JP2003168653A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極剥はがれや接触抵抗の増加が抑制でき，
かつ素子の劣化が起こりにくい半導体装置とその製造方
法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＣ基板１１の上の一部にマスク層１
５を形成し、不純物としてＮを注入する。マスク層１５
の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことに
より、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われ
ていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ
基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分に
は低量ドーズ領域１３を形成する。不純物を熱処理によ
り活性化して、多量ドーズ領域１２と低量ドーズ領域１
３との上部を除去した後、多量ドーズ領域１２と低量ド
ーズ領域１３とに接し，Ｎｉからなるオーミック電極１
４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＣ層を有する
半導体装置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】炭化ケイ素（シリコンカーバイド、Ｓｉ
Ｃ）はケイ素（Ｓｉ）に比べて高硬度でワイドバンドギ
ャップを有する半導体材料であり、パワー素子や耐環境
素子、高温動作素子、高周波素子等へ応用されている。

【０００３】現在、パワー素子としては、Ｓｉを用いた
スイッチング素子が多く用いられており、整流素子とし
て使用する場合には、耐圧が必要なためにｐｎダイオー
ドが用いられる。しかし、ｐｎダイオードはスイッチン
グ損失が大きいという欠点を有する。このため、よりス
イッチング損失の小さいショットキーダイオードが期待
されるが、Ｓｉの物性的限界から、Ｓｉでショットキー
ダイオードを形成した場合には所望の耐圧が得られな
い。そこで、高耐圧でスイッチング損失が小さいスイッ
チング素子実現のために、ＳｉＣが注目されている。Ｓ
ｉＣは、ＭＯＳトランジスタやＭＥＳトランジスタ等な
ど、多くの分野における応用が期待されている。

【０００４】上記のような半導体素子において、電極は
重要な役割を担っている。特に、ほとんどの素子はオー
ミック接合からなる電極を有し、大電流素子実現のため
には、安定で接触抵抗の小さいオーミック電極をいかに
形成するかが重要な課題となっている。

【０００５】従来では、ＳｉＣを用いた半導体素子にお
けるオーミック電極の材料として、一般的にｎ型のＳｉ
Ｃ半導体素子にはＮｉが、ｐ型のＳｉＣ半導体素子には
Ａｌが用いられる。どちらの伝導型の半導体素子の場合
においても、金属電極をＳｉＣ層の上に形成しただけで
はオーミック接合を得ることはできず、高温熱処理によ
って電極とＳｉＣ層との接合面付近を反応させなければ
ならない。そこで、例えばｎ型のＳｉＣ半導体素子の場
合には、ｎ型のＳｉＣ層上にＮｉ電極を形成した後に、
窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で１０００度程
度の熱処理を施すことによりオーミック接合を形成す
る。

【０００６】しかしながら、このような高温の熱処理
は、半導体素子自身の特性を劣化させることがある。例
えば、ＭＯＳトランジスタにおいては、絶縁膜として機
能する酸化ケイ素膜と炭化ケイ素層との界面が非常に重
要であるが、高温熱処理により酸化ケイ素膜と炭化ケイ
素層との界面にトラップが形成され、トランジスタ特性
が大きく劣化する。

【０００７】ＳｉＣを用いた半導体素子においても、オ
ーミック電極を形成するための高温熱処理は可能な限り
低温化することが好ましい。熱処理温度を低温化するこ
とにより、プロセスを簡略化して製造コストを低減させ
たり、素子特性を劣化させることなく良好な特性を維持
することができる。

【０００８】以上のような理由から、オーミック電極を
より低温で形成できるようにするために、ＳｉＣ層に不
純物注入を行なってＳｉＣ層のうちの表面付近の不純物
濃度を高めたり、ＳｉＣ層の表面付近に欠陥を形成する
ことが行われている。

【０００９】ここで、ＳｉＣ層に不純物注入を行うこと
によりオーミック電極の形成温度の低下を図る一般的な
方法の例について、図１２（ａ），（ｂ）を参照しなが
ら説明する。図１２（ａ），（ｂ）は、従来のｐ型の６
Ｈ−ＳｉＣ層上に形成されたオーミック電極およびｎ型
の４Ｈ−ＳｉＣ層上に形成されたオーミック電極を示し
た断面図である。

【００１０】図１２（ａ）に示すように、ｐ型ＳｉＣ層
を用いた場合の基板は、ｐ型の６Ｈ−ＳｉＣをエピタキ
シャル成長することにより得られたＳｉＣ層１０１と、
ＳｉＣ層１０１の上部に窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）などの
不純物を高濃度に注入することにより得られたｎ型の多
量ドーズ領域１０２と、多量ドーズ領域１０２のうちの
一部または全体の上に形成され，Ｎｉからなるオーミッ
ク電極１０３とを有している。このオーミック電極１０
３は、例えば横型のＭＯＳトランジスタのオーミック電
極として用いられる。

【００１１】図１２（ｂ）に示すように、ｎ型ＳｉＣ層
を用いた場合の基板は、ｎ型の４Ｈ−ＳｉＣをエピタキ
シャル成長することにより得られたＳｉＣ層１１１と、
ＳｉＣ層１１１の上部にＮやＰなどの不純物を高濃度に
注入することにより得られた多量ドーズ領域１１２と、
多量ドーズ領域１１２のうちの一部または全体の上に形
成され，Ｎｉからなるオーミック電極１１３とを有して
いる。このオーミック電極１１３は、例えばダイオード
やＭＥＳトランジスタのオーミック電極として用いられ
る。

【００１２】図１２（ａ），（ｂ）に示した基板を得る
ためには、一般的に、５００〜７００℃でＳｉＣ層に不
純物を注入して、１５００℃以上で不純物を活性化する
ための熱処理を行うことにより多量ドーズ領域を形成
し、その後に、オーミック電極を形成する。このとき、
ＳｉＣ層に注入されている不純物の量が多く，かつその
活性化率が高い場合には、ＳｉＣ層表面付近の不純物濃
度が高いためにオーミック接合が形成しやすくなる。す
ると、オーミック接合を形成するための熱処理温度は６
００〜７００℃程度か、またはそれ以下となる。条件に
よっては、熱処理を行うことなくオーミック接合をでき
る場合もある。もちろん、オーミック電極の材料として
仕事関数の小さい金属を用いると、オーミック接合を得
ることがさらに容易となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＳｉＣを用いた半導体装置においては、以下のよう
な不具合が生じていた。

