JP2002542626A - 裸のシリコンチップを搭載した回路板からの熱の散逸 - Google Patents

裸のシリコンチップを搭載した回路板からの熱の散逸

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Abstract

(57)【要約】 露出面を有する裸のシリコンチップを搭載した回路板のための熱散逸設備を作成するための方法が開示される。熱分散体は平坦部分を有し、その内面（回路板に面する）上に１つもしくはそれ以上のジェル組成物からなるパッドがつけられる。パッドは、熱分散体が回路板に取り付けられ、チップの露出面を完全にカバーしたときに、裸のシリコンパッドの向かい側に位置決めされる。ジェル組成物は粘着強さよりも大きい凝集強さ、１．３８Ｍｐａよりも小さい圧縮係数、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率、および０．０８ｍｍと１．０ｍｍとの間の厚みを有する。ジェル物質の低圧縮係数は、機械的ストレスのチップへの伝達からチップを保護する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の分野 この発明は裸のシリコンチップを搭載した回路板からの熱の散逸に関する。
【０００２】 関連ある技術の説明 集積回路チップなどの電子要素が搭載された回路板はもちろんよく知られてい
る。しばしば電子要素は十分な熱を生成するので、熱散逸手段を設けなければな
らない。１つの手段は単純に回路板を横切る空気を吹き出すファンである。他の
手段は回路板（または電子要素）と熱的に接続されたヒートシンクである。ヒー
トシンクは回路板の前側（電子要素を帯びる側）または後ろ側（電子要素を帯び
る側と反対の側）に位置決めされればよい。ヒートシンクと熱生成要素および／
または回路板との間の熱的な接触を生じさせるために熱伝導物質を用いてもよい
。回路板の熱散逸に関する例証となる開示はＣｉｐｏｌｌａ ｅｔ ａｌ．，
ＵＳ５，２６８，８１５（１９９３）；Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ．， ＵＳ５，５５
２，６３５（１９９６）；およびＳｈｕｆｆ， ＵＳ５，８１２，３７４（１９
９８）を含む。
【０００３】 近年の発展は、要素が裸のシリコンチップである回路板を含んでいる。裸のシ
リコンチップは、露出された表面がモールドプラスチックパッケージで保護され
ていない（チップが薄い表面処理層または保護層を有しているかもしれないけれ
ども）シリコンである。ベアシリコンチップテクノロジーはまたダイレクトチッ
プアタッチ即ちＤＣＡテクノロジーとして知られ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇ ＆ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ，ｐｐ．１２−２０（ＮＥＰＣＯＮ
Ｗｅｓｔ ’９９）のような刊行物にさらに説明されている。１つの例は、カ
リフォルニア、マウンテンビューのＲＡＭＢＵＳ社により開発されたＤＲＡＭチ
ップセットである。これらのチップは典型的なメモリチップよりも多くの電力を
消費するので、より積極的な熱散逸デザインが要求される。例えば、もしファン
だけが熱散逸のために用いられる場合には、増加した電力消費のコストと騒音に
おいて、著しく高いフローレートの導管内で運転するファンが要求される。他の
デザインでは、２つのファンが用いられる。１つはマイクロプロセッサチップを
冷却するためであり、別個の専用の１つはＤＲＡＭチップのためである。その時
に、パッケージされていないままの裸のシリコンチップは、もし適当な管理がな
されていなければ、それらをもっとダメージを蒙りやすくする。
【０００４】 カリフォルニア、メンロパークのＲａｙｃｈｅｍ社は、回路板における熱散逸
のためのインターフェース物質として、内部サポートされた熱伝導ジェル物質を
販売した。そのような物質は、許可された共に出願中の、共通に譲渡されたＭｅ
ｒｃｅｒ他、願番０８／７４６，０２４、出願日１９９６年１１月５日の図１ａ
および図１ｂに記述されている。顧客はサポートされたジェル物質を購買し、そ
れを彼だけの回路板またはヒートシンクに付加する。ジェル組成物にファイバー
グラスマットを挟み込んだフォームの内部サポートは、必要な操作性を備えるた
めに必要である。そうでなければ、ジェル組成物はあまりにも柔らかく、質が悪
くなり、こわれやすくなる。しかしながら、サポートはジェル物品の圧縮係数を
増加させ、したがって機械的ストレスが下に横たわる電子要素に望ましくなく伝
達される。
【０００５】 したがって、裸のシリコンチップを含む回路板からの熱散逸、一方、同時にそ
れらを機械的ストレスから保護し、またはそのようなストレスが裸のシリコンチ
ップに伝達されることを防止するための方法を発展させることが望ましい。
【０００６】 発明の簡単な要約 我々は、裸のシリコンチップ回路板から効果的に熱を散逸させる一方、同時に
チップを物理的に保護する発明をなした。したがって、我々は、複数の裸のシリ
コンチップを搭載した回路板のための熱散逸構造を作成する方法であって、以下
のステップを含む方法を開示する： （ａ） それぞれが露出面を有する複数の裸のシリコンチップが搭載された回
路板を設ける； （ｂ） 内面および外面を有する実質的に平坦な部分を有し、平坦部分の内面
が回路板の裸のシリコンチップを帯びる側に面するように、回路板への取付のた
めにサイズおよび形状が設定された熱分散体を設ける； （ｃ） 硬化されて、粘着力よりも大きい凝集力を有し、１．３８Ｍｐａより
も小さい圧縮係数を有し、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率を有するジェ
ル組成物になる前駆物質を内面に与える； （ｄ） ジェル組成物が、約０．０８ｍｍと約１．０ｍｍとの間の厚みを有し
、熱分散体が取り付けられた時に複数の裸のシリコンチップの露出面に接触して
完全にカバーするように位置決めされている少なくとも１つのパッドを形成する
ように前駆物質を硬化してジェル組成物に変換する；そして （ｅ） ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドが複数の裸のシリコン
チップの露出面に接触して完全にカバーするように熱分散体を回路板に取り付け
る。
【０００７】 この発明の他の実施例においては、熱散逸のための設備を有する回路板構造に
組立可能なコンビネーションが設けられ、以下を含む： それぞれが露出面を有する複数の裸のシリコンチップが搭載された回路板； 内面および外面を有する実質的に平坦な部分を有し、平坦部分の内面が回路板
の裸のシリコンチップを帯びる側に面するように、回路板への取付のためにサイ
ズおよび形状を設定され、回路板から離された熱分散体； 粘着力よりも大きい凝集力を有し、１．３８Ｍｐａよりも小さい圧縮係数を有
し、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率を有し、約０．０８ｍｍと約１．０
ｍｍとの間の厚みを有し、熱分散体が取り付けられた時に複数の裸のシリコンチ
ップの露出面に接触して完全にカバーするように位置決めされている少なくとも
１つのパッドを有する、熱分散体の内面上のジェル組成物。
【０００８】 発明の詳細な説明 添付図面において、１つの図からその他に繰り返される数字は、同じもしくは
等価な要素を示す。
【０００９】 図１中、（ａ）は本発明にしたがって作成された熱散逸構造１０を示す。構造
１０は複数の裸のシリコンチップ１４が搭載された回路板１２を含む。（他の電
子要素が回路板１２に搭載されていてもよい。）チップ１４（または、有る場合
には他の電子要素）により生成された熱を散逸させるために、熱分散体１６がチ
ップ１４が搭載された回路板１２の側に取り付けられる。熱分散体１６は、それ
ぞれ内面２０および外面２１を有する平坦部分１８を有している。チップ１４は
、熱分散体１６の取付前に露出されている面２５を有している。熱分散体１６が
回路板１２に取り付けられたときには、内面２０がチップ１４に面し、それらの
面２５は熱伝導ジェル組成物２３からなる複数の個別のパッド２２により、パッ
ド当たり１チップで完全にカバーされる。チップ１４と熱分散体１６との間の熱
接触は、熱的インターフェース物質として機能するジェル組成物２３と共に、パ
ッド２２により達成される。各パッド２２は、向かい合って配置されていること
を考慮して、実質的にそれぞれのチップ１４の外形に対応する外形を有している
。パッド２２はチップ１４により生成された熱を、熱を散逸させる熱分散体１６
に伝達する。一般的に１つだけのチップがその時点で熱い場合に、熱は熱分散体
１６の長軸に沿う単純な熱伝導により散逸されてもよい。熱勾配、または関連す
るＣＰＵのための冷却ファンに起因する空気の流れによって生じる自然な対流も
また熱除去に寄与する。（本発明の利点は、いくつかの従来のデザインと比較し
て、裸のシリコンチップ１４の冷却に供されるファンの必要性を不要とすること
である。）熱分散体１６の前側取付は裸のシリコンチップ１４の物理的保護の追
加の利点を提供する。
【００１０】 取付手段２４は回路板１２と熱分散体１６を互いに取り付ける。それは熱分散
体１６の穴を貫通する回路板１２の柱（またはその反対）、またはクリップ（熱
分散体１６の一部として一体的に形成されていても、別に設けられた要素であっ
てもよい）、リベット、ねじ、スプリングピンなどの他の取付手段とすることが
できる。
【００１１】 図１中、（ｂ）は本発明にしたがって作成された代わりの熱散逸構造１０を示
