JP2003082347A - デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置 - Google Patents
デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 デジタルラジオグラフィ用光電変換素子との
整合性が良好で、Ｘ線励起下で高輝度・短残光を呈する
デジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体、
更に必要に応じてＺｎを含有する蛍光体、これを用いた
放射線像変換スクリーン及び高感度で残像等の影響の少
ない高画質の放射線像を得ることができる撮像装置を提
供すること。 【解決手段】 下記組成式で表され、放射線による励起
下で主として緑色の蛍光を発生することを特徴とするデ
ジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体、該
蛍光体を用いた放射線像変換スクリーン、放射線像の撮
像装置である。（Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄｙy , Ｃｅ
z ) 2 Ｏ2 Ｓ（式中、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ１．２×
１０-3≦ｘ≦１．９×１０-2、５×１０-4≦ｙ≦１．９
×１０-2及び１０-8≦ｚ≦８×１０-7なる条件を満たす
数である。）
整合性が良好で、Ｘ線励起下で高輝度・短残光を呈する
デジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体、
更に必要に応じてＺｎを含有する蛍光体、これを用いた
放射線像変換スクリーン及び高感度で残像等の影響の少
ない高画質の放射線像を得ることができる撮像装置を提
供すること。 【解決手段】 下記組成式で表され、放射線による励起
下で主として緑色の蛍光を発生することを特徴とするデ
ジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体、該
蛍光体を用いた放射線像変換スクリーン、放射線像の撮
像装置である。（Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄｙy , Ｃｅ
z ) 2 Ｏ2 Ｓ（式中、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ１．２×
１０-3≦ｘ≦１．９×１０-2、５×１０-4≦ｙ≦１．９
×１０-2及び１０-8≦ｚ≦８×１０-7なる条件を満たす
数である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線、γ線等の放
射線による励起下において、高輝度でかつ短残光の、主
として緑色の発光を呈するデジタルラジオグラフィ用酸
硫化ガドリニウム蛍光体、この蛍光体を蛍光膜とし、デ
ジタルラジオグラフィ用を主用途とする高感度の放射線
像変換スクリーン、及び被写体の放射線像を画質の良好
な可視像に変換する放射線像の撮像装置に関する。
射線による励起下において、高輝度でかつ短残光の、主
として緑色の発光を呈するデジタルラジオグラフィ用酸
硫化ガドリニウム蛍光体、この蛍光体を蛍光膜とし、デ
ジタルラジオグラフィ用を主用途とする高感度の放射線
像変換スクリーン、及び被写体の放射線像を画質の良好
な可視像に変換する放射線像の撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】医療診断や工業用非破壊検査を目的とし
て、被写体の放射線写真を撮影する場合、紙、プラスチ
ック等の支持体上にＸ線、α線、γ線などの電離放射
線、特にＸ線で励起されて発光する蛍光体（以下、「Ｘ
線励起用蛍光体」という）からなる蛍光体層を形成した
放射線像変換スクリーン（以下、「像変換スクリーン」
という）が使用される。像変換スクリーンはＸ線写真フ
イルム（フイルム）と密着して使用される。放射線を被
写体に照射し、透過した放射線は像変換スクリーンを介
してフイルムに到達して放射線像を形成する。フイルム
を用いて放射線写真撮影を行う場合に使用される、像変
換スクリーンは特に放射線増感紙（増感紙）と呼ばれ
る。
て、被写体の放射線写真を撮影する場合、紙、プラスチ
ック等の支持体上にＸ線、α線、γ線などの電離放射
線、特にＸ線で励起されて発光する蛍光体（以下、「Ｘ
線励起用蛍光体」という）からなる蛍光体層を形成した
放射線像変換スクリーン（以下、「像変換スクリーン」
という）が使用される。像変換スクリーンはＸ線写真フ
イルム（フイルム）と密着して使用される。放射線を被
写体に照射し、透過した放射線は像変換スクリーンを介
してフイルムに到達して放射線像を形成する。フイルム
を用いて放射線写真撮影を行う場合に使用される、像変
換スクリーンは特に放射線増感紙（増感紙）と呼ばれ
る。
【０００３】近年、このように増感紙とフィルムとを組
み合わせた増感紙−フイルム系を利用した写真撮影によ
りアナログ的に放射線像を得る方法に代わって、像変換
スクリーン上に形成された被写体の放射線像をフォトダ
イオード、光電子増倍管（ＰＭ），ＣＣＤ光センサー、
ＣＣＤカメラ等の光電変換素子を用いて光電的に検出し
てデジタル信号に変換した後、これを電気的に画像処理
して再度可視像に変換する、いわゆるデジタルラジオグ
ラフィ（以下、単にＤＲという）が実用化されるに至っ
た。
み合わせた増感紙−フイルム系を利用した写真撮影によ
りアナログ的に放射線像を得る方法に代わって、像変換
スクリーン上に形成された被写体の放射線像をフォトダ
イオード、光電子増倍管（ＰＭ），ＣＣＤ光センサー、
ＣＣＤカメラ等の光電変換素子を用いて光電的に検出し
てデジタル信号に変換した後、これを電気的に画像処理
して再度可視像に変換する、いわゆるデジタルラジオグ
ラフィ（以下、単にＤＲという）が実用化されるに至っ
た。
【０００４】増感紙−フイルム系により放射線像を撮影
する場合は、放射線像を形成・固定するフィルムの分光
感度等の特性との関係で増感紙に用いる蛍光体が選択さ
れるが、像変換スクリーン−光電変換素子系を用いたＤ
Ｒで放射線像を撮像する場合は、ＤＲ用光電変換素子と
の整合性が重要になる。即ち、ＤＲ用光電変換素子の分
光感度に対応した波長域において高輝度の蛍光を発生さ
せる蛍光体を選択することが重要になる。
する場合は、放射線像を形成・固定するフィルムの分光
感度等の特性との関係で増感紙に用いる蛍光体が選択さ
れるが、像変換スクリーン−光電変換素子系を用いたＤ
Ｒで放射線像を撮像する場合は、ＤＲ用光電変換素子と
の整合性が重要になる。即ち、ＤＲ用光電変換素子の分
光感度に対応した波長域において高輝度の蛍光を発生さ
せる蛍光体を選択することが重要になる。
【０００５】ＤＲにより放射線像を撮像する場合、被写
体である患者の被曝量低減及び撮像系のノイズ低減によ
る画質向上のため、ＤＲ用の像変換スクリーンに用いる
蛍光体もより高感度で低残光の蛍光体が望まれるが、従
来、ＤＲ用の像変換スクリーンの蛍光体層に使用される
Ｘ線励起用蛍光体は、増感紙用の蛍光体がそのまま使用
されてきた。テルビウム（Ｔｂ）で付活した酸硫化ガド
リニウム（Ｇｄ2 Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）蛍光体は代表的な増感
紙用蛍光体の１つである（特公昭５５−２５４１１号公
報参照）。この蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリー
ンをＤＲ用として用いると撮像系の感度も残光の低減も
必ずしも十分に得られず、その改良が望まれていた。
体である患者の被曝量低減及び撮像系のノイズ低減によ
る画質向上のため、ＤＲ用の像変換スクリーンに用いる
蛍光体もより高感度で低残光の蛍光体が望まれるが、従
来、ＤＲ用の像変換スクリーンの蛍光体層に使用される
Ｘ線励起用蛍光体は、増感紙用の蛍光体がそのまま使用
されてきた。テルビウム（Ｔｂ）で付活した酸硫化ガド
リニウム（Ｇｄ2 Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）蛍光体は代表的な増感
紙用蛍光体の１つである（特公昭５５−２５４１１号公
報参照）。この蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリー
ンをＤＲ用として用いると撮像系の感度も残光の低減も
必ずしも十分に得られず、その改良が望まれていた。
【０００６】他方、デイスプレイ用陰極線管に用いるＴ
ｂ付活酸硫化物系蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｌｕ等の
酸硫化物をＴｂとＤｙで共付活することにより、高電流
密度の電子線を照射した時に、高電流密度域での電流飽
和による発光輝度の低下をＤｙの共付活により抑制し、
発光輝度を向上させることが提案された（特開昭５７−
１４１４８２号公報）。
ｂ付活酸硫化物系蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｌｕ等の
酸硫化物をＴｂとＤｙで共付活することにより、高電流
密度の電子線を照射した時に、高電流密度域での電流飽
和による発光輝度の低下をＤｙの共付活により抑制し、
発光輝度を向上させることが提案された（特開昭５７−
１４１４８２号公報）。
【０００７】また、デイスプレイ用陰極線管に用いるＴ
ｂ付活酸硫化物系蛍光体として、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａ、Ｌｕ
等の酸硫化物に、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｍ等の希土類元
素とＣｅを同時に含有させることにより、デイスプレイ
用陰極線管の蛍光膜として使用して高電流密度の電子線
照射下で長時間作動させるときに、蛍光膜のバーニング
による輝度劣化を抑制できる蛍光体が提案された（特開
昭６２−７９２８４号公報参照）。しかし、ＴｂとＤｙ
とＣｅを同時に含有させた蛍光体については具体的に何
も記載されておらず、Ｘ線励起下での発光特性について
も何も記載されていない。
ｂ付活酸硫化物系蛍光体として、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａ、Ｌｕ
等の酸硫化物に、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｍ等の希土類元
素とＣｅを同時に含有させることにより、デイスプレイ
用陰極線管の蛍光膜として使用して高電流密度の電子線
照射下で長時間作動させるときに、蛍光膜のバーニング
による輝度劣化を抑制できる蛍光体が提案された（特開
昭６２−７９２８４号公報参照）。しかし、ＴｂとＤｙ
とＣｅを同時に含有させた蛍光体については具体的に何
も記載されておらず、Ｘ線励起下での発光特性について
も何も記載されていない。
【０００８】また、後述のように、本発明者等の確認す
るところによれば、これらＧｄ2 Ｏ 2 Ｓ：Ｔｂ蛍光体に
Ｄｙを共付活した蛍光体を蛍光体層とする増感紙は、Ｄ
ｙを共付活していない従来のＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ蛍光体
を蛍光体層として用いた増感紙に比べ、オルソクロマテ
ィック（オルソ）タイプのフィルムと組み合わせて放射
線像を撮影すると、写真感度は予想に反して低下するこ
とが分かった。即ち、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：ＴｂにＤｙを共付
活した蛍光体は、高電流密度の電子線を照射する場合は
ともかくとして、Ｘ線を照射して放射線像を形成しその
像をホトダイオード等の光検出器で検出させるＤＲ用像
変換スクリーンに用いる蛍光体において、Ｄｙを共付活
することがＸ線励起下での発光輝度の向上に寄与する
か、不明であった。
るところによれば、これらＧｄ2 Ｏ 2 Ｓ：Ｔｂ蛍光体に
Ｄｙを共付活した蛍光体を蛍光体層とする増感紙は、Ｄ
ｙを共付活していない従来のＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ蛍光体
を蛍光体層として用いた増感紙に比べ、オルソクロマテ
ィック（オルソ）タイプのフィルムと組み合わせて放射
線像を撮影すると、写真感度は予想に反して低下するこ
とが分かった。即ち、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：ＴｂにＤｙを共付
活した蛍光体は、高電流密度の電子線を照射する場合は
ともかくとして、Ｘ線を照射して放射線像を形成しその
像をホトダイオード等の光検出器で検出させるＤＲ用像
変換スクリーンに用いる蛍光体において、Ｄｙを共付活
することがＸ線励起下での発光輝度の向上に寄与する
か、不明であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の課題
を解決し、Ｘ線励起下での発光輝度をより向上させ、残
光を短くし、ＤＲ用検出器との整合性を有するＧｄ2 Ｏ
2 Ｓ：Ｔｂ系ＤＲ用蛍光体を提供することを目的とする
ものである。また、高感度でしかも残像等の影響による
画質低下の少ないＤＲ用像変換スクリーン、及び高画質
の放射線像を形成しうる撮像装置を提供することを目的
とするものである。
を解決し、Ｘ線励起下での発光輝度をより向上させ、残
光を短くし、ＤＲ用検出器との整合性を有するＧｄ2 Ｏ
2 Ｓ：Ｔｂ系ＤＲ用蛍光体を提供することを目的とする
ものである。また、高感度でしかも残像等の影響による
画質低下の少ないＤＲ用像変換スクリーン、及び高画質
の放射線像を形成しうる撮像装置を提供することを目的
とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、増感紙用
蛍光体として従来から使用されてきたＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔ
ｂ系蛍光体において、Ｔｂ付活剤に第２、第３の元素を
加えて共付活した種々の蛍光体を製造し、これらの蛍光
体にＸ線を照射し、その発光をフォトダイオード等のＤ
Ｒ用光電変換素子で検出して、前記共付活剤の発光輝度
向上効果と残光特性を詳細に検討した。その結果、Ｇｄ
2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂに特定量のＤｙ及びＣｅを共付活する
か、またはこれに更に特定量のＺｎを含有させることに
より、高感度でしかも残像等の影響による画質低下の少
ないＤＲ用像変換スクリーンに適したＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔ
ｂ系蛍光体の提供を可能とし、高感度化像変換スクリー
ン、及びＤＲ用撮像装置の提供を可能とした。また、像
変換スクリーンの蛍光体層を複数層とし、特定粒子径を
もった微細蛍光体粒子からなる蛍光体層を支持体側に配
する構成とすることにより、より高感度な像変換スクリ
ーン及びＤＲ用撮像装置の提供を可能とした。本発明の
構成を記載すると次のとおりである。
蛍光体として従来から使用されてきたＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔ
ｂ系蛍光体において、Ｔｂ付活剤に第２、第３の元素を
加えて共付活した種々の蛍光体を製造し、これらの蛍光
体にＸ線を照射し、その発光をフォトダイオード等のＤ
Ｒ用光電変換素子で検出して、前記共付活剤の発光輝度
向上効果と残光特性を詳細に検討した。その結果、Ｇｄ
2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂに特定量のＤｙ及びＣｅを共付活する
か、またはこれに更に特定量のＺｎを含有させることに
より、高感度でしかも残像等の影響による画質低下の少
ないＤＲ用像変換スクリーンに適したＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔ
ｂ系蛍光体の提供を可能とし、高感度化像変換スクリー
ン、及びＤＲ用撮像装置の提供を可能とした。また、像
変換スクリーンの蛍光体層を複数層とし、特定粒子径を
もった微細蛍光体粒子からなる蛍光体層を支持体側に配
する構成とすることにより、より高感度な像変換スクリ
ーン及びＤＲ用撮像装置の提供を可能とした。本発明の
構成を記載すると次のとおりである。
【００１１】（１）下記組成式で表され、放射線による
励起下で主として緑色の蛍光を発生することを特徴とす
るＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 （Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄｙy , Ｃｅz ) 2 Ｏ2 Ｓ （式中、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ１．２×１０-3≦ｘ≦
１．９×１０-2、５×１０-4≦ｙ≦１．９×１０-2及び
１０-8≦ｚ≦８×１０-7なる条件を満たす数である。） （２）前記ｘ、ｙ及びｚが、それぞれ２×１０-3≦ｘ≦
７×１０-3、１．８×１０-3≦ｙ≦１．４×１０-2及び
５×１０-8≦ｚ≦４×１０-7なる条件を満たす数である
ことを特徴とする前記（１）記載のＤＲ用酸硫化ガドリ
ニウム蛍光体。 （３）前記蛍光体が亜鉛（Ｚｎ）を含有することを特徴
とする前記（１）または（２）記載のＤＲ用酸硫化ガド
リニウム蛍光体。 （４）前記亜鉛（Ｚｎ）の含有量が１０〜１００ｐｐｍ
であることを特徴とする前記（３）記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体。 （５）前記亜鉛（Ｚｎ）の含有量が２０〜７０ｐｐｍで
あることを特徴とする前記（４）記載のＤＲ用酸硫化ガ
ドリニウム蛍光体。
励起下で主として緑色の蛍光を発生することを特徴とす
るＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 （Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄｙy , Ｃｅz ) 2 Ｏ2 Ｓ （式中、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ１．２×１０-3≦ｘ≦
１．９×１０-2、５×１０-4≦ｙ≦１．９×１０-2及び
１０-8≦ｚ≦８×１０-7なる条件を満たす数である。） （２）前記ｘ、ｙ及びｚが、それぞれ２×１０-3≦ｘ≦
７×１０-3、１．８×１０-3≦ｙ≦１．４×１０-2及び
５×１０-8≦ｚ≦４×１０-7なる条件を満たす数である
ことを特徴とする前記（１）記載のＤＲ用酸硫化ガドリ
ニウム蛍光体。 （３）前記蛍光体が亜鉛（Ｚｎ）を含有することを特徴
とする前記（１）または（２）記載のＤＲ用酸硫化ガド
リニウム蛍光体。 （４）前記亜鉛（Ｚｎ）の含有量が１０〜１００ｐｐｍ
であることを特徴とする前記（３）記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体。 （５）前記亜鉛（Ｚｎ）の含有量が２０〜７０ｐｐｍで
あることを特徴とする前記（４）記載のＤＲ用酸硫化ガ
ドリニウム蛍光体。
【００１２】（６）前記蛍光体の平均粒子径が１〜５μ
ｍの範囲にあることを特徴とする前記（１）〜（５）の
いずれか１つに記載のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光
体。 （７）前記蛍光体の平均粒子径が２〜４μｍの範囲にあ
ることを特徴とする前記（６）記載のＤＲ用酸硫化ガド
リニウム蛍光体。 （８）前記蛍光体の発光スペクトルの最大ピーク波長が
５２０〜５８０ｎｍの波長域にあることを特徴とする前
記（１）〜（７）のいずれか１つに記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体。 （９）支持体上に結合剤と蛍光体との混合物からなる蛍
光体層を形成してなる放射線像変換スクリーンにおい
て、前記蛍光体が前記（１）〜（８）のいずれか１つに
記載のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体からなることを
特徴とする放射線像変換スクリーン。 （10）前記蛍光体層が複数層からなることを特徴とする
前記（９）記載の放射線像変換スクリーン。
ｍの範囲にあることを特徴とする前記（１）〜（５）の
いずれか１つに記載のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光
体。 （７）前記蛍光体の平均粒子径が２〜４μｍの範囲にあ
ることを特徴とする前記（６）記載のＤＲ用酸硫化ガド
リニウム蛍光体。 （８）前記蛍光体の発光スペクトルの最大ピーク波長が
５２０〜５８０ｎｍの波長域にあることを特徴とする前
記（１）〜（７）のいずれか１つに記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体。 （９）支持体上に結合剤と蛍光体との混合物からなる蛍
光体層を形成してなる放射線像変換スクリーンにおい
て、前記蛍光体が前記（１）〜（８）のいずれか１つに
記載のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体からなることを
特徴とする放射線像変換スクリーン。 （10）前記蛍光体層が複数層からなることを特徴とする
前記（９）記載の放射線像変換スクリーン。
【００１３】（11）少なくとも前記支持体と接する前記
蛍光体層が前記（６）または（７）記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体からなることを特徴とする前記（1
0）記載の放射線像変換スクリーン。 （12）前記蛍光体層の上に保護膜を有することを特徴と
する前記（９）〜（11）のいずれか１つに記載の放射線
像変換スクリーン。
蛍光体層が前記（６）または（７）記載のＤＲ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体からなることを特徴とする前記（1
0）記載の放射線像変換スクリーン。 （12）前記蛍光体層の上に保護膜を有することを特徴と
する前記（９）〜（11）のいずれか１つに記載の放射線
像変換スクリーン。
【００１４】（13）被写体を透過した放射線を吸収して
前記被写体の放射線蛍光像を形成する放射線像変換スク
リーンと、前記スクリーンをマトリックス状に２次元的
に微細に分割した各領域毎に配置した複数の光電変換素
子と、前記放射線蛍光像に対応する各光電変換素子から
の配置信号及び検出信号を演算処理して２次元的に合成
して前記放射線蛍光像に対応するデジタル画像信号を出
力する演算処理手段と、前記演算処理手段からの前記デ
ジタル画像信号を入力して前記放射線蛍光像を再生する
画像再生手段とを少なくとも備えた放射線像の撮像装置
において、前記放射線像変換スクリーンとして前記
（９）〜（12）のいずれか１つに記載の放射線像変換ス
クリーンを使用したことを特徴とする放射線像を撮像す
る装置。
前記被写体の放射線蛍光像を形成する放射線像変換スク
リーンと、前記スクリーンをマトリックス状に２次元的
に微細に分割した各領域毎に配置した複数の光電変換素
子と、前記放射線蛍光像に対応する各光電変換素子から
の配置信号及び検出信号を演算処理して２次元的に合成
して前記放射線蛍光像に対応するデジタル画像信号を出
力する演算処理手段と、前記演算処理手段からの前記デ
ジタル画像信号を入力して前記放射線蛍光像を再生する
画像再生手段とを少なくとも備えた放射線像の撮像装置
において、前記放射線像変換スクリーンとして前記
（９）〜（12）のいずれか１つに記載の放射線像変換ス
クリーンを使用したことを特徴とする放射線像を撮像す
る装置。
【００１５】（14）前記デジタル画像信号が画像処理手
段により画像処理されてから前記画像再生手段に入力さ
れることを特徴とする前記（13）記載の放射線像撮像装
置。 （15）前記光電変換素子の分光感度のピークが４５０〜
６５０ｎｍの波長域にあることを特徴とする前記（13）
又は（14）記載の放射線像撮像装置。 （16）前記光電変換素子がフォトダイオードであること
を特徴とする前記（13）〜（15）のいずれか１つに記載
の放射線像撮像装置。 （17）前記フォトダイオードが５００〜６００ｎｍの波
長域に分光感度のピークを有するアモルファスシリコン
フォトダイオード又はシリコンフォトダイオードである
ことを特徴とする前記（16）記載の放射線像撮像装置。
段により画像処理されてから前記画像再生手段に入力さ
れることを特徴とする前記（13）記載の放射線像撮像装
置。 （15）前記光電変換素子の分光感度のピークが４５０〜
６５０ｎｍの波長域にあることを特徴とする前記（13）
又は（14）記載の放射線像撮像装置。 （16）前記光電変換素子がフォトダイオードであること
を特徴とする前記（13）〜（15）のいずれか１つに記載
の放射線像撮像装置。 （17）前記フォトダイオードが５００〜６００ｎｍの波
長域に分光感度のピークを有するアモルファスシリコン
フォトダイオード又はシリコンフォトダイオードである
ことを特徴とする前記（16）記載の放射線像撮像装置。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体を製造するには、
化学量論的に上記組成式の量比となる量のＧｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ及びＣｅ（組成中にＺｎを含有させる場合には、こ
れに更にＺｎ）の各酸化物、又は加熱によりこれらの各
酸化物に変わり得るＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅ（必要に
応じて更にＺｎ）の各金属の硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、
ハロゲン化物等の化合物と、酸化物を硫化するための
硫化剤である、硫黄（Ｓ）及び炭酸ナトリウム（Ｎａ2
ＣＯ3 ）、並びに、リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 Ｐ
Ｏ4 ）、リン酸リチウム（Ｌｉ3 ＰＯ4 ）、リン酸水素
二ナトリウム（Ｎａ2 ＨＰＯ4 ）、等のアルカリ金属の
リン酸塩、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ3 ）、硝酸カリウ
ム（ＫＮＯ3 ）などのアルカリ金属硝酸塩等の融剤を加
え、十分に混合して蛍光体原料混合物を調製する。本発
明のＺｎを含有する蛍光体を製造する際、融剤としてア
ルカリ金属硝酸塩を用いると体色が少なく、かつ粒子の
小さい蛍光体が得られるので特に好ましい。
本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体を製造するには、
化学量論的に上記組成式の量比となる量のＧｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ及びＣｅ（組成中にＺｎを含有させる場合には、こ
れに更にＺｎ）の各酸化物、又は加熱によりこれらの各
酸化物に変わり得るＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅ（必要に
応じて更にＺｎ）の各金属の硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、
ハロゲン化物等の化合物と、酸化物を硫化するための
硫化剤である、硫黄（Ｓ）及び炭酸ナトリウム（Ｎａ2
ＣＯ3 ）、並びに、リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 Ｐ
Ｏ4 ）、リン酸リチウム（Ｌｉ3 ＰＯ4 ）、リン酸水素
二ナトリウム（Ｎａ2 ＨＰＯ4 ）、等のアルカリ金属の
リン酸塩、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ3 ）、硝酸カリウ
ム（ＫＮＯ3 ）などのアルカリ金属硝酸塩等の融剤を加
え、十分に混合して蛍光体原料混合物を調製する。本発
明のＺｎを含有する蛍光体を製造する際、融剤としてア
ルカリ金属硝酸塩を用いると体色が少なく、かつ粒子の
小さい蛍光体が得られるので特に好ましい。
【００１７】次に、これらの蛍光体原料混合物をアルミ
ナ等の蓋のついた耐熱容器に充填して、大気中９００〜
１３００℃の温度で２〜１０時間焼成する。焼成後、得
られた焼成ケーキを水中等でほぐしながら洗浄して融剤
を除去し、乾燥させてから篩い分け等の蛍光体製造にお
ける一般的な後処理を行って本発明の蛍光体粉体を得
る。得られた蛍光体粉体が淡茶褐色の体色を呈している
場合は、これを再度４５０〜５００℃の温度で再加熱し
て体色を取り除くことが、蛍光体の粉体反射率を高め、
自らの発光の吸収が抑制されるため、発光輝度をより向
上させるために好ましい。なお、再加熱処理を施しても
依然として淡黄色の体色の残る場合があり、この淡黄色
の体色は粒子径が小さい程顕著であるが、その場合粒子
径の小さい蛍光体中にＺｎを含有させることによって体
色の白い粉体となる。但し、酸硫化物蛍光体の粒径が大
きくなるに従って蛍光体母体中にＺｎを含有させること
による体色を低減させる効果は少なくなる。従って、蛍
光体原料混合物中にＺｎの化合物を添加して焼成する際
の焼成の温度、時間、雰囲気などの調整により、得られ
