JP2003001074A - セルロース誘導体多孔質膜及びその製造法 - Google Patents

セルロース誘導体多孔質膜及びその製造法

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Hideto Matsuyama
秀人 松山
Nobuyuki Nakatsuka
修志 中塚
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 水の透過流束が高く、分画性能の良いセルロ
ース誘導体多孔質膜の提供。 【解決手段】 セルロース誘導体から得られる多孔質膜
で、表面及び内部に空孔を有しているものであり、少な
くとも一方の表面にある空孔の平均孔径が0.1〜20
μmで、膜内部に存在する空孔が、一方の表面から他方
の表面にわたって均一に形成されており、膜内部にある
空孔の最大平均空孔径(A)に対する表面にある空孔の
平均空孔径(B)の比(B/A)が0.2〜5.0であ
るセルロース誘導体多孔質膜。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セルロース誘導体
多孔質膜及びその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】酢酸セ
ルロース膜は、古くから海水淡水化用の非対称逆浸透膜
や血液透析膜として利用されており、これらの用途に向
けた中空糸膜タイプの酢酸セルロース膜が開発されてい
る(例えば、特開昭54−88881号公報、特開昭6
1−185305号公報、特開昭60−29763号公
報、特開昭63−17922号公報、特開平5−228
208号公報、特開平6−343842号公報)。ま
た、酢酸セルロース膜の生体適合性や透水性を改善する
ために、酢酸セルロース膜以外のセルロース誘導体又は
セルロースエステル膜も検討されている。例えば、特開
昭57−133211号公報、特開昭60−43442
号公報、特開昭60−5202号公報、特開昭62−2
90468号公報、特開平1−20245号公報、特開
平2−12611号公報、特開平2−211228号公
報、特開平6−277473号公報、特開平6−311
44号公報等には、酢酸プロピオン酸セルロースを対象
としたセルロース誘導体膜が開示されている。
【0003】しかし、酢酸セルロース膜は、一般に非溶
媒誘起相分離法により製造されるため、非対称膜となり
やすく、更に10μm程度の大孔径のものが製造し難
く、水処理用途に適用した場合に高い透過流束を有する
膜が得られないという問題がある。
【0004】本発明は、水処理用途に適用した場合、高
い透過流束と、高精度の分画能を示すセルロース誘導体
多孔質膜と、その製造法を提供することを課題する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、セルロー
ス誘導体から得られる多孔質膜の製造法として非溶媒誘
起相分離法に替えて熱誘起相分離法を適用すると共に、
その処理条件を選定することにより、上記課題を解決で
きることを見出し、本発明を完成したものである。
【0006】即ち本発明は、上記課題の解決手段とし
て、セルロース誘導体から得られる多孔質膜で、表面及
び内部に空孔を有しているものであり、少なくとも一方
の表面にある空孔の平均孔径が0.1〜20μmで、膜
内部に存在する空孔が、一方の表面から他方の表面にわ
たって均一に形成されており、膜内部にある空孔の最大
平均空孔径(A)に対する表面にある空孔の平均空孔径
(B)の比(B/A)が0.2〜5.0であるセルロー
ス誘導体多孔質膜を提供する。
【0007】また本発明は、上記課題の他の解決手段と
して、セルロース誘導体と高沸点溶媒との混合物を、前
記高沸点溶媒の沸点未満で、かつバイノーダル温度以上
で溶解させて混合物溶液を得る工程、前記溶解温度と同
じか又は近似した温度雰囲気中で、前記混合物溶液から
成形体を得る工程、前記成形体を冷却して液−液相分離
を生じさせる工程、成形体中に残存する高沸点溶媒を除
去する工程を具備するセルロース誘導体多孔質膜の製造
法を提供する。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明のセルロース誘導体多孔質
は、セルロース誘導体から得られる多孔質膜で、表面及
び内部に空孔を有しており、これらの空孔が下記の要件
を満たしているものである。
【0009】(a)少なくとも一方の表面にある空孔の
平均孔径が0.1〜20μm、好ましくは0.2〜10
μm、より好ましくは0.3〜5μmであること。
【0010】膜表面の空孔の平均孔径は、膜表面の電子
顕微鏡写真(100〜10,000倍)を等間隔に10
箇所撮影し、各箇所の写真上に見られる10個の孔の径
を平均化し、この平均値を10箇所の撮影部に対して平
均化したものである。
【0011】(b)膜内部に存在する空孔が、一方の表
面から他方の表面にわたって均一に形成されているこ
と、即ち膜断面を見たとき、空孔の分布状態に偏りがな
く、均一であること。
【0012】(c)膜内部にある空孔の最大平均空孔径
(A)に対する表面にある空孔の平均空孔径(B)の比
(B/A)が0.2〜5.0、好ましくは0.4〜3.