し、複数のパッドに代えてジェル組成物からなる単一の連続的なパッドがある点
で異なっている。実質的にチップの表面をカバーするどれか１つの形状のように
、他の代わりの熱散逸構造も本発明の範囲内である。「実質的」は５０％よりも
大きい、好ましくは７５％よりも大きい、より好ましくは８０％よりも大きいこ
とを意味する。望ましい形状は、多数の連続的な、または不連続な個別の離れた
ストリップ、ビーズ、ドット、もしくは矩形であってもよい。
【００１２】 チップ１４のこわれやすさおよびそれらの熱出力は、可能な限り機械的ストレ
スを少なくして良好な熱接触を達成することを重要なことにする。この目的に向
かって、ジェル組成物２３は非常に柔らかくなければならない。すなわち、、１
．３８Ｍｐａ（２００ｐｓｉ）より少ない、好ましくは０．６９Ｍｐａ（１００
ｐｓｉ）より少ない低圧縮係数を有する。圧縮係数は、２５．４ｍｍ（１インチ
）の円板、厚み３ｍｍを用い、０．１ｍｍ／分の圧縮レートで、ＡＳＴＭ Ｄ５
７５（１９９１）で測定された１０％圧縮での係数である。パッド２２は硬化さ
れたジェル組成物の上に配置され、非常に薄くなければならず、約０．０８ｍｍ
と約１ｍｍとの間の厚みを有する。
【００１３】 熱分散体１６は平坦部１８が薄いことが好ましい。薄いとは５ｍｍよりも小さ
い厚みを意味する。薄く重い熱分散体１６は、熱散逸の観点から好ましい可能性
があるが、コスト、重さおよび空間制限に起因して問題である。熱分散体１６（
または少なくともそれの平坦部分）は高熱伝導率を有する物質、好ましくは金属
、より好ましくはアルミニウムまたは銅のような高熱伝導性金属からなることが
好ましい。本発明にとっては要求されていないけれども、熱分散体１６は放熱の
ためのフィン、またはヒートシンクとして機能するための平坦部分からの遠位的
なより薄い部分を有していてもよく、または熱分散体１６は他のヒートシンク要
素と熱的に接続されていてもよい。
【００１４】 本発明の方法は図２に示されている。ジェル前駆組成物２３ａからなるパッド
２２は熱分散体１６の内面２０に塗られる（内面２０上と共に部分図に示す）。
パッド２２は凹版印刷もしくはフレキソ印刷のような従来の印刷プロセスにより
塗られてもよく、または、代わりに、スクリーン印刷もしくはステンシル印刷の
ようなより薄い層、例えば０．２５ｍｍよりも大きい厚さ、を塗ることを可能に
する方法により塗られてもよい。より薄い層はまた、ジェル組成物２３からなる
連続体を形成するために硬化させる間に凝集する前駆組成物２３ａからなる分離
されたビーズ、レンズ、リボン、もしくはドットを分配することにより達成され
る。最終物質サイズ（面積）および厚みをコントロールするために分配とステン
シル印刷との結合を採用してもよい。
【００１５】 各パッドは、結果的に向かい合うチップの外形に対応する外形を有する。この
描写において、種々の外形および不規則な位置を有するパッド２２が示されてい
る。パッド２２は、チップ１４と他の電子要素の外形および位置、またはサイズ
、形状および位置のいくつかの他の組み合わせに依存して、例えばアレイ状に配
列される同じ外形および規則的な位置をそのうえに有してもよいことが分かる。
ジェル前駆組成物２３ａはそれをジェル組成物２３に変換するために硬化される
。よって、各パッドはジェル組成物２３からなる単一の（すなわち、連続的なも
しくは統合された）体を含む。都合よく、前駆組成物２３ａはジェル組成物２３
に要求されるのと実質的に同じサイズ、形状、および厚みの連続体として塗られ
、硬化される。硬化においてこれらのパラメータには殆ど変化がない。硬化方法
は選択された硬化作用に依存する。それは加熱（熱硬化組成物のために、例えば
６０℃で１０分）、紫外光（光硬化組成物のために）、または単純に時間の経過
（室温硬化組成物のために、例えば室温で約２時間）であってもよい。硬化後に
、熱分散体１６および回路板１２は互いに取り付けられ、構造１０を製造する。
この方法は電子モジュールの製造に特に好ましい。なぜならば、インターフェー
ス物質（ジェル）を加えた熱分散体は、最終回路板組立体の製造に必要とされた
時に使うために製造され、船積みされ、保存され得るからである。（保存の間に
、ジェルは剥離シートにより保護される。） 図３は本発明の代わりの実施例を示し、チップ１４の露出面（アウトラインを
点線で示す外形）を実質的に完全にカバーするために十分なサイズの単一のジェ
ルパッド２２が形成された点において異なる。チップの露出面が完全ではないけ
れども実質的にカバーされている本発明の代わりの実施例は示されていない。「
実質的」は５０％よりも大きい、好ましくは７５％よりも大きい、より好ましく
は８０％よりも大きいことを意味する。他のパターン、例えばそれらの長軸が互
いに平行であるが互いに僅かに離れているように方向付けられた連続的または不
連続な別個のストリップ、を採用してもよい。他のパターンはビーズ、ドットも
しくは矩形を含んでいてもよい。
【００１６】 ここで用いられている高度に適合したジェルは回路板およびその上の裸のシリ
コンチップおよび他の電子要素上の機械的ストレスを最小にする。ジェル組成物
はまた、設計仕様書または製造ばらつきに起因する要素の高さの変化に適応する
。同時に、そこに結合することによりチップからの熱移動が最大になり、従来の
ファンシステムの使用、またはファンを全く使用しないことをも可能とする。ジ
ェル組成物の粘着性、高い可塑性、および高い熱伝導性は、振動または運搬もし
くはサービス中の少しの位置の移動に起因して発生するかもしれないような裸の
シリコンチップおよび熱分散体の相対的な少しの動き（一時的もしくは永久的）
に拘わらず、熱的接触の維持に貢献する。
【００１７】 ジェルの適合性はまた、通常の使用の過程における温度サイクルの間に経験さ
れる回路板および裸のシリコンチップ上のストレスの最小化に重要である。温度
サイクルの間に、シリコンエラストマーまたはエポキシ接着剤に基づくもののよ
うに硬いインターフェース物質はチップと回路板との間の接続を破壊するのに十
分なストレスを生成する。
【００１８】 支持されたジェル組成物を採用する本発明は従来技術を越える利点を提供する
。支持は、非常に軟らかく、粘着性のジェル組成物を取り扱うために必要である
。しかしながら、支持物質（典型的には、ファイバーグラスもしくはポリマーの
メッシュ）は支持されたジェル組成物の圧縮係数を増加させ、それを望ましくな
く硬くする。熱分散体上に直接硬化させ、熱分散体上に規定された外形のジェル
からなるパッドを形成して、ジェルに総合的な低い圧縮係数を持たせる効果を有
することによって、取り扱い性を与えるサポートメッシュのための必要性を解消
させる。
【００１９】 適切なジェル組成物は、ポリウレタン、ポリウレア、シリコン（ポリシロキサ
ン、またはオーガノポリシロキサンとして知られている）、アンハイドライド含
有ポリマーなどに基づくシステムを含む。典型的な開示は、Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ
ａｌ．，ＵＳ４，５９５，６３５（１９８６）；Ｄｅｂｂａｕｔ，ＵＳ４，６
００，２６１（１９８６）；Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ４，７７７，０
６３（１９８８）；Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，０７９，３００（１
９９２）；Ｒｉｎｄｅ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，１０４，９３０（１９９２）；
Ｍｅｒｃｅｒ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，８４９，８２４（１９９８）；およびＣ
ｈｉｏｔｉｓ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，８８６，１１１（１９９９）を含む。こ
れらの開示は参照によってここに組み込まれる。
【００２０】 好ましくは、ジェルは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に基づき架橋結
合したシリコンジェルであり、そしてビニール官能化ＰＤＭＳおよびハイドライ
ド官能化ＰＤＭＳの間の白金触媒反応で調製される。そのようなジェルはいくつ
かの方法で形成される。１つの方法は、非反応性の増量流体、例えば、トリメチ
ルシロキシで終わるＰＤＭＳ、の存在下で架橋結合したシリコンジェルを合成す
る。代わりの方法は正規組成過剰な多官能ビニール置換シリコンと多官能ハイド
ライド置換シリコンとを軟らかく、流体で増量されたシステムを得るような様式
で反応させることによりシリコンジェルを製造する。後者のアプローチにおいて
、ビニール豊富なゾル留分が得られる。もちろん、結合システムも可能である。
これらのジェルシステムの適切な例は、特に、Ｄｅｂｂａｕｔ，ＵＳ４，６００
，２６１（１９８６）；Ｄｅｂｂａｕｔ，ＵＳ４，６３４，２０７（１９８７）
；Ｄｅｂｂａｕｔ，ＵＳ５，３５７，０５７（１９９４）；Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ
ａｌ．，ＵＳ５，０７９，３００（１９９２）；Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ ａｌ．
，ＵＳ４，７７７，０６３（１９８８）；およびＮｅｌｓｏｎ，ＵＳ３，０２０
，２６０（１９６２）により教示される。これらの開示は参照によりここに組み
込まれる。過酸化水素、紫外光、高エネルギー照射のような代わりの硬化技術に
