KR100424804B1 - 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 차세대 디스플레이용 형광체로 사용할 수 있는 서브마이크론 단위의 구형 형광체의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에서는 구형의 형광체를 제조하기 위하여, 수용성 형광체 염을 용매에 녹여 전구체를 제조한 후, 상기 제조된 전구체를 초음파 분무장치 또는 노즐장치를 이용하여 액적으로 분무시킨 후 고온의 반응기에서 이들을 열분해하고, 결정성을 부여하기 위하여 열처리함으로써 얻을 수 있다. 이때, 전구체의 제조 및 액적의 열분해 온도, 유동 가스의 종류 등 그 외의 여러 가지 공정조건에 따라 입자들을 제조하고 제조된 형광체의 특성을 파악하여, 그 특성들을 분말의 응용에 적합하게 최적화한다. 이에 따라 본 발명은 생산량을 수g/hr에서 수십kg/hr로 조절하여 대량으로 생산할 수 있다.

Description

결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법{SYNTHESIZING METHOD OF CRYSTALLINE AND SPHERICAL PHOSPHOR}

본 발명은 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 차세대 디스플레이용 형광체로 사용하기 위한 형광체를 구형이고 균일한 분포를 지닌 입자들로 제조하기 위한 구형 형광체의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 무기물 형광체는 경도 강화용 충진제로부터 발광물질에 이르기까지 다양한 분야에 활용되고 있다. 특히 고집적화 기술의 급속한 성장으로 이들의 응용에 적합한 고효율의 형광체들이 요구되고 있으며 구형의 서브마이크론(Submicron) 수준의 입자 생성기술에 관한 연구들이 진행되고 있다.

이러한 구형의 입자들을 제조할 수 있는 기술에는 여러 가지가 있다. 그 중에서도 액상법의 일종인 공침법이나 졸-겔법 등은 그 공정이 매우 복잡하고 제조된 미분체의 크기 분포는 일정하나 크기의 조절이 용이하지 못하다는 단점이 있다. 또한 실제 산업체에서 요구되는 양산에는 매우 어려움을 겪고 있는 것으로 알려져 있다. 즉, 많은 요구량의 생산에는 적합하지 못하며 마이크로미터(㎛) 이상의 입자제조에는 효율적이지 못하다. 이 외에도 가장 널리 쓰이고 있는 입자 제조방법은 각 원료들을 높은 열에너지로 소성시켜 제조하는 방법이 있는데, 현재 이런 입자들은 입경 및 입자 형성이 용이하지 않아 그 특성이 뒤떨어져 저급용 입자들로 쓰일 뿐이다.

특히, 본 발명에서 형광체 입자로써 제조하고자 하는 물질인 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, (Y,Gd)BO₃:Eu, ZnSiO₄:Mn는 PDP(Plasma Display Panel)와 VFD(Vacuum Fluorescence Display), FED(Field Emission Display)에서 크게 기대되고 있는 물질인데, 그 조성이 복잡하여 기존의 제조방법으로는 매우 복잡하며 공정이 어려운 점이 있다. 현재 그 수요량에 부합하기 위하여 기본적인 고상법으로 형광체를 제조하여 충당하고 있으나 이는 입자의 형태 및 조성들의 균일도 등에 있어서 발광효율의 저하를 일으키는 원인으로 분석되고 있다. 따라서 입자의 형상, 균일한 조성 및 입도의 분포, 용이하고 대량으로 생산할 수 있는 공정을 지닌 기술을 개발하고자 많은 노력들이 진행되어지고 있다.

이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 적합하게 용해된 수용성 형광체의 염의 조절과 초음파 분무장치 또는 노즐장치 및 열처리 등의 제조 공정을 최적화함으로써 디스플레이용 형광체인 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, (Y,Gd)BO₃:Eu, 및 ZnSiO₄:Mn를 수 마이크로미터 미만의 구형 형광체로 대량으로 합성하기 위한 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법을 제공하는 데 있다.

도1a 내지 도1c는 본 발명에서 사용된 구형 형광체의 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면으로서, 도1a는 초음파에 의한 형광체 제조 장치의 예를, 도1b 및 도1c는 노즐을 이용한 형광체 제조 장치를 나타내는 도면이다.

