JP2003115536A - ウェーハアセンブリ内の半導体構成要素およびその製造方法 - Google Patents
ウェーハアセンブリ内の半導体構成要素およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 保持部を介してフレームに接続された半導体
構成要素をフレームから破断分離する際に、裂片発生等
の問題を生じないウエハアセンブリ内の半導体構成要素
の製造方法を提供する。 【解決手段】 各ケースで１個の保持部４によりフレー
ム１に接続されまた同じシリコンウェーハから形成され
るウェーハアセンブリ内の半導体構成要素２が開示され
る。保持部４は各構成要素をフレーム１に一側面で接続
し望ましい破壊点を持つ。望ましい破壊点はＶ型溝部６
として設計され、その表面は（１１１）結晶面を形成す
る。本方法に基づいて、保持部４生産のためのパターン
形成はウェーハ背面に、続くＶ型溝部６の湿式化学異方
性エッチングで生じる。このように保持部４はウェーハ
前面の加工とは独立して生産され、半導体構成要素２が
除去されると、半導体構成要素２が損傷されるどのよう
なリスクもなく定められた破断端部が形成される。
構成要素をフレームから破断分離する際に、裂片発生等
の問題を生じないウエハアセンブリ内の半導体構成要素
の製造方法を提供する。 【解決手段】 各ケースで１個の保持部４によりフレー
ム１に接続されまた同じシリコンウェーハから形成され
るウェーハアセンブリ内の半導体構成要素２が開示され
る。保持部４は各構成要素をフレーム１に一側面で接続
し望ましい破壊点を持つ。望ましい破壊点はＶ型溝部６
として設計され、その表面は（１１１）結晶面を形成す
る。本方法に基づいて、保持部４生産のためのパターン
形成はウェーハ背面に、続くＶ型溝部６の湿式化学異方
性エッチングで生じる。このように保持部４はウェーハ
前面の加工とは独立して生産され、半導体構成要素２が
除去されると、半導体構成要素２が損傷されるどのよう
なリスクもなく定められた破断端部が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハアセンブ
リ内の半導体構成要素およびその製造方法であって、こ
こで構成要素が各ケースで１個の保持部によりフレーム
に接続され、また同じシリコンウェーハから形成される
半導体構成要素に関する。本発明はまたこの型のウェー
ハアセンブリ内の半導体構成要素を製造する方法に関す
る。
リ内の半導体構成要素およびその製造方法であって、こ
こで構成要素が各ケースで１個の保持部によりフレーム
に接続され、また同じシリコンウェーハから形成される
半導体構成要素に関する。本発明はまたこの型のウェー
ハアセンブリ内の半導体構成要素を製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ（（１００）シリコン
ウェーハ）から半導体構成要素を製造する間、フレーム
およびフレームに構成要素を接続する保持部と共に、個
々の構成要素は単一のシリコンウェーハから生産され
る。保持部は構成要素を横断して伸び両側でフレームに
固設される棒部を含む。その唯一の目的が構成要素をフ
レームに固設するためのものであるこれらの棒部はウェ
ーハ前面を写真平板でパターン形成し、次いで成形のた
めの乾式または湿式化学エッチング工程で製造される。
構成要素とフレームの開放、つまりフレームからの構成
要素の分離はウェーハ前面およびまたはウェーハ背面で
の写真平板パターン形成、次いで成形のための乾式また
は湿式化学エッチング工程により実行される。構成要素
それ自身は次いで棒部が破断するまで構成要素に圧を加
えることでフレームから破断する。選択肢として、棒部
またはウェーハ面から構成要素を回転させてねじり負荷
を与えることにより破断させることができる。
ウェーハ）から半導体構成要素を製造する間、フレーム
およびフレームに構成要素を接続する保持部と共に、個
々の構成要素は単一のシリコンウェーハから生産され
る。保持部は構成要素を横断して伸び両側でフレームに
固設される棒部を含む。その唯一の目的が構成要素をフ
レームに固設するためのものであるこれらの棒部はウェ
ーハ前面を写真平板でパターン形成し、次いで成形のた
めの乾式または湿式化学エッチング工程で製造される。
構成要素とフレームの開放、つまりフレームからの構成
要素の分離はウェーハ前面およびまたはウェーハ背面で
の写真平板パターン形成、次いで成形のための乾式また
は湿式化学エッチング工程により実行される。構成要素
それ自身は次いで棒部が破断するまで構成要素に圧を加
えることでフレームから破断する。選択肢として、棒部
またはウェーハ面から構成要素を回転させてねじり負荷
を与えることにより破断させることができる。
【０００３】半導体構成要素を製造する本方法におい
て、棒部はウェーハ前面から製造され、そのため半導体
構成要素について実施される製造および加工工程はすべ
て棒部に使用される製造工程に適応されねばならない。
従って棒部の製造と半導体構成要素の加工との間にはか
なりの相互依存性が存在する。一般に結晶学的に望まし
い破断端部は存在せず、何故ならそれらは追加の工程ス