基づくシリコンジェルシステムもまた使用できる。
【００２１】 好ましい実施例において、前駆物質は、以下を含む。
【００２２】 （Ａ） 粘度が２５℃で５０，０００ｃＰより少ないシリコン組成物。シリコ
ン組成物は以下を含む。
【００２３】 （ｉ） ２５℃で５０と１００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、各分子に
少なくとも２つのシリコン結合したアルキニルグループを有するアルキニル官能
化ジオーガノポリシロキサン；および （ｉｉ） ２５℃で１と１、０００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、分子
当たり平均で少なくとも２つのシリコン結合したハイドロゲン原子を含み、アル
キニル官能化ジオーガノポリシロキサン（ｉ）における１モルのシリコン結合し
たアルキニル当たり０．２と５．０モルとの間のシリコン結合したハイドロゲン
を与える量のハイドロゲン官能化オーガノポリシロキサン； （Ｂ） シリコン組成物（Ａ）の硬化をもたらすのに十分な量のハイドロシレ
ーション触媒；および （Ｃ） ２０Ｗ／ｍ−℃より大きい容積熱伝導率を有する少なくとも３５体積
％の微粒子物質。
【００２４】 シリコン組成物（Ａ）は、平均式がＲａＳｉＯｂのオーガノシロキサン樹脂を
さらに８０重量％まで含んでいてもよい。ここで、Ｒはアルキニル以外の一価の
ハイドロカーボングループであり、ａは２０．と２．２の間の数字であり、ｂは
０．９と１．０との間の数字である。重量％は、アルキニル官能化ジオーガノポ
リシロキサン（ｉ）を加えたオーガノポリシロキサンとハイドロゲン官能化オー
ガノポリシロキサン（ｉｉ）との量に基づく。
【００２５】 熱伝導率は、２０Ｗ／ｍ−℃より大きい容積熱伝導率を有する微粒子物質と共
にジェルを充填することにより加えられる。代表的な適合する微粒子物質は、ア
ルミナ、シリコンカーバイド、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、二ホウ化チタン、
アルミニウム、銅、銀、ダイアモンド、ニッケル、シリコン、グラファイト、酸
化第二鉄、酸化ベリリウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、および窒化ボロ
ンからなるグループから選択されればよい。典型的には、微粒子物質は少なくと
も３５体積％の量で用いられる。体積％は、微粒子物質およびジェル組成物の結
合した体積に基づいて計算される。
【００２６】 本発明で使用するための、好ましい熱伝導性の、しかしまだ高い適合性のジェ
ル組成物はアルミナ充填ジェルであり、Ｍｅｒｃｅｒ ｅｔ ａｌ．，出願番号
０８／７４６，０２４、出願日１９９６年１１月５日の、許可された共に係属中
の、共通に譲渡された出願に開示されている。その開示はこの参照によってここ
に組み込まれる。粒子サイズが少なくとも７４μｍのα−アルミナ粒子を少なく
とも１０重量％含むα−アルミナの使用が高い熱伝導率の達成に必要な高い充填
剤レベルを、高い充填剤レベルに通常関連する伸長および軟らかさを減少させる
ことなく、可能にする。もし、α−アルミナおよびジェル（またはその前駆体）
が少なくとも１０ジュール／ｇの特定のエネルギー入力で混合されれば、さらな
る改善が観察される。そのような特定のエネルギーの入力は、結果組成物をそう
でない場合よりも適合させるという効果を有する。
【００２７】 熱管理の他の従来方法は熱伝導性グリースを用いる。そのようなグリースは、
チップ上に大きな機械的ストレスを加えることなく、表面に沿って流れるという
利点を有する。熱的グリースの基本的な不都合は、規定時間を越えて、おかれた
場所から流れ去る傾向があり、熱伝導率を妥協することである。熱的なグリース
が接触を意図していない他の要素上に流れることも好ましくないことである。熱
的なグリースのさらに他の不都合は、付与するときに汚れること、付与の後は包
装、船積み、およびダメージを受けもしくはずれることなく取り扱うことができ
ないことである。熱伝導グリースは、非常に低い凝集強さを有する。その凝集強
さはその粘着強さよりも小さい。したがって、熱伝導グリースにより接触されて
いる要素を分離したときに、きれいな分離を得ることができない。
【００２８】 本発明の硬化されたジェルは、液体グリースではなく、粘着強さよりも大きい
凝集強さを有する固体の架橋結合した物質である。本発明で用いられる硬化ジェ
ルは、低い搭載圧力を与えることにより濡れて殆どの表面に粘着する（しかし、
凝集強さが粘着強さよりも大きく、基板からのきれいな取り外しを許す）。そし
て、チップおよび他の要素から熱分散体への低熱抵抗経路を設ける。ジェルが粘
着強さよりも大きい凝集強さを有しているか否かを確認するために、硬化ジェル
からなるサンプルをアルミニウム板の上に置く（または分与され硬化される）。
他のアルミニウム板が硬化ジェルサンプルのトップに置かれる。室温（ｃａ．２
５℃）で少なくとも５分０．２１Ｍｐａ（３０ｐｓｉ）の圧力を与え、トップの
アルミニウム板を取り外す。もし凝集強さが粘着強さよりも大きければ、取り外
し後に、実質的に全ての硬化ジェルサンプルがトップまたはボトムのアルミニウ
ム板に残るはずである。（留意しなければならないことは、もしジェルが基板に
接触している間に硬化されれば、そのような基板へのジェルの粘着力の方が大き
いかもしれない。この明細書において、ジェルの粘着力はこの硬化された本来の
粘着力を意味せず、前述の技術により測定された硬化後の粘着力を意味する。） 本発明のジェルはＶｏｌａｎｄ硬さ数により特徴付けられる。Ｖｏｌａｎｄ硬
さ数の測定を以下に説明する。機器は、Ｄｕｂｒｏｗ ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，
０７９，３００（１９９２）に記載されたように、力を測定する５ｋｇのロード
セル、５ｇのトリガー、および１／４インチ（６．３５ｍｍ）のステンレススチ
ール ボール プローブを用いるＶｏｌａｎｄ−Ｓｔｅｖｅｎｓ テクスチャー
アナライザー モデルＬＦＲＡ、Ｔｅｘｔｕｒｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ
Ｔｅｘｔｕｒｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＴＡ−ＸＴ２などである。Ｄｕｂｒｏｗ
ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，０７９，３００（１９９２）の開示は参照によってこ
こに組み込まれる。例えば、約１２．５ｇのアナライト（分析されるべきジェル
または他の物質）を含む２０ｍＬのガラスびんがＴＡ−ＸＴ２アナライザーに置
かれ、プローブが０．２ｍｍ／ｓｅｃの速度で浸透深さ４．０ｍｍまでアナライ
トに侵入させられる。アナライトの硬さは、プローブを侵入させるため、または
特定された４．０ｍｍの距離だけアナライトの表面を変形させるために必要なグ
ラムでの力である。高い数はより硬い物質を表す。ＴＡ−ＸＴ２アナライザーか
らのデータは、Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ社、ＸＴ．ＲＡ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ
Ｖｅｒｓｉｏｎ３．７６ソフトウエアが走っているＩＢＭ ＰＣなどのコンピ
ュータ上に記録され、解析される。
【００２９】 従来のヒートシンクのための搭載圧力は、典型的には０．１４−０．３４Ｍｐ
ａ（２０−５０ｐｓｉ）であり、時には０．６９Ｍｐａ（１００ｐｓｉ）と大き
い。熱分散体１６の比較的薄い平坦部分１８を曲げることに起因して、一般に０
．１Ｍｐａ（１５ｐｓｉ）のオーダーもしくはそれより小さい低搭載圧力のみが
及ぶ。本発明は低搭載圧力に拘わらず、効果的な熱接触を許す。低搭載圧力はＢ
ＧＡ（ボール グリッド アレイ）またはμＢＧＡのようなダイ取付方法に特に
好ましい。これらのデザインはストレス下でダメージを受けやすいからである。
【００３０】 一般に、熱源（ここでは、チップ１４または他の電子要素）から介在インター
フェース物質（ここでは、ジェル組成物２３）を通してヒートシンク（ここでは
、熱分散体１６）までの熱伝達の全体としての有効性は式（１）にしたがう熱抵
抗で計測できる。
【００３１】 θＴ ＝ θＩ１ ＋ θＭ ＋ θＩ２ （１） ここで、 θＴは全体としての熱抵抗； θＭは熱源とヒートシンクとを結ぶインターフェース物質の厚みを横切る熱
抵抗； θＩ１はヒートシンクとインターフェース物質との間の界面熱抵抗；そして θＩ２は熱源とインターフェース物質との間の界面熱抵抗。
【００３２】 続いて、θＭは式（２）で与えられる。
【００３３】 θＭ ＝ ｔ／ｋＡ （２） ここで、 ｋはインターフェース物質の熱伝導率； ｔはインターフェース物質の厚み；そして Ａは熱接触の面積。
【００３４】 本発明のジェル組成物は高熱伝導率ｋを有し、それでθＭは小さい。それの高
い適合性および粘着性の特性は、熱源およびヒートシンクとの優れた熱接触をも
たらし、それでθＩ１およびθＩ２も、それらが全体としての熱抵抗に著しくは
寄与しない点までと非常に小さい。また、ジェルパッドは、約５ミルと約４０ミ
ルとの間に、もっと並外れて薄くすることができ、それでｔは小さい。
【００３５】 固有の個別の、単一の対向する、熱を放散する電子要素の外形に対応する外形
（１対１パッド対要素比）を有するパッドを有する実施例において、Ａの値が極
大化され、それで熱抵抗θＭが減少される。このアプローチは、Ｃｉｐｏｌｌａ
