JP4526191B2 - 書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料 - Google Patents

書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料 Download PDF

Info

Publication number
JP4526191B2
JP4526191B2 JP2000610000A JP2000610000A JP4526191B2 JP 4526191 B2 JP4526191 B2 JP 4526191B2 JP 2000610000 A JP2000610000 A JP 2000610000A JP 2000610000 A JP2000610000 A JP 2000610000A JP 4526191 B2 JP4526191 B2 JP 4526191B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkyl
recording material
aryl
formula
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000610000A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002541522A (ja
Inventor
ベルネト,ホルスト
ビーリンガー,トマス
ハゲン,ライナー
コストロミン,セルゲイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bayer AG
Original Assignee
Bayer AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bayer AG filed Critical Bayer AG
Publication of JP2002541522A publication Critical patent/JP2002541522A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4526191B2 publication Critical patent/JP4526191B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/72Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • G03C1/73Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/245Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146Laser beam
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12681Ga-, In-, Tl- or Group VA metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

【0001】
(技術分野)
本発明は、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための光記録材料、その製造法及びその波長約400nmにおける記憶材料としての使用法に関する。
【0002】
(背景の技術)
アゾ染料を化学光に対するアンテナとして有する2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための材料は過去の技術においてすでに存在している。特に、アゾ染料に加えて、形態異方性(form anisotropy)を有する成分も側鎖として使用されている側鎖ポリマ−種は、光で誘導できる複屈折の程度によって識別される。これらの材料において、染料は形態異方性を有する成分と組合わさって、適当な波長の偏光が照射された時に化学光(actinic light)の場で配向し、光で誘導された複屈折が構築される。
【0003】
米国特許第5384221号は、偏光された電磁照射線の照射時に空間的配置を変える少くとも1つのポリマ−及び/またはオリゴマ−アゾ染料、及び随時形態異方性を有する少くとも1つのグル−ピング(grouping)を含んでなる2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための光記録材料を記述している。
【0004】
しかしながら、これらの材料はすべての必要条件に適合せず、特にその400nmにおける吸収性(高すぎる光学濃度(optical density))のために、データの記憶に使用できない。反射構造では、化学光が原子の数層後の記録層にすでに顕著に吸収されており、化学光が記録材料の全厚さに作用できない。一方これは、光情報の記憶中に、光の吸収のためにかなりの温度上昇が起こることを意味する。試料温度のかなりの上昇は、少くとも20℃、更に正確には少くとも50℃、特に100℃以上、殊に特に少くとも140℃の温度上昇を意味するものとして理解される。この温度上昇は、例えばIRサ−マルヘッド (thermal head)[インフラメトリクス・サ−モカム(Inframetrics Thermocam)PM290]で測定できる。
【0005】
一方高吸収は、書き込みのために使用された波長を用いる、光で誘導された情報の読取りを妨害する。記録材料から検知構造に達する光は弱すぎて、適切な信号/ノイズ比を持たない。検知される光の強度が大程度に散乱バックグランドから際立っている時に、適切な信号/ノイズ比は存在する。
【0006】
これらの公知の材料は、再書き込みに適切な性能を示さない。線形偏光された光を照射した場合、先に誘導された複屈折は、化学光の偏光方向を例えば90°回転させることにより削除できることがすでに示されている。他に、複屈折は、例えば円偏光された光によって減じることができる。しかしながら、円偏光された光の照射による再書き込み操作中、過去の技術では等方性試料への書き込みで達成されたような複屈折値は形成されない。
【0007】
上述した理由(高すぎる光学濃度)のために、再書き込みは、特に約400nmにおいて可能でなかった。
【0008】
しかしながら、400nmにおける書き込み性能は、青色レーザーダイオード(NICHIA)が高記憶密度を発生させうるから、丁度商業的に得られるようになったこのレーザーダイオードを使用するのに非常に重要である。
【0009】
従って青色レーザーダイオードの波長範囲において光データを記憶するために使用できる記録材料が必要とされる。この材料は青色スペクトル領域(約400nm)に露呈した時、緑色スペクトル領域(約515nm)に露呈した時に匹敵する値の光で誘導された複屈折をプンクト(puncto)に達成すべきである。更にそれは再書き込みできる性能を有すべきである。
【0010】
驚くべきことに今回、本明細書に記述される記録材料は上述した必要条件に適合することが発見された。
【0011】
(発明の説明)
本発明は、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のために使用でき、照射時に空間的配列を変える少くとも1つのポリマ−及び/またはオリゴマ−アゾ染料、及び随時少くとも1つの形態異方性を有するグル−ピングを含んでなる、光記録材料を提供する。本記録材料は、
−染料の吸収最大が400nmから少くとも30nm、好ましくは40nm異なり、
−染料が、400nmにおいてその最大吸収の高々60%の光学濃度に達し、
−化学光の偏光状態を変えることによって再書き込みの能力があり、削除/再書き込みサイクル後に元の値の少くとも80%の強度が達成され、そして
−その他の条件が同じで400nmにおいて、書き込み操作が500nmにおけるものと同程度に遅く進行し、またここに誘導された複屈折値が500nmで誘導された複屈折値と10%以上異ならない、
ということが特徴である。
【0012】
これは、例えば染料の最大吸収(AM)が370nm以下、好ましくは360nm以下であるポリマ−によって達成される。
【0013】
しかしながら、染料の最大吸収が450nm以上であるポリマ−及び/またはオリゴマ−を使用することもできる。
【0014】
非常に良好な結果は、記録材料が、少くとも1つの成分のAMが450nm以上であり且つ少くとも1つの成分のAMが360nm以下であるものを含んでなるコポリマ−を含んでなる場合に達成された。
【0015】
特に有利な効果は最大吸収を持つ吸収帯が特に狭い場合に達成できる。
【0016】
更に、本発明による記録材料が、厚さ250nmの固体状態において、380−420nm、好ましくは390−410nm、特に好ましくは395−405nmの波長範囲の波長で、≦1、好ましくは0.5以下またはそれに同じ、特に好ましくは0.3以下またはそれに同じ光学濃度を有することは、特に特記すべきことである。
【0017】
光学濃度は、市販のUV/VIS分光計[例えば、カリ−(CARY)4G型UV/VIS分光計]で決定できる。
【0018】
このことが保証されるならば、記録材料を好ましくは380−420nm、特に好ましくは390−410nm、殊に好ましくは395−405nmのレーザー波長範囲の電磁照射(光)で処理することにより、本発明による効果は有利な具合に達成できる。
【0019】
最も有利な場合には、読取り過程が同一の波長の光で行えるべきである。これがいくつかの場合に可能でないならば、その波長はより長くなるが、好ましくは僅かだけより長くなるべきである。
【0020】
化学光への露呈後の染料の再配列は、例えば偏光された吸収分光学的研究で分かる。化学光に予め露呈した試料を、染料の吸収スペクトル領域において、UV/VIS分光計[例えば、カリ−(CARY)4G型UV/VIS分光計]により2つの偏光子(polarizer)間で検討する。試料をそれに垂直な方向で回転させた時並びに偏光子を、例えば交差状態の適当な位置で用いた場合、染料の再配列は試料の角度の関数として吸光強度過程から引き続き起こり、結果としてそれが明白に決定できる。
【0021】
以下において、よりしばしば重要となる重要な因子は、分子の長軸の配向である。分子の長軸は、例えば分子模型(例えばセリウス(CERIUS2 ))による分子の形の助けを借りて決定することができる。
【0022】
本発明による染料の重要な因子は、書き込み操作後の化学光への感度である。
【0023】
例えばホログラフィ−記録の感度は、化学光に対する分子の感度の尺度である。それは、例えばホログラフィー生長曲線から、即ち書き込み光線により付与されたエネルギーの関数としての、回折効率(=読取りレーザーの入射強度に関する回折された強度)の発生から計算される。この強度は付与されたエネルギーによる回折効率の平方根の増加として定義され、記憶媒体の厚さに対して規格化される。
【0024】
顕微鏡的レベルにおいて、感度はフォトンが分子を電子の基底状態から、概してシス型で記述される励起状態へ変える確率を意味する。
【0025】
染料は、例えば化学光の偏光の方向に対して垂直な方向で折重なることにより、また長軸が化学光の偏光の方向に対して10−90°、好ましくは50−90°、特に好ましくは75−90°、殊に好ましくは85−90°の角度で存在するようになることにより、その吸収性、特にその化学光に対する感度を減じる。この時そのような染料は偏光性(polarizability)テンソルの成分がもはや化学光と反応しないならばもはや書き込み操作には関与せず、そして削除操作後の再新の書き込み時に、前の書き込み中に達成された複屈折がもはや達成されない。そのような染料は例えばその偏光性テンソルが長軸を有するということで特徴付けられる。
