JP2003055335A - 4−フタロニトリル誘導体の製造方法および4−フタロニトリル誘導体 - Google Patents
4−フタロニトリル誘導体の製造方法および4−フタロニトリル誘導体Info
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Abstract
率で得ること(合成すること)ができる製造方法、およ
び、この製造方法により製造された4−フタロニトリル
誘導体を提供すること。 【解決手段】本発明の4−フタロニトリル誘導体の製造
方法は、下記化21に示すように、式(I)の4−フタ
ロニトリル誘導体から、式(II)、式(IV)あるいは式
(VI)の4−フタロニトリル誘導体を得るものである。
経路によれば、酸またはアルカリの存在下で、加水分
解することにより式(II)を、経路によれば、式(II
I)のアルカリと反応させることにより式(IV)を、経
路によれば、式(V)のアルカリと反応させることに
より式(VI)を、それぞれ得ることができる。 【化21】
Description
ル誘導体の製造方法および4−フタロニトリル誘導体に
関するものである。
報記録媒体における記録材料等としてフタロシアニン化
合物が、広く用いられている。
ロニトリル誘導体、無水フタル酸誘導体や1,3−ジイ
ミノイソインドリン誘導体等を用いて、その合成(製
造)が行なわれている。
は、例えば、近赤外線吸収能、各種有機溶媒への溶解
性、耐候性等の特性を向上させる観点から、フタロシア
ニン骨格のベンゼン環に対して置換基を導入することが
行なわれている。この場合、フタロニトリルや無水フタ
ル酸のベンゼン環に対して置換基を導入しておき、かか
るフタロニトリル誘導体や無水フタル酸誘導体を用い
て、対応するフタロシアニン化合物が合成されている。
タル酸誘導体を合成する場合には、例えば、フタロニト
リルのニトロ化体を出発物質として使用し、アミノ基の
ジアゾ化反応等を経由して置換基を導入する方法や、無
水フタル酸を濃硫酸によりスルホン化体とし、かかる無
水フタル酸のスルホン化体を経由する方法等が用いられ
ている。
体を出発物質(合成中間体)とする製造方法では、製造
工程数が多く、目的とする置換基を位置選択的に導入す
ることが容易ではなく、収率も低い。また、無水フタル
酸のスルホン化体を経由する製造方法では、濃硫酸によ
るスルホン化の工程において、位置選択的にスルホン基
を導入することができず、すなわち、異性体が混在して
しまい、純度が低くなる。したがって、最終的に得られ
るフタロシアニン化合物も、収率が低かったり、異性体
の混合物となってしまったりする。
混在した場合、分子同士の積層が効率よくなされず、特
に、近赤外線吸収能の向上を図ることができないという
問題がある。
アニン化合物の前記特性(特に、近赤外線吸収能)を向
上させるためには、フタロシアニン骨格の対称的な位置
に置換基を導入するのが有効であると考え、種々の検討
を重ねた結果、特に、4−フタロニトリル誘導体から得
られたフタロシアニン化合物が、近赤外線吸収能、各種
有機溶媒への溶解性および耐候性に優れることを見い出
した。
造方法では、4−フタロニトリル誘導体、すなわち、位
置選択的に置換基を有するフタロニトリル誘導体を、合
成(製造)することが極めて困難である。
体を、容易かつ高い収率で得ること(合成すること)が
できる製造方法、および、この製造方法により製造され
た4−フタロニトリル誘導体を提供することにある。
(1)〜(23)の本発明により達成される。
る4−フタロニトリル誘導体を、酸またはアルカリの存
在下で、加水分解することにより、下記式(II)
とする4−フタロニトリル誘導体の製造方法。
ロニトリル誘導体の加水分解反応における温度は、−5
〜70℃である上記(1)に記載の4−フタロニトリル
誘導体の製造方法。
ロニトリル誘導体の加水分解反応における時間は、20
分〜5時間である上記(1)または(2)に記載の4−
フタロニトリル誘導体の製造方法。
る4−フタロニトリル誘導体と、下記式(III)で示さ
れるアルカリとを反応させ、下記式(IV)で示される4
−フタロニトリル誘導体を得ることを特徴とする4−フ
タロニトリル誘導体の製造方法。
アルカリ土類金属原子または第4アンモニウムを表し、
nは、Qの価数を表す。]
ロニトリル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカ
リとの反応温度は、−5〜70℃である上記(4)に記
載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。
ロニトリル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカ
リとの反応時間は、0.5〜7時間である上記(4)ま
たは(5)に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。
ロニトリル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカ
リとの反応は、水の存在下で行なわれる上記(4)ない
し(6)のいずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体
の製造方法。
る4−フタロニトリル誘導体と、下記式(V)で示され
るアルカリとを反応させ、下記式(VI)で示される4−
フタロニトリル誘導体を得ることを特徴とする4−フタ
ロニトリル誘導体の製造方法。
独立して、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を
表す。]
ロニトリル誘導体と、前記式(V)で示されるアルカリ
との反応温度は、−5〜70℃である上記(8)に記載
の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。
タロニトリル誘導体と、前記式(V)で示されるアルカ
リとの反応時間は、1〜24時間である上記(8)また
は(9)に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。
である上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の4
−フタロニトリル誘導体の製造方法。
タロニトリル誘導体は、酸水溶液中または酸を含む含水
有機溶媒中で、下記式(VII)
アルキル基を表す。]で示される4−フタロニトリル誘
導体と、ハロゲン分子とを接触させることにより反応さ
せ、これにより得られたものである上記(1)ないし
(11)のいずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体
の製造方法。
液中または前記酸を含む含水有機溶媒中に添加しつつ、
前記式(VII)で示される4−フタロニトリル誘導体と
接触させる上記(12)に記載の4−フタロニトリル誘
導体の製造方法。
のうちの少なくとも1種である上記(12)または(1
3)に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。
