CN106463194A - 闪烁体面板、放射线图像检测装置及其制造方法 - Google Patents

闪烁体面板、放射线图像检测装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供可靠性高的闪烁体面板,其能够通过简便的方法来显著地抑制荧光体的发射光的散射、得到必要且充分的强度的发射光,从而能够得到清晰性优异的图像。本发明提供闪烁体面板,其具备基板以及含有荧光体粉末的荧光体层,上述荧光体层在表面上具有多个凹坑,上述凹坑的开口部的面积A为500~70000μm2,上述凹坑的深度D与上述荧光体层的厚度T之比D/T为0.1~0.9。

Description

闪烁体面板、放射线图像检测装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及闪烁体面板、放射线图像检测装置及其制造方法。
背景技术
以往,在医疗现场广泛利用使用膜得到的放射线图像。但是,使用膜得到的放射线图像是模拟图像信息,因此近年来开发了计算机放射成像(computed radiography:CR)、平板型检测器(flat panel detector:以下记作“FPD”)等数字方式的放射线图像检测装置。
FPD存在直接方式和间接方式,在间接方式中,为了将放射线转换成可见光而使用闪烁体面板。闪烁体面板具备含有碘化铯(CsI)或硫氧化钆(GOS)等荧光体的荧光体层作为构成要素,根据所照射的放射线而使荧光体发出可见光,并通过TFT、CCD将该发射光转换成电信号,从而将放射线的信息转换成数字图像信息。
作为形成荧光体层的方法,将糊状的荧光体粉末的涂膜制成荧光体层的方法是简便的,但荧光体的发射光在涂膜内部发生散射,图像的清晰性极低。因此,为了抑制荧光体的发射光的散射、高效率地利用发射光,提出了下述方法:交互地配置由大粒径的荧光体形成的荧光体层和由小粒径的荧光体形成的荧光体层的方法(专利文献1);设置用于将荧光体层进行区隔的隔壁的方法(专利文献2~4);通过蒸镀法形成CsI等柱状晶体结构的荧光体,并将荧光体的发射光诱导至TFT、CCD,从而改善S/N比的方法(专利文献5和6)等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-215253号公报
专利文献2:日本特开平5-60871号公报
专利文献3:日本特开2011-188148号公报
专利文献4:日本特开2011-007552号公报
专利文献5:日本特开2012-242355号公报
专利文献6:日本特开2013-117547号公报。
发明内容
发明要解决的问题
然而现状在于,在交互地设置荧光体粒径不同的层的方法、设置隔壁的方法中,无法充分地抑制荧光体的发射光的散射,无法得到必要强度的发射光。此外,在将柱状晶体结构的CsI等制成荧光体层的方法中,被视作问题的是柱状晶体结构的化学稳定性低、容易发生因异物混入而引起的面板画质的劣化。
因此,本发明的目的在于提供可靠性高的闪烁体面板,其能够通过简便的方法来显著地抑制荧光体的发射光的散射、得到必要且充分的强度的发射光,从而得到清晰性优异的图像。
用于解决问题的方法
上述课题通过下述的技术手段中的任一种来实现。
闪烁体面板,其为具备基板以及含有荧光体粉末的荧光体层的闪烁体面板,上述荧光体层在表面上具有多个凹坑,上述凹坑的开口部的面积A为500~70000μm2,上述凹坑的深度D与上述荧光体层的厚度T之比D/T为0.1~0.9。
放射线图像检测装置,其具备上述闪烁体面板。
放射线图像检测装置的制造方法,其为具备上述闪烁体面板和检测基板的放射线图像检测装置的制造方法,所述检测基板具备与该闪烁体面板的上述凹坑相对的光电转换元件,所述制造方法具备下述步骤:(A)上述凹坑与上述光电转换元件的位置对准步骤;以及(B)上述闪烁体面板与上述检测基板的贴合步骤。
发明的效果
根据本发明,可以提供可靠性优异的闪烁体面板,其能够通过简便的方法来显著地抑制荧光体的发射光的散射、确保必要且充分的强度的发射光,从而实现清晰性极高的图像。
附图说明
图1是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备本发明的闪烁体面板的一个方式。
图2是示意性地示出本发明的闪烁体面板的一个方式的构成的立体图。
图3是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备本发明的闪烁体面板的一个方式。
图4是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备本发明的闪烁体面板的一个方式。
图5是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备本发明的闪烁体面板的一个方式。
图6是示意性地示出本发明的闪烁体面板的一个方式的构成的截面图。
图7是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备具有隔壁的本发明的闪烁体面板的一个方式。
图8是示意性地示出具有隔壁的本发明的闪烁体面板的一个方式的构成的立体图。
图9是示意性地示出具有隔壁的本发明的闪烁体面板的一个方式中的隔壁、缓冲层和基板的截面图。
图10是示意性地示出具有隔壁的本发明的闪烁体面板的一个方式的构成的截面图。
具体实施方式
本发明的闪烁体面板的特征在于,具备基板以及含有荧光体粉末的荧光体层,上述荧光体层在表面上具有多个凹坑,上述凹坑的开口部的面积A为500~70000μm2,上述凹坑的深度D与上述荧光体层的厚度T之比D/T为0.1~0.9。
以下,使用附图针对本发明的闪烁体面板的具体构成进行说明,但本发明不受它们的限定。
图1、3~5和7是示意性地示出具备本发明的闪烁体面板的放射线图像检测装置的构成的截面图。图2和8是示意性地示出本发明的闪烁体面板的构成的立体图。放射线图像检测装置1包括闪烁体面板2、检测基板3和电源部13。
闪烁体面板2具备基板4以及形成于基板4上的含有荧光体粉末的荧光体层7。荧光体层7在表面上具有多个凹坑。
检测基板3在基板12上具备光电转换层10和输出层11,所述光电转换层10中以二维状形成有由光电转换元件和TFT构成的像素。介由粘接层9使闪烁体面板2的出射光面与检测基板3的光电转换层10粘接或密合,由此构成放射线图像检测装置1。此时,使前述光电转换元件的像素与前述荧光体层表面中的1个以上的凹坑相对应。一个像素可以对应1个凹坑,一个像素也可以对应2个以上的凹坑。优选光电转换元件的1个像素所对应的荧光体层的凹坑数量是均一的。
入射至放射线图像检测装置1中的放射线被荧光体层7中含有的荧光体吸收,从而放射出可见光。以下将以这样的方式由荧光体放射出的光称为“荧光体的发射光”。到达光电转换层10的荧光体的发射光在光电转换层10中进行光电转换,通过输出层11而以电信号的形式输出。
作为闪烁体面板的基板的材质,可以举出例如具有放射线透过性的玻璃、陶瓷、半导体、高分子化合物或金属。作为玻璃,可以举出例如石英、硼硅酸玻璃或化学强化玻璃。作为陶瓷,可以举出例如蓝宝石、氮化硅或碳化硅。作为半导体,可以举出例如硅、锗、砷化镓、磷化镓或氮化镓。作为高分子化合物,可以举出例如纤维素乙酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、三醋酯、聚碳酸酯或碳纤维强化树脂。作为金属,可以举出例如铝、铁、铜或金属氧化物。
应予说明,出于闪烁体面板的搬运方便性的观点,闪烁体面板逐渐轻量化,因此,基板的厚度优选为2.0mm以下,更优选为1.0mm以下。此外,为了高效率地利用荧光体的发射光,优选为反射率高的基板。作为优选的基板材料,可以举出玻璃或高分子化合物。作为特别优选的例子,可以举出高反射聚酯基板。作为高反射聚酯基板,由于放射线透过性高且比重低,因此,进一步优选为包含空孔的白色聚酯基板。
在基板上形成荧光体层。荧光体层含有荧光体粉末。在此,荧光体粉末是指平均粒径D50为40μm以下的荧光体。作为荧光体,可以举出例如CsI、CsBr、Gd2O2S(以下记作“GOS”)、Gd2SiO5、BiGe3O12、CaWO4、Lu2O2S、Y2O2S、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeBr3、CeI3或LuSiO5。为了提高发光效率,可以向荧光体中添加活化剂。作为活化剂,可以举出例如钠(Na)、铟(In)、铊(Tl)、锂(Li)、钾(K)、铷(Rb)、钠(Na)、铽(Tb)、铈(Ce)、铕(Eu)或镨(Pr),由于化学稳定性高且发光效率高,因此,优选为在GOS中添加有Tb的Tb活化GOS(GOS:Tb)。
荧光体粉末优选为球状、扁平状或棒状等。荧光体的平均粒径D50优选为0.1~40μm,更优选为1.0~25μm,进一步优选为1.0~20μm。另一方面,如果D50低于0.1μm,则存在因荧光体的表面缺陷而无法得到充分的发射光的情况。此外,如果D50大于40μm,则存在各个光电转换元件的检测强度的变动大、无法得到清晰的图像的情况。
荧光体粉末的平均粒径D50可以使用粒度分布测定装置(例如MT3300;日机装株式会社制),将荧光体粉末投入至充满水的试样室中,进行300秒钟的超声波处理后,进行测定。
荧光体层在其表面上具有多个凹坑。在此,荧光体层的表面是指荧光体层中位于与基板相反一侧的面。通过荧光体层所具有的凹坑,能够使荧光体的发射光在此处聚集,能够抑制发射光的散射,因此能够得到更清晰的图像。此外,荧光体层具有凹坑,由此减少了荧光体的发射光在到达光电转换层之前因荧光体而导致的光吸收,能够高效率地利用发射光。