도2는 도1b 및 도1c에서 사용된 노즐의 예를 나타내는 도면이다.

도3은 본 발명에 의한 구형 형광체 제조방법의 실시예를 나타내는 공정도이다.

도4a는 본 발명의 초음파를 이용한 액적 발생장치에 의해 형성된 구형 형광체 분말을 나타내는 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다.

도4b는 본 발명의 노즐을 이용한 액적 발생장치에 의해 형성된 구형 형광체 분말을 나타내는 SEM 사진이다.

도5a 내지 도5c는 본 발명에 의해 합성된 구형 형광체 분말의 SEM 사진이다.

도6a 내지 도6c는 전구체 농도에 따른 입자크기의 변화를 보여주는 구형 형광체 분말의 SEM 사진이다.

도7a 내지 도7c는 합성 온도에 따라 제조된 형광체((Y,Gd)BO₃:Eu)의 SEM 사진이다.

도8은 합성 온도에 따른 형광체((Y,Gd)BO₃:Eu)의 발광휘도(PL)를 보여주는 그래프이다.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※

10 : 운반가스 공급원 12 : 초음파 발생기

14,34,50 : 전구체 16,38,56 : 반응로

18,40,58 : 포집기 20 : 필터

30,52 : 컴프레서 32 : 펌프

36,54 : 노즐부 42,60 : 여과포

70 : 노즐 72 : 전구체공급홀

74 : 에어공급홀 80 : 소켓

상기 목적을 해결하기 위한 본 발명에 따른 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법은, 수용성 형광체 염을 용매에 용해시켜 형광체의 전구체를 제조하는 단계; 상기 제조된 전구체를 초음파 분무장치 또는 노즐장치에 주입하여 액적을 생성하는 단계; 상기 생성된 액적이 운반가스에 의해 반응로에 투입되면서 300 ～ 1,700℃에서 열분해하여 형광체 분말을 제조하는 단계; 상기 제조된 형광체 분말을 포집하는 단계; 상기 포집된 형광체 분말에 포함되어 있는 수분을 제거하는 건조단계; 상기 건조된 형광체의 분말을 산화 또는 환원 분위기 하에서 400℃ ~ 1600℃에서 0.5～10 시간동안 상기 온도에 이르기까지 10℃/min 이하의 승온속도로 수행하는 승온단계 및 온도 정지단계를 반복적으로 수행하는 열처리 단계; 및 상기 열처리 단계 이후 상온에서 냉각시키는 단계를 포함하여 이루어진다.

상기 수용성 형광체 염은 금속계 수용성 물질들로서, 형광체를 주요구성으로 포함하고, 그의 질산염, 아세테이트, 황산염, 염화물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 용매에 용해시켜 수용성의 형광체의 전구체를 제조하는 것이다. 상기 용매는 초순수, 이소프로필 알콜, 산(Acid)으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 것이다.

상기 형광체는 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, (Y,Gd)BO₃:Eu, 및 ZnSiO₄:Mn이다. 각 구형의 형광체 제조에 사용된 수용성 형광체 염의 종류와 상기 염을 용해하기 위한 용매는 표 1에 나타내었다.

표 1의 각 수용성 형광체 염 및 사용된 용매는 제조하고자 하는 최종 물질의 분체 특성에 중요한 영향을 끼친다. 즉, 각각의 수용성 형광체 염을 용매에 녹이고 교반하여 형광체의 전구체를 제조하는 과정에서, 상기 수용성 형광체 염의 종류 및 용매의 종류에 따라 합성되는 구형 형광체의 기계적, 광학적 특성에 크게 영향을 줄 수 있다.

〈표 1〉 형광체의 구형 형광체 제조시 첨가된 수용성 형광체 염과 용매의 종류

또한, 적절하게 제조된 형광체의 전구체를 초음파 분무장치 또는 노즐장치에 주입하여 액적화시킨다. 이때, 채택한 방식에 따라 액적의 크기는 다르게 생성된다.