【0026】
誘導された複屈折が書き込まれた後の本発明による染料の化学光に対する感度が最終値に保持され、そしてこの感度が分子の長軸が化学光の偏光方向に対して垂直であるとき元の値の少くとも5%、好ましくは10%、好ましくは15%、好ましくは20%であるということは、本発明にとって必須である。
【0027】
記録材料への数回の再書き込みはこのようにして可能である。削除操作後に達成される光で誘導された複屈折値は、先の値から、高々20%、好ましくは10%、特に好ましくは5%、殊に好ましくは高々1%しか違わない値を達成する。
【0028】
数回再書き込みできる性能とは、少くとも2回、好ましくは少くとも10回、特に好ましくは少くとも100回、殊に好ましくは少くとも1000回の書き込み/削除サイクルが行えることを意味すると理解される。
【0029】
電磁照射と相互作用する基は、アゾ染料である。結果として本発明による材料は少くとも1つのアゾ染料を含んでなる。
【0030】
アゾ染料は、例えば次の式(I)
【0031】
【化6】
Figure 0004526191
【0032】
[式中、R1 及びR2 は互いに独立に水素または非イオン性置換基を表し、そ
して
m及びnは互いに独立に0−4、好ましくは0−2の整数を表し、但し
1 及びX2 はX1´−R3 またはX2´−R4 を示し、
1´及びX2´は直接結合、−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R
67 )−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、
−(SO2 )−、−(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=
NR8 )−、または−(CNR8 −NR5 )−を表し、
3 、R4 、R5 及びR8 は互いに独立に水素、C1 −C20アルキル、C3
−C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、C6 −C10アリ−ル、C1
−C20アルキル−(C=O)−、C3 −C10シクロアルキル−(C=O)−
、C2 −C20アルケニル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)
−、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C3 −C10シクロアルキル−(S
2 )−、C2 −C20アルケニル−(SO2 )−、またはC6 −C10アリ−
ル−(SO2 )−を表し、或いは
1´−R3 及びX2´−R4 は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3
またはCCl3 を表すことができ、
6 及びR7 は互いに独立に水素、ハロゲン、C1 −C20アルキル、C1
20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、また
はC6 −C10アリ−ルを表す]
の構造を有する。
【0033】
非イオン性置換基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1 −C20アルコキシ、フェノキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニルまたはC6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−、C1 −C20アルキル−(SO2 )−、C1 −C20アルキル−(C=O)−O−、C1 −C20アルキル−(C=O)−NH−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−NH−、C1 −C20アルキル−O−(C=O)−、C1 −C20アルキル−NH−(C=O)−またはC6 −C10アリ−ル−NH− (C=O)−を意味するものとして理解すべきである。
【0034】
アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリ−ル基は、順次ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1 −C20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニルまたはC6 −C10アリ−ルからなる群からの3つまでの基で置換されていてもよく、このアルキル及びアルケニル基は直鎖または分岐鎖であってよい。
【0035】
ハロゲンはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素を意味するものと理解すべきである。
【0036】
本発明による記録材料は、好ましくはポリマ−またはオリゴマ−の有機非晶性材料、特に好ましくは側鎖ポリマ−である。
【0037】
側鎖ポリマ−の主鎖は、次の基本的構造に由来する:ポリアクリレ−ト、ポリメタクリレ−ト、ポリシロキサン、ポリウレア、ポリウレタン、ポリエステルまたはセルロース。ポリアクリレ−ト及びポリメタクリレ−トは好適である。
【0038】
染料、特に式(I)のアゾ染料は、概してスペ−サ−を介してこれらのポリマ−マトリックスに共有結合している。例えばこの時X1 (またはX2 )は、特に式
1´−(Q1i −T1 −S1
[式中、X1´は上述した意味を有し、
1 は−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R67 )−、−(C=
O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、−(SO2 )−、−
(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=NR8 )−、または
−(CNR8 −NR5 )−、−(CH2p −、p−またはm−C64
或いは式
【0039】
【化7】
Figure 0004526191
【0040】
の2価の基を表し、
iは0−4の整数を表し、但しi>1の時各Q1 は異なる意味を有すること
ができ、
1 は−(CH2p −を表し、但しこの鎖は−O−、−NR9 −または−
OSiR10 2 O−が介在していてよく、
1 は直接結合、−O−、−S−または−NR9 −を表し、
pは2−12、好ましくは2−8、特に2−4の整数を表し、
9 は水素、メチル、エチルまたはプロピルを表し、
10はメチルまたはエチルを表し、そして
5 −R8 は上述した意味を有する]
を意味する場合、そのようなスペ−サ−を表す。
【0041】
ポリアクリレ−トまたはメタクリレ−トに対する好適な染料モノマ−は、式 (II)
【0042】
【化8】
Figure 0004526191
【0043】
[式中、Rは水素またはメチルを表し、そして
他の基は上述した意味を有する]
を持つ。
【0044】
特に好適な染料モノマ−は式(IIa)
【0045】
【化9】
Figure 0004526191
【0046】
[式中、X3 はCN及び他のすべての公知の電子吸引性置換基を示し、またそ
の時R1 も好ましくはCNであり、そして
基R、S1 、T1 、Q1 、X1´、及びR2 、並びにi、m、及びnは上述
の意味を有する]
のものである。
【0047】
本発明によるポリマ−またはオリゴマ−の有機非晶性材料は、例えば式(I)の染料の他に、形態異方性を有するグル−ピングを持つことができる。これらも、概してスペ−サ−を通してポリマ−マトリックスに共有結合している。
【0048】
形態異方性を有する基は、例えば式(III)
【0049】
【化10】
Figure 0004526191
【0050】
[式中、Zは式
【0051】
【化11】
Figure 0004526191
【0052】
の基を表し、但し
Aは−O−、−S−または−NC1 −C4 アルキル−を表し、
3 は−X3´−(Q2j −T2 −S2 −を表し、
4 はX4´−R13を表し、
3´及びX4´は直接結合、−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R
67)−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、−
(SO2)−、−(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=N
8 )−、または−(CNR8 −NR5 )−を表し、
5 、R8 及びR13は互いに独立にC1 −C20アルキル、C3 −C10シクロ
アルキル、C2 −C20アルケニル、C6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキ
ル−(C=O)−、C3 −C10シクロアルキル−(C=O)−、C2 −C20
アルケニル−(C=O)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−、C1 −C
20アルキル−(SO2 )−、C3 −C10シクロアルキル−(SO2 )−、C
2 −C20アルケニル−(SO2 )−、またはC6 −C10アリ−ル−(SO2
)−を表し、或いは
4´−R13は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3 、またはCCl3
を表すことができ、
6 及びR7 は互いに独立に水素、ハロゲン、C1 −C20アルキル、C1
20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、また
はC6 −C10アリ−ルを表し、
Yは単結合、−COO−、−OCO−、−CONH−、−NHCO−、−C
ON(CH3 )−、−N(CH3 )CO−、−O−、−NH−、または−N
(CH3 )−を表し、
11、R12、R15は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル
、C1 −C20アルコキシ、フェノキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2
20アルケニルまたはC6 −C10アリ−ル、C1 −C20アルキル−(C=O
)−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−、C1 −C20アルキル−(SO2
)−、C1 −C20アルキル−(C=O)−O−、C1 −C20アルキル−(C
=O)−NH−、C6 −C10アリ−ル−(C=O)−NH−、C1 −C20
ルキル−O−(C=O)−、C1 −C20アルキル−NH−(C=O)−また
はC6 −C10アリ−ル−NH−(C=O)−を表し、
q、r及びsは互いに独立に0−4、好ましくは0−2の整数を表し、
2 は−O−、−S−、−(N−R5 )−、−C(R67 )−、−(C=
O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5 )−、−(SO2 )−、−
(SO2 −O)−、−(SO2 −NR5 )−、−(C=NR8 )−、−(C
NR8 −NR5 )−、−(CH2p −、p−またはm−C64 −或いは