作为荧光体层所具有的凹坑的形状,可以举出例如图1或图3~5所示的形状。
荧光体层的凹坑的开口部的面积A需要为500~70000μm2。如果面积A低于500μm2,则无法使荧光体的发射光在凹坑处聚集,无法抑制发射光的散射。另一方面,如果面积A大于70000μm2,则凹坑大于光电转换元件的像素尺寸,由此各个像素的检测光量产生偏差,因此无法得到清晰的图像。
面积A可以如下求出:使用激光显微镜(例如VK-9500;KEYENCE CORPORATION制),以20倍的倍率从垂直于基板的上方方向扫描荧光体层从而得到图像,对所得图像进行分析从而求出面积A。更具体而言,可以如下求出:在扫描得到的图像中随机地选择5个凹坑,根据各个开口部的形状,测定为了求出面积而在数学上需要的长度(例如,如果开口部的形状为正圆形,则为其直径;如果开口部的形状为正方形,则为一边的长度),从而求出各开口部的面积,然后算出5个点的平均值。
图6中示出示意性地表示本发明的闪烁体面板的一个方式的截面图。闪烁体面板2中,在基板4上形成厚度T的荧光体层7。荧光体层7在表面上具有多个凹坑。将凹坑的开口部的最大宽度记作W、将深度记作D。此外,将互相相邻的凹坑彼此的间隔记作间距P。在此,相邻的凹坑彼此的间隔是指从某一凹坑的开口部的中心点起至相邻的凹坑的中心点为止的距离。
凹坑的开口部的最大宽度W优选为30~300μm,更优选为40~250μm,进一步优选为40~150μm。如果开口部的最大宽度W低于30μm,则存在下述情况:无法使荧光体的发射光聚集于凹坑中、无法通过抑制发射光的散射来得到清晰的图像。另一方面,如果开口部的最大宽度W大于300μm,则光电转换元件的各个像素的检测光量产生偏差,因此存在无法得到清晰的图像的情况。
凹坑的开口部的最大宽度W可以如下求出:使用激光显微镜(例如,VK-9500;KEYENCE CORPORATION制),以20倍的倍率从垂直于基板的上方方向扫描荧光体层从而得到图像,对所得图像进行分析从而求出最大宽度W。更具体而言,可以如下求出:在扫描得到的图像中,随机地选择5个凹坑,针对各个开口部的形状所对应的数学上所需的长度(例如,如果开口部的形状为正圆形,则为其直径;如果开口部的形状为正方形,则为其对角线的长度),算出5个点的平均值。
荧光体层的厚度T优选为120~1000μm,更优选为120~500μm,进一步优选为120~350μm。如果荧光体层的厚度T低于120μm,则存在无法将放射线充分地转换成可见光、无法得到必要强度的发射光的情况。另一方面,如果荧光体厚度T大于1000μm,则存在下述情况:存在于最先被放射线照射的放射线照射方向侧的荧光体的高强度发射光无法到达光电转换层,无法高效率地利用发射光。进一步,变得需要大量的荧光体粉末,闪烁体面板的成本增加。
荧光体层的厚度T可以通过下述方法来测定。首先,将荧光体层在随机选择的无凹坑的位置处沿着垂直于基板的方向进行切断。使用光学显微镜(例如OPTISHOT;NIKONCORPORATION制),以20倍的倍率观察该截面从而得到图像,在所得图像中,随机地选择5个测定位置,测定各个测定位置处的荧光体层的高度。重复该操作5次,将所得高度值的全部(5×5)的平均值作为荧光体层的厚度T。
荧光体层的凹坑的深度D可以如下求出:使用激光显微镜(例如,VK-9500;KEYENCECORPORATION制),以20倍的倍率从垂直于基板的上方方向扫描荧光体层从而得到图像,对所得图像进行分析从而求出深度D。更具体而言,可如下求出:在扫描得到的图像中,随机地选择5个凹坑,算出垂直于基板的方向上的由各个开口部起至最深部为止的距离的平均值,从而求出凹坑的深度D。
荧光体层的凹坑的深度D与荧光体层的厚度T之比D/T必须为0.1~0.9,优选为0.2~0.8。如果D/T小于0.1,则无法将放射线充分地转换成可见光,无法得到必要强度的发射光。此外,在凹坑处聚集的荧光体的发射光泄漏至基板侧而不会到达光电转换层,发射光的利用效率降低。另一方面,如果D/T大于0.9,则无法使荧光体的发射光聚集至凹坑中,无法通过抑制发射光的散射来得到清晰的图像。
荧光体层优选在表面上具有500~50000个/cm2的凹坑,进一步更优选为具有1200~15000个/cm2的凹坑。如果凹坑的数量低于500个/cm2,则存在光电转换元件的1个像素所对应的荧光体层的凹坑数量的偏差变大、无法得到清晰的图像的情况。另一方面,如果凹坑的数量大于50000个/cm2,则无法使荧光体的发射光聚集至凹坑中,进一步荧光体粉末的量降低,因此存在无法得到必要强度的发射光的情况。
荧光体层所具有的凹坑数量可以如下求出:使用光学显微镜(例如OPTISHOT;NIKON CORPORATION制),以20倍的倍率从垂直于基板的上方方向扫描荧光体层从而得到图像,对所得图像进行分析从而求出凹坑数量。更具体而言,可以如下求出:在扫描得到的图像中,分别测定随机选择的10处1mm2区域中的凹坑数量,将其平均值转换成平均1cm2的值来求出。
互相相邻的凹坑彼此的间距P根据所对应的光电转换元件的间距来适当变更即可,优选为50~350μm的范围,更优选为50~280μm的范围。此外,相邻的凹坑彼此的间距P优选为前述范围内的恒定值。即,对于荧光体层所具有的凹坑,为了使与光电转换元件的平均1个像素所对应的凹坑数量达到均一,优选以50~350μm的范围内的恒定值等间隔地进行配置。如果间距P低于50μm,则存在无法在凹坑处聚集荧光体的发射光的情况。另一方面,如果间距P大于350μm,则存在难以使光电转换元件的平均1个像素对应1个以上的凹坑。间距P更优选为50~280μm的范围内的恒定值。
互相相邻的凹坑彼此的间距P如下求出:使用激光显微镜(例如VK-9500;KEYENCECORPORATION制),以20倍的倍率从垂直于基板的上方方向扫描荧光体层从而得到图像,对所得图像进行分析来求出间距P。更具体而言,在扫描得到的图像中,随机地测定10个由凹坑的开口部的中心点起至相邻凹坑的中心点为止的距离,算出其平均值,记作凹坑的间距P。
荧光体层所具有的凹坑形状优选为如下形状:平行于基板的方向的凹坑的截面面积在开口部处为最大,即使凹坑的深度D变大,该水平方向的面积也不会变化,或者,随着深度D变大,该水平方向的面积变小。荧光体层所具有的凹坑形状优选为以开口部作为底面的大致圆锥状等。在此,大致圆锥状的“大致”是指:凹坑形状不需要是严密意义上的圆锥,底面(凹坑的开口部形状)可以为椭圆,或者顶点(凹坑的最深部形状)可以如图2所示那样地带有弧度。通过使凹坑为这样的形状,在凹坑处聚集的发射光不会被封闭于凹坑的内部,从而能够高效率地利用发射光。
作为在基板上形成荧光体层的方法,可以举出在基板上涂布含有荧光体粉末的糊剂、即荧光体糊剂,从而形成涂膜的方法。通过在以这样的方式得到的荧光体糊剂的涂膜上形成凹坑,能够得到在表面上具有多个凹坑的荧光体层。作为用于得到涂膜的荧光体糊剂的涂布方法,可以举出例如丝网印刷法、棒涂机、辊涂机、模具涂布机或刮刀涂布机。
荧光体糊剂可以含有有机粘接剂。作为有机粘接剂,可以举出例如聚乙烯醇丁缩醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯、聚甲基硅氧烷或聚甲基苯基硅氧烷等硅树脂、聚苯乙烯、丁二烯/苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚乙烯基吡咯烷酮、聚酰胺、高分子量聚醚、环氧乙烷与环氧丙烷的共聚物、聚丙烯酰胺或丙烯酸树脂。
荧光体糊剂可以含有有机溶剂。荧光体糊剂含有有机粘接剂时,优选有机溶剂是其良溶剂且氢键力大。作为这样的有机溶剂,可以举出例如二乙二醇单丁醚乙酸酯、乙二醇单丁醚醇、二乙二醇单丁醚、甲乙酮、环己酮、异丁醇、异丙醇、松油醇、苯甲醇、四氢呋喃、二甲亚砜、二氢松油醇、γ-丁内酯、乙酸二氢松油酯、3-甲氧基-3-甲基-甲基丁醇、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、N,N-二甲基甲酰胺、己二醇或溴苯甲酸。
荧光体糊剂为了调整其粘度而可以含有增稠剂、增塑剂或抗沉降剂。
作为在荧光体糊剂的涂膜上形成凹坑的方法,可以举出例如蚀刻法、模具压制法、喷砂法、感光性糊剂法等。特别地,使用加压机将形成有与凹坑对应的凸型图案的模具挤压至荧光体糊剂涂膜中的方法由于步骤数少、荧光体糊剂材料的选择性高、能够抑制凹坑形成后在荧光体糊剂涂膜中的杂质混入,故而优选。模具的材料可以是金属、陶瓷、树脂,优选为透明或白色的陶瓷。此外,模具上形成的凸型图案如上所述是与凹坑对应的图案,因此,按照目标凹坑的形状和间距来形成。具体而言,优选的是按照上述的优选凹坑的形状和间距来形成模具的凸型图案。
具体而言,优选在荧光体糊剂涂膜上以0.1~100MPa对形成有凸型图案的模具进行施压,更优选以0.3~10MPa进行施压。进一步,用模具进行施压时,通过加热至25~200℃,能够适合地在荧光体糊剂涂膜上形成凹坑。
闪烁体面板优选还具有将荧光体层区隔成多个单元(cell)的隔壁。
图7是示意性地示出放射线图像检测装置的构成的截面图,所述放射线图像检测装置具备具有隔壁的方式的闪烁体面板。图7所示的闪烁体面板2具备基板4、载置在基板4上的隔壁6、以及被隔壁6区隔成多个单元的荧光体层7。荧光体层7也具有多个凹坑。
基板4与隔壁6之间优选形成有缓冲层5。通过形成缓冲层5,能够稳定地形成隔壁6。此外,通过提高该缓冲层5相对于可见光的反射率,能够使荧光体层7所含有的荧光体粉末的发射光高效率地到达检测基板上3的光电转换层10。
进一步,通过在被隔壁6区隔开的各单元内形成反射率高的反射层8,能够使荧光体层7所含有的荧光体粉末的发射光高效率地到达检测基板3的光电转换层10。
