JP2002539064A - 亜鉛酸化物粒子 - Google Patents
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Abstract
Description
な化学粉末は多くの異なる処理工程において使用することができる。とりわけ、
化学粉末は抵抗器などの電子デバイスの製造において使用することができる。
する発光体材料を使用する。発光体材料を基板に適用すると、陰極線管、パネル
ディスプレイなどを作製することができる。ディスプレイ装置を改良するために
は、例えば、電子速度の減少及びディスプレイ解像度の増加のために、発光体材
料に対し厳しい要求が求められる。出力要求を減少させるためには電子速度が減
少する。特に、パネルディスプレイは一般に低速度電子に応答する発光体を必要
とする。
スプレイの位置で異なる波長で光を発する材料または材料の組み合わせを使用す
ることが必要である。発光体として様々な材料が使用されている。特に、亜鉛酸
化物粉末は、単独であるいは他の材料と組合されて、発光体として使用できるこ
とが見出されている。所望の波長の光を発する材料を得るために、活性剤が発光
材料中にドープされている。その代わりに、複数の発光体を混合して所望の発光
を得ることもできる。さらに、発光体材料は十分なルミネセンスを示さなければ
ならない。
均直径が約95nm未満の粒子の捕集に関する。亜鉛酸化物粒子は電気抵抗器な
どの電子デバイスを含む様々なデバイスに組み込むことが可能である。
の方法は亜鉛前駆体と酸素源とを含む反応物の流れを反応チェンバ中で熱分解す
る工程を含み、この熱分解は光源から吸収された熱により進む。
、この方法は亜鉛前駆体エアロゾルを含む反応物の流れを反応チェンバ中で熱分
解する工程を含み、この熱分解は光源から吸収された熱により進む。
を反応物通路に向ける反応物供給装置と、 反応物通路に沿ってある結合した反応物に向ける光源と、 を備える反応システムに関する。複数の反応物入口を備える反応システムのい
くつかの実施の形態では、反応物供給装置は、 反応物通路に沿ってエアロゾルを生成するエアロゾル供給装置と、 ガス状反応物を反応チェンバ内で反応物通路に沿ってエアロゾルと結合させる
ガス状反応物供給装置と、 を含む。エアロゾル供給装置は、ガス供給源に接続されたコンジットを含むこ
とができる。
物通路に沿って2つのガス状反応物を結合するように配向された2つのガスポー
トを含む。他の実施の形態では、反応物供給装置は反応チェンバ内で反応物通路
に沿って2つのエアロゾル反応物を結合するように配向された2つのエアロゾル
供給装置を含む。
に、シールディングガスを注ぐために配向されたシールディングガスポートを含
むことができる。反応システムは、3以上の反応物入口から、反応物通路に沿っ
て反応チェンバ内で3以上の反応物を混合する反応物供給装置を有することがで
きる。
応物通路に向ける工程と、 反応通路に沿って流れる前記反応物を強い光源を用いて熱分解する工程と、 を含む化学粉末を製造する方法を特徴とする。
nm以下のオーダーの粒子はディスプレイを製造するのに優れた加工特性を有す
ると共に良好なルミネセンスを有する。とりわけ、これらの材料のバンドギャッ
プは100nm以下のオーダーの直径ではサイズに依存する。そのため、選択さ
れた狭い分布の直径を有する粒子は1つの色(波長)の蛍光体として機能するこ
とができ、一方、同様に選択された平均直径を有しサイズ分布が狭い同じあるい
は異なる材料の粒子は異なる色の蛍光体として機能することができる。さらに、
粒子のサイズが小さいと、より解像度の高いディスプレイを製造するのに好都合
である。
する。さらに、好ましい粒子は永続的な発光を有する、すなわち、材料の電気的
な刺激に続くかなりの期間にわたって発光が減衰する。とりわけ、ヒトが知覚で
きるほど十分に発光の永続性がなければならない。一般に、適した粒子は半導体
であり、その発光振動数はバンドギャップにより決定される。好ましくは、ルミ
ネセンスを示す状態は、熱として無駄になるエネルギーがほとんどないようなエ
ネルギーを有する。
S、TiO2、Y2O3粒子を効率よく製造する優れた方法である。一般に、粒
子サイズ分布は急激に落ちるので、有意の尾部はない。適当な小スケール粒子を
製造するためにレーザ熱分解を上手く適用する基本的な特徴は、金属前駆体化合
物、放射線吸収体及び酸素または硫黄源として機能する反応物を適宜含む反応物
の流れを作り出すことである。金属前駆体は放射線吸収化合物及び/または酸素
源として作用することができる。反応物の流れは強いレーザビームにより熱分解
される。レーザ放射の吸収による強い熱により、酸素または硫黄環境において金
属化合物前駆体の反応が誘起される。反応物の流れが光線から外れると、粒子は
急冷される。
その代わりに、1以上の反応物をエアロゾルとして供給することができる。エア
ロゾルを使用すると、蒸気供給のみが適しているものより広い範囲の金属前駆体
を使用することができる。このように、場合によってはエアロゾル供給によりよ
り安価な前駆体を使用することができる。また、高い粒子製造速度のためにエア
ロゾル供給を使用することができる。エアロゾルにより反応条件を適するように
制御すると、粒子サイズ分布の狭いナノスケールの粒子が得られる。
る。結晶性亜鉛酸化物ナノ粒子の直径は非常に小さく、粒子サイズ分布は非常に
狭い。亜鉛酸化物粉末は蛍光体として有効であり、電子部品、例えば、様々な型
の抵抗器の製造など様々な他の用途において使用することができる。
粒子の製造にとって貴重なツールであることが見出されている。さらに、レーザ
熱分解により製造された粒子はさらに加工するのに好都合な材料であり、望まし
い亜鉛酸化物粒子の製造に対する経路が拡大される。このように、レーザ熱分解
のみを使用することにより、あるいは追加のプロセスと組み合わせてレーザ熱分
解を使用することにより、広範囲にわたる亜鉛酸化物粒子を製造することができ
る。
ザ熱分解に対する反応条件は比較的正確に制御することができ、そのため所望の
特性を有する粒子を製造することができる。所定の型の粒子を製造するための適
当な反応条件は一般に特別な装置の設計に依存する。特別な装置において亜鉛酸
化物粒子を製造するために使用される特定の条件について以下の実施例を用いて
説明する。さらに、反応条件と得られた粒子との間の関係について、いくつかの
包括的な所見も得られた。
速くなる。急冷速度が速いと、熱平衡付近のプロセスでは得られない高エネルギ
ー相の生成に有利となる傾向がある。同様に、チェンバ圧力が増加しても、高エ
ネルギー構造の生成が有利となる傾向がある。また、反応物の流れにおいて酸素
源として機能する反応物濃度が増大すると、酸素量が増加した粒子の生成が有利
となる。
反応物ガス流速または速度が増大すると、粒子サイズが小さくなる傾向がある。
また、粒子の成長動力学は得られた粒子のサイズにかなりの影響を与える。言い
換えると、異なる形態の生成化合物は、かなり同様の条件下でも、他の相とは異
なるサイズの粒子を形成する傾向がある。光強度/レーザ出力もまた粒子サイズ
に影響し、光強度が増加すると低融解材料ではより大きな粒子が形成され、高融
解材料ではより小さな粒子が形成されるのが有利となる。
物のみを使用すると、実際に使用できる前駆体化合物の型に関し幾分制限が生じ
る。このように、反応物前駆体を含むエアロゾルをレーザ熱分解チェンバに導入
するための技術が開発されてきた。反応物システム用の改良エアロゾル供給装置
についてはさらに、共に譲渡され係属中の、1998年11月9日に出願された
ガードナーらの「反応物供給装置」と題する米国特許出願番号第09/188,
670号において説明されている。この特許出願については、参照により明細書
内に組み込むものとする。
ることができる。その代わりに、粉末前駆体化合物をエアロゾル供給用の液体/
溶媒中に分散させることができる。液体前駆体化合物は、所望であれば、ストレ
ートの液体、複数の液体分散物あるいは液体溶液からのエアロゾルとして供給す
ることができる。エアロゾル反応物を使用すると、有意の反応物スループットが
得られる。溶媒があれば、溶液の所望の特性を達成するためにその溶媒を選択す
ることができる。適した溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、他の有機溶媒及びそれらの混合物が挙げられる。溶媒の純度は
望ましいレベルでなければならず、そうすると、得られた粒子の純度レベルは望
ましいものとなる。イソプロピルアルコールなどの幾つかの溶媒はCO2レーザ
からの赤外光の重要な吸収体である。そのため、反応物の流れの内には追加のレ
ーザ吸収化合物は必要ない。
チェンバにおいて光線により迅速に蒸発させられ、ガス相反応が起こることが可
能である。このように、レーザ熱分解反応の基本の特徴は変わらない。それにも
関わらず、反応条件はエアロゾルの存在により影響される。以下の実施例におい
て、特別なレーザ熱分解反応チェンバにおけるエアロゾル前駆体を用いた亜鉛酸
化物ナノ粒子の製造に対する条件について説明する。このように、エアロゾル反
応物供給に関連するパラメータは、以下の説明に基づきさらに調査することがで
きる。
ができる。例えば、塩化亜鉛(ZnCl2)および硝酸亜鉛(Zn(NO3)2 )は水及びイソプロピルアルコールなどのいくつかの有機溶媒に溶解する。化合
物は溶液に溶解され、好ましくは約0.5モルより高濃度である。一般に、溶液
中の前駆体の濃度が大きくなると、反応チェンバ全体の反応物のスループットが
大きくなる。しかしながら、濃度が増加するにつれ、溶液の粘度がより高くなる
ことがあり、エアロゾルは所望のサイズより大きなサイズの小滴を有する。この
ように、溶液濃度の選択は、好ましい溶液濃度の選択における因子の均衡に関係
することがある。
応物の流れにおいて所望の量の反応物蒸気を得るのに十分な蒸気圧を有する亜鉛
化合物が含まれる。所望であれば、液体または固体前駆体化合物を保持する容器
を加熱して亜鉛前駆体の蒸気圧を増加させることができる。ガス状供給の十分な
蒸気圧を有する適した固体亜鉛前駆体としては、例えば、塩化亜鉛(ZnCl2 )が含まれる。固体前駆体をレーザ熱分解装置に加熱、供給するための適した容
器を図1に示す。適した液体亜鉛前駆体化合物としては、例えば、ジエチル亜鉛
(Zn(C2H5)2)及びジメチル亜鉛(Zn(CH3)2)が挙げられる。
と蓋54とを含む。ガスケット56が容器52と蓋54との間に設けられる。1
つの好ましい実施の形態においては、容器52と蓋54はステンレス鋼から製造
され、ガスケット56は銅から製造される。この実施の形態では、蓋54及びガ
スケット56は容器54にボルト留めされる。固体前駆体系に適用される温度お
よび圧力に適したパイレックス(Pyrex、登録商標)などの他の不活性材料
を使用することができる。容器52の周囲はバンド加熱器58により囲まれてい
る。この加熱器は供給装置50の温度を所望の値に設定するために使用される。
適したバンド加熱器はオメガエンジニアリング社(Omega Enginee
ring Inc.)、スタンフォード、Connから入手可能である。バンド
加熱器の温度を調節して、前駆体化合物の所望の蒸気圧を得ることができる。前
駆体供給システムの他の部分を加熱して、前駆体が容器52から出て行った後も
蒸気状態で前駆体を維持することができる。
はスワジロック(Swagelok、登録商標)継ぎ手62または他の適した接
続により挿入することができる。管類64により容器52内へのキャリアガスの
入力流が得られる。管類64は好ましくは遮断バルブ66を含み、スワジロック
(登録商標)継ぎ手68または他の適した接続により蓋54を介して挿入するこ
とができる。出力管70もまた好ましくは遮断バルブ72を含む。出力管70は
好ましくは密閉接続74で蓋54を介して容器52内に入る。管類64及び70
はステンレス鋼などの適した不活性材料から製造することができる。固体前駆体
を直接容器52内に入れることができる。あるいは容器52内のより小さな開放
容器内に入れることができる。
CO2、O3及びそれらの混合物が挙げられる。第2の反応物化合物は反応ゾー
ンに入る前に亜鉛前駆体と有意の反応をしてはならない。というのは、この反応
により一般に大きな粒子が形成されるからである。亜鉛前駆体が第2の反応物化