【0053】
【化12】
Figure 0004526191
【0054】
の基を表し、
jは0−4の整数を表し、但しj>1の時各Q1 は異なる意味を有していて
よく、
2 は−(CH2p −を表し、但しこの鎖には−O−、−NR9 −、また
は−OSiR10 2 O−が介在してよく、
2 は直接結合、−O−、−S−または−NR9 −を表し、
pは2−12、好ましくは2−8、特に2−4の整数を表し、
9 は水素、メチル、エチル、またはプロピルを表し、そして
10メチルまたはエチルを表す]
の構造を有する。
【0055】
ポリアクリレ−トまたはメタクリレ−トに好適な形態異方性を有するそのようなグル−ピングを持つモノマ−は、式(IV)
【0056】
【化13】
Figure 0004526191
【0057】
[式中、Rは水素またはメチルを表し、そして
他の基は上述した基を有する]
を有する。
【0058】
式(IV)の形態異方性を持つ特に好適なモノマ−は、例えば
【0059】
【化14】
Figure 0004526191
【0060】
である。
【0061】
アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリ−ル基は、順次ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1 −C20アルキル、C1 −C20アルコキシ、C3 −C10シクロアルキル、C2 −C20アルケニル、またはC6 −C10アリ−ルからなる群からの基で3つまで置換されていてもよい。但しこのアルキル及びアルケニル基は直鎖でも分岐鎖でもよい。
【0062】
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素、特にフッ素及び塩素を意味するものと理解すべきである。
【0063】
本発明によるオリゴマ−またはポリマ−は、これらの機能性単位の他に、主に機能性単位、特に染料単位のパーセント含量を低下させるのに役立つ単位を含んでいてもよい。それらは、この役割に加えて、オリゴマ−またはポリマ−の他の性質、例えばガラス転移イオン度、液晶性、フィルム形成性に関わる機能があってよい。
【0064】
ポリアクリレ−トまたはポリメタクリレ−トの場合、そのようなモノマ−は式(V)
【0065】
【化15】
Figure 0004526191
【0066】
[式中、Rは水素またはメチルを表し、そして
14は随時分岐していてもよいC1 −C20アルキルを表し、または少くとも 1つの更なるアクリル単位を含む基を表す]
のアクリル酸またはメタクリル酸エステルである。
【0067】
しかしながら、他のコポリマ−も存在しうる。
【0068】
この時、本発明によるポリアクリレ−トまたはポリメタクリレートは、反復単位として、好ましくは式(VI)のもの、好ましくは(VI)及び(VII)または式 (VI)及び(VIII)のもの或いは式(VI)、(VII)及び(VIII)のものを含んでなる:
【0069】
【化16】
Figure 0004526191
【0070】
[式中、基は上述した意味を有する]。
【0071】
式(VI)の反復単位及び/または式(VII)及び/または(VIII)の反復単位のいくつかが存在することも可能である。
【0072】
VI、VII、及びVIII間の量比は所望の通りであってよい。好ましくはVIの濃度は、VIの吸光係数に依存して、その混合物に基づいて0.1−100%である。VII及びVIII間の比は100:0−1:99、好ましくは100:0−30:70、特に好ましくは100:0−50:50である。
【0073】
本発明によるポリマ−及びオリゴマ−は、好ましくは少くとも40℃のガラス転移温度Tg を有する。このガラス転移温度は、例えばB.ボルマ−(Vollmer)、「高分子化学の基本」、406−410ページ、スプリンガ−出版 (Springer−Verlag,Heidelberg)、1962年の方法で決定できる。
【0074】
本発明によるポリマ−及びオリゴマ−は、ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラフィ−(ポリスチレンで較正)により重量平均として決定して、5000−2000000、好ましくは8000−1500000の分子量を有する。
【0075】
ポリマ−及びオリゴマ−の構造の結果として、式(VI)の構造要素の相互の或いは式(VII)及び(VIII)の相互の分子間相互作用は、整然とした液晶状態の形成が抑制され、また光学的に等方性で、透明な、非散乱性フィルム、ホイル、シート、または平行六面体ができるように形成される。一方それにもかかわらず分子間相互作用は、フォトクロミック及び非フォトクロミック側鎖基の光化学的に誘導された、協同的な、方向の向いた再配列過程が光の照射時に行えるのに十分強い。
【0076】
好ましくは式(VI)の反復単位の側鎖基間または式(VI)及び(VII)のそれの間で起こる相互作用力は、式(VI)の側鎖基の光誘導された立体配座変化が、他の側鎖基((VI)及び/または(VII))の同一方向での再配列、即ちいわゆる協同性を引き起こすのに十分である。
【0077】
光学的異方性の非常に高い値は、光学的等方性の非晶性フォトクロミックポリマ−中に誘導することができる(0.4までのΔn)。
【0078】
配列の状態は、化学光の作用により、ポリマ−またはオリゴマ−中に生じ、改変され、かくしてその光学的性質が変調される。
【0079】
用いる光は偏光であり、その波長は吸収帯の領域、好ましくは式(VI)の反復単位の長波長n−π* 帯の領域にある。
【0080】
ポリマ−及びオリゴマ−は、文献から、例えばDD第276297号、独国特許第3808430号、マクロモレキュラレ・ヘミ−(Makromolekulare Chemie)、187、1327−1334(1984)、SU第887574号、ヨ−ロプ・ポリム(Europ.Polym.)、18、561(1982)、及びリク・クリスト(Liq.Cryst.)、2、195 (1987)から公知の方法で製造できる。
【0081】
本発明による記録材料またはポリマ−の他の製造法は、少くとも1つのモノマ−を更なる溶媒なしに重合させる方法を含んでなる。この場合、それは好ましくは遊離基で重合せしめられ、また重合は特に好ましくは遊離基開始剤及び/またはUV光及び/または熱で開始される。
【0082】
反応は20−200℃、好ましくは40−150℃、特に好ましくは50−100℃、殊に好ましくは約60℃の温度で行われる。
【0083】
特別な具体例において、AIBNは遊離基開始剤として使用される。
【0084】
