JPH05169820A - 書換型フォトクロミック光ディスク - Google Patents

書換型フォトクロミック光ディスク

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JPH05169820A
JPH05169820A JP3235144A JP23514491A JPH05169820A JP H05169820 A JPH05169820 A JP H05169820A JP 3235144 A JP3235144 A JP 3235144A JP 23514491 A JP23514491 A JP 23514491A JP H05169820 A JPH05169820 A JP H05169820A
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JP
Japan
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photochromic
optical disk
wavelength
light
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JP3235144A
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Kinji Taniguchi
均志 谷口
Fumio Matsui
文雄 松井
Yasuki Okazaki
庸樹 岡崎
Masaaki Hayamizu
正明 速水
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Nippon Kanko Shikiso Kenkyusho KK
Pioneer Corp
Original Assignee
Nippon Kanko Shikiso Kenkyusho KK
Pioneer Electronic Corp
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 フォトクロミック記録層における消色反応の
量子収率が高く低いパワーで消色化が行え、繰返し記録
消去の安定性及び熱安定性が高い書換型フォトクロミッ
ク光ディスクを提供する。 【構成】 第１波長の光に反応したとき第１吸収波長帯
域を有する第１状態から第２吸収波長帯域を有する第２
状態となり、第２吸収波長帯域における第２波長の光に
反応したとき第２状態から第１状態となるジアリールエ
テン誘導体からなるフォトクロミック記録層を有した書
換型フォトクロミック光ディスクであって、ジアリール
エテン誘導体は、第１状態において下記化学式１で表わ
され、第２状態において下記化学式２で表わされる化合
物であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は、フォトクロミック記録媒体を有
するいわゆる書換型フォトクロミック光ディスクに関す
る。
【０００２】
【背景技術】有機フォトクロミック材料の可逆的な光及
び熱異性化反応等を利用したフォトクロミック光ディス
クは、情報の記録、再生、消去が可能な書換型の光ディ
スク（ＥＤＲＡＷ）として知られている。かかる書換型
フォトクロミック光ディスクは、図１に示す如く透明な
基板１上に、有機フォトクロミック材料を含んだフォト
クロミック記録層２を成膜し、この記録層２の上にアル
ミニウム等からなる反射層３を成膜し、これを保護層４
で保護して作製する。基板１の主面上にはトラッキング
の為の案内溝、データの書込みあるいは読出しを制御す
るためのプリピット、プリアドレス５等が予め形成され
ている。レーザービーム６は基板１側から照射される。
【０００３】有機フォトクロミック材料は、光に反応し
て着色、消色を繰返す化合物であり、図２に示す光吸収
スペクトル分布図に示される如く第１吸収波長帯域の波
長Ｂの光を吸収すると安定状態Ｘ（第１状態）から準安
定状態Ｙ（第２状態）に変化して着色し（発色反応）、
準安定状態Ｙにおいて第２吸収波長帯域の波長Ａの光あ
るいは熱を吸収する（消色反応）と再び元の物質に戻っ
て消色する、いわゆるフォトクロミズムを有する。この
フォトクロミズムを利用してレーザービームにより情報
の記録、再生、消去が可能となる。このような有機フォ
トクロミック材料、例えば、開環及び閉環反応等を用い
るジアリールエテン誘導体としては、消色している第１
状態において下記化学式３で表わされ、
【０００４】
【化３】
【０００５】波長４２０nmの光により発色化し、発色す
る第２状態では下記化学式４の化合物
【０００６】
【化４】
【０００７】１，２−ジ（２，４，５−トリメチル−３
−チエニル）−１，２−ジシアノエテンがある。これは
波長５２０nmの光により消色化する。また、他にジアリ
ールエテン誘導体としては、消色している第１状態にお
いて下記化学式５で表わされ、
【０００８】
【化５】
【０００９】波長４２０nmの光により発色化し、発色す
る第２状態では下記化学式６の化合物
【００１０】
【化６】
【００１１】１，２−ジ（２−メチル−３−ベンゾチエ
ニル）−１，２−ジシアノエテンがある。これは波長５
１０nmの光により消色化する。これらの光ディスクへの
情報の記録は、ピックアップ光学系を介して特定波長の
書込レ―ザービームにより光及び熱エネルギ―をスポッ
ト状に記録層２に与え、積極的に発色化反応を生ぜし
め、発色した記録分を形成して行なわれる。この光ディ
スクからの情報の再生は別の波長のパワーのレ―ザービ
ームを照射して記録部分を読み出すことで行なう。情報
の消去は、別の特定波長のレ―ザービームを照射して記
録部分に消色化反応を生ぜしめ、行なう。
【００１２】しかしながら、レ―ザービームの繰返し照
射により記録再生がおこなわれるので、記録媒体の長寿
命化のためには低パワーのレ―ザービームによっても記
録再生がおこなわれ得る書換型フォトクロミック光ディ
スクが望まれている。
【００１３】
【発明の目的】発明の目的は、低パワーのレ―ザービー
ムによっても記録再生がおこなわれ得る書換型フォトク
ロミック光ディスクを提供することにある。
【００１４】
【発明の構成】本発明の書換型フォトクロミック光ディ
スクは、第１波長の光に反応したとき第１吸収波長帯域
を有する第１状態から第２吸収波長帯域を有する第２状
態となり、前記第２吸収波長帯域における第２波長の光
に反応したとき前記第２状態から前記第１状態となるジ
アリールエテン誘導体からなるフォトクロミック記録層