【００１４】ＳｉＣ層に不純物を注入することなくオー
ミック電極を形成する場合には、ＳｉＣ層の上にオーミ
ック電極の材料であるＮｉなどを堆積した後、１０００
℃程度の高温の熱処理を行なう。この熱処理によって、
電極材料である金属とＳｉＣが反応して合金層を形成
し、この合金層がオーミック電極とＳｉＣ基板との密着
性を高めている。

【００１５】ところが、オーミック接合を形成するため
の熱処理温度を低くするためにＳｉＣ層に不純物を注入
する場合には、上述のように合金層を形成するのが困難
となってしまう。それについて、図１２（ａ）に示す基
板を例に挙げて、以下に説明する。

【００１６】図１２（ａ）に示す基板において、多量ド
ーズ領域１０２に注入する不純物の量が比較的少ない場
合には、注入後の高温熱処理によって結晶性は回復す
る。しかし、不純物のドーズ量が１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²
であるような多量の不純物を注入する場合には、注入後
に高温熱処理を行なっても再表面の結晶性を完全に回復
させることはできない。

【００１７】このことから、多量ドーズ領域１０２の表
面は、不純物を注入していないＳｉＣ層の表面と比較し
て、ＳｉＣの組成が崩れた不安定な状態となっている。
そして、ＳｉＣを構成するＣのためにフッ酸等で除去す
ることが困難となっている酸化物や炭化物が部分的に形
成されている。したがって、オーミック電極１０３の材
料が、これらの化合物とは密着性の悪い金属である場合
には、その金属がＳｉＣ自体とは密着性がよい場合であ
っても、オーミック電極１０３とＳｉＣ層１０１との密
着性が悪くなってしまう。その結果、電極はがれや接触
抵抗の増加が起こりやすくなり、さらに、電極がはがれ
ることにより有効電極面積が低下し、所望の電流量が実
現できなくなるおそれが生じる。

【００１８】また、上述のような場合に、オーミック電
極１０３とＳｉＣ層１０１との密着性の向上を図って、
オーミック電極１０３を形成した後の熱処理の温度を高
温にすると、半導体素子自体の特性が悪化してしまう。

【００１９】本発明の目的は、ＳｉＣ層に不純物を注入
する方法を講ずることにより、電極剥はがれや接触抵抗
の増加が抑制でき，かつ素子の劣化が起こりにくい半導
体装置とその製造方法を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ドーパントを含む多量ドーズ領域と，上記多量ドーズ領
域以上の量のドーパントを含まない少量ドーズ領域とを
有し，主にＳｉＣからなる半導体層と、上記半導体層の
うち上記多量ドーズ領域と上記少量ドーズ領域とに接
し，上記半導体層とオーミック接合を形成する電極とを
備える。

【００２１】これにより、多量ドーズ領域と電極とが接
することにより、低温の熱処理によって半導体層と電極
とのオーミック接合を得ることができ、少量ドーズ領域
と電極とが接することにより、半導体層と電極との高い
密着性を得ることができる。

【００２２】上記半導体層の上部に、上記多量ドーズ領
域と上記少量ドーズ領域とが平面的に混在していること
により、電極を、多量ドーズ領域と少量ドーズ領域とに
接触しやすくすることができる。

【００２３】上記少量ドーズ領域は、上記多量ドーズ領
域のうちの一部を除去して形成された凹部に露出する部
分の少なくとも一部であることにより、不純物を注入す
る工程を簡略化することができる。

【００２４】上記多量ドーズ領域が、上記少量ドーズ領
域に、平面的に見て囲まれていてもよい。

【００２５】上記少量ドーズ領域が、上記多量ドーズ領
域に、平面的に見て囲まれていてもよい。

【００２６】上記電極の側端部の少なくとも一部が、上
記少量ドーズ領域に接することにより、より効率的に、
半導体層と電極との密着性を向上させることができる。

【００２７】上記多量ドーズ領域の少なくとも一部にお
ける不純物ドーズ量が１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²以上であ
り、上記少量ドーズ領域における不純物ドーズ量が１ｘ
１０¹⁴個／ｃｍ²以下であることにより、多量ドーズ領
域と少量ドーズ領域とが、より確実に機能を発揮するこ
とができる。

【００２８】上記少量ドーズ領域の少なくとも一部は、
不純物非注入領域となっていることにより、不純物非注
入領域では、電極とのより高い密着性を形成することが
できる。

【００２９】本発明の半導体装置の製造方法は、主にＳ
ｉＣからなり，多量ドーズ領域と少量ドーズ領域とが露
出する半導体層を形成する工程（ａ）と、上記多量ドー
ズ領域と上記少量ドーズ領域とに接する導体膜を形成す
る工程（ｂ）と、熱処理により、上記半導体層と上記導
体膜とをオーミック接合させる工程（ｃ）とを含む。

【００３０】これにより、上記工程（ｃ）では、低温で
熱処理を行なうことによって、多量ドーズ領域と電極と
が接する部分ではオーミック接合を形成することがで
き、少量ドーズ領域と電極とが接する部分では密着性を
向上させることができる。 上記工程（ａ）では、上記
半導体層の上部に第１回目のイオン注入を行なった後、
上記半導体層の上に開口部を有するマスクを形成して第
２回目のイオン注入を行うことにより、上記開口部に上
記多量ドーズ領域を形成してもよい。

【００３１】上記工程（ａ）では、上記半導体層の上
に、開口部を有するマスクを形成して、第１回目のイオ
ン注入を行なった後、上記マスクを除去して第２回目の
イオン注入を行なってもよい。