荧光体层被隔壁区隔开,因此,使在检测基板3上配置成格子状的光电转换元件的像素的大小和间距与闪烁体面板2的被隔壁区隔开的单元的大小和间距相对应,从而配置光电转换层10中的光电转换元件,由此能够防止荧光体的发射光的散射影响相邻的单元。
隔壁的高度h优选为120~1000μm,更优选为160~500μm。如果高度h大于1000μm,则存在难以形成隔壁的情况。另一方面,如果高度h小于120μm,则荧光体粉末的量会降低,因此存在无法得到必要强度的发射光的情况。
隔壁的形状按照检测基板所具备的光电转换元件的像素的形状来适当选择即可,优选为图8所示那样的格子状。作为区隔成格子状的单元的开口部的形状,可以举出例如正方形、长方形、平行四边形或梯形,由于使发射光的强度变得更均匀,因此优选为正方形。
在格子状的隔壁中,互相相邻的隔壁之间的距离、即间距P'优选为50~1000μm。如果间距P'小于50μm,则存在难以形成隔壁的情况。另一方面,如果间距P'大于1000μm,则存在无法得到清晰的图像的情况。
隔壁的底部宽度Wb优选为15~150μm。隔壁的50%高度位置的宽度Wm优选为15~120μm。隔壁的75%高度位置的宽度Ws和隔壁的顶部宽度Wt优选为80μm以下。如果宽度Wb和宽度Wm小于15μm,则容易产生隔壁的缺损等。另一方面,如果宽度Wb大于150μm或者宽度Wm大于120μm,则荧光体粉末的量会降低,因此存在无法得到必要强度的发射光的情况。如果宽度Ws和Wt大于80μm,则存在下述情况:荧光体的发射光的行进受到阻碍从而无法到达光电转换层,发射光的利用效率会降低。应予说明,宽度Wb是指如图9所示那样,在将隔壁沿着其高度方向且垂直于长度方向切断时得到的截面中,隔壁与基板或缓冲层接触的位置处的隔壁宽度。在此,在格子状的隔壁中,在间距P'的一半位置处进行切断。此外,宽度Wm是指相同截面中的高度为隔壁的高度h的50%的位置处的隔壁宽度。宽度Ws是指相同截面中的高度为隔壁的高度h的75%的位置处的隔壁宽度。宽度Wt是指相同截面中的高度为隔壁的高度h的90%的位置处的隔壁宽度。对于高度h、宽度Wb、宽度Wm、宽度Ws和宽度Wt,可以用SEM观察隔壁的截面并测定3处以上,算出它们的平均值,从而求出。应予说明,为了使荧光体的发射光高效地到达光电转换层,隔壁的截面优选为其宽度从隔壁的底部朝向顶部逐渐减小的形状,即图7和图9所示那样的锥形。
作为隔壁的材质,可以举出例如丙烯酸系树脂、聚酯系树脂或环氧系树脂等树脂、玻璃或金属。从生产率和机械强度的观点出发,优选以玻璃作为主要成分。在此,以玻璃作为主要成分是指玻璃在隔壁中所占的比例为60质量%以上。该比例更优选为70质量%以上。
作为形成隔壁的方法,可以举出例如蚀刻法、丝网印刷法、喷砂法、模具转印法或感光性糊剂法。为了得到高精细的隔壁,优选为感光性糊剂法。
感光性糊剂法是指具备下述步骤的隔壁的形成方法:涂布步骤,在基板上涂布含有感光性有机成分的感光性糊剂,形成感光性糊剂涂膜;曝光步骤,介由具有期望开口部的光掩模对所得感光性糊剂涂膜进行曝光;以及,显影步骤,将曝光后的感光性糊剂涂膜的可溶于显影液的部分溶解除去。
此外,还优选进一步具备以下步骤:烧成步骤,使上述感光性糊剂内含有低熔点玻璃粉末,将显影步骤后的感光性糊剂图案加热至高温从而分解蒸馏除去有机成分,并且使低熔点玻璃软化并烧结,从而形成隔壁。
烧成步骤中的加热温度优选为500~700℃,更优选为500~650℃。如果加热温度为500℃以上,则有机成分完全被分解蒸馏除去,并且低熔点玻璃粉末得以软化并烧结。另一方面,如果加热温度大于700℃,则存在基板等的变形变大的情况。
感光性糊剂优选含有有机成分和无机粉末。无机粉末在感光性糊剂中所占的比例优选为30~80质量%,更优选为40~70质量%。如果无机粉末的比例小于30质量%、即如果有机成分过多,则烧成步骤中的收缩率变大,容易产生隔壁的缺损。另一方面,如果无机粉末的含量大于80质量%、即如果有机成分过小,则不仅对感光性糊剂的稳定性、涂布性造成不良影响,无机粉末的分散性也会降低,从而容易产生隔壁的缺损。此外,低熔点玻璃粉末在无机粉末中所占的比例优选为50~100质量%。如果低熔点玻璃粉末的比例小于50质量%,则存在烧结变得不充分、隔壁的强度降低的情况。
低熔点玻璃粉末的软化温度优选为480℃以上。如果软化温度小于480℃,则存在下述情况:有机成分未被分解蒸馏除去而直接残留在玻璃中,从而成为着色等的原因。如果考虑到烧成步骤中的加热温度,则低熔点玻璃的软化温度优选为480~700℃,更优选为480~640℃,进一步优选为480~620℃。
低熔点玻璃的软化温度可以通过下述方式算出:使用差示热分析装置(例如差动型差示热天平TG8120;RIGAKU CORPORATION制),由测定样品而得到的DTA曲线通过切线法来外推吸热峰中的吸热结束温度,从而算出。更具体而言,以氧化铝粉末作为标准试样,将差示热分析装置以20℃/分钟从室温进行升温,测定成为测定样品的低熔点玻璃粉末,得到DTA曲线。可以根据所得DTA曲线,通过切线法外推吸热峰中的吸热结束温度从而求出软化点Ts,将所述软化点Ts作为低熔点玻璃的软化温度。
低熔点玻璃的热膨胀系数优选为40~90×10-7(/K)。如果热膨胀系数大于90×10-7(/K),则存在所得闪烁体面板的翘曲变大、图像的清晰度因发射光的串扰等而降低的情况。另一方面,如果热膨胀系数小于40×10-7(/K),则存在低熔点玻璃的软化温度不会充分变低的情况。
作为用于降低玻璃的熔点的含有成分,可以举出例如氧化铅、氧化铋、氧化锌或碱金属氧化物。优选通过选自氧化锂、氧化钠和氧化钾中的碱金属氧化物的含有比例来调整低熔点玻璃的软化温度。
碱金属氧化物在低熔点玻璃中所占的比例优选为2~20质量%。如果碱金属氧化物的比例小于2质量%,则低熔点玻璃的软化温度变高,在烧成步骤中需要在高温下进行加热,基板容易产生形变或者隔壁容易产生缺损。另一方面,如果碱金属氧化物的比例大于20质量%,则在烧成步骤中低熔点玻璃的粘度过度降低,所得隔壁的形状容易产生形变。此外,所得隔壁的空隙率变得过小,所得闪烁体面板中无法得到必要强度的发射光。
低熔点玻璃中除了含有碱金属氧化物之外,为了调整高温下的粘度,优选还含有3~10质量%的氧化锌。如果氧化锌的比例小于3质量%,则低熔点玻璃在高温下的粘度变得过高。另一方面,如果氧化锌的比例大于10质量%,则低熔点玻璃的成本上升。
进一步,低熔点玻璃除了含有上述碱金属氧化物和氧化锌之外,还含有氧化硅、氧化硼、氧化铝和碱土金属的氧化物等,由此能够调整低熔点玻璃的稳定性、结晶性、透明性、折射率和热膨胀特性等。作为碱土金属的氧化物,优选含有选自镁、钙、钡和锶中的氧化物。
以下示出优选的低熔点玻璃的组成的一例。
碱金属氧化物:2~20质量%
氧化锌:3~10质量%
氧化硅:20~40质量%
氧化硼:25~40质量%
氧化铝:10~30质量%
碱土金属氧化物:5~15质量%。
低熔点玻璃粉末的平均粒径D50优选为1.0~4.0μm。如果平均粒径D50小于1.0μm,则存在低熔点玻璃粉末凝集而导致分散性降低、对糊剂的涂布性造成不良影响的情况。另一方面,如果平均粒径D50大于4.0μm,则隔壁表面的凹凸变大,从而容易成为其缺损的原因。
对于以低熔点玻璃粉末为首的无机粉末的平均粒径D50,可以使用粒度分布测定装置(例如MT3300;日机装株式会社制),将无机粉末投入至充满水的试样室中,进行300秒钟超声波处理后进行测定。
为了控制烧成步骤中的收缩率、保持隔壁形状,感光性糊剂还优选进一步含有作为无机粉末的填料。在此,填料是指即使在700℃下也不会软化的无机粉末。作为填料,优选为高熔点玻璃或氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆等的陶瓷颗粒。但是,填料在无机粉末中所占的比例优选低于50质量%,从而不阻碍低熔点玻璃的烧结。此外,填料的平均粒径D50优选为0.1~4.0μm。
作为感光性糊剂所含有的感光性有机成分,可以举出例如感光性单体、感光性低聚物、感光性聚合物或光聚合引发剂。在此,感光性单体、感光性低聚物和感光性聚合物是指具有活性的碳-碳双键、且通过活性光线的照射而发生光交联或光聚合等从而使化学结构发生变化的单体、低聚物和聚合物。
作为感光性单体,可以举出例如具有乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基或丙烯酰胺基的化合物,优选为多官能丙烯酸酯化合物或多官能甲基丙烯酸酯化合物。为了提高交联密度,多官能丙烯酸酯化合物和多官能甲基丙烯酸酯化合物在有机成分中所占的比例优选为10~80质量%。
作为感光性低聚物和感光性聚合物,可以举出例如将丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、马来酸、富马酸、乙烯基乙酸或它们的酸酐等含有羧基的单体与甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、苯乙烯、丙烯腈、乙酸乙烯酯或2-羟基丙烯酸酯等单体进行共聚而得到的具有羧基的共聚物。作为将活性的碳-碳双键导入至低聚物或聚合物中的方法,可以举出例如使具有缩水甘油基或异氰酸酯基的烯性不饱和化合物、丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯或烯丙基氯、或者马来酸等羧酸与低聚物或聚合物中的巯基、氨基、羟基或羧基发生反应的方法。
应予说明,通过使用具有氨基甲酸酯结构的单体或低聚物,在烧成步骤中的加热开始后产生应力松弛,能够得到图案难以缺损的感光性糊剂。
