JP2003115424A - 半導体装置およびその識別方法、並びに半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置およびその識別方法、並びに半導体装置の製造装置Info
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- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップ内の裏面への書きこみや、レイア
ウト変更を行うことなく、容易にＩＣチップの識別を可
能とする。 【解決手段】 ＩＣチップ表面１上に設けられた保護膜
２上に、特定波長帯域のレーザー光５により変色を引き
起こす高分子膜３を設ける。高分子膜３では、レーザー
光５の照射により分子構造が変化することによって、膜
色の変化が生じる。この性質を利用することにより種々
のデータのマーキングを行い、レーザー光５の照射領域
と非照射領域での膜色の違いでＩＣチップ１の識別を行
う。
ウト変更を行うことなく、容易にＩＣチップの識別を可
能とする。 【解決手段】 ＩＣチップ表面１上に設けられた保護膜
２上に、特定波長帯域のレーザー光５により変色を引き
起こす高分子膜３を設ける。高分子膜３では、レーザー
光５の照射により分子構造が変化することによって、膜
色の変化が生じる。この性質を利用することにより種々
のデータのマーキングを行い、レーザー光５の照射領域
と非照射領域での膜色の違いでＩＣチップ１の識別を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その識別方法、並びに半導体装置の製造装置に関し、特
に、ダイシング工程後の半導体装置の表面上に当該半導
体装置を識別するための情報を記録可能な半導体装置お
よびその識別方法、並びに半導体装置の製造装置に関す
る。
その識別方法、並びに半導体装置の製造装置に関し、特
に、ダイシング工程後の半導体装置の表面上に当該半導
体装置を識別するための情報を記録可能な半導体装置お
よびその識別方法、並びに半導体装置の製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術において、半導体装置の識別
を行う方法としては、特開平０４−１０６９６０号公報
に開示されている方法がある。図４は、この公報に開示
された方法によって情報が記録された半導体装置の表面
を示す上面図である。図４に示すように、この半導体装
置では、パターン形成済ウェハの裏面８において、仮想
ＩＣチップ境界線９によって形成されているＩＣチップ
個片相当部分１０の領域に、品名１１（Ｄｘｘｘｘ）、
ロット番号１２（９ｘｘＡ０１）、１ピンマーク１３
等の半導体装置の情報が表示されている。この公報に開
示された方法では、これらの情報は、ダイシング工程前
のプロセスの時点であって他の工程に影響を及ぼさない
ような時点で、レーザーマーキング方式等の方法によっ
て、各ＩＣチップ個片相当部分１０に書き込まれる。
を行う方法としては、特開平０４−１０６９６０号公報
に開示されている方法がある。図４は、この公報に開示
された方法によって情報が記録された半導体装置の表面
を示す上面図である。図４に示すように、この半導体装
置では、パターン形成済ウェハの裏面８において、仮想
ＩＣチップ境界線９によって形成されているＩＣチップ
個片相当部分１０の領域に、品名１１（Ｄｘｘｘｘ）、
ロット番号１２（９ｘｘＡ０１）、１ピンマーク１３
等の半導体装置の情報が表示されている。この公報に開
示された方法では、これらの情報は、ダイシング工程前
のプロセスの時点であって他の工程に影響を及ぼさない
ような時点で、レーザーマーキング方式等の方法によっ
て、各ＩＣチップ個片相当部分１０に書き込まれる。
【０００３】しかしながら、この方法を用いた場合に
は、半導体装置の情報は裏面８へマーキングされるた
め、その情報を確認する際には、裏面から認識すること
が必要となる。したがって、組立（マウント）後におい
ては、マーキングした情報を読み取ることができなくな
ってしまうという問題があった。
は、半導体装置の情報は裏面８へマーキングされるた
め、その情報を確認する際には、裏面から認識すること