본 발명에 따른 구형 형광체를 제조하기 위한 장치의 예가 도1a에 도시되어 있는데, 도1a에 의하면, 질소(N₂), 아르곤(Ar), 수소(H₂) 또는 에어(Air) 등의 가스가 공급되는 운반가스 공급원(10), 제조된 형광체의 전구체(14)를 고주파를 가하여 액적으로 변환 생성하는 초음파 분무장치(12) 내에 투입하고, 상기 초음파 분무장치를 통하여 액적으로 변환된 전구체(14)를 가열하여 열분해시키는 반응로(16), 상기 반응로(16)를 통과한 후, 용매 성분이 제거된 형광체를 필터(20)와 싸이클론을 통해 포집하는 포집기(18)가 순서대로 결합되어 있다. 그리고, 포집기(18)에는 필터(20)를 통과한 기체성분이 방출되는 배출구(도시되지 않음)가 형성되어 있다.

초음파 분무장치의 경우, 진동자의 초음파로 액적이 생성되는 장치로서, 초음파의 출력특성이 1.67Mhz에서 생성된 액적의 크기는 2 ~ 4㎛이며 최종적으로 합성된 입자는 전체적으로 약 2㎛ 이하에서 수 백㎚의 크기를 나타낸다.

또한, 본 발명에 따른 구형 형광체를 제조하기 위한 장치의 또 다른 예로는 노즐 장치를 이용하는 것이다. 보다 구체적으로, 펌핑에 의해 소정 크기의 압축력을 제공하는 압축수단, 원료염과 용매가 결합되어 제조된 전구체, 상기 전구체가 통과되면서 소정 크기의 액적을 형성하여 분사되도록 상기 압축수단으로부터 소정 크기의 압축력이 작용하며, 하나 이상의 노즐을 구비하고 있는 노즐부, 상기 액적이 공급되고 열분해되면서 일정한 크기를 갖는 구형의 입자로 형성되는 반응로 및 상기 입자가 포집되는 여과포가 구비되어 있는 포집기를 포함하여 이루어진다.

상기 전구체는 소정의 펌핑수단에 의한 펌핑에 의해 강제적으로 상기 노즐에 공급되도록 하거나, 상기 노즐의 위치보다 높게 위치되도록 설치되어서 자연적으로 공급되도록 할 수 있다.

또한 상기 반응로의 길이는 30cm 내지 200㎝로 설계되어서 상기 액적이 체류되는 시간을 조절하는 것이 바람직하다.

상기 노즐 장치를 이용한 예를 도1b 및 도1c에 나타내었다.

즉, 도1b에 도시된 바와 같이, 노즐부(36)에는 전구체와 에어가 각각 공급되도록 일측에는 전구체(34)를 공급하는 펌프(32)가 연결되어 있고 다른 일측에는 컴프레서(30, Compressor)가 각각 연결되어 있다. 그리고, 노즐부(36)의 후단에는 분사된 액적이 숙성되는 반응로(38)가 연결되고, 그 후단에는 여과포(42)에 의해 분말이 포집되는 포집기(40)가 연결되어 있다. 이때 노즐부(36)에는, 도2의 예와 같이, 심부에는 전구체공급홀(72)이 형성되어 있고 그 외측에는 에어공급홀(74)이 구비되어 있는 노즐(70)이 구비된다.

그리고, 도1c에는 도1b의 노즐부(54)에 연결되는 컴프레서(52)는 동일하나 전구체(50)는 노즐부(54)의 상부에 위치하여 위치 차에 의해 전구체가 공급되도록 구성되어 있다. 도2에서 보는 바와 같이, 이때 노즐부(54)에 포함되는 노즐(70)에는 소켓(80)이 더 구비되어 있는데 노즐(70)에 형성된 홀의 구경보다 더 작은 크기의 구경을 갖는 홀이 형성되어 있어서 더욱 미세한 크기의 입자가 분사되도록 할 수 있다.이때 도1b와 도1c에서 사용되는 노즐의 특성은 다음의 표2 및 표3의 예와 같이 비교될 수 있다.