ｅｔ ａｌ．，ＵＳ５，２６８，８１５（１９９３）に教示されているように
、単一の要素に接触するジェル組成物からなる複数のパッド（例えば、ビーズま
たは小滴）を有するのに好ましい。Ｃｉｐｏｌｌａの多数対１つのパッド対要素
比はＡの値を低下させ、それで熱伝達の効率−インターフェース物質に接触せず
、熱伝達プロセスに効率的には寄与しない要素の表面の部分がある。
【００３６】 単一の連続的なジェル組成物からなるパッドが複数の電子要素と重なる代わり
の実施例、１つ対多数のパッド対要素比、は熱伝達効率の面から複数の個別のパ
ッドのように効率的である。しかしながら、ジェル組成物は熱行程の間横に広が
るためのスペースを有せず、結果的に裸のシリコンチップに伝達されるかもしれ
ない機械的ストレスはいくぶん少なくこの点では好ましい。単一パッドの実施例
は、特に、電子要素が全体として密集しているときには、より簡単な製造の利点
を提供する。裸のシリコンチップに伝達される機械的ストレスを軽減するために
、上述の、連続的もしくは個別のストリップ、ビーズ、ドットまたは矩形のよう
な代わりの形状を採用してもよい。圧縮されれば、ジェル組成物はパッドにより
前もって占められていない空間に広げられる。そのような形状は効率的であり、
追加の機械的ストレスをもたらさない。
【００３７】 要約すれば、本発明は、界面熱抵抗θＩ１およびθＩ２および界面物質の厚み
を横切る熱抵抗θＭを完全に最小にすることにより、全体の熱抵抗θＴを最小に
するようにデザインされている。θＭはまたｔを最小にするとともに、ｋおよび
Ａを最大にし、圧縮係数のような他の物質特性をバランスさせることにより最小
化される。
【００３８】 本発明は、実例により規定され、そして制限されない以下の例を参照すること
によりさらに理解できる。 例１ 組成物は、酸化アルミニウム（Ａｌｃａｎ社からの砕かれていないＣ−７５Ｆ
ｉｎｅおよびＣ７５１の７０：３０混合物）７２重量部（３９体積部）に最初に
混合されることにより調製され、低粘度（＜１０００ｃｐｓ）、低硬度（＜２０
ｇ Ｖｏｌａｎｄ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）の商業的に利用可能なシリコンジェルか
らなるＰａｒｔ Ａになった。このＰａｒｔ ＡはＭｙｅｒｓの高剪断単一軸混
合機を用いて調製された。
【００３９】 次いで組成物は、酸化アルミニウム（上述のとおり）７２重量部（３９体積部
）に最初に混合されることにより調製され、低粘度（＜１０００ｃｐｓ）、低硬
度（＜２０ｇ Ｖｏｌａｎｄ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）の商業的に利用可能なシリコ
ンジェルからなるＰａｒｔ Ｂになった。このＰａｒｔ ＢはＭｙｅｒｓの高剪
断単一軸混合機を用いて調製された。
【００４０】 上記Ｐａｒｔ Ａ５０重量部が著しい剪断を与えるオーバーヘッド プロペラ
型混合機を用いて上記Ｐａｒｔ Ｂ５０重量部と３分間混合された。結果として
生じる混合物は３．２ｍｍ厚み、５０．８ｍｍ直径の円盤型で鋳造され、２９イ
ンチＨｇより少ない真空下で５分ガス抜きされた。このサンプルは８０℃で２時
間硬化され、架橋結合された組成物が製造された。
【００４１】 この円盤はＡＳＴＭ Ｅ１５３０（１９９３）によって容積熱伝導率がテスト
された。結果としての値はテスト温度７０℃で１．０８Ｗ／ｍ°Ｋであった。１
０％圧縮（ＡＳＴＭ Ｄ５７５−９１による）でのこの物質の圧縮係数は３２ｐ
ｓｉ（０．２２Ｍｐａ）であった。
【００４２】 次いで、上記Ｐａｒｔ Ａ５０重量部のこの同じ組成物が小さいバッチで上記
Ｐａｒｔ Ｂ５０重量部と手動で３分間混合された。この硬化されていない組成
物はＡｎａｌｙｓｉｓ Ｔｅｃｈ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ， Ｍｏｄｅｌ−１０Ａの銅のヒートシンクに分配された
。ほぼ０．５ｍｍの厚み、１２×１８ｍｍの幅および長さの硬化されていない組
成物からなるパッドがヒートシンク上に形成された。これは室温で一晩中硬化さ
れ、架橋結合された組成物が製造された。
【００４３】 ベース寸法がほぼ１０×１５ｍｍのキャリブレートされたＴＩＰ３１ ｎ−ｐ
−ｎトランジスタが熱源として使用された。このデバイスはヒートシンク上の硬
化された組成物と接触され、油圧シリンダーを通して圧力が与えられた。圧力が
与えられている間に厚みが計測された。熱インターフェースを横切る熱抵抗Ｒｊ ｘ は式（３）により℃／Ｗで計測された。
【００４４】 Ｒｊｘ ＝ （Ｔｊ − Ｔｒ）／電力 （３） ここで、Ｔｊはシリコンの接合部温度であり、Ｔｒは水冷ヒートシンクの参照温
度である。
【００４５】 このＲｊｘの値はＲｊｃ（接合部からケース）とＲｃｓ（ケースからシンク）
との和である。Ｒｃｓは関心の熱的物質を横切る熱抵抗である。ＲｊｃはＴＩＰ
３１を測定し、Ｒｊｘから減じた。残余の値は与えられた印加圧力（式（４））
下における熱インターフェース物質の外見上の熱抵抗である。
【００４６】 Ｔｒ 〜 Ｒｃｓ ＝ Ｒｊｘ − Ｒｊｃ （４） ＴＩＰ下での面積１．５２ｍｍ２および各圧力レベルでの測定された厚みを用
い、サンプルの外見上の熱抵抗（Ａｐｐ．ｋ）が計算された。
【００４７】 Ａｐｐ．ｋ ＝ 厚み／（Ｔｒ × 面積） 上述の組成物についての外見上の伝導率は以下の表１に示されている。 例２ これは、低圧縮係数の重要性および高圧縮係数のインターフェース物質がどの
ように望ましくないかを例証する比較例である。
【００４８】 組成物は、例１で説明されたように酸化アルミニウム７２重量部（３９体積部
）に混合されることにより調製され、中間粘度（＜５０００ｃｐｓ）、中間硬度
（ＡＳＴＭ Ｄ２２４０−１９９７による ＜５０ Ｓｈｏｒｅ Ａ）の商業的
に利用可能な、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社、 Ｇｒａｄｅ ＲＴＶ６
１５からのシリコン ＲＴＶになった。この組成物は著しい剪断を与えるオーバ
ーヘッド プロペラ型混合機を用いて３分間混合された。
【００４９】 テストサンプルは例１と同じ方法で調製された。結果としての５０．８ｍｍ直
径の円盤からの容積熱伝導率は０．７８Ｗ／ｍ°Ｋであった。上述のようにＡＳ
ＴＭ Ｄ５７５−９１による１０％圧縮でのこの物質の圧縮係数は９５５ｐｓｉ
（６．５９Ｍｐａ）であった。
【００５０】 この同じ組成物は、例１に記載されたように、銅のヒートシンクに分配され、
パッドに形成され、外見上の伝導率がテストされた。これらの結果は以下の表１
に示されている。
【００５１】 例２の物質の硬度は不十分な熱接触をもたらし、結果として生じる６９ｋＰａ
（１０ｐｓｉ）での外見上の伝導率は理論上の容積伝導率のほんの約７８％であ
る。対照してみれば、例１の軟らかい物質は良好な熱接触を有し、結果として生
じる６９ｋＰａ（１０ｐｓｉ）での外見上の伝導率は理論上の容積伝導率の約９
４％である。 例３ 組成物は、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社からの、Ｇｒａｄｅ３５０
の窒化ボロン６０．７重量部（４０体積部）に混合されることにより調製され、
低粘度（＜１０００ｃｐｓ）、低硬度（＜２０ｇ Ｖｏｌａｎｄ Ｈａｒｄｎｅ
ｓｓ）の商業的に利用可能なシリコンジェルになった。
【００５２】 テストサンプルはＢｒａｂｅｎｄｅｒ Ｐｌａｓｔｉｃｏｒｄｅｒ上の６０ｃ
ｍ３のボウル内で高剪断ローラーブレードを用いて５分、４５ＲＰＭで混合され
た。結果として生じる混合物は３．２ｍｍ厚み、５０．８ｍｍ直径の円盤型で鋳
造され、２９インチＨｇより少ない真空下で５分ガス抜きされた。このサンプル
は８０℃で２時間硬化され、架橋結合された組成物が製造された。
【００５３】 この円盤はＡＳＴＭ Ｅ１５３０（１９９３）によって容積熱伝導率がテスト
された。結果としての５０．８ｍｍ直径の円盤からの容積熱伝導率は１．７１Ｗ
／ｍ°Ｋであった。上述のＡＳＴＭ Ｄ５７５−９１による１０％圧縮でのこの
物質の圧縮係数は１０２ｐｓｉ（０．７０Ｍｐａ）であった。
【００５４】 この同じ組成物は、例１に記載されたように、銅のヒートシンクに分配され、
パッドに形成され、外見上の伝導率がテストされた。これらの結果は以下の表１
に示されている。 例４ これは、高圧縮係数のシリコンインターフェース物質の他の比較例である。
【００５５】 組成物は、Ｇｒａｄｅ３５０の窒化ボロン６０．３重量部（４０体積部）に混
合されることにより調製され、中間粘度（＜５０００ｃｐｓ）、中間硬度（＜５
０ Ｓｈｏｒｅ Ａ）のＧｒａｄｅ ＲＴＶ６１５のシリコンになった。
【００５６】 テストサンプルは例３と同じ方法で混合され、調製された。結果としての５０
．８ｍｍ直径の円盤からの容積熱伝導率は１．３９Ｗ／ｍ°Ｋであった。上述の
ようにＡＳＴＭ Ｄ５７５−９１による１０％圧縮でのこの物質の圧縮係数は７
６４ｐｓｉ（５．２７Ｍｐａ）であった。
【００５７】 この同じ組成物は、例１に記載されたように、銅のヒートシンクに分配され、
パッドに形成され、外見上の伝導率がテストされた。これらの結果は以下の表１
に示されている。
【００５８】 例４の物質の硬度は不十分な熱接触をもたらし、結果として生じる６９ｋＰａ
（１０ｐｓｉ）での外見上の伝導率は理論上の容積伝導率のほんの約５３％であ
る。対照してみれば、例３の軟らかい物質は改善された熱接触を有し、結果とし
て生じる６９ｋＰａ（１０ｐｓｉ）での外見上の伝導率は理論上の容積伝導率の
８３％である。理論上の容積伝導率の９９％の外見上の伝導率は例３の物質のた