【００３２】上記工程（ａ）の前には、上記半導体層の
上部に上記多量ドーズ領域を形成する工程をさらに含
み、上記工程（ａ）では、上記多量ドーズ領域の一部を
除去することにより上記少量ドーズ領域の一部を露出さ
せることにより、上記工程（ａ）の前において、イオン
注入を行なう工程を簡略化することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）まず、本実施
形態の、オーミック電極を有する基板（以下では、電極
付基板と呼ぶ。）の構造について、図１（ａ），（ｂ）
を参照しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）は、第１
の実施形態における、電極付基板の構造を示した断面図
および平面図である。

【００３４】図１（ａ）に示すように、本実施形態の電
極付基板１０は、低抵抗の，ｎ型の４Ｈ−ＳｉＣからな
るＳｉＣ基板１１と、ＳｉＣ基板１１の一部に設けら
れ，不純物として例えば窒素が注入され、ピーク濃度が
２×１０²⁰／ｃｍ³ 以上である多量ドーズ領域１２と、
ＳｉＣ基板１１の一部に設けられ，不純物として例えば
Ｎが注入され、そのピーク濃度が５×１０¹⁹／ｃｍ³ 程
度の少量ドーズ領域１３と、Ｎｉからなり，多量ドーズ
領域１２と少量ドーズ領域１３との両方に接するオーミ
ック電極１４とを有している。

【００３５】図１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ層１１の
上部においては、多量ドーズ領域１２のなかに少量ドー
ズ領域１３が分布しており、少量ドーズ領域１３は、多
量ドーズ領域１２に囲まれている。

【００３６】次に、本実施形態の、電極付基板の製造方
法について、図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明す
る。図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態における電
極付基板の製造工程を示した断面図である。なお、４Ｈ
−ＳｉＣ（０００１）面のＳｉＣ基板の裏面上にオーミ
ック電極を形成する場合を例にして説明する。

【００３７】まず、図２（ａ）に示す工程で、ｎ型の４
Ｈ−ＳｉＣからなり，抵抗率が約０．０２Ω・ｃｍのＳ
ｉＣ基板１１の上（裏面上）に、厚さ１００ｎｍのＳｉ
Ｏ₂層を堆積し、これをフォトリソグラフィー法によっ
てパターニングすることにより、マスク層１５を形成す
る。マスク層１５は、上方からみて一辺が２０μｍ程度
の正方形であり、２００μｍピッチで配置されている。

【００３８】次に、図２（ｂ）に示す工程で、マスク層
１５が形成されているＳｉＣ基板１１上に、不純物とし
てＮをイオン注入する。このとき、注入角度は０度であ
り、注入温度は５００℃である。エネルギー３０ｋｅＶ
のときにドーズ量６ｘ１０¹⁴個／ｃｍ² で、エネルギー
５０ｋｅＶのときにドーズ量１．４ｘ１０¹⁵個／ｃｍ ²
で多段注入を行なうことにより、全ドーズ量は２ｘ１０
¹⁵個／ｃｍ² となる。このイオン注入により、ＳｉＣ層
１１の上部のうちマスク層１５により覆われていない部
分には、不純物としてドーズ量２ｘ１０¹⁵個／ｃｍ
² で、ピーク濃度２．５×１０²⁰／ｃｍ³ 程度のＮを含
む多量ドーズ領域１２が形成され、ＳｉＣ層１１の上部
のうちマスク層１５により覆われている部分には、不純
物としてドーズ量約１．３×１０¹⁵個／ｃｍ² で、ピー
ク濃度２．３×１０²⁰／ｃｍ³ 程度のＮを含む少量ドー
ズ領域１３が形成される。このとき、少量のＮを含む少
量ドーズ領域１３が形成されるのは、マスク層１５の厚
さの値を不純物Ｎのイオン注入深さの値よりも小さく設
定しておくことにより、イオン注入時に、マスク層１５
の上方から注入されたイオンの一部がＳｉＣ層１１に到
達するためである。なお、少量ドーズ領域１３に含まれ
るＮの量は、不純物高注入層１２と比較して、マスク層
１５中に残るＮの量だけ少ない量となる。

【００３９】その後、マスク層１５をバッファードフッ
酸を用いてエッチングを行なうことにより除去する。そ
して、アルゴン雰囲気中で、１６００℃、３０分間の熱
処理を行い、多量ドーズ領域１２および少量ドーズ領域
１３に注入されたＮを活性化する。

【００４０】次に、図２（ｃ）に示す工程で、ＳｉＣ層
１１に、リアクティブイオンエッチングを行なうことに
より、多量ドーズ領域１２と少量ドーズ領域１３とのう
ち、上から７０ｎｍ程度の深さまでの部分を除去する。
このとき、除去された部分に含まれていたＮの分だけ不
純物ドーズ量は減少するが、多量ドーズ領域１２におけ
る不純物ドーズ量の残りは１ｘ１０¹⁵ｃｍ²以上であ
る。

【００４１】次に、基板上を洗浄した後に、厚さ４００
ｎｍ程度のＮｉ層を堆積してパターニングを行う。そし
て、窒素雰囲気下で６００℃，１５分間の熱処理を行う
ことによって、オーミック電極１４を形成する。以上の
工程により、本実施形態における電極付基板１０を得る
ことができる。

【００４２】なお、上述のように形成したオーミック電
極１４においては、オーミック電極１４を同一基板内に
複数個形成して、２点間の電流−電圧を測定することに
より、十分なオーミック特性を確認することができる。

【００４３】以下に、本実施形態の電極付基板１０によ
り得られる効果について述べる。

【００４４】本実施形態の電極付基板１０においては、
多量ドーズ領域１２のなかに少量ドーズ領域１３が分布
しており、少量ドーズ領域１３は、多量ドーズ領域１２
に囲まれている。そのため、基板上にオーミック電極１
４を形成すると、多量ドーズ領域１２においては、多量
の不純物が含まれているため、低温の熱処理によっても
十分なオーミック特性を得ることができる。同時に、少
量ドーズ領域１３においては、含まれる不純物の量が少
なく結晶性がよいために、オーミック電極１４との高い
密着性を得ることができる。

【００４５】このことから、本実施形態のオーミック電
極１４を、例えば、縦型素子（縦型ショットキーダイオ
ード、縦型ｐｎダイオードや縦型ＭＯＳトランジスタ）
の裏面電極として使用すると、組み立て実装時の固定を
より確実に行うことが可能となる。