テップを必要とするからである。従って破断操作の間
に、棒部に形成される再生可能な破断端部は存在せず、
あるいは棒部は半導体構成要素が破断したときには裂片
となり、またこれらの裂片は半導体構成要素に損害を与
える原因ともなる。更なる欠点は棒部の厚みが半導体構
成要素の開放の間に時間制御エッチングにより通常規制
されねばならないことである。
て、棒部はウェーハ前面から製造され、そのため半導体
構成要素について実施される製造および加工工程はすべ
て棒部に使用される製造工程に適応されねばならない。
従って棒部の製造と半導体構成要素の加工との間にはか
なりの相互依存性が存在する。一般に結晶学的に望まし
い破断端部は存在せず、何故ならそれらは追加の工程ス
テップを必要とするからである。従って破断操作の間
に、棒部に形成される再生可能な破断端部は存在せず、
あるいは棒部は半導体構成要素が破断したときには裂片
となり、またこれらの裂片は半導体構成要素に損害を与
える原因ともなる。更なる欠点は棒部の厚みが半導体構
成要素の開放の間に時間制御エッチングにより通常規制
されねばならないことである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、前記の欠点を除去する可能な方法を提案することに
基礎を置くものである。
は、前記の欠点を除去する可能な方法を提案することに
基礎を置くものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、この目
的は請求項１記載の特徴を持つウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素により、また請求項５記載の特徴を持つ
半導体構成要素を製造する方法により解決される。更な
る有利な構成はこれらの請求項を引用する個々の従属請
求項で与えられる。それらは下記の技術的構成によって
前記課題を解決することができる。
的は請求項１記載の特徴を持つウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素により、また請求項５記載の特徴を持つ
半導体構成要素を製造する方法により解決される。更な
る有利な構成はこれらの請求項を引用する個々の従属請
求項で与えられる。それらは下記の技術的構成によって
前記課題を解決することができる。
【０００６】（１）ウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素であって、前記構成要素は各ケースで１個の保持部
によりフレームに接続され、また同じシリコンウェーハ
から形成され、ここで一側面にある保持部４は各構成要
素２をフレーム１に接続しまた望ましい破壊点６を持つ
ことを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要
素。
要素であって、前記構成要素は各ケースで１個の保持部
によりフレームに接続され、また同じシリコンウェーハ
から形成され、ここで一側面にある保持部４は各構成要
素２をフレーム１に接続しまた望ましい破壊点６を持つ
ことを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要
素。
【０００７】（２）前記（１）記載のウェーハアセンブ
リ内の半導体構成要素であって、ここで保持部４がフレ
ーム１と半導体構成要素２の間でフレームの広範囲厚み
部５と溝部６により形成されることを特徴とするウェー
ハアセンブリ内の半導体構成要素。
リ内の半導体構成要素であって、ここで保持部４がフレ
ーム１と半導体構成要素２の間でフレームの広範囲厚み
部５と溝部６により形成されることを特徴とするウェー
ハアセンブリ内の半導体構成要素。
【０００８】（３）前記（２）記載のウェーハアセンブ
リ内の半導体構成要素であって、ここで溝部６がＶ型に
設計されていることを特徴とするウェーハアセンブリ内
の半導体構成要素。
リ内の半導体構成要素であって、ここで溝部６がＶ型に
設計されていることを特徴とするウェーハアセンブリ内
の半導体構成要素。
【０００９】（４）前記（３）記載のウェーハアセンブ
リ内の半導体構成要素であって、ここでＶ型溝部の表面
７が（１１１）結晶面を形成することを特徴とするウェ
ーハアセンブリ内の半導体構成要素。
リ内の半導体構成要素であって、ここでＶ型溝部の表面
７が（１１１）結晶面を形成することを特徴とするウェ
ーハアセンブリ内の半導体構成要素。
【００１０】（５）半導体構成要素を製造する一つの方
法であって、ここで前記構成要素は保持部によりフレー
ムと接続されまた同じシリコンウェーハから形成され、
以下に述べるステップ、すなわち各ケースで半導体構成
要素２をフレーム１に接続する一側面での保持部４を持
つウェーハ背面の写真平板パターン形成、フレーム１と
半導体構成要素２の間のエッチング工程による保持部４
での望ましい破壊点の生産、およびウェーハ前面および
または背面の写真平板パターン形成による構成要素２と
フレーム１の開放さらに成形のための次の乾式または湿
式化学エッチングのステップより成ることを特徴とする
ウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
法であって、ここで前記構成要素は保持部によりフレー
ムと接続されまた同じシリコンウェーハから形成され、
以下に述べるステップ、すなわち各ケースで半導体構成
要素２をフレーム１に接続する一側面での保持部４を持
つウェーハ背面の写真平板パターン形成、フレーム１と
半導体構成要素２の間のエッチング工程による保持部４
での望ましい破壊点の生産、およびウェーハ前面および
または背面の写真平板パターン形成による構成要素２と
フレーム１の開放さらに成形のための次の乾式または湿
式化学エッチングのステップより成ることを特徴とする
ウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
【００１１】（６）前記（５）記載の方法であって、こ
こで溝部６が望ましい破壊点を持つように生産されるこ
とを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要素
の製造方法。
こで溝部６が望ましい破壊点を持つように生産されるこ
とを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要素
の製造方法。
【００１２】（７）前記（６）記載の方法であって、こ
こで溝部６がＶ型溝部として設計されることを特徴とす
るウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
こで溝部６がＶ型溝部として設計されることを特徴とす
るウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
【００１３】（８）前記（７）記載の方法であって、こ
こでＶ型溝部６が湿式化学異方性エッチングで生産され
ることを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の製造方法。
こでＶ型溝部６が湿式化学異方性エッチングで生産され
ることを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の製造方法。
【００１４】（９）前記（８）記載の方法であって、こ
こでその表面が（１１１）結晶面を形成するＶ型溝部が
エッチングの間に生産されることを特徴とするウェーハ
アセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
こでその表面が（１１１）結晶面を形成するＶ型溝部が
エッチングの間に生産されることを特徴とするウェーハ
アセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に従って、ウェーハアセン
ブリ内の半導体構成要素は個々の構成要素を一側面にあ
るフレームに接続する保持部を持ち、また望ましい破壊
点を持つ。原則として、望ましい破壊点は保持部の領域
で材料を薄くする形態での各種の方法で設計することが
できる。望ましい破壊点はフレームと構成要素の間にあ
り、望ましくはＶ型設計のものである溝部により有利に
設計することができる。望ましい実施例に従って、Ｖ型
溝部の表面は（１１１）結晶面を形成する。本方法に従
って、単一面を持つ保持部が生産され、各ケースのその
保持部はウェーハ背面の写真平板パターン形成し、次い
でフレームが厚みを増した部分を持つ領域で溝部をエッ
チングすることにより構成要素をフレームに接続する。
構成要素とフレームの開放はウェーハ前面およびまたは
背面を写真平板パターン形成し、次いで成形のために乾
式または湿式化学エッチング工程で実施される。工程配
列が適切な方法で選択されるならば、開放操作は保持部
の製造と同時に起こるであろう。
ブリ内の半導体構成要素は個々の構成要素を一側面にあ
るフレームに接続する保持部を持ち、また望ましい破壊
点を持つ。原則として、望ましい破壊点は保持部の領域
で材料を薄くする形態での各種の方法で設計することが
できる。望ましい破壊点はフレームと構成要素の間にあ
り、望ましくはＶ型設計のものである溝部により有利に
設計することができる。望ましい実施例に従って、Ｖ型
溝部の表面は（１１１）結晶面を形成する。本方法に従
って、単一面を持つ保持部が生産され、各ケースのその
保持部はウェーハ背面の写真平板パターン形成し、次い
でフレームが厚みを増した部分を持つ領域で溝部をエッ
チングすることにより構成要素をフレームに接続する。
構成要素とフレームの開放はウェーハ前面およびまたは
背面を写真平板パターン形成し、次いで成形のために乾
式または湿式化学エッチング工程で実施される。工程配
列が適切な方法で選択されるならば、開放操作は保持部
の製造と同時に起こるであろう。
【００１６】望ましい破壊点の生産は原則的には公知の
エッチング操作で行われ、ここで本方法の望ましい構成
に従ってＶ型溝部が湿式化学異方性エッチングにより生
産される。
エッチング操作で行われ、ここで本方法の望ましい構成
に従ってＶ型溝部が湿式化学異方性エッチングにより生
産される。
【００１７】開放と関連して前に述べた方法の３段階の
最後のものは従来の技術で採用されており公知である方