る蛍光体の平均粒子径がおよそ１〜５μｍのＺｎ含有蛍
光体となるようにすれば、特に体色の白い高輝度の希土
類酸硫化物蛍光体が得られる。なお、微粒子蛍光体を製
造するには、蛍光体原料混合物の焼成時における焼成温
度、時間、雰囲気などの焼成条件の調整の外に、前記原
料化合物として希土類酸化物を用いる場合には、通常
使用されている希土類酸化物原料より更に粒径が小さ
く、平均粒子径が１〜３μｍの微細粒子の希土類酸化物
を用いても良く、更に蛍光体原料にＺｎを含有させ、融
剤としてアルカリ金属の硝酸塩を添加して焼成すると、
平均粒子径が１〜５μｍの体色の少ない微細粒子蛍光体
が得られる。
ナ等の蓋のついた耐熱容器に充填して、大気中９００〜
１３００℃の温度で２〜１０時間焼成する。焼成後、得
られた焼成ケーキを水中等でほぐしながら洗浄して融剤
を除去し、乾燥させてから篩い分け等の蛍光体製造にお
ける一般的な後処理を行って本発明の蛍光体粉体を得
る。得られた蛍光体粉体が淡茶褐色の体色を呈している
場合は、これを再度４５０〜５００℃の温度で再加熱し
て体色を取り除くことが、蛍光体の粉体反射率を高め、
自らの発光の吸収が抑制されるため、発光輝度をより向
上させるために好ましい。なお、再加熱処理を施しても
依然として淡黄色の体色の残る場合があり、この淡黄色
の体色は粒子径が小さい程顕著であるが、その場合粒子
径の小さい蛍光体中にＺｎを含有させることによって体
色の白い粉体となる。但し、酸硫化物蛍光体の粒径が大
きくなるに従って蛍光体母体中にＺｎを含有させること
による体色を低減させる効果は少なくなる。従って、蛍
光体原料混合物中にＺｎの化合物を添加して焼成する際
の焼成の温度、時間、雰囲気などの調整により、得られ
る蛍光体の平均粒子径がおよそ１〜５μｍのＺｎ含有蛍
光体となるようにすれば、特に体色の白い高輝度の希土
類酸硫化物蛍光体が得られる。なお、微粒子蛍光体を製
造するには、蛍光体原料混合物の焼成時における焼成温
度、時間、雰囲気などの焼成条件の調整の外に、前記原
料化合物として希土類酸化物を用いる場合には、通常
使用されている希土類酸化物原料より更に粒径が小さ
く、平均粒子径が１〜３μｍの微細粒子の希土類酸化物
を用いても良く、更に蛍光体原料にＺｎを含有させ、融
剤としてアルカリ金属の硝酸塩を添加して焼成すると、
平均粒子径が１〜５μｍの体色の少ない微細粒子蛍光体
が得られる。
【００１８】前記蛍光体原料中の複数の希土類元素化合
物は、予め一旦鉱酸等に溶解してから蓚酸を加えて蓚
酸塩にするなど、希土類元素の共沈物を生成し、これを
仮焼して混合酸化物を得た後、これに残りの前記原料化
合物及びを添加して焼成してもよい。Ｔｂ付活酸硫
化ガドリニウムに特定量のＤｙを共付活することにより
Ｘ線励起下でのＤＲ用光電変換素子で検出したときの発
光輝度が向上するが、Ｄｙと共に更に特定量のＣｅを共
付活すると、得られる蛍光体の発光輝度を低下させるこ
となく残光を低減させることができる。特に、Ｃｅを含
有させる場合は上記のようにして予めＧｄとＤｙとＣｅ
とを共沈させておくと、残光低減の効果をより一層向上
させることができる。また、上記蛍光体原料としてＺ
ｎの化合物を用い、蛍光体中に特定量のＺｎを含有させ
ると、上述のように得られる蛍光体の体色がほとんど認
められず、Ｘ線励起下での発光輝度をより向上させるこ
とができる。
物は、予め一旦鉱酸等に溶解してから蓚酸を加えて蓚
酸塩にするなど、希土類元素の共沈物を生成し、これを
仮焼して混合酸化物を得た後、これに残りの前記原料化
合物及びを添加して焼成してもよい。Ｔｂ付活酸硫
化ガドリニウムに特定量のＤｙを共付活することにより
Ｘ線励起下でのＤＲ用光電変換素子で検出したときの発
光輝度が向上するが、Ｄｙと共に更に特定量のＣｅを共
付活すると、得られる蛍光体の発光輝度を低下させるこ
となく残光を低減させることができる。特に、Ｃｅを含
有させる場合は上記のようにして予めＧｄとＤｙとＣｅ
とを共沈させておくと、残光低減の効果をより一層向上
させることができる。また、上記蛍光体原料としてＺ
ｎの化合物を用い、蛍光体中に特定量のＺｎを含有させ
ると、上述のように得られる蛍光体の体色がほとんど認
められず、Ｘ線励起下での発光輝度をより向上させるこ
とができる。
【００１９】図１は、Ｔｂ付活酸硫化ガドリニウム系蛍
光体にＸ線を照射して発光させた時の発光スペクトルで
あり、曲線ａは上述のようにして得られた本発明の酸硫
化ガドリニウム蛍光体の１つである（Ｇｄ0.991 Ｔｂ
0.004 Ｄｙ0.005 Ｃｅ0.000000 1 ）2 Ｏ2 Ｓ蛍光体の発
光スペクトル、曲線ｂは（Ｇｄ0.996 Ｔｂ0.004 ）2 Ｏ
2 Ｓ蛍光体の発光スペクトルをそれぞれ例示した図であ
る。
光体にＸ線を照射して発光させた時の発光スペクトルで
あり、曲線ａは上述のようにして得られた本発明の酸硫
化ガドリニウム蛍光体の１つである（Ｇｄ0.991 Ｔｂ
0.004 Ｄｙ0.005 Ｃｅ0.000000 1 ）2 Ｏ2 Ｓ蛍光体の発
光スペクトル、曲線ｂは（Ｇｄ0.996 Ｔｂ0.004 ）2 Ｏ
2 Ｓ蛍光体の発光スペクトルをそれぞれ例示した図であ
る。
【００２０】図１から分かるように、本発明の酸硫化ガ
ドリニウム蛍光体の発光スペクトル（曲線ａ）は、Ｄｙ
を含有しない従来の酸硫化ガドリニウム蛍光体の発光ス
ペクトル（曲線ｂ）に比べ、スペクトルの各ピーク波長
の位置はほとんど変わらないが、特に３５０〜４５０ｎ
ｍの波長域におけるピーク強度に対する４８０〜５００
ｎｍの波長域におけるピーク波長の強度の相対強度比が
従来の酸硫化ガドリニウム蛍光体の発光スペクトル（曲
線ｂ）に比べて高く、特に、５４５ｎｍ付近のピーク強
度（緑色発光の強度）が相対的に高いことがわかる。
ドリニウム蛍光体の発光スペクトル（曲線ａ）は、Ｄｙ
を含有しない従来の酸硫化ガドリニウム蛍光体の発光ス
ペクトル（曲線ｂ）に比べ、スペクトルの各ピーク波長
の位置はほとんど変わらないが、特に３５０〜４５０ｎ
ｍの波長域におけるピーク強度に対する４８０〜５００
ｎｍの波長域におけるピーク波長の強度の相対強度比が
従来の酸硫化ガドリニウム蛍光体の発光スペクトル（曲
線ｂ）に比べて高く、特に、５４５ｎｍ付近のピーク強
度（緑色発光の強度）が相対的に高いことがわかる。
【００２１】次に、本発明の像変換スクリーンについて
詳述する。本発明の像変換スクリーンは、その蛍光体層
を本発明にかかる酸硫化ガドリニウム蛍光体を使用する
こと以外は従来の像変換スクリーンと同様にして製造さ
れる。即ち、酸硫化ガドリニウム母体をＴｂ、Ｄｙ及び
Ｃｅで共付活し、必要に応じて更にＺｎを含有させて得
た本発明の蛍光体を硝化綿等の結合剤と共に適当量混合
し、さらに有機溶剤を加えて適当な粘度の蛍光体塗布液
を調製する。この蛍光体塗布液をナイフコーターやロー
ルコーター等によって後記する支持体上に塗布し、乾燥
して蛍光体層を形成する。蛍光体塗布液は、乾燥後の蛍
光体塗布重量が１０〜２００ｍｇ／ｃｍ2 となるように
支持体上に塗布するのが適当であり、好ましくは３０〜
１５０ｍｇ／ｃｍ2 とするのが好ましい。
詳述する。本発明の像変換スクリーンは、その蛍光体層
を本発明にかかる酸硫化ガドリニウム蛍光体を使用する
こと以外は従来の像変換スクリーンと同様にして製造さ
れる。即ち、酸硫化ガドリニウム母体をＴｂ、Ｄｙ及び
Ｃｅで共付活し、必要に応じて更にＺｎを含有させて得
た本発明の蛍光体を硝化綿等の結合剤と共に適当量混合
し、さらに有機溶剤を加えて適当な粘度の蛍光体塗布液
を調製する。この蛍光体塗布液をナイフコーターやロー
ルコーター等によって後記する支持体上に塗布し、乾燥
して蛍光体層を形成する。蛍光体塗布液は、乾燥後の蛍
光体塗布重量が１０〜２００ｍｇ／ｃｍ2 となるように
支持体上に塗布するのが適当であり、好ましくは３０〜
１５０ｍｇ／ｃｍ2 とするのが好ましい。
【００２２】本発明の像変換スクリーンの蛍光体層は、
組成、粒子径、粒子径分布等の異なる蛍光体群から選択
される２種以上の蛍光体層を支持体上に重畳して、複数
層の蛍光体層とすることも可能である。特に、粒子径が
異なる２種以上の蛍光体からなる複数の蛍光体層を設け
る場合には、支持体側（最下層）の蛍光体層から発光を
取り出す表面側（最上層）の蛍光体層に向かって各蛍光
体層を構成する蛍光体粒子の平均粒子径が次第に大とな
るような順序に各蛍光体層を配置すると、像変換スクリ
ーンとしての発光輝度をより向上させることができ、光
電変換素子と組み合わせて放射線像を形成するときに、
撮像系の感度や画像の鮮鋭度を向上させることができ、
画質をより高め得るのでより好ましい。上述のように、
それぞれが粒子径の異なる蛍光体からなる複数層の蛍光
体層を持った像変換スクリーンを製造するには、平均粒
子径の異なる蛍光体粒子をそれぞれ分散させた複数の蛍
光体塗布液を調製しておき、支持体上に平均粒子径の小
さい蛍光体からなる蛍光体塗布液から順番に順次塗布
し、乾燥させて複数の蛍光体層を積層する。また、この
方法とは別に、例えば、異なる平均粒子径の蛍光体を混
合した混合蛍光体からなり、しかも比較的粘度の低い蛍
光体塗布液を調製し、これを基盤上に塗布してから静置
してストークスの法則に従って大きい粒子の蛍光体から
順次基盤上に沈降させながらこれをゆっくり乾燥するこ
とにより、基盤上に該基盤に接する側から表面側に向か
って次第に粒子径が小となるような順序で蛍光体粒子を
配列させた蛍光体層を別途形成した後、この蛍光体層を
基盤から剥離し、剥離した蛍光体層の該基盤と接してい
なかった側の面（表面側であった面）と製造しようとす
る像変換スクリーンの支持体とを接着することにより、
蛍光体層内の蛍光体粒子が支持体側（最下層側）から発
光を取り出す側（最上層側）に向かってその粒子径が連
続的に大となるように蛍光体粒子を配列した蛍光体層
（多重層構造の蛍光体層）を有する像変換スクリーンと
しても良い。なお、本発明の像変換スクリーンにおいて
は、異なる粒子径の蛍光体からなる複数の蛍光体層を積
層した蛍光体層の外に、上述の多重層構造の蛍光体層も
含めて複数層の蛍光体層ということにする。この複数層
の蛍光体層を有する像変換スクリーンの場合、少なくと
も支持体と直接接する蛍光体層には、平均粒子径がおよ
そ１〜５μｍ、より好ましくは２〜４μｍである微細粒
子の本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体からなる蛍光体
層を配するのが好ましい。支持体側（最下層側）の蛍光
体層に本発明の微粒子の酸硫化ガドリニウム蛍光体を配
置することにより、粒子径が小さく、体色が白くて粉体
反射率や発光輝度の高い蛍光体からなる蛍光体層が支持
体側（最下層側）に配置されることによって、表面に近
い蛍光体層側（より上層側）からの発光をより効率的に
反射してスクリーンの表面に取り出せるため、フォトダ
イオード等の光電変換素子で受光して測定した時の発光
輝度及びＸ線画像の画質が更に向上するのでより好まし
い。この場合、支持体と接する蛍光体層に用いる微粒子
蛍光体として平均粒子径がおよそ１〜５μｍであって、
かつ、Ｚｎを含有する本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光
体を用いるのが反射率が高く発光輝度も高いので特に好
ましい。
組成、粒子径、粒子径分布等の異なる蛍光体群から選択
される２種以上の蛍光体層を支持体上に重畳して、複数
層の蛍光体層とすることも可能である。特に、粒子径が
異なる２種以上の蛍光体からなる複数の蛍光体層を設け
る場合には、支持体側（最下層）の蛍光体層から発光を
取り出す表面側（最上層）の蛍光体層に向かって各蛍光
体層を構成する蛍光体粒子の平均粒子径が次第に大とな
るような順序に各蛍光体層を配置すると、像変換スクリ
ーンとしての発光輝度をより向上させることができ、光
電変換素子と組み合わせて放射線像を形成するときに、
撮像系の感度や画像の鮮鋭度を向上させることができ、
画質をより高め得るのでより好ましい。上述のように、
それぞれが粒子径の異なる蛍光体からなる複数層の蛍光
体層を持った像変換スクリーンを製造するには、平均粒
子径の異なる蛍光体粒子をそれぞれ分散させた複数の蛍
光体塗布液を調製しておき、支持体上に平均粒子径の小
さい蛍光体からなる蛍光体塗布液から順番に順次塗布
し、乾燥させて複数の蛍光体層を積層する。また、この
方法とは別に、例えば、異なる平均粒子径の蛍光体を混
合した混合蛍光体からなり、しかも比較的粘度の低い蛍
光体塗布液を調製し、これを基盤上に塗布してから静置
してストークスの法則に従って大きい粒子の蛍光体から
順次基盤上に沈降させながらこれをゆっくり乾燥するこ
とにより、基盤上に該基盤に接する側から表面側に向か
って次第に粒子径が小となるような順序で蛍光体粒子を
配列させた蛍光体層を別途形成した後、この蛍光体層を
基盤から剥離し、剥離した蛍光体層の該基盤と接してい
なかった側の面（表面側であった面）と製造しようとす
る像変換スクリーンの支持体とを接着することにより、
蛍光体層内の蛍光体粒子が支持体側（最下層側）から発
光を取り出す側（最上層側）に向かってその粒子径が連
続的に大となるように蛍光体粒子を配列した蛍光体層
（多重層構造の蛍光体層）を有する像変換スクリーンと
しても良い。なお、本発明の像変換スクリーンにおいて
は、異なる粒子径の蛍光体からなる複数の蛍光体層を積
層した蛍光体層の外に、上述の多重層構造の蛍光体層も
含めて複数層の蛍光体層ということにする。この複数層
の蛍光体層を有する像変換スクリーンの場合、少なくと
も支持体と直接接する蛍光体層には、平均粒子径がおよ
そ１〜５μｍ、より好ましくは２〜４μｍである微細粒
子の本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体からなる蛍光体
層を配するのが好ましい。支持体側（最下層側）の蛍光
体層に本発明の微粒子の酸硫化ガドリニウム蛍光体を配
置することにより、粒子径が小さく、体色が白くて粉体
反射率や発光輝度の高い蛍光体からなる蛍光体層が支持
体側（最下層側）に配置されることによって、表面に近
い蛍光体層側（より上層側）からの発光をより効率的に
反射してスクリーンの表面に取り出せるため、フォトダ
イオード等の光電変換素子で受光して測定した時の発光
輝度及びＸ線画像の画質が更に向上するのでより好まし
い。この場合、支持体と接する蛍光体層に用いる微粒子
蛍光体として平均粒子径がおよそ１〜５μｍであって、
かつ、Ｚｎを含有する本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光
体を用いるのが反射率が高く発光輝度も高いので特に好
ましい。
【００２３】上記の蛍光体塗布液に使用される結合剤と
しては、硝化綿の外に酢酸セルロース、エチルセルロー
ス、ポリビニルブチラール、線状ポリエステル、ポリ酢
酸ビニル、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、塩
