JP2003073141A - 低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物 - Google Patents
低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物Info
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
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- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
Abstract
(57)【要約】
【課題】誘電率が低く、かつ、隔壁形成に用いることが
できる低融点ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、ＰｂＯ １〜４０％、Ｂ２
Ｏ３ ２０〜４５％、ＳｉＯ２ １０〜４０％、Ａｌ２
Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２ １〜２５％、ＭｇＯ＋Ｃａ
Ｏ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ４〜２０％、ＣｕＯ ０
〜３％、ＳｎＯ２０〜３％、ＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ
２＋ＢａＯ＋ＺｎＯ≦４０％である低融点ガラス。ま
た、質量百分率表示で、前記低融点ガラスの粉末 ５０
〜９９．５％、セラミックスフィラー ０．５〜３０
％、耐熱顔料 ０〜２０％からなるガラスセラミックス
組成物。
できる低融点ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、ＰｂＯ １〜４０％、Ｂ２
Ｏ３ ２０〜４５％、ＳｉＯ２ １０〜４０％、Ａｌ２
Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２ １〜２５％、ＭｇＯ＋Ｃａ
Ｏ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ４〜２０％、ＣｕＯ ０
〜３％、ＳｎＯ２０〜３％、ＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ
２＋ＢａＯ＋ＺｎＯ≦４０％である低融点ガラス。ま
た、質量百分率表示で、前記低融点ガラスの粉末 ５０
〜９９．５％、セラミックスフィラー ０．５〜３０
％、耐熱顔料 ０〜２０％からなるガラスセラミックス
組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）、蛍光表示管（ＶＦＤ）等の隔壁
形成に好適な低融点ガラスおよび隔壁形成用組成物に関
する。
レイパネル（ＰＤＰ）、蛍光表示管（ＶＦＤ）等の隔壁
形成に好適な低融点ガラスおよび隔壁形成用組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】薄型の平板型カラー表示装置であるＰＤ
ＰまたはＶＦＤのパネル構造の特徴のひとつとして、画
素を区切るために画面全域に等間隔で形成される隔壁が
挙げられる。たとえばＰＤＰの隔壁は、典型的には幅
（ライン幅）および高さがそれぞれ５０μｍ、１５０μ
ｍであり、隔壁間隔（ピッチ）は３００μｍである。
ＰまたはＶＦＤのパネル構造の特徴のひとつとして、画
素を区切るために画面全域に等間隔で形成される隔壁が
挙げられる。たとえばＰＤＰの隔壁は、典型的には幅
（ライン幅）および高さがそれぞれ５０μｍ、１５０μ
ｍであり、隔壁間隔（ピッチ）は３００μｍである。
【０００３】ＰＤＰの隔壁はたとえば次のようにして形
成される。まず、隔壁形状を保持するためのセラミック
スフィラー、固着材である低融点ガラス粉末、等からな
るガラスセラミックス組成物をペースト化し、得られた
ガラスペーストをガラス基板上に塗布し乾燥する。
成される。まず、隔壁形状を保持するためのセラミック
スフィラー、固着材である低融点ガラス粉末、等からな
るガラスセラミックス組成物をペースト化し、得られた
ガラスペーストをガラス基板上に塗布し乾燥する。
【０００４】次に、この乾燥された塗布層の上にドライ
フィルムレジストをラミネートし、所望の隔壁パターン
の露光マスクをセットして露光後、炭酸ナトリウム水溶
液を用いて現像し、前記塗布層の上に隔壁パターンを形
成する。この隔壁パターンが形成された塗布層の不要部
をサンドブラストによって切削し、未焼成隔壁を得る。
この未焼成隔壁の上に残っているドライフィルムを水酸
化ナトリウム水溶液によって除去後、５００〜６２０℃
で焼成しガラス基板上に隔壁を形成する。
フィルムレジストをラミネートし、所望の隔壁パターン
の露光マスクをセットして露光後、炭酸ナトリウム水溶
液を用いて現像し、前記塗布層の上に隔壁パターンを形
成する。この隔壁パターンが形成された塗布層の不要部
をサンドブラストによって切削し、未焼成隔壁を得る。
