JP2003133193A - 情報処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリ - Google Patents

情報処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリ

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JP2003133193A
JP2003133193A JP2001322580A JP2001322580A JP2003133193A JP 2003133193 A JP2003133193 A JP 2003133193A JP 2001322580 A JP2001322580 A JP 2001322580A JP 2001322580 A JP2001322580 A JP 2001322580A JP 2003133193 A JP2003133193 A JP 2003133193A
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Nobuhiko Tezuka
信彦 手塚
Kunitaka Ozawa
邦貴 小澤
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 制御コマンドによって制御された装置のシミ
ュレーションを実行する情報処理装置において、歩留ま
りを向上させる。 【解決手段】 操作端末101から入力した制御コマ
ンドを、コントローラ102が受け付ける。該制御コマ
ンドに基づいて制御ユニット103が動作し、装置状態
を返す。該制御コマンド又は該装置状態のうちの少なく
とも一方は、時間情報が付与されてログ情報保存部10
4に保存される。保存された該制御コマンド又は該装置
状態のうちの少なくとも一方は、ログ編集・再生制御部
114で時間情報に従って発行され、ユニット動作シミ
ュレーション部113でシミュレーションされた後、装
置状態3D表示部112によりグラフィック端末111
上に装置状態が表示される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理装置及び
その方法、並びにコンピュータ可読メモリに係り、特
に、シミュレーションを実行する機能を有する情報処理
装置及びその方法、並びにコンピュータ可読メモリに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、生産ラインに
おける歩留まりを如何に向上させるかが課題となってい
る。近年では、新しいラインにおける歩留まり向上のス
ピードが年々速くなっており、歩留まりを短期間で向上
させるとともに、高い歩留まりを維持することが強く求
められている。歩留まりを向上させるには、歩留まりを
妨げる原因を解明し、それを素早く解決することが必要
である。
【0003】歩留まりを低下させる原因には、クリーン
ルーム内工程のパーティクルや金属・有機物による汚染
などがあった。しかし、近年ではこれらの問題は大きく
改善され、半導体製造装置のプロセスパラメータのゆら
ぎなどが、歩留まりに影響する新たな原因となってきて
いる。
【0004】歩留まりを低下させる別の原因として、半
導体製造装置のオペレーションを人間の手で行うため
に、オペレーションの誤りによって装置が故障するとい
うものがあった。半導体製造装置が故障した場合、原因
を解明するのに時間を要するため、歩留まりの低下につ
ながっていた。
【0005】従来では、オペレーションによる誤りを防
ぐために、半導体製造装置の動作状態をモニタする方法
が用いられていた。この方法は、半導体製造装置と3次
元シミュレーションシステムをリアルタイムに連動させ
る方法であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法を
用いた場合、その半導体製造装置が故障した時の動作を
忠実に再現することで、故障の原因を解明する手がかり
が得られるが、故障時の動作を再生することはできなか
った。このために、故障の原因を解明するまでに時間を
要し、歩留まりの向上の妨げとなっていた。
【0007】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、制御コマンドによって制御された装
置のシミュレーションを実行する際に、該装置の歩留ま
りを向上させることができる情報処理装置及びその方
法、コンピュータ可読メモリを提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の側面は、
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーショ
ンを実行する情報処理装置に係り、前記装置を制御した
ときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間
情報を付与する付与部と、前記付与部で時間情報を付与
された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少な
くとも一方を編集する編集部と、前記編集部で編集され
た前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくと
も一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行す
るシミュレーション部とを備えることを特徴とする。
【0009】本発明によれば、前記編集部は、前記制御
コマンドの指定した部分に対してシミュレーションを実
行するための編集を行うことが好ましい。
【0010】本発明によれば、前記編集部は、前記制御
コマンドの時間情報に従って順次前記装置のシミュレー
ションを実行するための編集を行うことが好ましい。
【0011】本発明によれば、前記編集部は、前記制御
コマンドの時間情報の時間間隔を調節することによって
シミュレーションを実行するための編集を行うことが好
ましい。
【0012】本発明によれば、前記シミュレーション部
は、前記シミュレーション部のシミュレーション結果を
表示することが好ましい。
【0013】本発明によれば、前記シミュレーション結
果は、三次元画像データであることが好ましい。
【0014】本発明によれば、前記シミュレーション部
は、前記装置を制御するための前記制御コマンドと、前
記制御コマンドを用いて前記装置を制御したときの前記
装置の装置状態とを、前記装置と同様に制御できる制御
部を更に備えることが好ましい。
【0015】本発明の第2の側面は、制御コマンドによ
って制御された装置のシミュレーションを実行する情報
処理方法に係り、前記装置を制御したときの前記装置の
装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付