法と一致する。しかし単一面保持部の写真平板パターン
形成はウェーハ背面で生じる。従って保持部の製造はウ
ェーハ表面の加工とは完全に独立している。望ましい構
成に基づくＶ型溝部の収束結晶（１１１）面の切断端部
は望ましい破断端部を定義する。構成要素への圧の適用
は構成要素の傾斜に従って望ましい破断端部に沿って半
導体構成要素のフレームからの破断に導く。この結果定
められた破断端部が形成される。シリコン結晶の裂片化
は完全に予防されないまでも大幅に減少される。構成要
素が破断した時に損傷を受ける構成要素のリスクは従っ
て大幅に減少する。
最後のものは従来の技術で採用されており公知である方
法と一致する。しかし単一面保持部の写真平板パターン
形成はウェーハ背面で生じる。従って保持部の製造はウ
ェーハ表面の加工とは完全に独立している。望ましい構
成に基づくＶ型溝部の収束結晶（１１１）面の切断端部
は望ましい破断端部を定義する。構成要素への圧の適用
は構成要素の傾斜に従って望ましい破断端部に沿って半
導体構成要素のフレームからの破断に導く。この結果定
められた破断端部が形成される。シリコン結晶の裂片化
は完全に予防されないまでも大幅に減少される。構成要
素が破断した時に損傷を受ける構成要素のリスクは従っ
て大幅に減少する。
【００１８】Ｖ型溝部の２面が収束する時、深みエッチ
ングはシリコンの結晶性の故で停止する。従って望まし
い破壊点の厚みについての非常に単純で時間依存制御が
生産の間に達成される。
ングはシリコンの結晶性の故で停止する。従って望まし
い破壊点の厚みについての非常に単純で時間依存制御が
生産の間に達成される。
【００１９】原則としては、従来の技術に従って例えば
半導体構成要素の両側面など複数の側面に前記の保持部
を配設することも考えられるが、この場合半導体構成要
素からの破断に関連する前記の利点は前に述べたような
方法ではもはや適用されず、従って半導体構成要素は再
び損傷を受ける可能性がある。
半導体構成要素の両側面など複数の側面に前記の保持部
を配設することも考えられるが、この場合半導体構成要
素からの破断に関連する前記の利点は前に述べたような
方法ではもはや適用されず、従って半導体構成要素は再
び損傷を受ける可能性がある。
【００２０】本方法は費用のかからない方法であり、そ
れはウェーハアセンブリ内の半導体構成要素を製造する
際スクラップを減少させる。
れはウェーハアセンブリ内の半導体構成要素を製造する
際スクラップを減少させる。
【００２１】本発明は下記の例となる実施例と関連し、
添付の図面と共により詳細に説明される。
添付の図面と共により詳細に説明される。
【００２２】図１はフレーム１を持つシリコンウェーハ
（図示されていない）の一部を示し、このフレーム１に
半導体構成要素２が固設される。半導体構成要素２は棒
部３によりフレーム１に接続される。拡大図で見られる
ように、棒部３にフレーム１と半導体構成要素２をある
間隔を置いて接続し、すなわち半導体構成要素２とフレ
ーム１は相互に間隔を置いている。
（図示されていない）の一部を示し、このフレーム１に
半導体構成要素２が固設される。半導体構成要素２は棒
部３によりフレーム１に接続される。拡大図で見られる
ように、棒部３にフレーム１と半導体構成要素２をある
間隔を置いて接続し、すなわち半導体構成要素２とフレ
ーム１は相互に間隔を置いている。
【００２３】図２は図１で示されたものと一致する配列
を示しているが、フレーム１内の半導体構成要素２は本
発明に基づく方法を使用して生じるものとなる。半導体
構成要素２は保持部４により一側面で接続される。この
領域では、保持部４はフレーム１の厚み部５を含み、そ
のため厚み部５は半導体構成要素２に直接隣接する。図
２で示された拡大図から見られるように、残存壁厚が残
るようにシリコンに収束する面であるＶ型溝部６は保持
部４の厚み部５と半導体構成要素２の間に配設される。
前にも述べた通り、シリコンの結晶性と表面が（１１
１）結晶面を形成するという事実により深みエッチング
は停止される。従って望ましい破壊点は定められた方法
で算出することができる。
を示しているが、フレーム１内の半導体構成要素２は本
発明に基づく方法を使用して生じるものとなる。半導体
構成要素２は保持部４により一側面で接続される。この
領域では、保持部４はフレーム１の厚み部５を含み、そ
のため厚み部５は半導体構成要素２に直接隣接する。図
２で示された拡大図から見られるように、残存壁厚が残
るようにシリコンに収束する面であるＶ型溝部６は保持
部４の厚み部５と半導体構成要素２の間に配設される。
前にも述べた通り、シリコンの結晶性と表面が（１１
１）結晶面を形成するという事実により深みエッチング
は停止される。従って望ましい破壊点は定められた方法
で算出することができる。
【００２４】図３Ａ乃至３Ｅは本発明に基づくウェーハ
アセンブリ内の半導体構成要素の製造に伴う個々の工程
ステップを説明する。この特異的な実施例において前面
からの構成要素の加工が完成したものと仮定される。こ
の場合、構成要素の開放は保持部装置の製造と一緒に生
じるであろう。これは構成要素を開放するための追加の
工程は必要ではないことを示している。