この未焼成隔壁の上に残っているドライフィルムを水酸
化ナトリウム水溶液によって除去後、５００〜６２０℃
で焼成しガラス基板上に隔壁を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】隔壁形成用低融点ガラ
スとして、たとえば、モル％表示の組成が、ＰｂＯ：３
８〜４０％、Ｂ２Ｏ３：７〜１２％、ＳｉＯ２：４０〜
４３％、Ａｌ２Ｏ３：７〜８％、ＴｉＯ２：２〜３％、
であるガラス（以下、従来ガラスという。）が従来使用
されている。
スとして、たとえば、モル％表示の組成が、ＰｂＯ：３
８〜４０％、Ｂ２Ｏ３：７〜１２％、ＳｉＯ２：４０〜
４３％、Ａｌ２Ｏ３：７〜８％、ＴｉＯ２：２〜３％、
であるガラス（以下、従来ガラスという。）が従来使用
されている。
【０００６】しかし従来ガラスには、その誘電率が高い
ためにＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力が大きくなる問題
があった。なお、従来ガラスの２０℃、１ＭＨｚにおけ
る比誘電率は典型的には１２〜１３であった。本発明
は、誘電率が低く、かつ、隔壁形成に用いることができ
る低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物の提供
を目的とする。
ためにＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力が大きくなる問題
があった。なお、従来ガラスの２０℃、１ＭＨｚにおけ
る比誘電率は典型的には１２〜１３であった。本発明
は、誘電率が低く、かつ、隔壁形成に用いることができ
る低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物の提供
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準のモル％表示で本質的に、ＰｂＯ １〜４０％、Ｂ ２
Ｏ３ ２０〜４５％、ＳｉＯ２ １０〜４０％、Ａｌ２
Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２ １〜２５％、ＭｇＯ＋Ｃａ
Ｏ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ４〜２０％、ＣｕＯ ０
〜３％、ＳｎＯ２ ０〜３％、からなり、ＰｂＯ＋Ｔｉ
Ｏ２＋ＺｒＯ２＋ＢａＯ＋ＺｎＯが４０モル％以下であ
る低融点ガラスを提供する。
準のモル％表示で本質的に、ＰｂＯ １〜４０％、Ｂ ２
Ｏ３ ２０〜４５％、ＳｉＯ２ １０〜４０％、Ａｌ２
Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２ １〜２５％、ＭｇＯ＋Ｃａ
Ｏ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ４〜２０％、ＣｕＯ ０
〜３％、ＳｎＯ２ ０〜３％、からなり、ＰｂＯ＋Ｔｉ
Ｏ２＋ＺｒＯ２＋ＢａＯ＋ＺｎＯが４０モル％以下であ
る低融点ガラスを提供する。
【０００８】また、質量百分率表示で本質的に、前記低
融点ガラスの粉末 ５０〜９９．５％、セラミックスフ
ィラー ０．５〜３０％、耐熱顔料 ０〜２０％、から
なるガラスセラミックス組成物を提供する。
融点ガラスの粉末 ５０〜９９．５％、セラミックスフ
ィラー ０．５〜３０％、耐熱顔料 ０〜２０％、から
なるガラスセラミックス組成物を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の低融点ガラス（以下、本
発明のガラスという）は通常、粉末化して使用される。
この粉末化されたガラスは通常、セラミックスフィラ
ー、耐熱顔料、等と混合され、次にビヒクルと混練して
ペースト化される。このガラスペーストは下地の所定部
位に塗布され、焼成される。
発明のガラスという）は通常、粉末化して使用される。
この粉末化されたガラスは通常、セラミックスフィラ
ー、耐熱顔料、等と混合され、次にビヒクルと混練して
ペースト化される。このガラスペーストは下地の所定部
位に塗布され、焼成される。
【００１０】本発明のガラスをＰＤＰまたはＶＦＤの隔
壁形成に用いる場合、前記下地はガラス基板であるが、
通常はその上に透明導電膜、不透明導電膜等が形成され
て、また、これら導電膜の上には保護膜が形成されてい
る。また、前記ビヒクルは通常、エチルセルロース、ニ
トロセルロース、等の樹脂をα−テルピネオール、ブチ
ルカルビトールアセテート、酢酸イソペンチル、等の溶
剤に溶解したものである。
壁形成に用いる場合、前記下地はガラス基板であるが、
通常はその上に透明導電膜、不透明導電膜等が形成され
て、また、これら導電膜の上には保護膜が形成されてい
る。また、前記ビヒクルは通常、エチルセルロース、ニ
トロセルロース、等の樹脂をα−テルピネオール、ブチ
ルカルビトールアセテート、酢酸イソペンチル、等の溶
剤に溶解したものである。
【００１１】前記焼成が行われる温度は通常、５００〜
６２０℃である。５００℃未満では焼成後の隔壁に前記