光聚合引发剂是指通过活性光线的照射而产生自由基的化合物。作为光聚合引发剂,可以举出例如二苯甲酮、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、4,4-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4,4-双(二乙基氨基)二苯甲酮、4,4-二氯二苯甲酮、4-苯甲酰基-4-甲基二苯基甲酮、二苯甲基甲酮、芴酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯偶酰、苯甲基甲氧基乙基乙缩醛、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻丁基醚、蒽醌、2-叔丁基蒽醌、蒽酮、苯并蒽酮、二苯并环庚酮、亚甲基蒽酮(methylene anthrone)、4-叠氮基苯甲叉基苯乙酮、2,6-双(对叠氮基苯甲叉基)环己酮、2,6-双(对叠氮基苯甲叉基)-4-甲基环己酮、1-苯基-1,2-丁二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1,3-二苯基丙三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基丙三酮-2-(O-苯甲酰基)肟、米蚩酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-1-丙酮、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)丁酮-1、萘磺酰氯、喹啉磺酰氯、N-苯基硫代吖啶酮、二硫化苯并噻唑、三苯基膦、过氧化苯偶姻、曙红或亚甲基蓝等光还原性的色素与抗坏血酸或三乙醇胺等还原剂的组合。
感光性糊剂包含具有羧基的共聚物时,在碱性水溶液中的溶解性提高。具有羧基的共聚物的酸值优选为50~150mgKOH/g。如果酸值为150mgKOH/g以下,则显影允许宽度变宽。另一方面,如果酸值为50mgKOH/g以上,则未曝光部相对于显影液的溶解性不会降低,能够使用低浓度的显影液得到细宽度的隔壁图案。具有羧基的共聚物优选在侧链具有烯性不饱和基团。作为烯性不饱和基团,可以举出例如丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基或烯丙基。
感光性糊剂所含有的低熔点玻璃粉末的平均折射率n1与感光性有机成分的平均折射率n2优选满足-0.1≤n1-n2≤0.1的关系,更优选满足-0.01≤n1-n2≤0.01的关系,进一步优选满足-0.005≤n1-n2≤0.005的关系。通过满足这些条件,在曝光步骤中,低熔点玻璃粉末与感光性有机成分的界面处的光散射受到抑制,能够形成更高精细度的图案。
低熔点玻璃粉末的平均折射率n1可以通过贝克线检测法来测定。更具体而言,可以在25℃下的波长为436nm(g线)下进行5次折射率测定,将其平均值作为n1。此外,感光有机成分的平均折射率n2可以通过利用椭圆偏光法对仅由感光性有机成分形成的涂膜进行测定来求出。更具体而言,可以在25℃下的波长为436nm(g线)下进行5次折射率测定,将其平均值作为n2。
作为感光性糊剂的制造方法,可以举出例如向无机粉末和感光性有机成分中根据需要添加有机溶剂等,并用三辊磨或混炼机均匀地混合分散的方法。
感光性糊剂的粘度例如可以通过添加无机粉末、增稠剂、有机溶剂、阻聚剂、增塑剂或抗沉降剂来适当调整。感光性糊剂的粘度优选为2~200Pa·s。通过旋涂法涂布感光性糊剂时,优选为2~5Pa·s,通过丝网印刷法以单次涂布来得到膜厚10~40μm的涂膜时,优选为50~200Pa·s。
以下示出使用感光性糊剂制造隔壁的方法的一例。在基板上的整面或一部分上涂布感光性糊剂来形成感光性糊剂涂膜。作为涂布方法,可以举出例如旋涂法、丝网印刷法或者使用棒涂机、辊涂机、模具涂布机或刮刀涂布机的方法。感光性糊剂涂膜的厚度例如可以通过涂布次数、丝网的网眼或感光性糊剂的粘度来适当调整。
所得感光性糊剂涂膜的曝光通常为介由光掩模进行曝光的方法,也可以用激光等来直接描画从而进行曝光。作为曝光的光,可以举出例如近红外线、可见光线或紫外线,优选为紫外线。作为紫外线的光源,可以举出例如低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、卤素灯或杀菌灯,优选为超高压汞灯。作为曝光条件,可以举出例如使用输出为1~100mW/cm2的超高压汞灯进行0.01~30分钟的曝光。
通过利用曝光后的感光性糊剂涂膜中的曝光部分与未曝光部分相对于显影液的溶解度差异来溶解除去未曝光部分,并根据需要进行水洗(润洗)和干燥,得到隔壁的图案。作为显影方法,可以举出例如浸渍法、喷雾法、刷拭法或超声波法,隔壁的高度h大于300μm时,优选为喷雾法或超声波法。
超声波法是指通过超声波来溶解除去未曝光部分的方法。不仅未曝光部分被显影液侵蚀,曝光部分中的固化不充分的半固化部分也被显影液侵蚀从而进行溶解反应,因此能够形成宽度更细的隔壁图案。应予说明,显影后的水洗(润洗)也可以使用超声波法。
为了使显影液对未曝光部分和曝光部分的侵蚀程度分别达到适当,超声波法中的超声波的频率优选为20~50kHz。基板的每单位面积的超声波强度(功率密度)优选为40~100W/cm2。超声波的照射时间优选为20~600秒,更优选为30~500秒,进一步优选为60~300秒。
感光性糊剂含有具有羧基的共聚物等具有酸性基团的化合物时,可以将碱性水溶液作为显影液。作为碱性水溶液,可以举出例如氢氧化钠、碳酸钠或氢氧化钙等无机碱的水溶液、或者四甲基氢氧化铵、三甲基苯甲基氢氧化铵、单乙醇胺或二乙醇胺等有机碱的水溶液。由于容易在烧成步骤中分解蒸馏除去,因此优选为有机碱水溶液。为了使未曝光部分和曝光部分的溶解程度分别达到适当,有机碱水溶液的浓度优选为0.05~5质量%,更优选为0.1~1质量%。显影时的温度从工序管理的观点出发优选为20~50℃。
应用烧成步骤时,将以上述方式得到的隔壁图案在空气、氮气或氢气等氛围下的烧成炉中进行烧成。作为烧成炉,可以举出例如间歇式的烧成炉或带式的连续型烧成炉。
对包含低熔点玻璃的隔壁的图案进行烧成时,包含低熔点玻璃的无机粉末在烧成步骤中软化并烧结从而互相融合,但其间残留有空隙。隔壁中包含的该空隙的存在比率可以通过烧成步骤的加热温度来调整。为了兼顾荧光体的发射光的有效反射和隔壁的强度,空隙在隔壁整体中所占的比例、即空隙率优选为2~25体积%,更优选为5~25体积%,进一步优选为5~20体积%。如果空隙率低于2%,则存在隔壁的反射率变低、闪烁体面板的发射光量降低的情况。另一方面,如果空隙率大于25%,则存在隔壁的强度不足的情况。
空隙率可以通过在精密研磨隔壁的截面后用电子显微镜进行观察来测定。更具体而言,可以将空隙和空隙之外的源自无机粉末的部分转换成2个灰度的图像,将空隙在隔壁截面中所占的面积比例记作空隙率。
在隔壁与基板之间,为了缓和烧成步骤中的应力,优选形成缓冲层。作为缓冲层的材质,为了提高缓冲层的反射率,优选为低熔点玻璃或陶瓷。作为低熔点玻璃,可以举出与用于形成隔壁的感光性糊剂中含有的玻璃相同的玻璃。作为陶瓷,可以举出例如氧化钛、氧化铝或氧化锆。应予说明,为了不使荧光体的发射光透过缓冲层,缓冲层对波长550nm的光的反射率优选为60%以上。
缓冲层可以通过下述方式形成:将有机成分与低熔点玻璃粉末或陶瓷粉末等无机粉末分散于溶剂从而得到糊剂,将所得糊剂涂布在基板上并干燥从而形成涂膜,进行烧成从而形成缓冲层。烧成温度优选为500~700℃,更优选为500~650℃。
闪烁体面板优选在荧光体层与隔壁之间具备凹形的反射层。在此,凹形是指:各单元内的反射层的上表面、即位于与基板相反一侧的表面为朝向基板侧的凹陷的状态。通过在被隔壁区隔开的各单元内形成凹形的反射层,从而使荧光体的发射光发生反射,能够降低发射光向隔壁侧的泄漏。
作为反射层的材质,可以使用透过放射线、且反射作为荧光体的发射光的波长300~800nm的可见光的材料。由于劣化少,因此优选为银、金、铝、镍或钛等金属或者氧化钛、氧化锆、氧化铝或氧化锌等陶瓷。
凹形反射层的厚度优选为0.01~50μm,更优选为0.1~20μm。如果反射层的厚度为0.01μm以上,则反射率变高。另一方面,如果反射层的厚度大于50μm,则荧光体粉末的量降低,因此发射光变弱。
凹形反射层的厚度可以如下求出:在将隔壁以沿着其高度方向且垂直于长度方向的方式切断时得到的截面中,用SEM测定3处以上的反射层的截面厚度,算出它们的平均值,从而求出厚度。在此,在格子状的隔壁中,在间距P'的一半位置处进行切断。
作为反射膜的形成方法,可以举出例如真空制膜法、镀敷法、糊剂涂布法或基于喷雾的喷射。
作为糊剂涂布法的具体例,可以举出将包含氧化钛、氧化锆、氧化铝或氧化锌等白色陶瓷的粉末、乙基纤维素树脂或聚乙烯醇丁缩醛树脂等粘接剂树脂、和有机溶剂的反射层糊剂填充至被隔壁区隔开的单元内并进行干燥的方法。
闪烁体面板具有隔壁时,从隔壁上方涂布荧光体糊剂,在被隔壁区隔开的单元内填充荧光体糊剂。
作为将荧光体糊剂填充至各单元内的方法,可以举出例如丝网印刷法、棒涂机、辊涂机、模具涂布机或刮刀涂布机。通过在真空下填充荧光体糊剂或者在填充荧光体糊剂后在真空下放置一定时间,从而能够抑制成为图像缺陷原因的荧光体层的空孔的产生。