化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリアルキル−（メ
タ）アクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、
セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコー
ル、ゼラチン、デキストリン等のポリサッカライド、ア
ラビアゴムなど、従来より像変換スクリーンの蛍光体層
製造時に使用されてきた結合剤であれば特に制限はな
い。なお、結合剤の使用量は、像変換スクリーンの鮮鋭
度及び耐久性を低下させないために、蛍光体層中の蛍光
体に対して２〜６重量％の範囲にするのが好ましい。
しては、硝化綿の外に酢酸セルロース、エチルセルロー
ス、ポリビニルブチラール、線状ポリエステル、ポリ酢
酸ビニル、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、塩
化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリアルキル−（メ
タ）アクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、
セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコー
ル、ゼラチン、デキストリン等のポリサッカライド、ア
ラビアゴムなど、従来より像変換スクリーンの蛍光体層
製造時に使用されてきた結合剤であれば特に制限はな
い。なお、結合剤の使用量は、像変換スクリーンの鮮鋭
度及び耐久性を低下させないために、蛍光体層中の蛍光
体に対して２〜６重量％の範囲にするのが好ましい。
【００２４】蛍光体塗布液の調製に使われる有機溶剤と
しては、例えばエタノール、メチルエチルエーテル、酢
酸ブチル、酢酸エチル、エチルエーテル、キシレンなど
が用いられる。また、蛍光体塗布液には必要に応じてフ
タル酸、ステアリン酸などの分散剤やリン酸トリフェニ
ル、フタル酸ジエチルなどの可塑剤を添加してもよい。
しては、例えばエタノール、メチルエチルエーテル、酢
酸ブチル、酢酸エチル、エチルエーテル、キシレンなど
が用いられる。また、蛍光体塗布液には必要に応じてフ
タル酸、ステアリン酸などの分散剤やリン酸トリフェニ
ル、フタル酸ジエチルなどの可塑剤を添加してもよい。
【００２５】本発明の像変換スクリーンに使用される支
持体としては、ポリプロピレンやポリエチレンをはじめ
とするポリオレフィン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、
ポリエステル等の熱可塑性樹脂、ポリスチレン系樹脂、
ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリカー
ボネート系樹脂などが用いられる。その中でも特に、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−２，６−ナフタレートなどのポリエ
ステル樹脂を用いるのが耐久性、耐熱性、化学的安定性
などの点から好ましい。
持体としては、ポリプロピレンやポリエチレンをはじめ
とするポリオレフィン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、
ポリエステル等の熱可塑性樹脂、ポリスチレン系樹脂、
ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリカー
ボネート系樹脂などが用いられる。その中でも特に、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−２，６−ナフタレートなどのポリエ
ステル樹脂を用いるのが耐久性、耐熱性、化学的安定性
などの点から好ましい。
【００２６】このようにして支持体上に蛍光体層を形成
した後、必要に応じて蛍光体層上に保護膜を形成するこ
とができる。保護膜は従来の像変換スクリーンと同様に
して形成する。即ち、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどの透明フィルムを蛍光体層上に
ラミネートするか、又は、酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロー
ス誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルコポリマー、ポリカーボネート、ポリビ
ニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニ
ルホルマール、ポリウレタンなどの樹脂を溶剤に溶解さ
せて適当な粘度の保護膜塗布液を調製し、これを蛍光体
層上に塗布し、乾燥して保護膜を形成する。なお、本発
明の像変換スクリーンにおける蛍光体層の上の保護膜の
厚みは１〜１０μｍの範囲が好ましい。
した後、必要に応じて蛍光体層上に保護膜を形成するこ
とができる。保護膜は従来の像変換スクリーンと同様に
して形成する。即ち、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどの透明フィルムを蛍光体層上に
ラミネートするか、又は、酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロー
ス誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルコポリマー、ポリカーボネート、ポリビ
ニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニ
ルホルマール、ポリウレタンなどの樹脂を溶剤に溶解さ
せて適当な粘度の保護膜塗布液を調製し、これを蛍光体
層上に塗布し、乾燥して保護膜を形成する。なお、本発
明の像変換スクリーンにおける蛍光体層の上の保護膜の
厚みは１〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００２７】図２は、Ｔｂ，Ｄｙ及びＣｅで共付活した
酸硫化ガドリニウム蛍光体をＸ線で励起して発光させ、
光電変換素子としてシリコンフォトダイオードを用いて
測定した発光輝度とＤｙ濃度（ｙ値）との相関を示した
図である。詳しくは、Ｃｅ濃度を０．００００１モル％
（ｚ＝１×１０-7）とし、Ｔｂ濃度を増感紙用として従
来から使用されている蛍光体と同様に０．４モル％（ｘ
＝４×１０-3）とし、Ｄｙ濃度（ｙ値）を変化させた
｛（Ｇｄ0.995999-y, Ｔｂ0.004 , Ｄｙy Ｃｅ0.
0000001 ）2 Ｏ2 Ｓ｝蛍光体を蛍光体層として用いた複
数の像変換スクリーンを作製し、Ｘ線管の管電圧が８０
ｋＶであるＸ線を照射した時のＤｙを含まない（ｙ＝
０）蛍光体を蛍光体層として用いた像変換スクリーンの
発光輝度に対する相対発光輝度と、像変換スクリーンの
蛍光体の共付活剤であるＤｙ濃度（ｙ値）との関係を調
べて図２に示した。発光輝度はＳｉフォトダイオード
（浜松ホトニクス社製、型名Ｓ１１３３）を各像変換ス
クリーンの蛍光体層表面に密着させて測定した。
酸硫化ガドリニウム蛍光体をＸ線で励起して発光させ、
光電変換素子としてシリコンフォトダイオードを用いて
測定した発光輝度とＤｙ濃度（ｙ値）との相関を示した
図である。詳しくは、Ｃｅ濃度を０．００００１モル％
（ｚ＝１×１０-7）とし、Ｔｂ濃度を増感紙用として従
来から使用されている蛍光体と同様に０．４モル％（ｘ
＝４×１０-3）とし、Ｄｙ濃度（ｙ値）を変化させた
｛（Ｇｄ0.995999-y, Ｔｂ0.004 , Ｄｙy Ｃｅ0.
0000001 ）2 Ｏ2 Ｓ｝蛍光体を蛍光体層として用いた複
数の像変換スクリーンを作製し、Ｘ線管の管電圧が８０
ｋＶであるＸ線を照射した時のＤｙを含まない（ｙ＝
０）蛍光体を蛍光体層として用いた像変換スクリーンの
発光輝度に対する相対発光輝度と、像変換スクリーンの
蛍光体の共付活剤であるＤｙ濃度（ｙ値）との関係を調
べて図２に示した。発光輝度はＳｉフォトダイオード
（浜松ホトニクス社製、型名Ｓ１１３３）を各像変換ス
クリーンの蛍光体層表面に密着させて測定した。
【００２８】図２から明らかなように、Ｄｙを含まない
（Ｇｄ0.9959999 , Ｔｂ0.004 , Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ
2 Ｓに特定量のＤｙを共付活すると、共付活しないもの
に比べてその発光輝度は高まり、Ｄｙ濃度（ｙ値）が
０．０５〜１．９モル％（ｙ＝５×１０-4〜１．９×１
０-2）の範囲において本発明の所定の輝度を示し、特
に、０．１８〜１．４モル％（ｙ＝１．８×１０-3〜
１．４×１０-2）の範囲で高い輝度を示している。
（Ｇｄ0.9959999 , Ｔｂ0.004 , Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ
2 Ｓに特定量のＤｙを共付活すると、共付活しないもの
に比べてその発光輝度は高まり、Ｄｙ濃度（ｙ値）が
０．０５〜１．９モル％（ｙ＝５×１０-4〜１．９×１
０-2）の範囲において本発明の所定の輝度を示し、特
に、０．１８〜１．４モル％（ｙ＝１．８×１０-3〜
１．４×１０-2）の範囲で高い輝度を示している。
【００２９】図３は、図２に例示したデータと同様にし
て測定された、Ｔｂ，Ｄｙ及びＣｅで共付活した酸硫化
ガドリニウム蛍光体のＸ線による励起下での発光輝度
の、Ｔｂ濃度（ｘ値）依存性を示した図である。詳しく
は、Ｃｅ濃度を０．００００１モル％（ｚ＝１×１
０-7）とし、Ｄｙ濃度を０．５モル％（ｘ＝５×１
０-3）とし、Ｔｂ濃度（ｘ値）を変化させた｛（Ｇｄ
0.9949999-x , Ｔｂx , Ｄｙ0.005Ｃｅ0.0000001 ）2
Ｏ2 Ｓ｝蛍光体を蛍光体層として用いた複数の像変換ス
クリーンを作製し、Ｘ線を照射した時の発光輝度と、像
変換スクリーンの蛍光体層中の蛍光体の共付活剤Ｔｂ濃
度（ｘ値）との関係を示した。発光輝度は図２に例示し
た像変換スクリーンの場合と同様に、光電変換素子とし
てシリコンフォトダイオードを用い、これを像変換スク
リーンの蛍光体層に密着させ、Ｔｂ濃度（ｘ値）が０．
００１である蛍光体を用いた像変換スクリーンの発光輝
度に対する相対値で示した。
て測定された、Ｔｂ，Ｄｙ及びＣｅで共付活した酸硫化
ガドリニウム蛍光体のＸ線による励起下での発光輝度
の、Ｔｂ濃度（ｘ値）依存性を示した図である。詳しく
は、Ｃｅ濃度を０．００００１モル％（ｚ＝１×１
０-7）とし、Ｄｙ濃度を０．５モル％（ｘ＝５×１
０-3）とし、Ｔｂ濃度（ｘ値）を変化させた｛（Ｇｄ
0.9949999-x , Ｔｂx , Ｄｙ0.005Ｃｅ0.0000001 ）2
Ｏ2 Ｓ｝蛍光体を蛍光体層として用いた複数の像変換ス
クリーンを作製し、Ｘ線を照射した時の発光輝度と、像
変換スクリーンの蛍光体層中の蛍光体の共付活剤Ｔｂ濃
度（ｘ値）との関係を示した。発光輝度は図２に例示し
た像変換スクリーンの場合と同様に、光電変換素子とし
てシリコンフォトダイオードを用い、これを像変換スク
リーンの蛍光体層に密着させ、Ｔｂ濃度（ｘ値）が０．
００１である蛍光体を用いた像変換スクリーンの発光輝
度に対する相対値で示した。
【００３０】図３から明らかなように｛（Ｇｄ
0.9949999-x , Ｔｂx , Ｄｙ0.005 Ｃｅ0.00 00001 ）2
Ｏ2 Ｓ｝蛍光体において、Ｔｂ濃度（ｘ値）が０．１２
〜１．９モル％（ｘ＝１．２×１０-3〜１．９×１
０-2）の範囲において本発明の所定の輝度を示し、特
に、０．２〜０．７モル％（ｘ＝２×１０-3〜７×１０
-3）の範囲で高い輝度を示している。
0.9949999-x , Ｔｂx , Ｄｙ0.005 Ｃｅ0.00 00001 ）2
Ｏ2 Ｓ｝蛍光体において、Ｔｂ濃度（ｘ値）が０．１２
〜１．９モル％（ｘ＝１．２×１０-3〜１．９×１
０-2）の範囲において本発明の所定の輝度を示し、特
に、０．２〜０．７モル％（ｘ＝２×１０-3〜７×１０
-3）の範囲で高い輝度を示している。
【００３１】また、本発明のＴｂ、Ｄｙ及びＣｅで共付
活した酸硫化ガドリニウム蛍光体を蛍光体層として用い
た像変換スクリーンにおいて、残光特性のＣｅ濃度（ｚ
値）依存性を調べたところ、Ｃｅ濃度（ｚ値）がｚ＝１
０-8〜８×１０-7の範囲が発光輝度にほとんど影響を与
えずに残光特性が優れている。１０-8を下回ると、残光
が低減されず、動きのある被写体の放射線像を撮像する
場合等に、残像による二重像ができるなどの不都合が生
ずる。Ｃｅ濃度が増加すると共に残光は次第に減少する
が、８×１０-7を上回ると発光輝度が急激に低下する。
特に、Ｃｅ濃度（ｚ値）のより好ましい範囲はｚ＝５×
１０-8〜４×１０-7である。この範囲は、残光が十分に
低減され、発光輝度の低下はほとんど認められない点で
より優れている。
活した酸硫化ガドリニウム蛍光体を蛍光体層として用い
た像変換スクリーンにおいて、残光特性のＣｅ濃度（ｚ
値）依存性を調べたところ、Ｃｅ濃度（ｚ値）がｚ＝１
０-8〜８×１０-7の範囲が発光輝度にほとんど影響を与
えずに残光特性が優れている。１０-8を下回ると、残光
が低減されず、動きのある被写体の放射線像を撮像する
場合等に、残像による二重像ができるなどの不都合が生
ずる。Ｃｅ濃度が増加すると共に残光は次第に減少する
が、８×１０-7を上回ると発光輝度が急激に低下する。
特に、Ｃｅ濃度（ｚ値）のより好ましい範囲はｚ＝５×
１０-8〜４×１０-7である。この範囲は、残光が十分に
低減され、発光輝度の低下はほとんど認められない点で
より優れている。
【００３２】このように、従来の蛍光体よりもＸ線励起
下においてより高輝度であり、かつ、残光がより低減す
る点で、本発明の像変換スクリーンに使用されるＤＲ用
の酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄ
ｙy , Ｃｅz ) 2 Ｏ2 ＳのＴｂ濃度（ｘ値）及びＤｙ濃
度（ｙ値）はそれぞれ１．２×１０-3≦ｘ≦１．９×１
０ -2及び５×１０-4≦ｙ≦１．９×１０-2の範囲にある
のが好ましく、それぞれ２×１０-3≦ｘ≦７×１０-3及
び１．８×１０-3≦ｙ≦１．４×１０-2の範囲にあるの
がより好ましく、３×１０-3≦ｘ≦６×１０-3及び２．
５×１０-3≦ｙ≦１．２×１０-2の範囲にあるのがさら
により好ましい。また、Ｃｅの付活量（ｚ値）はｘ値及
びｙ値がいずれの範囲にあっても残光を低減させるため
にはおよそ１０-8より大である必要があるが、８×１０
-7より多くなると蛍光体の発光輝度が次第に低下すると
ころから、１０-8≦ｚ≦８× １０-7の範囲にあるのが
好ましく、特に５×１０-8≦ｚ≦４×１０-7の範囲にあ
るのがより好ましい。また、本発明の蛍光体の中、上述
の組成で特に平均粒子径がおよそ５μｍより小さい微粒
