JP2013521215A - 光ルミネセンスナノ粒子および調製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ZpおよびZcはそれぞれプラズマおよびコイルのインピーダンスを表している。30MHzより小さい周波数では、電力の2-15%だけが放電に渡される。これは、熱の増加および電源の限られた寿命につながるrf回路での高反射率電力を生産するという効果を有する。対照的に、より一層高い周波数は、より一層多くの電力を放電に渡すことを許容し、それによって、rf回路における反射電力の量が減らされる。
図2A〜2Cのグラフは、100cStのPDMSにおいて捕捉された0.06重量%のシリコンナノ粒子の堆積の結果を示す。シリコンナノ粒子は、0.31容量(vol.)%のSiH4(モノシラン)および5.3容量%のH2を用い、3.5ミリトルの圧力でプラズマの9cmの下流に配置された捕捉流体での30分間127MHzおよび3.7トルで125WでのArプラズマ作動により釣り合い(バランス)をとって形成した。図2Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス放出最大波長〔365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3(Horiba FluoroLog 3)分光蛍光光度計で測定した〕を示す。図2Bは、時間の関数として、試料(サンプル)の光ルミネセンス発光強度の最大値を示す。図2Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは80.5nmにシフトし、一方で、発光強度は空気への曝露により39.1倍増加した。算出したSiコア径は、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.85nm減少した。
図3A〜3Cでのグラフは、100cStのPDMSにおいて捕捉されたSiナノ粒子の0.021重量%の堆積を示す。シリコンナノ粒子は、0.31容量%のSiH4および5.3容量%のH2を用い、20分間の127MHzでの、および3.7トルでの125WのArプラズマ作動によってバランスをとって形成した。捕捉流体は3.5ミリトルの圧力でプラズマの9cmの下流に配置した。図3Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス発光最大波長(365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定した)を示す。図3Bは、時間の関数として、試料の光ルミネセンス発光強度最大値を示す。図3Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは85nmにシフトし、一方で、発光強度は空気への曝露により27.4倍増加した。算出したSiコアは、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.92nm減少した。
図4A〜4Cのグラフは、100cStのPDMSに捕捉されたSiナノ粒子の0.0127重量%の堆積を示す。シリコンナノ粒子は、0.24容量%のSiH4および8容量%のH2を用い、30分間の127MHzでの、および4.25トルでの112WのArプラズマ作動によってバランスをとって形成した。捕捉流体は5.2ミリトルの圧力でプラズマの9cmの下流に配置した。図4Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス発光最大波長(365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定した)を示す。図4Bは、時間の関数として、試料の光ルミネセンス発光強度最大値を示す。図4Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは95nmにシフトし、一方で、発光強度は空気への曝露により6.8倍増加した。算出したSiコアは、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.93nm減少した。
図5A〜5Cのグラフは、100cStのPDMSに捕捉されたSiナノ粒子の0.03重量%の堆積を示す。シリコンナノ粒子は、0.31容量%のSiH4および5.3容量%のH2を用い、15分間の127MHzでの、および3.68トルでの125WのArプラズマ動作によってバランスをとって形成した。捕捉流体は3.5ミリトルの圧力でプラズマの9cm下流に配置した。図5Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス発光最大波長(365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定した)を示す。図5Bは、時間の関数として、試料の光ルミネセンス発光強度最大値を示す。図5Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは78nmにシフトし、一方で、発光強度は空気への曝露により17.3倍増加した。算出したSiコアは、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.86nm減少した。
図6A〜6Cのグラフは、100cStのPDMSに捕捉されたSiナノ粒子の0.01重量%の堆積を示す。シリコンナノ粒子は、0.31容量%のSiH4および5.3容量%のH2を用い、5分間の127MHzでの、および3.69トルでの126WのArプラズマ動作によってバランスをとって形成した。捕捉流体は3.5ミリトルの圧力でプラズマの9cm下流に配置した。図6Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス発光最大波長(365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定した)を示す。図6Bは、時間の関数として、試料の光ルミネセンス発光強度最大値を示す。図6Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは86nmにシフトし、一方で、発光強度は空気への曝露により5.7倍増加した。算出したSiコアは、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.93nm減少した。
