JP4346852B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はゲッタリング技術を用いた半導体装置の作製方法及び、当該作製方法により得られる半導体装置に関する。特に本発明は、半導体膜の結晶化において触媒作用のある金属元素を添加して作製される結晶質半導体膜を用いた半導体装置の作製方法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
結晶構造を有する半導体膜（以下、結晶質半導体膜という）を用いた代表的な半導体素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）が知られている。ＴＦＴはガラスなどの絶縁基板上に集積回路を形成する技術として注目され、駆動回路一体型液晶表示装置などが実用化されつつある。従来からの技術において、結晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法で堆積した非晶質半導体膜を、加熱処理やレーザーアニール法（レーザー光の照射により半導体膜を結晶化させる技術）により作製されている。
【０００４】
こうして作製される結晶質半導体膜は多数の結晶粒の集合体であり、その結晶方位は任意な方向に配向して制御不能であるため、ＴＦＴの特性を制限する要因となっている。このような問題点に対し、特開平７−１８３５４０号公報で開示される技術は、ニッケルなど半導体膜の結晶化に対し触媒作用のある金属元素を添加して結晶質半導体膜を作製するものであり、結晶化に必要とする加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶質半導体膜でＴＦＴを形成すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数（Ｓ値）が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となっている。
【０００５】
しかし、触媒作用のある金属元素を添加する故に、結晶質半導体膜の膜中或いは膜表面には、当該金属元素が残存し、得られる素子の特性をばらつかせるなどの問題がある。その一例は、ＴＦＴにおいてオフ電流が増加し、個々の素子間でばらつくなどの問題がある。即ち、結晶化に対し触媒作用のある金属元素は、一旦、結晶質半導体膜が形成されてしまえば、かえって不要な存在となってしまう。
【０００６】
リンを用いたゲッタリングは、このような金属元素を結晶質半導体膜の特定の領域から除去するための手法として有効に活用されている。例えば、ＴＦＴのソース・ドレイン領域にリンを添加して４５０〜７００℃の熱処理を行うことで、チャネル形成領域から当該金属元素を容易に除去することが可能である。
【０００７】
リンはイオンドープ法（ＰＨ3などをプラズマで解離して、イオンを電界で加速して半導体中に注入する方法であり、基本的にイオンの質量分離を行わない方法を指す）で結晶質半導体膜に注入するが、ゲッタリングのために必要なリン濃度は１×１０20/cm3以上である。イオンドープ法によるリンの添加は、結晶質半導体膜の非晶質化をもたらすが、リン濃度の増加はその後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。また、高濃度のリンの添加は、ドーピングに必要な処理時間の増大をもたらし、ドーピング工程におけるスループットを低下させるので問題となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
ゲッタリング技術は単結晶シリコンウエハーを用いる集積回路の製造技術において主要な技術として位置付けられている。ゲッタリングは半導体中に取り込まれた金属不純物が、何らかのエネルギーでゲッタリングサイトに偏析して、素子の能動領域の不純物濃度を低減させる技術として知られている。それは、エクストリンシックゲッタリング(Extrinsic Gettering)とイントリンシックゲッタリング(Intrinsic Gettering)の二つに大別されている。エクストリンシックゲッタリングは外部から歪場や化学作用を与えてゲッタリング効果をもたらすものである。高濃度のリンを単結晶シリコンウエハーの裏面から拡散させるリンゲッタはこれに当たり、前述の結晶質半導体膜に対するリンを用いたゲッタリングもエクストリンシックゲッタリングの一種と見なすことができる。
【００１０】
一方、イントリンシックゲッタリングは単結晶シリコンウエハーの内部に生成された酸素が関与する格子欠陥の歪場を利用したものとして知られている。本発明は、このような格子欠陥、或いは格子歪みを利用したイントリンシックゲッタリングに着目したものであり、厚さ１０〜１００nm程度の結晶質半導体膜に適用するために以下の手段を採用するものである。
【００１１】
本発明は、金属元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を形成する手段と、選択的に希ガス元素を添加してゲッタリングサイトを形成する手段と、ゲッタリングサイトに金属元素をゲッタリングさせる手段とを有している。
【００１２】
また、希ガス元素を添加する方法としてはイオンドープ法またはイオン注入法を用いればよい。
【００１３】
また、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加してもよい。なお、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2から選ばれた一種または複数種を添加する場合、例えば希ガス元素に加え、水蒸気を含む雰囲気で行えばよい。雰囲気に水蒸気を加え、イオンドープ法を用いて希ガス元素（アルゴン）を添加した時、電磁場直交型質量分析器（Ｅ×（cross）Ｂ mass analyzer）を用いて測定した結果を図２４に示す。なお、電磁場直交型質量分析器は、磁界と電界を垂直にし、かつそれぞれがイオンビーム軸と垂直になるように配置した質量分析器である。電場によりビームを偏向し、検出対象イオンが磁場により中心軸上に戻るようにして質量分析を行う。
【００１４】
また、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加する場合、例えば希ガス元素に加え、水蒸気とフォスフィンを含む雰囲気で行えばよい。このように複数の元素を添加することにより相乗的にゲッタリング効果が得られる。
【００１５】
特に、酸素（Ｏ、Ｏ2）を添加することは有効であり、ゲッタリング工程において、結晶化を助長する金属元素は、ゲッタリングサイトの酸素濃度の多い領域に移動する傾向がある。
【００１６】
また、本発明において、結晶構造を有する半導体膜は、非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加した後、加熱処理または強光の照射によって結晶化を行えばよい。結晶化の後、フッ酸を含むエッチャント、例えば希フッ酸やＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水との混合液）で偏析した金属元素を除去または低減してもよい。また、フッ酸を含むエッチャントで表面をエッチング処理した場合には、強光を照射して表面を平坦化することが望ましい。
【００１７】
また、上記結晶化の後、さらに結晶化を改善するためのレーザー光または強光の照射を行ってもよい。この結晶化を改善するためのレーザー光または強光の照射の後にフッ酸を含むエッチャントで偏析した金属元素を除去または低減してもよく、さらに強光を照射して表面を平坦化してもよい。
【００１８】
次いで、結晶構造を有する半導体膜上に珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。なお、この絶縁膜は極薄いものでよく、炭素、即ち有機物の除去のために行われるヒドロ洗浄と呼ばれる表面処理に使用するオゾンを含む溶液で酸化させることによって形成してもよい。この絶縁膜は、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングするためのものである。この絶縁膜を形成して、チャネルドープを行った後で活性化させるため強光を照射してもよい。
【００１９】
また、本発明の特徴の一つは、結晶質半導体薄膜に希ガス元素を添加してゲッタリングサイトを形成するプロセスと、加熱処理（強光の照射による加熱処理を含む）するプロセスとを有しており、該加熱処理により結晶質半導体薄膜に含まれる金属が移動してゲッタリングサイト（希ガス元素のイオンが添加された領域）に捕獲され、ゲッタリングサイト以外の結晶質半導体薄膜から金属を除去または低減することである。なお、加熱処理に代えて強光を照射してもよいし、加熱処理と同時に強光を照射してもよい。また、このゲッタリングの際、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００２０】
また、本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスクを用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域を形成し、加熱処理により前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行った後、前記マスクを用いて半導体膜のパターニングを行うことも特徴としている。マスク数の低減または工程を簡略化する上では、希ガス元素を選択的に添加するマスクと半導体膜のパターニングで使用するマスクとを同一とすることが望ましいが、ゲッタリングを行うと、金属元素が希ガスを添加した領域の境界に偏析しやすい傾向があることから、図１３に示したように別々のマスクとしてもよい。
【００２１】
また、希ガス元素の添加方法としては、イオンドーピング法やイオン注入法を用いることができ、希ガス元素としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種を用いることができる。中でも安価なガスであるＡｒを用いることが望ましい。イオンドーピング法を用いる場合、ドーピングガスに含まれる希ガス元素の１種類が占める濃度が３０％以上、好ましくは１００％とする。例えば、Ｋｒガス３０％、Ａｒガス７０％の濃度としたドーピングガスを用いてもよい。
【００２２】
また、本発明は、半導体膜のパターニングを行う際、希ガスを添加した領域、即ち、金属元素が高濃度に偏析した領域は除去され、マスクで覆われ、且つ金属元素が低減された領域が所望の形状を有する半導体層として形成される。なお、半導体層を形成する際にオーバーエッチすれば、半導体層の端部に存在する金属が偏析している部分を除去することができる。また、パターニングを行った後、上記マスクは除去する。
【００２３】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。また、この表面洗浄の前または後に活性化工程を加え、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００２４】
次いで、ゲート絶縁膜表面を洗浄した後、ゲート電極を形成し、ｐ型またはｎ型を付与する不純物元素を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。また、必要であればＬＤＤ領域も形成してもよい。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行えばよい。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい。
【００２５】
以降の工程は、層間絶縁膜を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極、ドレイン電極を形成してＴＦＴを完成させる。
【００２６】
本発明により、熱処理を用いて結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合は、高温熱処理２回（結晶化、ゲッタリング）に抑えることができ、強光により結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合には、高温熱処理１回（ゲッタリング）に抑えることができる。
【００２７】
また、希ガスを添加する処理時間は、１分または２分程度の短時間で高濃度の希ガス元素を半導体膜に添加することができるため、リンを用いたゲッタリングと比較してスループットが格段に向上する。
【００２８】
希ガス元素によるゲッタリングの能力について実験を行った。半導体膜は５０nmの非晶質シリコン膜に１０ppmの酢酸ニッケル含有水溶液を塗布した後、５００℃にて１時間の脱水素処理と、５５０℃にて４時間の加熱処理により結晶化させた結晶質半導体膜を用いた。この結晶化半導体膜をパターニングした後、９０ｎｍの酸化珪素膜を形成した。そして、ゲッタリングされる領域を幅５０μｍとし、該領域を挟むようにマスクを用いてアルゴンをイオンドープ法（８０keVの加速電圧で、５×１０15/cm2のドーズ量）で注入してゲッタリングサイト（幅５μｍ）を設けた試料を作製した。アルゴンは９９．９９９９％以上のものを用い、注入に要する時間は１〜２分でよかった。そして、窒素雰囲気中、加熱温度を３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃とし、加熱時間を４時間、６時間、８時間としてそれぞれゲッタリングを行った。ゲッタリング後、酸化珪素膜を除去した後、ＦＰＭで処理した。ゲッタリングの効果は、結晶質半導体膜の被ゲッタリング領域におけるエッチピットの数により確認した。即ち、添加したニッケルの大部分はニッケルシリサイドとして結晶質半導体膜に残存するが、これはＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）によりエッチングされることが知られている。従って、被ゲッタリング領域をＦＰＭで処理してエッチピットの有無を確認することにより、ゲッタリングの効果を確認することができる。この場合、エッチピットの数（密度）が少ない程、ゲッタリングの効果が高いことを意味する。図２６にその結果を示す。図２６からは、加熱時間を長くすれば長くするほどエッチピットの密度は少なくなっており、５００℃、好ましくは５５０℃の熱処理によりエッチピットの密度が十分少なくなっていることが読み取れる。
【００２９】
また、ゲッタリングされる領域の幅を３０μｍとして同様の実験を行った結果を図２７に示す。図２７と図２６を比較すれば、ゲッタリングされる領域が３０μｍであれば５００℃でも十分にエッチピットの密度が少なくなっている。
【００３０】
なお、図２９にエッチピットが形成された試料の簡略図を示す。なお、図２９中、希ガス元素添加領域１０４０１とはアルゴンが添加された領域を示している。ゲッタリングされた領域（被ゲッタリング領域）１０４０２に存在するエッチピット１０４０３の数を光学顕微鏡で見ながらカウントしてエッチピット密度を得た。
【００３１】
また、リンのゲッタリング能力と比較するため、さらに実験を行った。ドーピング条件と加熱条件とを変えて、上記実験と同様にエッチピットの密度を得た。ここでは、ゲッタリングサイト（幅５μｍ）にリンをイオンドープ法（水素で希釈された５％のＰＨ3を用い、加速電圧８０keV、ドーズ量１．３×１０15/cm2）で注入した試料、アルゴンをイオンドープ法（８０keVの加速電圧で、１×１０15、５×１０15/cm2、５×１０15/cm2のドーズ量）でそれぞれ注入した試料をそれぞれ作製し、これらを比較評価した。この時、リンの注入に要する時間は約８分である。そして、加熱温度５００℃、２４時間でゲッタリングを行った。また、それぞれゲッタリングされた領域の幅を３０μｍとした試料と、５０μｍとした試料とで比較した。図２８にその結果を示す。図２８から、リンよりもドーズ量が少ないにも関わらず、アルゴンのほうがゲッタリング能力が高いことが示されている。また、アルゴンの添加量が少ない、即ち、５×１０15/cm2のドーズ量であっても加熱時間が長ければ十分ゲッタリングされ、エッチピットの密度を少なくすることが可能である。
【００３２】
このように、リンを用いたゲッタリングと比較して、希ガス元素の添加による本発明のゲッタリング能力は高く、さらに高濃度、例えば１×１０20〜５×１０21／cm3で添加できるため、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることができる。即ち、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって結晶化の処理時間をさらに短時間で行うことが可能となる。また、結晶化の処理時間を変えない場合には、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、さらなる低温で結晶化することができる。また、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、自然核の発生を低減することができ、良好な結晶質半導体膜を形成することができる。
【００３３】
また、本発明のゲッタリングは、結晶化に用いた金属元素のゲッタリングだけでなく、他の重金属元素のゲッタリングも行われる。
【００３４】
また、本発明のゲッタリングによって、結晶構造の半導体膜のアニールも行われる。
【００３５】
また、アイランドを形成するまでに高温熱処理が施されているため、基板の収縮がアイランド形成後の工程で生じず、パターニングのずれを最小限に抑えることができ、デバイス製造の上で歩留まりが向上する。また、熱処理回数が少ない本発明は、基板の厚さが薄く（例えば０．７ｍｍや０．５ｍｍ）とも基板に与える影響が小さいため、問題なく使用可能である。
【００３６】
本明細書で開示する作製工程に関する発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第３工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第４工程と、
前記不純物領域を除去する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００３７】
上記構成において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００３８】
また、上記構成において、前記第３工程における前記希ガス元素に加えて、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加することを特徴としている。
【００３９】
また、上記構成において、前記第３工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴としている。
【００４０】
また、上記各構成において、前記第５の工程の後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を表面側または裏面側から照射して前記不純物元素を活性化する工程を有することを特徴としている。
【００４１】
また、上記各構成において、前記第２工程は、加熱処理であることを特徴としている。
【００４２】
また、上記各構成において、前記第２工程は、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４３】
また、上記各構成において、前記第２工程は、加熱処理を行い、且つ、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４４】
また、上記各構成において、前記第４工程は、加熱処理であることを特徴としている。
【００４５】
また、上記各構成において、前記第４工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４６】
また、上記各構成において、前記第４工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４７】
また、上記各構成において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴としている。
【００４８】
また、上記各構成において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００４９】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第１のマスクを形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５０】
また、上記構成において、前記第７の工程は、前記不純物領域と、前記結晶構造を有する半導体膜の一部とを除去する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００５１】
また、上記構成において、前記第２のマスクは、前記第１のマスクの端部より内側の位置に設けることを特徴としている。
【００５２】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５３】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第６工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第３のマスクを形成する第７工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５４】
また、本発明の構成は、
半導体層と、該半導体層に接する絶縁膜と、該絶縁膜に接するゲート電極とを含むＴＦＴを基板上に備えた半導体装置であって、
前記基板は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有していることを特徴とする半導体装置である。なお、この基板は絶縁性基板または半導体基板である。また、この構成は、希ガス元素を添加した工程の際、基板にも希ガス元素が添加されて得られるものである。この時、図１４（Ｃ）に希ガス元素を添加した直後の状態の簡略図を示した。さらに希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加した場合も同様に基板にも下地絶縁膜にもＨ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種が添加される。ただし、希ガス元素に比べて、これらは後の熱処理により拡散しやすい。
【００５５】
また、上記構成において、前記希ガス元素を含む領域を形成するマスクと前記半導体層を形成するマスクは同一であることを特徴としている。こうすることでマスク数を増加させることなく半導体装置が得られる。
【００５６】
また、本発明の他の構成は、
基板上に接する絶縁膜と、半導体層とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記絶縁膜は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有していることを特徴とする半導体装置である。
【００５７】
なお、上記絶縁膜はブロッキング層として設けられた下地絶縁膜である。この下地絶縁膜に希ガスが添加される時の状態を、図１４（Ｂ）に示した。
【００５８】
また、上記構成において、前記基板は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有している。即ち、マスクを形成しなかった領域には、基板にも下地絶縁膜にも希ガス元素が添加されている。さらに希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加した場合も同様に基板にも下地絶縁膜にもＨ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種が添加される。ただし、希ガス元素に比べて、これらは後の熱処理により拡散しやすい。
【００５９】
また、前記希ガス元素を含む領域を形成するマスクと前記半導体層を形成するマスクは同一であることを特徴としている。
【００６０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００６１】
図１及び図２は本発明の一実施形態を説明する図であり、非晶質半導体膜の全面に触媒作用のある金属元素を全面に添加して結晶化した後、ゲッタリングを行う方法である。
【００６２】
図１（Ａ）において、基板１０１はバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基板１０１の表面には、ブロッキング層１０２として無機絶縁膜を１０〜２００nmの厚さで形成する。好適なブロッキング層の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される第１酸化窒化シリコン膜を５０nmの厚さに形成し、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製される第２酸化窒化珪素膜を１００nmの厚さに形成したものが適用される。ブロッキング層１０２はガラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成する半導体膜中に拡散しないために設けるものであり、石英を基板とする場合には省略することも可能である。
【００６３】
ブロッキング層１０２の上に形成する非晶質構造を有する半導体膜１０３は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する。良質な結晶を得るためには、非晶質構造を有する半導体膜１０３に含まれる酸素、窒素、炭素などの不純物濃度を極力低減する必要があり、高純度の材料ガスを用いることはもとより、超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。
【００６４】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜１０３の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する。半導体膜の結晶化を促進する触媒作用のある金属元素としては鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などであり、これらから選ばれた一種または複数種を用いることができる。代表的にはニッケルを用い、重量換算で３〜５０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層１０４を形成する。（図１（Ａ））後の工程で行うゲッタリング能力が非常に高いため、高濃度のニッケルを含む溶液を使用することが可能である。また、高濃度の溶液を塗布するためにスピナーの回転数を低減してもよい。この場合、当該溶液の馴染みをよくするために、非晶質構造を有する半導体膜１０３の表面処理として、オゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングして清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形成しておくことにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布することができる。
【００６５】
勿論、触媒含有層１０４は上記塗布方法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより形成しても良い。
【００６６】
次いで、加熱処理または強光の照射を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は触媒となる金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図１（Ｂ）に示す結晶質半導体膜１０５が形成される。熱処理により結晶化を行う場合は、この非晶質シリコン膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃〜６５０℃で４〜２４時間）を行うとよい。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。（図１（Ｂ））なお、必要であれば、第１の強光を照射する前に非晶質構造を有する半導体膜１０３に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、加熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。
【００６７】
結晶化の直後、半導体膜に含まれる金属元素を低減するため、フッ素を含むエッチャントを用いて触媒となる金属元素をエッチングで低減または除去してもよい。
【００６８】
次いで、結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶質半導体膜１０５に対して光を照射する。（図１（Ｃ））光には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。また、連続発振の気体レーザもしくは固体レーザを用いてもよい。固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍがドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ3などの結晶を使ったレーザが適用される。当該レーザの基本波はドーピングする材料によって異なり、１μｍ前後の基本波を有するレーザ光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。ここでは、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜４００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって結晶質半導体膜１０５に対するレーザー処理を行っても良い。また、レーザー光に代えて強光を照射してもよいし、同時にレーザー光と強光とを照射してもよい。
【００６９】
なお、連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、０．５〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射する。
【００７０】
次いで、欠陥を補修する処理の直後に、結晶質半導体膜に含まれる金属元素を低減するため、フッ素を含むエッチャントを用いて触媒となる金属元素をエッチングで低減または除去してもよい。また、このエッチングで表面に凹凸が生じてしまった場合には、強光を照射して表面を平坦化してもよい。
【００７１】
次いで、オゾンを含む溶液で半導体膜表面の有機物を除去する洗浄を行い、表面に極薄い酸化膜を形成する。この極薄い酸化膜を通過させて微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を半導体膜に添加するチャネルドープを行ってＴＦＴのしきい値を制御することが望ましい。また、チャネルドープを行った後で不純物元素を活性化させるため強光を照射してもよい。また、ニッケルを添加する前に同様の洗浄を行い、極薄い酸化膜を形成した後にチャネルドープを行ってもよい。
