JP2002541522A - 書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料 - Google Patents

書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料

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JP2002541522A JP2000610000A JP2000610000A JP2002541522A JP 2002541522 A JP2002541522 A JP 2002541522A JP 2000610000 A JP2000610000 A JP 2000610000A JP 2000610000 A JP2000610000 A JP 2000610000A JP 2002541522 A JP2002541522 A JP 2002541522A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための光記録材料、その製造法及びその波長約400nmにおける記憶材料としての使用法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のた
めの光記録材料、その製造法及びその波長約400nmにおける記憶材料として
の使用法に関する。
【0002】 (背景の技術) アゾ染料を化学光に対するアンテナとして有する2及び/または多ビット及び
/またはボリュームデータの記憶のための材料は過去の技術においてすでに存在
している。特に、アゾ染料に加えて、形態異方性(form anisotro
py)を有する成分も側鎖として使用されている側鎖ポリマ−種は、光で誘導で
きる複屈折の程度によって識別される。これらの材料において、染料は形態異方
性を有する成分と組合わさって、適当な波長の偏光が照射された時に化学光(a
ctinic light)の場で配向し、光で誘導された複屈折が構築される
【0003】 米国特許第5384221号は、偏光された電磁照射線の照射時に空間的配置
を変える少くとも1つのポリマ−及び/またはオリゴマ−アゾ染料、及び随時形
態異方性を有する少くとも1つのグル−ピング(grouping)を含んでな
る2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための光記録
材料を記述している。
【0004】 しかしながら、これらの材料はすべての必要条件に適合せず、特にその400
nmにおける吸収性(高すぎる光学濃度(optical density))
のために、データの記憶に使用できない。反射構造では、化学光が原子の数層後
の記録層にすでに顕著に吸収されており、化学光が記録材料の全厚さに作用でき
ない。一方これは、光情報の記憶中に、光の吸収のためにかなりの温度上昇が起
こることを意味する。試料温度のかなりの上昇は、少くとも20℃、更に正確に
は少くとも50℃、特に100℃以上、殊に特に少くとも140℃の温度上昇を
意味するものとして理解される。この温度上昇は、例えばIRサ−マルヘッド
(thermal head)[インフラメトリクス・サ−モカム(Infra
metrics Thermocam)PM290]で測定できる。
【0005】 一方高吸収は、書き込みのために使用された波長を用いる、光で誘導された情
報の読取りを妨害する。記録材料から検知構造に達する光は弱すぎて、適切な信
号/ノイズ比を持たない。検知される光の強度が大程度に散乱バックグランドか
ら際立っている時に、適切な信号/ノイズ比は存在する。
【0006】 これらの公知の材料は、再書き込みに適切な性能を示さない。線形偏光された
光を照射した場合、先に誘導された複屈折は、化学光の偏光方向を例えば90°
回転させることにより削除できることがすでに示されている。他に、複屈折は、
例えば円偏光された光によって減じることができる。しかしながら、円偏光され
た光の照射による再書き込み操作中、過去の技術では等方性試料への書き込みで
達成されたような複屈折値は形成されない。
【0007】 上述した理由(高すぎる光学濃度)のために、再書き込みは、特に約400n
mにおいて可能でなかった。
【0008】 しかしながら、400nmにおける書き込み性能は、青色レーザーダイオード
(NICHIA)が高記憶密度を発生させうるから、丁度商業的に得られるよう
になったこのレーザーダイオードを使用するのに非常に重要である。
【0009】 従って青色レーザーダイオードの波長範囲において光データを記憶するために
使用できる記録材料が必要とされる。この材料は青色スペクトル領域(約400
nm)に露呈した時、緑色スペクトル領域(約515nm)に露呈した時に匹敵
する値の光で誘導された複屈折をプンクト(puncto)に達成すべきである
。更にそれは再書き込みできる性能を有すべきである。
【0010】 驚くべきことに今回、本明細書に記述される記録材料は上述した必要条件に適
合することが発見された。
【0011】 (発明の説明) 本発明は、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のた
めに使用でき、照射時に空間的配列を変える少くとも1つのポリマ−及び/また
はオリゴマ−アゾ染料、及び随時少くとも1つの形態異方性を有するグル−ピン
グを含んでなる、光記録材料を提供する。本記録材料は、 −染料の吸収最大が400nmから少くとも30nm、好ましくは40nm異な
り、 −染料が、400nmにおいてその最大吸収の高々60%の光学濃度に達し、 −化学光の偏光状態を変えることによって再書き込みの能力があり、削除/再書
き込みサイクル後に元の値の少くとも80%の強度が達成され、そして −その他の条件が同じで400nmにおいて、書き込み操作が500nmにおけ
るものと同程度に遅く進行し、またここに誘導された複屈折値が500nmで誘
導された複屈折値と10%以上異ならない、 ということが特徴である。
【0012】 これは、例えば染料の最大吸収(AM)が370nm以下、好ましくは360
nm以下であるポリマ−によって達成される。
