JP2003028772A - 走査型プローブ顕微鏡およびその測定設定方法 - Google Patents

走査型プローブ顕微鏡およびその測定設定方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料表面の測定箇所を高速にかつ高精度に特
定して探針との位置合わせを行い、原子間力顕微鏡等に
より測定の効率を高める走査型プローブ顕微鏡およびそ
の測定設定方法を提供する。 【解決手段】 探針20を有するカンチレバー21、試
料14に対する探針の高さ変位を与えるZ微動機構と、
試料の表面に沿って探針の相対的変位を与えるXY走査
機構と、カンチレバーに生じる変位量を検出する光検出
器22と、この光検出器から出力される検出信号と基準
値に基づきZ微動機構の動作を制御して探針と試料の間
隔を一定に保持しながらXY走査機構の動作を制御する
ことにより探針で試料の表面を走査させる制御装置31
(制御器32)を備える。さらに、試料の表面の測定箇
所をカンチレバーと共に観察する光学顕微鏡17と、第
2顕微鏡で得られる観察像から画像データを作り、制御
装置に送るカメラ18と、画像データを記憶する記憶部
51を備える。最終位置決めに用いる基準像として記憶
部51に予め記憶させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型プローブ顕
微鏡およびその測定設定方法に関し、特に、探針と試料
表面の測定箇所との位置合わせを高速にかつ高精度で行
うのに適した走査型プローブ顕微鏡およびその測定設定
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】走査型プローブ顕微鏡は、従来、原子サ
イズの微細な対象物を観察できる測定分解能を有する測
定装置として知られ、半導体デバイスが作られる基板等
の表面の凹凸形状の計測など各種の分野に適用されてい
る。測定に利用する検出物理量に応じて各種のタイプの
走査型プローブ顕微鏡がある。例えばトンネル電流を利
用する走査型トンネル顕微鏡、原子間力を利用する原子
間力顕微鏡、磁気力を利用する磁気力顕微鏡等があり、
それらの応用範囲も拡大しつつある。
【0003】上記のうち原子間力顕微鏡は、試料表面の
微細な凹凸形状を高分解能で検出するのに適し、半導体
基板、ディスクなどの分野で実績を上げている。以下の
説明では原子間力顕微鏡の例を説明する。
【0004】図5に原子間力顕微鏡の基本的な構成を示
す。この原子間力顕微鏡は、本来の原子間力顕微鏡の原
理に基づく測定機構と共に、光学顕微鏡を備えた構成を
有している。この基本構成は一例である。
【0005】図5において、例えば水平に設置された定
盤11の上にXYステージ12を配置し、その上に接近
用粗動機構13が設置されている。接近用粗動機構13
の上に半導体基板等の薄板状の試料14が置かれてい
る。定盤11は試料の位置が不安定にならないようにす
るためのものである。XYステージ12は、図中水平面
(XY平面)における位置の変化を生じさせる移動機構
であり、試料14を水平方向に位置決めする。XYステ
ージ12は、パルスモータおよび駆動力伝達機構により
比較的に大きな移動量で位置変化を生じさせる。粗動機
構13は高さ方向(図中Z軸方向)に変位を生じさせる
機構部であり、探針接近用機構として用いられる。通
常、パルスモータ等を利用して変位を生じさせる。粗動
機構13は、後述の微動機構に比較して大きな距離(数
μm〜数mm)で垂直方向の移動を生じさせる。
【0006】上記定盤11上には掛渡し形状のフレーム
15が設けられている。フレーム15は所望の剛性を有
し、かつ上記試料14の上方に位置するように配置され
ている。フレーム15の水平部15aであって、試料1
4の上方位置に駆動機構16を介して光学顕微鏡17が
取り付けられている。光学顕微鏡17は、その対物レン
ズ17aを下方に向けて配置され、試料14の表面を真
上から臨む位置に配置されている。光学顕微鏡17の上
端にはカメラ18が付設されている。光学顕微鏡17
は、当該光学顕微鏡17を垂直方向(Z軸方向)に移動
させる上記の駆動機構16によって支持されている。こ
の駆動機構16によって光学顕微鏡17は試料14に接
近させたり遠ざけたりすることができる。さらにフレー
ム15の水平部15aの下面にはXYZ微動機構19が
取り付けられている。XYZ微動機構19は通常は圧電
素子で構成される。XYZ微動機構19にはトライポッ
ド型あるいはチューブ型、平行平板型等のものが存在す
る。XYZ微動機構19によってX軸方向、Y軸方向、
Z軸方向の各々へ微小距離(数〜10μm)の変位を生
じさせることができる。XYZ微動機構19の下端に
は、先端に探針20が形成されたカンチレバー21が取
り付けられている。探針20は、試料14の表面に対向
している。カンチレバー21の背面には反射面が形成さ
れている。カンチレバー21の上方に配置されたレーザ
光源(図示せず)から出射されたレーザ光22がカンチ
レバー21の背面における探針20に近い部分に照射さ
れる。カンチレバー21の背面で反射されたレーザ光2
