JP2003173967A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 絶縁膜上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
   前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
   前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
   前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
   前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、前記絶縁膜は窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、前記第２の半導体膜に含まれる酸素濃度は、前記第１の半導体膜に含まれる酸素濃度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の半導体膜に含まれる酸素濃度は、５×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の半導体膜に含まれる酸素濃度は、５×１０¹⁸／ｃｍ³よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中で半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中でリンまたはボロンを含む半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、加熱処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至７のいずれか一において、前記半導体膜に強光を照射する処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至７のいずれか一において、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項９または請求項１０において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、オゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、紫外線の照射で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、レーザー光の照射により前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化した後、さらにオゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１乃至１５のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１乃至１６のいずれか一において、前記第２の半導体膜の内部応力は、圧縮応力であることを特徴とする半導体装置の作製方法。