
温度変化に対して熱的に安定であり、水分を吸収しない
ので腐蝕環境の形成に寄与せず、また、一般に電極間距
離よりも十分に小さい粒径を有することから、特に問題
とならず、従来と実質的に同様の導電粒子を用いること
ができる。
は、例えばフィルム状およびペースト状などの任意の適
切な形態を有し得、導電粒子を含まない場合には異方性
導電材料（より詳細にはＡＣＦまたはＡＣＰなど）に相
当し、導電粒子を含む場合には導電材料（より詳細には
ＮＣＦまたはＮＣＰなど）に相当するものとして当業者
には理解されよう。導電粒子は、熱圧着温度程度までの
温度変化に対して熱的に安定であり、水分を吸収しない
ので腐蝕環境の形成に寄与せず、また、一般に電極間距
離よりも十分に小さい粒径を有することから、特に問題
とならず、従来と実質的に同様の導電粒子を用いること
ができる。
【００５３】尚、本発明において「電極」とは、導電接
続されるべき導体材料から成るものであって、一般に電
極と呼ばれているものを言うだけでなく、例えば、いわ
ゆるバンプ、ランド（または配線パターン）およびリー
ドなどをも言うものである。電極を構成する導電材料に
ついては、後述するように、金または他の適切な材料で
あってよい。
続されるべき導体材料から成るものであって、一般に電
極と呼ばれているものを言うだけでなく、例えば、いわ
ゆるバンプ、ランド（または配線パターン）およびリー
ドなどをも言うものである。電極を構成する導電材料に
ついては、後述するように、金または他の適切な材料で
あってよい。
【００５４】また、「装着体」および「被装着体」と
は、このような電極が形成され、互いに接合されるべき
物体を言うものである。装着体は、被装着体に装着また
は実装されるものとして理解されるが、互いに接合され
るべき物体のいずれを装着体または被装着体として考え
てもよいことに留意されるべきである。
は、このような電極が形成され、互いに接合されるべき
物体を言うものである。装着体は、被装着体に装着また
は実装されるものとして理解されるが、互いに接合され
るべき物体のいずれを装着体または被装着体として考え
てもよいことに留意されるべきである。
【００５５】例えば、装着体は、ＩＣチップ、ＣＳＰ
（Chip Size Package）部品および表示パネルの基板な
どであり得る。この場合、装着体が装着（または接合）
される被装着体は、ＦＰＣ基板、ガラスエポキシ基板、
アラミド不織布エポキシ基板、紙フェノール基板、紙エ
ポキシ基板およびセラミック基板（例えばアルミナ基
板、ガラスアルミナ基板、窒化アルミニウム基板、窒化
シリコン基板およびシリコン基板など）などであり得
る。
（Chip Size Package）部品および表示パネルの基板な
どであり得る。この場合、装着体が装着（または接合）
される被装着体は、ＦＰＣ基板、ガラスエポキシ基板、
アラミド不織布エポキシ基板、紙フェノール基板、紙エ
ポキシ基板およびセラミック基板（例えばアルミナ基
板、ガラスアルミナ基板、窒化アルミニウム基板、窒化
シリコン基板およびシリコン基板など）などであり得
る。
【００５６】また、例えば、装着体はＩＣチップおよび
ＣＳＰ（Chip Size Package）部品などであり得る。こ
の場合、装着体が装着される被装着体は、表示パネルの
基板などであり得る。
ＣＳＰ（Chip Size Package）部品などであり得る。こ
の場合、装着体が装着される被装着体は、表示パネルの
基板などであり得る。
【００５７】本発明に利用され得るＩＣチップには、シ
リコンならびにＧａＡｓおよびＩｎＰなどの化合物半導
体などから成る基板に回路素子を集積したものなどが含
まれる。また、ＣＳＰ部品には、ウェハレベルＣＳＰな
どが含まれる。ＦＰＣ基板には、例えばポリイミド、ポ
リエチレンテレフタレートおよびスチレンなどから成る
可撓性の基板に上記電極が形成されたものなどが含まれ
る。表示パネルには、ＬＣＤパネル、ＰＤＰ（Plasma D
isplay Panel）およびＥＬ（Electro Luminescence）パ
ネルなどが含まれる。表示パネルの基板は、例えばガラ
ス基板などであり得る。
リコンならびにＧａＡｓおよびＩｎＰなどの化合物半導
体などから成る基板に回路素子を集積したものなどが含
まれる。また、ＣＳＰ部品には、ウェハレベルＣＳＰな
どが含まれる。ＦＰＣ基板には、例えばポリイミド、ポ
リエチレンテレフタレートおよびスチレンなどから成る
可撓性の基板に上記電極が形成されたものなどが含まれ
る。表示パネルには、ＬＣＤパネル、ＰＤＰ（Plasma D
isplay Panel）およびＥＬ（Electro Luminescence）パ
ネルなどが含まれる。表示パネルの基板は、例えばガラ
ス基板などであり得る。