子径の蛍光体に、更に蛍光体に対しておよそ１０ｐｐｍ
以上のＺｎを含有させた酸硫化ガドリニウム蛍光体はＺ
ｎを含有しない酸硫化ガドリニウム蛍光体に比べてその
体色の程度が著しく減少して発光輝度が向上し、シリコ
ンフォトダイオードを用いて測定した時のＸ線励起下で
の発光輝度がＺｎを含有しない本発明の酸硫化ガドリニ
ウム蛍光体に比べてより向上する。但し、その場合Ｚｎ
の含有量が蛍光体に対しておよそ１００ｐｐｍより多く
なると逆にＺｎが蛍光体結晶中に入らないで析出し、Ｚ
ｎを含有しない本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体より
も発光輝度がかえって低下するので好ましくなく、従っ
て、本発明のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体に含有さ
せるＺｎの量は発光輝度の点で蛍光体に対しておよそ１
０〜１００ｐｐｍとするのが好ましく、２０〜７０ｐｐ
ｍの範囲とするのがより好ましい。但し、得られる酸硫
化物蛍光体の平均粒子径がおよそ５μｍよりも大である
場合には蛍光体中にＺｎが十分に導入されず、また、Ｚ
ｎを含有させたことによる発光輝度の向上はほとんど認
められない。なお、本発明のＤＲ用酸硫化ガドリニウム
蛍光体において、母体組成中に１０〜１００ｐｐｍのＺ
ｎを含有させてもその発光スペクトルにほとんど変化は
認められず、また、発光輝度の点で好ましいのＴｂ及び
Ｄｙの含有量（ｘ及びｙ値）範囲並びに残光低減の観点
からみた時の好ましいＣｅの含有量（ｚ値）範囲もＺｎ
を含有しない場合とほとんど差は認められなかった。
下においてより高輝度であり、かつ、残光がより低減す
る点で、本発明の像変換スクリーンに使用されるＤＲ用
の酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄ
ｙy , Ｃｅz ) 2 Ｏ2 ＳのＴｂ濃度（ｘ値）及びＤｙ濃
度（ｙ値）はそれぞれ１．２×１０-3≦ｘ≦１．９×１
０ -2及び５×１０-4≦ｙ≦１．９×１０-2の範囲にある
のが好ましく、それぞれ２×１０-3≦ｘ≦７×１０-3及
び１．８×１０-3≦ｙ≦１．４×１０-2の範囲にあるの
がより好ましく、３×１０-3≦ｘ≦６×１０-3及び２．
５×１０-3≦ｙ≦１．２×１０-2の範囲にあるのがさら
により好ましい。また、Ｃｅの付活量（ｚ値）はｘ値及
びｙ値がいずれの範囲にあっても残光を低減させるため
にはおよそ１０-8より大である必要があるが、８×１０
-7より多くなると蛍光体の発光輝度が次第に低下すると
ころから、１０-8≦ｚ≦８× １０-7の範囲にあるのが
好ましく、特に５×１０-8≦ｚ≦４×１０-7の範囲にあ
るのがより好ましい。また、本発明の蛍光体の中、上述
の組成で特に平均粒子径がおよそ５μｍより小さい微粒
子径の蛍光体に、更に蛍光体に対しておよそ１０ｐｐｍ
以上のＺｎを含有させた酸硫化ガドリニウム蛍光体はＺ
ｎを含有しない酸硫化ガドリニウム蛍光体に比べてその
体色の程度が著しく減少して発光輝度が向上し、シリコ
ンフォトダイオードを用いて測定した時のＸ線励起下で
の発光輝度がＺｎを含有しない本発明の酸硫化ガドリニ
ウム蛍光体に比べてより向上する。但し、その場合Ｚｎ
の含有量が蛍光体に対しておよそ１００ｐｐｍより多く
なると逆にＺｎが蛍光体結晶中に入らないで析出し、Ｚ
ｎを含有しない本発明の酸硫化ガドリニウム蛍光体より
も発光輝度がかえって低下するので好ましくなく、従っ
て、本発明のＤＲ用酸硫化ガドリニウム蛍光体に含有さ
せるＺｎの量は発光輝度の点で蛍光体に対しておよそ１
０〜１００ｐｐｍとするのが好ましく、２０〜７０ｐｐ
ｍの範囲とするのがより好ましい。但し、得られる酸硫
化物蛍光体の平均粒子径がおよそ５μｍよりも大である
場合には蛍光体中にＺｎが十分に導入されず、また、Ｚ
ｎを含有させたことによる発光輝度の向上はほとんど認
められない。なお、本発明のＤＲ用酸硫化ガドリニウム
蛍光体において、母体組成中に１０〜１００ｐｐｍのＺ
ｎを含有させてもその発光スペクトルにほとんど変化は
認められず、また、発光輝度の点で好ましいのＴｂ及び
Ｄｙの含有量（ｘ及びｙ値）範囲並びに残光低減の観点
からみた時の好ましいＣｅの含有量（ｚ値）範囲もＺｎ
を含有しない場合とほとんど差は認められなかった。
【００３３】図４はＣｅを０．００００１モル％（ｚ＝
０．００００００１）含み、Ｔｂの濃度が増感紙用とし
て従来から使用されている蛍光体と同様に０．４モル％
（ｘ＝０．００４）であり、Ｄｙの濃度（ｙ値）の異な
る酸硫化ガドリニウム蛍光体｛（Ｇｄ0.9959999-y , Ｔ
ｂ0.004 , Ｄｙy Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓ｝からなる
蛍光体層を有する像変換スクリーン、即ち、図２に示し
た測定のために使用した各像変換スクリーンをフィルム
と組み合わせて増感紙として用いた場合の、蛍光膜とし
て使用される蛍光体のＤｙ濃度（ｙ値）と像変換スクリ
ーンの写真感度との関係を示した図である。像変換スク
リーンの写真感度の測定は、普通の増感紙の感度測定と
同様に、各像変換スクリーンの蛍光体層面にフイルムを
密着させ、これに一定量のＸ線を照射した後フィルムを
現像してその黒化度から求めた。図４において縦軸の写
真感度は、Ｄｙを含まない（ｙ＝０）酸硫化ガドリニウ
ム蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリーンを用いたと
きの黒化度に対する、Ｄｙ濃度（ｙ値）の異なる酸硫化
ガドリニウム蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリーン
を用いたときの黒化度の相対値であり、横軸は蛍光体中
のＤｙ濃度（ｙ値）である。なお、この時に使用したフ
ィルムは、いずれも緑色発光増感紙と組み合わせて使用
されるオルソタイプのＸ線用フィルム（富士写真フイル
ム社製、タイプＳｕｐｅｒ−ＨＲ−Ｓ３０）を使用し
た。
０．００００００１）含み、Ｔｂの濃度が増感紙用とし
て従来から使用されている蛍光体と同様に０．４モル％
（ｘ＝０．００４）であり、Ｄｙの濃度（ｙ値）の異な
る酸硫化ガドリニウム蛍光体｛（Ｇｄ0.9959999-y , Ｔ
ｂ0.004 , Ｄｙy Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓ｝からなる
蛍光体層を有する像変換スクリーン、即ち、図２に示し
た測定のために使用した各像変換スクリーンをフィルム
と組み合わせて増感紙として用いた場合の、蛍光膜とし
て使用される蛍光体のＤｙ濃度（ｙ値）と像変換スクリ
ーンの写真感度との関係を示した図である。像変換スク
リーンの写真感度の測定は、普通の増感紙の感度測定と
同様に、各像変換スクリーンの蛍光体層面にフイルムを
密着させ、これに一定量のＸ線を照射した後フィルムを
現像してその黒化度から求めた。図４において縦軸の写
真感度は、Ｄｙを含まない（ｙ＝０）酸硫化ガドリニウ
ム蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリーンを用いたと
きの黒化度に対する、Ｄｙ濃度（ｙ値）の異なる酸硫化
ガドリニウム蛍光体を蛍光体層とする像変換スクリーン
を用いたときの黒化度の相対値であり、横軸は蛍光体中
のＤｙ濃度（ｙ値）である。なお、この時に使用したフ
ィルムは、いずれも緑色発光増感紙と組み合わせて使用
されるオルソタイプのＸ線用フィルム（富士写真フイル
ム社製、タイプＳｕｐｅｒ−ＨＲ−Ｓ３０）を使用し
た。
【００３４】図４から分かるように、本発明の像変換ス
クリーンをフィルムと組み合わせて増感紙として使用し
た場合、フォトダイオード等の光電変換素子と組み合わ
せて使用した場合（図２）とは異なり、その蛍光体層と
してＤｙ及びＣｅで共付活した酸硫化ガドリニウム蛍光
体を使用した像変換スクリーンは蛍光体中のＤｙの共付
活濃度を増加させても写真感度は向上せず、むしろ次第
に低下することが分かる。
クリーンをフィルムと組み合わせて増感紙として使用し
た場合、フォトダイオード等の光電変換素子と組み合わ
せて使用した場合（図２）とは異なり、その蛍光体層と
してＤｙ及びＣｅで共付活した酸硫化ガドリニウム蛍光
体を使用した像変換スクリーンは蛍光体中のＤｙの共付
活濃度を増加させても写真感度は向上せず、むしろ次第
に低下することが分かる。
【００３５】図５は、本発明の放射線像撮像装置の１例
のブロック図である。基本的には、被写体を透過した放
射線を吸収して前記被写体の放射線像を蛍光像に変換す
る像変換スクリーン２と、像変換スクリーン２の蛍光体
層表面をマトリックス状に２次元的に微細に分割した領
域毎に配置した複数の光電変換素子３とからなる像変換
部１と、各光電変換素子３の検出信号をそれぞれ増幅す
る増幅部５と、増幅された各検出信号をデジタル信号に
変換するＡＤ変換部６と、デジタル化された各光電変換
素子３からの検出信号を演算処理して得たデジタル画像
信号を２次元的に合成する演算記憶部７とからなる演算
処理部４と、演算記憶部７からの合成信号で可視像を表
示する画像表示部８とからなる。なお、従来の放射線像
撮像装置と同様に、演算・記憶部７ではデジタル化され
た各光電変換素子３からの検出信号を演算処理して２次
元的に合成する際、若しくは合成後にノイズ除去、デー
タ圧縮、画像の階調調整などの画像処理手段が講じら
れ、その後に陰極線管等のディスプレイを有する画像表
示部８に入力されて被写体の放射線像が表示・観察され
る。
のブロック図である。基本的には、被写体を透過した放
射線を吸収して前記被写体の放射線像を蛍光像に変換す
る像変換スクリーン２と、像変換スクリーン２の蛍光体
層表面をマトリックス状に２次元的に微細に分割した領
域毎に配置した複数の光電変換素子３とからなる像変換
部１と、各光電変換素子３の検出信号をそれぞれ増幅す
る増幅部５と、増幅された各検出信号をデジタル信号に
変換するＡＤ変換部６と、デジタル化された各光電変換
素子３からの検出信号を演算処理して得たデジタル画像
信号を２次元的に合成する演算記憶部７とからなる演算
処理部４と、演算記憶部７からの合成信号で可視像を表
示する画像表示部８とからなる。なお、従来の放射線像
撮像装置と同様に、演算・記憶部７ではデジタル化され
た各光電変換素子３からの検出信号を演算処理して２次
元的に合成する際、若しくは合成後にノイズ除去、デー
タ圧縮、画像の階調調整などの画像処理手段が講じら
れ、その後に陰極線管等のディスプレイを有する画像表
示部８に入力されて被写体の放射線像が表示・観察され
る。
【００３６】図６は、上記放射線像撮像装置の像変換部
１の概念図である。被写体を透過したＸ線は像変換部１
の像変換スクリーン２の蛍光体層面上で放射線蛍光像を
形成する。複数の光電変換素子３は、像変換スクリーン
の蛍光体層面をマトリックス状に２次元的に微細に分割
した領域毎に対向して配置し、前記領域毎に蛍光体層表
面上の各放射線蛍光像を電気信号に光電変換する。像変
換スクリーン２は支持体（図示せず）上に本発明の酸硫
化ガドリニウム蛍光体からなる蛍光体層を形成したもの
である。本例の場合、光電変換素子３は、支持体（図示
せず）上に微細な光半導体受光素子３１をマトリックス
状に２次元的に配列し、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）
等のスイッチング素子３２と組み合わせた平面光センサ
ーであり、これと像変換スクリーン２と対峙させて配置
される。像変換スクリーン２と光電変換素子３とは、光
に透明な接着剤で両者を密着させる。本発明では、光電
変換素子３として５００〜６００ｎｍの波長域に分光感
度ピークを有するフォトダイオード、例えばシリコン又
はアモルファスシリコンフォトダイオードを使用するこ
とが好ましい。
１の概念図である。被写体を透過したＸ線は像変換部１
の像変換スクリーン２の蛍光体層面上で放射線蛍光像を
形成する。複数の光電変換素子３は、像変換スクリーン
の蛍光体層面をマトリックス状に２次元的に微細に分割
した領域毎に対向して配置し、前記領域毎に蛍光体層表
面上の各放射線蛍光像を電気信号に光電変換する。像変
換スクリーン２は支持体（図示せず）上に本発明の酸硫
化ガドリニウム蛍光体からなる蛍光体層を形成したもの
である。本例の場合、光電変換素子３は、支持体（図示
せず）上に微細な光半導体受光素子３１をマトリックス
状に２次元的に配列し、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）
等のスイッチング素子３２と組み合わせた平面光センサ
ーであり、これと像変換スクリーン２と対峙させて配置
される。像変換スクリーン２と光電変換素子３とは、光
に透明な接着剤で両者を密着させる。本発明では、光電
変換素子３として５００〜６００ｎｍの波長域に分光感
度ピークを有するフォトダイオード、例えばシリコン又
はアモルファスシリコンフォトダイオードを使用するこ
とが好ましい。
【００３７】本発明の放射線像撮像装置は、上記構成を
採用することにより、高感度で残光特性の優れた放射線
像を得ることができ、医療における放射線診断や、食品
中の異物検査、金属溶接物等の工業製品を被写体とする
非破壊検査の分野に利用することができる。
採用することにより、高感度で残光特性の優れた放射線
像を得ることができ、医療における放射線診断や、食品
中の異物検査、金属溶接物等の工業製品を被写体とする
非破壊検査の分野に利用することができる。
【００３８】
酸化ガドリニウム（Ｇｄ2 Ｏ3 、平均粒径３．５μｍ） ７１８．７ ｇ
酸化セリウム （ＣｅＯ2 ） ０．０７ ｍｇ
酸化テルビウム (Ｔｂ4 Ｏ7 ) ３．０ ｇ
酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ） ３．７ ｇ
上記成分を十分に混合した後、この蛍光体原料にさらに
下記の融剤兼硫化剤である、 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３６．３ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ を加えて十分に混合し、これをアルミナルツボに充填し
て蓋をし、大気中１２００℃で３時間焼成した。得られ
た焼成物を水中において撹拌しながら水洗し、上澄み液
を除去してからさらに０．５Ｎの塩酸と水で順次洗浄
し、脱水し乾燥してから４９０℃で２時間空気中でベー
キングした後、篩いをかけて分散させ、実施例１の蛍光
体を得た。
下記の融剤兼硫化剤である、 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３６．３ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ を加えて十分に混合し、これをアルミナルツボに充填し