めのより高い圧力レベル２１０ｋＰａ（３０ｐｓｉ）で達成できる。
【００５９】
【表１】 例５ 組成物は、酸化アルミニウム（例１で説明されているように）を７２重量部（
３９体積部）、Ｄｅｇｕｓｓａ社からのチキソトロピー媒介物Ａｅｒｏｓｉｌ
Ｒ９７２を２．０重量部、シラノール ターミネイテッド ポリヂメチルシロキ
サンを５．０重量部に最初に混合されることにより調製され、低粘度（＜１００
０ｃｐｓ）、低硬度（＜２０ｇ Ｖｏｌａｎｄ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）の商業的に
利用可能なシリコンジェルからなるＰａｒｔ Ａになった。このＰａｒｔ Ａは
ダブルプラネタリー低剪断混合機を用いて調製された。
【００６０】 次いで組成物は、酸化アルミニウム（例１で説明されているように）を７２重
量部（３９体積部）、Ｄｅｇｕｓｓａ社からのチキソトロピー媒介物（Ａｅｒｏ
ｓｉｌ Ｒ９７２）を２．０重量部、シラノール ターミネイテッド ポリヂメ
チルシロキサンを５．０重量部に最初に混合されることにより調製され、低粘度
（＜１０００ｃｐｓ）、低硬度（＜２０ｇ Ｖｏｌａｎｄ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）
の商業的に利用可能なシリコンジェルからなるＰａｒｔ Ｂになった。このＰａ
ｒｔ Ｂはダブルプラネタリー低剪断混合機を用いて調製された。
【００６１】 これらの物質は、２０要素の混合部を用いてＰａｒｔ ＡとＰａｒｔ Ｂとの
体積比１：１の混合物を与える従来の静的な混合カートリッジに置かれた。
【００６２】 この組成物は手動で剥離紙（テフロン（登録商標）コートされたガラス布）か らなるシートに分配され、０．５ｍｍ厚みのシートに形成された。これは室温で 一晩中硬化され、架橋結合された組成物が製造された。
【００６３】 ほぼ９５×１２ｍｍのパッドはこの硬化されたシートからカットされ、図４に
示されるアルミニウム熱分散体の盛り上がった部分に置かれた。陰がつけられた
エリアＡはチップへの熱インターフェースと接触するための盛り上がった脚であ
り、９７×１２ｍｍの大きさである。脚とチップとの間のわずかなギャップは０
．３６ｍｍであった。
【００６４】 このジェルパッドを有する熱分散体は、図５に示されるように、８つの裸のシ
リコン耐性発熱チップ（Ｉｎｔｅｌ社、テストチップＴ１３８２５）のアレイに
接触させられた。チップのアレイは均一に１２．３７５ｍｍ離れた中心を有して
いた。各チップは８．９×１４．１×０．８ｍｍ（幅×長さ×高さ）の大きさで
あった。加えられた圧力は１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）より小さかった。チップ番
号８は電源としてのＨｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ ４１４２ Ｐａｒａｍｅ
ｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｚｅｒおよび記録されたチップ抵抗および温度を用いて約
１．８８Ｗの電力レベルに高められた。外部温度も記録された。静止空気中での
平衡時の熱抵抗は［（チップ温度−周囲温度）／入力電力］として計算され、℃
／Ｗで報告された。この手順はチップ番号５を約１．８８Ｗの電力レベルに高め
、熱抵抗を記録することにより反復された。結果は以下の表２に示されている。
例６ 組成物は例５に説明されたように調製された。この組成物は図１に示されるア
ルミニウム熱分散体の内面部分に直接分配された。硬化されていない組成物から
なる単一のパッドはほぼ９５×１２×０．５ｍｍ厚みの大きさに形成された。こ
れは室温で一晩中硬化され、架橋結合された組成物が製造された。
【００６５】 この分配され、硬化された組成物は例５で説明されたようにテストされた。熱
抵抗結果は以下の表２に示されている。 例７ 組成物は例５に説明されたように調製され、アルミニウム熱分散体上に分配さ
れ、ほぼ１２×１１ｍｍの８つの個別のパッドに形成された。これらのパッドの
配置は、この硬化された組成物からなるパッドを有する熱分散体がテストチップ
を含む板に接触された後に、８つのテストチップのそれぞれを完全にカバーする
のに十分であった。
【００６６】 その後、この分配された、硬化された組成物は、例５で説明されたようにテス
トされた。熱抵抗結果は以下の表２に示されている。
【００６７】 例５−７の結果は本発明にしたがって熱分散体上にジェルをつけることの利益
を示す。熱抵抗の測定の標準の偏差は約０．１℃／Ｗである。したがって、表２
に示される熱抵抗を２．１から２．５℃／Ｗ低下させることは統計的に意味があ
る。このテストで用いられる電力１．８８Ｗにおいて、これはチップ温度の４℃
低減を表す。１０Ｗのようにより多くの電力を消費する場合には、この差は２０
℃よりも大きく、デバイスの性能および信頼性における意味のある改善に導くこ
とができる。
【００６８】
【表２】 前述の本発明の詳細な説明は、主にまたは排他的に本発明の特有の部分または
見地に関連する出来事を含む。これが明確化および便宜のためであること、特有
の特徴が開示されている適正な経過よりも適切であるかもしれないこと、および
開示はここに異なる出来事において見出された情報の全ての好ましい組み合わせ
が含まれることが理解されるべきである。同様に、種々の図面および説明がここ
に本発明の特定の実施例に関連しているけれども、特定の特徴が特有の図面また
は実施例の文脈に含まれていることが理解されるべきである。そのような特徴は
、他の図面もしくは実施例の文脈、他の特徴との組み合わせ、または概して本発
明において、用いることができる。
【００６９】 また、本発明は特にある好ましい実施例について説明したが、本発明はそのよ
うな好ましい実施例には限定されない。むしろ、本発明の範囲は添付のクレーム
により明確にされる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】 本発明にしたがう熱散逸構造を示す。
【図１ｂ】 本発明にしたがう熱散逸構造を示す。
【図２】 本発明の一方法を概略的に示す。
【図３】 本発明の代わりの方法を概略的に示す。
【図４】 何れかの例における熱的特性測定のために用いられる熱分散体を示
す。
【図５】 何れかの例における熱的特性測定のために用いられるチップセット
を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベンジャミン・エル・シトラー アメリカ合衆国94024カリフォルニア州ロ ス・アルトス、ミラバル・アベニュー1410 番 (72)発明者 ロバート・エイチ・リーミー アメリカ合衆国94306カリフォルニア州パ ロ・アルト、ラモーナ・ストリート2680番 (72)発明者 クリスティーン・イー・ボグズ アメリカ合衆国94087カリフォルニア州サ ニーベイル、ネルソン・ウェイ1340番 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB01 BB21 BD21

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の裸のシリコンチップが搭載された回路基板のための熱散逸
    構造を作成する方法であって、 （ａ） 露出面を有する複数の裸のシリコンチップが搭載された回路板を設け
    る、 （ｂ） 内面および外面を有し、平坦な部分の内面が回路板の裸のシリコンチ
    ップを帯びる側に面するようにすべく回路板への取付のためにサイズおよび形状
    が設定された実質的に平坦な部分を有する熱分散体を設ける、 （ｃ） 硬化して凝集力が粘着力より大きく、圧縮係数が１．３８Ｍｐａより
    も小さく、熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きいジェル組成物になり得る前
    駆組成物を内面に付与する、 （ｄ） 前駆組成物を硬化させて、ジェル組成物が０．０８ｍｍと１．０ｍｍ
    の間の厚みを有する少なくとも１つのパッドを形成すべく、前駆組成物をジェル
    組成物に変換する。少なくとも１つのパッドは、熱分散体が回路板に取り付けら
    れたときに、複数の裸のシリコンチップの露出面に接触し完全にカバーするよう
    に位置決めされる、 （ｅ） 複数の裸のシリコンチップの露出面に接触し完全にカバーするように
    熱分散体を回路板に取り付ける、 各ステップを含むことを特徴とする複数の裸のシリコンチップが搭載された回路
    基板のための熱散逸構造を作成する方法。
  2. 【請求項２】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドはジェル組成物の
    単一の連続的なパッドである請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドはジェル組成物か
    らなる複数のパッドを含み、各パッドは、熱分散体が回路板に取り付けられたと
    きにただ１つのおのおのの相対する裸のシリコンチップに接触するように位置決
    めされ、おのおのの相対する裸のシリコンチップの外形に実質的に対応する外形
    を有する請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 熱分散体の平坦な部分は５ｍｍよりも少ない厚みを有している請
    求項１、２または３記載の方法。
  5. 【請求項５】 ジェル組成物は２０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい容積熱伝導率を有す