【００７２】
次いで、結晶質半導体膜上に１００〜２００nmの厚さの酸化珪素膜１０６ａを形成する。（図１（Ｄ））酸化珪素膜の作製方法は限定されないが、例えば、オルトケイ酸テトラエチル（Tetraethyl Ortho Silicate：ＴＥＯＳ）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させ形成する。
【００７３】
次いで、酸化珪素膜上にレジストからなるマスク１０７を形成する。このマスクによってパターニングし、ＴＦＴの半導体層となる部分を覆う酸化珪素からなる絶縁層１０６ｂを形成した後、半導体膜に希ガス元素を添加してゲッタリングサイト１０８を形成する。（図２（Ａ））ここでは、イオンドーピング法またはイオン注入法を用い、半導体膜に添加される希ガス元素の濃度を１×１０20〜５×１０21／ｃｍ3とすることが望ましい。この時、レジストからなるマスクをそのまま残した状態で希ガス元素のドーピングを行ってもよいし、レジストマスクからなるマスクを除去した後、希ガス元素のドーピングを行ってもよい。希ガス元素のドーピング後は、レジストからなるマスクを除去する。また、希ガス元素に加え、周期表１５族元素または周期表１３族元素を添加してもよい。なお、図２（Ａ）では、半導体膜のみに希ガス元素が添加されたように図示したが、実際は、希ガスを添加する工程の条件によって、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示したような金属元素の濃度分布を制御できる。図１４（Ａ）は、半導体膜の浅い位置にピークを有する濃度分布１２０となるような条件で行ったものであり、図１４（Ｂ）は半導体膜の中間位置にピークを有する濃度分布１２１となるような条件で行ったため、ブロッキング層１０２にも希ガス元素が添加された例である。また、図１４（Ｃ）は半導体膜の深い位置にピークを有する濃度分布１２２となるような条件で行ったため、ブロッキング層１０２及び基板１０１にも希ガス元素が添加された例である。図１４（Ｂ）や図１４（Ｃ）に示したようにブロッキング層や基板に希ガス元素を添加することによって応力の緩和を図ることができる。
【００７４】
次いで、ゲッタリングを行う。（図２（Ｂ））ゲッタリングは窒素雰囲気中で４５０〜８００℃、１〜２４時間、例えば５５０℃にて１４時間の熱処理を行うと、ゲッタリングサイト１０８に金属元素を偏析させることができる。このゲッタリングにより、絶縁層１０６ｂで覆われた半導体膜に含まれる金属元素を除去、または金属元素の濃度を低減する。また、熱処理に代えて強光を照射してもよい。また、熱処理に加えて強光を照射してもよい。ただし、ゲッタリングの加熱手段に、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いるＲＴＡ法を用いる場合、半導体膜の加熱温度が４００℃〜５５０℃となるように強光を照射することが望ましい。また、４５０〜８００℃に加熱された不活性ガス中に短時間さらして瞬間的に熱処理を行ってもよい。あまり高い加熱温度としてしまうと半導体膜中の歪みが無くなってしまい、ゲッタリングサイト（ニッケルシリサイド）からニッケルを飛び出させる作用やニッケルを捕獲する作用が消えてしまうため、ゲッタリング効率が低下してしまう。
【００７５】
ゲッタリングが終わったら、上記マスクをそのまま用いてゲッタリングサイトを除去して、金属元素が低減された領域からなる所望の形状を有する半導体層１０９を形成し、最後に酸化珪素からなる絶縁層を除去する。（図２（Ｃ））絶縁層を除去する際、半導体層の表面もわずかにエッチングすることが望ましい。図３６にゲッタリング後にＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）によりニッケルシリサイドをエッチングした際の光学顕微鏡写真を示した。図３６から半導体層の周縁部にエッチピットが多数観察されていることから、ゲッタリングによって半導体層の周縁部にニッケルが偏析しやすいと予想される。ちなみに図３６は、ガラス基板上に膜厚５０ｎｍの下地絶縁膜と、膜厚５０ｎｍのポリシリコン膜（ニッケル添加した後、結晶化させたもの）とを形成し、アルゴンを加速電圧１０ｋｅＶ、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量で選択的に添加し、５５０℃、４時間でゲッタリングを行った後、ＦＰＭ処理を行ったものである。
【００７６】
また、レジストからなるマスクを形成した段階で、酸化珪素膜を通過させて希ガス元素のドーピングを行ってゲッタリングサイトを形成してもよい。この場合には、ドーピング後マスクを除去してゲッタリングした後、酸化珪素膜を除去し、その後、半導体膜のうち、希ガス元素が添加された領域（ゲッタリングサイト）のみを選択的に除去して半導体層を形成する。エッチャントとしてダッシュ液、サト液、セコ液等を用いれば、希ガス元素が添加された領域は非晶質化されているため、結晶質半導体膜である領域（希ガスが添加されていない）と選択的にエッチングすることができる。
【００７７】
次いで、半導体層１０９の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜１１０を形成する。（図２（Ｄ））半導体層１０９の表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。また、この表面洗浄の前または後に活性化工程を加え、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００７８】
次いで、絶縁膜１１０表面を洗浄し、ゲート電極を形成した後、半導体層１０９にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。また、必要であればＬＤＤ領域も形成してもよい。ｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行えばよい。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波または第３高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。
【００７９】
以降の工程は、層間絶縁膜の形成、水素化、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールの形成、ソース電極、ドレイン電極の形成等を行ってＴＦＴを完成させる。
【００８０】
こうして形成したＴＦＴを画素部のスイッチング素子、または駆動回路を構成するＴＦＴとして用い、様々な電子機器に搭載する。
【００８１】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００８２】
【実施例】
［実施例１］
ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について図３〜図６を用いて説明する。
【００８３】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板２００を用いる。なお、基板２００としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００８４】
次いで、基板２００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜２０１を形成する。本実施例では下地膜２０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜２０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜２０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜２０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜２０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜２０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜２０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【００８５】
次いで、下地膜上に半導体層２０２〜２０６を形成する。半導体層２０２〜２０６は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層２０２〜２０６の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質シリコン膜上に保持させた。この非晶質シリコン膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質シリコン膜を形成した。そして、実施の形態に示したように、酸化シリコン膜からなるマスクを形成した後、結晶質シリコン膜に希ガス元素をマスクで選択的に添加して、ゲッタリングを行った後、結晶質シリコン膜のパターニングを行い、その後、マスクを除去した。なお、希ガス元素を添加する際、アルゴンと微量の水蒸気とを含む原料ガスとしてイオンドープする。こうして、結晶質シリコン膜からなる半導体層２０２〜２０６を形成した。この半導体層２０２〜２０６のパターニングが終了した状態は、実施の形態における図１（Ｃ）に相当する。なお、酸化膜を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを適宜行ってもよい。
【００８６】
次いで、半導体層２０２〜２０６の表面をバッファーフッ酸等のフッ酸系のエッチャントで洗浄した後、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を主成分とする絶縁膜２０７を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、このゲート絶縁膜となる絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００８７】
次いで、図３（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜２０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜２０９とを積層形成する。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる第１の導電膜２０８と、膜厚３７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電膜２０９を積層形成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。
【００８８】
なお、本実施例では、第１の導電膜２０８をＴａＮ、第２の導電膜２０９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で単層または積層を用いればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜をタンタル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜とする組み合わせとしてもよい。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク２１０〜２１５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行う。本実施例では第１のエッチング条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。なお、基板側の電極面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コイル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。ここでは、松下電器産業（株）製のＩＣＰを用いたドライエッチング装置（Model Ｅ６４５−□ＩＣＰ）を用いた。基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。第１のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は２００．３９ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は８０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は約２．５である。また、この第１のエッチング条件によって、Ｗのテーパー角は、約２６°となる。
【００９０】
この後、レジストからなるマスク２１０〜２１５を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。第２のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は５８．９７ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は６６．４３ｎｍ／ｍｉｎである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【００９１】
上記第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°とすればよい。
【００９２】
こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層２１６〜２２１（第１の導電層２１６ａ〜２２１ａと第２の導電層２１６ｂ〜２２１ｂ）を形成する。図示しないが、ゲート絶縁膜となる絶縁膜２０７のうち、第１の形状の導電層２１６〜２２１で覆われない領域は１０〜２０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００９３】
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図３（Ｂ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜１×１０15/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。本実施例ではドーズ量を５×１０14/cm2とし、加速電圧を８０ｋｅＶとして行った。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。この場合、導電層２１６〜２２１がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域２２２〜２３３が形成される。高濃度不純物領域２２２〜２３３には３×１０19〜３×１０20/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【００９４】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜２０７であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜２０７との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。また、駆動回路のＴＦＴにおいては、テーパ−部のチャネル長方向の幅が長ければ長いほど信頼性が高いため、テーパ−部を形成する際、ＳＦ6を含むエッチングガスでドライエッチングを行うことが有効である。
【００９５】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層２３４ｂ〜２３９ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層２３４ａ〜２３９ａを形成する。図示しないが、実際には、第１の導電層の幅は、第２のエッチング処理前に比べて約０．１５μｍ程度、即ち線幅全体で０．３μｍ程度後退する。
【００９６】
また、上記第２のエッチング処理において、ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とをエッチングガスに用いることも可能である。その場合は、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行えばよい。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用いる場合のＷに対するエッチング速度は１２４．６２ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は２０．６７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．０５である。従って、Ｗ膜が選択的にエッチングされる。
【００９７】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第２のドーピング処理を行って図３（Ｃ）の状態を得る。ドーピングは第２の導電層２３４ｂ〜２３９ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用い、ドーピング条件をドーズ量１．５×１０14/cm2、加速電圧９０ｋｅＶ、イオン電流密度０．５μＡ／ｃｍ2、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガス、ガス流量３０ｓｃｃｍにてプラズマドーピングを行った。こうして、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域２４１〜２５４を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域２４１〜２５４へ添加されたリン（Ｐ）の濃度は、１×１０17〜１×１０19/cm3であり、且つ、第１の導電層のテーパー部の膜厚に従って濃度勾配を有している。なお、第１の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層のテーパー部の端部から内側に向かって不純物濃度（Ｐ濃度）が次第に低くなっている。また、高濃度不純物領域２２２〜２３３にも不純物元素が添加され、高濃度不純物領域２５５〜２６６を形成する。
【００９８】
次いで、後にｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層をレジストからなるマスク２６７〜２６９で覆い、第３のドーピング処理を行う。この第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層に前記一導電型（ｎ型）とは逆の導電型（ｐ型）を付与する不純物元素が添加されたｐ型不純物領域２７０〜２７３（高濃度不純物領域２７０ａ〜２７３ａ及び低濃度不純物領域２７０ｂ〜２７３ｂ）を形成する。なお、テーパ−部を通過させてドープするため、ｐ型の低濃度不純物領域２７０ｂ〜２７３ｂは、ｎ型の低濃度不純物領域２４１〜２５４と同様の濃度勾配を有している。（図４（Ａ））第１の導電層２３４ａ、２３６ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元素を添加してｐ型不純物領域を形成する。本実施例では、ｐ型不純物領域２７０〜２７３はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用い、ドーピング条件をドーズ量１×１０15/cm2、加速電圧３０ｋｅＶとしたイオンドープ法で形成する。なお、第１のドーピング処理及び第２のドーピング処理によって、不純物領域２７０ａ〜２７３ａにはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもボロンの濃度が６×１０19〜６×１０20/cm3となるようにドーピング処理することにより、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【００９９】
また、第２のエッチング処理で膜減りしない条件、例えばＳＦ6をエッチングガスに用いた場合、ボロンのドーピングを容易とするため、第３のドーピング処理の前に絶縁膜２０７を薄膜化するエッチング（ＣＨＦ3ガスを用いた反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法））を行ってもよい。
【０１００】
次いで、レジストからなるマスク２７４を形成して第３のエッチング処理を行う。この第３のエッチング処理では第１の導電層のテーパー部のみを選択的にエッチングする。第３のエッチング処理は、エッチングガスにＷとの選択比が高いＣｌ3を用い、ＩＣＰエッチング装置を用いて行う。本実施例では、Ｃｌ3のガス流量比を８０（ｓｃｃｍ）とし、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に３５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを３０秒行った。基板側（試料ステージ）にも５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第３のエッチングにより、第１の導電層２３７ｃ〜２３９ｃが形成される。（図４（Ｂ））
【０１０１】
上記第３のエッチング処理によって、画素部には、第１の導電層２３７ｃ〜２３９ｃと重ならず、濃度勾配を有する低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）２４７〜２５４が形成される。なお、駆動回路において、低濃度不純物領域（ＧＯＬＤ領域）２４１〜２４６は、第１の導電層２３４ａ〜２３６ａと重なったままである。このように、各回路に応じてＴＦＴの構造を作り分けている。
【０１０２】
また、第１の導電層２３７ｃと第２の導電層２３７ｂとで形成された電極は、後の工程で形成されるサンプリング回路のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極となる。同様に、第１の導電層２３８ｃと第２の導電層２３８ｂとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極となり、第１の導電層２３９ｃと第２の導電層２３９ｂとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部の保持容量の一方の電極となる。
【０１０３】
また、本実施例では第３のドーピング処理の後に、第３のエッチング処理を行った例を示したが、第３のエッチング処理を行った後に第３のドーピング処理を行ってもよい。
【０１０４】
次いで、レジストからなるマスク２７４を除去して第１の層間絶縁膜２７５を形成する。この第１の層間絶縁膜２７５としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜２００ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。この第１の層間絶縁膜は、膜減りした絶縁膜に後でコンタクトホールを形成する際、半導体層をオーバーエッチングしないようにエッチングストッパーとしての機能を果たすものである。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成した。勿論、第１の層間絶縁膜２７５は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１０５】
次いで、図４（Ｃ）に示すように、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程はＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射することによって行う。裏面から照射することによって、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことができる。
【０１０６】
また、反射板を用いてレーザー光を照射してもよい。その場合、固体レーザー、代表的にはＹＡＧレーザー）で行うことが望ましい。反射板を用いる場合は、図８にその簡略図を示したように、鏡面を有する反射板５０４を用いて、基板５０１の表面側からと、裏面側からとで線状のＹＡＧレーザーの第２高調波または第３高調波を同時に照射する方法を用いた。ＹＡＧレーザーは可視光であるので、基板が透光性を有していれば吸収されず、アモルファスシリコンに吸収される。特に、本実施例のようにゲート電極の下に低濃度不純物領域を設けている場合、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことが非常に困難であった。図８に示す反射板を用いた活性化方法によって不純物領域５０６またはチャネル形成領域５０５に含まれる不純物元素の活性化を行うことができる。図８中、５０２は下地膜、５０３は高濃度不純物領域、５０７はシリンドリカルレンズである。なお、ＹＡＧレーザーアニール法の他にラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することもできる。
【０１０７】
また、本実施例では、上記活性化の前に第１の層間絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、第１の層間絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０１０８】
次いで、窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜２７６を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では、窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱処理を行った。この工程は第２の層間絶縁膜２７６に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１０９】
次いで、第２の層間絶縁膜２７６上に有機絶縁物材料から成る第３の層間絶縁膜２７７を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成した。次いで、各不純物領域（２５７、２５８、２６１〜２６３、２６５、２７０ａ、２７１ａ、２７２ａ、２７３ａ）に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。本実施例では複数のエッチング処理を行った。本実施例では第２の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第３の層間絶縁膜をエッチングした後、第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングしてから第１の層間絶縁膜をエッチングした。
【０１１０】
次いで、不純物領域（２５７、２５８、２６１〜２６３、２７０ａ、２７１ａ、２７２ａ、２７３ａ）とそれぞれ電気的に接続する電極２７８〜２８６と、不純物領域２６５と電気的に接続する画素電極２８７を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いる。
【０１１１】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ３０６及びｐチャネル型ＴＦＴ３０５からなるロジック回路部３０３と、ｎチャネル型ＴＦＴ３０８及びｐチャネル型ＴＦＴ３０７からなるサンプリング回路部３０４とを有する駆動回路３０１と、ｎチャネルＴＦＴ３０９からなる画素ＴＦＴ及び保持容量３１０とを有する画素部３０２とを同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１１２】
本実施例では、各回路に応じてＴＦＴの構造が異なっている。
【０１１３】
画素部のｎチャネル型ＴＦＴ３０９には、消費電力を低く抑えることが要求され、オフ電流値が十分低いＴＦＴ構造とすることが望ましい。また、本実施例では、低濃度不純物領域２４９〜２５２に濃度勾配を持たせ、さらにゲート電極（２３８ｂ、２３８ｃ）と重ならない構造とした。また、ｎチャネル型ＴＦＴ３０９におけるゲート電極の端部は、ゲート絶縁膜を挟んで、チャネル形成領域と低濃度不純物領域との界面と概略一致する。また、各低濃度不純物領域２４９〜２５２の濃度分布は、チャネル形成領域２９２、２９３からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１１４】
なお、本実施例ではｎチャネル型ＴＦＴ３０９は、ソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）となっているが、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０１１５】
また、保持容量３１０の一方の電極として機能する不純物領域２５３、２５４、２６５、２６６には、それぞれｎ型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量３１０は、絶縁膜２０７を誘電体として、電極２３９ｂ、２３９ｃと、半導体層とで形成している。なお、本実施例では不純物領域と電極２３９ｂ、２３９ｃとが重ならない構造としたが、重なる構造とすれば、さらに容量を増大することができる。なお、本発明は、本実施例の保持容量を形成する構造に限定されず、公知の構造、例えば容量配線を用いた容量を用いることも可能である。
【０１１６】
また、サンプリング回路部３０４、代表的にはアナログスイッチ回路のｎチャネル型ＴＦＴ３０８には、同様にオフ電流値が低いことが好ましい。本実施例では、低濃度不純物領域２４７、２４８に濃度勾配を持たせ、さらにゲート電極（２３７ｂ、２３７ｃ）と重ならない構造とした。また、各低濃度不純物領域２４７、２４８の濃度分布は、チャネル形成領域２９１からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。ただし、オン電流値または信頼性を重視するのであれば、低濃度不純物領域がゲート電極と重なる構造としてもよい。
【０１１７】
また、ｐチャネル型ＴＦＴ３０７は、オン電流値または信頼性を重視するため、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂがゲート電極２３６ａ、２３６ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２９０からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。また、ｐチャネル型ＴＦＴ３０７におけるゲート電極の端部は、ゲート絶縁膜を挟んで、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂと高濃度不純物領域２７２ａ、２７３ａとの界面と概略一致する。
【０１１８】
