JP2003173968A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
   前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成し、
   前記結晶構造を有する半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
   前記第１のレーザー光の照射によって前記結晶構造を有する半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
   不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
   前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記結晶構造を有する第１の半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
   前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
   前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
   前記第２の半導体膜を除去し、
   前記バリア層を除去し、
   不活性気体雰囲気中または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
   前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記結晶構造を有する第１の半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
   前記第１のレーザー光の照射によって前記結晶構造を有する第１の半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
   不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化し、
   前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
   前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
   前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項２または請求項３において、
   前記バリア層は、オゾンが含まれる溶液を用いて前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２または請求項３において、
   前記バリア層は、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面に紫外線を照射して酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２または請求項３において、
   前記バリア層は、レーザー光の照射により前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化した後、さらにオゾンが含まれる溶液を用いて前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記金属元素のゲッタリングは、熱処理により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記金属元素のゲッタリングは、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記金属元素のゲッタリングは、熱処理を行い、且つ、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項８または請求項９において、
    前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項２乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記非晶質構造を有する第１の半導体膜の加熱処理は、熱処理または強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中で半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中でリンまたはボロンを含む半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項２乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項２乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
    前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記第２のレーザー光のショット数は、前記第１のレーザー光のショット数より少なく、且つ、前記第１のレーザー光のショット数の半数より多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記不活性気体雰囲気は、窒素雰囲気とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。