【００５８】本発明の上記接合材料は、例えば、ＣＯＦ
実装技術によりＦＰＣ基板にＩＣチップを実装するため
の接合材料として好適に利用され得る。また、本発明の
上記接合材料は、ＣＯＧ実装技術によりガラス基板にＩ
Ｃチップを実装するための接合材料としても好適に利用
され得る。しかし、本発明はこれに限定されず、本発明
の範囲を逸脱しない限り、種々の広範な用途に使用され
得ることは当業者には容易に理解されよう。
実装技術によりＦＰＣ基板にＩＣチップを実装するため
の接合材料として好適に利用され得る。また、本発明の
上記接合材料は、ＣＯＧ実装技術によりガラス基板にＩ
Ｃチップを実装するための接合材料としても好適に利用
され得る。しかし、本発明はこれに限定されず、本発明
の範囲を逸脱しない限り、種々の広範な用途に使用され
得ることは当業者には容易に理解されよう。
【００５９】本発明の接合材料は、装着体および被装着
体の少なくとも一方の電極が金（Ａｕ）から成るか、金
でめっきされた場合に適するが、本発明はこれに限定さ
れず、電極は、腐蝕が問題となり得るような他の材料、
例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム
（Ａｌ）およびＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）などか
ら成っていてよい。
体の少なくとも一方の電極が金（Ａｕ）から成るか、金
でめっきされた場合に適するが、本発明はこれに限定さ
れず、電極は、腐蝕が問題となり得るような他の材料、
例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム
（Ａｌ）およびＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）などか
ら成っていてよい。
【００６０】また、本発明の接合材料は電極間の距離が
約１０μｍ以下、例えば約５〜１０μｍである場合に好
適に利用され得る。例えば、複数のバンプとランドとを
それぞれ対を成して導電接続する場合、バンプ間の距離
（即ちバンプ間ギャップ）は約５〜１０μｍ、バンプの
ピッチは約３５〜７０μｍ、バンプの高さは約１０〜２
５μｍとされ得、また、ランド間の距離（即ちランド間
ギャップ）は約２０〜５０μｍ、ランドのピッチはバン
プのピッチと同じく約３５〜７０μｍ、ランドの高さは
約３〜１８μｍとされ得る。尚、これらの数値は例示で
あり、本発明を限定するものではないことに留意された
い。
約１０μｍ以下、例えば約５〜１０μｍである場合に好
適に利用され得る。例えば、複数のバンプとランドとを
それぞれ対を成して導電接続する場合、バンプ間の距離
（即ちバンプ間ギャップ）は約５〜１０μｍ、バンプの
ピッチは約３５〜７０μｍ、バンプの高さは約１０〜２
５μｍとされ得、また、ランド間の距離（即ちランド間
ギャップ）は約２０〜５０μｍ、ランドのピッチはバン
プのピッチと同じく約３５〜７０μｍ、ランドの高さは
約３〜１８μｍとされ得る。尚、これらの数値は例示で
あり、本発明を限定するものではないことに留意された
い。
【００６１】更に、本発明の別の要旨によれば、上述の
ような本発明の接合材料を用いて、装着体に設けられた
電極と被装着体に設けられた電極とが導電接続された状
態で、接合材料に由来する接合層を介して装着体と被装
着体とが接合された接合構造体（または接合モジュー
ル）が提供され得る。これは、より詳細には、接合材料
を装着体と被装着体との間に配置して熱圧着することに
より得ることができる。
ような本発明の接合材料を用いて、装着体に設けられた
電極と被装着体に設けられた電極とが導電接続された状
態で、接合材料に由来する接合層を介して装着体と被装
着体とが接合された接合構造体（または接合モジュー
ル）が提供され得る。これは、より詳細には、接合材料
を装着体と被装着体との間に配置して熱圧着することに
より得ることができる。
【００６２】加えて、従来の接合材料を用いて、装着体
に設けられた電極と被装着体に設けられた電極とが対を
成して導電接続された状態で装着体と被装着体とが接合
される場合、１対の電極と、該１対の電極に隣接するも
う１対の電極とを隔離する面内において、添加剤および
／または硬化剤に由来する成分が局所的に過多に存在す
ることにより、接合層が不均質な組成を有し、この結
果、腐蝕環境が局所的に形成され、ひいては電極の腐蝕
を招くと考えることもできる。ここで、１対の電極と、
これに隣接するもう１対の電極とを隔離する「面」は、
例えば、図２（ｂ）の紙面に垂直な面であって、図中の
点線を含む面に相当し得る。このような観点から見れ
ば、本発明の別の要旨においては、接合層が該面内にお
いて均質な組成を有する（換言すれば、該面内で一様な