他の、好ましくは液体のモノマ−を一緒に使用することはしばしば好ましいと判明した。これは反応温度において液体であり且つ好ましくはオレフィン性不飽和モノマ−であるモノマ−、特に好ましくはアクリル酸及びメタクリル酸に基づくもの、殊に好ましくはメタクリル酸メチルを意味するものと理解される。
【0085】
コポリマ−中の式(II)のモノマ−の含量は、好ましくは0.1−99.9重量%、特に好ましくは0.1−50重量%、殊に好ましくは0.1−5重量%、最も好ましくは0.5−2重量%である。
【0086】
特に適当な材料は、式XIII−XXのポリマ−の少くとも1つを含んでなる。
【0087】
【化17】
Figure 0004526191
【0088】
【化18】
Figure 0004526191
【0089】
【化19】
Figure 0004526191
【0090】
本発明は、実施例1.2に示す式に類似の適当なモノマ−に対する製造法も提供する。
【0091】
この方法は、テレフタル酸ジクロリドを、不活性な溶媒、例えばジオキサン中、室温−110℃の温度で、アミノベンゼンまたは置換アミノベンゼンと少くとも等モル量で撹拌し、非対称の部分的アミドを定量的に生成させ、これを直ぐに吸引濾別することが特徴である。同業者は、置換アミノベンゼンも勿論適当であることが直ぐに分る。そして生成物を随時溶媒で再び洗浄する。随時置換された4−(カルボキシクロリド)−安息香酸(4´−フェニルアゾ)−ベンズアミドが得られる。
【0092】
更に本発明は、そのような方法で製造される非対称テレフタルアミド、及び実施例1.2に従って製造できる随時置換された非対称テレフタルアミド及びそのアクリレ−ト及びメタクリレートも提供する。
【0093】
【化20】
Figure 0004526191
【0094】
本発明は、本明細書の実施例1.3によるモノマ−も提供する。勿論それは置換形でも製造できる。
【0095】
【化21】
Figure 0004526191
【0096】
フィルム、ホイル、シート及び平行六面体は、外部での場を使用する及び/または表面効果が必要である経費のかかる配向工程なしに製造できる。それらは、スピンコーティング、ディッピング、注入または技術的に容易に行える他のコーティング法で基板に適用でき、プレスまたは流入により2つのシート間に導入でき、或いはキャストまたは押出しにより自己支持材料として単に製造することができる。そのようなフィルム、ホイル、シート及び平行六面体は、急速冷却により、即ち>100K/分の冷却速度により製造でき、或いは溶媒の迅速除去によって記述される意味において構造要素を含む液晶ポリマ−またはオリゴマ−からも製造できる。
【0097】
2及び/または多ビット及び/またはボリュ−ムのデータ記憶のための記録材料の好適な製造法は、記憶媒体をスピンコーティングで適用する工程を含んでなる。
【0098】
ホログラフィ−ボリュ−ム記憶系の好適な製造法は、300℃まで、好ましくは220℃まで、特に好ましくは180℃までの範囲の、通常の成形法による工程を含んでなる。
【0099】
層の厚さは、≧0.1mm、好ましくは≧0.5mm、特に好ましくは≧1mmである。mm範囲の層の、特に好適な製造法は、射出成形法である。この場合には、ポリマ−溶融物をノズルを通して成形ホルダー中へ圧入し、それから冷却後に取り出す。
実施例
実施例1 モノマ−の製造
1.1
【0100】
【化22】
Figure 0004526191
【0101】
ジオキサン200ml中4−アミノジフェニルエ−テル85.9gを、ジオキサン200ml中4−(2−メタクリロイロキシ)−エトキシ−安息香酸クロリド125gの溶液に添加し、この混合物を2時間撹拌し、この溶液を2リットルの水に注ぐことによって生成物を沈殿させた。沈殿を吸引濾別し、乾燥し、イソプロパノ−ルから2回再結晶させることにより精製した。収率は理論量の80%であった。融点=123℃。
1.2
【0102】
【化23】
Figure 0004526191
【0103】
ジオキサン400ml中4−アミノアゾベンゼン59gを、ジオキサン1000ml中テレフタル酸ジクロリド203gの溶液に添加し、この混合物を1時間撹拌した。沈殿を吸引濾別し、ジオキサンで洗浄し、高真空下に110℃で8時間乾燥した。4−(カルボキシクロリド)−安息香酸(4´−フェニルアゾ)−ベンズアミドの収量は92.8gであった。融点=123℃。
元素分析: C2014ClN32 (363.81)
計算値:C66.03;H3.88;Cl19.75;N11.55
分析値:C66.10;H4.00;Cl19.70;N11.70
ピリジン25ml中2−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト26gを、DMF200ml中の、上で得た物質36.4gの溶液に添加し、この混合物を100℃で2時間撹拌し、この溶液を1リットルの水に注ぐことによって生成物を沈殿させた。沈殿を吸引濾別し、乾燥し、トルエン/酢酸エチル(1:1)を用いるシリカゲルでのクロマトグラフィ−で精製した。収率は理論量の40%であった。元素分析: C262335 (457.49)
計算値:C68.26;H5.07;N9.18
分析値:C68.00;H5.10;N9.20
1.3
【0104】
【化24】
Figure 0004526191
【0105】
4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン
4−シアノアニリン18.8gを水100ml中で60℃に加熱した。固体を溶解させるために、濃塩酸10mlを添加した。ついで更に塩酸115mlを添加し、溶液の温度を0℃に持っていき、ニトロシル硫酸52gをゆっくりと滴下し、混合物を1時間撹拌した。この溶液を、2−ブロモフェノ−ル27.5g、メタノール100ml、及び水100mlの溶液に、10℃でゆっくりと滴下した。同時に10%水酸化ナトリウム溶液を添加してpH6−6.5を維持した。添加の完了後、撹拌物を更に1時間反応させ、沈殿を吸引濾別した。ついで生成物を水洗し、乾燥した。4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼンの収量は68gであった。
4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン
4−ヒドロキシ−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン65gを、約200℃で4−メチル−2−ペンタノン200mlに溶解した。この溶液に2−ブロモエタノ−ル40g、炭酸カリウム45g、及びヨウ化カリウム0.5gを添加し、混合物を120℃で24時間撹拌した。生成物をクロロホルム中に入れ、水洗した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を回転蒸発器で留去し、残渣を、トルエン/酢酸エチル(4/1)を用いるシリカゲルのクロマトグラフィ−で精製した。