在该方式中,作为在荧光体层的表面上形成凹坑的方法,可以举出例如将荧光体糊剂填充在单元中后干燥该荧光体糊剂的方法。此时,通过管理荧光体糊剂的粘度、荧光体糊剂的固体成分比率或者干燥条件等,能够将荧光体层所具有的凹坑制成任意形状。此时,荧光体糊剂粘度优选为10~500Pa·s。此外,荧光体糊剂的固体成分比率是指没有因干燥而被蒸馏除去的成分在荧光体糊剂整体中所占的比例。荧光体糊剂的固体成分比率优选为5~95体积%。应予说明,作为干燥方法,可以举出例如热风干燥或IR干燥。
将示意性地示出这样的闪烁体面板的一个方式的截面图示于图10。荧光体层的凹坑的开口部的面积A可以以前述方式来求出。此外,将高度为隔壁的高度h的50%位置处的开口部面积记作Am,将高度为隔壁的高度h的75%位置处的开口部面积记作As。Am和As可以以与开口部面积A同样的方式来测定。
此外,作为在荧光体糊剂的涂膜上形成凹坑的另一方法,可以举出例如将荧光体糊剂填充在单元中后,将其表面用突起物进行压制的方法。
应予说明,闪烁体面板具有隔壁时,各单元内可以形成各1个凹坑,也可以形成多个凹坑。
无论是否具有隔壁,荧光体层均优选由荧光体粉末的填充密度不同的多个层构成。荧光体粉末的填充密度最高的层、即高填充密度荧光体层的反射率高。放射线的照射方向为基板侧时,高填充密度荧光体层优选位于基板侧。此外,通过在被隔壁区隔开的各单元内形成凹形的高填充密度荧光体层,从而使荧光体的发射光发生反射,能够降低发射光对隔壁侧的泄漏。荧光体层的填充密度可如下算出:涂布荧光体糊剂以使得干燥后的涂膜的厚度达到300μm,在常压下在100℃的IR干燥炉中干燥2小时,由所形成的荧光体糊剂涂膜的每单位体积的质量来算出填充密度。高填充密度荧光体层的填充密度优选为3.0g/cm3以上,更优选为4.0g/cm3以上。
设置以这样的方式得到的闪烁体面板与检测基板,从而使得该闪烁体面板的具有前述凹坑的荧光体层与设置于该检测基板上的光电转换元件相对,经过使前述凹坑与前述光电转换元件的位置对准的位置对准步骤、以及将该闪烁体面板与该检测基板介由粘接层粘接的贴合步骤,从而能够得到放射线图像检测装置。
作为使形成有凹坑的闪烁体面板2与形成有光电转换元件的检测基板3进行位置对准的方法,没有特别限定,优选以亮度最高、图像不产生莫尔条纹的方式来进行位置对准。
举出不具有隔壁的方式的闪烁体面板2与检测基板3的位置对准步骤的一例。在闪烁体面板2侧,在荧光体层表面的四角处形成形状与设置于像素部的凹坑的形状不同的凹坑作为对准标记。在此,对准标记的形状没有特别限定,凹坑的形状为大致圆锥状时,优选为例如十字状等。在检测基板3侧形成与闪烁体面板2侧对应的对准标记。通过使闪烁体面板2的对准标记与检测基板3的对准标记进行位置对准,从而能够对准荧光体层表面的凹坑和光电转换元件的位置。对准标记优选形成于比光电转换层的检测区域更靠近外侧的区域中。
举出具有隔壁的方式的闪烁体面板2与形成有光电转换元件的检测基板3的位置对准步骤的一例。在闪烁体面板2侧,在形成有隔壁的区域的四角处形成具有与隔壁形状不同的形状或大小的補助隔壁作为对准标记。在此,補助隔壁的形状没有特别限定,隔壁的形状为格子状时,优选为例如椭圆状等。检测基板3侧形成与闪烁体面板2侧对应的对准标记。通过使闪烁体面板2的補助隔壁与检测基板3的对准标记进行对准,从而能够对准荧光体层表面的凹坑和光电转换元件的位置。補助隔壁优选形成于比光电转换层的检测区域更靠近外侧的区域中。
在位置对准步骤后,通过将闪烁体面板与检测基板介由粘接层粘接,从而得到放射线图像检测装置。通过在检测基板上粘贴粘合片或者涂布粘合剂来形成粘接层。粘接层的厚度优选为0.5~30μm的范围。如果粘接层的厚度低于0.5μm,则粘接力低,故不优选。另一方面,在粘接层的厚度大于30μm的情况中,荧光体层的发射光透过粘接层内时,光发生扩散,因此图像的清晰性降低。
为了使荧光体层的发射光在透过粘接层后被光电转换元件检测到,粘接层的材料优选在荧光体的发射光波长下的光吸收少。作为粘接层的具体例,没有特别限定,可以举出在透明聚酯膜的两面涂布丙烯酸树脂而得到的粘合片等。
实施例
以下举出实施例和比较例来进一步具体地说明本发明,但本发明不受它们的限定。
(隔壁用感光性糊剂的制作)
向38质量份的有机溶剂中添加24质量份的感光性聚合物、6质量份的感光性单体x、4质量份的感光性单体y、6质量份的光聚合引发剂、0.2质量份的阻聚剂和12.8质量份的紫外线吸收剂溶液,在80℃下进行加热溶解。将所得溶液冷却后,添加9质量份粘度调节剂,从而得到隔壁用有机溶液。
具体的材料如下所示。
感光性聚合物:使0.4当量的甲基丙烯酸缩水甘油酯对质量比为甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=40/40/30的共聚物的羧基进行加成反应而得到的聚合物(重均分子量为43000;酸值为100)
感光性单体x:三羟甲基丙烷三丙烯酸酯
感光性单体y:四丙二醇二甲基丙烯酸酯
光聚合引发剂:2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)丁酮-1(IC369;BASF公司制)
阻聚剂:1,6-己二醇-双[(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯])
紫外线吸收剂溶液:γ-丁内酯的0.3质量%溶液(スダンIV;东京应化工业株式会社制)
有机溶剂:γ-丁内酯
粘度调节剂:フローノン(注册商标)EC121(共荣社化学株式会社制)。
向以这样的方式得到的60质量份的隔壁用有机溶液中添加30质量份的低熔点玻璃粉末和10质量份的高熔点玻璃粉末,用三辊磨混炼机进行混炼,从而得到隔壁用感光性糊剂。
具体的组成等如下所示。
低熔点玻璃粉末:SiO2 27质量%、B2O3 31质量%、ZnO 6质量%、Li2O 7质量%、MgO 2质量%、CaO 2质量%、BaO 2质量%、Al2O3 23质量%;软化温度为588℃;热膨胀系数为68×10-7(/K);平均粒径D50为2.3μm
高熔点玻璃粉末:SiO2 30质量%、B2O3 31质量%、ZnO 6质量%、MgO 2质量%、CaO 2质量%、BaO 2质量%、Al2O3 27质量%;软化温度为790℃;热膨胀系数为32×10-7(/K);平均粒径D50为2.3μm。
(缓冲层用糊剂的制作)
向95质量份的上述隔壁用感光性糊剂中添加5质量份的氧化钛粉末(平均粒径D50为0.3μm)并混炼,从而得到缓冲层用糊剂。
(反射层糊剂A的制作)
将5质量份的有机粘接剂(乙基纤维素(100cP))在80℃下加热溶解于80质量份的有机溶剂(松油醇),在所得有机溶液中,添加15质量份的金红石型氧化钛(平均粒径D50为0.25μm)并混炼,从而得到反射层糊剂A。
(反射层糊剂B的制作)
将5质量份的有机粘接剂(乙基纤维素(100cP))在80℃下加热溶解于60质量份的有机溶剂(松油醇),在所得有机溶液中,添加35质量份的金红石型氧化钛(平均粒径D50为0.25μm)并混炼,从而得到反射层糊剂B。
(反射层糊剂C的制作)
将5质量份的有机粘接剂(乙基纤维素(14cP))在80℃下加热溶解于80质量份的有机溶剂(松油醇),在所得有机溶液中,添加15质量份的金红石型氧化钛(平均粒径D50为0.25μm)并混炼,从而得到反射层糊剂C。
(荧光体糊剂A的制作)
将30质量份的有机粘接剂(乙基纤维素(7cp);比重为1.1g/cm3)在80℃下加热溶解于70质量份的有机溶剂(松油醇,比重为0.93g/cm3),从而得到有机溶液1。此外,作为荧光体粉末,准备平均粒径D50为10μm的Tb活化Gd2O2S(Gd2O2S:Tb,比重为7.3g/cm3)。
向15质量份的有机溶液1中混合85质量份的荧光体粉末,从而得到荧光体糊剂A。使用荧光体糊剂A形成的荧光体层的填充密度为4.0g/cm3
(荧光体糊剂B~H的制作)
以表1所示的组成,通过与有机溶液1的制作相同的方法来制作有机溶液2~6。接着,以表2所示的组成,通过与荧光体糊剂A的制作相同的方法来制作荧光体糊剂B~H。
(比较例1)
在100mm×100mm的白色PET膜基板(E6SQ;东丽株式会社制)上,用模具涂布机涂布上述荧光体糊剂A以使得干燥后的涂膜的厚度达到300μm,在100℃的IR干燥炉中干燥2小时,形成荧光体糊剂涂膜、即实心涂布的荧光体层,从而得到闪烁体面板。将关于所得闪烁体面板的各参数示于表3。
将所得闪烁体面板设置于作为检测基板的FPD(PaxScan3030;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置。从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,用PaxScan3030检测闪烁体面板的发射光强度时,得到充分的发射光强度。以下,将该比较例1的发射光强度值作为100来进行相对评价。此外,介由铅制的MTF记录纸,同样地从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,对所得图像数据进行处理,算出作为图像清晰性的尺度的MTF。以下,将该比较例1的MTF值作为图像清晰性为100来进行相对评价。
(实施例1)
在100mm×100mm的白色PET膜基板(E6SQ;东丽株式会社制)上,用模具涂布机涂布上述荧光体糊剂A以使得干燥后的涂膜的厚度达到300μm,在100℃的IR干燥炉中干燥2小时,形成荧光体糊剂涂膜、即实心涂布的荧光体层。
准备氧化铝(热膨胀系数为71×10-7(/K))制的成形模具,所述模具中,多个凸状图案(半径为50μm、高度为270μm的大致圆锥状)形成为纵横方向上的间距均为194μm的二维矩阵状,且该多个凸状图案的4角处分别形成有线宽为50μm的十字状图案。在80℃的温度下对以上述方式形成的荧光体层按压前述成形模具,从而在荧光体层的表面上形成凹坑,得到具备在表面上具有多个凹坑的荧光体层的闪烁体面板。将关于所得闪烁体面板的各参数示于表3。