組成分布を有する）接合構造体が提供される。
に設けられた電極と被装着体に設けられた電極とが対を
成して導電接続された状態で装着体と被装着体とが接合
される場合、１対の電極と、該１対の電極に隣接するも
う１対の電極とを隔離する面内において、添加剤および
／または硬化剤に由来する成分が局所的に過多に存在す
ることにより、接合層が不均質な組成を有し、この結
果、腐蝕環境が局所的に形成され、ひいては電極の腐蝕
を招くと考えることもできる。ここで、１対の電極と、
これに隣接するもう１対の電極とを隔離する「面」は、
例えば、図２（ｂ）の紙面に垂直な面であって、図中の
点線を含む面に相当し得る。このような観点から見れ
ば、本発明の別の要旨においては、接合層が該面内にお
いて均質な組成を有する（換言すれば、該面内で一様な
組成分布を有する）接合構造体が提供される。
【００６３】本発明により提供される接合材料および接
合構造体は、例えば、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤ
Ａ：Personal Digital Assistance）およびノート型Ｐ
Ｃなどの携帯型電子機器などの種々の電子機器などに利
用され得るであろう。
合構造体は、例えば、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤ
Ａ：Personal Digital Assistance）およびノート型Ｐ
Ｃなどの携帯型電子機器などの種々の電子機器などに利
用され得るであろう。
【００６４】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の１つの実
施形態について図面を参照しながら以下に説明する。
施形態について図面を参照しながら以下に説明する。
【００６５】本実施形態においては、以下の表１に示す
ような原料成分を用いるものとした。表１に示す原料成
分は、市販のＡＣＦと同様の材料から成るが、各添加剤
および硬化剤の粒径（特に、最大粒径）が異なるもので
ある。また、導電粒子を除く原料成分の物性を表２に示
す。
ような原料成分を用いるものとした。表１に示す原料成
分は、市販のＡＣＦと同様の材料から成るが、各添加剤
および硬化剤の粒径（特に、最大粒径）が異なるもので
ある。また、導電粒子を除く原料成分の物性を表２に示
す。
【００６６】
【表１】
【００６７】
【表２】
【００６８】このような熱硬化性樹脂（主剤）、添加剤
Ａ、添加剤Ｂおよび硬化剤を、約７７．５：１．５：
１．５：１９．５の割合（重量％）で合わせると共に、
導電粒子を添加して混合した。得られた材料は、そのま
まではペースト状の形態を有し得て異方性導電ペースト
として使用され得るが、本実施形態においては、テープ
状のセパレータに塗布してフィルム状の形態とすること
により異方性導電フィルムを得た。
Ａ、添加剤Ｂおよび硬化剤を、約７７．５：１．５：
１．５：１９．５の割合（重量％）で合わせると共に、
導電粒子を添加して混合した。得られた材料は、そのま
まではペースト状の形態を有し得て異方性導電ペースト
として使用され得るが、本実施形態においては、テープ
状のセパレータに塗布してフィルム状の形態とすること
により異方性導電フィルムを得た。
【００６９】以上のようにして、本実施形態の接合材料
として異方性導電フィルムが得られた。
として異方性導電フィルムが得られた。
【００７０】次に、得られた異方性導電フィルムを用い
て、装着体を被装着体に接合した。本実施形態において
も、図１（ａ）および（ｂ）を参照して上述したような
ＩＣチップおよびＦＰＣ基板を装着体および被装着体と
してそれぞれ用い、従来の製造方法と同様にして、ＩＣ
チップとＦＰＣ基板とが接合された接合構造体を得るこ
とができた。
て、装着体を被装着体に接合した。本実施形態において
も、図１（ａ）および（ｂ）を参照して上述したような
ＩＣチップおよびＦＰＣ基板を装着体および被装着体と
してそれぞれ用い、従来の製造方法と同様にして、ＩＣ
チップとＦＰＣ基板とが接合された接合構造体を得るこ
とができた。
【００７１】より詳細には、まず、ＦＰＣ基板の所定の
領域に異方性導電フィルムを配置した。次に、ＦＰＣ基
板とＩＣチップとをアライメントして、ＩＣチップのバ
ンプとＦＰＣ基板のランドとを対向配置させ、ＩＣチッ
プをＦＰＣ基板に対して押圧して仮実装した。その後、
押圧状態を維持したままこれらを加熱雰囲気に曝して、
約１８０℃より高く、約２３０℃未満の熱圧着温度にて
熱圧着することにより異方性導電フィルムに熱を供給し
て、その内部で熱硬化を進行させた。これにより、ＩＣ
チップに設けられたバンプ（電極）とＦＰＣ基板に設け
られたランド（電極）とが対を成して導電接続された状