    る微粒子物質で充填された架橋結合されたシリコンジェルを含む請求項１、２ま
    たは３記載の方法。
  6. 【請求項６】 ジェル組成物は前駆組成物の硬化により作成され、前駆組成物は
    、 （Ａ） ２５℃で５０，０００よりも少ない粘度を有するシリコン組成物を含
    んでいて、このシリコン組成物は、 （ｉ） ２５℃で５０と１００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、各分子
    に少なくとも２つのシリコン結合したアルキニルグループを有するアルキニル官
    能化ジオーガノポリシロキサン、および （ｉｉ） ２５℃で１と１、０００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、分子
    当たり平均で少なくとも２つのシリコン結合したハイドロゲン原子を含み、アル
    キニル官能化ジオーガノポリシロキサン（ｉ）における１モルのシリコン結合し
    たアルキニル当たり０．２と５．０モルとの間のシリコン結合したハイドロゲン
    を与える量のハイドロゲン官能化オーガノポリシロキサン、 を含み、上記前駆組成物は、さらに （Ｂ） シリコン組成物（Ａ）の硬化をもたらすのに十分な量のハイドロシレ
    ーション触媒、および （Ｃ） ２０Ｗ／ｍ−℃より大きい容積熱伝導率を有する少なくとも３５体積
    ％の微粒子物質、 を含む請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 シリコン組成物（Ａ）は、アルキニル官能化ジオーガノポリシロ
    キサン（ｉ）を加えたオーガノポリシロキサンおよびハイドロゲン官能化オーガ
    ノポリシロキサン（ｉｉ）を１００重量部につき、平均式がＲａＳｉＯｂ（ここ
    で、Ｒはアルキニル以外の１価のハイドロカーボングループであり、ａは２０．
    と２．２の間の数字であり、ｂは０．９と１．０との間の数字である。）のオー
    ガノシロキサン樹脂をさらに８０重量％まで含んでいる請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 微粒子物質は、アルミナ、シリコンカーバイド、酸化亜鉛、窒化
    アルミニウム、二ホウ化チタン、アルミニウム、銅、銀、ダイアモンド、ニッケ
    ル、シリコン、グラファイト、酸化第二鉄、酸化ベリリウム、二酸化チタン、酸
    化マグネシウム、および窒化ボロンからなるグループから選択される請求項５記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 微粒子物質は、少なくとも１０％が少なくとも７４μｍの粒子サ
    イズを有するα−アルミナである請求項５記載の方法。
  10. 【請求項１０】 ジェル組成物は０．６９Ｍｐａより少ない圧縮係数を有する請
    求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】 それぞれ露出面を有する複数の裸のシリコンチップを搭載した
    回路板、 回路板から離れ、内面および外面を有するとともに内面が回路板の裸のシリコ
    ンチップを帯びた側に面するように回路板に対する取付のためにサイズおよび形
    状が設定された実質的に平坦な部分を有する熱分散体、および 熱分散体の内面上のジェル組成物、このジェル組成物は、凝集力が粘着力より
    大きく、圧縮係数が１．３８Ｍｐａよりも小さく、熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ−℃
    よりも大きく、前記ジェル組成物は０．０８ｍｍと１．０ｍｍの間の厚みを有す
    る少なくとも１つのパッドを形成するものであり、この少なくとも１つのパッド
    は熱分散体が回路板に取り付けられたときに、複数の裸のシリコンチップの露出
    面に接触し完全にカバーするように位置決めされるものである、 を含むことを特徴とする熱散逸のための設備を有する回路板配置に組立可能な
    コンビネーション。
  12. 【請求項１２】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドはジェル組成物
    の単一の連続的なパッドである請求項１１記載のコンビネーション。
  13. 【請求項１３】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドはジェル組成物
    からなる複数のパッドを含み、各パッドは、熱分散体が回路板に取り付けられた
    ときにただ１つのおのおのの相対する裸のシリコンチップに接触するように位置
    決めされ、おのおのの相対する裸のシリコンチップの外形に実質的に対応する外
    形を有するものである請求項１１記載のコンビネーション。
  14. 【請求項１４】 熱分散体の平坦な部分は５ｍｍよりも少ない厚みを有している
    請求項１１記載のコンビネーション。
  15. 【請求項１５】 ジェル組成物は２０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい容積熱伝導率を有
    する微粒子物質で充填された架橋結合されたシリコンジェルを含む請求項１１記
    載のコンビネーション。
  16. 【請求項１６】 ジェル組成物は前駆組成物の硬化により作成され、この前駆組
    成物は、 （Ａ） ２５℃で５０，０００よりも少ない粘度を有するシリコン組成物を含
    んでいて、このシリコン組成物は、 （ｉ） ２５℃で５０と１００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、各分子
    に少なくとも２つのシリコン結合したアルキニルグループを有するアルキニル官
    能化ジオーガノポリシロキサン；および （ｉｉ） ２５℃で１と１、０００，０００ｃＰとの間の粘度を有し、分子
    当たり平均で少なくとも２つのシリコン結合したハイドロゲン原子を含み、アル
    キニル官能化ジオーガノポリシロキサン（ｉ）における１モルのシリコン結合し
    たアルキニル当たり０．２と５．０モルとの間のシリコン結合したハイドロゲン
    を与える量のハイドロゲン官能化オーガノポリシロキサン； を含み、上記前駆組成物は、さらに （Ｂ） シリコン組成物（Ａ）の硬化をもたらすのに十分な量のハイドロシレ
    ーション触媒；および （Ｃ） ２０Ｗ／ｍ−℃より大きい容積熱伝導率を有する少なくとも３５体積
    ％の微粒子物質、 を含む請求項１５記載のコンビネーション。
  17. 【請求項１７】 シリコン組成物（Ａ）は、アルキニル官能化ジオーガノポリシ
    ロキサン（ｉ）を加えたオーガノポリシロキサンおよびハイドロゲン官能化オー
    ガノポリシロキサン（ｉｉ）を１００重量部につき、平均式がＲａＳｉＯｂ（こ
    こで、Ｒはアルキニル以外の１価のハイドロカーボングループであり、ａは２０
    ．と２．２の間の数字であり、ｂは０．９と１．０との間の数字である。）のオ
    ーガノシロキサン樹脂をさらに８０重量％まで含んでいる請求項１６記載のコン
    ビネーション。
  18. 【請求項１８】 微粒子物質は、アルミナ、シリコンカーバイド、酸化亜鉛、窒
    化アルミニウム、二ホウ化チタン、アルミニウム、銅、銀、ダイアモンド、ニッ
    ケル、シリコン、グラファイト、酸化第二鉄、酸化ベリリウム、二酸化チタン、
    酸化マグネシウム、および窒化ボロンからなるグループから選択される請求項１
    ５記載のコンビネーション。
  19. 【請求項１９】 微粒子物質は、少なくとも１０％が少なくとも７４μｍの粒子
    サイズを有するα−アルミナである請求項１５記載のコンビネーション。
  20. 【請求項２０】 ジェル組成物は０．６９Ｍｐａより少ない圧縮係数を有する請
    求項１１記載のコンビネーション。
  21. 【請求項２１】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドは、それぞれが
    少なくとも１つのシリコンチップに接触すべく位置決めされたジェルからなる複
    数のパッドを含む請求項１１記載のコンビネーション。
  22. 【請求項２２】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドは、多数のスト
    リップ、ビーズ、ドットまたは矩形を含む請求項１１記載のコンビネーション。
  23. 【請求項２３】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドは、それぞれが
    少なくとも１つのシリコンチップに接触すべく位置決めされたジェルからなる複
    数のパッドを含む請求項１記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ジェル組成物からなる少なくとも１つのパッドは、多数のスト
    リップ、ビーズ、ドットまたは矩形を含む請求項１記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014136503A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 日産自動車株式会社 回転電機