が必要となる。したがって、組立（マウント）後におい
ては、マーキングした情報を読み取ることができなくな
ってしまうという問題があった。
【０００４】また、半導体装置の裏面でなく、表面から
その半導体装置の情報を記録する方法が、特開昭５７―
１７９８４９公報に開示されている。図５は、この公報
に開示された方法によって情報が記録された半導体装置
の表面を示す上面図である。図５に示すように、この半
導体装置では、スクライブ線１７とチップレイアウト領
域１８との間の領域に、チップパターンの夫々にメーカ
名１４（ＡＸ〜）、製品名１５（Ｄｘｘｘｘ）や各自の
配列位置を表示する数字、文字、記号等から成るマーク
１６（５５）が記録されている。この方法では、上述の
ような情報を記録させておくことにより、後から各パタ
ーンを確認し、半導体装置の識別を行うことができる。
しかし、この方法を用いた場合には、チップ上に各情報
を書き込むための前述の領域を設ける等の施策が必要と
なり、チップサイズの縮小化が進むにつれて、この方法
を適用することが困難となってしまうという問題があっ
た。
その半導体装置の情報を記録する方法が、特開昭５７―
１７９８４９公報に開示されている。図５は、この公報
に開示された方法によって情報が記録された半導体装置
の表面を示す上面図である。図５に示すように、この半
導体装置では、スクライブ線１７とチップレイアウト領
域１８との間の領域に、チップパターンの夫々にメーカ
名１４（ＡＸ〜）、製品名１５（Ｄｘｘｘｘ）や各自の
配列位置を表示する数字、文字、記号等から成るマーク
１６（５５）が記録されている。この方法では、上述の
ような情報を記録させておくことにより、後から各パタ
ーンを確認し、半導体装置の識別を行うことができる。
しかし、この方法を用いた場合には、チップ上に各情報
を書き込むための前述の領域を設ける等の施策が必要と
なり、チップサイズの縮小化が進むにつれて、この方法
を適用することが困難となってしまうという問題があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来、半導体装置には、その識別を行うために、ＩＣチッ
プ内の裏面への情報の書きこみや、情報を書き込むため
の領域を設けるためのレイアウト変更を行っていた。し
かし、裏面にマーキングした場合には、組立後にマーキ
ングした情報を読み取ることができなくなってしまうと
いう問題があり、チップサイズの縮小化が進むにつれ
て、チップ上に各情報を書き込む領域を設けることが困
難になってしまうという問題があった。
来、半導体装置には、その識別を行うために、ＩＣチッ
プ内の裏面への情報の書きこみや、情報を書き込むため
の領域を設けるためのレイアウト変更を行っていた。し
かし、裏面にマーキングした場合には、組立後にマーキ
ングした情報を読み取ることができなくなってしまうと
いう問題があり、チップサイズの縮小化が進むにつれ
て、チップ上に各情報を書き込む領域を設けることが困
難になってしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、ＩＣチップ内の裏面への書きこ
みや、情報を書き込むための領域を設けるためのレイア
ウト変更を行うことなく、容易にＩＣチップの識別が可
能となる半導体装置およびその識別方法、並びに半導体
装置の製造装置を提供することを目的とする。
みや、情報を書き込むための領域を設けるためのレイア
ウト変更を行うことなく、容易にＩＣチップの識別が可
能となる半導体装置およびその識別方法、並びに半導体
装置の製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置では、パターン形成済みのＩＣ
チップの表面上に、所定の波長帯域の光が照射されるこ
とによって膜色に変化が生じる高分子膜が設けられてい
る。
に、本発明の半導体装置では、パターン形成済みのＩＣ
チップの表面上に、所定の波長帯域の光が照射されるこ
とによって膜色に変化が生じる高分子膜が設けられてい
る。
【０００８】本発明の半導体装置では、高分子膜上に光
を照射することによって、そのＩＣチップに情報を記録
する。このようにすれば、ＩＣチップ内の裏面への書き
こみや、レイアウト変更を行うことなく情報を記録する