2は光検出器23より検出される。カンチレバー21に
おいて捩れや撓みが生じると、光検出器23におけるレ
ーザ光22の入射位置が変化する。従って探針20およ
びカンチレバー21で変位が生じると、光検出器23か
ら出力される検出信号で当該変位を検出することができ
る。
【0007】上記の原子間力顕微鏡の構成に対して制御
装置31が設けられている。制御装置31は原子間力顕
微鏡による測定制御用の制御器32を含んでいる。上記
光検出器23から出力される検出信号は制御器32に入
力される。制御器32から出力される制御信号はXYZ
微動機構19に与えられる。制御装置31は、さらにX
Yステージ12、粗動機構13、駆動機構16のそれぞ
れの動作を制御する機能部を含んでいる。XYステージ
12、粗動機構13、XYZ微動機構19、駆動機構1
6の各々には制御装置31から制御信号s1,s2,s
3,s4が供給されている。また光学顕微鏡17を介し
て得られた映像情報はカメラ18から出力され、制御装
置31に入力される。33は、制御装置31に付設され
た表示装置である。制御装置31は通常PC(パーソナ
ル・コンピュータ)であり、表示装置33はPCのディ
スプレイである。表示装置33によって表示される内容
には、光学顕微鏡17による映像(光学顕微鏡像)33
Aと原子間力顕微鏡に基づいて得られた凹凸情報と位置
情報により作成される試料の表面画像33Bとがある。
【0008】上記の構成で、粗動機構13によって探針
20を試料14の表面に接近させると、両者の間に原子
間力が作用してカンチレバー21に撓みが起きる。カン
チレバー21の撓み量はレーザ光22と光検出器23を
用いて検出される。この検出には一般的に図示された光
てこ法が利用される。この状態において、当該カンチレ
バー21の撓み量を一定に保つように、制御器32によ
ってXYZ微動機構19の動作を制御する。制御器32
はフィードバックサーボ制御を行う。探針・試料間の距
離を一定に保つことにより、カンチレバー21の撓み量
が一定に保たれる。XYZ微動機構19に基づいて、試
料14の表面を探針20によってXおよびYの方向に走
査しながら、かつカンチレバー21の撓み量を一定に保
持する制御を行うことにより、試料14の表面の凹凸形
状を測定することができる。
【0009】次に図6を参照して上記構成を有する原子
間力顕微鏡に基づいて試料表面上の特定の箇所を測定す
る場合の従来の測定手順を説明する。
【0010】図6では(A)〜(E)の5段階によって
測定手順を示している。
【0011】手順(A)は最初の状態を示す。この図
は、光学顕微鏡17の観察視野に係る画面を示し、光学
顕微鏡像41を示している。当該画面においてカンチレ
バー21の先部と試料14の表面上の特定なパターン4
2が見えている。手順(A)の段階では、探針20はカ
ンチレバー21の下側にあるので、光学顕微鏡17によ
る画面で探針20を見ることはできない。これはカンチ
レバー21を利用する原子間力顕微鏡の構造的特徴であ
る。参考のために図6の(A)の右側領域43にカンチ
レバー21および探針20と試料14との関係が示され
ている。この図は、図6(A)で右側からカンチレバー
21の方向を見た側面図である。探針20の位置は、通
常、半導体製造技術に基づくカンチレバー製作プロセス
で決められているので、探針位置を点44と推定するこ
とができる。図6の手順(A)では探針位置44は光学
顕微鏡像41の中央位置とする。なおカンチレバー製作
プロセスによっては、探針の位置が数μm以上ばらつく
こともある。なお45は試料14の表面上の他のパター
ンであり、46は試料表面における特徴的部分のパター
ンである。これらは、例えば試料14が半導体基板等で
ある場合に、形状として画面上で認識され得るものであ
る。
【0012】上記の状態において光学顕微鏡像41に示
された試料表面上の特定パターン42が測定しようとす
る箇所であり、この箇所を原子間力顕微鏡で測定する。
そこで、特定パターン42が探針20の位置44に一致
するように、XYステージ12を動作させる。手順
(B)の画面中の矢印47は、特定パターン42を探針
位置44へ移動させる推移の状態を示している。特定パ
ターン42を探針位置44に一致させるように移動させ
るためには、特定パターン42の任意の座標を、マウス
等による操作で位置を指定し、またはパターン認識技術
を適用して確定する。特定パターン42の確定した座標
を用いて矢印47のごとくXYステージ12に移動動作
を行わせる。これにより、手順(C)に示されるごと
く、試料14すなわち特定パターン42は、カンチレバ
ー21における探針20が存在すると推定される場所に
セットされる。この場合の位置合わせにおいて移動の距
離はμm単位となる。
【0013】手順(D)は原子間力顕微鏡によって測定
される領域を示している。原子間顕微鏡によって測定さ
れる領域48は通常10〜100μm程度と狭い。図6
の手順(D)で48は上記の特定パターン42を拡大し
て示した矩形の領域である。原子間力顕微鏡は特定パタ
ーン42を測定する。そこで手順(E)では、特定パタ
