JP2003007999A - 窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法Info
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007217277A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | ペンデオ・エピタキシシャル成長基板及びその形成方法 |
| KR101161875B1 (ko) | 2005-03-21 | 2012-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법 |
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| JP2000323417A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子 |
| JP2001039800A (ja) * | 1999-05-21 | 2001-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001193386A patent/JP2003007999A/ja active Pending
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