【0013】 しかしながら、染料の最大吸収が450nm以上であるポリマ−及び/または
オリゴマ−を使用することもできる。
【0014】 非常に良好な結果は、記録材料が、少くとも1つの成分のAMが450nm以
上であり且つ少くとも1つの成分のAMが360nm以下であるものを含んでな
るコポリマ−を含んでなる場合に達成された。
【0015】 特に有利な効果は最大吸収を持つ吸収帯が特に狭い場合に達成できる。
【0016】 更に、本発明による記録材料が、厚さ250nmの固体状態において、380
−420nm、好ましくは390−410nm、特に好ましくは395−405
nmの波長範囲の波長で、≦1、好ましくは0.5以下またはそれに同じ、特に
好ましくは0.3以下またはそれに同じ光学濃度を有することは、特に特記すべ
きことである。
【0017】 光学濃度は、市販のUV/VIS分光計[例えば、カリ−(CARY)4G型
UV/VIS分光計]で決定できる。
【0018】 このことが保証されるならば、記録材料を好ましくは380−420nm、特
に好ましくは390−410nm、殊に好ましくは395−405nmのレーザ
ー波長範囲の電磁照射(光)で処理することにより、本発明による効果は有利な
具合に達成できる。
【0019】 最も有利な場合には、読取り過程が同一の波長の光で行えるべきである。これ
がいくつかの場合に可能でないならば、その波長はより長くなるが、好ましくは
僅かだけより長くなるべきである。
【0020】 化学光への露呈後の染料の再配列は、例えば偏光された吸収分光学的研究で分
かる。化学光に予め露呈した試料を、染料の吸収スペクトル領域において、UV
/VIS分光計[例えば、カリ−(CARY)4G型UV/VIS分光計]によ
り2つの偏光子(polarizer)間で検討する。試料をそれに垂直な方向
で回転させた時並びに偏光子を、例えば交差状態の適当な位置で用いた場合、染
料の再配列は試料の角度の関数として吸光強度過程から引き続き起こり、結果と
してそれが明白に決定できる。
【0021】 以下において、よりしばしば重要となる重要な因子は、分子の長軸の配向であ
る。分子の長軸は、例えば分子模型(例えばセリウス(CERIUS2 ))によ
る分子の形の助けを借りて決定することができる。
【0022】 本発明による染料の重要な因子は、書き込み操作後の化学光への感度である。
【0023】 例えばホログラフィ−記録の感度は、化学光に対する分子の感度の尺度である
。それは、例えばホログラフィー生長曲線から、即ち書き込み光線により付与さ
れたエネルギーの関数としての、回折効率(=読取りレーザーの入射強度に関す
る回折された強度)の発生から計算される。この強度は付与されたエネルギーに
よる回折効率の平方根の増加として定義され、記憶媒体の厚さに対して規格化さ
れる。
【0024】 顕微鏡的レベルにおいて、感度はフォトンが分子を電子の基底状態から、概し
てシス型で記述される励起状態へ変える確率を意味する。
【0025】 染料は、例えば化学光の偏光の方向に対して垂直な方向で折重なることにより
、また長軸が化学光の偏光の方向に対して10−90°、好ましくは50−90
°、特に好ましくは75−90°、殊に好ましくは85−90°の角度で存在す
るようになることにより、その吸収性、特にその化学光に対する感度を減じる。
この時そのような染料は偏光性(polarizability)テンソルの成
分がもはや化学光と反応しないならばもはや書き込み操作には関与せず、そして
削除操作後の再新の書き込み時に、前の書き込み中に達成された複屈折がもはや
達成されない。そのような染料は例えばその偏光性テンソルが長軸を有するとい
うことで特徴付けられる。
【0026】 誘導された複屈折が書き込まれた後の本発明による染料の化学光に対する感度
が最終値に保持され、そしてこの感度が分子の長軸が化学光の偏光方向に対して
垂直であるとき元の値の少くとも5%、好ましくは10%、好ましくは15%、
好ましくは20%であるということは、本発明にとって必須である。
【0027】 記録材料への数回の再書き込みはこのようにして可能である。削除操作後に達
成される光で誘導された複屈折値は、先の値から、高々20%、好ましくは10
%、特に好ましくは5%、殊に好ましくは高々1%しか違わない値を達成する。
【0028】 数回再書き込みできる性能とは、少くとも2回、好ましくは少くとも10回、
特に好ましくは少くとも100回、殊に好ましくは少くとも1000回の書き込
み/削除サイクルが行えることを意味すると理解される。
【0029】 電磁照射と相互作用する基は、アゾ染料である。結果として本発明による材料
は少くとも1つのアゾ染料を含んでなる。
【0030】 アゾ染料は、例えば次の式(I)
【0031】
【化6】
【0032】 [式中、R1 及びR2 は互いに独立に水素または非イオン性置換基を表し、そ して m及びnは互いに独立に0−4、好ましくは0−2の整数を表し、但し X1 及びX2 はX1´−R3 またはX2´−R4 を示し、 X1´及びX2´は直接結合、−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R 67 )−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、 −(SO2 )−、−(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C= NR8 )−、または−(CNR8 −NR5 )−を表し、 R3 、R4 、R5 及びR8 は互いに独立に水素、C1 −C20アルキル、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、C6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O)−、C3 −C10シクロアルキル−(C=O)− 、C2 −C20アルケニル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O) −、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C3 −C10シクロアルキル−(S O2 )−、C2 −C20アルケニル−(SO2 )−、またはC6 −C10アリ− ル−(SO2 )−を表し、或いは X1´−R3 及びX2´−R4 は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3 、 またはCCl3 を表すことができ、 R6 及びR7 は互いに独立に水素、ハロゲン、C1 −C20アルキル、C1 − C20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、また はC6 −C10アリ−ルを表す] の構造を有する。
