JPH0878297A

JPH0878297A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0878297A
Application number: JP21547394A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Karaushi; 章裕唐牛; Koichi Sato; 浩一佐藤; Masayoshi Kuroiwa; 政義黒岩; Koichi Imato; 宏一今任
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-09-09
Filing date: 1994-09-09
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体チップの生産工場や生産時期などの来
歴を確実に判別する。【構成】半導体チップに配線２〜２ｎによってパッド
３〜３ｎと接続した複数のヒューズＦ１〜Ｆｎが設けら
れ、レーザ光線を照射し、任意のヒューズＦ１〜Ｆｎを
焼き切ることによって各々のヒューズＦ１〜Ｆｎが断線
しているか否かによる２進数のコードにより、前工程を
行った工場、後工程を行った工場およびロットナンバー
などを示すトレース情報ならびに半導体装置の消費電力
値や動作速度などを示すグレード情報などの来歴を設定
する。情報の読み出しは、パッド３，３ａ〜３ｎ間の抵
抗値をテスタなどにより測定し、ヒューズＦ１〜Ｆｎが
断線しているか否かにより当該コードを読み出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技術
に関し、特に、ＯＥＭ供給される半導体チップにおける
来歴情報の表示に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体装置に使用される半導体チップにおいては、同一製
品の半導体装置であっても、複数の工場により同一のフ
ォトマスクを用いて半導体ウエハ上に半導体デバイスを
形成（以下、前工程という）している。

【０００３】そして、半導体チップがＯＥＭ供給される
場合は、それら複数の工場で前工程が終了した半導体ウ
エハを、ＯＥＭ供給先の１カ所から数カ所のダイシン
グ、ワイヤボンディングおよび樹脂封止などの工程（以
下、後工程という）を行う工場に輸送し、製品として出
荷している。

【０００４】また、これら製品となった半導体装置のパ
ッケージ表面には、半導体装置それ自体のロットナンバ
ーなどのトレース表示が、たとえば、印刷により行われ
る。

【０００５】なお、半導体装置のパッケージにおけるト
レース表示について記載されている例として、たとえ
ば、特開昭５７−７１１５１号公報があり、この文献に
は、半導体装置のパッケージ表面に、プログラム番号、
製造装置番号およびテスター番号などの製品管理情報を
バーコードにして捺印し、このバーコードを読み取るこ
とによって製品管理などを行うことについて記載されて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な半導体装置では、半導体チップそれ自体に、前工程の
工場、後工程の工場、製造年月日およびロットナンバー
などのいわゆるトレース情報および半導体チップの消費
電流値や動作速度などのいわゆるグレード情報による来
歴が表示されていないために半導体チップの外観だけで
は、どの工場での前工程であるかなどの情報が分からな
くなってしまう。

【０００７】それにより、半導体装置に不良が発見さ
れ、その不良原因が半導体チップによることが判明した
場合に、至急その工場のラインへの不良対策が必要とな
るが、前工程の工場が多数に及んでいると、その半導体
チップの前工程を行った工場を特定することが非常に困
難となってしまう。

【０００８】本発明の目的は、半導体装置に用いられて
いる半導体チップの生産工場や生産時期などの来歴を容
易に確実に判別できる半導体装置を提供することにあ
る。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体装置は、半導体
チップに半導体チップそれ自体の来歴を判別する所定の
判別マーク表示手段を形成したものである。

【００１２】また、本発明の半導体装置は、前記判別マ
ーク表示手段が、半導体チップに成形されたレーザ光線
を照射することによって切断される複数のヒューズと、
複数のヒューズの電極となるパッドと、パッドと複数の
ヒューズとを電気的に接続する配線とよりなる判別マー
ク表示回路であって、複数のヒューズの抵抗値または電
流値をパッドから測定し、複数のヒューズの電気的状態
から半導体チップの来歴を表示するものである。

【００１３】さらに、本発明の半導体装置は、前記判別
マーク表示手段が、半導体チップの表面または裏面にレ
ーザーを照射することにより形成された所定の形状の判
別マークよりなり、前記判別マークから前記半導体チッ
プの来歴を表示するものである。

【００１４】また、本発明の半導体装置は、前記判別マ
ーク表示手段が、半導体チップの表面または裏面に所定
の形状の判により捺印された判別マークよりなり、前記
判別マークから半導体チップの来歴を表示するものであ
る。

【００１５】さらに、本発明の半導体装置は、前記判別
マーク表示手段が、半導体チップの表面に形成された保
護膜の上面に、所定の形状の判別膜または着色された判
別膜の少なくともいずれか一方により形成された判別マ
ークよりなり、判別マークから半導体チップの来歴を表
示するものである。

【００１６】また、本発明の半導体装置は、前記判別マ
ーク表示手段によって表示される来歴が、半導体チップ
の生産工場または半導体チップの生産ラインを判別する
トレース情報と、半導体チップの性能を判別するグレー
ド情報とからなるものである。