ことができるようになるため、容易にＩＣチップの識別
が可能となる。
を照射することによって、そのＩＣチップに情報を記録
する。このようにすれば、ＩＣチップ内の裏面への書き
こみや、レイアウト変更を行うことなく情報を記録する
ことができるようになるため、容易にＩＣチップの識別
が可能となる。
【０００９】また、本発明の他の半導体装置では、前記
ＩＣチップと前記高分子膜との間には、保護膜が形成さ
れており、 前記保護膜を構成している分子結合の解離を生じさせる
波長帯域は、前記所定の波長帯域よりも短波長の帯域で
あることが望ましく、前記高分子膜は、アベルクロム５
４０であるか、アベルクロム８５０であることが望まし
い。
ＩＣチップと前記高分子膜との間には、保護膜が形成さ
れており、 前記保護膜を構成している分子結合の解離を生じさせる
波長帯域は、前記所定の波長帯域よりも短波長の帯域で
あることが望ましく、前記高分子膜は、アベルクロム５
４０であるか、アベルクロム８５０であることが望まし
い。
【００１０】また、本発明の半導体装置の識別方法で
は、パターン形成済ウェハから得られる複数のＩＣチッ
プを識別するための半導体装置の識別方法において、 前記ＩＣチップの表面上に、所定の波長帯域の光の照射
によって膜色に変化が生じる高分子膜を設けるステップ
と、 前記高分子膜に前記光を照射することによって前記各Ｉ
Ｃチップの情報を記録するステップと、 前記高分子膜上に記録された情報に基づいて前記各ＩＣ
チップを識別するステップとを有する。
は、パターン形成済ウェハから得られる複数のＩＣチッ
プを識別するための半導体装置の識別方法において、 前記ＩＣチップの表面上に、所定の波長帯域の光の照射
によって膜色に変化が生じる高分子膜を設けるステップ
と、 前記高分子膜に前記光を照射することによって前記各Ｉ
Ｃチップの情報を記録するステップと、 前記高分子膜上に記録された情報に基づいて前記各ＩＣ
チップを識別するステップとを有する。
【００１１】また、本発明の半導体装置の製造装置で
は、パターン形成済みであって、表面上に所定の波長帯
域の光により膜色に変化が生じる高分子膜を有するＩＣ
チップに前記光を照射する光照射手段を有する。
は、パターン形成済みであって、表面上に所定の波長帯
域の光により膜色に変化が生じる高分子膜を有するＩＣ
チップに前記光を照射する光照射手段を有する。
【００１２】また、本発明の他の半導体装置の製造装置
では、前記光照射手段と前記半導体装置の間に挿入さ
れ、前記ＩＣチップに到達する光の領域を、所望の形状
に制限するスリットをさらに有する。
では、前記光照射手段と前記半導体装置の間に挿入さ
れ、前記ＩＣチップに到達する光の領域を、所望の形状
に制限するスリットをさらに有する。
【００１３】本発明の他の半導体装置の製造装置では、
スリットを用いることによって高分子膜における任意の
場所の色だけを変化させることが可能となり、スリット
の形状を所望の形状とすることによってバーコード、文
字、数字、記号などを高分子膜上に形成することができ
る。
スリットを用いることによって高分子膜における任意の
場所の色だけを変化させることが可能となり、スリット
の形状を所望の形状とすることによってバーコード、文
字、数字、記号などを高分子膜上に形成することができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態の半導
体装置およびその識別方法並びに半導体装置の製造装置
および方法を、図面を参照して詳細に説明する。
体装置およびその識別方法並びに半導体装置の製造装置
および方法を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１は、本実施形態の半導体装置およびそ
の半導体装置の製造装置の構成を示す断面図である。図
１に示すように、本実施形態の半導体装置１００では、
パターン形成済みウェハのチップであるＩＣチップ１の
表面上に、保護膜２(ポリイミド)が設けられており、そ
の上に、高分子膜３が設けられている。高分子膜３に
は、波長帯域４００〜８００ｎｍのレーザー光の照射に
より膜色の変化が生じるアベルクロム（Ａｂｅｒｃｈｒ
ｏｍｅ）５４０、８５０が用いられている。なお、ＰＡ
Ｄ部分には高分子膜３が塗布されないようにする必要が
あるため、まず、レジストを塗布した状態で高分子膜３
を塗布し、その後レジスト剥離を行って、ＰＡＤ部分を
開口させておく。
の半導体装置の製造装置の構成を示す断面図である。図
１に示すように、本実施形態の半導体装置１００では、
パターン形成済みウェハのチップであるＩＣチップ１の
表面上に、保護膜２(ポリイミド)が設けられており、そ
の上に、高分子膜３が設けられている。高分子膜３に
は、波長帯域４００〜８００ｎｍのレーザー光の照射に
より膜色の変化が生じるアベルクロム（Ａｂｅｒｃｈｒ
ｏｍｅ）５４０、８５０が用いられている。なお、ＰＡ
Ｄ部分には高分子膜３が塗布されないようにする必要が
あるため、まず、レジストを塗布した状態で高分子膜３
を塗布し、その後レジスト剥離を行って、ＰＡＤ部分を
開口させておく。
【００１６】図１において、製造装置はレーザー発振器
４を備えている。レーザー発振器４は、高分子膜３の膜
色の変化を生じさせる特定波長帯域のエネルギーｈν
（ｈ：プランク定数，ν：レーザー振動数）のレーザー
光５を照射できる発振器である。この製造装置において
は、まず、高分子膜３上に、波長帯域３００〜４００ｎ
ｍの紫外光あるいは青色光を照射し、高分子膜３を着色
させる。図２に示すように、紫外光あるいは青色光を照
射すると、アベルクロム５４０の場合には深赤色に変色
し、アベルクロム８５０の場合には緑青色に変色する。
そして、この着色した表面に、元の高分子構造に戻す波
長帯域相当のレーザー光５を照射する。高分子膜３にア
ベルクロム５４０、８５０を用いた場合、その吸収波長
帯域は４００〜８００ｎｍであり、この波長域のレーザ
ーの一例としては、Ａｒイオンレーザー、Ｈｅ-Ｎｅレ
ーザーがある。高分子膜３は、照射されたレーザー光５
のエネルギーｈνを吸収し、その分子構造に変化が生
じ、それに伴って膜色に変化が生じる。図２に示すよう
に、高分子膜３としてアベルクロム５４０を用いた場合
には、アルゴンイオンレーザーを照射すると、深赤色か
ら淡黄色に変化し、高分子膜３としてアベルクロム８５
０を用いた場合には、ヘリウムイオンレーザーを照射す
ると、緑青色から淡黄色に変色する。
４を備えている。レーザー発振器４は、高分子膜３の膜
色の変化を生じさせる特定波長帯域のエネルギーｈν
（ｈ：プランク定数，ν：レーザー振動数）のレーザー
光５を照射できる発振器である。この製造装置において
は、まず、高分子膜３上に、波長帯域３００〜４００ｎ
ｍの紫外光あるいは青色光を照射し、高分子膜３を着色
させる。図２に示すように、紫外光あるいは青色光を照
射すると、アベルクロム５４０の場合には深赤色に変色
し、アベルクロム８５０の場合には緑青色に変色する。
そして、この着色した表面に、元の高分子構造に戻す波
長帯域相当のレーザー光５を照射する。高分子膜３にア
ベルクロム５４０、８５０を用いた場合、その吸収波長
帯域は４００〜８００ｎｍであり、この波長域のレーザ
ーの一例としては、Ａｒイオンレーザー、Ｈｅ-Ｎｅレ
ーザーがある。高分子膜３は、照射されたレーザー光５
のエネルギーｈνを吸収し、その分子構造に変化が生
じ、それに伴って膜色に変化が生じる。図２に示すよう
に、高分子膜３としてアベルクロム５４０を用いた場合
には、アルゴンイオンレーザーを照射すると、深赤色か
ら淡黄色に変化し、高分子膜３としてアベルクロム８５
０を用いた場合には、ヘリウムイオンレーザーを照射す
ると、緑青色から淡黄色に変色する。
【００１７】なお、保護膜２を構成している分子結合の
解離などを生じさせる波長帯域は、本実施形態の製造装
置で用いるレーザー光５よりも短波長帯域（ＫｒＦレー
ザーの２４８ｎｍなど）となっているため、保護膜２は
レーザー光５の影響を受けることはない。
解離などを生じさせる波長帯域は、本実施形態の製造装
置で用いるレーザー光５よりも短波長帯域（ＫｒＦレー
ザーの２４８ｎｍなど）となっているため、保護膜２は
レーザー光５の影響を受けることはない。
【００１８】また、本実施形態の製造装置では、レーザ
ー光５と高分子膜３との間にスリット６が設けられてい
る。スリット６を、レーザー光５の通過領域のうち、任
意の領域に設定することによって、高分子膜３における
任意の場所の色だけを変化させることが可能となり、ス
リット６を所望の形状にすることによってバーコード、
文字、数字、記号などを高分子膜３上に形成することが
できる。したがって、本実施形態の製造装置により、膜
色のみによる識別ではなく、各種マークを視覚的に容易
に識別することが可能となるとともに、実験や評価にお
ける作業性も向上することができる。また、図３に示す
ように、ＩＣチップ１上のほかに、ＩＣパッケージ７上
の任意の領域に高分子膜３を設けることにより、ウエハ
プロービングテスト（Ｐ／Ｗ、ｐｅｌｌｅｔ ｂｙ ｗ
ａｆｅｒともいう）時のデータ書き込みに加えて、組立
時の情報を書きこむことも可能となる。
ー光５と高分子膜３との間にスリット６が設けられてい
る。スリット６を、レーザー光５の通過領域のうち、任
意の領域に設定することによって、高分子膜３における
任意の場所の色だけを変化させることが可能となり、ス
リット６を所望の形状にすることによってバーコード、
文字、数字、記号などを高分子膜３上に形成することが
できる。したがって、本実施形態の製造装置により、膜
色のみによる識別ではなく、各種マークを視覚的に容易
に識別することが可能となるとともに、実験や評価にお
ける作業性も向上することができる。また、図３に示す
ように、ＩＣチップ１上のほかに、ＩＣパッケージ７上
の任意の領域に高分子膜３を設けることにより、ウエハ
プロービングテスト（Ｐ／Ｗ、ｐｅｌｌｅｔ ｂｙ ｗ
ａｆｅｒともいう）時のデータ書き込みに加えて、組立
時の情報を書きこむことも可能となる。
【００１９】以上述べたように、本実施形態の半導体装
置の高分子膜３は、特定波長帯域のレーザー光５の照射
によって膜色が変化する。本実施形態の半導体装置で
は、この性質を利用しているため、ＩＣチップ１内のレ
イアウト変更をすることなく、また、ＩＣチップ１の裏
面への書きこみも行うことなく、ＩＣチップ１の識別が
可能となる。また、ＩＣチップ１の識別において、以下
に記載するような効果を有する。 （１） Ｐ／Ｗ時での電気的特性を確認後に、所定のチ
ップ表面上にレーザー光５を照射することにより高分子
膜３の膜色を変化させ、例えば、高速派生品の識別や良
否判定の際のデータを記録しておくことができる。 （２） 膜色の変化のみで容易に前工程での情報（Ｐ／
Ｗデータ等）を視覚的に識別すること可能となり、ペレ
ット出荷時に容易にＰ／Ｗ時の状態を認識することがで
きるようになる。 （３） 従来のＩＣチップ１への情報の記録に使用され
ていたインクを用いるよりも、レーザー光５を用いたほ
うが分解能も高くなるため、より多くの情報量を高分子
膜３上にマーキングすることができる。
置の高分子膜３は、特定波長帯域のレーザー光５の照射
によって膜色が変化する。本実施形態の半導体装置で
は、この性質を利用しているため、ＩＣチップ１内のレ
イアウト変更をすることなく、また、ＩＣチップ１の裏
面への書きこみも行うことなく、ＩＣチップ１の識別が
可能となる。また、ＩＣチップ１の識別において、以下
に記載するような効果を有する。 （１） Ｐ／Ｗ時での電気的特性を確認後に、所定のチ
ップ表面上にレーザー光５を照射することにより高分子
膜３の膜色を変化させ、例えば、高速派生品の識別や良
否判定の際のデータを記録しておくことができる。 （２） 膜色の変化のみで容易に前工程での情報（Ｐ／
Ｗデータ等）を視覚的に識別すること可能となり、ペレ
ット出荷時に容易にＰ／Ｗ時の状態を認識することがで
きるようになる。 （３） 従来のＩＣチップ１への情報の記録に使用され
ていたインクを用いるよりも、レーザー光５を用いたほ
うが分解能も高くなるため、より多くの情報量を高分子
膜３上にマーキングすることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
の高分子膜は、特定波長帯域のレーザー光５の照射によ
って膜色が変化する。本実施形態の半導体装置では、こ
の性質を利用しているため、 ＩＣチップ内のレイアウ
ト変更をすることなく、また、ＩＣチップの裏面への書
きこみも行うことなく、ＩＣチップの識別が可能とな
る。また、半導体ＩＣの識別において、以下に記載する
ような効果を有する。 （１） Ｐ／Ｗ時での電気的特性を確認後に、所定のチ
ップ表面上にレーザー光を照射することにより高分子膜
の膜色を変化させ、たとえば高速派生品の識別や良否判
定の際のデータを記録しておくことができる。 （２） 膜色の変化のみで容易に前工程での情報（Ｐ／
Ｗデータ等）を視覚的に識別すること可能となり、ペレ
ット出荷時に容易にＰ／Ｗ時の状態を認識することがで
きるようになる。 （３） ＩＣチップへの情報の記録に従来使用されてい
たインクを用いるよりも、レーザー光を用いた方が記録
された情報の分解能がより高くなるため、ＩＣチップに
記録する情報量を多くすることができる。
の高分子膜は、特定波長帯域のレーザー光５の照射によ
って膜色が変化する。本実施形態の半導体装置では、こ
の性質を利用しているため、 ＩＣチップ内のレイアウ
ト変更をすることなく、また、ＩＣチップの裏面への書
きこみも行うことなく、ＩＣチップの識別が可能とな
る。また、半導体ＩＣの識別において、以下に記載する
ような効果を有する。 （１） Ｐ／Ｗ時での電気的特性を確認後に、所定のチ
ップ表面上にレーザー光を照射することにより高分子膜
の膜色を変化させ、たとえば高速派生品の識別や良否判
定の際のデータを記録しておくことができる。 （２） 膜色の変化のみで容易に前工程での情報（Ｐ／
Ｗデータ等）を視覚的に識別すること可能となり、ペレ
ット出荷時に容易にＰ／Ｗ時の状態を認識することがで
きるようになる。 （３） ＩＣチップへの情報の記録に従来使用されてい
たインクを用いるよりも、レーザー光を用いた方が記録
された情報の分解能がより高くなるため、ＩＣチップに
記録する情報量を多くすることができる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置およびその半
導体装置の製造装置の構成を示す断面図である。
導体装置の製造装置の構成を示す断面図である。
【図２】アベルクロム５４０、アベルクロム８５０の分
子構造およびその膜色変化を示す図である。
子構造およびその膜色変化を示す図である。
【図３】ＩＣパッケージの構造を示す断面図である。
【図４】特開平０４−１０６９６０号公報に開示された
方法によって情報が記録された半導体装置の表面を示す
上面図である。
方法によって情報が記録された半導体装置の表面を示す
上面図である。
【図５】特開昭５７―１７９８４９公報に開示された方
法によって情報が記録された半導体装置の表面を示す上
面図である。
法によって情報が記録された半導体装置の表面を示す上
面図である。
１ ＩＣチップ
２ 保護膜
３ 高分子膜
４ レーザー発振器
５ レーザー光
６ スリット
７ ＩＣパッケージ
８ パターン形成済みウエハ
９ 仮想ＩＣチップ境界線
１０ ＩＣチップ個片相当部分
１１ 品名
１２ ロット番号
１３ １ピンマーク
１４ メーカー名
１５ 製品名
１６ マーク
１７ スクライブ線
１８ チップレイアウト領域
１００ 半導体装置
Claims (8)
- 【請求項１】 パターン形成済みのＩＣチップの表面上
に、所定の波長帯域の光の照射によって膜色に変化が生
じる高分子膜が設けられている半導体装置。 - 【請求項２】 前記ＩＣチップと前記高分子膜との間に
は、保護膜が形成されており、 前記保護膜を構成している分子結合の解離を生じさせる
波長帯域は、前記所定の波長帯域よりも短波長の帯域で
ある請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 ＩＣパッケージの表面上に、所定の波長
帯域の光の照射によって膜色に変化が生じる高分子膜が
設けられている半導体装置。 - 【請求項４】 前記高分子膜は、アベルクロム５４０で
ある請求項１から３のいずれか１項記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記高分子膜は、アベルクロム８５０で
ある請求項１から３のいずれか１項記載の半導体装置。 - 【請求項６】 パターン形成済ウェハから得られる複数
のＩＣチップを識別するための半導体装置の識別方法に
おいて、 前記ＩＣチップの表面上に、所定の波長帯域の光の照射
によって膜色に変化が生じる高分子膜を設けるステップ
と、 前記高分子膜に前記光を照射することによって前記各Ｉ
Ｃチップの情報を記録するステップと、 前記高分子膜上に記録された情報に基づいて前記各ＩＣ