【0033】 非イオン性置換基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1
−C20アルコキシ、フェノキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケ
ニルまたはC6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O)−、C6 −C 10 アリ−ル−(C=O)−、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C1 −C20
ルキル−(C=O)−O−、C1 −C20アルキル−(C=O)−NH−、C6
10アリ−ル−(C=O)−NH−、C1 −C20アルキル−O−(C=O)−、
1 −C20アルキル−NH−(C=O)−またはC6 −C10アリ−ル−NH−
(C=O)−を意味するものとして理解すべきである。
【0034】 アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリ−ル基は、順次ハロゲン、シ
アノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1 −C20アルコキシ、C3 −C10シクロ
アルキル、C2 −C20アルケニルまたはC6 −C10アリ−ルからなる群からの3
つまでの基で置換されていてもよく、このアルキル及びアルケニル基は直鎖また
は分岐鎖であってよい。
【0035】 ハロゲンはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素を意味するも
のと理解すべきである。
【0036】 本発明による記録材料は、好ましくはポリマ−またはオリゴマ−の有機非晶性
材料、特に好ましくは側鎖ポリマ−である。
【0037】 側鎖ポリマ−の主鎖は、次の基本的構造に由来する:ポリアクリレ−ト、ポリ
メタクリレ−ト、ポリシロキサン、ポリウレア、ポリウレタン、ポリエステルま
たはセルロース。ポリアクリレ−ト及びポリメタクリレ−トは好適である。
【0038】 染料、特に式(I)のアゾ染料は、概してスペ−サ−を介してこれらのポリマ
−マトリックスに共有結合している。例えばこの時X1 (またはX2 )は、特に
式 X1´−(Q1i −T1 −S1 − [式中、X1´は上述した意味を有し、 Q1 は−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R67 )−、−(C= O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、−(SO2 )−、− (SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=NR8 )−、または −(CNR8 −NR5 )−、−(CH2p −、p−またはm−C64 − 或いは式
【0039】
【化7】
【0040】 の2価の基を表し、 iは0−4の整数を表し、但しi>1の時各Q1 は異なる意味を有すること ができ、 T1 は−(CH2p −を表し、但しこの鎖は−O−、−NR9 −または− OSiR10 2 O−が介在していてよく、 S1 は直接結合、−O−、−S−または−NR9 −を表し、 pは2−12、好ましくは2−8、特に2−4の整数を表し、 R9 は水素、メチル、エチルまたはプロピルを表し、 R10はメチルまたはエチルを表し、そして R5 −R8 は上述した意味を有する] を意味する場合、そのようなスペ−サ−を表す。
【0041】 ポリアクリレ−トまたはメタクリレ−トに対する好適な染料モノマ−は、式
(II)
【0042】
【化8】
【0043】 [式中、Rは水素またはメチルを表し、そして 他の基は上述した意味を有する] を持つ。
【0044】 特に好適な染料モノマ−は式(IIa)
【0045】
【化9】
【0046】 [式中、X3 はCN及び他のすべての公知の電子吸引性置換基を示し、またそ の時R1 も好ましくはCNであり、そして 基R、S1 、T1 、Q1 、X1´、及びR2 、並びにi、m、及びnは上述 の意味を有する] のものである。
【0047】 本発明によるポリマ−またはオリゴマ−の有機非晶性材料は、例えば式(I)
の染料の他に、形態異方性を有するグル−ピングを持つことができる。これらも
、概してスペ−サ−を通してポリマ−マトリックスに共有結合している。
【0048】 形態異方性を有する基は、例えば式(III)
【0049】
【化10】
【0050】 [式中、Zは式
【0051】
【化11】