態で、本実施形態の異方性導電フィルムに由来する接合
層を介して、ＩＣチップがＦＰＣ基板に接合（または実
装）された接合構造体を得ることができた。
領域に異方性導電フィルムを配置した。次に、ＦＰＣ基
板とＩＣチップとをアライメントして、ＩＣチップのバ
ンプとＦＰＣ基板のランドとを対向配置させ、ＩＣチッ
プをＦＰＣ基板に対して押圧して仮実装した。その後、
押圧状態を維持したままこれらを加熱雰囲気に曝して、
約１８０℃より高く、約２３０℃未満の熱圧着温度にて
熱圧着することにより異方性導電フィルムに熱を供給し
て、その内部で熱硬化を進行させた。これにより、ＩＣ
チップに設けられたバンプ（電極）とＦＰＣ基板に設け
られたランド（電極）とが対を成して導電接続された状
態で、本実施形態の異方性導電フィルムに由来する接合
層を介して、ＩＣチップがＦＰＣ基板に接合（または実
装）された接合構造体を得ることができた。
【００７２】ここで、ＩＣチップのバンプのピッチおよ
びＦＰＣ基板のランドのピッチは約５０μｍとし、バン
プ間のギャップは約１０μｍ、ランド間のギャップはバ
ンプ間のギャップより大きい約２５μｍとした。また、
バンプおよびランドの高さはそれぞれ約１５μｍおよび
約１２μｍとした。バンプはＡｕから成り、ランドはＣ
ｕ／Ａｕから成るものとした。
びＦＰＣ基板のランドのピッチは約５０μｍとし、バン
プ間のギャップは約１０μｍ、ランド間のギャップはバ
ンプ間のギャップより大きい約２５μｍとした。また、
バンプおよびランドの高さはそれぞれ約１５μｍおよび
約１２μｍとした。バンプはＡｕから成り、ランドはＣ
ｕ／Ａｕから成るものとした。
【００７３】従って、表１を参照して、添加剤Ａ、添加
剤Ｂおよび硬化剤の各最大粒径のいずれもが、ランド間
のギャップ、更にはバンプ間のギャップよりも小さかっ
た。
剤Ｂおよび硬化剤の各最大粒径のいずれもが、ランド間
のギャップ、更にはバンプ間のギャップよりも小さかっ
た。
【００７４】このようにして得られる接合構造体は、図
１（ｂ）に示す従来の接合構造体と同様の構造を有す
る。しかし、本実施形態によれば添加剤Ａ、添加剤Ｂお
よび硬化剤のいずれもが電極対間のスペースの入口に詰
まらないので、１つの電極対と、これに隣接するもう１
つの電極対とを隔離する面内において、接合層が実質的
に均質な組成を有する点において、従来の接合構造体と
異なる。
１（ｂ）に示す従来の接合構造体と同様の構造を有す
る。しかし、本実施形態によれば添加剤Ａ、添加剤Ｂお
よび硬化剤のいずれもが電極対間のスペースの入口に詰
まらないので、１つの電極対と、これに隣接するもう１
つの電極対とを隔離する面内において、接合層が実質的
に均質な組成を有する点において、従来の接合構造体と
異なる。
【００７５】以上のようにして得られた接合構造体を、
温度約６０℃および湿度約９０％の高温多湿条件下に
て、約３．５Ｖの電圧を約２４０時間に亘って印加する
電圧印加試験に付しても、隣接する電極対間におけるシ
ョートは発生しなかった。また、試験後の接合構造体を
調べたが、ＩＣチップのランドの腐蝕は認められなかっ
た。
温度約６０℃および湿度約９０％の高温多湿条件下に
て、約３．５Ｖの電圧を約２４０時間に亘って印加する
電圧印加試験に付しても、隣接する電極対間におけるシ
ョートは発生しなかった。また、試験後の接合構造体を
調べたが、ＩＣチップのランドの腐蝕は認められなかっ
た。
【００７６】本実施形態においては、熱硬化性樹脂とし
てビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂
を用いるものとしたが、これに代えて、ビスフェノール
Ｆグリシジルエーテル型エポキシ樹脂またはビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂を用いてもよい。これら樹脂も、
ビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂と
同程度の飽和吸水率および分解温度を有し得る。
てビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂
を用いるものとしたが、これに代えて、ビスフェノール
Ｆグリシジルエーテル型エポキシ樹脂またはビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂を用いてもよい。これら樹脂も、
ビスフェノールＡグリシジルエーテル型エポキシ樹脂と
同程度の飽和吸水率および分解温度を有し得る。
【００７７】（実施形態２）本実施形態においては、以
下の表３に示す原料成分を用いた点を除いて実施形態１
と同様にして異方性導電フィルムを得た。また、導電粒
子を除く原料成分の物性を表４に示す。