〈표 2〉표준형 노즐〈표 3〉 사이펀/그래비티(Siphon/Gravity)형 노즐도1a의 초음파 분무장치는 생성된 액적의 입자 크기뿐만 아니라 생산할 수 있는 액적의 양 또한 조절 가능하게 한다.초음파 분무장치를 이용하여 제조된 액적 입자의 사진은 도4a에 나타내었다. 상기 액적의 입자크기는 제조되는 형광체의 분말 특성에 크게 영향을 주므로 액적 제조 장치의 선택이 매우 중요한 인자이다. 또한, 액적의 입자크기는 액적 제조장치의 종류 뿐 아니라 전구체의 제조시 첨가되는 수용성 형광체 염의 농도에도 뚜렷이 영향을 받으므로 수용성 형광체 염의 농도의 조절 역시 중요한 인자이다.

위와 같은 방법으로 생성된 액적들은 0.1 ~ 5 liter/min의 운반가스에 의하여 고온의 반응로 안으로 이동된다. 사용된 운반가스는 물질에 따라 달리 사용하는데 일반적으로 N2, CO2, Ar, H2(N2:H2=95:5), 에어 가스를 이용하였다. 제조하고자 하는 형광체 특성에 따라 필요한 가스를 사용하게 된다. 예를 들어 Zn(Ga(1-x)Alx)2O4:Mn, BaMgAl10017:Eu, ZnSiO4:Mn과 같이 환원의 조건이 필요할 경우는 수소가스를, 이 외에 산화 조건일 경우에는 에어 가스를 사용하였다. 이때, 운반가스의 속도는 반응기 내에서 액적이 열분해되는 체류시간과 관계되므로 합성하고자 하는 입자의 크기 및 불순물의 제거에 적합하게 선택된다. 운반가스에 의하여 고온의 반응로 안으로 이동된 액적들은 열에너지에 의하여 수용성 형광체 염에 그의 질산염, 아세테이트, 황산염, 염화물염 등이 기체로 제거되고, 용매가 기화되어 형광체 분말이 합성된다. 따라서 반응로의 온도는 액적의 열분해를 일으키는 에너지원으로 입자 생성에 중요한 영향을 주게 된다. 반응로 내부온도는 각 생성된 형광체의 특성에 따라 300℃ ~ 1700℃로 변화시킨다.

액적이 흘러 들어와 열분해되는 공간은 반응로로 둘러싸여 있는 수정관(Quartz Tube)이며 반응로의 길이도 액적의 열분해되는 체류시간을 정해주게 되므로 길이를 5㎝ ~ 200㎝로 조절한다. 즉 체류시간은 운반가스의 속도와 반응로의 길이에 따라 조절될 수 있으며 최저 0.01초에서 최고 5초까지 조절한다.

반응 후 제조된 입자는 기화된 가스와 함께 포집 부문으로 이동하게 되며, 포집 부문은 생성된 입자의 양이 적을 경우에는 여과지를 이용하고, 대량생산의 경우는 싸이크론과 산업용 포집기를 이용하여 포집한다. 나머지 잔류 가스는 배출구로 빠져나가게 된다. 포집 부문에서는 기화된 용액이 다시 액화되는 것을 막기 위해서 50℃ ~ 150℃로 유지시킨다. 합성되어 여과지에 포집된 분말은 수분의 제거를 위하여 100℃ ~ 150℃의 건조오븐(Drying Oven)에서 건조한다.

이러한 형광체의 구형의 입자들은 결정성이 낮아 형광체로서 발광효율이 매우 낮다. 결정성의 부여하기 위해서는 고온의 반응로에서 장시간 동안 열처리가 필요하다. 열처리의 온도는 물질의 종류에 따라 다른데, 일반적으로 400℃ ~ 1600℃에서 0.5시간 내지 10시간까지 하게 된다. 열처리 공정은 입자의 그레인(Grain) 성장과 결정성의 향상을 일으키지만 입자사이의 엉김현상(Aggregation)과 표면의 손상을 주기도 한다. 그러므로, 적당한 승온속도와 세밀한 열처리 조건이 필요하다.

보통 열처리 온도에 이르기까지 2번 정도의 온도 정지상태를 유지시켜 주며, 각각의 경우 정지시간은 1시간으로 한다. 온도의 단계적 상승은 갑작스런 온도의 증가로 인한 입자내 압력의 증가로 생기는 입자표면의 손상과 구형의 변형을 방지할 수 있다. 또한 모든 공정의 승온속도는 10℃/min 이하로 유지시켜 주는데 이 또한 단계적 온도상승과 같은 맥락이다.

