CN113050389B - 光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备，所述光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，包括：获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。本公开可以在EDA的图形设计系统中添加光刻工艺条件。

Description

光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备。

背景技术

随着集成电路规模的扩大、半导体技术的发展，电子设计自动化(Electronicdesign automation，EDA)的重要性急剧增加。EDA是指利用计算机辅助设计软件，来完成超大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计(包括布局、布线、版图、设计规则检查等)等流程的设计方式。

然而，现有的EDA中缺少识别光刻工艺条件的功能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备，以在EDA的图形设计系统中添加光刻工艺条件。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，所述方法包括：

获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；

根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。

可选的，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件包括：

如果产品已生产，则根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件。

可选的，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的光刻胶种类；

其中，所述光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶。

可选的，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的显影液种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的显影液种类；

其中，所述显影液种类包括正显影液或负显影液。

可选的，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的图形种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在关键尺寸扫描电子显微镜机台量测的图形种类；

其中，所述图形种类包括透光或遮光。

可选的，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件包括：

如果产品未进行生产，则手动设定所述工艺条件。

根据本公开的第二方面，提供一种光刻工艺条件添加装置，用于图形设计系统，所述装置包括：

工艺条件确定模块，用于获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；

数据信息生成模块，用于根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

数据信息存储模块，用于将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。

根据本公开的第三方面，提供一种图形设计系统，包括：

存储子系统，用于存储每个光刻层对应的层识别码；

工艺条件确定子系统，用于获取所述光刻层对应的层识别码，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的工艺条件；

数据信息生成子系统，用于根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

所述存储子系统，还用于将所述工艺类型数据信息与所述层识别码对应存储。

可选的，所述工艺条件确定子系统还用于，如果产品已生产，则根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件。

可选的，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的光刻胶种类；

其中，所述光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶。

可选的，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的显影液种类；

其中，所述显影液种类包括正显影液或负显影液。

可选的，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在关键尺寸扫描电子显微镜机台量测的图形种类；

其中，所述图形种类包括透光或遮光。

可选的，所述工艺条件确定子系统还用于，如果产品未进行生产，则手动控制设定所述工艺条件。

根据本公开的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的光刻工艺条件添加方法。

根据本公开的第五方面，提供一种电子设备，包括：

处理器；以及

存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；

其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的光刻工艺条件添加方法。

本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

根据本公开示例性实施例中的光刻工艺条件添加方法，一方面，通过获取图形设计系统中的层识别码，可以对层识别码所对应的光刻层的工艺条件进行获取，以确定该光刻层对应的工艺条件。另一方面，通过将工艺条件生成便于机器识别、存储和传输的工艺类型数据信息，并通过层识别码对上述信息进行标记，从而可以将上述工艺类型数据信息存储在对应的光刻层信息下，从而可以丰富图形设计系统中的信息，为后期的定制化设计和功能测试等提供参考，进一步完善图形设计系统的功能。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种光刻工艺条件添加方法的流程图；

图2示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种图形设计系统与涂胶显影机台、关键尺寸扫描电子显微镜机台连接关系示意图；

图3示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种光刻工艺条件添加方法的操作步骤流程图；

图4示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种光刻工艺条件添加装置的框图；

图5示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种图形设计系统的框图；

图6示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

EDA技术即电子设计自动化技术，是基于大规模可编程器件的，以计算机为工具，根据硬件描述语言完成表达，实现对逻辑的编译化简、分割、布局、优化等目标的一门新技术。根据硬件描述语言HDL完成表达，实现对逻辑的编译化简、分割、布局、优化等目标的一门新技术。

EDA技术可以验证电路设计方案的正确性；也可以对电路特性进行优化设计，以确定最佳元件参数、最佳电路结构以及适当的系统稳定裕度；EDA技术还可以实现电路特性的模拟测试，从而可以打破测试手段和仪器精度的限制，实现全功能测试。