図7A〜7Cのグラフは、100cStのPDMSに捕捉されたSiナノ粒子の0.003重量%の堆積を示す。シリコンナノ粒子は、0.33容量%のSiH4および1.6容量%のH2を用い、10分間の127MHzでの、および3.91トルでの124WのArプラズマ動作によってバランスをとって形成した。捕捉流体は3.2ミリトルの圧力でプラズマの9cm下流に配置した。図7Aは、時間の関数として、材料の光ルミネセンス発光最大波長(365nmの励起でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定した)を示す。図7Bは、時間の関数として、試料の光ルミネセンス発光強度最大値を示す。図7Cは、時間の関数として、算出したSiコア径を示す。試料は期間を通して周囲空気に曝露したままであった。発光極大のブルーは62nmにシフトし、その一方、発光強度は空気への曝露により33倍増加した。算出したSiコアは、結晶性ナノ粒子の表面酸化のため、この期間にわたって0.58nm減少した。
図8は、それぞれ、時間の関数として、例4および5で記載したシリコンナノ粒子の結果の発光量子効率(LQE)を示す。捕捉流体でのナノ粒子は、395nmのLED源によるオーシャン・オプティクスUSB4000ファイバー・オプティック・スペクトロメーター(Fiber Optic Spectrometer)を介した測定として、周囲空気にさらした。LQEは、試料が空気にさらされると増加し続ける。
例4で報告するのと同じ条件を用いて、図9は、3.5ミリトルの圧力でプラズマの9cm下流に置かれた超微細なレース様カーボンで被覆した銅TEMグリッド上に堆積されたSiナノ粒子の明視野透過型電子顕微鏡の顕微鏡写真を示す。プラズマは、0.31容量%のSiH4および5.3容量%のH2を、127MHzおよび3.7トルの125WでのArプラズマ動作によってバランスを取って構成された。このことは、結晶性シリコンナノ粒子がこのプロセスによって形成されることを証明する。
図10は、365nmの励起波長でのホリバ・フルオロログ3分光蛍光光度計で測定したような例2で捕捉した粒子の初期および35日の発光スペクトルを示す。85nmのブルーシフトは、可視的で、発光強度において27.4倍の増大とともに、0.92nmのシリコンコア径の減少と相関する。
図11は、標準化された光ルミネセンス発光スペクトルを、ラベルがつけられた、例3において報告するものに似た条件を伴う100cStのPDMS中に捕捉されたSiナノ粒子の3つの試料(365nmでの励起)の放出曲線の標準偏差と共に示す。試料発光スペクトルでの違いは、空気への露出時間である。746、646、および566nmでの放出ピークは、それぞれ、空気への1、145、および250日の曝露で測られる試料からのものである。各スペクトルについての算出された粒径および標準偏差には、ラベルをつける。
例11
Siナノ粒子の直径は、以下の方程式から計算することができる。すなわち
Claims (25)
- 光ルミネセンスナノ粒子を調製するための方法であって、
反応ガス入口、および開口がある出口を有するプラズマ反応機において、およそ30からおよそ500MHzまでにわたる継続的周波数およびおよそ80からおよそ1000Wまでにわたる結合パワーを有する予め選定されたVHF無線周波数を、およそ2.2からおよそ4.7nmまでにわたる平均直径を有するシリコンナノ粒子を形成するのに十分な時間の間、プラズマを生じさせるために、反応ガス混合物に適用することであり、前記反応ガス混合物は、シリコン含有の第一前駆体ガスのおよそ0.1からおよそ50容量%まで、および少なくとも一種の不活性ガスを含むこと、および
捕捉流体において前記シリコンナノ粒子を収集することであり、プラズマ反応機の出口および捕捉流体の表面の間の収集距離は、およそ5からおよそ50の開口直径までにおよぶこと
を含む、方法。 - 前記反応ガス混合物は、およそ20℃からおよそ80℃までにわたる温度およびおよそ1からおよそ5トルまで(およそ133Paからおよそ665Paまで)にわたる圧力である、請求項1に請求の方法。
- 前記捕捉流体は、粒子収集室に含まれ、前記プラズマ反応機と連通する、請求項1に請求の方法。
- 前記捕捉流体は、およそ−20℃からおよそ150℃までにわたる温度およびおよそ1からおよそ5ミリトルまで(およそ0.133Paからおよそ0.665Paまで)にわたる圧力である、請求項3に請求の方法。
- 前記捕捉流体は、前記粒子収集室での圧力よりも低い蒸気圧を有する、請求項4に請求の方法。
- 前記第一前駆体ガスは、シラン、ジシラン、ハロゲン置換シラン、ハロゲン置換ジシラン、C1からC4までのアルキルシラン、C1からC4までのアルキルジシラン、およびそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項1に請求の方法。
- 前記反応ガス混合物には、さらに、炭素、ゲルマニウム、ホウ素、リン、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む第二前駆体ガスが包含され、前記第一および第二前駆体ガスの容量の合計は、前記反応ガス混合物のおよそ0.1からおよそ50容量%までを構成する、請求項1に請求の方法。
- 前記反応ガス混合物には、さらに、水素が含まれる、請求項1に請求の方法。
- 前記捕捉流体には、シリコーン流体が含まれる、請求項1に請求の方法。
- 前記シリコーン流体は、ポリジメチルシロキサン、フェニルメチル−ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、およびそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項9に請求の方法。
- 前記プラズマ反応機は、圧力低下オリフィスを通して前記粒子収集室と連通する、請求項1に請求の方法。
- 前記VHF高周波は、およそ1からおよそ50KHzまでにわたる周波数でパルスにされる、請求項1に請求の方法。