0、より好ましくは0.5〜2.0であること。
【0013】この比(B/A)が1に近いほど、膜表面
及び膜内部の空孔径が均一に近いことを意味し、水処理
用途に適用した場合、高い透過流束と高精度の分画能を
示すことになる。
【0014】膜断面の空孔の平均孔径は、膜断面の電子
顕微鏡写真(100〜10,000倍)を膜内表面から
膜外表面にわたり等間隔に10箇所撮影し、各箇所の写
真上に見られる10個の孔の径を平均化し、この平均値
を10箇所の撮影部に対して平均化したものであり、
「最大平均空孔径」とは、10箇所撮影部において最も
平均空孔径の大きいものを示す。
【0015】本発明の多孔質膜は、膜表面及び膜内部に
ある空孔が、円形乃至楕円形又はそれらに近似した形状
のものあることが好ましく、円形又はそれに近似した形
状であるものがより好ましい。
【0016】本発明の多孔質膜を構成するセルロース誘
導体は、酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セルロー
ス、酢酸酪酸セルロース等を挙げることができ、これら
の共重合体からなるものでもよい。
【0017】次に、本発明のセルロース誘導体多孔質膜
の製造法を工程ごとに説明するが、本発明の製造法は下
記の製造工程を必須工程として具備するものであれば、
各工程の前後において、当業者により通常なされる工程
の付加等を行ってもよい。
【0018】第1工程は、セルロース誘導体と高沸点溶
媒との混合物を、前記高沸点溶媒の沸点未満で、かつバ
イノーダル温度以上で溶解させて混合物溶液を得る工程
である。バイノーダル温度とは、セルロース誘導体を高
沸点溶媒に混合させた場合、高温で融解させた熱力学的
に均一な混合物溶液の液相(1相)領域と、セルロース
誘導体の濃厚相と希薄相からなる2相領域の境界の温度
をいう。
【0019】第1工程で用いる高沸点溶媒は、沸点が1
00℃以上のものが好ましく、2−メチル−2,4−ペ
ンタンジオール(沸点197℃)、2−エチル−1,3
−ヘキサンジオール(沸点245℃)等を挙げることが
できる。
【0020】第1工程における溶解温度は、溶媒のバイ
ノーダル温度以上で、好ましくはバイノーダル温度から
50℃以内高い温度、より好ましくはバイノーダル温度
から30℃以内高い温度範囲である。
【0021】なお、第1工程で用いるセルロース誘導体
は、酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セルロース、酢
酸酪酸セルロース等を挙げることができ、これらの共重
合体からなるものであってもよい。
【0022】第2工程は、前記溶解温度と同じか又は近
似した温度雰囲気中で、前記混合物溶液から成形体を得
る工程である。
【0023】第2工程における成形温度は、第1工程に
おける溶解温度と同温度であるか、又は前記溶解温度±
20℃の範囲が好ましく、溶解温度と同温度であること
がより好ましい。
【0024】混合物溶液から成形体を得る方法は、目的
とする成形体の形状、用途に応じて適宜選択することが
でき、ガラス板等に流延してフィルム状に成形する方法
や、乾式紡糸法により、中空糸状に成形する方法等を適
用することができる。
【0025】第3工程は、第2工程で得られた成形体を
冷却して液−液相分離を生じさせる工程であり、この工
程の処理により、1相(混合物溶液相)から2相(セル
ロース誘導体溶液の濃厚相と希薄相)に相分離させる。
【0026】第3工程においては、成形体の温度を、成
形直後の温度から、好ましくは50〜200℃低い温度
まで、より好ましくは70〜150℃低い温度まで冷却
する。このときの成形体の温度は、例えばガラス板(ホ
ットステージ)上に流延してフィルム状の成形体を得た
場合は、ガラス板(ホットステージ)の温度に等しいと
見なすことができる。
【0027】冷却方法は特に制限されず、成形方法に応
じて適宜選択することができ、周囲温度を冷却する方法
のほか、流延法を適用した場合にはガラス板(ホットス