ーン42に対応する領域48を画面の中心位置に移動さ
せる。この状態において、カンチレバー21の先部に設
けられた探針20を用いて試料14の特定パターン42
すなわち領域48の表面を走査し、かつ原子間力顕微鏡
の測定原理に基づいて探針とパターン表面の距離を一定
に保持することにより、領域48の表面の凹凸を測定す
る。
【0014】図6の上記手順(A)〜(E)で示された
原子間力顕微鏡による試料14の特定パターン42の測
定は、カンチレバーと光学顕微鏡を同軸に構成し、カン
チレバーと試料表面が同時に観察できる光学顕微鏡を採
用した場合の例である。カンチレバーと光学顕微鏡を別
置きの構造とする場合等でも、操作のフローは基本的に
同じである。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】光学顕微鏡17を備
え、当該光学顕微鏡17によってカンチレバー21と試
料14の表面を同時に観察し、XYステージ12を動作
させて試料14を移動させ、試料表面の測定箇所42と
探針20とを位置合わせし、探針を利用した原子間力顕
微鏡による測定を行うように構成される従来の原子間力
顕微鏡では、次の問題が存在する。
【0016】第1に装置コストの関係でXYステージの
位置決め精度が悪い、第2に探針の取付け位置がばらつ
く、第3に温度ドリフト等の物理的要因でカンチレバー
と試料の相対位置が動く(10μm程度動く)、第4に
別のカンチレバーを使用するなどの理由に基づいて、試
料表面における測定箇所を、原子間力顕微鏡による測定
領域に、短時間に正確にセットすることが極めて難しい
という問題が提起される。この問題は、特に半導体プロ
セス評価のように、多数の基板に関して当該基板の表面
上の特定の同じ箇所を繰り返し測定するという場合に顕
著になる。
【0017】上記構成を有する従来の原子間力顕微鏡で
マニュアル操作によって測定する場合には、さらに、測
定オペレータが微調整(試行錯誤)を行って位置合わせ
を行うことが必要である。また自動的に測定を行うよう
に構成したものでは、試料表面の測定箇所が原子間力顕
微鏡の測定領域に入るように自動探索アルゴリズムを用
意することが必要となる。自動測定の場合には、測定効
率が求められ、測定時間の短縮化が求められる。
【0018】上記の問題や要請は、原子間力顕微鏡以外
の他の方式の走査型プローブ顕微鏡においても同様に当
てはまる。
【0019】本発明の目的は、上記の問題や要請を解決
することにあり、試料表面の測定箇所を高速にかつ高精
度に特定して探針との位置合わせを行い、原子間力顕微
鏡等により測定の効率を高めることを企図した走査型プ
ローブ顕微鏡およびその測定設定方法を提供することに
ある。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明に係る走査型プロ
ーブ顕微鏡およびその測定方法は、上記目的を達成する
ために、次のように構成される。
【0021】第1の走査型プローブ顕微鏡(請求項1に
対応):前提として、先端に探針を有するカンチレバー
と、試料に対する探針の高さ変位を与えるZ微動機構
(XYZ微動機構のZ軸方向の微動に関与する機構部
分)と、試料の表面に沿って探針の相対的変位を与える
XY走査機構(XYZ微動機構の平面走査に関与する機
構部分)と、カンチレバーに生じる変位量を検出する検
出手段と、この検出手段から出力される検出信号と基準
値に基づきZ微動機構の動作を制御して探針と試料の間
隔を一定に保持しながらXY走査機構の動作を制御する
ことにより探針で試料の表面を走査させる制御手段を備
え、試料の表面特性に係る物理量を測定するように構成
される。さらに、試料の表面の測定箇所をカンチレバー
と共に観察する第2顕微鏡と、第2顕微鏡で得られる観
察像から画像データを作り、制御手段に送る撮像手段
と、画像データを記憶する記憶手段を備えている。上記
の構成に基づいて、試料の測定箇所を探針に一致させた
ときにおける第2顕微鏡による観察像を最終位置決めに
用いる基準像として記憶手段に予め記憶させることで特
徴づけられている。
【0022】第2の走査型プローブ顕微鏡(請求項2に
対応)は、上記の第1の走査型プローブ顕微鏡におい
て、好ましくは、制御手段は、最終位置決めを行う実際
の位置決め時における第2顕微鏡による観察像と記憶手
段に記憶された基準像とを比較することを特徴とする。
【0023】第3の走査型プローブ顕微鏡(請求項3に
対応)は、上記の第2の走査型プローブ顕微鏡におい
て、好ましくは、制御手段は、実際の位置決め時におけ
る第2顕微鏡による観察像と記憶手段に記憶された基準
像とが一致するまで、XY走査機構を制御して探針と試
料の位置合わせ動作を行うことを特徴とする。
【0024】第4の走査型プローブ顕微鏡(請求項4に
対応)は、上記の第1の走査型プローブ顕微鏡におい
て、好ましくは、第2顕微鏡による観察像は、カンチレ
バーと、測定箇所の周辺の試料表面の特徴部を含むこと
を特徴とする。
【0025】第5の走査型プローブ顕微鏡(請求項5に
対応)は、第2顕微鏡は光学顕微鏡であることを特徴と
する。