- 前記シリコンナノ粒子には、シリコンカーバイド(炭化ケイ素)、シリコンゲルマニウム、シリコンホウ素、シリコンリン、およびシリコンニトリドからなる群より選ばれるシリコン合金が含まれる、請求項1に請求の方法。
- 前記捕捉流体はかき混ぜられる、請求項1に請求の方法。
- さらに、前記シリコンナノ粒子を、前記捕捉流体において前記ナノ粒子を有機シリコン化合物にさらすことによってドーピングすることを含む、請求項1に請求の方法。
- さらに、前記捕捉流体において前記シリコンナノ粒子を、前記ナノ粒子を酸素にさらすことによって不動態化することを含む、請求項1に請求の方法。
- 請求項1のプロセスによって生産される光ルミネセンスシリコンナノ粒子。
- 捕捉流体においておよそ2.2からおよそ4.7nmまでにわたる平均直径を有する光ルミネセンスシリコンナノ粒子を含み、前記シリコンナノ粒子は酸素にさらすと増加するルミネセンス量子効率を有する、組成物。
- 酸素にさらすと短波長に変わる最大発光波長を有する、請求項18に請求の組成物。
- 酸素にさらすと増加する光ルミネセンス強度を有する、請求項18に請求の組成物。
- およそ365nmの励起波長で少なくとも1×106の光ルミネセンス強度を有する、請求項18に請求の組成物。
- およそ395nmの励起波長で少なくとも4%の量子効率を有する、請求項18に請求の組成物。
- シリコン合金が含まれる、請求項18に請求の組成物。
- 前記捕捉流体には、シリコーン流体が含まれる、請求項18に請求の組成物。
- 前記シリコン流体は、ポリジメチルシロキサン、フェニルメチル−ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、およびそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項18に請求の組成物。
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CN102870235B (zh) * | 2009-11-10 | 2016-11-23 | 免疫之光有限责任公司 | 用于从包括用于上变频的射频、微波能量和磁感应源的各种能量源产生发射光的上下变频系统 |
WO2013184458A1 (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | Dow Corning Corporation | Fluid capture of nanoparticles |
TW201410606A (zh) | 2012-07-30 | 2014-03-16 | Dow Corning | 增進矽奈米粒子之光致發光性的方法 |
CN102969366B (zh) * | 2012-11-05 | 2015-10-28 | 江苏万丰光伏有限公司 | 一种具有光学减反射和波长转换功能的复合薄膜材料 |
US9680072B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-06-13 | Pacific Light Technologies Corp. | Quantum dot (QD) delivery method |
US20140332723A1 (en) * | 2013-03-05 | 2014-11-13 | Juanita N. Kurtin | Quantum dot (qd) delivery method |
US10202543B2 (en) | 2013-03-05 | 2019-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Quantum dot (QD) delivery method |
KR101439184B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-09-12 | 한국에너지기술연구원 | 실리콘 나노 입자 제조장치 |
US20140339474A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Dow Corning Corporation | Silicone composition comprising nanoparticles and cured product formed therefrom |
WO2014186540A1 (en) | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Dow Corning Corporation | Method of recovering nanoparticles from a silicone material |
TW201501785A (zh) * | 2013-05-30 | 2015-01-16 | Dow Corning | 製備奈米粒子組合物之方法及藉其形成之奈米粒子組合物 |
WO2015076441A1 (ko) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 한국에너지기술연구원 | Icp를 이용한 실리콘 나노입자 제조장치 |
WO2015148843A1 (en) | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Dow Corning Corporation | Electromagnetic radiation emitting device |
CN110753591B (zh) * | 2017-03-03 | 2023-07-11 | 魁北克电力公司 | 包含被钝化层覆盖的核的纳米粒子、其制造方法及其用途 |
WO2020142282A2 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Dow Silicones Corporation | Composition for personal care, method of preparing the composition, and treatment method involving the composition |