を有した書換型フォトクロミック光ディスクであって、
前記ジアリールエテン誘導体は、前記第１状態において
下記化学式１、
【００１５】
【化１】
【００１６】で表わされ、前記第２状態において下記化
学式２、
【００１７】
【化２】
【００１８】で表わされる化合物であることを特徴とす
る。
【００１９】
【発明の作用】本発明によれば、フォトクロミック記録
層における消色反応の量子収率が従来のジアリールエテ
ン誘導体の場合より高いので低いパワーで消色化が行
え、繰返し記録消去の安定性及び熱安定性を高くでき
る。
【００２０】
【実施例】以下に本発明による実施例を図面を参照しつ
つ説明する。本実施例の書換型フォトクロミック光ディ
スクは図１に示す従来のものと記録層を除いて同様であ
る。本実施例の書換型フォトクロミック光ディスクのフ
ォトクロミック記録層はジアリールエテン誘導体、１，
２−ジ（２−シアノ−３−ベンゾチエニル）−１，２−
ジシアノエテンからなる。この誘導体は通常は消色して
いる第１状態として下記化学式１で示す構造
【００２１】
【化１】
【００２２】を有している。このフォトクロミック記録
層に第１波長の光として波長４００ｎｍの適度な強度の
光を照射すると閉環する第２状態となり発色化し、下記
化学式２で示す構造
【００２３】
【化２】
【００２４】となる。次に、第２波長の光として第２状
態のフォトクロミック記録層の第２吸収波長帯域におけ
る波長５００ｎｍの適度な強度の光を照射すると開環す
る第１状態に戻り消色化する。したがって、本実施例の
書換型フォトクロミック光ディスクにおいては、例えば
第１状態のフォトクロミック記録層の信号の状態を初期
状態として「０」としたとき、レーザービームの波長変
調とその明滅によって、例えば第１波長４００ｎｍのレ
ーザービームにより「１」の状態に書き込みを行い、第
２波長５００ｎｍのレーザービームにより消去を行うこ
とができる。すなわち本実施例の書換型フォトクロミッ
ク光ディスクにおいては「０」および「１」の２値論理
記録が可能となる。
【００２５】発明者は、種々のジアリールエテン誘導体
における量子収率を調べた結果、上記化学式１及び２に
表わされる物質の量子収率が極めて高いことを知見し
た。すなわち、上記化学式１及び２のジアリールエテン
誘導体と、比較例として上記化学式３及び４並びに５及
び６のジアリールエテン誘導体とについて、２５℃、
０．１ｍＭのベンゼン溶液を調製し、それぞれに対応す
る最大波長５００ｎｍ、５２０ｎｍ並びに５１０ｎｍの
光による閉環反応の量子収率を調べた。なお、それぞ
れ、波長４２０ｎｍの光によって吸収度０．３程度だけ
発色させた後に、光による閉環反応の量子収率を調べ
た。結果は以下のとおりである。
【００２６】化学式１及び２のジアリールエテン誘導体
の量子収率：０．９ 化学式３及び４のジアリールエテン誘導体の量子収率：
０．１５ 化学式５及び６のジアリールエテン誘導体の量子収率：
０．４ この結果から、本実施例のフォトクロミック記録層の閉
環反応の量子収率は、従来のジアリールエテン誘導体の
それよりも高いことが分かる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、第１波長の光に反応し
たとき第１吸収波長帯域を有する第１状態から第２吸収
波長帯域を有する第２状態となり、第２吸収波長帯域に
おける第２波長の光に反応したとき第２状態から第１状
態となるジアリールエテン誘導体からなるフォトクロミ
ック記録層を有した書換型フォトクロミック光ディスク
において、ジアリールエテン誘導体は、第１状態におい
て上記化学式１で表わされ、第２状態において上記化学
式２で表わされる化合物であるので、消色反応の量子収
率が従来のジアリールエテン誘導体よりも高いので低い
パワーで消色化が行え、繰返し記録消去の安定性及び熱
安定性が高い書換型フォトクロミック光ディスクを得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】書換型フォトクロミック光ディスクの拡大部分
断面図である。
【図２】有機フォトクロミック材料の光吸収スペクトル
分布図である。
【符号の説明】
１……基板 ２……フォトクロミック記録層 ３……反射層 ４……保護層 ５……案内溝 ６……レ−ザービーム
フロントページの続き (72)発明者 岡崎 庸樹 岡山県岡山市下石井１丁目２番３号株式会 社日本感光色素研究所内 (72)発明者 速水 正明 岡山県岡山市下石井１丁目２番３号株式会 社日本感光色素研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１波長の光に反応したとき第１吸収波
    長帯域を有する第１状態から第２吸収波長帯域を有する
    第２状態となり、前記第２吸収波長帯域における第２波
    長の光に反応したとき前記第２状態から前記第１状態と
    なるジアリールエテン誘導体からなるフォトクロミック
    記録層を有した書換型フォトクロミック光ディスクであ
    って、前記ジアリールエテン誘導体は、前記第１状態に
    おいて下記化学式１、 【化１】 で表わされ、前記第２状態において下記化学式２、 【化２】 で表わされる化合物であることを特徴とする書換型フォ
    トクロミック光ディスク。
JP3235144A 1991-09-13 1991-09-13 書換型フォトクロミック光ディスク Pending JPH05169820A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3235144A JPH05169820A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 書換型フォトクロミック光ディスク
US07/892,128 US5252371A (en) 1991-09-13 1992-06-02 Rewritable photochromic optical disk

Applications Claiming Priority (1)

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JP3235144A JPH05169820A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 書換型フォトクロミック光ディスク

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