与工程と、前記付与工程で時間情報を付与された前記装
置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を
編集する編集工程と、前記編集工程で編集された前記装
置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を
用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュ
レーション工程とを含むことを特徴とする。
【0016】本発明によれば、前記編集工程は、前記制
御コマンドの指定した部分に対してシミュレーションを
実行するための編集を行うことが好ましい。
【0017】本発明によれば、前記編集工程は、前記制
御コマンドの時間情報に従って順次前記装置のシミュレ
ーションを実行するための編集を行うことが好ましい。
【0018】本発明によれば、前記編集工程は、前記制
御コマンドの時間情報の時間間隔を調節することによっ
てシミュレーションを実行するための編集を行うことが
好ましい。
【0019】本発明によれば、前記シミュレーション工
程は、前記シミュレーション工程のシミュレーション結
果を表示することが好ましい。
【0020】本発明によれば、前記シミュレーション結
果は、三次元画像データであることが好ましい。
【0021】本発明によれば、前記シミュレーション工
程は、前記装置を制御するための前記制御コマンドと、
前記制御コマンドを用いて前記装置を制御したときの前
記装置の装置状態とを、前記装置と同様に制御できる制
御工程を更に含むことが好ましい。
【0022】本発明の第3の側面は、制御コマンドによ
って制御された装置のシミュレーションを実行する情報
処理装置を制御するためのプログラムに係り、前記装置
を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマ
ンドに時間情報を付与する付与工程と、前記付与工程で
時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマン
ドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程と、前記
編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマン
ドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュ
レーションを実行するシミュレーション工程とを含むこ
とを特徴とする。
【0023】本発明の第4の側面は、制御コマンドによ
って制御された装置のシミュレーションを実行する情報
処理装置を制御するためのプログラムのコードが格納さ
れたコンピュータ可読メモリに係り、該プログラムは前
記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制
御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、前記付与
工程で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御
コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程
と、前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制
御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置
のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と
を含むことを特徴とする。
【0024】本発明の第5の側面は、デバイスの製造方
法に係り、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前
記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを
焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き
付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを有
し、前記露光工程は、前記デバイスを製造する装置を制
御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンド
に時間情報を付与する付与工程と、前記付与工程で時間
情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドの
うちの少なくとも一方を編集する編集工程と、前記編集
工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドの
うちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレー
ションを実行するシミュレーション工程とを有すること
を特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】図1は本発明の好適な実施形態と
しての半導体製造システムの機能ブロックを示す図であ
る。
【0026】図1において、半導体製造システムは、半
導体製造装置100及びバーチャル装置110から構成
される。
【0027】この半導体製造装置100は、操作端末1
01、コントローラ102、制御対象ユニット103、
ログ情報保存部104によって構成される。
【0028】操作端末101は、人間と機械の間のイン
タフェースとして用いられ、オペレータが入力した制御
コマンドを受け付けたり、状態を表示したりする。
【0029】コントローラ102は、制御対象ユニット
103全体を制御する。コントローラ102は、操作端
末101で入力した制御コマンドに従って、全体のフロ
ーを構築しながら、複数の制御対象ユニット103に対
して制御コマンドを出力する。また、制御対象ユニット
103からの装置状態を受け取る。また、コントローラ
102は、制御コマンドを制御対象ユニット103に送
ることで、制御対象ユニット103のもつ駆動機構をシ
ミュレーションすることができる。
【0030】制御対象ユニット103は、例えば、半導
体製造装置の場合、ウェハーステージ、レチクルステー
ジ、レーザーユニット、ウエハ搬送装置、レチクル搬送
装置などの制御対象ユニット103によって構成され
る。制御対象ユニット103は、制御コマンドを受け取
ると、それに従ってハードウェアを制御する。例えばウ
ェハーステージを駆動する。また、制御対象ユニット1
03は、制御コマンドに従って動作した後にその装置状
態を返す。
【0031】ログ情報保存部104では、制御コマンド