下の表３に示す原料成分を用いた点を除いて実施形態１
と同様にして異方性導電フィルムを得た。また、導電粒
子を除く原料成分の物性を表４に示す。
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
【００８０】表３より、導電粒子、添加剤および硬化剤
として、各最大粒径のいずれもが、バンプ間のギャップ
よりも小さいものを用いた。また、表４より、用いた各
原料成分の飽和吸水率はいずれも０．３％未満であり、
分解温度はいずれも熱圧着温度よりも高い２３０℃以上
であった。
として、各最大粒径のいずれもが、バンプ間のギャップ
よりも小さいものを用いた。また、表４より、用いた各
原料成分の飽和吸水率はいずれも０．３％未満であり、
分解温度はいずれも熱圧着温度よりも高い２３０℃以上
であった。
【００８１】本実施形態においては、熱硬化性樹脂（主
剤）、添加剤および硬化剤の割合を、約６０：１３：２
７（重量％）とした。
剤）、添加剤および硬化剤の割合を、約６０：１３：２
７（重量％）とした。
【００８２】得られた異方性導電フィルムを用いて、実
施形態１と同様にしてＩＣチップとＦＰＣ基板とが接合
された接合構造体を得ることができた。得られた接合構
造体を実施形態１と同様の高温多湿条件下における電圧
印加試験に付したが、隣接する電極対間におけるショー
トは発生しなかった。また、試験後の接合構造体を調べ
たが、ＩＣチップのランドの腐蝕は認められなかった。
施形態１と同様にしてＩＣチップとＦＰＣ基板とが接合
された接合構造体を得ることができた。得られた接合構
造体を実施形態１と同様の高温多湿条件下における電圧
印加試験に付したが、隣接する電極対間におけるショー
トは発生しなかった。また、試験後の接合構造体を調べ
たが、ＩＣチップのランドの腐蝕は認められなかった。
【００８３】本実施形態においても、実施形態１と同様
に他の熱硬化性樹脂を用いるものとしてもよい。
に他の熱硬化性樹脂を用いるものとしてもよい。
【００８４】以上、本発明の２つの実施形態について上
述したが、各原料成分の混合割合、熱圧着条件などにつ
いて適宜変更して利用することは、当業者であれば可能
であろう。また、導電粒子には、当該技術分野において
既知の任意の適切な粒子を用い得る。
述したが、各原料成分の混合割合、熱圧着条件などにつ
いて適宜変更して利用することは、当業者であれば可能
であろう。また、導電粒子には、当該技術分野において
既知の任意の適切な粒子を用い得る。
【００８５】
【発明の効果】本発明の接合材料によれば、（１）硬化
剤および添加剤の各最大粒径が、いずれも、装着体に設
けられた電極間の距離および被装着体に設けられた電極
間の距離のうちの最も小さい距離よりも小さく；（２）
各原料成分の飽和吸水率がいずれも０．３％未満であ
り；および／または（３）各原料成分の分解温度がいず
れも、熱圧着温度より高い。このような接合材料によれ
ば、該接合材料を用いて狭ピッチの電極の導電接続を確
保しつつ装着体と被装着体との間を接合して接合構造体
を作製する場合であっても、電極対間のスペースの近傍
に位置する接合層の領域に腐蝕環境が形成されないの
で、接合構造体を高温多湿条件下における電圧印加試験
に付しても電極の腐蝕およびショート不良が起こりにく
く、よって、接合構造体の信頼性を高く維持することが
できる。
剤および添加剤の各最大粒径が、いずれも、装着体に設
けられた電極間の距離および被装着体に設けられた電極
間の距離のうちの最も小さい距離よりも小さく；（２）
各原料成分の飽和吸水率がいずれも０．３％未満であ
り；および／または（３）各原料成分の分解温度がいず
れも、熱圧着温度より高い。このような接合材料によれ
ば、該接合材料を用いて狭ピッチの電極の導電接続を確
保しつつ装着体と被装着体との間を接合して接合構造体
を作製する場合であっても、電極対間のスペースの近傍
に位置する接合層の領域に腐蝕環境が形成されないの
で、接合構造体を高温多湿条件下における電圧印加試験
に付しても電極の腐蝕およびショート不良が起こりにく
く、よって、接合構造体の信頼性を高く維持することが
できる。
【００８６】このような接合材料はＣＯＦ実装技術にお
いて利用され得、例えばＩＣチップの電極（またはバン
プ）の狭ピッチ化にも対応することが可能である。ま
た、本発明の接合材料は、ＣＯＦ実装技術のみならず、
ＣＯＧ実装技術などの他の任意の技術に利用され得る。
いて利用され得、例えばＩＣチップの電極（またはバン
プ）の狭ピッチ化にも対応することが可能である。ま
た、本発明の接合材料は、ＣＯＦ実装技術のみならず、
ＣＯＧ実装技術などの他の任意の技術に利用され得る。
【００８７】更に、本発明によれば、接合材料の設計方
法および上述のような接合材料を用いて接合された接合
