JP2002217106A5

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Publication number: JP2002217106A5
Application number: JP2001010890A
Authority: JP
Filing date: 2001-01-18
Publication date: 2005-08-11

Claims

非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化させて結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成し、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングすることによって前記結晶質半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減し、
前記不純物領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を加熱して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に強光を照射し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜に希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成し、
前記結晶質半導体膜に含まれる前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を加熱して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に強光を照射し、
前記結晶質半導体膜に希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成し、
前記結晶質半導体膜に含まれる前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングし、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を加熱して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に強光またはレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜上に珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を通過させて前記結晶質半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記絶縁膜をパターニングしてマスクを形成し、
前記マスクで覆われていない前記結晶質半導体膜に、希ガス元素を添加して不純物領域を選択的に形成し、
前記結晶質半導体膜に含まれる前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングし、
前記マスクで前記半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜に強光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に強光またはレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜上に珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を通過させて前記結晶質半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記絶縁膜をパターニングしてマスクを形成し、
前記マスクで覆われていない前記結晶質半導体膜に、希ガス元素を添加して不純物領域を選択的に形成し、
前記結晶質半導体膜に含まれる前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングし、
前記マスクで前記半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項４または請求項５において、前記結晶質半導体膜に１×１０¹⁵〜５×１０¹⁷／ｃｍ³の濃度で一導電型を付与する不純物元素を添加するチャネルドープを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、前記結晶質半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を照射して前記不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項４乃至請求項７のいずれか一において、前記マスクはレジスト膜を上層とし、珪素を主成分とする絶縁膜を下層とする積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項２乃至請求項８のいずれか一において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項２または請求項３において、前記結晶質半導体膜に強光を照射した後にフッ酸を含むエッチャントで前記結晶質半導体膜の表面を処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項４または請求項５において、前記結晶質半導体膜に強光またはレーザー光を照射した後にフッ酸を含むエッチャントで前記結晶質半導体膜の表面を処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記結晶質半導体膜を形成した後、フッ酸を含むエッチャントで前記結晶質半導体膜の表面を処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１２において、フッ酸を含むエッチャントで前記結晶質半導体膜の表面を処理した後、前記結晶質半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、加熱処理によって前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記結晶質半導体膜に強光を照射することによって、前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、加熱処理と同時に、前記結晶質半導体膜に強光を照射することによって、前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングする前に、前記不純物領域に一導電型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記希ガス元素と同時に一導電型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜に希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成し、
前記半導体膜のうち、前記マスクと重なる領域を結晶化すると同時に、前記マスクと重なる領域に含まれる前記金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１９において、加熱処理によって前記マスクと重なる領域を結晶化すると同時に、前記マスクと重なる領域に含まれる金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１９において、前記非晶質半導体膜に強光を照射することによって前記マスクと重なる領域を結晶化すると同時に、前記マスクと重なる領域に含まれる金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１９において、加熱処理と同時に前記非晶質半導体膜に強光を照射することによって、前記マスクと重なる領域を結晶化すると同時に、前記マスクと重なる領域に含まれる金属元素を前記不純物領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１９乃至請求項２２のいずれか一において、前記ゲッタリングを行う前に、前記不純物領域に一導電型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１９乃至請求項２２のいずれか一において、前記希ガス元素と同時に一導電型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜の前記マスクで覆われていない領域に金属元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化させて結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成し、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングすることによって前記結晶質半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減し、
前記不純物領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項２５のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項２６のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。