JP2002313722A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
   前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
   前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第３工程と、
   前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第４工程と、
   前記不純物領域を除去する第５工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、前記第３工程における前記希ガス元素に加えて、Ｈ、Ｈ₂、Ｏ、Ｏ₂、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、前記第３工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記第５工程の後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を表面側または裏面側から照射して前記不純物元素を活性化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２工程の後、第３工程の前にオゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理を行い、且つ、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項５乃至１１のいずれか一において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
    前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第１のマスクを形成する第３工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
    前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
    前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１５において、前記第７の工程は、前記不純物領域と、前記結晶構造を有する半導体膜の一部とを除去する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１５において、前記第２のマスクは、前記第１のマスクの端部より内側の位置に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
    前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
    前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
    前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
    前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
19. 非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
    前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
    前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第４工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
    前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第６工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第３のマスクを形成する第７工程と、
    前記半導体膜を選択的に除去する第８工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
20. 非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
    前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に酸化珪素膜を形成する第３工程と、
    前記酸化珪素膜上に第１のマスクを形成する第４工程と、
    前記第１のマスクを用いて前記酸化珪素膜を通して前記結晶構造を有する半導体膜に、希 ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
    前記第１のマスクを除去する第６工程と、
    前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第７工程と、
    前記酸化珪素膜を除去する第８工程と、
    前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第９工程と、
    前記半導体膜を選択的に除去する第１０工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。