いられる有機溶媒は、メタノール、エタノール、クロロ
ホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、ジオキサンのうち
の少なくとも1種である上記(12)ないし(14)の
いずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。
フタロニトリル誘導体は、アルカリ存在下で、4−ブロ
モフタロニトリルと、下記式(VIII)で示されるベンジ
ルメルカプタン誘導体とを反応させることにより得られ
たものである上記(12)ないし(15)のいずれかに
記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。
を表す。]
体は、置換基Rをベンゼン環の4位の位置に有する上記
(16)に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。
ム、炭酸ナトリウム、水素化ナトリウム、ピリジン、
1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセ
ン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネ
ンのうちの少なくとも1種である上記(16)または
(17)に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。
は、4−ブロモ無水フタル酸から得られたものである上
記(16)ないし(18)のいずれかに記載の4−フタ
ロニトリル誘導体の製造方法。
は、4−ブロモ無水フタル酸とアミド化合物とを反応さ
せ、4−ブロモフタルイミドを得、次いで、前記4−ブ
ロモフタルイミドとアンモニアとを反応させ、4−ブロ
モフタルアミドを得、その後、前記4−ブロモフタルア
ミドを脱水剤で処理することにより得られたものである
上記(16)ないし(19)のいずれかに記載の4−フ
タロニトリル誘導体の製造方法。
ミドである上記(20)に記載の4−フタロニトリル誘
導体の製造方法。
五酸化リン、オキシ塩化リン、ポリリン酸エステル、ト
リフェニルホスフィン、ホスゲンのうちの少なくとも1
種である上記(20)または(21)に記載の4−フタ
ロニトリル誘導体の製造方法。
ずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法に
より製造されたことを特徴とする4−フタロニトリル誘
導体。
ル誘導体の製造方法および4−フタロニトリル誘導体の
好適な実施形態について詳細に説明する。
フタロニトリル誘導体は、それぞれ、例えば、下記化2
1に示すような各経路〜により、式(I)の4−フ
タロニトリル誘導体、すなわち、4−ハロゲン化スルホ
ニルフタロニトリルから合成(製造)される。
フタロニトリル(式(I)の4−フタロニトリル誘導
体)を用意する。
ニトリルの製造方法の一例について説明する。
リルは、例えば、下記化22に示すように、式(IX)の
4−ブロモフタロニトリルから、式(VII)の4−フタ
ロニトリル誘導体を経由して製造することができる。
(IX)の4−ブロモフタロニトリルと、式(VIII)のベ
ンジルメルカプタン誘導体とを反応させることにより、
式(VII)の4−フタロニトリル誘導体を得る。
合成に際し、その出発物質としては、4−ブロモフタロ
ニトリルの他に、例えば、4−フルオロフタロニトリ
ル、4−クロロフタロニトリル、4−ヨードフタロニト
リル等の4−ハロゲン化フタロニトリルを用いることが
できる。
ン化フタロニトリルの中でも、極めて反応性の高いフル
オロ基やクロル基を導入したもの、あるいは、極めて反
応性の低いヨード基を導入したものに比べて、合成反応
を制御しやすいものである。
タロニトリルを用いることにより、式(VII)および式
(I)の4−フタロニトリル誘導体の合成(フタロニト
リル誘導体への誘導)、延いては、式(II)、式(IV)
あるいは式(VI)の4−フタロニトリル誘導体の合成
を、より容易かつより高い収率で行なうことができる。
(製造)方法については、式(II)、式(IV)および式
(VI)の4−フタロニトリル誘導体の製造方法の説明を
終えた後に詳述する。
プタン誘導体において、置換基Rは、水素原子または炭
素数1〜4のアルキル基を表す。
は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。
基Rは、ベンゼン環の2〜6位のいずれに導入されてい
てもよいが、特に、4位に導入されているのが好まし
い。すなわち、この場合、式(VIII)のベンジルメルカ
プタン誘導体としては、4−ベンジルメルカプタン誘導
体を用いるのが好ましい。
ルカプタンや4−ベンジルメルカプタン誘導体を用いる
ことにより、得られる式(VII)の4−フタロニトリル
誘導体と、後述するハロゲン分子との反応性をより向上
させることができる。
反応を促進させるために添加されるものであり、例え
ば、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カルシウム、水素化ナトリウム、水素化
リチウム、水素化カルシウム、水素化アルミニウムリチ
ウムのような無機塩基、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ピペリジン、
ジアミノエタン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン、
ジアミノペンタン、ジアミノヘキサン、ジアミノオクタ
ン、トリエタノールアミン、1,8−ジアザビシクロ
[5,4,0]−7−ウンデセン(DBU)、1,5−
ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン(DBN)
のような有機塩基等が挙げられ、これらの中でも、特
に、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水素化ナトリウ
ム、ピリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]
−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,
0]−5−ノネンを用いるのが好ましい。また、これら
のアルカリは、1種または2種以上を組み合わせて用い
ることができる。
ないが、ベンジルメルカプタン誘導体1モルに対して、
例えば、1〜10モル程度とするのが好ましく、1〜5
モル程度とするのがより好ましい。このようなアルカリ
の使用量範囲において、4−ブロモフタロニトリルとベ
ンジルメルカプタン誘導体とを、より効率よく反応させ
ることができる。
る場合には、前記範囲を超えた過剰量を用いて、アルカ
リ自体に反応溶媒を兼ねさせることもできる。
用いることができる他、例えば、塩化メチレン、クロロ
ホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テ
トラクロロエタンのようなハロゲン化炭化水素類、n−
ヘキサン、石油エーテル、トルエン、ベンゼン、キシレ