在半导体集成电路制造技术中，光刻工艺是其中必不可少的步骤。光刻工艺是利用光化学反应原理把事先制备在光掩模版上的图形转移到衬底上的过程，并且通常需要经过多次的光刻共序。其中，光刻过程中图案转移的正确性对产品成品率的影响甚大，所以必须随时加以监控，以确保光掩膜版上的图案正确转移到晶片上。

现有EDA的图形设计系统中尚缺少对光刻工艺中工艺条件的记录和识别功能，导致无法便利地在EDA中获知光刻工艺条件，进而无法为掩膜版等图形设计过程提供参考，也不利于后期的功能测试。

基于此，本公开示例性实施方式提供了一种光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统中，参照图1，示出了根据本公开的示例性实施例的一种光刻工艺条件添加方法的流程图。如图1所示，该光刻工艺条件添加方法具体可以包括以下步骤：

步骤S110，获取图形设计系统中记录的层识别码，根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件。

其中，层识别码指的是光刻层的识别码，不同的光刻层对应不同的工艺条件。

步骤S120，根据工艺条件生成工艺类型数据信息。

其中，工艺类型数据信息指的是将工艺条件转换成代码数据等能够被机器识别、存储和传输的信息。

步骤S130，将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中。

根据本公开示例性实施例中的光刻工艺条件添加方法，一方面，通过获取图形设计系统中的层识别码，可以对层识别码所对应的光刻层的工艺条件进行获取，以确定该光刻层对应的工艺条件。另一方面，通过将工艺条件生成便于机器识别、存储和传输的工艺类型数据信息，并通过层识别码对上述信息进行标记，从而可以将上述工艺类型数据信息存储在对应的光刻层信息下，从而可以丰富图形设计系统中的信息，为后期的定制化设计和功能测试等提供参考，进一步完善图形设计系统的功能。

下面，将对本示例性实施例中的光刻工艺条件添加方法进行进一步的说明。

在步骤S110中，获取图形设计系统中记录的层识别码，根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件。

在实际应用中，图形设计系统在进行光刻工艺相关的掩膜版等半导体电路版图设计过程中，通常会对每一层光刻层确定不同的层识别码，通过层识别码可以达到对光刻层进行标记识别的作用。通常，不同的光刻层往往对应不同的工艺条件，根据不同的工艺条件完成电路版图等的设计，可以达到进一步优化设计的目的。

本公开示例性实施方式中，可以通过图形设计系统中已经记录的层识别码来确定光刻层对应的工艺条件。

在实际确定过程中，可以根据芯片等产品是否完成了生产分为两种不同的情况：第一种是产品已经完成了生产，此时需要根据已经完成生产的产品在生产加工过程中实际所采用的工艺条件来确定层识别码对应的工艺条件；第二种是产品尚未生产，此时需要研发设计人员根据实际研发结果来手动对层识别码对应的工艺条件进行设定，本示例性实施方式对于第二种的情况不作具体说明。

下面对第一种情况进行详细说明：如果产品已生产，此处的产品指的是完成多道光刻工艺制造之后的芯片等产品。每一道光刻工艺对应一层光刻层，并且每一光刻层具有一对应的层识别码。根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件包括：根据层识别码确定光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件。

在实际的光刻工艺工程中，光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。将掩膜版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择地刻蚀或注入掺杂。光刻的目的就是在光刻胶上面刻形成与掩膜版完全对应的几何图形，以把掩膜版上的图形转换成晶圆上的器件结构。

光刻工艺具体可以包括：首先，提供衬底，如硅晶圆。在衬底上涂覆一层光刻胶。这层光刻胶在曝光(一般是紫外线)后可以被特定溶液(显影液)所溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，可以对光刻胶进行选择性照射(曝光)。然后使用前面提到的显影液，溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施，改善剩余部分光刻胶的一些性质。

通常，根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。在曝光前，正性光刻胶是抗溶解的，而在受光或紫外线照射曝光后，正性光刻胶感光的部分发生光化学反应，可溶于显影液中，从而与未感光部分形成强烈反差。负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。