合物と反応する場合、さらに以下で説明するように、2つの反応物は2ノズル反
応物供給装置により供給することができる。そうすると、2つの反応物は混合す
ることなく反応チェンバ内に入る。ジエチル亜鉛及びO2は自然に反応すること
に注意すること。
光源は電磁スペクトルの赤外線部で動作する。CO2レーザは特に好ましい光源
である。反応物の流れに含有させるための赤外吸収体としては、例えば、C2H 4 、イソプロピルアルコール、NH3、SF6、SiH4及びO3が挙げられる
。O3は赤外線吸収体及び酸素源の両方として作用することができる。赤外線吸
収体などの放射線吸収体は放射線ビームからのエネルギーを吸収し、そのエネル
ギーを他の反応物に分配し、熱分解を進める。
多くの場合、その速度は熱が一般に制御された条件下で発熱反応により生成され
る速度である。そのプロセスは一般に非平衡条件を必要とするので、温度は吸収
領域におけるエネルギーに基づき大体説明することができる。レーザ熱分解プロ
セスは、燃焼反応器内でのプロセスとは質的に異なる。そのプロセスでは、エネ
ルギー源が反応を開始させるが、その反応は発熱反応により発せられるエネルギ
ーにより進む。
及び生成物分子の量を減少させることができる。適当なシールディングガスとし
ては例えばAr、He及びN2が挙げられる。
む。反応物供給装置に接続された反応物入口は反応チェンバを通る反応物の流れ
を作り出す。レーザビーム通路は反応ゾーンで反応物の流れと交差する。反応物
の流れは反応ゾーン後の出口まで続き、その出口で反応物の流れは反応チェンバ
を出て行き、捕集装置内に入る。一般に、レーザなどの光源は反応チェンバの外
部に配置され、光線は適当な窓(ウインドウ)を介して反応チェンバに入る。
反応物供給装置102と、反応チェンバ104と、捕集装置106と、光源10
8とシールディングガス供給装置110とを含む。他の反応供給装置102を図
2の装置と共に使用することができる。以下で説明する第1の反応物供給装置は
、専らガス状反応物を供給するために使用することができる。2つの他の反応物
供給装置は、1以上の反応物をエアロゾルとして供給するために説明する。
駆体化合物の源120を含む。液体または固体反応物では、1以上のキャリアガ
ス源122からのキャリアガスを前駆体源120内に導入し、反応物の供給を容
易にすることができる。前駆体源120は図1に示したような固体前駆体供給装
置50、あるいは他の適した容器とすることができる。キャリアガス源122か
らのキャリアガスは好ましくは赤外線吸収体及び/または不活性ガスのいずれか
である。キャリアガスは好ましくは液体反応物化合物を通って泡立たされ、ある
いは固体反応物供給装置内に運搬される。反応ゾーンの反応物蒸気の量はキャリ
アガスの流速に大体比例する。液体または固体反応物を加熱し、その蒸気圧を増
大させることができる。同様に、反応物供給装置102の部分を加熱し、反応物
化合物が供給装置の壁に析出するのを妨害することができる。
は不活性ガス源126から直接供給することができる。前駆体源120からのガ
スは赤外線吸収体源124及び/または不活性ガス源126からのガスと、管1
28の単一の部分でそれらのガスを結合させることにより、混合される。ガスは
反応チェンバ104から十分な距離結合され、そのため、ガスは反応チェンバ1
04に入る前に十分に混合される。管128内で混合されたガスはダクト130
を通ってチャネル132に入る。そのチャネルは反応物入口134と流体接続し
おり、その反応物入口は、図3の想像線で示されているように、複数入口供給装
置の一部である。
源は液体反応物供給装置、固体反応物供給装置、ガスシリンダまたは他の適した
容器または複数の容器とすることができる。第2の反応物源138が液体または
固体反応物を供給する場合、キャリアガス源122または他のキャリアガス源か
らのキャリアガスを使用して反応物の供給を容易にすることができる。図3に示
されるように、第2の反応物源138は第2の反応物を管128によりダクト1
30に供給することができる。その代わりに、図3の想像線により示されるよう
に、第2の反応物源138は第2の反応物を管140に供給し、ダクト141を
通って第2の反応物入口142に供給することができる。入口134、142は
互いに向けてわずかに角度をつけることができ、ガスの混合が容易になる。
が反応物入口から出てきた後、それらの反応物を反応物チェンバ内で混合する。
これは特に、ジエチル亜鉛と分子酸素など、反応物が自然に反応する場合に好都
合である。3以上の反応物を使用する場合、追加の反応物は同様に、単一の反応
物入口134を通って、2つの入口134、142を通って、あるいは3以上の
反応物入口を通って、適宜あるいは望み通りに供給することができる。質量流量
制御装置144を使用して、図3の反応物供給システム内のガスの流れを調節す
ることができる。
。エアロゾルは反応チェンバ104内で、あるいは反応チェンバ104に注入す
る前に反応チェンバ104の外側で形成させることができる。エアロゾルを反応
チェンバ104に注入する前に生成する場合、エアロゾルは、図3の反応物入口
134などの、ガス状反応物用に使用される反応物入口に匹敵する反応物入口を
介して導入することができる。
使用してエアロゾルをチャネル132に供給する。以上で説明したように、チャ
ネル132は反応物を反応チェンバ内に誘導するための注入ノズルの一部を形成
し、反応物入口134で終端する。反応物供給システム150はエアロゾル発生
装置152と、キャリアガス/蒸気供給管143と、接続部156とを含む。チ
ャネル132と、エアロゾル発生装置152と、供給管154とは接続部156
の内部容積158内で交わる。供給管154はキャリアガスをチャネル132に
沿って誘導するように指向される。エアロゾル発生装置152はエールゾル16
0がチャネル134への開口と供給管154からの出口との間のチェンバ158
の容積内で発生するように載置される。
えば、エアロゾルは超音波ノズルを用いて、静電噴霧システムを用いて、加圧流
あるいは単純な噴霧器を用いて、沸騰噴霧器を用いて、あるいはガス噴霧器を用
いて発生させることができる。ガス噴霧器では、液体をかなりの圧力下で小さな
オリフィスを通過させ、ガスストリームを衝突させることにより破砕して粒子と
する。圧電トランスデューサ及び適したブロードバンド超音波発生装置を備えた
超音波ノズルは、モデル8700−120など、ソノテック(Sono−Tek
)社、ミルトン、NYから入手可能である。適したエアロゾル発生装置はさらに
、共に出願中の共に譲渡された、ガードナーらの「反応物供給装置」と題する米
国出願番号第09/188,670号において説明されている。この出願につい
ては参照により明細書に組み込むものとする。追加のエアロゾル発生装置を他の
部品162を介して接続部156に取りつけることができ、追加のエアロゾルを
内部158で発生させ反応チェンバ内に供給することができる。
62を含む。このように、チャネル132、エアロゾル発生装置152、及び供
給管154は適当に載置することができる。1つの実施の形態では、接続部15
6は6つの円筒形ポート162を備える立方体であり、1つのポート162は接
続部156の各面から延在している。接続部156はステンレス鋼あるいは他の
耐久性のある非腐食性材料から製造することができる。窓161は好ましくは1
つのポート162で密閉され、内部158を目視することができる。接続部15
6の底から延在するポート162は好ましくは、ドレイン163を含み、チャネ
ル134を介して供給されない濃縮エアロゾルを接続部156から除去すること
ができる。
は、選択されたガスまたはガス混合物を供給管154に供給するように接続され
た1つのあるいは複数のガス容器を含むことができる。キャリアガスは液体前駆
体供給装置あるいは固体前駆体供給装置を通過させることができ、そのためキャ
リアガスは液体前駆体または固体前駆体の蒸気を含む。このように、キャリアガ
ス/蒸気供給管154を使用して、例えば、レーザ吸収ガス、反応物、及び/ま
たは不活性ガスを含む反応物の流れの内で様々な所望のガスおよび/または蒸気
を供給することができる。ガス源164から供給管154までのガスの流れは1
以上の質量流量制御装置166などにより制御される。液体供給管168はエア
ロゾル発生装置152に接続される。液体供給管168はエアロゾル発生装置1
52及び液体供給源170に接続される。亜鉛酸化物粒子を製造するために、液
体供給源170は亜鉛前駆体を含む液体を保持することができる。
からチャネル132までのキャリアガス流に大体直交する運動量を持つエアロゾ
ルを発生させる。このように、供給管154からのキャリアガス/蒸気はエアロ
ゾル発生装置152により発生したエアロゾル前駆体をチャネル132内に誘導
する。動作において、キャリアガス流はチェンバ158内に供給されたエアロゾ
ルをチャネル132内に誘導する。このように、エアロゾルの供給速度は事実上
キャリアガスの流速により決定される。
配置され、そのため、エアロゾルの前進運動量の成分はチャネル134に沿って
誘導される。好ましい実施の形態では、エアロゾル発生装置から誘導される出力
はチャネル134への開口により規定される垂直方向、すなわち供給管154か
らチャネル134への流れの方向に対し約45°の角度で配置される。
給装置102の他の実施の形態172が示されている。エアロゾル発生装置17
3、174はエアロゾルをそれぞれ供給管132、141内に供給する。チャネ
ル132、141はそれぞれ反応物入口134、142に反応物を供給する。エ
アロゾル発生装置173,174は、エアロゾル発生装置152に関して上述し
たように、様々な原理に基づいて動作することができる。
、141への様々な構造のいずれかに従い、ガス源176、177及びガス供給
管170、180により、供給することができる。例えば、ガス供給管179、
180は、エアロゾル発生装置173、174の上下の様々な位置で、チャネル
132、141の向きに対し様々な角度で、チャネル132、141と接続する
ことができる。望み通り、各チャネル132、141に対し、複数のガス供給管
を使用することができる。その代わりに、エアロゾル発生装置173、174の
1つを省略することができ、そうすると、反応物供給装置172がエアロゾル及
びガス状反応物をそれぞれ、反応物入口134、142を介して供給する。
施の形態の変更を基本とすることができる。これらの実施の形態では、単一のチ
ャネル132が存在する。第2のエアロゾル発生装置は省略することができ、あ
るいはエアロゾルを第1のエアロゾル発生装置と同じチャネル内に供給するよう
に構成することができる。このように、これらの他の実施の形態を使用して、1
つのエアロゾル反応物と1つのガス状反応物、2つのエアロゾル反応物あるいは
3以上の反応物と1以上のエアロゾルを、単一の反応物入口134を介して反応
チェンバ内104に供給することができる。
応物供給システム102は注入ノズル202で主チェンバ200に接続する。反
応チェンバ104を加熱して前駆体化合物を蒸気状態に維持することができる。
特に、固体前駆体の蒸気を使用する場合、反応チェンバ104全体を約120℃
まで加熱することが好ましい。同様に、固体前駆体の蒸気を使用する場合、アル
ゴンシールディングガスを約150℃まで加熱することが好ましい。前駆体がチ
ェンバ上に析出していないことを確認するために、凝縮についてチェンバの検査
をすることができる。
開口204が、反応物が通過するように反応物入口134が設けられ、反応チェ
ンバにおいて反応物の流れが形成される。反応物入口134は好ましくは、図2
の左下の挿入図に示されているように、細隙である。環状開口204は、例えば
、直径が約1.5インチであり、半径方向に沿う幅は約1/8インチから約1/
16インチである。環状開口204を通過するシールディングガスの流れにより
、反応物ガス及び生成物粒子の反応チェンバ104全体への広がりの防止が助け
られる。2つの反応物入口134、142を有する実施の形態では、図2の右下
の挿入図に示されているように、2つの細隙あるいは他の形状がノズル202の
端に存在する。
08、210はそれぞれZnSe窓212、214を含む。窓212、214の
直径は約1インチである。窓212、214は好ましくは、焦点距離がチェンバ