ンのような炭化水素類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エ
チル、酢酸メチルのようなエステル類、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンのようなエーテル類、アセトニトリル、プロピ
オニトリルのようなニトリル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリア
ミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメトキシ
エタン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン等の各種有機溶媒が挙げられ、これ
らのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。
例えば、30〜120℃程度とするのが好ましく、60
〜90℃程度とするのがより好ましい。このような温度
範囲において、式(VII)の4−フタロニトリル誘導体
の収量を増大させることができる。
応温度等により若干異なるが、通常、0.5〜8時間程
度とするのが好ましく、1〜5時間程度とするのがより
好ましい。このような時間範囲において、式(VII)の
4−フタロニトリル誘導体の収量を増大させることがで
きる。
含む含水有機溶媒中で、式(VII)の4−フタロニトリ
ル誘導体と、ハロゲン分子とを接触させることにより反
応させ、これにより、4−ハロゲン化スルホニルフタロ
ニトリル(式(I)の4−フタロニトリル誘導体)を得
る。
素分子、臭素分子、ヨウ素分子等を単独で、あるいは、
これらの少なくとも1種を含む混合物として用いること
ができる。
用いるのが好ましい。塩素分子は、常温で気体(ガス
状)であり、反応性が高く、かつ、比較的安価である。
が塩素原子である4−クロロスルホニルフタロニトリル
は、4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリルの中で
も、特に優れた反応性を有している。このため、4−ク
ロロスルホニルフタロニトリルを用いることにより、後
述する工程[1]において、式(II)、式(IV)あるい
は式(VI)の4−フタロニトリル誘導体を、より容易か
つより高い収率で得ることができる。
たは前記酸を含む含水有機溶媒中に導入(添加)しつ
つ、式(VII)の4−フタロニトリル誘導体に接触させ
るようにするのが好ましい。これにより、4−ハロゲン
化スルホニルフタロニトリルの収量を増大させることが
できる。
I)の4−フタロニトリル誘導体やハロゲン分子の種類
等により適宜設定されるものであり、特に限定されない
が、式(VII)の4−フタロニトリル誘導体1モルに対
して、通常、1〜50モル程度とするのが好ましく、2
〜20モル程度とするのがより好ましい。このようなハ
ロゲン分子の使用量範囲において、式(VII)の4−フ
タロニトリル誘導体から4−ハロゲン化スルホニルフタ
ロニトリルへの変換を、より効率よく行なうことができ
る。
いる酸としては、例えば、酢酸、硝酸、プロピオン酸の
他、前記ハロゲン分子の種類に対応したハロゲン化水素
等が挙げられ、これらの中でも、特に、酢酸、プロピオ
ン酸のうちの少なくとも1種を用いるのが好ましい。こ
れらの酸を用いることにより、式(VII)の4−フタロ
ニトリル誘導体やハロゲン分子の酸水溶液中または酸を
含む含水有機溶媒中への溶解度を向上させることがで
き、その結果、4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリ
ルの収量を増大させることができる。
としては、容積比(容量比)で、例えば、1:1〜1
0:1程度とするのが好ましく、3:1〜7:1程度と
するのがより好ましい。これらの配合比を前記範囲とす
ることにより、式(I)の4−フタロニトリル誘導体や
ハロゲン分子の酸水溶液中または酸を含む含水有機溶媒
中への溶解度をより向上させることができる。
機溶媒に用いられる水としては、例えば、蒸留水、イオ
ン交換水、超純水、RO水等が挙げられるが、この中で
も、蒸留水またはイオン交換水が好適に使用される。
としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ールのようなアルコール類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、四塩化炭素のようなハロゲン化水素類、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンのようなエーテル類等が挙げられ、これ
らの中でも、特に、メタノール、エタノール、クロロホ
ルム、塩化メチレン、四塩化炭素、ジオキサンの1種ま
たは2種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。
I)の4−フタロニトリル誘導体1モルに対して、例え
ば、2モル以上程度となるように使用するのが好まし
く、3〜25モル程度となるように使用するのがより好
ましい。水の使用量が少なすぎると、未反応の式(VI
I)の4−フタロニトリル誘導体が多く残存する場合が
ある。一方、水の使用量を、前記上限値を超えて多くし
ても、使用する酸水溶液または酸を含む含水有機溶媒の
全体量が増大するだけで、それ以上、4−ハロゲン化ス
ルホニルフタロニトリルの収量の増大は見込めない。
により適宜設定され、特に限定されないが、例えば、−
10〜60℃程度とするのが好ましく、0〜40℃程度
とするのがより好ましい。このような温度範囲におい
て、4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリルの収量を
増大させることができる。
溶液中または前記酸を含む含水有機溶媒中への導入時
間)も、ハロゲン分子の使用量、反応温度等により若干
異なるが、通常、20分〜5時間程度とするのが好まし
く、0.5〜3時間程度とするのがより好ましい。この
ような時間範囲において、4−ハロゲン化スルホニルフ
タロニトリルの収量を増大させることができる。
フタロニトリルから、各経路〜により、式(II)、
式(IV)および式(VI)の4−フタロニトリル誘導体
を、それぞれ得る。
(式(I)の4−フタロニトリル誘導体)において、ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原
子、ヨウ素原子等のいずれでもよいが、特に塩素原子で
あるのが好ましい。これにより、前述したように、本工
程[1]において、式(II)、式(IV)あるいは式(V
I)の4−フタロニトリル誘導体の収量を増大させるこ
とができる。
する。 [経路]経路では、4−ハロゲン化スルホニルフタ
ロニトリル(式(I)の4−フタロニトリル誘導体)
を、酸またはアルカリの存在下で、加水分解することに
より、式(II)の4−フタロニトリル誘導体を得る。
リは、触媒として使用されるものであり、その使用量と
しては、特に限定されないが、4−ハロゲン化スルホニ
ルフタロニトリル1モルに対して、通常、0.001〜
0.2モル程度とするのが好ましく、0.005〜0.