て蓋をし、大気中１２００℃で３時間焼成した。得られ
た焼成物を水中において撹拌しながら水洗し、上澄み液
を除去してからさらに０．５Ｎの塩酸と水で順次洗浄
し、脱水し乾燥してから４９０℃で２時間空気中でベー
キングした後、篩いをかけて分散させ、実施例１の蛍光
体を得た。
【００３９】得られた蛍光体をＸ線回折装置で結晶構造
を同定し、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＡＳ）及び
蛍光分析法による元素分析を行った。その結果、その組
成式は（Ｇｄ0.991 ，Ｔｂ0.004,Ｄｙ0.005,Ｃｅ0.
0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであることが分かった。また、この
蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウンタ
ーで測定したところ、平均粒径は５．０μｍ、四分偏差
値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２５であっ
た。
を同定し、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＡＳ）及び
蛍光分析法による元素分析を行った。その結果、その組
成式は（Ｇｄ0.991 ，Ｔｂ0.004,Ｄｙ0.005,Ｃｅ0.
0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであることが分かった。また、この
蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウンタ
ーで測定したところ、平均粒径は５．０μｍ、四分偏差
値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２５であっ
た。
【００４０】次に、実施例１の蛍光体１６重量部と、ポ
リビニルブチラール１重量部及び有機溶剤を十分に混合
して蛍光体塗布液を調製した。この蛍光体塗布液を、酸
化チタン粉末が練り込まれた、光反射効果を有するポリ
エチレンテレフタレートの支持体表面上に、乾燥後の蛍
光体塗布重量がおよそ７０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナ
イフコーターを用いて均一に塗布し、乾燥させて蛍光体
層を作製した。そして、この蛍光体層の表面に膜厚がお
よそ６μｍの透明なポリエチレンテレフタレートフイル
ムからなる保護層をラミネートして実施例１の像変換ス
クリーンを得た。
リビニルブチラール１重量部及び有機溶剤を十分に混合
して蛍光体塗布液を調製した。この蛍光体塗布液を、酸
化チタン粉末が練り込まれた、光反射効果を有するポリ
エチレンテレフタレートの支持体表面上に、乾燥後の蛍
光体塗布重量がおよそ７０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナ
イフコーターを用いて均一に塗布し、乾燥させて蛍光体
層を作製した。そして、この蛍光体層の表面に膜厚がお
よそ６μｍの透明なポリエチレンテレフタレートフイル
ムからなる保護層をラミネートして実施例１の像変換ス
クリーンを得た。
【００４１】実施例１の像変換スクリーンに管電圧８０
ｋＶのＸ線を照射し、発光輝度を分光感度のピーク波長
がおよそ５５０ｎｍであるＳｉフォトダイオード（浜松
ホトニクス社製、型名Ｓ１１３３）を用いて測定した。
その結果、実施例１の像変換スクリーンは、同一条件で
測定された下記比較例１の像変換スクリ−ンの発光輝度
の約１１０％であった（表２参照）。
ｋＶのＸ線を照射し、発光輝度を分光感度のピーク波長
がおよそ５５０ｎｍであるＳｉフォトダイオード（浜松
ホトニクス社製、型名Ｓ１１３３）を用いて測定した。
その結果、実施例１の像変換スクリーンは、同一条件で
測定された下記比較例１の像変換スクリ−ンの発光輝度
の約１１０％であった（表２参照）。
【００４２】また、実施例１の像変換スクリーンに暗所
で５０ｃｍ離れた位置から、管電圧８０ｋＶ、管電流３
ｍＡの条件で発生させたＸ線を３分間照射し、Ｘ線の照
射を停止してから１秒後にこのスクリーンの蛍光体層面
にオルソタイプのＸ線用フィルムを密着させ、そのまま
３０分間放置した後、そのフィルムを取り出してこれを
現像し、この間における残光量の積算値に相当するフィ
ルムの黒化度から像変換スクリーンの残光の程度を評価
した。その結果、実施例１の像変換スクリーンの残光量
は、これと同一条件で測定した下記比較例１の像変換ス
クリーンの残光量の十分の一であった（表２参照）。
で５０ｃｍ離れた位置から、管電圧８０ｋＶ、管電流３
ｍＡの条件で発生させたＸ線を３分間照射し、Ｘ線の照
射を停止してから１秒後にこのスクリーンの蛍光体層面
にオルソタイプのＸ線用フィルムを密着させ、そのまま
３０分間放置した後、そのフィルムを取り出してこれを
現像し、この間における残光量の積算値に相当するフィ
ルムの黒化度から像変換スクリーンの残光の程度を評価
した。その結果、実施例１の像変換スクリーンの残光量
は、これと同一条件で測定した下記比較例１の像変換ス
クリーンの残光量の十分の一であった（表２参照）。
【００４３】〔実施例２〕Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅの
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製した以外
は実施例１と同様にして、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ
0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2Ｏ2 Ｓである
実施例２の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は５．２μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、実施例
２の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
２の像変換スクリーンを製作した。
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製した以外
は実施例１と同様にして、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ
0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2Ｏ2 Ｓである
実施例２の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は５．２μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、実施例
２の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
２の像変換スクリーンを製作した。
【００４４】〔実施例３〕Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅの
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.003 ，Ｄｙ
0.007 ，Ｃｅ0.0000003 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製した以外
は実施例１と同様にして、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ
0.003 ，Ｄｙ0.007 ，Ｃｅ0.0000003 ）2Ｏ2 Ｓである
実施例３の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は５．１μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、実施例
３の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
３の像変換スクリーンを製作した。
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.003 ，Ｄｙ
0.007 ，Ｃｅ0.0000003 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製した以外
は実施例１と同様にして、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ
0.003 ，Ｄｙ0.007 ，Ｃｅ0.0000003 ）2Ｏ2 Ｓである
実施例３の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は５．１μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、実施例
３の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
３の像変換スクリーンを製作した。
【００４５】〔実施例４〕Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅの
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製し、実施
例１における融剤のリン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ
4 ）３６．３ｇの代わりに、リン酸リチウム（Ｌｉ3 Ｐ
Ｏ4 ）７０．０ｇ及びリン酸水素二ナトリウム（Ｎａ2
ＨＰＯ 4 ）３０．０ｇを用い、蛍光体原料の焼成条件を
１２００℃で４時間に変更した以外は実施例２と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃ
ｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例４の蛍光体を製造
した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールタ
ーカウンターで測定したところ、平均粒子径は８．０μ
ｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．
２３であった。次に、実施例４の蛍光体を用いた以外は
実施例１と同様にして実施例４の像変換スクリーンを製
作した。
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製し、実施
例１における融剤のリン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ
4 ）３６．３ｇの代わりに、リン酸リチウム（Ｌｉ3 Ｐ
Ｏ4 ）７０．０ｇ及びリン酸水素二ナトリウム（Ｎａ2
ＨＰＯ 4 ）３０．０ｇを用い、蛍光体原料の焼成条件を
１２００℃で４時間に変更した以外は実施例２と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃ
ｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例４の蛍光体を製造
した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールタ
ーカウンターで測定したところ、平均粒子径は８．０μ
ｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．
２３であった。次に、実施例４の蛍光体を用いた以外は
実施例１と同様にして実施例４の像変換スクリーンを製
作した。
【００４６】〔実施例５〕実施例２において、融剤のリ
ン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ）の配合量を３６．
３ｇから３０．０ｇに変更し、蛍光体原料の焼成条件を
１１００℃で３時間に変更した以外は実施例１と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃ
ｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例５の蛍光体を製造
した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールタ
ーカウンターで測定したところ、平均粒子径は３．０μ
ｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．
２６であった。次に、実施例５の蛍光体を用いた以外は
実施例１と同様にして実施例５の像変換スクリーンを製
作した。
ン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ）の配合量を３６．
３ｇから３０．０ｇに変更し、蛍光体原料の焼成条件を
１１００℃で３時間に変更した以外は実施例１と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.99，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃ
ｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例５の蛍光体を製造
した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールタ
ーカウンターで測定したところ、平均粒子径は３．０μ
ｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．
２６であった。次に、実施例５の蛍光体を用いた以外は
実施例１と同様にして実施例５の像変換スクリーンを製
作した。
【００４７】〔実施例６〕Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＣｅの
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ 2 Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製したこ
と、融剤兼硫化剤の中、リン酸二水素カリウム（ＫＨ2
ＰＯ4 ）の使用量を３６．３ｇではなく１５ｇとし、更
にこれと１００ｇのリン酸リチウム（Ｌｉ3 ＰＯ4 ）と
を用いたこと及び蛍光体原料と融剤兼硫化剤との混合物
の焼成を３時間ではなく４時間とした以外は実施例２と
同様にして、組成式（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.