【0052】 の基を表し、但し Aは−O−、−S−または−NC1 −C4 アルキル−を表し、 X3 は−X3´−(Q2j −T2 −S2 −を表し、 X4 はX4´−R13を表し、 X3´及びX4´は直接結合、−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R 67)−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、− (SO2)−、−(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=N R8 )−、または−(CNR8 −NR5 )−を表し、 R5 、R8 及びR13は互いに独立にC1 −C20アルキル、C3 −C10シクロ アルキル、C2 −C20アルケニル、C6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキ ル−(C=O)−、C3 −C10シクロアルキル−(C=O)−、C2 −C20 アルケニル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−、C1 −C 20アルキル−(SO2 )−、C3 −C10シクロアルキル−(SO2 )−、C 2 −C20アルケニル−(SO2 )−、またはC6 −C10アリ−ル−(SO2 )−を表し、或いは X4´−R13は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3 、またはCCl3 を表すことができ、 R6 及びR7 は互いに独立に水素、ハロゲン、C1 −C20アルキル、C1 − C20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、また はC6 −C10アリ−ルを表し、 Yは単結合、−COO−、−OCO−、−CONH−、−NHCO−、−C ON(CH3 )−、−N(CH3 )CO−、−O−、−NH−、または−N (CH3 )−を表し、 R11、R12、R15は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル 、C1 −C20アルコキシ、フェノキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 − C20アルケニルまたはC6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O )−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C1 −C20アルキル−(C=O)−O−、C1 −C20アルキル−(C =O)−NH−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−NH−、C1 −C20ア ルキル−O−(C=O)−、C1 −C20アルキル−NH−(C=O)−また はC6 −C10アリ−ル−NH−(C=O)−を表し、 q、r及びsは互いに独立に0−4、好ましくは0−2の整数を表し、 Q2 は−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R67 )−、−(C= O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、−(SO2 )−、− (SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=NR8 )−、−(C NR8 −NR5 )−、−(CH2p −、p−またはm−C64 −或いは 式
【0053】
【化12】
【0054】 の基を表し、 jは0−4の整数を表し、但しj>1の時各Q1 は異なる意味を有していて よく、 T2 は−(CH2p −を表し、但しこの鎖には−O−、−NR9 −、また は−OSiR10 2 O−が介在してよく、 S2 は直接結合、−O−、−S−または−NR9 −を表し、 pは2−12、好ましくは2−8、特に2−4の整数を表し、 R9 は水素、メチル、エチル、またはプロピルを表し、そして R10メチルまたはエチルを表す] の構造を有する。
【0055】 ポリアクリレ−トまたはメタクリレ−トに好適な形態異方性を有するそのよう
なグル−ピングを持つモノマ−は、式(IV)
【0056】
【化13】
【0057】 [式中、Rは水素またはメチルを表し、そして 他の基は上述した基を有する] を有する。
【0058】 式(IV)の形態異方性を持つ特に好適なモノマ−は、例えば
【0059】
【化14】
【0060】 である。
【0061】 アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリ−ル基は、順次ハロゲン、シ
アノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1 −C20アルコキシ、C3 −C10シクロ
アルキル、C2 −C20アルケニル、またはC6 −C10アリ−ルからなる群からの
基で3つまで置換されていてもよい。但しこのアルキル及びアルケニル基は直鎖
でも分岐鎖でもよい。
【0062】 ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素、特にフッ素及び塩素を意味す
るものと理解すべきである。
【0063】 本発明によるオリゴマ−またはポリマ−は、これらの機能性単位の他に、主に
機能性単位、特に染料単位のパーセント含量を低下させるのに役立つ単位を含ん
でいてもよい。それらは、この役割に加えて、オリゴマ−またはポリマ−の他の
性質、例えばガラス転移イオン度、液晶性、フィルム形成性に関わる機能があっ
てよい。
【0064】 ポリアクリレ−トまたはポリメタクリレ−トの場合、そのようなモノマ−は式
(V)
【0065】
【化15】
【0066】 [式中、Rは水素またはメチルを表し、そして R14は随時分岐していてもよいC1 −C20アルキルを表し、または少くとも 1つの更なるアクリル単位を含む基を表す] のアクリル酸またはメタクリル酸エステルである。
【0067】 しかしながら、他のコポリマ−も存在しうる。
【0068】 この時、本発明によるポリアクリレ−トまたはポリメタクリレートは、反復単
位として、好ましくは式(VI)のもの、好ましくは(VI)及び(VII)または式
(VI)及び(VIII)のもの或いは式(VI)、(VII)及び(VIII)のものを含
んでなる:
【0069】
【化16】
【0070】 [式中、基は上述した意味を有する]。
【0071】 式(VI)の反復単位及び/または式(VII)及び/または(VIII)の反復単位
のいくつかが存在することも可能である。
【0072】 VI、VII、及びVIII間の量比は所望の通りであってよい。好ましくはVIの濃度
は、VIの吸光係数に依存して、その混合物に基づいて0.1−100%である。
VII及びVIII間の比は100:0−1:99、好ましくは100:0−30:7
0、特に好ましくは100:0−50:50である。