の中心からレンズの表面までの距離と等しく、光線をノズル開口の中心のすぐ下
の点に集束させる円筒レンズである。窓212、214は好ましくは反射防止コ
ーティングを有する。適当なZnSeレンズはジョノステクノロジー(Jano
s Technology)、タウンゼンド、ヴァーモントから入手可能である
。管状部分208、210により、窓212、214が主チェンバ200からず
らすことができ、そのため窓212、214は反応物及び/または生成物により
汚染されにくくなる。窓212、214は、例えば、主チェンバ200の縁から
約3cmずらされる。
囲気空気が反応チェンバ104内への流れないようにされる。管状入口216、
218によりシールディングガスの管状部分208、210内への流れが生じ、
窓212、214の汚染が減少する。管状入口216、218は不活性ガス源ま
たは別個の不活性ガス源に接続される。どちらの場合でも、入口216、218
への流れは好ましくは質量流量制御装置222により制御される。
ように整合される。窓212、214は、反応ゾーン226で反応物の流れと交
差する主チェンバ200を通る光路を規定する。窓214から出ると、光線22
2は電力計228に当り、その電力計はビームダンプとしても作用する。適当な
電力計はコーヒーレント社(Coherent Inc.)、サンタクララ、C
Aから入手可能である。光源108はレーザまたは、アークランプなどの強い従
来の光源とすることができる。好ましくは、光源108は赤外線レーザ、とりわ
けPRC社、ランディング、NJから入手可能な1800ワット最大パワー出力
レーザなどのCW CO2レーザである。
反応物が反応物の流れを始める。反応物の流れは反応ゾーン226を通過する。
反応ゾーンでは亜鉛または他の金属前駆体化合物が関係する反応が起こる。反応
ゾーン226でのガスの加熱は非常に急激で、特定の条件に依りおおよそ105 ℃/秒のオーダーである。反応は反応ゾーン226を過ぎると急冷され、粒子2
30が反応物の流れの内で形成される。プロセスの非平衡の性質により、サイズ
分布が非常に均一で、構造的な一様性も高いナノ粒子が製造される。
ズル202から約2cm離されている。注入ノズル202と捕集ノズル232と
の間の小さな空間により、反応チェンバ104の反応物及び生成物による汚染の
軽減が促進される。捕集ノズル232は、図2の上の挿入図に示されるように、
円形開口234を有する。円形開口234は捕集装置106に送り込む。
モニタした。望ましい酸化物を製造するための好ましいチェンバ圧力は一般に約
80Torrから約700Torrの範囲である。
管状部分の1つは図2の断面図の面内に突出しており、第2の追加の管状部分は
図2の断面図の面から突出している。上から見ると、4つの管状部分がチェンバ
の中心の周りに大体対称的に配置されている。これらの追加の管状部分はチェン
バの内側を観察するための窓を有している。装置のこの構成では、粒子の製造を
容易にするために2つの追加の管状部分は使用されない。
ネル270を含む。粒子のサイズが小さいため、生成物粒子は一般に湾曲部の周
りのガス流に随行する。捕集装置106は生成物粒子を捕集するためにガス流内
にフィルタ272を含む。湾曲部分270により、フィルタはチェンバの真上で
支持されない。フィルタには、材料が不活性で、粒子をトラップするのに十分細
かいメッシュを有する限り、テフロン、ガラス繊維などの様々な材料を使用する
ことができる。フィルタ用の好ましい材料としては、例えば、ACEガラス社、
ヴィンランド、NJからのガラス繊維フィルタ及びAFイクイップメント社(E
quipment Co.)、サニーヴェール、CAからの円筒ノメックス(N
omex、登録商標)フィルタが挙げられる。
。様々な異なるポンプを使用することができる。ポンプ274として使用するの
に適当なポンプとしては、例えば、ポンプ容量が約25立方フィート/分(cf
m)のブッシュ社(Busch Inc.)、ヴァージニアビーチ、VAからの
ブッシュモデルB0024ポンプ、ポンプ容量が約195cfmのレイボウルド
バキュウムプロダクト(Leybold Vacuum Products)、
エキスポート、PAからのレイボウルドモデルSV300ポンプが挙げられる。
ポンプの排出物はスクラバー276を通して流し、残りの反応化学薬品を除去し
た後、雰囲気中に排出することが望ましい。システム全体100あるいはその一
部は換気のために、かつ安全を考慮して、換気フード内に配置することができる
。一般に、光源108はサイズが大きいので換気フードの外側に配置する。
御される。一般に、コンピュータ280は光源108を制御し、圧力ゲージ25
0などにより反応チェンバ104内の圧力をモニタする。コンピュータ280を
使用して、反応物及び/またはシールディングガスの流れを制御することができ
る。ポンピング速度は、ポンプ274とフィルタ272との間に挿入された手動
針弁または自動絞り弁のいずれかにより制御される。フィルタ272上に粒子が
蓄積してチェンバ圧力が増加すると、針弁または絞り弁を調節して、ポンピング
速度及び対応するチェンバ圧力を維持することができる。
ィルタ272に介しての抵抗に対し反応チェンバ104内の所望の圧力を維持す
ることができなくなるまで続けることができる。反応チェンバ104内の圧力を
もはや望ましい値に維持することができなくなると、反応を中止し、フィルタ2
72を除去する。この実施の形態を用いると、チェンバ圧力をもはや維持するこ
とができなくなるまでの単一の運転で、約1−300gの粒子を捕集することが
できる。単一の運転は、生成される粒子の型及び使用されるフィルタの型により
、一般に約10時間まで継続することができる。
ト292に接続された不活性ガス源220を含む。不活性ガスダクト292は環
状チャネル294内に流れ込む。質量流量制御装置296は不活性ガスの不活性
ガスダクト292内への流れを調節する。図3に示した反応物供給装置112を
使用する場合、不活性ガス源126はまた、望み通り、ダクト192用の不活性
ガス源として機能することができる。同様に、別個のガス源を使用して、不活性
ガスダクト292及び管216、218に供給することができる。
である。レーザは一般に約0.5%の出力安定性を有する。手動制御または絞り
弁のいずれかにより、チェンバ圧力は約1%以内に制御することができる。
できる。この別の構成では、反応物は反応チェンバ上から供給され、生成物粒子
はチェンバの底から捕集される。捕集システム106は、反応チェンバ104の
下に載置する場合、湾曲部分を含まなくてもよい。そのため、捕集フィルタは反
応チェンバ104の真下に載置される。
「化学反応による粒子の効率のよい製造」と題する米国特許出願番号第08/8
08,850号において説明されている。これについては参照により明細書に組
み込むものとする。この他の設計は、レーザ熱分解により商業的な量の粒子の製
造を容易にしようとするものである。反応チェンバは反応物の流れに対し垂直に
、レーザビームに沿って細長く、反応物及び生成物のスループットが増大する。
装置の元の設計はガス状反応物の導入に基づくものである。エアロゾルを細長い
反応チェンバに導入するための他の実施の形態については、共に出願中の、共に
譲渡された、1998年11月9日に出願された「反応物供給装置」と題するガ
ードナーらの米国特許出願番号第09/188,670号において説明されてい
る。この出願については、参照により明細書に組み込むものとする。
せ、資源を有効に利用するように設計された反応チェンバを含む。これらの目的
を達成するために、反応物及び生成物のスループットを増大させるが、対応する
チェンバの無駄な容積の増大が起こらない細長い反応チェンバを使用する。チェ
ンバの無駄な容積は未反応化合物及び/または反応生成物により汚染されること
がある。
ェンバ304まで案内する。反応物入口302は主チェンバ304の形状と大体
一致する。主チェンバ304は粒状生成物、未反応ガス及び不活性ガスを取り出
すために反応物/性生物ストリームに沿う出口306を含む。シールディングガ
ス入口310を反応物入口302の両側に配置する。シールディングガス入口を
使用して、反応物の流れの両側に不活性ガスのブランケットを形成させ、チェン
バ壁と反応物または生成物との間の接触を妨害する。
322は反応チェンバ300を通る光線通路328を規定する窓324、326
を保持する。管状部分320、322は不活性ガスを管状部分320、322内
に導入するための不活性ガス入口330、332を含むことができる。
含む。捕集システムは、製造を終了する前に大量の粒子を捕集するバッチモード
で粒子を捕集するように設計することができる。その代わりに、捕集装置内の異
なる粒子捕集器間で切替ることにより、あるいは捕集システムを周囲の雰囲気に
暴露させずに粒子を取り出すことにより、連続製造モードで運転するように捕集
システムを設計することができる。連続粒子製造用の捕集装置の他の好ましい実
施の形態については、共に出願中の共に譲渡された、ガードナーらの「粒子捕集
装置と関連する方法」と題する米国特許出願番号第09/107,729号にお
いて説明されている。この出願については、参照により明細書に組み込むものと
する。捕集装置は流れ通路内に、図2に示した捕集装置の湾曲部と同様の湾曲部
品を含む。
ムの特定の実施の形態350を示す。この実施の形態では、反応チェンバをガス
状反応物のみを供給するために設計された反応物供給装置と共に、あるいは所望
のガスと共にエアロゾル反応物を供給することができる反応物供給装置と共に使
用することができる。レーザ熱分解反応装置350は反応チェンバ352と、粒
子捕集装置354と、光源356と、入口362に取り付けられた反応物供給シ
ステムとを含む。
反応物供給装置が反応物チェンバ352と接続する。反応物供給装置と結合され
たノズルは反応物チェンバ352内に延在することができる。ガス状反応物は反
応チェンバ352の延長線に大体一致するように延長されたノズルを通して供給
することができる。同様に、エアロゾルを供給することができ、反応チェンバの
細長い形状を占めることができる。
物は反応チェンバ352の上から捕集される。この構成は反対にすることができ
、望み通り、反応物はうえから供給され、生成物は底から捕集される。シールデ
ィングガスコンジットを反応物入口364の周りの適当な位置に配置することが
できる。シールディングガスコンジットはシールディングガスを反応チェンバ3
52の壁に沿って誘導し、反応ガスあるいは生成物と壁との結合を防止する。
伸びている。レーザビーム通路366は主チェンバ372から管370に沿って
配置されている窓368を通って入り、反応チェンバ352の伸長方向を横断す
る。レーザビームは管374を通過し窓376から出る。1つの実施の形態では
、管370、374により窓368、376は主チェンバ372から約11イン
チ離して配置される。レーザビームはビームダンプ378で終結する。動作中、
レーザビームは反応物入口364を通って発生した反応物の流れと交差する。
捕集システム354は主チェンバ372の上面に接続された出口ダクト380を
含む、主チェンバ372からの流れを収容する。出口380は図8に示されるよ
うに、反応物の流れの面から生成物粒子を円筒フィルタ382まで運搬する。フ
ィルタ382は一端にキャップ384を有し、フィルタ382の中心に直接流れ
込まないようにしている。フィルタ382の他端はディスク386に固定する。
孔388がディスク386の中心に固定され、フィルタ382の中心への出入り
が可能となる。孔388はダクトによりポンプに取り付けられる。
フィルタ382上にトラップされる。適したポンプについては、図2の第1のレ
ーザ熱分解装置に関して以上で説明した。フィルタ382として使用するのに適
したフィルターとしては、例えば、Saab 9000自動車用の空気清浄器フ
ィルタ(ピューリレイター(Purilator)部品 A44−67)が挙げ
られ、これはプラスチコル(Plasticol、登録商標)あるいはポリウレ
タン端キャップ384を有するワックス含浸紙である。反応物注入部品及び捕集
システムの構成は反対にすることができ、その場合、粒子は装置の上部で捕集さ
れる。
作に適している。この場合、動作はフィルタ382にさらに粒子を捕集すること
ができなくなった時に中止される。他の捕集装置は上述したように連続動作にお