1モル程度とするのがより好ましい。このような酸また
はアルカリの使用量範囲において、4−ハロゲン化スル
ホニルフタロニトリルの加水分解をより効率よく行なう
ことができる。
硝酸、塩素酸、臭素酸等が挙げられ、これらのうちの、
1種または2種以上を組み合わせて用いることができ
る。
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸
化マグネシウム等が挙げられ、これらのうちの、1種ま
たは2種以上を組み合わせて用いることができる。
ン交換水、超純水、RO水等の各種水、あるいは、この
ような水を含む有機溶媒を用いることができる。
溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、プロ
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロ
ロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレン、四塩
化炭素等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用
いることができる。
酸水素テトラブチルアンモニウム、塩化メチルトリアル
キルアンモニウム、および、塩化テトラブチルホスホニ
ウムのような相関移動触媒を添加して反応を行うことも
できる。
ないが、4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリル1モ
ルに対して、通常、1〜10モル程度とするのが好まし
く、2〜5モル程度とするのがより好ましい。水の使用
量が少なすぎると、未反応の4−ハロゲン化スルホニル
フタロニトリルが多く残存する場合がある。一方、水の
使用量を、前記上限値を超えて多くしても、それ以上、
式(II)の4−フタロニトリル誘導体の収量の増大が見
込めない。
は、前記範囲を超えた過剰量を用いるようにすればよ
い。
しては、酸またはアルカリの種類等により適宜設定さ
れ、特に限定されないが、例えば、−5〜70℃程度と
するのが好ましく、5〜30℃程度とするのがより好ま
しい。このような温度範囲において、式(II)の4−フ
タロニトリル誘導体の収量を増大させることができる。
間)も、酸またはアルカリの使用量、反応温度等により
若干異なるが、通常、20分〜5時間程度とするのが好
ましく、0.5〜3時間程度とするのがより好ましい。
このような時間範囲において、式(II)の4−フタロニ
トリル誘導体の収量を増大させることができる。
または加圧下のいずれで行なってもよい。
ルホニルフタロニトリル(式(I)の4−フタロニトリ
ル誘導体)と、式(III)のアルカリとを反応させるこ
とにより、式(IV)の4−フタロニトリル誘導体を得
る。
−フタロニトリル誘導体において、Qは、アルカリ金属
原子、アルカリ土類金属原子または第4アンモニウムを
表し、nは、Qの価数を表す。
リウム、カリウム、リチウム等が挙げられる。
カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。
モニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアン
モニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキル
アンモニウム、モノアルカノールアンモニウム、ジアル
カノールアンモニウム、トリアルカノールアンモニウ
ム、テトラアルカノールアンモニウム等が挙げられる。
キル基は、好ましくは炭素数1〜6、より好ましくは炭
素数1〜4のものとされ、複数のアルキル基を有するア
ルキルアンモニウムにおいて、アルキル基は、同一であ
っても、異なっていてもよい。また、各種アルカノール
アンモニウムにおいて、アルカノール基は、好ましくは
炭素数1〜6、より好ましくは炭素数1〜4のものとさ
れ、複数のアルカノール基を有するアルカノールアンモ
ニウムにおいて、アルカノール基は、同一であっても、
異なっていてもよい。
ノール基としては、直鎖状、分枝状、環状のいずれであ
ってもよい。
特に限定されないが、4−ハロゲン化スルホニルフタロ
ニトリル1モルに対して、例えば、1〜10モル程度と
するのが好ましく、2〜7モル程度とするのがより好ま
しい。式(III)のアルカリの使用量が少なすぎると、
式(III)のアルカリの種類等によっては、未反応の4
−ハロゲン化スルホニルフタロニトリルが多く残存する
場合がある。一方、式(III)のアルカリの使用量を、
前記上限値を超えて多くしても、それ以上、式(IV)の
4−フタロニトリル誘導体の収量の増大が見込めず、式
(III)のアルカリが無駄になる場合がある。
および4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリルを溶解
可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、メ
タノール、エタノール、プロパノール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、
トリクロロエチレン、四塩化炭素等が挙げられ、これら
のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いること
ができる。
なうのが好ましく、硫酸水素テトラブチルアンモニウ
ム、塩化メチルトリアルキルアンモニウム、および、塩
化テトラブチルホスホニウムのような相関移動触媒を添
加して反応を行うこともできる。これにより、4−ハロ
ゲン化スルホニルフタロニトリルと式(III)のアルカ
リとの反応がより効率よく進行し、その結果、より短時
間で式(IV)の4−フタロニトリル誘導体を合成(製
造)することができる。
の種類等により適宜設定され、特に限定されないが、例
えば、−5〜70℃程度とするのが好ましく、5〜40
℃程度とするのがより好ましい。このような温度範囲に
おいて、式(IV)の4−フタロニトリル誘導体の収量を
増大させることができる。
の使用量、反応温度等により若干異なるが、通常、0.
5〜7時間程度とするのが好ましく、1〜5時間程度と
するのがより好ましい。このような時間範囲において、
式(IV)の4−フタロニトリル誘導体の収量を増大させ
ることができる。
ルホニルフタロニトリル(式(I)の4−フタロニトリ
ル誘導体)と、式(V)のアルカリとを反応させること
により、式(VI)の4−フタロニトリル誘導体を得る。
フタロニトリル誘導体において、L 1およびL2は、そ
れぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
ル基を表す。
は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。
に限定されないが、4−ハロゲン化スルホニルフタロニ
トリル1モルに対して、例えば、10〜60モル程度と
するのが好ましく、20〜50モル程度とするのがより
好ましい。式(V)のアルカリの使用量が少なすぎる
と、式(V)のアルカリの種類等によっては、未反応の