樹脂が一部残留し、ＰＤＰまたはＶＦＤにおいてパネル
を封着する際またはパネル放電時にこれら残留樹脂がガ
スとなって放出されるおそれがある。６２０℃超ではガ
ラス基板が変形するおそれがある。
６２０℃である。５００℃未満では焼成後の隔壁に前記
樹脂が一部残留し、ＰＤＰまたはＶＦＤにおいてパネル
を封着する際またはパネル放電時にこれら残留樹脂がガ
スとなって放出されるおそれがある。６２０℃超ではガ
ラス基板が変形するおそれがある。
【００１２】本発明のガラスの軟化点ＴＳは４５０〜６
５０℃であることが好ましい。４５０℃未満では前記焼
成時にガラスが流動しすぎ、所定の隔壁形状が得られな
いおそれがある。より好ましくは５００℃以上である。
６５０℃超では焼成時のガラスの流動性が低下し、緻密
な隔壁が得られないおそれがある。より好ましくは６２
０℃以下、特に好ましくは６００℃未満である。
５０℃であることが好ましい。４５０℃未満では前記焼
成時にガラスが流動しすぎ、所定の隔壁形状が得られな
いおそれがある。より好ましくは５００℃以上である。
６５０℃超では焼成時のガラスの流動性が低下し、緻密
な隔壁が得られないおそれがある。より好ましくは６２
０℃以下、特に好ましくは６００℃未満である。
【００１３】本発明のガラスの２０℃、１ＭＨｚにおけ
る比誘電率εは１１以下であることが好ましい。１１超
ではＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力が大きくなるおそれ
がある。より好ましくは１０．５以下である。なお、ε
は典型的には９以上である。
る比誘電率εは１１以下であることが好ましい。１１超
ではＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力が大きくなるおそれ
がある。より好ましくは１０．５以下である。なお、ε
は典型的には９以上である。
【００１４】本発明のガラスは耐アルカリ性が優れてい
ることが好ましい。すなわち、各面が＃１０００の研磨
剤で仕上げられた大きさ２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ３ｍ
ｍの、本発明のガラスの板状サンプルを、温度が２５
℃、濃度が０．１モル／ＬであるＮａＯＨ水溶液１０４
ｍＬに１時間浸漬したときの重量減少量ΔＷが０．２５
ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。０．２５ｍｇ
／ｃｍ２超では、前記炭酸ナトリウムを用いたドライフ
ィルム現像時に該ドライフィルムが剥離する、または焼
成後の隔壁が着色するおそれがある。好ましくは０．２
３ｍｇ／ｃｍ２以下である。
ることが好ましい。すなわち、各面が＃１０００の研磨
剤で仕上げられた大きさ２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ３ｍ
ｍの、本発明のガラスの板状サンプルを、温度が２５
℃、濃度が０．１モル／ＬであるＮａＯＨ水溶液１０４
ｍＬに１時間浸漬したときの重量減少量ΔＷが０．２５
ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。０．２５ｍｇ
／ｃｍ２超では、前記炭酸ナトリウムを用いたドライフ
ィルム現像時に該ドライフィルムが剥離する、または焼
成後の隔壁が着色するおそれがある。好ましくは０．２
３ｍｇ／ｃｍ２以下である。
【００１５】本発明のガラスの５０℃から３５０℃にお
ける平均線膨張係数αは６５×１０ −７〜８５×１０
−７／℃であることが好ましい。この範囲外では、前記
下地のガラス基板との膨張マッチングが困難となる。よ
り好ましくは７０×１０−７〜８０×１０−７／℃であ
る。なお、ガラス基板のαは典型的には６５×１０−７
〜８５×１０−７／℃である。
ける平均線膨張係数αは６５×１０ −７〜８５×１０
−７／℃であることが好ましい。この範囲外では、前記
下地のガラス基板との膨張マッチングが困難となる。よ
り好ましくは７０×１０−７〜８０×１０−７／℃であ
る。なお、ガラス基板のαは典型的には６５×１０−７
〜８５×１０−７／℃である。
【００１６】次に、本発明のガラスの組成について、モ
ル％を単に％と記して説明する。ＰｂＯはＴＳを下げ、
またはガラスを安定化する成分であり、必須である。１
％未満ではＴＳが高くなる。好ましくは１０％以上であ
る。４０％超ではεが大きくなる。好ましくは３０％以
下である。
ル％を単に％と記して説明する。ＰｂＯはＴＳを下げ、
またはガラスを安定化する成分であり、必須である。１
％未満ではＴＳが高くなる。好ましくは１０％以上であ
る。４０％超ではεが大きくなる。好ましくは３０％以
下である。
【００１７】Ｂ２Ｏ３はＴＳを下げ、またはεを下げる
成分であり、必須である。２０％未満ではＴＳが高くな
る、またはεが高くなる。好ましくは２８％以上であ
る。４５％超では耐アルカリ性が低下する。好ましくは
４３％以下である。
成分であり、必須である。２０％未満ではＴＳが高くな
る、またはεが高くなる。好ましくは２８％以上であ