将所得闪烁体面板的十字状凹坑以对准FPD(PaxScan3030)的对准标记方式进行设置,制作放射线图像检测装置。从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,用PaxScan3030检测闪烁体面板的发射光强度时,相对于作为比较例1的发射光强度的100,得到了102这一更高的发射光强度。此外,介由铅制的MTF记录纸,同样地从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,对所得图像数据进行处理,算出MTF时,相对于比较例1中的图像清晰性100,示出105这一更高的数值。
(实施例2)
除了将凸状图案的高度变更为240μm之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。将关于闪烁体面板的各参数和评价结果示于表3。以下,针对实施例3~19和比较例2~4也同样如此。
(实施例3)
除了将凸状图案的高度变更为200μm之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例4)
除了将凸状图案的高度变更为150μm之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例5)
除了将凸状图案的高度变更为100μm之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例6)
除了将凸状图案的高度变更为40μm之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例7)
除了将凸状图案的半径变更为15μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例8)
除了将凸状图案的半径变更为30μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例9)
除了将凸状图案的半径变更为70μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例10)
除了将凸状图案的半径变更为90μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例11)
除了将凸状图案的间距变更成纵横方向上的间距均为127μm之外,通过与实施例8相同的方法得到闪烁体面板。
将该闪烁体面板设置于FPD(PaxScan2520;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置,进行与实施例1相同的评价。
(实施例12)
除了将凸状图案的间距变更成纵横方向上的间距均为83μm之外,通过与实施例8相同的方法得到闪烁体面板。
将该闪烁体面板设置于FPD(PaxScan3024;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置,进行与实施例1相同的评价。
(实施例13)
分别将荧光体糊剂涂膜的厚度变更为500μm,将凸状图案的间距变更为纵横方向上的间距均为42μm,将凸状图案的高度变更为200μm,除此之外,通过与实施例7相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例12相同的评价。
(实施例14)
将凸状图案的间距变更为纵横方向上的间距均为582μm,将凸状图案的高度变更为100μm,除此之外,通过与实施例9相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。应予说明,所得图像中可观察到周期性的噪点。
(实施例15)
分别将荧光体糊剂涂膜的厚度变更为150μm,将凸状图案的半径变更为30μm,将凸状图案的高度变更为30μm,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例16)
分别将荧光体糊剂涂膜的厚度变更为500μm,将凸状图案的半径变更为50μm,将凸状图案的高度变更为200μm,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例17)
将凸状图案的形状变更为纵横方向上的间距均为194μm、半径为50μm、高度为150μm的圆柱状,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,与实施例1同样地进行评价。
(实施例18)
将凸状图案的形状变更为纵横方向上的间距均为194μm、1边的长度为100μm、高度为150μm的正四角柱,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例19)
将凸状图案的形状变更为纵横方向上的间距均为194μm、1边的长度为100μm、高度为150μm的正四角锥,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例20)
使用丝网印刷机(マイクロテック公司制;丝网版为#350POL网),整面实心印刷上述荧光体糊剂G以使得干燥后的涂膜的厚度达到50μm,在100℃的IR干燥炉中干燥1小时后,涂布上述荧光体糊剂A以使得荧光体糊剂涂膜的总厚度达到230μm,在100℃的IR干燥炉中干燥1小时,从而形成填充密度不同的多层结构的荧光体糊剂涂膜。
通过与实施例5相同的方法,在涂膜的表面上形成凹坑,得到具备在表面上具有多个凹坑的荧光体层的闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例21)
用模具涂布机涂布上述荧光体糊剂G以使得干燥后的涂膜的厚度达到50μm后,涂布上述荧光体糊剂A以使得荧光体糊剂涂膜的总厚度达到230μm,在100℃的IR干燥炉中干燥1小时,从而形成填充密度不同的多层结构的荧光体糊剂涂膜。
通过与实施例6相同的方法,在涂膜的表面上形成凹坑,得到具备在表面上具有多个凹坑的荧光体层的闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例22)
用模具涂布机涂布上述荧光体糊剂G以使得干燥后的涂膜的厚度达到50μm后,涂布上述荧光体糊剂A以使得荧光体糊剂涂膜的总厚度达到150μm,在100℃的IR干燥炉中干燥1小时,从而形成填充密度不同的多层结构的荧光体糊剂涂膜。
通过与实施例15相同的方法,在涂膜的表面上形成凹坑,得到具备在表面上具有多个凹坑的荧光体层的闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(实施例23)
用模具涂布机涂布上述荧光体糊剂G以使得干燥后的涂膜的厚度达到50μm后,涂布上述荧光体糊剂A以使得荧光体糊剂涂膜的总厚度达到330μm,在100℃的IR干燥炉中干燥2小时,从而形成填充密度不同的多层结构的荧光体糊剂涂膜。
通过与实施例5相同的方法,在涂膜的表面上形成凹坑,得到具备在表面上具有多个凹坑的荧光体层的闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(比较例2)
将凸状图案的高度变更为280μm、将半径变更为70μm,除此之外,通过与实施例1相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(比较例3)
除了将凸状图案的半径变更为10μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。
(比较例4)
除了将凸状图案的半径变更为160μm之外,通过与实施例4相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例1相同的评价。应予说明,所得图像中可观察到周期性的噪点。
(比较例5)
在100mm×100mm的玻璃基板(钠玻璃;热膨胀系数为90×10-7(/K),基板厚度为0.7mm)上,用模具涂布机涂布感光性糊剂以使得干燥后的涂膜的厚度达到450μm,在100℃的IR干燥炉中干燥4小时,从而形成感光性糊剂涂膜。介由具有与期望的隔壁图案对应的开口部的光掩模(具有纵横方向上的间距均为194μm、线宽为20μm的格子状开口部的铬掩模),用曝光量为500mJ/cm2的超高压汞灯对所得感光性糊剂涂膜进行曝光。使用35℃的0.5质量%乙醇胺水溶液作为显影液,在1.5kg/cm2的压力下对曝光后的感光性糊剂涂膜进行420秒钟的喷淋显影,进一步在浸于显影液中的状态下,照射40kHz、100W/cm2的超声波240秒钟,在1.5kg/cm2的压力下进行喷淋水洗后,在120℃下干燥10分钟,从而形成格子状的感光性糊剂图案。对所得感光性糊剂图案在空气中、585℃下烧成15分钟,从而形成具有表4所示那样的截面形状的格子状隔壁。
在所形成的隔壁上,使用丝网印刷机(マイクロテック公司制;使用荧光体刮板;丝网版为#200SUS网),反复地整面实心印刷荧光体糊剂A,在干燥器中进行真空处理,在60℃的IR干燥器中进行60分钟的加热处理后,用橡胶刮板刮去溢出的荧光体糊剂。其后,在100℃的热风干燥烘箱中干燥40分钟,形成表5所示那样的荧光体层,从而得到闪烁体面板。