や装置状態に時間情報を付加したものをハードディスク
などの媒体に順次保存する。
【0032】バーチャル装置110は、グラフィック端
末111、装置状態3D表示部112、ユニット動作シ
ミュレーション部113、ユニット形状データ115、
ログ編集・再生制御部114、ログ記録媒体116によ
って構成される。
【0033】グラフィック端末111は、例えば、3D
画像を表示する画像処理機能をもつ。
【0034】装置状態3D表示部112は、制御対象ユ
ニット103の形状データを3D画像に変換し、その駆
動をシミュレートすることによって、形状、運動の自由
度、運動の範囲などを再現する。
【0035】ユニット動作シミュレーション部113で
は、半導体製造システムの制御対象ユニット103の動
作をシミュレートする。
【0036】ログ編集・再生制御部114では、半導体
製造装置100のログ情報保存部104に保存された制
御コマンドや装置状態を受け入れる。ユーザーインタフ
ェースが提供されており、ログを時間順序に従って表示
させ、ログを部分指定する手段、カット、コピー、ペー
ストなどの編集をする手段、ステップ実行をする手段、
再生時間スケールを変化させ、早送り再生、スロー再生
をする手段を提供する。
【0037】ユニット形状データ115には、3D−C
ADデータ、ソリッドデータ、ポリゴンデータ、ワイヤ
フレームデータなどがある。これらは、例えば、バーチ
ャルリアリティ空間を作り出すために、3D−CADで
制御対象ユニット103の設計をしたものである。
【0038】ログ記録媒体116では、コントローラ1
02から制御対象ユニット103へ送る制御コマンド
や、制御対象ユニット103から返された装置状態に時
間情報をつけて、ハードディスクなどの媒体に順次保存
する機能をもつ。
【0039】次に、制御コマンドや装置状態の再生処理
について、図2を用いて詳しく説明する。
【0040】図2は本実施形態の半導体製造システムに
おける制御コマンド及び装置状態の再生処理を示すフロ
ーチャートである。
【0041】ステップS201で、半導体製造装置10
0内の制御コマンド、装置状態にタイムスタンプ(時間
情報)を付加して、これらをログ情報保存部104に保
存する(ログの保存)。
【0042】ステップS202で、ステップS201で
蓄積した制御コマンドと装置状態をバーチャル装置11
0内のログ記録媒体116に記録し、ログ記録媒体11
6で記録された制御コマンドと装置状態を、ログ編集・
再生制御部114で編集する(ログの編集)。
【0043】ステップS203で、タイムスタンプに従
って、保存した制御コマンドや装置状態を順番に発行す
る(ログの再生)。
【0044】ステップS204で、ユニット動作シミュ
レータ部113が制御コマンドに応じて制御対象ユニッ
ト103をシミュレートする。装置状態の場合は、その
情報を3D情報に反映させる(コマンド実行)。
【0045】ステップS205で、制御コマンドの実行
結果を装置状態3D表示部112で3D情報に展開する
(3D情報に展開)。
【0046】ステップS206で、3D情報をグラフィ
ック端末111に表示する(3D情報表示)。
【0047】ステップS207で、ログ編集・再生制御
部114で指定したログの再生する範囲を終了するまで
繰り返す。
【0048】例えば、ウェハーステージを例にとり、制
御対象ユニット103について説明する。まず、ウェハ
ーステージを駆動させる為にコントローラ102から駆
動要の制御コマンドが発行される。制御コマンドには、
動作モードや目標位置などの情報が添付されている。制
御対象ユニット103は、この制御コマンドを受け取る
と、装置状態を返す。装置状態には、装置の動作状態だ
けでなく、成功/失敗などの情報が添付されている。
【0049】この制御コマンドと装置状態をタイムスタ
ンプをつけて保存したものをログと呼ぶ。
【0050】このログをバーチャル装置110上で再生
し、ウェハーステージが、時間順序に従って、どのコマ
ンドを受けて、どう駆動したかを再現することができ
る。
【0051】同様に、複数の制御対象ユニット103を
時間順序に従って再現することで、システム全体として
の半導体製造装置100の駆動状態が再現できる。
【0052】図3は本発明の好適な実施形態としての半
導体製造システムの第2の実施例における機能ブロック
を示す図である。
【0053】図1における第1の実施例との相違は2点
ある。
【0054】第1に、半導体製造装置100では、ログ
の保存場所を操作端末101とコントローラ102の間
にした。
【0055】第2に、バーチャル装置110では、操作
端末117とコントローラ118とを更に設けて、ログ
編集・再生制御部114からの制御コマンドを入力する
ようにした。
【0056】図4は本発明の好適な実施形態としての半
導体製造システムの第2の実施例における制御コマンド
や装置状態の再生処理を示すフローチャートである。
【0057】ステップS401で、半導体製造装置10
0の操作端末101からコントローラ102に送られる
制御コマンドにタイムスタンプを付加してログ情報保存
部104に保存する(ログの保存)。
【0058】ステップS402で、ステップS401で
蓄積したログをバーチャル装置110内のログ記録媒体
116に記録し、ログ記録媒体116で記録された制御
コマンドと装置状態を、バーチャル装置110内のログ
編集・再生制御部114で、編集する(ログの編集)。
【0059】ステップS403で、タイムスタンプによ
りスケジューリングして、ログに従って、保存した制御
コマンドを順番に発行する(ログの再生)。
【0060】ステップS404で、コントローラ118
で、制御コマンドを受け取り、実行する。コントローラ
118は、制御対象ユニット103の代わりに、ユニッ
ト動作シミュレーション部113に制御コマンドを発行
する(コマンド実行)。
【0061】ステップS405で、制御コマンドの実行
結果を装置状態3D表示部112で3D情報に展開する
(3D情報に展開)。
【0062】ステップS406で、3D情報をグラフィ
ック端末111に表示する(3D情報表示)。
【0063】ステップS406で、ログ編集・再生制御
部114で指定したログの再生する範囲を終了するまで
繰り返す。
【0064】このようにして、コントローラ118を新
たにバーチャル装置110に含めたことにより、装置コ
ントローラ102の動作検証を含めて、より広い範囲で
半導体製造装置110を評価することができる。また、
ログを編集しても、実際コントローラ102と同じコン
トローラ118を使用することにより、コントローラ1
02に忠実なタイミング、スケジューリングでシミュレ
ートすることができる。
【0065】これまでの実施例においては、ログ情報
は、フロッピー(登録商標)ディスクなどの媒体によっ
て半導体製造装置100から、バーチャル装置110に
送られていた。これらのやりとりは、時間の制約がない