る。４５％超では耐アルカリ性が低下する。好ましくは
４３％以下である。
【００１８】ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマ
ーであり、また、耐アルカリ性を高め、またはεを下げ
る成分であり、必須である。１０％未満では耐アルカリ
性が低下する。好ましくは１３％以上である。４０％超
ではＴＳが高くなる。好ましくは３０％以下、より好ま
しくは２７％以下である。
ーであり、また、耐アルカリ性を高め、またはεを下げ
る成分であり、必須である。１０％未満では耐アルカリ
性が低下する。好ましくは１３％以上である。４０％超
ではＴＳが高くなる。好ましくは３０％以下、より好ま
しくは２７％以下である。
【００１９】Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２は耐
アルカリ性を高める成分であり、少なくともいずれか１
種を含有しなければならない。これら３成分の含有量の
合計Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２が１％未満では耐
アルカリ性が低下する。好ましくは２％以上である。２
５％超ではＴＳが高くなる。好ましくは２３％以下であ
る。Ａｌ２Ｏ３の含有量は２〜２３％であることが好ま
しい。
アルカリ性を高める成分であり、少なくともいずれか１
種を含有しなければならない。これら３成分の含有量の
合計Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２が１％未満では耐
アルカリ性が低下する。好ましくは２％以上である。２
５％超ではＴＳが高くなる。好ましくは２３％以下であ
る。Ａｌ２Ｏ３の含有量は２〜２３％であることが好ま
しい。
【００２０】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＺ
ｎＯは耐アルカリ性を高める成分またはガラスを安定化
する成分であり、少なくともいずれか１種を含有しなけ
ればならない。これら５成分の含有量の合計ＭｇＯ＋Ｃ
ａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯが４％未満では耐アルカ
リ性が低下する、またはガラスが不安定になる。好まし
くは６％以上である。２０％超ではガラスがかえって不
安定になる。好ましくは１５％以下である。ＢａＯの含
有量は８〜１５％であることが好ましい。
ｎＯは耐アルカリ性を高める成分またはガラスを安定化
する成分であり、少なくともいずれか１種を含有しなけ
ればならない。これら５成分の含有量の合計ＭｇＯ＋Ｃ
ａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯが４％未満では耐アルカ
リ性が低下する、またはガラスが不安定になる。好まし
くは６％以上である。２０％超ではガラスがかえって不
安定になる。好ましくは１５％以下である。ＢａＯの含
有量は８〜１５％であることが好ましい。
【００２１】ＰｂＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＢａＯおよ
びＺｎＯの含有量の合計ＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋
ＢａＯ＋ＺｎＯは４０％以下でなければならない。４０
％超ではεが高くなる。好ましくは３７％以下、より好
ましくは３５％以下である。
びＺｎＯの含有量の合計ＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋
ＢａＯ＋ＺｎＯは４０％以下でなければならない。４０
％超ではεが高くなる。好ましくは３７％以下、より好
ましくは３５％以下である。
【００２２】ＣｕＯ、ＳｎＯ２はいずれも必須ではない
が、隔壁中への炭素含有不純物の残留を抑制するために
それぞれ３％まで含有してもよい。なお、ＣｕＯおよび
ＳｎＯ２の含有量の合計ＣｕＯ＋ＳｎＯ２は３％以下で
あることが好ましい。
が、隔壁中への炭素含有不純物の残留を抑制するために
それぞれ３％まで含有してもよい。なお、ＣｕＯおよび
ＳｎＯ２の含有量の合計ＣｕＯ＋ＳｎＯ２は３％以下で
あることが好ましい。
【００２３】なお、ＰｂＯが１０〜３０％、Ｂ２Ｏ３が
２８〜４３％、ＳｉＯ２が１３〜２７％、Ａｌ２Ｏ３が
２〜２３％、ＢａＯが８〜１５％、ＣｕＯ＋ＳｎＯ２が
０〜３％であることが特に好ましい。
２８〜４３％、ＳｉＯ２が１３〜２７％、Ａｌ２Ｏ３が
２〜２３％、ＢａＯが８〜１５％、ＣｕＯ＋ＳｎＯ２が
０〜３％であることが特に好ましい。
【００２４】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、その他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で
含有してもよい。前記その他の成分の含有量の合計は５
％以下であることが好ましい。前記その他の成分とし
て、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２等の希土類酸化物、Ｐ
２Ｏ５、ＭｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＧｅＯ
２、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｒｈ ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、Ｉｎ
２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＷＯ３、ＲｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｖ
２Ｏ５、ＰｄＯ、が例示される。
るが、その他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で
含有してもよい。前記その他の成分の含有量の合計は５
％以下であることが好ましい。前記その他の成分とし
て、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２等の希土類酸化物、Ｐ
２Ｏ５、ＭｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＧｅＯ
２、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｒｈ ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、Ｉｎ
２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＷＯ３、ＲｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｖ
２Ｏ５、ＰｄＯ、が例示される。
【００２５】次に、本発明のガラスセラミックス組成物
の組成について質量百分率表示を用いて説明する。本発
明のガラスの粉末は固着材であり、必須である。５０％
未満では、焼結不足になる。９９．５％超では、隔壁形
状を保持できなくなる。
の組成について質量百分率表示を用いて説明する。本発
明のガラスの粉末は固着材であり、必須である。５０％
未満では、焼結不足になる。９９．５％超では、隔壁形
状を保持できなくなる。
【００２６】セラミックスフィラーは隔壁の強度を高め
隔壁形状を保持する成分であり、必須である。取り扱い
やすさまたは入手しやすさの点から、アルミナ、ムライ
ト、ジルコン、ジルコニア、コージェライト、チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメン、α−石英、石英ガラ
ス、β−石英固溶体およびβ−ユークリプタイトから選
ばれる一種以上の粉末であることが好ましい。セラミッ
クスフィラーが０．５％未満では、隔壁形状を保持でき
なくなる。３０％超では、焼結不足になる。
隔壁形状を保持する成分であり、必須である。取り扱い
やすさまたは入手しやすさの点から、アルミナ、ムライ
ト、ジルコン、ジルコニア、コージェライト、チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメン、α−石英、石英ガラ
ス、β−石英固溶体およびβ−ユークリプタイトから選
ばれる一種以上の粉末であることが好ましい。セラミッ
クスフィラーが０．５％未満では、隔壁形状を保持でき
なくなる。３０％超では、焼結不足になる。
【００２７】耐熱顔料は必須ではないが隔壁の色調を調
整するために２０％まで含有しても。耐熱顔料として、
チタニア等の白色顔料、Ｆｅ−Ｍｎ複酸化物系、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｒ複酸化物、Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ複酸化物系等の
黒色顔料が例示される。耐熱顔料が２０％超では焼結不
足になる。
整するために２０％まで含有しても。耐熱顔料として、
チタニア等の白色顔料、Ｆｅ−Ｍｎ複酸化物系、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｒ複酸化物、Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ複酸化物系等の
黒色顔料が例示される。耐熱顔料が２０％超では焼結不
足になる。
【００２８】本発明のガラスセラミックス組成物をＰＤ
Ｐの隔壁形成に用いる場合、たとえば先に述べたよう
に、ペースト化し、ガラス基板上に塗布し、塗布層の上
に隔壁パターンを形成し、サンドブラスト工程を経て未
焼成隔壁を得、この未焼成隔壁を焼成して隔壁を得る。
Ｐの隔壁形成に用いる場合、たとえば先に述べたよう
に、ペースト化し、ガラス基板上に塗布し、塗布層の上
に隔壁パターンを形成し、サンドブラスト工程を経て未
焼成隔壁を得、この未焼成隔壁を焼成して隔壁を得る。
【００２９】
【実施例】表のＰｂＯ〜ＳｎＯ２の欄にモル％で示す組