テージ)自体を冷却する方法を適用できる。
【0028】第3工程においては、冷却過程における冷
却速度は、0.1〜500℃/分が好ましく、0.5〜
400℃/分がより好ましい。この冷却速度を大きくす
ることで空孔径を小さくすることができ、冷却速度を小
さくすることで空孔径を大きくすることができる。
【0029】第4工程は、成形体中に残存する高沸点溶
媒を除去する工程である。溶媒の除去方法は特に制限さ
れるものではなく、他の溶媒を用いた液液抽出、減圧下
における常温乃至は加熱乾燥等の方法を適用することが
できる。
【0030】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。
【0031】実施例1 (第1工程)酢酸セルロース(品名VFY,ダイセル化
学工業(株)製)20質量%、2−メチル−2,4−ペ
ンタンジオール(MPD)80質量%の混合物を150
℃で加熱溶解させ、混合物溶液を得た。 (第2工程)次に、この混合物溶液を150℃のホット
ステージ上に流延した後、溶液表面からの溶媒蒸発を防
ぐため、露出表面をカバーグラスで覆った。 (第3工程)次に、10℃/分の冷却速度でホットステ
ージを冷却し、最終的には25℃まで冷却して相分離さ
せて多孔質膜を形成させた。 (第4工程)次に、ホットステージと共に多孔質膜を水
中に24時間浸漬して、MPDを除去した。
【0032】以上の第1〜第4工程を経て得られた多孔
質膜の一表面及び断面を含む斜視図のSEM写真を図1
に示す。この多孔質膜は、厚さが180μmで、膜表面
の平均孔径(A)が3.1μm、膜内部の最大平均孔径
(B)が3.5μm、B/A=0.9であり、図1から
明らかなとおり、ほぼ円形の空孔を有していた。
【0033】実施例2 第3工程の冷却速度を0.5℃/分とした以外は実施例
1と同様にして、多孔質膜を得た。この多孔質膜断面の
SME写真を図2に示す。この多孔質膜は、厚さが15
0μmで、膜表面の平均孔径(A)が10μm、膜内部
の最大平均孔径(B)が14μm、B/A=0.7であ
り、図2から明らかなとおり、ほぼ円形の空孔を有して
いた。
【0034】比較例1 酢酸セルロース(品名VFY,ダイセル化学工業(株)
製)15質量%をジメチルスルホキシド85質量%に混
合し、60℃で溶解させて、混合物溶液を得た。次に、
この混合物溶液を常温でガラス板上に流延した後、40
℃の水浴中に浸漬して相分離させて膜を得た。
【0035】この膜は、内部に巨大なボイドを持つ非対
称構造であり、1万倍のSEM観察でも実施例1、2と
同様のほぼ円形の空孔は観察されなかった。
【0036】比較例2 酢酸セルロース(品名VFY,ダイセル化学工業(株)
製)20質量%、MPD15質量%、アセトン65質量
%を混合し、30℃で溶解させて、混合物溶液を得た。
次に、この混合物溶液を常温でガラス板上に流延した
後、40℃の乾燥機内に入れてアセトンを蒸発除去させ
て膜を得た。
【0037】この膜の内部には最大平均孔径が1.5μ
mの空孔が存在していたが、この空孔は膜の長さ方向に
長軸を持つ楕円でああった。またこの膜は表面が緻密な
構造の非対称膜で、膜内部には、1万倍のSEM観察で
も実施例1、2と同様のほぼ円形の空孔は観察されなか
った。
【0038】
【発明の効果】本発明のセルロース誘導体多孔質膜は、
膜表面と膜内部において孔径の揃ったほぼ円形の空孔を
有しているため、水処理用途に適用した場合、高い透過
流束と、高精度の分画能を発揮することができるもので
ある。また本発明の製造方法によれば、前記多孔質膜に
おける性質の発現及び調整が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得た多孔質膜の一表面及び断面を
含む斜視図のSEM写真である。