【００４６】次に、上述の電極付基板１０をショットキ
ーダイオードに用いた例について、図３を参照しながら
説明する。図３は、第１の実施形態におけるショットキ
ーダイオードと、その周囲の配線の構造を示す断面図で
ある。

【００４７】図３に示すように、本実施形態のショット
キーダイオードは、上述の電極付基板１０の上下が逆に
なって用いられており、ＳｉＣ基板１１の下にオーミッ
ク電極１４が形成されている。そして、ＳｉＣ基板１１
の上には、中央部１６と周囲部１７とを有するＳｉＣエ
ピタキシャル層１８が形成されている。エピタキシャル
層１８は、濃度１ｘ１０¹⁶ｃｍ^-3のＮを含み，厚さ１０
μｍのｎ型の４Ｈ−ＳｉＣからなる。そして、ＳｉＣエ
ピタキシャル層１８の上部のうち周囲部１７に位置する
部分には、ドーズ量１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² のＢを含む不
純物注入層１９が形成されている。不純物注入層１９
は、ＳｉＣエピタキシャル層１８に、Ｂをエネルギー３
０ｋｅＶ，注入傾き０℃，注入温度５００℃で注入し、
その後に加熱炉を用いて、窒素雰囲気下で１１００℃，
９０分間の熱処理を行なうことにより得る。そして、Ｓ
ｉＣエピタキシャル層１８のうち中央部１６の上から周
囲部１７の一部の上に亘る部分には、Ｎｉからなり，厚
さ２００ｎｍ，直径１ｍｍの電極主要部２０が形成され
ている。そして、電極主要部２０の上には、Ａｌからな
り，厚さ２μｍ程度の電極被覆部２１が形成されてお
り、電極被覆部２１は配線を固定する役割を果たす。以
上により、ショットキーダイオード２２が構成されてい
る。

【００４８】そして、ショットキーダイオード２２のう
ちの下面であるオーミック電極１４の下面は、ハンダ２
３によってベース金属２４と接合されている。ここで、
オーミック電極１４とハンダ２３との密着性を高めるた
めに、オーミック電極１４の上にさらに金属を堆積して
いる場合もある。ベース金属２４は、陰極２５に接続さ
れている。一方、ショットキーダイオード２２のうちの
上面である電極被覆部２１の上面は、Ａｌ配線２６によ
って陽極２７に接続されている。

【００４９】図３に示すような構造を得るために、ショ
ットキーダイオード２２に配線などの実装を行なう工程
においては、金属からなる電極と半導体材料からなる基
板との間の密着性が極めて重要となる。それは、ショッ
トキーダイオード２２に配線を施す工程においては、種
々の応力がショットキーダイオード２２に加えられるか
らである。

【００５０】以下に、本実施形態のショットキーダイオ
ードによって得られる効果について、従来と比較しなが
ら述べる。

【００５１】従来においては、ハンダ２３を用いてベー
ス金属２４とオーミック電極１４とを接合してから、電
極被覆部２１と陽極２７とを接続するためのＡｌ配線２
６を形成するときに、オーミック電極１４とＳｉＣ層１
１との密着性の悪さに起因して電極剥がれ等が生じやす
くなっており、素子の一部が持ち上がってしまうなどの
おそれが生じていた。場合によっては、素子がベース金
属２４から完全に剥がれてしまうこともあった。

【００５２】それに対し、本実施形態においては、上述
のように配線を形成する工程においても、ＳｉＣ基板１
１とオーミック電極１４との密着性がよいため、電極剥
がれ等は生じにくく、Ａｌ配線２６により素子が引っ張
られて持ち上がるおそれは生じない。

【００５３】ところで、本実施形態においては、電極付
基板における不純物注入領域の形状は以下に述べるよう
な形状であってもよい。

【００５４】まず、少量ドーズ領域１３のかわりに不純
物非注入領域が形成された第１の形状について、図４を
参照しながら説明する。図４は、第１の実施形態におけ
る電極付基板の不純物注入領域の形状の例を示した断面
図である。

【００５５】図４に示す電極付基板は、図１に示す少量
ドーズ領域１３のかわりに不純物非注入領域２８が形成
された構造を有している。このような不純物非注入領域
２８は、図２に示す製造工程において、マスク層１５の
厚さの値を不純物注入深さの値よりも大きく設定するこ
とにより得られる。

【００５６】次に、多量ドーズ領域１２が少量ドーズ領
域１３に囲まれている第２の形状について、図５を参照
しながら説明する。図５は、第１の実施形態の電極付基
板の多量ドーズ領域と少量ドーズ領域との形状の例につ
いて示した平面図である。

【００５７】図５に示す電極付基板においては、ＳｉＣ
層１１の上部には、多量ドーズ領域１２と，多量ドーズ
領域１２を囲み，かつ多量ドーズ領域１２を格子状に区
切る少量ドーズ領域１３とが形成されている。オーミッ
ク電極１４は多量ドーズ領域１２および少量ドーズ領域
１３と接しており、かつオーミック電極１４の外辺部は
少量ドーズ領域１３と接している。このような構造をと
る場合にも、オーミック電極１４が少量ドーズ領域１３
と接することによりオーミック電極１４との密着性を向
上させることができる。また、このように、オーミック
電極１４の外辺部のうち少なくとも一部が少量ドーズ領
域１３と接する場合には、オーミック電極１４の電極端
において密着性を良くすることができるため、電極端か
ら生じることの多い電極剥がれを、より効率的に防止す
ることができるようになる。

【００５８】また、本実施形態においては、多量ドーズ
領域１２と少量ドーズ領域１３を形成するために、Ｓｉ
Ｃ層１１に行なう不純物注入工程を２度以上に分けて行
なってもよく、その例について以下に説明する。

【００５９】まず、図６（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら、第１の方法について説明する。図６（ａ）〜（ｄ）
は、第１の実施形態において、ＳｉＣ層に不純物の注入
を２度に分けて行なう第１の方法における工程を示す断
面図である。