いて反応チェンバ352を動作させるのに適している。
されるように設計される。1800ワットのCO2レーザを用いる場合、亜鉛酸
化物ナノ粒子を製造するための反応物入口364の妥当な寸法は約5mmから約
1mである。
せることができる。特に、ナノスケールの亜鉛酸化物粒子をオーブン内で酸化環
境あるいは不活性環境において加熱することにより、酸素量を変更させ、結晶格
子を変え、あるいは粒子上の吸収化合物を取り除いて粒子の品質を改良すること
ができる。
でもよい。ナノスケールの粒子が好ましい開始材料である。適したナノスケール
の開始材料はレーザ熱分解により生成される。さらに、開始材料として使用され
る粒子は異なる条件下で1以上の前加熱工程にかけることができる。オーブン中
での金属酸化物ナノスケール粒子の処理については、さらに、共に出願中の共に
譲渡された、1997年7月21日に出願された「熱による酸化バナジウム粒子
の処理」と題する米国特許出願番号第08/897,903号において説明され
ている。この出願については参照により明細書に組み込むものとする。
することが好ましい。処理条件は一般に穏やかであり、そのため焼結する粒子は
ほとんどない。加熱温度は好ましくは開始材料及び生成物材料の両方の融点より
も低い。
できるが、サンプルと接触するガスの性質により異なる生成物が形成するかもし
れない。粒子上の雰囲気は静的とすることができ、あるいはシステムを通してガ
スを流すことができる。適当な酸化ガスとしては、例えば、O2、O3、CO、
CO2及びそれらの組み合わせが挙げられる。O2は空気として供給することが
できる。
ことができる。不活性ガスを酸化ガスと混合させる場合、ガス混合物は約1%の
酸化ガスから約99%の酸化ガスとすることができ、より好ましくは約5%の酸
化ガスから約99%の酸化ガスとすることができる。その代わりに、望み通り、
本質的に純粋な酸化ガスあるいは純粋な不活性ガスのいずれかを使用することが
できる。
できる。例えば、温度、加熱時間、加熱および冷却速度、ガスおよびガスに関す
る暴露条件はすべて、望み通りに変更することができる。一般に、酸化雰囲気下
での加熱では、加熱期間が長くなると、平衡に達する前に材料内に混入される酸
素の量が多くなる。いったん平衡条件に達すると、全般的な条件が粉末の結晶相
を決定する。
行するのに適した装置400の例を図9に示す。装置400はジャー402を含
み、このジャーはガラスまたは他おの不活性材料から製造され、この中に粒子が
入れられる。適したガラスジャーはエースガラス(Ace Glass)(ヴィ
ンランド、NJ)から入手可能である。ガラスジャー402の上面は、ジャー4
02とキャップ404との間のテフロン(登録商標)ガスケット405により、
ガラスキャップ404に密閉される。キャップ404は1以上のクランプにより
定位置に保持することができる。キャップ404は複数のポート406を含み、
各ポートはテフロン(登録商標)ブラッシングを備える。複数の羽根を有するス
テンレス鋼攪拌機408をキャップ404の中央ポート406を通して挿入する
ことが好ましい。攪拌機408は適したモータに接続される。
通して挿入される。管410はステンレス鋼または他の不活性材料から製造する
ことができる。ディフューザ412を管410の先に含ませて、ガスをジャー4
02内に分配することができる。加熱器/炉414が一般にジャー402の周囲
に配置される。適した抵抗加熱器はガラス−コル(Glass−col)(テレ
ホート、IN)から入手可能である。1つのポートは好ましくはT接続416を
含む。ジャー402内の温度はT接続416を介して挿入された熱電対416を
用いて測定することができる。T接続416はさらに孔418に接続することが
できる。孔418はジャー402を通って循環するガスを排出する。好ましくは
孔418は換気フードまたは他の換気装置に排出する。
ガス源420及び/または不活性ガス源422に接続される。酸化ガス源420
及び不活性ガス源422はガスシリンダまたは他の適した容器とすることができ
る。所望の雰囲気を生成させる酸化ガス、不活性ガスあるいはそれらの混合物を
適当なガス源からジャー402内に入れる。
ートル/分(sccm)から約1000sccmであり、より好ましくは約10
sccmから約500sccmである。流速は一般に処理工程中一定であるが、
流速及びガスの組成は、要求があれば、処理中の時間経過と共に体系的に変更さ
せることができる。その代わりに、静的なガス雰囲気を使用することができる。
より好ましくは約60℃から約400℃である。粒子は好ましくは約5分より長
く加熱し、一般に約5分から約100時間の間加熱する。加熱は好ましくは約2
時間から約100時間の間、より好ましくは約2時間から約50時間の間、続け
る。所定の標的生成物粒子に対しては、さらに加熱しても粒子組成にはさらなる
変更は生じない。
必要とされるかもしれない。穏やかな条件を使用すると、より大きな粒子サイズ
となる粒子間の焼結が避けられる。幾分高い温度で、粒子の幾つかの制御された
焼結を実行することができ、わずかに大きな平均粒子径を製造することができる
。
、好ましくは約95nm未満であり、より好ましくは約5nmから約50nmで
あり、さらに好ましくは約5nmから約25nmである。主粒子は通常、大体球
状の大きな外観を有する。より徹底的に調査すると、結晶性亜鉛酸化物粒子は一
般に基礎の結晶格子に対応する面を有する。それにも関わらず、主粒子は物理的
3次元において大体同等に成長する傾向があり、大きな球状外観を呈することと
なる。一般に、主粒子の95%、好ましくは99%において、短軸方向の大きさ
に対する長軸方向の大きさの比が約2未満である。非対称の粒子に関する直径測
定は、粒子の主軸に沿う長さ測定値の平均を基本とする。
電磁力により緩い凝集体を形成する傾向がある。それにも関わらず、主粒子のナ
ノメートルスケールは、粒子の透過電子顕微鏡写真においてはっきりと観察する
ことができる。粒子は一般に顕微鏡写真において観察されるようなナノメートル
スケールの粒子に対応する表面積を有する。さらに、粒子はサイズが小さいこと
、材料の1g当りの表面積が大きいことにより独特の特性を示すことができる。
より独特の特性を示す。特に関連するものとして、粒子は以下でさらに説明する
ように、変化するバンド構造を有する。表面積が大きいと、一般に粒子の光度が
高くなる。
査から決定されるように、主粒子は一般に、主粒子の少なくとも95%、好まし
くは99%が平均直径の約40%より大きく平均直径の約160%よりは小さい
直径を有するようなサイズ分布を有する。好ましくは、主粒子は、主粒子の少な
くとも約95%が平均直径の約60%より大きく平均直径の約140%より小さ
い直径を有するような直径分布を有する。
ましくは平均直径の2倍を超える平均直径を有する主粒子は存在しない。言い換
えると、粒子サイズ分布は事実上、かなり大きなサイズの粒子が少数あることを
示す末尾を有しない。これは、反応領域が小さく、対応する粒子の急冷が急激で
あるからである。末尾における効果的な切断は、平均直径を超える特別な切断値
より大きな直径を有するものは106中に約1分子もないことを示す。サイズ分
布が狭く、その部分中の尾部が無く、大体球状の形態であれば、様々な適用にお
いて、特に発光範囲の狭い発光体のために利用することができる。
粒子サイズ)2に大体比例して増加する。とりわけ粒子サイズが小さいと、状態
密度が十分低くなり、バンドの記述(band description)が不
完全なものとなるかもしれない。というのは個々の分子軌道がより顕著な役割を
果たすことがあるかもしれないからである。電子特性の分子軌道記述を説明する
必要性に関わらず、定性的な傾向を保持すべきである。
ため、発光スペクトルが狭くなる。その結果、平均粒子径に依存する発光極大を
有するより鋭い発光スペクトルが得られる。このように、非常に小さな粒子を使
用すると、第2の金属を用いてりん光粒子を活性化する必要なく、発光特性を調
節することができる。
速度電子と共に使用するのに好都合である。というのは、電子は層内に深く浸透
することができないからである。粒子のサイズが小さいとまた、導電性を帯び、
例えばフォトリソグラフィーを使用して、パターン要素間に鋭い縁を有する小さ
なパターンが形成される。小さな、はっきりと分離された要素の製造は、高解像
度ディスプレイの形成にとっては重要である。
された結晶性亜鉛酸化物ナノ粒子は反応ガスよりも高い純度を有すると予測され
る。というのは、結晶形成プロセスにより汚染物質が格子から排除される傾向が
あるからである。さらに、レーザ熱分解により製造される結晶性亜鉛酸化物粒子
は一般に結晶度の程度が高く、表面の歪みはほとんどない。
解を効果的に使用して単相結晶粒子を製造することができる。主粒子は一般に材
料の単一結晶から成る。単相、粒子の単一な結晶特性を均一性及び狭いサイズ分
布と共に好都合良く使用することができる。所定の条件下では、レーザ熱分解に
よりアモルファス粒子を形成することができる。アモルファス粒子の中には穏や
かな条件下で加熱処理を施し結晶粒子を形成することができるものがある。
nO2の化学量論を有することができる。製造パラメータを変更して、特別の化
学量論の亜鉛酸化物用に選択することができる。
は励起後、光、好ましくは可視光を発する。様々な方法を用いて発光体を励起す
ることができる、特別な発光体は1以上の励起アプローチに応答することができ
る。特別な型のルミネセンスとしては、カソードルミネセンス、フォトルミネセ
ンス及びエレクトロルミネセンスが挙げられる。これらはそれぞれ、電子、光及
び電場による励起が関係する。カソードルミネセンス発光体として適した多くの
材料はまた、エレクトロルミネセンス発光体としても適している。
された電子を用いる低速度電子励起に適している。粒子のサイズが小さいので、
低速度電子励起に適している。さらに、平均直径が約100nm未満の好ましい
粒子により、低電子速度励起を用いて高いルミネセンスを発生させることができ
る。発光体粒子を使用して、低速度電子、高速度電子、あるいは電場に基づく様
々なディスプレイ装置を製造することができる。
層を有するアノード502を含む。発光体層は適当な形状とされたカソード50
6に面しており、このカソードは発光体を励起するのに使用される電子源である
。アノード502とカソード506との間にグリッドカソード508を配置して
、カソード506からアノード502までの電子の流れを制御することができる
。
一般に比較的高い電子速度を使用する。上述したように、異なる色の粒子を供給
する、蛍光体層の厚さを減少させる及び所定の光度に対する発光体の量を減少さ
せる便利な方法として、都合良く発光体粒子を使用することができる。CRTは
、アノードとカソードが比較的長い距離だけ離されていること、グリッド電極で
はなくステアリング電極が一般に使用されてカソードからアノードまで電子が誘
導されることを除き、図10に示した一般構造を有する。
ルディスプレイは、例えば、液晶または電界放出装置を基本とすることができる
。液晶ディスプレイは様々な光源を基本とすることができる。発光体は液晶ディ
スプレイ用の証明の製造において使用することができる。図11について説明す
る。液晶素子530は、液晶層536を取り囲む少なくとも部分的に光が透過す
る基板532、534を含む。照明はアノード540上の発光体層538により
提供される。カソード542は発光層538を励起するための電子源を提供する
。他の実施の形態は、例えば米国特許第5,504,599号において説明され
ている。この特許については参照により明細書に組み込むものとする。
明により照射することもできる。図12について説明する。エレクトロルミネセ
ンスディスプレイ550は第1の電極として機能する導電性基板552を有する
。導電性基板は、例えば、アルミニウム、グラファイトなどから製造することが
できる。第2の電極は透明で、例えば酸化スズインジウムから形成することがで
きる。電極552と554との間に、第1の電極552と隣接させて誘電体層5
56を配置してもよい。誘電体層556はシアノエチルセルロースまたはシアノ
エチルスターチなどの誘電性バインダ558を含む。誘電体層556はまた、チ
タン酸バリウムなどの強誘電性材料560も含むことができる。誘電体層556
は(ac−駆動とは対照的に)dc−駆動エレクトロルミネセンス装置では必要