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342398B1 (en) * 1998-12-17 2002-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of backside emission analysis for BGA packaged IC's
US6399209B1 (en) * 1999-04-16 2002-06-04 The Bergquist Company Integrated release films for phase-change interfaces
US6605238B2 (en) * 1999-09-17 2003-08-12 Honeywell International Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
JP2001168246A (ja) * 1999-11-30 2001-06-22 Three M Innovative Properties Co 熱伝導性シート及びその製造方法
US6794030B1 (en) 1999-11-30 2004-09-21 3M Innovative Properties Company Heat conductive sheet and method of producing the sheet
US6673434B2 (en) 1999-12-01 2004-01-06 Honeywell International, Inc. Thermal interface materials
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US7060747B2 (en) * 2001-03-30 2006-06-13 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
US6469379B1 (en) 2001-03-30 2002-10-22 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
JP4796704B2 (ja) * 2001-03-30 2011-10-19 株式会社タイカ 押出可能な架橋済グリース状放熱材を充填・封入した容器の製法
CN100433310C (zh) 2001-04-23 2008-11-12 信越化学工业株式会社 散热元件
US6617683B2 (en) * 2001-09-28 2003-09-09 Intel Corporation Thermal performance in flip chip/integral heat spreader packages using low modulus thermal interface material
US6597575B1 (en) 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
US7208192B2 (en) 2002-05-31 2007-04-24 Parker-Hannifin Corporation Thermally or electrically-conductive form-in-place gap filter
US6992893B2 (en) * 2003-01-10 2006-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink attachment
US8119191B2 (en) 2003-01-16 2012-02-21 Parker-Hannifin Corporation Dispensable cured resin
US6921974B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-26 United Test & Assembly Center Ltd. Packaged device with thermal enhancement and method of packaging
WO2005024940A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Fujitsu Limited パッケージ構造、それを搭載したプリント基板、並びに、かかるプリント基板を有する電子機器
US20060237168A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Belady Christian L Air mover with thermally coupled guide vanes
US7326032B2 (en) * 2005-10-31 2008-02-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Cooling fan with adjustable tip clearance
US7447019B2 (en) * 2005-10-31 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Computer having an axial duct fan
US7443671B2 (en) * 2005-10-31 2008-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Axial duct cooling fan
US7558061B2 (en) * 2006-08-04 2009-07-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Cooling fan module
US20080068803A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-20 Shyh-Ming Chen Heat dissipating device holder structure with a thin film thermal conducting medium coating
US20080067669A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-20 Buttel Nicole A Systems, devices and methods for controlling thermal interface thickness in a semiconductor die package
US8545987B2 (en) * 2007-11-05 2013-10-01 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material with thin transfer film or metallization
US8445102B2 (en) * 2007-11-05 2013-05-21 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material with thin transfer film or metallization
US9795059B2 (en) 2007-11-05 2017-10-17 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with thin film or metallization
US8076773B2 (en) * 2007-12-26 2011-12-13 The Bergquist Company Thermal interface with non-tacky surface
US20090208722A1 (en) * 2008-02-18 2009-08-20 John Francis Timmerman Oriented Members for Thermally Conductive Interface Structures
US20120133072A1 (en) 2009-08-12 2012-05-31 Parker-Hannifin Corporation Fully-cured thermally or electrically conductive form-in-place gap filler
JP5614909B2 (ja) * 2012-03-02 2014-10-29 富士高分子工業株式会社 パテ状伝熱材及びその製造方法
US20150092352A1 (en) * 2013-09-29 2015-04-02 International Business Machines Corporation Thermal Interface Solution With Reduced Adhesion Force
US11121125B2 (en) 2018-12-12 2021-09-14 Micron Technology, Inc. Thermal chamber for a thermal control component
USD893484S1 (en) 2018-12-12 2020-08-18 Micron Technology, Inc. Thermal control component
US11493550B2 (en) 2019-12-11 2022-11-08 Micron Technology, Inc. Standalone thermal chamber for a temperature control component