【0073】 本発明によるポリマ−及びオリゴマ−は、好ましくは少くとも40℃のガラス
転移温度Tg を有する。このガラス転移温度は、例えばB.ボルマ−(Voll
mer)、「高分子化学の基本」、406−410ページ、スプリンガ−出版
(Springer−Verlag,Heidelberg)、1962年の方
法で決定できる。
【0074】 本発明によるポリマ−及びオリゴマ−は、ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラ
フィ−(ポリスチレンで較正)により重量平均として決定して、5000−20
00000、好ましくは8000−1500000の分子量を有する。
【0075】 ポリマ−及びオリゴマ−の構造の結果として、式(VI)の構造要素の相互の或
いは式(VII)及び(VIII)の相互の分子間相互作用は、整然とした液晶状態の
形成が抑制され、また光学的に等方性で、透明な、非散乱性フィルム、ホイル、
シート、または平行六面体ができるように形成される。一方それにもかかわらず
分子間相互作用は、フォトクロミック及び非フォトクロミック側鎖基の光化学的
に誘導された、協同的な、方向の向いた再配列過程が光の照射時に行えるのに十
分強い。
【0076】 好ましくは式(VI)の反復単位の側鎖基間または式(VI)及び(VII)のそれ
の間で起こる相互作用力は、式(VI)の側鎖基の光誘導された立体配座変化が、
他の側鎖基((VI)及び/または(VII))の同一方向での再配列、即ちいわゆ
る協同性を引き起こすのに十分である。
【0077】 光学的異方性の非常に高い値は、光学的等方性の非晶性フォトクロミックポリ
マ−中に誘導することができる(0.4までのΔn)。
【0078】 配列の状態は、化学光の作用により、ポリマ−またはオリゴマ−中に生じ、改
変され、かくしてその光学的性質が変調される。
【0079】 用いる光は偏光であり、その波長は吸収帯の領域、好ましくは式(VI)の反復
単位の長波長n−π* 帯の領域にある。
【0080】 ポリマ−及びオリゴマ−は、文献から、例えばDD第276297号、独国特
許第3808430号、マクロモレキュラレ・ヘミ−(Makromoleku
lare Chemie)、187、1327−1334(1984)、SU第
887574号、ヨ−ロプ・ポリム(Europ.Polym.)、18、56
1(1982)、及びリク・クリスト(Liq.Cryst.)、2、195
(1987)から公知の方法で製造できる。
【0081】 本発明による記録材料またはポリマ−の他の製造法は、少くとも1つのモノマ
−を更なる溶媒なしに重合させる方法を含んでなる。この場合、それは好ましく
は遊離基で重合せしめられ、また重合は特に好ましくは遊離基開始剤及び/また
はUV光及び/または熱で開始される。
【0082】 反応は20−200℃、好ましくは40−150℃、特に好ましくは50−1
00℃、殊に好ましくは約60℃の温度で行われる。
【0083】 特別な具体例において、AIBNは遊離基開始剤として使用される。
【0084】 他の、好ましくは液体のモノマ−を一緒に使用することはしばしば好ましいと
判明した。これは反応温度において液体であり且つ好ましくはオレフィン性不飽
和モノマ−であるモノマ−、特に好ましくはアクリル酸及びメタクリル酸に基づ
くもの、殊に好ましくはメタクリル酸メチルを意味するものと理解される。
【0085】 コポリマ−中の式(II)のモノマ−の含量は、好ましくは0.1−99.9重
量%、特に好ましくは0.1−50重量%、殊に好ましくは0.1−5重量%、
最も好ましくは0.5−2重量%である。
【0086】 特に適当な材料は、式XIII−XXのポリマ−の少くとも1つを含んでなる。
【0087】
【化17】
【0088】
【化18】
【0089】
【化19】
【0090】 本発明は、実施例1.2に示す式に類似の適当なモノマ−に対する製造法も提
供する。
【0091】 この方法は、テレフタル酸ジクロリドを、不活性な溶媒、例えばジオキサン中
、室温−110℃の温度で、アミノベンゼンまたは置換アミノベンゼンと少くと
も等モル量で撹拌し、非対称の部分的アミドを定量的に生成させ、これを直ぐに
吸引濾別することが特徴である。同業者は、置換アミノベンゼンも勿論適当であ
ることが直ぐに分る。そして生成物を随時溶媒で再び洗浄する。随時置換された
4−(カルボキシクロリド)−安息香酸(4´−フェニルアゾ)−ベンズアミド
が得られる。
【0092】 更に本発明は、そのような方法で製造される非対称テレフタルアミド、及び実
施例1.2に従って製造できる随時置換された非対称テレフタルアミド及びその
アクリレ−ト及びメタクリレートも提供する。
【0093】
【化20】
【0094】 本発明は、本明細書の実施例1.3によるモノマ−も提供する。勿論それは置
換形でも製造できる。
【0095】
【化21】
【0096】 フィルム、ホイル、シート及び平行六面体は、外部での場を使用する及び/ま
たは表面効果が必要である経費のかかる配向工程なしに製造できる。それらは、
スピンコーティング、ディッピング、注入または技術的に容易に行える他のコー
ティング法で基板に適用でき、プレスまたは流入により2つのシート間に導入で
き、或いはキャストまたは押出しにより自己支持材料として単に製造することが
できる。そのようなフィルム、ホイル、シート及び平行六面体は、急速冷却によ
り、即ち>100K/分の冷却速度により製造でき、或いは溶媒の迅速除去によ
って記述される意味において構造要素を含む液晶ポリマ−またはオリゴマ−から
も製造できる。
【0097】 2及び/または多ビット及び/またはボリュ−ムのデータ記憶のための記録材
料の好適な製造法は、記憶媒体をスピンコーティングで適用する工程を含んでな
る。
【0098】 ホログラフィ−ボリュ−ム記憶系の好適な製造法は、300℃まで、好ましく
は220℃まで、特に好ましくは180℃までの範囲の、通常の成形法による工
程を含んでなる。
【0099】 層の厚さは、≧0.1mm、好ましくは≧0.5mm、特に好ましくは≧1m
mである。mm範囲の層の、特に好適な製造法は、射出成形法である。この場合
には、ポリマ−溶融物をノズルを通して成形ホルダー中へ圧入し、それから冷却