4−ハロゲン化スルホニルフタロニトリルが多く残存す
る場合がある。一方、式(V)のアルカリの使用量を、
前記上限値を超えて多くしても、それ以上、式(VI)の
4−フタロニトリル誘導体の収量の増大が見込めず、式
(V)のアルカリが無駄になる場合がある。
用いる場合には、前記範囲を超えた過剰量を用いて、式
(V)のアルカリ自体に反応溶媒を兼ねさせることもで
きる。
の式(V)のアルカリを用いることができる他、例え
ば、蒸留水、イオン交換水、超純水、RO水のような各
種水、メタノール、エタノール、プロパノール、アセト
ン、メチルエチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロ
メタン、トリクロロエチレン、四塩化炭素等の各種有機
溶媒が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を
組み合わせて用いることができる。
種類等により適宜設定され、特に限定されないが、例え
ば、−5〜70℃程度とするのが好ましく、5〜40℃
程度とするのがより好ましい。このような温度範囲にお
いて、式(VI)の4−フタロニトリル誘導体の収量を増
大させることができる。
使用量、反応温度等により若干異なるが、通常、1〜2
4時間程度とするのが好ましく、3〜15時間程度とす
るのがより好ましい。このような時間範囲において、式
(VI)の4−フタロニトリル誘導体の収量を増大させる
ことができる。
て、式(II)、式(IV)あるいは式(VI)の4−フタロ
ニトリル誘導体が、それぞれ合成(製造)される。
いては、それぞれ、例えば、抽出、洗浄、再結晶等の後
処理操作により、各化合物の精製および/または単離を
行なうようにしてもよい。また、前記工程[0−1]お
よび[0−2]において得られた各化合物(合成物)
は、このような後処理操作を、必要に応じて省略し、そ
のまま次工程に供するようにしてもよい。
I)、式(IV)および式(VI)の4−フタロニトリル誘
導体は、それぞれ、フタロシアニン化合物の原材料とし
て有用な化合物である。これらの4−フタロニトリル誘
導体を用いて製造されたフタロシアニン化合物(色素)
は、近赤外線吸収能、各種有機溶媒への溶解性、耐候性
等の各種特性に極めて優れるものである。このようなフ
タロシアニン化合物の特性は、特に、ベンゼン環の4位
の位置に、前述したような置換基が導入されていること
により、特徴づけられている。
の用途は、これに止まらず、例えば、医薬品、液晶等の
各種化合物の原材料としても極めて有用な化合物であ
る。
タロニトリルの製造方法の一例について説明する。
ば、4−ブロモ無水フタル酸から、下記化23のスキー
ムに従って製造することができる。
ニトリルを、容易かつ高い収率で製造することができ
る。
無水フタル酸を用意する。この4−ブロモ無水フタル酸
は、比較的容易かつ安価に入手可能な化合物である。こ
のため、4−ブロモ無水フタル酸を用いることにより、
4−ブロモフタロニトリル、延いては、式(I)、式
(II)、式(IV)、式(VI)および式(VII)の4−フ
タロニトリル誘導体も比較的安価に製造することができ
る。
ル酸と、アミド化合物とを反応させることにより、式
(XI)の4−ブロモフタルイミドを得る。
ブロモ無水フタル酸をアンモニア気流中で加熱する方法
により合成してもよいが、かかる方法では、アンモニア
ガスを用いるため、その操作が極めて煩雑となるばかり
でなく、安全に操作を進めるのに細心の注意を払わなけ
ればならない。これに比べ、アミド化合物を用いること
により、後述するように、アミド化合物自体を反応溶媒
として用いたり、アミド化合物を反応溶媒に添加(溶
解)するだけで足りるので、その操作を、より容易かつ
安全に行なうことができるという利点がある。
ば、ホルムアミド、尿素、炭酸アンモニウム等が挙げら
れ、これらの中でも、特に、ホルムアミドを用いるのが
好ましい。
自体を反応溶媒として用いることができる。すなわち、
ホルムアミド中に4−ブロモ無水フタル酸を添加(溶
解)して、これらを反応させることができる。これによ
り、別途、反応溶媒を用いる必要がないので、4−ブロ
モフタロニトリルの合成(製造)における手間とコスト
の低減を図ることができるという利点がある。
されないが、4−ブロモ無水フタル酸1モルに対して、
例えば、1〜10モル程度とするのが好ましく、1.5
〜3モル程度とするのがより好ましい。アミド化合物の
使用量が少なすぎると、アミド化合物の種類等によって
は、未反応の4−ブロモ無水フタル酸が多く残存する場
合がある。一方、アミド化合物の使用量を、前記上限値
を超えて多くしても、それ以上、4−ブロモフタルイミ
ドの収量の増大が見込めず、アミド化合物が無駄になる
場合がある。
ねさせる場合には、前記範囲を超えた過剰量を用いるよ
うにすればよい。
(常温で液体のアミド化合物)を用いることができる
他、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ブロモベ
ンゼンのような芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンのようなエーテル類等が挙げられ、これ
らのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。
により適宜設定され、特に限定されないが、例えば、6
0〜200℃程度とするのが好ましく、90〜160℃
程度とするのがより好ましい。このような温度範囲にお
いて、4−ブロモフタルイミドの収量を増大させること
ができる。
量、反応温度等により若干異なるが、通常、1〜8時間
程度とするのが好ましく、2〜6時間程度とするのがよ
り好ましい。このような時間範囲において、4−ブロモ
フタルイミドの収量を増大させることができる。
ミドと、アンモニアとを反応させることにより、式(XI
I)の4−ブロモフタルアミドを得る。
解したアンモニア溶液に、4−ブロモフタルイミドを添
加しつつ、これらを反応させる。
ば、蒸留水、イオン交換水、超純水、RO水のような各
種水、メタノール、エタノール、プロパノールのような
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エ
チル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシドのような各種有機溶媒等が挙げら
れ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて
用いることができる。
れないが、4−ブロモフタルイミド1モルに対して、例
えば、5〜50モル程度とするのが好ましく、10〜2
0モル程度とするのがより好ましい。アンモニアの使用
量が少なすぎると、未反応の4−ブロモフタルイミドが
多く残存する場合がある。一方、アンモニアの使用量
を、前記上限値を超えて多くしても、それ以上、4−ブ
ロモフタルアミドの収量の増大が見込めない。
例えば、−10〜60℃程度とするのが好ましく、0〜
20℃程度とするのがより好ましい。このような温度範
囲において、4−ブロモフタルアミドの収量を増大させ