【0026】第1の走査型プローブ顕微鏡の測定設定方
法(請求項6に対応)は、前述の構成を有する走査型プ
ローブ顕微鏡に適用される測定設定方法であり、走査型
プローブ顕微鏡により試料の測定箇所を測定するとき、
その前の段階で実行される方法である。この測定設定方
法は、第2顕微鏡により試料の表面の測定箇所をカンチ
レバーと共に観察するステップと、第2顕微鏡で得られ
る観察像を利用して試料の測定箇所と探針との位置合わ
せを行うステップと、位置合わせを行った後の第2顕微
鏡により得られる観察像と、予め用意された基準像とを
比較し、観察像と基準像が一致するように最終位置合わ
せを行うステップと、から成っている。
【0027】第2の走査型プローブ顕微鏡の測定設定方
法(請求項7に対応)は、上記の第1の測定設定方法に
おいて、好ましくは、基準像は、記憶手段に予め記憶さ
れていることを特徴とする。
【0028】第3の走査型プローブ顕微鏡の測定設定方
法(請求項8に対応)は、上記の第1の測定設定方法に
おいて、好ましくは、第2顕微鏡による観察像は、カン
チレバーと、測定箇所の周辺の試料表面の特徴部を含む
ことを特徴とする。
【0029】第4の走査型プローブ顕微鏡の測定設定方
法(請求項9に対応)は、上記の各測定設定方法におい
て、好ましくは、第2顕微鏡は光学顕微鏡であることを
特徴とする。
【0030】
【作用】走査型プローブ顕微鏡では、通常、カンチレバ
ーの先端に設けられた探針は、試料の表面に対向して配
置されている。かかる探針(カンチレバー)を試料表面
に所要の間隔で接近させ、走査型プローブ顕微鏡に基づ
く測定を行うとき、第2顕微鏡(光学顕微鏡等)でカン
チレバーの上側から試料表面の測定箇所およびカンチレ
バーに係る観察像を得る。この場合、第2顕微鏡によっ
ては、カンチレバーの下側先端に存する探針を見ること
は困難である。第1の本発明に係る走査型プローブ顕微
鏡では、試料表面の測定箇所とカンチレバー先端の探針
との位置合わせを第2顕微鏡で観察しながら行うとき、
カンチレバーの陰に探針と測定すべき観察点が隠れた状
態にあって、正確な位置合わせが困難であるが、探針と
観察点が一致する状況を実験または画像処理等により確
定し、その光学的像等を基準像として予め記憶手段に記
憶しておき、この基準像を利用して最終位置合わせを行
い、探針と観察点の間で正確な位置合わせを達成する。
【0031】走査型プローブ顕微鏡の測定対象物が半導
体基板であるとき、通常、半導体の集積素子では同じパ
ターンがシリコンウェハ上に繰り返し製作されるので、
別のウェハを測定する場合やウェハの別の箇所を測定す
る場合には、前述の記憶済みの最終位置合わせのための
基準像を利用して位置決めすることにより、探針と試料
表面の観察点を正確に、迅速に、容易に行う。
【0032】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
【0033】実施形態で説明される構成、形状、大きさ
および配置関係については本発明が理解・実施できる程
度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構
成の組成(材質)については例示にすぎない。従って本
発明は、以下に説明される実施形態に限定されるもので
はなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を
逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【0034】本発明に係る走査型プローブ顕微鏡は原子
間力顕微鏡の例で説明される。当該原子間力顕微鏡は図
1に示される。当該原子間力顕微鏡の機械的な構成は図
5で説明された構成と同じである。原子間力顕微鏡によ
る測定動作の制御は、制御装置の記憶部に用意された測
定プログラムに従って行われる。この測定プログラムに
は、試料表面の測定箇所(観察点)と探針の位置とを一
致させる位置合わせ制御の内容が含まれている。本発明
に係る原子間力顕微鏡では、原子間力顕微鏡に基づく測
定を開始する前の段階に、探針と試料表面の観察点とを
正確に位置合わせする方法に特徴がある。
【0035】原子間力顕微鏡の基本的構成を、図1に基
づき、図5で用いた同一符号を用いて概略的に再度説明
する。詳細は図5での説明を援用する。
【0036】定盤11上にXYステージ12を配置し、
その上に接近用粗動機構13が設置される。接近用粗動
機構13上に半導体基板等の試料14が置かれている。
XYステージ12は、XY平面における位置の変化を生
じさせる移動機構で、試料14を移動させる。XYステ
ージ12は、パルスモータおよび駆動力伝達機構により
比較的に大きな移動量で位置変化を生じさせる。粗動機
構13は高さ方向すなわちZ軸方向に変位を生じさせ、
探針接近用機構として用いられる。粗動機構14は大き
な距離(数μm〜数mm)で垂直方向の移動を生じさせ
る。
【0037】定盤11上に掛渡し形状のフレーム15が
設けられる。フレーム15は上記試料14の上側に位置
する。フレーム15の水平部15aに駆動機構16を介
して光学顕微鏡17が取り付けられる。光学顕微鏡17