也就是说，在光刻过程中，采用正性光刻胶或者采用负性光刻胶会决定所采用光刻工艺的不同，对光刻工艺起着决定性的作用。因此，本公开示例性实施方式中对光刻层对应的是正性光刻胶，还是负性光刻胶进行了确定。

光刻过程是涂胶显影机和光刻机共同完成的，其中，涂胶显影机的处理工艺中包括有涂光刻胶、曝光和显影等过程，因此，在确定光刻胶种类的过程中，可以根据层识别码从涂胶显影机台获取光刻层在实际加工过程中所使用的光刻胶种类。其中，涂胶显影机台可以对光刻胶进行涂布，通过在基板上均匀涂布预定量的光刻胶，才能为后续的图形转移打下良好的基础。通常，涂胶显影机台会设置相应的涂胶显影程式，涂胶显影程式与层识别码存在对应关系，因此，可以通过层识别码从涂胶显影机台获取光刻层对应的光刻胶种类。

同样的，也可以根据层识别码从涂胶显影机台获取光刻层所使用的显影液种类。显影液是溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域的一种化学溶剂，在需要正显影的一些实施方式中，使用正显影液，正显影液可以包括碱性水溶液，来除去曝露于照射的光刻胶区域。在一些实施方式中，正显影液包括是选自氢氧化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四丁基铵、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水、一甲胺、二甲胺、三甲胺、单乙胺、二乙胺、三乙胺、单异丙胺、二异丙胺、三异丙胺、一丁胺、二丁胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甲氨基乙醇、二乙氨基乙醇、氨、苛性钠、苛性钾、偏硅酸钠、偏硅酸钾、碳酸钠、氢氧化四乙铵以及它们的组合等等中的其中一个或多个。在需要负显影的一些实施方式中，使用有机溶剂来除去光刻胶的未曝光区域。在一些实施方式中，负显影液包括是选自己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、三氯乙烯、临界二氧化碳、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类溶剂；二乙醚、二丙醚、二丁醚、乙基乙烯基醚、二恶烷、环氧丙烷、四氢呋喃、溶纤剂、甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、甲基卡必醇、二乙二醇单乙醚等醚类溶剂；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、异佛尔酮、环己酮等酮类溶剂；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯等酯类溶剂；吡啶、甲酰胺和N、N-二甲基甲酰胺等烃类溶剂中的其中一种或多种。

在本公开示例性实施方式中，可以通过涂胶显影机台获取光刻层所使用的光刻胶种类和显影液种类。

在实际应用中，光刻层的工艺条件除过光刻胶种类和显影液种类外，还包括图形种类等。其中，图形种类包括遮光和透光两种，不同的图形种类决定了所形成的图形的不同。

为保证光刻尺寸的准确性，晶圆在黄光区经过曝光显影以后，带有光刻胶图形的晶圆会在扫描电子显微镜(Critical Dimension Scanning Electronic Microscope，CDSEM)机台上测量关键尺寸，从而了解光刻曝光的准确性。因此，在本公开示例性实施方式中，可以通过与图形设计系统连接的CDSEM来获取图形种类。示例的，遮光图形为光刻显影后留下的凸起图形，透光图形为光刻显影后留下的凹槽图形。

同样的，晶圆量测时，CDSEM上的量测程式也记录有光刻层对应的层识别码，因此，通过层识别码即可从CDSEM中直接获取所量测的图形种类，以存储在图形设计系统中。

参照图2，本公开示例性实施方式中，图形设计系统210与涂胶显影机台220、关键尺寸扫描电子显微镜机台230连接，图形设计系统210与涂胶显影机台220、关键尺寸扫描电子显微镜机台230之间可以实现数据的传输等功能。

在获取到光刻层对应的工艺条件之后，就可以进入到步骤S120和步骤S130中，即根据具体的工艺条件生成工艺类型数据信息，并将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中。