【0106】
4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼンの収量は30.7gであった。融点=153℃;λmax =365nm(DMF)。
元素分析: C1512BrN32 (346.19)
計算値:C52.04;H3.49;Br23.08;N12.14
分析値:C52.30;H3.30;Br22.90;N12.10
4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3、4´−ジシアノアゾベンゼン
4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3−ブロモ−4´−シアノアゾベンゼン15gを熱DMF25mlに溶解した。ついでシアン化銅4.3gを添加し、反応混合物を140℃で5−6時間撹拌した。この溶液を13%水性アンモニア溶液約500mlに添加し、沈殿を濾別した。この沈殿を熱ジオキサンに溶解した。溶液を未溶解の残渣から濾別し、ジオキサンを回転蒸発器で除去し、生成物を、トルエン/THF(1/2)を用いるシリカゲルでのクロマトグラフィ−により精製し、エタノールから1度再結晶した。4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3、4´−ジシアノアゾベンゼンの収量は4.5gであった。融点=138℃;λmax =356nm(DMF)。
4−(2−メタクリロイロキシエチロキシ)3、4´−ジシアノベンゼン
4−(2−ヒドロキシエチロキシ)−3、4´−ジシアノアゾベンゼン5.8gを65℃でジオキサン15mlに溶解し、トリエチルアミン2.4gを添加した。ついでジオキサン3ml中メタクリル酸クロリド3.1gの溶液を添加し、反応混合物を65℃で2時間撹拌し、そして氷水350ml中に導入した。沈殿を吸引濾別し、乾燥した。ついでトルエン/THF(1/2)を用いるシリカゲルでのクロマトグラフィ−により精製した。4−(2−メタクリロイロキシエチロキシ)3、4´−ジシアノベンゼンの収量は5.9gであった。融点=110℃;λmax =352nm(DMF)。
実施例2 ポリマ−の製造
モノマ−1.2の3g及び2、2´−アゾイソ酪酸ジニトリル0.15gを、アルゴン雰囲気下に70℃で24時間DMF30ml中で撹拌した。ポリマ−を、溶液を水200mlに注ぐことによって沈殿させ、メタノール中で煮沸することによって精製した。
実施例3
【0107】
【化25】
Figure 0004526191
【0108】
厚さ1mmのガラス基板に、ポリマ−(実施例3の上を参照)の薄層を付与した。これはスピンコーティングで行った。この方法では、ポリマ−を50g/lの濃度でテトラヒドロフランに溶解し、溶液を、2000分-1の回転速度で回転している基板上にたらした。形成されたポリマ−フィルムは、典型的には200nmの厚さを有した。溶媒の残りは、塗布したガラス支持体を真空炉中に60℃で2時間貯蔵することにより、フィルムから除去した。
【0109】
このように製造した試料に、ポリマ−側から、偏光レーザー光を垂直に入射させて照射した(書き込み操作)。波長514nmのアルゴンイオンレーザー(コンチナム(Continum))を光源として使用した。このいわゆる書き込みレーザーの強度は500mW/cm2 であった。トランス−シス−トランス異性化サイクルは、ポリマ−の側鎖基分子中で誘導され、Arレーザーの偏光の方向から離れた該分子の真の配向を形成させた。これらの分子のダイナミクスは、ポリマ−フィルム平面内での複屈折Δn=ny −nx の発現が肉眼的に明白であることを示す。レーザー光の偏光方向における屈折率(nx )はこの過程中減少し、一方偏光方向に垂直な屈折率(ny )は増加する。上述の露光条件の場合、ダイナミクスは分の範囲で進行した。
【0110】
波長633nmで誘導される複屈折の時間に関する過程は、ヘリウム−ネオンレーザー(典型的には強度:10mW/cm2 )で実験的に決定される。この操作は複屈折の読取りといわれる。このいわゆる読取りレーザーの、ポリマ−層への入射光は、層の垂直に対して15−35°の固定角を占める。この読取り及び書き込み光は、ポリマ−層上で重複する。読取り光の偏光の方向は書き込み光の偏光に対して45°のポリマ−フィルム面内の角度を占める。層が複屈折であるならば、それはポリマ−層を通過する時に回転する。この回転には、試料後の光路にあり且つ偏光の元の方向に垂直な光を通すアナライザ−の後、読取り光強度Is の増加が付随する。強度Ip はIs が増加するにつれて同一の程度まで減少する。Ip は、同様に位置するが、読取りレーザーの偏光の元の方向を選択するアナライザ−後の透過強度として定義される。元の方向に平行な及び垂直な偏光の方向の2つの量は、偏光線分割器を通して及び2つのSiフォトダイオードを用いて、実験により別々に検知される。複屈折Δnは、次の関係
【0111】
【数1】
Figure 0004526191
【0112】
により測定された強度から計算できる。但し、この式において、dはポリマ−層の厚さを示し、そしてλ=633nm、読取りレーザーの光波長。また式からは、読取りがポリマ−層に対して垂直に行われるということがおよそ推定される。
【0113】
図1は実施例3からのポリマ−層の複屈折Δnの、書き込み/削除実験中の単調な経時的増加を示す。高複屈折値は、フィルム面における発色団の配向分布における高異方性を示す。試料を2分間書き込みレーザー光に露呈した後、第1の書き込み操作を終える。この及び続く書き込み操作中に得られる移相Δφ=2πΔnd/λはΔφ=πの値を超えない。ポリマ−層の複屈折nは、2分後にΔn=0.213±0.002の最大値に実質的に到達した。
【0114】
Δnは書き込み光の偏光の方向を90°回転することによって削除できる。この削除操作は、直ぐに完了する:Δn=0。これは、ダイオードを通して検知される値Ip =0に同等である。ここに削除は書き込みよりかなり速く行われる。
【0115】
更なる書き込み/削除操作はこの第1の状態と同一のパターンで起こり、ダイオードの信号を記録して、複屈折が計算される。図1において、複屈折の秒単位での形成及びすべての続く書き込み操作が測定精度という状況において速度及び程度に関し類似していることが理解できる。
【0116】
それゆえに、このポリマ−は複屈折の連続的減少から推定される劣化がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例3からのポリマ−層の複屈折Δnの、書き込み/削除実験中の単調な経時的増加を示す。