の対物レンズ17aは試料14の表面に臨む。光学顕微
鏡17の上端にはカメラ18が付設されている。光学顕
微鏡17は、垂直方向(Z軸方向)に移動させる駆動機
構16によって支持されている。駆動機構16は、光学
顕微鏡17を試料14に接近させたり遠ざけたりする。
フレーム15の水平部15aの下面にはXYZ微動機構
19が取り付けられている。XYZ微動機構19によっ
てX軸方向、Y軸方向、Z軸方向の各々へ微小距離(数
〜10μm)の変位を生じさせる。XYZ微動機構19
は、大きく分けて、試料表面に沿って探針を平面的(X
Y平面)に走査移動させるXY微動機構の部分と、試料
表面と探針の距離(試料表面に対する探針の高さ位置)
を調整するZ方向に係るZ微動機構の部分を備えてい
る。XYZ微動機構19の下端には、先端に探針20が
設けられたカンチレバー21が取り付けられている。探
針20は試料14の表面に対向している。カンチレバー
21の背面には反射面が形成され、レーザ光源(図示せ
ず)から出射されたレーザ光22が照射される。カンチ
レバー21の背面で反射したレーザ光22は光検出器2
3により検出される。カンチレバー21において捩れや
撓みが生じると、光検出器23におけるレーザ光22の
入射位置が変化し、探針20とカンチレバー21で変位
・変形が生じると、光検出器23から出力される検出信
号でこれを検出する。
【0038】上記の原子間力顕微鏡の構成に対して制御
装置31が設けられ、制御装置31は原子間力顕微鏡制
御用のフィードバックサーボ制御式の制御器32を含ん
でいる。光検出器23から出力される検出信号は制御器
32に入力される。制御器32から出力される制御信号
はXYZ微動機構19に与えられる。制御装置31は、
さらにXYステージ12、粗動機構13、駆動機構16
のそれぞれの動作を制御するXYステージ制御部31
a、粗動機構制御部31b、駆動機構制御部31cを備
える。光学顕微鏡17を介して得られた映像情報(光学
顕微鏡像)はカメラ18から出力され、制御装置31に
入力される。制御装置31には表示装置33が付設され
る。表示装置33によって表示される内容は、光学顕微
鏡17による映像33Aと原子間力顕微鏡に基づいて得
られた凹凸情報と位置情報により作成される試料の表面
画像33Bである。制御装置31は、所要のプログラム
および各種のデータを記憶する記憶部51を備えてい
る。
【0039】粗動機構13によって探針20を試料14
の表面に接近させると、両者の間に原子間力が作用して
カンチレバー21に撓みが起きる。カンチレバー21の
撓み量はレーザ光22と光検出器23を用いて検出され
る。この状態で、当該カンチレバー21の撓み量を一定
に保つように、制御器32によってXYZ微動機構19
の動作を制御する。探針・試料間の距離を一定に保つこ
とにより、カンチレバー21の撓み量が一定に保たれ
る。XYZ微動機構19に基づいて、試料14の表面を
探針20によってXおよびYの方向に走査しながら、か
つカンチレバー21の撓み量を一定に保持する制御を行
うことにより、試料14の表面の凹凸形状を測定でき
る。
【0040】次に図2に従って試料表面の測定箇所(観
察点)と探針とを位置合わせする手順を説明する。この
位置合わせの制御を実行するプログラムは制御装置31
の記憶部51に記憶される。当該プログラムを実現する
フローチャートは図3に示される。
【0041】最初、測定開始か否かが判定される(ステ
ップS11)。試料14を接近用粗動機構13の上に載
置し、測定開始ボタンを操作すると、原子間力顕微鏡に
よる測定のための準備動作が開始され、この条件の下で
ステップS11では測定開始と判定される。次のステッ
プS12では、試料14の上方に位置する光学顕微鏡1
7に基づく観察を行い、光学顕微鏡像101を取得す
る。この光学顕微鏡像101は、カメラ18で撮像さ
れ、その映像情報に基づいて表示装置33の画面33A
に表示される(ステップS12、図2(A))。また光
学顕微鏡像101は記憶部51の画像メモリに保存され
ている。
【0042】図2(A)に示された光学顕微鏡像101
では、カンチレバー21の先部と試料14の表面の一部
が示されている。試料14の表面には原子間力顕微鏡で
測定しようとする箇所がパターン102として示され、
さらにその周辺に他の特徴的パターン103,104が
示されている。探針20それ自体は従来と同様に光学顕
微鏡像101では見ることができないが、探針20の位
置は探針推定点105として推定することができる。実
際には、探針20の位置はばらつき、必ずしも点105
に位置しないこともあるが、このような場合の取扱いは
後述される。
【0043】図2(A)に示される光学顕微鏡像101
において観察点106の座標(X1,Y1)を求める
(ステップS13)。観察点106は、原子間力顕微鏡
で測定しようとする測定箇所(パターン)102に含ま
れる点である。観察点106の座標(X1,Y1)は、
例えば、光学顕微鏡像101においてカーソルを表示さ
せ、このカーソルをマウス等で移動させ、位置を特定し
て求めることができる。この場合には測定オペレータの