열처리는 입자가 열에너지를 받는 분위기에 따라 산화와 환원 두 가지로 나뉘어지는데, 형광체의 입자에 첨가되는 활성이온의 특성에 따라 실행된다. Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, ZnSiO₄:Mn과 같이 4+가 아닌 2+의 Mn과 Eu 이온들이 필요로 하는 경우에는 열처리시 산화가 아닌 환원의 과정을 시행하게 된다. 환원의 분위기를 만들기 위해서는 일반적으로 고체 탄소가루를 이용하는 경우와 수소(H₂)가스를 이용하는 경우, 그리고 아르곤(Ar) 가스를 이용하는 경우가 있다. 최적의 환원 분위기 또한 각 형광체에 따라 다르며 ZnSiO₄:Mn과 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn는 500㎖/min 이하의 수소가스를 이용하며 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu의 경우는 100㎖/min 이상의 수소가스를 흘려보내 환원분위기를 만든다. 이에 반해 (Y,Gd)BO₃:Eu는 환원의 공정 없이 대기 상태에서 고온의 열로써 열처리만 하게 된다. 모든 경우, 열처리가 끝난 후에는 대기 중에서 상온까지 그대로 두고 식힌다.

초음파 분무 장치를 이용하여 합성된 형광체의 분말 입자들이 SEM에 의해 관찰된 대표적인 도면이 도4a이고, 노즐 장치를 이용하여 합성된 형광체의 분말 입자들이 SEM에 의해 관찰된 대표적인 도면이 도4b이다.더욱 구체적으로는 도5a 및 도5c를 참조하여 설명한다. 사진에 나타나듯이 상기의 공정을 통하여 입자를 제조할 경우 구형의 입자들이 제조됨이 확인되었다. 도5a의 (Y,Gd)BO₃:Eu과, 도4b의 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, 도4c의 SiO₂및 도시하지는 않았지만 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn[x=0.0~1.0], ZnSiO₄:Mn등 서로 다른 종류의 입자들이 원소들의 종류에 상관없이 일정하게 구형이고 그 크기의 분포 또한 비교적 균일하다. 입자내 원소들의 함량 비율이 전구체 제조시 첨가된 수용성 형광체 염들의 비율과 같은 것이 ICP 결과 입증되었는데, 이는 최종적으로 합성된 분말들의 화학적인 함량 조절에 본 제조 공정이 비교적 용이하다는 것을 보여주는 것이다.

도6a 내지 도6c는 전구체에 첨가되는 전체 몰농도에 따른 입자 크기의 변화를 보여주고 있는 사진이다. 도6a는 전구체 농도가 0.15몰이고, 도6b는 0.45몰, 그리고 도6c는 1.5몰인 경우의 사진을 나타낸다. 전체 몰농도가 높아짐에 따라 입자크기가 최소 0.1㎛에서 최고 2㎛까지 변화됨을 알 수 있는데, 이 범위의 입자크기는 초음파 분무장치를 이용해 액적화할 경우 쉽게 조절할 수 있다.

운반가스의 종류와 그 운반속도는 형광체 입자의 특성에 아주 특별한 영향을 준다. 특히 수소가스의 경우는 매우 특이했는데, Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, ZnSiO₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu 등의 형광체 제조에 있어서 환원이 필요한 경우 수소가스가 아주 적합한 운반가스임을 알 수 있다. 그러나 일반적인 산화물 형광체인 경우는 Air, N₂, CO₂가스가 큰 변화없는 결과를 나타낸다. 액적들이 열분해될 수 있도록 열에너지를 주는 반응로 안의 온도는 입자의 형상이나 결정성에 많은 영향을 준다.

도7a 내지 도7c는 온도별로 형성된 입자의 형상을 보여주는데 너무 낮은 온도는, 예를 들면 400℃ 이하에서는 구형의 형태를 나타내지 못하고 있다. 그러나, 높은 온도에 대해서는 입자의 형상 변화는 없다. 사진은 (Y,Gd)BO₃:Eu에 대한 온도별 입자의 변화를 확인하기 위한 것으로서, 도7a는 400℃, 도7b는 600℃, 그리고, 도7c는 1,000℃인 경우의 입자 사진이다.