構造体もまた提供され、上記と同様の効果を奏し得る。
法および上述のような接合材料を用いて接合された接合
構造体もまた提供され、上記と同様の効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来のＣＯＦ実装技術を説明する模
式図であり、図１（ａ）は、ＡＣＦが配置されたＦＰＣ
基板の上方にＩＣチップが対向配置された状態を示す断
面模式図であり、図１（ｂ）は、熱圧着によりＡＣＦに
由来する接合層を介してＩＣチップがＦＰＣ基板に実装
された状態を示す断面模式図である。
式図であり、図１（ａ）は、ＡＣＦが配置されたＦＰＣ
基板の上方にＩＣチップが対向配置された状態を示す断
面模式図であり、図１（ｂ）は、熱圧着によりＡＣＦに
由来する接合層を介してＩＣチップがＦＰＣ基板に実装
された状態を示す断面模式図である。
【図２】 図２（ａ）は、図１（ｂ）に示す接合構造体
を高温多湿条件下における電圧印加試験に付した後、図
１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面から見た接合構造体の
模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の接合構造体
を、ＩＣチップの本体を透視して上面から見た模式図で
ある。
を高温多湿条件下における電圧印加試験に付した後、図
１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面から見た接合構造体の
模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の接合構造体
を、ＩＣチップの本体を透視して上面から見た模式図で
ある。
６１ 可撓性基板
６２ 配線パターン
６２’、６２’ａ、６２’ｂ ランド
６３ レジスト
６４ ＩＣチップ本体
６５、６５ａ、６５ｂ バンプ
６６ エポキシ系樹脂（主剤）
６６’ 熱硬化後のエポキシ系樹脂
６７ 導電粒子
７０ ＦＰＣ基板
７１ ＩＣチップ
７２ ＡＣＦ（異方性導電フィルム）
７５ 接合構造体
８０ａ、８０ｂ 角部（腐蝕部）
８１ 腐蝕環境または領域
Ｐ１ バンプ・ピッチ
Ｇ１ バンプ間ギャップ
Ｐ２ ランド・ピッチ
Ｇ２ ランド間ギャップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｊ 163/00 Ｃ０９Ｊ 163/00
Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｄ
5/16 5/16
Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｓ
Ｈ０１Ｒ 4/04 Ｈ０１Ｒ 4/04
(72)発明者 中村 洋一
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 久保田 和夫
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 4J040 CA042 CA082 DB032 EC001
EC061 EC381 EC401 HC23
JB02 KA16 KA32 LA11 MA02
MA04 MA05 MA10 NA19
5E085 BB09 BB28 DD02 EE07 EE16
EE34 FF11 GG07 GG15 GG33
HH04 HH18 JJ06 JJ31 JJ38
5F044 KK03 LL09 MM03 NN05
5G301 DA60 DD01 DD03 DE10
5G307 HA02 HB06 HC01
Claims (26)
- 【請求項１】 装着体に設けられた複数の電極と被装着
体に設けられた複数の電極とが各々導電接続された状態
で、装着体と被装着体との間を接合するための接合材料
であって、熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬
化剤および添加剤とを原料成分として含み、硬化剤およ
び添加剤の各最大粒径がいずれも、装着体に設けられた
電極間の距離および被装着体に設けられた電極間の距離
のうちの最も小さい距離よりも小さい接合材料。 - 【請求項２】 硬化剤および添加剤の各最大粒径のうち
の最も大きい粒径が、１０μｍ未満である、請求項１に
記載の接合材料。 - 【請求項３】 装着体に設けられた電極と被装着体に設
けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被装
着体との間を接合するための接合材料であって、熱硬化
性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤および添加剤