マニュアル操作でステップS13が実行される。また他
の方法としては、観察点106を含む測定箇所102の
領域を予め制御装置31の記憶部51に記憶しておき、
光学顕微鏡像101を利用して一般的に行われているパ
ターン認識技術を適用して観察点106の座標を求める
ことも可能である。この場合には、光学顕微鏡像101
に対して制御装置31に基づくコンピュータ処理で自動
的にステップS13が実行される。
【0044】上記のごとくして観察点106の座標を求
めた後、当該観察点106の座標(X1,Y1)と探針
推定点105の座標(0,0)を用いて、観察点106
を探針推定点105へ移動させる(ステップS14)。
この状態を図2の(B)に示す。矢印107は観察点1
06を探針推定点105に移動させ、一致させた状態を
示す。観察点106を探針推定点105に移動させるに
は、通常、XYステージ12を動作させて試料14の側
を移動させる。XYステージ12による移動動作は測定
オペレータによるマニュアル操作でもよいし、制御装置
31による自動処理でもよい。この場合、観察点106
と探針推定点105の各座標値の差を求め、当該差が0
になるように制御が行われる。
【0045】図2(C)に、観察点106と探針推定点
105が一致した状態を、光学顕微鏡像108で示して
いる。制御装置31の記憶部51には前処理にて予め最
終位置決め点での光学顕微鏡像109が記憶されてい
る。図2(C)に示された光学顕微鏡像108におい
て、記憶部51に記憶されている光学顕微鏡像109を
読出し、この記憶像109と、実際の上記光学顕微鏡像
108とを比較し、2つの像が一致するようになるまで
微調整位置決め(最終位置決め)を行う(ステップS1
5)。微調整位置決めのための移動動作は、XYステー
ジまたはXYZ微動機構19によって行われる。光学顕
微鏡像108では、カンチレバー21、測定すべき箇所
102の周辺の特徴パターン103,104の像が含ま
れているので、位置を確定することができ、これらの確
定できる部分を利用して2つの像の一致を判定すること
ができる(ステップS16)。実際の光学顕微鏡像10
8と制御装置31の記憶部51に記憶された像109と
が一致した段階で、探針20と観察点106との位置合
わせが完了する(ステップS17)。その後、ステップ
S18に移行し、図2(D)に示されるごとく試料14
の表面における測定しようとする箇所102が光学顕微
鏡17によって観察される視野の中央位置にセットさ
れ、探針20とカンチレバー21等を利用して原子間力
顕微鏡の原理に基づく測定が実行される(ステップS1
8)。
【0046】上記の本実施形態の場合には、試料14の
表面における特定の測定箇所102を原子間力顕微鏡で
測定しようとするとき、前段階で光学顕微鏡17で当該
測定箇所102とカンチレバー21を含む光学顕微鏡像
を取得し、この像を利用して測定箇所と探針との位置合
わせを行うように構成している。この位置合わせにおい
て、試料表面の測定箇所102とカンチレバー21を含
む最終位置決め点での光学顕微鏡像109の情報を予め
記憶しておくことにより、本来の位置合わせに加えて二
次的な微調整のための位置合わせ(最終位置合わせ)を
行うように構成し、測定箇所102(観察点106)と
探針20との位置合わせの精度を高めるようにしてい
る。
【0047】上記のごとく事前に最終位置決め点での光
学顕微鏡像を取得する方法としては、例えば、図2の
(C)と(D)を予め繰り返すことにより取得する方法
が一般的である。この取得方法は、測定オペレータによ
るマニュアル測定でも可能であるし、または、測定プロ
グラムに基づく自動測定の工程として組み込むこともで
きる。さらに他の取得方法として、標準となる試料を用
意しておき、当該測定箇所とカンチレバーを含む基準パ
ターンの光学顕微鏡像を作成しておいて記憶部51に記
憶させておいてもよい。この場合、標準となる試料を用
意しておき、当該測定箇所と取付け位置の関係を求め、
探針推定点を予め計測して補正を行うことも可能であ
る。
【0048】以上の実施形態に基づく原子間力顕微鏡あ
るいはその測定開始のための設定方法によれば、XY
ステージ12の位置決め精度が悪い場合、カンチレバ
ー21における探針20の取付け位置がばらつく場合、
温度ドリフト等でカンチレバー21と試料14の相対
的位置関係が変動する場合、カンチレバーを取り替え
て用いる場合等にも、原子間力顕微鏡に基づく測定を行
うときには探針と測定箇所とを正確に位置合わせして測
定を開始することができる。
【0049】次に図4を参照して、カンチレバー21の
探針20の位置がばらつく場合について説明する。図4
(A)は、例えば温度ドリフトが原因でカンチレバー2
1の位置が光学顕微鏡視野内で移動した場合を考慮した
ときの光学顕微鏡像を示している。視野における点10
5は、本来は探針20が存在すると推定される点である
が、カンチレバー21が図中左方へ移動しているので、
探針20の位置と点105がずれている状態が示されて
いる。従って、上記の第1実施形態の図2の(B)と
(C)で説明したごとく観察点106と探針推定点10