後に取り出す。 実施例 実施例1 モノマ−の製造 1.1
【0100】
【化22】
【0101】 ジオキサン200ml中4−アミノジフェニルエ−テル85.9gを、ジオキ
サン200ml中4−(2−メタクリロイロキシ)−エトキシ−安息香酸クロリ
ド125gの溶液に添加し、この混合物を2時間撹拌し、この溶液を2リットル
の水に注ぐことによって生成物を沈殿させた。沈殿を吸引濾別し、乾燥し、イソ
プロパノ−ルから2回再結晶させることにより精製した。収率は理論量の80%
であった。融点=123℃。 1.2
【0102】
【化23】
【0103】 ジオキサン400ml中4−アミノアゾベンゼン59gを、ジオキサン100
0ml中テレフタル酸ジクロリド203gの溶液に添加し、この混合物を1時間
撹拌した。沈殿を吸引濾別し、ジオキサンで洗浄し、高真空下に110℃で8時
間乾燥した。4−(カルボキシクロリド)−安息香酸(4´−フェニルアゾ)−
ベンズアミドの収量は92.8gであった。融点=123℃。 元素分析: C2014ClN32 (363.81) 計算値:C66.03;H3.88;Cl19.75;N11.55 分析値:C66.10;H4.00;Cl19.70;N11.70 ピリジン25ml中2−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト26gを、DMF2
00ml中の、上で得た物質36.4gの溶液に添加し、この混合物を100℃
で2時間撹拌し、この溶液を1リットルの水に注ぐことによって生成物を沈殿さ
せた。沈殿を吸引濾別し、乾燥し、トルエン/酢酸エチル(1:1)を用いるシ
リカゲルでのクロマトグラフィ−で精製した。収率は理論量の40%であった。 元素分析: C262335 (457.49) 計算値:C68.26;H5.07;N9.18 分析値:C68.00;H5.10;N9.20 1.3
【0104】
【化24】
【0105】 4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン 4−シアノアニリン18.8gを水100ml中で60℃に加熱した。固体を
溶解させるために、濃塩酸10mlを添加した。ついで更に塩酸115mlを添
加し、溶液の温度を0℃に持っていき、ニトロシル硫酸52gをゆっくりと滴下
し、混合物を1時間撹拌した。この溶液を、2−ブロモフェノ−ル27.5g、
メタノール100ml、及び水100mlの溶液に、10℃でゆっくりと滴下し
た。同時に10%水酸化ナトリウム溶液を添加してpH6−6.5を維持した。
添加の完了後、撹拌物を更に1時間反応させ、沈殿を吸引濾別した。ついで生成
物を水洗し、乾燥した。4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼ
ンの収量は68gであった。 4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン 4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン65gを、約200
℃で4−メチル−2−ペンタノン200mlに溶解した。この溶液に2−ブロモ
エタノ−ル40g、炭酸カリウム45g、及びヨウ化カリウム0.5gを添加し
、混合物を120℃で24時間撹拌した。生成物をクロロホルム中に入れ、水洗
した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を回転蒸発器で留去し、残渣を、トルエ
ン/酢酸エチル(4/1)を用いるシリカゲルのクロマトグラフィ−で精製した
【0106】 4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン
の収量は30.7gであった。融点=153℃;λmax =365nm(DMF)
。 元素分析: C1512BrN32 (346.19) 計算値:C52.04;H3.49;Br23.08;N12.14 分析値:C52.30;H3.30;Br22.90;N12.10 4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3、4´−ジシアノアゾベンゼン 4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン
15gを熱DMF25mlに溶解した。ついでシアン化銅4.3gを添加し、反
応混合物を140℃で5−6時間撹拌した。この溶液を13%水性アンモニア溶
液約500mlに添加し、沈殿を濾別した。この沈殿を熱ジオキサンに溶解した
。溶液を未溶解の残渣から濾別し、ジオキサンを回転蒸発器で除去し、生成物を
、トルエン/THF(1/2)を用いるシリカゲルでのクロマトグラフィ−によ
り精製し、エタノールから1度再結晶した。4−(2−ヒドロキシエチロキシ)
−3、4´−ジシアノアゾベンゼンの収量は4.5gであった。融点=138℃
;λmax =356nm(DMF)。 4−(2−メタクリロイロキシエチロキシ)3、4´−ジシアノベンゼン 4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3、4´−ジシアノアゾベンゼン5.8
gを65℃でジオキサン15mlに溶解し、トリエチルアミン2.4gを添加し
た。ついでジオキサン3ml中メタクリル酸クロリド3.1gの溶液を添加し、
反応混合物を65℃で2時間撹拌し、そして氷水350ml中に導入した。沈殿
を吸引濾別し、乾燥した。ついでトルエン/THF(1/2)を用いるシリカゲ
ルでのクロマトグラフィ−により精製した。4−(2−メタクリロイロキシエチ
ロキシ)3、4´−ジシアノベンゼンの収量は5.9gであった。融点=110
℃;λmax =352nm(DMF)。 実施例2 ポリマ−の製造 モノマ−1.2の3g及び2、2´−アゾイソ酪酸ジニトリル0.15gを、
アルゴン雰囲気下に70℃で24時間DMF30ml中で撹拌した。ポリマ−を
、溶液を水200mlに注ぐことによって沈殿させ、メタノール中で煮沸するこ
とによって精製した。 実施例3
【0107】
【化25】