ため、リアルタイムで行う必要がなく、バッチ処理で行
うことができる。
【0066】また、利便性を追求し、LANやテレコミ
ュニケーションなどのネットワークで両者を接続し、ロ
グ情報のデータをダウンロードすることができる。
【0067】以上のように、本発明によれば半導体製造
装置100の制御ユニット103の駆動の様子を、3D
画面でシミュレートし、さらに必要な部分のログ情報を
再生する機能を付加することにより、実際の装置の状態
を必要に応じて再生できる。これによって、必要な部分
の詳細な情報が得やすくなる。特に、故障時のログを記
録しておくことにより、故障の診断の効率を上げること
ができる。
【0068】また、開発者にとっては、デバックツール
として利用できるために、装置の信頼性についての知識
を身に付けることができる。
【0069】さらに、教育的用途としても、故障が起こ
るパターンを反復再生することにより、教材としても利
用できる。結果として、ユーザーの技術力を向上させる
ことができる。
【0070】加えて、3次元の動画を機能ごとにパター
ン化し、反復再生することにより、プレゼンテーション
資料しても利用することができる。これによって、販売
が促進されるとともに、資料作成のコストダウンをはか
ることができる。
【0071】次に上記の露光装置を利用した半導体デバ
イスの製造プロセスを説明する。図5は半導体デバイス
の全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ス
テップ2(マスク作製)では設計した回路パターンに基
づいてマスクを作製する。一方、ステップ3(ウエハ製
造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記
のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によって
ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組
み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケ
ージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。
ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
を出荷(ステップ7)する。
【0072】図6は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を
成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極
を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)
ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト
処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露
光)では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ
に転写する。ステップ17(現像)では露光したウエハを
現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の情報処理
装置及びその方法、コンピュータ可読メモリによれば、
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーショ
ンを実行する情報処理装置において、時間情報が付与さ
れた装置状態と制御コマンドとを用いてシミュレーショ
ンを実行することができる。該装置が故障したときに、
シミュレーションを実行することで故障の原因を解明で
きることによって、歩留まりを向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施形態としての半導体製造シ
ステムの機能ブロックを示す図である。
【図2】本実施形態の半導体製造システムにおける制御
コマンド及び装置状態のログ再生処理を示すフローチャ
ートである。
【図3】本発明の好適な実施形態としての半導体製造シ
ステムの第2の実施例における機能ブロックを示す図で
ある。
【図4】本発明の好適な実施形態としての半導体製造シ
ステムの第2の実施例における制御コマンドや装置状態
のログ再生処理を示すフローチャートである。
【図5】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフロ
ーを示す図である。
【図6】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御コマンドによって制御された装置の
    シミュレーションを実行する情報処理装置であって、 前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記
    制御コマンドに時間情報を付与する付与部と、 前記付与部で時間情報を付与された前記装置状態又は前
    記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集
    部と、 前記編集部で編集された前記装置状態又は前記制御コマ
    ンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミ
    ュレーションを実行するシミュレーション部と、 を備えることを特徴とする情報処理装置。
  2. 【請求項2】 前記編集部は、前記制御コマンドの指定
    した部分に対してシミュレーションを実行するための編
    集を行うことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装
    置。
  3. 【請求項3】 前記編集部は、前記制御コマンドの時間
    情報に従って順次前記装置のシミュレーションを実行す
    るための編集を行うことを特徴とする請求項1に記載の
    情報処理装置。
  4. 【請求項4】 前記編集部は、前記制御コマンドの時間
    情報の時間間隔を調節することによってシミュレーショ
    ンを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項
    1に記載の情報処理装置。
  5. 【請求項5】 前記シミュレーション部は、前記シミュ
    レーション部のシミュレーション結果を表示することを
    特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
  6. 【請求項6】 前記シミュレーション結果は、三次元画
    像データであることを特徴とする請求項5に記載の情報