とを原料成分として含み、各原料成分の飽和吸水率がい
ずれも０．３％未満である接合材料。 - 【請求項４】 装着体に設けられた電極と被装着体に設
けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被装
着体との間を熱圧着により接合するための接合材料であ
って、熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤
および添加剤とを原料成分として含み、各原料成分の分
解温度がいずれも、熱圧着温度より高い接合材料。 - 【請求項５】 各原料成分の分解温度のうちの最も小さ
い分解温度が、２３０℃以上である、請求項４に記載の
接合材料。 - 【請求項６】 装着体に設けられた電極と被装着体に設
けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被装
着体との間を接合するための接合材料であって、熱硬化
性樹脂と、２−メチルイミダゾールを除く１種またはそ
れ以上の化合物を含んで成る硬化剤と、添加剤とを含
み、硬化剤および添加剤が熱硬化性樹脂に分散して成る
接合材料。 - 【請求項７】 装着体に設けられた電極と被装着体に設
けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被装
着体との間を接合するための接合材料であって、熱硬化
性樹脂と、硬化剤と、シアノ基を含む化合物を除く１種
またはそれ以上の化合物を含んで成る添加剤とを含み、
硬化剤および添加剤が熱硬化性樹脂に分散して成る接合
材料。 - 【請求項８】 硬化剤が、２−メチルイミダゾールを除
く１種またはそれ以上の化合物を含んで成る、請求項７
に記載の接合材料。 - 【請求項９】 電極が金から成る、請求項１〜８のいず
れかに記載の接合材料。 - 【請求項１０】 電極間の距離が、１０μｍ以下であ
る、請求項１〜９のいずれかに記載の接合材料。 - 【請求項１１】 硬化剤が、２−フェニル−４−メチル
イミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプ
タデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、１−べンジル−２
−フェニルイミダゾールおよび１−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾールからなる群から選択される少なくとも１
種の化合物を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の
接合材料。 - 【請求項１２】 添加剤が、スチレン−ブタジエン樹
脂、スチレン樹脂およびブタジエン樹脂からなる群から
選択される少なくとも１種の化合物を含む、請求項１〜
１１のいずれかに記載の接合材料。 - 【請求項１３】 熱硬化性樹脂が、エポキシ系樹脂であ
る、請求項１〜１２のいずれかに記載の接合材料。 - 【請求項１４】 エポキシ系樹脂が、ビスフェノールＡ
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ウ
レタン変性エポキシ樹脂、アルキル多価フェノールエポ
キシ樹脂および多官能ポリフェノールエポキシ樹脂から
なる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む、
請求項１３に記載の接合材料。 - 【請求項１５】 フィルム状の形態を有する、請求項１
〜１４のいずれかに記載の接合材料。 - 【請求項１６】 ペースト状の形態を有する、請求項１
〜１４のいずれかに記載の接合材料。 - 【請求項１７】 熱硬化性樹脂に分散された導電粒子を
更に含む、請求項１〜１６のいずれかに記載の接合材
料。 - 【請求項１８】 装着体に設けられた電極と被装着体に
設けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被
装着体との間を接合するために用いられる、熱硬化性樹
脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤および添加剤とを
原料成分として含む接合材料の設計方法であって、添加
剤として、シアノ基を有する化合物を除く化合物を選択
すると共に、硬化剤として、２−メチルイミダゾールを
除く化合物を選択することを特徴とする設計方法。 - 【請求項１９】 装着体に設けられた電極と被装着体に
設けられた電極とが導電接続された状態で、装着体と被
装着体との間を接合するために用いられる、熱硬化性樹
脂と、熱硬化性樹脂に分散した硬化剤および添加剤とを
原料成分として含む接合材料の設計方法の設計方法であ