ないかもしれない。透明電極554と誘電体層556との間に発光体層562が
配置される。発光体層562は誘電性バインダ566中に亜鉛酸化物ナノ粒子な
どのエレクトロルミネセンス粒子564を含む。材料の相対的なサイズは必ずし
も計る必要はない。
び制御スイッチ照明などの他のディスプレイの適用にも使用することができる。
さらに、液晶/エレクトロルミネセンスディスプレイを組み合わせたものは設計
されている。ファー(Fuh)らの日本ジャーナル応用物理学(Japan J
. Applied Phys.)33:L870−872(1994)を参照
のこと。これについては参照により明細書に組み込むものとする。
較的短い距離だけ離しては位置されたアノード582とカソード584とを含む
。各電極対は個別にアドレス指定することができるピクセルを形成する。発光体
層586は各アノードとカソード584との間に配置される。発光体層586は
上述したようにりん光性ナノ粒子を含む。選択された発光振動数を有するりん光
粒子を特別なアドレス指定可能な位置に配置することができる。発光体層586
はカソード584からアノード582まで移動する低速度電子により励起される
。グリッド電極588を使用して、電子ビームを加速し、集束させると共に、発
光体層586で誘導された電子に対するオン/オフスイッチとして機能させるこ
とができる。アノード582とグリッド電極588との間に電気絶縁層を配置す
る。素子は一般にフォトリソグラフィー、あるいは集積回路製造用のスパッタリ
ングや化学蒸着などの類似の技術により製造される。図13に示されるように、
アノード582は少なくとも部分的に透明であるべきあり、発光体586により
発生られた光の透過が可能となる。
号では、(面ではなく)縁が光伝播の望ましい方向に沿って配向された発光体層
を有する電界放出装置を組入れたディスプレイが開示されている。この特許にお
いて開示されている構成は、所望の振動数で発光する発行体を使用するのではな
く、所望のカラー発光を生成するためにカラーフィルタを組入れている。上述し
た粒子に基づき、好ましくは、選択された発光体粒子を使用して異なる色の光を
生成し、これによりカラーフィルタの必要性を排除する。
りに、ナノ粒子を硬化可能なポリマーなどのバインダと共に混合し、基板に適用
することができる。硬化可能なバインダ及び発光体ナノ粒子を含む組成物を、フ
ォトリソグラフィーあるいは、集積回路基板の形成に使用することができる技術
などの基板のパターニング用の他の適した技術により基板に適用することができ
る。組成物を基板上の適した位置に堆積させると、材料を適した条件に暴露しポ
リマーを硬化させることができる。ポリマーは電子ビーム照射、UV照射あるい
は他の適した技術により硬化させることができる。
る。抵抗器の断面の概略図を図14に示す。抵抗器480は金属リード線482
、484を含む。複合物488内に亜鉛酸化物ナノ粒子486を埋設する。複合
物は追加の金属酸化物粒子及び/または炭化珪素粒子を含むことができる。抵抗
器480は電気絶縁カバー490を含む。
arister)の製造に使用することができる。抵抗材料はさらに、Bi2O 3 、Sb2O3、SiO2、Co2O3、MnO3、他の金属酸化物およびSi
Cなどの様々な追加の添加剤を含むことができる。様々な材料をバインダと混合
する。得られた材料を焼結させることができる。適当なリード線及び絶縁コーテ
ィングを構造に取り付けて、電気部品を形成させることができる。バリスタの形
成についてはさらに、イマイらの米国特許第5,250,281号において説明
されている。この特許について参照により明細書に組み込むものとする。
を適合させることができる。
行した。本質的には、上述したように、図4の反応物供給装置を用いる図2のレ
ーザ熱分解装置を用いて粒子を製造した。
体を、脱イオン水を用いて調製した4M硝酸亜鉛水溶液のエアロゾルとして、反
応チェンバ内に供給した。C2H4ガスをレーザ吸収ガスとして使用し、分子酸
素を酸素源として使用し、アルゴンを不活性ガスとして使用した。Ar、O2、
C2H4を図4の装置内のキャリアガスとして供給した。Zn(NO3)2、A
r、H2O、O2及びC2H4を含む反応物混合物を反応チェンバ内に注入する
ための反応物ノズル内に導入した。反応物ノズルは5/8インチ×1/4インチ
の大きさの開口を有した。実施例の粒子に関連するレーザ熱分解合成の他のパラ
メータについては表1に示す。 表1 slm=標準リットル/分 アルゴン−窓=入口216、218を通るアルゴン流 アルゴン−Sld.=環状チャネル142を通るアルゴン流
、シーメンス(Siemens)D500x線回折装置で、Cu(Kα)放射線
を用いたx線回折によりサンプル検査を行った。表1において特定した条件下で
製造したサンプルに対するx線回折図を図15に示す。粒子は亜鉛酸化物、Zn
Oに対応するx線回折図を示した。約22°と等しい2θの値の回折図中の鋭い
ピークは同定されなかった。他の結晶相がサンプル中に存在することが示された
。また、約18°に等しい2θ値を中心とするブロードなピークにより、同定さ
れていないアモルファス相、おそらくアモルファス亜鉛酸化物の存在が示される
。このように、3相の材料が明らかに生成物粉末中に存在した。
素と、0.2%の窒素と、0.08%の水素との微量汚染物質と、が得られた。
粒子は、おそらく炭素が存在するせいで、灰色であった。残りの重量が酸素であ
ると仮定すると、材料はZnOに対し幾分酸素リッチである。以前に知られてい
ない亜鉛酸化物相が存在するかもしれない。炭素汚染は、酸素雰囲気中、穏やか
な条件下で加熱することにより除去することができる。金属酸化物ナノ粒子から
の炭素汚染物の除去については、さらに、共に出願中の共に譲渡された、クマー
ル(Kumar)らの「酸化アルミニウム粒子」と題する米国特許出願番号09
/136,483号において説明されている。この出願については参照により明
細書に組み込むものとする。
びレーザ出力/温度などのパラメータを変化させ単相亜鉛酸化物を製造するため
の条件に設定することにより、単相結晶ZnOを得ることができる。表1に示し
た条件下ではかなりの量の結晶ZnOが製造されたので、単相材料の製造に適し
ているパラメータはこれらのパラメータに類似するであろう。
条件下で製造した粒子のTEM写真を図16に示す。対応する粒子サイズ分布を
図17に示す。図16の写真において明確に見ることができる粒子の直径を手作
業で測定することによりおおよそのサイズ分布を決定した。明確な粒子境界を有
する粒子のみを測定し、写真において歪んだあるいは焦点からずれた領域を避け
た。そのようにして得た測定値はより正確で、偏りが無い。というのは、単一の
写真ではすべての粒子の明確な写真を示すことができないからである。図17に
示した粒子サイズ分布は複数の相の材料を示すニモードあるいは三モード分布を
有する。上述したように、異なる相の材料は異なるサイズの粒子を形成する。単
相の生成物粒子を得るように選択した条件下でレーザ熱分解を実行すると、特別
の相の粒子では狭いサイズ分布が得られるはずである。特に、得られた単相結晶
ZnOは図17からの3つのピーク幅の1つに大体対応する非常に狭い粒子サイ
ズ分布を有するであろう。
らに他の実施の形態が以下の請求の範囲内にある。この発明について好ましい実
施の形態を用いて説明してきたが、当業者であれば、この発明の精神及び範囲内
であれば、形態及び詳細において変更が可能であることは認識されるであろう。
である。
の概略断面図であり、下の挿入図は1または2の反応物入口を備える注入ノズル
の底面図であり、上の挿入図は捕集ノズルの底面図である。
給装置の概略図である。
応物供給装置の概略側面図である。
応物供給装置の他の実施の形態の概略側面図である。
して描いた、レーザ熱分解装置の他の実施の形態の反応チェンバの概略斜視図で
ある。
態の斜視図である。
る。
略断面図である。
断面図である。
形態の断面図である。
レイの1つの実施の形態の断面図である。
折図である。
である。
主な粒子径の分布をプロットしたものである。
Claims (28)
- 【請求項1】 結晶性亜鉛酸化物から成り、平均直径が約95nmより小さ
い粒子の集合体。 - 【請求項2】 粒子が約5nmから約50nmの平均粒子径を有する請求項
1の粒子の集合体。 - 【請求項3】 粒子が約5nmから約25nmの平均粒子径を有する請求項
1の粒子の集合体。 - 【請求項4】 粒子の集合体の平均直径の約4倍より大きい粒子径を有する
粒子が実質的に存在しない請求項1の粒子の集合体。 - 【請求項5】 粒子の集合体の平均直径の約3倍より大きい粒子径を有する
粒子が実質的に存在しない請求項1の粒子の集合体。 - 【請求項6】 少なくとも約95%の粒子が、平均粒子径の約40%より大
きく、平均粒子径の約160%より小さい粒子径を有する粒子分布である請求項
1の粒子の集合体。 - 【請求項7】 請求項1の粒子の集合体から成る電器抵抗要素。
- 【請求項8】 要素がバリスタである請求項7の電器抵抗要素。
- 【請求項9】 バリスタが非線形電圧依存性を有する請求項8の電器抵抗要
素。 - 【請求項10】 反応チャンバ内で亜鉛前駆体と酸素源とからなる反応物の
流れを熱分解させることを含む方法であって、熱分解が光ビームから吸収された
熱によって行われる亜鉛酸化物粒子を製造する方法。 - 【請求項11】 亜鉛酸化物粒子が、約150nmより小さい平均粒子径を
有する請求項10の方法。 - 【請求項12】 亜鉛酸化物粒子が、約5nmから約50nmの平均粒子径
を有する請求項10の方法。 - 【請求項13】 光ビームが、CO2レーザによって作られる請求項10の
方法。 - 【請求項14】 亜鉛前駆体が、ZnCl2及びZn(NO3)2からなる
群から選択された亜鉛化合物からなる請求項10の方法。 - 【請求項15】 反応物の流れの中の亜鉛前駆体が蒸気である請求項10の
方法。 - 【請求項16】 反応チェンバ内で亜鉛前駆体エアロゾルからなる反応物の
流れを熱分解させることを含み、熱分解が光ビームから吸収された熱によって行
われる亜鉛酸化物粒子を製造する方法。 - 【請求項17】 亜鉛前駆体が塩化亜鉛、硝酸亜鉛、ジメチル亜鉛及びジエ
チル亜鉛からなる群から選択された化合物からなる請求項16の方法。 - 【請求項18】 反応物の流れが、さらに酸素源を含む請求項16の方法。
- 【請求項19】 光ビームが、CO2レーザによって作られる請求項17の
方法。 - 【請求項20】 亜鉛前駆体がジエチル亜鉛からなり、反応物の流れがさら
に酸素源、ジエチル亜鉛からなり、酸素源は別のノズルを経由して反応チェンバ
内に供給される請求項16の方法。 - 【請求項21】 反応物通路に沿った出口を有する反応チェンバと、 反応チェンバ内で、複数の反応物入口からの反応物を結合させ、結合した反応
物を反応物通路に向ける反応物供給装置と、 光ビームを反応物通路に沿ってある結合した反応物に向ける光源と、から成る
反応システム。 - 【請求項22】 反応物供給装置が、 反応物通路内でエアロゾルを発生するエアロゾル供給装置と、 反応チェンバ内の反応物通路に沿ってガス状反応物とエアロゾルを結合させる
ガス状反応物供給装置と、から成る請求項21の反応システム。 - 【請求項23】 エアロゾル供給装置が、ガス供給源に接続した導管を含む
請求項22の反応システム。 - 【請求項24】 反応物供給装置が、反応チェンバ内の反応物通路に沿って
2つのガス状反応物を結合させるために配向された2つのガスポートを含む請求
項21の反応システム。 - 【請求項25】 反応物供給装置が、反応チェンバ内の反応物路に沿って2
つのエアロゾル反応物を結合させるために向けられた2つのエアロゾル供給装置
を含む請求項21の反応システム。 - 【請求項26】 エアロゾル供給装置の少なくとも1つが、ガス供給源に接
続した導管を含む請求項25の反応システム。 - 【請求項27】 さらに、反応物路に沿って結合した反応物の拡散を防ぐた
めに、シールディングガスを注ぐために配向されたシールディングガスポートを
含む請求項21の反応システム。 - 【請求項28】 反応物供給装置が、反応物通路に沿った反応チェンバ内で
3種類の反応物を結合させる請求項21の反応システム。