US11334129B2 (en) 2019-12-11 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Temperature control component for electronic systems
WO2022113921A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 信越化学工業株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
TW202302722A (zh) 2021-03-04 2023-01-16 美商摩曼帝夫特性材料公司 散熱凝膠組合物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0323821U (ja) * 1989-07-17 1991-03-12
JPH08208993A (ja) * 1995-11-27 1996-08-13 Toshiba Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
JPH0982882A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Nec Corp マルチチップモジュール
JPH1187578A (ja) * 1997-07-09 1999-03-30 Kitagawa Ind Co Ltd 熱伝導スペーサ及びヒートシンク

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3020260A (en) * 1960-08-18 1962-02-06 Dow Corning Organosiloxane potting compound
US5357057A (en) * 1982-10-12 1994-10-18 Raychem Corporation Protected electrical connector
US4600261A (en) * 1982-10-12 1986-07-15 Raychem Corporation Apparatus and method for protection of electrical contacts
US4634207A (en) * 1982-10-12 1987-01-06 Raychem Corporation Apparatus and method for protection of a substrate
US4654754A (en) * 1982-11-02 1987-03-31 Fairchild Weston Systems, Inc. Thermal link
US4777063A (en) * 1985-05-02 1988-10-11 Raychem Corporation Curable organopolysiloxane composition
US4595635A (en) * 1985-05-02 1986-06-17 Raychem Corporation Organopolysiloxane materials having decreased surface tack
CA2049019A1 (en) * 1989-03-01 1990-09-02 Robert S. Dubrow Method of curing organopolysiloxane compositions and compositions and articles therefrom
US4979074A (en) * 1989-06-12 1990-12-18 Flavors Technology Printed circuit board heat sink
US5227663A (en) * 1989-12-19 1993-07-13 Lsi Logic Corporation Integral dam and heat sink for semiconductor device assembly
US5175612A (en) * 1989-12-19 1992-12-29 Lsi Logic Corporation Heat sink for semiconductor device assembly
US5104930A (en) * 1990-02-27 1992-04-14 Raychem Corporation Polyurea gel compositions and articles therefrom
US5291371A (en) * 1990-04-27 1994-03-01 International Business Machines Corporation Thermal joint
US5060114A (en) * 1990-06-06 1991-10-22 Zenith Electronics Corporation Conformable pad with thermally conductive additive for heat dissipation
US5315480A (en) * 1991-11-14 1994-05-24 Digital Equipment Corporation Conformal heat sink for electronic module
US5268815A (en) * 1992-02-14 1993-12-07 International Business Machines Corporation High density, high performance memory circuit package
US5440172A (en) * 1993-06-28 1995-08-08 Sundstrand Corporation Integral heat sink interface
US5467251A (en) * 1993-10-08 1995-11-14 Northern Telecom Limited Printed circuit boards and heat sink structures
KR970005712B1 (ko) * 1994-01-11 1997-04-19 삼성전자 주식회사 고 열방출용 반도체 패키지
MY112145A (en) * 1994-07-11 2001-04-30 Ibm Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy
CA2201291A1 (en) * 1994-09-30 1996-04-11 Achilles Chiotis Silicone sealing material exhibiting high stress relaxation
US5604978A (en) * 1994-12-05 1997-02-25 International Business Machines Corporation Method for cooling of chips using a plurality of materials
WO1996023007A1 (en) * 1995-01-27 1996-08-01 Raychem Corporation Gels from anhydride-containing polymers
TW373308B (en) * 1995-02-24 1999-11-01 Agere Systems Inc Thin packaging of multi-chip modules with enhanced thermal/power management
US5741579A (en) * 1995-04-28 1998-04-21 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Heat-conductive sheet
US5847929A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 International Business Machines Corporation Attaching heat sinks directly to flip chips and ceramic chip carriers
US5812374A (en) * 1996-10-28 1998-09-22 Shuff; Gregg Douglas Electrical circuit cooling device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0323821U (ja) * 1989-07-17 1991-03-12
JPH0982882A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Nec Corp マルチチップモジュール
JPH08208993A (ja) * 1995-11-27 1996-08-13 Toshiba Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
JPH1187578A (ja) * 1997-07-09 1999-03-30 Kitagawa Ind Co Ltd 熱伝導スペーサ及びヒートシンク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014136503A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 日産自動車株式会社 回転電機

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