WO2020142280A1 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Dow Silicones Corporation | Bioconjugated molecule, method of preparing same, and diagnostic method |
US20220176333A1 (en) | 2019-03-30 | 2022-06-09 | Dow Silicones Corporation | Method of producing nanoparticles |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH101768A (ja) * | 1996-03-01 | 1998-01-06 | Dow Corning Corp | シリコン酸化物合金のナノ粒子 |
WO2008152272A2 (fr) * | 2007-05-18 | 2008-12-18 | Commissariat A L'energie Atomique | Synthese par pyrolyse laser de nanocristaux de silicium |
US20090014423A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Xuegeng Li | Concentric flow-through plasma reactor and methods therefor |
JP2009504423A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | イノヴァライト インコーポレイテッド | 安定にパッシベートされたiv族半導体ナノ粒子、並びにその製造方法及びその組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5874134A (en) | 1996-01-29 | 1999-02-23 | Regents Of The University Of Minnesota | Production of nanostructured materials by hypersonic plasma particle deposition |
WO2002005969A2 (en) | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Regents Of The University Of Minnesota | Apparatus and method for synthesizing films and coatings by focused particle beam deposition |
US20050258419A1 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-24 | California Institute Of Technology | System and method for making nanoparticles with controlled emission properties |
DE112005001429T5 (de) | 2004-06-18 | 2007-04-26 | Innovalight, Inc., St. Paul | Verfahren und Vorrichtung zum Bilden von Nanopartikeln unter Verwendung von Hochfrequenzplasmen |
US7297619B2 (en) | 2004-08-24 | 2007-11-20 | California Institute Of Technology | System and method for making nanoparticles using atmospheric-pressure plasma microreactor |
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2011
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH101768A (ja) * | 1996-03-01 | 1998-01-06 | Dow Corning Corp | シリコン酸化物合金のナノ粒子 |
JP2009504423A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | イノヴァライト インコーポレイテッド | 安定にパッシベートされたiv族半導体ナノ粒子、並びにその製造方法及びその組成物 |
WO2008152272A2 (fr) * | 2007-05-18 | 2008-12-18 | Commissariat A L'energie Atomique | Synthese par pyrolyse laser de nanocristaux de silicium |
US20090014423A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Xuegeng Li | Concentric flow-through plasma reactor and methods therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2542502A1 (en) | 2013-01-09 |
US20120326089A1 (en) | 2012-12-27 |
WO2011109299A1 (en) | 2011-09-09 |
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TW201134762A (en) | 2011-10-16 |
KR20130014529A (ko) | 2013-02-07 |
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