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006527160A (ja) * | 2003-06-11 | 2006-11-30 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピーエルシー | 酸化亜鉛 |
JP2007290892A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Nagoya Institute Of Technology | ZnO系ナノチューブの製造方法及びそれによって得られたZnO系ナノチューブ |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7423512B1 (en) * | 1997-10-31 | 2008-09-09 | Nanogram Corporation | Zinc oxide particles |
US6692660B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-02-17 | Nanogram Corporation | High luminescence phosphor particles and related particle compositions |
US6919054B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-07-19 | Neophotonics Corporation | Reactant nozzles within flowing reactors |
JP2002539064A (ja) | 1999-03-10 | 2002-11-19 | ナノグラム・コーポレーション | 亜鉛酸化物粒子 |
US6723435B1 (en) | 2001-08-28 | 2004-04-20 | Nanogram Corporation | Optical fiber preforms |
US8156057B2 (en) * | 2003-03-27 | 2012-04-10 | Knowm Tech, Llc | Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components |
US6889216B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-05-03 | Knowm Tech, Llc | Physical neural network design incorporating nanotechnology |
US20030236760A1 (en) * | 2002-06-05 | 2003-12-25 | Alex Nugent | Multi-layer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology |
US20040039717A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Alex Nugent | High-density synapse chip using nanoparticles |
US20040193558A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-09-30 | Alex Nugent | Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components |
US7398259B2 (en) * | 2002-03-12 | 2008-07-08 | Knowmtech, Llc | Training of a physical neural network |
US7392230B2 (en) * | 2002-03-12 | 2008-06-24 | Knowmtech, Llc | Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology |
US9269043B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-02-23 | Knowm Tech, Llc | Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology |
US7412428B2 (en) * | 2002-03-12 | 2008-08-12 | Knowmtech, Llc. | Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks |
US7752151B2 (en) * | 2002-06-05 | 2010-07-06 | Knowmtech, Llc | Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology |
US7827131B2 (en) * | 2002-08-22 | 2010-11-02 | Knowm Tech, Llc | High density synapse chip using nanoparticles |
US20040126582A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-07-01 | Nano-Proprietary, Inc. | Silicon nanoparticles embedded in polymer matrix |
US7426501B2 (en) * | 2003-07-18 | 2008-09-16 | Knowntech, Llc | Nanotechnology neural network methods and systems |
US7361204B1 (en) * | 2003-11-05 | 2008-04-22 | Research Foundation Of The University Of Central Florida | Generator for flux specific bursts of nano-particles |
US7502769B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-03-10 | Knowmtech, Llc | Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology |
US7409375B2 (en) * | 2005-05-23 | 2008-08-05 | Knowmtech, Llc | Plasticity-induced self organizing nanotechnology for the extraction of independent components from a data stream |
GB0510035D0 (en) * | 2005-05-17 | 2005-06-22 | Univ Cranfield | Electroluminescent devices |
US20070003694A1 (en) * | 2005-05-23 | 2007-01-04 | Shivkumar Chiruvolu | In-flight modification of inorganic particles within a reaction product flow |
US7420396B2 (en) * | 2005-06-17 | 2008-09-02 | Knowmtech, Llc | Universal logic gate utilizing nanotechnology |
US7599895B2 (en) | 2005-07-07 | 2009-10-06 | Knowm Tech, Llc | Methodology for the configuration and repair of unreliable switching elements |
US7930257B2 (en) | 2007-01-05 | 2011-04-19 | Knowm Tech, Llc | Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology |
KR100838026B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-06-12 | 금오공과대학교 산학협력단 | 산화아연 나노구조체의 대량 합성장치 및 산화아연나노구조체의 대량 합성방법 |
FR2916193B1 (fr) * | 2007-05-18 | 2009-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Synthese par pyrolyse laser de nanocristaux de silicium. |
US20090020411A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-22 | Holunga Dean M | Laser pyrolysis with in-flight particle manipulation for powder engineering |
DE102008035524A1 (de) | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Ibu-Tec Advanced Materials Ag | Zinkoxid-Partikel, Zinkoxid-Pulver und Verwendung dieser |
CN102153132B (zh) * | 2011-03-02 | 2012-11-21 | 复旦大学 | 一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法 |
GB2494103B (en) * | 2011-08-01 | 2014-01-01 | Weston Aerospace Ltd | A Resistor and a Method of Manufacturing a Resistor Capable of Operating at High Temperatures |
CN102585487B (zh) * | 2011-12-31 | 2014-03-12 | 瑞安市顺丰塑料助剂有限公司 | 纳米氧化锌聚氨酯橡胶母粒的专用制备装置及制备方法 |
FR2993262B1 (fr) * | 2012-07-12 | 2017-08-25 | Nanomakers | Procede de fabrication par pyrolyse laser de particules submicroniques multicouches |
KR20150043436A (ko) * | 2012-08-14 | 2015-04-22 | 바스프 에스이 | 세리아-지르코니아-혼합 산화물 입자 및 열분해에 의한 이의 제조 방법 |
KR20140046617A (ko) * | 2012-10-09 | 2014-04-21 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 |
KR101295543B1 (ko) * | 2013-03-21 | 2013-08-09 | 한국기계연구원 | 양자점 제조장치 |
WO2014203179A2 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Basf Se | Ceria-zirconia-mixed oxide particles and process for their production by pyrolysis of dispersions |
CN107089677B (zh) * | 2017-06-07 | 2018-07-10 | 首都医科大学宣武医院 | 基于丝素蛋白生物模板调控的氧化锌纳米颗粒制备方法 |