って、高温多湿条件下における電圧印加試験の評価結果
に基づいて、各原料成分の材料を選択することを特徴と
する設計方法。 - 【請求項２０】 接合材料が、導電粒子を原料成分とし
て更に含む、請求項１８または１９に記載の設計方法。 - 【請求項２１】 請求項１８〜２０のいずれかに記載の
設計方法に基づいて得られる接合材料。 - 【請求項２２】 請求項１〜１７および２１のいずれか
に記載の接合材料を用いて、装着体に設けられた電極と
被装着体に設けられた電極とが導電接続された状態で、
接合材料でできている層を介して装着体と被装着体とが
接合された接合構造体。 - 【請求項２３】 熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に分散
した硬化剤および添加剤とを原料成分として含む接合材
料を用いて、装着体に設けられた複数の電極と被装着体
に設けられた複数の電極とが対を成して導電接続された
状態で、接合材料でできている層を介して装着体と被装
着体とが接合された接合構造体であって、１対の電極
と、該１対の電極に隣接するもう１対の電極とを隔離す
る面内において、接合材料からできている接合層が均質
な組成を有する、接合構造体。 - 【請求項２４】 電極が金から成る、請求項２３に記載
の接合構造体。 - 【請求項２５】 電極間の距離が、１０μｍ以下であ
る、請求項２３または２４に記載の接合構造体。 - 【請求項２６】 装着体に設けられた電極と被装着体に
設けられた電極とが導電接続された状態で、接合材料で
できている層を介して装着体と被装着体とが接合される
接合構造体の設計方法であって、請求項１〜１７および
２１のいずれかに記載の接合材料を選択することを特徴
とする設計方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001377051A JP2003176473A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体 |
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|---|---|---|---|
| JP2001377051A JP2003176473A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003176473A true JP2003176473A (ja) | 2003-06-24 |
| JP2003176473A5 JP2003176473A5 (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=19185114
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001377051A Pending JP2003176473A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2006098495A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 表示装置 |
| US7183495B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-02-27 | Hirose Electric Co., Ltd. | Electrical connector |
| JP2008281635A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Bridgestone Corp | フレキシブルドライバｉｃの実装方法およびフレキシブルドライバｉｃ |
| JP2009016451A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板と電子部品との接続構造 |
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| CN112331757A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-05 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种适用于小尺寸元件安装的基板、显示模块及显示屏 |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001377051A patent/JP2003176473A/ja active Pending
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