Claims (10)

  1. 偏光された電磁照射で空間的配列を変える少なくとも1つのポリマー及び/またはオリゴマーアゾ染料、
    式(IV)
    Figure 0004526191
    [式中、
    Rは水素またはメチルを表し、
    3′及びX4′は互いに独立に直接結合、−O−、−S−、−(N− 5 )−、−C (R67)−、−(C=O)−、−(CO−O)−、−(CO−NR5)−、−(S O2)−、−(SO2−O)−、−(SO2−NR5)−、−(C=NR8)−、または −(CNR8−NR5)−を表し、
    5、R8及びR13は互いに独立に水素、C1−C20アルキル、C3−C10シクロアルキ ル、C2−C20アルケニル、C6−C10アリール、C1−C20アルキル−(C=O)− 、C3−C10シクロアルキル−(C=O)−、C2−C20アルケニル−(C=O)−、 C6−C10アリール−(C=O)−、C1−C20アルキル−(SO2)−、C3−C10シ クロアルキル−(SO2)−、C2−C20アルケニル−(SO2)−、またはC6−C10 アリール−(SO2)−を表し、
    6及びR7は互いに独立に水素、ハロゲン、C1−C20アルキル、C1−C20アルコキ シ、C3−C10シクロアルキル、C2−C20アルケニル、またはC6−C10アリールを 表し、
    Yは単結合、−COO−、−OCO−、−CONH−、−NHCO−、−CON(C H3)−、−N(CH3)CO−、−O−、−NH−、または−N(CH3)−を表し 、
    Zは式
    Figure 0004526191
    の基を表し、但し
    Aは−O−、−S−または−NC1−C4アルキル−を表し、
    4はX4′−R13を表し、
    4′−R13は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、CF3、またはCCl3を表すこと ができ、
    11、R12、R15は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C20アル キル、C1−C20アルコキシ、フェノキシ、C3−C10シクロアルキル、C2−C20ア ルケニルまたはC6−C10アリール、C1−C20アルキル−(C=O)−、C6−C10 アリール−(C=O)−、C1−C20アルキル−(SO2)−、C1−C20アルキル− (C=O)−O−、C1−C20アルキル−(C=O)−NH−、C6−C10アリール− (C=O)−NH−、C1−C20アルキル−O−(C=O)−、C1−C20アルキル− NH−(C=O)−またはC6−C10アリール−NH−(C=O)−を表し、
    q,r及びsは互いに独立に0−4の整数を表し、
    2は−O−、−S−、−(N−R5)−、−C(R67)−、−(C=O)−、−( CO−O)−、−(CO−NR5)−、−(SO2)−、−(SO2−O)−、−(S O2−NR5)−、−(C=NR8)−、−(CNR8−NR5)−、−(CH2p−、 P−またはm−C64−或いは式
    Figure 0004526191
    の基を表し、
    jは0−4の整数を表し、但しj>1の時各Q2は異なる意味を有していてよく、
    2は−(CH2p−を表し、但しこの鎖には−O−、−NR9−、または−OSiR 10 2O−が介在してよく、
    2は直接結合、−O−、−S−または−NR9−を表し、
    pは2−12の整数を表し、
    9は水素、メチル、エチル、またはプロピルを表し、そして
    10はメチルまたはエチルを表す]
    なる構造の、形態異方性を有する少なくとも1つのグルーピング、および
    式(V)
    Figure 0004526191
    [式中、Rは水素またはメチルを表し、そして
    14は随時分岐していてもよいC1−C20アルキルを表し、または少くとも1つの更 なるアクリル単位を含む基を表す]
    のアクリル酸またはメタクリル酸エステル、
    を含んでなる、2及び/または多ビット及び/またはボリュームデータの記憶のための光記録材料であって、
    染料の吸収最大が400nmから少くとも30nm異なり、
    染料が、400nmにおいてその最大吸収の高々60%の光学濃度に達し、
    化学光の偏光状態を変えることによって再書き込みの能力があり、削除/再書き込みサイクル後に元の値の少くとも80%の強度が達成され、
    その他の条件が同じで400nmにおいて、書き込み操作が500nmにおけるものと同程度に遅く進行し、またこの波長で誘導される複屈折値が500nmで誘導される複屈折値と10%以上異ならず、
    被覆層厚さが≧1mmであり、
    厚さ250nmの固体状態において、380−420nmの波長範囲の波長で、≦1の光学濃度を有し、