成となるように、原料を調合して混合し、１２００〜１
３５０℃の電気炉中で白金るつぼを用いて１時間溶解し
た。得られた溶融ガラスの一部を流し出して、薄板状に
成形し、該薄板状ガラスをボールミルで粉砕して平均粒
径が２μｍのガラス粉末とした。また、溶融ガラスの残
りはカーボン製の型に流し込んで、５３０℃で徐冷し、
幅５５ｍｍ、長さ１００ｍｍのガラスバルクとした。例
１〜４は実施例、例５〜８は比較例であり、また、例
７、８は前記従来ガラスである。なお、表中のＰｂＴｉ
ＢａはＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＢａＯである。
成となるように、原料を調合して混合し、１２００〜１
３５０℃の電気炉中で白金るつぼを用いて１時間溶解し
た。得られた溶融ガラスの一部を流し出して、薄板状に
成形し、該薄板状ガラスをボールミルで粉砕して平均粒
径が２μｍのガラス粉末とした。また、溶融ガラスの残
りはカーボン製の型に流し込んで、５３０℃で徐冷し、
幅５５ｍｍ、長さ１００ｍｍのガラスバルクとした。例
１〜４は実施例、例５〜８は比較例であり、また、例
７、８は前記従来ガラスである。なお、表中のＰｂＴｉ
ＢａはＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＢａＯである。
【００３０】例１〜８のガラス転移点ＴＧ（単位：
℃）、ＴＳ（単位：℃）、α（単位：１０−７／℃）、
εを以下に示す方法で測定した。また、前記ΔＷ（単
位：ｍｇ／ｃｍ２）を先に述べた方法で測定した。結果
を表に示す。
℃）、ＴＳ（単位：℃）、α（単位：１０−７／℃）、
εを以下に示す方法で測定した。また、前記ΔＷ（単
位：ｍｇ／ｃｍ２）を先に述べた方法で測定した。結果
を表に示す。
【００３１】ＴＧ、ＴＳ：示差熱分析計を用いて測定し
た。 α：ガラス粉末を加圧成形し、６２０℃で１０分間焼成
して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に
加工したものを用いて、示差熱膨張計で測定した。 ε：ガラスバルクを５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍに加工
し、その表面にアルミニウムを蒸着してＬＣＲメーター
を用いて測定した。
た。 α：ガラス粉末を加圧成形し、６２０℃で１０分間焼成
して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に
加工したものを用いて、示差熱膨張計で測定した。 ε：ガラスバルクを５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍに加工
し、その表面にアルミニウムを蒸着してＬＣＲメーター
を用いて測定した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、誘電率の低い隔壁が得
られ、ＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力を低減できる。
られ、ＰＤＰまたはＶＦＤの消費電力を低減できる。
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Ｆターム(参考） 4G062 AA01 AA08 AA09 BB01 BB04
BB08 DA04 DA05 DB01 DB02
DB03 DB04 DC04 DC05 DD01
DD02 DD03 DE01 DE02 DE03
DE04 DF03 DF04 DF05 EA01
EA10 EB01 EC01 ED01 ED02
ED03 ED04 EE01 EE02 EE03
EE04 EF01 EF02 EF03 EF04
EG01 EG02 EG03 EG04 FA01
FA10 FB01 FB02 FB03 FB04
FC01 FC02 FC03 FC04 FD01
FD02 FD03 FE01 FE02 FE03
FF01 FF02 FF03 FG01 FH01
FJ01 FJ02 FJ03 FK01 FK02
FK03 FL01 FL02 FL03 GA01
GA02 GA03 GA10 GB01 GC01
GD01 GD02 GD03 GE01 HH01
HH03 HH04 HH05 HH06 HH07
HH08 HH09 HH10 HH11 HH12
HH13 HH14 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM08 MM27 NN32 NN40 PP02
PP03 PP06 PP09 PP11
5C032 AA06 BB16
5C040 GF18 KA08 KB01 KB19 MA12
Claims (5)