5との位置合わせを行ったとしても、実際の探針20の
位置(点110に相当する)とはずれているので、前述
した二次的な微調整のための位置合わせにより、図4
(A)の状態を解消し、探針20の位置すなわち点11
0と観察点106を正確に一致させることができる。こ
の結果、図4(B)の状態になり、これは前述の図2
(D)と同じ状態の光学顕微鏡像であり、これによって
原子間力顕微鏡に基づく測定が開始される。
【0050】以上の微調整のための位置合わせは、前述
したXYステージの位置決め精度が悪い場合にも適して
いる。この位置合わせを適用すれば、位置決め精度が比
較的に悪い低コストの位置決め装置を使用しても最終的
な位置決めを光学顕微鏡像を利用して補正できるという
利点を有する。カンチレバー21における探針20の取
付け位置がばらつく場合には、この同じ探針を利用して
繰り返し測定が行われるので、かかる場合にも探針取付
け位置自身を補正することができる。カンチレバーを取
り替えて用いる場合にも、同様に微調整による最終位置
決めを行うことができ、同様の効果を発揮させることが
できる。
【0051】試料14が半導体基板である場合に、当該
半導体基板の検査を自動的に行うときには、予め半導体
基板の表面の測定箇所、測定の回数、半導体基板の枚数
等の測定条件をプログラムとして用意し、制御装置31
の記憶部51に記憶させておくように構成されるものが
多い。この場合、前述のごとく、最終位置決めでの位置
合わせで使用される基準となる記憶像もプログラムに内
蔵させ、微調整のための位置合わせを、原子間力顕微鏡
による測定の前段階の一工程として組み込み、自動化す
ることは容易である。
【0052】上記の実施形態に基づけば、最終的な位置
決め(微調整のための二次的な位置合わせ)を効率的に
行うことができ、測定時間の短縮化を達成することがで
きる。特に半導体プロセス評価のごとく、多数の基板に
関して同じ箇所を繰り返し測定するという用途では、大
きな効果が発揮される。
【0053】前述の実施形態では原子間力顕微鏡の例を
説明したが、走査型プローブ顕微鏡はこれに限定され
ず、走査型トンネル顕微鏡や磁気間力顕微鏡、その他の
走査型プローブ顕微鏡一般に適用できるものである。た
だし最終的な位置決めの際に利用する測定箇所周辺の特
徴パターンを見出せないときには、例えばダミーの特徴
パターンを追加することが望ましい。
【0054】さらに前述の実施形態で、XYステージ1
2、接近用粗動機構13、XYZ微動機構19等の配置
位置および取付け構成は一例であって、これらは任意に
変更することができる。
【0055】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、走査型プローブ顕微鏡で半導体ウェハ等の試料の
表面における特定の測定箇所を測定する場合においてそ
の前段階で光学顕微鏡等を利用してその光学顕微鏡像に
てカンチレバーの陰に隠れた探針と試料表面の観察点を
一致させるとき、この位置合わせを初期的な位置合わせ
と最終位置合わせの2段階で構成し、最終位置合わせ
を、予め基準となる像を記憶手段に用意しておいてこの
基準像と実際の観察像を比較することにより両者が一致
するように行うため、試料表面の測定箇所を高速にかつ
高精度に特定して探針との位置合わせを行い、原子間力
顕微鏡等により測定の効率を高めることができる。さら
に本発明による走査型プローブ顕微鏡およびその測定設
定方法によれば、XYステージの位置決め精度が悪い場
合、探針取付け位置がばらつき場合、温度ドリフト等で
相対位置が動く場合、別のカンチレバーを用いる場合等
にも、正確な位置合わせを行って走査型プローブ顕微鏡
に基づく試料測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る走査型プローブ顕微鏡の実施形態
を示す構成図である。
【図2】本発明の実施形態における試料表面の測定箇所
と探針との位置合わせを説明するための光学顕微鏡像
(手順)A,B,C,Dを示す図である。
【図3】本発明の実施形態における位置合わせの手順を
示すフローチャートである。
【図4】本発明の他の実施形態における試料表面の測定
箇所と探針との位置合わせを説明するための光学顕微鏡
像(手順)A,Bを示す図である。
【図5】従来の走査型プローブ顕微鏡の代表的構成を示
す構成図である。
【図6】従来の走査型プローブ顕微鏡での試料表面の測
定箇所と探針との位置合わせを説明するための光学顕微
鏡像(手順)A,B,C,D,Eを示す図である。
【符号の説明】
11 定盤 12 XYステージ 13 粗動機構 16 駆動機構 17 光学顕微鏡 18 カメラ 19 XYZ微動機構 20 探針 21 カンチレバー 22 レーザ光 23 光検出器 31 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G12B 21/08 G12B 1/00 601D (72)発明者 黒田 浩史 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機フ ァインテック株式会社内 Fターム(参考) 2F064 MM11 MM23 MM24 MM26 2F069 AA60 DD15 GG06 GG07 GG45 GG59 GG63 HH05 HH09 HH30 JJ08 JJ14 JJ25 MM24 MM32 MM38 QQ01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 探針を有するカンチレバーと、試料に対