【００６０】まず、図６（ａ）に示す工程で、ＳｉＣ基
板３１上に、不純物としてドーズ量１ｘ１０¹⁴個／ｃｍ
² のＮを注入する１回目のイオン注入を行なって、少量
ドーズ領域３２を形成する。

【００６１】次に、図６（ｂ）に示す工程で、基板上
に、厚さ８００ｎｍのＳｉＯ₂ 層を堆積してフォト工程
によるパターニングを行なうことにより、マスク層３５
を形成する。

【００６２】次に、図６（ｃ）に示す工程で、マスク層
３５をマスクとして、全ドーズ量が２ｘ１０¹⁵個／ｃｍ
² の２回目のイオン注入を行なって、多量ドーズ領域３
３を形成する。このとき、マスク層３５の厚さの値を、
不純物注入深さの値よりも十分に大きく設定することに
より、ＳｉＣ層３１のうちマスク層３５の下の領域には
不純物のＮが注入されない。その結果、ＳｉＣ層３１の
うちマスク層３５の下に位置する部分は、１回目のイオ
ン注入で注入された不純物の濃度を有する少量ドーズ領
域３２となる。そして、ＳｉＣ層３１のうちマスク層３
５に覆われていない部分においては、１回目，２回目の
イオン注入により注入された不純物の濃度を有する多量
ドーズ領域３３が形成される。

【００６３】その後、マスク層３５を除去し、基板に熱
処理を行うことにより不純物を活性化する。

【００６４】次に、図６（ｄ）に示す工程で、ＳｉＣ層
３１に、リアクティブイオンエッチングを行なうことに
より、多量ドーズ領域３２と少量ドーズ領域３３とのう
ち、上から７０ｎｍ程度を除去する。そして、基板上を
洗浄した後、Ｎｉ層を堆積してパターニングを行ない、
熱処理を行なうことにより、オーミック電極３４を形成
する。以上の方法により、オーミック接合形成基板が形
成される。

【００６５】次に、図７（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら、第２の方法について説明する。図７（ａ）〜（ｄ）
は、第１の実施形態において、ＳｉＣ層に不純物の注入
を２度に分けて行う第２の方法における工程を示す断面
図である。

【００６６】まず、図７（ａ）に示す工程で、ＳｉＣ層
４１上に、厚さ８００ｎｍのＳｉＯ ₂ 層を堆積してフォ
ト工程によるパターニングを行なうことにより、マスク
層４５を形成する。

【００６７】次に、図７（ｂ）に示す工程で、基板上
に、マスク層４５をマスクとしてドーズ量が２ｘ１０¹⁵
個／ｃｍ² の不純物注入である１回目のイオン注入を行
なって、ＳｉＣ層４１の上部のうち露出している部分に
不純物注入領域４６を形成する。

【００６８】次に、図７（ｃ）に示す工程で、マスク層
４５を除去した後に、基板上にドーズ量が１×１０¹⁴個
／ｃｍ² の不純物注入である２回目のイオン注入を行な
う。これにより、ＳｉＣ層４１の上部のうち不純物注入
領域４６には、第１，２回目のイオン注入により不純物
が注入された多量ドーズ領域４２が形成され、ＳｉＣ層
４１の上部のうち不純物注入領域４６を除く部分には、
２回目のイオン注入により不純物が注入された少量ドー
ズ領域４３が形成される。その後、基板に熱処理を行な
うことにより不純物を活性化する。

【００６９】次に、図７（ｄ）に示す工程で、第１の方
法と同様の方法により、オーミック電極を形成する。以
上により、オーミック接合形成基板が形成される。

【００７０】（第２の実施形態）まず、本実施形態の、
オーミック電極を有する基板（以下では、電極付基板と
する。）の構造について、図８（ａ），（ｂ）を参照し
ながら説明する。図８（ａ），（ｂ）は、第２の実施形
態における電極付基板の構造を示した断面図および平面
図である。

【００７１】図８（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態の電極付基板５０においては、低抵抗の，ｎ型の４
Ｈ−ＳｉＣからなるＳｉＣ基板５１の上部は、Ｎが注入
され、ピーク濃度が２×１０²⁰／ｃｍ³ 以上の多量ドー
ズ領域５２となっており、ＳｉＣ基板５１のうち多量ド
ーズ領域５２を除く部分は、Ｎが注入されていない不純
物非注入領域５３となっている。そして、ＳｉＣ基板５
１の上部の一部には、多量ドーズ領域５２を貫通して不
純物非注入領域５３を露出する複数の凹部５５が形成さ
れている。そして、ＳｉＣ基板５１の上には、凹部５５
を埋めてＳｉＣ基板５１を覆うオーミック電極５４が形
成されている。

【００７２】図８（ｂ）に示すように、平面的にみて、
凹部５５は多量ドーズ領域５２の中に分布しており、凹
部５５は多量ドーズ領域５２に囲まれている。

【００７３】次に、本実施形態の電極付基板５０の製造
方法について、図９（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明
する。図９（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態における
電極付基板の製造工程を示した断面図である。なお、４
Ｈ−ＳｉＣ（０００１）面のＳｉＣ基板の裏面上にオー
ミック電極を形成する場合を例にして説明する。

【００７４】まず、図９（ａ）に示す工程で、ｎ型の４
Ｈ−ＳｉＣからなり，抵抗率が約０．０２Ω・ｃｍのＳ
ｉＣ基板５１の上（裏面上）に、不純物としてＮをイオ
ン注入する。このとき、注入傾きは０度であり、注入温
度は５００℃である。エネルギー３０ｋｅＶのときにド
ーズ量６ｘ１０¹⁴個／ｃｍ² で、エネルギー５０ｋｅＶ
のときにドーズ量１．４ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² で多段注入
を行うことにより、全ドーズ量は２ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²
となる。このイオン注入により、ＳｉＣ層５１の上部に
は、多量ドーズ領域５２が形成される。このとき、Ｓｉ
Ｃ層５１のうち多量ドーズ領域５２の下部は、不純物が
注入されていない不純物非注入領域５３となっている。