将所得闪烁体面板设置于FPD(PaxScan3030;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置。从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,用PaxScan3030检测闪烁体面板40B的发射光强度时,得到充分的图像(以下,将该发射光强度值作为100来进行相对评价)。此外,介由铅制的MTF记录纸,同样地从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,对所得图像数据进行处理,算出MTF(以下,将该MTF值作为图像清晰性100来进行相对评价)。
(实施例24)
在100mm×100mm的玻璃基板(钠玻璃;热膨胀系数为90×10-7(/K),基板厚度为0.7mm)上,用模具涂布机涂布感光性糊剂以使得干燥后的涂膜的厚度达到450μm,在100℃的IR干燥炉中干燥4小时,从而形成感光性糊剂涂膜。介由具有与期望的隔壁图案对应的开口部的光掩模(具有纵横方向上的间距均为194μm,线宽为20μm的格子状开口部的铬掩模),用曝光量为500mJ/cm2的超高压汞灯对所得感光性糊剂涂膜进行曝光。使用35℃的0.5质量%乙醇胺水溶液作为显影液,在1.5kg/cm2的压力下对曝光后的感光性糊剂涂膜进行420秒钟的喷淋显影,进一步在浸于显影液的状态下,照射40kHz、100W/cm2的超声波240秒钟,在1.5kg/cm2的压力下进行喷淋水洗后,在120℃下干燥10分钟,从而形成格子状的感光性糊剂图案。所得感光性糊剂图案在空气中、585℃下烧成15分钟,从而形成具有表4所示那样的截面形状的格子状隔壁。
在所形成的隔壁上,使用丝网印刷机(マイクロテック公司制;使用荧光体刮板;丝网版为#200SUS网),反复地整面实心印刷荧光体糊剂A,在干燥器中进行真空处理后,用橡胶刮板刮去溢出的荧光体糊剂。其后,在100℃的热风干燥烘箱中干燥40分钟,形成具有表5所示那样的开口部为圆形的凹坑的荧光体层,从而得到闪烁体面板。
将所得闪烁体面板设置于FPD(PaxScan3030;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置。从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,用PaxScan3030检测闪烁体面板24B的发射光强度时,相对于作为比较例5的发射光强度的100,得到103这一更高的发射光强度。此外,介由铅制的MTF记录纸,同样地从闪烁体面板的基板侧照射管电压为80kVp的放射线,对所得图像数据进行处理,算出MTF时,相对于比较例5的图像清晰性100,示出101这一更高的数值。
(实施例25)
使用上述荧光体糊剂B,热风干燥烘箱的温度为120℃,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。将关于闪烁体面板的各参数和评价结果示于表4和表5。以下,针对实施例26~40和比较例6也同样如此。
(实施例26)
使用上述荧光体糊剂C,热风干燥烘箱的温度为120℃,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例27)
使用上述荧光体糊剂D,热风干燥烘箱的温度为140℃,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例28)
使用上述荧光体糊剂C,热风干燥烘箱的温度为200℃,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例29)
使用上述荧光体糊剂C,热风干燥烘箱的温度为160℃,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例30)
使用上述荧光体糊剂C,热风干燥烘箱的温度为90℃,使其干燥80分钟,除此之外,通过与实施例24相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例31)
通过与实施例24相同的方法,在100mm×100mm的玻璃基板上形成格子状的隔壁。在所形成的隔壁上,使用丝网印刷机(マイクロテック公司制;使用荧光体刮板;丝网版为#200SUS网),多次反复地整面实心印刷上述反射层糊剂C,向被隔壁区隔开的单元中填充反射层糊剂C。其后,在干燥器中进行真空处理后,用橡胶刮板刮去从单元中溢出的反射层糊剂。其后,在40℃的IR干燥炉中干燥120分钟,在被隔壁区隔开的各单元内的底面形成厚度为10μm的反射层。
其后,通过与实施例24相同的方法形成荧光体层,得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例32)
通过与实施例24相同的方法,在100mm×100mm的玻璃基板上形成格子状的隔壁。在所形成的隔壁上,使用丝网印刷机(使用荧光体刮板;丝网版为#200SUS网),多次反复地整面实心印刷上述反射层糊剂A,向被隔壁区隔出的单元中填充反射层糊剂A。其后,在干燥器中进行真空处理后,用橡胶刮板刮去从单元中溢出的反射层糊剂。其后,在160℃的热风干燥烘箱中干燥60分钟,在被隔壁区隔开的各单元内的整面形成厚度为10μm的凹形反射层。
其后,通过与实施例24相同的方法形成荧光体层,得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例33)
使用上述反射层糊剂B,反射层的厚度为30μm,除此之外,通过与实施例32相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例34)
使用上述荧光体糊剂C,热风干燥烘箱的温度为120℃,除此之外,通过与实施例32相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例35)
使用上述荧光体糊剂D,热风干燥烘箱的温度为140℃,除此之外,通过与实施例32相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例36)
通过与实施例24相同的方法,在100mm×100mm的玻璃基板上形成感光性糊剂涂膜。分别将光掩模变更为具有纵横方向上的间距均为127μm、线宽为15μm的格子状开口部的铬掩模,将曝光量变更为350mJ/cm2,除此之外,通过与实施例24相同的方法对所得感光性糊剂涂膜进行曝光。使用35℃的0.5质量%乙醇胺水溶液作为显影液,在1.5kg/cm2的压力下对曝光后的感光性糊剂涂膜进行500秒钟的喷淋显影,进一步在浸于显影液的状态下,照射40kHz、100W/cm2的超声波400秒钟,在1.5kg/cm2的压力下进行喷淋水洗后,通过与实施例24相同的方法形成格子状的隔壁。
其后,通过与实施例32相同的方法形成反射层,使用荧光体糊剂E,热风干燥烘箱的温度为140℃,除此之外,通过与实施例26相同的方法形成荧光体层,从而得到闪烁体面板。
将该闪烁体面板设置于FPD(PaxScan2520;Varian公司制)上,制作放射线图像检测装置,进行与实施例24相同的评价。
(实施例37)
在通过与实施例35相同的方法得到的闪烁体面板上,进一步使用丝网印刷机(使用荧光体刮板;丝网版为#165SUS网),整面实心印刷上述荧光体糊剂F,在干燥器中进行真空处理后,在100℃的热风干燥烘箱中干燥40分钟,形成表5所示那样的第2层荧光体层,得到荧光体层由荧光体粉末的填充密度不同的多个层构成的闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例38)
除了使用上述荧光体糊剂G之外,通过与实施例35相同的方法,得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例39)
在通过与实施例38相同的方法得到的闪烁体面板上,进一步使用丝网印刷机(使用荧光体刮板;丝网版为#165SUS网),整面实心印刷上述荧光体糊剂H,在干燥器中进行真空处理后,在80℃的热风干燥烘箱中干燥40分钟,形成表5所示那样的第2层荧光体层,得到荧光体层由荧光体粉末的填充密度不同的多个层构成的闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(实施例40)
在100mm×100mm的玻璃基板(钠玻璃;热膨胀系数为90×10-7(/K),基板厚度为0.7mm)上,用15μm棒涂机涂布上述缓冲层用糊剂并干燥后,用超高压汞灯进行500mJ/cm2的整面光照射,从而形成厚度为12μm的缓冲层用糊剂涂膜。
接着,在该缓冲层用糊剂涂膜上,与实施例24同样地形成感光性糊剂图案。通过将以这样的方式得到的形成有感光性糊剂图案的玻璃基板在空气中、585℃下烧成15分钟,从而进行缓冲层用糊剂涂膜和感光性糊剂图案的烧成,形成具备缓冲层和具有表4所示那样的截面形状的格子状隔壁的玻璃基板。
以下,通过与实施例32相同的方法得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
(比较例6)
在100mm×100mm的玻璃基板上,通过与实施例24相同的方法形成格子状的隔壁。
其后,使用上述荧光体糊剂F,除此之外,通过与实施例24相同的方法形成荧光体层,得到闪烁体面板,进行与实施例24相同的评价。
附图标记说明
1 放射线图像检测装置
2 闪烁体面板
3 检测基板
4 基板
5 缓冲层
6 隔壁
7 荧光体层
8 反射层
9 粘接层
10 光电转换层
11 输出层
12 基板
13 电源部。

Claims (8)

1.闪烁体面板,其为具备基板以及含有荧光体粉末的荧光体层的闪烁体面板,