其中，在确定出工艺条件正性光刻胶或负性光刻胶、正显影液或负显影液、透光或遮光之后，需要将这些工艺条件转换成机器可以识别、存储和传输的信息，以便于将这些信息添加到电路版图的文件中。例如，通过多种不同的代码来表示工艺条件，每一个代码代表不同的工艺条件。在图形设计系统中打开上述电路版图时，即可显示该光刻层的层识别码所对应的工艺条件代码，以为后续的设计改进或者是测试验证提供数据基础。

参照图3，提供了本公开的示例性实施例的一种光刻工艺条件添加方法的操作步骤流程图；如图3所示，开始进入步骤S310，执行判断条件，判断产品是否已生产；如果是，则进入步骤S320，则自动确定工艺条件；其中，步骤S320具体可以包括步骤S321，从涂胶显影机台获取所使用的光刻胶种类，简称获取光刻胶种类；步骤S322，从涂胶显影机台获取所使用的显影液种类，简称获取显影液种类；步骤S323，从关键尺寸扫描电子显微镜机台获取图形种类，简称获取图像种类；接着，进入步骤S330，根据获取的工艺条件，生成工艺类型数据信息；再进入步骤S340，将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中，简称工艺类型标记并存储。

接着步骤S310，如果否，即产品未生产，则进入步骤S350，手动设定工艺条件；接着，进入步骤S360，根据获取的工艺条件，生成工艺类型数据信息；再进入步骤S370，将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中，简称工艺类型标记并存储。

本公开示例性实施方式提供的光刻工艺条件添加方法，通过在图形设计系统中添加光刻层对应的工艺条件，可以完善图形设计系统的功能，为后期的工艺改进和监测提供数据支持。

需要说明的是，本公开示例性实施方式提供的光刻工艺条件添加方法不仅适用于半导体光刻工艺中的光刻层图形设计时的工艺条件获取，还可以适用于其它的非半导体光刻工艺加工设计系统中。任何可以通过本公开示例性实施方式提供的光刻工艺条件添加方法实现相应功能的设计系统均落入本公开的保护范围之内。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种光刻工艺条件添加装置。参考图4，该光刻工艺条件添加装置400用于图形设计系统中，可以包括：工艺条件确定模块410、数据信息生成模块420、数据信息存储模块430，其中：

工艺条件确定模块410，可以用于获取图形设计系统中记录的层识别码，根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件；

数据信息生成模块420，可以用于根据工艺条件生成工艺类型数据信息；

数据信息存储模块430，可以用于将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中。

上述中各光刻工艺条件添加装置的虚拟模块的具体细节已经在对应的光刻工艺条件添加方法中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了光刻工艺条件添加装置的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种图形设计系统。参考图5，该图形设计系统500用于图形设计系统中，可以包括：存储子系统510、工艺条件确定子系统520和数据信息生成子系统530，其中：

存储子系统510，可以用于存储每个光刻层对应的层识别码；

工艺条件确定子系统520，可以用于获取光刻层对应的层识别码，根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件；

数据信息生成子系统530，可以用于根据工艺条件生成工艺类型数据信息；

存储子系统510，还可以用于将工艺类型数据信息与层识别码对应存储。

在本公开的一些实施例中，工艺条件确定子系统520还用于，如果产品已生产，则根据层识别码确定光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为工艺条件。

在本公开的一些实施例中，工艺条件确定子系统520还用于，根据层识别码获取光刻层在涂胶显影机台所使用的光刻胶种类；

其中，光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶。

在本公开的一些实施例中，工艺条件确定子系统520还用于，根据层识别码获取光刻层在涂胶显影机台所使用的显影液种类；

其中，显影液种类包括正显影液或负显影液。

在本公开的一些实施例中，工艺条件确定子系统520还用于，根据层识别码获取光刻层在关键尺寸扫描电子显微镜机台量测的图形种类；

其中，图形种类包括透光或遮光。

在本公开的一些实施例中，工艺条件确定子系统520还用于，如果产品未进行生产，则手动控制设定工艺条件。

由于本公开示例性实施方式的图形设计系统的各个功能模块与上述方法发明实施方式中相同，因此在此不再赘述。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。