    処理装置。
  7. 【請求項7】 前記シミュレーション部は、前記装置を
    制御するための前記制御コマンドと、前記制御コマンド
    を用いて前記装置を制御したときの前記装置の装置状態
    とを、前記装置と同様に制御できる制御部を更に備える
    ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
  8. 【請求項8】 制御コマンドによって制御された装置の
    シミュレーションを実行する情報処理方法であって、 前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記
    制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、 前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は
    前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編
    集工程と、 前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コ
    マンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシ
    ミュレーションを実行するシミュレーション工程と、 を含むことを特徴とする情報処理方法。
  9. 【請求項9】 前記編集工程は、前記制御コマンドの指
    定した部分に対してシミュレーションを実行するための
    編集を行うことを特徴とする請求項1に記載の情報処理
    方法。
  10. 【請求項10】 前記編集工程は、前記制御コマンドの
    時間情報に従って順次前記装置のシミュレーションを実
    行するための編集を行うことを特徴とする請求項8に記
    載の情報処理方法。
  11. 【請求項11】 前記編集工程は、前記制御コマンドの
    時間情報の時間間隔を調節することによってシミュレー
    ションを実行するための編集を行うことを特徴とする請
    求項8に記載の情報処理方法。
  12. 【請求項12】 前記シミュレーション工程は、前記シ
    ミュレーション工程のシミュレーション結果を表示する
    ことを特徴とする請求項8に記載の情報処理方法。
  13. 【請求項13】 前記シミュレーション結果は、三次元
    画像データであることを特徴とする請求項12に記載の
    情報処理方法。
  14. 【請求項14】 前記シミュレーション工程は、前記装
    置を制御するための前記制御コマンドと、前記制御コマ
    ンドを用いて前記装置を制御したときの前記装置の装置
    状態とを、前記装置と同様に制御できる制御工程を更に
    含むことを特徴とする請求項8に記載の情報処理方法。
  15. 【請求項15】 制御コマンドによって制御された装置
    のシミュレーションを実行する情報処理装置を制御する
    ためのプログラムであって、 前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記
    制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、 前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は
    前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編
    集工程と、 前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コ
    マンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシ
    ミュレーションを実行するシミュレーション工程と、 を含むことを特徴とするプログラム。
  16. 【請求項16】 制御コマンドによって制御された装置
    のシミュレーションを実行する情報処理装置を制御する
    ためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可
    読メモリであって、 該プログラムは前記装置を制御したときの前記装置の装
    置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与
    工程と、 前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は
    前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編
    集工程と、 前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コ
    マンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシ
    ミュレーションを実行するシミュレーション工程と、 を含むことを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
  17. 【請求項17】 デバイスの製造方法であって、 試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、 前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターン
    を焼き付ける露光工程と、 前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性
    材料を現像する現像工程と、 を有し、 前記露光工程は、 前記デバイスを製造する装置を制御したときの前記装置
    の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する
    付与工程と、前記付与工程で時間情報を付与された前記
    装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方
    を編集する編集工程と、前記編集工程で編集された前記
    装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方
    を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミ
    ュレーション工程と、 を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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