所述荧光体层在表面上具有多个凹坑,
所述凹坑的开口部的面积A为500~70000μm2
所述凹坑的深度D与所述荧光体层的厚度T之比D/T为0.1~0.9。
2.根据权利要求1所述的闪烁体面板,其中,所述荧光体层在表面上具有500~50000个/cm2的凹坑。
3.根据权利要求1或2所述的闪烁体面板,其中,相邻的所述凹坑彼此的间距P为50~350μm的范围内的恒定值,
所述凹坑的开口部的最大宽度W为30~300μm。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的闪烁体面板,其还具有将所述荧光体层进行区隔的隔壁。
5.根据权利要求4所述的闪烁体面板,其中,在所述荧光体层与所述隔壁之间还具备凹形的反射层。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的闪烁体面板,其中,所述荧光体层由所述荧光体粉末的填充密度不同的多个层构成。
7.放射线图像检测装置,其具备权利要求1~6中任一项所述的闪烁体面板。
8.放射线图像检测装置的制造方法,其为具备权利要求1~7中任一项所述的闪烁体面板和检测基板的放射线图像检测装置的制造方法,所述检测基板具备与该闪烁体面板的所述凹坑相对的光电转换元件,所述制造方法具备下述步骤:
(A)所述凹坑与所述光电转换元件的位置对准步骤;以及
(B)所述闪烁体面板与所述检测基板的贴合步骤。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109324341A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 佳能株式会社 放射线检测装置及其制造方法和放射线成像系统
CN115926785A (zh) * 2022-08-12 2023-04-07 成都信息工程大学 闪烁体层材料、柔性闪烁体面板及其制备方法、应用

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9650569B1 (en) * 2015-11-25 2017-05-16 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method of manufacturing garnet interfaces and articles containing the garnets obtained therefrom
KR102113461B1 (ko) * 2016-06-01 2020-05-22 미쯔비시 케미컬 주식회사 방사선 이미지 변환 스크린 및 플랫 패널 디텍터
CN107658361A (zh) * 2016-07-25 2018-02-02 群创光电股份有限公司 主动矩阵式影像感测装置
JP2019023579A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 コニカミノルタ株式会社 シンチレータ
JP6898193B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082347A (ja) * 2001-06-25 2003-03-19 Kasei Optonix Co Ltd デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置
WO2010010725A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JP2012058170A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル
WO2013136873A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線画像撮影システム
JP5488773B1 (ja) * 2012-10-03 2014-05-14 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4208470A (en) * 1978-11-03 1980-06-17 General Electric Company X-ray intensifying screen
DE3578359D1 (de) * 1984-12-17 1990-07-26 Konishiroku Photo Ind Schirm zum speichern eines strahlungsbildes.
US5219606A (en) * 1989-05-23 1993-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing phosphor screen for intensifier
JPH0560871A (ja) 1991-09-04 1993-03-12 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出素子
JPH09325185A (ja) 1996-06-03 1997-12-16 Toshiba Fa Syst Eng Kk 放射線検出器とその製造方法と透視検査装置とctスキャナ
JP2002523610A (ja) * 1998-08-27 2002-07-30 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍リン光粉体、蛍リン光粉体の製造方法、及び同粉体を使用した装置
JP2002122672A (ja) * 2000-10-12 2002-04-26 Canon Inc 撮像装置及びこれを備える放射線撮像システム
JP4647828B2 (ja) * 2001-05-07 2011-03-09 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよびそれを用いた放射線検出器
DE10126388B4 (de) * 2001-05-23 2007-04-19 Siemens Ag Festkörperstrahlungsdetektor
JP2003215253A (ja) 2002-01-23 2003-07-30 Canon Inc 放射線検出装置とその製造方法および放射線検出システム
DE102005010077B4 (de) * 2005-03-04 2007-09-20 Siemens Ag Detektor mit einem Szintillator und bildgebendes Gerät, aufweisend einen derartigen Detektor
JP2008014853A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法
WO2010095737A1 (ja) * 2009-02-23 2010-08-26 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器およびx線断層写真撮影装置
JP2011007552A (ja) 2009-06-24 2011-01-13 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及びシンチレータパネルの製造方法
JP5091964B2 (ja) 2010-03-05 2012-12-05 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2012242355A (ja) 2011-05-24 2012-12-10 Fujifilm Corp 放射線検出装置
JPWO2014021415A1 (ja) * 2012-08-03 2016-07-21 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082347A (ja) * 2001-06-25 2003-03-19 Kasei Optonix Co Ltd デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置
WO2010010725A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JP2012058170A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル
WO2013136873A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線画像撮影システム
JP5488773B1 (ja) * 2012-10-03 2014-05-14 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109324341A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 佳能株式会社 放射线检测装置及其制造方法和放射线成像系统
CN115926785A (zh) * 2022-08-12 2023-04-07 成都信息工程大学 闪烁体层材料、柔性闪烁体面板及其制备方法、应用

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