【００７５】次に、図９（ｂ）に示す工程で、基板上に
厚さ２００ｎｍ程度のＡｌ層を堆積し、フォト工程によ
るパターニングを行うことにより、ＳｉＣ基板５１の上
にＡｌマスク５６を形成する。Ａｌマスク５６には、一
辺２０μｍの正方形の開口部５７が２００μｍピッチで
配置されており、開口部５７には、ＳｉＣ基板５１の上
面が露出している。

【００７６】次に、図９（ｃ）に示す工程で、基板上に
四フッ化炭素と酸素の混合雰囲気下でリアクティブイオ
ンエッチングを行う。このとき、Ａｌマスク５６はほと
んどエッチングされず、ＳｉＣ基板５１のうち開口部５
７に露出する部分が除去されることにより、ＳｉＣ基板
５１のうち多量ドーズ領域５２を貫通して不純物非注入
領域５３の一部を除去してなる凹部５５が形成される。

【００７７】その後、Ａｌマスク５６を、リン酸を含む
溶液を用いたエッチングにより除去する。そして、アル
ゴン雰囲気下で、１６００℃、３０分の熱処理を行うこ
とにより、不純物を活性化する。

【００７８】次に、図９（ｄ）に示す工程で、リアクテ
ィブイオンエッチングを行うことにより、多量ドーズ領
域５２のうち上から７０ｎｍをエッチングする。このと
き、除去された部分に含まれていたＮの分だけ不純物ド
ーズ量は減少するが、多量ドーズ領域１２における不純
物ドーズ量の残りは１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² 以上となって
いる。

【００７９】そして、基板を洗浄した後に、厚さ４００
ｎｍのＮｉ層を堆積してパターニングを行う。その後、
窒素雰囲気下で６００℃，１５分間の熱処理を行うこと
によって、ＳｉＣ基板５１の凹部５５を埋め，ＳｉＣ基
板５１を覆うオーミック電極５４を形成する。以上の工
程により、本実施形態における電極付基板５０を得るこ
とができる。

【００８０】なお、上述のように形成したオーミック電
極５４においては、オーミック電極５４を同一基板内に
複数個形成して、２点間の電流−電圧を測定することに
より、十分なオーミック特性を確認することができる。

【００８１】以下に、本実施形態の電極付基板５０によ
り得られる効果について述べる。

【００８２】本実施形態の電極付基板５０においては、
多量ドーズ領域１２の中に凹部５５が分布しており、凹
部５５の下面には不純物非注入領域５３が露出してい
る。そのため、凹部５５を埋めるオーミック電極５４を
形成すると、多量ドーズ領域５２においては、多量の不
純物が含まれているため、低温の熱処理によっても十分
なオーミック特性を得ることができる。そして、凹部５
５においては、露出する不純物非注入領域５３の結晶性
がよいために、オーミック電極５４との高い密着性を得
ることができる。

【００８３】このことから、本実施形態のオーミック電
極５４を、例えば、縦型素子（縦型ショットキーダイオ
ード、縦型ｐｎダイオードや縦型ＭＯＳトランジスタ）
の裏面電極として使用すると、組み立て実装時の固定を
より確実に行うことが可能となる。もちろん、オーミッ
ク電極５４を裏面電極以外に用いる場合にも、組み立て
実装時の固定を確実に行うことができる。

【００８４】なお、本実施形態においては、上述のリア
クティブイオンエッチングを用いて凹部５５を形成する
方法のかわりに、イオンミリングや他の方法を用いても
よい。

【００８５】また、本実施形態においては、図９（ｃ）
に示す工程で、多量ドーズ領域５２を貫通する凹部５５
を形成したが、多量ドーズ領域５２の深さ以下のエッチ
ングを行うことにより、多量ドーズ領域５２の一部を除
去してなる凹部５５を形成してもよい。多量ドーズ領域
５２のうち、凹部５５に露出する部分の不純物の総ドー
ズ量は、凹部５５の形成されていない部分に露出する部
分の不純物濃度よりも低い。したがって、凹部５５に露
出する部分の結晶性は、凹部５５の形成されていない部
分に露出する部分の結晶性よりよいことから、凹部５５
においては、オーミック電極５４との高い密着性を得る
ことができる。

【００８６】また、本実施形態においては、ＳｉＣ層５
１のうち多量ドーズ領域５２の下部は不純物非注入領域
５３となっていると述べたが、不純物非注入領域５３の
かわりに、多量ドーズ領域５２よりも低いドーズ量の不
純物を有する少量ドーズ領域を形成してもよい。

【００８７】（その他の実施形態）第１，第２の実施形
態では、ＳｉＣ基板として４Ｈ−ＳｉＣ基板を用いた
が、本発明においては、他の種のＳｉＣを用いてもよ
い。例えば、６Ｈ−ＳｉＣ，１５Ｒ−ＳｉＣを堆積した
１５Ｒ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣなどを用いてもよく、ま
た、これらが２層以上積層した構造を用いてもよい。

【００８８】第１，第２の実施形態では、オーミック接
合を形成するための電極材料，基板材料として、Ｎｉ電
極，ｎ型のＳｉＣ基板を用いたが、本発明においては、
電極材料，基板材料はこれらに限定されるものではな
く、オーミック特性を得られる材料の組み合わせであれ
ば、ｐ型のＳｉＣなどいかなる材料を用いてもよい。

【００８９】上記実施形態では、オーミック電極として
単層構造を用いたが、本発明においては、オーミック電
極として積層構造を用いてもよいし、電極の大きさも変
えることができる。

【００９０】第１，第２の実施形態では、不純物の注入
領域の形成方法として、基板の一部にマスクを形成して
イオン注入を行なう方法と、多量ドーズ領域の一部をエ
ッチングにより除去する方法とを用いたが、本発明にお
いては、不純物の注入領域の形成方法はこれらに限られ
るものではなく、他の方法を用いてもよい。

【００９１】本発明においては、特に指定しない限り、
第１および第２の実施形態で述べたプロセスの条件やガ
ス種以外の条件やガス種を用いてもよい。

【００９２】第１，第２の実施形態では、不純物として
窒素を用いたが、本発明においては、不純物注入層の抵
抗が低くなる不純物であればよく、窒素（Ｎ）以外の不
純物を用いてもよい。例えば、ｎ型不純物の場合であれ
ばリン（Ｐ）でもよく、また、ｐ型不純物の場合であれ
ば、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）等でもよい。
また、その他の注入種として、例えば、アルゴンのよう
な不活性種であっても、ＳｉＣの表面に欠陥を与えてオ
ーミック接合が得られるものであればよい。

【００９３】第１，第２の実施形態では、エッチング後
の多量ドーズ領域における不純物の残りのドーズ量は１
ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² であるとした。これは、ドーズ量１
ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²以上となる場合に電極はがれ等の問
題が顕著に生じるためである。したがって、本発明は、
多量ドーズ領域における不純物のドーズ量は、１ｘ１０
¹⁵個／ｃｍ² 以上であれば、特に高い効果を得ることが
できる。

【００９４】また、第１，第２の実施形態では、ＳｉＣ
基板の上部に多量ドーズ領域を形成した後、ＳｉＣ基板
の表面から深さ７０ｎｍ程度までの部分をエッチングに
より除去し、その上にオーミック電極を形成している
が、本発明では、深さ７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度までの
部分を除去してもよい。その理由について、図１０を参
照しながら、以下に説明する。

【００９５】図１０は、ＳｉＣ基板に不純物Ｎを多段注
入したときの深さ方向の不純物濃度プロファイルを示し
た図である。不純物の注入は、４Ｈ−ＳｉＣ基板に、エ
ネルギー３０ｋｅＶのときにドーズ量６ｘ１０¹⁴個／ｃ
ｍ² で、エネルギー５０ｋｅＶのときにドーズ量１．４
ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² で多段注入することにより、全ドー
ズ量を２ｘ１０¹⁵個／ｃｍ² となるように行う。

【００９６】図１０に示すように、不純物注入を行った
後の基板の不純物濃度は、基板の表面から深さ７０ｎｍ
〜１００ｎｍ程度の部分でピーク濃度となっている。オ
ーミック接合を形成するためには、不純物濃度が高い方
が低温で形成しやすいため、オーミック電極を形成する
ときに、ＳｉＣ基板のうち不純物濃度の高い部分を露出
させることがが好ましいといえる。そこで、本発明にお
いては、ＳｉＣ基板のなかで不純物濃度の高い深さであ
る７０〜１００ｎｍ程度の部分をエッチングにより露出
して、それからオーミック電極を形成することが好まし
いといえる。

【００９７】また、図１０に示すグラフ図において、単
位面積当たりの不純物ドーズ量は深さプロファイルの積
分値で表され、エッチングで取り除かれるＡ領域に含ま
れている不純物を除いても、Ｂ領域には、不純物が１ｘ
１０¹⁵個／ｃｍ² 以上存在する。本発明においては、エ
ッチングにより上部が除去されたＳｉＣ層には、不純物
のドーズ量が１ｘ１０¹⁵ 個／ｃｍ²以上存在してもよい
し、不純物ドーズ量が１ｘ１０¹⁴個／ｃｍ²以上１ｘ１
０¹⁵個／ｃｍ²未満である場合にも、電極はがれが起こ
るおそれはあるので、不純物ドーズ量が１ｘ１０¹⁴個／
ｃｍ²以上１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²未満であってもよい。

【００９８】第１の実施形態においては、電極付基板を
縦型素子の裏面オーミック電極として用いたが、本発明
においては、縦型素子の裏面オーミック電極のみなら
ず、他のオーミック接合を有する装置にも応用すること
ができる。その場合にも、オーミック電極の密着性が向
上し、電極はがれも抑制することができる。ここで、他
のオーミック接合を有する装置として、ＭＯＳトランジ
スタに応用する例について、図１１を参照しながら説明
する。図１１は、オーミック接合を有するＭＯＳトラン
ジスタの構造を示す断面図である。

【００９９】図１１に示すＭＯＳトランジスタは、ｎ型
の低抵抗のＳｉＣからなる基板８１と、ｎ型のＳｉＣを
エピタキシャル成長させたＳｉＣエピタキシャル層８２
と、ＳｉＣエピタキシャル層８２の一部の上に形成され
たゲート絶縁膜８３と、ゲート絶縁膜８３の上に形成さ
れたゲート電極８４と、ＳｉＣエピタキシャル層８２の
うちゲート電極８４の側方に形成されたｐ型不純物注入
領域８５と、ｐ型不純物注入領域８５の一部に形成され
たｎ型不純物注入領域８６と、ｐ型不純物注入領域８５
とｎ型不純物注入領域８６との上に亘って形成されたソ
ース電極８７と、基板８１の下に形成されたドレイン電
極８８とを有している。

【０１００】ソース電極８７は、ｎ型不純物注入領域８
６とオーミック接合を形成しており、ドレイン電極８８
は、ｎ型のＳｉＣ基板８１とオーミック接合を形成して
いる。

【０１０１】ここで、ｎ型不純物注入領域８６は、第１
あるいは第２の実施形態で述べた形態と同様に、その領
域内において多量ドーズ領域と少量ドーズ領域（あるい
は不純物非注入領域）とを有している。多量ドーズ領域
と少量ドーズ領域（あるいは不純物非注入領域）が形成
されていることにより得られる効果について、以下に説
明する。

【０１０２】ｎ型不純物注入領域８６は、ｐ型不純物注
入領域８５の一部にｎ型不純物を注入することにより形
成されている。ｎ型不純物注入領域８６のうち多量ドー
ズ領域には、伝導形をｐ型からｎ型に反転させて、低温
の熱処理によってソース電極８７とオーミック接合を形
成することができる程の多量のｎ型不純物が注入されて
いる。そのため、多量ドーズ領域においては、ソース電
極８７のはがれなどが生じやすい状態となっている。し
かし、ｎ型不純物注入領域８６の一部に少量ドーズ領域
（あるいは不純物非注入領域）を形成することにより、
ソース電極８７とｎ型不純物注入領域８６の密着性が向
上するため、電極剥がれなどの不具合の発生を防止する
ことができる。

【０１０３】一方、図１１において、ＳｉＣ基板８１の
下部に多量ドーズ領域を形成した場合にも、電極はがれ
防止のために少量ドーズ領域あるいは不純物非注入領域
を設けることにより、上述の場合と同様の効果を得るこ
とができる。

【０１０４】

【発明の効果】本発明においては、電極剥はがれや接触
抵抗の増加が抑制でき，かつ素子の劣化が起こりにくい
半導体装置とその製造方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態における、
電極付基板の構造を示した断面図および平面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態における，
電極付基板の製造工程を示した断面図である。

【図３】第１の実施形態におけるショットキーダイオー
ドと、その周囲の配線の構造を示す断面図である。

【図４】第１の実施形態における電極付基板の不純物注
入領域の形状の例を示した断面図である。

【図５】第１の実施形態の電極付基板の多量ドーズ領域
と少量ドーズ領域との形状の例について示した平面図で
ある。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態において、
ＳｉＣ層に不純物の注入を２度に分けて行う第１の方法
における工程を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態において、
ＳｉＣ層に不純物の注入を２度に分けて行う第２の方法
における工程を示す断面図である。

【図８】（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態における電
極付基板の構造を示した断面図および平面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態における電
極付基板の製造工程を示した断面図である。

【図１０】ＳｉＣ基板に不純物Ｎを多段注入したときの
深さ方向の不純物濃度プロファイルを示した図である。

【図１１】オーミック接合を有するＭＯＳトランジスタ
の構造を示す断面図である。

【図１２】（ａ），（ｂ）は、従来のｐ型の６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ層上に形成されたオーミック電極およびｎ型の４Ｈ−
ＳｉＣ層上に形成されたオーミック電極を示した断面図
である。

【符号の説明】

１０ 電極付基板 １１ ＳｉＣ基板 １２ 多量ドーズ領域 １３ 少量ドーズ領域 １４ オーミック電極 １５ マスク １６ 中央部 １７ 周囲部 １８ エピタキシャル層 １９ 不純物注入層 ２０ 電極主要部 ２１ 電極被覆部 ２２ ショットキーダイオード ２３ ハンダ ２４ ベース金属 ２５ 陰極 ２６ Ａｌ配線 ２７ 陽極 ２８ 不純物非注入領域 ３１ ＳｉＣ基板 ３２ 少量ドーズ領域 ３３ 多量ドーズ領域 ３４ オーミック電極 ３５ マスク ４１ ＳｉＣ層 ４２ 多量ドーズ領域 ４３ 少量ドーズ領域 ４５ マスク層 ４６ 不純物注入領域 ５０ 電極付基板 ５１ ＳｉＣ基板 ５２ 多量ドーズ領域 ５３ 不純物非注入領域 ５４ オーミック電極 ５５ 凹部 ５６ Ａｌマスク ５７ 開口部 ８１ ＳｉＣ基板 ８２ ＳｉＣエピタキシャル層 ８３ ゲート絶縁膜 ８４ ゲート電極 ８５ ｐ型不純物注入領域 ８６ ｎ型不純物注入領域 ８７ ソース電極 ８８ ドレイン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮永 良子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 邦方 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 楠本 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 賢哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA03 BB05 CC01 DD26 DD78 DD83 FF02 FF06 FF13 GG02 GG03 GG09 GG10 GG14 HH08

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ドーパントを含む多量ドーズ領域と，上
   記多量ドーズ領域以上の量のドーパントを含まない少量
   ドーズ領域とを有し，主にＳｉＣからなる半導体層と、 上記半導体層のうち上記多量ドーズ領域と上記少量ドー
   ズ領域とに接し，上記半導体層とオーミック接合を形成
   する電極とを備える半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 上記半導体層の上部に、上記多量ドーズ領域と上記少量
   ドーズ領域とが平面的に混在していることを特徴とする
   半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置において、 上記少量ドーズ領域は、上記多量ドーズ領域のうちの一
   部を除去して形成された凹部に露出する部分の少なくと
   も一部であることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１つに記載の半
   導体装置において、 上記多量ドーズ領域が、上記少量ドーズ領域に、平面的
   に見て囲まれていることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
   の半導体装置において、 上記少量ドーズ領域が、上記多量ドーズ領域に、平面的
   に見て囲まれていることを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１つに記載の半
   導体装置において、上記電極の側端部の少なくとも一部
   が、上記少量ドーズ領域に接することを特徴とする半導
   体装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１つに記載の半
   導体装置において、 上記多量ドーズ領域の少なくとも一部における不純物ド
   ーズ量が１ｘ１０¹⁵個／ｃｍ²以上であり、上記少量ド
   ーズ領域における不純物ドーズ量が１ｘ１０¹⁴個／ｃｍ
   ²以下であることを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１つに記載の半
   導体装置において、 上記少量ドーズ領域の少なくとも一部は、不純物非注入
   領域となっていることを特徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】 主にＳｉＣからなり，多量ドーズ領域と
   少量ドーズ領域とが露出する半導体層を形成する工程
   （ａ）と、 上記多量ドーズ領域と上記少量ドーズ領域とに接する導
   体膜を形成する工程（ｂ）と、 熱処理により、上記半導体層と上記導体膜とをオーミッ
   ク接合させる工程（ｃ）とを含む半導体装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の半導体装置の製造方
    法において、 上記工程（ａ）では、上記半導体層の上部に第１回目の
    イオン注入を行なった後、上記半導体層の上に開口部を
    有するマスクを形成して第２回目のイオン注入を行うこ
    とにより、上記開口部に上記多量ドーズ領域を形成する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の半導体装置の製造方
    法において、 上記工程（ａ）では、上記半導体層の上に、開口部を有
    するマスクを形成して第１回目のイオン注入を行なった
    後、上記マスクを除去して第２回目のイオン注入を行な
    うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項９に記載の半導体装置の製造方
    法において、 上記工程（ａ）の前には、上記半導体層の上部に上記多
    量ドーズ領域を形成する工程をさらに含み、 上記工程（ａ）では、上記多量ドーズ領域の一部を除去
    することにより上記少量ドーズ領域の一部を露出させる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。