【0108】 厚さ1mmのガラス基板に、ポリマ−(実施例3の上を参照)の薄層を付与し
た。これはスピンコーティングで行った。この方法では、ポリマ−を50g/l
の濃度でテトラヒドロフランに溶解し、溶液を、2000分-1の回転速度で回転
している基板上にたらした。形成されたポリマ−フィルムは、典型的には200
nmの厚さを有した。溶媒の残りは、塗布したガラス支持体を真空炉中に60℃
で2時間貯蔵することにより、フィルムから除去した。
【0109】 このように製造した試料に、ポリマ−側から、偏光レーザー光を垂直に入射さ
せて照射した(書き込み操作)。波長514nmのアルゴンイオンレーザー(コ
ンチナム(Continum))を光源として使用した。このいわゆる書き込み
レーザーの強度は500mW/cm2 であった。トランス−シス−トランス異性
化サイクルは、ポリマ−の側鎖基分子中で誘導され、Arレーザーの偏光の方向
から離れた該分子の真の配向を形成させた。これらの分子のダイナミクスは、ポ
リマ−フィルム平面内での複屈折Δn=ny −nx の発現が肉眼的に明白である
ことを示す。レーザー光の偏光方向における屈折率(nx )はこの過程中減少し
、一方偏光方向に垂直な屈折率(ny )は増加する。上述の露光条件の場合、ダ
イナミクスは分の範囲で進行した。
【0110】 波長633nmで誘導される複屈折の時間に関する過程は、ヘリウム−ネオン
レーザー(典型的には強度:10mW/cm2 )で実験的に決定される。この操
作は複屈折の読取りといわれる。このいわゆる読取りレーザーの、ポリマ−層へ
の入射光は、層の垂直に対して15−35°の固定角を占める。この読取り及び
書き込み光は、ポリマ−層上で重複する。読取り光の偏光の方向は書き込み光の
偏光に対して45°のポリマ−フィルム面内の角度を占める。層が複屈折である
ならば、それはポリマ−層を通過する時に回転する。この回転には、試料後の光
路にあり且つ偏光の元の方向に垂直な光を通すアナライザ−の後、読取り光強度
s の増加が付随する。強度Ip はIs が増加するにつれて同一の程度まで減少
する。Ip は、同様に位置するが、読取りレーザーの偏光の元の方向を選択する
アナライザ−後の透過強度として定義される。元の方向に平行な及び垂直な偏光
の方向の2つの量は、偏光線分割器を通して及び2つのSiフォトダイオードを
用いて、実験により別々に検知される。複屈折Δnは、次の関係
【0111】
【数1】
【0112】 により測定された強度から計算できる。但し、この式において、dはポリマ−層
の厚さを示し、そしてλ=633nm、読取りレーザーの光波長。また式からは
、読取りがポリマ−層に対して垂直に行われるということがおよそ推定される。
【0113】 図1は実施例3からのポリマ−層の複屈折Δnの、書き込み/削除実験中の単
調な経時的増加を示す。高複屈折値は、フィルム面における発色団の配向分布に
おける高異方性を示す。試料を2分間書き込みレーザー光に露呈した後、第1の
書き込み操作を終える。この及び続く書き込み操作中に得られる移相Δφ=2π
Δnd/λはΔφ=πの値を超えない。ポリマ−層の複屈折nは、2分後にΔn
=0.213±0.002の最大値に実質的に到達した。
【0114】 Δnは書き込み光の偏光の方向を90°回転することによって削除できる。こ
の削除操作は、直ぐに完了する:Δn=0。これは、ダイオードを通して検知さ
れる値Ip =0に同等である。ここに削除は書き込みよりかなり速く行われる。
【0115】 更なる書き込み/削除操作はこの第1の状態と同一のパターンで起こり、ダイ
オードの信号を記録して、複屈折が計算される。図1において、複屈折の秒単位
での形成及びすべての続く書き込み操作が測定精度という状況において速度及び
程度に関し類似していることが理解できる。
【0116】 それゆえに、このポリマ−は複屈折の連続的減少から推定される劣化がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例3からのポリマ−層の複屈折Δnの、書き込み/削除実験中の単調な経
時的増加を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,AU, AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,C N,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ,EE ,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,HR, HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,K P,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU ,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX, NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,S G,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT,TZ ,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZA,ZW (72)発明者 ハゲン,ライナー ドイツ・デー−51375レーフエルクーゼ ン・フエリクス−フオン−ロル−シユトラ ーセ35 (72)発明者 コストロミン,セルゲイ ドイツ・デー−53913シユビストタール・ カタリネンシユトラーセ28 Fターム(参考) 2H123 AA00 AA02 AA30 BA00 BA41 BA62 BC00 BC05 CA00 CA22 5D029 JA04 JB18 JB47 JC03 JC05 5D121 EE22

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 偏光された電磁照射で空間的配列を変える少くとも1つのポ
    リマ−及び/またはオリゴマ−アゾ染料、及び随時形態異方性を有する少くとも