    する前記探針の高さ変位を与えるZ微動機構と、前記試
    料の表面に沿って前記探針の相対的変位を与えるXY走
    査機構と、前記カンチレバーに生じる変位量を検出する
    検出手段と、前記検出手段から出力される検出信号と基
    準値に基づき前記Z微動機構の動作を制御して前記探針
    と前記試料の間隔を一定に保持しながら前記XY走査機
    構の動作を制御することにより前記探針で前記試料の表
    面を走査させる制御手段を備え、前記試料の表面特性に
    係る物理量を測定する走査型プローブ顕微鏡において、 前記試料の表面の測定箇所を前記カンチレバーと共に観
    察する第2顕微鏡と、前記第2顕微鏡で得られる観察像
    から画像データを作り、前記制御手段に送る撮像手段
    と、 前記画像データを記憶する記憶手段を備えて成り、 前記試料の前記測定箇所を前記探針に一致させたときに
    おける前記第2顕微鏡による観察像を最終位置決めに用
    いる基準像として前記記憶手段に予め記憶させることを
    特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、最終位置決めを行う実
    際の位置決め時における前記第2顕微鏡による前記観察
    像と前記記憶手段に記憶された前記基準像とを比較する
    ことを特徴とする請求項1記載の走査型プローブ顕微
    鏡。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、実際の位置決め時にお
    ける前記第2顕微鏡による前記観察像と前記記憶手段に
    記憶された前記基準像とが一致するまで、前記XY走査
    機構を制御して前記探針と前記試料の位置合わせ動作を
    行うことを特徴とする請求項2記載の走査型プローブ顕
    微鏡。
  4. 【請求項4】 前記第2顕微鏡による前記観察像は、前
    記カンチレバーと、前記測定箇所の周辺の試料表面の特
    徴部を含むことを特徴とする請求項1記載の走査型プロ
    ーブ顕微鏡。
  5. 【請求項5】 前記第2顕微鏡は光学顕微鏡であること
    を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の走査
    型プローブ顕微鏡。
  6. 【請求項6】 探針を有するカンチレバーと、試料に対
    する前記探針の高さ変位を与えるZ微動機構と、前記試
    料の表面に沿って前記探針の相対的変位を与えるXY走
    査機構と、前記カンチレバーに生じる変位量を検出する
    検出手段と、前記検出手段から出力される検出信号と基
    準値に基づき前記Z微動機構の動作を制御して前記探針
    と前記試料の間隔を一定に保持しながら前記XY走査機
    構の動作を制御することにより前記探針で前記試料の表
    面を走査させる制御手段を備え、前記試料の表面特性に
    係る物理量を測定する走査型プローブ顕微鏡に適用され
    る測定設定方法であり、 前記走査型プローブ顕微鏡により前記試料の測定箇所を
    測定するとき、その前の段階で、 第2顕微鏡により前記試料の表面の前記測定箇所を前記
    カンチレバーと共に観察するステップと、 前記第2顕微鏡で得られる観察像を利用して前記試料の
    前記測定箇所と前記探針との位置合わせを行うステップ
    と、 前記位置合わせを行った後の第2顕微鏡により得られる
    観察像と、予め用意された基準像とを比較し、前記観察
    像と前記基準像が一致するように最終位置合わせを行う
    ステップと、 を実行することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡の測
    定設定方法。
  7. 【請求項7】 前記基準像は、前記記憶手段に予め記憶
    されていることを特徴とする請求項6記載の走査型プロ
    ーブ顕微鏡の測定設定方法。
  8. 【請求項8】 前記第2顕微鏡による前記観察像は、前
    記カンチレバーと、前記測定箇所の周辺の試料表面の特
    徴部を含むことを特徴とする請求項6記載の走査型プロ
    ーブ顕微鏡の測定設定方法。
  9. 【請求項9】 前記第2顕微鏡は光学顕微鏡であること
    を特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の走査
    型プローブ顕微鏡の測定設定方法。
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