【００１７】

【作用】上記した本発明の半導体装置によれば、半導体
チップに所定の判別マークが示されることによってパッ
ケージなどに表示されない、たとえば、ＯＥＭ供給され
る半導体チップそれ自体の来歴が容易で確実に判別する
ことができる。

【００１８】それにより、不良解析および不良対策の効
率を向上させることができ、問題のある前工程の工場の
対策を迅速に行うことができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２０】図１は、本発明の一実施例による半導体装
置の半導体チップに設けられるコード表示用ヒューズ回
路の回路図である。

【００２１】本実施例において、図示しない半導体チッ
プにおいて、たとえば、多数の半導体デバイスが形成さ
れているデバイス領域以外の空き領域に、コード表示用
ヒューズ回路（判別マーク表示手段）１が設けられてい
る。

【００２２】また、このコード表示用ヒューズ回路１に
は、複数のヒューズＦ１〜Ｆｎが設けられており、これ
らヒューズＦ１〜Ｆｎの一方には、配線２によってコモ
ン電極となるパッド３が電気的に接続されている。

【００２３】さらに、ヒューズＦ１〜Ｆｎの他方のそれ
ぞれには、電極となるパッド３ａ〜３ｎが電気的に配線
２ａ〜２ｎによって接続されている。

【００２４】また、ヒューズＦ１〜Ｆｎ、配線２〜２ｎ
およびパッド３〜３ｎの成形はアルミ配線工程におい
て、アルミ配線が成形される時に、同時に形成するよう
にする。

【００２５】そして、それぞれのヒューズＦ１〜Ｆｎの
導通状態、すなわち、各々のヒューズＦ１〜Ｆｎが断線
しているか否かによる状態を２進数によりコードで表せ
るように、それぞれの情報内容を予め設定しておく。

【００２６】また、これらの情報内容としては、たとえ
ば、前工程を行った工場、後工程を行った工場およびロ
ットナンバーなどを示すトレース情報ならびに半導体チ
ップの消費電力値や動作速度などを示すグレード情報が
ある。

【００２７】たとえば、半導体ウエハの前工程を行う製
造工場を示すコードがヒューズＦ１，Ｆ２の２ビットで
予め設定されたとする。

【００２８】ここで、前工程を行う製造工場が第１〜第
３の工場であったとすると、第１の工場はヒューズＦ１
およびヒューズＦ２が導通状態であるコード”１１”が
設定され、第２の工場はヒューズＦ１が導通状態、ヒュ
ーズＦ２が断線状態であるコード”１０”が設定され、
第３の工場はヒューズＦ１が断線状態、ヒューズＦ２が
導通状態であるコード”０１”が設定されているとす
る。

【００２９】そして、所定の半導体ウエハが第２の工場
で製造されたものであると、それぞれの半導体チップに
は、ヒューズＦ１が導通状態、ヒューズＦ２が断線状態
であるコード”１０”が設定されることになる。

【００３０】また、これらヒューズＦ１〜Ｆｎの状態設
定は、半導体ウエハの電気的検査が終了した後、半導体
ウエハをダイシングする直前にレーザ光線を照射し、任
意のヒューズＦ１〜Ｆｎを焼き切ることによって断線さ
せる。

【００３１】さらに、その他のトレース情報およびグレ
ード情報の内容も、同様に予め設定されたヒューズＦ３
〜Ｆｎの所定のビット数およびコードによって示す。

【００３２】そして、これらの情報の判別は、パッド
３，３ａ〜３ｎ間の抵抗値を、たとえば、テスタなどに
より測定し、ヒューズＦ１〜Ｆｎが断線しているか否か
を判定する。

【００３３】また、これらヒューズＦ１〜Ｆｎの個数
は、設定される情報量に応じて増減が行われる。

【００３４】さらに、ここでは、前工程を行った工場な
ど１つの情報毎に２進数のコードによって表したが、た
とえば、全てのヒューズＦ１〜Ｆｎのｎ個を用いて、来
歴の全ての情報をｎビット、すなわち、２ⁿの情報によ
り表すようにしてもよい。

【００３５】それにより、本実施例によれば、容易に半
導体チップのトレースおよびグレードなどの来歴を判別
できるようになり、トレーサビリティを向上できる。

【００３６】また、本実施例では、ヒューズＦ１〜Ｆｎ
の抵抗値を測定することによって、ヒューズＦ１〜Ｆｎ
が断線しているか否かの判定を行ったが、たとえば、各
々のパッド３，３ａ〜３ｎ間に電圧を印可し、ヒューズ
Ｆ１〜Ｆｎのそれぞれに流れる電流値を、たとえば、電
流計などによって測定することによってヒューズＦ１〜
Ｆｎが断線しているか否かの判定を行うようにしてもよ
い。