CN110915087B (zh) * | 2017-07-13 | 2021-04-16 | 住友电气工业株式会社 | 非欧姆组合物及其制造方法、电缆中间连接单元以及电缆终端连接单元 |
US11247005B2 (en) * | 2018-09-26 | 2022-02-15 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Aerosol delivery device with conductive inserts |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2603554A (en) * | 1948-06-01 | 1952-07-15 | American Zinc Lead & Smelting | Production of zinc oxide |
US2610154A (en) | 1950-11-04 | 1952-09-09 | Gen Electric | Luminescent zinc sulfide phosphors and method of preparing same |
US2898191A (en) | 1953-01-02 | 1959-08-04 | Merck & Co Inc | Process for preparing zinc oxide |
US2854413A (en) | 1953-08-13 | 1958-09-30 | Du Pont | Phosphors |
US2863084A (en) | 1955-06-27 | 1958-12-02 | Westinghouse Electric Corp | Cathode-ray device |
US4702808A (en) * | 1957-06-27 | 1987-10-27 | Lemelson Jerome H | Chemical reaction apparatus and method |
US2968627A (en) | 1958-02-12 | 1961-01-17 | Westinghouse Electric Corp | Electroluminescent phosphor and method |
US3040202A (en) | 1958-07-03 | 1962-06-19 | Westinghouse Electric Corp | Electroluminescent cell and method |
US3131025A (en) | 1959-10-29 | 1964-04-28 | Eastman Kodak Co | Zinc sulfide optical element |
US3406228A (en) | 1964-06-17 | 1968-10-15 | Cabot Corp | Method of producing extremely finely-divided oxides |
US3260879A (en) | 1965-05-26 | 1966-07-12 | Canrad Prec Ind Inc | Electroluminescent zinc sulfide of optimum luminosity per gram |
US3691088A (en) | 1970-10-30 | 1972-09-12 | Sylvania Electric Prod | Process for preparing phosphors |
US3776754A (en) | 1971-07-22 | 1973-12-04 | Gaf Corp | Production of luminescent screens |
JPS554794B2 (ja) | 1973-07-31 | 1980-01-31 | ||
US4116864A (en) | 1975-05-12 | 1978-09-26 | Dai Nippon Toryo Co. Ltd. | Fluorescent compositions for low-velocity electron excited fluorescent display devices |
JPS5211175A (en) | 1975-07-18 | 1977-01-27 | Toshiba Corp | Activated gas reacting apparatus |
JPS5827832B2 (ja) | 1977-05-04 | 1983-06-11 | 化成オプトニクス株式会社 | 顔料付螢光体 |
DE2906505C2 (de) | 1978-02-20 | 1985-10-24 | Japan Electric Industry Development Association, Tokio/Tokyo | Fluoreszenzmischung und deren Verwendung in einem Fluoreszenzschirm einer durch langsame Elektronen angeregten Fluoreszenz-Anzeigevorrichtung |
JPS59206042A (ja) | 1983-05-07 | 1984-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微粉末の製造方法及び製造装置 |
US4468474A (en) | 1983-05-16 | 1984-08-28 | Allied Corporation | Iron/silicon-based catalyst exhibiting high selectivity to C2 -C62 Fischer-Tropsch reactions |
US4554291A (en) | 1983-05-16 | 1985-11-19 | Allied Corporation | Iron/silicon-based catalyst exhibiting high selectivity to C2 -C62 Fischer-Tropsch reactions |
US4548798A (en) * | 1984-04-16 | 1985-10-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Laser synthesis of refractory oxide powders |
US4558017A (en) | 1984-05-14 | 1985-12-10 | Allied Corporation | Light induced production of ultrafine powders comprising metal silicide powder and silicon |
JPS6167836A (ja) | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
JPS61127783A (ja) | 1984-11-28 | 1986-06-16 | Futaba Corp | 低速電子線励起螢光体およびその製造方法 |
US4536252A (en) | 1985-02-07 | 1985-08-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser-induced production of nitrosyl fluoride for etching of semiconductor surfaces |
KR870700028A (ko) | 1985-02-12 | 1987-02-28 | 리챠드 지, 워터맨 | 초미립 탄화붕소 분말의 제조방법 |
US4808398A (en) | 1985-02-14 | 1989-02-28 | The Dow Chemical Company | Narrow size distribution zinc oxide |
EP0214308B1 (en) | 1985-03-05 | 1993-07-28 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for preparing super-fine spherical particles of metal oxide |
US4668647A (en) | 1985-05-20 | 1987-05-26 | Exxon Research And Engineering Company | Iron carbide-based catalyst produced in the presence of laser radiation |
US4659681A (en) | 1985-05-20 | 1987-04-21 | Exxon Research And Engineering Company | Promoted iron-carbon-based catalysts produced in the presence laser radiation |
US4788222A (en) | 1985-05-20 | 1988-11-29 | Exxon Research And Engineering Company | Method for the production of hydrocarbons using iron-carbon-based catalysts |
US4689129A (en) | 1985-07-16 | 1987-08-25 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride |
US4687753A (en) | 1985-10-25 | 1987-08-18 | Exxon Research And Engineering Company | Laser produced iron carbide-based catalysts |
US4844736A (en) | 1986-11-04 | 1989-07-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method for the preparation of finely divided metal particles |
USH429H (en) | 1987-04-13 | 1988-02-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low temperature synthesis of metal sulfides |
US4957884A (en) | 1987-04-27 | 1990-09-18 | The Dow Chemical Company | Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness |
DE3739002A1 (de) | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Veba Oel Ag | Metallmischoxidpulver, deren mischungen, metalloxidpulver und deren verwendung bei der katalytischen dehydrierung von kohlenwasserstoffen |
US5225820A (en) | 1988-06-29 | 1993-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Microtip trichromatic fluorescent screen |
EP0360425B1 (en) | 1988-08-29 | 1993-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal composition comprising zinc oxide whiskers |
US5167990A (en) | 1988-12-08 | 1992-12-01 | Kasei Optonix, Ltd. | Method for treating the surface of a phosphor |