    1つのグル−ピングを含んでなる、2及び/または多ビット及び/またはボリュ
    ームデータの記憶のための光記録材料であって、 −染料の吸収最大が400nmから少くとも30nm、好ましくは40nm異な
    り、 −染料が、400nmにおいてその最大吸収の高々60%の光学濃度に達し、 −化学光の偏光状態を変えることによって再書き込みの能力があり、削除/再書
    き込みサイクル後に元の値の少くとも80%の強度が達成され、そして −その他の条件が同じで400nmにおいて、書き込み操作が500nmにおけ
    るものと同程度に遅く進行し、またここに誘導される複屈折値が500nmで誘
    導される複屈折値と10%以上異ならない、 該光記録材料。
  2. 【請求項2】 染料の最大吸収(AM)が370nm以下、好ましくは36
    0nm以下である、請求項1の記録材料。
  3. 【請求項3】 染料の最大吸収が450nm以上である、請求項1の記録材
    料。
  4. 【請求項4】 少くとも1つの成分のAMが450nm以上であり且つ少く
    とも1つの成分のAMが360nm以下であるものを含んでなるコポリマ−を含
    んでなる、請求項1の記録材料。
  5. 【請求項5】 厚さ250nmの固体状態において、380−420nm、
    好ましくは390−410nm、特に好ましくは395−405nmの波長範囲
    の波長で、≦1、好ましくは0.5以下またはそれに同じ、特に好ましくは0.
    3以下またはそれに同じ光学濃度を有する、請求項1−4の1つまたはそれ以上
    の記録材料。
  6. 【請求項6】 電磁照射が380−420nm、好ましくは390−410
    nm、特に好ましくは395−405nmの波長範囲のレーザー光である、請求
    項1−5の1つまたはそれ以上の記録材料。
  7. 【請求項7】 化学結合した染料が式(I) 【化1】 [式中、R1 及びR2 は互いに独立に水素または非イオン性置換基を表し、そ して m及びnは互いに独立に0−4、好ましくは0−2の整数を表し、但し X1 及びX2 はX1´−R3 またはX2´−R4 を示し、 X1´及びX2´は直接結合、−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R 67 )−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、 −(SO2)−、−(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C= NR8)−、または−(CNR8 −NR5 )−を表し、 R3 、R4 、R5 及びR8 は互いに独立に水素、C1 −C20アルキル、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、C6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O)−、C3 −C10シクロアルキル−(C=O)− 、C2−C20アルケニル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O) −、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C3 −C10シクロアルキル−(S O2 )−、C2 −C20アルケニル−(SO2 )−、またはC6 −C10アリ− ル−(SO2 )−を表し、或いは X1´−R3 及びX2´−R4 は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3 、 またはCCl3 を表すことができ、 R6 及びR7 は互いに独立に水素、ハロゲン、C1 −C20アルキル、C1 − C20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、また はC6 −C10アリ−ルを表す] に相当し、 誘導された複屈折が書き込まれた後の、染料の化学光に対する感度が最終値に保
    持され、そして この感度が、分子の長軸が化学光の偏光の方向に垂直にある時、元の値の少くと
    も5%、好ましくは10%、特に好ましくは15%、殊に好ましくは20%であ
    る、 請求項1−6のいずれか1つの記録材料。
  8. 【請求項8】 式(II) 【化2】 [式中、Rは水素またはメチルを表し、そして 他の基は上述した意味を有する] の少くとも1つのモノマ−を製造に使用する、請求項1−7のいずれか1つの記
    録材料。
  9. 【請求項9】 式XIII−XX 【化3】 【化4】 【化5】 のポリマ−の少くとも1つを含んでなり、コ及びタ−ポリマ−の組成が、x+y
    が合計で100モル%までまたはx+y+zが合計で100モル%までの条件下
    に、変化できる、請求項1−8のいずれか1つの記録材料。
  10. 【請求項10】 pが10−1000であり及び/またはコポリマ−の場合
    x:yが10:90−90:10、好ましくは30:70−70:30、特に好
    ましくは40:60−60:40、殊に好ましくは50:50であり及び/また
    はタ−ポリマ−の場合x+yが10モル%以上、好ましくは20モル%以上、特
    に好ましくは30モル%以上である、請求項9の記録材料。
  11. 【請求項11】 請求項1−10のいずれかの記録材料を含んでなる、記憶
    システム。
  12. 【請求項12】 記録材料がいずれか所望の形、好ましくは支持体のない平
    らな構造、特に好ましくは支持体のないフィルム、という1つまたはそれ以上の
    支持体のないもの、少くとも1つの基板層を含んでなる多層積層物を含む、請求
    項11の記憶システム。
  13. 【請求項13】 更に反射層を含んでなる、請求項11の記憶システム。
  14. 【請求項14】 記憶媒体がスピンコーティングで適用される工程を含んで
    なる、請求項11または12、或いは13の少くとも1つの記憶システムの製造
    法。
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