アセンブリ内の半導体構成要素の製造に伴う個々の工程
ステップを説明する。この特異的な実施例において前面
からの構成要素の加工が完成したものと仮定される。こ
の場合、構成要素の開放は保持部装置の製造と一緒に生
じるであろう。これは構成要素を開放するための追加の
工程は必要ではないことを示している。
【００２５】図３Ａは（図の上側に一致する）前面で構
成要素の活性面またはセンサが配置される（１００）シ
リコンウェーハ１１を示す。このシリコンウェーハ１１
はその両側を被覆層１２で被覆される。この被覆層１２
は、例えば酸化で生産された酸化ケイ素層または真空蒸
着により生産された窒化ケイ素層である。一般にこれら
は異方性シリコンエッチングのためにエッチングマスク
として作用するのに適した層でなければならない。
成要素の活性面またはセンサが配置される（１００）シ
リコンウェーハ１１を示す。このシリコンウェーハ１１
はその両側を被覆層１２で被覆される。この被覆層１２
は、例えば酸化で生産された酸化ケイ素層または真空蒸
着により生産された窒化ケイ素層である。一般にこれら
は異方性シリコンエッチングのためにエッチングマスク
として作用するのに適した層でなければならない。
【００２６】次いで図３Ｂで示されるように、感光性防
食材１３がシリコンウェーハ１１の背面に適用される。
保持部４の製造のためのマスクは写真平板パターン形成
によりこの防食材１３に移される。次いで防食材１３は
ウェーハ前面７を保持するために前面７に適用される
が、この防食材１３はパターン形成されない。ウェーハ
背面８に適用される防食材からの異なった防食材を使用
することもできる。
食材１３がシリコンウェーハ１１の背面に適用される。
保持部４の製造のためのマスクは写真平板パターン形成
によりこの防食材１３に移される。次いで防食材１３は
ウェーハ前面７を保持するために前面７に適用される
が、この防食材１３はパターン形成されない。ウェーハ
背面８に適用される防食材からの異なった防食材を使用
することもできる。
【００２７】図３Ｃは次の段階、すなわち感光性防食材
１３に移されたマスク構造が湿式または乾式化学エッチ
ング法によりウェーハ背面８の被覆層１２に移されるこ
とを示す。もし被覆層が酸化ケイ素または窒化ケイ素よ
り成るならば、これは希フッ化水素酸でのエッチングに
より達成することができる。
１３に移されたマスク構造が湿式または乾式化学エッチ
ング法によりウェーハ背面８の被覆層１２に移されるこ
とを示す。もし被覆層が酸化ケイ素または窒化ケイ素よ
り成るならば、これは希フッ化水素酸でのエッチングに
より達成することができる。
【００２８】次いで感光性防食材１３はシリコンウェー
ハ１１の両面から再び除去される。これは例えばアセト
ンなどの溶媒を使って行われる。防食材の残渣を完全に
除去するためには、硫酸と過酸化水素の加熱混合物内で
行うことも可能である。希釈加熱過酸化カリウム溶液内
で例えば生じる次の異方性シリコンエッチングステップ
では、シリコンウェーハ１１にエッチングされるＶ型溝
部６を生じる。このＶ型溝部６の境界面はシリコンの
（１１１）結晶面を形成する。深みエッチングは２個の
（１１１）結晶面が出会う時に自動的に停止する。これ
は図３Ｄで示される。
ハ１１の両面から再び除去される。これは例えばアセト
ンなどの溶媒を使って行われる。防食材の残渣を完全に
除去するためには、硫酸と過酸化水素の加熱混合物内で
行うことも可能である。希釈加熱過酸化カリウム溶液内
で例えば生じる次の異方性シリコンエッチングステップ
では、シリコンウェーハ１１にエッチングされるＶ型溝
部６を生じる。このＶ型溝部６の境界面はシリコンの
（１１１）結晶面を形成する。深みエッチングは２個の
（１１１）結晶面が出会う時に自動的に停止する。これ
は図３Ｄで示される。
【００２９】図３Ｅは異方性シリコンエッチングが終結
した後のシリコンウェーハ１１の背面の平面図を示す。
本発明に基づく保持部４を製造するために必要とされる
エッチングマスク１２の形状はこの図３Ｅから見ること
ができる。ウェーハ前面７に位置するエッチングマスク
は本図では図示されていない。
した後のシリコンウェーハ１１の背面の平面図を示す。
本発明に基づく保持部４を製造するために必要とされる
エッチングマスク１２の形状はこの図３Ｅから見ること
ができる。ウェーハ前面７に位置するエッチングマスク
は本図では図示されていない。
【００３０】最後にシリコンウェーハ１１の前面および
背面にあるエッチングマスク１２は再び除去される。も
しこれらの被覆層が酸化ケイ素または窒化ケイ素より成
る場合には、これは希フッ化水素酸でのエッチングによ
り再び起こることができる。十分な長さでのシリコンエ
ッチングステップが行われるとすれば、構成要素２とフ
レーム１の間の接触は生産されたフレーム１の厚み部５
の領域でのみ残るであろう。さもなければ、構成要素２
はフレーム１から完全に分離される（図２を参照された
い）。
背面にあるエッチングマスク１２は再び除去される。も
しこれらの被覆層が酸化ケイ素または窒化ケイ素より成
る場合には、これは希フッ化水素酸でのエッチングによ
り再び起こることができる。十分な長さでのシリコンエ