DE3843098A1 (de) | 1988-12-21 | 1990-06-28 | Technics Plasma Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur kunststoffbeschichtung von strangprofilen |
US4921767A (en) | 1988-12-21 | 1990-05-01 | Rca Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray-tube |
US5207878A (en) | 1989-01-18 | 1993-05-04 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for the preparation of fine particulate metal-containing compound |
US5064517A (en) | 1989-01-18 | 1991-11-12 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for the preparation of fine particulate-metal-containing compound |
JPH02309592A (ja) | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Central Glass Co Ltd | El素子およびその製造法 |
US5250281A (en) * | 1989-07-11 | 1993-10-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for manufacturing a voltage non-linear resistor and a zinc oxide material to be used therefor |
US5194128A (en) | 1989-07-12 | 1993-03-16 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method for manufacturing ultrafine particles |
US5156885A (en) | 1990-04-25 | 1992-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for encapsulating electroluminescent phosphor particles |
US5152973A (en) | 1990-05-08 | 1992-10-06 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Synthesis of submicron powders under reduced oxygen pressure |
JP3047110B2 (ja) | 1990-06-15 | 2000-05-29 | 株式会社東北テクノアーチ | 金属酸化物微粒子の製造方法 |
JPH04178489A (ja) | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
US5699035A (en) * | 1991-12-13 | 1997-12-16 | Symetrix Corporation | ZnO thin-film varistors and method of making the same |
US5264031A (en) | 1991-12-23 | 1993-11-23 | Kerr-Mcgee Chemical Corporation | Particulate opacifying extender for polymer coatings |
JPH0685356A (ja) | 1992-08-17 | 1994-03-25 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザー発振装置 |
US5390276A (en) | 1992-10-08 | 1995-02-14 | Briteview Technologies | Backlighting assembly utilizing microprisms and especially suitable for use with a liquid crystal display |
JPH06160850A (ja) | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
DE4242949A1 (de) | 1992-12-18 | 1994-06-23 | Bayer Ag | Feinteiliges, hochreines, neutrales Zinkoxidpulver, Verfahren zu dessen Herstellung und seine Verwendung |
US5358695A (en) | 1993-01-21 | 1994-10-25 | Physical Sciences, Inc. | Process for producing nanoscale ceramic powders |
US5442254A (en) | 1993-05-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Fluorescent device with quantum contained particle screen |
DE4324594A1 (de) | 1993-07-22 | 1995-01-26 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung von ZnS-Partikeln |
US5460701A (en) | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
DE4327081C2 (de) | 1993-08-12 | 1996-02-15 | Univ Schiller Jena | Durchflußreaktor für Flüssigkeiten und/oder Gase |
US5455489A (en) | 1994-04-11 | 1995-10-03 | Bhargava; Rameshwar N. | Displays comprising doped nanocrystal phosphors |
US5498446A (en) * | 1994-05-25 | 1996-03-12 | Washington University | Method and apparatus for producing high purity and unagglomerated submicron particles |
US5698177A (en) * | 1994-08-31 | 1997-12-16 | University Of Cincinnati | Process for producing ceramic powders, especially titanium dioxide useful as a photocatalyst |
US5712527A (en) | 1994-09-18 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Multi-chromic lateral field emission devices with associated displays and methods of fabrication |
US5621561A (en) | 1994-11-14 | 1997-04-15 | Neos Technologies, Inc. | Laser scanner incorporating variable focus mechanism for rapidly changing beam spot size |
US5578899A (en) | 1994-11-21 | 1996-11-26 | Silicon Video Corporation | Field emission device with internal structure for aligning phosphor pixels with corresponding field emitters |
EP0731065B1 (en) * | 1995-03-06 | 1999-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
WO1997009454A1 (en) | 1995-09-07 | 1997-03-13 | The Penn State Research Foundation | High production rate of nano particles by laser liquid interaction |
US5637258A (en) | 1996-03-18 | 1997-06-10 | Nanocrystals Technology L.P. | Method for producing rare earth activited metal oxide nanocrystals |
US5643496A (en) | 1996-04-04 | 1997-07-01 | Osram Sylvania Inc. | Small size electroluminescent phosphor |
WO1998037165A1 (en) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Superior Micropowders Llc | Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
US5958348A (en) | 1997-02-28 | 1999-09-28 | Nanogram Corporation | Efficient production of particles by chemical reaction |
WO1999004441A1 (en) | 1997-07-21 | 1999-01-28 | Nanogram Corporation | Vanadium oxide particles and batteries with electroactive nanoparticles |
US7132783B1 (en) * | 1997-10-31 | 2006-11-07 | Nanogram Corporation | Phosphor particles having specific distribution of average diameters |
JP2002539064A (ja) | 1999-03-10 | 2002-11-19 | ナノグラム・コーポレーション | 亜鉛酸化物粒子 |
-
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2001
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006527160A (ja) * | 2003-06-11 | 2006-11-30 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピーエルシー | 酸化亜鉛 |
JP4709142B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2011-06-22 | クローダ インターナショナル パブリック リミティド カンパニー | 酸化亜鉛 |
JP2007290892A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Nagoya Institute Of Technology | ZnO系ナノチューブの製造方法及びそれによって得られたZnO系ナノチューブ |
Also Published As
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