    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    Figure 0004526191
    のポリマーの少くとも1つを含んでなり、コ及びターポリマーである場合、その組成はx+yが合計で100モル%までまたはx+y+zが合計で100モル%までの条件下に変化でき、pは10〜1000である、ことを特徴とする記録材料。
  2. 染料の最大吸収(AM)が370nm以下である、請求項1の記録材料。
  3. 染料の最大吸収が450nm以上である、請求項1の記録材料。
  4. 少くとも1つの成分のAMが450nm以上であり且つ少くとも1つ
    の成分のAMが360nm以下であるものを含んでなるコポリマーを含んでなる、請求項1の記録材料。
  5. 電磁照射が380−420nmの波長範囲のレーザー光である、請求項1−4のいずれか1つの記録材料。
  6. コポリマーの場合x:yが10:90−90:10であり及び/またはターポリマーの場合x+yが10モル%以上である、請求項1〜5のいずれか1つの記録材料。
  7. 請求項1−6のいずれか1つの記録材料を含んでなる、記憶システム。
  8. 記録材料がいずれか所望の形の1つまたはそれ以上の支持体のないものを含んでなる、請求項7の記憶システム。
  9. 更に反射層を含んでなる、請求項8の記憶システム。
  10. 記憶媒体がスピンコーティングで適用される工程を含んでなる、請求項7〜9のいずれか1つの記憶システムの製造法。
JP2000610000A 1999-03-30 2000-03-17 書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料 Expired - Fee Related JP4526191B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914325A DE19914325C1 (de) 1999-03-30 1999-03-30 Wiederbeschreibbares optisches Aufzeichnungsmaterial für blaue Laser
DE19914325.0 1999-03-30
PCT/EP2000/002385 WO2000060586A1 (de) 1999-03-30 2000-03-17 Wiederbeschreibbares optisches aufzeichnungsmaterial für blaue laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002541522A JP2002541522A (ja) 2002-12-03
JP4526191B2 true JP4526191B2 (ja) 2010-08-18