また、ロジック回路部のｐチャネル型ＴＦＴ３０５は、オン電流値または信頼性を重視するため、低濃度不純物領域２７０ｂ、２７１ｂがゲート電極２３４ａ、２３４ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７０ｂ、２７１ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２８８からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１１９】
また、同様にｎチャネル型ＴＦＴ３０６は、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂがゲート電極２３５ａ、２３５ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２８９からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１２０】
こうして、本実施例では、同一基板上に信頼性の高いＴＦＴ３０６を備えた駆動回路と、オフ電流値が低減された画素ＴＦＴ３０９とを備えた画素部とを同時に形成することができた。
【０１２１】
また、本実施例では、希ガス元素を多量に添加したため、下地膜及び基板にも添加される。なお、希ガス元素に加え、水素、酸素、または水が下地膜及び基板にも添加されるが、ドーピング後の熱処理等により拡散しやすい。一方、希ガス元素は、比較的高温の熱処理等でも拡散、脱離は起きにくい。希ガス元素は、下地膜及び基板のうち、マスク１０６ｂで覆われた領域以外の領域、即ち半導体層２０２〜２０６が配置された領域以外の領域に添加される。
【０１２２】
［実施例２］
本実施例では、実施例１で作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図６を用いる。
【０１２３】
まず、実施例１に従い、図５の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図５のアクティブマトリクス基板上に配向膜４０１を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜４０１を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【０１２４】
次いで、対向基板４００を用意する。この対向基板には、着色層４０２、遮光層４０３が各画素に対応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層４０３を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜４０４を設けた。次いで、平坦化膜４０４上に透明導電膜からなる対向電極４０５を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜４０６を形成し、ラビング処理を施した。
【０１２５】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材４０７で貼り合わせる。シール材４０７にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料４０８を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料４０８には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図６に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【０１２６】
こうして得られた液晶モジュールの構成を図７の上面図を用いて説明する。なお、図６と対応する部分には同じ符号を用いた。
【０１２７】
図７（Ａ）で示す上面図は、画素部、駆動回路、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）４１１を貼り付ける外部入力端子４０９、外部入力端子と各回路の入力部までを接続する配線４１０などが形成されたアクティブマトリクス基板と、カラーフィルタなどが設けられた対向基板４００とがシール材４０７を介して貼り合わされている。
【０１２８】
ゲート配線側駆動回路３０１ａと重なるように対向基板側に遮光層４０３ａが設けられ、ソース配線側駆動回路３０１ｂと重なるように対向基板側に遮光層４０３ｂが形成されている。また、画素部３０２上の対向基板側に設けられたカラーフィルタ４０２は遮光層と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応して設けられている。実際に表示する際には、赤色（Ｒ）の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の３色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の配列は任意なものとする。
【０１２９】
ここでは、カラー化を図るためにカラーフィルタ４０２を対向基板に設けているが特に限定されず、アクティブマトリクス基板を作製する際、アクティブマトリクス基板にカラーフィルタを形成してもよい。
【０１３０】
また、カラーフィルタにおいて隣り合う画素の間には遮光層が設けられており、表示領域以外の箇所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領域にも遮光層４０３ａ、４０３ｂを設けているが、駆動回路を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部として組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設けない構成としてもよい。また、アクティブマトリクス基板を作製する際、アクティブマトリクス基板に遮光層を形成してもよい。
【０１３１】
また、上記遮光層を設けずに、対向基板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成する着色層を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示領域以外の箇所（各画素電極の間隙）や、駆動回路を遮光してもよい。
【０１３２】
また、外部入力端子にはベースフィルムと配線から成るＦＰＣ４１１が異方性導電性樹脂で貼り合わされている。さらに補強板で機械的強度を高めている。
【０１３３】
以上のようにして作製される液晶モジュールは各種電子機器の表示部として用いることができる。
【０１３４】
［実施例３］
本実施例は、実施例１とは、マスクとなる絶縁膜１０６ａの形成後の工程が異なる例を示す。本実施例は、レジストからなるマスクを除去した後、希ガス元素を添加する例である。それ以外の工程は同一であるので、図９では、図２と同じ符号を用いる。
【０１３５】
まず、実施の形態に従って図１（Ｄ）と同じ状態を得る。次いで、実施の形態に従ってレジストからなるマスクを形成し、酸化シリコン膜をパターニングして酸化シリコン膜からなるマスクを形成する。次いで、レジストからなるマスクを除去した後、希ガス元素を添加する。（図９（Ａ））
【０１３６】
以降の工程は、実施の形態に従えば、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）の状態が得られ、実施例１に従えば、図６に示すアクティブマトリクス基板が得られる。
【０１３７】
なお、本実施例は実施例２と組み合わせることが可能である。
【０１３８】
［実施例４］
本実施例では、実施例１とレジストからなるマスクを形成した後の工程が異なっている。
【０１３９】
本実施例は、レジストからなるマスクを形成した後、実施例１のように酸化シリコン膜からなる絶縁膜をエッチングすることなく、酸化シリコン膜からなる絶縁膜１０６ａを通過させて希ガス元素を添加する。（図１０（Ａ））この際、ＳＩＭＳ分析を行ったニッケルの濃度プロファイルを図２０に示す。図２０は希ガス元素（ここではＡｒ）を絶縁膜（膜厚０．９μｍ）を通過させて添加した直後のニッケルの濃度を示している。ニッケルは、半導体膜中に１×１０18〜１×１０19／ｃｍ3存在している。添加した条件は、ドーピングガスとしてアルゴンガス１００％、ドーズ量４×１０15／ｃｍ2、加速電圧９０ｋＶである。
【０１４０】
次いで、ゲッタリングを行うが、酸化シリコンからなる絶縁膜１０６ａで覆ったままの状態で行う。（図１０（Ｂ））ここでのゲッタリングは、５５０℃、４時間で行い、その後、ＳＩＭＳ分析を行った結果が図２１である。図２１からは、ゲッタリングにより半導体膜中のニッケルが検出下限まで除去されたことが示されている。
【０１４１】
次いで、絶縁膜１０６ａを除去する。（図１０（Ｃ））
【０１４２】
次いで、前の工程により希ガス元素が添加されて非晶質化した部分（ゲッタリングサイト）１０８を選択的にエッチングする。（図１０（Ｄ））
【０１４３】
エッチャントとしてダッシュ液、サト液、セコ液等を用いることができる。ただし、セコ液はクロムが含まれているので工業的には不向きである。
【０１４４】
以上の工程により結晶質シリコンからなる半導体層１０９のみを残存させることができる。
【０１４５】
なお、本実施例は実施例２と組み合わせることが可能である。
【０１４６】
［実施例５］
本実施例では、結晶化処理とゲッタリング処理とを同一処理で行う例を図１１に示す。
【０１４７】
まず、実施の形態に従って、基板６０１上にブロッキング層６０２、非晶質半導体膜６０３を形成する。次いで、ニッケル含有層６０４を形成する。ここではスパッタ法によりニッケルの薄膜を形成した。
【０１４８】
次いで、珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にレジストからなるマスク６０６を形成する。次いで、レジストからなるマスクを用いてエッチングを行い絶縁膜を選択的に除去して絶縁膜からなるマスク６０５を形成する。
【０１４９】
次いで、レジストからなるマスク６０６及び絶縁膜からなるマスク６０５を用いて、希ガス元素を非晶質半導体膜に添加する。図１１（Ｃ）中、希ガス元素が選択的に添加された領域を不純物領域６０７として示した。
【０１５０】
次いで、結晶化とゲッタリングとを両方行うための熱処理または強光の照射を行う。熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４時間、例えば５５０℃、４時間で行えばよい。この加熱処理により絶縁膜からなるマスク６０５と接している非晶質半導体膜がニッケルの作用により結晶化される。この加熱処理では、結晶化と同時に、非晶質半導体膜中のニッケルが移動して希ガス元素が添加された不純物領域にゲッタリングされる。図１１（Ｄ）の矢印の方向にニッケルが移動する。なお、希ガス元素を添加した領域は、ほとんど結晶化されない。本発明者の実験では、希ガスを添加した場合、リンを添加した場合と比較して熱処理を施しても結晶性が回復しにくい。この比較結果は、図２２、図２３で示した。図２２はそれぞれの条件（条件１＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピング、条件２＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピングし、加速電圧９０ｋＶ、２×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング、条件３＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピングし、加速電圧９０ｋＶ、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング、条件４＝加速電圧９０ｋＶ、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング）で添加した直後のラマンスペクトルを示し、図２３は、窒素雰囲気で５５０℃、４時間の熱処理を行った直後のラマンスペクトルを示している。
【０１５１】
次いで、マスク６０６を用いて不純物領域６０９を除去して、結晶質半導体膜からなる半導体層６１０を得ることができる。
【０１５２】
本実施例では、結晶化とゲッタリングを同時に行うため、スループットが格段に向上する。
【０１５３】
また、ブロッキング層６０２、非晶質半導体膜６０３、ニッケル含有層６０４、及びシリコンを主成分とする絶縁膜を大気にふれることなく連続してＣＶＤ法により形成してもよい。
【０１５４】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【０１５５】
［実施例６］
本実施例では、マスクを用いて金属元素を選択的に添加する例を図１２に示す。
【０１５６】
まず、実施の形態または実施例１に従って、基板９０１上に下地膜（ブロッキング層）９０２、非晶質構造を有する半導体膜９０３を形成する。次いで、珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。なお、この下地膜９０２と半導体膜９０３と絶縁膜を大気解放せずに連続で成膜すると不純物が混入しないため、好ましい。
【０１５７】
次いで、レジストからなるマスク９０６を形成し、エッチングを行って絶縁膜を選択的に除去して絶縁膜からなるマスク９０５を形成する。（図１２（Ａ））
【０１５８】
次いで、実施の形態または実施例１に従って、金属含有層９０７を形成する。（図１２（Ｂ））次いで、実施の形態または実施例１に従って結晶化を行い、結晶構造を有する半導体膜９０８が得られる。（図１２（Ｃ））この結晶化では図１２（Ｃ）中の矢印で示した方向に結晶成長する。なお、マスク９０５で覆われていない領域には高濃度のニッケルが存在している。
【０１５９】
次いで、実施の形態に従って、マスク９０５を用いて希ガス元素を添加し、不純物領域９０９を形成する。（図１２（Ｄ））
【０１６０】
次いで、実施の形態に従って、ゲッタリングを行う。（図１２（Ｅ））この際、結晶構造を有する半導体膜のうち、領域９１０、即ち不純物領域９０９以外の領域は、ゲッタリングにより金属元素が低減された。
【０１６１】
次いで、マスク９０５を用いて、不純物領域９０９を除去した後、マスク９０５を除去して半導体層９１１を形成する。（図１２（Ｆ））
【０１６２】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【０１６３】
［実施例７］
本実施例は実施の形態１とは異なり、希ガス元素を選択的に添加するマスクと半導体膜のパターニングで使用するマスクとを別々とする例である。図１３に本実施例の簡略工程図を示す。
【０１６４】
まず、実施の形態１に従って、図１（Ｄ）と同じ状態を得る。
【０１６５】
次いで、実施の形態１よりも大きめにレジストからなるマスク１１０７を形成し、該マスクを用いて酸化シリコン膜をエッチングしてマスク１１０６ｂを形成する。次いで、希ガス元素をマスク１１０６ｂを用いて選択的に添加してゲッタリングサイト１１０８を形成する。
【０１６６】
次いで、マスク１１０７を除去した後、ゲッタリングを行う。ゲッタリングは、実施の形態１に従って行えばよい。
【０１６７】
次いで、マスク１１０６ｂを除去して、再度レジストからなるマスク１１１１を形成する。このマスクは半導体膜をパターニングするためのものであり、マスク１１０７よりも内側に設けられるものである。
【０１６８】
次いで、マスク１１１１で覆われた領域以外の半導体膜を除去する。ゲッタリングを行うと、金属元素が希ガス元素を添加した領域の境界に偏析しやすい傾向があることから、希ガス元素を添加した領域付近の半導体膜も除去する。こうして、結晶構造を有する半導体膜１１０９を形成する。
【０１６９】
以降の工程は、実施の形態１に従って半導体膜１１０９を覆う絶縁膜１１１０を形成すればよい。そして、実施例１に従ってアクティブマトリクス基板を作製する。
【０１７０】
こうして、得られたアクティブマトリクス基板上のＴＦＴは優れた電気特性を有する。図２５にそのＴＦＴ（Ｌ／Ｗ＝７μｍ／８μｍ、駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴ、ゲート絶縁膜の膜厚１１５ｎｍ）の電圧／電流特性を電気特性を示す。
【０１７１】
図２５において、ＴＦＴのしきい値（Ｖｔｈ）は、１．２２２Ｖ、Ｓ値は、０．１７５Ｖ／ｄｅｃ、電界効果移動度（μＦＥ）は、１７９．９ｃｍ2／Ｖｓ、オン電流値は、Ｖｄｓ（ソース領域とドレイン領域の電圧差）＝１４Ｖの時に２．３４×１０-4Ａ、オフ電流値は、Ｖｄｓ＝１４Ｖの時に３．７×１０-12Ａとなった。これらの値は全て良好なＴＦＴ特性値を示している。
【０１７２】
なお、本実施例は実施例１乃至６のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１７３】
［実施例８］
実施例１では画素電極が反射性を有する金属材料で形成された反射型の表示装置の例を示したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜で形成した透過型の表示装置の例を図１５に示す。
【０１７４】
層間絶縁膜８００を形成する工程までは実施例１と同じであるので、ここでは省略する。実施例１に従って層間絶縁膜２７７を形成した後、透光性を有する導電膜からなる画素電極８０１を形成する。透光性を有する導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
【０１７５】
その後、層間絶縁膜８００にコンタクトホールを形成する。次いで、画素電極８０１と重なる接続電極８０２を形成する。この接続電極８０２は、コンタクトホールを通じてドレイン領域と接続されている。また、この接続電極８０２と同時に他のＴＦＴのソース電極またはドレイン電極も形成する。
【０１７６】
また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。
【０１７７】
以上のようにしてアクティブマトリクス基板が形成される。このアクティブマトリクス基板を用い、実施例２に従って液晶モジュールを作製し、バックライト８０４、導光板８０５を設け、カバー８０６で覆えば、図１５に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバー８０６と液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせる。また、基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充填して接着してもよい。また、透過型であるので偏光板８０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１７８】
なお、本実施例は実施例１乃至７のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１７９】
［実施例９］
本実施例では、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を備えた発光表示装置を作製する例を図１６に示す。
【０１８０】
図１６（Ａ）は、ＥＬモジュールをを示す上面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。絶縁表面を有する基板７００（例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等）に、画素部７０２、ソース側駆動回路７０１、及びゲート側駆動回路７０３を形成する。これらの画素部や駆動回路は、実施の形態に従えば得ることができる。また、７１８はシール材、７１９はＤＬＣ膜であり、画素部および駆動回路部はシール材７１８で覆われ、そのシール材は保護膜７１９で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材７２０で封止されている。カバー材７２０としては、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、カバー材７２０の形状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材７２０は基板７００と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより図１６に示す凹部形状（深さ３〜１０μｍ）に加工する。さらに加工して乾燥剤７２１が設置できる凹部（深さ５０〜２００μｍ）を形成することが望ましい。また、多面取りでＥＬモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、ＣＯ2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。
【０１８１】
また、ここでは図示しないが、用いる金属層（ここでは陰極など）の反射により背景が映り込むことを防ぐために、位相差板（λ／４板）や偏光板からなる円偏光板と呼ばれる円偏光手段を基板（発光を通過させる基板またはカバー材）に設けてもよい。
【０１８２】
なお、７０８はソース側駆動回路７０１及びゲート側駆動回路７０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）７０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。また、本実施例の発光装置は、デジタル駆動であってもよく、アナログ駆動であってもよく、ビデオ信号はデジタル信号であってもよいし、アナログ信号であってもよい。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。また、これらの画素部や駆動回路と同一基板上に複雑な集積回路（ＣＰＵ、コントローラ等）を形成することも可能であるが、少ないマスク数での作製は困難である。従って、ＣＰＵ、コントローラ等を備えたＩＣチップを、ＣＯＧ（chip on glass）方式やＴＡＢ（tape automated bonding）方式やワイヤボンディング方法で実装することが好ましい。
【０１８３】
次に、断面構造について図１６（Ｂ）を用いて説明する。基板７００上に絶縁膜７１０が設けられ、絶縁膜７１０の上方には画素部７０２、ゲート側駆動回路７０３が形成されており、画素部７０２は電流制御用ＴＦＴ７１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極７１２を含む複数の画素により形成される。また、１つの画素に複数、即ち、２つ、または３つ、またはそれ以上のＴＦＴや様々な回路（カレントミラー回路など）を組み込んだ構造としてもよい。また、ゲート側駆動回路７０３はｎチャネル型ＴＦＴ７１３とｐチャネル型ＴＦＴ７１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０１８４】
これらのＴＦＴ（７１１、７１３、７１４を含む）は、実施の形態または実施例１に従って作製すればよい。なお、ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが、特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴ、順スタガ型ＴＦＴとしてもよい。
【０１８５】
画素電極７１２はＥＬ素子の陽極として機能する。また、画素電極７１２の両端にはバンク７１５が形成され、画素電極７１２上にはＥＬ層７１６およびＥＬ素子の陰極７１７が形成される。
【０１８６】
ＥＬ層７１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１８７】
陰極７１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線７０８を経由してＦＰＣ７０９に電気的に接続されている。さらに、画素部７０２及びゲート側駆動回路７０３に含まれる素子は全て陰極７１７、シール材７１８、及び保護膜７１９で覆われている。
【０１８８】
なお、シール材７１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材７１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１８９】
また、シール材７１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図１６に示すようにＤＬＣ膜等からなる保護膜７１９をシール材７１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
【０１９０】
以上のような構造でＥＬ素子をシール材７１８及び保護膜７１９で封入することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１９１】
また、画素電極を陽極（Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉなど）とし、ＥＬ層と、透光性を有する陰極（薄い金属層（ＡｇＭｇやＡｌＬｉ）と透明導電膜との積層（ＩＴＯまたはＺｎＯ）を積層して図９とは逆方向に発光する構成としてもよい。また、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層して図１６とは逆方向に発光する構成としてもよい。図１７にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。
【０１９２】
図１７に示した断面構造について以下に説明する。基板１０００としては、ガラス基板や石英基板の他にも、半導体基板または金属基板も使用することができる。基板１０００上に絶縁膜１０１０が設けられ、絶縁膜１０１０の上方には画素部１００２、ゲート側駆動回路１００３が形成されており、画素部１００２は電流制御用ＴＦＴ１０１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極１０１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１０１３とｐチャネル型ＴＦＴ１０１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。なお、ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが、特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴ、順スタガ型ＴＦＴとしてもよい。
【０１９３】
画素電極１０１２はＥＬ素子の陰極として機能する。また、画素電極１０１２の両端にはバンク１０１５が形成され、画素電極１０１２上にはＥＬ層１０１６およびＥＬ素子の陽極１０１７が形成される。
【０１９４】
陽極１０１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線１００８を経由してＦＰＣ１００９に電気的に接続されている。さらに、画素部１００２及びゲート側駆動回路１００３に含まれる素子は全て陽極１０１７、シール材１０１８、及びＤＬＣ等からなる保護膜１０１９で覆われている。また、カバー材１０２１と基板１０００とを接着剤で貼り合わせた。また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤１０２１を設置する。
【０１９５】
なお、シール材１０１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材１０１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１９６】
また、図１７では、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層したため、発光方向は図１７に示す矢印の方向となっている。
【０１９７】
なお、本実施例は実施例１乃至８のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１９８】
［実施例１０］
本実施例では、実施例１とは異なる例を図１８に示す。
【０１９９】
まず、絶縁表面を有する基板１１上に導電膜を形成し、パターニングを施すことにより走査線１２を形成する。この走査線１２は後に形成される活性層を光から保護する遮光層としても機能する。ここでは基板１１として石英基板を用い、走査線１２としてポリシリコン膜（膜厚５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（Ｗ−Ｓｉ）膜（膜厚１００ｎｍ）の積層構造を用いた。また、ポリシリコン膜はタングステンシリサイドから基板への汚染を保護するものである。
【０２００】
次いで、走査線１２を覆う絶縁膜１３ａ、１３ｂを膜厚１００〜１０００ｎｍ（代表的には３００〜５００ｎｍ）で形成する。ここではＣＶＤ法を用いた膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜とＬＰＣＶＤ法を用いた膜厚２８０ｎｍの酸化シリコン膜を積層させた。
【０２０１】
次いで、非晶質半導体膜を膜厚１０〜１００ｎｍで形成する。ここでは膜厚６９ｎｍの非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）をＬＰＣＶＤ法を用いて形成した。次いで、この非晶質半導体膜を結晶化させる技術として実施の形態または実施例１に示した技術を用いて結晶化、ゲッタリング、パターニングを行い結晶質シリコン膜の不要な部分を除去して、半導体層１４を形成する。
【０２０２】
次いで、保持容量を形成するため、マスクを形成して半導体層の一部（保持容量とする領域）にリンをドーピングする。
【０２０３】
次いで、マスクを除去し、半導体層を覆う絶縁膜を形成した後、マスクを形成して保持容量とする領域上の絶縁膜を選択的に除去する。
【０２０４】
次いで、マスクを除去し、熱酸化を行って絶縁膜（ゲート絶縁膜）１５を形成する。この熱酸化によって最終的なゲート絶縁膜の膜厚は８０ｎｍとなった。なお、保持容量とする領域上に他の領域より薄い絶縁膜を形成した。
【０２０５】
次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープ工程を全面または選択的に行った。このチャネルドープ工程は、ＴＦＴしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加した。もちろん、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いてもよい。
【０２０６】
次いで、絶縁膜１５、及び絶縁膜１３ａ、１３ｂ上にマスクを形成し、走査線１２に達するコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホールの形成後、マスクを除去する。
【０２０７】
次いで、導電膜を形成し、パターニングを行ってゲート電極１６および容量配線１７を形成する。ここでは、リンがドープされたシリコン膜（膜厚１５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（膜厚１５０ｎｍ）との積層構造を用いた。なお、保持容量は、絶縁膜１５を誘電体とし、容量配線１７と半導体層の一部とで構成されている。