005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例６の蛍光
体を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、
コールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
９．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２２であった。次に、実施例６の蛍光体を用い
た以外は実施例１と同様にして実施例６の像変換スクリ
ーンを製作した。
モル比が化学量論的に（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005，Ｄｙ
0.005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割合で酸化ガ
ドリニウム（Ｇｄ 2 Ｏ3 ）、酸化テルビウム（Ｔｂ4 Ｏ
7 ）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ）及び酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）を配合して蛍光体原料を調製したこ
と、融剤兼硫化剤の中、リン酸二水素カリウム（ＫＨ2
ＰＯ4 ）の使用量を３６．３ｇではなく１５ｇとし、更
にこれと１００ｇのリン酸リチウム（Ｌｉ3 ＰＯ4 ）と
を用いたこと及び蛍光体原料と融剤兼硫化剤との混合物
の焼成を３時間ではなく４時間とした以外は実施例２と
同様にして、組成式（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.
005 ，Ｃｅ0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓである実施例６の蛍光
体を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、
コールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
９．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２２であった。次に、実施例６の蛍光体を用い
た以外は実施例１と同様にして実施例６の像変換スクリ
ーンを製作した。
【００４８】
〔実施例７〕
酸化ガドリニウム（Ｇｄ2 Ｏ3 、平均粒径２．０μｍ）７１８．０ ｇ
酸化セリウム （ＣｅＯ2 ） ０．０７ ｍｇ
酸化テルビウム (Ｔｂ4 Ｏ7 ) ３．７４ ｇ
酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2 Ｏ3 ） ３．７３ ｇ
酸化亜鉛 （ＺｎＯ） １８１．０ ｍｇ
上記成分を十分に混合した後、この蛍光体原料にさらに
下記の融剤兼硫化剤である、 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３０．０ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ を加えて十分に混合し、これをアルミナルツボに充填し
て蓋をし、大気中１０５０℃で３時間焼成した。得られ
た焼成物を水中において撹拌しながら水洗し、上澄み液
を除去してからさらに０．５Ｎの塩酸と水で順次洗浄
し、脱水し乾燥してから４９０℃で２時間空気中でベー
キングした後、篩いをかけて分散させ、実施例７の蛍光
体を得た。得られた蛍光体をＸ線回折装置で結晶構造を
同定し、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＡＳ）及びＩ
ＣＰによる元素分析を行った。その結果、その組成式は
（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎを２０ｐｐｍ含有し
ていることが分かった。また、この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は２．９μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２６であった。この実施例７
の蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射率を分光光
度計により測定したところ、同一条件で測定した実施例
５の蛍光体の１０２％であった。次に、実施例７の蛍光
体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例７の像変
換スクリーンを製作した。
下記の融剤兼硫化剤である、 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３０．０ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ を加えて十分に混合し、これをアルミナルツボに充填し
て蓋をし、大気中１０５０℃で３時間焼成した。得られ
た焼成物を水中において撹拌しながら水洗し、上澄み液
を除去してからさらに０．５Ｎの塩酸と水で順次洗浄
し、脱水し乾燥してから４９０℃で２時間空気中でベー
キングした後、篩いをかけて分散させ、実施例７の蛍光
体を得た。得られた蛍光体をＸ線回折装置で結晶構造を
同定し、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＡＳ）及びＩ
ＣＰによる元素分析を行った。その結果、その組成式は
（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎを２０ｐｐｍ含有し
ていることが分かった。また、この蛍光体の粒子径及び
粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は２．９μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２６であった。この実施例７
の蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射率を分光光
度計により測定したところ、同一条件で測定した実施例
５の蛍光体の１０２％であった。次に、実施例７の蛍光
体を用いた以外は実施例１と同様にして実施例７の像変
換スクリーンを製作した。
【００４９】〔実施例８〕１８１ｍｇの酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の代わりに４５０ｍｇの塩化亜鉛（ＺｎＣｌ 2 ）を
用いた以外は実施例７と同じ蛍光体原料を調製し、これ
に実施例で使用した融剤兼硫化剤と３６．０ｇの硝酸ナ
トリウム（ＮａＮＯ3）とを融剤兼硫化剤として加えて
た混合物を焼成した以外は実施例７と同様にして、組成
式（Ｇｄ0. 990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎの含有量が蛍光体に
対して３０ｐｐｍである実施例８の蛍光体を製造した。
この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウ
ンターで測定したところ、平均粒子径は２．７μｍ、四
分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２７で
あった。この蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射
率は、これと同一条件で測定した実施例５の蛍光体の１
０４％であった。次に、実施例８の蛍光体を用いた以外
は実施例１と同様にして実施例８の像変換スクリーンを
製作した。
Ｏ）の代わりに４５０ｍｇの塩化亜鉛（ＺｎＣｌ 2 ）を
用いた以外は実施例７と同じ蛍光体原料を調製し、これ
に実施例で使用した融剤兼硫化剤と３６．０ｇの硝酸ナ
トリウム（ＮａＮＯ3）とを融剤兼硫化剤として加えて
た混合物を焼成した以外は実施例７と同様にして、組成
式（Ｇｄ0. 990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001 ）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎの含有量が蛍光体に
対して３０ｐｐｍである実施例８の蛍光体を製造した。
この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウ
ンターで測定したところ、平均粒子径は２．７μｍ、四
分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２７で
あった。この蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射
率は、これと同一条件で測定した実施例５の蛍光体の１
０４％であった。次に、実施例８の蛍光体を用いた以外
は実施例１と同様にして実施例８の像変換スクリーンを
製作した。
【００５０】〔実施例９〕平均粒子径が、１．８μｍの
Ｇｄ2 Ｏ3 を用い、３０．０ｇのリン酸二水素カリウム
（ＫＨ2 ＰＯ4 ）に代えて３６ｇのリン酸リチウム（Ｌ
ｉ3 ＰＯ4 ）と３６．０ｇの硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ
3 ）とを用いた以外は実施例７の融剤兼硫化剤と同様の
融剤兼硫化剤を用い、蛍光体原料と融剤兼硫化剤との混
合物の焼成を１０５０℃で３時間ではなく、９５０℃で
２．５時間焼成した以外は実施例７と同様にして、組成
式（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎの含有量が蛍光体に
対して４５ｐｐｍである実施例９の蛍光体を製造した。
この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウ
ンターで測定したところ、平均粒子径は２．４μｍ、四
分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２７で
あった。次に、実施例９の蛍光体を用いた以外は実施例
１と同様にして実施例９の像変換スクリーンを製作し
た。この蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射率
は、これと同一条件で測定した実施例５の蛍光体の１０
３％であった。
Ｇｄ2 Ｏ3 を用い、３０．０ｇのリン酸二水素カリウム
（ＫＨ2 ＰＯ4 ）に代えて３６ｇのリン酸リチウム（Ｌ
ｉ3 ＰＯ4 ）と３６．０ｇの硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ
3 ）とを用いた以外は実施例７の融剤兼硫化剤と同様の
融剤兼硫化剤を用い、蛍光体原料と融剤兼硫化剤との混
合物の焼成を１０５０℃で３時間ではなく、９５０℃で
２．５時間焼成した以外は実施例７と同様にして、組成
式（Ｇｄ0.990 ，Ｔｂ0.005 ，Ｄｙ0.005 ，Ｃｅ
0.0000001）2 Ｏ2 Ｓであり、Ｚｎの含有量が蛍光体に
対して４５ｐｐｍである実施例９の蛍光体を製造した。
この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コールターカウ
ンターで測定したところ、平均粒子径は２．４μｍ、四
分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差値は０．２７で
あった。次に、実施例９の蛍光体を用いた以外は実施例
１と同様にして実施例９の像変換スクリーンを製作し
た。この蛍光体の波長５５０ｎｍにおける拡散反射率
は、これと同一条件で測定した実施例５の蛍光体の１０
３％であった。
【００５１】
〔比較例１〕
酸化ガドリニウム（Ｇｄ2 Ｏ3 ） ７２２．２ ｇ
酸化テルビウム (Ｔｂ4 Ｏ7 ) ３．０ ｇ
上記成分を十分に混合した後、次の成分を加えてさらに
十分に混合して蛍光体原料を調製した。 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３６．３ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ その後は、実施例１と同様にして組成式が（Ｇ
ｄ0.996 ，Ｔｂ0.004 ）2 Ｏ2Ｓである比較例１の蛍光
体を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、
コールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
５．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２５であった。次に、比較例１の蛍光体を用
い、その他の条件は実施例１と同様にして比較例１の像
変換スクリーンを製作した。
十分に混合して蛍光体原料を調製した。 リン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ） ３６．３ ｇ 炭酸ナトリウム （Ｎａ2 ＣＯ3 ） ２８０．０ ｇ 硫黄 （Ｓ） ２２０．０ ｇ その後は、実施例１と同様にして組成式が（Ｇ
ｄ0.996 ，Ｔｂ0.004 ）2 Ｏ2Ｓである比較例１の蛍光
体を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、
コールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
５．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２５であった。次に、比較例１の蛍光体を用
い、その他の条件は実施例１と同様にして比較例１の像
変換スクリーンを製作した。
【００５２】〔比較例２〕Ｇｄ及びＴｂのモル比が化学
量論的に（Ｇｄ0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割
合で酸化ガドリニウム（Ｇｄ2 Ｏ3 ）及び酸化テルビウ
ム（Ｔｂ4 Ｏ7 ）を配合して蛍光体原料を調製し、実施
例１における融剤のリン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ
4 ）３６．３ｇの代わりに、リン酸リチウム（Ｌｉ3 Ｐ
Ｏ4 ）７０．０ｇ及びリン酸水素二ナトリウム（Ｎａ2
ＨＰＯ4 ）３０．０ｇを用い、蛍光体原料の焼成条件を
１２００℃で４時間に変更した以外は実施例１と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓであ
る比較例２の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及
び粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は８．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、比較例
２の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして比較例
２の像変換スクリーンを製作した。
量論的に（Ｇｄ0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓとなる割
合で酸化ガドリニウム（Ｇｄ2 Ｏ3 ）及び酸化テルビウ
ム（Ｔｂ4 Ｏ7 ）を配合して蛍光体原料を調製し、実施
例１における融剤のリン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ
4 ）３６．３ｇの代わりに、リン酸リチウム（Ｌｉ3 Ｐ
Ｏ4 ）７０．０ｇ及びリン酸水素二ナトリウム（Ｎａ2
ＨＰＯ4 ）３０．０ｇを用い、蛍光体原料の焼成条件を
１２００℃で４時間に変更した以外は実施例１と同様に
して、組成式（Ｇｄ0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓであ
る比較例２の蛍光体を製造した。この蛍光体の粒子径及
び粒子径分布は、コールターカウンターで測定したとこ
ろ、平均粒子径は８．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）
で表した標準偏差値は０．２５であった。次に、比較例
２の蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして比較例
２の像変換スクリーンを製作した。
【００５３】〔比較例３〕比較例２において、融剤をリ
ン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ）単独で３０．０ｇ
使用し、蛍光体原料の焼成条件を１１００℃で３時間に
変更した以外は比較例２と同様にして、組成式（Ｇｄ
0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓである比較例３の蛍光体
を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コ
ールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
３．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２５であった。次に、比較例３の蛍光体を用い
た以外は実施例１と同様にして比較例３の像変換スクリ
ーンを製作した。
ン酸二水素カリウム（ＫＨ2 ＰＯ4 ）単独で３０．０ｇ
使用し、蛍光体原料の焼成条件を１１００℃で３時間に
変更した以外は比較例２と同様にして、組成式（Ｇｄ
0.995 ，Ｔｂ0.005 ）2 Ｏ2 Ｓである比較例３の蛍光体
を製造した。この蛍光体の粒子径及び粒子径分布は、コ
ールターカウンターで測定したところ、平均粒子径は
３．０μｍ、四分偏差値（Ｑ．Ｄ．）で表した標準偏差
値は０．２５であった。次に、比較例３の蛍光体を用い
た以外は実施例１と同様にして比較例３の像変換スクリ
ーンを製作した。
【００５４】〔実施例１０〕酸化チタン粉末が練り込ま
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例５の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例４の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１０の像変換スクリーンを
作製した。