【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

【００３８】たとえば、前記実施例では、コード表示用
ヒューズ回路１におけるヒューズＦ１〜Ｆｎの導通状態
によって半導体チップの来歴を示したが、図２（ａ）に
示すように、半導体チップ４の表面において、多数の半
導体デバイスが形成されているデバイス領域４ａ以外の
空き領域４ｂまたは図２（ｂ）に示す裏面にレーザ光線
を照射することによって、半導体チップ４のトレース情
報を示す所定の形状の判別マーク（判別マーク表示手
段）５および半導体チップ４のグレード情報を示す所定
の形状の判別マーク（判別マーク表示手段）５ａを刻印
するようにしてもよい。

【００３９】さらに、図３に示すように、半導体チップ
６のトレース情報を示す所定の形状の判別マーク（判別
マーク表示手段）７およびグレード情報を示す所定の形
状の判別マーク（判別マーク表示手段）７ａを、たとえ
ば、ゴム印などの判によって、保護膜８が形成された半
導体チップ６の表面に不滅インキなどにより捺印するよ
うにして表示してもよい。

【００４０】また、図４に示すように、半導体チップ９
に形成された保護膜１０の表面に、半導体チップ９の来
歴を示す所定の形状からなる判別マークである判別膜
（判別マーク表示手段）１１〜１１ｃを形成し、たとえ
ば、判別膜１１〜１１ｃの形状によりトレース情報を表
し、たとえば、判別膜１１は赤、判別膜１１ａは青、判
別膜１１ｂは黄および判別膜１１ｃは透明などの様に判
別膜１１〜１１ｃに着色を施し、グレード情報を表すこ
とによって半導体チップの来歴を示すようにしてもよ
い。

【００４１】さらに、コード表示用ヒューズ回路１、判
別マーク５，５ａ，７，７ａおよび判別膜１１〜１１ｃ
の成形箇所は、半導体装置の電気的特性に支障が生じな
い箇所であれば、どこに成形してもよい。

【００４２】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００４３】（１）本発明によれば、半導体チップに形
成された判別マーク表示手段により、半導体チップの来
歴を電気信号、形状または色などによって容易で確実に
判別することができる。

【００４４】（２）また、本発明では、判別マーク表示
手段による半導体チップの来歴が、工場またはラインを
判別するトレース情報と、半導体装置の性能を判別する
グレード情報とを示すことによって、前工程を行った工
場、後工程を行った工場およびロットナンバーなどが特
定できるほか、半導体チップの消費電力値や動作速度な
どの性能も判別することができる。

【００４５】（３）さらに、本発明によれば、上記
（１）および（２）により、半導体装置の不良解析およ
び不良対策の効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の半導体チ
ップに設けられるコード表示用ヒューズ回路の回路図で
ある。

【図２】（ａ）は、本発明の他の実施例による判別マー
クが形成された半導体チップの平面図、（ｂ）は、その
底面図である。

【図３】本発明のさらに他の実施例による判別マークが
形成された半導体チップの平面図である。

【図４】本発明の他の実施例による判別マークが形成さ
れた半導体チップの平面図である。

【符号の説明】

１コード表示用ヒューズ回路（判別マーク表示手段）２〜２ｎ配線３〜３ｎパッド４半導体チップ４ａデバイス領域４ｂ空き領域５判別マーク（判別マーク表示手段）５ａ判別マーク（判別マーク表示手段）６半導体チップ７判別マーク（判別マーク表示手段）７ａ判別マーク（判別マーク表示手段）８保護膜９半導体チップ１０保護膜１１〜１１ｃ判別膜（判別マーク表示手段）Ｆ１〜Ｆｎヒューズ

フロントページの続き (72)発明者今任宏一東京都小平市上水本町５丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の工場またはラインで作成された半
導体チップが用いられる半導体装置であって、前記半導
体チップに来歴を判別する所定の判別マーク表示手段を
形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記判別マーク表示手段が、前記半導体
チップに成形されたレーザ光線を照射することによって
切断される複数のヒューズと、前記複数のヒューズの電
極となるパッドと、前記パッドと前記複数のヒューズと
を電気的に接続する配線とよりなる判別マーク表示回路
であって、前記複数のヒューズの抵抗値または電流値を
前記パッドから測定し、前記複数のヒューズの電気的状
態から前記半導体チップの来歴を表示することを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記判別マーク表示手段が、前記半導体
チップの表面または裏面にレーザーを照射することによ
り形成された所定の形状の判別マークよりなり、前記判
別マークから前記半導体チップの来歴を表示することを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】前記判別マーク表示手段が、前記半導体
チップにおける表面または裏面に所定の形状の判により
捺印された判別マークよりなり、前記判別マークから前
記半導体チップの来歴を表示することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。
【請求項５】前記判別マーク表示手段が、前記半導体
チップの表面に形成された保護膜の上面に、所定の形状
の判別膜または着色された判別膜の少なくともいずれか
一方により形成された判別マークよりなり、前記判別マ
ークから前記半導体チップの来歴を表示することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】前記判別マーク表示手段によって表示さ
れる来歴が、前記半導体チップの生産工場や前記半導体
チップの生産ラインを判別するトレース情報と、前記半
導体チップの性能を判別するグレード情報とからなるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半
導体装置。