チップを識別するステップとを有することを特徴とす
る、半導体装置の識別方法。 - 【請求項７】 所定の波長帯域の光の照射により膜色に
変化が生じる高分子膜を表面上に有しパターン形成済み
のＩＣチップに前記光を照射する光照射手段を有する、
半導体装置の製造装置。 - 【請求項８】 前記光照射手段と前記半導体装置の間に
挿入され、前記ＩＣチップに到達する光の領域を、所望
の形状に制限するスリットをさらに有する、請求項７記
載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307413A JP2003115424A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 半導体装置およびその識別方法、並びに半導体装置の製造装置 |
| US10/252,386 US20030062609A1 (en) | 2001-10-03 | 2002-09-24 | Identification of IC chip based on information formed on high-molecular film |
| TW091122584A TW560014B (en) | 2001-10-03 | 2002-09-30 | Identification of IC chip based on information formed on high-molecular film |
| KR1020020060258A KR20030029483A (ko) | 2001-10-03 | 2002-10-02 | 고분자막에 형성된 정보에 기초한 ｉｃ칩 식별방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115424A true JP2003115424A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19126879
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| TW (1) | TW560014B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7618832B2 (en) * | 2005-01-22 | 2009-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor substrate having reference semiconductor chip and method of assembling semiconductor chip using the same |
| WO2010113584A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| US7343214B2 (en) | 2004-10-15 | 2008-03-11 | Applied Materials, Inc. | Die-level traceability mechanism for semiconductor assembly and test facility |
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-
2001
- 2001-10-03 JP JP2001307413A patent/JP2003115424A/ja not_active Abandoned
-
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- 2002-09-30 TW TW091122584A patent/TW560014B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-02 KR KR1020020060258A patent/KR20030029483A/ko not_active Application Discontinuation
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