ることができる。
反応温度等により若干異なるが、通常、1〜24時間程
度とするのが好ましく、3〜10時間程度とするのがよ
り好ましい。このような時間範囲において、4−ブロモ
フタルアミドの収量を増大させることができる。
ミドを、脱水剤で処理することにより、式(IX)の4−
ブロモフタロニトリルを得る。
ル、五酸化リン、オキシ塩化リン、ポリリン酸エステ
ル、トリフェニルホスフィン、ホスゲン、無水酢酸、ベ
ンゼンスルホニルクロリド等が挙げられ、これらの中で
も、特に、塩化チオニル、五酸化リン、オキシ塩化リ
ン、ポリリン酸エステル、トリフェニルホスフィン、ホ
スゲンのうちの少なくとも1種を用いるのが好ましい。
これらの脱水剤を用いることにより、比較的温和な条件
下で、収率よく反応を行なうことができるという利点が
ある。
いが、4−ブロモフタルアミド1モルに対して、例え
ば、1〜10モル程度とするのが好ましく、2〜4モル
程度とするのがより好ましい。脱水剤の使用量が少なす
ぎると、未反応の4−ブロモフタルアミドが多く残存す
る場合がある。一方、アンモニアの使用量を、前記上限
値を超えて多くしても、それ以上、4−ブロモフタロニ
トリルの収量の増大が見込めず、脱水剤が無駄になる場
合がある。
は、前記範囲を超えた過剰量を用いて、脱水剤自体に反
応溶媒を兼ねさせることもできる。
の脱水剤を用いることができる他、例えば、塩化メチレ
ン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,
2,2−テトラクロロエタンのようなハロゲン化炭化水
素類、n−ヘキサン、石油エーテル、トルエン、ベンゼ
ン、キシレンのような炭化水素類、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン
類、酢酸エチル、酢酸メチルのようなエステル類、ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンのようなエーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリルのようなニトリル類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン
酸トリアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジ
メトキシエタン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノン等の各種有機溶媒が挙げら
れ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて
用いることができる。
例えば、−10〜60℃程度とするのが好ましく、0〜
20℃程度とするのがより好ましい。このような温度範
囲において、4−ブロモフタロニトリルの収量を増大さ
せることができる。
に保つようにしてもよいし、必要に応じて変化させるよ
うにしてもよい。
温度等により若干異なるが、通常、0.5〜8時間程度
とするのが好ましく、1〜5時間程度とするのがより好
ましい。このような時間範囲において、4−ブロモフタ
ロニトリルの収量を増大させることができる。
を経て、4−ブロモフタロニトリルが合成(製造)され
る。
においては、それぞれ、例えば、抽出、洗浄、再結晶等
の後処理操作により、各化合物の精製および/または単
離を行なうようにしてもよい。また、前記各工程[2−
1]〜[2−3]において得られた各化合物(合成物)
は、このような後処理操作を、必要に応じて省略し、そ
のまま次工程に供するようにしてもよい。
の製造方法および4−フタロニトリル誘導体の実施形態
に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるも
のではない。
の工程を追加するようにしてもよい。
の製造方法は、例えば3−フタロニトリル誘導体、複数
の位置に置換基を有するフタロニトリル誘導体等の合成
にも適用することができる。
る。
タロニトリルを、次のようにして得た。
0.8g(0.4mol)を、ホルムアミド450g
(10mol)に加え、120〜130℃に保って3時
間攪拌した。
後、この反応液にメタノールを400mL加え、析出し
た結晶を濾別した。得られた結晶を、少量のメタノール
で洗浄した後、一晩風乾させた。
ルイミドの白色結晶を得た(mp235〜236℃)。
イミド76.9g(0.34mol)を冷却して−5〜
0℃に保ちながら、28%アンモニア水溶液400mL
に少量ずつ加えた。その後、室温下で一晩(8時間)攪
拌した。
留水、メタノールの順で洗浄した後、減圧下で赤外線ラ
ンプを用いて乾燥させた。
ルアミドの白色固体を得た(mp209〜210℃(d
ec.))。
ったジメチルホルムアミド(DMF)360mLに、塩
化チオニル91.2g(0.77mol)を30分かけ
て滴下し、同温度で1時間攪拌した。
ミド74.5g(0.31mol)を冷却して、0〜5
℃に保ちながら、少量ずつ加えた。その後、5〜10℃
に保って1時間攪拌し、さらに室温下で2時間攪拌し
た。
した結晶を濾別し、蒸留水で洗浄した後、室温下で風乾
した。
キサンからの再結晶操作を行なった。
ロニトリルの白色結晶を得た(mp139〜143
℃)。
リル33.5g(0.16mol)をジメチルホルムア
ミド(DMF)325mLに溶解した。
8g(0.32mol)、および、下記式(VIII−1)
[式(VIII−1)中、R1=H]のベンジルメルカプタ
ン20.1g(0.16mol)を加えた。
て3時間攪拌した後、室温まで冷却した。
結晶を濾別し、この結晶を蒸留水で洗浄した後、50℃
で送風乾燥した。さらに、得られた結晶に対して、トル
エンからの再結晶操作を行った。
−1)中、R1=H]の4−ベンジルチオフタロニトリ
ル34.3gを白色結晶として得た(mp139.5〜
141℃)。
ロニトリル25.0g(0.10mol)を、酢酸水溶
液250mL(酢酸210mL+水40mL)に加え、
氷水浴により5〜10℃に冷却した。
2mol)を、同温度を維持しつつ1時間かけて導入
し、導入終了後、同温度で1時間攪拌した。この反応液
を氷水に注加し、約1時間攪拌した後、析出した結晶を
濾別した。
ールの順で洗浄した後、40℃で送風乾燥した。
X=Cl]の4−クロロスルホニルフタロニトリル1
6.6gを白色結晶として得た。
のNMRおよび質量分析による分析データを、以下に示
す。
(d)、8.42(dd)、8.16(d) MS(m/e):226(M+)
0mLに氷冷下、5〜10℃に保って、4−クロロスル
ホニルフタロニトリル4.1g(18mmol)を、少
量ずつ加えた。添加終了後、室温下で一晩(8時間)攪
拌した。
し、濃塩酸を滴下して、pHを1〜2に調整した。析出
した結晶を濾別し、蒸留水で洗浄した後、50℃で送風
乾燥した。得られた固体に対して、蒸留水からの再結晶
操作を行った。
L1=L2=H]の4−スルホンアミドフタロニトリル
2.6gを淡黄色固体として得た(mp187〜18
8.5℃)。
の4−クロロスルホニルフタロニトリルからの収率は、
69%であった。