【０２０８】
次いで、ゲート電極１６および容量配線１７をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には３×１０17〜３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるように調整する。
【０２０９】
次いで、マスクを形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域を形成する。この高濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には３×１０19〜３×１０20/cm3）となるように調整する。なお、半導体層１４のうち、ゲート電極１６と重なる領域はチャネル形成領域となり、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬＤＤ領域として機能する。そして、不純物元素の添加後、マスクを除去する。
【０２１０】
次いで、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、マスクでｎチャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
【０２１１】
次いで、マスク４１２を除去した後、ゲート電極１６および容量配線１７を覆うパッシベーション膜１８を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を７０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、半導体層にそれぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化するための熱処理または強光の照射処理工程を行う。ここでは裏面からＹＡＧレーザーを照射して活性化を行った。ＹＡＧレーザーに代えてエキシマレーザーを照射してもよい。
【０２１２】
次いで、有機樹脂材料からなる層間絶縁膜１９を形成する。ここでは膜厚４００ｎｍのアクリル樹脂膜を用いた。次いで、半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、電極２０及びソース配線２１を形成する。本実施例では電極２０及びソース配線２１を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の積層膜とした。
【０２１３】
次いで、水素化処理をおこなった後、アクリルからなる層間絶縁膜２２を形成する。次いで、層間絶縁膜２２上に遮光性を有する導電膜１００ｎｍを成膜し、遮光層２３を形成する。次いで、層間絶縁膜２４を形成する。次いで、電極２０に達するコンタクトホール形成する。次いで、１００ｎｍの透明導電膜（ここでは酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）を形成した後、パターニングして画素電極２５を形成する。
【０２１４】
なお、本実施例は一例であって本実施例の工程に限定されないことはいうまでもない。例えば、各導電膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜（代表的には、Ｍｏ―Ｗ合金、Ｍｏ―Ｔａ合金）を用いることができる。また、各絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜や有機樹脂材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等）膜を用いることができる。
【０２１５】
また、本実施例においては、絶縁膜１３ａ、１３ｂにも希ガス元素が添加された。ただし、希ガス元素が添加された領域は、半導体層１４が設けられている領域以外である。
【０２１６】
なお、本実施例は実施例１乃至９のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０２１７】
［実施例１１］
実施例１では、トップゲート型ＴＦＴを例に説明したが、本発明は図１９に示すボトムゲート型ＴＦＴにも適用することができる。
【０２１８】
図１９（Ａ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図であり、図１９（Ａ）において、点線Ａ−Ａ'で切断した部分が、図１９（Ｂ）の画素部の断面構造に相当する。
【０２１９】
図１９に示す画素部において、画素ＴＦＴ部はＮチャネル型ＴＦＴで形成されている。基板上５１にゲート電極５２が形成され、その上に窒化珪素からなる第１絶縁膜５３ａ、酸化珪素からなる第２絶縁膜５３ｂが設けられている。また、第２絶縁膜上には、活性層としてソース領域またはドレイン領域５４〜５６と、チャネル形成領域５７、５８と、前記ソース領域またはドレイン領域とチャネル形成領域の間にＬＤＤ領域５９、６０が形成される。また、チャネル形成領域５７、５８は絶縁層６１、６２で保護される。絶縁層６１、６２及び活性層を覆う第１の層間絶縁膜６３にコンタクトホールを形成した後、ソース領域５４に接続する配線６４が形成され、ドレイン領域５６に配線６５が接続され、さらにその上にパッシベーション膜６６が形成される。そして、その上に第２の層間絶縁膜６７が形成される。さらに、その上に第３の層間絶縁膜６８が形成され、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からなる画素電極６９が配線６５と接続される。また、７０は画素電極６９と隣接する画素電極である。
【０２２０】
本実施例では、活性層を上記実施の形態に従って形成する。
【０２２１】
本実施例では一例としてチャネルストップ型のボトムゲート型のＴＦＴの例を示したが特に限定されない。
【０２２２】
なお、本実施例では、画素部の画素ＴＦＴのゲート配線をダブルゲート構造としているが、オフ電流のバラツキを低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造としても構わない。また、開口率を向上させるためにシングルゲート構造としてもよい。
【０２２３】
また、画素部の容量部は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を誘電体として、容量配線７１と、ドレイン領域５６とで形成されている。
【０２２４】
なお、図１９で示した画素部はあくまで一例に過ぎず、特に上記構成に限定されないことはいうまでもない。
【０２２５】
なお、本実施例は実施例１乃至１０のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０２２６】
［実施例１２］
本実施例では、実施例１と異なるプロセスでアクティブマトリクス基板を作製した例について図３０〜３２に示す。
【０２２７】
本実施例は、基板１６００上に下地膜１６０１（酸化窒化シリコン膜１６０１ａ、酸化窒化シリコン膜１６０１ｂの積層）を設け、その上に半導体層１６０２〜１６０６を形成し、絶縁膜１６０７を形成し、該絶縁膜上に第１の導電膜１６０８と、第２の導電膜１６０９とを積層形成する工程は、実施例１と同一である。また、半導体層の形成は実施の形態に従って形成すればよい。従って、詳しい説明はここでは省略する。なお、図３０（Ａ）は、図３（Ａ）と同じ状態を示している。
【０２２８】
次いで、実施例３と同様な方法で第１のエッチング処理を行い、第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層１６１６〜１６２１（第１の導電層１６１６ａ〜１６２１ａと第２の導電層１６１６ｂ〜１６２１ｂ）を形成する。（図３０（Ｂ））なお、この工程までが実施例１と同一である。
【０２２９】
そして、本実施例は、第１のエッチング処理に引き続き、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜１６０７であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜１６０７との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。また、駆動回路のＴＦＴにおいては、テーパ−部のチャネル長方向の幅が長ければ長いほど信頼性が高いため、テーパ−部を形成する際、ＳＦ6を含むエッチングガスでドライエッチングを行うことが有効である。
【０２３０】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層１６２２ｂ〜１６２７ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層１６２２ａ〜１６２７ａを形成する。また、上記第２のエッチング処理において、ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とをエッチングガスに用いることも可能である。
【０２３１】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行って図３０（Ｃ）の状態を得る。ドーピングは第１の導電層１６２２ａ〜１６２７ａを不純物元素に対するマスクとして用いて第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されないようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用い、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガス、ガス流量３０ｓｃｃｍにてプラズマドーピングを行った。こうして、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域（ｎ――領域）１６２８を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域１６２８へ添加されたリン（Ｐ）の濃度は、１×１０17〜１×１０19/cm3である。
【０２３２】
また、第１のドーピング処理は、第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングしてもよい。その場合には、第１の導電層のテーパー部の膜厚に従って濃度勾配を有することになる。
【０２３３】
次いで、レジストからなるマスク１６２９〜１６３２を形成した後、第２のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図３１（Ａ））なお、後にｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層はマスク１６２９、１６３０で覆う。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリンを用い、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガスとしたイオンドープ法を用いて添加する。
【０２３４】
第２のドーピング処理により、後にロジック回路部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０３には、導電層１６２３がリンに対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域（ｎ+領域）１６４３、１６４４が形成される。また、この第２のドーピング処理時、テーパー部の下方にも添加して低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６３３、１６３４を形成する。よって、後に形成されるロジック回路部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）のみを備える。なお、低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６３３、１６３４においては、第１の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層のテーパー部の端部から内側に向かって不純物濃度（Ｐ濃度）が次第に低くなっている。
【０２３５】
また、第２のドーピング処理により、後にサンプリング回路部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０５には、マスク１６３１で覆われなかった領域に高濃度不純物領域１６４５、１６４６が形成され、マスク１６３１で覆われた領域には低濃度不純物領域（ｎ--領域）１６３５、１６３６が形成される。従って、後にサンプリング回路部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）のみを備える。
【０２３６】
また、第２のドーピング処理により、後に画素部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０６には、マスク１６３２で覆われなかった領域に高濃度不純物領域１６４７〜１６５０が形成され、マスク１６３２で覆われた領域には低濃度不純物領域（ｎ--領域）１６３７〜１６４０が形成される。従って、後に画素部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）のみを備える。また、後に画素部の容量部となる領域には、自己整合的に高濃度不純物領域１６５０が形成され、テーパー部の下方には低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６４１、１６４２が形成される。
【０２３７】
第２のドーピング処理により、高濃度不純物領域１６４３〜１６５０には、３×１０19〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が添加される。
【０２３８】
また、第２のドーピング処理の前後で希ガス元素を添加してもよく、その場合、後の熱処理でさらにゲッタリングすることができる。また、その場合には全ての半導体層の端部に添加されるようなマスクを第２のドーピング処理で用いることが望ましい。
【０２３９】
次いで、マスク１６２９〜１６３２を除去した後、後にｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層をレジストからなるマスク１６５１〜１６５３で覆い、第３のドーピング処理を行う。（図３１（Ｂ））テーパー部を通過してｐ型の不純物元素が添加され、低濃度でｐ型の不純物元素を含む領域（ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）１６５４ｂ〜１６５７ｂ）が形成される。この第３のドーピング処理により、低濃度でｎ型の不純物元素をふくみ、且つ高濃度でｐ型の不純物元素を含む領域１６５４ａ〜１６５７ａを形成する。領域１６５４ａ〜１６５７ａには低濃度のリンが含まれているが、ボロンの濃度を６×１０19〜６×１０20/cm3となるようにドーピング処理し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【０２４０】
また、本実施例では第１のドーピング処理、第２のドーピング処理、第３のドーピング処理の順に行ったが、特に限定されず、工程順序を自由に変更してもよい。
【０２４１】
次いで、レジストからなるマスク１６５１〜１６５３を除去して、第１の層間絶縁膜１６５８を形成する。この第１の層間絶縁膜１６５８としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜２００ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。
【０２４２】
次いで、図３１（Ｃ）に示すように、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程はＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射することによって行う。裏面から照射することによって、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことができる。
【０２４３】
また、本実施例では、上記活性化の前に第１の層間絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、第１の層間絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０２４４】
次いで、窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜１６５９を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では、窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱処理を行った。この工程は第２の層間絶縁膜１６５９に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０２４５】
次いで、第２の層間絶縁膜１６５９上に有機絶縁物材料から成る第３の層間絶縁膜１６６０を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成した。次いで、各高濃度不純物領域に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。本実施例では複数のエッチング処理を行った。本実施例では第２の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第３の層間絶縁膜をエッチングした後、第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングしてから第１の層間絶縁膜をエッチングした。
【０２４６】
次いで、高濃度不純物領域とそれぞれ電気的に接続する電極１６６１〜１６６９と、高濃度不純物領域１６４９と電気的に接続する画素電極１６７０を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いる。
【０２４７】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０６及びｐチャネル型ＴＦＴ１７０５からなるロジック回路部１７０３と、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８及びｐチャネル型ＴＦＴ１７０７からなるサンプリング回路部１７０４とを有する駆動回路１７０１と、ｎチャネルＴＦＴ１７０９からなる画素ＴＦＴ及び保持容量１７１０とを有する画素部１７０２とを同一基板上に形成することができる。（図３２）
【０２４８】
なお、本実施例ではｎチャネル型ＴＦＴ１７０９は、ソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）となっているが、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０２４９】
本実施例では、第２のドーピング処理により、自己整合的またはマスクによって各回路に適した高濃度不純物領域を作り分けることを特徴としている。ｎチャネル型ＴＦＴ１７０６、１７０８、１７０９のＴＦＴの構造は、いずれも低濃度ドレイン（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）構造となっている。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにｎチャネル型ＴＦＴ１７０６は、ゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造である。また、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８、１７０９は、ゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）のみを備えている構造である。なお、本明細書では、絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域（ｎ-領域）をＧＯＬＤ領域と呼び、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ｎ--領域）をＬＤＤ領域と呼ぶ。このゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）のチャネル方向の幅は、第２のドーピング処理時のマスクを適宜変更することで自由設定することができる。また、第１のドーピング処理の条件を変え、テーパー部の下方にも不純物元素が添加されるようにすれば、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８、１７０９は、ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）と、ゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）とを両方備えた構造とすることも可能である。
【０２５０】
なお、本実施例は実施例１乃至１２のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【０２５１】
［実施例１３］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）に用いることができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
【０２５２】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図３３〜図３５に示す。
【０２５３】
図３３（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【０２５４】
図３３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０２５５】
図３３（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０２５６】
図３３（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【０２５７】
図３３（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０２５８】
図３３（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０２５９】
図３４（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。本発明は投射装置２６０１の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用し、装置全体を完成させることができる。
【０２６０】
図３４（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。本発明は投射装置２７０２の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用し、装置全体を完成させることができる。
【０２６１】
なお、図３４（Ｃ）は、図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶モジュール２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図３４（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２６２】
また、図３４（Ｄ）は、図３４（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図３４（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２６３】
ただし、図３４に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びＥＬモジュールでの適用例は図示していない。
【０２６４】
図３５（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
【０２６５】
図３５（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０２６６】
図３５（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【０２６７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０２６８】
【発明の効果】
本発明により、熱処理を用いて結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合は、高温熱処理２回（結晶化、ゲッタリング）に抑えることができ、強光により結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合には、高温熱処理１回（ゲッタリング）に抑えることができる。
【０２６９】
また、希ガスを添加する処理時間は、１分または２分程度の短時間で高濃度の希ガス元素を半導体膜に添加することができるため、リンを用いたゲッタリングと比較してスループットが格段に向上する。
【０２７０】
また、リンを用いたゲッタリングと比較して、希ガス元素の添加による本発明のゲッタリング能力は高く、さらに高濃度、例えば１×１０20〜５×１０21／cm3で添加できるため、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることができる。即ち、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって結晶化の処理時間をさらに短時間で行うことが可能となる。また、結晶化の処理時間を変えない場合には、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、さらなる低温で結晶化することができる。また、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、自然核の発生を低減することができ、良好な結晶質半導体膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体層の作製工程を示す図。
【図２】 半導体層の作製工程を示す図。
【図３】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図４】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図５】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図６】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図
【図７】 液晶モジュールの外観を示す図。
【図８】 活性化工程を示す図。
【図９】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１０】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１１】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１２】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１３】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１４】 希ガス元素の濃度分布を示す図。
【図１５】 透過型の例を示す図。
【図１６】 ＥＬモジュールを示す上面図及び断面図。
【図１７】 ＥＬモジュールを示す断面図。
【図１８】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図１９】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図２０】 アニール前のニッケル濃度を示すグラフ。
【図２１】 アニール後のニッケル濃度を示すグラフ。
【図２２】 アニール前のラマンスペクトルを示すグラフ。
【図２３】 アニール後のラマンスペクトルを示すグラフ。
【図２４】 Ｅ×Ｂスペクトルデータを示すグラフ。
【図２５】 ＴＦＴにおける電圧／電流特性を示す図。
【図２６】 ゲッタリングされる領域（幅５０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２７】 ゲッタリングされる領域（幅３０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２８】 ゲッタリングされる領域（幅３０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２９】 ゲッタリング後のＦＰＭ処理により観察されるエッチピットを示す簡略図。
【図３０】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３１】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３２】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３３】 電子機器の一例を示す図。
【図３４】 電子機器の一例を示す図。
【図３５】 電子機器の一例を示す図。
【図３６】 ゲッタリング後にＦＰＭ処理を行った後の観察写真図。
【発明の属する技術分野】
本発明はゲッタリング技術を用いた半導体装置の作製方法及び、当該作製方法により得られる半導体装置に関する。特に本発明は、半導体膜の結晶化において触媒作用のある金属元素を添加して作製される結晶質半導体膜を用いた半導体装置の作製方法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
結晶構造を有する半導体膜（以下、結晶質半導体膜という）を用いた代表的な半導体素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）が知られている。ＴＦＴはガラスなどの絶縁基板上に集積回路を形成する技術として注目され、駆動回路一体型液晶表示装置などが実用化されつつある。従来からの技術において、結晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法で堆積した非晶質半導体膜を、加熱処理やレーザーアニール法（レーザー光の照射により半導体膜を結晶化させる技術）により作製されている。
【０００４】
こうして作製される結晶質半導体膜は多数の結晶粒の集合体であり、その結晶方位は任意な方向に配向して制御不能であるため、ＴＦＴの特性を制限する要因となっている。このような問題点に対し、特開平７−１８３５４０号公報で開示される技術は、ニッケルなど半導体膜の結晶化に対し触媒作用のある金属元素を添加して結晶質半導体膜を作製するものであり、結晶化に必要とする加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶質半導体膜でＴＦＴを形成すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数（Ｓ値）が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となっている。
【０００５】
しかし、触媒作用のある金属元素を添加する故に、結晶質半導体膜の膜中或いは膜表面には、当該金属元素が残存し、得られる素子の特性をばらつかせるなどの問題がある。その一例は、ＴＦＴにおいてオフ電流が増加し、個々の素子間でばらつくなどの問題がある。即ち、結晶化に対し触媒作用のある金属元素は、一旦、結晶質半導体膜が形成されてしまえば、かえって不要な存在となってしまう。
【０００６】
リンを用いたゲッタリングは、このような金属元素を結晶質半導体膜の特定の領域から除去するための手法として有効に活用されている。例えば、ＴＦＴのソース・ドレイン領域にリンを添加して４５０〜７００℃の熱処理を行うことで、チャネル形成領域から当該金属元素を容易に除去することが可能である。
【０００７】
リンはイオンドープ法（ＰＨ3などをプラズマで解離して、イオンを電界で加速して半導体中に注入する方法であり、基本的にイオンの質量分離を行わない方法を指す）で結晶質半導体膜に注入するが、ゲッタリングのために必要なリン濃度は１×１０20/cm3以上である。イオンドープ法によるリンの添加は、結晶質半導体膜の非晶質化をもたらすが、リン濃度の増加はその後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。また、高濃度のリンの添加は、ドーピングに必要な処理時間の増大をもたらし、ドーピング工程におけるスループットを低下させるので問題となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
ゲッタリング技術は単結晶シリコンウエハーを用いる集積回路の製造技術において主要な技術として位置付けられている。ゲッタリングは半導体中に取り込まれた金属不純物が、何らかのエネルギーでゲッタリングサイトに偏析して、素子の能動領域の不純物濃度を低減させる技術として知られている。それは、エクストリンシックゲッタリング(Extrinsic Gettering)とイントリンシックゲッタリング(Intrinsic Gettering)の二つに大別されている。エクストリンシックゲッタリングは外部から歪場や化学作用を与えてゲッタリング効果をもたらすものである。高濃度のリンを単結晶シリコンウエハーの裏面から拡散させるリンゲッタはこれに当たり、前述の結晶質半導体膜に対するリンを用いたゲッタリングもエクストリンシックゲッタリングの一種と見なすことができる。
【００１０】
一方、イントリンシックゲッタリングは単結晶シリコンウエハーの内部に生成された酸素が関与する格子欠陥の歪場を利用したものとして知られている。本発明は、このような格子欠陥、或いは格子歪みを利用したイントリンシックゲッタリングに着目したものであり、厚さ１０〜１００nm程度の結晶質半導体膜に適用するために以下の手段を採用するものである。
【００１１】
本発明は、金属元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を形成する手段と、選択的に希ガス元素を添加してゲッタリングサイトを形成する手段と、ゲッタリングサイトに金属元素をゲッタリングさせる手段とを有している。
【００１２】
また、希ガス元素を添加する方法としてはイオンドープ法またはイオン注入法を用いればよい。
【００１３】
また、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加してもよい。なお、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2から選ばれた一種または複数種を添加する場合、例えば希ガス元素に加え、水蒸気を含む雰囲気で行えばよい。雰囲気に水蒸気を加え、イオンドープ法を用いて希ガス元素（アルゴン）を添加した時、電磁場直交型質量分析器（Ｅ×（cross）Ｂ mass analyzer）を用いて測定した結果を図２４に示す。なお、電磁場直交型質量分析器は、磁界と電界を垂直にし、かつそれぞれがイオンビーム軸と垂直になるように配置した質量分析器である。電場によりビームを偏向し、検出対象イオンが磁場により中心軸上に戻るようにして質量分析を行う。
【００１４】
また、希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加する場合、例えば希ガス元素に加え、水蒸気とフォスフィンを含む雰囲気で行えばよい。このように複数の元素を添加することにより相乗的にゲッタリング効果が得られる。
【００１５】
特に、酸素（Ｏ、Ｏ2）を添加することは有効であり、ゲッタリング工程において、結晶化を助長する金属元素は、ゲッタリングサイトの酸素濃度の多い領域に移動する傾向がある。
【００１６】
また、本発明において、結晶構造を有する半導体膜は、非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加した後、加熱処理または強光の照射によって結晶化を行えばよい。結晶化の後、フッ酸を含むエッチャント、例えば希フッ酸やＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水との混合液）で偏析した金属元素を除去または低減してもよい。また、フッ酸を含むエッチャントで表面をエッチング処理した場合には、強光を照射して表面を平坦化することが望ましい。
【００１７】
また、上記結晶化の後、さらに結晶化を改善するためのレーザー光または強光の照射を行ってもよい。この結晶化を改善するためのレーザー光または強光の照射の後にフッ酸を含むエッチャントで偏析した金属元素を除去または低減してもよく、さらに強光を照射して表面を平坦化してもよい。
【００１８】
次いで、結晶構造を有する半導体膜上に珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。なお、この絶縁膜は極薄いものでよく、炭素、即ち有機物の除去のために行われるヒドロ洗浄と呼ばれる表面処理に使用するオゾンを含む溶液で酸化させることによって形成してもよい。この絶縁膜は、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングするためのものである。この絶縁膜を形成して、チャネルドープを行った後で活性化させるため強光を照射してもよい。
【００１９】
また、本発明の特徴の一つは、結晶質半導体薄膜に希ガス元素を添加してゲッタリングサイトを形成するプロセスと、加熱処理（強光の照射による加熱処理を含む）するプロセスとを有しており、該加熱処理により結晶質半導体薄膜に含まれる金属が移動してゲッタリングサイト（希ガス元素のイオンが添加された領域）に捕獲され、ゲッタリングサイト以外の結晶質半導体薄膜から金属を除去または低減することである。なお、加熱処理に代えて強光を照射してもよいし、加熱処理と同時に強光を照射してもよい。また、このゲッタリングの際、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００２０】
また、本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスクを用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域を形成し、加熱処理により前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行った後、前記マスクを用いて半導体膜のパターニングを行うことも特徴としている。マスク数の低減または工程を簡略化する上では、希ガス元素を選択的に添加するマスクと半導体膜のパターニングで使用するマスクとを同一とすることが望ましいが、ゲッタリングを行うと、金属元素が希ガスを添加した領域の境界に偏析しやすい傾向があることから、図１３に示したように別々のマスクとしてもよい。
【００２１】
また、希ガス元素の添加方法としては、イオンドーピング法やイオン注入法を用いることができ、希ガス元素としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種を用いることができる。中でも安価なガスであるＡｒを用いることが望ましい。イオンドーピング法を用いる場合、ドーピングガスに含まれる希ガス元素の１種類が占める濃度が３０％以上、好ましくは１００％とする。例えば、Ｋｒガス３０％、Ａｒガス７０％の濃度としたドーピングガスを用いてもよい。
【００２２】
また、本発明は、半導体膜のパターニングを行う際、希ガスを添加した領域、即ち、金属元素が高濃度に偏析した領域は除去され、マスクで覆われ、且つ金属元素が低減された領域が所望の形状を有する半導体層として形成される。なお、半導体層を形成する際にオーバーエッチすれば、半導体層の端部に存在する金属が偏析している部分を除去することができる。また、パターニングを行った後、上記マスクは除去する。
【００２３】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。また、この表面洗浄の前または後に活性化工程を加え、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００２４】
次いで、ゲート絶縁膜表面を洗浄した後、ゲート電極を形成し、ｐ型またはｎ型を付与する不純物元素を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。また、必要であればＬＤＤ領域も形成してもよい。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行えばよい。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい。
【００２５】
以降の工程は、層間絶縁膜を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極、ドレイン電極を形成してＴＦＴを完成させる。
【００２６】
本発明により、熱処理を用いて結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合は、高温熱処理２回（結晶化、ゲッタリング）に抑えることができ、強光により結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合には、高温熱処理１回（ゲッタリング）に抑えることができる。
【００２７】
また、希ガスを添加する処理時間は、１分または２分程度の短時間で高濃度の希ガス元素を半導体膜に添加することができるため、リンを用いたゲッタリングと比較してスループットが格段に向上する。
【００２８】
希ガス元素によるゲッタリングの能力について実験を行った。半導体膜は５０nmの非晶質シリコン膜に１０ppmの酢酸ニッケル含有水溶液を塗布した後、５００℃にて１時間の脱水素処理と、５５０℃にて４時間の加熱処理により結晶化させた結晶質半導体膜を用いた。この結晶化半導体膜をパターニングした後、９０ｎｍの酸化珪素膜を形成した。そして、ゲッタリングされる領域を幅５０μｍとし、該領域を挟むようにマスクを用いてアルゴンをイオンドープ法（８０keVの加速電圧で、５×１０15/cm2のドーズ量）で注入してゲッタリングサイト（幅５μｍ）を設けた試料を作製した。アルゴンは９９．９９９９％以上のものを用い、注入に要する時間は１〜２分でよかった。そして、窒素雰囲気中、加熱温度を３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃とし、加熱時間を４時間、６時間、８時間としてそれぞれゲッタリングを行った。ゲッタリング後、酸化珪素膜を除去した後、ＦＰＭで処理した。ゲッタリングの効果は、結晶質半導体膜の被ゲッタリング領域におけるエッチピットの数により確認した。即ち、添加したニッケルの大部分はニッケルシリサイドとして結晶質半導体膜に残存するが、これはＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）によりエッチングされることが知られている。従って、被ゲッタリング領域をＦＰＭで処理してエッチピットの有無を確認することにより、ゲッタリングの効果を確認することができる。この場合、エッチピットの数（密度）が少ない程、ゲッタリングの効果が高いことを意味する。図２６にその結果を示す。図２６からは、加熱時間を長くすれば長くするほどエッチピットの密度は少なくなっており、５００℃、好ましくは５５０℃の熱処理によりエッチピットの密度が十分少なくなっていることが読み取れる。
【００２９】
また、ゲッタリングされる領域の幅を３０μｍとして同様の実験を行った結果を図２７に示す。図２７と図２６を比較すれば、ゲッタリングされる領域が３０μｍであれば５００℃でも十分にエッチピットの密度が少なくなっている。
【００３０】
なお、図２９にエッチピットが形成された試料の簡略図を示す。なお、図２９中、希ガス元素添加領域１０４０１とはアルゴンが添加された領域を示している。ゲッタリングされた領域（被ゲッタリング領域）１０４０２に存在するエッチピット１０４０３の数を光学顕微鏡で見ながらカウントしてエッチピット密度を得た。
【００３１】
また、リンのゲッタリング能力と比較するため、さらに実験を行った。ドーピング条件と加熱条件とを変えて、上記実験と同様にエッチピットの密度を得た。ここでは、ゲッタリングサイト（幅５μｍ）にリンをイオンドープ法（水素で希釈された５％のＰＨ3を用い、加速電圧８０keV、ドーズ量１．３×１０15/cm2）で注入した試料、アルゴンをイオンドープ法（８０keVの加速電圧で、１×１０15、５×１０15/cm2、５×１０15/cm2のドーズ量）でそれぞれ注入した試料をそれぞれ作製し、これらを比較評価した。この時、リンの注入に要する時間は約８分である。そして、加熱温度５００℃、２４時間でゲッタリングを行った。また、それぞれゲッタリングされた領域の幅を３０μｍとした試料と、５０μｍとした試料とで比較した。図２８にその結果を示す。図２８から、リンよりもドーズ量が少ないにも関わらず、アルゴンのほうがゲッタリング能力が高いことが示されている。また、アルゴンの添加量が少ない、即ち、５×１０15/cm2のドーズ量であっても加熱時間が長ければ十分ゲッタリングされ、エッチピットの密度を少なくすることが可能である。
【００３２】
このように、リンを用いたゲッタリングと比較して、希ガス元素の添加による本発明のゲッタリング能力は高く、さらに高濃度、例えば１×１０20〜５×１０21／cm3で添加できるため、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることができる。即ち、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって結晶化の処理時間をさらに短時間で行うことが可能となる。また、結晶化の処理時間を変えない場合には、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、さらなる低温で結晶化することができる。また、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、自然核の発生を低減することができ、良好な結晶質半導体膜を形成することができる。
【００３３】
また、本発明のゲッタリングは、結晶化に用いた金属元素のゲッタリングだけでなく、他の重金属元素のゲッタリングも行われる。
【００３４】
また、本発明のゲッタリングによって、結晶構造の半導体膜のアニールも行われる。
【００３５】
また、アイランドを形成するまでに高温熱処理が施されているため、基板の収縮がアイランド形成後の工程で生じず、パターニングのずれを最小限に抑えることができ、デバイス製造の上で歩留まりが向上する。また、熱処理回数が少ない本発明は、基板の厚さが薄く（例えば０．７ｍｍや０．５ｍｍ）とも基板に与える影響が小さいため、問題なく使用可能である。
【００３６】
本明細書で開示する作製工程に関する発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第３工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第４工程と、
前記不純物領域を除去する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００３７】
上記構成において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００３８】
また、上記構成において、前記第３工程における前記希ガス元素に加えて、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加することを特徴としている。
【００３９】
また、上記構成において、前記第３工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴としている。
【００４０】
また、上記各構成において、前記第５の工程の後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を表面側または裏面側から照射して前記不純物元素を活性化する工程を有することを特徴としている。
【００４１】
また、上記各構成において、前記第２工程は、加熱処理であることを特徴としている。
【００４２】
また、上記各構成において、前記第２工程は、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４３】
また、上記各構成において、前記第２工程は、加熱処理を行い、且つ、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４４】
また、上記各構成において、前記第４工程は、加熱処理であることを特徴としている。
【００４５】
また、上記各構成において、前記第４工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４６】
また、上記各構成において、前記第４工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴としている。
【００４７】
また、上記各構成において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴としている。
【００４８】
また、上記各構成において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００４９】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第１のマスクを形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５０】
また、上記構成において、前記第７の工程は、前記不純物領域と、前記結晶構造を有する半導体膜の一部とを除去する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００５１】
また、上記構成において、前記第２のマスクは、前記第１のマスクの端部より内側の位置に設けることを特徴としている。
【００５２】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５３】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第６工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第３のマスクを形成する第７工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００５４】
また、本発明の構成は、
半導体層と、該半導体層に接する絶縁膜と、該絶縁膜に接するゲート電極とを含むＴＦＴを基板上に備えた半導体装置であって、
前記基板は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有していることを特徴とする半導体装置である。なお、この基板は絶縁性基板または半導体基板である。また、この構成は、希ガス元素を添加した工程の際、基板にも希ガス元素が添加されて得られるものである。この時、図１４（Ｃ）に希ガス元素を添加した直後の状態の簡略図を示した。さらに希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加した場合も同様に基板にも下地絶縁膜にもＨ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種が添加される。ただし、希ガス元素に比べて、これらは後の熱処理により拡散しやすい。
【００５５】
また、上記構成において、前記希ガス元素を含む領域を形成するマスクと前記半導体層を形成するマスクは同一であることを特徴としている。こうすることでマスク数を増加させることなく半導体装置が得られる。
【００５６】
また、本発明の他の構成は、
基板上に接する絶縁膜と、半導体層とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記絶縁膜は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有していることを特徴とする半導体装置である。
【００５７】
なお、上記絶縁膜はブロッキング層として設けられた下地絶縁膜である。この下地絶縁膜に希ガスが添加される時の状態を、図１４（Ｂ）に示した。
【００５８】
また、上記構成において、前記基板は、少なくとも一部に希ガス元素を含む領域を有している。即ち、マスクを形成しなかった領域には、基板にも下地絶縁膜にも希ガス元素が添加されている。さらに希ガス元素に加え、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種を添加した場合も同様に基板にも下地絶縁膜にもＨ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐ、Ｈ2Ｏから選ばれた一種または複数種が添加される。ただし、希ガス元素に比べて、これらは後の熱処理により拡散しやすい。
【００５９】
また、前記希ガス元素を含む領域を形成するマスクと前記半導体層を形成するマスクは同一であることを特徴としている。
【００６０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００６１】
図１及び図２は本発明の一実施形態を説明する図であり、非晶質半導体膜の全面に触媒作用のある金属元素を全面に添加して結晶化した後、ゲッタリングを行う方法である。
【００６２】
図１（Ａ）において、基板１０１はバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基板１０１の表面には、ブロッキング層１０２として無機絶縁膜を１０〜２００nmの厚さで形成する。好適なブロッキング層の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される第１酸化窒化シリコン膜を５０nmの厚さに形成し、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製される第２酸化窒化珪素膜を１００nmの厚さに形成したものが適用される。ブロッキング層１０２はガラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成する半導体膜中に拡散しないために設けるものであり、石英を基板とする場合には省略することも可能である。
【００６３】
ブロッキング層１０２の上に形成する非晶質構造を有する半導体膜１０３は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する。良質な結晶を得るためには、非晶質構造を有する半導体膜１０３に含まれる酸素、窒素、炭素などの不純物濃度を極力低減する必要があり、高純度の材料ガスを用いることはもとより、超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。
【００６４】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜１０３の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する。半導体膜の結晶化を促進する触媒作用のある金属元素としては鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などであり、これらから選ばれた一種または複数種を用いることができる。代表的にはニッケルを用い、重量換算で３〜５０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層１０４を形成する。（図１（Ａ））後の工程で行うゲッタリング能力が非常に高いため、高濃度のニッケルを含む溶液を使用することが可能である。また、高濃度の溶液を塗布するためにスピナーの回転数を低減してもよい。この場合、当該溶液の馴染みをよくするために、非晶質構造を有する半導体膜１０３の表面処理として、オゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングして清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形成しておくことにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布することができる。
【００６５】
勿論、触媒含有層１０４は上記塗布方法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより形成しても良い。
【００６６】
次いで、加熱処理または強光の照射を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は触媒となる金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図１（Ｂ）に示す結晶質半導体膜１０５が形成される。熱処理により結晶化を行う場合は、この非晶質シリコン膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃〜６５０℃で４〜２４時間）を行うとよい。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。（図１（Ｂ））なお、必要であれば、第１の強光を照射する前に非晶質構造を有する半導体膜１０３に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、加熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。
【００６７】
結晶化の直後、半導体膜に含まれる金属元素を低減するため、フッ素を含むエッチャントを用いて触媒となる金属元素をエッチングで低減または除去してもよい。
【００６８】
次いで、結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶質半導体膜１０５に対して光を照射する。（図１（Ｃ））光には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。また、連続発振の気体レーザもしくは固体レーザを用いてもよい。固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍがドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ3などの結晶を使ったレーザが適用される。当該レーザの基本波はドーピングする材料によって異なり、１μｍ前後の基本波を有するレーザ光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。ここでは、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜４００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって結晶質半導体膜１０５に対するレーザー処理を行っても良い。また、レーザー光に代えて強光を照射してもよいし、同時にレーザー光と強光とを照射してもよい。
【００６９】
なお、連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、０．５〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射する。
【００７０】
次いで、欠陥を補修する処理の直後に、結晶質半導体膜に含まれる金属元素を低減するため、フッ素を含むエッチャントを用いて触媒となる金属元素をエッチングで低減または除去してもよい。また、このエッチングで表面に凹凸が生じてしまった場合には、強光を照射して表面を平坦化してもよい。
【００７１】
次いで、オゾンを含む溶液で半導体膜表面の有機物を除去する洗浄を行い、表面に極薄い酸化膜を形成する。この極薄い酸化膜を通過させて微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を半導体膜に添加するチャネルドープを行ってＴＦＴのしきい値を制御することが望ましい。また、チャネルドープを行った後で不純物元素を活性化させるため強光を照射してもよい。また、ニッケルを添加する前に同様の洗浄を行い、極薄い酸化膜を形成した後にチャネルドープを行ってもよい。
【００７２】
次いで、結晶質半導体膜上に１００〜２００nmの厚さの酸化珪素膜１０６ａを形成する。（図１（Ｄ））酸化珪素膜の作製方法は限定されないが、例えば、オルトケイ酸テトラエチル（Tetraethyl Ortho Silicate：ＴＥＯＳ）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させ形成する。
【００７３】
次いで、酸化珪素膜上にレジストからなるマスク１０７を形成する。このマスクによってパターニングし、ＴＦＴの半導体層となる部分を覆う酸化珪素からなる絶縁層１０６ｂを形成した後、半導体膜に希ガス元素を添加してゲッタリングサイト１０８を形成する。（図２（Ａ））ここでは、イオンドーピング法またはイオン注入法を用い、半導体膜に添加される希ガス元素の濃度を１×１０20〜５×１０21／ｃｍ3とすることが望ましい。この時、レジストからなるマスクをそのまま残した状態で希ガス元素のドーピングを行ってもよいし、レジストマスクからなるマスクを除去した後、希ガス元素のドーピングを行ってもよい。希ガス元素のドーピング後は、レジストからなるマスクを除去する。また、希ガス元素に加え、周期表１５族元素または周期表１３族元素を添加してもよい。なお、図２（Ａ）では、半導体膜のみに希ガス元素が添加されたように図示したが、実際は、希ガスを添加する工程の条件によって、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示したような金属元素の濃度分布を制御できる。図１４（Ａ）は、半導体膜の浅い位置にピークを有する濃度分布１２０となるような条件で行ったものであり、図１４（Ｂ）は半導体膜の中間位置にピークを有する濃度分布１２１となるような条件で行ったため、ブロッキング層１０２にも希ガス元素が添加された例である。また、図１４（Ｃ）は半導体膜の深い位置にピークを有する濃度分布１２２となるような条件で行ったため、ブロッキング層１０２及び基板１０１にも希ガス元素が添加された例である。図１４（Ｂ）や図１４（Ｃ）に示したようにブロッキング層や基板に希ガス元素を添加することによって応力の緩和を図ることができる。
【００７４】
次いで、ゲッタリングを行う。（図２（Ｂ））ゲッタリングは窒素雰囲気中で４５０〜８００℃、１〜２４時間、例えば５５０℃にて１４時間の熱処理を行うと、ゲッタリングサイト１０８に金属元素を偏析させることができる。このゲッタリングにより、絶縁層１０６ｂで覆われた半導体膜に含まれる金属元素を除去、または金属元素の濃度を低減する。また、熱処理に代えて強光を照射してもよい。また、熱処理に加えて強光を照射してもよい。ただし、ゲッタリングの加熱手段に、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いるＲＴＡ法を用いる場合、半導体膜の加熱温度が４００℃〜５５０℃となるように強光を照射することが望ましい。また、４５０〜８００℃に加熱された不活性ガス中に短時間さらして瞬間的に熱処理を行ってもよい。あまり高い加熱温度としてしまうと半導体膜中の歪みが無くなってしまい、ゲッタリングサイト（ニッケルシリサイド）からニッケルを飛び出させる作用やニッケルを捕獲する作用が消えてしまうため、ゲッタリング効率が低下してしまう。
【００７５】
ゲッタリングが終わったら、上記マスクをそのまま用いてゲッタリングサイトを除去して、金属元素が低減された領域からなる所望の形状を有する半導体層１０９を形成し、最後に酸化珪素からなる絶縁層を除去する。（図２（Ｃ））絶縁層を除去する際、半導体層の表面もわずかにエッチングすることが望ましい。図３６にゲッタリング後にＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）によりニッケルシリサイドをエッチングした際の光学顕微鏡写真を示した。図３６から半導体層の周縁部にエッチピットが多数観察されていることから、ゲッタリングによって半導体層の周縁部にニッケルが偏析しやすいと予想される。ちなみに図３６は、ガラス基板上に膜厚５０ｎｍの下地絶縁膜と、膜厚５０ｎｍのポリシリコン膜（ニッケル添加した後、結晶化させたもの）とを形成し、アルゴンを加速電圧１０ｋｅＶ、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量で選択的に添加し、５５０℃、４時間でゲッタリングを行った後、ＦＰＭ処理を行ったものである。
【００７６】
また、レジストからなるマスクを形成した段階で、酸化珪素膜を通過させて希ガス元素のドーピングを行ってゲッタリングサイトを形成してもよい。この場合には、ドーピング後マスクを除去してゲッタリングした後、酸化珪素膜を除去し、その後、半導体膜のうち、希ガス元素が添加された領域（ゲッタリングサイト）のみを選択的に除去して半導体層を形成する。エッチャントとしてダッシュ液、サト液、セコ液等を用いれば、希ガス元素が添加された領域は非晶質化されているため、結晶質半導体膜である領域（希ガスが添加されていない）と選択的にエッチングすることができる。
【００７７】
次いで、半導体層１０９の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜１１０を形成する。（図２（Ｄ））半導体層１０９の表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。また、この表面洗浄の前または後に活性化工程を加え、チャネルドープにより添加された不純物元素を活性化させてもよい。
【００７８】
次いで、絶縁膜１１０表面を洗浄し、ゲート電極を形成した後、半導体層１０９にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。また、必要であればＬＤＤ領域も形成してもよい。ｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行えばよい。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波または第３高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。
【００７９】
以降の工程は、層間絶縁膜の形成、水素化、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールの形成、ソース電極、ドレイン電極の形成等を行ってＴＦＴを完成させる。
【００８０】
こうして形成したＴＦＴを画素部のスイッチング素子、または駆動回路を構成するＴＦＴとして用い、様々な電子機器に搭載する。
【００８１】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００８２】
【実施例】
［実施例１］
ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について図３〜図６を用いて説明する。
【００８３】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板２００を用いる。なお、基板２００としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００８４】
次いで、基板２００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜２０１を形成する。本実施例では下地膜２０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜２０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜２０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜２０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜２０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜２０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜２０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【００８５】
次いで、下地膜上に半導体層２０２〜２０６を形成する。半導体層２０２〜２０６は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層２０２〜２０６の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質シリコン膜上に保持させた。この非晶質シリコン膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質シリコン膜を形成した。そして、実施の形態に示したように、酸化シリコン膜からなるマスクを形成した後、結晶質シリコン膜に希ガス元素をマスクで選択的に添加して、ゲッタリングを行った後、結晶質シリコン膜のパターニングを行い、その後、マスクを除去した。なお、希ガス元素を添加する際、アルゴンと微量の水蒸気とを含む原料ガスとしてイオンドープする。こうして、結晶質シリコン膜からなる半導体層２０２〜２０６を形成した。この半導体層２０２〜２０６のパターニングが終了した状態は、実施の形態における図１（Ｃ）に相当する。なお、酸化膜を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを適宜行ってもよい。
【００８６】
次いで、半導体層２０２〜２０６の表面をバッファーフッ酸等のフッ酸系のエッチャントで洗浄した後、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を主成分とする絶縁膜２０７を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、このゲート絶縁膜となる絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００８７】
次いで、図３（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜２０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜２０９とを積層形成する。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる第１の導電膜２０８と、膜厚３７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電膜２０９を積層形成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。
【００８８】
なお、本実施例では、第１の導電膜２０８をＴａＮ、第２の導電膜２０９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で単層または積層を用いればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜をタンタル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜とする組み合わせとしてもよい。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク２１０〜２１５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行う。本実施例では第１のエッチング条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。なお、基板側の電極面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コイル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。ここでは、松下電器産業（株）製のＩＣＰを用いたドライエッチング装置（Model Ｅ６４５−□ＩＣＰ）を用いた。基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。第１のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は２００．３９ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は８０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は約２．５である。また、この第１のエッチング条件によって、Ｗのテーパー角は、約２６°となる。
【００９０】
この後、レジストからなるマスク２１０〜２１５を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。第２のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は５８．９７ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は６６．４３ｎｍ／ｍｉｎである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【００９１】
上記第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°とすればよい。
【００９２】
こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層２１６〜２２１（第１の導電層２１６ａ〜２２１ａと第２の導電層２１６ｂ〜２２１ｂ）を形成する。図示しないが、ゲート絶縁膜となる絶縁膜２０７のうち、第１の形状の導電層２１６〜２２１で覆われない領域は１０〜２０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００９３】
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図３（Ｂ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜１×１０15/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。本実施例ではドーズ量を５×１０14/cm2とし、加速電圧を８０ｋｅＶとして行った。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。この場合、導電層２１６〜２２１がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域２２２〜２３３が形成される。高濃度不純物領域２２２〜２３３には３×１０19〜３×１０20/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【００９４】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜２０７であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜２０７との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。また、駆動回路のＴＦＴにおいては、テーパ−部のチャネル長方向の幅が長ければ長いほど信頼性が高いため、テーパ−部を形成する際、ＳＦ6を含むエッチングガスでドライエッチングを行うことが有効である。
【００９５】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層２３４ｂ〜２３９ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層２３４ａ〜２３９ａを形成する。図示しないが、実際には、第１の導電層の幅は、第２のエッチング処理前に比べて約０．１５μｍ程度、即ち線幅全体で０．３μｍ程度後退する。
【００９６】
また、上記第２のエッチング処理において、ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とをエッチングガスに用いることも可能である。その場合は、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行えばよい。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用いる場合のＷに対するエッチング速度は１２４．６２ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は２０．６７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．０５である。従って、Ｗ膜が選択的にエッチングされる。
【００９７】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第２のドーピング処理を行って図３（Ｃ）の状態を得る。ドーピングは第２の導電層２３４ｂ〜２３９ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用い、ドーピング条件をドーズ量１．５×１０14/cm2、加速電圧９０ｋｅＶ、イオン電流密度０．５μＡ／ｃｍ2、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガス、ガス流量３０ｓｃｃｍにてプラズマドーピングを行った。こうして、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域２４１〜２５４を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域２４１〜２５４へ添加されたリン（Ｐ）の濃度は、１×１０17〜１×１０19/cm3であり、且つ、第１の導電層のテーパー部の膜厚に従って濃度勾配を有している。なお、第１の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層のテーパー部の端部から内側に向かって不純物濃度（Ｐ濃度）が次第に低くなっている。また、高濃度不純物領域２２２〜２３３にも不純物元素が添加され、高濃度不純物領域２５５〜２６６を形成する。
【００９８】
次いで、後にｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層をレジストからなるマスク２６７〜２６９で覆い、第３のドーピング処理を行う。この第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層に前記一導電型（ｎ型）とは逆の導電型（ｐ型）を付与する不純物元素が添加されたｐ型不純物領域２７０〜２７３（高濃度不純物領域２７０ａ〜２７３ａ及び低濃度不純物領域２７０ｂ〜２７３ｂ）を形成する。なお、テーパ−部を通過させてドープするため、ｐ型の低濃度不純物領域２７０ｂ〜２７３ｂは、ｎ型の低濃度不純物領域２４１〜２５４と同様の濃度勾配を有している。（図４（Ａ））第１の導電層２３４ａ、２３６ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元素を添加してｐ型不純物領域を形成する。本実施例では、ｐ型不純物領域２７０〜２７３はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用い、ドーピング条件をドーズ量１×１０15/cm2、加速電圧３０ｋｅＶとしたイオンドープ法で形成する。なお、第１のドーピング処理及び第２のドーピング処理によって、不純物領域２７０ａ〜２７３ａにはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもボロンの濃度が６×１０19〜６×１０20/cm3となるようにドーピング処理することにより、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【００９９】
また、第２のエッチング処理で膜減りしない条件、例えばＳＦ6をエッチングガスに用いた場合、ボロンのドーピングを容易とするため、第３のドーピング処理の前に絶縁膜２０７を薄膜化するエッチング（ＣＨＦ3ガスを用いた反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法））を行ってもよい。
【０１００】
次いで、レジストからなるマスク２７４を形成して第３のエッチング処理を行う。この第３のエッチング処理では第１の導電層のテーパー部のみを選択的にエッチングする。第３のエッチング処理は、エッチングガスにＷとの選択比が高いＣｌ3を用い、ＩＣＰエッチング装置を用いて行う。本実施例では、Ｃｌ3のガス流量比を８０（ｓｃｃｍ）とし、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に３５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを３０秒行った。基板側（試料ステージ）にも５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第３のエッチングにより、第１の導電層２３７ｃ〜２３９ｃが形成される。（図４（Ｂ））
【０１０１】
上記第３のエッチング処理によって、画素部には、第１の導電層２３７ｃ〜２３９ｃと重ならず、濃度勾配を有する低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）２４７〜２５４が形成される。なお、駆動回路において、低濃度不純物領域（ＧＯＬＤ領域）２４１〜２４６は、第１の導電層２３４ａ〜２３６ａと重なったままである。このように、各回路に応じてＴＦＴの構造を作り分けている。
【０１０２】
また、第１の導電層２３７ｃと第２の導電層２３７ｂとで形成された電極は、後の工程で形成されるサンプリング回路のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極となる。同様に、第１の導電層２３８ｃと第２の導電層２３８ｂとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極となり、第１の導電層２３９ｃと第２の導電層２３９ｂとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部の保持容量の一方の電極となる。
【０１０３】
また、本実施例では第３のドーピング処理の後に、第３のエッチング処理を行った例を示したが、第３のエッチング処理を行った後に第３のドーピング処理を行ってもよい。
【０１０４】
次いで、レジストからなるマスク２７４を除去して第１の層間絶縁膜２７５を形成する。この第１の層間絶縁膜２７５としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜２００ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。この第１の層間絶縁膜は、膜減りした絶縁膜に後でコンタクトホールを形成する際、半導体層をオーバーエッチングしないようにエッチングストッパーとしての機能を果たすものである。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成した。勿論、第１の層間絶縁膜２７５は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１０５】
次いで、図４（Ｃ）に示すように、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程はＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射することによって行う。裏面から照射することによって、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことができる。
【０１０６】
また、反射板を用いてレーザー光を照射してもよい。その場合、固体レーザー、代表的にはＹＡＧレーザー）で行うことが望ましい。反射板を用いる場合は、図８にその簡略図を示したように、鏡面を有する反射板５０４を用いて、基板５０１の表面側からと、裏面側からとで線状のＹＡＧレーザーの第２高調波または第３高調波を同時に照射する方法を用いた。ＹＡＧレーザーは可視光であるので、基板が透光性を有していれば吸収されず、アモルファスシリコンに吸収される。特に、本実施例のようにゲート電極の下に低濃度不純物領域を設けている場合、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことが非常に困難であった。図８に示す反射板を用いた活性化方法によって不純物領域５０６またはチャネル形成領域５０５に含まれる不純物元素の活性化を行うことができる。図８中、５０２は下地膜、５０３は高濃度不純物領域、５０７はシリンドリカルレンズである。なお、ＹＡＧレーザーアニール法の他にラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することもできる。
【０１０７】
また、本実施例では、上記活性化の前に第１の層間絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、第１の層間絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０１０８】
次いで、窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜２７６を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では、窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱処理を行った。この工程は第２の層間絶縁膜２７６に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１０９】
次いで、第２の層間絶縁膜２７６上に有機絶縁物材料から成る第３の層間絶縁膜２７７を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成した。次いで、各不純物領域（２５７、２５８、２６１〜２６３、２６５、２７０ａ、２７１ａ、２７２ａ、２７３ａ）に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。本実施例では複数のエッチング処理を行った。本実施例では第２の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第３の層間絶縁膜をエッチングした後、第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングしてから第１の層間絶縁膜をエッチングした。
【０１１０】
次いで、不純物領域（２５７、２５８、２６１〜２６３、２７０ａ、２７１ａ、２７２ａ、２７３ａ）とそれぞれ電気的に接続する電極２７８〜２８６と、不純物領域２６５と電気的に接続する画素電極２８７を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いる。
【０１１１】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ３０６及びｐチャネル型ＴＦＴ３０５からなるロジック回路部３０３と、ｎチャネル型ＴＦＴ３０８及びｐチャネル型ＴＦＴ３０７からなるサンプリング回路部３０４とを有する駆動回路３０１と、ｎチャネルＴＦＴ３０９からなる画素ＴＦＴ及び保持容量３１０とを有する画素部３０２とを同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１１２】
本実施例では、各回路に応じてＴＦＴの構造が異なっている。
【０１１３】
画素部のｎチャネル型ＴＦＴ３０９には、消費電力を低く抑えることが要求され、オフ電流値が十分低いＴＦＴ構造とすることが望ましい。また、本実施例では、低濃度不純物領域２４９〜２５２に濃度勾配を持たせ、さらにゲート電極（２３８ｂ、２３８ｃ）と重ならない構造とした。また、ｎチャネル型ＴＦＴ３０９におけるゲート電極の端部は、ゲート絶縁膜を挟んで、チャネル形成領域と低濃度不純物領域との界面と概略一致する。また、各低濃度不純物領域２４９〜２５２の濃度分布は、チャネル形成領域２９２、２９３からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１１４】
なお、本実施例ではｎチャネル型ＴＦＴ３０９は、ソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）となっているが、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０１１５】
また、保持容量３１０の一方の電極として機能する不純物領域２５３、２５４、２６５、２６６には、それぞれｎ型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量３１０は、絶縁膜２０７を誘電体として、電極２３９ｂ、２３９ｃと、半導体層とで形成している。なお、本実施例では不純物領域と電極２３９ｂ、２３９ｃとが重ならない構造としたが、重なる構造とすれば、さらに容量を増大することができる。なお、本発明は、本実施例の保持容量を形成する構造に限定されず、公知の構造、例えば容量配線を用いた容量を用いることも可能である。
【０１１６】
また、サンプリング回路部３０４、代表的にはアナログスイッチ回路のｎチャネル型ＴＦＴ３０８には、同様にオフ電流値が低いことが好ましい。本実施例では、低濃度不純物領域２４７、２４８に濃度勾配を持たせ、さらにゲート電極（２３７ｂ、２３７ｃ）と重ならない構造とした。また、各低濃度不純物領域２４７、２４８の濃度分布は、チャネル形成領域２９１からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。ただし、オン電流値または信頼性を重視するのであれば、低濃度不純物領域がゲート電極と重なる構造としてもよい。
【０１１７】
また、ｐチャネル型ＴＦＴ３０７は、オン電流値または信頼性を重視するため、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂがゲート電極２３６ａ、２３６ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２９０からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。また、ｐチャネル型ＴＦＴ３０７におけるゲート電極の端部は、ゲート絶縁膜を挟んで、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂと高濃度不純物領域２７２ａ、２７３ａとの界面と概略一致する。
【０１１８】
また、ロジック回路部のｐチャネル型ＴＦＴ３０５は、オン電流値または信頼性を重視するため、低濃度不純物領域２７０ｂ、２７１ｂがゲート電極２３４ａ、２３４ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７０ｂ、２７１ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２８８からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１１９】
また、同様にｎチャネル型ＴＦＴ３０６は、低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂがゲート電極２３５ａ、２３５ｂと重なる構造とした。また、各低濃度不純物領域２７２ｂ、２７３ｂの濃度分布は、チャネル形成領域２８９からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加している。
【０１２０】
こうして、本実施例では、同一基板上に信頼性の高いＴＦＴ３０６を備えた駆動回路と、オフ電流値が低減された画素ＴＦＴ３０９とを備えた画素部とを同時に形成することができた。
【０１２１】
また、本実施例では、希ガス元素を多量に添加したため、下地膜及び基板にも添加される。なお、希ガス元素に加え、水素、酸素、または水が下地膜及び基板にも添加されるが、ドーピング後の熱処理等により拡散しやすい。一方、希ガス元素は、比較的高温の熱処理等でも拡散、脱離は起きにくい。希ガス元素は、下地膜及び基板のうち、マスク１０６ｂで覆われた領域以外の領域、即ち半導体層２０２〜２０６が配置された領域以外の領域に添加される。
【０１２２】
［実施例２］
本実施例では、実施例１で作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図６を用いる。
【０１２３】
まず、実施例１に従い、図５の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図５のアクティブマトリクス基板上に配向膜４０１を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜４０１を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【０１２４】
次いで、対向基板４００を用意する。この対向基板には、着色層４０２、遮光層４０３が各画素に対応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層４０３を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜４０４を設けた。次いで、平坦化膜４０４上に透明導電膜からなる対向電極４０５を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜４０６を形成し、ラビング処理を施した。
【０１２５】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材４０７で貼り合わせる。シール材４０７にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料４０８を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料４０８には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図６に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【０１２６】
こうして得られた液晶モジュールの構成を図７の上面図を用いて説明する。なお、図６と対応する部分には同じ符号を用いた。
【０１２７】
図７（Ａ）で示す上面図は、画素部、駆動回路、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）４１１を貼り付ける外部入力端子４０９、外部入力端子と各回路の入力部までを接続する配線４１０などが形成されたアクティブマトリクス基板と、カラーフィルタなどが設けられた対向基板４００とがシール材４０７を介して貼り合わされている。
【０１２８】
ゲート配線側駆動回路３０１ａと重なるように対向基板側に遮光層４０３ａが設けられ、ソース配線側駆動回路３０１ｂと重なるように対向基板側に遮光層４０３ｂが形成されている。また、画素部３０２上の対向基板側に設けられたカラーフィルタ４０２は遮光層と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応して設けられている。実際に表示する際には、赤色（Ｒ）の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の３色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の配列は任意なものとする。
【０１２９】
ここでは、カラー化を図るためにカラーフィルタ４０２を対向基板に設けているが特に限定されず、アクティブマトリクス基板を作製する際、アクティブマトリクス基板にカラーフィルタを形成してもよい。
【０１３０】
また、カラーフィルタにおいて隣り合う画素の間には遮光層が設けられており、表示領域以外の箇所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領域にも遮光層４０３ａ、４０３ｂを設けているが、駆動回路を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部として組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設けない構成としてもよい。また、アクティブマトリクス基板を作製する際、アクティブマトリクス基板に遮光層を形成してもよい。
【０１３１】
また、上記遮光層を設けずに、対向基板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成する着色層を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示領域以外の箇所（各画素電極の間隙）や、駆動回路を遮光してもよい。
【０１３２】
また、外部入力端子にはベースフィルムと配線から成るＦＰＣ４１１が異方性導電性樹脂で貼り合わされている。さらに補強板で機械的強度を高めている。
【０１３３】
以上のようにして作製される液晶モジュールは各種電子機器の表示部として用いることができる。
【０１３４】
［実施例３］
本実施例は、実施例１とは、マスクとなる絶縁膜１０６ａの形成後の工程が異なる例を示す。本実施例は、レジストからなるマスクを除去した後、希ガス元素を添加する例である。それ以外の工程は同一であるので、図９では、図２と同じ符号を用いる。
【０１３５】
まず、実施の形態に従って図１（Ｄ）と同じ状態を得る。次いで、実施の形態に従ってレジストからなるマスクを形成し、酸化シリコン膜をパターニングして酸化シリコン膜からなるマスクを形成する。次いで、レジストからなるマスクを除去した後、希ガス元素を添加する。（図９（Ａ））
【０１３６】
以降の工程は、実施の形態に従えば、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）の状態が得られ、実施例１に従えば、図６に示すアクティブマトリクス基板が得られる。
【０１３７】
なお、本実施例は実施例２と組み合わせることが可能である。
【０１３８】
［実施例４］
本実施例では、実施例１とレジストからなるマスクを形成した後の工程が異なっている。
【０１３９】
本実施例は、レジストからなるマスクを形成した後、実施例１のように酸化シリコン膜からなる絶縁膜をエッチングすることなく、酸化シリコン膜からなる絶縁膜１０６ａを通過させて希ガス元素を添加する。（図１０（Ａ））この際、ＳＩＭＳ分析を行ったニッケルの濃度プロファイルを図２０に示す。図２０は希ガス元素（ここではＡｒ）を絶縁膜（膜厚０．９μｍ）を通過させて添加した直後のニッケルの濃度を示している。ニッケルは、半導体膜中に１×１０18〜１×１０19／ｃｍ3存在している。添加した条件は、ドーピングガスとしてアルゴンガス１００％、ドーズ量４×１０15／ｃｍ2、加速電圧９０ｋＶである。
【０１４０】
次いで、ゲッタリングを行うが、酸化シリコンからなる絶縁膜１０６ａで覆ったままの状態で行う。（図１０（Ｂ））ここでのゲッタリングは、５５０℃、４時間で行い、その後、ＳＩＭＳ分析を行った結果が図２１である。図２１からは、ゲッタリングにより半導体膜中のニッケルが検出下限まで除去されたことが示されている。
【０１４１】
次いで、絶縁膜１０６ａを除去する。（図１０（Ｃ））
【０１４２】
次いで、前の工程により希ガス元素が添加されて非晶質化した部分（ゲッタリングサイト）１０８を選択的にエッチングする。（図１０（Ｄ））
【０１４３】
エッチャントとしてダッシュ液、サト液、セコ液等を用いることができる。ただし、セコ液はクロムが含まれているので工業的には不向きである。
【０１４４】
以上の工程により結晶質シリコンからなる半導体層１０９のみを残存させることができる。
【０１４５】
なお、本実施例は実施例２と組み合わせることが可能である。
【０１４６】
［実施例５］
本実施例では、結晶化処理とゲッタリング処理とを同一処理で行う例を図１１に示す。
【０１４７】
まず、実施の形態に従って、基板６０１上にブロッキング層６０２、非晶質半導体膜６０３を形成する。次いで、ニッケル含有層６０４を形成する。ここではスパッタ法によりニッケルの薄膜を形成した。
【０１４８】
次いで、珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にレジストからなるマスク６０６を形成する。次いで、レジストからなるマスクを用いてエッチングを行い絶縁膜を選択的に除去して絶縁膜からなるマスク６０５を形成する。
【０１４９】
次いで、レジストからなるマスク６０６及び絶縁膜からなるマスク６０５を用いて、希ガス元素を非晶質半導体膜に添加する。図１１（Ｃ）中、希ガス元素が選択的に添加された領域を不純物領域６０７として示した。
【０１５０】
次いで、結晶化とゲッタリングとを両方行うための熱処理または強光の照射を行う。熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４時間、例えば５５０℃、４時間で行えばよい。この加熱処理により絶縁膜からなるマスク６０５と接している非晶質半導体膜がニッケルの作用により結晶化される。この加熱処理では、結晶化と同時に、非晶質半導体膜中のニッケルが移動して希ガス元素が添加された不純物領域にゲッタリングされる。図１１（Ｄ）の矢印の方向にニッケルが移動する。なお、希ガス元素を添加した領域は、ほとんど結晶化されない。本発明者の実験では、希ガスを添加した場合、リンを添加した場合と比較して熱処理を施しても結晶性が回復しにくい。この比較結果は、図２２、図２３で示した。図２２はそれぞれの条件（条件１＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピング、条件２＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピングし、加速電圧９０ｋＶ、２×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング、条件３＝加速電圧８０ｋＶ、１．５×１０15／ｃｍ2のドーズ量でリンをドーピングし、加速電圧９０ｋＶ、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング、条件４＝加速電圧９０ｋＶ、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量でアルゴンをドーピング）で添加した直後のラマンスペクトルを示し、図２３は、窒素雰囲気で５５０℃、４時間の熱処理を行った直後のラマンスペクトルを示している。
【０１５１】
次いで、マスク６０６を用いて不純物領域６０９を除去して、結晶質半導体膜からなる半導体層６１０を得ることができる。
【０１５２】
本実施例では、結晶化とゲッタリングを同時に行うため、スループットが格段に向上する。
【０１５３】
また、ブロッキング層６０２、非晶質半導体膜６０３、ニッケル含有層６０４、及びシリコンを主成分とする絶縁膜を大気にふれることなく連続してＣＶＤ法により形成してもよい。
【０１５４】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【０１５５】
［実施例６］
本実施例では、マスクを用いて金属元素を選択的に添加する例を図１２に示す。
【０１５６】
まず、実施の形態または実施例１に従って、基板９０１上に下地膜（ブロッキング層）９０２、非晶質構造を有する半導体膜９０３を形成する。次いで、珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。なお、この下地膜９０２と半導体膜９０３と絶縁膜を大気解放せずに連続で成膜すると不純物が混入しないため、好ましい。
【０１５７】
次いで、レジストからなるマスク９０６を形成し、エッチングを行って絶縁膜を選択的に除去して絶縁膜からなるマスク９０５を形成する。（図１２（Ａ））
【０１５８】
次いで、実施の形態または実施例１に従って、金属含有層９０７を形成する。（図１２（Ｂ））次いで、実施の形態または実施例１に従って結晶化を行い、結晶構造を有する半導体膜９０８が得られる。（図１２（Ｃ））この結晶化では図１２（Ｃ）中の矢印で示した方向に結晶成長する。なお、マスク９０５で覆われていない領域には高濃度のニッケルが存在している。
【０１５９】
次いで、実施の形態に従って、マスク９０５を用いて希ガス元素を添加し、不純物領域９０９を形成する。（図１２（Ｄ））
【０１６０】
次いで、実施の形態に従って、ゲッタリングを行う。（図１２（Ｅ））この際、結晶構造を有する半導体膜のうち、領域９１０、即ち不純物領域９０９以外の領域は、ゲッタリングにより金属元素が低減された。
【０１６１】
次いで、マスク９０５を用いて、不純物領域９０９を除去した後、マスク９０５を除去して半導体層９１１を形成する。（図１２（Ｆ））
【０１６２】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【０１６３】
［実施例７］
本実施例は実施の形態１とは異なり、希ガス元素を選択的に添加するマスクと半導体膜のパターニングで使用するマスクとを別々とする例である。図１３に本実施例の簡略工程図を示す。
【０１６４】
まず、実施の形態１に従って、図１（Ｄ）と同じ状態を得る。
【０１６５】
次いで、実施の形態１よりも大きめにレジストからなるマスク１１０７を形成し、該マスクを用いて酸化シリコン膜をエッチングしてマスク１１０６ｂを形成する。次いで、希ガス元素をマスク１１０６ｂを用いて選択的に添加してゲッタリングサイト１１０８を形成する。
【０１６６】
次いで、マスク１１０７を除去した後、ゲッタリングを行う。ゲッタリングは、実施の形態１に従って行えばよい。
【０１６７】
次いで、マスク１１０６ｂを除去して、再度レジストからなるマスク１１１１を形成する。このマスクは半導体膜をパターニングするためのものであり、マスク１１０７よりも内側に設けられるものである。
【０１６８】
次いで、マスク１１１１で覆われた領域以外の半導体膜を除去する。ゲッタリングを行うと、金属元素が希ガス元素を添加した領域の境界に偏析しやすい傾向があることから、希ガス元素を添加した領域付近の半導体膜も除去する。こうして、結晶構造を有する半導体膜１１０９を形成する。
【０１６９】
以降の工程は、実施の形態１に従って半導体膜１１０９を覆う絶縁膜１１１０を形成すればよい。そして、実施例１に従ってアクティブマトリクス基板を作製する。
【０１７０】
こうして、得られたアクティブマトリクス基板上のＴＦＴは優れた電気特性を有する。図２５にそのＴＦＴ（Ｌ／Ｗ＝７μｍ／８μｍ、駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴ、ゲート絶縁膜の膜厚１１５ｎｍ）の電圧／電流特性を電気特性を示す。
【０１７１】
図２５において、ＴＦＴのしきい値（Ｖｔｈ）は、１．２２２Ｖ、Ｓ値は、０．１７５Ｖ／ｄｅｃ、電界効果移動度（μＦＥ）は、１７９．９ｃｍ2／Ｖｓ、オン電流値は、Ｖｄｓ（ソース領域とドレイン領域の電圧差）＝１４Ｖの時に２．３４×１０-4Ａ、オフ電流値は、Ｖｄｓ＝１４Ｖの時に３．７×１０-12Ａとなった。これらの値は全て良好なＴＦＴ特性値を示している。
【０１７２】
なお、本実施例は実施例１乃至６のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１７３】
［実施例８］
実施例１では画素電極が反射性を有する金属材料で形成された反射型の表示装置の例を示したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜で形成した透過型の表示装置の例を図１５に示す。
【０１７４】
層間絶縁膜８００を形成する工程までは実施例１と同じであるので、ここでは省略する。実施例１に従って層間絶縁膜２７７を形成した後、透光性を有する導電膜からなる画素電極８０１を形成する。透光性を有する導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
【０１７５】
その後、層間絶縁膜８００にコンタクトホールを形成する。次いで、画素電極８０１と重なる接続電極８０２を形成する。この接続電極８０２は、コンタクトホールを通じてドレイン領域と接続されている。また、この接続電極８０２と同時に他のＴＦＴのソース電極またはドレイン電極も形成する。
【０１７６】
また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。
【０１７７】
以上のようにしてアクティブマトリクス基板が形成される。このアクティブマトリクス基板を用い、実施例２に従って液晶モジュールを作製し、バックライト８０４、導光板８０５を設け、カバー８０６で覆えば、図１５に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバー８０６と液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせる。また、基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充填して接着してもよい。また、透過型であるので偏光板８０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１７８】
なお、本実施例は実施例１乃至７のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１７９】
［実施例９］
本実施例では、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を備えた発光表示装置を作製する例を図１６に示す。
【０１８０】
図１６（Ａ）は、ＥＬモジュールをを示す上面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。絶縁表面を有する基板７００（例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等）に、画素部７０２、ソース側駆動回路７０１、及びゲート側駆動回路７０３を形成する。これらの画素部や駆動回路は、実施の形態に従えば得ることができる。また、７１８はシール材、７１９はＤＬＣ膜であり、画素部および駆動回路部はシール材７１８で覆われ、そのシール材は保護膜７１９で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材７２０で封止されている。カバー材７２０としては、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、カバー材７２０の形状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材７２０は基板７００と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより図１６に示す凹部形状（深さ３〜１０μｍ）に加工する。さらに加工して乾燥剤７２１が設置できる凹部（深さ５０〜２００μｍ）を形成することが望ましい。また、多面取りでＥＬモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、ＣＯ2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。
【０１８１】
また、ここでは図示しないが、用いる金属層（ここでは陰極など）の反射により背景が映り込むことを防ぐために、位相差板（λ／４板）や偏光板からなる円偏光板と呼ばれる円偏光手段を基板（発光を通過させる基板またはカバー材）に設けてもよい。
【０１８２】
なお、７０８はソース側駆動回路７０１及びゲート側駆動回路７０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）７０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。また、本実施例の発光装置は、デジタル駆動であってもよく、アナログ駆動であってもよく、ビデオ信号はデジタル信号であってもよいし、アナログ信号であってもよい。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。また、これらの画素部や駆動回路と同一基板上に複雑な集積回路（ＣＰＵ、コントローラ等）を形成することも可能であるが、少ないマスク数での作製は困難である。従って、ＣＰＵ、コントローラ等を備えたＩＣチップを、ＣＯＧ（chip on glass）方式やＴＡＢ（tape automated bonding）方式やワイヤボンディング方法で実装することが好ましい。
【０１８３】
次に、断面構造について図１６（Ｂ）を用いて説明する。基板７００上に絶縁膜７１０が設けられ、絶縁膜７１０の上方には画素部７０２、ゲート側駆動回路７０３が形成されており、画素部７０２は電流制御用ＴＦＴ７１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極７１２を含む複数の画素により形成される。また、１つの画素に複数、即ち、２つ、または３つ、またはそれ以上のＴＦＴや様々な回路（カレントミラー回路など）を組み込んだ構造としてもよい。また、ゲート側駆動回路７０３はｎチャネル型ＴＦＴ７１３とｐチャネル型ＴＦＴ７１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０１８４】
これらのＴＦＴ（７１１、７１３、７１４を含む）は、実施の形態または実施例１に従って作製すればよい。なお、ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが、特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴ、順スタガ型ＴＦＴとしてもよい。
【０１８５】
画素電極７１２はＥＬ素子の陽極として機能する。また、画素電極７１２の両端にはバンク７１５が形成され、画素電極７１２上にはＥＬ層７１６およびＥＬ素子の陰極７１７が形成される。
【０１８６】
ＥＬ層７１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１８７】
陰極７１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線７０８を経由してＦＰＣ７０９に電気的に接続されている。さらに、画素部７０２及びゲート側駆動回路７０３に含まれる素子は全て陰極７１７、シール材７１８、及び保護膜７１９で覆われている。
【０１８８】
なお、シール材７１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材７１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１８９】
また、シール材７１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図１６に示すようにＤＬＣ膜等からなる保護膜７１９をシール材７１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
【０１９０】
以上のような構造でＥＬ素子をシール材７１８及び保護膜７１９で封入することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１９１】
また、画素電極を陽極（Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉなど）とし、ＥＬ層と、透光性を有する陰極（薄い金属層（ＡｇＭｇやＡｌＬｉ）と透明導電膜との積層（ＩＴＯまたはＺｎＯ）を積層して図９とは逆方向に発光する構成としてもよい。また、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層して図１６とは逆方向に発光する構成としてもよい。図１７にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。
【０１９２】
図１７に示した断面構造について以下に説明する。基板１０００としては、ガラス基板や石英基板の他にも、半導体基板または金属基板も使用することができる。基板１０００上に絶縁膜１０１０が設けられ、絶縁膜１０１０の上方には画素部１００２、ゲート側駆動回路１００３が形成されており、画素部１００２は電流制御用ＴＦＴ１０１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極１０１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１０１３とｐチャネル型ＴＦＴ１０１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。なお、ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが、特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴ、順スタガ型ＴＦＴとしてもよい。
【０１９３】
画素電極１０１２はＥＬ素子の陰極として機能する。また、画素電極１０１２の両端にはバンク１０１５が形成され、画素電極１０１２上にはＥＬ層１０１６およびＥＬ素子の陽極１０１７が形成される。
【０１９４】
陽極１０１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線１００８を経由してＦＰＣ１００９に電気的に接続されている。さらに、画素部１００２及びゲート側駆動回路１００３に含まれる素子は全て陽極１０１７、シール材１０１８、及びＤＬＣ等からなる保護膜１０１９で覆われている。また、カバー材１０２１と基板１０００とを接着剤で貼り合わせた。また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤１０２１を設置する。
【０１９５】
なお、シール材１０１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材１０１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１９６】
また、図１７では、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層したため、発光方向は図１７に示す矢印の方向となっている。
【０１９７】
なお、本実施例は実施例１乃至８のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０１９８】
［実施例１０］
本実施例では、実施例１とは異なる例を図１８に示す。
【０１９９】
まず、絶縁表面を有する基板１１上に導電膜を形成し、パターニングを施すことにより走査線１２を形成する。この走査線１２は後に形成される活性層を光から保護する遮光層としても機能する。ここでは基板１１として石英基板を用い、走査線１２としてポリシリコン膜（膜厚５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（Ｗ−Ｓｉ）膜（膜厚１００ｎｍ）の積層構造を用いた。また、ポリシリコン膜はタングステンシリサイドから基板への汚染を保護するものである。
【０２００】
次いで、走査線１２を覆う絶縁膜１３ａ、１３ｂを膜厚１００〜１０００ｎｍ（代表的には３００〜５００ｎｍ）で形成する。ここではＣＶＤ法を用いた膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜とＬＰＣＶＤ法を用いた膜厚２８０ｎｍの酸化シリコン膜を積層させた。
【０２０１】
次いで、非晶質半導体膜を膜厚１０〜１００ｎｍで形成する。ここでは膜厚６９ｎｍの非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）をＬＰＣＶＤ法を用いて形成した。次いで、この非晶質半導体膜を結晶化させる技術として実施の形態または実施例１に示した技術を用いて結晶化、ゲッタリング、パターニングを行い結晶質シリコン膜の不要な部分を除去して、半導体層１４を形成する。
【０２０２】
次いで、保持容量を形成するため、マスクを形成して半導体層の一部（保持容量とする領域）にリンをドーピングする。
【０２０３】
次いで、マスクを除去し、半導体層を覆う絶縁膜を形成した後、マスクを形成して保持容量とする領域上の絶縁膜を選択的に除去する。
【０２０４】
次いで、マスクを除去し、熱酸化を行って絶縁膜（ゲート絶縁膜）１５を形成する。この熱酸化によって最終的なゲート絶縁膜の膜厚は８０ｎｍとなった。なお、保持容量とする領域上に他の領域より薄い絶縁膜を形成した。
【０２０５】
次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープ工程を全面または選択的に行った。このチャネルドープ工程は、ＴＦＴしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加した。もちろん、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いてもよい。
【０２０６】
次いで、絶縁膜１５、及び絶縁膜１３ａ、１３ｂ上にマスクを形成し、走査線１２に達するコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホールの形成後、マスクを除去する。
【０２０７】
次いで、導電膜を形成し、パターニングを行ってゲート電極１６および容量配線１７を形成する。ここでは、リンがドープされたシリコン膜（膜厚１５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（膜厚１５０ｎｍ）との積層構造を用いた。なお、保持容量は、絶縁膜１５を誘電体とし、容量配線１７と半導体層の一部とで構成されている。
【０２０８】
次いで、ゲート電極１６および容量配線１７をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には３×１０17〜３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるように調整する。
【０２０９】
次いで、マスクを形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域を形成する。この高濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には３×１０19〜３×１０20/cm3）となるように調整する。なお、半導体層１４のうち、ゲート電極１６と重なる領域はチャネル形成領域となり、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬＤＤ領域として機能する。そして、不純物元素の添加後、マスクを除去する。
【０２１０】
次いで、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、マスクでｎチャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
【０２１１】