열처리까지 끝난 입자의 휘도 세기를 나타내는 도8의 그래프는 구형의 형태가 아닌 너무 낮은 온도(예를 들면, 450℃)에서는 휘도 세기가 매우 낮으며, 형상의 차이는없지만 합성온도가 높을 경우도 휘도의 세기가 감소하고 있음을 보여준다. 따라서 형광체의 제조시 적정의 합성온도가 존재하고 이는 형광체의 물질별로 다름을 알 수 있다.

그래프로 도시하지는 않았지만 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu은 합성온도(약 1600℃)가 높을수록 휘도에 대한 결과가 좋아졌으며, ZnSiO₄:Mn, Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn 나 (Y,Gd)BO₃:Eu는 낮을수록(약 600℃) 좋은 휘도결과를 나타낸다. 반응로를 통과시켜 합성한 입자들은 형광체 입자로써의 효율을 증가시키기 위하여 결정성을 주게 되는데 이를 위하여 열처리를 한다. 열처리 공정은 높은 온도에서 장시간동안 열에너지를 가하는데, 합성온도와 마찬가지로 입자별로 그 온도와 시간이 다르며 또한 열처리 공정이 실시되는 분위기도 다르다.

위에서 언급한 바와 같이 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, ZnSiO₄:Mn은 환원의 분위기가 필요하므로 외부 공기와의 접촉이 없는 높은 온도의 반응로에 수소가스를 흘려줌으로써 환원과 열처리를 동시에 하게 되고, (Y,Gd)BO₃:Eu는 대기조건하에서 높은 온도로 열처리를 하게 된다. 일반적으로 열처리 온도는 1000℃ 이상이 되며 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu과 같이 높은 합성온도가 필요한 입자는 열처리 온도 또한 매우 높다.

상기 열처리 단계 이후, 제조된 결정성의 형광체의 구형 형광체를 상온에서 냉각시켜, 결정성이 확보된 구형의 형광체를 제조할 수 있다.

본 발명에 의하면, 초음파 분무장치 또는 노즐장치 및 열처리 등의 제조 공정을 최적화함으로써 디스플레이용 형광체인 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, (Y,Gd)BO₃:Eu를 수 마이크로미터 미만(예로써 0.01㎛ ~ 10㎛)의 구형의 형광체로 합성하여 생산량이 향상되는 효과가 있으며, 공정이 용이하고 재현성이 뛰어나며 성분이 복잡한 다성분계 입자를 쉽게 제조할 수 있는 효과가 있다.

그리고, 차세대 디스플레이용 형광체로 사용하기 위해 형태가 구형이고 균일한 분포를 지닌 입자들을 대량으로 제조할 수 있는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (13)

1. 수용성 형광체 염을 용매에 용해시켜 형광체의 전구체를 제조하는 단계;

   상기 제조된 전구체를 초음파 분무장치 또는 노즐장치에 주입하여 액적을 생성하는 단계;

   상기 생성된 액적이 운반가스에 의해 반응로에 투입되면서 300 ～ 1,700℃에서 열분해하여 형광체 분말을 제조하는 단계; 상기 제조된 형광체 분말을 포집하는 단계;

   상기 포집된 형광체 분말에 포함되어 있는 수분을 제거하는 건조단계;

   상기 건조된 형광체의 분말을 산화 또는 환원 분위기 하에서 400℃ ~ 1600℃에서 0.5～10 시간동안 상기 온도에 이르기까지 10℃/min 이하의 승온속도로 수행하는 승온단계 및 온도 정지단계를 반복적으로 수행하는 열처리 단계; 및

   상기 열처리 단계 이후 상온에서 냉각시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 수용성 형광체 염이 형광체를 주요구성으로 포함하고, 그의 질산염, 아세테이트, 황산염, 염화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 용매가 초순수, 이소프로필 알콜 및 산(Acid)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 형광체가 Zn(Ga_(1-x)Al_x)₂O₄:Mn, BaMgAl₁₀O₁₇:Eu, (Y,Gd)BO₃:Eu 또는 ZnSiO₄:Mn인 것을 특징으로 하는 상기 제조방법.
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