所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。

下面参照图6来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备600。图6显示的电子设备600仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图6所示，电子设备600以通用计算设备的形式表现。电子设备600的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元610、上述至少一个存储单元620、连接不同系统组件(包括存储单元620和处理单元610)的总线630、显示单元640。

其中，所述存储单元620存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元610执行，使得所述处理单元610执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如，所述处理单元610可以执行如图1中所示的步骤S110，获取图形设计系统中记录的层识别码，根据层识别码确定光刻层对应的工艺条件；步骤S120，根据工艺条件生成工艺类型数据信息；步骤S130，将工艺类型数据信息通过层识别码标记，并存储至图形设计系统中。

存储单元620可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(RAM)6201和/或高速缓存存储单元6202，还可以进一步包括只读存储单元(ROM)6203。

存储单元620还可以包括具有一组(至少一个)程序模块6205的程序/实用工具6204，这样的程序模块6205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。

总线630可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。

电子设备600也可以与一个或多个外部设备670(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备600交互的设备通信，和/或与使得该电子设备600能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口650进行。并且，电子设备600还可以通过网络适配器660与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器660通过总线630与电子设备600的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备600使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。

根据本发明的实施方式的用于实现上述方法的程序产品，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。

所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。

计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。

可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。

可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。

此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (11)

1.一种光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，其特征在于，所述方法包括：

获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；其中，如果产品已生产，则根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件；所述光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶；所述显影液种类包括正显影液或负显影液；所述图形种类包括透光或遮光；如果产品未进行生产，则手动设定所述工艺条件；

根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。

2.根据权利要求1所述的光刻工艺条件添加方法，其特征在于，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的光刻胶种类。

3.根据权利要求1所述的光刻工艺条件添加方法，其特征在于，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的显影液种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的显影液种类。

4.根据权利要求1所述的光刻工艺条件添加方法，其特征在于，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的图形种类包括：

根据所述层识别码获取所述光刻层在关键尺寸扫描电子显微镜机台量测的图形种类。

5.一种光刻工艺条件添加装置，用于图形设计系统，其特征在于，所述装置包括：

工艺条件确定模块，用于获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；其中，如果产品已生产，则根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件；所述光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶；所述显影液种类包括正显影液或负显影液；所述图形种类包括透光或遮光；如果产品未进行生产，则手动设定所述工艺条件；

数据信息生成模块，用于根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

数据信息存储模块，用于将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。

6.一种图形设计系统，其特征在于，包括：

存储子系统，用于存储每个光刻层对应的层识别码；

工艺条件确定子系统，用于获取所述光刻层对应的层识别码，根据所述层识别码确定所述光刻层对应的工艺条件；其中，如果产品已生产，则根据所述层识别码确定所述光刻层对应的光刻胶种类、显影液种类和图形种类，作为所述工艺条件；所述光刻胶种类包括正性光刻胶或负性光刻胶；所述显影液种类包括正显影液或负显影液；所述图形种类包括透光或遮光；如果产品未进行生产，则手动设定所述工艺条件；

数据信息生成子系统，用于根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；

所述存储子系统，还用于将所述工艺类型数据信息与所述层识别码对应存储。

7.根据权利要求6所述的图形设计系统，其特征在于，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的光刻胶种类。

8.根据权利要求6所述的图形设计系统，其特征在于，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在涂胶显影机台所使用的显影液种类。

9.根据权利要求6所述的图形设计系统，其特征在于，所述工艺条件确定子系统还用于，根据所述层识别码获取所述光刻层在关键尺寸扫描电子显微镜机台量测的图形种类。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-4中任意一项所述的光刻工艺条件添加方法。

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；以及

存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；

其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行权利要求1-4中任意一项所述的光刻工艺条件添加方法。

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