【図2】 実施例2で得た多孔質膜断面のSEM写真で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C08L 1:00 C08L 1:00 Fターム(参考) 4C077 AA05 BB01 EE01 KK11 LL02 LL12 PP02 4D006 GA03 GA13 MA01 MA03 MC16 MC18X NA03 NA05 NA07 NA10 NA18 NA40 NA54 PA01 PB03 PB09 PB42 PB70 PC41 PC80 4F074 AA02 CB34 CB43 CB47 CC04X CC05X CC28Y CC29Y CC32X DA43

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セルロース誘導体から得られる多孔質膜
    で、表面及び内部に空孔を有しているものであり、少な
    くとも一方の表面にある空孔の平均孔径が0.1〜20
    μmで、膜内部に存在する空孔が、一方の表面から他方
    の表面にわたって均一に形成されており、膜内部にある
    空孔の最大平均空孔径(A)に対する表面にある空孔の
    平均空孔径(B)の比(B/A)が0.2〜5.0であ
    るセルロース誘導体多孔質膜。
  2. 【請求項2】 膜表面及び膜内部にある空孔が、円形乃
    至楕円形又はそれらに近似した形状のものである請求項
    1記載のセルロース誘導体多孔質膜。
  3. 【請求項3】 セルロース誘導体が酢酸セルロースであ
    る請求項1又は2記載のセルロース誘導体多孔質膜。
  4. 【請求項4】 セルロース誘導体と高沸点溶媒との混合
    物を、前記高沸点溶媒の沸点未満で、かつバイノーダル
    温度以上で溶解させて混合物溶液を得る工程、前記溶解
    温度と同じか又は近似した温度雰囲気中で、前記混合物
    溶液から成形体を得る工程、前記成形体を冷却して液−
    液相分離を生じさせる工程、成形体中に残存する高沸点
    溶媒を除去する工程を具備するセルロース誘導体多孔質
    膜の製造法。
  5. 【請求項5】 混合物溶液を得る工程で用いる高沸点溶
    媒が、沸点が100℃以上のものである請求項4記載の
    セルロース誘導体多孔質膜の製造法。
  6. 【請求項6】 混合物溶液を得る工程で用いる高沸点溶
    媒が、2−メチル−2,4−ペンタンジオール又は2−
    エチル−1,3−ヘキサンジオールである請求項4又は
    5記載のセルロース誘導体多孔質膜の製造法。
  7. 【請求項7】 混合物溶液を得る工程における溶解温度
    が、バイノーダル温度以上で、バイノーダル温度から5
    0℃以内高い温度範囲である請求項4〜6のいずれか1
    記載のセルロース誘導体多孔質膜の製造法。
  8. 【請求項8】 成形体を得る工程における成形温度が、
    前工程における溶解温度と同温度であるか又は前記溶解
    温度±20℃の範囲である請求項4〜7のいずれか1記
    載のセルロース誘導体多孔質膜の製造法。
  9. 【請求項9】 成形体を冷却して液−液相分離を生じさ
    せる工程において、成形体の温度を、成形直後の温度か
    ら50〜200℃低い温度まで冷却する請求項4〜8の
    いずれか1記載のセルロース誘導体多孔質膜の製造法。
  10. 【請求項10】 成形体を冷却して液−液相分離を生じ
    させる工程において、0.1〜500℃/分の速度で冷
    却する請求項4〜9のいずれか1記載のセルロース誘導
    体多孔質膜の製造法。
  11. 【請求項11】 成形体を冷却して液−液相分離を生じ
    させる工程において、最低温度まで冷却した後、同温度
    で保持する請求項4〜10のいずれか1記載のセルロー
    ス誘導体多孔質膜の製造法。
  12. 【請求項12】 セルロース誘導体が酢酸セルロースで
    ある請求項4〜11のいずれか1記載のセルロース誘導
    体多孔質膜の製造法。
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