- 【請求項１】下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、 ＰｂＯ １〜４０％、 Ｂ２Ｏ３ ２０〜４５％、 ＳｉＯ２ １０〜４０％、 Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２ １〜２５％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ４〜２０％、 ＣｕＯ ０〜３％、 ＳｎＯ２ ０〜３％、 からなり、ＰｂＯ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＢａＯ＋Ｚｎ
Ｏが４０モル％以下である低融点ガラス。 - 【請求項２】モル％表示で、ＰｂＯが１０〜３０％、Ｂ
２Ｏ３が２８〜４３％、ＳｉＯ２が１３〜２７％、Ａｌ
２Ｏ３が２〜２３％、ＢａＯが８〜１５％、ＣｕＯ＋Ｓ
ｎＯ ２が０〜３％である請求項１に記載の低融点ガラ
ス。 - 【請求項３】２０℃、１ＭＨｚにおける比誘電率が１１
以下である請求項１または２に記載の低融点ガラス。 - 【請求項４】５０℃から３５０℃における平均線膨張係
数が６５×１０−７〜８５×１０− ７／℃である請求項
１、２または３に記載の低融点ガラス。 - 【請求項５】質量百分率表示で本質的に、請求項１、
２、３または４に記載の低融点ガラスの粉末 ５０〜９
９．５％、セラミックスフィラー ０．５〜３０％、耐
熱顔料０〜２０％からなるガラスセラミックス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263078A JP2003073141A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263078A JP2003073141A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003073141A true JP2003073141A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19089890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001263078A Pending JP2003073141A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003073141A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225215A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス及びその製造方法 |
| JP2012158484A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Toray Ind Inc | ガラスペースト、それを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| CN113754292A (zh) * | 2020-06-02 | 2021-12-07 | 天津理工大学 | 低共熔点玻璃粉及其制备方法和应用 |
| US11332405B2 (en) | 2018-07-23 | 2022-05-17 | Corning Incorporated | Magnesium aluminosilicate glass ceramics |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263078A patent/JP2003073141A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225215A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス及びその製造方法 |
| JP4613635B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-01-19 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス及びその製造方法 |
| JP2012158484A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Toray Ind Inc | ガラスペースト、それを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US11332405B2 (en) | 2018-07-23 | 2022-05-17 | Corning Incorporated | Magnesium aluminosilicate glass ceramics |
| CN113754292A (zh) * | 2020-06-02 | 2021-12-07 | 天津理工大学 | 低共熔点玻璃粉及其制备方法和应用 |
| CN113754292B (zh) * | 2020-06-02 | 2023-04-25 | 天津理工大学 | 低共熔点玻璃粉及其制备方法和应用 |
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