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例５の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例４の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１０の像変換スクリーンを
作製した。
【００５５】〔実施例１１〕酸化チタン粉末が練り込ま
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例８の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例４の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１１の像変換スクリーンを
作製した。
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例８の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例４の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１１の像変換スクリーンを
作製した。
【００５６】〔実施例１２〕酸化チタン粉末が練り込ま
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例９の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例６の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１２の像変換スクリーンを
作製した。
れた光反射効果を有するポリエチレンテレフタレートの
支持体表面上に、実施例９の像変換スクリーン作製時に
調製された蛍光体塗布液を、乾燥後の蛍光体塗布重量が
およそ２０ｍｇ／ｃｍ2 となるようにナイフコーターを
用いて均一に塗布した。次いで、支持体上に塗布された
蛍光体塗布液が乾燥しないうちにその上に実施例６の像
変換スクリーン作製時に調製された蛍光体塗布液を、乾
燥後の蛍光体塗布重量がおよそ５０ｍｇ／ｃｍ2 となる
ようにナイフコーターを用いて均一に塗布し乾燥し、さ
らに、その表面に膜厚約６μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる保護層をラミネートして、蛍光
体層を２層に積層して実施例１２の像変換スクリーンを
作製した。
【００５７】〔比較例４〕実施例１０において、実施例
５の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液に代えて、比較
例３の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液を使用し、実
施例４の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液に代えて、
比較例２の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液を使用し
た以外は実施例１０の像変換スクリーンと同様にして比
較例４の像変換スクリーンを作製した。
５の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液に代えて、比較
例３の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液を使用し、実
施例４の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液に代えて、
比較例２の像変換スクリーン用の蛍光体塗布液を使用し
た以外は実施例１０の像変換スクリーンと同様にして比
較例４の像変換スクリーンを作製した。
【００５８】上述のようにして得られた実施例１〜９の
蛍光体並びに比較例１〜３の蛍光体について、コールタ
ーカウンターにより測定した平均粒子径並びに四分偏差
値（Ｑ．Ｄ．）で表した粒子径分布の標準偏差値を、蛍
光体中のＺｎの含有量を含む各蛍光体の組成と共に表１
に示す。また、表２に各像変換スクリーンの蛍光体層に
用いた蛍光体の組成と共に、上述のようにして得た実施
例１〜１２の像変換スクリーン並びに比較例１〜４の像
変換スクリーンについて、実施例１の像変換スクリーン
と同じ測定条件で測定した発光輝度並びに残光量をそれ
ぞれ比較例１の像変換スクリーンの発光輝度並びに残光
量に対する相対値で示した。
蛍光体並びに比較例１〜３の蛍光体について、コールタ
ーカウンターにより測定した平均粒子径並びに四分偏差
値（Ｑ．Ｄ．）で表した粒子径分布の標準偏差値を、蛍
光体中のＺｎの含有量を含む各蛍光体の組成と共に表１
に示す。また、表２に各像変換スクリーンの蛍光体層に
用いた蛍光体の組成と共に、上述のようにして得た実施
例１〜１２の像変換スクリーン並びに比較例１〜４の像
変換スクリーンについて、実施例１の像変換スクリーン
と同じ測定条件で測定した発光輝度並びに残光量をそれ
ぞれ比較例１の像変換スクリーンの発光輝度並びに残光
量に対する相対値で示した。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【表２】
【００６１】表１及び表２から分かるように、発光輝度
の点では粒子径のほぼ等しい蛍光体を用いた像変換スク
リーン同士で比較すると、本発明の蛍光体を蛍光体層と
して用いた本発明の実施例１〜３の像変換スクリーンは
従来の蛍光体を蛍光体層として用いた比較例１の像変換
スクリーンに比べ、また、本発明の蛍光体を蛍光体層と
して用いた実施例５の像変換スクリーンは従来の蛍光体
を蛍光体層として用いた比較例３の像変換スクリーンに
比べて、それぞれ発光輝度の著しい向上が見られた。そ
して、蛍光体層を２層構造とした像変換スクリーンにお
いても、実施例１０の本発明の像変換スクリーンは比較
例４の従来の像変換スクリーンに比べて発光輝度が著し
く向上していた。また、下層側にＺｎを含有し、体色が
白く粉体反射率の高い本発明の小粒子蛍光体からなる蛍
光体層を配した実施例１１及び１２の像変換スクリーン
も比較例４の従来の像変換スクリーンに比べて発光輝度
が著しく向上していた。一方、残光の程度も各実施例と
比較例との比較から分かるように、本発明の像変換スク
リーンの残光は、従来の像変換スクリーンの残光に比べ
て、１／１０〜１／２０程度低下していた。
の点では粒子径のほぼ等しい蛍光体を用いた像変換スク
リーン同士で比較すると、本発明の蛍光体を蛍光体層と
して用いた本発明の実施例１〜３の像変換スクリーンは
従来の蛍光体を蛍光体層として用いた比較例１の像変換
スクリーンに比べ、また、本発明の蛍光体を蛍光体層と
して用いた実施例５の像変換スクリーンは従来の蛍光体
を蛍光体層として用いた比較例３の像変換スクリーンに
比べて、それぞれ発光輝度の著しい向上が見られた。そ
して、蛍光体層を２層構造とした像変換スクリーンにお
いても、実施例１０の本発明の像変換スクリーンは比較
例４の従来の像変換スクリーンに比べて発光輝度が著し
く向上していた。また、下層側にＺｎを含有し、体色が
白く粉体反射率の高い本発明の小粒子蛍光体からなる蛍
光体層を配した実施例１１及び１２の像変換スクリーン
も比較例４の従来の像変換スクリーンに比べて発光輝度
が著しく向上していた。一方、残光の程度も各実施例と
比較例との比較から分かるように、本発明の像変換スク
リーンの残光は、従来の像変換スクリーンの残光に比べ
て、１／１０〜１／２０程度低下していた。
【００６２】
【発明の効果】本発明の蛍光体は、上記の構成を採用す
ることによって、緑色系の波長領域に分光感度を有する
光半導体等の光電変換素子の受光感度に合致し、かつ短
残光の発光を示すので、光電変換素子と組み合わせるこ
とにより、高感度の発光を呈する放射線像変換スクリー
ンの提供を可能にし、これを用いた本発明の撮像装置で
は、撮像系の感度が向上するため撮影時の患者など被写
体の被曝線量を低減させることができ、残像等の影響に
よる画質低下のない高画質の放射線像を得ることができ
るようになった。
ることによって、緑色系の波長領域に分光感度を有する
光半導体等の光電変換素子の受光感度に合致し、かつ短
残光の発光を示すので、光電変換素子と組み合わせるこ
とにより、高感度の発光を呈する放射線像変換スクリー
ンの提供を可能にし、これを用いた本発明の撮像装置で
は、撮像系の感度が向上するため撮影時の患者など被写
体の被曝線量を低減させることができ、残像等の影響に
よる画質低下のない高画質の放射線像を得ることができ
るようになった。
【図１】本発明のＴｂ、Ｄｙ、Ｃｅ共付活酸硫化ガドリ
ニウム蛍光体（曲線ａ）、及び従来のＴｂ付活酸硫化ガ
ドリニウム蛍光体（曲線ｂ）にＸ線を照射して発光させ
た時の発光スペクトルを示した図である。
ニウム蛍光体（曲線ａ）、及び従来のＴｂ付活酸硫化ガ
ドリニウム蛍光体（曲線ｂ）にＸ線を照射して発光させ
た時の発光スペクトルを示した図である。
【図２】酸硫化ガドリニウム蛍光体を用いた放射線像変
換スクリーンにおいて、Ｓｉフォトダイオードで測定し
た発光輝度の、Ｄｙの含有量依存性を示した図である。
換スクリーンにおいて、Ｓｉフォトダイオードで測定し
た発光輝度の、Ｄｙの含有量依存性を示した図である。
【図３】酸硫化ガドリニウム蛍光体を用いた放射線像変
換スクリーンにおいて、Ｓｉフォトダイオードで測定し
た発光輝度の、Ｔｂの含有量依存性を示した図である。
換スクリーンにおいて、Ｓｉフォトダイオードで測定し
た発光輝度の、Ｔｂの含有量依存性を示した図である。
【図４】酸硫化ガドリニウム蛍光体を用いた増感紙にお
いて、写真感度のＤｙの含有量依存性を示した図であ
る。
いて、写真感度のＤｙの含有量依存性を示した図であ
る。
【図５】本発明の放射線像撮像装置のブロック図であ
る。
る。
【図６】本発明の放射線像撮像装置の像変換部の概念図
である。
である。
１ 像変換部、２ 像変換スクリーン、３ 光電変換素
子、３１ 光半導体素子、３２ スイッチング素子、４
演算処理部、５ 増幅部、６ ＡＤ変換部、７ 演算
・記憶部、８ 画像表示部。
子、３１ 光半導体素子、３２ スイッチング素子、４
演算処理部、５ 増幅部、６ ＡＤ変換部、７ 演算
・記憶部、８ 画像表示部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｋ
Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｂ
Ｆターム(参考） 2G083 AA02 AA04 AA08 AA09 DD02
DD11 DD12 DD13 EE03 EE04
2G088 EE01 EE27 EE29 FF02 GG10
GG19 JJ05
4G076 AA02 AA18 AB02 AB03 AB09
AB10 AC04 BA38 BB02 BC08
CA10 DA11
4H001 CA02 CA08 XA08 XA16 XA30
XA58 XA64 XA65 XA66 YA30
Claims (9)
- 【請求項１】 下記組成式で表され、放射線による励起
下で主として緑色の蛍光を発生することを特徴とするデ
ジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 （Ｇｄ1-x-y-z , Ｔｂx , Ｄｙy , Ｃｅz ) 2 Ｏ2 Ｓ （式中、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ１．２×１０-3≦ｘ≦
１．９×１０-2、５×１０-4≦ｙ≦１．９×１０-2及び
１０-8≦ｚ≦８×１０-7なる条件を満たす数である。） - 【請求項２】 前記蛍光体が亜鉛（Ｚｎ）を含有するこ
とを特徴とする請求項１記載のデジタルラジオグラフィ
用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 - 【請求項３】 前記亜鉛（Ｚｎ）の含有量が１０〜１０
０ｐｐｍであることを特徴とする請求項２記載のデジタ
ルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 - 【請求項４】 前記蛍光体の平均粒子径が１〜５μｍの
範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載のデジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍
光体。 - 【請求項５】 前記蛍光体の発光スペクトルの最大ピー
ク波長が５２０〜５８０ｎｍの波長域にあることを特徴
とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のデジタルラ
ジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍光体。 - 【請求項６】 支持体上に結合剤と蛍光体との混合物か
らなる蛍光体層を形成してなる放射線像変換スクリーン
において、前記蛍光体が請求項１〜５のいずれか１項に
記載のデジタルラジオグラフィ用酸硫化ガドリニウム蛍
光体からなることを特徴とする放射線像変換スクリー
ン。 - 【請求項７】 前記蛍光体層が複数層からなることを特
徴とする請求項６記載の放射線像変換スクリーン。 - 【請求項８】 少なくとも前記支持体と接する前記蛍光
体層が請求項４記載のデジタルラジオグラフィ用酸硫化
ガドリニウム蛍光体からなることを特徴とする請求項７
記載の放射線像変換スクリーン。 - 【請求項９】 被写体を透過した放射線を吸収して前記
被写体の放射線蛍光像を形成する放射線像変換スクリー
ンと、前記スクリーンをマトリックス状に２次元的に微
細に分割した各領域毎に配置した複数の光電変換素子
と、前記放射線蛍光像に対応する各光電変換素子からの
配置信号及び検出信号を演算処理して２次元的に合成し
て前記放射線蛍光像に対応するデジタル画像信号を出力
する演算処理手段と、前記演算処理手段からの前記デジ
タル画像信号を入力して前記放射線蛍光像を再生する画
像再生手段とを少なくとも備えた放射線像の撮像装置に
おいて、前記放射線像変換スクリーンとして請求項６〜
８のいずれか１項に記載の放射線像変換スクリーンを使
用したことを特徴とする放射線像を撮像する装置。
Priority Applications (3)
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| JP2002132348A JP4097455B2 (ja) | 2001-06-25 | 2002-05-08 | デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置 |
| DE10228138.6A DE10228138B4 (de) | 2001-06-25 | 2002-06-24 | Gadoliniumoxysulfid-Leuchtstoff für die digitale Radiographie, Radiographischer Bildumwandlungsschirm und Radiograph-bildende Vorrichtung |
| US10/176,605 US6676854B2 (en) | 2001-06-25 | 2002-06-24 | Gadorinium oxysulfide phosphor for digital radiography, radiographic image conversion screen and radiograph-forming device |
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| JP2001-191427 | 2001-06-25 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=26617502
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
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| DE (1) | DE10228138B4 (ja) |
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| JP2018189425A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 三菱ケミカル株式会社 | Ｘ線像変換スクリーン、ｘ線撮影装置、及びｘ線検査装置 |
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| CN101486909B (zh) * | 2009-02-16 | 2012-07-04 | 昆明理工大学 | 一种绿色荧光粉及其制备方法 |
| CN106373631B (zh) * | 2016-10-24 | 2024-05-10 | 上海健康医学院 | 一种用于x射线探测的荧光屏及其制备方法 |
| CN109370583A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-02-22 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 硫氧化钆粉体的制备方法及其产品和应用 |
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| CN113287176A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-08-20 | 株式会社东芝 | 荧光板、x射线检测器及x射线检查装置 |
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| JPS6279284A (ja) | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | 希土類螢光体 |
| DE3874985T2 (de) | 1987-07-16 | 1993-04-08 | Kasei Optonix | Radiographischer verstaerkungsschirm. |
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- 2002-05-08 JP JP2002132348A patent/JP4097455B2/ja not_active Expired - Fee Related
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