次いで、マスク４１２を除去した後、ゲート電極１６および容量配線１７を覆うパッシベーション膜１８を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を７０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、半導体層にそれぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化するための熱処理または強光の照射処理工程を行う。ここでは裏面からＹＡＧレーザーを照射して活性化を行った。ＹＡＧレーザーに代えてエキシマレーザーを照射してもよい。
【０２１２】
次いで、有機樹脂材料からなる層間絶縁膜１９を形成する。ここでは膜厚４００ｎｍのアクリル樹脂膜を用いた。次いで、半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、電極２０及びソース配線２１を形成する。本実施例では電極２０及びソース配線２１を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の積層膜とした。
【０２１３】
次いで、水素化処理をおこなった後、アクリルからなる層間絶縁膜２２を形成する。次いで、層間絶縁膜２２上に遮光性を有する導電膜１００ｎｍを成膜し、遮光層２３を形成する。次いで、層間絶縁膜２４を形成する。次いで、電極２０に達するコンタクトホール形成する。次いで、１００ｎｍの透明導電膜（ここでは酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）を形成した後、パターニングして画素電極２５を形成する。
【０２１４】
なお、本実施例は一例であって本実施例の工程に限定されないことはいうまでもない。例えば、各導電膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜（代表的には、Ｍｏ―Ｗ合金、Ｍｏ―Ｔａ合金）を用いることができる。また、各絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜や有機樹脂材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等）膜を用いることができる。
【０２１５】
また、本実施例においては、絶縁膜１３ａ、１３ｂにも希ガス元素が添加された。ただし、希ガス元素が添加された領域は、半導体層１４が設けられている領域以外である。
【０２１６】
なお、本実施例は実施例１乃至９のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０２１７】
［実施例１１］
実施例１では、トップゲート型ＴＦＴを例に説明したが、本発明は図１９に示すボトムゲート型ＴＦＴにも適用することができる。
【０２１８】
図１９（Ａ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図であり、図１９（Ａ）において、点線Ａ−Ａ'で切断した部分が、図１９（Ｂ）の画素部の断面構造に相当する。
【０２１９】
図１９に示す画素部において、画素ＴＦＴ部はＮチャネル型ＴＦＴで形成されている。基板上５１にゲート電極５２が形成され、その上に窒化珪素からなる第１絶縁膜５３ａ、酸化珪素からなる第２絶縁膜５３ｂが設けられている。また、第２絶縁膜上には、活性層としてソース領域またはドレイン領域５４〜５６と、チャネル形成領域５７、５８と、前記ソース領域またはドレイン領域とチャネル形成領域の間にＬＤＤ領域５９、６０が形成される。また、チャネル形成領域５７、５８は絶縁層６１、６２で保護される。絶縁層６１、６２及び活性層を覆う第１の層間絶縁膜６３にコンタクトホールを形成した後、ソース領域５４に接続する配線６４が形成され、ドレイン領域５６に配線６５が接続され、さらにその上にパッシベーション膜６６が形成される。そして、その上に第２の層間絶縁膜６７が形成される。さらに、その上に第３の層間絶縁膜６８が形成され、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からなる画素電極６９が配線６５と接続される。また、７０は画素電極６９と隣接する画素電極である。
【０２２０】
本実施例では、活性層を上記実施の形態に従って形成する。
【０２２１】
本実施例では一例としてチャネルストップ型のボトムゲート型のＴＦＴの例を示したが特に限定されない。
【０２２２】
なお、本実施例では、画素部の画素ＴＦＴのゲート配線をダブルゲート構造としているが、オフ電流のバラツキを低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造としても構わない。また、開口率を向上させるためにシングルゲート構造としてもよい。
【０２２３】
また、画素部の容量部は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を誘電体として、容量配線７１と、ドレイン領域５６とで形成されている。
【０２２４】
なお、図１９で示した画素部はあくまで一例に過ぎず、特に上記構成に限定されないことはいうまでもない。
【０２２５】
なお、本実施例は実施例１乃至１０のいずれか一と組み合わせることが可能である。
【０２２６】
［実施例１２］
本実施例では、実施例１と異なるプロセスでアクティブマトリクス基板を作製した例について図３０〜３２に示す。
【０２２７】
本実施例は、基板１６００上に下地膜１６０１（酸化窒化シリコン膜１６０１ａ、酸化窒化シリコン膜１６０１ｂの積層）を設け、その上に半導体層１６０２〜１６０６を形成し、絶縁膜１６０７を形成し、該絶縁膜上に第１の導電膜１６０８と、第２の導電膜１６０９とを積層形成する工程は、実施例１と同一である。また、半導体層の形成は実施の形態に従って形成すればよい。従って、詳しい説明はここでは省略する。なお、図３０（Ａ）は、図３（Ａ）と同じ状態を示している。
【０２２８】
次いで、実施例３と同様な方法で第１のエッチング処理を行い、第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層１６１６〜１６２１（第１の導電層１６１６ａ〜１６２１ａと第２の導電層１６１６ｂ〜１６２１ｂ）を形成する。（図３０（Ｂ））なお、この工程までが実施例１と同一である。
【０２２９】
そして、本実施例は、第１のエッチング処理に引き続き、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜１６０７であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜１６０７との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。また、駆動回路のＴＦＴにおいては、テーパ−部のチャネル長方向の幅が長ければ長いほど信頼性が高いため、テーパ−部を形成する際、ＳＦ6を含むエッチングガスでドライエッチングを行うことが有効である。
【０２３０】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層１６２２ｂ〜１６２７ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層１６２２ａ〜１６２７ａを形成する。また、上記第２のエッチング処理において、ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とをエッチングガスに用いることも可能である。
【０２３１】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行って図３０（Ｃ）の状態を得る。ドーピングは第１の導電層１６２２ａ〜１６２７ａを不純物元素に対するマスクとして用いて第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されないようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用い、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガス、ガス流量３０ｓｃｃｍにてプラズマドーピングを行った。こうして、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域（ｎ――領域）１６２８を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域１６２８へ添加されたリン（Ｐ）の濃度は、１×１０17〜１×１０19/cm3である。
【０２３２】
また、第１のドーピング処理は、第１の導電層のテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングしてもよい。その場合には、第１の導電層のテーパー部の膜厚に従って濃度勾配を有することになる。
【０２３３】
次いで、レジストからなるマスク１６２９〜１６３２を形成した後、第２のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図３１（Ａ））なお、後にｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層はマスク１６２９、１６３０で覆う。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリンを用い、フォスフィン（ＰＨ3）５％水素希釈ガスとしたイオンドープ法を用いて添加する。
【０２３４】
第２のドーピング処理により、後にロジック回路部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０３には、導電層１６２３がリンに対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域（ｎ+領域）１６４３、１６４４が形成される。また、この第２のドーピング処理時、テーパー部の下方にも添加して低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６３３、１６３４を形成する。よって、後に形成されるロジック回路部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）のみを備える。なお、低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６３３、１６３４においては、第１の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層のテーパー部の端部から内側に向かって不純物濃度（Ｐ濃度）が次第に低くなっている。
【０２３５】
また、第２のドーピング処理により、後にサンプリング回路部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０５には、マスク１６３１で覆われなかった領域に高濃度不純物領域１６４５、１６４６が形成され、マスク１６３１で覆われた領域には低濃度不純物領域（ｎ--領域）１６３５、１６３６が形成される。従って、後にサンプリング回路部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）のみを備える。
【０２３６】
また、第２のドーピング処理により、後に画素部のｎチャネル型ＴＦＴとなる半導体層１６０６には、マスク１６３２で覆われなかった領域に高濃度不純物領域１６４７〜１６５０が形成され、マスク１６３２で覆われた領域には低濃度不純物領域（ｎ--領域）１６３７〜１６４０が形成される。従って、後に画素部のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）のみを備える。また、後に画素部の容量部となる領域には、自己整合的に高濃度不純物領域１６５０が形成され、テーパー部の下方には低濃度不純物領域（ｎ-領域）１６４１、１６４２が形成される。
【０２３７】
第２のドーピング処理により、高濃度不純物領域１６４３〜１６５０には、３×１０19〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が添加される。
【０２３８】
また、第２のドーピング処理の前後で希ガス元素を添加してもよく、その場合、後の熱処理でさらにゲッタリングすることができる。また、その場合には全ての半導体層の端部に添加されるようなマスクを第２のドーピング処理で用いることが望ましい。
【０２３９】
次いで、マスク１６２９〜１６３２を除去した後、後にｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層をレジストからなるマスク１６５１〜１６５３で覆い、第３のドーピング処理を行う。（図３１（Ｂ））テーパー部を通過してｐ型の不純物元素が添加され、低濃度でｐ型の不純物元素を含む領域（ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）１６５４ｂ〜１６５７ｂ）が形成される。この第３のドーピング処理により、低濃度でｎ型の不純物元素をふくみ、且つ高濃度でｐ型の不純物元素を含む領域１６５４ａ〜１６５７ａを形成する。領域１６５４ａ〜１６５７ａには低濃度のリンが含まれているが、ボロンの濃度を６×１０19〜６×１０20/cm3となるようにドーピング処理し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【０２４０】
また、本実施例では第１のドーピング処理、第２のドーピング処理、第３のドーピング処理の順に行ったが、特に限定されず、工程順序を自由に変更してもよい。
【０２４１】
次いで、レジストからなるマスク１６５１〜１６５３を除去して、第１の層間絶縁膜１６５８を形成する。この第１の層間絶縁膜１６５８としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜２００ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。
【０２４２】
次いで、図３１（Ｃ）に示すように、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程はＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射することによって行う。裏面から照射することによって、ゲート電極と絶縁膜を介して重なる不純物領域の活性化を行うことができる。
【０２４３】
また、本実施例では、上記活性化の前に第１の層間絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、第１の層間絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０２４４】
次いで、窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜１６５９を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では、窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱処理を行った。この工程は第２の層間絶縁膜１６５９に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０２４５】
次いで、第２の層間絶縁膜１６５９上に有機絶縁物材料から成る第３の層間絶縁膜１６６０を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成した。次いで、各高濃度不純物領域に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。本実施例では複数のエッチング処理を行った。本実施例では第２の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第３の層間絶縁膜をエッチングした後、第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングしてから第１の層間絶縁膜をエッチングした。
【０２４６】
次いで、高濃度不純物領域とそれぞれ電気的に接続する電極１６６１〜１６６９と、高濃度不純物領域１６４９と電気的に接続する画素電極１６７０を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いる。
【０２４７】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０６及びｐチャネル型ＴＦＴ１７０５からなるロジック回路部１７０３と、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８及びｐチャネル型ＴＦＴ１７０７からなるサンプリング回路部１７０４とを有する駆動回路１７０１と、ｎチャネルＴＦＴ１７０９からなる画素ＴＦＴ及び保持容量１７１０とを有する画素部１７０２とを同一基板上に形成することができる。（図３２）
【０２４８】
なお、本実施例ではｎチャネル型ＴＦＴ１７０９は、ソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）となっているが、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０２４９】
本実施例では、第２のドーピング処理により、自己整合的またはマスクによって各回路に適した高濃度不純物領域を作り分けることを特徴としている。ｎチャネル型ＴＦＴ１７０６、１７０８、１７０９のＴＦＴの構造は、いずれも低濃度ドレイン（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）構造となっている。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにｎチャネル型ＴＦＴ１７０６は、ゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造である。また、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８、１７０９は、ゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）のみを備えている構造である。なお、本明細書では、絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域（ｎ-領域）をＧＯＬＤ領域と呼び、ゲート電極と重ならない低濃度不純物領域（ｎ--領域）をＬＤＤ領域と呼ぶ。このゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）のチャネル方向の幅は、第２のドーピング処理時のマスクを適宜変更することで自由設定することができる。また、第１のドーピング処理の条件を変え、テーパー部の下方にも不純物元素が添加されるようにすれば、ｎチャネル型ＴＦＴ１７０８、１７０９は、ゲート電極と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）と、ゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）とを両方備えた構造とすることも可能である。
【０２５０】
なお、本実施例は実施例１乃至１２のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【０２５１】
［実施例１３］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）に用いることができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
【０２５２】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図３３〜図３５に示す。
【０２５３】
図３３（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【０２５４】
図３３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０２５５】
図３３（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０２５６】
図３３（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【０２５７】
図３３（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０２５８】
図３３（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０２５９】
図３４（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。本発明は投射装置２６０１の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用し、装置全体を完成させることができる。
【０２６０】
図３４（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。本発明は投射装置２７０２の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用し、装置全体を完成させることができる。
【０２６１】
なお、図３４（Ｃ）は、図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶モジュール２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図３４（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２６２】
また、図３４（Ｄ）は、図３４（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図３４（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２６３】
ただし、図３４に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びＥＬモジュールでの適用例は図示していない。
【０２６４】
図３５（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
【０２６５】
図３５（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０２６６】
図３５（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【０２６７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０２６８】
【発明の効果】
本発明により、熱処理を用いて結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合は、高温熱処理２回（結晶化、ゲッタリング）に抑えることができ、強光により結晶化を行い、活性化を熱処理以外の方法で行う場合には、高温熱処理１回（ゲッタリング）に抑えることができる。
【０２６９】
また、希ガスを添加する処理時間は、１分または２分程度の短時間で高濃度の希ガス元素を半導体膜に添加することができるため、リンを用いたゲッタリングと比較してスループットが格段に向上する。
【０２７０】
また、リンを用いたゲッタリングと比較して、希ガス元素の添加による本発明のゲッタリング能力は高く、さらに高濃度、例えば１×１０20〜５×１０21／cm3で添加できるため、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることができる。即ち、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって結晶化の処理時間をさらに短時間で行うことが可能となる。また、結晶化の処理時間を変えない場合には、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、さらなる低温で結晶化することができる。また、結晶化に用いる金属元素の添加量を多くすることによって、自然核の発生を低減することができ、良好な結晶質半導体膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体層の作製工程を示す図。
【図２】 半導体層の作製工程を示す図。
【図３】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図４】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図５】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図６】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図
【図７】 液晶モジュールの外観を示す図。
【図８】 活性化工程を示す図。
【図９】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１０】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１１】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１２】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１３】 半導体層の作製工程を示す図。
【図１４】 希ガス元素の濃度分布を示す図。
【図１５】 透過型の例を示す図。
【図１６】 ＥＬモジュールを示す上面図及び断面図。
【図１７】 ＥＬモジュールを示す断面図。
【図１８】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図１９】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図２０】 アニール前のニッケル濃度を示すグラフ。
【図２１】 アニール後のニッケル濃度を示すグラフ。
【図２２】 アニール前のラマンスペクトルを示すグラフ。
【図２３】 アニール後のラマンスペクトルを示すグラフ。
【図２４】 Ｅ×Ｂスペクトルデータを示すグラフ。
【図２５】 ＴＦＴにおける電圧／電流特性を示す図。
【図２６】 ゲッタリングされる領域（幅５０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２７】 ゲッタリングされる領域（幅３０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２８】 ゲッタリングされる領域（幅３０μｍ）におけるエッチピット密度と加熱温度と加熱時間との関係を示す図。
【図２９】 ゲッタリング後のＦＰＭ処理により観察されるエッチピットを示す簡略図。
【図３０】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３１】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３２】 ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図。
【図３３】 電子機器の一例を示す図。
【図３４】 電子機器の一例を示す図。
【図３５】 電子機器の一例を示す図。
【図３６】 ゲッタリング後にＦＰＭ処理を行った後の観察写真図。
Claims (18)
- 非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第３工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第４工程と、
前記不純物領域を除去する第５工程と、を有し、
前記第３工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１において、前記第３工程における前記希ガス元素に加えて、Ｈ、Ｈ２、Ｏ、Ｏ２、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１または請求項２において、前記第５工程の後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を表面側または裏面側から照射して前記半導体膜の不純物元素を活性化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２工程の後、第３工程の前にオゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２工程は、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理を行い、且つ、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第４工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項３、６、７、９及び１０のいずれか一において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至１２のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第１のマスクを形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有し、
前記第４工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１４において、前記第７の工程は、前記不純物領域と、前記結晶構造を有する半導体膜の一部とを除去する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１４において、前記第２のマスクは、前記第１のマスクの端部より内側の位置に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有し、
前記第４工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に酸化珪素膜を形成する第３工程と、
前記酸化珪素膜上に第１のマスクを形成する第４工程と、
前記第１のマスクを用いて前記酸化珪素膜を通して前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
前記第１のマスクを除去する第６工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第７工程と、
前記酸化珪素膜を除去する第８工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第９工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第１０工程と、を有し、
前記第５工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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