Family

ID=7902887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000610000A Expired - Fee Related JP4526191B2 (ja) 1999-03-30 2000-03-17 書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7022460B2 (ja)
EP (1) EP1171877B1 (ja)
JP (1) JP4526191B2 (ja)
KR (1) KR100733931B1 (ja)
AT (1) ATE341075T1 (ja)
AU (1) AU3290800A (ja)
CA (1) CA2368446A1 (ja)
DE (2) DE19914325C1 (ja)
ES (1) ES2270811T3 (ja)
TW (1) TW567484B (ja)
WO (1) WO2000060586A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19947579A1 (de) * 1999-10-01 2001-04-12 Bayer Ag Verfahren zur digitalen optischen Datenspeicherung
DE10027153A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Bayer Ag Blockcopolymere zur optischen Datenspeicherung
DE10027152A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-13 Bayer Ag Moschpolymere zur optischen Datenspeicherung
DE10223648A1 (de) * 2001-09-27 2003-04-10 Bayer Ag Wiederbeschreibbares optisches Aufzeichnungsmaterial mit guter Löslichkeit
EP1432745B1 (de) * 2001-09-27 2011-01-05 Bayer MaterialScience AG Wiederbeschreibbares optisches aufzeichnungsmaterial mit guter löslichkeit
JP4649821B2 (ja) 2002-06-07 2011-03-16 富士ゼロックス株式会社 ポリエステル、光記録媒体、及び光記録再生装置
JP2005274628A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Fuji Xerox Co Ltd 光記録材料、光記録媒体、及び光記録再生装置
JP2005345652A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Fuji Xerox Co Ltd 光記録材料、光記録媒体、及び光記録再生装置
US7897296B2 (en) * 2004-09-30 2011-03-01 General Electric Company Method for holographic storage
US20060078802A1 (en) * 2004-10-13 2006-04-13 Chan Kwok P Holographic storage medium
JP2006289877A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Toshiba Corp 情報記憶媒体、再生方法及び記録方法
DE102005028145A1 (de) 2005-06-17 2006-12-28 Bayer Materialscience Ag Optischer Datenspeicher, dessen Herstellung und Verwendung
US7989488B2 (en) * 2007-09-25 2011-08-02 General Electric Company Compositions and methods for storing holographic data
US7901839B2 (en) * 2007-09-25 2011-03-08 General Electric Company Compositions and methods for storing holographic data
US8609300B2 (en) * 2009-06-25 2013-12-17 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of making holographic recording materials and articles formed thereby
US8663873B2 (en) 2012-01-13 2014-03-04 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Holographic recording medium and method of recording a hologram
CN106995512B (zh) * 2017-04-18 2019-01-29 南通纺织丝绸产业技术研究院 一种智能型表面亲疏性可转换的织物整理液及其制备方法
CN111233698A (zh) * 2020-02-15 2020-06-05 桂林理工大学 一种可聚合的不对称偶氮苯及其制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE276277C (ja)
SU887574A1 (ru) 1980-03-18 1981-12-07 Московский Ордена Ленина,Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им. М.В.Ломоносова Жидкокристаллические полиакрилаты и полиметакрилаты,содержащие циандифенильные группы,обладающие способностью к ориентации в электрическом поле
DE3623395A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-21 Roehm Gmbh Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung unter verwendung von polymeren fluessigkristallen
DE3808430A1 (de) 1988-03-14 1989-09-28 Consortium Elektrochem Ind Fluessigkristalline polymere mit chromophoren seitengruppen
DD297030A5 (de) * 1990-08-02 1991-12-19 Adw Der Ddr,De Verfahren zur reversiblen optischen informationsspeicherung und lichtinduzierten orientierung fluessigkristalliner polymere
US5384221A (en) * 1990-12-12 1995-01-24 Physical Optics Corporation Birefringent azo dye polymer erasable optical storage medium
US5173381A (en) * 1991-08-05 1992-12-22 Queen's University Azo polymers for reversible optical storage
JPH05169820A (ja) * 1991-09-13 1993-07-09 Pioneer Electron Corp 書換型フォトクロミック光ディスク
DE4339862A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-06 Agfa Gevaert Ag Flächenhafte Gebilde aus Seitengruppenpolymeren
EP0622789B1 (de) * 1993-03-30 2002-08-07 Bayer Ag Flächenhafte Gebilde aus Seitengruppenpolymeren
US5496670A (en) * 1993-08-30 1996-03-05 Riso National Laboratory Optical storage medium
DE4431823A1 (de) * 1994-09-07 1996-03-14 Bayer Ag Verfahren zur Verstärkung von Information in photoadressierbaren Seitenkettenpolymeren
DE4434966A1 (de) * 1994-09-30 1996-04-04 Bayer Ag Neue Seitengruppenpolymere und ihre Verwendung für optische Bauelemente
DE19703132A1 (de) * 1997-01-29 1998-07-30 Bayer Ag Photoadressierbare Seitengruppenpolymere mit hoher induzierbarer Doppelbrechung
DE19631864A1 (de) * 1996-08-07 1998-02-12 Bayer Ag Photoadressierbare Seitengruppenpolymere hoher Empfindlichkeit
EP0856527A1 (de) * 1997-01-29 1998-08-05 Bayer Ag Photoadressierbare Seitengruppenpolymere mit hoher induzierbarer Doppelbrechung
DE19706029C2 (de) * 1997-02-17 1999-09-16 Bayer Ag Flüssigkristall-Display mit Phasenkompensationsschicht
DE19720288A1 (de) * 1997-05-15 1998-11-19 Bayer Ag Homopolymere mit hoher photoinduzierbarer Doppelbrechung
DE10007410A1 (de) * 2000-02-18 2001-08-23 Bayer Ag Neues optisches Speicherverfahren für wiederbeschreibbare digitale Datenträger
DE10027152A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-13 Bayer Ag Moschpolymere zur optischen Datenspeicherung
DE10027153A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Bayer Ag Blockcopolymere zur optischen Datenspeicherung
EP1432745B1 (de) * 2001-09-27 2011-01-05 Bayer MaterialScience AG Wiederbeschreibbares optisches aufzeichnungsmaterial mit guter löslichkeit

Also Published As

Publication number Publication date
US20040214106A1 (en) 2004-10-28
ATE341075T1 (de) 2006-10-15
ES2270811T3 (es) 2007-04-16
WO2000060586A1 (de) 2000-10-12
AU3290800A (en) 2000-10-23
TW567484B (en) 2003-12-21
EP1171877A1 (de) 2002-01-16
JP2002541522A (ja) 2002-12-03
CA2368446A1 (en) 2000-10-12
EP1171877B1 (de) 2006-09-27
KR20010111293A (ko) 2001-12-17
DE50013523D1 (de) 2006-11-09
DE19914325C1 (de) 2000-07-06
KR100733931B1 (ko) 2007-07-03
US7022460B2 (en) 2006-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4526191B2 (ja) 書き込みできるブルー・レーザー用の光記録材料
Natansohn et al. Azo polymers for reversible optical storage. 2. Poly [4'-[[2-(acryloyloxy) ethyl] ethylamino]-2-chloro-4-nitroazobenzene]
JP4272260B2 (ja) 高度に誘発性の複屈折を示す光アドレス指定可能基質および光アドレス指定可能側基ポリマー類
US5641846A (en) Side-group polymers, and their use for optical components
US6046290A (en) Photoaddressable side group polymers of high sensitivity
KR100525700B1 (ko) 고도로 광유도성 복굴절되는 단독 중합체
US20080199782A1 (en) Hologram recording material, hologram recording medium and hologram recording method
KR100774779B1 (ko) 광학 데이타 저장용 코폴리머
JP4939533B2 (ja) 光学データ記憶媒体及びその製造方法と使用
TWI261153B (en) Recording material for a holographic volume storage medium, holographic volume storage medium, the dyes used therein and process for the preparation thereof
US20030096065A1 (en) Efficient nonlinear optical polymers having high poling stability
JP4113123B2 (ja) 優れた溶解性を有する書換可能型光記録材料
JPH10212324A (ja) 高度の誘導可能な複屈折性のフオトアドレス可能な側鎖ポリマー
JP3056249B2 (ja) 液晶性ポリマー類および可逆的な情報記憶に対してそれらを光誘導配向させる方法
KR100940612B1 (ko) 우수한 용해도를 나타내는 재기록가능 광학기록재료
JP2002539475A (ja) ホログラフィック記録材料
KR100472886B1 (ko) 유도복굴절성이높은광어드레스성기재및광어드레스성측쇄중합체
JPWO2004113469A1 (ja) 光記録材料
JP2007131708A (ja) アゾベンゼンモノマー、その重合体及びこれを用いたホログラム光記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070216

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090519

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090819

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090826

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090917

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091016

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100525

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100601

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees