JP2003163343A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 基板上にセンサ素子が２次元に配されたエリアセンサと、前記センサ素子に基準電位を供給する基準電源回路と、を有し、前記基準電位は、前記基準電源回路と前記センサ素子との間に設けられた低域通過フィルタを透過して前記基準電源回路から供給されることを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記低域通過フィルタを透過した基準電位のノイズ実効値が、前記エリアセンサで発生するランダムノイズ実効値の１／１０以下となるように決定される撮像装置。
3. 請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記基準電位に要求される応答時間に応じて決定される撮像装置。
4. 請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記エリアセンサに接続されるサンプルホールド回路のサンプリング周波数より低い撮像装置。
5. 請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタの出力側には、アンプが設けられる撮像装置。
6. 請求項５に記載の撮像装置において、前記アンプのノイズ密度は、３．３ｎＶ／√Ｈｚ以下であることを特徴とする撮像装置。
7. 請求項１に記載の撮像装置において、前記エリアセンサは、前記センサ素子である光電変換素子とスイッチ素子であるＴＦＴとからなる画素を二次元に配列しており、前記光電変換素子と前記ＴＦＴのドレイン電極、前記ＴＦＴのゲート電極と共通ゲートライン、前記ＴＦＴのソース電極と共通データラインがそれぞれ接続され、さらに前記共通データラインが読み出し装置に、前記共通ゲートラインがゲート駆動装置に接続され、マトリクス動作を行う撮像装置。
8. 請求項７に記載の撮像装置において、前記読み出し装置は、前記共通データラインに接続されリセット動作可能なアンプを有し、かつ前記基準電位としてアンプのリセット電位が供給される撮像装置。
9. 請求項７に記載の撮像装置において、前記ゲート駆動装置には、前記基準電位としてＴＦＴのオン電位とＴＦＴのオフ電位が供給されている撮像装置。
10. 請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサには、前記基準電位として、前記光電変換素子にバイアス電圧を印加するための、バイアス電位が供給されている撮像装置。
11. 請求項７に記載の撮像装置において、前記光電変換素子およびＴＦＴはアモルファスシリコンまたはポリシリコンを材料としている撮像装置。
12. 請求項７に記載の撮像装置において、前記光電変換素子はｐｉｎ型フォトダイオードあるいはＭＩＳ型センサである撮像装置。
13. 請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサはさらに蛍光体を有するＸ線エリアセンサである撮像装置。
14. 請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサの光電変換素子は半導体層に入射したＸ線を直接電荷に変換して読み出す撮像装置。
15. 請求項１４に記載の撮像装置において、前記光電変換素子は半導体層の材料としてガリウム砒素、ガリウムリン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、アモルファスセレン、ＣｄＺｎ、ＣｄＺｎＴｅを材料としている撮像装置。
16. 請求項１に記載の撮像装置において、前記基板は絶縁性基板であり、前記基準電源回路および低域通過フィルタは結晶基板上に形成されてなる撮像装置。
17. 請求項１に記載の撮像装置と、該撮像装置からの信号を画像として処理する画像処理手段と、該画像処理手段からの信号を記録する記録手段と、該画像処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記画像処理からの信号を伝送するための伝送手段と、を有することを特徴とする撮像システム。
18. 請求項１７に記載の撮像システムにおいて、更に放射線を前記センサ素子の感度領域の波長に変換するための波長変換体を有する撮像システム。