条件を、以下に示すように変更した以外は、前記実施例
1と同様にして、4−スルホンアミドフタロニトリルを
合成した。
4−クロロスルホニルフタロニトリルを加えた後、−5
〜0℃で16時間攪拌した。
の4−クロロスルホニルフタロニトリルからの収率は、
59%であった。
て、塩素ガスに代わり、臭素液を用い、臭素液を酢酸水
溶液に滴下したこと以外は、前記実施例1と同様にし
て、前記式(I)[式(I)中、X=Br]の4−ブロ
モスルホニルフタロニトリルを合成した。
を用いて、前記実施例1と同様にして、4−スルホンア
ミドフタロニトリルを合成した。
の4−ブロモスルホニルフタロニトリルからの収率は、
62%であった。
て、塩素ガスに代わり、ヨウ素液を用い、反応条件を以
下のように変更した以外は、前記実施例1と同様にし
て、前記式(I)[式(I)中、X=I]の4−ヨード
スルホニルフタロニトリルを合成した。
ルチオフタロニトリルを、酢酸水溶液に加え、35〜4
0℃に加熱した。この溶液に、ヨウ素液を、同温度を維
持しつつ、3時間かけて滴下し、添加終了後、同温度で
1時間攪拌した。
を用いて、前記実施例1と同様にして、4−スルホンア
ミドフタロニトリルを合成した。
の4−ヨードスルホニルフタロニトリルからの収率は、
60%であった。
ンモニア水溶液に代わり、75%ジメチルアミン水溶液
40mLを用いた以外は、前記実施例1と同様にして、
前記式(VI)[式(VI)中、L1=L2=CH3]の4
−スルホンジメチルアミドフタロニトリルを合成した。
ニトリルの4−クロロスルホニルフタロニトリルからの
収率は、71%であった。
4−クロロスルホニルフタロニトリルを合成した。
4.1g(18mmol)を、0.01M塩酸水溶液5
0mLに少量ずつ加えた。添加終了後、常圧下に5〜1
0℃で2時間攪拌した。
0mLとジクロロメタン100mLから目的物を抽出
し、有機層を減圧下濃縮した。
アノベンゼンスルホン酸2.6gを白色固体として得
た。
酸の4−クロロスルホニルフタロニトリルからの収率
は、69%であった。
に変更した以外は、前記実施例6と同様にして、3,4
−ジシアノベンゼンスルホン酸を合成した。
酸水溶液に少量ずつ加え、添加終了後、常圧下に45〜
50℃で4時間攪拌した。
酸の4−クロロスルホニルフタロニトリルからの収率
は、62%であった。
4−クロロスルホニルフタロニトリルを合成した。
4.1g(18mmol)を、1.0M水酸化ナトリウ
ム水溶液40mLに少量ずつ加えた。添加終了後、5〜
15℃で4時間攪拌した。
0mLとジクロロメタン100mLから目的物を抽出
し、有機層を減圧下濃縮した。
Q=Na、n=1]の3,4−ジシアノベンゼンスルホ
ン酸ナトリウム2.9gを白色固体として得た。
酸ナトリウムの4−クロロスルホニルフタロニトリルか
らの収率は、73%であった。
に変更した以外は、前記実施例8と同様にして、3,4
−ジシアノベンゼンスルホン酸ナトリウムを合成した。
酸水溶液に少量ずつ加え、添加終了後、常圧下に50〜
60℃で6時間攪拌した。
酸ナトリウムの4−クロロスルホニルフタロニトリルか
らの収率は、65%であった。
代わり、0.5M水酸化カルシウム水溶液40mLを用
いた以外は、前記実施例8と同様の操作を行なった。
Q=Ca、n=2]の3,4−ジシアノベンゼンスルホ
ン酸カルシウム2.7gを白色固体として得た。
酸カルシウムの4−クロロスルホニルフタロニトリルか
らの収率は、70%であった。
代わり、1.0M水酸化アンモニウム水溶液50mLを
用いた以外は、前記実施例8と同様の操作を行なった。
Q=NH4、n=1]の3,4−ジシアノベンゼンスル
ホン酸アンモニウム2.8gを白色固体として得た。
酸アンモニウムの4−クロロスルホニルフタロニトリル
からの収率は、68%であった。
代わり、1.0M水酸化トリエチルアンモニウム水溶液
50mLを用いた以外は、前記実施例8と同様の操作を
行なった。
Q=(CH3CH2)3NH、n=1]の3,4−ジシ
アノベンゼンスルホン酸トリエチルアンモニウム3.8
gを淡黄色固体として得た。
酸トリエチルアンモニウムの4−クロロスルホニルフタ
ロニトリルからの収率は、71%であった。
代わり、1.0M水酸化トリエタノールアンモニウム水
溶液50mLを用いた以外は、前記実施例8と同様の操
作を行なった。
Q=(HOCH2CH2)3NH、n=1]の3,4−
ジシアノベンゼンスルホン酸トリエタノールアンモニウ
ム4.5gを淡黄色固体として得た。
酸トリエタノールアンモニウムの4−クロロスルホニル
フタロニトリルからの収率は、73%であった。
−クロロスルホニルフタロニトリルに代わり、下記式
(XIII−1)の4−メシルフタロニトリルを用いた以外
は、前記実施例1と同様にして、4−スルホンアミドフ
タロニトリルの合成を試みたが、4−スルホンアミドフ
タロニトリルは、得られなかった。
−クロロスルホニルフタロニトリルに代わり、下記式
(XIII−2)の4−トシルフタロニトリルを用いた以外
は、前記実施例1と同様にして、4−スルホンアミドフ
タロニトリルの合成を試みたが、4−スルホンアミドフ
タロニトリルは、得られなかった。
−フタロニトリル誘導体を、容易かつ高い収率で製造す
ることができる。
応温度や反応時間を、適宜選択することにより、4−フ
タロニトリル誘導体の収率をより向上させることができ
る。
る4−フタロニトリル誘導体(4−ハロゲン化スルホニ
ルフタロニトリル)を、4−ブロモフタロニトリルから
合成(製造)することや、さらに、この4−ブロモフタ
ロニトリルを4−ブロモ無水フタル酸から合成(製造)
することにより、前記効果をさらに向上させることがで
きる。
Claims (23)
- 【請求項1】 下記式(I) 【化1】 [式(I)中、Xは、ハロゲン原子を表す。]で示され
る4−フタロニトリル誘導体を、酸またはアルカリの存
在下で、加水分解することにより、下記式(II) 【化2】 で示される4−フタロニトリル誘導体を得ることを特徴
とする4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体の加水分解反応における温度は、−5〜70
℃である請求項1に記載の4−フタロニトリル誘導体の
製造方法。 - 【請求項3】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体の加水分解反応における時間は、20分〜5
時間である請求項1または2に記載の4−フタロニトリ
ル誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 下記式(I) 【化3】 [式(I)中、Xは、ハロゲン原子を表す。]で示され
る4−フタロニトリル誘導体と、下記式(III)で示さ
れるアルカリとを反応させ、下記式(IV)で示される4
−フタロニトリル誘導体を得ることを特徴とする4−フ
タロニトリル誘導体の製造方法。 【化4】 【化5】 [式(III)、式(IV)中、Qは、アルカリ金属原子、
アルカリ土類金属原子または第4アンモニウムを表し、
nは、Qの価数を表す。] - 【請求項5】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカリとの
反応温度は、−5〜70℃である請求項4に記載の4−
フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項6】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカリとの
反応時間は、0.5〜7時間である請求項4または5に
記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項7】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体と、前記式(III)で示されるアルカリとの
反応は、水の存在下で行なわれる請求項4ないし6のい
ずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項8】 下記式(I) 【化6】 [式(I)中、Xは、ハロゲン原子を表す。]で示され
る4−フタロニトリル誘導体と、下記式(V)で示され
るアルカリとを反応させ、下記式(VI)で示される4−
フタロニトリル誘導体を得ることを特徴とする4−フタ
ロニトリル誘導体の製造方法。 【化7】 【化8】 [式(V)、式(VI)中、L1およびL2は、それぞれ
独立して、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を
表す。] - 【請求項9】 前記式(I)で示される4−フタロニト
リル誘導体と、前記式(V)で示されるアルカリとの反
応温度は、−5〜70℃である請求項8に記載の4−フ
タロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項10】 前記式(I)で示される4−フタロニ
トリル誘導体と、前記式(V)で示されるアルカリとの
反応時間は、1〜24時間である請求項8または9に記
載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項11】 前記ハロゲン原子は、塩素原子である
請求項1ないし10のいずれかに記載の4−フタロニト
リル誘導体の製造方法。 - 【請求項12】 前記式(I)で示される4−フタロニ
トリル誘導体は、酸水溶液中または酸を含む含水有機溶
媒中で、下記式(VII) 【化9】 [式(VII)中、Rは、水素原子または炭素数1〜4の
アルキル基を表す。]で示される4−フタロニトリル誘
導体と、ハロゲン分子とを接触させることにより反応さ
せ、これにより得られたものである請求項1ないし11
のいずれかに記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方
法。 - 【請求項13】 前記ハロゲン分子を前記酸水溶液中ま
たは前記酸を含む含水有機溶媒中に添加しつつ、前記式
(VII)で示される4−フタロニトリル誘導体と接触さ
せる請求項12に記載の4−フタロニトリル誘導体の製
造方法。 - 【請求項14】 前記酸は、酢酸、プロピオン酸のうち
の少なくとも1種である請求項12または13に記載の
4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項15】 前記酸を含む含水有機溶媒に用いられ
る有機溶媒は、メタノール、エタノール、クロロホル
ム、塩化メチレン、四塩化炭素、ジオキサンのうちの少
なくとも1種である請求項12ないし14のいずれかに
記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項16】 前記式(VII)で示される4−フタロ
ニトリル誘導体は、アルカリ存在下で、4−ブロモフタ
ロニトリルと、下記式(VIII)で示されるベンジルメル
カプタン誘導体とを反応させることにより得られたもの
である請求項12ないし15のいずれかに記載の4−フ
タロニトリル誘導体の製造方法。 【化10】 [式(VIII)中、Rは、前記式(VII)と同様の置換基
を表す。] - 【請求項17】 前記ベンジルメルカプタン誘導体は、
置換基Rをベンゼン環の4位の位置に有する請求項16
に記載の4−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項18】 前記アルカリは、炭酸カリウム、炭酸
ナトリウム、水素化ナトリウム、ピリジン、1,8−ジ
アザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5
−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネンのうちの
少なくとも1種である請求項16または17に記載の4
−フタロニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項19】 前記4−ブロモフタロニトリルは、4
−ブロモ無水フタル酸から得られたものである請求項1
6ないし18のいずれかに記載の4−フタロニトリル誘
導体の製造方法。 - 【請求項20】 前記4−ブロモフタロニトリルは、4
−ブロモ無水フタル酸とアミド化合物とを反応させ、4
−ブロモフタルイミドを得、次いで、前記4−ブロモフ
タルイミドとアンモニアとを反応させ、4−ブロモフタ
ルアミドを得、その後、前記4−ブロモフタルアミドを
脱水剤で処理することにより得られたものである請求項
16ないし19のいずれかに記載の4−フタロニトリル
誘導体の製造方法。 - 【請求項21】 前記アミド化合物は、ホルムアミドで
ある請求項20に記載の4−フタロニトリル誘導体の製
造方法。 - 【請求項22】 前記脱水剤は、塩化チオニル、五酸化
リン、オキシ塩化リン、ポリリン酸エステル、トリフェ
ニルホスフィン、ホスゲンのうちの少なくとも1種であ
る請求項20または21に記載の4−フタロニトリル誘
導体の製造方法。 - 【請求項23】 請求項1ないし22のいずれかに記載
の4−フタロニトリル誘導体の製造方法により製造され
たことを特徴とする4−フタロニトリル誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001248227A JP3959994B2 (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 4−フタロニトリル誘導体の製造方法 |
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JP2003055335A true JP2003055335A (ja) | 2003-02-26 |
JP3959994B2 JP3959994B2 (ja) | 2007-08-15 |
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CN105218413A (zh) * | 2015-08-12 | 2016-01-06 | 诚达药业股份有限公司 | 制备芳香磺酸类化合物的方法 |
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