ッチングステップが行われるとすれば、構成要素２とフ
レーム１の間の接触は生産されたフレーム１の厚み部５
の領域でのみ残るであろう。さもなければ、構成要素２
はフレーム１から完全に分離される（図２を参照された
い）。
【００３１】
【発明の効果】本発明に基づき費用のかからない改良さ
れたウェーハアセンブリ内の半導体構成要素とその製造
方法が提供される。
れたウェーハアセンブリ内の半導体構成要素とその製造
方法が提供される。
【図１】 従来の技術に基づくウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素を示す平面図
半導体構成要素を示す平面図
【図２】 本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導
体構成要素を示す平面図
体構成要素を示す平面図
【図３Ａ】 本目的に必要とされる個別工程ステップを
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
【図３Ｂ】 本目的に必要とされる個別工程ステップを
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
【図３Ｃ】 本目的に必要とされる個別工程ステップを
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
【図３Ｄ】 本目的に必要とされる個別工程ステップを
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
【図３Ｅ】 本目的に必要とされる個別工程ステップを
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
含む本発明に基づくウェーハアセンブリ内の半導体構成
要素の保持部の製造のための実施例を示す図
１ フレーム
２ 半導体構成要素
３ 棒部
４ 保持部
５ 厚み部
６ Ｖ型溝部
７ ウェーハ前面
８ ウェーハ背面
１１ シリコンウェーハ
１２ エッチングマスク、被覆層
１３ 感光性防食材
Claims (9)
- 【請求項１】 ウェーハアセンブリ内の半導体構成要素
であって、前記構成要素は各ケースで１の保持部により
フレームに接続され、また同じシリコンウェーハから形
成され、ここで一側面にある保持部４は各構成要素２を
フレーム１に接続しまた望ましい破壊点６を持つことを
特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要素。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素であって、ここで保持部４がフレーム１
と半導体構成要素２の間でフレームの広範囲厚み部５と
溝部６により形成されることを特徴とするウェーハアセ
ンブリ内の半導体構成要素。 - 【請求項３】 請求項２記載のウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素であって、ここで溝部６がＶ型に設計さ
れていることを特徴とするウェーハアセンブリ内の半導
体構成要素。 - 【請求項４】 請求項３記載のウェーハアセンブリ内の
半導体構成要素であって、ここでＶ型溝部の表面７が
（１１１）結晶面を形成することを特徴とするウェーハ
アセンブリ内の半導体構成要素。 - 【請求項５】 半導体構成要素を製造する一つの方法で
あって、ここで前記構成要素は保持部によりフレームと
接続されまた同じシリコンウェーハから形成され、以下
に述べるステップ、すなわち各ケースで半導体構成要素
２をフレーム１に接続する一側面での保持部４を持つウ
ェーハ背面の写真平板パターン形成、フレーム１と半導
体構成要素２の間のエッチング工程による保持部４での
望ましい破壊点の生産、およびウェーハ前面およびまた
は背面の写真平板パターン形成による構成要素２とフレ
ーム１の開放さらに成形のための次の乾式または湿式化
学エッチングのステップより成ることを特徴とするウェ
ーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の方法であって、ここで溝
部６が望ましい破壊点を持つように生産されることを特
徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造
方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の方法であって、ここで溝
部６がＶ型溝部として設計されることを特徴とするウェ
ーハアセンブリ内の半導体構成要素の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の方法であって、ここでＶ
型溝部６が湿式化学異方性エッチングで生産されること
を特徴とするウェーハアセンブリ内の半導体構成要素の
製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の方法であって、ここでそ
の表面が（１１１）結晶面を形成するＶ型溝部がエッチ
ングの間に生産されることを特徴とするウェーハアセン
ブリ内の半導体構成要素の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01115136.2 | 2001-06-22 | ||
| EP01115136A EP1270504B1 (de) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | Halbleiterbauelemente in einem Waferverbund |
Publications (1)
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|---|---|
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ID=8177787
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1270504B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003115536A (ja) |
| DE (1) | DE50102415D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100863364B1 (ko) | 2005-09-26 | 2008-10-13 | 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크. | Ｗｌｐ의 패키지 분리방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| US7884445B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-02-08 | Applied Nanostructures, Inc. | Semiconductor device in wafer assembly |
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| WO2013093108A1 (fr) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Methode de liberation d'une piece micromecanique et piece micromecanique comprenant des attaches sacrificielles |
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| JPH04102066A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ及びその製造方法 |
| JPH09320996A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-12-12 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6448624B1 (en) * | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
| JPH11186565A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
-
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- 2001-06-22 DE DE50102415T patent/DE50102415D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-22 EP EP01115136A patent/EP1270504B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-21 US US10/178,636 patent/US6780767B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-24 JP JP2002183019A patent/JP2003115536A/ja active Pending
-
2004
- 2004-05-14 US US10/845,848 patent/US20040207063A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100863364B1 (ko) | 2005-09-26 | 2008-10-13 | 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크. | Ｗｌｐ의 패키지 분리방법 |
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|---|---|
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